TWI775196B - 壓接判定方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種能夠更正確地判定將壓接端子對電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞的壓接判定方法。
本發明之實施形態之壓接判定方法係判定將壓接端子對電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞的方法,且具備:第1工序、第2工序、及第3工序。於前述第1工序中,取得前述線束之壓接部之圖像資料。於前述第2工序中,根據前述圖像資料,求得針對前述壓接部之空隙的數值資料即第1資料。於前述第3工序中,基於前述第1資料,判定前述壓接部之壓接狀態之好壞。
Description
本發明之實施形態係關於一種壓接判定方法。
於電子機器之配線中,電源系統等之瓦數較高之部位之連接係利用將壓接端子對於電線壓接而成之線束。於此線束中,若壓接端子未充分對於電線壓接,則有產生電線之氧化或電線之脫落,而電阻值上升,產生發熱或冒煙等。
因而,謀求於製造線束時,能夠正確地判定壓接狀態之好壞之判定方法。例如,業已知悉藉由線束之壓接部之剖面觀察或壓接部之壓接高度等,判定壓接狀態之好壞之方法。然而,於藉由剖面觀察或壓接部之壓接高度等進行之壓接判定方法中,有無法正確地判定壓接狀態之好壞之情形。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-248409號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明所欲解決之問題在於提供一種能夠更正確地判定將壓接端子對於電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞之壓接判定方法。
[解決問題之技術手段]
實施形態之壓接判定方法係判定將壓接端子對於電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞的方法,且具備:第1工序、第2工序、及第3工序。於前述第1工序中,取得前述線束之壓接部之圖像資料。於前述第2工序中,根據前述圖像資料,求得針對前述壓接部之空隙的數值資料即第1資料。於前述第3工序中,基於前述第1資料,判定前述壓接部之壓接狀態之好壞。
以下,針對本發明之各實施形態,一面參照圖式,一面詳細地說明。
圖式係示意性或概念性圖式,各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等並非必須限定於與實物相同。即便在表示相同部分之情形,亦有根據圖式而彼此之尺寸或比率不同地表示之情形。
在本發明申請案說明書與各圖中,對與關於已出現之圖式所前述之要素相同的要素賦予相同的符號,而適宜省略詳細之說明。
圖1係示意性顯示實施形態之線束之俯視圖。
如圖1所示般,線束100具備:電線10、及安裝於電線10之前端之壓接端子20。
線束100具有複數條電線10。又,電線10之一部分係由絕緣性之被覆構件15被覆。電線10例如包含鋁、銅、銅合金等金屬。壓接端子20例如包含鋁、銅、銅合金等金屬、或於其等之表面施以鍍覆而形成者。
壓接端子20具有:安裝於被覆構件15之第1安裝部21、及安裝於電線10之第2安裝部22。第1安裝部21以覆蓋被覆電線10之被覆構件15之周圍之方式安裝。換言之,第1安裝部21安裝於電線10中之由被覆構件15被覆之部分。第1安裝部21藉由以覆蓋被覆構件15之周圍之方式擠壓(緊固)第1安裝部21,而相對於被覆構件15被固定。
第2安裝部22係以覆蓋電線10之周圍之方式安裝。換言之,第2安裝部22安裝於電線10中之未由被覆構件15被覆之部分。第2安裝部22藉由以覆蓋電線10之周圍之方式擠壓(緊固)第2安裝部22,而相對於電線10被固定。藉此,第2安裝部22與電線10電性連接。即,第2安裝部22對於電線10壓接。如此,線束100具有將壓接端子20(第2安裝部22)對於電線10壓接之壓接部30。
圖2(a)~圖2(c)係示意性顯示線束之壓接部之一例之剖視圖。
圖2(a)~圖2(c)係沿圖1所示之A1-A2線之剖視圖。
如圖2(a)~圖2(c)所示般,於壓接部30中,電線10被收納於壓接端子20(第2安裝部22)之內部。即,於壓接部30中,電線10位於由壓接端子20(第2安裝部22)包圍之空間。因而,難以僅根據壓接部30之外觀,來正確地判定壓接狀態之好壞。
如圖2(a)所示,於壓接狀態良好之情形下,在壓接端子20與電線10之間未產生較大之空隙。另一方面,如圖2(b)所示,於壓接狀態不良之情形下,在壓接端子20與電線10之間產生較大之空隙。如此,藉由觀察壓接部30之剖面,而能夠於某一程度上推定壓接狀態之好壞。
然而,例如,雖然如圖2(c)所示,於壓接端子20與電線10之間存在空隙,但於該空隙較小之情形等下,難以判定壓接狀態之好壞。即,難以僅憑藉觀察壓接部30之剖面,定性地評估剖面之狀態,而正確地判定壓接狀態之好壞。
(第1實施形態)
圖3係顯示第1實施形態之壓接判定方法之流程圖。
圖4係示意性顯示二維之空隙率之求得方法之說明圖。
如圖3所示,於第1實施形態之壓接判定方法中,首先,取得線束100之壓接部30之圖像資料(第1工序;步驟S101)。於該例中,取得壓接部30之剖面之二維圖像資料,而作為圖像資料。
壓接部30之剖面之二維圖像資料例如能夠藉由在壓接部30中切斷線束100,並利用光學顯微鏡、金屬顯微鏡、或電子顯微鏡等拍攝剖面,而取得。
此時,可於將原子編號較構成壓接端子20之金屬(例如鋁、銅)為大之金屬流入壓接部30之內部後,取得圖像資料。此時,可舉出例如銀、金、錫、鉛、及鉬等,而作為所使用之金屬。更具體而言,例如,可使用焊接(共晶、無鉛)、銀膏體、金膏體、或鍍錫等。
其次,根據於第1工序(步驟S101)取得之圖像資料,求得針對壓接部30之空隙之數值資料(以下稱為「第1資料」)(第2工序;步驟S102)。於該例中,根據於步驟S101取得之二維圖像資料,求得針對壓接部30之剖面之二維之空隙之數值資料,而作為第1資料。此處言及之「針對二維之空隙之數值資料」係二維之空隙率、二維之空隙形狀、二維之空隙尺寸等。於該例中,在步驟S102中,求得二維之空隙率,而作為第1資料。
二維之空隙率可如以下般求得。首先,如圖4所示,將二維圖像資料二元化,分為電線10及壓接端子20存在之第1區域R1、及電線10及壓接端子20不存在之第2區域R2。第2區域R2中之存在於第1區域R1之內部之部分可視為跟電線10與壓接端子20之間之空隙及電線10彼此之間之空隙對應之空隙區域R3。二維之空隙率Pa係由空隙區域R3之面積S3相對於第1區域R1之面積S1與空隙區域R3之面積S3之和之比表示之(Pa=S3/(S1+S3))。
又,藉由將二維圖像資料二元化,而可以二進制法之矩陣表示空隙區域R3對於第1區域R1之配置。可根據該矩陣求得二維之空隙形狀。又,藉由將二維圖像資料二元化,而可求得空隙區域R3之面積S3。可根據該面積S3求得二維之空隙尺寸。
其次,基於在第2工序(步驟S102)求得之第1資料,判定壓接部30之壓接狀態之好壞(第3工序;步驟S103)。於該例中,基於在步驟S102求得之二維之空隙率,判定壓接部30之壓接狀態之好壞。若二維之空隙率為臨限值以下(步驟S103:是),則判定為壓接部30之壓接狀態為「良好」(步驟S104)。另一方面,當二維之空隙率超過臨限值時(步驟S103:否),判定為壓接部30之壓接狀態為「不良」(步驟S105)。
二維之空隙率之臨限值例如可根據過去製造之合格品之二維之空隙率及不合格品之二維之空隙率之至少任一者而求得。同樣,二維之空隙尺寸之臨限值例如可根據過去製造之合格品之二維之空隙尺寸及不合格品之二維之空隙尺寸之至少任一者而求得。於將二維之空隙形狀用於判定之情形下,例如,根據過去製造之合格品之二維之空隙形狀及不合格品之二維之空隙形狀之至少任一者,求得成為判定之基準之矩陣,藉由與成為該基準之矩陣比較(例如,求得類似性之程度),而可判定壓接狀態之好壞。
於第3工序(步驟S103)中,可基於1個第1資料(例如,空隙率、空隙形狀、空隙尺寸等中之一個)進行判定,亦可基於複數個第1資料(例如,空隙率、空隙形狀、空隙尺寸等中之2個以上)進行判定。於第3工序(步驟S103)中,若基於複數個第1資料進行判定,則於第2工序(步驟S102)中,根據圖像資料求得複數個第1資料。
如此,取得壓接部30之圖像資料,根據所取得之圖像資料,求得針對壓接部30之空隙的數值資料(第1資料),基於第1資料判定壓接部30之壓接狀態之好壞,而可定量地判定壓接狀態之好壞。因此,即便非為對判定具有熟練之技能者,亦能夠更正確地判定線束100之壓接狀態之好壞。
又,根據圖像資料求得空隙率且基於空隙率進行判定,與使用空隙形狀或空隙尺寸進行判定之情形相比,能夠更容易且正確地判定壓接狀態之好壞。
又,取得壓接部之剖面之二維圖像資料,根據二維圖像資料求得剖面之二維之第1資料,基於二維之第1資料進行判定,而能夠更容易地判定壓接狀態之好壞。
又,在第1工序中,將原子編號較構成壓接端子20之金屬更大的金屬流入壓接部30之內部,取得帶有對比度差之圖像資料,而能夠更容易地擷取出空隙。因此,能夠更正確地掌握壓接部30之空隙之狀態,而能夠更正確地判定壓接狀態之好壞。
(第2實施形態)
圖5係顯示第2實施形態之壓接判定方法之流程圖。
圖6係示意性顯示三維之空隙率之求得方法之說明圖。
如圖5所示,於第2實施形態之壓接判定方法中,首先取得線束100之壓接部30之圖像資料(第1工序;步驟S201)。於該例中,取得壓接部30之三維圖像資料,作為圖像資料。
壓接部30之剖面之三維圖像資料例如可藉由X射線CT(Computed_Tomography,電腦斷層掃描)拍攝壓接部30而取得。此時,可與第1實施形態同樣地,於將原子編號較構成電線10之金屬及構成壓接端子20之金屬之任一者更大之金屬流入壓接部30之內部後,取得圖像資料。
其次,根據於第1工序(步驟S201)取得之圖像資料,求得針對壓接部30之空隙的數值資料(第1資料)(第2工序;步驟S202)。於該例中,根據於步驟S201取得之三維圖像資料,求得針對壓接部30之三維之空隙的數值資料,作為第1資料。此處言及之「針對三維之空隙的數值資料」係三維之空隙率、三維之空隙形狀、三維之空隙尺寸等。於該例中,在步驟S202中,求得三維之空隙率,作為第1資料。
三維之空隙率可以如下方式求得。首先,如圖6所示,將三維圖像資料二元化,分為存在電線10及壓接端子20之第1區域R1、及不存在電線10及壓接端子20之第2區域R2。第2區域R2中之存在於第1區域R1之內部之部分可視為跟電線10與壓接端子20之間之空隙及電線10彼此之間之空隙對應之空隙區域R3。三維之空隙率Pb係由空隙區域R3之體積V3相對於第1區域R1之體積V1與空隙區域R3之體積V3之和之比表示(Pb=V3/(V1+V3))。
又,藉由將三維圖像資料二元化,而可以二進制法之矩陣表示空隙區域R3對於第1區域R1之配置。可根據矩陣求得三維之空隙形狀。又,藉由將三維圖像資料二元化,而可求得空隙區域R3之體積V3。可根據該體積V3求得三維之空隙尺寸。
其次,基於在第2工序(步驟S202)求得之第1資料,判定壓接部30之壓接狀態之好壞(第3工序;步驟S203)。於該例中,基於在步驟S202求得之三維之空隙率,判定壓接部30之壓接狀態之好壞。若三維之空隙率為臨限值以下(步驟S203:是),則判定為壓接部30之壓接狀態為「良好」(步驟S204)。另一方面,當三維之空隙率超過臨限值時(步驟S203:否),判定為壓接部30之壓接狀態為「不良」(步驟S205)。
三維之空隙率之臨限值例如可根據過去製造之合格品之三維之空隙率及不合格品之三維之空隙率之至少任一者而求得。同樣,三維之空隙尺寸之臨限值例如可根據過去製造之合格品之三維之空隙尺寸及不合格品之三維之空隙尺寸之至少任一者而求得。於將三維之空隙形狀用於判定之情形下,例如,根據過去製造之合格品之三維之空隙形狀及不合格品之三維之空隙形狀之至少任一者,求得成為判定之基準之矩陣,藉由與成為該基準之矩陣比較(例如,求得類似性之程度),而可判定壓接狀態之好壞。
於第3工序(步驟S203)中,可基於1個第1資料(例如,空隙率、空隙形狀、空隙尺寸等中一個)進行判定,亦可基於複數個第1資料(例如,空隙率、空隙形狀、空隙尺寸等中2個以上)進行判定。於在第3工序(步驟S203)中,基於複數個第1資料進行判定之情形下,於第2工序(步驟S202)中,根據圖像資料求得複數個第1資料。
壓接部30之空隙之狀態有根據切斷之位置(剖面之位置)而不同之情形。此情形下,即便為相同之線束100之壓接部30,亦有根據剖面之位置,而判定為壓接狀態被為「良好」、或判定為壓接狀態為「不良」之虞。即,於基於二維之第1資料進行判定之情形下,有空隙之狀態根據剖面之位置而不同,而難以正確地判定壓接狀態之好壞之情形。
相對於此,取得壓接部之三維圖像資料,根據三維圖像資料,求得壓接部之三維之第1資料,藉由基於該第1資料進行判定,而即便根據剖面之位置,空隙之狀態不同,亦能夠更正確地掌握壓接部30之空隙之狀態。因此,與基於二維之第1資料進行判定之情形比較,能夠更正確地判定壓接狀態之好壞。又,若為該方法,則可非破壞地進行壓接狀態之好壞判定。
此外,可於第1工序(步驟S201)中,取得壓接部30之三維圖像資料,於第2工序(步驟S202)中,求得任意之位置之剖面中之二維之第1資料(二維之空隙率、二維之空隙形狀、二維之空隙尺寸等),於第3工序(步驟S203)中,基於二維之第1資料,判定壓接部30之壓接狀態之好壞。此時,剖面之位置例如可設定為空隙率變得最小之位置。
(第3實施形態)
圖7係顯示第3實施形態之壓接判定方法之流程圖。
如圖7所示般,於第3實施形態之壓接判定方法中,首先取得線束100之壓接部30之圖像資料(第1工序;步驟S301)。此時,作為圖像資料,可如第1實施形態般取得壓接部30之剖面之二維圖像資料,亦可如第2實施形態般取得壓接部30之三維圖像資料。
其次,根據於第1工序(步驟S301)取得之圖像資料,求得針對壓接部30之空隙之數值資料(第1資料)(第2工序;步驟S302)。此時,作為第1資料,可如第1實施形態般求得二維之第1資料,亦可如第2實施形態般求得三維之第1資料。
其次,求得於第2工序(步驟S302)求得之第1資料以外之資料(以下稱為「第2資料」)(步驟S303)。第2資料例如包含針對線束所使用之零件之資料(電線或壓接端子之材質、尺寸等)、針對製造所使用之機器(施作器、壓接模具等)之資料、針對製造條件之資料(壓接時之壓力、壓接時間等)、及針對線束之壓接部之形狀之資料(壓接高度、壓接寬度等)之至少任一者。第2資料可根據於第1工序(步驟S301)取得之圖像資料而求得。
此外,步驟S303可較步驟S301更靠前地進行,亦可與步驟S301同時進行。又,步驟S303可於步驟S301與步驟S302之間進行,亦可與步驟S302同時進行。
其次,基於在第2工序(步驟S302)求得之第1資料及在步驟S303求得之第2資料,判定壓接部30之壓接狀態之好壞(第3工序;步驟S304)。此時,利用儲存有合格品之資料及不合格品之資料之至少任一者之資料庫,藉由AI解析,判定壓接狀態之好壞。於資料庫中,例如儲存有:合格品之第1資料及不合格品之第1資料之至少任一者、及合格品之第2資料及不合格品之第2資料之至少任一者。
於本發明申請案說明書中,「AI解析」係利用AI(Artificial Intelligence:人工智慧)之解析。於藉由AI解析進行之判定中,利用儲存於資料庫之資料,藉由特定之算法,判定壓接狀態之好壞。此處言及之「特定之算法」係將複數個資料組合,而判定壓接狀態之好壞者。於藉由AI解析進行之判定中,例如,利用儲存於資料庫之資料,基於藉由機器學習而決定之基準,判定壓接狀態之好壞。於藉由AI解析進行之判定中,例如,基於藉由將合格品之資料及不合格品之資料設為示教資料之「有示教學習」而決定之基準,判定壓接狀態之好壞。
於該例中,藉由AI解析進行之判定所利用之複數個資料中至少1個係於步驟S302求得之第1資料。又,藉由AI解析進行之判定所利用之複數個資料中至少1個係於步驟S303求得之第2資料。即,於該例中,基於第1資料之至少1個、與第2資料之至少1個,藉由AI解析進行判定。於藉由AI解析進行之判定所利用之複數個資料中,可包含複數個第1資料,亦可包含複數個第2資料。
又,在由AI解析進行之判定中,例如,可基於儲存於資料庫之資料,藉由AI而選擇將第1資料中之何者資料(參數)用於判定。又,在由AI解析進行之判定中,例如,可基於儲存於資料庫之資料,藉由AI而選擇將第2資料中之何者資料(參數)用於判定。又,在由AI解析進行之判定中,例如,可基於儲存於資料庫之資料,藉由AI而決定要用於判定之各資料之加權。
(第4實施形態)
圖8係顯示第4實施形態之壓接判定方法之流程圖。
如圖8所示,於第4實施形態之壓接判定方法中,首先,取得線束100之壓接部30之圖像資料(第1工序;步驟S401)。而後,根據於第1工序(步驟S401)取得之圖像資料,求得第1資料(第2工序;步驟S402)。步驟S401及步驟S402可分別與第3實施形態之步驟S301及步驟S302同樣地進行。
其次,基於在第2工序(步驟S402)求得之第1資料,判定壓接部30之壓接狀態之好壞(第3工序;步驟S403)。步驟S403例如可與第1實施形態之步驟S103~S105、或第2實施形態之步驟S203~S205同樣地進行。
其次,若於步驟S403中判定為壓接狀態為「良好」時,求得第2資料(步驟S404)。步驟S404可與第3實施形態之步驟S303同樣地進行。
此外,步驟S404可較步驟S401更早進行,亦可與步驟S401同時進行。又,步驟S404可於步驟S401與步驟S402之間進行,亦可與步驟S402同時進行。又,步驟S404可於步驟S402與步驟S403之間進行,亦可與步驟S403同時進行。
其次,基於在步驟S404求得之第2資料,判定壓接部30之壓接狀態之好壞(步驟S405)。此時,使用儲存有合格品之資料及不合格品之資料之至少任一者的資料庫,藉由AI解析而判定壓接狀態之好壞。步驟S405可與第3實施形態之步驟S304同樣地進行。惟,於該例中,由AI解析進行之判定中使用之複數個資料,均為在步驟S404求得之第2資料。即,於步驟S405中,基於第2資料中2個以上之資料,藉由AI解析進行判定。於該例中,可將步驟S403~S405視為第3工序。
如此,在由AI解析進行之判定中,可同時進行基於第1資料之判定、與基於第2資料之判定,亦可分別進行。換言之,於第3工序中,如第3實施形態所示般,可一次進行基於第1資料與第2資料之由AI解析進行之判定,亦可如第4實施形態所示般,分兩次進行基於第1資料之判定、與基於第2資料之由AI解析進行之判定。
又,於第4實施形態中,對於在基於第1資料之判定(步驟S403)中判定為壓接狀態為「良好」者,進行基於第2資料之判定(步驟S405)。即,將於基於第1資料之判定(步驟S403)及基於第2資料之判定(步驟S405)之兩者中判定為壓接狀態為「良好」者判定為合格品。於第4實施形態中,例如,可對在基於第1資料之判定(步驟S403)中判定為壓接狀態為「不良」者,進行基於第2資料之判定(步驟S405)。即,可將於基於第1資料之判定(步驟S403)及基於第2資料之判定(步驟S405)之至少一者中判定為壓接狀態被為「良好」者判定為合格品。
如以上所說明般,根據實施形態提供一種能夠更正確地判定將壓接端子對於電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞之壓接判定方法。
雖然以上例示本發明之若干個實施形態,但該等實施形態係作為例子而提出者,並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可以其他各種形態實施,在不脫離本發明之要旨範圍內,可進行各種省略、置換、及變更等。該等實施形態及其變化例包含於發明之範圍及要旨內,且包含於申請專利之範圍所記載之發明及其均等之範圍內。且,前述之各實施形態可相互組合而實施。
10:電線
15:被覆構件
20:壓接端子
21, 22:第1、第2安裝部
30:壓接部
100:線束
A1-A2:線
R1, R2:第1、第2區域
R3:空隙區域
圖1係示意性顯示實施形態之線束之俯視圖。
圖2(a)~圖2(c)係示意性顯示線束之壓接部之一例之剖視圖。
圖3係顯示第1實施形態之壓接判定方法之流程圖。
圖4係示意性顯示二維之空隙率之求得方法之說明圖。
圖5係顯示第2實施形態之壓接判定方法之流程圖。
圖6係示意性顯示三維之空隙率之求得方法之說明圖。
圖7係顯示第3實施形態之壓接判定方法之流程圖。
圖8係顯示第4實施形態之壓接判定方法之流程圖。
Claims (7)
- 一種壓接判定方法,其係判定將壓接端子對電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞者,且包含:第1工序,其取得前述線束之壓接部之圖像資料;第2工序,其根據前述圖像資料,求得針對前述壓接部之空隙的數值資料即第1資料;及第3工序,其基於前述第1資料,判定前述壓接部之壓接狀態之好壞;於前述第1工序中,取得前述壓接部之三維圖像資料,作為前述圖像資料;且於前述第2工序中,根據前述三維圖像資料,求得針對前述壓接部之三維之空隙的數值資料,作為前述第1資料。
- 如請求項1之壓接判定方法,其中於前述第3工序中,使用儲存有合格品之資料及不合格品之資料之至少任一者的資料庫,基於前述第1資料與前述第1資料以外之第2資料,藉由AI解析,判定前述壓接部之壓接狀態之好壞。
- 如請求項1之壓接判定方法,其中於前述第2工序中,求得前述壓接部之空隙率,作為前述第1資料;且於前述第3工序中,若前述空隙率為臨限值以下則判定為壓接狀態為良好,若前述空隙率超過前述臨限值則判定為壓接狀態為不良。
- 如請求項2之壓接判定方法,其中於前述第2工序中,求得前述壓接部之空隙率,作為前述第1資料;且於前述第3工序中,若前述空隙率為臨限值以下則判定為壓接狀態為良好,若前述空隙率超過前述臨限值時則判定為壓接狀態為不良。
- 如請求項1至4中任一項之壓接判定方法,其中於前述第1工序中,將原子編號較構成前述壓接端子之金屬更大之金屬流入前述壓接部之內部後,取得前述壓接部之前述圖像資料。
- 一種壓接判定方法,其係判定將壓接端子對電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞者,且包含:第1工序,其取得前述線束之壓接部之圖像資料;第2工序,其根據前述圖像資料,求得針對前述壓接部之空隙的數值資料即第1資料;及第3工序,其基於前述第1資料,判定前述壓接部之壓接狀態之好壞;於前述第1工序中,取得前述壓接部之剖面的二維圖像資料,作為前述圖像資料;於前述第2工序中,根據前述二維圖像資料,求得針對前述剖面之二維之空隙的數值資料,作為前述第1資料;且於前述第1工序中,將原子編號較構成前述壓接端子之金屬更大之金屬流入前述壓接部之內部後,取得前述壓接部之前述圖像資料。
- 一種壓接判定方法,其係判定將壓接端子對電線壓接而成之線束之壓接狀態之好壞者,且包含:第1工序,其取得前述線束之壓接部之圖像資料;第2工序,其根據前述圖像資料,求得針對前述壓接部之空隙的數值資料即第1資料;及第3工序,其基於前述第1資料,判定前述壓接部之壓接狀態之好壞;且於前述第1工序中,將原子編號較構成前述壓接端子之金屬更大之金屬流入前述壓接部之內部後,取得前述壓接部之前述圖像資料。
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