TWI758783B - 追加曝光裝置以及圖案形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種追加曝光裝置以及圖案形成方法，其可避免因產生灰塵而污染基板。追加曝光裝置（16B）用於對通過對基板（800）上的感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案（801）進一步進行曝光。追加曝光裝置（16B）具有搬送機構（500）與多個發光二極體（101）。搬送機構（500）用於沿著與基板（800）的寬度方向（x）垂直的搬送方向（y）搬送基板（800）。多個發光二極體（101）用於產生針對由搬送機構（500）所搬送的基板（800）上的圖案（801）的光。

Description

追加曝光裝置以及圖案形成方法
本發明涉及一種追加曝光裝置以及圖案形成方法，且特別涉及一種對通過對基板上的感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案進一步進行曝光的追加曝光裝置、及基於自感光性樹脂膜的圖案形成方法。
在製造電子設備時廣泛使用微影（photolithography）。在微影中，通過圖案化曝光（使用具有圖案的光罩的曝光）及緊隨其後的顯影，而自塗布在基板上的感光性樹脂膜形成圖案。尤其在平板顯示器的製造中，例如將感光性聚醯亞胺膜或感光性丙烯酸膜用作平坦化膜，所述膜殘存在最終所獲得的製品中。作為圖案化曝光的光源，通常使用如水銀燈那樣的放電燈。顯影後，進行用於使圖案穩定化的後烘烤。
有時在顯影後、後烘烤前，因某些目的而對圖案實施追加曝光。在追加曝光中，與圖案化曝光不同，通常不需要光罩。例如，根據專利文獻1，通過微影而獲得負型感光性樹脂組成物的圖案後，進行作為追加曝光的漂白曝光（bleaching exposure）。作為所述漂白曝光的目的，可列舉圖案形狀的控制、及透明性的提升。另外，根據專利文獻2，在感光性透明丙烯酸樹脂的曝光及顯影後，對基板整個面進行追加曝光，由此使不需要的感光劑完全地反應，由此可提高透明度。另外，公開有為了通過短時間的光照射來高效地進行脫色而使用i射線（365 nm）。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2019-45865號公報 [專利文獻2]日本專利特開平9-152625號公報
[發明所要解決的問題] 追加曝光裝置優選可自如地控制光照射的開始及停止。由此，當生產線因某些故障而停止時，可停止光照射。另外，在可應對需要追加曝光的製品的製造、及不需要追加曝光的製品的製造兩者的生產線中，必須對應於製品的種類來開啟/關閉光照射。
典型的曝光用光源是放電燈。放電燈在剛被開啟之後光強度不穩定，典型的是穩定化需要20分鐘左右。因此，為了短時間內的光照射的開啟/關閉的切換而在短時間內開啟/關閉放電燈自身並不理想，通常為了所述目的而使用遮光器。遮光器具有可動部，因此運行時容易產生灰塵。有時因產生灰塵而污染基板。
本發明是為了解決如以上那樣的課題而成，其目的在於提供一種可避免因產生灰塵而污染基板的追加曝光裝置以及圖案形成方法。 [解決問題的技術手段]
為了解決所述問題，第一形態是一種追加曝光裝置，其對通過對基板上的感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案進一步進行曝光，包括：搬送機構，用於沿著與基板的寬度方向垂直的搬送方向搬送基板；以及多個發光二極體，用於向由搬送機構所搬送的基板上的圖案產生光。
第二形態根據第一形態的追加曝光裝置，其中發光二極體包含單波長發光二極體。
第三形態根據第一形態或第二形態的追加曝光裝置，其中多個發光二極體包含在寬度方向上配置在不同的位置的發光二極體。
第四形態根據第一形態至第三形態的追加曝光裝置，還包括多個支撐板，所述多個支撐板支撐多個發光二極體，排列在寬度方向上，在多個支撐板各者上，多個發光二極體以一個週期排列在寬度方向上，在多個支撐板中的相互鄰接的支撐板之間，多個發光二極體以比一個週期大的間隔在寬度方向上分離。
第五形態根據第四形態的追加曝光裝置，其中多個發光二極體在與搬送方向及寬度方向分別垂直的方向上，自所述搬送機構隔開比所述間隔大的尺寸。
第六形態根據第一形態至第五形態的追加曝光裝置，其中多個發光二極體包含沿著搬送方向排列的發光二極體。
第七形態是一種圖案形成方法，包括：將感光性樹脂膜塗布在基板上的步驟、及自感光性樹脂膜形成圖案的步驟。形成圖案的步驟包含對感光性樹脂膜進行曝光的步驟、及在對感光性樹脂膜進行曝光的步驟後對感光性樹脂膜進行顯影的步驟。圖案形成方法還包括一面搬送基板，一面對圖案照射來自發光二極體的光的步驟。
第八形態根據第七形態的圖案形成方法，其中對感光性樹脂膜進行曝光的步驟包含對感光性樹脂膜照射來自放電燈的光的步驟。 [發明的效果]
根據第一形態，針對通過對感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案的追加曝光由發光二極體來進行。追加曝光與在其之前進行的用於對感光性樹脂膜賦予圖案的圖案化曝光相比，通常不需要高的光強度。因此，即便是作為與放電燈相比難以獲得光強度的光源的發光二極體，通常也可以確保足夠的光強度。另外，發光二極體與放電燈相比，被開啟後光強度在短時間內穩定。因此，可通過作為光源的發光二極體自身的開啟/關閉來進行短時間內的光照射的開啟/關閉的切換。因此，追加曝光裝置不需要用於光照射的開啟/關閉的遮光器。因此，可避免因自遮光器產生灰塵而污染基板。
根據第二形態，發光二極體包含單波長發光二極體。由此，可提高追加曝光中的能量效率。由此，例如可避免由不必要的波長的光所引起的基板溫度的不必要的上升。
根據第三形態，多個發光二極體包含在寬度方向上配置在不同的位置的發光二極體。由此，可在寬度方向上，在寬廣的範圍內進行均勻性高的光照射。
根據第四形態，在多個支撐板的各支撐板上，多個發光二極體以一個週期排列在寬度方向上，在多個支撐板中的相互鄰接的支撐板之間，多個發光二極體以比一個週期大的間隔在寬度方向上分離。如此，在支撐板之間確保比較大的間隔，由此可容易地進行支撐發光二極體的支撐板的個別的更換。因此，可容易地僅更換多個發光二極體中的一部分。因此，可有效率地進行追加曝光裝置的保養。 根據第五形態，多個發光二極體在與搬送方向及寬度方向分別垂直的方向上，自所述搬送機構隔開比所述間隔大的尺寸。由此，來自發光二極體的光在到達基板之前，橫跨比發光二極體的間隔大的距離進行擴散。因此，可充分地抑制由所述間隔所引起的光強度的不均。
根據第六形態，多個發光二極體包含沿著搬送方向排列的發光二極體。來自沿著搬送方向排列的各發光二極體的光照射除時機以外，對在搬送方向上所搬送的基板給予大致相同的光照射。因此，可避免因發光二極體的一部分發生了故障而導致對於基板上的特定部位的光照射量顯著下降。
根據第七形態，可利用發光二極體來進行針對通過對感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案的追加曝光。追加曝光與在其之前進行的用於對感光性樹脂膜賦予圖案的圖案化曝光相比，通常不需要高的光強度。因此，即便是作為與放電燈相比難以獲得光強度的光源的發光二極體，通常也確保足夠的光強度。另外，發光二極體與放電燈相比，被開啟後光強度在短時間內穩定。因此，可通過作為光源的發光二極體自身的開啟/關閉來進行短時間內的光照射的開啟/關閉的切換。因此，追加曝光裝置不需要用於光照射的開啟/關閉的遮光器。因此，可避免因自遮光器產生灰塵而污染基板。
根據第八形態，為了用於自感光性樹脂膜形成圖案的圖案化曝光，而對感光性樹脂膜照射來自放電燈的光。由此，可容易地確保在圖案化曝光中需要的強光。
以下，根據圖式對本發明的實施方式進行說明。另外，在以下的圖式中，對相同或相當的部分附加相同的參照編號且不重複其說明。
圖1是概略性地表示本實施方式中的塗布顯影系統1（基板處理系統）的構成的平面圖。塗布顯影系統1具有控制部60、及由控制部60所控制的多個裝置。這些裝置包括：索引裝置11、清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、抗蝕劑塗布裝置14、預烘烤裝置15、圖案化曝光裝置16A、顯影裝置17、追加曝光裝置16B及後烘烤裝置18。
基板例如為用於如液晶顯示裝置那樣的平板顯示器用途的矩形的玻璃基板。在索引裝置11載置各自收納多個基板的多個匣盒。索引裝置11包含用於將基板放入匣盒/自匣盒中取出的索引機器人。在自索引裝置11至圖案化曝光裝置16A為止的去路，依次配置有清洗裝置12、脫水烘烤裝置13、抗蝕劑塗布裝置14及預烘烤裝置15。在自圖案化曝光裝置16A至索引裝置11為止的歸路，依次配置有顯影裝置17、追加曝光裝置16B及後烘烤裝置18。
圖2是概略性地表示控制部60（圖1）的構成的框圖（block diagram）。控制部60可包含具有電路的一般的電腦。具體而言，控制部60具有：中央處理器（Central Processing Unit，CPU）61、唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）62、隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）63、存儲裝置64、輸入部66、顯示部67及通信部68、以及將它們相互連接的匯流排65。
ROM 62保存基本程式。RAM 63供作CPU 61進行規定的處理時的作業區域。存儲裝置64包含快閃記憶體或硬碟裝置等非易失性存儲裝置。輸入部66包含各種開關或觸控式螢幕等，自操作員接受處理方法等輸入設定指示。顯示部67例如包含液晶顯示裝置及燈等，在CPU 61的控制下顯示各種資訊。通信部68具有經由局域網（Local Area Network，LAN）等的資料通信功能。在存儲裝置64中事先設定有關於構成塗布顯影系統1的各裝置的控制的多個模式。CPU 61執行處理程序64P，由此選擇所述多個模式中的一個模式，並通過所述模式來控制各裝置。另外，處理程序64P也可以存儲在記錄介質中。若使用所述記錄介質，則可將處理程序64P安裝在控制部60中。另外，控制部60所執行的功能的一部分或全部未必需要通過軟體來實現，也可以通過專用的邏輯電路等硬體來實現。
繼而，以下對使用塗布顯影系統1的圖案形成方法進行說明。
索引裝置11朝清洗裝置12搬送基板。在清洗裝置12中，對基板進行清洗處理。經清洗的基板被搬送至脫水烘烤裝置13。在脫水烘烤裝置13中進行脫水烘烤處理（利用加熱的脫水處理）。進行了脫水烘烤處理的基板被搬送至抗蝕劑塗布裝置14。在抗蝕劑塗布裝置14中，將感光性樹脂膜塗布在基板上（圖3：步驟S20）。塗布有感光性樹脂膜的基板被搬送至預烘烤裝置15。在預烘烤裝置15中進行加熱處理。進行了加熱處理的基板被搬送至圖案化曝光裝置16A。在圖案化曝光裝置16A中對感光性樹脂膜進行圖案化曝光（圖3：步驟S42）。換言之，經由具有圖案的光罩而對感光性樹脂膜照射光。所述光典型的是來自放電燈的光。實施了圖案化曝光的基板被搬送至顯影裝置17。在顯影裝置17中，對實施了圖案化曝光的感光性樹脂膜進行顯影（圖3：步驟S44）。如上所述，通過步驟S42及步驟S44而自感光性樹脂膜形成圖案（圖3：步驟S40）。設置有圖案的基板被搬送至追加曝光裝置16B。在追加曝光裝置16B中，進行對圖案照射光的追加曝光處理（圖3：步驟S60）。追加曝光與所述圖案化曝光不同，通常不使用光罩。在本實施方式的追加曝光中，如其後所詳述的那樣，一面搬送基板，一面對圖案照射來自發光二極體（Light Emitting Diode，LED）的光。此時，通常對基板上的圖案的外側的區域也照射光。實施了追加曝光的基板被搬送至後烘烤裝置18。在後烘烤裝置18中進行後烘烤處理。其後，通過索引裝置11的索引機器人來將所述基板收容在原來的匣盒中。
通過以上的處理，在基板上自感光性樹脂膜形成圖案。因此，在顯影後且後烘烤前進行追加曝光處理。因此，在顯影後，對保持成未滿後烘烤溫度的溫度的基板進行追加曝光處理。後烘烤溫度通常為80℃以上。
圖4是沿著線IV-IV（圖1及圖6）概略性地表示追加曝光裝置16B的構成的剖面圖。另外，在圖4中，不僅圖示追加曝光裝置16B，也圖示設置有由追加曝光裝置16B進行曝光的圖案801的基板800。圖5是概略性地表示光源單元100（圖4）的構成的仰視圖。圖6是虛線部VI（圖5）的放大圖。
如上所述，追加曝光裝置16B用於對通過對基板800上的感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案801進一步進行曝光。圖案801例如為在俯視（未圖示）下配置成格子狀（矩陣狀）、且各自具有矩形形狀的多個圖案。追加曝光裝置16B具有搬送機構500與光源單元100。
搬送機構500用於沿著與基板800的寬度方向x垂直的搬送方向y搬送基板800。搬送機構500具有框部501與驅動部502。框部501以在寬度方向x上夾持被搬送的基板800的方式配置。框部501的上表面的高度比設置有圖案801的基板800的上表面高。驅動部502用於對基板800施加朝向搬送方向的力，例如為被旋轉驅動的輥。
光源單元100具有：多個LED 101、多個支撐板111、散熱片112、冷卻水配管部130、配線部140、以及外殼120。
LED 101用於向由搬送機構500所搬送的基板800上的圖案801的產生光。優選LED 101的波長光譜SD（圖7）實質上僅具有波長LI的單波長。換言之，優選LED 101為單波長LED。波長LI例如為365 nm（i射線）。另外，也可以對應於感光性樹脂膜的種類及追加曝光的目的而使用g射線或h射線等其他波長。
在LED 101與設置有圖案801的基板800之間未設置遮光器，始終敞開。換言之，在LED 101與搬送機構500之間未設置遮光器，始終敞開。
如圖6所示，LED 101包含沿著搬送方向y排列的LED 101。另外，多個LED 101包含在寬度方向x上配置在不同的位置的LED 101。多個支撐板111排列在寬度方向x上，支撐多個LED 101。在多個支撐板111各者上，多個LED 101以週期P1（一個週期）排列在寬度方向x上。在多個支撐板111中的相互鄰接的支撐板111之間，多個LED 101（嚴格而言，多個LED 101各自的中心位置）以比週期P1大的間隔P2在寬度方向x上分離。在圖6中，作為支撐板111，示出了支撐板111a～支撐板111d，在相互鄰接的支撐板111b與支撐板111c之間，LED 101以間隔P2在寬度方向x上分離。
外殼120的下表面安裝在搬送機構500的框部501的上表面。外殼120在和搬送方向y及寬度方向x分別垂直的方向z上的外殼120的下表面的位置與LED 101的位置之間，以比間隔P2（圖6）大的尺寸SP（圖4）具有隔離部。由此，LED 101在方向z上，自搬送機構500的框部501隔開大於間隔P2（圖6）的尺寸SP（圖4）。框部501的上表面的高度比設置有圖案801的基板800的上表面高，因此LED 101在方向z上，自基板800上的圖案801隔開比間隔P2（圖6）大的尺寸SP（圖4）以上的尺寸。
另外，也可以使用一個支撐板來代替多個支撐板111。另外，支撐板111也可以具有作為散熱片的功能，在此情況下，可省略散熱片112。另外，未必需要設置比週期P1大的間隔P2，作為變形例，也可以在寬度方向x上以週期P1排列所有LED 101。另外，為了獲得用於掌握LED 101的運行狀態的資訊，也可以在支撐板111裝載熱敏電阻等溫度感測器。
圖8是表示比較例的追加曝光裝置16BX的構成的剖面圖。追加曝光裝置16BX具有光源單元100X來代替光源單元100（圖4）。光源單元100X具有：放電燈單元101X、收容放電燈單元101X的外殼120X、可遮斷來自放電燈單元101X的光的遮光器151、以及驅動遮光器151的驅動部152。
放電燈單元101X具有金屬鹵化物燈作為放電燈。此種放電燈在剛被開啟之後光強度不穩定，例如穩定化需要20分鐘左右。因此，為了短時間內的光照射的開啟/關閉的切換而在短時間內開啟/關閉放電燈自身並不理想，為了所述目的而使用遮光器151。遮光器由驅動部152來驅動，可能因此時的摩擦而產生灰塵。有時因產生灰塵而污染基板800。
圖9是表示放電燈單元101X的金屬鹵化物燈的波長光譜SX的圖表。波長光譜SX不僅具有在追加曝光中特別有用的波長LI＝365 nm（i射線），而且具有許多其他波長。因此，能量效率低。另外，有時因所述其他波長而導致基板800的溫度不必要地上升，其結果，有時對步驟帶來不良影響。
另外，金屬鹵化物燈與LED相比壽命短，因此追加曝光裝置16BX的保養的負擔大。另外，金屬鹵化物燈含有水銀，因此廢棄時的環境負荷大。
根據本實施方式，如圖4所示，針對通過對感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案801的追加曝光由LED 101來進行。追加曝光與在其之前進行的用於對感光性樹脂膜賦予圖案801的圖案化曝光（圖3：步驟S42）相比，通常不需要高的光強度。因此，即便是作為與放電燈相比難以獲得光強度的光源的LED，通常也可以確保足夠的光強度。另外，LED與放電燈相比，被開啟後光強度在短時間內穩定。因此，可通過作為光源的LED自身的開啟/關閉來進行短時間內的光照射的開啟/關閉的切換。因此，追加曝光裝置16B不需要用於光照射的開啟/關閉的遮光器151（圖8）。因此，可避免因自遮光器151產生灰塵而污染基板800。
LED 101包含單波長LED。由此，可提高追加曝光中的能量效率。另外，可避免由不必要的波長的光所引起的基板800的不必要的溫度上升。
多個LED 101（圖6）包含在寬度方向x上配置在不同的位置的LED 101。由此，可在寬度方向x上，在寬廣的範圍內進行均勻性高的光照射。
在多個支撐板111各者上，多個LED 101以週期P1（圖6）排列在寬度方向x上，在多個支撐板111中的相互鄰接的支撐板111之間，多個LED 101以比週期P1大的間隔P2（圖6）在寬度方向x上分離。如此，在支撐板111之間確保比較大的間隔P2，由此可容易地僅更換多個LED 101中的一部分。因此，可有效率地進行追加曝光裝置16B的保養。
多個LED 101在與搬送方向y及寬度方向x分別垂直的方向z上，以比間隔P2（圖6）大的尺寸SP（圖4），自搬送機構500分離。由此，來自LED 101的光在到達基板800的圖案801之前，橫跨比LED 101的間隔P2大的距離進行擴散。因此，可充分地抑制由所述間隔P2所引起的光強度的不均。
多個LED 101（圖6）包含沿著搬送方向y排列的LED 101。來自沿著搬送方向y排列的各LED 101的光照射除時機以外，對在搬送方向y上所搬送的基板800給予大致相同的光照射。因此，假設LED 101的一部分發生了故障，也可以在某種程度上確保對於基板800上的特定部位的光照射量。因此，可降低故障的影響。
在用於自感光性樹脂膜形成圖案801的圖案化曝光（圖3：步驟S42）中，可對感光性樹脂膜照射來自放電燈的光。由此，可容易地確保在圖案化曝光中需要的強光。
對本發明進行了詳細說明，但所述說明在所有方面均為例示，本發明並不限定於所述說明。將未例示的無數的變形例解釋成可不脫離本發明的範圍而假想的變形例。所述各實施方式及各變形例中所說明的各構成只要不相互矛盾，便可適宜組合或省略。
1:塗布顯影系統 11:索引裝置 12:清洗裝置 13:脫水烘烤裝置 14:抗蝕劑塗布裝置 15:預烘烤裝置 16A:圖案化曝光裝置 16B、16BX:追加曝光裝置 17:顯影裝置 18:後烘烤裝置 60:控制部 61:CPU 62:ROM 63:RAM 64:存儲裝置 64P:處理程序 65:匯流排 66:輸入部 67:顯示部 68:通信部 100、100X:光源單元 101:發光二極體（LED） 101X:放電燈單元 111、111a～111d:支撐板 112:散熱片 120、120X:外殼 130:冷卻水配管部 140:配線部 151:遮光器 152:驅動部 500:搬送機構 501:框部 502:驅動部 800:基板 801:圖案 LI:波長 P1:週期 P2:間隔 SD、SX:波長光譜 SP:尺寸 S20、S40、S42、S44、S60:步驟 VI:虛線部 x:方向（寬度方向） y:方向（搬送方向） z:方向
圖1是概略性地表示包含本發明一實施方式中的追加曝光裝置的基板處理系統的構成的平面圖。 圖2是概略性地表示圖1的控制部的構成的框圖。 圖3是概略性地表示本發明一實施方式中的圖案形成方法的一部分步驟的流程圖。 圖4是沿著圖1及圖6的線IV-IV概略性地表示本發明一實施方式中的追加曝光裝置的構成的剖面圖。 圖5是概略性地表示圖4的追加曝光裝置所具有的光源單元的構成的仰視圖。 圖6是圖5的虛線部VI的放大圖。 圖7是表示圖4的追加曝光裝置所具有的發光二極體的波長光譜的例子的圖表。 圖8是表示比較例的追加曝光裝置的構成的剖面圖。 圖9是表示圖4的追加曝光裝置所具有的放電燈的波長光譜的圖表。
16B:追加曝光裝置
100:光源單元
101:發光二極體(LED)
111:支撐板
112:散熱片
120:外殼
130:冷卻水配管部
140:配線部
500:搬送機構
501:框部
502:驅動部
800:基板
801:圖案
SP:尺寸
x:方向(寬度方向)
y:方向(搬送方向)
z:方向

Claims (10)

  1. 一種追加曝光裝置，是對通過對基板上的感光性樹脂膜進行曝光及顯影所形成的圖案進一步進行曝光的追加曝光裝置，包括：搬送機構，用於沿著與所述基板的寬度方向垂直的搬送方向搬送所述基板；以及光源單元，具有：多個發光二極體，用於向所述基板上的所述圖案的產生光，所述基板通過所述搬送機構進行搬送；以及外殼，收容所述多個發光二極體，所述搬送機構具有框部，所述框部以在所述基板的所述寬度方向上夾持所述基板的方式配置，所述框部的上表面的高度比所述基板的上表面高，所述外殼的下表面安裝在所述框部的上表面。
  2. 如請求項1所述的追加曝光裝置，其中所述發光二極體包含單波長發光二極體。
  3. 如請求項1或2所述的追加曝光裝置，其中所述多個發光二極體包含在所述寬度方向上配置在不同的位置的發光二極體。
  4. 如請求項1或2中任一項所述的追加曝光裝置，更包括多個支撐板，所述多個支撐板支撐所述多個發光二極體，排列在所述寬度方向上， 在所述多個支撐板的各支撐板上，所述多個發光二極體以一個週期排列在所述寬度方向上，在所述多個支撐板中的相互鄰接的支撐板之間，所述多個發光二極體以比所述一個週期大的間隔在所述寬度方向上分離。
  5. 如請求項4所述的追加曝光裝置，其中所述多個發光二極體在與所述搬送方向及所述寬度方向分別垂直的方向上，自所述搬送機構隔開比所述間隔大的尺寸。
  6. 如請求項5所述的追加曝光裝置，其中所述外殼的下表面的位置與所述發光二極體的位置之間的尺寸比所述間隔大。
  7. 如請求項1或2所述的追加曝光裝置，其中所述多個發光二極體包含沿著所述搬送方向排列的發光二極體。
  8. 如請求項1或2所述的追加曝光裝置，其中所述光源單元在所述外殼中具有：散熱片，具有面向所述多個發光二極體的下表面；冷卻水配管部，設置於所述散熱片的上表面；以及配線部，設置於所述冷卻水配管部的上方。
  9. 一種圖案形成方法，包括：將感光性樹脂膜塗布在基板上的步驟；以及自所述感光性樹脂膜形成圖案的步驟，所述形成圖案的步驟包含對所述感光性樹脂膜進行曝光的步驟、及在對所述感光性樹脂膜進行曝光的步驟後對所述感光性樹脂膜進行顯影的步驟， 一面以搬送機構沿著與所述基板的寬度方向垂直的搬送方向搬送所述基板，一面對所述圖案照射來自光源單元所具有的發光二極體的光的步驟，所述搬送機構具有框部，所述框部以在所述基板的所述寬度方向上夾持所述基板的方式配置，所述光源單元具有收容所述發光二極體的外殼，所述框部的上表面的高度比所述基板的上表面高，所述外殼的下表面安裝在所述框部的上表面。
  10. 如請求項9所述的圖案形成方法，其中對所述感光性樹脂膜進行曝光的步驟包含對所述感光性樹脂膜照射來自放電燈的光的步驟。
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