TWI771428B - 多晶矽的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明實現一種有效率的多晶矽製造方法。本發明為以西門子法製造多晶矽的製造方法，其中反應器與排氣處理設備藉由設置於排氣配管的阻斷閥而連接；該阻斷閥設置於該反應器的排氣出口的附近；該反應器的排氣出口與該阻斷閥之間，藉由間接冷卻型的冷卻器來冷卻排氣。

Description

多晶矽的製造方法

本發明係關於一種多晶矽的製造方法。

西門子法(Simens method)廣為人知，其為用於作為半導體或太陽能發電用原料的多晶矽的工業性製造方法。西門子法中，於鐘型(鐘罩型)反應器內供給氫與三氯矽烷(trichlorosilane)而成的原料氣體，藉著加熱直立設置於反應器內部的多晶矽析出用芯線，於其表面析出多晶矽後使多晶矽生長，得到多晶矽棒。於該析出反應所產生的排氣一般來說含有：未反應三氯矽烷；於析出反應所產生的四氯矽烷(tetrachlorosilane)；於析出反應產生的副產物二氯矽烷(dichlorosilane)；亞矽基聚合物等的氯矽烷類；未反應部分的氫；反應進一步產生的氯化氫。於其後的製程中，該排氣中的氯矽烷類與氯化氫分離，作為氫來源而被循環利用。此外，由該氯矽烷類所精製出的三氯矽烷被回收，作為原料而被重新利用。

於該西門子法的排氣處理方法中，存在著將由反應器排出的高溫排氣冷卻至將該氯矽烷類進行分離的溫度的冷卻製程。習知技術中，關於排氣的冷卻方法，因應目的有著各種條件的方案。

例如，專利文獻1當中，揭露一種多晶矽製造方法，其特徵為將由反應容器排出的排氣進行急速冷卻處理，使其由800℃至500℃的溫度下降時間為0.1秒以下。專利文獻1當中記載的製造方法的目的為，由反應容器所排出的排氣中有效地除去磷成分。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際申請公開2010/090203號公報

然而，有時為了使反應器的維護簡便化之目的，而將連接於反應器的配管設置為可從該反應器斷開，因而於連接反應器的排氣配管設置阻斷閥。本發明人獨自地發現到，於此情形下會有與高溫排氣接觸的阻斷閥的耐熱性問題，以及該阻斷閥所導致於反應器測的配管中的亞矽基聚合物析出問題。也就是說：從反應器將連接至反應器的配管斷開的位置，以在反應器的附近為佳。此時，與反應器排出的高溫排氣接觸的阻斷閥的熱劣化成為問題。特別是，於析出程序中於反應器的矽棒析出速度最快的區域當中，排氣溫度進一步上升會導致助長阻斷閥的熱劣化。此外，於該阻斷閥的前方切換配管之後，反應器側的配管與大氣接觸。因此，若於此配管中附著有亞矽基聚化物，會產生起火等危險。

關於此等問題點以及解決方案，習知技術中並沒有任何教示。

為了解決上述問題，本發明人致力研究，結果有了以下見解：藉著於反應器的排氣出口附近與阻斷閥之間的排氣配管上設置間接冷卻型的冷卻器，除了可防止排氣溫度上升到阻斷閥的耐熱溫度以上，還可以抑制亞矽基聚化物附著至排氣配管。也就是說，本發明包含以下方法：[1]一種多晶矽的製造方法，包含使用反應器以西門子法製造多晶矽的製程，其特徵為：其中，該反應器經由排氣配管而連接至排氣處理設備；該反應器與該排氣處理設備係以可藉設置於該排氣配管的阻斷閥來斷開的方式連接，該阻斷閥設置於該反應器的排氣出口的附近；該製造方法還包含：冷卻製程，於該排氣配管中的該反應器的排氣出口與該阻斷閥之間，藉由間接冷卻型的冷卻器以冷卻排氣。

根據本發明一態樣，於連接至反應器的排氣配管設置阻斷閥，於該反應器與該阻斷閥(之間)的管設置間接冷卻型的冷卻器，藉此可防止該阻斷閥的熱劣化，並且可設置阻斷閥於反應器的附近。此外，可縮短從該排氣配管斷開反應器之後的配管長度，並且使得維護作業更為容易。此外，於斷開處理中，雖然存在於阻斷器前方的配管曝露於大氣，但藉著使用間接冷卻型的冷卻器來進行冷卻，可防止排氣的局部性過度冷卻。因此，可具效果性地防止亞矽基聚合物附著至冷卻器內以及接在其後的阻斷閥前方的配管。因此，可將反應器與排氣處理設備安全地斷開。

1:反應器

2:反應室

3:底板

5:鐘罩

6:電極

7:矽芯線

8:原料氣體供給口

9:排氣配管

10:冷卻器

11:溫度計

12:阻斷閥

13:多晶矽

14:排氣出口

15a、15b:凸緣部

A-C:區間

〔圖1〕係為本發明一實施例中之製造多晶矽用反應器的構造的概略示意圖。

〔圖2〕係為本發明一實施例中，從製造多晶矽用反應器至阻斷閥所連接的排氣配管的示意圖。

針對本發明實施型態進行以下說明，但本發明並不限定於此。此外，於本說明書中，除非有另外載明，否則表示數值範圍的「A~B」代表著「A以上(包含A及大於A)B以下(包含B及小於B)」的意思。

[1.本發明的概要說明]

於多晶矽析出製程中排出的排氣，經由排氣配管而供給至排氣處理設備。於此，為了要使反應器與排氣處理設備之間成為可斷開化，可設置將該反應器的排氣出口與該排氣處理設備隔開的阻斷閥。

剛從該排氣出口排出的該排氣可能為高溫。因此，若大於阻斷閥耐熱溫度之溫度的排氣到達阻斷閥時，可能會產生阻斷閥的變形或是破損等不良影響。

阻斷閥的耐熱溫度為例如500℃以下。於此情形下，為了防範排氣的溫度大於阻斷閥的耐熱溫度，即500℃於未然，必須於多晶矽析出製程中作例如壓抑電流等以控制多晶矽的析出反應。因此，本發明人認為，為了要控制該反應，相對地會導致多晶矽生產效率降低的問題。此外，若將阻斷閥設置於遠離反應器的排氣出口的地方，會導致製造設備本身大型化。此外，本發明 人認為，若將排氣急速冷卻，排氣過度冷卻，使得具有發火性的亞矽基聚合物析出而附著於排氣配管，因而存有著可能導致該配管閉塞的顧慮。

因此，本發明人開發了一種可以不致大幅降低多晶矽的生產效率，並且降低排氣的溫度的方法。該方法如下所述。

[2.多晶矽的製造裝置]

首先，針對用於本發明一實施型態中的用於多晶矽製造方法的製造裝置進行說明。

本發明一實施形態之一種多晶矽製造裝置，具備以西門子法製造多晶矽的反應器，該反應器經由排氣配管而與排氣處理設備連接，該反應器與該排氣處理設備之間，係以可藉著設置於該排氣管配管的阻斷閥來斷開的方式連接，該阻斷閥設置於該反應器的排氣出口的附近；該排氣配管中的該反應器的排氣出口與該阻斷閥之間設置有間接冷卻型的冷卻器。

<2-1.反應器>

圖1為本發明一實施例中之製造多晶矽用反應器的構造的概略示意圖。反應器1具備鐘罩5。鐘罩5藉由螺絲緊固等方式可開關式地安裝於底板3。

鐘罩5內的反應室中，經由配置於於底板3上的電極6而直立設置矽芯線7。電極6可由碳、SUS、或是銅等來形成。此外，圖1當中雖僅示出一個矽芯線7，但此矽芯線7可因應反應室2的容積而可設置多個。矽芯線7的各個連接至電極6並直立設置，使得各矽芯線7為通電狀態。

由於反應室2內為高溫，因此鐘罩5以具有良好耐熱性及輕量性且不會造成反應上的負面影響，並且易於冷卻的材料來形成為佳。由此觀點來看，鐘罩5以不銹鋼形成為佳。鐘罩5的外面亦可覆蓋冷卻套。

此外，於底板3設置有用於將原料氣體供給至反應室2的原料氣體供給口8。此外，於底板3設置排出排氣的排氣配管9。由反應器1連接的排氣配管9亦可設置為多個。此外，當設置多個排氣配管時，亦可將之集中於集管(圖未示出)。

反應器1經由排氣配管9而連接至排氣處理設備(圖未示出)。此外，於排氣配管9上自排氣出口14往排氣處理設備方向依序配置冷卻器10、溫度計11與阻斷閥12。

<2-2.阻斷閥>

反應器1與排氣處理設備以可藉由設置於排氣配管9的阻斷閥12來將兩者斷開的方式連接。於反應器1進行多晶矽析出製程時，阻斷閥12打開。此時，由反應器1所排出的排氣，經由排氣配管9而被傳送往排氣處理設備。另一方面，當未進行多晶矽析出反應時，阻斷閥12關閉，阻斷由反應器1對排氣處理設備的排氣供給。如此地進行反應器1與排氣處理設備的分離處理，可藉以安全地進行多晶矽析出反應結束後的開放作業。

作為阻斷閥12，只要是可以為了要使流體流經或是使其阻斷，而對於通道進行開關處理的可動機構即可，不需要特別的限定。例如理想上可使用氣動式、油壓式等習知的耐熱性阻斷閥。

作為構成阻斷閥的材料，若為具有一定程度耐熱性之物可不特別限定，可列舉如鑄鐵、鑄鋼、鍛鋼、不鏽鋼等的鋼鐵等。阻斷閥的耐熱溫度一般可為450℃以上，以480℃以上為佳，又以490℃以上為較佳。然而，當阻斷閥長時間地暴露於大於500℃時，會產生熱劣化而導致阻斷功能降低。

阻斷閥12設置於反應器1的排氣出口14的附近。阻斷閥12以配置於反應器1的排氣出口14起10m以內為佳，其中又以8m以內為較佳。此處所指反應器1的排氣出口14起的距離，意指由排氣出口14至阻斷閥12的排氣配管的長度。根據上述構成，可精簡化多晶矽製造設備整體。此外，可將排氣配管中可能附著亞矽基聚合物之區域(即從排氣出口至排氣處理設備的區域)的長度縮短。

<2-3.冷卻器>

反應器1的排氣出口14與阻斷閥12之間設置有冷卻器10。如同上述般，阻斷器12以設於自反應器1起10m以內的位置為佳，因此，冷卻器10也以配置於反應器1起10m以內的位置為佳。

作為此處所使用的冷卻器，以容易作溫度管理，且可防止排氣的過度冷卻的觀點來看，以可以間接冷卻排氣的間接冷卻型冷卻器為佳。藉著使用間接型冷卻劑，可緩慢地冷卻排氣配管中的排氣。因此，亞矽基聚合物難以附著於排氣配管。

作為間接冷卻型的冷卻器，並無特別的限定，但由易於作溫度管理的觀點來看，以殼管型(shell-and-tube)的冷卻器為佳。根據上述構成，可更容易地作溫度管理，也可緩慢地冷卻排氣配管中的排氣。

作為殼管型的冷卻劑，可使用習知的產品，例如可使用浮動管板型、固定管板型、浮動頭型、U型管型。不過，由維護作業的觀點來看，以使用U型管型為佳。此外，亦可於冷卻器10與阻斷閥12之間的靠近阻斷閥處設置溫度計11。根據上述構成，可於排氣通過阻斷閥12之前，先確認通過冷卻器10的排氣之溫度。

[3.多晶矽的製造方法]

本發明一實施型態的多晶矽製造方法為包含使用反應器以西門子法製造多晶矽的製程的多晶矽製造方法，且其特徵為：該反應器經由排氣配管而與排氣處理設備連接，該反應器與該排氣處理設備之間以可藉著設置於該排氣管配管的阻斷閥而斷開的方式連接，該阻斷閥設置於該反應器的排氣出口的附近；該製造方法還包含：冷卻製程，於該排氣配管中的該反應器的排氣出口與該阻斷閥之間，藉由間接冷卻型的冷卻器以冷卻排氣。

根據上述構成，藉著設置冷卻器，可將阻斷閥設置於排氣出口附近。藉此可使設備整體精簡化。此外，由於冷卻器係為間接冷卻型，因此易於作溫度管理，且可防止排氣的過度冷卻。因此，可以更有效率地製造多晶矽。

此外，可將排氣配管中有附著亞矽基聚合物風險的區域的長度縮短，並且，可防止排氣過度冷卻至亞矽基聚合物的析出溫度。因此，可抑制亞矽基聚合物附著至排氣配管。是以，可防止亞矽基聚合物所引起的發火。因此，可安全地斷開反應器與排氣處理設備。

上述製造方法係基於上述本發明一實施型態的多晶矽製造裝置而進行。已經在[2.多晶矽的製造裝置]中說明過的事項，以下省略其說明，並且適當地援用上述記載。

<3-1.多晶矽析出製程>

上述製造方法包含使用反應器並以西門子法來製造多晶矽的製程。於本說明書中，將此工程稱為多晶矽析出製程。多晶矽析出製程當中，使氯矽烷化合物與氫進行反應而析出多晶矽。該製造方法當中，多晶矽析出製程係以西門子法來進行。

參考圖1將西門子法中的多晶矽析出製程進行概略性說明。經由電極6而開始對於矽芯線7的通電，將矽芯線7的溫度加熱至多晶矽的析出溫度以上。此時，多晶矽的析出溫度並無特別限定，但以迅速地將多晶矽析出於矽芯線7的觀點來看，以將矽芯線7通電加熱，使其保持在1000℃-1100℃程度的溫度為佳。

原料氣體由原料氣體供給口8被供給至反應器1內。藉此，使得原料氣體供給至被通電加熱的矽芯線7。作為該原料氣體，可舉例例如包含矽烷化合物的氣體與氫的混和氣體。藉著此原料氣體的反應，也就是矽烷化合物的還原反應而產生多晶矽13。

作為矽烷化合物氣體，可使用單矽烷、三氯矽烷、四氯化矽、單氯矽烷、及/或二氯矽烷等矽烷化合物之氣體，一般來說以使用三氯矽烷為佳。使用於多晶矽析出製程的三氯矽烷，由獲得高純度多晶矽的觀點來看，以純度99.9%以上為佳。

此外，氫作為還原氣體使用。於多晶矽析出製程中的氫供給量，只要相對於矽烷化合物為過剩量即可，不需要特別的限制，但為了有效率地析出多晶矽，以相對於1莫耳的矽烷化合物來說，氫為3莫耳以上為佳。

多晶矽析出製程當中，作為包含於原料氣體內的氫，藉由排氣精製而循環處理的氫氣就可幾乎完全補足，不夠的部分可使用習知的製造方法所得的氫氣。例如前述氫可藉由水的電氣分解來製造而得。具體地，可使電流通過以無機酸金屬鹽及/或金屬氫氧化物作為電解質的電解質水溶液(也就是將無機酸金屬鹽及/或金屬氫氧化物作為溶質而將其包含的水溶液)而將水電氣分解。為了要從藉由電氣分解而得的氫去除金屬雜質，以水洗氫，並進一步使其通過霧濾網(mist filter)為佳。藉著水洗以及使氫通過霧濾網，可得到實質上不包含金屬雜質的氫。且該氫以不再進一步包含氧氣及水蒸氣般的氣體雜質為佳。氧氣及水蒸氣的去除方法可採用使用於獲得工業用氫時的習知方法。使用於多晶矽析出製程的氫，由獲得高純度的多晶矽的觀點來看，以純度99.99vol%以上為佳。

藉由此等高純度的三氯矽烷及氫，可獲得純度11N以上的高純度的多晶矽。

此外，可藉由於多晶矽析出製程中控制對於反應器的通電，來降低排氣的溫度。如以此方式先將排氣溫度降低，可使進行基於後述的間接冷卻型的冷卻器的溫度管理較為容易進行。基於通電的控制方法，排氣的最高溫度以例如控制為550-700℃程度為佳。

<3-2.冷卻製程>

前述製造方法包含：冷卻製程，於排氣配管9的反應器1的排氣出口14與阻斷閥12之間，藉由間接冷卻型的冷卻器10來冷卻排氣。基於矽烷化合物與氫的反應所產生的副產物排氣經由排氣配管9而排出至反應器1之外。排氣係藉由冷卻器10來冷卻。

冷卻製程當中，於排氣出口14與阻斷器12之間，排氣於通過排氣配管9期間被冷卻器冷卻。此外，排氣係以冷卻的狀態通過阻斷閥，傳送至排氣處理設備。

作為排氣的冷卻時的降溫速度，只要是不致析出亞矽基聚合物的程度的降溫程度即可。具體來說，排氣滯留於冷卻器內的時間(以下稱為滯留時間)以約為0.1秒以上為佳，大於0.1秒更佳。由此可知，不同於專利文獻1所記載的習知技術，上述製造方法當中係緩慢地進行排氣的冷卻。

此外，於冷卻製程中冷卻排氣時，係將冷卻器10的排氣所接觸壁面的最低溫度，設定為大於180℃的溫度為佳。亞矽基聚合物可於180℃以下析出獲得。因此，藉由將排氣所接觸壁面的最低溫度，設定為大於亞矽基聚合物會析出的溫度，以防止亞矽基聚合物的析出以及其附著至配管的情形。

此外，於冷卻製程中，將於阻斷閥12的排氣溫度調整為200℃以上500℃以下為佳，其中又以300℃以上500℃以下為佳。根據上述構成，可使阻斷閥中的排氣溫度為不會析出亞矽基聚合物的溫度，且為阻斷閥耐熱性的容許範圍之內，藉此可有效率地製造多晶矽。此外，可如上述般將阻斷閥12設於反應器的排氣出口14附近。

<3-3.排氣配管的斷開>

於本發明中，於反應結束後，於遮斷閥的反應器側，進行反應器的阻斷閥以後部分的從排氣配管斷開的處理。

一般來說，從排氣配管所作對反應器的斷開，可如圖1所示，設置凸緣部，以進行藉由凸緣部的斷開處理。此外，該凸緣部亦可具備冷卻器的構造。圖1表示間隔著冷卻器而設置兩組凸緣部，於靠近阻斷閥12的凸緣部15b進行斷開反應器之後，進一步地視所需而將反應器側的凸緣部15a斷開並拆下冷卻器的態樣。

如此般地，由排氣配管將反應器斷開之後，阻斷閥與反應器之間的配管上，由於幾乎沒有附著亞矽基聚合物等的附著，因此可以就此狀態打開，但較佳地，可於斷開後，用四氯矽烷等的氯矽烷類的液體來進行配管內及冷卻器內的清洗，以免有少量存有亞矽基聚合物的情形。

此外，於該斷開處理之後，由於阻斷閥以後的配管當中附著大量的亞矽基聚合物，因此可由阻斷閥側來使該氯矽烷類流通，以清除亞矽基聚合物。

<3-4.其他製程>

於本製造方法當中，作為將排氣傳送往排氣處理設備之後的製程，亦可包含例如分離製程、清除氯化氫製程、及/或精製氫製程。

分離製程為將排氣分離為氯矽烷凝結液與氣體成分的製程。氯矽烷凝結液亦可供給至後述的清除氯化氫製程。藉由分離製程而獲得的氣體成分，包含氫氣及氯化氫以作為主成分。

清除氯化氫製程為將藉由該分離製程所獲得的氣體成分，使其接觸氯矽烷液而清除氯化氫的製程。清除氯化氫製程當中，將藉由分離製程所得的氣體成分內所含的氯化氫，藉著使氯矽烷液接觸該氣體成分而予以吸收的方式而將之清除。於清除氯化氫所得的氣體成分，包含氫氣以作為主成分。

清除氯化氫製程中所使用的氯矽烷液，為包含氯矽烷化合物的液體。作為該氯矽烷化合物，並不特別限制，但可舉例例如三氯矽烷、二氯矽烷、四氯矽烷等。於清除氯化氫製程中所使用的氯矽烷液，亦可包含於分離製程中所得的氯矽烷凝結液的一部分。

於清除氯化氫製程當中，作為使氣體成分與氯矽烷液接觸的方法並不特別限制，但可採用例如氣泡方式、填充塔(packed tower)方式、噴淋方式等習知的方法。此外，清除氯化氫製程可藉由氣液接觸塔等習知的設備來進行。

精製氫製程為使該清除氯化氫製程中所得的氣體成分與活性碳接觸而清除氯矽烷化合物，並得到氫氣的製程。精製氫製程為將於清除氯化氫製程中所得的氣體成分，供給至填充有例如活性碳層或活性碳的吸附塔而得。藉著將清除氯化氫製程中所得的氣體成分接觸該吸附塔內的活性碳，以藉由活性碳吸附清除氯矽烷化合物。以此方式可獲得氫氣。

由於精製氫製程中所得到的氫氣為高純度的氫氣，因此可做為多晶矽析出製程中的原料氣體而循環利用。氫氣更可以做為由四氯矽烷成為三氯矽烷的還原反應中所使用的氫氣，或是做為製造以四氯矽烷為原料的二氧化矽(silica)的氫來源來使用。

<總結>

[1]一種多晶矽的製造方法，包含使用反應器藉由西門子法製造多晶矽的製程，其特徵為：其中，該反應器經由排氣配管而連接至排氣處理設備；該反應器與該排氣處理設備係以可藉由設置於該排氣配管的阻斷閥來斷開的方式連接，該阻斷閥設置於該反應器的排氣出口的附近；該製造方法還包含：冷卻製程，於該排氣配管中的該反應器的排氣出口與該阻斷閥之間，藉由間接冷卻型的冷卻器以冷卻排氣。

[2]如[1]所述之多晶矽的製造方法，其中，該阻斷閥係設置於由該反應器的排氣出口起10m以內的位置。

[3]如[1]或[2]所述之多晶矽的製造方法，其中，於該冷卻製程當中，將該冷卻器中該排氣所接觸壁面的最低溫度設定為大於180℃之溫度。

[4]如[1]-[3]中任一項所述之多晶矽的製造方法，其中，該冷卻器為殼管型(shell-and-tube)的冷卻器。

[5]如[1]-[4]中任一項所述之多晶矽的製造方法，其中，於該冷卻製程當中，將於該阻斷閥的排氣溫度調整為200℃以上500℃以下。

[實施例]

以下基於實施例來對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於以下實施例。

使用如圖1所示構造的鐘罩型反應器，供給三氯矽烷及氫至該反應器，對矽芯線進行電流值~2000A的通電，進行矽的析出反應。

此外，作為冷卻器，使用U型管型(殼管方式)的冷卻器；作為阻斷閥，使用不鏽鋼製的閘閥(耐熱溫度500℃)。

以上述裝置將矽芯線通電加熱至約800℃，同時將三氯矽烷及氫氣供給至反應器內，使多晶矽析出至多晶矽直徑為120mm為止。此時，針對由反應器排出的排氣，進行了溫度與圖2中各區間的滯留時間的測定。

於此，使用圖2來說明配置冷卻器10的地方。圖2為表示由反應器1連接至阻斷閥12的排氣配管的圖，表示出冷卻器10的配置。圖2中的區間A表示由反應器1至冷卻器10的排氣入口的距離；區間B表示冷卻器10全長的距離；區間C表示冷卻器10的排氣出口至阻斷閥12的距離。此外，將本實施例中，記載於圖2的各區間的距離表示於下表1。

此外，關於流通於配管中的排氣的各條件，以及基於冷卻器的冷卻前(A區間)及冷卻後(C區間)地點的排氣的測定溫度，表示於下表2。

進一步地，於關於圖2所示的各區間所算出的滯留時間，表示於下表3。

如表2所示，冷卻後的排氣溫度，比起以冷卻器冷卻之前的排氣溫度還要低30℃。此外，如表3所示，於排氣冷卻的區間B當中的氣體滯留時間為0.11秒。

前述的多晶矽製造過程一批次結束後，確認熱交換器內B、配管C內的亞矽基聚合物的存在量，其結果為熱交換器內B及配管C內完全不存有亞矽基聚合物，可以安全地進行從排氣配管的斷開處理。此外，阻斷閥也完全沒有損傷。

[產業利用性]

本發明適用於多晶矽的製造方法。

1:反應器

2:反應室

3:底板

5:鐘罩

6:電極

7:矽芯線

8:原料氣體供給口

9:排氣配管

10:冷卻器

11:溫度計

12:阻斷閥

13:多晶矽

14:排氣出口

15a、15b:凸緣部

Claims (3)

1. 一種多晶矽的製造方法，包含使用反應器以西門子法製造多晶矽的製程，其特徵為：其中，該反應器經由排氣配管而連接至排氣處理設備；該反應器與該排氣處理設備係以可藉由設置於該排氣配管的阻斷閥來斷開的方式連接；及該阻斷閥設置於該反應器的排氣出口的附近，該製造方法還包含：冷卻製程，於該排氣配管當中，該反應器的排氣出口與該阻斷閥之間，藉由間接冷卻型的冷卻器以冷卻排氣；其中，該冷卻器為殼管型(shell-and-tube)的冷卻器；及於該冷卻製程當中，將於該阻斷閥的排氣溫度調整為200℃以上500℃以下。
2. 如請求項1所述之多晶矽的製造方法，其中，該阻斷閥係設置於由該反應器的排氣出口起10m以內的位置。
3. 如請求項1或2所述之多晶矽的製造方法，其中，於該冷卻製程當中，將該冷卻器中該排氣所接觸壁面的最低溫度設定為大於180℃之溫度。

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