TWI765850B - 烤箱器皿及烤箱器皿成形用樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

一種烤箱器皿，其係具有容器部與把手部之烤箱器皿，並且該烤箱器皿係由含有液晶聚酯樹脂及滑石填料的樹脂組成物成形的烤箱器皿，該滑石填料的含量，相對於該液晶聚酯樹脂100質量份為55質量份以上、100質量份以下，該烤箱器皿的內容積為500mL以上、6L以下，該容器部的厚度為0.3mm以上、5mm以下。

Description

烤箱器皿及烤箱器皿成形用樹脂組成物
本發明關於一種烤箱器皿及烤箱器皿成形用樹脂組成物。
本發明基於2015年3月26日在日本申請的特願2015-064234號而主張優先權，將其內容援用於此。
利用烤箱加熱方式的烤爐用的調理加熱容器的烤箱器皿，需要優異的耐熱性、機械強度、外觀良好等的各種特性。
具有優異耐熱性的材料已知有聚酯樹脂。尤其全芳香族聚酯樹脂(以下會有記載為「液晶聚酯」或「液晶聚酯樹脂」的情形)，依照其構造不同而具有各種優異的性質，尤其耐熱性優異。因此，可使用於暴露於高溫的烤箱器皿的材料。例如專利文獻1~2揭示了一種使用全芳香族聚酯樹脂製的烤箱器皿。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平4-248868號公報
[專利文獻2]日本特開平3-265650號公報
在烤箱器皿的製造時，因為容易成形、或可成形為複雜形狀，式樣性的選擇性提升等的理由，會有採用射出成形的情形。另一方面，近來也有大型烤箱器皿的需求。
然而，在大型烤箱器皿射出成形的情況，與小型烤箱器皿射出成形的情況相比，產生較多流痕或較明顯，因此會有外觀不良這樣的課題。
本發明鑑於上述狀況而完成，課題為提供一種外觀優異的大型烤箱器皿、及適合使用於前述烤箱器皿的烤箱器皿成形用樹脂組成物。
亦即，本發明包括以下態樣。
[1]一種烤箱器皿，其係具有容器部與把手部的烤箱器皿，並且前述烤箱器皿係由含有液晶聚酯樹脂及滑石填料的樹脂組成物成形的烤箱器皿， 前述滑石填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為55質量份以上、100質量份以下，前述烤箱器皿的內容積為500mL以上、6L以下，前述容器部的厚度為0.3mm以上、5mm以下。
[2]如[1]所記載之烤箱器皿，其中前述液晶聚酯樹脂具有至少1個下述一般式(1)所表示的重複單元，(1)-O-Ar1-CO-(式中，Ar1表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基，Ar1所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)。
[3]如[2]所記載之烤箱器皿，其中前述一般式(1)所表示的重複單元係衍生自對羥基安息香酸的重複單元，該重複單元的含量，相對於構成前述液晶聚酯的全部重複單元的合計含量為50莫耳%以上、70莫耳%以下。
[4]如[1]~[3]中任一項之烤箱器皿，其中前述液晶聚酯樹脂具有至少1個下述一般式(2)所表示的重複單元，(2)-CO-Ar2-CO-(式中，Ar2表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或下述一般式(4)所表示之基；Ar2所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)
(4)-Ar4-Z-Ar5-(式中，Ar4及Ar5各自獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z 表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)。
[5]如[4]所記載之烤箱器皿，其中前述一般式(2)所表示的重複單元係衍生自對苯二甲酸的重複單元，該重複單元的含量，相對於構成前述液晶聚酯的全部重複單元的合計含量為10莫耳%以上、20莫耳%以下。
[6]如[1]~[5]中任一項之烤箱器皿，其中前述液晶聚酯樹脂具有至少1個下述一般式(3)所表示的重複單元， (3)-X-Ar3-Y-(式中，Ar3表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或下述一般式(4)所表示之基；X及Y各自獨立地表示氧原子或亞胺基(-NH-)；Ar3所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)
(4)-Ar4-Z-Ar5-(式中，Ar4及Ar5各自獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)。
[7]如[6]所記載之烤箱器皿，其中前述一般式(3)所表示的重複單元相對於構成前述液晶聚酯的全部重複單元的合計含量為35莫耳%以下。
[8]如[1]~[7]中任一項之烤箱器皿，其中前述滑石填料的平均粒徑為5μm以上、30μm以下。
[9]如[1]~[8]中任一項之烤箱器皿，其中前述樹脂組成物進一步含有氧化鈦填料。
[10]如[1]~[9]中任一項之烤箱器皿，其中前述氧化 鈦填料的填充量相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為1質量份以上、15質量份以下。
[11]如[1]~[10]中任一項之烤箱器皿，其中前述樹脂組成物進一步含有顏料。
[12]如[1]~[11]中任一項之烤箱器皿，其中前述樹脂組成物的荷重變形溫度為250℃以上且未達270℃。
[13]一種樹脂組成物，其係含有液晶聚酯樹脂、滑石填料及氧化鈦填料。
[14]如[13]所記載之樹脂組成物，其係烤箱器皿的成形用者。
依據本發明，可提供一種外觀優異的大型烤箱器皿、及適合使用於前述烤箱器皿的烤箱器皿成形用樹脂組成物。
1‧‧‧烤箱器皿
2‧‧‧把手部
10‧‧‧容器部
11‧‧‧底部
12‧‧‧側壁
S‧‧‧空間
20‧‧‧蓋部
圖1為本發明之烤箱器皿的一例之剖面圖。
圖2表示本發明之烤箱器皿的一例之全體形狀的斜視圖。
《烤箱器皿》
針對本發明之第1態樣的烤箱器皿作說明。
本發明之烤箱器皿是由含有液晶聚酯樹脂及滑石填料的樹脂組成物成形的烤箱器皿。
本發明之烤箱器皿是可將多人份的料理一起調理的大型烤箱器皿。
亦即，本發明之烤箱器皿的內容積為500mL以上、6L以下。在本發明中，「烤箱器皿的內容積」意指在氣溫25℃的條件下烤箱器皿中可加入的水的最大量。
在本發明中，烤箱器皿的內容積係以1L以上、6L以下為佳，2L以上、6L以下為較佳。
烤箱器皿是烤爐用的調理加熱容器，依照調理用途，其尺寸或形狀會有各種變化。
在大型烤箱器皿的情況，會有高溫使用時變形、或強度不足而在掉落時發生破裂的情形。另外，若為大型成形品，則使用樹脂組成物的情況，會有產生流痕造成外觀不良的情形。在小型烤箱器皿的情況，這些問題不易發生，然而在大型烤箱器皿的情況，這些問題較為顯著。
本發明之烤箱器皿尺寸的上限值為6L，這是通常家庭用烤箱所可使用最大的尺寸。本發明之烤箱器皿為大型，由於是由既定樹脂組成物成形的烤箱器皿，不會產生流痕，因此外觀良好，甚至可具有足夠的強度。
將本發明其中1個實施形態的烤箱器皿的剖面圖表示於圖1。如圖1所示般，本發明之烤箱器皿具有 把手部2與容器部10。
另外，如圖2所示般，本發明之烤箱器皿亦可進一步具有可取下的蓋部20。容器部10具有在使用時可收納作為調理對象的食材等的空間S。容器部10具有底部11與以平面視為封閉環狀的方式設置在底部11的周緣部的側壁12。空間S是被底部11與側壁12圍住的空間。容器部10宜為底部11的水平面的鉛直方向上方全部開放的廣口容器。「底部的水平面」意指將本發明之由容器部與把手部所構成的烤箱器皿置於水平面時，底部的內表面(亦即空間S的界面)之中，實質上呈水平的面。「實質上水平」意指在水平面上可具有-5%~+5%的梯度。
在本發明之烤箱器皿1之中，「內容積」意指在氣溫25℃的條件下空間S中可加入的水的最大量。
把手部2可設置於容器部10的一部分，或設置於容器部10的周緣部。
把手部2主要是在使用者在搬運烤箱器皿1時用來把持的構造部。把手部2是以在平面視由外壁12a往與空間S側的相反側突出的方式設置在側壁12的上端部(亦即與底部11相反側)的外壁12a。
在本發明中，由容器部與把手部所構成的烤箱器皿的高度係以1cm以上、30cm以下為佳，3cm以上、20cm以下為較佳。
在本發明中，由容器部與把手部所構成的烤箱器皿的橫寬係以5cm以上、50cm以下為佳，10cm以上、40cm 以下為較佳。
在本發明中，由容器部與把手部所構成的烤箱器皿的縱長係以5cm以上、50cm以下為佳，10cm以上、40cm以下為較佳。
在本發明之烤箱器皿進一步具有蓋部20的情況，將蓋部20置於容器部10上方時的高度、橫寬及縱長宜在前述範圍。此處，「由容器部與把手部所構成的烤箱器皿的高度」，意指將本發明之由容器部與把手部所構成的烤箱器皿置於水平面時，該水平面的上面至由前述容器部與把手部所構成的烤箱器皿的最上部為止的最短距離。
「由容器部與把手部所構成的烤箱器皿的橫寬」，意指將本發明之由容器部與把手部所構成的烤箱器皿置於水平面時，前述烤箱器皿的水平方向的最大長。
「由容器部與把手部所構成的烤箱器皿的縱長」，意指將本發明之由容器部與把手部所構成的烤箱器皿置於水平面時，與前述橫寬方向正交的水平方向的最大長。
在本發明中，烤箱器皿的容器部的厚度係以0.3mm以上、5mm以下，1mm以上4mm以下為較佳。「烤箱器皿的容器部的厚度」意指圖1的X所表示的厚度，並且為測定處的最薄厚度。
另一個形態中，「烤箱器皿的容器部的厚度」意指在烤箱器皿的容器部的任意處，從與收納食材等的空間相接的表面(亦即烤箱器皿的內壁)至與前述空間相接的表面相反側的表面(亦即烤箱器皿的外壁)為止的最短距離。
前述烤箱器皿的容器部的厚度可藉由例如游標尺作測定。
本發明之烤箱器皿的形狀並不受特別限定，可適當地選擇長方體、正方體、卵圓形，如圖1Y所示般，使底部與側壁的邊界彎曲的形狀等。
尤其卵圓形、或如圖1Y所示般，使底部與側壁的邊界彎曲的形狀等，由於烤箱器皿的內壁容易洗淨、烤箱器皿的外壁沒有角，因此可良好地保持強度，而為適合。
此外，在使用時，將容器部10收納了作為調理對象的食材等的烤箱器皿由烤箱取出時，會有把手部2因為食材等的重量而變形的顧慮。因此，從提升強度的觀點看來，烤箱器皿的把手部2的厚度亦可高於容器部10的厚度，前述烤箱器皿的把手部的厚度可藉由例如游標尺作測定。
在本發明之烤箱器皿具有蓋部20的情況，蓋部20的形狀不受特別限定，宜為以可取下的方式載置於把手部2的上部的形狀。
(樹脂組成物)
本發明之烤箱器皿是由含有液晶聚酯樹脂及滑石填料的樹脂組成物成形的烤箱器皿。亦即，本發明之烤箱器皿是含有液晶聚酯樹脂及滑石填料的樹脂組成物的成形體。
(液晶聚酯樹脂)
本發明之烤箱器皿所關連的液晶聚酯樹脂(以下會有記載為「液晶聚酯」的情形)，是具有衍生自羥基羧酸的重複單元以作為液晶原基的樹脂。此處，「羥基羧酸」意指一分子中同時具有羥基(-OH)及羧基(-C(=O)-OH)的化合物。
此處「衍生」意指化學構造因為聚合而發生變化。
前述液晶聚酯是在熔融狀態表現出液晶性的液晶聚酯，宜為在250℃以上、450℃以下的溫度熔融。液晶聚酯宜為只以芳香族化合物作為原料單體的全芳香族液晶聚酯。
前述液晶聚酯的例子，可列舉芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸與選自芳香族二醇、芳香族羥基胺及芳香族二胺所構成的群組中的至少1個化合物聚合(亦即聚縮合)而成的液晶聚酯、多種芳香族羥基羧酸聚合而成的液晶聚酯，以及聚對苯二甲酸乙二酯等的聚酯與芳香族羥基羧酸聚合而成的液晶聚酯。
此處，芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸、芳香族二醇、芳香族羥基胺及芳香族二胺各自獨立，其一部分或全部可改成可進行聚合的衍生物。
如芳香族羥基羧酸及芳香族二羧酸般的具有羧基的化合物的可進行聚合的衍生物的例子，可列舉使羧基轉換為烷氧羰基或芳香氧基羰基而成的衍生物(亦稱為酯)、使羧基轉換為鹵代甲醯基而成的衍生物(亦稱為酸鹵化物)、及使羧基轉換為醯氧基羰基而成的衍生物(亦 稱為酸酐)。
如芳香族羥基羧酸、芳香族二醇及芳香族羥基胺般的具有羥基的化合物的可進行聚合的衍生物的例子，可列舉使羥基醯基化而轉換為醯氧基而成的衍生物(亦稱為醯化物)。
如芳香族羥基胺及芳香族二胺般的具有胺基的化合物的可進行聚合的衍生物的例子，可列舉使胺基醯基化而轉換為醯胺基而成的衍生物(亦稱為醯化物)。
前述液晶聚酯宜具有至少1個下述一般式(1)所表示的重複單元(以下會有稱為「重複單元(1)」的情形)。重複單元(1)相當於上述液晶原基。
(1)-O-Ar1-CO-(式中，Ar1表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基，Ar1所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)。
可取代Ar1所表示之基中的至少1個氫原子的鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
可取代Ar1所表示之基中的至少1個氫原子的烷基，宜為碳數1~10之烷基，可列舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正己基、正庚基、2-乙基己基、正辛基、正壬基及正癸基基等。
可取代Ar1所表示之基中的至少1個氫原子的 芳香基宜為碳數6~20之芳香基，可列舉例如苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基等般的單環式芳香族基；如1-萘基、2-萘基等般的縮環式芳香族基。
在Ar1所表示之基中的至少1個氫原子經這些基取代的情況，其取代數宜為1個或2個，較佳為1個。
重複單元(1)是衍生自芳香族羥基羧酸的重複單元。
重複單元(1)宜為Ar1為1,4-伸苯基的重複單元(例如衍生自4-羥基安息香酸的重複單元)、及Ar1為2,6-伸萘基的重複單元(例如衍生自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元)。
亦即，前述液晶聚酯的例子，係以具有衍生自4-羥基安息香酸(亦稱為對羥基安息香酸)的重複單元及衍生自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元之中至少1種重複單元的液晶聚酯為佳，具有衍生自4-羥基安息香酸的重複單元的液晶聚酯為較佳。
另一個形態中，前述液晶聚酯係以具有至少1個下述一般式(2)所表示的重複單元(以下會有稱為「重複單元(2)」的情形)與至少1個下述一般式(3)所表示的重複單元(以下會有稱為「重複單元(3)」的情形)的液晶聚酯為佳，重複單元(1)，具有重複單元(2)及重複單元(3)的液晶聚酯為較佳。在液晶聚酯之中，重複單元(2)及重複單元(3)分別可為多種。重複單元(1)宜具有Ar1為1,4-伸苯基的重複單元及2,6-伸萘 基的重複單元的至少1種。
(2)-CO-Ar2-CO-
(3)-X-Ar3-Y-(式中，Ar2及Ar3各自獨立地表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或下述一般式(4)所表示之基；X及Y各自獨立地表示氧原子或亞胺基(-NH-)；Ar2或Ar3所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)。
(4)-Ar4-Z-Ar5-(式中，Ar4及Ar5各自獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)。
可取代Ar2或Ar3所表示之基中的至少1個氫原子的鹵素原子、烷基及芳香基，可列舉與前述可取代Ar1所表示之基中的至少1個氫原子的鹵素原子、烷基及芳香基相同的基。
在Ar2或Ar3所表示之基中的至少1個氫原子經這些基取代的情況，其取代數，Ar2或Ar3所表示的前述基各自獨立，宜為1個或2個，較佳為1個。
Z所表示之前述亞烷基，宜為碳數為1~10之亞烷基，可列舉例如亞甲基、亞乙基、異亞丙基、正亞丁基及2-乙基亞己基等。
重複單元(2)是衍生自芳香族二羧酸的重複 單元。
重複單元(2)可列舉例如Ar2為1,4-伸苯基的重複單元(例如衍生自對苯二甲酸的重複單元)、Ar2為1,3-伸苯基的重複單元(例如衍生自間苯二甲酸的重複單元)、Ar2為2,6-伸萘基的重複單元(例如衍生自2,6-萘二甲酸的重複單元)、Ar2為4,4'-伸聯苯基的重複單元(例如衍生自4,4'-二羧基聯苯基的重複單元)、及Ar2為二苯醚-4,4'-二基的重複單元(例如衍生自4,4'-二羧基二苯基醚的重複單元)。合適的重複單元(2)，可列舉Ar2為1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-伸萘基及4,4'-伸聯苯基的重複單元。液晶聚酯可至少含有1種上述重複單元作為重複單元(2)。
液晶聚酯係以具有Ar2為1,4-伸苯基的重複單元及Ar2為1,3-伸苯基的重複單元的至少1種重複單元作為重複單元(2)為佳，具有Ar2為1,4-伸苯基的重複單元為較佳。
重複單元(3)是衍生自選自芳香族二醇、芳香族羥基胺及芳香族二胺所構成的群組中的至少一種的化合物的重複單元。
重複單元(3)可列舉Ar3為1,4-伸苯基的重複單元(例如衍生自氫醌的重複單元、衍生自4-乙醯氧基胺基酚等的對胺基酚的重複單元或衍生自對苯二胺的重複單元)、Ar3為1,3-伸苯基的重複單元(例如衍生自1,3-苯二醇的重複單元、衍生自間胺基酚的重複單元、或衍生自 間苯二胺的重複單元)、Ar3為2,6-伸萘基的重複單元(例如衍生自2,6-二羥基萘的重複單元、衍生自2-羥基-6-胺基萘的重複單元、或衍生自2,6-二胺基萘的重複單元)、Ar3為4,4'-伸聯苯基的重複單元(例如衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元、衍生自4-胺基-4'-羥基聯苯基的重複單元、或衍生自4,4'-二胺基聯苯基的重複單元)、Ar3為二苯醚-4,4'-二基的重複單元(例如衍生自4,4'-二羥基二苯醚的重複單元、衍生自4-羥基-4'-胺基二苯醚的重複單元、由4,4'-二胺基二苯醚所產生的重複單元)等。合適的重複單元(3)，可列舉Ar3為1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-伸萘基及4,4'-伸聯苯基的重複單元。此外，液晶聚酯可至少含有1種上述重複單元作為重複單元(3)。
液晶聚酯係以具有Ar3為1,4-伸苯基的重複單元及Ar3為4,4'-伸聯苯基的重複單元之中至少1種重複單元作為重複單元(3)的液晶聚酯為佳，具有Ar3為4,4'-伸聯苯基的重複單元的液晶聚酯為較佳。
前述液晶聚酯係以具有X及Y分別為氧原子的重複單元，亦即具有衍生自既定芳香族二醇的重複單元作為重複單元(3)為佳，僅具有X及Y分別為氧原子的重複單元作為重複單元(3)為較佳。
亦即，前述液晶聚酯的一個形態，係以具有下述一般式(21)所表示的重複單元(以下會有稱為「重複單元(21)」的情形)與下述一般式(31)所表示的重複單元(以下會有稱為「重複單元(31)」的情形)的液 晶聚酯為較佳，具有重複單元(1)、重複單元(21)及重複單元(31)的液晶聚酯為更佳。此處，重複單元(1)宜為Ar1為1,4-伸苯基的重複單元及2,6-伸萘基的重複單元之中至少1種重複單元。
(21)-CO-Ar21-CO-
(31)-O-Ar31-O-(式中，Ar21及Ar31各自獨立地表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、2,6-伸萘基或4,4'-伸聯苯基；Ar21或Ar31所表示之基中的至少1個氫原子各自獨立地可經鹵素原子、烷基或芳香基取代)。
重複單元(1)的含量，相對於構成本發明所關連的液晶聚酯的全部重複單元的合計含量，宜為30莫耳%以上，較佳為40莫耳%以上80莫耳%以下，更佳為50莫耳%以上70莫耳%以下，特佳為55莫耳%以上70莫耳%以下。此外，在重複單元(1)由2種以上的化合物衍生的情況，全部重複單元(1)的含量在上述範圍。
另一個形態中，前述液晶聚酯中的重複單元(1)的含量，在將重複單元(1)、重複單元(2)及重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，宜為30莫耳%以上，較佳為40莫耳%以上80莫耳%以下，更佳為50莫耳%以上70莫耳%以下，特佳為55莫耳%以上70莫耳%以下。
重複單元(1)宜至少具有衍生自對羥基安息 香酸的重複單元。亦即，重複單元(1)可為衍生自對羥基安息香酸的重複單元，或多個重複單元(1)之中的1個為衍生自對羥基安息香酸的重複單元。在任一情況，衍生自對羥基安息香酸的重複單元的含量，相對於構成本發明所關連的液晶聚酯的全部重複單元的合計含量，宜為40莫耳%以上，較佳為45莫耳%以上80莫耳%以下，更佳為50莫耳%以上70莫耳%以下，特佳為55莫耳%以上65莫耳%以下。
衍生自對羥基安息香酸的重複單元的含量，較理想的情況下，在將重複單元(1)、重複單元(2)及重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，宜為40莫耳%以上，較佳為45莫耳%以上80莫耳%以下，更佳為50莫耳%以上70莫耳%以下，特佳為55莫耳%以上65莫耳%以下。
若重複單元(1)的含量高於80莫耳%，則會成為加工溫度變高，造成外觀不良的原因，因此宜為80莫耳%以下。
重複單元(2)的含量，相對於構成本發明所關連的液晶聚酯的全部重複單元的合計含量，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為15莫耳%以上30莫耳%以下，特佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。此外，在重複單元(2)為衍生自2種以上的化合物的情況，全部重複單元(2)的含量在上述範圍。
另一個形態中，前述液晶聚酯中的重複單元(2)的含量，在將重複單元(1)、重複單元(2)及重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為15莫耳%以上30莫耳%以下，特佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。
重複單元(2)宜至少具有衍生自對苯二甲酸的重複單元。亦即，重複單元(2)可為衍生自對苯二甲酸的重複單元，或多個重複單元(2)之中的1個為衍生自對苯二甲酸的重複單元。在任一情況，衍生自對苯二甲酸的重複單元的含量，相對於構成本發明所關連的液晶聚酯的全部重複單元的合計含量，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為10莫耳%以上20莫耳%以下，特佳為11莫耳%以上18莫耳%以下。
衍生自對苯二甲酸的重複單元的含量，較理想的情況下，在將重複單元(1)、重複單元(2)及重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為10莫耳%以上20莫耳%以下，特佳為11莫耳%以上18莫耳%以下。
若重複單元(2)的含量在10莫耳%以上，則可對成形的烤箱器皿賦予足夠的耐熱性，並可提高在烤箱中使用時的強度。
重複單元(3)的含量，相對於構成前述液晶 聚酯的全部重複單元的合計含量，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為15莫耳%以上30莫耳%，特佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。此外，在重複單元(3)衍生自2種以上的化合物的情況，全部重複單元(3)的含量在上述範圍。
另一個形態中，前述液晶聚酯中的重複單元(3)的含量，在將重複單元(1)、重複單元(2)及重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為15莫耳%以上30莫耳%以下，再更佳為17莫耳%以上30莫耳%以下，又再更佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。
重複單元(3)宜至少具有衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元。亦即，重複單元(3)可為衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元，或多個重複單元(3)之中的1個為衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元。任一情況，衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元的含量，相對於構成本發明所關連的液晶聚酯的全部重複單元的合計含量，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為11莫耳%以上30莫耳%以下，再更佳為11.5莫耳%以上25莫耳%以下，又再更佳為12莫耳%以上21莫耳%以下。
衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元的含量，較理想的情況下，在將重複單元(1)、重複單元(2)及重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，宜為35莫耳%以 下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為11莫耳%以上30莫耳%以下，再更佳為11.5莫耳%以上25莫耳%以下，又再更佳為12莫耳%以上21莫耳%以下。
此外，前述液晶聚酯可各自獨立地至少具有2種重複單元(1)~(3)。另外，前述液晶聚酯亦可具有重複單元(1)~(3)以外的重複單元，其含量，相對於全部重複單元的合計含量宜為0莫耳%以上10莫耳%以下，較佳為0莫耳%以上5莫耳%以下。
前述液晶聚酯，宜為藉由使構成其之重複單元所對應的原料單體熔融聚合，並使所得到的聚合物(預聚物)固相聚合來製造。藉此可操作性良好地製造出耐熱性或強度、剛性高的高分子量的液晶聚酯。熔融聚合可在觸媒的存在下進行。前述觸媒的例子，可列舉醋酸鎂、醋酸亞錫、四丁基鈦酸酯、醋酸鉛、醋酸鈉、醋酸鉀、三氧化銻等的金屬化合物；N,N-二甲基胺基吡啶、N-甲基咪唑等的含氮雜環式化合物，宜為含氮雜環式化合物。
前述液晶聚酯的流動起始溫度宜為270℃以上，較佳為270℃以上400℃以下，更佳為280℃以上380℃以下。前述液晶聚酯的流動起始溫度愈高，耐熱性或強度、剛性愈容易提升，若太高(亦即若超過上述上限值)，則為了使其熔融而需要高溫，在成形時容易熱劣化、或熔融時的黏度變高，流動性降低。亦即，若前述液晶聚酯的流動起始溫度在上述範圍內，則耐熱性或強度、剛性容易提升，且使其熔融時不需要高溫，成形時不易熱 劣化、熔融時的黏度不會變得過高，流動性不易降低。
此外，「流動起始溫度」亦被稱為流動溫度或flow temperature，是使用毛細管流變儀，在9.8MPa(100kgf/cm2)的荷重下，以4℃/分鐘的速度昇溫，同時使液晶聚酯熔融，由內徑1mm及長度10mm的噴嘴擠出時，呈現4800Pa．s(48000泊)的黏度的溫度，並且是大概估計液晶聚酯分子量的溫度(參考小出直之編、「液晶聚合物-合成．成形．應用-」、CMC股份有限公司、1987年6月5日、p.95)。
液晶聚酯的含量係以相對於樹脂組成物的總質量為40~70質量%為佳。液晶聚酯的含量，係以相對於樹脂組成物的總質量為43質量%以上為較佳，45質量%為更佳，50質量%以上再更佳。另外，液晶聚酯的含量，係以相對於樹脂組成物的總質量為65質量%以下為較佳，63質量%為更佳。
(滑石填料)
本發明之烤箱器皿所關連的滑石填料，宜為將含水矽酸鎂粉碎而成的物體。含水矽酸鎂的分子的結晶構造為葉蠟石型三層構造，滑石填料是此構造堆積而成的物體。滑石係以將含水矽酸鎂的分子結晶微粉碎至單位層程度的平板狀滑石為較佳。
滑石填料的平均粒徑係以5μm以上30μm以下為佳，10μm以上25μm以下為較佳。若平均粒徑在前 述下限值以上、則烤箱器皿不易產生流痕，可製成良好的外觀。另外，若在前述上限值以下，則滑石填料粒子不易出現在烤箱器皿的表面，因此可製成良好的外觀。若滑石填料的平均粒徑過小，則會有成形體的表面發泡等外觀受損的傾向，而且還會有成形體的耐熱性降低的情形。另外，若滑石填料的平均粒徑大於30μm，則會有滑石以白點的形式出現在成形體表面的情形，而會有外觀受損的傾向，因此宜為30μm以下。
此處「滑石填料的平均粒徑」可藉由以下測定方法求得。
將滑石填料的粉末0.1g添加至0.2質量%六偏磷酸鈉水溶液50ml中，得到分散前述粉末而成的分散液。
接下來，對於所得到的分散液，使用Malvern公司製的Mastersizer 2000(雷射繞射散射粒度分布測定裝置)測定粒度分布，得到體積基準的累積粒度分布曲線。所得到的累積粒度分布曲線中，累積50%時從微小粒子側所得到的粒徑值為50%累積體積粒度D50，以此值作為滑石填料的平均粒徑。
滑石填料可不經處理直接使用、或可為了提升液晶聚酯的界面接著性、或對液晶聚酯的分散性，以周知的各種界面活性劑對表面實施處理而使用。界面活性劑可列舉例如矽烷偶合劑、鈦偶合劑、高碳脂肪酸、高碳脂肪酸酯、高碳脂肪酸醯胺、高碳脂肪酸鹽類等。
在本發明中，滑石填料的含量，係以相對於 液晶聚酯樹脂100質量份為55質量份以上、100質量份以下，以60質量份以上90質量份以下為佳，60質量份以上80質量份以下為較佳。若滑石填料的含量超過100質量份，則樹脂組成物的比重變高，所得到的烤箱器皿會有強度降低的傾向。
(氧化鈦填料)
在本發明中，前述樹脂組成物宜含有氧化鈦填料。氧化鈦填料只要主成分為氧化鈦即可，亦可含有並非刻意含有的雜質。本發明所使用的氧化鈦填料，可直接使用以樹脂填充用的氧化鈦填料的形式市售的物品。此外，此處所謂的主成分意指含有90%以上。
氧化鈦填料的結晶形並不受特別限定，可為金紅石型或銳鈦礦型，亦可將兩者混合。在本發明中，宜採用折射率大於銳鈦礦型氧化鈦填料的金紅石型氧化鈦填料。
另外，氧化鈦填料亦可實施表面處理。
例如，可藉由使用無機金屬氧化物實施表面處理，以提升分散性等的特性。無機金屬氧化物宜使用例如氧化鋁(亦即Alumina)。
在本發明中，只要在製造步驟中不會發生凝集等，使用上沒有問題，則從耐熱性或強度的觀點看來，宜使用並未經過表面處理的氧化鈦。
氧化鈦填料的平均粒徑並不受特別限定，可 適當地選擇。
氧化鈦填料的平均粒徑係以定在0.10~1μm為佳，0.15~0.25μm為較佳。
在本發明中，「氧化鈦填料的平均粒徑」，意指氧化鈦粒子的最長尺寸。
在氧化鈦填料在平均粒徑測定用溶劑中充分凝集等的情況，首先以掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)對外觀進行攝影。進一步使用影像解析裝置(例如Nireco股份有限公司製「LUZEX IIU」等)，由其SEM照片，將一次粒徑的各粒徑區間的粒子量(%)描點作圖，求得分布曲線。然後，由該分布曲線求得累積度50%的值，可得到體積平均粒徑(氧化鈦填料的平均粒徑)。另一方面，在氧化鈦填料並未在平均粒徑測定用的溶劑中充分凝集等的情況，可藉由雷射繞射等求得氧化鈦填料的平均粒徑。
氧化鈦填料的含量係以相對於液晶聚酯樹脂100質量份為1質量份以上20質量份以下為佳，1質量份以上15質量份以下為較佳，2質量份以上13質量份以下為更佳。在氧化鈦使用多種填充材的混合物的情況，其合計量只要在該摻合量的範圍內即可。
藉由設定在上述範圍內，烤箱器皿表面外觀良好。
(顏料)
本發明之烤箱器皿所關連的樹脂組成物宜含有顏料。 樹脂組成物所含有的顏料只要因應烤箱器皿的式樣適當地選擇即可，前述顏料可列舉氧化鋁、氧化鐵、氧化鈷、氧化鉻、氧化錳、群青、複合氧化物(例如Pigment Yellow 53、Pigment Red 233、Pigment Blue 35、Pigment Green 50、Pigment Brown 31等)、碳黑等的無機填充劑。尤其在本發明中，係以含有無機填充材作為顏料為佳，含有碳黑為較佳。此外，前述氧化鈦填料及滑石填料並不包括在本發明的顏料之內。此外，前述顏料可單獨使用一種或同時使用兩種以上。
在本發明中，顏料的摻合量係以相對於液晶聚酯樹脂100質量份為1質量份以上10質量份以下為佳，1質量份以上5質量份以下為較佳，2質量份以上3質量份以下為更佳。此外，在同時使用兩種以上的顏料的情況，全部顏料的摻合量在上述範圍。
另外，在顏料使用碳黑的情況，其摻合量係以相對於液晶聚酯樹脂100質量份為1質量份以上10質量份以下為佳，1質量份以上5質量份以下為較佳，2質量份以上3質量份以下為更佳。所使用的碳黑並無限制，宜使用符合美國FDA的21 CFR 178.3297的碳黑。
符合美國FDA的21 CFR 178.3297的碳黑，可列舉Cabot Corporation公司的BLACK PEARLS 4350、BLACK PEARLS 4750、Orion Engineered Carbons公司的PRINTEX F80、PRINTEX F85等。
本發明之液晶性樹脂組成物中，在不損及本 發明目的程度的範圍，可添加脫模劑(例如褐煤酸及其鹽、其酯、其半酯、硬脂醯醇、硬脂醯胺及聚乙烯蠟等)、抗氧化劑及熱安定劑(例如受阻酚、氫醌、亞磷酸酯類及該等的取代物等)、紫外線吸收劑(例如間苯二酚、柳酸鹽、苯并三唑、二苯酮等)、可塑劑、阻燃劑、難燃助劑、抗靜電劑、界面活性劑等的通常的添加劑或其他熱塑性樹脂(氟樹脂等)來賦予既定特性。
本發明之液晶性樹脂組成物，可進一步藉由添加高碳脂肪酸金屬鹽來提升成形加工性。此外，此處所謂的「高碳脂肪酸」意指碳數12以上的脂肪酸，宜為碳數12~22之脂肪酸，該等的具體例，可列舉月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、及山嵛酸等。另外，本發明所使用的高碳脂肪酸金屬鹽，從所得到的液晶性樹脂組成物的成形加工性的觀點看來，係以具有150℃以上的熔點為佳，具有200℃以上的熔點為較佳。具體而言，可列舉硬脂酸鈣、月桂酸鈣、山萮酸鈣、硬脂酸鋇、月桂酸鋇、山嵛酸鋇、硬脂酸鋁、硬脂酸鋰、山嵛酸鋰、硬脂酸鉀、及硬脂酸鈉，宜為例如硬脂酸鋇、月桂酸鋇、山嵛酸鋇、硬脂酸鋰、山嵛酸鋰、硬脂酸鉀、及硬脂酸鈉，較佳為例如硬脂酸鉀、及山萮酸鈣。此外，在本發明中，高碳脂肪酸的熔點可藉由利用示差熱量測定，由室溫以20℃/分鐘的昇溫條件進行測定時所觀測到的吸熱峰溫度來測定。上述高碳脂肪酸金屬鹽，在將前述液晶聚酯及填充材的合計含量定為100質量份時，通常為1.0質量份以下，宜為0.5質量 份以下，較佳為0.1質量份以下。
在本實施形態之中，在樹脂組成物含有前述添加劑的情況，前述樹脂組成物中的添加劑的含量，在將前述液晶聚酯及填充材的合計含量定為100質量份時，宜高於0質量份且在5質量份以下。
本發明之烤箱器皿為射出成形的烤箱器皿。
本發明之烤箱器皿也適合在200℃以上的高溫下使用。
另外，本發明之烤箱器皿宜為由荷重變形溫度在250℃以上且未達270℃的樹脂組成物成形的烤箱器皿。亦即，本發明之烤箱器皿宜為荷重變形溫度在250℃以上且未達270℃的樹脂組成物的成形體。荷重變形溫度可藉由後述實施例所記載的方法來測定。
在烤箱中以200℃以上的高溫來使用的烤箱器皿，若其尺寸為大型，則會有在高溫下使用時發生變形，或掉落時成形品破裂的課題。
本發明之烤箱器皿，藉由採用上述既定荷重變形溫度的樹脂組成物，即使是內容積為500mL以上、6L以內的大型烤箱器皿，強度也很優異。
《烤箱器皿成形用樹脂組成物》
本發明之第2態樣為烤箱器皿成形用樹脂組成物。
關於本發明之烤箱器皿成形用樹脂組成物的說明，與上述本發明之第1的態樣的烤箱器皿成形所使用的樹脂組 成物所說明的樹脂組成物相同。
本發明之烤箱器皿成形用樹脂組成物的製造方法，包括將上述本發明之第1態樣的烤箱器皿成形所使用的樹脂組成物、滑石填料、氧化鈦，依照希望以既定摻合比與顏料摻合、混練。
本發明之烤箱器皿的另一個形態為具有容器部與把手部的烤箱器皿，並且前述烤箱器皿為含有液晶聚酯樹脂及滑石填料的樹脂組成物的成形體，前述滑石填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為55質量份以上、100質量份以下，前述烤箱器皿的內容積為500mL以上、6L以下，前述容器部的厚度為0.3mm以上、5mm以下。
前述滑石填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份，宜為60質量份以上90質量份以下，較佳為60質量份以上80質量份以下。
前述液晶聚酯樹脂，宜至少具有前述重複單元(1)、前述重複單元(2)、與前述重複單元(3)。此外，在將前述重複單元(1)、前述重複單元(2)及前述重複單元(3)的合計含量定為100莫耳%時，前述重複單元(1)的含量，宜為30莫耳%以上，較佳為40莫耳%以上80莫耳%以下，更佳為50莫耳%以上70莫耳%以下，特佳為55莫耳%以上70莫耳%以下，前述重複單元(2)的含量，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為15莫耳%以上30莫耳%以下， 特佳為17.5莫耳%以上27。5莫耳%以下，前述重複單元(3)的含量，宜為35莫耳%以下，較佳為10莫耳%以上35莫耳%以下，更佳為15莫耳%以上30莫耳%，特佳為17.5莫耳%以上27.5莫耳%以下。
前述重複單元(1)宜為選自衍生自對羥基安息香酸的重複單元與衍生自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元所構成的群組中的至少1種重複單元。前述重複單元(2)宜為選自衍生自對苯二甲酸的重複單元與衍生自間苯二甲酸的重複單元所構成的群組中的至少1種重複單元，含有這些重複單元的兩種為較佳。前述重複單元(3)宜為選自衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元與衍生自4-乙醯氧基胺基酚的重複單元所構成的群組中的至少1種重複單元，可只含有其中的任一種重複單元，亦可含有該等的兩者。
前述液晶聚酯樹脂，係以前述重複單元(1)為衍生自對羥基安息香酸的重複單元與衍生自6-羥基-2-萘甲酸的重複單元，前述重複單元(2)為衍生自對苯二甲酸的重複單元及衍生自間苯二甲酸的重複單元，前述重複單元(3)為衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元的液晶聚酯樹脂；前述重複單元(1)為衍生自對羥基安息香酸的重複單元，前述重複單元(2)為衍生自對苯二甲酸的重複單元及衍生自間苯二甲酸的重複單元，前述重複單元(3)為衍生自4,4'-二羥基聯苯基的重複單元及衍生自4-乙醯氧基胺基酚的重複單元的液晶聚酯樹脂等為佳。
上述烤箱器皿宜由荷重變形溫度在250℃以上且未達270℃的樹脂組成物成形。亦即，上述烤箱器皿宜為荷重變形溫度在250℃以上且未達270℃的樹脂組成物的成形體。
本發明之烤箱器皿的另一個形態為前述烤箱器皿除了含有液晶聚酯樹脂及滑石填料之外，還進一步含有選自氧化鈦填料及顏料所構成的群組中的至少1者的樹脂組成物的成形體。
前述顏料可列舉氧化鋁、氧化鐵、氧化鈷、氧化鉻、氧化錳、群青、複合氧化物、碳黑等的無機填充劑等，以無機材料為佳，碳黑為較佳。
在烤箱器皿含有氧化鈦填料的情況，氧化鈦填料的含量，相對於液晶聚酯樹脂100質量份為1質量份以上20質量份以下，宜為1質量份以上15質量份以下，較佳為2質量份以上13質量份以下。
在烤箱器皿含有顏料的情況，顏料的摻合量係以相對於液晶聚酯樹脂100質量份為1質量份以上10質量份以下為佳，1質量份以上5質量份以下為較佳，2質量份以上3質量份以下為更佳。在顏料使用上述任一種或2種以上的情況，所摻合的顏料的總含量只要在此範圍即可。
上述烤箱器皿宜由荷重變形溫度在250℃以上且未達270℃的樹脂組成物成形。亦即，上述烤箱器皿宜為荷重變形溫度在250℃以上且未達270℃的樹脂組成物的成形體。
本發明之另一個形態為一種含有液晶聚酯樹脂、滑石填料及氧化鈦填料的樹脂組成物的使用，其係烤箱器皿的成形用。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明較具體地說明，然而本發明並不受以下的實施例所限定。
[液晶聚酯1的製造方法]
在具備攪拌裝置、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝管的反應器中裝入對羥基安息香酸994.5g(7.2莫耳)、4,4'-二羥基聯苯基446.99(2.4莫耳)、對苯二甲酸299.0g(1.8莫耳)、間苯二甲酸99.7g(0.6莫耳)及醋酸酐1347.6g(13.2莫耳)，並添加1-甲基咪唑0.2g，將反應器內充分以氮氣置換。
然後，在氮氣流下花費30分鐘由室溫昇溫至150℃，保持同溫度並回流1小時。
接下來，將副產生醋酸或未反應的醋酸酐餾除，同時花費2小時50分鐘由150℃昇溫至320℃，在觀察到扭力上昇的時間點使反應結束，而得到預聚物。
將所得到的預聚物冷卻至室溫，並以粗粉碎機進行粉碎。使所得到的預聚物的粉末在氮氣環境下，花費1小時由室溫昇溫至250℃，花費5小時由250℃昇溫至285℃，在285℃下保持3小時，以進行固相聚合。所得到的 液晶聚酯1的流動起始溫度為327℃。
[液晶聚酯2的製造方法]
在具備攪拌裝置、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝管的反應器中裝入對羥基安息香酸994.5g(7.2莫耳)、4,4'-二羥基聯苯基446.9g(2.4莫耳)、對苯二甲酸239.2g(1.4莫耳)、間苯二甲酸159.5g(1.0莫耳)及醋酸酐1347.6g(13.2莫耳)，並添加1-甲基咪唑0.2g，將反應器內充分以氮氣置換。
然後，在氮氣流下花費30分鐘由室溫昇溫至150℃，保持在相同溫度，並回流1小時。
接下來，將副產生的醋酸或未反應的醋酸酐餾除，同時花費2小時50分鐘由150℃昇溫至320℃，在觀察到扭力上昇的時間點使反應結束，而得到預聚物。
使所得到的預聚物冷卻至室溫，並以粗粉碎機進行粉碎。使所得到的預聚物的粉末在氮氣環境下，花費1小時由室溫昇溫至190℃，花費5小時由190℃昇溫至240℃，在240℃下保持8小時，以進行固相聚合。所得到的液晶聚酯2的流動起始溫度為290℃。
[液晶聚酯3的製造方法]
在具備攪拌裝置、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝管的反應器中裝入對羥基安息香酸1130.4g(8.2莫耳)、6-羥基-2-萘甲酸128.4g(0.7莫耳)、4,4'-二羥基 聯苯基52.2g(1.7莫耳)對苯二甲酸400.8g(2.4莫耳)、4-乙醯氧基胺基酚103.2g(0.7莫耳)及醋酸酐1357.6g(13.3莫耳)，並添加1-甲基咪唑0.2g，將反應器內充分以氮氣置換。
然後，在氮氣流下花費30分鐘由室溫昇溫至150℃，保持在相同溫度，並回流1小時。
接下來，將副產生的醋酸或未反應的醋酸酐餾除，同時花費4小時30分鐘由150℃昇溫至340℃，然後減壓至10Torr(1Torr表示1mmHg)，將副產生的醋酸或未反應的醋酸酐餾除，所得到的液晶聚酯3的流動起始溫度為320℃。
[液晶聚酯4的製造方法]
在具備攪拌裝置、扭力計、氮氣導入管、溫度計及回流冷凝管的反應器中裝入對羥基安息香酸1130.4g(8.2莫耳)、6-羥基-2-萘甲酸128.4g(0.7莫耳)、4,4'-二羥基聯苯基52.2g(1.7莫耳)對苯二甲酸400.8g(2.4莫耳)、4-乙醯氧基胺基酚103.2g(0.7莫耳)及醋酸酐1357.6g(13.3莫耳)，並添加1-甲基咪唑0.2g，將反應器內充分以氮氣置換。
然後，在氮氣流下花費30分鐘由室溫昇溫至150℃，保持在相同溫度，回流1小時。
接下來，將副產生的醋酸或未反應的醋酸酐餾除，同時花費6小時30分鐘由150℃昇溫至360℃，然後減壓至 10Torr，將副產生的醋酸或未反應的醋酸酐餾除，所得到的液晶聚酯4的流動起始溫度為350℃。
[液晶聚酯樹脂組成物的製造]
對於上述所得到的液晶聚酯1~4，依照下述表1所示的摻合比摻合滑石、氧化鈦及碳黑。
然後，使用雙軸擠出機(池貝鐵工股份有限公司製，PCM-30)，得到液晶聚酯樹脂組成物。
[烤箱器皿的製造]
將所得到的液晶聚酯樹脂組成物，使用射出成形機，在330℃~340℃下成形，而得到烤箱器皿。
Figure 105109535-A0202-12-0035-1
表1中，[ ]表示摻合比(質量份)。
表1中，各記號表示以下的意思。
．LCP1~4．．．上述液晶聚酯1~4
．滑石A．．．口本滑石公司製的「X-50」、平均粒徑20μm
．滑石B．．．富士滑石公司製的「RL110」、平均粒徑15μm
．滑石C．．．日本滑石公司製的「MS-KY」、平均粒徑23μm
．GF．．．Central Glass Fiber股份有限公司製的「EHF75-01」
．氧化鈦1．．．石原產業公司製的「CR-60」、平均粒徑0.21μm
．氧化鈦2．．．石原產業公司製的「CR-58」、平均粒徑0.28μm
．CB1．．．三菱化學股份有限公司製的碳黑「#45LB」
．CB2．．．Cabot Corperation製的碳黑「BLACK PEARLS 4350」
．氧化鐵．．．戶田Pigment股份有限公司製的「130ED」
．F．．．烤箱器皿的形狀，且容量為3.6L、厚度為2mm、有把手
．G．．．烤箱器皿的形狀，且容量為200mL、厚度為2mm、有把手
[評估]
對於所得到的液晶聚酯樹脂組成物的荷重變形溫度進行評估。另外，針對所得到的烤箱器皿的外觀1、外觀2分別進行評估。
[荷重變形溫度]
荷重變形溫度(DTUL、單位「℃」)是依據ASTMD648進行測定。將其結果以「DTUL(℃)」記載於表2。
[外觀1]
以目視觀察成形的烤箱器皿的外觀，針對流痕，依照以下的階段進行判定。
1：對於觀察面，距離2公尺以上來觀察，也清楚觀察到流痕。
2：對於觀察面，接近1公尺以內，由任何方向皆可觀察到流痕。
3：對於觀察面，接近1公尺以內，由垂直方向與45度的方向清楚觀察到流痕。
4：對於觀察面，接近1公尺以內，僅由45度的方向可清楚觀察到流痕。
5：對於觀察面，接近1公尺以內，由任何角度皆幾乎觀察不到流痕。
[外觀2]
對於成形的烤箱器皿的外觀以目視觀察進行判定。判定是讓10人來觀察烤箱器皿的外觀，判斷是否感到烤箱器皿外觀有問題。表2記載了判斷外觀有問題的人數。此外，未評估的物品在表2中以「-」來表示。
Figure 105109535-A0202-12-0039-2
參考例1是以與實施例12相同樹脂組成物所製作出內容積低達200mL的烤箱器皿的例子。由參考例1及實施例12的外觀1的結果可知，小型烤箱器皿的射出成形，與大型烤箱器皿之射出成形相比，並未發生外觀不良或較不明顯。
參考例2是以與實施例6相同的樹脂組成物所製作出 內容積低達200mL的烤箱器皿的例子。由參考例2及實施例6的結果可知，小型烤箱器皿的射出成形，與大型烤箱器皿的射出成形相比，並未發生外觀不良或較不明顯。
如表2所示般，本發明之烤箱器皿，流痕受到抑制或沒有發生，外觀良好，而且強度亦優異。
[產業上的可利用性]
本發明可提供一種外觀優異的大型烤箱器皿、及適合使用於前述烤箱器皿的烤箱器皿成形用樹脂組成物，因此產業上極為有用。

Claims (11)

  1. 一種烤箱器皿，其係具有容器部與把手部之烤箱器皿，並且前述烤箱器皿係由含有液晶聚酯樹脂、滑石填料及氧化鈦填料的樹脂組成物成形的烤箱器皿，前述滑石填料的平均粒徑為超過10μm、30μm以下，前述滑石填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為55質量份以上、100質量份以下，前述氧化鈦填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為2質量份以上、13質量份以下，前述烤箱器皿的內容積為2L以上、6L以下，前述容器部的厚度為0.3mm以上、5mm以下。
  2. 如請求項1之烤箱器皿，其中前述樹脂組成物不含玻璃纖維。
  3. 如請求項1或2之烤箱器皿，其中前述液晶聚酯樹脂具有至少1個下述一般式(1)所表示的重複單元，(1) -O-Ar1-CO-(式中，Ar1表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基，Ar1所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)。
  4. 如請求項3之烤箱器皿，其中前述一般式(1)所表示的重複單元係衍生自對羥基安息香酸的重複單元，該重複單元的含量，相對於構成前述液晶聚酯的全部重複單元的合計含量為50莫耳%以上、70莫耳%以下。
  5. 如請求項1或2之烤箱器皿，其中前述液晶聚酯樹脂具有至少1個下述一般式(2)所表示的重複單元，(2) -CO-Ar2-CO-(式中，Ar2表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或下述一般式(4)所表示之基；Ar2所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)(4) -Ar4-Z-Ar5-(式中，Ar4及Ar5各自獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)。
  6. 如請求項5之烤箱器皿，其中前述一般式(2)所表示的重複單元係衍生自對苯二甲酸的重複單元，該重複單元的含量，相對於構成前述液晶聚酯的全部重複單元的合計含量為10莫耳%以上、20莫耳%以下。
  7. 如請求項1或2之烤箱器皿，其中在前述液晶聚酯樹脂之中，具有至少1個下述一般式(3)所表示的重複單元，(3) -X-Ar3-Y-(式中，Ar3表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或下述一般式(4)所表示之基；X及Y各自獨立地表示氧原子或亞胺基(-NH-)；Ar3所表示之基中的至少1個氫原子可各自獨立地經鹵素原子、烷基或芳香基取代)(4) -Ar4-Z-Ar5-(式中，Ar4及Ar5各自獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z 表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)。
  8. 如請求項7之烤箱器皿，其中前述一般式(3)所表示的重複單元相對於構成前述液晶聚酯的全部重複單元的合計含量為35莫耳%以下。
  9. 如請求項1或2之烤箱器皿，其中前述樹脂組成物進一步含有顏料。
  10. 如請求項1或2之烤箱器皿，其中前述樹脂組成物的荷重變形溫度為250℃以上且未達270℃。
  11. 一種如請求項1~10中任一項之烤箱器皿的成形用之樹脂組成物的使用，前述樹脂組成物含有液晶聚酯樹脂、滑石填料及氧化鈦填料，前述滑石填料的平均粒徑為超過10μm、30μm以下，前述滑石填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為55質量份以上、100質量份以下，前述氧化鈦填料的含量，相對於前述液晶聚酯樹脂100質量份為2質量份以上、13質量份以下。
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