TWI767033B - 容器、容器的製造方法及藥液收容體 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於提供一種即使在收容藥液並長期間保管之情況下藥液的性能亦不易經時下降之容器。並且，課題在於提供一種容器的製造方法及藥液收容體。容器具有：基材；及被覆層，配置於基材上的至少一部分，且包含含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物，並且厚度為50 μm以上，其中，當組成物含有1種金屬成分時，以CA1s/CA2s計算之比RCAs小於1.0，或者，當組成物含有2種以上的金屬成分時，在被覆層的至少一部分對2種以上的金屬成分分別求出之RCAs的平均值小於1.0。

Description

容器、容器的製造方法及藥液收容體

本發明係關於一種容器、容器的製造方法及藥液收容體。

在製造半導體裝置時，使用含有溶劑(典型地為有機溶劑)之藥液。近年來，要求進一步降低上述藥液中所含有之雜質。並且，研究製造10nm節點以下的半導體裝置，上述要求進一步強烈。

在專利文獻1中記載有“一種容器，其由聚乙烯樹脂組成物構成，該聚乙烯樹脂組成物包含密度為945kg/cm³以上之高密度聚乙烯和有機核劑50ppm~2000ppm，用乙醇提取之碳數18及20的烴成分的含量為100ppm以下，Al、Mg、Ti、Zr及Hf的合計含量為40ppm以下。”。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-249094號公報

本發明人等針對專利文獻1中所記載之容器，在上述容器中收容藥液而製作出藥液收容體並進行了研究。其結果明確了，在保管了上述藥液收容體之情況下，存在從保管後的藥液收容體取出之上述藥液的性能下降之情況。

因此，本發明的課題在於提供一種即使在收容藥液並長期間保管之情況下藥液的性能亦不易經時下降(以下，亦稱為“具有本發明的效果”。)之容器。並且，本發明的課題在於提供一種容器的製造方法及藥液收容體。

本發明人等進行了深入研究，其結果發現了藉由以下構成能夠達成上述課題。

[1]一種容器，其具有：基材；被覆層，配置於基材上的至少一部分，且包含含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物，並且厚度為50μm以上，其中當組成物含有1種金屬成分時，將被覆層的表面與以表面作為基準沿被覆層的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以表面作為基準沿被覆層的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿被覆層的厚度方向50μm的位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了表面區域及內部區域時，在被覆層的至少一部分，根據表面區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於表面區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1s及內部區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於內部區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2s，以CA1s/CA2s計算之比RCAs小於1.00，或者，當組成物含有2種以上的金屬成分時，在被覆層的至少一部分，對2種以上的金屬成分分別求出之RCAs的平均值小於1.00。

[2]一種容器，其由含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物構成，其中當組成物含有1種金屬成分時，將容器的表面與以表面作為基準沿容器的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以表面作為基準沿容器的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿容器的厚度方向50μm的位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了表面區域及內部區域時，在容器的至少一部分，根據表面區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於表面區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1及內部區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於內部區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2，以CA1/CA2計算之比RCA小於1.00，或者，當組成物含有2種以上的金屬成分時，在容器的至少一部分，對2種以上的金屬成分分別求出之RCA的平均值小於1.00。

[3]一種容器，其具有：基材；及被覆層，配置於基材上的至少一部分，且包含含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物，並且厚度小於50μm，其中當組成物含有1種金屬成分時，將被覆層的表面與以表面作為基準沿被覆層的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以表面作為基準朝被覆層的厚度方向對應於被覆層的整體厚度的 70%的厚度之位置與以表面作為基準朝被覆層的厚度方向對應於被覆層的整體厚度的100%的厚度之位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了表面區域及內部區域時，在被覆層的至少一部分，根據表面區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於表面區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1t及內部區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於內部區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2t，以CA1t/CA2t計算之比RCAt小於1.00，或者，當組成物含有2種以上的金屬成分時，在被覆層的至少一部分，對2種以上的金屬成分分別求出之RCAt的平均值小於1.00。

[4]如[1]或[3]所述之容器，其中在被覆層的至少一部分，根據表面區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之C_nH_2n ^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、C_pH_2pCOO^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比及C_qH_2qPO^2-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB1、以及內部區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之C_nH_2n ^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、C_pH_2pCOO^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比及C_qH_2qPO^2-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二 次離子的峰值強度之強度比的平均值CB2，以CB1/CB2計算之比RCB小於1.00，n為12~20的整數，p為8~24的整數，q為8~24的整數。

[5]如[2]所述之容器，其中在表面的至少一部分，根據表面區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之C_nH_2n ^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、C_pH_2pCOO^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比及C_qH_2qPO^2-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB1、以及內部區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之C_nH_2n ^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、C_pH_2pCOO^-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比及C_qH_2qPO^2-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB2，以CB1/CB2計算之比RCB小於1.00，n為12~20的整數，p為8~24的整數，q為8~24的整數。

[6]如[1]~[5]中任一項所述之容器，其中在容器中收容100ml的40℃的純水使其成為容器體積的50體積%，保持1天之後，當純水中包含Fe時，純水中之Fe的含量相對於純水總質量 為0.01質量ppt~0.3質量ppb，當純水中包含Cr時，Cr的含量相對於純水總質量為0.01質量ppt~0.3質量ppb，當純水中包含Ni時，Ni的含量相對於純水總質量為0.01質量ppt~0.3質量ppb。

[7]如[1]~[6]中任一項所述之容器，其中在容器中收容100ml的40℃的純水使其成為容器體積的50體積%，保持1天之後，純水中含有選自包括脂肪族醯胺及沸點為300℃以上的有機物之群組中之化合物，化合物的含量相對於純水總質量為0.1質量ppb~1000質量ppm，沸點為300℃以上的有機物含有烷基烯烴，或者，脂肪族醯胺含有連結於羰基之碳數16以上的脂肪族鏈。

[8]一種容器的製造方法，其具有：將包含聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物接觸在基材上而形成洗滌前被覆層之步驟；及使用含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之洗滌液對洗滌前被覆層進行洗滌而得到[1]或[3]所述之容器之步驟。

[9]如[8]所述之容器的製造方法，其中洗滌液中的金屬離子的含量為100質量ppt以下，洗滌液中 的有機雜質的含量為100質量ppm以下，利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的洗滌液中為50個以下。

[10]一種容器的製造方法，其使用含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之液洗滌對基體進行洗滌而得到[2]所述之容器，該基體由包含聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物構成，其中洗滌液中的金屬離子的含量為100質量ppt以下，洗滌液中的有機雜質的含量為100質量ppm以下，利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的洗滌液中為50個以下。

[11]如[8]~[10]中任一項所述之容器的製造方法，其中當洗滌後的洗滌液含有選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之1種離子時，相對於洗滌後的洗滌液的總質量之1種離子的含量為0.01質量ppt~1.0質量ppm，當洗滌後的洗滌液含有選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之2種以上的離子時，相對於洗滌後的洗滌液的總質量之2種以上的離子的含量的平均為0.01質量ppt~1.0質量ppm。

[12]如[8]~[11]中任一項所述之容器的製造方法，其中洗滌後的洗滌液含有1.0質量ppt~500質量ppm的有機雜質。

[13]如[8]~[12]中任一項所述之容器的製造方法，其中反覆進行洗滌，直至洗滌後的洗滌液滿足後述之要件1及要件2。

[14]一種藥液收容體，其具有[1]~[7]中任一項所述之容器和收容於容器中之藥液。

[15]如[14]所述之藥液收容體，其中以後述之式(X)求出之填充率為60體積%以上。

[16]如[14]或[15]所述之藥液收容體，其中以後述之式(Y)求出之有機物濃度為1體積ppm以下。

[17]如[14]~[16]中任一項所述之藥液收容體，其中藥液含有水，藥液中之水的含量為50質量%以上，將藥液塗佈於基板上，藥液塗佈前後的基板上之使用顆粒檢查裝置測定之19nm以下粒徑的顆粒的密度變化為0.3個/cm²以下。

[18]如[14]~[17]中任一項所述之藥液收容體，其中藥液含有水，藥液中之水的含量為50質量%以下，用單粒子感應耦合電漿質譜分析儀測定之藥液中之30nm以下粒徑的粒狀物相對於藥液的總質量為1.0質量ppb以下。

[19]如[14]~[18]中任一項所述之藥液收容體，其中藥液還含有界面活性劑。

依本發明，能夠提供一種即使在收容藥液並長期間保管之情況下藥液的性能亦不易經時下降(以下，亦稱為“具有本發明 的效果”。)之容器。並且，依本發明，還能夠提供一種容器的製造方法及藥液收容體。

以下，對本發明進行詳細說明。

以下所記載之構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施形態來進行，但本發明並不限定於該種實施形態。

另外，本說明書中，使用“~”表示之數值範圍係指將“~”前後所記載之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。

另外，本說明書中，簡稱為“平均”時係指算術平均。

並且，本發明中，稱為“準備”時，係指除了包括合成或調合特定的材料來準備之情況以外，還包括藉由購入等供應既定物之情況。

並且，本發明中，“ppm”係指“parts-per-million：百萬分之一(10^-6)”，“ppb”係指“parts-per-billion：十億分之一(10^-9)”，“ppt”係指“一兆分之一：parts-per-trillion(10^-12)”，“ppq”係指“parts-per-quadrillion：千兆分之一(10^-15)”。

[容器(第1實施形態)]

本發明的第1實施形態之容器係滿足後述之要件之容器，其具有：基材(容器本體)；及被覆層，配置於基材上的至少一部分，且包含含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分(以下亦稱為“特定金屬”。)之組成物(以下亦稱為“特定組成物”。)，並且厚度為50 μm以上。另外，上述中，特定金屬可以為粒子狀，亦可以為離子。

在半導體製造步驟中所使用之純度高的藥液和/或以殺菌或消毒等醫療用使用之純度高的藥液要求一定的清潔度(從容器轉移到藥液中之雜質的量減少)。

專利文獻1中所記載之容器中，用乙醇提取之特定的烴成分及金屬成分的量被抑制為一定以下。然而，依本發明人等的研究發現了，在上述容器中收納了最近所要求之水準的高純度的藥液之情況下，有時雜質成分從容器經時溶出而導致藥液的性能惡化。

亦即，得知在專利文獻1的容器中不足以收納最近所要求之水準的高純度的藥液。

本發明人等為了解決上述課題而反覆進行了深入研究，其結果發現了，藉由控制上述容器中被覆層的表面(表面係指被覆層與其他相的界面)與以被覆層的表面作為基準沿被覆層的厚度方向10nm的位置之間(表面區域)以及以被覆層的表面作為基準沿被覆層的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿被覆層的厚度方向50μm的位置之間(內部區域)的特定成分的分佈能夠解決課題，從而完成了本發明。

亦即，本實施形態之容器係一種如下的容器：當上述組成物含有1種特定金屬時，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了表面區域及內部區域時，在被覆層的至少一部分，根據表面區域的來源於特定金屬之二次離子的峰值強度相對於表面區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1s及內部區域的 來源於1種特定金屬之二次離子的峰值強度相對於內部區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2s，以CA1s/CA2s計算之比RCAs小於1.00，或者，當上述組成物含有2種以上的金屬成分時，在被覆層的至少一部分，對2種以上的特定金屬分別求出之RCAs的平均值小於1.00。

以下，對上述容器的材料及物性進行詳細說明。

本實施形態之容器(以下亦稱為“本容器”。)係在基材上的至少一部分具有含有特定組成物且厚度為50μm以上的被覆層之容器，具有由特定組成物構成且厚度為50μm以上的被覆層之容器為較佳。

另外，本容器在接液部(在本容器中收容了液體時，有可能與所收容之液體接觸之部分)的至少一部分具有被覆層為較佳。亦即，在基材上的成為接液部之部分中的至少一部分具有被覆層為較佳，在接液部的全部具有被覆層為更佳，在容器的內側表面的全部具有被覆層為進一步較佳，在容器的表面的全部具有被覆層為特佳。

換言之，在本容器中，在具有能夠收容藥液之收容部之容器本體(相當於基材)的收容部的表面的全部配置被覆層為較佳，在容器本體的整面配置被覆層為更佳。

[基材]

本實施形態之容器在基材上具有含有特定組成物之被覆層。作為基材並沒有特別限制，例如能夠使用有機材料(樹脂等)及無 機材料(玻璃及金屬等)。

另外，基材係具有能夠收容藥液之收容部之容器本體為較佳。

其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，基材含有後述之聚烯烴和/或耐腐蝕材料為較佳，由聚烯烴和/或耐腐蝕材料構成為較佳。

<耐腐蝕材料>

基材由選自包括氟樹脂及經電解研磨之金屬材料之群組中之至少1種材料(耐腐蝕材料)形成，金屬材料含有選自包括鉻及鎳之群組中之至少1種，且鉻及鎳的含量的合計相對於金屬材料的總質量超過25質量%為較佳。

(經電解研磨之金屬材料(已電解研磨之金屬材料))

上述經電解研磨之金屬材料的製造中所使用之金屬材料只要是含有選自包括鉻及鎳之群組中之至少1種，且鉻及鎳的含量的合計相對於金屬材料的總質量超過25質量%之金屬材料，就沒有特別限制，例如可以舉出不銹鋼及鎳-鉻合金等。

金屬材料中之鉻及鎳的含量的合計相對於金屬材料總質量係25質量%以上為較佳，30質量%以上為更佳。

另外，作為金屬材料中之鉻及鎳的含量的合計的上限值並沒有特別限制，一般係90質量%以下為較佳。

作為不銹鋼並沒有特別限制，能夠使用公知的不銹鋼。其中，含有8質量%以上的鎳之合金為較佳，含有8質量%以上的鎳之奧氏體系不銹鋼為更佳。作為奧氏體系不銹鋼，例如可以舉出 SUS(Steel Use Stainless：鋼用不銹鋼)304(Ni含量8質量%、Cr含量18質量%)、SUS304L(Ni含量9質量%、Cr含量18質量%)、SUS316(Ni含量10質量%、Cr含量16質量%)及SUS316L(Ni含量12質量%、Cr含量16質量%)等。

另外，上述括號中的Ni含量及Cr含量係相對於金屬材料的總質量之含有比例。

作為鎳-鉻合金並沒有特別限制，能夠使用公知的鎳-鉻合金。其中，相對於金屬材料的總質量之鎳含量為40~75質量%、鉻含量為1~30質量%的鎳-鉻合金為較佳。

作為鎳-鉻合金，例如可以舉出赫史特合金(商品名稱，以下相同)、蒙乃爾合金(商品名稱，以下相同)及英高鎳合金(商品名稱，以下相同)等。更具體而言，可以舉出赫史特合金C-276(Ni含量63質量%、Cr含量16質量%)、赫史特合金-C(Ni含量60質量%、Cr含量17質量%)及赫史特合金C-22(Ni含量61質量%、Cr含量22質量%)等。

並且，鎳-鉻合金根據需要除了上述合金以外，還可以含有硼、矽、鎢、鉬、銅及鈷等。

作為對金屬材料進行電解研磨之方法並沒有特別限制，能夠使用公知的方法。例如，能夠使用日本特開2015-227501號公報的[0011]-[0014]段及日本特開2008-264929號公報的[0036]-[0042]段等中所記載之方法。

推測金屬材料藉由進行電解研磨而成為表面的鈍化層中 之鉻的含量多於母相的鉻的含量者。

另外，金屬材料可以進行拋光。拋光的方法並沒有特別限制，能夠使用公知的方法。拋光的精拋中所使用之研磨粒的尺寸並沒有特別限制，在金屬材料表面的凹凸容易進一步減小之觀點上，#400以下為較佳。另外，拋光在電解研磨之前進行為較佳。

(氟樹脂)

作為上述氟樹脂，只要是含有氟原子之樹脂(聚合物)，就沒有特別限制，能夠使用公知的氟樹脂。作為氟樹脂，例如可以舉出聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物、四氟乙烯-乙烯共聚物、三氟氯乙烯-乙烯共聚物及全氟(丁烯基乙烯醚)的環化聚合物(CYTOP(註冊商標))等。

另外，作為基材的厚度並沒有特別限制，一般係100μm~500mm為較佳。

本實施形態之容器具有配置於基材上之被覆層，上述被覆層含有特定組成物，由特定組成物構成為較佳。

另外，作為被覆層的厚度，只要是50μm以上，就沒有特別限制，一般係3000μm以下為較佳，2000μm以下為更佳。

[組成物]

<聚烯烴>

特定組成物含有聚烯烴和特定金屬。作為特定組成物中之聚烯烴的含量並沒有特別限制，一般相對於組成物的總質量係95.0 質量%以上為較佳，98.0質量%以上為更佳。作為上限並沒有特別限制，一般係99.99999質量%以下為較佳。

本說明書中，聚烯烴係指以烯烴類作為單體而合成之聚合物。作為聚烯烴，例如可以舉出聚乙烯及聚丙烯等。並且，作為聚烯烴，亦能夠使用乙烯與其他α-烯烴的共聚物。作為α-烯烴並沒有特別限制，可以舉出碳數3~20的α-烯烴，更具體而言，可以舉出丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十一碳烯、1-十二碳烯、1-十三碳烯及1-十四碳烯等。聚烯烴可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的聚烯烴時，合計含量在上述範圍內為較佳。

其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，作為聚烯烴，選自包括聚乙烯及乙烯與α-烯烴的共聚物之群組中之至少1種為較佳，聚乙烯為更佳。其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，高密度聚乙烯(HDPE)為進一步較佳。

作為HDPE的重量平均分子量(Mw)並沒有特別限制，一般係1000~1000000為較佳，5000~500000為更佳。

並且，作為HDPE的分子量分佈(Mw/Mn)並沒有特別限制，2.0~6.0為較佳。若Mw/Mn值為2.0以上，則成為流動性優異之吹氣成形及射出成形容易之高密度聚乙烯。另一方面，若為6.0以下，則低分子量成分減少，清潔性提高，而且耐衝擊性亦提高。高密度聚乙烯的Mw/Mn值係2.5~5.5為更佳，3.0~5.0為進一步較 佳。另外，本說明書中之重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)係指藉由凝膠滲透層析以聚苯乙烯換算求出之值。

<特定金屬>

特定組成物含有特定金屬。作為特定組成物中之特定金屬的含量並沒有特別限制，一般相對於特定組成物的總質量係0.1~100質量ppm為較佳，0.1~30質量ppm為更佳，0.1~20質量ppm為進一步較佳。

特定金屬可以藉由與聚烯烴有目的地混合而含於特定組成物中，亦可以無目的地(例如，作為來源於原料之雜質及製造步驟中的污染物等)含於組成物中。

作為特定組成物含有特定金屬之典型的形態，可以舉出特定金屬用作聚烯烴的聚合觸媒之情況。亦即，可以舉出在特定組成物中亦殘存有在聚烯烴的聚合過程中使用之含有特定金屬之聚合觸媒之情況。

作為聚合觸媒並沒有特別限制，例如可以舉出齊格勒-納他觸媒、茂金屬觸媒及飛利浦觸媒等。該等觸媒可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。

．齊格勒-納他觸媒

作為齊格勒-納他觸媒，可以舉出由含有Mg、Ti、鹵素及電子給予體之固體觸媒成分和有機鋁化合物構成之觸媒。電子給予體係包含氧原子之有機化合物，例如可以舉出醚類及酯類，酯類為較佳。

作為固體觸媒成分的具體例，可以舉出TiCl₄、TiBr₄、Ti(OEt)₃Cl、Ti(OEt)₂Br₂及其類似物等。

有機鋁化合物係含有至少1種以上的Al(鋁)-碳鍵之化合物，例如可以舉出三甲基Al、三乙基Al及三異丁基Al等。

．茂金屬觸媒

作為茂金屬觸媒，可以舉出由含有具有環戊二烯型陰離子骨架之基團之第4族過渡金屬的錯合物和鋁氧烷構成之觸媒。

作為含有環戊二烯型陰離子骨架之基團，例如可以舉出環戊二烯基、正丁基環戊二烯基及茚基等，正丁基環戊二烯基或茚基為較佳。並且，可以舉出使該等以伸烷基及伸甲矽基等交聯而成者，例如二甲基伸甲矽基雙茚基及伸乙基雙茚基等。

作為第4族過渡金屬原子，可以舉出Ti、Zr及Hf等，Zr為較佳。

作為含有具有環戊二烯型陰離子骨架之基團之第4族過渡金屬原子的錯合物，例如可以舉出二環戊二烯二氯化Zr、二正丁基環戊二烯二氯化Zr、二甲基伸甲矽基雙茚基二氯化Zr及伸乙基雙茚基二氯化Zr等。

鋁氧烷係含有-(Al(R)-O)n-的結構之化合物，R為碳數1~4的烷基，烷基可以相同，亦可以不同。n為2~50的數。

作為鋁氧烷的烷基(R)，例如可以舉出甲基及乙基等。作為n，較佳為10~30。

作為鋁氧烷，例如可以舉出甲基鋁氧烷及乙基鋁氧烷等。

．飛利浦觸媒

飛利浦觸媒係使鉻化合物負載於二氧化矽、二氧化矽-氧化鋁及二氧化矽-二氧化鈦等無機氧化物載體上，藉由在非還元性環境中賦活而使所負載之鉻元素的至少一部分鉻元素變為6價之鉻觸媒。

作為飛利浦觸媒，可以舉出CrO₃、二茂鉻(chromocene)、鉻酸甲矽烷酯及其類似物，該等記載於美國專利第4124532號說明書及美國專利第4302565號說明書中。

．後茂金屬觸媒

作為後茂金屬觸媒(例如，“聚乙烯技術教材；2001年由Kogyo Chosakai Publishing Co.,Ltd.發行”、“基於均勻體系過渡金屬觸媒之活性聚合；1999年由IPC CO.,LTD.發行”、“觸媒應用大辭典；2004年由工業調查會發行”等)，中心金屬為週期表4B族之Ti、Zr或Hf者、或Cr、Fe、Ni者顯示出高活性。

作為其他觸媒，可以舉出由含有氧化鉬之主觸媒和由鋁的氧化物構成之觸媒載體所構成之標準觸媒及鎳系觸媒等，其記載於日本特開平5-175072號公報及日本特開平6-122721號公報等。

上述聚合觸媒有時負載於載體上，作為該種載體並沒有特別限制，作為有機載體，例如可以舉出碳數2~10的α-烯烴的(共)聚合物(聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯-1、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-1共聚物、乙烯-己烯-1共聚物、丙烯-丁烯-1共聚物及丙 烯-二乙烯苯共聚物等)、芳香族不飽和烴聚合物(聚苯乙烯及苯乙烯-二乙烯苯共聚物等)及含有極性基之聚合物(聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚醯胺及聚碳酸酯等)。

作為無機載體，例如可以舉出SiO₂、Al₂O₃、MgO、TiO₂、B₂O₃、CaO、ZnO、BaO、ThO、SiO₂-MgO、SiO₂-Al₂O₃、SiO₂-V₂O₅、MgCl₂、AlCl₃、MnCl₂、Na₂CO₃、K₂CO₃、CaCO₃、MgCO₃、Al₂(SO₄)₃、BaSO₄、KNO₃、Mg(NO₃)₂、Mg(OH)₂、Al(OH)₃及Ca(OH)₂等。作為載體的粒徑並沒有特別限制，一般係1~3000μm為較佳，5~2000μm為更佳，10~1000μm為進一步較佳。

作為特定組成物含有上述特定金屬之形態並不限於上述。例如，還可以舉出如下形態：Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo以雜質形式從聚烯烴的製造裝置(反應槽、儲罐及管路等)的接液部等轉移到聚烯烴中，其結果，組成物含有特定金屬。

<其他成分>

特定組成物可以含有上述以外的成分。作為上述以外的成分，例如可以舉出成核劑(晶核劑)等。作為成核劑，例如可以舉出磷酸酯金屬鹽、羧酸酯金屬鹽、松脂金屬鹽、亞苄基山梨醇、喹吖啶酮、青藍及滑石等，其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，磷酸酯金屬鹽或羧酸酯金屬鹽為較佳。

作為特定組成物中之成核劑的含量並沒有特別限制，一般相對於組成物的總質量係0.01~2.0質量%為較佳。成核劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的成核劑時， 合計含量在上述範圍內為較佳。

作為磷酸酯金屬鹽，例如可以舉出2,2’-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯鈉、2,2’-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯鈉、2,2’-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯鋰、2,2’-亞乙基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯鋰、雙[2,2’-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]鈣、雙[2,2’-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]鎂、三[2,2’-亞甲基-雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯]鋁、2,2’-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯鹼性鋁鹽及雙(2,4,8,10-四-第三丁基-羥基-12H-二苯并[d,g][1,3,2]二氧磷雜八環(dioxaphosphocin)-6-氧化物)氫氧化鋁等。

作為羧酸酯金屬鹽，可以舉出芳香族羧酸或脂肪族羧酸的金屬鹽，具體而言，可以舉出苯甲酸鋁鹽、對-第三丁基苯甲酸鋁鹽、己二酸鈉、噻吩羧酸鈉及吡咯羧酸鈉等。

[容器的物性]

<RCAs>

本發明的實施形態之容器係如下的容器：當特定組成物含有1種特定金屬時，在被覆層的至少一部分，根據表面S₀與以表面S₀作為基準沿被覆層的厚度方向10nm的位置S₁₀之間(表面區域)之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之來源於特定金屬之二次離子的峰值強度M₁₀相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I₁₀之強度比CA1s(M₁₀/I₁₀)及以表面作為基準沿被覆層的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿被覆層的厚度方向50 μm的位置之間(內部區域)之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之來源於1種特定金屬之二次離子的峰值強度M_50k相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I_50k之強度比的CA2s(M_50k/I_50k)，以CA1s/CA2s計算之比RCAs小於1.00，或者， 當特定組成物含有2種以上的特定金屬時，在被覆層的至少一部分，對2種以上的特定金屬分別求出之RCAs的平均值小於1.00。

另外，I₁₀係指在表面區域的各測定點上測定之來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度(累積強度)的平均，表面區域中之測定點數量為20點。關於M₁₀，上述內容亦相同。

另外，I_50k係指在內部區域的各測定點上測定之來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度(累積強度)的平均，內部區域中之測定點數量為20點。關於M_50k，上述內容亦相同。

另外，關於詳細的測定條件，如實施例所記載。

當容器滿足RCAs<1.00時，意味著與內部區域相比，在表面區域中特定金屬的含量相對少。在容器中的接液部滿足上述關係之容器之情況下，即使在容器中收容藥液並長期間保管，雜質等亦不易從容器溶出，藥液的性能更容易得到維持。

RCAs只要小於1.00，就沒有特別限制，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，0.90以下為較佳，小於0.70為更佳，小於0.40為進一步較佳，0.25以下為特佳。作為下限值並沒有特別限制，一般係0.001以上為較佳。

另外，RCAs係根據能夠藉由飛行時間型二次離子質譜分析法測定之I₁₀、M₁₀、I_50k及M_50k計算之數值，測定試樣的準備方法及測定條件如實施例所記載。

另外，只要在被覆層的至少一部分滿足上述關係即可，但在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，在成為接液部之被覆層的一部分滿足上述關係為較佳，在成為接液部之被覆層的全部滿足上述關係為更佳，在被覆層的全部滿足上述關係為進一步較佳。

本實施形態之容器亦可以為還具有蓋之附蓋容器。另外，當本實施形態之容器具有蓋時，關於蓋，亦具有與上述容器相同之材料及特性為較佳。

[容器(第2實施形態)]

本發明的第2實施形態之容器係由特定組成物構成之容器，係滿足後述之要件之容器。

以下，對上述實施形態之容器進行說明，以下沒有說明之材料及要件等與第1實施形態相同。

在半導體製造步驟中所使用之純度高的藥液和/或以殺菌或消毒等醫療用使用之純度高的藥液要求一定的清潔度(從容器轉移到藥液中之雜質的量減少)。

專利文獻1中所記載之容器中，用乙醇提取之特定的烴成分及金屬成分的量被抑制為一定以下。然而，依本發明人等的研究發現了，在上述容器中收納了最近所要求之水準的高純度的藥液之 情況下，有時雜質成分從容器經時溶出而導致藥液的性能惡化。

亦即，得知在專利文獻1的容器中不足以收納最近所要求之水準的高純度的藥液。

本發明人等為了解決上述課題而反覆進行了深入研究，其結果發現了，藉由控制由特定組成物構成之容器中容器的表面與以容器的表面作為基準沿容器的厚度方向10nm的位置之間(表面區域)以及以容器的表面作為基準沿容器的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿容器的厚度的方向50μm的位置之間(內部區域)之特定成分的分佈能夠解決課題，從而完成了本發明。

亦即，本實施形態之容器係如下的容器：當特定組成物含有1種特定金屬時，將容器的表面與以表面作為基準沿容器的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以表面作為基準沿容器的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿容器的厚度方向50μm的位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了表面區域及內部區域時，在容器的至少一部分，根據表面區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於表面區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1及內部區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於內部區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2，以CA1/CA2計算之比RCA小於1.00，或者 當特定組成物含有2種以上的金屬成分時，在容器的至少一部分，對2種以上的金屬成分分別求出之RCA的平均值小於1.00。

[容器的物性]

本發明的實施形態之容器係如下的容器：當特定組成物含有1種特定金屬時，在表面的至少一部分，根據表面S₀與以表面S₀作為基準沿容器的厚度方向10nm的位置S₁₀之間(表面區域)的用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之來源於特定金屬之二次離子的峰值強度M₁₀相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I₁₀之強度比CA1(M₁₀/I₁₀)及以表面作為基準沿容器的厚度方向30μm的位置與以表面作為基準沿容器的厚度方向50μm的位置之間(內部區域)之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之來源於1種特定金屬之二次離子的峰值強度M_50k相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I_50k之強度比的CA2(M_50k/I_50k)，以CA1/CA2計算之比RCA小於1.00，或者， 當特定組成物含有2種以上的特定金屬時，在表面的至少一部分，對2種以上的特定金屬分別求出之RCA的平均值小於1.00。

另外，I₁₀係指在表面區域的各測定點上測定之來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度(累積強度)的平均，表面區域中之測定點數量為20點。關於M₁₀，上述內容亦相同。

另外，I_50k係指在內部區域的各測定點上測定之來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度(累積強度)的平均，內部區域中之測定點數量為20點。關於M_50k，上述內容亦相同。

當容器滿足RCA<1.00時，意味著與內部區域相比，在表面區域中特定金屬的含量相對少。在容器中的接液部滿足上述 關係之容器之情況下，即使在容器中收容藥液並長期間保管，雜質等亦不易從容器溶出，藥液的性能更容易得到維持。

RCA只要小於1.00，就沒有特別限制，但在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，0.90以下為較佳，小於0.70為更佳，小於0.40為進一步較佳，0.25以下為特佳。作為下限值並沒有特別限制，一般係0.001以上為較佳。

另外，RCA係能夠藉由飛行時間型二次離子質譜分析法測定之數值，測定試樣的準備方法及測定條件如實施例所記載。

另外，只要在容器的至少一部分滿足上述關係即可，但在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，在容器中的接液部的一部分滿足上述關係為較佳，在容器中的接液部的全部滿足上述關係為進一步較佳，在容器的全部滿足上述關係為特佳。

本實施形態之容器亦可以為還具有蓋之附蓋容器。另外，當本實施形態之容器具有蓋時，關於蓋，亦具有與上述容器相同之材料及特性為較佳。

並且，作為本實施形態之容器的厚度並沒有特別限制，一般超過50μm為較佳，100μm以上為更佳，200μm以上為進一步較佳，100mm以下為較佳，80mm以下為更佳，50mm以下為進一步較佳。

[容器(第3實施形態)]

本發明的第3實施形態之容器係在基材上具有含有特定組成物且厚度小於50μm的被覆層之容器，具有由特定組成物構成且 厚度小於50μm的被覆層之容器為較佳。

在半導體製造步驟中所使用之純度高的藥液和/或以殺菌或消毒等醫療用使用之純度高的藥液要求一定的清潔度(從容器轉移到藥液中之雜質的量減少)。

專利文獻1中所記載之容器中，用乙醇提取之特定的烴成分及金屬成分的量被抑制為一定以下。然而，依本發明人等的研究發現了，在上述容器中收納了最近所要求之水準的高純度的藥液之情況下，有時雜質成分從容器經時溶出而導致藥液的性能惡化。

亦即，得知在專利文獻1的容器中不足以收納最近所要求之水準的高純度的藥液。

本發明人等為了解決上述課題而反覆進行了深入研究，其結果發現了，藉由控制上述容器中被覆層的表面與以被覆層的表面作為基準沿被覆層的厚度方向10nm的位置之間(表面區域)和以被覆層的表面作為基準朝被覆層的厚度方向對應於被覆層的整體厚度的70%的厚度之位置與以被覆層的表面作為基準朝被覆層的厚度方向對應於被覆層的整體厚度的100%的厚度之位置之間(內部區域)之特定成分的分佈能夠解決課題，從而完成了本發明。

亦即，本實施形態之容器係如下的容器，其具有：基材；及被覆層，配置於基材上的至少一部分，且含有特定組成物，並且厚度小於50μm，其中當特定組成物含有1種特定金屬時，將被覆層的表面與以表面作為基準沿被覆層的厚度方向10nm的位置之 間設為表面區域，將以表面作為基準朝被覆層的厚度方向對應於被覆層的整體厚度的70%的厚度之位置與以表面作為基準朝被覆層的厚度方向對應於被覆層的整體厚度的100%的厚度之位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了表面區域及內部區域時，在被覆層的至少一部分，根據表面區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於表面區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1t及內部區域的來源於金屬成分之二次離子的峰值強度相對於內部區域的來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2t，以CA1t/CA2t計算之比RCAt小於1.00，或者，當特定組成物含有2種以上的金屬成分時，在被覆層的至少一部分，對2種以上的金屬成分分別求出之RCAt的平均值小於1.00。

當容器滿足RCAt<1.00時，意味著與內部區域相比，在表面區域中特定金屬的含量相對少。在容器中的接液部滿足上述關係之容器之情況下，即使在容器中收容藥液並長期間保管，雜質等亦不易從容器溶出，藥液的性能更容易得到維持。

RCAt只要小於1.00，就沒有特別限制，但在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，0.90以下為較佳，小於0.70為更佳，小於0.40為進一步較佳，0.25以下為特佳。作為下限值並沒有特別限制，一般係0.001以上為較佳。

另外，RCAt係能夠藉由飛行時間型二次離子質譜分析法測定之數值，測定試樣的準備方法及測定條件如實施例所記載。

另外，在被覆層的表面的至少一部分滿足上述關係即可，但在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，在接液部的一部分滿足上述關係為較佳，在接液部的全部滿足上述關係為進一步較佳，在被覆層的表面的全部滿足上述關係為特佳。

本實施形態之容器亦可以為還具有蓋之附蓋容器。另外，當本實施形態之容器具有蓋時，關於蓋，亦具有與上述容器相同之材料及特性為較佳。

本實施形態之容器具有配置於基材上之被覆層，上述被覆層含有特定組成物，由特定組成物構成為較佳。

另外，作為被覆層的厚度，只要小於50μm，就沒有特別限制，一般係20μm以上為較佳，30μm以上為更佳。

[容器的物性(其他)]

[RCB]

目前為止說明之本發明的各實施形態之容器在具有更優異之本發明的效果之觀點上，藉由以下方法求出之RCB在容器(或具有被覆層時為被覆層)的至少一部分小於1.0為較佳。在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，在接液部的一部分滿足上述關係為較佳，在接液部的全部滿足上述關係為更佳，在表面(或被覆層)的全部滿足上述關係為進一步較佳。

如後述，RCB係反映了來源於聚烯烴(尤其是低聚合度的聚烯烴)之成分及來源於成核劑之成分在容器中之分佈之數值，該數值在一部分表面上小於1.0，意味著與內部區域相比，表面區域中 之來源於聚烯烴(尤其是低聚合度的聚烯烴)之成分和/或來源於成核劑之成分的含量相對少。依本發明人等的研究發現了，來源於聚烯烴(尤其是低聚合度的聚烯烴)之成分及來源於成核劑之成分經時溶出於在容器中收容之藥液中，因此在長期間保管之情況下，成為藥液的性能下降之主要原因之一。另外，“來源於~之成分”包括其本身、以及其反應物生成物及分解物等。

若本發明的實施形態之容器滿足RCB<1.00，則來源於聚烯烴(尤其是低聚合度的聚烯烴)之成分和/或來源於成核劑之成分不易溶出於在上述容器中保管之藥液中，其結果，藥液的性能容易經長期得到維持。

以下，對RCB的計算方法進行說明。

(CB1)

CB1作為表面區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之以下的L₁₀/I₁₀、A₁₀/I₁₀及P₁₀/I₁₀的算術平均而被求出。

(A)C_nH_2n-所表示之二次離子的峰值強度L₁₀相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I₁₀之強度比(L₁₀/I₁₀)

(B)C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度A₁₀相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I₁₀之強度比(A₁₀/I₁₀)

(C)C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度P₁₀相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I₁₀之強度比(P₁₀/I₁₀)

並且，n表示12~20的整數，p表示8~24的整數，q表示8~24的整數。

另外，上述中，(A)為反映表面區域中之來源於低聚合度的聚烯烴之成分的含量之數值，(B)及(C)為反映表面區域中之來源於成核劑之成分的含量之數值。

(CB2)

CB2作為內部區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之以下的L_50k/I_50k、A_50k/I_50k及P_50k/I_50k的算術平均而被求出。

(a)C_nH_2n-所表示之二次離子的峰值強度L_50k相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度I_50k之強度比(L_50k/I_50k)

(b)C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度(A_50k)相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度(I_50k)之強度比(A_50k/I_50k)

(c)C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度(P_50k)相對於來源於聚烯烴之二次離子的峰值強度(I_50k)之強度比(P_50k/I_50k)

n、p及q的定義如上所述。

只要以CB1/CB2計算之RCB小於1.00，就沒有特別限制，但在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，小於0.70為更佳，小於0.40為進一步較佳。作為下限值並沒有特別限制，一般係0.001以上為較佳。

另外，RCB係能夠根據能夠藉由飛行時間型二次離子質譜分析法測定之I₁₀、L₁₀、A₁₀、P₁₀、I_50k、L_50k、A_50k及P_50k計算之數值，測定試樣的準備方法及測定條件如實施例所記載。

[金屬成分及有機雜質在純水中之溶出量]

在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，在以 下溶出試驗中上述容器滿足以下要件A和/或要件B為較佳，滿足要件A及要件B為更佳。

溶出試驗：在容器中收容100ml的40℃的純水使其成為容器體積的50體積%，並保持1天。

要件A：溶出試驗後的純水中所含有之金屬成分的含量的平均為1.0質量ppb以下(較佳為10質量ppt以下，進一步較佳為1質量ppt以下)。

要件B：溶出試驗後的純水中的TOC(總有機碳)為1000質量ppm以下(較佳為100質量ppm以下，進一步較佳為1質量ppm以下)。

另外，在溶出試驗中，在溶出試驗後的純水中可以包含Fe、Cr及Ni中的任一種金屬元素。

當在溶出試驗後的純水中包含Fe時，溶出試驗後的純水中之Fe的含量係0.01質量ppt~0.30質量ppb為較佳。關於上限，0.1質量ppb以下為較佳，0.01質量ppb以下為更佳，0.001質量ppb以下為進一步較佳。

當在溶出試驗後的純水中包含Cr時，溶出試驗後的純水中之Cr的含量係0.01質量ppt~0.30質量ppb為較佳。關於上限，0.1質量ppb以下為較佳，0.01質量ppb以下為更佳，0.001質量ppb以下為進一步較佳。

當在溶出試驗後的純水中包含Ni時，溶出試驗後的純水中之Ni的含量係0.01質量ppt~0.30質量ppb為較佳。關於上限，0.1 質量ppb以下為較佳，0.01質量ppb以下為更佳，0.001質量ppb以下為進一步較佳。

當各金屬元素(Fe、Cr、Ni)的含量為上述上限值以下時，能夠進一步抑制使用收容於容器中之藥液對晶圓進行處理之後的缺陷的產生。並且，當各金屬元素(Fe、Cr、Ni)的含量為上述下限值以上時，從一開始就能夠減少對容器之洗滌處理的負荷，其結果，能夠抑制對容器之來源於洗滌處理之損傷，並能夠抑制有機雜質從容器之溶出。

另外，在溶出試驗中，在溶出試驗後的純水中可以包含選自包括脂肪族醯胺及沸點為300℃以上的有機物之群組中之化合物，作為沸點為300℃以上的有機物，可以包含烷基烯烴(較佳為低聚合度烷基烯烴)。另外，低聚合度烷基烯烴係指碳數22以下的烷基烯烴。並且，脂肪族醯胺可以含有連結於羰基之碳數16以上的脂肪族鏈。另外，上述脂肪族鏈可以具有取代基。上述沸點係指在1個大氣壓下之沸點。

溶出試驗後的純水中之上述化合物的含量相對於純水總質量係0.1質量ppb~1000質量ppm為較佳。

溶出試驗後的純水中之脂肪族醯胺的含量係0.1質量ppb~1000質量ppm為較佳。

並且，溶出試驗後的純水中之烷基烯烴的含量係0.1質量ppb~1000質量ppm為較佳。

當上述成分的含量為上述上限值以下時，可進一步抑制使用 收容於容器中之藥液對晶圓進行處理之後的缺陷的產生。當上述成分(尤其是脂肪族醯胺)的含量為上述下限值以上時，能夠抑制長期間保管在容器中收容之藥液之後使用該藥液時缺陷進一步惡化。雖然抑制機制並不明確，但認為是由於，上述成分從容器微量溶出於藥液中，藉此與在藥液中極微量包含之無機雜質及金屬離子相互作用而使無機雜質及金屬離子穩定化，從而能夠抑制來源於該等之缺陷源的成長。

另外，金屬成分的含量能夠使用ICP-MS進行測定。TOC能夠使用總有機碳計進行測定。

並且，為了提高檢測靈敏度，可以事先使要評價之藥液濃縮之後進行評價。作為濃縮倍率，可以適當選擇2~100000倍左右的最佳倍率。

[容器的製造方法的第1實施形態]

本發明的容器的製造方法的第1實施形態係具有以下步驟之容器的製造方法：使特定組成物接觸在基材上而形成洗滌前被覆層之步驟；及使用含有選擇包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之洗滌液，對洗滌前被覆層進行洗滌而得到容器之步驟。以下，對每個步驟詳細敘述其形態。

<洗滌前被覆層形成步驟>

在本步驟中，首先準備基材。作為在本步驟中準備之基材的材料並沒有特別限制，但使用已說明之基材為較佳。作為基材的形狀並沒有特別限制，但適合收容液體之形狀為較佳。並且，基材亦可 以使用特定組成物來形成。但是，在該情況下，設為與形成洗滌前被覆層之特定組成物不同者。

作為基材的形狀並沒有特別限制，只要是用於收容液體之較佳形狀即可。

另外，本步驟還可以具有對基材的表面的一部分或全部進行易黏接處理之步驟和/或在基材的表面的一部分或全部形成易黏接層之步驟。亦即，基材可以為已進行易黏接處理之基材或附有易黏接層之基材。

作為易黏接處理並沒有特別限制，可以舉出向基材的表面進行電漿照射及電離放射線照射之方法等。並且，易黏接層能夠塗佈公知的黏接劑來形成。

本步驟係使特定組成物接觸在基材上而得到洗滌前被覆層之步驟。基材上係指基材的表面的至少一部分，在所形成之容器中形成接液部之部分的一部分為較佳，形成接液部之部分的全部為更佳，表面的全部為進一步較佳。

作為使組成物接觸在基材上之方法並沒有特別限制，例如可以舉出藉由共擠出法(層壓(laminate)及吹氣(blow)等)將基材和洗滌前被覆層一次性成形之方法；將特定組成物塗佈於基材上並進行乾燥和/或烘烤而形成塗膜狀的洗滌前被覆層之方法等。其中，在能夠更簡便地得到容器之觀點上，共擠出法為較佳。

對為了形成洗滌前被覆層而使用之被覆層形成用特定組成物進行說明。

被覆層形成用特定組成物只要含有聚烯烴和特定金屬，就沒有特別限制。當藉由共擠出法形成容器時，典型地以粒料形式準備被覆層形成用特定組成物，該被覆層形成用特定組成物被熔融，並被擠出成形。此時，用已說明之洗滌液對上述粒料進行洗滌為較佳。藉由對粒料進行洗滌，容易得到滿足既定的要件之容器。

本製造方法在洗滌前被覆層形成步驟之後具有洗滌步驟。洗滌步驟係使用以下說明之洗滌液對洗滌前被覆層的表面進行洗滌之步驟。藉由用既定的洗滌液對洗滌前被覆層的表面進行洗滌，與內部區域中之特定金屬的含量相比，所得到之被覆層的表面區域中之特定金屬的含量容易變少。另外，在本步驟中，表面係指被覆層的一部分，在被覆層中構成接液部之部分的一部分為較佳，在被覆層中構成接液部之部分的全部為更佳，被覆層的全部為進一步較佳，容器的表面的全部為特佳。

．洗滌步驟

洗滌步驟係使用含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之洗滌液對洗滌前被覆層進行洗滌之步驟。

作為洗滌液，只要含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種(以下亦稱為“主劑”。)即可，亦可以含有2種以上。其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，作為洗滌液，含有選自包括酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種為較佳。

作為洗滌液中之主劑的含量並沒有特別限制，一般相對於洗 滌液的總質量係99.98~100質量%為較佳。主劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的主劑時，合計含量在上述範圍內為較佳。

作為主劑之酸並沒有特別限制，能夠使用作為洗滌液用而公知的酸。作為酸，例如可以舉出鹽酸、氟酸、硫酸、硝酸、磷酸(H₃PO₄)、膦酸(H₃PO₃)、有機酸及該等與水的混合物等。

作為有機酸，例如能夠使用日本特開2014-232872號公報的0031段落及0032段落中所記載之酸。

作為主劑之鹼並沒有特別限制，能夠使用作為洗滌用而公知的鹼。作為鹼，可以舉出硫酸銨等銨鹽；三乙醇胺及二乙醇胺等水溶性的含氮化合物；硫酸銨與水的混合物；等。此外，例如亦能夠使用日本特開2014-232874號公報的0030~0068段落中所記載之無機鹼及有機鹼等。

作為主劑之有機溶劑並沒有特別限制，能夠使用作為洗滌用而公知的有機溶劑。作為有機溶劑，能夠從選自包括烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑之群組中之至少1種有機溶劑中適當選擇。具體而言，例如可以舉出IPA(異丙醇)、丙二醇單烷基醚、甲基異丁基甲醇、環己烷、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙酸丁酯、乙酸異丙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯及該等的混合物、以及該等與水的混合物等。

洗滌步驟中所使用之洗滌液可以含有金屬離子。作為金屬離子的含量並沒有特別限制，但100質量ppt以下為較佳，50 質量ppt以下為更佳，20質量ppt以下為進一步較佳。另外，作為下限並沒有特別限制，但從定量下限的關係而言，0.01質量ppt以上為較佳。本說明書中，洗滌液中所含有之金屬離子的含量能夠使用ICP-MS(感應耦合電漿質譜分析儀)進行測定。另外，當洗滌液中含有2種以上的金屬離子時，上述值為各金屬離子的含量的算術平均。

洗滌步驟中所使用之洗滌液可以含有有機雜質。另外，本說明書中，有機雜質係指洗滌液中的主劑以外的有機化合物。作為洗滌液中之有機雜質的含量並沒有特別限制，但100質量ppm以下為較佳，50質量ppm以下為更佳，30質量ppm以下為進一步較佳。另外，作為下限並沒有特別限制，但從定量下限的觀點而言，1.0質量ppt以上為較佳，0.1質量ppm以上為更佳。

本說明書中，洗滌液中所含有之有機雜質的含量的測定能夠使用GC-MS(氣相層析質譜分析裝置)，藉由實施例中所記載之方法來實施。

另外，當洗滌液中含有2種以上的有機雜質時，上述值為各有機雜質的含量的算術平均。

並且，洗滌液利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的洗滌液中為50個以下為較佳。在可得到具有更優異之效果之容器之觀點上，被計數體的數量在每1ml的洗滌液中為100個以下為較佳，50個以下為更佳。另外，作為下限值並沒有特別限制，但從定量下限的觀點而言，一 般係0.1個以上為較佳。

其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，作為洗滌液，洗滌液中的金屬離子的含量為100質量ppt以下，洗滌液中的有機雜質的含量為100質量ppm以下，利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的洗滌液中為50個以下為較佳。

作為對洗滌前被覆層進行洗滌之洗滌方法並沒有特別限制，有將洗滌前被覆層浸漬於洗滌液中(在浸漬過程中能夠藉由照射超音波和/或加熱洗滌液來進一步提高效果。)、向洗滌前被覆層噴塗洗滌液等方法。

洗滌液可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的洗滌液時，可以混合使用洗滌液，亦可以用2種以上的洗滌液依次洗滌。其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，用2種以上的洗滌液依次洗滌為較佳。

‥確認步驟

洗滌步驟還可以具有用於測定洗滌後的洗滌液中所含有之雜質等的含量並確認該值是否包含於預先規定之數值範圍內之確認步驟。在確認步驟中，藉由確認洗滌液中所含有之雜質等的含量，能夠掌握基體的洗滌進展情況。

在確認步驟中，作為要確認之雜質等，例如可以舉出洗滌後的洗滌液中所含有之金屬離子(其中特定金屬的離子為較佳)及有機雜質。

作為確認步驟，反覆進行洗滌，直至洗滌後的洗滌液滿足以下要件1及要件2為較佳。

要件1：當洗滌後的洗滌液中含有1種特定金屬離子(特定金屬的離子)時，1種特定金屬離子的含量為1.0質量ppt以下(更佳為0.01質量ppt~0.5質量ppm)，或者，當洗滌後的洗滌液中含有2種以上的特定金屬離子時，2種以上的特定金屬離子的含量的平均為1.0質量ppt(更佳為0.01質量ppt~0.5質量ppm)以下。

要件2：當洗滌後的洗滌液中含有1種有機雜質時，有機雜質的含量為500質量ppm以下，或者，當洗滌後的洗滌液中含有2種以上的有機雜質時，2種以上的有機雜質的含量的平均為500質量ppt(更佳為1.0質量ppt~300質量ppm)以下。

另外，洗滌液中所含有之特定金屬離子的含量能夠藉由ICP-MS進行測定。

並且，洗滌液中所含有之有機雜質的含量能夠藉由GC-MS進行測定。

在要件1及要件2中，若洗滌液中所含有之上述成分的含量分別為上限值以下，則可充分進行洗滌，並且，即使在用同一個洗滌液洗滌了複數次之情況下，亦可抑制上述成分再次附著於洗滌對象物。並且，作為下限值，一般從定量下限中選擇。

在洗滌步驟中，洗滌可以實施1次，亦可以實施複數次。其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，洗滌步驟係使用洗滌液對基體進行洗滌之後，使用洗滌液對被覆層反 覆進行洗滌，直至洗滌後的洗滌液中的特定金屬離子的含量成為1.0質量ppm以下，且有機雜質的含量成為500質量ppm以下之步驟為較佳。

藉由一邊反覆使用洗滌液一邊利用已說明之方法確認洗滌後的洗滌液中所含有之雜質等的含量，能夠掌握被覆層的洗滌進展情況。依具有上述步驟之容器的製造方法，能夠更確實地製造滿足既定的要件之容器。

[容器的製造方法的第2實施形態]

本發明的容器的製造方法的第2實施形態係用於製造由組成物構成之容器之容器的製造方法，具有以下步驟。以下，詳細敘述每個步驟的形態。

<準備基體之步驟>

得到基體之步驟係準備使用含有聚烯烴和特定金屬之組成物來成形之基體之步驟。作為準備基體之方法，例如可以舉出購入及採購、以及合成及成形方法。

作為基體中所使用之聚烯烴的合成方法並沒有特別限制，能夠使用公知的合成方法。作為公知的合成方法，例如可以舉出漿料聚合法及氣相聚合法等。作為聚合壓力並沒有特別限制，但1~100氣壓為較佳，3~30氣壓為更佳。作為聚合溫度並沒有特別限制，但20℃~115℃為較佳，50~90℃為更佳。其中，在可得到具有更優異之本發明的效果之容器之觀點上，漿料聚合法為較佳。另外，作為漿料聚合法中所使用之溶劑，可以舉出異丁烷、異戊烷、 庚烷、己烷及辛烷等。

作為對上述中合成之聚烯烴進行成形而形成基體之方法並沒有特別限制，能夠使用公知的方法。作為公知的成形方法，例如可以舉出吹氣成形法及射出成形法等，其成形條件亦是公知的。

<洗滌步驟>

洗滌步驟係使用含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之洗滌液對準備之基體進行洗滌而得到容器之步驟。

關於洗滌液及洗滌方法，與第1實施形態中說明者相同。

[藥液收容體]

本發明的實施形態之藥液收容體具有已說明之容器和收容於上述容器中之藥液。由於上述容器滿足既定的要件，因此上述藥液收容體即使長期間保管，所收容之藥液的性能亦不易下降。

另外，在抑制空隙中所包含之TOC成分的藥液的污染物及空隙中所包含之氧所引起之藥液的劣化之觀點上，以式(X)求出之容器內的填充率係60體積%以上為較佳，70體積%以上為更佳，85體積%以上為進一步較佳。上限並沒有特別限制，但99體積%以下的情況較多。

式(X)：填充率=(容器內的藥液的體積/容器的容器體積)×100

並且，在抑制空隙中所包含之TOC成分的藥液的污染物之觀點上，以式(Y)求出之有機物濃度係1體積ppm以下為較佳。上述有機物濃度的下限並沒有特別限制，但0.1體積ppb以上的情況較多。

式(Y)：有機物濃度=(容器內的未填充藥液之空間中所包含之有機物的體積/容器內的未填充藥液之空間的體積)×100

其中，上述有機物中不包括藥液中所含有之成分。

並且，有機物的體積以1g/1mL來概算。

[藥液]

作為上述藥液收容體所具有之藥液並沒有特別限制，可以為水系，亦可以為有機溶劑系。本說明書中，水系係指藥液中所含有之水分的含量相對於藥液的總質量超過50質量%者，溶劑系係指藥液中所含有之有機溶劑的含量(當含有2種以上的有機溶劑時為其合計量)超過50質量%者。

<水系>

水系藥液含有水。作為藥液中之水的含量，相對於藥液的總質量只要超過50質量%，就沒有特別限制。

作為水系藥液所含有之成分，例如可以舉出鹼顯影液、抗蝕劑剝離液、蝕刻液、化學機械研磨用(CMP)漿料及後CMP清潔液等。

水並沒有特別限定，但半導體製造中所使用之超純水為較佳，將該超純水進一步提純而降低了無機陰離子及金屬離子的含量之水為更佳。提純方法並沒有特別限定，但使用過濾膜或離子交換膜之提純以及基於蒸餾之提純為較佳。並且，例如藉由日本特開2007-254168號公報中所記載之方法進行提純為較佳。

水中金屬的含量小於0.001質量ppt為較佳。

(水系藥液的第1實施形態)

作為水系藥液的第1實施形態，可以舉出含有(1)氫氟酸或氫氟酸的鹽(作為鹼，例如可以舉出羥胺類、1級、2級或3級脂肪族胺、脂環式胺、芳香族胺、雜環式胺等有機胺類、氨水及低級烷基4級銨氫氧化物等。)、(2)鹼化合物(例如，選自包括羥胺或其鹽、胺、脒化合物及4級銨化合物之群組中之1種)及(3)其他(水溶性有機溶劑、pH調整劑、界面活性劑及防腐蝕劑等)和水之藥液。

上述藥液能夠用作抗蝕劑剝離液、蝕刻液及洗滌液等。

(水系藥液的第2實施形態)

作為水系藥液的第2實施形態，可以舉出含有(1)膠態二氧化矽等研磨粒、(2)過氧化氫水等氧化劑、(3)唑(azole)化合物等防腐蝕劑及(4)其他(胺基酸、pH調整劑及界面活性劑等)和水之藥液。上述藥液能夠用作CMP漿料。

(水系藥液的第3實施形態)

作為水系藥液的第3實施形態，可以舉出硫酸及過氧化氫與水的混合物。上述藥液能夠用作剝離液及洗滌液等。

(水系藥液的第4實施形態)

作為水系藥液的第4實施形態，可以舉出含有4級銨化合物和水之藥液。上述藥液例如能夠用作顯影液。

．4級銨化合物

上述藥液含有下述通式(N)所表示之4級銨化合物。

[化1]

通式(N)中，R_N1~R_N4分別獨立地表示烷基、苯基、苄基或環己基，該等基團可以具有取代基。

R_N1~R_N4的烷基係碳數1~8為較佳，碳數1~4為更佳。

R_N1~R_N4的烷基、苯基、苄基或環己基可具有之取代基例如可以舉出羥基等。

4級銨化合物例如可以舉出氫氧化四甲基銨(TMAH：Tetramethylammonium hydroxide)、氫氧化四乙基銨(TEAH：Tetraethylammonium hydroxide)、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨(TBAH：Tetrabuthylammonium hydroxide)、氫氧化四戊基銨、氫氧化四己基銨、氫氧化四辛基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化丁基三甲基銨、氫氧化甲基三戊基銨、氫氧化二丁基二戊基銨、氫氧化三乙基苯基銨、氫氧化三甲基苄基銨、氫氧化三乙基苄基銨、氫氧化三苄基甲基銨、氫氧化四苄基銨、氫氧化三甲基環己基銨、氫氧化三丁基環己基銨、氫氧化單羥基乙基三甲基銨、氫氧化二羥基乙基二甲基銨(氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨)、氫氧化三羥基乙基單甲基銨、氫氧化單羥基乙基三乙基銨、氫氧化二羥基乙基二乙基銨、氫氧化三羥基乙基單乙基銨、氫氧化單羥基丙基三甲基銨、氫氧化二羥基丙基二甲基銨、氫氧化三羥基丙基單甲基銨、 氫氧化單羥基丙基三乙基銨、氫氧化二羥基丙基二乙基銨及氫氧化三羥基丙基單乙基銨等。

其中，作為4級銨化合物，氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丁基銨或氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨為較佳，氫氧化四甲基銨或氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨為更佳。

作為藥液中之4級銨化合物的含量並沒有特別限制，一般相對於藥液總質量係25質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，15質量%以上為較佳，10質量%以上為更佳。

4級銨化合物可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的4級銨化合物時，合計含量在上述範圍內為較佳。

並且，4級銨化合物能夠藉由公知的方法進行提純。例如，能夠藉由國際公開第WO12/043496號小冊子中所記載之使用碳化矽之吸附提純並且反覆進行過濾器濾過來進行提純。

．螯合劑

上述藥液可以含有螯合劑。作為螯合劑並沒有特別限制，但藉由1個分子中的2個以上的官能基而與金屬原子配位鍵結之化合物為較佳。該官能基係金屬吸附性基為較佳。螯合劑在1個分子中含有2個以上的金屬吸附性基為更佳。

作為金屬吸附性基，酸基或陽離子性基為較佳。酸基的酸解離常數(pKa)係7以下為較佳。酸基例如可以舉出酚性羥基、-COOH、-SO₃H、-OSO₃H、-PO₃H₂、-OPO₃H₂及COCH₂COCH₃等。酸基係-COOH為特佳。

並且，該等酸基亦可以為酸基的鹽。作為酸基的鹽，可以舉出金屬鹽及含氮陽離子的鹽。

金屬鹽係選自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn之群組中之至少1種鹽為較佳。

作為含氮陽離子，只要是4級銨陽離子及作為胺的氫加成物之陽離子，就沒有特別限制。

作為4級銨陽離子，例如可以舉出四甲基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四丙基銨陽離子、甲基三丁基銨陽離子、四丁基銨陽離子及膽鹼型陽離子(羥基乙基三甲基銨陽離子)等。

其中，四甲基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四丙基銨陽離子、四丁基銨陽離子或膽鹼型陽離子為較佳，四甲基銨陽離子、四乙基銨陽離子、四丙基銨陽離子或膽鹼型陽離子為更佳。

並且，陽離子性聚合物亦可以為抗衡離子。

作為金屬吸附性基之陽離子性基係鎓基為較佳。作為鎓基，例如可以舉出銨基、鏻基、砷鎓基、銻鎓基、氧鎓基、鋶基、硒鎓基、錫鎓基及碘鎓基。作為鎓基，銨基、鏻基或鋶基為較佳，銨基或鏻基為更佳，銨基為進一步較佳。

作為本發明的螯合劑的具體例，可以舉出具有羧基之化合物(以下，亦適當稱為“羧酸化合物”。)。羧酸化合物在1個分子中具有至少1個羧基，但在1個分子中具有2個以上的羧基者為更佳。

具有1個羧基之羧酸化合物除了羧基以外，還具有另一 金屬吸附性基或者醇性羥基、巰基、胺基及羰基等具有比羧基弱的對金屬之配位性之官能基為較佳。作為具體例，可以舉出乙醇酸、硫代乙醇酸、乳酸、β-羥基丙酸、葡萄糖酸、丙酮酸、乙醯乙酸、水楊酸、5-磺酸基水楊酸、β-丙胺酸、苯基丙胺酸及N-乙基甘胺酸等。

作為具有2個羧基之羧酸化合物的具體例，可以舉出草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、杜鵑花酸、癸二酸、順丁烯二酸、鄰苯二甲酸、3-磺酸基鄰苯二甲酸、4-磺酸基鄰苯二甲酸、2-磺酸基對苯二甲酸、3-羥基鄰苯二甲酸、4-羥基鄰苯二甲酸、酒石酸、蘋果酸、二吡啶羧酸及檸檬酸等。

在該等之中，3-磺酸基鄰苯二甲酸、4-磺酸基鄰苯二甲酸及2-磺酸基對苯二甲酸等在芳香族環上具有2個以上的羧基和1個磺酸基之化合物；5-磺酸基水楊酸等在芳香族環上具有羥基、羧基及磺酸基之化合物；4-羥基鄰苯二甲酸、草酸、酒石酸、蘋果酸及二吡啶羧酸等為較佳，3-磺酸基鄰苯二甲酸及4-磺酸基鄰苯二甲酸等磺酸基鄰苯二甲酸；5-磺酸基水楊酸；4-羥基鄰苯二甲酸為更佳。

並且，下述具有3個以上的羧基且不具有含有碳原子及氫原子以外的原子之其他官能基之低分子的有機化合物亦較佳地作為羧酸化合物。

作為該等的具體例，可以舉出丙烷-1,2,3-三羧酸、丁烷-1,2,3-三羧酸、丁烷-1,2,4-三羧酸、丁烷-1,2,3,4-四羧酸、2-羧基甲 基丙烷-1,3-二羧酸、戊烷-1,2,3-三羧酸、戊烷-1,2,4-三羧酸、戊烷-1,2,5-三羧酸、戊烷-1,3,4-三羧酸、戊烷-2,3,4-三羧酸、戊烷-1,2,3,4-四羧酸、戊烷-1,2,3,5-四羧酸、2-羧基甲基丁烷-1,3-二羧酸、2-羧基甲基丁烷-1,4-二羧酸、3-羧基甲基丁烷-1,2-二羧酸、3-羧基甲基丁烷-1,2,4-三羧酸、2,2-二羧基甲基丙烷-1,3-二羧酸、1,2,3,4-環戊烷四羧酸、半蜜臘酸、偏苯三酸、均苯四酸及萘-1,4,5,8-四羧酸等。

其中，在碳數為5以下的烷基上取代有3個以上的羧基者為較佳，丙烷-1,2,3-三羧酸為更佳。

此外，2-膦醯基丁烷-1,2,3-三羧酸等具有3個以上的羧基且具有含有雜原子之其他官能基之化合物亦較佳。

並且，螯合劑係下述通式(K1)所表示之化合物或(K2)所表示之化合物為較佳。

通式(K1)中，R^K1及R^K2分別獨立地表示單鍵或伸烷基。

R^K3表示2價的有機基。

X₁表示CH基或氮原子。

Y^K1及Y^K2分別獨立地表示金屬吸附性基。

A₁表示氫原子或親水性基。

通式(K2)中，R^K4、R^K5、R^K6及R^K7分別獨立地表示單鍵或伸烷基。

R^K8表示3價的有機基。

X₂及X₃表示CH基或氮原子。

Y^K3、Y^K4、Y^K5及Y^K6分別獨立地表示金屬吸附性基。

A₂表示氫原子或親水性基。

以下，對通式(K1)進行說明。

R^K1及R^K2分別獨立地表示單鍵或伸烷基。

R^K1及R^K2的伸烷基例如係碳數1~6為較佳，碳數1~3為更佳。

R^K1及R^K2的伸烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀，直鏈狀為較佳。

具體而言，R^K1及R^K2的伸烷基係亞甲基為更佳。

R^K3表示2價的有機基。有機基係指具有至少1個碳原子之基團。

R^K3的2價的有機基例如可以舉出伸烷基及伸芳基等。

R^K3的伸烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀，直鏈狀為較佳。

R^K3的伸烷基及伸芳基係碳數1~10為較佳，碳數1~8為更佳，碳數1~6為進一步較佳。

R^K3的2價的有機基係亞甲基、伸乙基或苯基為較佳。

X₁表示CH基或氮原子。X₁係氮原子為較佳。

Y^K1及Y^K2分別獨立地表示金屬吸附性基。

作為金屬吸附性基，酸基或陽離子性基為較佳。作為具體例，可以舉出與關於羧酸化合物的金屬吸附基而前述之酸基或陽離子性基的具體例相同者。並且，陽離子性基亦可以為抗衡離子。

A₁表示氫原子或親水性基。

作為A₁的親水性基，例如可以舉出羥基、羧基、羧酸酯基、羥基乙基、聚氧基乙基、羥基丙基、聚氧基丙基、胺基、胺基乙基、胺基丙基、銨基、醯胺基、羧基甲基、磺酸基及磷酸基等。

A₁的親水性基係羥基為較佳。

以下，對通式(K2)進行說明。

R^K4、R^K5、R^K6及R^K7分別獨立地表示單鍵或伸烷基。

R^K4、R^K5、R^K6及R^K7的伸烷基的含義與通式(K1)中的R^K1及R^K2相同。R^K4、R^K5、R^K6及R^K7的較佳態樣與通式(K1)中的R^K1及R^K2的較佳態樣相同。

R^K8表示3價的有機基。有機基係指具有至少1個碳原子之基團。

R^K8的3價的有機基中，作為碳數係1~10為較佳，1~8為 更佳，1~6為進一步較佳。並且，3價的有機基可以具有取代基，取代基彼此可以鍵結而形成環狀結構，可以在有機鏈中具有雜原子。作為取代基彼此鍵結而形成之環狀結構，環烷基為較佳。並且，作為有機基的主鏈中可具有之雜原子，氧原子或氮原子為較佳。

X₂及X₃表示CH基或氮原子。X₂係氮原子為較佳。X₃係氮原子為較佳。

Y^K3、Y^K4、Y^K5及Y^K6分別獨立地表示金屬吸附性基。

Y^K3、Y^K4、Y^K5及Y^K6的金屬吸附性基的含義與通式(K1)中的Y^K1及Y^K2的金屬吸附性基相同。Y^K3、Y^K4、Y^K5及Y^K6的金屬吸附性基的較佳態樣與通式(K1)中的Y^K1及Y^K2的金屬吸附性基的較佳態樣相同。

A₂表示氫原子或親水性基。

A₂的親水性基的含義與通式(K1)中的A₁相同。A₂的較佳態樣與通式(K1)中的A₁的較佳態樣相同。

以下，示出通式(K1)所表示之螯合劑及(K2)所表示之螯合劑的具體例。

當將本發明的半導體製造用處理液用作顯影液時，螯合劑係對2價金屬之螯合劑為較佳。

對2價金屬之螯合劑例如可以舉出Na₂P₂O₇、Na₅P₃O₃、Na₃P₃O₉、Na₂O₄P(NaO₃P)PO₃Na₂、六偏磷酸鈉(聚偏磷酸鈉)等聚磷酸鹽，例如乙二胺四乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽、其胺鹽；二伸乙基三胺五乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽；三伸乙基四胺六乙酸及其鉀 鹽、其鈉鹽；羥基乙基乙二胺三乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽；氮川三乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽；1,2-二胺基環己烷四乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽；1,3-二胺基-2-丙醇四乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽等胺基聚羧酸類，此外2-膦醯基丁烷三羧酸-1,2,4及其鉀鹽、其鈉鹽；2-膦醯基丁酮三羧酸-2,3,4及其鉀鹽、其鈉鹽；1-膦醯基乙烷三羧酸-1,2,2及其鉀鹽、其鈉鹽；1-羥基乙烷-1,1-二膦酸及其鉀鹽、其鈉鹽；胺基三(亞甲基膦酸)及其鉀鹽、其鈉鹽等有機膦酸類。

在該等之中，乙二胺四乙酸及其鉀鹽、其鈉鹽、其胺鹽；乙二胺四(亞甲基膦酸)及其銨鹽、其鉀鹽；六亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)及其銨鹽、其鉀鹽為較佳。

當將藥液用作顯影液時，該種對2價的金屬之螯合劑的最佳量一般相對於藥液的總質量係0.01~5質量%為較佳，0.01~0.5質量%為更佳。

<有機溶劑系>

有機溶劑系藥液含有有機溶劑。作為藥液中之有機溶劑的含量，相對於藥液的總質量只要超過50質量%，就沒有特別限制，一般相對於藥液的總質量係97.0~99.999質量%為較佳，99.9~99.9質量%為更佳。有機溶劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的有機溶劑時，合計含量在上述範圍內為較佳。

另外，本說明書中，有機溶劑係指相對於上述藥液的總質量，每1種成分以超過10000質量ppm之含量含有之液狀有機化合物。 亦即，本說明書中，相對於上述藥液的總質量含有超過10000質量ppm之量的液狀有機化合物相當於有機溶劑。

另外，本說明書中，液狀係指在25℃、大氣壓下為液體。

(有機溶劑)

作為有機溶劑的種類並沒有特別限制，能夠使用公知的有機溶劑。作為有機溶劑，例如可以舉出伸烷基二醇(alkyleneglycol)單烷基醚羧酸酯、伸烷基二醇單烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、環狀內酯(較佳為碳數4~10)、可以具有環之單酮化合物(較佳為碳數4~10)、伸烷基碳酸酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等。

並且，作為有機溶劑，例如可以使用日本特開2016-057614號公報、日本特開2014-219664號公報、日本特開2016-138219號公報及日本特開2015-135379號公報中所記載者。

其中，作為有機溶劑，選自包括丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、環戊酮、環己酮、γ-丁內酯、二異戊基醚、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、異丙醇、4-甲基-2-戊醇、二甲基亞碸、正甲基-2-吡咯啶酮、二乙二醇、乙二醇、二丙二醇、丙二醇、伸乙基碳酸酯、伸丙基碳酸酯、環丁碸、環庚酮及2-庚酮之群組中之至少1種為較佳。

作為有機溶劑系藥液，例如可以舉出溶劑系顯影液及預濕液等。

<其他成分>

藥液可以含有上述以外的其他成分。作為其他成分，例如可以舉出界面活性劑、特定金屬離子及其他雜質等。

(界面活性劑)

藥液含有界面活性劑為較佳。作為藥液中之界面活性劑的含量並沒有特別限制，一般相對於界面活性劑的總質量係0.0001~2.0質量%為較佳，0.0005~1.0質量%為更佳。

界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的界面活性劑時，合計含量在上述範圍內為較佳。

作為藥液所含有之界面活性劑並沒有特別限制，能夠使用公知的界面活性劑。作為界面活性劑，可以使用氟系界面活性劑和/或矽系界面活性劑，或者，亦可以使用其以外的界面活性劑。作為其以外的界面活性劑，亦能夠適當使用不含有氟及矽這兩者之後述之陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑或陽離子性界面活性劑。

作為氟系界面活性劑和/或矽系界面活性劑，可以舉出美國專利申請公開第2008/0248425號說明書的0276段落中所記載之界面活性劑。

並且，作為氟系界面活性劑及矽系界面活性劑以外的其他界面活性劑，例如能夠使用美國專利申請公開第2008/0248425號說明書的0280段落中所記載之界面活性劑。並且，亦能夠使用日本特開2010-256842號公報的0313~0316段落中所記載之界面活性 劑。

界面活性劑可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。當併用2種以上的界面活性劑時，合計含量在上述範圍內為較佳。

當本發明的組成物含有界面活性劑時，界面活性劑的使用量相對於組成物的總固體成分係0.0001~2質量%為較佳，0.0005~1質量%為更佳。

作為上述以外的界面活性劑，亦能夠使用陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑及陽離子性界面活性劑。

陰離子性界面活性劑例如可以舉出烷基硫酸酯、烷基磺酸、烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、烷基二苯基醚磺酸、聚氧乙烯烷基醚羧酸、聚氧乙烯烷基醚乙酸、聚氧乙烯烷基醚丙酸、聚氧乙烯烷基醚硫酸、聚氧乙烯芳基醚乙酸、聚氧乙烯芳基醚丙酸、聚氧乙烯芳基醚硫酸及該等的鹽等。

其中，烷基硫酸酯、聚氧乙烯芳基醚硫酸或聚氧乙烯烷基醚硫酸為較佳，聚氧乙烯芳基醚硫酸為更佳。

作為非離子性界面活性劑，例如可以舉出聚氧化烯(polyalkylene oxide)烷基苯基醚系界面活性劑、聚氧化烯烷基醚系界面活性劑、由聚環氧乙烷和聚環氧丙烷構成之嵌段聚合物系界面活性劑、聚氧化烯二苯乙烯化苯基醚系界面活性劑、聚伸烷基三苄基苯基醚系界面活性劑及乙炔聚氧化烯系界面活性劑等。

非離子性界面活性劑係下述通式(A1)所表示之化合物為較佳。

通式(A1)中，R_a1、R_a2、R_a3及R_a4分別獨立地表示烷基。

L_a1及L_a2分別獨立地表示單鍵或2價的連結基。

以下，對通式(A1)進行說明。

R_a1、R_a2、R_a3及R_a4分別獨立地表示烷基。

R_a1、R_a2、R_a3及R_a4的烷基可以為直鏈狀，亦可以為支鏈狀，可以具有取代基。

R_a1、R_a2、R_a3及R_a4的烷基係碳數1~5為較佳。碳數1~5的烷基例如可以舉出甲基、乙基、異丙基及丁基等。

L_a1及L_a2分別獨立地表示單鍵或2價的有機基。

L_a1及L_a2的2價的連結基係伸烷基、-OR_a5-基及該等的組合為較佳。R_a5表示伸烷基。

非離子性界面活性劑例如可以舉出2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇及3,5-二甲基-1-己炔-3-醇。

通式(A2)所表示之化合物例如可以舉出下述通式(A2)所表示之化合物。

通式(A2)中，R_a1、R_a2、R_a3及R_a4分別獨立地表示烷基。

m及n分別獨立地表示0.5~80的正數，且滿足m+n

1。

以下，對通式(A2)進行說明。

R_a1、R_a2、R_a3及R_a4分別獨立地表示烷基。

R_a1、R_a2、R_a3及R_a4的烷基與通式(A1)中的R_a1、R_a2、R_a3及R_a4的烷基相同。

m及n表示環氧乙烷的加成莫耳數，分別獨立地表示0.5~80的正數，且滿足m+n

1。若在滿足m+n

1之範圍，則能夠選擇任意的值。m及n滿足1

m+n

100為較佳，3

m+n

80為更佳。

通式(A2)所表示之化合物例如可以舉出2,5,8,11-四甲基-6-十二炔-5,8-二醇、5,8-二甲基-6-十二炔-5,8-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、4,7-二甲基-5-癸炔-4,7-二醇8-十六炔-7,10-二醇、7-十四炔-6,9-二醇、2,3,6,7-四甲基-4-辛炔-3,6-二醇、3,6-二乙基-4-辛炔-3,6-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇及2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇等。

並且，非離子性界面活性劑能夠使用市售品。具體而言，例如可以舉出AirProducts&Chemicals,Inc.製造之SURFYNOL82、 465、485、DYNOL604、607、Nissin Chemical Co.,Ltd.製造之OLFINE STG、OLFINE E1010等。

非離子性界面活性劑的HLB(Hydrophilic-Lipophilic Balance：親水性-親油性平衡)值係8以上為較佳，10以上為更佳。並且，非離子性界面活性劑的HLB值係16以下為較佳，14以下為更佳。在此，HLB值以根據格里芬(Griffin)式(20Mw/M；Mw=親水性部位的分子量、M=非離子性界面活性劑的分子量)計算之值規定，根據情況可以使用產品目錄值或利用其他方法計算之值。

非離子性界面活性劑亦可以組合使用2種以上。關於2種以上的非離子性界面活性劑，至少2種非離子性界面活性劑係通式(A1)所表示之化合物為較佳。

2種以上的非離子性界面活性劑係至少1種HLB為12以上之非離子性界面活性劑和至少1種HLB為10以下之非離子性界面活性劑亦較佳。依上述組合，當將藥液用作顯影液時，能夠得到矩形性優異之圖案。

HLB為12以上之非離子性界面活性劑的總質量相對於HLB為10以下之非離子性界面活性劑的總質量係0.5~4為較佳，0.7~3.5為更佳，1.0~3.0為進一步較佳。本發明人等發現了，藉由HLB為12以上之非離子性界面活性劑的總質量多於HLB為10以下之非離子性界面活性劑的總質量，當將藥液用作顯影液時，可得到矩形性優異之圖案。

作為陽離子性界面活性劑，例如可以舉出4級銨鹽系界 面活性劑及烷基吡啶鎓系界面活性劑等。

作為4級銨鹽系界面活性劑，例如可以舉出四甲基氯化銨、四丁基氯化銨、十二烷基二甲基苄基氯化銨、烷基三甲基氯化銨、辛基三甲基氯化銨、癸基三甲基氯化銨、十二烷基三甲基氯化銨、十四烷基三甲基氯化銨、十六烷基三甲基氯化銨及硬脂基三甲基氯化銨等。4級銨鹽系界面活性劑並沒有特別限定，但十二烷基二甲基苄基氯化銨為較佳。

作為烷基吡啶鎓系界面活性劑，例如可以舉出丁基吡啶鎓氯化物、十二烷基吡啶鎓氯化物及十六烷基吡啶鎓氯化物等。烷基吡啶鎓系界面活性劑並沒有特別限定，但丁基吡啶鎓氯化物為較佳。

陽離子性界面活性劑例如藉由首先將三乙醇胺、甲基二乙醇胺及3-(N,N-二甲基胺基)-1,2-丙二醇等利用長鏈脂肪酸或脂肪酸甲酯進行醯化而合成中間體的烷醇胺酯；然後，利用氯甲烷、二甲基硫酸及二乙基硫酸等四級化劑(quaternizing agent)轉化為陽離子化合物等而得到。

[藥液的物性]

<條件1>

作為收容於上述藥液收容體中之藥液，在其性能容易經長期間得到維持之觀點上，滿足以下條件1為較佳。

條件1：將藥液塗佈於基板上，藥液塗佈前後的基板上之使用顆粒檢查裝置測定之19nm以下粒徑的顆粒的密度變化為0.3個 /cm²以下。

另外，在藥液的性能容易經更長期間得到維持之觀點上，顆粒的密度變化係0.2個/cm²以下為更佳，0.1個/cm²以下為進一步較佳。

對確認從容器取出之藥液是否滿足條件1之方法進行說明。首先，將藥液塗佈於基板上。此時，作為所使用之基板並沒有特別限制，但在能夠更簡便地測定顆粒的密度變化之觀點上，矽晶圓為較佳。作為塗佈方法，旋轉塗佈為較佳。

接著，測定塗佈前後的基板上之顆粒的密度變化，確認變化是否為0.3個/cm²以下。

藥液塗佈前後的基板上之顆粒的密度變化能夠藉由測定塗佈藥液之前的基板上的顆粒的密度和塗佈洗滌液之後的基板上的顆粒的密度並求出其差分來進行計算。在該情況下，作為塗佈前後的基板上之顆粒的密度的測定方法，能夠使用顆粒檢查裝置進行測定，例如能夠利用KLA-Tencor Corporation製造之SP-5等來實施。

<條件2>

作為收容於上述藥液收容體中之藥液，在其性能容易更長期間得到維持之觀點上，滿足以下條件2為較佳。

條件2：藥液含有水，藥液中之水的含量為50質量%以下，用單粒子感應耦合電漿質譜分析儀(SP-ICP-MS)測定之藥液中之30nm以下粒徑的粒狀物相對於藥液的總質量為1.0質量ppb以 下(較佳為0.5質量ppb以下，更佳為0.2質量ppb以下)。

在此，在SP-ICP-MS中所使用之裝置與在通常的ICP-MS法(感應耦合電漿質譜分析法)(以下，亦簡稱為“ICP-MS”)中使用之裝置相同，只有資料分析不同。作為SPICP-MS之資料分析能夠利用市售的軟體來實施。

在ICP-MS中，與其存在形態無關地測定成為測定對象之成分的含量。因此，成為測定對象之成分被定量為粒子狀(粒狀物)和離子的合計質量。

另一方面，在SP-ICP-MS中，個別地測定成為測定對象之成分的粒狀物的含量。

能夠使用Agilent Technologies Japan,Ltd製造之Agilent 8800三重四極ICP-MS(inductively coupled plasma mass spectrometry：感應耦合電漿質譜分析法，半導體分析用，OPTION #200)作為SP-ICP-MS法的裝置，並藉由實施例中所記載之方法進行測定。除了上述以外，除PerkinElmer Co.,Ltd.製造之NexION350S以外，還可以舉出Agilent Technologies Japan,Ltd製造之Agilent 8900。

<金屬成分量>

上述藥液中之金屬成分量並沒有特別限制，但1質量ppb以下為較佳。另外，作為上述金屬成分，可以舉出金屬離子及金屬粒子。

<沸點300℃以上的化合物的含量>

上述藥液中之沸點300℃以上的化合物的含量並沒有特別限制，但1質量ppm以下為較佳。

作為沸點300℃以上的化合物，可以舉出選自包括酯結構、磺醯胺結構、醯胺結構、胺基甲酸酯結構、脲結構及碳酸酯結構之群組中之有機化合物。

<特定金屬離子>

當上述藥液含有1種特定金屬的離子時，作為上述1種特定金屬離子的含量，1000質量ppt以下為較佳，500質量ppt以下為更佳，100質量ppt以下為進一步較佳。作為下限並沒有特別限制，但從定量下限的關係而言，一般係0.01質量ppt以上為較佳。

另外，藉由評價時使藥液濃縮之後進行測定，能夠進行高精度的含量測定。

當上述藥液含有2種以上的特定金屬的離子時，作為上述2種以上的特定金屬的離子的含量，其算術平均在上述範圍內為較佳。

<被計數體>

藥液利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的藥液中係100個以下為較佳，70個以下為更佳，30個以下為進一步較佳。另外，作為下限值並沒有特別限制，但從定量下限的觀點而言，一般係0.1個以上為較佳。

<其他雜質(無機鹽)>

當藥液含有陰離子性界面活性劑或陽離子性界面活性劑時， 藥液中有時以雜質形態含有無機鹽。作為無機鹽，例如可以舉出硫酸鹽、硝酸鹽、乙酸鹽及磷酸鹽等。

藥液中之無機鹽的含量相對於藥液的總質量係1.0質量ppq~1000質量ppt為較佳，5.0質量ppq~500質量ppt為更佳，10質量ppq~500質量ppt為進一步較佳，100質量ppq~100質量ppt為特佳。

無機鹽與藥液中的金屬原子進行反應，使金屬鹽析出。藉此產生缺陷。因此，無機鹽的含量相對於藥液設在上述範圍為較佳。

<其他雜質(過氧化物)>

當藥液含有非離子性界面活性劑時，藥液中有時以雜質形態含有過氧化物。

作為過氧化物，例如可以舉出過氧化鈣、過氧化鎂、過氧化鉀及過氧化鈉等。

藥液中之過氧化物的含量相對於藥液的總質量係1.0質量ppq~1000質量ppt為較佳，5.0質量ppq~500質量ppt為更佳，10質量ppq~500質量ppt為進一步較佳，100質量ppq~100質量ppt為特佳。過氧化物成為電子裝置的電特性劣化之原因及引起圖案缺陷之原因。因此，過氧化物的含量相對於藥液設在上述範圍為較佳。

<其他雜質(酯化合物)>

當藥液含有非離子性界面活性劑時，藥液中有時以雜質形態含有酯化合物。

作為酯化合物，可以舉出硬脂酸甲酯、硬脂酸辛酯、油酸丁酯、月桂酸油基酯、棕櫚酸硬脂基酯、蘿酸硬脂基酯、肉豆蔻酸肉豆蔻基酯、丙烯酸己酯、甲基丙烯酸辛酯、己酸乙烯酯及油基乙酸酯等。

作為藥液中之酯化合物的含量，相對於藥液係1.0質量ppq~1000質量ppt為較佳，5.0質量ppq~500質量ppt為更佳，10質量ppq~500質量ppt為進一步較佳，100質量ppq~100質量ppt為特佳。酯化合物吸附並凝聚在金屬原子上。凝聚之酯化合物吸附於基板上，並以該形態殘存。藉此引起缺陷。因此，酯化合物的含量相對於藥液在上述範圍為較佳。

<其他雜質(胺化合物)>

當藥液含有非離子性界面活性劑時，藥液中有時以雜質形態含有胺化合物。

作為胺化合物，例如可以舉出單甲胺、二甲胺、三甲胺、單乙胺、二乙胺及三乙胺等。

作為藥液中之胺化合物的含量，相對於藥液的總質量係1.0質量ppq~1000質量ppt為較佳，5.0質量ppq~500質量ppt為更佳，10質量ppq~500質量ppt為進一步較佳，100質量ppq~100質量ppt為特佳。胺化合物吸附在金屬原子上並凝聚。凝聚之胺化合物吸附於基板上，並以該狀態殘存。藉此引起缺陷。因此，無機鹽的含量相對於藥液在上述範圍為較佳。

<其他雜質(螯合錯合物)>

當藥液含有螯合劑時，藥液中有時以雜質形態含有螯合錯合 物。螯合錯合物並不是上述螯合劑的全部，而是其一部分與藥液所含有之特定金屬離子等金屬原子鍵結而形成。

作為螯合錯合物，例如可以舉出乙二胺四乙酸單鈣、乙二胺四乙酸-銅(II)等。

藥液中之螯合錯合物的含量相對於藥液的總質量係1.0質量ppq~1000質量ppt為較佳，5.0質量ppq~500質量ppt為更佳，10質量ppq~500質量ppt為進一步較佳，100質量ppq~100質量ppt為進一步較佳。螯合錯合物附著於晶圓上並積蓄。藉此，提高顯影及淋洗等洗滌之負荷。另外，藉由顯影及淋洗等洗滌無法去除之螯合錯合物成為缺陷。因此，螯合錯合物的含有率相對於藥液在上述範圍為較佳。

[實施例]

以下依據實施例對本發明進行更詳細的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容及處理步驟等只要不脫離本發明的趣旨，則能夠適當進行變更。因此，本發明的範圍不應藉由以下所示之實施例進行限定性解釋。

[容器的製作]

<容器的製造例1：實施例3~9、11~12、比較例1、2>

作為基體，準備了市售的聚乙烯製有蓋罐(canister)(AICELLO CORPORATION製造，表1中記載為“市售的PE製有蓋罐”)。另外，確認到該聚乙烯製有蓋罐含有特定金屬。接著，利用表1中所記載之方法對該基體依次進行洗滌而得到了容器。洗 滌順序如表1中(1)~(11)所記載，所有的洗滌處理在100等級的無塵室環境下實施。表1中記載了所使用之洗滌液的種類、洗滌方法、洗滌時的溫度及洗滌時間。另外，比較例1未進行洗滌而使用了市售的聚乙烯製有蓋罐。

另外，表1中，實施例2的(1)的使用超純水之洗滌為“常溫、5分鐘、流水”，這表示洗滌溫度為“常溫”，洗滌時間為“5分鐘”，洗滌方法為“流水”。並且，實施例4的(1)的使用超純水之洗滌為“超音波、90℃/1h”，這表示洗滌方法為“超音波”，洗滌溫度為“90℃”，洗滌時間為“1h(亦即1小時)”。另外，比較例2的(1)係代替使用超純水之洗滌而使用了用孔徑為1μm的簡易過濾器進行了過濾之自來水者。

並且，關於(2)的使用酸之洗滌，例如實施例4的“鹽酸(1N、40℃/1h)”表示用1N的鹽酸在40℃、1小時的條件下進行了洗滌。另外，實施例12的“鹽酸(1N、80℃/12h)，實施了3循環的本處理”表示用1N的鹽酸在60℃、12小時的條件下實施了3循環的洗滌。

並且，關於(3)的使用超純水的洗滌，例如實施例4的“超音波、90℃/1h”表示洗滌溫度為“90℃”，實施了“1h”超音波處理。

並且，關於(4)的使用酸之洗滌，例如實施例5的“稀氟酸(0.8質量%、40℃/1h)”表示使用0.8質量%的稀氟酸，洗滌溫度為“40℃”，洗滌時間為“1h”。

並且，關於(6)的使用鹼之洗滌，例如實施例4的“硫酸銨 (1.0質量%、60℃/1h)”表示使用1.0質量%的硫酸銨水溶液，洗滌溫度為“60℃”，洗滌時間為“1h”。

並且，關於(8)的使用混合物之洗滌，例如實施例5的“混合物B：含有TMAH(0.5%)/EDTA(0.3%)/乙二胺(0.1%)/二伸乙基三胺(0.1%)/乙二醇丁醚(10%)之水溶液(超音波、120℃/1h)”表示使用混合物B，洗滌溫度為“120℃”，洗滌時間為“1h”。

並且，關於(10)的使用有機溶劑之洗滌，“IPA(常溫、5分鐘、流動洗滌)”表示使用IPA(異丙醇)，洗滌溫度為“常溫”，洗滌時間為“5分鐘”，洗滌方法為“流動洗滌”。另外，實施例11的“IPA(超音波、40℃/1h)”表示使用IPA，洗滌溫度為“40℃”，實施了“1小時”超音波處理。並且，實施例12的“PGMEA/PGME/乙酸丁酯(超音波、40℃/1h)”表示使用PGMEA(30%)/PGME(40%)/乙酸丁酯(30%)，洗滌溫度為“40℃”，實施了“1小時”超音波處理。

並且，在(11)的超純水洗滌中，“超音波、熱(90℃/1h)”表示藉由在超音波處理槽中以加溫至90℃之狀態實施1小時超音波處理之洗滌方法。並且，表中，“-”表示未使用該洗滌液。並且，表中“RCA”及“RCB”關於實施例1、2及10，替換為RCAs及RCBs。

<容器的製造例2：實施例1>

將聚乙烯作為基材，在上述基材的應成為接液部之部分藉由射出吹氣成形法配置由以下述步驟製作之被覆層形成用組成物1形成之被覆層1而得到了容器。被覆層1的厚度為250μm。

另外，表1中，“基體”欄中的(被覆層1/PE)表示在作為基 材之PE上具有被覆層1之容器，實施例2亦相同。

(被覆層形成用組成物1的製作)

首先，利用以下方法合成了HDPE。首先，HDPE係使用管聚合器，將Ti/Mg系觸媒及三乙基鋁用作助觸媒，在己烷中、80℃的溫度、壓力260MPa的環境下、滯留時間2小時的條件下進行了合成。

接著，使合成之HDPE進而在90℃的溫度下溶解於十氫萘之後，使用0.1N HCl水在90℃下進行分液提純處理，然後用純水進行分液提純處理，進而用高純度的環己酮進行析出，藉此得到了被覆層形成用組成物1。

<容器的製造例3：實施例2>

將利用與實施例1相同之方法得到之容器在表1中所記載之條件下進一步進行了洗滌。另外，被覆層1的厚度為250μm。

<容器的製造例4：實施例10>

將聚乙烯作為基材，在上述基材的應成為接液部之部分以下述步驟製作出被覆層。

藉由射出吹氣成形法，以所得到之被覆層形成用組成物2成為接液部之方式配置由被覆層形成用組成物2形成之被覆層2而得到了容器。被覆層2的厚度為250μm。

另外，表1中，在“基體”欄中的(被覆層2/PE)表示在作為基材之PE上具有被覆層2之容器。

(被覆層形成用組成物2的製作)

首先，利用以下方法合成了HDPE。首先，HDPE係使用管聚合器，將Ti/Mg系觸媒及三乙基鋁用作助觸媒，在己烷中、80℃的溫度、壓力260MPa環境下、滯留時間2小時的條件下進行了合成。

接著，使合成之HDPE進而在90℃的溫度下溶解於十氫萘之後，使用蒸餾水在90℃下進行分液提純處理，然後用純水進行分液提純處理而得到了被覆層形成用組成物2。

[洗滌液的製備]

在各步驟中所使用之洗滌液分別利用以下方法進行製備之後，全部使用Nylon製造之具有過濾材料之過濾器(孔徑20nm，已進行親水化處理，Pall Corporation製造)進行了過濾。

(1)超純水：使用超純水生成裝置(Kurita Water IndustriesLtd.製造)得到了總原子100質量ppt以下含量的超純水，將其作為洗滌液。並且，以下洗滌液的調液中亦使用了該超純水。

(2)鹽酸：藉由使用Tama Chemicals Co.,Ltd.製造之氯化氫水溶液(TAMAPURE-AA-10等級)，與上述超純水進行混合而製備出1N的鹽酸。

(3)稀氟酸：藉由使用Tama Chemicals Co.,Ltd.製造之氟酸水溶液(TAMAPURE-AA-10等級)，與上述超純水進行混合而製備出0.8wt.%HF水溶液。

(4)硫酸銨：由Tama Chemicals Co.,Ltd.製造之硫酸(TAMAPURE-AA100等級)、氨水(TAMAPURE-AA-100等級)、 上述超純水製備出硫酸銨1%水溶液。

(5)IPA(異丙醇)：使用了FUJIFILM Ultra Pure Solutions,Inc.製造之IPA。

(6)混合物A：使用與上述(4)相同之氨水及EDTA2銨水溶液40%(TOMIYAMA PURE CHEMICAL INDUSTRIES,LTD.製造)製備出含有20%氨水(5.0%)/EDTA(0.3%)/乙二胺(0.1%)/二伸乙基三胺(0.1%)/乙二醇丁醚(10%)之水溶液。另外，EDTA為表示乙二胺四乙酸之略號。並且，使用了乙二醇丁醚(KH Neochem Co.,Ltd.製造)、乙二胺(Hayashi Pure Chemical Ind.,Ltd.製造)、二伸乙基三胺(Hayashi Pure Chemical Ind.,Ltd.製造)。

(7)混合物B：使用與上述(2)相同之TMAH及EDTA2銨水溶液40%(TOMIYAMA PURE CHEMICAL INDUSTRIES,LTD.製造)製備出含有TMAH(0.5%)/EDTA(0.3%)/乙二胺(0.1%)/二伸乙基三胺(0.1%)/乙二醇丁醚(10%)之水溶液。並且，使用了乙二醇丁醚(KH Neochem Co.,Ltd.製造)、乙二胺(Hayashi Pure Chemical Ind.,Ltd.製造)、二伸乙基三胺(Hayashi Pure Chemical Ind.,Ltd.製造)。

(13)乙酸丁酯(50%)/PGMEA(50%)：使用FUJIFILM Electronic Materials Taiwan Co.,Ltd.製造之FN-DP001作為乙酸丁酯並使用PGMEA(KH Neochem Co.,Ltd.製造)製備出由乙酸丁酯(50%)/PGMEA(50%)構成之混合液。

另外，確認到各洗滌液中所含有之金屬離子的含量為100 質量ppt以下，有機雜質的含量為100質量ppm以下，利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的洗滌液中為50個以下。

並且，洗滌後的各洗滌液中所含有之特定金屬的離子的含量的平均均在0.01質量ppt~1.0質量ppm的範圍內，有機雜質的含量在1.0質量ppt~500質量ppm的範圍內。

[藥液的製備]

分別利用以下方法製備評價中所使用之藥液之後，全部使用Nylon製造之具有過濾材料之過濾器(孔徑20nm，已進行親水化處理，Pall Corporation製造)進行了過濾。

(8)TMAH顯影液：使用TMAH(Tama Chemicals Co.,Ltd.製造)、超純水製備出2.38質量%水溶液(另外，TMAH為表示氫氧化四甲基銨之略號。)。將其充分攪拌，確認到溶解之後進行過濾(所使用之過濾器為Entegris,Inc.製造之具有UPE(超高分子量聚乙烯)製過濾材料之過濾器，孔徑20nm)而製成藥液。

(9)評價中所使用之抗蝕劑：正型抗蝕劑組成物

作為正型抗蝕劑組成物，準備了日本特開2010-256842號公報的實施例1中所記載之抗蝕劑組成物。亦即，將以下樹脂A、酸產生劑、鹼性化合物、界面活性劑、疏水性樹脂及溶劑進行混合並攪拌12小時之後，用3nm的UPE過濾器(Entegris,Inc.製造，囊式過濾器，UPE為超高分子量聚乙烯的略號。)進行了過濾。

．樹脂A：(87.01質量份)

組成比40/10/50、Mw 8200、分散度1.53的聚合物

．酸產生劑：(10.9質量份)(b36)

．鹼性化合物：(0.71質量份)(N-1)2,6-二異丙基苯胺

．界面活性劑：(0.50質量份)PF6320

．疏水性樹脂：(0.879質量份)

疏水性樹脂：組成比=40/56/2/2(從左起)

溶劑：丙二醇單甲醚乙酸酯(1540質量份)、丙二醇單甲醚(360質量份)

(10)超高純度緩衝氟酸使用了Stella Chemifa Corporation製造之BHL。

(11)100級別(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製造)後CMP清潔液

(12)CMP漿料：在日本特表2009-510224號公報的0058段落的表2的“8071+150ppm甲醇”中所記載之CMP漿料中，代替甲醇而使用PGMEA(KH Neochem Co.,Ltd.製造)來製備出CMP漿料。

[測定方法1]

本段落中，液中係指洗滌液中及藥液中。

本實施例中，液中的金屬離子的含量使用ICP-MS(Agilent公司製造)進行了評價。

本實施例中，液中的30nm以上尺寸的被計數體的數量使用KS-19X(Rion Co.,Ltd.製造)來求出。

本實施例中，液中的有機雜質的含量係使用GC/MS(氣相層析質譜分析裝置)將成為測定對象之液體直接噴射而測定者。對檢測出之成分中分子量500以下的成分求出含量，將其作為有機雜質的含量。

[測定方法2]

本實施例中，容器之測定方法如下。

(試樣的製作)

從藉由表1中所記載之方法製作之容器及比較例的容器切出接液部(內壁)的一部分而得到了複數個切片。利用以下方法，由 上述切片分別製作出表面區域評價用試樣及內部區域評價用試樣。

．表面區域評價用試樣

對於容器的接液部的切片，從接液部的表面朝厚度方向傾斜地進行了切削。此時，將藉由切削而得到之截面(切削面)傾斜成對於從接液部的表面沿厚度方向1μm的區域之切削長度成為5mm。

對於所得到之切削面，將對應於從接液部的表面沿厚度方向10nm的表面區域之切削長度50μm的區域作為表面區域評價用試樣。另外，在此所述之“切削長度”係指從上方觀察切削面時的在切削方向上從切削面的切削開始點之長度。

．內部區域評價用試樣

對於容器的接液部的切片，從接液部的表面朝厚度方向傾斜地進行了切削。此時，將切削面傾斜成對於從接液部的表面沿厚度方向50μm的區域之切削長度成為10mm。

對於所得到之切削面，將對應於從接液部的表面沿厚度方向30~50μm的內部區域之切削長度4mm的區域作為內部區域評價用試樣。

(來源於各金屬成分之峰值強度的測定)

將上述中製作之表面區域評價用試樣的切削面作為觀察面，沿著切削方向等間隔測定了20點上的來源於各金屬成分之二次離子的峰值強度。並且，將各測定點的在切削面的寬度上之位置換算為各測定點所對應之被覆層(或容器)的厚度方向的位置。藉由上 述確認到各測定結果為反映了所需之表面區域中之金屬成分含量之資料。

接著，對於各測定點，對每種金屬成分將來源於各金屬成分之二次離子的峰的相對強度進行了平均，該來源於各金屬成分之二次離子的峰的相對強度係將測定點20點的來源於各金屬成分之二次離子的峰值強度除以分別在各測定點上檢測出之所有離子的強度而得到的。將所得到之每種金屬成分的平均值作為表面區域中之來源於各金屬成分之二次離子的峰的相對強度。

另外，對於最表面，將在非切削部位測定了5個部位之平均值作為最表面的測定值。

接著，將內部區域評價用試樣的切削面作為觀察面，沿著切削方向等間隔測定了20點的來源於各金屬成分之二次離子的峰值強度。接著，以與表面區域中之測定及計算步驟相同之方式得到了內部區域中之來源於各金屬成分之二次離子的峰的相對強度的平均值。

另外，上述測定中使用了飛行時間型二次離子質譜分析裝置：ION-TOF公司製造之TOF-SIMS V。

(來源於聚烯烴之峰的測定)

將上述中製作之表面區域評價用試樣的切截面作為觀察面，以與來源於金屬成分之二次離子的峰的相對強度的測定相同之方式，在各測定部位C_nH_2n ^-(n=2~20)的各成分的碎片(fragment)的強度除以檢測出之所有離子的強度，並求出了該等的合計值。接 著，將各測定點的測定結果進行平均，得到了表面區域中之來源於聚烯烴之二次離子的峰的相對強度。

並且，以與上述相同之方式得到了內部區域中之來源於聚烯烴之二次離子的峰的相對強度。

(RCA的計算)

求出了來源於各金屬成分之二次離子的峰的相對強度相對於上述中計算出之來源於聚烯烴之二次離子的峰的相對強度之比。

在表面區域和內部區域分別計算該相對強度之比，將其分別作為CA1(對應於表面區域，每種金屬成分的資料)、CA2(對應於內部區域，每種金屬成分的資料)。

接著，求出了RCA=CA1/CA2。另外，作為金屬成分，分別對Ti、Mg、Al、Cr、Hf、Zr、Fe、Sn、Ni及Mo求出RCA值(或RCAs)，將上述金屬成分的RCA值的算術平均值作為該試樣的RCA值。將結果記載於表1。

(RCB的計算)

分別求出了在各測定點上檢測出之C_nH_2n-所表示之碎片離子的峰值強度、C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度及C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於聚烯烴之二次離子峰的峰值強度之強度比。該強度比對應於各成分的相對強度，對於各測定點，對每種成分將該等強度比進行平均，進而將所得到之每種成分的平均值進行了平均。其最終所得之平均值對於表面區域對應於CB1，對於內部區域對應於CB2。據此求出了RCB 值(RCB=C B1/CB2)。將結果示於表1。

另外，n為12~20的整數，p為8~24的整數，q為8~24的整數。

[測定方法3]

溶出試驗藉由以下方法來進行。在實施例及比較例的各容器中分別收容了純水100ml(相當於容器體積的50體積%)。在該狀態下，在40℃下維持了1天。然後，回收純水，藉由上述ICP-MS測定上述純水中所含有之金屬成分的含量(表中，記載為“金屬”。)，並使用總碳濃度計(SHIMADZU CORPORATION製造之TOC-Vw)測定了TOC。

[評價]

[TMAH顯影液的經時性能穩定性]

在表1中所記載之各容器中收容上述(8)中準備之2.38質量%的TMAH顯影液，將其作為藥液收容體。

將各藥液收容體在45℃下保管了1個月。從保管後的藥液收容體取出上述顯影液，對微影性能進行了評價。微影性能的評價方法如下。

在矽晶圓上塗佈有機防反射膜形成用組成物ARC29A(NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES,LTD.製造)，並在205℃下烘烤60秒鐘而形成了膜厚86nm的防反射膜。接著，在防反射膜上塗佈上述正型抗蝕劑組成物，並在100℃下烘烤60秒鐘而形成膜厚100nm的抗蝕劑膜，從而得到了附抗蝕劑膜之晶圓。接著，使 用ArF準分子雷射液浸掃描儀(ASML公司製造之XT1700i、NA1.20、C-Quad、外西格瑪0.981、內西格瑪0.895、XY偏向)，對附抗蝕劑膜之晶圓透過能夠形成半間距(half pitch)40nm的1：1線與空間圖案之6%半色調遮罩進行了曝光。液浸液使用了超純水。接著，將曝光後的抗蝕劑膜在100℃下加熱60秒鐘之後，在上述顯影液中顯影30秒鐘，並且用純水淋洗之後，旋轉乾燥而得到了抗蝕劑圖案。

對於所製作之抗蝕劑圖案，使用測長SEM(CG4500(Hitachi High-Technologies Corporation製造)測定100點的位置上之線邊緣粗糙度(LWR)，求出所得到之資料中的LWR的最大值與最小值之差(偏差)，將其作為圖案品質的指標。

利用以下基準對結果進行評價，並示於表1(記載於“微影性能”欄)。

A：LWR的偏差為0.3nm以下。

B：LWR的偏差大於0.3nm且0.5nm以下。

C：LWR的偏差大於0.5nm且0.8nm以下。

D：LWR的偏差大於0.8nm且1.2nm以下。

E：LWR的偏差大於1.2nm。

<液中的被計數體數量>

從保管後的藥液收容體取出顯影液，使用光散射式液中粒子計數器：Rion Co.,Ltd.製造之KS-19X求出了30nm以上的被計數體的數量。利用以下基準對結果進行評價，並示於表1(“液中 被計數體數量”欄)。另外，本實施例中，當測定液中的被計數體時，藉由與上述相同之方法來實施。

A：30個/ml以下。

B：超過30個/ml且70個/ml以下。

C：超過70個/ml且100個/ml以下。

D：超過100個/ml且200個/ml以下。

E：超過200個/ml。

<基板上的顆粒的密度變化>

使用塗佈式塗佈機Lithius-PRO將從保管後的藥液收容體取出之顯影液塗佈於矽晶圓上。此時，使用SP5(KLA-Tencor Corporation製造)測定了塗佈前後的矽晶圓上的顆粒的密度變化。另外，計數的是粒徑為19nm以上之顆粒的數量。利用以下基準對結果進行評價，並示於表1(“塗佈顆粒”欄)。另外，本實施例中，當測定基板上的顆粒密度時，藉由與上述相同之方法來實施。

A：0.06個/cm²以下。

B：超過0.06個/cm²且0.1個/cm²以下。

C：超過0.1個/cm²且0.2個/cm²以下。

D：超過0.2個/cm²且0.3個/cm²以下。

E：超過0.3個/cm²。

<液中的粒狀物的評價>

評價裝置：Agilent 8900

使用上述SP-ICP-MS對從經時後的藥液收容體取出之藥液進 行了粒狀物含量的評價。利用以下基準對結果進行評價，並示於表1的“粒狀物評價”欄。

A：0.05質量ppb以下。

B：超過0.05質量ppb且0.2質量ppb以下。

C：超過0.2質量ppb且0.5質量ppb以下。

D：超過0.5質量ppb且1.0質量ppb以下。

E：超過1.0質量ppb。

[H₂O₂/硫酸剝離液的經時性能穩定性]

將過氧化氫組成物(30質量%)與硫酸水(98質量%)以混合比率(質量比)=1/1進行混合並攪拌了2小時。攪拌後，使用5nm的尼龍過濾器進行過濾而製作出評價用過氧化氫水液。將該過氧化氫水液收容於各容器而得到了藥液收容體。將各藥液收容體在30℃及5℃下保管了2週。

從保管後的藥液收容體取出了過氧化氫水液。根據抗蝕劑剝離性能對經時性能穩定性進行了評價。試驗方法如下。

另外，在本評價中，事先將硫酸水加熱至60℃之後，與過氧化氫水液進行了混合。對於任一實施例，均將過氧化氫水液與硫酸水進行混合之後，進而加熱直至成為“處理溫度”，然後用於抗蝕劑剝離試驗。

(抗蝕劑剝離試驗)

試驗晶圓：對矽晶圓表面實施HMDS(六甲基二矽氮烷)處理之後，形成4μm的OFPR800(TOK製造之正型抗蝕劑)膜，並 在下述條件下評價了對於該抗蝕劑層之剝離能力。

．藥液量：600ml

．晶圓尺寸：12英吋的Si晶圓

．處理方法：單片式洗滌處理裝置

．處理條件：120rpm/1min.+1500rpm/30s

．流量：10ml./min./液溫90℃

關於抗蝕劑剝離性，使用VM-3110(DAINIPPON SCREEN MFG.CO.,LTD.製造)對處理後的晶圓求出膜厚分佈，據此進行存在晶圓殘渣之面積的評價，藉由面積換算進行了去除率的評價。對各容器樣品以n=20的頻度實施經時評價，以使用在30℃下保管之藥液時的去除率的標準偏差相對於使用在5℃下保管之藥液時的去除率的標準偏差之比進行了評價。

比=使用在30℃下保管之藥液時的標準偏差/使用在5℃下保管之藥液時的標準偏差。

A：標準偏差之比為1.1以下。

B：標準偏差之比超過1.1且1.3以下。

C：標準偏差之比超過1.3且1.5以下。

D：標準偏差之比超過1.5且2.0以下。

E：標準偏差之比超過2.0。

另外，液中被計數體數量、塗佈顆粒及粒狀物評價與上述相同。

[緩衝氟酸蝕刻液的經時穩定性]

首先，製備出含有羥胺化合物之水溶液(20質量%)。接著，將48質量%氫氧化鉀(KOH)水溶液14.9g(其中包含相當於0.13mol之KOH)、碳酸鉀(K₂CO₃)粉末13.3g(其相當於0.096mol的K₂CO₃)、20重量%羥胺(HA)水溶液500.0g及水471.8g進行混合而製備出1000g的蝕刻液。計算該蝕刻液中的鉀離子濃度為0.32mol/kg，碳酸離子濃度為0.096mol/kg，碳酸離子濃度相對於鉀離子濃度之莫耳比為0.30。該蝕刻液中的HA濃度為10質量%，該蝕刻液的pH為13以上。

<羥時保管試驗>

將上述蝕刻液收容於上述容器而製作出藥液收容體。將所製作之藥液收容體在4℃及40℃的環境下保管了1個月。利用與上述相同之方法，對從保管後的藥液收容體取出之藥液測定液中的被計數體數量、基板上的顆粒的密度變化及液中的粒狀物，並示於表1。

<蝕刻速度的評價>

準備了在晶圓上積層有200nm的氧化膜之直徑300mm的附氧化膜之晶圓。接著，使用從保管後的藥液收容體取出之藥液(蝕刻液)，藉由浸漬法在60℃下對上述附氧化膜之晶圓處理了30秒鐘。接著，用純水對浸漬後的晶圓淋洗複數次，然後旋轉乾燥，製作出已處理之晶圓。對處理前後的晶圓上的氧化膜的厚度進行評價，根據處理前後的氧化膜的厚度之差求出了蝕刻速度。

具體而言，計算從在4℃的環境下保管了1個月之藥液收容體 取出之蝕刻液的蝕刻速度的平均值1和從在45℃的環境下保管了1個月之藥液收容體取出之蝕刻液的蝕刻速度的平均值2，並計算以下式所表示之減少率，按以下基準進行評價，並示於表1。

另外，上述蝕刻速度的平均值1係準備在4℃的環境下保管了1個月之藥液收容體的50個樣品，計算各樣品的蝕刻液的蝕刻速度，並將該等進行算術平均而得到之值。並且，上述蝕刻速度的平均值2係準備在40℃的環境下保管了1個月之藥液收容體的50個樣品，計算各樣品的蝕刻液的蝕刻速度，並將該等進行算術平均而得到之值。

式：減少率(%)={(蝕刻速度的平均值1-蝕刻速度的平均值2)/蝕刻速度的平均值1}×100

A：減少率為0.5%以下。

B：減少率超過0.5%且1.0%以下。

C：減少率超過1.0%且3.0%以下。

D：減少率超過3.0%且5.0%以下。

E：減少率超過5.0%。

[CMP(chemical mechanical polishing：化學機械研磨)漿料的經時穩定性]

將CSL9044C(FFPS(FUJIFILM Ultra Pure Solutions)Inc.製造)稀釋10倍而成之溶液作為CMP漿料(藥液)，收容於上述容器而製作出藥液收容體。接著，將上述藥液收容體在4℃及40℃下保管了1個月。利用與上述相同之方法，對從保管後的藥液收 容體取出之藥液測定液中的被計數體數量、基板上的顆粒的密度變化及液中的粒狀物，並示於表1。

<研磨速度的評價>

準備了在晶圓上積層有200nm的氧化膜之300mm的附氧化膜之晶圓。

按照以下評價方法，製作進行了研磨處理之晶圓，並對研磨處理前後的晶圓的氧化膜的厚度進行評價，並根據處理前後的膜厚之差求出了研磨速度。

<評價方法>

使用Lap master公司製造之裝置“LGP-612”作為研磨裝置，在下述條件下一邊供給漿料(研磨液)一邊對下述所示之各晶圓膜進行了研磨。

．載物台轉速：90rpm

．磨頭轉速：85rpm

．研磨壓力：13.79kPa

．研磨墊：Rodel Nitta Corporation製造之Polotexpad

．研磨液供給速度：200ml/min

另外，在評價中，計算從在4℃的環境下保管了1個月之藥液收容體取出之CMP漿料的研磨速度的平均值1和從在40℃的環境下保管了1個月之後的藥液收容體取出之CMP漿料的研磨速度的平均值2，按照以下式計算研磨速度的減少率(%)，並按照以下基準進行了評價。

另外，上述研磨速度的平均值1係準備在4℃的環境下保管了1個月之藥液收容體的50個樣品，計算各樣品的CMP漿料的研磨速度，並將該等進行算術平均而得到之值。並且，上述研磨速度的平均值2係準備在40℃的環境下保管了1個月之藥液收容體的50個樣品，計算各樣品的CMP漿料的研磨速度，並將該等進行算術平均而得到之值。

式：減少率(%)={(研磨速度的平均值1-研磨速度的平均值2)/研磨速度的平均值1}×100

A：減少率(%)為1.0%以下。

B：減少率(%)超過1.0%且1.5%以下。

C：減少率(%)超過1.5%且2.0%以下。

D：減少率(%)超過2.0%且3.0%以下。

E：減少率(%)超過3.0%。

[pCMP清潔液的經時穩定性評價]

作為後CMP清潔液(表中記載為“pCMP清潔液”。)，使用了Clean-100(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製造)。將Clean-100收納於上述容器而製作出藥液收容體。接著，將上述藥液收容體在4℃及40℃的環境下保管了1個月。

利用與上述相同之方法，對從保管後的藥液收容體取出之藥液(pCMP清潔液)測定液中的被計數體數量、基板上的顆粒的密度變化及液中的粒狀物，並示於表1。

<缺陷抑制性能的評價>

在矽晶圓上以成為100nm厚度之方式形成氧化膜而得到了附氧化膜之矽晶圓。接著，在氧化膜上形成抗蝕劑膜形成用組成物膜，進行由40nm線寬的LS圖案構成之圖案的曝光，並實施顯影處理而形成了圖案狀的抗蝕劑膜。

將所得到之圖案狀的抗蝕劑膜作為遮罩，對絕緣膜(氧化膜)進行蝕刻而在絕緣膜上形成了開口部。另外，蝕刻藉由使用了含有氮氣及鹵素氣體之蝕刻氣體之電漿蝕刻法來實施。

接著，藉由氧氣灰化或通用的抗蝕劑剝離液(FFEM (FUJIFILM Electronic Materials)Inc.產品MS6800)去除圖案狀的抗蝕劑膜，進而使用含有羥胺化合物之處理液進行洗滌，去除了藉由蝕刻處理而產生之不需要之殘渣物。

接著，利用化學蒸鍍法，在形成有開口部之絕緣膜上依次形成含有由Ti構成之膜(相當於阻擋膜)及由Co構成之膜之金屬膜，並向開口部進行了填充。藉由化學機械研磨，對具有所得到之金屬膜之基材去除金屬膜的不需要部分，並實施平坦化處理而形成了埋入有金屬配線之絕緣膜。此時，使用2種研磨液段階性地進行了化學機械研磨。具體而言，將CSL9044C(FFPS Inc.製造)稀釋10倍而成之溶液用作研磨液進行研磨，直至由Ti構成之膜露出，然後，進而將BSL8178C(FFPS Inc.製造)稀釋2倍而成之溶液用作研磨液進行了研磨，直至平坦化結束。

研磨後，使用從上述保管後的藥液收容體取出之藥液，對埋入有所得到之金屬配線之絕緣膜進行洗滌，進而依次實施了使 用水之洗滌處理及使用異丙醇之洗滌處理。關於缺陷抑制性能，使用UVsion5觀察洗滌結束後的圖案，求出缺陷數量，藉由以下方法求出了缺陷數量的上升。

具體而言，在評價中，計算使用從在4℃的環境下保管了1個月之藥液收容體取出之藥液進行了處理時的缺陷數量的平均值1和使用從在40℃的環境下保管了1個月之後的藥液收容體取出之藥液進行了處理時的缺陷數量的平均值2，按照以下式計算缺陷數量的上升率(%)，並按照以下基準進行了評價。

另外，上述缺陷數量的平均值1係準備在4℃的環境下保管了1個月之藥液收容體的50個樣品，計算使用各樣品的藥液時的缺陷數量，並將該等進行算術平均而得到之值。並且，上述缺陷數量的平均值2係準備在40℃的環境下保管了1個月之藥液收容體的50個樣品，計算使用各樣品的藥液時的缺陷數量，並將該等進行算術平均而得到之值。

式：上升率(%)={(缺陷數量的平均值2-缺陷數量的平均值1)/缺陷數量的平均值1}×100

A：上升率為1.0%以下。

B：上升率超過1.0%且2.0%以下。

C：上升率超過2.0%且3.0%以下。

D：上升率超過3.0%且5.0%以下。

E：上升率超過5.0%。

[預濕液的經時穩定性評價]

將環己酮、PGMEA(丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯)、乳酸乙酯(EL)及PGMEA/PC(碳酸丙烯酯)分別收容於上述容器而製作出藥液收容體。

將上述中製作之藥液收容體在4℃及40℃的環境下保管了1個月。利用與上述相同之方法，對從保管後的藥液收容體取出之藥液(預濕液)測定液中的被計數體數量、基板上的顆粒的密度變化及液中的粒狀物，並示於表1。

另外，在收容有PGMEA/PC之藥液收容體中，作為經時測試，實施了10循環的在容器中收容有藥液之狀態下交替進行(1)在-20℃下保管2天、(2)在60℃下保管5天這2個條件之循環經時試驗，對循環經時後的容器內所保管之藥液進行與<基板上的顆粒的密度變化>相同之評價，並對容器的耐久性進行了評價。將評價結果作為<循環評價>而記載於表1。

<微影性能的評價>

在形成有下層防反射膜層之300mmφ的矽晶圓上使10cm³的預濕液以500rpm擴開5秒鐘之後，吐出1cm³的抗蝕劑膜形成用組成物，以1500rpm擴開30秒鐘，然後在100℃下使其乾燥60秒鐘而形成了抗蝕劑膜。利用與上述的TMAH顯影液相同之方法，對所得到之抗蝕劑膜評價了微影性能。

[乙酸丁酯顯影液的經時性能穩定性]

當代替在上述[TMAH顯影液的經時性能穩定性]中所使用之TMAH顯影液而使用乙酸丁酯顯影液時，以相同之步驟實施了各 種評價。

並且，實施了作為上述[預濕液的經時穩定性評價]而記載之<循環評價>。

另外，使用負顯影用的抗蝕劑組成物作為抗蝕劑組成物，並且變更為未實施淋洗處理之條件而進行了評價。

作為面向負顯影之抗蝕劑組成物，使用了代替正型抗蝕劑組成物中的樹脂A而使用樹脂A2(87.01質量份)之組成物。

樹脂A2：組成比30/10/60、Mw 8200、分散度1.53的聚合物

表1中按每1列記載了各實施例及各比較例的容器的製造方法、容器的物性及收容於容器中之藥液的性能。例如，若為實施例1的容器，則遍及表1[1]<其1>及表1[2]<其1>記載了結果。亦即，實施例1的容器係在基材上具有被覆層之容器，溶出試驗的結果，金屬為0.9質量ppb，TOC為200質量ppm，RCA為0.92，RCB為0.94，進而，在上述容器中保管之各藥液的性能如下。TMAH顯影液的微影性能為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C，H₂O₂/硫酸剝離液的剝離性能為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C，緩衝氟酸蝕刻液的蝕刻速度為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為 C，粒狀物評價為C，CMP漿料的研磨速度為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C，pCMP清潔液的缺陷抑制性能為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C，環己酮預濕液的微影性能為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C，PGMEA預濕液的微影性能為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C，EL預濕液的微影性能為D，液中被計數體數量為C，塗佈顆粒為C，粒狀物評價為C。

關於其他實施例及比較例亦相同，若為實施例2，則記載於表1[1]<其2>及表1[2]<其2>，若為實施例4，則記載於表1[1]<其3>及表1[2]<其3>，若為實施例6，則記載於表1[1]<其4>及表[2]<其4>，若為實施例8，則記載於表1[1]<其5>及表2[2]<其5>，若為實施例10，則記載於表1[1]<其6>及表1[2]<其6>，若為實施例11，則記載於表1[1]<其7>及表1[2]<其7>。

表中，“Fe”、“Ni”、“Cr”欄分別表示Fe元素、Ni元素及Cr元素的含量(質量ppb)。

“油酸醯胺”、“聚乙烯”欄分別表示油酸醯胺及聚乙烯的含量(質量ppm)。另外，聚乙烯係低聚合度聚乙烯(碳數22以下的聚乙烯)，相當於沸點300℃以上的有機物。

測定了收容於各容器中之各藥液的含有金屬量，其結果，關於金屬種類(Ti、Al、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr、Mo、Fe、Ni、Sn)，藉由ICP-MS(Agilent8900)確認到任一個的含量均為10質量ppt以下。

並且，測定了各藥液中的有機雜質，其結果，確認到包含油酸醯胺及低聚合度烷基烯烴(碳數22以下的烷基烯烴)之有機雜質的含量為1質量ppm以下。

如上所述，由於所保管之藥液的污染成分的含量進一步減少，因此能夠進一步減少由雜質引起之對容器之損傷，尤其，能夠進一步抑制低溫/高溫循環經時時的溶出量。

根據表1中所記載之結果可知，關於收容於各實施例的容器中之藥液，藥液的性能不易經時下降。另一方面，關於收容於各比較例的容器中之藥液，藥液的性能經時下降。

與由特定組成物構成之實施例3的容器相比，在基材上具有由特定組成物構成之被覆層之實施例2的容器的RCA(s)更低，其結果，所收容之藥液的性能更不易經時下降。

與未經過洗滌步驟之實施例1的藥液相比，在基材上具有由特定組成物構成之被覆層並且將上述被覆層藉由表1中所記載之方法進行洗滌而製造之實施例2的容器的RCAs及RCB更低，其結果，所收容之藥液的性能更不易經時下降。

與實施例3的容器相比，在洗滌步驟中，所使用之洗滌液的溫度更高且洗滌方法為超音波洗滌之實施例8的容器的RCA及 RCB更低，其結果，所收容之藥液的性能更不易經時下降。

與實施例9的容器相比，在洗滌步驟中，使用酸及有機溶劑作為洗滌液之實施例7的容器的RCB更低，溶出試驗中之TOC的溶出量亦少。其結果，在有機雜質的影響更大的藥液(H₂O₂/硫酸剝離液及緩衝氟酸蝕刻液以外)中，性能更不易經時下降。

與實施了5分鐘使用超純水之洗滌之實施例2的容器相比，在洗滌步驟中實施了1小時使用超純水之洗滌之實施例8的容器，在水溶性雜質(鹽等)的影響更大的TMAH顯影液及CMP漿料中，性能更不易經時下降。

與實施例4及實施例6的容器相比，實施例5的容器尤其在有機溶劑系藥液中時其結果塗佈顆粒更少。塗佈顆粒的評價基準嚴格，會留下極其微量成分的影響，尤其在評價等級高的部分其差變得明顯。若藥液為有機溶劑系，則塗佈顆粒容易溶出，因此評價更差，但實施例5的容器具有更優異之本發明的效果。

另外，對於實施例1~12的容器，在收容各藥液之前，用要收容之藥液對容器進行洗滌之後，進行了藥液的收容。即使在使用所得到之藥液收容體之情況下，亦得到了與上述相同之結果。

並且，對於實施例1~12的容器，在收容各藥液之前，在要收容之藥液中將容器浸漬1週之後，進行了藥液的收容。即使在使用所得到之藥液收容體之情況下，亦得到了與上述相同之結果。

對於與面向微影程序之塗佈/顯影裝置Lithius-ProZ的溶劑管路連接之藥液供給用2t罐及朝微影裝置之配管連結之程序單 元(process unit)，使用所準備之藥液實施了配管洗滌。另外，作為裝置連接為止的藥液管路，使用了SUS製罐/管路。作為洗滌條件的內容，將所準備之藥液填充於供給罐中，並以使罐及配管的總藥液容量的10倍量的藥液流過之方式進行了配管的沖洗(flushing)。進而實施3循環的上述沖洗之後，投入製造用藥液，製造藥液之後，填充於實施例1~12中所記載之容器中。

對所製作之藥液收容體中的藥液進行了上述微影性能、液中被計數體數量、塗佈顆粒及粒狀物評價，其結果，得到了與上述各實施例相同之結果。

另外，在塗佈/顯影裝置內裝填之POU過濾器在裝填之前事先用所使用之藥液浸漬1週之後，沖洗前連接使用。

另外，作為生產線，使用連接有PTFE(聚四氟乙烯)內襯之SUS製的2t釜、PTFE內襯之SUS製配管及PTFE內襯之SUS製過濾器單元(耐壓容器)之半導體藥液的生產線，同樣地進行了微影性能、液中被計數體數量、塗佈顆粒及粒狀物評價，其結果，得到了與上述相同之結果。

並且，作為容器，對於18L的有蓋罐尺寸的容器、200L的圓筒(drum)尺寸的容器、1 t的Tote尺寸的容器及10 t的集裝箱(container)尺寸的容器製作進行了與實施例相同之處理之容器，並使用所製作之容器以與上述相同之步驟實施了各種評價，其結果，得到了相同之結果。

除了在1000等級的無塵室內實施了在容器中收容藥液之 操作以外，利用與實施例1~12相同之方法製作樣品，並進行了相同之評價，其結果，得到了與實施例1~12相同之結果。

並且，除了在100等級的無塵室內實施了在容器中收容藥液之操作以外，利用與實施例1~12相同之方法製作樣品，並進行了相同之評價，其結果，得到了與實施例1~12相同之結果。

並且，除了在10等級的無塵室內實施了在容器中收容藥液之操作以外，利用與實施例1~12相同之方法製作樣品，並進行了相同之評價，其結果，得到了與實施例1~12相同之結果。

關於上述實施例4及5的態樣，相當於以下式所表示之填充率為80體積%的態樣。

式(X)：填充率=(容器內的藥液的體積/容器的容器體積)

關於上述實施例4及5的態樣，示出如表2那樣調整填充率及有機物濃度而進行了上述評價之結果。另外，實施例4-1相當於在實施例4的態樣中變更了填充率及有機物濃度之態樣，實施例5-1相當於在實施例5的態樣中變更了填充率及有機物濃度之態樣。

式(Y)：有機物濃度=(容器內的未填充藥液之空間中所包含之有機物的體積/容器內的未填充藥液之空間的體積)×100

Claims (19)

1. 一種容器，其具有：基材；及被覆層，配置於該基材上的至少一部分，且包含含有聚烯經和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物，並且厚度為50μm以上，其中當該組成物含有1種該金屬成分時，將該被覆層的表面與以該表面作為基準沿該被覆層的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以該表面作為基準沿該被覆層的厚度方向30μm的位置與以該表面作為基準沿該被覆層的厚度方向50μm的位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了該表面區域及該內部區域時，在該被覆層的至少一部分，根據該表面區域的來源於該金屬成分之二次離子的峰值強度相對於該表面區域的來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1s，及該內部區域的來源於該金屬成分之二次離子的峰值強度相對於該內部區域的來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2s，以CA1s/CA2s計算之比RCAs小於1.00，或者，當該組成物含有2種以上的該金屬成分時，在該被覆層的至少一部分，對2種以上的該金屬成分分別求出之該RCAs的平均值小於1.00，且該聚烯烴為聚乙烯。
2. 一種容器，其由含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、 Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物構成，其中當該組成物含有1種該金屬成分時，將該容器的表面與以該表面作為基準沿該容器的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以該表面作為基準沿該容器的厚度方向30μm的位置與以該表面作為基準沿該容器的厚度方向50μm的位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了該表面區域及該內部區域時，在該容器的至少一部分，根據該表面區域的來源於該金屬成分之二次離子的峰值強度相對於該表面區域的來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1，及該內部區域的來源於該金屬成分之二次離子的峰值強度相對於該內部區域的來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2，以CA1/CA2計算之比RCA小於1.00，或者，當該組成物含有2種以上的該金屬成分時，在該容器的至少一部分，對2種以上的該金屬成分分別求出之該RCA的平均值小於1.00，且該聚烯烴為聚乙烯。
3. 一種容器，其具有：基材；及被覆層，配置於該基材上的至少一部分，且包含含有聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物，並且厚度小於50μm，其中 當該組成物含有1種該金屬成分時，將被覆層的表面與以該表面作為基準沿該被覆層的厚度方向10nm的位置之間設為表面區域，將以該表面作為基準朝該被覆層的厚度方向對應於該被覆層的整體厚度的70%的厚度之位置與以該表面作為基準朝該被覆層的厚度方向對應於該被覆層的整體厚度的100%的厚度之位置之間設為內部區域，用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定了該表面區域及該內部區域時，在該被覆層的至少一部分，根據該表面區域的來源於該金屬成分之二次離子的峰值強度相對於該表面區域的來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA1t，及該內部區域的來源於該金屬成分之二次離子的峰值強度相對於該內部區域的來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比CA2t，以CA1t/CA2t計算之比RCAt小於1.00，或者，當該組成物含有2種以上的該金屬成分時，在該被覆層的至少一部分，對2種以上的該金屬成分分別求出之該RCAt的平均值小於1.00，且該聚烯烴為聚乙烯。
4. 如申請專利範圍第1項或第3項所述之容器，其中在該被覆層的至少一部分，根據該表面區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之、C_nH_2n-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、 C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、及C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB1、以及該內部區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之、該C_nH_2n-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、該C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、及該C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB2，以CB1/CB2計算之比RCB小於1.00，n為12~20的整數，p為8~24的整數，q為8~24的整數。
5. 如申請專利範圍第2項所述之容器，其中在該表面的至少一部分，根據該表面區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之、C_nH_2n-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、及C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB1、以及 該內部區域中之用飛行時間型二次離子質譜分析裝置測定之、該C_nH_2n-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、該C_pH_2pCOO-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比、及該C_qH_2qPO₂-所表示之二次離子的峰值強度相對於來源於該聚烯烴之二次離子的峰值強度之強度比的平均值CB2，以CB1/CB2計算之比RCB小於1.0，n為12~20的整數，p為8~24的整數，q為8~24的整數。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項、第5項中任一項所述之容器，其中在該容器中收容容器體積的50體積%的100ml的40℃的純水，保持1天之後，當該純水中包含Fe時，該純水中之Fe的含量相對於該純水總質量為0.01質量ppt~0.3質量ppb，當該純水中包含Cr時，Cr的含量相對於該純水總質量為0.01質量ppt~0.3質量ppb，當該純水中包含Ni時，Ni的含量相對於該純水總質量為0.01質量ppt~0.3質量ppb。
7. 如申請專利範圍第1項至第3項、第5項中任一項所述之容器，其中在該容器中收容容器體積的50體積%的100ml的40℃的純 水，保持1天之後，該純水中含有選自包括脂肪族醯胺及沸點為300℃以上的有機物之群組中之化合物，該化合物的含量相對於該純水總質量為0.1質量ppb~1000質量ppm，該沸點為300℃以上的有機物含有烷基烯烴，或者，脂肪族醯胺含有連結於羰基之碳數16以上的脂肪族鏈。
8. 一種容器的製造方法，其具有：將包含聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之至少1種金屬成分之組成物接觸在基材上而形成洗滌前被覆層之步驟；及使用含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之洗滌液對該洗滌前被覆層進行洗滌而得到如申請專利範圍第1項或第3項所述之容器之步驟。
9. 如申請專利範圍第8項所述之容器的製造方法，其中該洗滌液中的金屬離子的含量為100質量ppt以下，該洗滌液中的有機雜質的含量為100質量ppm以下，利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的該洗滌液中為50個以下。
10. 一種容器的製造方法，其使用含有選自包括純水、酸、鹼及有機溶劑之群組中之至少1種之洗滌液對基體進行洗滌而得到申請專利範圍第2項所述之容器，該基體由包含聚烯烴和選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中 之至少1種金屬成分之組成物構成，其中該洗滌液中的金屬離子的含量為100質量ppt以下，該洗滌液中的有機雜質的含量為100質量ppm以下，利用光散射式液中粒子計數器計數之30nm以上尺寸的被計數體的數量在每1ml的該洗滌液中為50個以下。
11. 如申請專利範圍第8項或第10項所述之容器的製造方法，其中當洗滌後的該洗滌液含有選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之1種離子時，相對於洗滌後的該洗滌液的總質量之該1種離子的含量為0.01質量ppt~1.0質量ppm，當洗滌後的該洗滌液含有選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之2種以上的離子時，相對於洗滌後的該洗滌液的總質量之該2種以上的離子的含量的平均為0.01質量ppt~1.0質量ppm。
12. 如申請專利範圍第8項或第10項所述之容器的製造方法，其中洗滌後的該洗滌液含有1.0質量ppt~500質量ppm的有機雜質。
13. 如申請專利範圍第8項或第10項所述之容器的製造方法，其中反覆進行洗滌，直至洗滌後的洗滌液滿足以下要件1及要件 2，要件1：當洗滌後的該洗滌液中含有選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之1種離子時，該1種離子的含量為1.0質量ppt以下，或者，當洗滌後的該洗滌液中含有選自包括Ti、Al、Mg、Zr、Hf、Fe、Ni、Sn、Zn、Cr及Mo之群組中之2種以上的離子時，該2種以上的離子的含量的平均為1.0質量ppt以下；要件2：當洗滌後的洗滌液中含有1種有機雜質時，該有機雜質的含量成為500質量ppm以下，或者，當洗滌後的洗滌液中含有2種以上的有機雜質時，該2種以上的有機雜質的含量的平均為500質量ppt以下。
14. 一種藥液收容體，其具有如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之容器和收容於該容器中之藥液。
15. 如申請專利範圍第14項所述之藥液收容體，其中以式(X)求出之填充率為60體積%以上，式(X)：填充率=(容器內的藥液的體積/容器的容器體積)×100。
16. 如申請專利範圍第14項或第15項所述之藥液收容體，其中以式(Y)求出之有機物濃度為1體積ppm以下，式(Y)：有機物濃度=(容器內的未填充該藥液之空間中所包含之有機物的體積/容器內的未填充藥液之空間的體積)×100其中，該有機物中不包括該藥液中所含有之成分。
17. 如申請專利範圍第14項或第15項所述之藥液收容體，其中該藥液含有水，該藥液中之水的含量為50質量%以上，將該藥液塗佈於基板上，該藥液塗佈前後的該基板上之使用顆粒檢查裝置測定之19nm以下粒徑的顆粒的密度變化為0.3個/cm²以下。
18. 如申請專利範圍第14項或第15項所述之藥液收容體，其中該藥液含有水，該藥液中之水的含量為50質量%以下，用單粒子感應耦合電漿質譜分析儀測定之該藥液中之30nm以下粒徑的粒狀物相對於該藥液的總質量為1.0質量ppb以下。
19. 如申請專利範圍第14項或第15項所述之藥液收容體，其中該藥液還含有界面活性劑。