TWI772521B - 晶圓加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]於晶圓內部形成均等的改質層。[解決手段]一種加工方法，係用雷射加工裝置對晶圓施以雷射加工，該雷射加工裝置具備：對保持台所保持的晶圓施以雷射加工之雷射加工單元；該加工方法具備：反射光檢測步驟，對於晶圓沿著多條分割預定線照射狀態檢測用的光，並檢測該光從晶圓上表面發出的反射光；區域設定步驟，依據該反射光檢測步驟中所檢測到的反射光，於該分割預定線設定第1區域和第2區域；第1雷射加工步驟，將對該晶圓具有穿透性的波長之雷射光束的聚光點定位於晶圓內部，在此狀態下，在該第1區域以第1雷射加工條件施以雷射加工；及第2雷射加工步驟，將該雷射光束的聚光點定位於晶圓內部，在此狀態下，在該第2區域以第2雷射加工條件施以雷射加工。

Description

晶圓加工方法
本發明係關於一種晶圓加工方法。
電子設備所搭載之元件晶片，例如由以半導體構成之圓板形晶圓所製造。在該晶圓之正面，設定有多條交叉的分割預定線，並於該分割預定線所劃分之各區域中形成元件。將該晶圓沿著該分割預定線加以分割，便可形成個個元件晶片。
要將該晶圓沿著分割預定線加以分割，則例如沿著該分割預定線於該晶圓之內部形成改質層，並從該改質層中往晶圓的厚度方向延伸出裂痕。該改質層係藉由將具有穿透該晶圓之波長的雷射光束並聚光於該晶圓之內部，因而發生多光子吸收所形成的（參照專利文獻1）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-192370號公報
[發明所欲解決的課題]
用以形成改質層之雷射光束，沿著設定好的該分割預定線從晶圓之正面側又或是背面側照射。當令晶圓受該雷射光束照射之面為被照射面時，該被照射面之狀態影響聚光於晶圓內部的雷射光束或所形成的改質層之性質，但該被照射面並不限於沿著該分割預定線平坦而均質的面。
因此，即使以固定的照射條件將該雷射光束沿著該分割預定線照射在該被照射面，晶圓內部所形成之改質層，有可能會成為將該被照射面的微小凹凸或不均等性反映出來之改質層。例如，有可能會形成像是從該改質層延伸出的裂痕之形成狀況不均等，晶圓的分割難易度不均等，之類的不均等的改質層。於是，在分割該晶圓之際會發生產生未分割之區域之類的問題。
本發明係鑑於此類問題而提出，其目的在於提供一種晶圓加工方法，即使受雷射光束照射的面不均等，亦可於晶圓之內部形成均等的改質層。 [解決課題的技術手段]
根據本發明之一態樣，提供一種加工方法，係用雷射加工裝置對晶圓施以雷射加工，該雷射加工裝置具備：保持台，保持已設定多條分割預定線的晶圓；雷射加工單元，對該保持台所保持的晶圓施以雷射加工；及控制部，其登錄有第1雷射加工條件及第2雷射加工條件；該加工方法之特徵為具備：保持步驟，用該保持台保持該晶圓；反射光檢測步驟，在實施該保持步驟之後，對於晶圓沿著該多條分割預定線照射狀態檢測用的光，並檢測該光從晶圓上表面發出的反射光；區域設定步驟，依據該反射光檢測步驟中所檢測到的反射光，於該分割預定線設定第1區域和第2區域；第1雷射加工步驟，將對該晶圓具有穿透性的波長之雷射光束的聚光點定位於晶圓內部，在此狀態下，在該區域設定步驟中所設定之該第1區域，對著該分割預定線以該第1雷射加工條件施以雷射加工；及第2雷射加工步驟，在實施該第1雷射加工步驟之後，該雷射光束的聚光點定位於晶圓內部，在此狀態下，在該區域設定步驟中所設定之該第2區域，對著該分割預定線以該第2雷射加工條件施以雷射加工。 [發明功效]
在本發明的一態樣所屬之晶圓加工方法中，在對晶圓照射用以形成改質層的雷射光束之前，實施反射光檢測步驟：沿著分割預定線照射光，並檢測該光從晶圓上表面發出的反射光。觀察作為雷射光束的被照射面之該晶圓上表面所反射的反射光，則會得到該被照射面所反射的該反射光之強度沿著該分割預定線的分布。反射光之強度會依該被照射面之狀態而變動，所以該反射光之強度分布反映出被照射面的狀態分布。
用以形成所需改質層之雷射加工條件會依該被照射面的狀態而有所不同，所以要因應該反射光之強度分布，以符合各個照射處之條件照射雷射光束，藉此可沿著該分割預定線形成更均等的改質層。
不過，沿著一條分割預定線對該被照射面照射雷射光束之期間，要頻繁變動雷射加工條件並不容易。因此，在本發明的一態樣所屬之晶圓加工方法中，實施以第1雷射加工條件施以雷射加工之第1雷射加工步驟，和以第2雷射加工條件施以雷射加工之第2雷射加工步驟。實施第1雷射加工步驟之第1區域和實施第2雷射加工步驟之第2區域，係由區域設定步驟所設定。
在本發明的一態樣所屬之晶圓加工方法中，沿著一條分割預定線，在第1區域中以第1雷射加工條件實施雷射加工；之後，在第2區域中以第2雷射加工條件實施雷射加工，所以不會在加工中頻繁切換雷射加工條件，可藉由穩定的雷射光束，於晶圓內部形成均等的改質層。
從而，根據本發明之一態樣，來提供一種晶圓加工方法，即使受雷射光束照射的面不均等，亦可於晶圓之內部形成均等的改質層。
就本發明所屬之實施方式進行說明。圖1，係示意性顯示本實施方式所屬之加工方法的工件即晶圓1之立體圖。該晶圓1，係例如矽、SiC（矽碳化物）、或者是其他半導體等材料、又或是藍寶石、玻璃、石英等材料所構成之圓板狀基板。
如圖1所示，於該晶圓1之正面1a，設定有互相交叉的多條分割預定線3。由該分割預定線3所劃分之各區域中，分別形成有IC（Integrated circuit，積體電路）或LED（Light emitting diode，發光二極體）等的元件5。
接下來，就本實施方式所屬之晶圓1的加工方法所使用之雷射加工裝置進行說明。圖2，係示意性顯示該雷射加工裝置之立體圖。該雷射加工裝置2具備：將晶圓1吸引保持於基台4上方之保持台22和振盪雷射光束之雷射加工單元24。該保持台22，藉由X軸移動機構6與Y軸移動機構16，以可往X軸方向及Y軸方向移動之方式受支撐。
基台4上部所設之該X軸移動機構6，具備讓X軸移動台8a於X軸方向（加工進給方向）移動之功能。該X軸移動機構6，具備平行於X軸方向的一對X軸導軌10a、X軸滾珠螺桿12a和X軸脈衝馬達14a；X軸導軌10a，裝有可滑動的該X軸移動台8a。
X軸移動台8a的下表面側，設有螺帽部（未圖示）；此螺帽部，係與平行於該X軸導軌10a之該X軸滾珠螺桿12a相螺合。X軸滾珠螺桿12a的一端部，係與該X軸脈衝馬達14a相連結。若藉X軸脈衝馬達14a使X軸滾珠螺桿12a旋轉，X軸移動台8a就會沿著X軸導軌10a於X軸方向移動。
X軸移動台8a上部所設之該Y軸移動機構16，具備讓Y軸移動台8b於Y軸方向（分度進給方向）移動之功能。該Y軸移動機構16，具備平行於Y軸方向的一對Y軸導軌10b、Y軸滾珠螺桿12b、和Y軸脈衝馬達14b；Y軸導軌10b，裝有可滑動的Y軸移動台8b。
Y軸移動台8b的下表面側，設有螺帽部（未圖示）；此螺帽部，係與平行於該Y軸導軌10b之該Y軸滾珠螺桿12b相螺合。Y軸滾珠螺桿12b的一端部，係與該Y軸脈衝馬達14b相連結。若藉Y軸脈衝馬達14b使Y軸滾珠螺桿12b旋轉，Y軸移動台8b就會沿著Y軸導軌10b於Y軸方向移動。
該Y軸移動台8b所支撐之保持台22，內部具有一端與吸引源22d（參照圖4）連接之吸引通路22c（參照圖4）。吸引通路22c的另一端與保持台22上部所配設之多孔質構件連接，該多孔質構件的上表面作為保持面22a。若將負壓從該吸引源通過該多孔質構件，作用於該保持面22a上所載置之晶圓1，就會讓晶圓1被吸引保持於保持台22。又，該保持面22a的外周側，設有把持該晶圓1之夾具22b。
保持台22，例如藉由X軸移動機構6進行加工進給，藉由該Y軸移動機構16進行分度進給。再者，該保持台22，可繞著垂直於該保持面22a的軸周圍旋轉，並可變更該保持台22所保持的晶圓1之加工進給方向。
基台4後部立設有柱部18，該柱部18的前面側設有Z軸移動機構20。該柱部18的前面，設有平行於Z軸方向的一對Z軸導軌10c；Z軸導軌10c，裝有可滑動的Z軸移動台8c。
Z軸移動台8c的背面（後面）側，設有螺帽部（未圖示）；此螺帽部，係與平行於該Z軸導軌10c之Z軸滾珠螺桿12c相螺合。Z軸滾珠螺桿12c的一端部，係與Z軸脈衝馬達14c相連結。若藉Z軸脈衝馬達14c使Z軸滾珠螺桿12c旋轉，Z軸移動台8c就會沿著Z軸導軌10c於Z軸方向移動。
該Z軸移動台8c的正面（前面）側，設有雷射加工單元24。該雷射加工單元24具備：對保持台22所保持的晶圓1照射雷射光束之加工頭26，和為了進行雷射光束照射位置的對準等而拍攝該晶圓1來取得撮像圖像之照相機單元28。加工頭26，具有將振盪出的雷射光束聚光於晶圓1內部之功能，讓晶圓1的內部發生多光子吸收以形成改質層。
圖3，係示意性顯示雷射加工裝置2的光學系統的一例之圖。如圖3所示，雷射加工裝置2具備：加工用雷射振盪器32、光源42和聚光鏡40。聚光鏡40，裝在該加工頭26的下部。從加工用雷射振盪器32，振盪出例如以摻釹釩酸釔（Nd：YVO4 ）又或是摻釹釔鋁石榴石（Nd：YAG）作為媒介之穿透晶圓1的波長之雷射光束34。
由該加工用雷射振盪器32所振盪出之雷射光束34，被鏡體36反射，透射過分色鏡（Dichroic mirror）38，並藉聚光鏡40聚光於保持台22所保持的晶圓1內部。當該雷射光束34被聚光時，就會在晶圓1內部發生多光子吸收而形成改質層。
又，從光源42，發出用來觀測晶圓1的正面1a狀態之光44。該光44，係例如以波長810nm~830nm之氦氖（He-Ne）混合氣體作為媒介之雷射光束。從該光源42發出的光44，透射過半透明鏡（Half mirror）46，由分色鏡38所反射，藉聚光鏡40聚光於保持台22所保持的晶圓1之正面1a（上表面），並被該正面1a反射。
被該正面1a反射之反射光50，再次經過聚光鏡40，並被分色鏡38反射，抵達半透明鏡46。反射光50被該半透明鏡46反射，被鏡體48反射，並被分光器（Beam splitter）52分成光50a及光50b。
被該分光器52反射所分出的光50a，藉由聚光鏡54聚光於受光元件56。該受光元件56，將抵達該受光元件56的光50a予以接收，來測量該光50a之強度等。該光50a之強度，會反映出晶圓1的正面1a之狀態，所以在該正面1a的各測量位置取得該光50a之強度，藉此得到晶圓1的正面1a之反射狀態等的狀態分布。
又，透射該分光器52所分出的光50b，抵達柱狀透鏡58而一維地聚光，由一維遮罩60限制成既定寬度，抵達受光元件62。該受光元件62將抵達該受光元件62的光50b予以接收，來測量該光50b之強度等。限制成既定寬度的光50b之強度，會依晶圓1的正面1a之高度位置而變動，所以可從該光50a之強度中檢測出晶圓1的正面1a之高度位置。
雷射加工單元24，可藉由Z軸移動機構20於Z軸方向移動。若使該雷射加工單元24於Z軸方向移動，就可該變更加工頭26（聚光鏡40）的聚光點之高度。因此，藉由控制該Z軸移動機構20，可讓雷射光束34聚光於晶圓1內部之既定高度位置，又能讓光44聚光於晶圓1的正面1a（上表面）。再者，可讓雷射光束聚光於晶圓1的多個高度位置，於晶圓1內部之多個高度位置分別形成改質層。
雷射加工裝置2，更具備控制雷射加工裝置2的各構成要素之控制部30。該控制部30，控制由雷射加工單元24進行的晶圓1之雷射加工。
該控制部30，具備已登錄多個雷射加工條件之加工條件儲存部30a。該加工條件儲存部30a，已登錄用來對應晶圓1的狀態取得所需加工結果之各種雷射加工條件。該雷射加工條件，例如亦可由該雷射加工裝置2之製造者預先登錄在加工條件儲存部30a。又，該雷射加工裝置2之使用者，亦可確認實際加工狀況同步製作出雷射加工條件，並登錄在該加工條件儲存部30a。
又，該控制部30與受光元件56相連接，所具備之功能，係從受光元件56所觀測到的光50a之強度中取得晶圓1的正面1a之狀態分布，對應該分布而沿著該分割預定線選定多個區域。對於由該控制部30所設定的各個區域，以符合該各個區域之雷射加工條件實施雷射加工，藉此可在晶圓1內部形成沿著該分割預定線而成之均等改質層。
接下來，就本實施方式所屬之加工方法進行說明。在該加工方法中，首先，實施保持步驟：由保持台22保持該晶圓1。在該保持步驟中，於晶圓1的內部形成改質層之際，受雷射光束34照射的面朝上方，不受該雷射光束照射的面朝下方，以此狀態將晶圓1載置於保持台22上。
該雷射光束34照射於正面1a側的時候，正面1a側朝上方，背面1b與該保持台22的保持面22a相接，如此將晶圓1載置於該保持台22上。並使吸引源22d運轉，讓負壓從保持台22作用於晶圓1，以使該保持台22吸引保持晶圓1。
實施保持步驟之後，實施反射光檢測步驟：對於晶圓1沿著該多條分割預定線照射狀態檢測用的光44，來檢測該光44從晶圓1的正面1a（上表面）發出之反射光50。就該反射光檢測步驟，則用圖4進行說明。圖4，係示意性顯示該反射光檢測步驟之剖面圖。
首先，為了要沿著晶圓1的分割預定線其中之一來照射該光44，使保持台22移動，以讓加工頭26配設於該晶圓1外側的該分割預定線之延長線上方。並將加工頭26定位於既定高度，以將聚光鏡40的聚光點定位於晶圓1的正面1a之高度位置。接下來，令保持台22沿著加工進給方向移動，同步從該加工頭26對該晶圓1的正面1a照射該光44。
若受該光44照射，則會反射出因應該正面1a狀態之強度的反射光50。該反射光50射入加工頭26，其一部分即光50a由受光元件56進行檢測。受光元件56，將所接收的該光50a之強度往該控制部30傳送。
接下來，實施區域設定步驟：依據該反射光檢測步驟中所檢測之反射光，在該分割預定線設定第1區域9、第2區域11。該控制部30，得到由該受光元件56所傳送的該光50a之強度的相關資訊，製作出沿著該分割預定線的該光50a之強度分布資訊。該光50a之強度，受到該正面1a的狀態影響，所以該分布反映出該正面1a的狀態分布。
該控制部30，依據該強度的分布資訊，沿著該分割預定線於正面1a設定多個區域。圖5，係示意性顯示區域設定步驟中所設定區域的一例之俯視圖。例如，光50a之強度比既定閾值更低的區域又或是更高的區域其中一方定為第1區域9，另一方定為第2區域11。在圖5中，該第1區域9以虛線表示，該第2區域11以一點鏈線表示。另外，控制部30，亦可沿著該分割預定線於正面1a設定3個以上的區域。
接下來，實施第1雷射加工步驟：在該第1區域9對著該分割預定線以該第1雷射加工條件施以雷射加工。第1雷射加工步驟中，控制部30，從加工條件儲存部30a中讀取出第1雷射加工條件。
圖6，係示意性顯示第1雷射加工步驟之剖面圖。依照該第1雷射加工條件，將加工頭26的聚光點定位於晶圓1的內部，令保持台22加工進給，同步對晶圓1照射雷射光束34。此時，雷射光束34只照射於晶圓1的第1區域9，不照射於第2區域11。於是，於晶圓1的內部會形成沿著該第1區域9而成之改質層7。同時，亦可形成從該改質層7往晶圓1厚度方向延伸之裂痕7a。
在實施第1雷射加工步驟之後，實施第2雷射加工步驟：在該第2區域11對著該分割預定線以該第2雷射加工條件施以雷射加工。第2雷射加工步驟中，控制部30，從加工條件儲存部30a中讀取出第2雷射加工條件。
依照該第2雷射加工條件，將加工頭26的聚光點定位於晶圓1的內部，令保持台22加工進給，同步對晶圓1照射雷射光束34。此時，雷射光束34只照射於晶圓1的第2區域11，不照射於第1區域9。於是，於晶圓1的內部形成了沿著該分割預定線3的第2區域11而成之改質層。又，亦可形成從該改質層延伸之裂痕。
另外，區域設定步驟中於分割預定線設定了3個以上區域的時候，對於其餘區域，實施第3以後的雷射加工步驟。實施以上的步驟時，則會讓晶圓1沿著該分割預定線，形成均等的改質層。此處，就第1雷射加工條件與第2雷射加工條件之一例進行說明。
該第1雷射加工條件中雷射光束34，例如以輸出3W、加工進給速度300mm/s照射於晶圓1。該雷射光束34，係聚光點定位於距離該正面1a（上表面）100μm的深度來進行照射，之後，定位於70μm的深度而再次進行照射。於是，於該第1區域9形成2層所構成之改質層。
該第2雷射加工條件中雷射光束34，例如以輸出2W、加工進給速度600mm/s照射於晶圓1。該雷射光束34，係聚光點定位於距離該正面1a（上表面）110μm的深度來進行照射，之後，定位於80μm的深度而再次進行照射。接著，定位於50μm的深度進行照射。於是，於該第2區域11形成3層所構成之改質層。
分別於第1區域9、第2區域11，形成其中所含層數不同之改質層。可是，在因應晶圓1的正面1a之狀態分布所設定之各區域中，分別以符合的條件實施雷射加工，所以在該分割預定線的所有區域，晶圓1的分割難易度變得均等。在本實施方式中所謂均等的改質層，係指欲分割該晶圓1之際晶圓1的分割難易度在所有區域皆為相同程度之改質層。從而，改質層的其他性質不均等的情況也包含在內。
本實施方式所屬之晶圓1的加工方法中，對於一條分割預定線於第1區域9以第1雷射加工條件實施雷射加工之後，於第2區域11以第2雷射加工條件實施雷射加工。
相對於此，例如沿著一條分割預定線，於第1區域9以第1雷射加工條件實施雷射加工，當加工點移往第2區域11時，切換成第2雷射加工條件來繼續雷射加工的時候，有時候會發生問題。亦即，若使雷射光束的輸出急速變化，則會有雷射光束不穩定，且無法成所需的改質層的情況。又，在各個區域形成其中所含層數不同之改質層的時候，只靠切換雷射加工條件並無法形成所需的改質層。
本實施方式所屬之晶圓1之加工方法中，在實施第1雷射加工步驟之後實施第2雷射加工步驟，所以即使是第1加工條件及第2加工條件相差較大的時候，也可以穩定實施各自的雷射加工。
沿著一條分割預定線，實施第1雷射加工步驟之後，對於往該分割預定線相同方向延伸之其他分割預定線，同樣地實施第1雷射加工步驟。沿著往該方向延伸之所有分割預定線實施第1雷射加工步驟之後，沿著往該方向延伸之所有分割預定線實施第2雷射加工步驟。
之後，使保持台22旋轉，對於沿著其他方向並排之分割預定線實施反射光檢測步驟和區域設定步驟之後，同樣地沿著沿該其他方向並排之所有分割預定線，實施第1雷射加工步驟和第2雷射加工步驟。於是，可沿著晶圓1的所有分割預定線形成均等的改質層。
另外，沿著晶圓1的所有分割預定線形成均等的改質層時，亦可以其他順序實施各步驟。
例如，對於沿著第1方向而成之分割預定線，實施反射光檢測步驟、和區域設定步驟，並使保持台22旋轉，對於沿著第2方向而成之分割預定線，實施反射光檢測步驟、和區域設定步驟。之後，亦可沿著該第2方向實施第1雷射加工步驟和第2雷射加工步驟，並使保持台22旋轉，沿著該第1方向實施第1雷射加工步驟、和第2雷射加工步驟。
又，例如，對於沿著第1方向而成之分割預定線，實施反射光檢測步驟、和區域設定步驟，並使保持台22旋轉，對於沿著第2方向而成之分割預定線，實施反射光檢測步驟和區域設定步驟。之後，亦可使保持台22旋轉 ，沿著第1方向實施第1雷射加工步驟和第2雷射加工步驟，並使保持台22旋轉，沿著第2方向實施第1雷射加工步驟和第2雷射加工步驟。
藉由以上所說明之晶圓加工方法，即使受雷射光束照射的面不均等，亦可於晶圓1之內部形成均等的改質層。
另外，該加工條件儲存部30a中所儲存之各雷射加工條件，和區域設定步驟中設定區域之際的反射光50（光50a）之強度的閾值等條件，亦可反映例如預先實施的對同種晶圓1實驗性加工的結果，來加以決定。
例如，對同種晶圓1的正面1a（上表面）之各區域，與上述反射光檢測步驟同樣地照射用來觀測晶圓1的正面1a之狀態的光44，以得到反射光50（光50a）之強度分布。又，對於晶圓1之各區域，以各種雷射加工條件與上述各雷射加工步驟同樣地於晶圓1之內部形成改質層。而得到晶圓1的正面1a之狀態、雷射加工條件和晶圓1之分割難易度之關係。
利用該關係，可決定：可在晶圓1形成均等的改質層之各雷射加工條件，和在區域設定步驟中設定區域之際的光50a之強度的閾值等條件。於是，對同種晶圓1實施本實施方式所屬之晶圓1的加工方法，藉此可同樣地形成均等的改質層。
另外，本發明，並不限於上述實施方式所述，可進行各種變更來加以實施。例如，上述實施方式中，令晶圓1的有元件5形成之正面1a為上表面，對該上面照射雷射光束，以此情形進行了說明，但本發明並不限於此。亦可令晶圓1的沒有元件5形成之背面1b為上表面，對該上表面照射雷射光束，於晶圓1的內部形成改質層。
這種時候，晶圓1以正面1a側朝向下方之狀態保持在保持台22，但為了要保護該元件5，亦可預先在正面1a貼上正面保護膠帶，該晶圓1亦可隔著該正面保護膠帶而保持在保持台22。
另外，上述實施方式所屬之構造、方法等，在不脫離本發明目的之範圍內，可適當變更而予以實施。
1‧‧‧晶圓1a‧‧‧正面1b‧‧‧背面3‧‧‧分割預定線5‧‧‧元件7‧‧‧改質層7a‧‧‧裂痕9‧‧‧第1區域11‧‧‧第2區域2‧‧‧雷射加工裝置4‧‧‧基台6‧‧‧X軸移動機構8a、8b、8c‧‧‧移動台10a、10b、10c‧‧‧導軌12a、12b、12c‧‧‧滾珠螺桿14a、14b、14c‧‧‧脈衝馬達16‧‧‧Y軸移動機構18‧‧‧柱部20‧‧‧Z軸移動機構22‧‧‧保持台22a‧‧‧保持面22b‧‧‧夾具22c‧‧‧吸引通路22d‧‧‧吸引源24‧‧‧雷射加工單元26‧‧‧加工頭28‧‧‧照相機單元30‧‧‧控制部30a‧‧‧加工條件儲存部32‧‧‧加工用雷射振盪器34‧‧‧雷射光束36、48‧‧‧鏡體38‧‧‧分色鏡40、54‧‧‧聚光鏡42‧‧‧光源44、50a、50b‧‧‧光46‧‧‧半透明鏡50‧‧‧反射光52‧‧‧分光器56、62‧‧‧受光元件58‧‧‧柱狀透鏡60‧‧‧一維遮罩
圖1係示意性顯示晶圓之立體圖。 圖2係示意性顯示雷射加工裝置之立體圖。 圖3係示意性顯示雷射加工裝置的光學系統之圖。 圖4係示意性顯示反射光檢測步驟之剖面圖。 圖5係示意性顯示區域設定步驟中所設定區域的一例之俯視圖。 圖6係示意性顯示第1雷射加工步驟之剖面圖。
1‧‧‧晶圓
1a‧‧‧正面
1b‧‧‧背面
5‧‧‧元件
7‧‧‧改質層
7a‧‧‧裂痕
9‧‧‧第1區域
11‧‧‧第2區域
22‧‧‧保持台
22a‧‧‧保持面
26‧‧‧加工頭
34‧‧‧雷射光束

Claims (1)

  1. 一種加工方法，係用雷射加工裝置對晶圓施以雷射加工，該雷射加工裝置具備：保持台，保持已設定多條分割預定線的晶圓；雷射加工單元，對該保持台所保持的晶圓施以雷射加工；及控制部，其登錄有第1雷射加工條件及第2雷射加工條件；該加工方法之特徵為具備：保持步驟，用該保持台保持該晶圓；反射光檢測步驟，在實施該保持步驟之後，對於晶圓沿著該多條分割預定線照射狀態檢測用的光，並檢測該光從晶圓上表面發出的反射光；區域設定步驟，依據該反射光檢測步驟中所檢測到的反射光，於該多條之每一條該分割預定線設定第1區域和第2區域；第1雷射加工步驟，將對該晶圓具有穿透性的波長之雷射光束的聚光點定位於晶圓內部，在此狀態下，僅在該區域設定步驟中所設定之該第1區域，對著一條之該分割預定線以該第1雷射加工條件施以雷射加工；及第2雷射加工步驟，在實施該第1雷射加工步驟之後，將該雷射光束的聚光點定位於晶圓內部，在此狀態下，僅在該區域設定步驟中所設定之該第2區域，對著該一條之該分割預定線以該第2雷射加工條件施以雷射加工；在實施該第1雷射加工步驟之後且實施該第2雷射加工步驟之前，僅在該區域設定步驟中所設定之該第1區域，對著與該一條之該分割預定線相同方向延伸的其他全部之該分割預定線以該第1雷射加工條件施以雷射加工。
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