JP5633142B2 - 多結晶シリコン製造方法及び製造装置 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 29
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims description 14
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 119
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 4
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 3
- -1 and the like Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003546 flue gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
このような多結晶シリコンの一連の製造方法において、反応炉からの排ガスの冷却により凝縮液を分離されたガス分は、特許文献1に示されるように、圧縮機により昇圧された後、冷却器を経由することにより、塩化物が除去され、その後、純度の高い水素ガスへと精製される。
複数の熱交換器を順に通過させることにより、排ガスを段階的に冷却していくことで、ガスの流れが各熱交換器への出入りの際に緩和され、過冷却現象の発生を防止することができ、排ガス中へのミストの持ち込みを確実に防止することができる。
流速制御手段としては熱交換器の後流側に弁を設けるなどの構成を採用することができる。
熱交換器の出口側が低くなるので、凝縮液を効率よく排出することができる。
図1は、本実施形態の製造方法を実施するための多結晶シリコン製造装置の全体フローを示している。
この多結晶シリコン製造装置1は、クロロシラン及び水素ガスを含む原料ガスを高温下で反応させて多結晶シリコンを析出させる反応炉2と、該反応炉2からの排ガス中のシリコン粉末及びポリマー化合物を含むダスト分をフィルターに捕集するダスト分離装置3と、該ダスト分離装置3を経由した排ガスを冷却して気液分離する冷却装置4と、そのガス分及び液分を精製・蒸留して前記原料ガスの一部とする精製・蒸留装置5とを備えている。
ダスト分離装置3は、配管の途中にワイヤメッシュ状のフィルター(図示略)を多数枚積層状態に設けた構成とされ、そのフィルターを通過させることにより、ダストを捕集するようになっている。
具体的には、第1〜第5熱交換器の5基の熱交換器を備えており、第1〜第5熱交換器は順に熱交換器11〜15に相当し、これら熱交換器11〜15を順次経由させることにより、排ガスを段階的に冷却するようにしている。
また、第3〜第5熱交換器13〜15は、それぞれ冷凍機51〜53から供給される冷媒(ガス)との間で熱交換されるようになっており、第3熱交換器13が第2熱交換器12を経由した−10℃程度の排ガスを−17℃程度に冷却し、第4熱交換器14がさらに−37℃程度にまで冷却し、第5熱交換器15で−50℃程度までに冷却する構成である。符号18〜21は各熱交換器11〜15間で排ガスを移送する排ガス移送管を示しており、これら排ガス移送管18〜21により各熱交換器11〜15を順に経由した排ガスは、第2熱交換器12からガス流通管22によって後工程の精製装置に送られる。
なお、各熱交換器11〜15の大きさとしては、例えば、直径が0.8〜1m、長さが5〜9mとされ、伝熱面積が150〜300m2である。
また、第1熱交換器から第5熱交換器まで排ガスを経由させることにより、排ガスの温度を200℃程度から−50℃程度にまで冷却することとしたが、例えば−70℃程度まで冷却する場合に適用可能である。
2 反応炉
3 ダスト分離装置
4 冷却装置
5 精製・蒸留装置
6 シリコン芯棒
7 原料ガス供給系
8 排ガス管
11〜15 熱交換器
16〜21 排ガス移送管
22 ガス流通管
25 円筒状シェル
26 入り口側カバー
27 出口側カバー
28 胴体部
29 管板
30 伝熱管
35〜39 凝縮液移送管
40 集液管
41 タンク
42 精製装置
43 液流通管
44 蒸留装置
45 水素供給管
46 トリクロロシラン供給管
47 圧縮機
48 2次冷却装置
49 吸着塔
51〜53 冷凍機
55 流量計
56 制御弁
S 多結晶シリコン
Claims (4)
- クロロシランを含む原料ガスを高温下で反応させて多結晶シリコンを析出させるとともに、その排ガスを熱交換器により冷却して気液分離し、そのガス分及び液分を精製・蒸留することにより前記原料ガスの一部とする多結晶シリコン製造方法において、
前記熱交換器は、伝熱管内を流通する流体とその外側に流通される流体との間で熱交換する多管式熱交換器であり、
前記熱交換器で排ガスを冷却する前に、該排ガス中のダストを、ワイヤメッシュ状のフィルターを多数枚積層状態に設けたダスト分離装置により分離除去しておき、
前記排ガスを冷却する際に、前記熱交換器内を0.03〜0.3MPaの圧力とし、4m/秒〜7m/秒の流速で通過させることを特徴とする多結晶シリコン製造方法。 - 前記排ガスの冷却を複数の熱交換器により段階的に行うとともに、各熱交換器から前記排ガスの凝縮液を回収することを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコン製造方法。
- クロロシランを含む原料ガスを高温下で反応させて多結晶シリコンを析出させる反応炉と、該反応炉からの排ガスを熱交換器により冷却して気液分離する冷却装置と、そのガス分及び液分を精製・蒸留することにより前記原料ガスの一部とする精製・蒸留装置とを備える多結晶シリコン製造装置において、
前記反応炉と前記冷却装置との間に、前記排ガス中のダストを分離除去するためにワイヤメッシュ状のフィルターを多数枚積層状態に設けたダスト分離装置が設けられており、
前記熱交換器は、伝熱管内を流通する流体とその外側に流通される流体との間で熱交換する多管式熱交換器であり、前記熱交換器内の圧力が0.03〜0.3MPaとされ、
前記冷却装置には、前記熱交換器内での前記排ガスの流速を4m/秒〜7m/秒に制御する流速制御手段が設けられていることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。 - 前記熱交換器は、前記排ガスの入り口側から出口側にかけて水平方向に対して1〜5°の角度の下り勾配に傾斜しており、その出口側に前記排ガスの凝縮液を移送する凝縮液移送管が接続されていることを特徴とする請求項3記載の多結晶シリコン製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009271988A JP5633142B2 (ja) | 2008-11-28 | 2009-11-30 | 多結晶シリコン製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008304837 | 2008-11-28 | ||
JP2008304837 | 2008-11-28 | ||
JP2009271988A JP5633142B2 (ja) | 2008-11-28 | 2009-11-30 | 多結晶シリコン製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010150131A JP2010150131A (ja) | 2010-07-08 |
JP5633142B2 true JP5633142B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=42569640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009271988A Active JP5633142B2 (ja) | 2008-11-28 | 2009-11-30 | 多結晶シリコン製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5633142B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5708332B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-04-30 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
CN102417183B (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-27 | 上海优华系统集成技术有限公司 | 改进的多晶硅制备中尾气回收冷凝系统 |
JP5847104B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-01-20 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンの製造方法及び該製造方法に還元剤として用いる水素ガスの製造方法 |
JPWO2014010457A1 (ja) | 2012-07-09 | 2016-06-23 | 株式会社トクヤマ | ポリシリコンの製造方法 |
CN107349742B (zh) * | 2016-05-09 | 2019-10-22 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅还原尾气的冷凝方法和冷凝系统 |
JP6506485B2 (ja) * | 2017-01-16 | 2019-04-24 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンの製造方法 |
US11512001B2 (en) | 2017-06-16 | 2022-11-29 | Tokuyama Corporation | Method for producing polysilicon |
CN111892057A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-06 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 多晶硅还原系统和多晶硅还原工艺 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4826668A (en) * | 1987-06-11 | 1989-05-02 | Union Carbide Corporation | Process for the production of ultra high purity polycrystalline silicon |
NL9302081A (nl) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Gastec Nv | Werkwijze voor het verwijderen van elementaire zwavel uit een gasstroom. |
JP3688550B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | ガスタービンシステム |
JP3749464B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-03-01 | 住友チタニウム株式会社 | 多結晶シリコン製造装置 |
JP5155708B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-03-06 | 株式会社トクヤマ | クロロシラン類含有ガスの水素還元方法およびクロロシラン類の水素還元用装置 |
-
2009
- 2009-11-30 JP JP2009271988A patent/JP5633142B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010150131A (ja) | 2010-07-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131028 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R371 | Transfer withdrawn |
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