TWI754374B - 奈米壓印用模片及其製造方法、及、2段台面基底及其製造方法 - Google Patents

奈米壓印用模片及其製造方法、及、2段台面基底及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種奈米壓印用模片，其特徵在於，具備具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造之透光性基材，於上述台面構造之主面，設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，於上述標記用圖案之凹部之底面設置有高對比度膜，且以覆蓋上述高對比度膜之方式於上述高對比度膜之表面設置有氧化鉭膜。

Description

奈米壓印用模片及其製造方法、及、2段台面基底及其製造方法
本發明係關於一種奈米壓印用模片及其製造方法、及、2段台面基底及其製造方法。
奈米壓印微影係經由如下步驟將圖案轉印至被轉印體之方法：使設置於奈米壓印用模片之所期望之轉印圖案密接於塗佈於被轉印體之表面之硬化性樹脂層，並賦予熱或光等外部刺激，藉此將圖案轉印至硬化性樹脂層。奈米壓印微影由於可藉由簡單之方法而形成圖案，故而作為LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)製造用之下一代微影技術備受期待。進而，亦作為光學零件、發光元件、光電轉換元件、生物感測器、裝飾品、飲料品容器、食品容器等之加工用之技術備受期待。因此，推進奈米壓印用模片之開發。
於奈米壓印微影中，於將奈米壓印用模片之轉印圖案轉印至被轉印體時，必須進行奈米壓印用模片與被轉印體之位置對準。為了進行此種位置對準，有時於奈米壓印用模片之能夠使光透過之基材設置對準標記，於被轉印體亦設置對應之對準標記。又，有時於奈米壓印用模片，設置用以識別該模片自身之種類等之識別用標記。
對準標記或識別用標記例如包括奈米壓印用模片之基材之主面中之凹凸構造之圖案及設置於該圖案之高對比度膜。此種高對比度膜有時因於奈米壓印用模片之洗淨時等膜減少而無法獲得所需之對比度。因此，採用如可抑制此種高對比度膜之膜減少之各種構造。
例如，於專利文獻1中，記載有如下構造，即，於模片之基材之主面中之凹凸構造之圖案設置高對比度膜之後，且於基材之主面之整體設置保護高對比度膜之保護膜。然而，於此種構造中，由於在主面之整體設置保護膜，故而於設置於主面之轉印圖案微細之情形時，有時保護膜之厚度成為原因而損及轉印圖案之均勻性。
又，於專利文獻2中，記載有如下構造，即，於模片之基材之主面中之凹凸構造之圖案之凸部上設置高對比度膜，且於包含凹凸構造之圖案之凹部之區域以覆蓋高對比度膜之方式設置保護膜。然而，於此種構造中，尤其，於凸部上設置有高對比度膜，故而有根據高對比度膜之端部中之保護膜之成膜狀態而洗淨液等滲入至高對比度膜的情況。因此，無法充分抑制高對比度膜之膜減少。
進而，於專利文獻3中，記載有如下構造，即，於模片之基材之主面之位置對準區域中之凹凸構造之圖案之凹部內設置高對比度膜，且於高對比度膜上設置保護膜。然而，於此種構造中，亦有根據高對比度膜之端部中之保護膜之成膜狀態而無法充分保護高對比度膜的情況。
因此，於先前之保護膜之構造中，無法充分抑制高對比度膜之膜減少。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-200505號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-30522號公報 [專利文獻2]日本專利特表2013-519236號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係鑒於上述問題點而完成者，其主要目的在於提供一種可充分抑制高對比度膜之膜減少之奈米壓印用模片及其製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明為了解決上述問題，提供一種奈米壓印用模片，其特徵在於，具備具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造之透光性基材，且於上述台面構造之主面，設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，於上述標記用圖案之凹部之底面設置有高對比度膜，且以覆蓋上述高對比度膜之方式於上述高對比度膜之表面設置有氧化鉭膜。
根據本發明，可充分抑制高對比度膜之膜減少或消失。
於上述發明中，較佳為上述氧化鉭膜設置於上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面。其原因在於，可有效地不露出地覆蓋上述高對比度膜。
又，於上述發明中，較佳為於上述台面構造之主面沿著上述氧化鉭膜設置有槽。其原因在於，可容易地判斷上述氧化鉭膜之有無。
於上述發明中，較佳為，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，上述轉印圖案及上述標記用圖案設置於上述第2階差構造之主面，於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部，且上述氧化鉭膜以覆蓋上述遮光部之主面之方式設置於上述遮光部之主面。其原因在於，可藉由上述遮光部而抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，而且可藉由上述氧化鉭膜而抑制上述遮光部之膜減少或消失。
於上述發明中，較佳為上述遮光部具有將遮光性膜及上述高對比度膜按照該順序積層而成之多層構造。其原因在於，可有效地抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域。
於上述發明中，較佳為於上述基部之與主面相反側之面，設置有俯視包含上述第2階差構造之凹陷部。其原因在於，可抑制將空氣封入至轉印圖案與塗佈於被轉印體之表面之硬化性樹脂層之間。
又，本發明提供一種奈米壓印用模片之製造方法，其特徵在於具備：準備步驟，其係準備模片形成用構件，該模片形成用構件具備透光性基材及高對比度膜，上述透光性基材具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，且於上述台面構造之主面設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，上述高對比度膜設置於上述透光性基材之主面側整面；第1樹脂層形成步驟，其係以設置有上述標記用圖案之標記用圖案區域成為薄膜，且設置有上述轉印圖案之轉印圖案區域成為厚膜之方式，於上述標記用圖案及上述轉印圖案上形成第1樹脂層；第1蝕刻步驟，其係藉由對形成有上述第1樹脂層之上述模片形成用構件進行蝕刻，而於至少上述標記用圖案之凹部之底面及上述轉印圖案區域使上述高對比度膜殘留，將上述高對比度膜之其他部分去除；氧化鉭膜形成步驟，其係於進行了上述第1蝕刻步驟之上述模片形成用構件之主面側整面形成氧化鉭膜；第2樹脂層形成步驟，其係以上述標記用圖案區域成為厚膜，且上述轉印圖案區域成為薄膜之方式，於形成於上述標記用圖案區域及上述轉印圖案區域之上述氧化鉭膜上形成第2樹脂層；第2蝕刻步驟，其係藉由對形成有上述第2樹脂層之上述模片形成用構件進行蝕刻，而使形成於至少上述高對比度膜之表面之上述氧化鉭膜殘留，將上述氧化鉭膜之其他部分去除；及第3蝕刻步驟，其係藉由進行將殘存之上述氧化鉭膜用作遮罩之蝕刻，而將設置於上述轉印圖案區域之高對比度膜去除。
根據本發明，能夠製造可充分抑制高對比度膜之膜減少或消失之奈米壓印用模片。
於上述發明中，較佳為，於上述第1蝕刻步驟中，於上述標記用圖案中，僅於上述凹部之底面使上述高對比度膜殘留，將上述高對比度膜之其他部分去除，於上述第2蝕刻步驟中，使形成於上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面之上述氧化鉭膜殘留。其原因在於，可製造將上述氧化鉭膜設置於上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面之上述奈米壓印用模片。
於上述發明中，較佳為，於上述第2樹脂層形成步驟中，將成為上述第2樹脂層之厚膜之區域設為俯視時較成為上述第1樹脂層之薄膜之區域靠內側，於上述第2蝕刻步驟中，藉由進行上述蝕刻，而於上述台面構造之主面，沿著成為上述第2樹脂層之厚膜之區域形成槽。其原因在於，能夠製造可藉由識別上述槽之有無而判斷上述氧化鉭膜之有無之上述奈米壓印用模片。
於上述發明中，較佳為，於上述準備步驟中，準備上述模片形成用構件，上述模片形成用構件中，上述台面構造具有設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述第2階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案，且進而具有設置於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域之遮光部，於上述第1樹脂層形成步驟中，亦於上述遮光部上形成上述第1樹脂層，於上述第1蝕刻步驟中，使上述遮光部殘留，於上述氧化鉭膜形成步驟中，於上述遮光部之主面形成上述氧化鉭膜，於上述第2樹脂層形成步驟中，亦於形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜上形成上述厚膜之第2樹脂層，於上述第2蝕刻步驟中，使形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜殘留。其原因在於，能夠製造可藉由上述遮光部而抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，而且可藉由上述氧化鉭膜而抑制上述遮光部之膜減少或消失的奈米壓印用模片。
又，於本發明中，提供一種奈米壓印用模片，其特徵在於，具備具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造之透光性基材，且於上述台面構造之主面，設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，於上述標記用圖案之凹部之底面設置有高對比度膜，以上述高對比度膜之端部不露出之方式，設置有連續地覆蓋上述高對比度膜之表面與上述標記用圖案之凸部之側面、及上述標記用圖案之凸部之上表面且包括與上述高對比度膜不同之材料的保護膜，且上述保護膜以端部處於上述標記用圖案之凸部之上表面之方式設置。
根據本發明，能夠製造可充分抑制高對比度膜之膜減少之奈米壓印用模片。
又，於上述發明中，較佳為，上述保護膜以於俯視時將設置有上述高對比度膜之上述標記用圖案之凹部、及凸部複數個連續排列而成之對準標記區域包含於內側之方式，設置於較上述對準標記區域大之區域。其原因在於，可藉由保護膜而確實地抑制藥液滲入，可抑制高對比度膜之膜減少。
又，根據本發明，亦可為上述保護膜以包含複數個上述對準標記區域之方式，設置於較上述複數個上述對準標記區域大之區域。
又，根據本發明，較佳為上述保護膜於俯視時設置為矩形狀。
又，根據本發明，較佳為於上述台面構造之主面沿著上述保護膜設置有槽。其原因在於，可容易地判斷上述保護膜之有無。
又，根據本發明，較佳為上述保護膜為氧化鉭膜。其原因在於，氧化鉭膜相對於將奈米壓印微影中所使用之抗蝕劑等異物去除之硫酸洗淨或鹼洗淨之耐性充分高，而且相對於將該等洗淨中無法去除而殘存之異物去除之使用含氧氣體之電漿灰化之耐性亦充分高。
又，於本發明中，提供一種2段台面基底，其特徵在於，其係用以製造奈米壓印用模片者，且具有透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，至少於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部，且以覆蓋上述遮光部之主面之方式於上述遮光部之主面設置有保護膜。
若為此種2段台面基底，則可容易地獲得上述本發明之奈米壓印用模片。進而，其原因在於，能夠製造可藉由上述遮光部而抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，而且可藉由上述保護膜而抑制上述遮光部之膜減少或消失的奈米壓印用模片。
又，於本發明中，亦可為上述遮光部自上述第1階差構造之主面設置至上述基部之主面。
又，於本發明中，提供一種2段台面基底之製造方法，其特徵在於其係上述2段台面基底之製造方法，且準備透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述透光性2段台面基底形成用構件之配置有上述第1階差構造及上述第2階差構造之側之主面形成遮光部形成用膜，
於上述遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜，於第1階差構造之主面上及上述第2階差構造之主面上形成硬化性樹脂層，對上述硬化性樹脂層，以形成於上述第1階差構造之主面之硬化性樹脂層之膜厚較形成於上述第2階差構造之主面之硬化性樹脂層之膜厚成為厚膜之方式進行壓印成形，以遮光部形成用膜及保護膜僅殘存於上述第1階差構造之主面之方式進行蝕刻，藉此，製造於上述透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域依序設置有遮光部及保護膜的2段台面基底。
又，於本發明中，提供一種2段台面基底之製造方法，其特徵在於其係上述2段台面基底之製造方法，且準備透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述透光性2段台面基底形成用構件之表面形成遮光部形成用膜，於上述遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜，於上述保護膜形成用膜上塗佈抗蝕劑組合物而形成抗蝕層，藉由將上述抗蝕層經由遮罩曝光、顯影，而將上述第2階差構造之主面上之抗蝕層去除，將露出之上述第2階差構造之主面所形成之遮光部形成用膜及保護膜形成用膜藉由蝕刻去除，藉此，製造上述遮光部及保護膜按照該順序積層而成之積層物自上述透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面設置至上述基部之主面的2段台面基底。 [發明之效果]
於本發明中，發揮可充分抑制高對比度膜之膜減少或消失之效果。
以下，對本發明之奈米壓印用模片及其製造方法詳細地進行說明。
A.奈米壓印用模片(第一實施態樣) 本發明之第一實施態樣之奈米壓印用模片之特徵在於，具備具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造之透光性基材，於上述台面構造之主面，設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，於上述標記用圖案之凹部之底面設置有高對比度膜，且以覆蓋上述高對比度膜之方式於上述高對比度膜之表面設置有氧化鉭膜。
一面參照圖式一面對本發明之奈米壓印用模片之一例進行說明。圖1(a)係表示本發明之奈米壓印用模片之一例之概略剖視圖。圖1(b)係圖1(a)所示之虛線框內之放大圖。圖1(c)係自主面側俯視圖1(b)所示之台面構造所得之圖。
如圖1(a)～圖1(c)所示，奈米壓印用模片10具備具有基部21及設置於基部21之主面21a之台面構造22之透光性基材20。於台面構造22之主面22a，設置有凹凸構造之轉印圖案30及凹凸構造之標記用圖案40。又，於基部21之與主面21a相反側之面，設置有俯視包含台面構造22之凹陷部25。而且，僅於標記用圖案40之凹部42之底面42a，設置有包含Cr之高對比度膜50。高對比度膜50構成對準標記。包含氧化鉭之氧化鉭膜60以不露出地覆蓋高對比度膜50之方式，與高對比度膜50之表面以及標記用圖案40之凸部44之側面44b及上表面44a連續地設置。進而，於標記用圖案40之凸部44之上表面44a，沿著氧化鉭膜60設置有槽26。
近年來，於用於奈米壓印微影之抗蝕劑等利用硫酸洗淨或鹼洗淨之洗淨無法自模片去除而殘存之情形時，進行藉由使用含氧氣體之電漿灰化而去除。另一方面，於上述專利文獻記載之保護高對比度膜之保護膜中，使用Cr系材料(Cr、CrN等)、Si系材料(SiO2 、SiN2 等)、及Ta系材料作為構成材料。然而，存在包含該等之保護膜根據材料於電漿灰化時與高對比度膜一起消失之問題。又，關於包含Ta系材料、尤其是包含TaN之保護膜，由於構成上述對準標記或識別用標記之高對比度膜與蝕刻氣體例如同樣為氯系氣體，故而有藉由加工高對比度膜時之乾式蝕刻而消失之虞。因此，以不露出地覆蓋高對比度膜之方式設置較為困難。
另一方面，本發明中之包含氧化鉭之氧化鉭膜60相對於將奈米壓印微影中所使用之抗蝕劑等異物去除之硫酸洗淨或鹼洗淨之耐性充分高，而且相對於將該等洗淨中無法去除而殘存之異物去除之使用含氧氣體之電漿灰化之耐性亦充分高。因此，氧化鉭膜60無於硫酸洗淨或鹼洗淨以及使用電漿灰化進行之模片之洗淨時消失之虞。
進而，氧化鉭膜60與包含TaN之保護膜不同，且與高對比度膜50蝕刻氣體不同，因此無藉由加工高對比度膜50時之乾式蝕刻而消失之虞。
因此，根據本發明，藉由氧化鉭膜覆蓋高對比度膜，可充分抑制高對比度膜之膜減少或消失。進而，於本發明之奈米壓印用模片之製造方法中，由於無加工高對比度膜時氧化鉭膜消失之虞，故而以覆蓋高對比度膜之方式設置較為容易。
1.氧化鉭膜 上述氧化鉭膜係以覆蓋上述高對比度膜之方式設置於上述高對比度膜之表面之包含氧化鉭之膜。
此處，所謂上述氧化鉭，例如係指由TaO2 、Ta2 O5 等TaOx表示之化合物。
上述TaOx中之x較佳為2～5之範圍內。
作為上述氧化鉭，亦可將O之少量之一部分置換為N，但置換O之N之比率較佳為0.1 at%以下，特佳為O不被N置換者。其原因在於，若上述置換O之N之比率變大，則有藉由加工上述高對比度膜之情形時所使用之乾式蝕刻而上述氧化鉭膜消失之虞。又，其原因在於，藉由乾式蝕刻加工上述氧化鉭膜變得困難。
此處，圖2(a)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略剖視圖，係表示與圖1(b)所示之區域對應之區域之圖。圖2(b)係自主面側俯視圖2(a)所示之台面構造所得之圖。圖2所示之奈米壓印用模片10與圖1所示之奈米壓印用模片10的不同之處在於，設置於標記用圖案40中之相鄰之複數個凹部42之底面42a之氧化鉭膜60相互分離。
又，圖3(a)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略剖視圖，係表示與圖1(b)所示之區域對應之區域之圖。圖3(b)係自主面側俯視圖3(a)所示之台面構造所得之圖。圖3所示之奈米壓印用模片10與圖1所示之奈米壓印用模片10的不同之處在於，氧化鉭膜60僅設置於標記用圖案40之凹部42之底面42a上所設置之高對比度膜50之表面。
作為上述氧化鉭膜，如圖1～圖3所示，只要為以覆蓋上述高對比度膜之方式設置於上述高對比度膜之表面者則並不特別限定，但較佳為如圖1及圖2所示般設置於上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面者，尤佳為設置於上述高對比度膜之表面以及上述標記用圖案之凸部之側面及上表面者，特佳為連續地設置者。其原因在於，可有效地不露出地覆蓋上述高對比度膜。具體而言，其原因在於，例如，上述氧化鉭膜如圖1及圖2所示，以與上述高對比度膜之表面以及上述標記用圖案之凸部之側面及上表面連續之方式設置之情形時，即便上述高對比度膜為突出至上述標記用圖案之凸部之側面為止者，亦可不露出地覆蓋上述高對比度膜。 再者，上述氧化鉭膜例如係藉由濺鍍法等而橫跨上述奈米壓印用模片之整面成膜者，故而於設置於上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面之情形時，通常，亦設置於上述標記用圖案之凸部之側面。
作為上述氧化鉭膜，較佳為如圖2及圖3所示，設置於上述標記用圖案中之相鄰之複數個凹部之底面之上述氧化鉭膜相互分離。可針對分別設置於上述相鄰之複數個凹部之底面之每個上述高對比度膜，利用相互分離之上述氧化鉭膜覆蓋。其原因在於，藉此，於上述高對比度膜之間露出上述透光性基材，故而容易識別上述高對比度膜。
作為上述氧化鉭膜之厚度，只要可充分抑制上述高對比度膜之膜減少或消失則並不特別限定，但較佳為1 nm～10 nm之範圍內，尤佳為3 nm～6 nm之範圍內。其原因在於，若上述氧化鉭膜過薄，則無法充分抑制上述高對比度膜之膜減少或消失，若上述氧化鉭膜過厚，則當設置於上述標記用圖案之凸部之上表面時，於將上述轉印圖案轉印至被轉印體時成為障礙。
2.高對比度膜 上述高對比度膜係設置於上述標記用圖案之凹部之底面者。上述高對比度膜例如構成對準標記或識別用標記等之類之標記。
作為上述高對比度膜，只要為設置於上述標記用圖案之凹部之底面者則並不特別限定，亦可為設置於上述標記用圖案之凹部之底面及上述標記用圖案之凸部之側面或上表面者，但較佳為如圖1～圖3所示，僅設置於上述標記用圖案之凹部之底面。其原因在於，若上述高對比度膜設置於上述標記用圖案之凸部之側面或上表面，則難以藉由上述氧化鉭膜不露出地覆蓋，故而難以抑制上述高對比度膜之膜減少或消失。又，其原因在於，上述高對比度膜與上述氧化鉭膜相比較厚，故而若上述高對比度膜設置於上述標記用圖案之凸部之上表面，則於將上述轉印圖案轉印至被轉印體時成為障礙。
作為上述高對比度膜之材料，只要可構成能夠光學地識別之標記則並不特別限定，例如，可使用相對於識別上述標記之光之折射率與上述透光性基材之材料不同者。作為此種材料，例如，可列舉包含金屬及其氧化物、氮化物、以及氮氧化物等中之1種或2種以上者。作為上述金屬，例如，可列舉Cr、Mo、Ta、W、Zr、Ti等。作為此種材料，較佳為Cr及含有Cr之化合物(氮化鉻、氧化鉻、碳化鉻、碳氮化鉻等)。其原因在於，由於相對於使用含氧氣體之電漿灰化之耐性較低，故而可抑制上述高對比度膜之膜減少或消失之效果變得明顯。
作為上述高對比度膜之厚度，只要可構成能夠光學地識別之標記則並不特別限定，但較佳為以波長365 nm下之光線之透過率成為10%以下之方式設定。例如，於高對比度膜之材料使用鉻(Cr)之情形時，為了以使波長365 nm下之光線之透過率成為10%以下之方式設定，只要使高對比度膜之厚度為15 nm以上即可。
3.透光性基材 上述透光性基材係具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造者。
(1)台面構造 上述台面構造係於主面設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案者。
a.標記用圖案 上述標記用圖案係剖面觀察上述透光性基材時具有凹凸構造之圖案。上述標記用圖案與上述高對比度膜一起，例如構成對準標記或識別用標記等之類之標記。
作為上述標記用圖案之形狀，並不特別限定，例如可列舉線與間隙等凹凸構造之圖案。
於上述標記用圖案如圖1所示為線與間隙之情形時，如圖1(b)中由D所示之上述凹凸構造之凹部之深度並不特別限定，例如為與上述轉印圖案之凹部相同之深度。又，上述凹凸構造之凹部之寬度及凸部之寬度係根據上述標記用圖案之用途而適當設定。
b.轉印圖案 上述轉印圖案係剖面觀察上述透光性基材時具有凹凸構造之圖案。上述轉印圖案係使用奈米壓印微影自上述奈米壓印用模片轉印至被轉印體之圖案。
作為上述轉印圖案之形狀，並不特別限定，例如可列舉線與間隙、點、孔、隔離空間、隔離線、柱、透鏡、階差等凹凸構造之圖案。
作為上述轉印圖案之尺寸，並不特別限定，於上述轉印圖案之形狀如圖1所示為線與間隙之情形時，例如，線寬為30 nm左右，上述凹凸構造之凸部之高度為60 nm左右。又，於上述轉印圖案之形狀為柱形狀之情形時，例如，直徑為50 nm左右，上述凹凸構造之凸部之高度為60 nm左右。
c.台面構造 此處，圖4(a)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略剖視圖，係表示與圖1(b)所示之區域對應之區域之圖。圖4(b)係自主面側俯視圖4(a)所示之台面構造所得之圖。圖4所示之奈米壓印用模片10係與圖1所示之奈米壓印用模片10不同，於標記用圖案40之凸部44之上表面44a，未沿著氧化鉭膜60設置槽26。
作為上述台面構造，可為如圖1所示於上述台面構造之主面沿著上述氧化鉭膜設置有槽者，亦可為如圖4所示未設置上述槽者，但較佳為設置有上述槽者。其原因在於，由於上述氧化鉭膜具有透明性，故而難以直接識別並判斷上述氧化鉭膜之有無，相對於此，可藉由識別上述槽之有無而判斷上述氧化鉭膜之有無，故而可容易地判斷上述氧化鉭膜之有無。進而，其原因在於，上述槽之存在表示於上述模片之製造時設置於上述轉印圖案之凸部之上表面之上述高對比度膜已被確實地去除，故而藉由上述槽之存在，可判斷上述高對比度膜於將上述轉印圖案轉印至被轉印體時不會成為障礙。
再者，所謂上述槽，只要為於下述「B.奈米壓印用模片之製造方法2.奈米壓印用模片之製造方法(1)奈米壓印用模片之製造方法」之項目中所記載之製造方法中之第2蝕刻步驟中進行蝕刻時形成於上述台面構造之主面者，則並不特別限定，並不限定於如圖1所示之凹狀之去除部，亦可為階差狀之去除部。
此處，圖5(a)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略剖視圖。圖5(b)係圖5(a)所示之虛線框內之放大圖。圖5(c)係自主面側俯視圖5(b)所示之台面構造所得之圖。
如圖5(a)及圖5(b)所示，奈米壓印用模片10具備具有基部21及設置於基部21之主面21a之台面構造22之透光性基材20。台面構造22包含設置於基部21之主面21a之第1階差構造27及設置於第1階差構造27之主面27a之第2階差構造28。於第2階差構造28之主面28a，設置有凹凸構造之轉印圖案30及凹凸構造之標記用圖案40。又，於基部21之與主面21a相反側之面，設置有俯視包含第2階差構造28及第1階差構造27之凹陷部25。而且，於奈米壓印用模片10，與圖1所示之模片同樣地，設置有高對比度膜50及氧化鉭膜60。
作為上述台面構造，可為如圖1所示具有單一之階差構造，且於上述單一之階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案者，亦可為如圖5所示包含第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，且於上述第2階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案者。
俯視上述台面構造之形狀並不特別限定，例如，亦可如圖1(c)所示為矩形狀。又，如圖1(b)中由M所示之上述台面構造之高度係根據用途等而不同，例如為10 μm～50 μm左右。進而，俯視為矩形狀之上述台面構造之縱向及橫向之長度係根據用途等而不同，例如為20 mm～35 mm之範圍內。
又，於包含上述第1階差構造及上述第2階差構造之上述台面構造中，又，俯視上述第1階差構造及上述第2階差構造之形狀並不特別限定，例如，亦可如圖5(c)所示為矩形狀。又，如圖5(b)中由M1所示之上述第1階差構造之高度係根據用途等而不同，例如為10 μm～50 μm之範圍內，俯視為矩形狀之上述第1階差構造之縱向及橫向之長度係與上述台面構造同樣。如圖5(b)中由M2所示之上述第2階差構造之高度係根據用途等而不同，例如為1 μm～5 μm之範圍內。進而，俯視為矩形狀之上述第2階差構造之縱向及橫向之長度係根據用途等而不同，例如為18 mm～33 mm之範圍內。
作為上述台面構造以及上述第1階差構造及上述第2階差構造之形成方法，例如，可列舉使用蝕刻遮罩之濕式蝕刻等。
(2)基部 上述基部係於主面設置有上述台面構造者。
a.凹陷部 於上述台面構造具有上述單一之階差構造之情形時，作為上述基部，可為如圖1所示於上述基部之與主面相反側之面設置有俯視包含上述台面構造之凹陷部者，亦可為未設置上述凹陷部者，但較佳為設置有上述凹陷部者。其原因在於，於使上述奈米壓印用模片之轉印圖案密接於塗佈於被轉印體之表面之硬化性樹脂層時，藉由使上述凹陷部內之氣壓變高使奈米壓印用模片彎曲，可抑制將空氣封入至轉印圖案與硬化性樹脂層之間。
又，於上述台面構造包含上述第1階差構造及上述第2階差構造之情形時，作為上述基部，可為如圖5所示於上述基部之與主面相反側之面設置有俯視包含上述第2階差構造之凹陷部者，亦可為未設置上述凹陷部者，但較佳為設置有上述凹陷部者。其原因在於，與上述同樣地，可抑制將空氣封入至轉印圖案與硬化性樹脂層之間。進而，作為上述凹陷部，較佳為如圖5所示俯視包含上述第1階差構造者。其原因在於，於使上述凹陷部內之氣壓變高使奈米壓印用模片彎曲時，可抑制下述設置於上述第1階差構造之主面之遮光部及氧化鉭膜剝離等不良情況。
俯視上述凹陷部之形狀只要為俯視包含上述第2階差構造者則並不特別限定，例如，亦可為圓狀。又，上述凹陷部之深度例如為4 mm～5.5 mm之範圍內，圓狀之上述凹陷部之直徑例如為80 mm左右。
作為上述凹陷部之形成方法，例如，可列舉機械加工等，只要根據上述凹陷部之形狀及尺寸以及上述透光性基材之材料等而適當選擇即可。
b.基部 俯視上述基部之形狀並不特別限定，通常為矩形狀。於該情形時，上述基部之縱向及橫向之長度係根據用途等而不同，例如為142 mm～162 mm之範圍內。又，上述基部之厚度係根據材料或用途等而不同，例如為0.5 mm～10 mm之範圍內。
(3)其他 作為構成上述透光性基材之材料，例如，可列舉合成石英、鈉玻璃、螢石、氟化鈣等。其中，由於在奈米壓印用模片形成用基板中之使用實績較高且品質穩定，能夠形成高精度之微細之轉印圖案，故而較佳地使用合成石英。作為上述透光性基材之透光性，較佳為波長300 nm～450 nm之範圍內之光線之透過率為85%以上。
4.其他 作為上述台面構造包含上述第1階差構造及上述第2階差構造之上述奈米壓印用模片，較佳為如圖5所示，於第1階差構造27之主面27a中之第2階差構造28之周圍之區域設置有遮光部70，且以不露出地覆蓋遮光部70之主面70a之方式於遮光部70之主面70a設置有氧化鉭膜60。其原因在於，可藉由上述遮光部而抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，而且於硫酸洗淨或鹼洗淨以及使用電漿灰化進行之洗淨時，可藉由上述氧化鉭膜而充分抑制上述遮光部膜減少或消失。
此處，圖6係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略剖視圖，係表示與圖5(a)所示之區域對應之區域之圖。於圖6所示之奈米壓印用模片10中，以不露出地覆蓋遮光部70之主面70a及側面70b之方式，與遮光部70之主面70a及側面70b連續地設置。
作為設置於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜，較佳為如圖6所示，以覆蓋上述遮光部之主面及側面之方式設置於上述遮光部之主面及側面。其原因在於，可抑制上述遮光部自側面受到硫酸洗淨或鹼洗淨及電漿灰化之影響，故而可有效地抑制上述遮光部之膜減少或消失。
作為上述遮光部，只要能夠抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域則並不特別限定，亦可為具有僅包含遮光性膜之單層構造者，但較佳為如圖5及圖6所示，具有將遮光性膜80及高對比度膜50按照該順序積層而成之多層構造者。其原因在於，上述多層構造之遮光性與上述單層構造相比變高，故而可有效地抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域。
又，較佳為遮光部不僅形成於第1階差構造之主面中之第2階差構造之周圍之區域，而且亦形成於第1階差構造之側面。進而，於該情形時，亦可於第1階差構造之側面中之遮光部上形成氧化鉭膜。
作為上述遮光性膜之材料，例如，可列舉Al、Ni、Co、Cr、Ti、Ta、W、Mo、Sn、Zn等金屬、Si等，又，亦可使用該等之氧化物、氮化物、合金等。作為上述遮光性膜之遮光性，較佳為波長365 nm之範圍內之光線之透過率為1%以下，尤佳為0.1%以下。
作為上述遮光性膜之厚度，只要能夠抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域則並不特別限定，例如，於上述遮光性膜之材料使用Cr之情形時，只要為15 nm以上之範圍內即可。尤佳為35 nm～1000 nm之範圍內，特佳為55 nm～1000 nm之範圍內。其原因在於，藉由上述遮光性膜之厚度為該等範圍之下限以上，可分別使波長365 nm之範圍內之光線之透過率為1%以下及0.1%以下。
作為上述遮光性膜之形成方法，例如，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、及離子鍍覆法等PVD法(physical vapor deposition，物理氣相沈積)、電漿CVD法、熱CVD法、及光CVD法等CVD法(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)等、以及塗料、染料、顏料之塗佈等。
關於上述多層構造中之上述高對比度膜，由於與上述「2.高對比度膜」之項目中所記載之高對比度膜相同，故而省略此處之說明。
B.奈米壓印用模片之製造方法 本發明之奈米壓印用模片之製造方法之特徵在於具備：準備步驟，其係準備模片形成用構件，該模片形成用構件具備透光性基材及高對比度膜，上述透光性基材具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，且於上述台面構造之主面設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，上述高對比度膜設置於上述透光性基材之主面側整面；第1樹脂層形成步驟，其係以設置有上述標記用圖案之標記用圖案區域成為薄膜，且設置有上述轉印圖案之轉印圖案區域成為厚膜之方式，於上述標記用圖案及上述轉印圖案上形成第1樹脂層；第1蝕刻步驟，其係藉由對形成有上述第1樹脂層之上述模片形成用構件進行蝕刻，而於至少上述標記用圖案之凹部之底面及上述轉印圖案區域使上述高對比度膜殘留，將上述高對比度膜之其他部分去除；氧化鉭膜形成步驟，其係於進行了上述第1蝕刻步驟之上述模片形成用構件之主面側整面形成氧化鉭膜；第2樹脂層形成步驟，其係以上述標記用圖案區域成為厚膜，且上述轉印圖案區域成為薄膜之方式，於形成於上述標記用圖案區域及上述轉印圖案區域之上述氧化鉭膜上形成第2樹脂層；第2蝕刻步驟，其係藉由對形成有上述第2樹脂層之上述模片形成用構件進行蝕刻，而使形成於至少上述高對比度膜之表面之上述氧化鉭膜殘留，將上述氧化鉭膜之其他部分去除；及第3蝕刻步驟，其係藉由進行將殘存之上述氧化鉭膜用作遮罩之蝕刻，而將設置於上述轉印圖案區域之高對比度膜去除。
一面參照圖式一面對本發明之奈米壓印用模片之製造方法之一例進行說明。圖7(a)～圖9(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之一例的概略步驟剖視圖。
首先，如圖7(a)所示，準備模片形成用構件1，該模片形成用構件1具備：透光性基材20，其具有基部21及設置於基部21之主面21a之台面構造22，且於台面構造22之主面22a設置有凹凸構造之轉印圖案30及凹凸構造之標記用圖案40；及高對比度膜50，其設置於標記用圖案40之凹部42之底面42a及凸部44之上表面44a以及轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a。
其次，如圖7(b)所示，於設置於標記用圖案40之凹部42之底面42a及凸部44之上表面44a之高對比度膜50上形成第1樹脂層91之薄膜91a，於設置於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50上形成較薄膜91a厚之第1樹脂層91之厚膜91b。
於該情形時，首先，於設置於標記用圖案40之凹部42之底面42a及凸部44之上表面44a之高對比度膜50上、以及設置於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50上滴加樹脂。其次，於壓抵樹脂層厚規定用模片100之狀態下使樹脂硬化之後，將樹脂層厚規定用模片100脫模。藉此，形成圖7(b)所示之薄膜91a之厚度H1及厚膜91b之厚度H2以滿足H1＜H2之方式規定的第1樹脂層91。
其次，如圖7(c)所示，藉由進行使用氧系氣體之乾式蝕刻，使用回蝕法，將第1樹脂層91局部地去除。於該情形時，如上所述，薄膜91a之厚度H1及厚膜91b之厚度H2以滿足H1＜H2之方式規定，藉此，可使設置於標記用圖案40之凹部42之底面42a之高對比度膜50上所形成之薄膜91a之透光性基材側、以及設置於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50上所形成之厚膜91b之透光性基材側殘留，並將第1樹脂層91之其他部分去除。
其次，如圖8(a)所示，將殘存之第1樹脂層91之薄膜91a及厚膜91b用作遮罩，進行使用氯系氣體之乾式蝕刻，藉此，使設置於標記用圖案40之凹部42之底面42a以及轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50殘留，將設置於標記用圖案40之凸部44之上表面44a之高對比度膜50去除。
其次，如圖8(b)所示，藉由進行濕式洗淨或使用氧系氣體之乾式蝕刻，而將殘存之第1樹脂層91去除之後，以不露出地覆蓋殘存於標記用圖案40之凹部42之底面42a之高對比度膜50之方式，與該高對比度膜50之表面以及標記用圖案40之凸部44之側面44b及上表面44a連續地形成氧化鉭膜60。又，於殘存於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50之表面形成氧化鉭膜60。
其次，如圖8(c)所示，於殘存於標記用圖案40之凹部42之底面42a之高對比度膜50之表面及標記用圖案40之凸部44之上表面44a所形成之氧化鉭膜60上形成第2樹脂層92之厚膜92a，於殘存於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50之表面所形成之氧化鉭膜60上形成較厚膜92a薄之第2樹脂層92之薄膜92b。又，此時，將第2樹脂層92之厚膜92a形成於俯視時較圖7(b)所示之第1樹脂層91之薄膜91a之形成區域R靠內側之區域。
於該情形時，首先，於殘存於標記用圖案40之凹部42之底面42a之高對比度膜50之表面及標記用圖案40之凸部44之上表面44a所形成之氧化鉭膜60上、以及殘存於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50之表面所形成的氧化鉭膜60上滴加樹脂。其次，於壓抵樹脂層厚規定用模片100之狀態下使樹脂硬化之後，將樹脂層厚規定用模片100脫模。藉此，形成圖8(c)所示之厚膜92a之厚度H3及薄膜92b之厚度H4以滿足H3＞H4之方式規定之第2樹脂層92。
其次，如圖9(a)所示，藉由進行使用氧系氣體之乾式蝕刻，使用回蝕法，將第2樹脂層92局部地去除。於該情形時，如上所述，厚膜92a之厚度H3及薄膜92b之厚度H4以滿足H3＞H4之方式規定，藉此，可使殘存於標記用圖案40之凹部42之底面42a之高對比度膜50之表面及標記用圖案40之凸部44之上表面44a所形成之氧化鉭膜60上所形成之厚膜92a之透光性基材側殘留，將厚膜92a之其他部分及薄膜92b去除。又，此時，如上所述，第2樹脂層92之厚膜92a形成於俯視時較第1樹脂層91之薄膜91a之形成區域R靠內側之區域，故而標記用圖案40之凸部44之上表面44a所形成之氧化鉭膜60之外周部61自第2樹脂層92之厚膜92a露出。
其次，如圖9(b)所示，將殘存之第2樹脂層92之厚膜92a用作遮罩，進行使用氟系氣體之乾式蝕刻，藉此，使與殘存於標記用圖案40之凹部42之底面42a之高對比度膜50之表面、以及標記用圖案40之凸部44之側面44b及上表面44a連續地形成的氧化鉭膜60殘留，將氧化鉭膜60之其他部分去除。此時，由於標記用圖案40之凸部44之上表面44a所形成之氧化鉭膜60之外周部61自第2樹脂層92之厚膜92a露出，故而將氧化鉭膜60之外周部61去除，並且於外周部61之區域中將標記用圖案40之凸部44之上表面44a側之部分去除。藉此，於標記用圖案40之凸部44之上表面44a，沿著成為第2樹脂層92之厚膜92a之區域形成槽26。
其次，如圖9(c)所示，藉由進行濕式洗淨或使用氧系氣體之乾式蝕刻，而將殘存之第2樹脂層92之厚膜92a去除之後，將殘存之氧化鉭膜60用作遮罩，進行使用氯系氣體之乾式蝕刻，藉此，將設置於轉印圖案30之凹部32之底面32a及凸部34之上表面34a之高對比度膜50去除。藉此，可製造圖1所示之奈米壓印用模片10。
因此，根據本發明，可製造能夠充分抑制高對比度膜之膜減少或消失之奈米壓印用模片。進而，由於無加工高對比度膜時氧化鉭膜消失之虞，故而容易以不露出地覆蓋高對比度膜之方式設置。
1.奈米壓印用模片之製造方法之各步驟 以下，對奈米壓印用模片之製造方法之各步驟進行說明。
(1)準備步驟 於上述準備步驟中，準備模片形成用構件，該模片形成用構件具備：透光性基材，其具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，且於上述台面構造之主面設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案；及高對比度膜，其設置於上述透光性基材之主面側整面。
關於上述透光性基材，由於與上述「A.奈米壓印用模片3.透光性基材」之項目中所記載之透光性基材相同，故而省略此處之說明。
關於上述高對比度膜，由於除了設置於上述標記用圖案之凹部之底面及凸部之上表面以及上述轉印圖案之凹部之底面及凸部之上表面的方面以外，與上述「A.奈米壓印用模片2.高對比度膜」之項目中所記載之高對比度膜相同，故而省略此處之說明。
(2)第1樹脂層形成步驟 於上述第1樹脂層形成步驟中，以設置有上述標記用圖案之標記用圖案區域成為薄膜、且設置有上述轉印圖案之轉印圖案區域成為厚膜之方式，於上述標記用圖案及上述轉印圖案上形成第1樹脂層。
此處，所謂上述第1樹脂層之薄膜之厚度，係指如圖7(b)中由H1所示之上述標記用圖案之凹部中之上述第1樹脂層之薄膜之厚度，所謂上述第1樹脂層之厚膜之厚度，係指如圖7(b)中由H2所示之上述轉印圖案之凹部中之上述第1樹脂層之厚膜之厚度。
上述第1樹脂層之薄膜之厚度及上述第1樹脂層之厚膜之厚度係根據蝕刻條件而適當設定。
作為上述第1樹脂層之材料，只要為奈米壓印微影中使用之硬化性樹脂則並不特別限定，例如，可列舉熱固性樹脂及光硬化性樹脂。尤佳為光硬化性樹脂，特佳為紫外線硬化性樹脂。
(3)第1蝕刻步驟 於上述第1蝕刻步驟中，藉由對形成有上述第1樹脂層之上述模片形成用構件進行蝕刻，而於至少上述標記用圖案之凹部之底面及上述轉印圖案區域使上述高對比度膜殘留，將上述高對比度膜之其他部分去除。
上述第1蝕刻步驟並不特別限定，通常如圖7(c)及圖8(a)所示，包含第1樹脂層去除步驟及高對比度膜去除步驟，該第1樹脂層去除步驟係使設置於上述標記用圖案之凹部之底面之上述高對比度膜上所形成之上述第1樹脂層之薄膜之上述透光性基材側、以及設置於上述轉印圖案之凹部之底面及凸部之上表面之上述高對比度膜上所形成之上述第1樹脂層之厚膜之上述透光性基材側殘留，將上述第1樹脂層之其他部分去除，該高對比度膜去除步驟係藉由將殘存之上述第1樹脂層用作遮罩之蝕刻，而使設置於上述標記用圖案之凹部之底面以及上述轉印圖案之凹部之底面及凸部之上表面的上述高對比度膜殘留，將上述高對比度膜之其他部分去除。
作為去除上述第1樹脂層之方法，只要能夠使上述第1樹脂層之上述透光性基材側殘留並將上述第1樹脂層之其他部分去除，則並不特別限定，可列舉使用回蝕法之乾式蝕刻等。作為使用於上述乾式蝕刻之氣體，例如，可列舉氧系氣體等。
作為上述高對比度膜之蝕刻之方法，可為乾式蝕刻，亦可為濕式蝕刻，但較佳為乾式蝕刻。作為使用於上述乾式蝕刻之氣體，例如，可列舉氯系氣體等。
(4)氧化鉭膜形成步驟 於上述氧化鉭膜形成步驟中，於進行了上述第1蝕刻步驟之上述模片形成用構件之主面側整面形成氧化鉭膜。
關於上述氧化鉭膜，由於與上述「A.奈米壓印用模片1.氧化鉭膜」之項目中所記載之氧化鉭膜相同，故而省略此處之說明。
作為形成上述氧化鉭膜之方法，並不特別限定，例如，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、及離子鍍覆法等PVD法(physical vapor deposition)、電漿CVD法、熱CVD法、及光CVD法等CVD法(chemical vapor deposition)等、以及塗料、染料、顏料之塗佈等。
再者，上述氧化鉭膜形成步驟係於將殘存之上述第1樹脂層去除之後進行。
(5)第2樹脂層形成步驟 於上述第2樹脂層形成步驟中，以上述標記用圖案區域成為厚膜、且上述轉印圖案區域成為薄膜之方式，於上述標記用圖案區域及上述轉印圖案區域所形成之上述氧化鉭膜上形成第2樹脂層。
此處，所謂上述第2樹脂層之厚膜之厚度，係指如圖8(c)中由H3所示之上述標記用圖案之凹部中之上述第2樹脂層之厚膜之厚度，所謂上述第2樹脂層之薄膜之厚度，係指如圖8(c)中由H4所示之上述轉印圖案之凹部中之上述第2樹脂層之薄膜之厚度。
上述第2樹脂層之薄膜之厚度及上述第2樹脂層之厚膜之厚度係根據蝕刻條件而適當設定。
關於上述第2樹脂層之材料，由於與上述第1樹脂層相同，故而省略此處之說明。
(6)第2蝕刻步驟 於上述第2蝕刻步驟中，藉由對形成有上述第2樹脂層之上述模片形成用構件進行蝕刻，而使至少上述高對比度膜之表面所形成之上述氧化鉭膜殘留，將上述氧化鉭膜之其他部分去除。
上述第2蝕刻步驟並不特別限定，通常如圖9(a)及圖9(b)所示，包含第2樹脂層去除步驟及氧化鉭膜去除步驟，該第2樹脂層去除步驟係使殘存於上述標記用圖案之凹部之底面之上述高對比度膜之表面所形成之上述氧化鉭膜上所形成之上述第2樹脂層之厚膜之上述透光性基材側殘留，將上述第2樹脂層之厚膜之其他部分及上述第2樹脂層之薄膜去除，該氧化鉭膜去除步驟係藉由將殘存之上述第2樹脂層之厚膜用作遮罩之蝕刻，而使殘存於上述標記用圖案之凹部之底面之上述高對比度膜之表面所形成之上述氧化鉭膜殘留，將上述氧化鉭膜之其他部分去除。
作為去除上述第2樹脂層之方法，只要能夠使上述第2樹脂層之厚膜之上述透光性基材側殘留並將上述第2樹脂層之厚膜之其他部分及上述第2樹脂層之薄膜去除，則並不特別限定，可列舉使用回蝕法之乾式蝕刻等。作為使用於上述乾式蝕刻之氣體，例如，可列舉氧系氣體等。
作為上述氧化鉭膜之蝕刻之方法，可為乾式蝕刻，亦可為濕式蝕刻，但較佳為乾式蝕刻。作為使用於上述乾式蝕刻之氣體，例如，可列舉氟系氣體等。
(7)第3蝕刻步驟 於上述第3蝕刻步驟中，藉由進行將殘存之上述氧化鉭膜用作遮罩之蝕刻，而將設置於上述轉印圖案區域之高對比度膜去除。
作為上述高對比度膜之蝕刻之方法，由於與上述第1蝕刻步驟相同，故而省略此處之說明。
再者，上述高對比度膜之第2去除步驟可於將殘存之上述第2樹脂層去除之後進行，亦可於將該等去除之前進行，但通常於將該等去除之後進行。
2.奈米壓印用模片之製造方法 以下，對本發明之奈米壓印用模片之製造方法進行說明。
(1)奈米壓印用模片之製造方法 對上述奈米壓印用模片之製造方法之較佳之態樣進行說明。
作為上述奈米壓印用模片之製造方法，較佳為如下製造方法，即，如圖7(c)及圖8(a)以及圖9(a)及圖9(b)所示，於上述第1蝕刻步驟中，於上述標記用圖案中，僅於上述凹部之底面使上述對比度膜殘留，將上述對比度膜之其他部分去除，於上述第2蝕刻步驟中，使上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面所形成之上述氧化鉭膜殘留。其原因在於，能夠製造如下之上述奈米壓印用模片，其如圖1及圖2所示，於上述標記用圖案中，僅於上述凹部之底面設置有上述對比度膜，且於上述高對比度膜之表面及上述標記用圖案之凸部之上表面設置有上述氧化鉭膜。
進而，作為此種奈米壓印用模片之製造方法，尤佳為如下製造方法，即，如圖8(c)～圖9(b)所示，於上述第2樹脂層形成步驟中，將成為上述第2樹脂層之厚膜之區域設為俯視時較成為上述第1樹脂層之薄膜之區域靠內側，於上述第2蝕刻步驟中，藉由進行上述蝕刻，而於上述台面構造之主面，沿著成為上述第2樹脂層之厚膜之區域形成槽。其原因在於，能夠製造可藉由識別上述槽之有無而判斷上述氧化鉭膜之有無之上述奈米壓印用模片。
(2)台面構造包含第1階差構造及第2階差構造之奈米壓印用模片之製造方法 作為上述奈米壓印用模片之製造方法，較佳為如下製造方法：於上述準備步驟中，準備上述模片形成用構件，該上述模片形成用構件中，上述台面構造具有設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述第2階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案，且進而具有設置於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域之遮光部，於上述第1樹脂層形成步驟中，亦於上述遮光部上形成上述第1樹脂層，於上述第1蝕刻步驟中，使上述遮光部殘留，於上述氧化鉭膜形成步驟中，於上述遮光部之主面形成上述氧化鉭膜，於上述第2樹脂層形成步驟中，於上述遮光部之主面所形成之上述氧化鉭膜上亦形成上述厚膜之第2樹脂層，於上述第2蝕刻步驟中，使形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜殘留。以下，一面參照圖式一面對該製造方法進行說明。
圖10(a)～圖12(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之另一例的概略步驟剖視圖。
首先，如圖10(a)所示，準備模片形成用構件1，該模片形成用構件1中，台面構造22具有設置於基部21之主面21a之第1階差構造27及設置於第1階差構造27之主面27a之第2階差構造28，於第2階差構造28之主面28a，設置有凹凸構造之轉印圖案30及凹凸構造之標記用圖案40，且進而具有設置於第1階差構造27之主面27a中之第2階差構造28之周圍之區域之遮光部70，除了上述方面以外，具有與圖7(a)所示之模片形成用構件1相同之構成。再者，遮光部70具有將遮光性膜80及高對比度膜50按照該順序積層而成之多層構造。
其次，如圖10(b)所示，與圖7(b)所示之步驟同樣地形成第1樹脂層91之薄膜91a及厚膜91b，並且於遮光部70上形成第1樹脂層91之遮光部用膜91c。
於該情形時，首先，與圖7(b)所示之步驟同樣地於標記用圖案40及轉印圖案30之區域滴加樹脂，並且於遮光部70之主面70a滴加樹脂。其次，如圖10(b)所示，於壓抵樹脂層厚規定用模片100之狀態下使樹脂硬化之後，將樹脂層厚規定用模片100脫模。藉此，形成第1樹脂層91之薄膜91a、厚膜91b、及遮光部用膜91c。
其次，如圖10(c)所示，藉由進行使用氧系氣體之乾式蝕刻，使用回蝕法，將第1樹脂層91局部地去除。於該情形時，可與圖7(c)所示之步驟同樣地使第1樹脂層91之薄膜91a及厚膜91b之透光性基材側殘留，並且使第1樹脂層91之遮光部用膜91c之透光性基材側殘留，將樹脂層之其他部分去除。
其次，如圖11(a)所示，將殘存之第1樹脂層91之薄膜91a、厚膜91b、及遮光部用膜91c用作遮罩，進行使用氯系氣體之乾式蝕刻，藉此，與圖8(a)所示之步驟同樣地使高對比度膜50殘留，並且使遮光部70中之高對比度膜50殘留，將高對比度膜50之其他部分去除。
其次，如圖11(b)所示，將殘存之第1樹脂層91去除之後，與圖8(b)所示之步驟同樣地形成氧化鉭膜60，並且以不露出地覆蓋遮光部70之主面70a及側面70b之方式，與遮光部70之主面70a及側面70b連續地形成氧化鉭膜60。
其次，如圖11(c)所示，與圖8(c)所示之步驟同樣地形成第2樹脂層92之厚膜92a及薄膜92b，並且於形成於遮光部70之主面70a之氧化鉭膜60上形成較薄膜92b厚之第2樹脂層92之遮光部用厚膜92c。
於該情形時，首先，與圖8(c)所示之步驟同樣地於標記用圖案40及轉印圖案30之區域滴加樹脂，並且於形成於遮光部70之主面70a之氧化鉭膜60上滴加樹脂。其次，於壓抵樹脂層厚規定用模片100之狀態下使樹脂硬化之後，將樹脂層厚規定用模片100脫模。藉此，形成圖11(c)所示之厚膜92a之厚度H3、薄膜92b之厚度H4、及遮光部用厚膜92c之厚度H6以滿足H3＞H4及H6＞H4之方式規定之第2樹脂層92。
其次，如圖12(a)所示，藉由進行使用氧系氣體之乾式蝕刻，使用回蝕法，將第2樹脂層92局部地去除。於該情形時，如上所述，各樹脂層之厚度以滿足H3＞H4及H6＞H4之方式規定，藉此，可與圖9(a)所示之步驟同樣地使厚膜92a之透光性基材側殘留，並且使遮光部用厚膜92c之透光性基材側殘留，將樹脂層之其他部分去除。
其次，如圖12(b)所示，將殘存之第2樹脂層92之厚膜92a及遮光部用厚膜92c用作遮罩，進行使用氟系氣體之乾式蝕刻，藉此，與圖9(b)所示之步驟同樣地使氧化鉭膜60殘留，並且使形成於遮光部70之主面70a之氧化鉭膜60殘留，將氧化鉭膜60之其他部分去除。
其次，如圖12(c)所示，將殘存之第2樹脂層92之厚膜92a及第2樹脂層92之遮光部用厚膜92c去除之後，與圖9(b)所示之步驟同樣地將高對比度膜50去除。藉此，製造圖5所示之奈米壓印用模片10。再者，高對比度膜50之去除亦可於將殘存之第2樹脂層92之厚膜92a遮光部用厚膜92c去除之後進行，但通常於將該等去除之後進行。
因此，作為上述奈米壓印用模片之製造方法，較佳為上述台面構造包含第1階差構造及第2階差構造之奈米壓印用模片之製造方法。其原因在於，能夠製造可藉由上述遮光部而抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，而且可藉由上述氧化鉭膜而抑制上述遮光部之膜減少或消失的奈米壓印用模片。
以下，對上述台面構造包含第1階差構造及第2階差構造之奈米壓印用模片之製造方法之各步驟進行說明。
a.準備步驟 於上述準備步驟中，準備上述模片形成用構件，上述模片形成用構件中，上述台面構造具有設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述第2階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案，且進而具有設置於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域之遮光部。
關於具有上述第1階差構造及上述第2階差構造之上述台面構造，由於與上述「A.奈米壓印用模片3.透光性基材(1)台面構造c.台面構造」之項目中所記載之台面構造相同，故而省略此處之說明。
關於上述遮光部，由於與上述「A.奈米壓印用模片4.其他」之項目中所記載之遮光部相同，故而省略此處之說明。
b.第1樹脂層形成步驟 於上述第1樹脂層形成步驟中，亦於上述遮光部上形成上述第1樹脂層。
作為如圖10(b)中由H5所示之形成於上述遮光部上之上述第1樹脂層之厚度，只要於下述第1蝕刻步驟中之第1樹脂層去除步驟中，能夠使形成於上述遮光部上之上述第1樹脂層之上述透光性基材側殘留，則並不特別限定，根據蝕刻條件而適當設定。
c.第1蝕刻步驟 於上述第1蝕刻步驟中，使上述遮光部殘留。
上述第1蝕刻步驟並不特別限定，但通常如圖10(c)及圖11(a)所示，於上述第1樹脂層去除步驟中，使形成於上述遮光部上之上述第1樹脂層之上述透光性基材側殘留，將上述第1樹脂層之其他部分去除，於上述高對比度膜去除步驟中，藉由將殘存之上述第1樹脂層用作上述遮罩之上述蝕刻，而使上述遮光部殘留。
d.氧化鉭膜形成步驟 於上述氧化鉭膜形成步驟中，於上述遮光部之主面形成上述氧化鉭膜。
於上述氧化鉭膜形成步驟中，較佳為如圖11(b)所示，以覆蓋上述遮光部之主面及側面之方式，於上述遮光部之主面及側面連續地形成上述氧化鉭膜。其原因在於，能夠製造如下之上述奈米壓印用模片，其由於可抑制上述遮光部自側面受到硫酸洗淨或鹼洗淨及電漿灰化之影響，故而可有效地抑制上述遮光部之膜減少或消失。
e.第2樹脂層形成步驟 於上述第2樹脂層形成步驟中，亦於形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜上形成上述厚膜之第2樹脂層。
此處，所謂形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜上所形成之上述厚膜之厚度，係指如圖11(c)中由H6所示之上述遮光部中之上述第2樹脂層之厚膜之厚度，例如，成為與如圖8(c)中由H3所示之上述標記用圖案之凹部中之上述第2樹脂層之厚膜之厚度相同的範圍。
f.第2蝕刻步驟 於上述第2蝕刻步驟中，使形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜殘留。
上述第2蝕刻步驟並不特別限定，但通常如圖12(a)及圖12(b)所示，於上述第2樹脂層去除步驟中，使形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜上所形成之上述厚膜之第2樹脂層之透光性基材側殘留，將上述第2樹脂層之厚膜之其他部分去除，於上述氧化鉭膜去除步驟中，藉由將殘存之形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜上所形成之上述厚膜之第2樹脂層用作上述遮罩的上述蝕刻，而使形成於上述遮光部之主面之上述氧化鉭膜殘留。
C.奈米壓印用模片(第二實施態樣) 又，於本發明中，作為第二實施態樣，提供一種奈米壓印用模片，其特徵在於，具備具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造之透光性基材，於上述台面構造之主面，設置有凹凸構造之轉印圖案及凹凸構造之標記用圖案，於上述標記用圖案之凹部之底面設置有高對比度膜，且以上述高對比度膜之端部不露出之方式，設置有連續地覆蓋上述高對比度膜之表面與上述標記用圖案之凸部之側面、及上述標記用圖案之凸部之上表面且包括與上述高對比度膜不同之材料的保護膜，上述保護膜以端部處於上述標記用圖案之凸部之上表面之方式設置。
一面參照圖式一面對本態樣之奈米壓印用模片進行說明。圖13(a)係表示本態樣之奈米壓印用模片之一例之概略剖視圖。圖13(b)係圖13(a)所示之虛線框內之放大圖。圖13(c)係說明保護膜之形成區域之圖。
如圖13(a)～圖13(c)所示，奈米壓印用模片10具備具有基部21及設置於基部21之主面21a之台面構造22之透光性基材20。於台面構造22之主面22a，設置有凹凸構造之轉印圖案30及凹凸構造之標記用圖案40。又，於基部21之與主面21a相反側之面，設置有俯視包含台面構造22之凹陷部25。而且，僅於標記用圖案40之凹部42之底面42a設置有包含Cr之高對比度膜50。高對比度膜50構成對準標記。包括與高對比度膜不同之材料之保護膜600以上述高對比度膜50之端部不露出之方式，形成為連續地覆蓋上述高對比度膜50之表面與標記用圖案40之凸部44之側面44b、及上述標記用圖案之凸部之上表面44a。進而，保護膜600以端部處於標記用圖案之凸部44之上表面44a之方式設置。
如此，包括與高對比度膜不同之材料之保護膜以高對比度膜之端部不露出之方式，形成為連續地覆蓋高對比度膜之表面與標記用圖案之凸部之側面、及標記用圖案之凸部之上表面，且以端部處於標記用圖案之凸部之上表面之方式設置，藉此，高對比度膜之端部藉由上述保護膜而密封，故而可確實地抑制如與高對比度膜接觸之藥液滲入，可抑制高對比度膜之膜減少。又，即便上述高對比度膜突出至上述標記用圖案之凸部之側面為止，亦可不露出地覆蓋上述高對比度膜。
1.保護膜 作為保護膜之構成材料，只要為與高對比度膜不同之材料則並不特別限定，例如，可列舉氧化鉭、矽(無定形；a-Si)、氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、碳化矽(SiC)、矽化鉬(MoSi)、矽化鉭(TaSi)、矽化鎢(WSi)等。 特佳為保護膜為包含氧化鉭之氧化鉭膜。氧化鉭膜相對於將奈米壓印微影中所使用之抗蝕劑等異物去除之硫酸洗淨或鹼洗淨之耐性充分高，而且相對於將該等洗淨中無法去除而殘存之異物去除之使用含氧氣體之電漿灰化之耐性亦充分高。因此，氧化鉭膜無於硫酸洗淨或鹼洗淨以及使用電漿灰化進行之模片之洗淨時消失之虞。
進而，氧化鉭膜由於與高對比度膜蝕刻氣體不同，故而無藉由加工高對比度膜時之乾式蝕刻而消失之虞。
本發明之保護膜之特徵在於以高對比度膜之端部不露出之方式，形成為連續地覆蓋高對比度膜之表面、標記用圖案之凸部之側面、及標記用圖案之凸部之上表面，作為如此形成保護膜之方法，例如，可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、及離子鍍覆法等PVD法(physical vapor deposition)、電漿CVD法、熱CVD法、及光CVD法等CVD法(chemical vapor deposition)等。
於本發明中，特佳為使用如下方法：以亦於標記用圖案之凸部之側面確實地形成之方式，於濺鍍法中，藉由將標記用圖案面與作為保護膜之材料之靶之表面之位置設置於並非水平而具有1°～30°之角度之位置，能夠於凸部之側面亦形成保護膜，藉由使基板旋轉而均等地形成。
又，較佳為如圖13(c)所示，保護膜600以於俯視時包含設置有高對比度膜之標記用圖案之凹部、及凸部複數個連續排列而成之對準標記區域40A之方式，設置於較對準標記區域40A大之區域。
又，於該情形時，通常，較佳為對準標記區域40A為矩形狀，且保護膜600之端部處於與對準標記區域40A之各邊相距50 nm以上之位置。亦即，如圖13(b)所示，僅於標記用圖案40之凹部42之底面42a設置有包含Cr之高對比度膜50之情形時，保護膜600較佳為凸部之上表面中之寬度(圖13(c)之w3及w4)為50 nm以上。
又，亦可如圖14(a)所示，上述對準標記區域於台面構造之主面設置有複數個。於該情形時，例如，各對準標記區域中之凹凸圖案亦可成為相互正交之方向。 於如此於台面構造主面設置有複數個對準標記區域之情形時，較佳為如圖14(b)所示，保護膜600以包含複數個對準標記區域之方式，設置於較複數個對準標記區域大之區域。
又，於該情形時，亦較佳為保護膜之端部處於與對準標記區域40A之各邊相距50 nm以上之位置。
作為上述保護膜之凸部之上表面中之至保護膜端部為止之寬度(圖13(c)之w3及w4)，如上所述較佳為50 nm以上，特佳為設為100 nm以上，尤佳為設為500 nm以上。其原因在於，使利用保護膜實現之相對於高對比度膜之密封性更確實。再者，通常，上限只要為不對標記用圖案面帶來影響之範圍即可。
又，保護膜600之厚度通常為1 nm～20 nm，較佳為1 nm～10 nm。其原因在於，若形成於上述凸部之上表面之保護膜過薄，則無法充分抑制上述高對比度膜之膜減少或消失，若上述保護膜過厚，則當設置於上述標記用圖案之凸部之上表面時，於將上述轉印圖案轉印至被轉印體時成為障礙。
進而，作為凸部側面中之保護膜之厚度，較佳為0.5 nm～10 nm之範圍內，尤佳為0.5 nm～5 nm之範圍內。其原因在於，於較上述範圍薄之情形時，難以充分進行高對比度膜之保護，又，較上述範圍厚地形成在步驟上困難，又，花費時間，故而於成本方面變得不利。再者，凸部側面中之保護膜之厚度亦可不均勻，通常，凸部上表面側較厚，相反側(凹部底面側)變薄。因此，上述膜厚之厚度之值係表示平均值者。
又，本態樣中之奈米壓印用模片亦可將設置於標記用圖案中之相鄰之複數個凹部之底面之保護膜相互分離。
2.高對比度膜 本態樣中之高對比度膜係設置於標記用圖案之凹部之底面者。較佳為如圖13(b)所示，高對比度膜僅設置於上述標記用圖案之凹部42之底面42a。 另外，關於上述高對比度膜，由於與上述「A.奈米壓印用模片2.高對比度膜」之項目中所記載之高對比度膜相同，故而省略此處之說明。
3.透光性基材 本態樣中之透光性基材係具有基部及設置於基部之主面之台面構造者。關於透光性基材，由於與上述「A.奈米壓印用模片3.透光性基材」之項目中所記載之透光性基材相同，故而省略此處之說明。再者，於本態樣中，亦與第一實施態樣同樣地，較佳為於台面構造之主面沿著保護膜設置槽。又，與第一實施態樣同樣地，作為台面構造，可為具有單一之階差構造且於上述單一之階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案者，亦可為包含第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造且於上述第2階差構造之主面設置有上述轉印圖案及上述標記用圖案者。
D.2段台面基底 於本發明中，提供一種2段台面基底，其特徵在於，其係用以製造奈米壓印用模片者，且具有透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，至少於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部，且以覆蓋上述遮光部之主面之方式於上述遮光部之主面設置有保護膜。
一面參照圖式一面對本發明之2段台面基底之一例進行說明。圖15係表示本發明之2段台面基底之一例之概略剖視圖。如圖15所示，本發明之2段台面基底200具有透光性2段台面基底形成用構件201，透光性2段台面基底形成用構件201具有基部210及設置於基部之主面之台面構造220。台面構造220包含設置於基部210之主面之第1階差構造270及設置於第1階差構造之主面之第2階差構造280。又，於基部210之與主面210a相反側之面，設置有俯視包含上述第2階差構造之凹陷部250。於第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部70，且以覆蓋遮光部70之主面之方式於遮光部之主面設置有保護膜600。
若為此種2段台面基底，則能夠製造如下奈米壓印用模片，其可藉由上述遮光部而抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，而且可藉由上述保護層抑制上述遮光部之膜減少或消失。
1.透光性2段台面基底形成用構件 上述透光性2段台面基底形成用構件係具有基部及設置於基部之主面之台面構造者。 (1)台面構造 本發明中之透光性2段台面基底形成用構件除了未於台面構造之主面形成凹凸構造以外，與上述透光性基材相同。亦即，係未形成標記用圖案及轉印圖案者。台面構造包含設置於基部之主面之第1階差構造及設置於第1階差構造之主面之第2階差構造。俯視第1階差構造及第2階差構造之形狀或第1階差構造及第2階差構造之高度、俯視呈矩形狀之第1階差構造及第2階差構造之縱向及橫向之長度由於與上述「A.奈米壓印用模片3.透光性基材(1)台面構造」之項目中所記載之內容相同，故而省略此處之說明。
作為上述台面構造以及上述第1階差構造及上述第2階差構造之形成方法，例如，可列舉使用蝕刻遮罩之濕式蝕刻等。
(2)基部 關於上述基部，由於與上述「A.奈米壓印用模片3.透光性基材(2)基部」之項目中所記載之內容相同，故而省略此處之說明。
2.遮光部 上述遮光部設置於第1階差構造之主面中之第2階差構造之周圍之區域。遮光部只要能夠抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域，則並不特別限定，可為具有僅包含遮光性膜之單層構造者，亦可為具有將遮光性膜及高對比度膜按照該順序積層而成之多層構造者。其原因在於，上述多層構造之遮光性與上述單層構造相比變高，故而可有效地抑制於光壓印時將曝光之光照射至非意圖之區域。
關於遮光性膜之材料、遮光性、厚度、透過性、形成方法、及高對比度膜，由於與上述「A.奈米壓印用模片4.其他」之項目中所記載之內容相同，故而省略此處之說明。
又，上述遮光部可如圖15所示僅設置於第1階差構造之主面中之第2階差構造之周圍之區域，亦可如圖16所示自第1階差構造270之主面設置至基部210之主面。
3.保護膜 本發明之2段台面基底中之保護膜以不露出地覆蓋遮光部之主面之方式設置於遮光部之主面。藉由上述保護膜，可充分抑制遮光部之膜減少或消失。如圖16所示，遮光部70自第1階差構造270之主面設置至基部210之主面之情形時，保護膜600至少自第1階差構造270之主面設置至基部210之主面。
作為上述保護膜之材料、膜厚，由於與上述「C.奈米壓印用模片(第二實施態樣)1.保護膜」之項目中所記載之內容相同，故而省略此處之說明。
E.2段台面基底之製造方法 於本發明中，提供一種2段台面基底之製造方法，其特徵在於其係上述2段台面基底之製造方法，且準備透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述透光性2段台面基底形成用構件之配置有上述第1階差構造及上述第2階差構造之側之主面形成遮光部形成用膜，於上述遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜，於第1階差構造之主面上及上述第2階差構造之主面上形成硬化性樹脂層，對上述硬化性樹脂層，以形成於上述第1階差構造之主面之硬化性樹脂層之膜厚較形成於上述第2階差構造之主面之硬化性樹脂層之膜厚成為厚膜之方式進行壓印成形，以遮光部形成用膜及保護膜僅殘存於上述第1階差構造之主面之方式進行蝕刻，藉此，製造於上述透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域依序設置有遮光部及保護膜的2段台面基底。
一面參照圖式一面對本發明之2段台面基底之製造方法之一例進行說明。圖17(a)～圖17(c)係表示本發明之2段台面基底之製造方法之一例的概略步驟剖視圖。
首先，如圖17(a)所示，準備透光性2段台面基底形成用構件201，該透光性2段台面基底形成用構件201具有基部210及設置於基部之主面之台面構造220，台面構造220具有設置於基部210之主面210a之第1階差構造270及設置於第1階差構造270之主面270a之第2階差構造280。
其次，如圖17(b)所示，於2段台面基底形成用構件201之表面形成遮光部形成用膜70。其次，如圖17(c)所示，於遮光部形成用膜70上形成保護膜形成用膜610。
其次，如圖17(d)、(e)所示，將硬化性樹脂層17以於第1階差構造之主面上成為厚膜、於第2階差構造之主面上成為薄膜之方式，於壓抵樹脂層厚規定用模片101之狀態下硬化之後，將樹脂層厚規定用模片101脫模，藉此進行壓印成形。作為硬化性樹脂層之材料，只要係奈米壓印微影中所使用之硬化性樹脂則並不特別限定，例如，可列舉熱固性樹脂及光硬化性樹脂。尤佳為光硬化性樹脂，特佳為紫外線硬化性樹脂。
其次，如圖17(f)所示，使以厚膜形成有硬化性樹脂層之第1階差構造之主面上殘留，將保護膜及遮光部形成用膜藉由蝕刻而去除。藉此，可製造如下2段台面基底，其於透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部70，且以覆蓋遮光部70之主面之方式於遮光部70之主面設置有保護膜600。
又，於本發明中，提供一種2段台面基底之製造方法，其特徵在於其係上述2段台面基底之製造方法，且準備透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述透光性2段台面基底形成用構件之表面形成遮光部形成用膜，於上述遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜，於上述保護膜形成用膜上塗佈抗蝕劑組合物形成抗蝕層，藉由將上述抗蝕層經由遮罩曝光、顯影，而將上述第2階差構造之主面上之抗蝕層去除，將露出之上述第2階差構造之主面所形成之遮光部形成用膜及保護膜形成用膜藉由蝕刻去除，藉此，製造上述遮光部及保護膜按照該順序積層而成之積層物自上述透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面設置至上述基部之主面的2段台面基底。
一面參照圖式一面對上述本發明之2段台面基底之製造方法之另一例進行說明。圖18(a)～圖19(c)係表示本發明之2段台面基底之製造方法之一例的概略步驟剖視圖。
首先，如圖18(a)所示，準備透光性2段台面基底形成用構件201，該透光性2段台面基底形成用構件201具有基部210及設置於基部之主面之台面構造220，台面構造220具有設置於基部210之主面210a之第1階差構造270及設置於第1階差構造270之主面270a之第2階差構造280。
其次，如圖18(b)所示，於透光性2段台面基底形成用構件之表面形成遮光部形成用膜70。其次，如圖18(c)所示，於遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜610。
其次，如圖18(d)所示，於保護膜上塗佈抗蝕劑組合物，形成抗蝕層18。其次，如圖18(e)、19(a)所示，藉由經由遮罩進行曝光、顯影，而將第2階差構造之主面上之抗蝕劑去除。繼而，如圖19(b)所示，將形成於第2階差構造之主面之遮光部形成用膜及保護膜利用蝕刻去除。其次，如圖19(c)所示，最後藉由將抗蝕劑去除，而製造遮光部70及保護膜600自透光性2段台面基底之第1階差構造之主面設置至基部之主面的2段台面基底。
於上述2段台面基底之製造方法中，藉由在對圖18(e)所示之抗蝕層18之曝光時，亦對基部210之主面進行曝光、顯影，亦能夠製造如圖15所示之段台面基底。 再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態係例示，具有與本發明之申請專利範圍之技術思想實質上相同之構成且發揮相同之作用效果的任何者均包含於本發明之技術範圍。 [實施例]
以下，使用實施例，對本發明更具體地進行說明。
[實施例1] 藉由圖7(a)～圖9(c)所示之製造方法而製造具有與圖1所示之奈米壓印用模片10相同之構成之奈米壓印用模片。此時，透光性基材之材料設為石英玻璃，高對比度膜之材料設為Cr。又，氧化鉭膜藉由濺鍍法而成膜，氧化鉭膜之厚度設為4 nm。以下，將包含實施例1中之氧化鉭膜且以不露出地覆蓋高對比度膜之方式設置之膜稱為保護膜。
[實施例2] 除了形成具有與實施例1之氧化鉭膜相同之厚度且包含氮氧化鉻之氮氧化鉻膜作為保護膜以外，以與實施例1相同之方式，製造奈米壓印用模片。
[實施例3] 除了形成具有與實施例1之氧化鉭膜相同之厚度且包含SiO2 之氧化矽膜作為保護膜以外，以與實施例1相同之方式，製造奈米壓印用模片。
[實施例4] 除了形成具有與實施例1之氧化鉭膜相同之厚度且包含TaN之氮化鉭膜作為保護膜以外，以與實施例1相同之方式，製造奈米壓印用模片。
[比較例1] 除了不於高對比度膜之表面形成保護膜以外，以與實施例1相同之方式，製造奈米壓印用模片。
[評價] 關於實施例1～4、及比較例1，對成膜性、加工性、對比度、耐酸性、耐鹼性、及耐氧灰化性，以如下方式進行評價。
一.成膜性 對於高對比度膜之表面成膜各種保護膜時之成膜之容易度進行評價。評價條件及評價基準如下所述。 (評價條件) 各種保護膜藉由濺鍍法而成膜。 (評價基準) ○：成膜容易。 ×：成膜困難。
二.加工性 對奈米壓印用模片之製造時之保護膜之加工之容易度進行評價。評價條件及評價基準如下所述。 (評價條件) 對各種保護膜藉由使用適合於各種保護膜之加工之蝕刻氣體之乾式蝕刻進行加工。 (評價基準) ○：加工容易。 ×：加工困難。
三.對比度 對奈米壓印用模片中之高對比度膜之對比度(反射率)進行評價。評價條件及評價基準如下所述。 (評價條件) 於壓印裝置中，使用包括高對比度膜之對準標記進行奈米壓印用模片與被轉印體之位置對準。 (評價基準) ○：獲得足以進行位置對準之對比度。 ×：無法獲得足以進行位置對準之對比度。
四.耐酸性 對使用SPM(硫酸與過氧化氫水之混合液)將奈米壓印用模片洗淨時之保護膜(關於比較例1為高對比度膜)之耐性進行評價。評價條件及評價基準如下所述。 (評價條件) 使奈米壓印用模片於H2 SO4 ：H2 O2 ＝3：1、100℃之SPM中浸漬40分鐘。然後，利用AFM(Atomic Force Microscopy，原子力顯微鏡)測定浸漬前後之保護膜(關於比較例1為高對比度膜)之高度，求出浸漬後之保護膜之高度相對於浸漬前之保護膜之高度之減少量作為保護膜之消失量。 (評價基準) ○：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)完全未消失。 △：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)消失，消失量未達30%。 ×：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)消失，消失量為30%以上。
五.耐鹼性 對藉由SC1(使用氨水過氧化氫水之洗淨處理)將奈米壓印用模片洗淨時之保護膜(關於比較例1為高對比度膜)之耐性進行評價。評價條件及評價基準如下所述。 (評價條件) ・SC1 使奈米壓印用模片於NH4 OH：H2 O2 ：H2 O＝1：1：5、30℃之氨水過氧化氫水中浸漬40分鐘。然後，利用AFM測定浸漬前後之保護膜(關於比較例1為高對比度膜)之高度，求出浸漬後之保護膜之高度相對於浸漬前之保護膜之高度之減少量作為保護膜之消失量。 (評價基準) ○：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)完全未消失。 △：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)消失，消失量為30%以下。 ×：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)消失，消失量為30%以上。
六.耐氧灰化性 對利用使用含氧氣體之電漿灰化洗淨時之保護膜(關於比較例1為高對比度膜)之耐性進行評價。評價條件及評價基準如下所述。 (評價條件) 使用平行平板型之電漿灰化裝置，將奈米壓印用模片於氧氣氛圍中灰化10分鐘。然後，利用AFM測定灰化前後之保護膜(關於比較例1為高對比度膜)之高度，求出灰化後之保護膜之高度相對於灰化前之保護膜之高度之減少量作為保護膜之消失量。 (評價基準) ○：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)完全未消失。 △：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)消失，消失量未達30%。 ×：保護膜(關於比較例1為高對比度膜)消失，消失量為30%以上。
將評價結果表示於下述表1。
[表1]
高對比度膜材料 保護膜材料 成膜性 加工性 對比度 耐酸性 耐鹼性 耐氧灰化性
實施例1 Cr 氧化鉭 ○ ○ ○ ○ ○ ○
實施例2 Cr 氮氧化鉻 ○ ○ ○ ○ ○ △
實施例3 Cr SiO2 ○ △ ○ ○ △ △
實施例4 Cr TaN △ △ ○ ○ ○ －
比較例1 Cr － － ○ ○ × ○ ×
如上述表1所示，實施例1之氧化鉭膜係成膜性、加工性、對比度以及耐酸性、耐鹼性、及耐氧灰化性良好。因此，可充分抑制高對比度膜之膜減少或消失。
另一方面，如上述表1所示，實施例2之氮氧化鉻膜係耐酸性、耐鹼性良好，但耐氧灰化性較差。實施例3之氧化矽膜係耐酸性、耐鹼性良好，但加工性較差。具體而言，有於藉由蝕刻進行加工時無法於氧化矽膜及透光性基材之邊界使蝕刻停止而加工變得困難之情況。又，實施例3之氧化矽膜係耐氧灰化性並不充分，但耐酸性良好，耐鹼性亦足以抑制高對比度之膜減少。
實施例4之氮化鉭膜係耐酸性、耐鹼性良好，但成膜性及加工性較差。具體而言，氮化鉭膜於成膜時接觸於氧而容易氧化，故而有時難以成膜。又，存在對氮化鉭膜藉由乾式蝕刻進行加工時發生氧化而產生氧化鉭膜之情況。由於氮化鉭膜及氧化鉭膜係蝕刻氣體分別為氯系氣體及氟系氣體而不同，故而有於對氮化鉭膜藉由乾式蝕刻進行加工時膜之加工變得困難之情況。
再者，根據上述表1所示之未設置保護膜之比較例1之結果，可知高對比度膜之耐酸性及耐氧灰化性較差。
1:模片形成用構件 10:奈米壓印用模片 17:硬化性樹脂層 18:抗蝕層 20:透光性基材 21:基部 21a:基部21之主面 22:台面構造 22a:台面構造22之主面 25:凹陷部 26:槽 27:第1階差構造 27a:第1階差構造27之主面 28:第2階差構造 28a:第2階差構造28之主面 30:轉印圖案 32:凹部 32a:凹部32之底面 34:凸部 34a:凸部34之上表面 40:標記用圖案 40A:對準標記區域 42:凹部 42a:底面 44:凸部 44a:上表面 44b:側面 50:高對比度膜 60:氧化鉭膜 61:外周部 70:遮光部 70a:遮光部70之主面 70b:側面 80:遮光性膜 91:第1樹脂層 91a:第1樹脂層91之薄膜 91b:第1樹脂層91之厚膜 91c:遮光部用膜 92:第2樹脂層 92a:第2樹脂層92之厚膜 92b:第2樹脂層92之薄膜 92c:遮光部用厚膜 100:樹脂層厚規定用模片 101:樹脂層厚規定用模片 200:2段台面基底 201:透光性2段台面基底形成用構件 210:基部 210a:基部210之主面 220:台面構造 250:凹陷部 270:第1階差構造 270a:第1階差構造270之主面 280:第2階差構造 600:保護膜 610:保護膜形成用膜 D:凹凸構造之凹部之深度 H1 :薄膜91a之厚度 H2 :厚膜91b之厚度 H3 :厚膜92a之厚度 H4 :薄膜92b之厚度 H5 :厚度 H6 :遮光部用厚膜92c之厚度 M:台面構造之高度 M1:第1階差構造之高度 M2:第2階差構造之高度 R:第1樹脂層91之薄膜91a之形成區域 w3:寬度 w4:寬度
圖1(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之一例之概略圖。 圖2(a)、(b)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略圖。 圖3(a)、(b)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略圖。 圖4(a)、(b)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略圖。 圖5(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略圖。 圖6係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略剖視圖。 圖7(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之一例的概略步驟剖視圖。 圖8(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之一例的概略步驟剖視圖。 圖9(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之一例的概略步驟剖視圖。 圖10(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之另一例的概略步驟剖視圖。 圖11(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之另一例的概略步驟剖視圖。 圖12(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之製造方法之另一例的概略步驟剖視圖。 圖13(a)～(c)係表示本發明之奈米壓印用模片之另一例之概略圖。 圖14(a)、(b)係表示本發明之奈米壓印用模片之台面構造主面所形成之複數個對準標記區域及保護膜形成區域的俯視圖。 圖15係表示本發明之2段台面基底之一例之概略剖視圖。 圖16係表示本發明之2段台面基底之另一例之概略剖視圖。 圖17(a)～(f)係表示本發明之2段台面基底之製造方法之概略步驟剖視圖。 圖18(a)～(e)係表示本發明之2段台面基底之製造方法之另一例的概略步驟剖視圖。 圖19(a)～(c)係表示本發明之2段台面基底之製造方法之另一例的概略步驟剖視圖。
10:奈米壓印用模片
20:透光性基材
21:基部
21a:基部21之主面
22:台面構造
22a:台面構造22之主面
25:凹陷部
26:槽
30:轉印圖案
40:標記用圖案
42:凹部
42a:底面
44:凸部
44a:上表面
44b:側面
50:高對比度膜
60:氧化鉭膜
D:凹凸構造之凹部之深度
M:台面構造之高度

Claims (5)

  1. 一種2段台面基底，其特徵在於，其係用以製造奈米壓印用模片者，且具有透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，至少於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部，以覆蓋上述遮光部之主面之方式於上述遮光部之主面設置有保護膜，且上述保護膜係包含氧化鉭之氧化鉭膜。
  2. 如請求項1之2段台面基底，其中上述遮光部自上述第2階差構造之周圍之上述第1階差構造之主面設置至上述第1階差構造之周圍之上述基部之主面，且上述保護膜以覆蓋上述遮光部之主面之方式設置於上述遮光部之主面。
  3. 一種2段台面基底，其特徵在於，其係用以製造奈米壓印用模片者，且具有透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用 構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，至少於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部，以覆蓋上述遮光部之主面之方式於上述遮光部之主面設置有保護膜，上述遮光部自上述第2階差構造之周圍之上述第1階差構造之主面設置至上述第1階差構造之側面部及上述第1階差構造之周圍之上述基部之主面，且上述保護膜以覆蓋上述遮光部之主面之方式設置於上述遮光部之主面。
  4. 一種2段台面基底之製造方法，其特徵在於其係如請求項1之2段台面基底之製造方法，且準備透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述透光性2段台面基底形成用構件之配置有上述第1階差構造及上述第2階差構造之側之主面形成遮光部形成用膜，於上述遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜，於第1階差構造之主面上及上述第2階差構造之主面上形成硬化性樹 脂層，對上述硬化性樹脂層，以形成於上述第1階差構造之主面之硬化性樹脂層之膜厚較形成於上述第2階差構造之主面之硬化性樹脂層之膜厚為厚膜之方式進行壓印成形，以遮光部形成用膜及保護膜僅殘存於上述第1階差構造之主面之方式進行蝕刻，藉此，製造於上述透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域依序設置有遮光部及保護膜的2段台面基底。
  5. 一種2段台面基底之製造方法，其特徵在於其係下述2段台面基底之製造方法：該2段台面基底係用以製造奈米壓印用模片者，具有透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，至少於上述第1階差構造之主面中之上述第2階差構造之周圍之區域設置有遮光部，以覆蓋上述遮光部之主面之方式於上述遮光部之主面設置有保護膜，上述遮光部自上述第2階差構造之周圍之上述第1階差構造之主面設置至上述第1階差構造之周圍之上述基部之主面，上述保護膜以覆蓋上述遮光部之主面之方式設置於上述遮光部之主 面；且準備透光性2段台面基底形成用構件，該透光性2段台面基底形成用構件具有基部及設置於上述基部之主面之台面構造，上述台面構造包含設置於上述基部之主面之第1階差構造及設置於上述第1階差構造之主面之第2階差構造，於上述透光性2段台面基底形成用構件之表面形成遮光部形成用膜，於上述遮光部形成用膜上形成保護膜形成用膜，於上述保護膜形成用膜上塗佈抗蝕劑組合物而形成抗蝕層，藉由將上述抗蝕層經由遮罩曝光、顯影，而將上述第2階差構造之主面上之抗蝕層去除，將露出之上述第2階差構造之主面所形成之遮光部形成用膜及保護膜形成用膜藉由蝕刻去除，藉此，製造上述遮光部及保護膜按照此順序積層而成之積層物自上述透光性2段台面基底形成用構件之上述第1階差構造之主面設置至上述基部之主面的2段台面基底。
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