JPWO2018230380A1 - ポリシリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ポリシリコン析出工程において排出された排ガスは、排ガス配管を介して排ガス処理設備に供給される。ここで、反応器と排ガス処理設備とを切り離し可能とするため、上記反応器の排ガス出口と、上記排ガス処理設備とを隔てる遮断弁が設けられ得る。
まず、本発明の一実施形態に係るポリシリコンの製造方法に用いられ得る製造装置について、説明する。
図1は、ポリシリコンの製造用反応器の構造を示す概略図である。反応器1は、ベルジャー5を備えている。ベルジャー5は、ボルト締め等により、開閉可能に底板3に取り付けられている。
反応器1と排ガス処理設備とは、排ガス配管9に設けられた遮断弁12によって切り離し可能に接続されている。遮断弁12は、反応器1においてポリシリコン析出工程を行っているときは開いている。この際、反応器1から排出された排ガスが、排ガス配管9を介して排ガス処理設備へ送られる。一方、ポリシリコン析出反応が行われていない時には、遮断弁12は閉じており、反応器1から排ガス処理設備への排ガスの供給を遮断する。こうして反応器1と排ガス処理設備との切り離しを行うことで、ポリシリコン析出反応終了後の開放作業を安全に行うことができる。
反応器1の排ガス出口14と遮断弁12との間には、冷却器10が設けられている。上述のように遮断弁12は反応器1から10m以内の位置に設けられることが好ましいため、冷却器10も、反応器1から10m以内の位置に配置することが好ましい。
本発明の一実施形態に係るポリシリコンの製造方法は、反応器を用いてジーメンス法によってポリシリコンを製造する工程を含むポリシリコンの製造方法であって、上記反応器は、排ガス処理設備と、排ガス配管を介して接続されており、上記反応器と上記排ガス処理設備とは、上記排ガス配管に設けられた遮断弁によって切り離し可能に接続されており、上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、上記排ガス配管の、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する冷却工程を含むことを特徴とする。
上記製造方法は、反応器を用いてジーメンス法によってポリシリコンを製造する工程を含む。この工程を、本明細書においては、ポリシリコン析出工程とも称する。ポリシリコン析出工程では、クロロシラン化合物と水素とを反応させてポリシリコンを析出させる。上記製造方法において、ポリシリコン析出工程は、ジーメンス法を用いて行われる。
上記製造方法は、排ガス配管9の、反応器1の排ガス出口14と遮断弁12との間において、間接冷却型の冷却器10により排ガスを冷却する冷却工程を含む。シラン化合物と水素との反応により副生する排ガスは、排ガス配管9を介して反応器1外へ排出される。排ガスは、冷却器10により冷却される。
本発明において、反応終了後、遮断弁より反応器側において、反応器の遮断弁以降の排ガス配管からの切り離しを行う。
本製造方法において、排ガス処理設備へ排ガスを送った後の工程として、例えば、分離工程、塩化水素除去工程および/または水素精製工程等が含まれてもよい。
〔1〕反応器を用いてジーメンス法によってポリシリコンを製造する工程を含むポリシリコンの製造方法であって、上記反応器は、排ガス処理設備と、排ガス配管とを介して接続されており、上記反応器と上記排ガス処理設備とは、上記排ガス配管に設けられた遮断弁によって切り離し可能に接続されており、上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、上記排ガス配管の、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する冷却工程を含むことを特徴とするポリシリコンの製造方法。
10 冷却器
11 温度計
12 遮断弁
14 排ガス出口
Claims (5)
- 反応器を用いてジーメンス法によってポリシリコンを製造する工程を含むポリシリコンの製造方法であって、
上記反応器は、排ガス処理設備と、排ガス配管を介して接続されており、
上記反応器と上記排ガス処理設備とは、上記排ガス配管に設けられた遮断弁によって切り離し可能に接続されており、
上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、
上記排ガス配管の、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する冷却工程を含むことを特徴とするポリシリコンの製造方法。 - 上記遮断弁を、上記反応器の排ガス出口から10m以内の位置に設けることを特徴とする、請求項1に記載のポリシリコンの製造方法。
- 上記冷却工程において、上記冷却器の上記排ガスが接触する壁面の最低温度を、180℃を超える温度に設定することを特徴とする、請求項1または2に記載のポリシリコンの製造方法。
- 上記冷却器が、シェルアンドチューブ型の冷却器であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のポリシリコンの製造方法。
- 上記冷却工程において、上記遮断弁における排ガスの温度を200℃以上、500℃以下に調整することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリシリコンの製造方法。
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