TWI757938B - 有機修飾金屬氧化物奈米粒子、其製造方法、euv光阻材料及蝕刻遮罩之製造方法 - Google Patents
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Abstract
有機修飾金屬氧化物奈米粒子具備芯、第一修飾基及第二修飾基。芯具備複數個金屬及鍵結於複數個金屬之複數個氧。第一修飾基為配位於芯上之飽和羧酸羧酸鹽配位基。第二修飾基為配位於芯上且尺寸小於第一修飾基之無機陰離子及/或分子量小於第一修飾基之飽和羧酸羧酸鹽配位基。
Description
本發明係關於一種能夠用於半導體製造製程等中使用之光阻材料之有機修飾金屬氧化物奈米粒子、其製造方法、EUV光阻材料及蝕刻遮罩之製造方法。
本申請案主張基於2019年12月24日於日本提出申請之日本專利特願2019-233067號之優先權，此處引用該內容。
最近，隨著半導體之電路圖案之細線化，利用極紫外光（EUV光）之微影製程之研發加速。隨著圖案之細線化，用於圖案形成之抗蝕膜日趨變薄。因此，尋求具備蝕刻時之耐性之抗蝕材料。作為具備耐蝕刻性之抗蝕材料，正在研究的為金屬氧化物等無機物與有機物之複合材料。
曾經提出有將經甲基丙烯酸等不飽和羧酸進行有機修飾之鋯或鉿等金屬之氧化物之奈米粒子用於負型抗蝕材料的方法（專利文獻1及專利文獻2）。由於該金屬氧化物奈米粒子之芯具有金屬氧化物，故包含該金屬氧化物奈米粒子之抗蝕材料與有機物之抗蝕材料相比，其特徵在於蝕刻時之耐性較高，而且因甲基丙烯酸的反應性較高而對EUV光之敏感度較高。而且，由於該金屬氧化物奈米粒子結構之對稱性較高，故包含該金屬氧化物奈米粒子之抗蝕材料在顯影時，金屬氧化物奈米粒子作為不溶解物殘存於晶圓上之可能性較低。
此外，還提出有將鋯或鉿等金屬及甲基丙烯酸等羧酸所代表之有機物之錯合物（單體或鹽）用於抗蝕材料的方法（專利文獻3至專利文獻5）。該抗蝕材料由於有機物之錯合物本身的尺寸較小，故與包含奈米粒子芯之抗蝕材料相比更適合細線化。然而，該抗蝕材料與以奈米粒子為芯之抗蝕材料相比，所形成之膜中的有機物比率變高。因此，該抗蝕材料在蝕刻時之耐性較低。而且，由於該有機物之錯合物的結構對稱性較低，故包含該有機物之錯合物之抗蝕材料在顯影時，有機物之錯合物作為不溶解物殘存於晶圓上之可能性較高。
［先前技術文獻］
［專利文獻］
專利文獻1：日本專利特開2017-173537號公報。
專利文獻2：日本專利特開2015-157807號公報。
專利文獻3：日本專利特開2015-108781號公報。
專利文獻4：日本專利特開2012-185484號公報。
專利文獻5：日本專利特開2001-072716號公報。
［發明所欲解決的課題］
根據上述內容，將芯徑控制為儘量小之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之合成，於形成細線圖案之抗蝕材料之開發中甚為重要。通常，芯徑較小之有機修飾金屬氧化物奈米粒子係於濕度極低的環境下，將鋯等金屬之烷氧化物及甲基丙烯酸等有機物於非水溶劑中進行混合而製造。然而，烷氧化物之價格非低廉，並且為實現濕度極低的環境需要導入跟維護高價之手套箱等設備。因此，芯徑較小之有機修飾金屬氧化物奈米粒子於製造成本方面仍有課題待解決。
而且，針對抗蝕材料之EUV曝光時之反應機制，雖然逐漸清楚使用羧酸時會進行去羧，但是詳細機制或在曝光操作中的重要因素未必明確，因而尋求確立依據抗蝕材料的不同而控制解析度與敏感度之方法。針對敏感度，利用材料本身與對抗蝕液之添加劑等之反應等、或為顯影液選擇適當的溶劑，可提高敏感度。另一方面，解析度主要取決於材料本身之尺寸或結構。
此外，另一方面，成膜後需要加熱乾燥操作，以去除抗蝕液所含有之溶劑。雖然因甲基丙烯酸等不飽和羧酸容易聚合而敏感度較高，但是在考慮整個製程的情形下，由於成膜後之穩定性降低，從而無法謂之適當。在只有一種不飽和羧酸為配位基的情形下，由於透過去羧或聚合等容易引起體積收縮、局部的粒子凝聚，從而發生線寬不均，結果導致解析度降低。藉由材料本身之結構控制，更具體而言，經包含不具有不飽和鍵之羧酸之複數個配位基之修飾及組成控制，若可達成維持奈米粒子對抗蝕液之溶解性，同時調整解析度及敏感度，才可對抗蝕材料之調整方法進行更多方面的研究。
本發明係鑒於此種情況而研究，其目的在於提供一種能夠以簡易之方法製造可提高抗蝕材料之解析度或敏感度之有機修飾金屬氧化物奈米粒子、其製造方法、EUV光阻材料及蝕刻遮罩之製造方法。
［用於解決課題的手段］
對抗蝕材料照射EUV光時，該抗蝕材料所包含之由金屬氧化物與羧酸等配位基所構成之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之反應性、即敏感度，與所形成之抗蝕圖案之解析度，會根據奈米粒子芯之構成元素及所配位之羧酸等配位基之種類、構成元素或尺寸、分子量不同而有較大不同。本案發明人發現，藉由將如第一修飾基與第二修飾基般的至少2種修飾基配位於金屬氧化物之芯部，將對抗蝕液或顯影液用溶劑之親和性（溶解性）較高之飽和羧酸作為該第一修飾基，且將尺寸（分子量）小於第一修飾基之配位基（例如，無機陰離子）作為該第二修飾基，避免在加熱乾燥時配位基聚合，同時形成在成膜時將各個有機修飾金屬氧化物奈米粒子更密集地填充而得的膜，從而可抑制在EUV光照射時之體積收縮或粒子凝聚等所發生之不均，即可控制膜內之結構分布，並可提高抗蝕膜之解析度。
此外，在EUV光照射時之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之反應性主要取決於配位基之結構及種類。本案發明人發現，設修飾基為2種以上，其中，由第一修飾基保持所需要的奈米粒子對抗蝕液之高溶解性、及在EUV光照射後之對EUV非照射部分之顯影液用溶劑之高溶解性，由第二修飾基更密集地維持粒子間距離，同時保持在EUV光照射後之對EUV照射部分之顯影液用溶劑之低溶解性，並且藉由適當控制該些配位基之組成，可實現抗蝕膜對EUV光之高敏感度，換言之，在EUV光照射後之對EUV照射部分之顯影液之低溶解性。
本發明之有機修飾金屬氧化物奈米粒子具有：芯，其具備複數個金屬及鍵結於複數個金屬之複數個氧；第一修飾基，其為配位於芯上之飽和羧酸羧酸鹽配位基；以及第二修飾基，其為配位於芯上、且尺寸小於第一修飾基之無機陰離子及/或分子量小於第一修飾基之飽和羧酸羧酸鹽配位基。本發明之EUV光阻材料含有本發明之有機修飾金屬氧化物奈米粒子及溶劑。
本發明之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法具有：反應步驟，其係使硝酸氧金屬及/或乙酸氧金屬與飽和羧酸於親水性液體中反應。本發明之蝕刻遮罩之製造方法具有：成膜步驟，其係於被蝕刻層上塗布本發明之EUV光阻材料，並使其乾燥而獲得抗蝕膜；曝光步驟，其係以規定之圖案對抗蝕膜照射EUV光；以及顯影步驟，其係去除在曝光步驟中未照射EUV光之部分而形成蝕刻開口部。
［發明的效果］
根據本發明之有機修飾金屬氧化物奈米粒子、有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法、以及EUV光阻材料，可獲得能夠以簡易之方法製造、且解析度或敏感度更高之抗蝕材料。而且，根據本發明之蝕刻遮罩之製造方法，可實現遮罩之細線化。
以下，針對本發明之實施形態，適當參照圖式進行詳細說明。以下說明所使用的圖式有將特徵部分放大的情形，以便於清楚本實施形態之特徵，並有各元件的尺寸比率等跟實際不同的情形。
本發明實施形態之有機修飾金屬氧化物奈米粒子具備芯、第一修飾基及第二修飾基。芯具有複數個金屬及鍵結於複數個金屬之複數個氧。芯包含金屬氧化物。芯除了含有金屬氧化物結晶之外，還可含有複數個金屬經複數個氧所交聯的結構之團簇。此外，芯以由團簇構成為佳。金屬氧化物結晶及金屬氧化物團簇均為金屬與氧之結合物，然而，具有如下差異：金屬氧化物結晶之各個粒子，在其本身中金屬及氧為在三維規律地排列並具有固定的大小（例如，3 nm至4 nm）而形成結晶結構，另一方面，金屬氧化物團簇之各個粒子為具有金屬錯合物結構的分子，各個粒子本身不具有結晶結構。複數個金屬可由同一種所構成，亦可由不同種所構成。第一修飾基為配位於芯上之飽和羧酸羧酸鹽配位基。第二修飾基為配位於芯上、且尺寸小於第一修飾基之無機陰離子及/或分子量小於第一修飾基之飽和羧酸羧酸鹽配位基。
從有機修飾金屬氧化物奈米粒子容易溶解於作為通用之抗蝕液用溶劑的丙二醇1-單甲醚2-乙酸酯（PGMEA）、且照射EUV時之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之反應性提高的觀點，第一修飾基以碳數3以上之飽和羧酸羧酸鹽配位基為佳，以異丁酸羧酸鹽配位基較佳。另外，金屬以選自Zr（鋯）、Hf（鉿）、以及Ti（鈦）之一種以上為佳，並以Zr較佳。第二修飾基以硝酸根離子及/或乙酸羧酸鹽配位基為佳。
第一修飾基並不限於異丁酸羧酸鹽配位基，亦可為丁酸羧酸鹽配位基、戊酸羧酸鹽配位基或己酸羧酸鹽配位基等其他飽和羧酸羧酸鹽配位基。
此外，在第二修飾基為尺寸小於第一修飾基之無機陰離子的情形下，該第二修飾基並不限於硝酸根離子，亦可為氯離子或氫氧離子等其他無機陰離子。在第二修飾基為分子量小於第一修飾基之飽和羧酸羧酸鹽配位基的情形下，該第二修飾基並不限於乙酸羧酸鹽配位基，亦可為甲酸羧酸鹽配位基或丙酸羧酸鹽配位基等其他飽和羧酸羧酸鹽配位基。
本實施形態之有機修飾金屬氧化物奈米粒子以由通式M6
O4
(OH)4
Xn
Y12-n
所表示、且芯具有金屬經氧交聯的結構為佳。其中，M為金屬，且為選自Zr、Hf、以及Ti之一種以上，X為第一修飾基，Y為第二修飾基，且1≦n≦11。此外，Z表示X與Y之比率，且Z由X/(X+Y)×100所定義，Z以滿足5 mol%≦Z≦95 mol%之關係為佳。
作為第一修飾基之一例之異丁酸羧酸鹽配位基之尺寸為約0.53 nm，作為第二修飾基之一例之硝酸根離子之尺寸為約0.33 nm。第一修飾基及第二修飾基之各別尺寸，均可利用例如3D分子模型掃描軟體製作該些分子、並根據兩端的原子之間的距離來算出。藉由比較上述值，可確認到作為上述第二修飾基之無機陰離子之尺寸，小於作為上述第一修飾基之羧酸羧酸鹽配位基之尺寸。
本發明實施形態之EUV光阻材料，含有本實施形態之有機修飾金屬氧化物奈米粒子及溶劑。作為溶劑，可列舉乙酸丁酯、PGMEA、甲醇、乙醇以及丙醇等。本實施形態之EUV光阻材料還可以含有羧酸等分散劑、穩定劑或光酸產生劑等光響應劑等。
本發明實施形態之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法具有使硝酸氧金屬及/或乙酸氧金屬與飽和羧酸於親水性液體中反應之反應步驟。飽和羧酸以異丁酸為佳。然而，飽和羧酸亦可為丁酸、戊酸或己酸（caproic acid）等其他飽和羧酸。作為親水性液體，可列舉：水、甲醇、乙醇、丙醇以及丙酮等。反應步驟可於大氣環境下進行。因此，不需要用以實現濕度極低的環境之設備。
記載使用硝酸氧金屬之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法之一例。於硝酸氧金屬之水溶液中添加異丁酸，視需要攪拌，分離回收所生成的奈米粒子，並使其乾燥。如此可以簡易之方法獲得本實施形態之有機修飾金屬氧化物奈米粒子。當X為異丁酸羧酸鹽、Y為硝酸根離子時，有機修飾金屬氧化物奈米粒子以滿足50 mol%≦Z≦90 mol%之關係為佳。而且，硝酸氧金屬以硝酸氧鋯為佳。
另外，記載使用乙酸氧金屬之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法之一例。於乙酸氧金屬之水溶液中添加異丁酸，視需要攪拌，分離回收所生成的奈米粒子，並使其乾燥。如此可以簡易之方法獲得本實施形態之有機修飾金屬氧化物奈米粒子。當X為異丁酸羧酸鹽、Y為乙酸羧酸鹽時，有機修飾金屬氧化物奈米粒子以滿足50 mol%≦Z≦90 mol%之關係為佳。而且，乙酸氧金屬以乙酸氧鋯為佳。
本發明實施形態之蝕刻遮罩之製造方法具備成膜步驟、曝光步驟及顯影步驟。在成膜步驟中，於被蝕刻層上塗布本實施形態之EUV光阻材料、並使其乾燥而獲得抗蝕膜。被蝕刻層之種類並沒有特別的限制。作為被蝕刻層，可例示矽層、矽氧化物層或矽氮化物層。
在曝光步驟中，以規定之圖案對抗蝕膜照射EUV光。在顯影步驟中，去除在曝光步驟中未照射EUV光之部分而形成蝕刻開口部。在顯影步驟中，將抗蝕膜浸漬於例如乙酸丁酯等顯影液中，使未照射EUV光之部分溶解於顯影液而去除。藉由使用本實施形態之EUV光阻材料，能夠使蝕刻遮罩之線寬例如為20 nm以下。因此，可實現遮罩之細線化，且能夠實現被蝕刻層之微細蝕刻。
［實施例］
（實施例1）
於5 M硝酸水溶液3 mL中溶解硝酸氧鋯1.2 g，製備硝酸氧鋯水溶液。於該硝酸氧鋯水溶液2 mL中添加異丁酸1 mL，攪拌5分鐘之後，於室溫下靜置5天。分離回收所獲得的生成物，再於室溫下真空乾燥1天而獲得白色粉末。該白色粉末之元素分析（PerkinElmer公司製，裝置名「全自動元素分析裝置 2400II」）之結果為，碳及氮之含量分別為23.0 wt%及3.3 wt%。關於物質量比（所謂mol比），異丁酸：硝酸=66：34≒7.9：4.1。該白色粉末之熱重量分析（理學公司製，裝置名「示差熱天秤 Thermo Plus EVO2」）之結果為，重量減少率為52%。而且，該白色粉末之IR分析（日本分光公司製，裝置名「傅立葉轉換紅外分光光度計 FT/IR-4600」）之結果為，可確認到來自異丁酸的羧基的吸收波峰（1530 cm-1
及1430 cm-1
）。
於PGMEA 5.0 g中溶解該白色粉末0.3 g。使用離心分離及孔徑0.2μm之過濾器，去除未溶解之白色粉末。該去除後之溶液（EUV曝光用溶液A）之動態光散射分析（MALVERN公司製，裝置名「Zetasizer Nano S」）之結果為，該白色粉末之體積基準平均粒徑為約2 nm。根據該結果，可確認到所獲得之白色粉末為異丁酸與硝酸對於由鋯與氧所構成之芯進行配位而得之有機修飾金屬氧化物奈米粒子。
根據動態光散射分析之結果而得的粒徑為約2 nm，由於其數值為包含周圍配位基的分散體之直徑，可確認到芯不是金屬氧化物結晶，而是鋯經氧交聯之團簇。此外，根據熱重量分析之結果，分析後之殘留物（ZrO2
）的比率為48 %。根據IR分析、動態光散射分析、元素分析及熱重量分析之結果，可確認到白色粉末之ZrO2
換算含有率為46 %，且鋯經氧所交聯之結構的團簇為：
Zr6
O4
(OH)4
(C4
H7
O2
)7.9
(NO3
)4.1
。
於矽晶圓上滴加該EUV曝光用溶液A，以1500 rpm將其旋轉60秒鐘而成膜，其後，於80℃下加熱60秒鐘而獲得抗蝕膜A。利用分光橢圓偏光計（HORIBA JOBIN YVON公司製，裝置名「UVISEL」）測定抗蝕膜A之膜厚，結果為約20 nm。通過規定之圖案，以12 mJ/cm2
至76 mJ/cm2
之照射量對抗蝕膜A進行EUV曝光（佳能公司製，裝置名「高NA微小區域EUV曝光裝置」）之後，將其浸漬於乙酸丁酯30秒鐘而使其顯影，並去除抗蝕膜A之EUV非照射部分。
SEM觀察顯影後之矽晶圓。圖1所示係以照射量70 mJ/cm2
進行EUV曝光時之顯影後之矽晶圓之SEM圖像。如圖1所示，該矽晶圓（深色部分）上殘存之蝕刻遮罩、即不溶化之抗蝕膜A（淺色部分）之線寬為19 nm，與下述之比較例1相比，抗蝕膜A的線寬較窄，且線寬的不均亦較小，可確認到形成解析度更高之奈米圖案。
（比較例1）
於手套箱內，於85%丁醇鋯1-丁醇溶液1.40 g中添加甲基丙烯酸1.02 g並攪拌，靜置約3週，獲得Zr6
O4
(OH)4
(MAA)12
之單晶。藉由減壓過濾來回收該單晶，再於室溫下真空乾燥1天、並粉碎而獲得白色粉末。該白色粉末之元素分析之結果為，碳含量為36 wt%。該白色粉末之熱重量分析之結果為，重量減少率為57 %。
此外，該白色粉末之IR分析（Thermo Fisher Scientific公司製，裝置名「NICOLET 6700」）之結果為，可確認到甲基丙烯酸之來自羧基之吸收波峰（1558 cm-1
）、C=C之伸縮振動帶之吸收波峰（1647 cm-1
）及乙烯基CH之面外彎曲振動帶之吸收波峰（827 cm-1
）。而且，該白色粉末之基質輔助雷射脫附游離飛行時間質譜分析（MALDI-TOF/MS）（Bruker公司製，裝置名「autoflex speed」）之結果為，存在m/z1702，與甲基丙烯酸所配位之氧化鋯6聚體分子量大致一致。根據以上內容，可確認到所獲得之白色粉末為Zr6
O4
(OH)4
(MAA)12
。
於PGMEA 3.0 g中溶解該白色粉末0.09 g。使用離心分離及孔徑0.45 μm之過濾器，去除未溶解之白色粉末。該去除後之溶液之動態光散射分析之結果為，該白色粉末之體積基準平均粒徑為約2 nm。根據該結果，可確認到所獲得之白色粉末為甲基丙烯酸對於由鋯與氧所構成之芯進行配位之有機修飾金屬氧化物奈米粒子。於該溶液進一步添加PGMEA而加倍稀釋，獲得EUV曝光用溶液B。於矽晶圓上滴加EUV曝光用溶液B，以1500 rpm將其旋轉60秒鐘而成膜，其後，於80℃下加熱60秒鐘而獲得抗蝕膜B。利用分光橢圓偏光計測定抗蝕膜B之膜厚，結果為約20 nm。
通過規定之圖案，以28 mJ/cm2
至60 mJ/cm2
之照射量對抗蝕膜B進行EUV曝光之後，將其浸漬於乙酸丁酯30秒鐘而使其顯影，並去除抗蝕膜B之EUV非照射部分。
SEM觀察顯影後之矽晶圓。圖2所示係以照射量46 mJ/cm2
進行EUV曝光時之顯影後之矽晶圓的SEM圖像。如圖2所示，該矽晶圓（深色部分）上殘存之蝕刻遮罩、即不溶化之抗蝕膜B（淺色部分）之線寬為21 nm，且觀察到線寬的不均較大。
圖3所示的示意圖，係顯示實施例1於成膜時、加熱乾燥時及EUV曝光時之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之狀態變化。在實施例1中，所獲得之有機修飾金屬氧化物奈米粒子，係為將作為第一修飾基之異丁酸、與作為第二修飾基之硝酸，對於由鋯與氧所構成之芯進行配位而得。由於具有本結構之奈米粒子中，作為飽和羧酸之異丁酸與作為無機陰離子之硝酸配位於芯，故在抗蝕膜A之成膜時，更密集地且大致均勻地填充有機修飾金屬氧化物奈米粒子。因此，在用於去除成膜後之抗蝕液所含有之溶劑的加熱乾燥時，較難引起配位基聚合，在後續之EUV曝光時，可推測配位基分解時之粒子凝聚等所導致的膜內粒子填充結構之擾動較少。從而，可認為形成解析度更高之奈米圖案。
此外，作為第一修飾基之異丁酸，有助於在EUV曝光用溶液A中有機修飾金屬氧化物奈米粒子對抗蝕液之高溶解性、及在EUV曝光後之對EUV非照射部分之乙酸丁酯之高溶解性。此外，作為第二修飾基之硝酸，藉由使相鄰的有機修飾金屬氧化物奈米粒子的粒子間距離維持為較小，有助於使奈米粒子的粒子填充結構維持為更密集，再加上，可推測有助於在EUV曝光後之對EUV照射部分之乙酸丁酯之低溶解性。在實施例1中，可認為藉由作為2種配位基之異丁酸及硝酸之適當組成（Z=65.8 mol%），以實現相等於或優於比較例1之高敏感度。
圖4所示的示意圖，係顯示比較例1於成膜時、加熱乾燥時及EUV曝光時之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之狀態變化。在比較例1中，可認為獲得甲基丙烯酸對於由鋯與氧所構成之芯進行配位而得之有機修飾金屬氧化物奈米粒子。由於具有本結構之奈米粒子中，只有作為不飽和羧酸之甲基丙烯酸配位於芯，故在抗蝕膜B之成膜時，相較於實施例1，有機修飾金屬氧化物奈米粒子相對稀疏地填充。因此，可推測在成膜後之加熱乾燥時，因為甲基丙烯酸之聚合、或EUV曝光時之分解，將會進行體積收縮或粒子凝聚，且於膜內的粒子填充結構中將會發生不均。其結果，可認為將形成解析度較低之奈米圖案。
圖1係實施例1中獲得之矽晶圓之SEM圖像。
圖2係比較例1中獲得之矽晶圓之SEM圖像。
圖3所示的示意圖，係顯示實施例1於成膜時、加熱乾燥時及EUV曝光時之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之狀態變化。
圖4所示的示意圖，係顯示比較例1於成膜時、加熱乾燥時及EUV曝光時之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之狀態變化。
Claims (9)
- 一種有機修飾金屬氧化物奈米粒子，其特徵在於，具有：芯，其具備複數個金屬及鍵結於該複數個金屬之複數個氧；第一修飾基，其係為配位於該芯上之飽和羧酸羧酸鹽配位基；以及第二修飾基，其係為配位於該芯上且尺寸小於該第一修飾基之無機陰離子及/或分子量小於該第一修飾基之飽和羧酸羧酸鹽配位基；其中，該有機修飾金屬氧化物奈米粒子由通式M6O4(OH)4XnY12-n所表示且芯具有金屬經氧所交聯的結構；其中，M為該金屬，且為選自Zr、Hf、以及Ti之一種以上，X為該第一修飾基，Y為該第二修飾基，且1≦n≦11。
- 如請求項1所記載之有機修飾金屬氧化物奈米粒子，其中，該第一修飾基為碳數3以上之飽和羧酸羧酸鹽配位基；該第二修飾基為硝酸根離子及/或乙酸羧酸鹽配位基。
- 如請求項1或2所記載之有機修飾金屬氧化物奈米粒子，其中，該金屬為Zr。
- 一種EUV光阻材料，其特徵在於，含有如請求項1至3中任一項所記載之有機修飾金屬氧化物奈米粒子及溶劑。
- 一種有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法，其特徵在於，具有：反應步驟，其係使硝酸氧金屬及/或乙酸氧金屬與飽和羧酸於親水性液體中反應。
- 如請求項5所記載之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法，其中，該飽和羧酸係異丁酸， 該反應步驟係使硝酸氧金屬及/或乙酸氧金屬與異丁酸於親水性液體中反應。
- 如請求項6所記載之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法，其中，該反應步驟於大氣環境下進行。
- 如請求項5或6所記載之有機修飾金屬氧化物奈米粒子之製造方法，其中，該硝酸氧金屬係硝酸氧鋯，該乙酸氧金屬係乙酸氧鋯。
- 一種蝕刻遮罩之製造方法，其特徵在於，具有：成膜步驟，其係於被蝕刻層上塗布如請求項4所記載之EUV光阻材料並使其乾燥而獲得抗蝕膜；曝光步驟，其係以規定之圖案對該抗蝕膜照射EUV光；以及顯影步驟，其係去除在該曝光步驟中未照射EUV光之部分而形成蝕刻開口部。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011157820A1 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Dsm Ip Assets B.V. | Inorganic oxide coating |
| TW201336786A (zh) * | 2011-12-09 | 2013-09-16 | Nippon Catalytic Chem Ind | 化合物、金屬氧化物粒子及其製造方法與用途 |
| CN104004359A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-08-27 | 江苏嘉娜泰有机硅有限公司 | 一种高折光率功率型led封装有机硅 |
| US20160088756A1 (en) * | 2013-05-02 | 2016-03-24 | Tera-Barrier Films Pte Ltd | Encapsulation barrier stack comprising dendrimer encapsulated nanop articles |
| WO2018101446A1 (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | 国立大学法人京都大学 | 光電変換機能を有する電子デバイス |
| US20190006541A1 (en) * | 2015-06-11 | 2019-01-03 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171757B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Organometallic polymers and use thereof |
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| KR20180123045A (ko) * | 2016-03-28 | 2018-11-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011157820A1 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Dsm Ip Assets B.V. | Inorganic oxide coating |
| TW201336786A (zh) * | 2011-12-09 | 2013-09-16 | Nippon Catalytic Chem Ind | 化合物、金屬氧化物粒子及其製造方法與用途 |
| US20160088756A1 (en) * | 2013-05-02 | 2016-03-24 | Tera-Barrier Films Pte Ltd | Encapsulation barrier stack comprising dendrimer encapsulated nanop articles |
| CN104004359A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-08-27 | 江苏嘉娜泰有机硅有限公司 | 一种高折光率功率型led封装有机硅 |
| US20190006541A1 (en) * | 2015-06-11 | 2019-01-03 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Monodisperse, ir-absorbing nanoparticles and related methods and devices |
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