TWI751826B - 低壓差穩壓器 - Google Patents

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Abstract

一種低壓差穩壓器，包括：核心電路，用於向輸出節點提供輸出電壓並衰減來自輸入電壓的波紋；和反向隔離電路，耦合到所述輸出節點並配置為響應於所述輸出節點上的波紋來提供/調節流經所述反向隔離電路的電流。

Description

低壓差穩壓器
本發明通常涉及穩壓器，更具體地涉及低壓差穩壓器（Low-Dropout Regulators，LDO）。
穩壓器將不穩定的電源電壓轉換為穩定的電源電壓。低壓差穩壓器（LDO）在輸入了不穩定電源電壓的輸入端與輸出了穩定電源電壓的輸出端之間具有較低的輸入至輸出電壓差。“壓差電壓”（dropout voltage）是指輸入到輸出的電壓差，通過穩壓器停止調節的動作防止當輸入電壓過低時，影響到輸出電壓的情況。 理想情況下，壓差電壓應盡可能低，以允許輸入電壓相對較低，同時仍保持穩壓。
本發明因此提供一種LDO，具有高電源抑制比（Power-Supply Rejection Ratio，PSRR）和良好的反向隔離。
本發明一些實施例的低壓差穩壓器可包括：核心電路，用於向輸出節點提供輸出電壓並衰減來自輸入電壓的波紋；和反向隔離電路，耦合到所述輸出節點並配置為響應於所述輸出節點上的波紋來提供/調節流經所述反向隔離電路的電流。
如前所述，實施本發明的技術方案的LDO通過核心電路衰減來自輸入電壓的波紋及通過反向隔離電路響應輸出節點上的波紋來提供/調節流經反向隔離電路的電流，由此可以具有高PSRR和良好的反向隔離。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。所屬技術領域具有通常知識者應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的“包含”及“包括”為一開放式的用語，故應解釋成“包含但不限定於”。“大體上”是指在可接受的誤差範圍內，所屬技術領域具有通常知識者能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，基本達到所述技術效果。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接於一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接於該第二裝置，或通過其它裝置或連接手段間接地電性連接至該第二裝置。以下所述為實施本發明的較佳方式，目的在於說明本發明的精神而非用以限定本發明的保護範圍，本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為准。
接下面的描述為本發明預期的最優實施例。這些描述用於闡述本發明的大致原則而不應用於限制本發明。本發明的保護範圍應在參考本發明的申請專利範圍的基礎上進行認定。
本文描述了具有高電源抑制比（Power-Supply Rejection Ratio，PSRR）和良好的反向隔離的低壓差穩壓器（LDO）。發明人已經認識並意識到，傳統的LDO被設計為在PSRR性能和反向隔離性能之間進行折衷（trade off）。一種傳統的LDO可能會犧牲反向隔離性能以實現高PSRR。替代地，另一種傳統的LDO可能折衷PSRR性能以獲得良好的反向隔離。此外，具有良好的反向隔離的傳統LDO可能比具有高PSRR的傳統LDO消耗更多的功率。
發明人已經開發了可以同時具有高PSRR（例如，在2MHz帶寬中至少為30dB）和良好的反向隔離（例如，至少為10dB）的LDO。在一些實施例中，對於期望的反向隔離性能，LDO可以是可配置的和/或可重新配置的。在一些實施例中，反向隔離電路可以是可配置的和/或可重新配置的，以在由反向隔離電路消耗的功率與流經核心電路的洩漏電流之間進行折衷。
一種系統可以包括一個或複數個配置為向相應的負載電路提供穩定的電源電壓的低壓差穩壓器（LDO）。圖1根據一些實施例描繪了具有複數個LDO的系統100。系統100可以從一個或複數個電源（包括例如一個或複數個電池）接收電壓VIN。系統100可以包括一個或複數個LDO，每個LDO可以接收輸入電壓VIN並且向相應的負載電路提供輸出電壓VOUT。儘管輸入電壓VIN和輸出電源電壓VOUT之間的電壓差可能較低，但是與輸入電壓VIN相比，輸出電壓VOUT可以是更穩定的電壓。圖1中示出的示例示出了兩個LDO 112和122，它們分別向類比電路114和數位電路124提供電壓VOUT1和VOUT2。
系統100可以包括一個或複數個類比電路LDO分支102和一個或複數個數位電路LDO分支104。儘管所示的示例示出為LDO分支102和104共享電壓VIN，但是應當理解，LDO分支可以訪問單獨的輸入電源。
類比電路LDO分支102可以包括向類比電路114提供電源的LDO112。類比電路114的示例可以包括CMOS圖像傳感器和/或常平架（gimbal），它們僅是出於說明目的而提供的，不應限製類比電路的範圍。類似地，數位電路LDO分支104可以包括向數位電路124提供電源的LDO122。數位電路124的示例可以包括電子速度控制器和/或處理器，它們僅是出於說明目的而提供的，不應限製數位電路的範圍。儘管示出的示例示出了類比電路114和數位電路124，但是應當理解，LDO可以向混合信號電路提供電源。
在一些實施例中，電壓VIN在理想情況下可以是直流（DC）電源。然而，實際上，電壓VIN可以包括疊加有波紋（ripple）的DC分量，這可能是電壓VIN不太穩定和/或有噪聲的原因之一。波紋可以是包括基頻的諧波（harmonics）的複合波形，該基頻可以是用於產生電壓VIN的原始交流（AC）源的線頻率。波紋可能是由於交流電源整流後沒有完全地抑制交流波形而引起的。波紋的幅度可能取決於與波紋相關的諧波。波紋可能是由電路引起的，這些電路包括例如開關模式電源，電容器輸入整流器和主動（active）整流器。
在一些實施例中，LDO可以配置為衰減來自電源的波紋並且向負載電路提供更少的噪聲功率。在圖1所示的示例中，LDO 112可以從電壓VIN接收疊加有AC分量116A的DC分量116D。LDO 112可以配置為向類比電路114提供DC分量116D。LDO112可以配置為減少AC分量116A，使得類比電路114接收幅度小於AC分量116A的AC分量118A。LDO 112的PSRR可以指定LDO 112的輸入端的AC電源分量116A和LDO 112的輸出端的AC電源分量118A之間的比率。LDO112的PSRR越高，類比電路114遭遇的噪聲越低。
在一些實施例中，LDO可以配置為減少由波紋引起的串擾（crosstalk）並且提供良好的反向隔離。在圖1所示的示例中，類比電路114可能受到諸如數位電路LDO分支104之類的另一電路通過公共接地和/或公共電源引起的波紋的影響。數位電路124可以將波紋作為AC分量126A傳遞到LDO 122的輸出。LDO 122可以將AC分量126A作為AC分量128A傳遞到其輸入，該AC分量128A可以被傳遞到類比電路114並影響類比電路114。反向隔離可以減輕由數位電路和/或混合信號電路的操作引起的公共接地和/或公共電源的電流。LDO的反向隔離越好，則更少的來自數位電路和/或混合信號電路的噪聲將會注入到公共接地和/或公共電源。應當理解，本文的AC分量的圖示被簡化並且未按比例繪製，其僅出於圖示的目的而提供。
根據一些實施例，LDO可以配置為具有高PSRR和良好的反向隔離。圖2示出了這種LDO 200的框圖，LDO 200可以將輸入電壓VIN轉換為輸出節點208處的輸出電壓VOUT。輸出電壓VOUT可以提供給負載電路（未示出）。輸出電壓VOUT可以包括疊加有幅度可能為Δ的AC分量216A的DC分量216D。AC分量216A可以至少部分對應於由相鄰電路通過公共接地和/或公共電源引起的波紋。
LDO 200可以包括：有電流I1在其中流經的核心電路202，以及有電流I2在其中流經的反向隔離電路204。在一些實施例中，核心電路202可以配置為在輸出節點208處提供輸出電壓VOUT。在一些實施例中，核心電路202可以配置為以比反向隔離電路204的帶寬低的帶寬進行操作，由此使得核心電路202提供DC和低頻功能。在一些實施例中，核心電路202可以配置為衰減來自電壓VIN的波紋，使得LDO 200具有高的PSRR。
反向隔離電路204可以配置為響應輸出節點208處的波紋。在一些實施例中，反向隔離電路204可以配置為以高帶寬（例如，在40MHz至160MHz的範圍內）操作，由此使得反向隔離電路204可以比核心電路202更快地響應輸出節點208處的波紋。在一些實施例中，反向隔離電路204可以配置為感測輸出節點208處的輸出電壓VOUT的瞬態（transient）波形，並響應於輸出電壓VOUT的AC分量216A調整流經反向隔離電路204的電流I2，以使不管輸出節點208處的波紋是怎樣的，流經核心電路202的電流I1恆定。
在一些實施例中，反向隔離電路204可以是可配置的和/或可重新配置的，以在由反向隔離電路204消耗的功率與流經核心電路202的洩漏電流之間進行折衷。例如，在對應於第一輸入電源和/或第一負載電路耦合到LDO 200的第一操作條件下，反向隔離電路204可以配置為使得LDO 200具有10dB的反向隔離性能。在對應於第二輸入電源和/或第二負載電路耦合到LDO 200的第二操作條件下，可以重新配置反向隔離電路204使得LDO 200具有20dB的反向隔離性能。在對應於第三輸入電源和/或第三負載電路耦合到LDO 200的第三操作條件下，可以重新配置反向隔離電路204使得LDO 200具有15dB的反向隔離性能。
在一些實施例中，響應於輸出節點208處的AC分量216A，反向隔離電路204可以是可配置的和/或可重新配置的，以調節流經反向隔離電路204中的電流I2，以在反向隔離電路204消耗的功率與流經核心電路202的洩漏電流之間進行折衷。例如，流經核心電路的電流I2可配置為小於完全補償輸出節點208處的波紋所需要的AC分量。流經核心電路202的電流I1可以包括洩漏電流，諸如核心電路202由於響應輸出節點208處未被電流I 2補償的波紋而產生的AC分量。
具有高PSRR和良好的反向隔離的LDO 200可以在各種配置中實現。圖3根據一些實施例描繪了LDO 300的示意圖。LDO 300可以包括配置為在輸出節點308提供輸出電壓VOUT的核心電路302，以及耦合到輸出節點308的反向隔離電路304。
核心電路302可以包括PSRR電路312，DC電路320和增益減小電路314。PSRR電路312可以配置為提供高PSRR。PSRR電路312可以包括p型通道電晶體（pass transistor）MP1，回饋電路316，運算放大器318和補償電路326。p型通道電晶體MP1可以耦合在輸出節點308和電流源324之間。可以通過柵極電壓VG來控制p型通道電晶體MP1的漏極-源極電阻，使得在輸出節點308處產生穩定的輸出電壓VOUT。在一些示例中，116A自VIN端輸入，118A為VOUT端輸出，116A自VIN端輸入後，經MP2來到VOUT端，並經由回饋電路316進入運算放大器318，最後由運算放大器318經MP1產生一個反向抑制的訊號回到VOUT端，所述反向抑制的訊號在VOUT端將116A衰減為118A。
回饋電路316可以包括串聯連接在輸出節點308和地之間的兩個電阻器R1和R2。應當理解，接地不需要連接到大地，而是可以承載參考電位，該參考電位可以包括地，DC電壓或其他合適的參考電位。回饋電路316可以產生回饋電壓VFB，其可以是輸出電壓VOUT被電阻器R1和R2分壓的電壓。運算放大器318可以將回饋電壓VFB與參考電壓VREF進行比較，並且產生可以根據參考電壓VREF和回饋電壓VFB之間的電壓差而變化的柵極電壓VG。
補償電路326可以耦合到p型通道電晶體MP1的柵極，以對柵極電壓VG提供期望的濾波並增強輸出電壓VOUT的穩定性。補償電路326可以包括串聯連接在p型通道電晶體MP1的柵極和地之間的電容器C1和電阻器R3。
DC電路320可以配置為在輸出節點308處提供穩定的輸出電壓。DC電路320可以被耦合到輸出節點308。DC電路320可以在電壓VIN和輸出節點308之間包括p型功率電晶體（power transistor）MP2。p型功率電晶體MP2可以配置為在輸出節點308處提供輸出電壓VOUT。DC電路320可以包括電流源322和與電流源322串聯連接的n型電晶體MN3。n型電晶體MN3可以耦合在輸出節點308和電流源324之間。可基於電流源322和p型功率電晶體MP2的柵極-源極電壓確定p型功率電晶體MP2的柵極處的控制電壓VC。電晶體MN3的柵極可以接收偏置電壓VBIASN，該偏置電壓可以確定節點328處的電壓以防止p型通道電晶體MP1和電流源324進入三極管區域/線性區域（triode region）。電容器C2可以耦接在電壓VIN和p型功率電晶體MP2的柵極之間，並配置為增強輸出電壓VOUT的穩定性。在一些實施例中，電容器C2的電容可以在0.1pF至5pF的範圍內，或在1PF至2PF的範圍內，或介於兩者之間的任何合適的數值，其可以明顯小於傳統LDO中的電容器的電容。
增益減小電路314可以配置為減小DC電路320的增益。增益減小電路314可以耦合到輸出節點308。增益減小電路314可以包括耦合在輸出節點308和電流源324之間的n型電晶體MN4。n型電晶體MN4的柵極可以接收偏置電壓VBIASN。
反向隔離電路304可以配置為響應於輸出節點308處的波紋而提供流經它自己的電流。反向隔離電路304可以包括串聯連接並且耦合在輸出節點308和地之間的p型電晶體MP5和n型電晶體MN6。p型電晶體MP5可以接收由運算放大器318產生的柵極電壓VG。反向隔離電路304可以包括串聯連接並耦合在n型電晶體MN6的漏極和地之間的電容器C3和電阻器R4。電容器C3和電阻器R4可以配置為增強反向隔離電路304的增益。n型電晶體MN6的柵極可以耦合到將電容器C3和電阻器R4分開的節點。電晶體MP5和MN6可以至少部分地基於由運算放大器318產生的柵極電壓VG產生反向隔離控制電壓VR。
反向隔離電路304可以包括耦合在輸出節點308與地之間的可重新配置的n型電晶體MN7。可重新配置的n型電晶體MN7的柵極可以接收反向隔離控制電壓VR。可以至少部分地基於反向隔離控制電壓VR來調整可重新配置的電晶體MN7，以在由反向隔離電路304消耗的功率與流經核心電路302的洩漏電流之間進行折衷。在一些實施例中，可重新配置的n型電晶體MN7可以包括並聯連接的複數個n型電晶體。可以至少部分地基於反向隔離控制電壓VR來配置導通的n型電晶體的數量，以在反向隔離電路304消耗的功率與流經核心電路302的洩漏電流之間進行折衷。
反向隔離電路304可以包括串聯連接並且耦合在可重新配置的n型電晶體MN7的柵極與地之間的電容器C4和電阻器R5。電容器C4和電阻器R5可以配置為增強輸出電壓VOUT的穩定性。
圖4根據一些實施例描繪了LDO 400的示意圖。LDO 400可以包括配置成可在輸出節點408處提供輸出電壓VOUT的核心電路402，以及耦合到輸出節點408的反向隔離電路404。核心電路402可以包括PSRR電路412和DC電路420。DC電路420可以類似於圖3的DC電路320那樣被配置。
PSRR電路412可以配置為提供高PSRR。PSRR電路412可以包括p型通道電晶體MP41和回饋電路416。p型通道電晶體MP41可以耦合在輸出節點408和電阻器R之間。p型電晶體MP41的漏極-源極電阻可以由柵極電壓V4G控制，使得在輸出節點408處產生穩定的輸出電壓VOUT。電容器C41可以耦合到通道電晶體MP41的柵極。電容器C41可以被配置具有與圖3中的電容器C1類似的功能。在一些示例中，116A自MP42的源極輸入，118A為VOUT端輸出。116A自MP42的源極輸入後，經MP42的漏極來到VOUT端，並經由回饋電路416的MP44傳送到MN43的柵極，由MN43產生反向的增益訊號V4G來驅動MP41，在VOUT端產生一個與116A反向的抑制訊號，該反向的抑制信號在VOUT端將116A衰減為118A。
回饋電路416可以包括耦合在輸出節點408和電流源424之間的p型電晶體MP44。p型電晶體MP44可以接收柵極電壓VCORE，使得當柵極電壓VCORE與輸出電壓VOUT之間的差大於p型電晶體MP44的閾值電壓時導通p型電晶體MP44。 p型電晶體MP44的柵極電壓VCORE可以配置為確定輸出電壓VOUT的DC分量。回饋電路416可以包括增益級，該增益級可以包括耦合在電流源422和地之間的n型電晶體MN43。n型電晶體MN43的柵極可以耦合到p型電晶體MP44的漏極，使得n型電晶體MN43的漏極可以至少部分地基於柵極電壓VCORE和輸出電壓VOUT之間的差來產生柵極電壓V4G。
反向隔離電路404可以包括耦合在輸出節點408和地之間的可重新配置的p型電晶體MP46。可重新配置的p型電晶體MP46可以至少部分地基於柵極電壓V4G來調整，以在反向隔離電路404消耗的功率與流經核心電路402的洩漏電流之間進行折衷。在一些實施例中，可重新配置的電晶體p型MP46可以包括並聯連接的複數個p型電晶體。可以至少部分地基於柵極電壓V4G配置導通的p型電晶體的數量，以在反向隔離電路404消耗的功率與流經核心電路402的洩漏電流之間進行折衷。
圖5根據一些實施例描繪了LDO 500的示意圖。LDO 500可以包括核心電路402和反向隔離電路504。在所示的示例中，核心電路402配置為在輸出節點508產生輸出電壓VOUT。
反向隔離電路504可以包括耦合在輸出節點508和電阻器R51之間的可重新配置的p型電晶體MP51，耦合在輸出節點508和地之間的可重新配置的n型電晶體MN52以及耦合在輸出節點508和可重配置的電晶體MN52的柵極之間的電容器C51。可重新配置的p型電晶體MP51的柵極可以接收由回饋電路416產生的柵極電壓V4G並將其施加到p型通道電晶體MP41的柵極。可至少部分地基於柵極電壓V4G來調整可重新配置的p型電晶體MP51和可重新配置的n型電晶體MN52，以在由反向隔離電路504消耗的功率與流經核心電路402的洩漏電流之間進行折衷。
儘管在圖5中圖示LDO包括核心電路402和反向隔離電路504，但是應當理解，LDO可以包括任何適當的核心電路，包括例如核心電路302和核心電路402之一。LDO也可以包括任何適當的反向隔離電路，例如反向隔離電路304，反向隔離電路404和反向隔離電路504之一。
儘管圖3-圖5的所示示例示出了以特定類型（例如，n型或p型）實現的電晶體，但是應當理解，可以以不同的方式實現電晶體。例如，示例中的n型電晶體可以被實現為p型電晶體，而示例中的p型電晶體可以被實現為n型電晶體。
根據一些實施例的LDO具有比傳統LDO更好的反向隔離性能。圖6A是示出傳統LDO的RF雜散測量（spur measurement）結果的示意圖。圖6B是根據本發明一些實施例示出的LDO的RF雜散測量結果的示意圖。在圖6A和圖6B中可以清楚地看到，與傳統的LDO相比，通過本發明一些實施例的LDO可以更好地抑制例如波紋（例如，標記為“2”-“5”的不想要的信號）。
根據本發明一些實施例的LDO具有比傳統LDO更好的反向隔離性能。圖7A是示出傳統LDO的反向隔離性能的示意圖。圖7B是根據本發明一些實施例示出的LDO的反向隔離性能的示意圖。在圖7A和圖7B中可以清楚地看到，例如在80MHz，根據本發明一些實施例的LDO具有大約12dB的反向隔離性能，而傳統的LDO具有大約114mdB的更差的反向隔離性能。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視申請專利範圍所界定者為准。
100:系統 116D,216D:DC分量 116A,118A,126A,128A,216A:AC分量 102:類比電路LDO分支 112,122,200,300,400,500:低壓差穩壓器 VOUT1,VOUT2,VOUT:輸出電壓 114:類比電路 VIN:輸入電壓 104:數位電路LDO分支 124:數位電路 I1,I2:電流 202,302,402:核心電路 208,308,408,508:輸出節點 204,304,404,504:反向隔離電路 320,420:DC電路 322,324,424,422電流源 MN3,MN4,MP2,MP1,MN6,MP5,MN7,MN45,MP44,MN43,MP42,MP41,MP46,MP51,MN52:電晶體 VBIASN:偏置電壓 314:增益減小電路 VC,VR:控制電壓 C2,C1,C3,C4,C42,C41,C51:電容器 R2,R1,R3,R4,R5,R,R51:電阻器 VFB:回饋電壓 VREF:參考電壓 312,412: PSRR電路 318: 運算放大器 316,416:回饋電路 VG,VCORE,V4G:柵極電壓 326:補償電路 328:節點
圖1根據一些實施例描繪了具有複數個LDO的系統100。 圖2根據一些實施例描繪了LDO的框圖。 圖3根據一些實施例描繪了LDO 300的示意圖。 圖4根據一些實施例描繪了LDO 400的示意圖。 圖5根據一些實施例描繪了LDO 500的示意圖。 圖6A是示出傳統LDO的RF雜散測量（spur measurement）結果的示意圖。 圖6B是根據本發明一些實施例示出的LDO的RF雜散測量結果的示意圖。 圖7A是示出傳統LDO的反向隔離性能的示意圖。 圖7B是根據本發明一些實施例示出的LDO的反向隔離性能的示意圖。
200:低壓差穩壓器
VOUT:輸出電壓
VIN:輸入電壓
I1,I2:電流
202:核心電路
208:輸出節點
204:反向隔離電路
216D:DC分量
216A:AC分量

Claims (12)

  1. 一種低壓差穩壓器，包括：核心電路，用於向輸出節點提供輸出電壓並衰減來自輸入電壓的波紋；和反向隔離電路，耦合到所述輸出節點並配置為響應於所述輸出節點上的波紋來提供/調節流經所述反向隔離電路的電流；其中，所述反向隔離電路包括：第一電晶體，耦合到所述輸出節點並且包括第一柵極節點，所述第一柵極節點由至少部分地基於在所述輸出節點處的所述輸出電壓產生的柵極電壓控制；其中，所述核心電路包括：第二電晶體，耦合到所述輸出節點並且包括第二柵極節點，所述第二柵極節點由至少部分地基於在所述輸出節點處的所述輸出電壓產生的所述柵極電壓控制以在所述輸出節點產生反向抑制的訊號用於衰減來自所述輸入電壓的波紋。
  2. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，所述反向隔離電路的帶寬配置為高於所述核心電路的帶寬，使得所述反向隔離電路對所述輸出節點的波紋的響應速度比所述核心電路快。
  3. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，所述反向隔離電路配置為不管所述輸出節點處的波紋怎樣都使流經所述核心電路的電流恆定，或使得流經所述核心電路的電流的交流電分量小於響應於所述輸出節點上的波紋所需的交流分量。
  4. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，所述反向隔離電路根據所述輸出節點上波紋的幅度來調整流經所述反向隔離電路的電流。
  5. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，所述反向隔離電路的所述第一電晶體是並聯連接的複數個電晶體。
  6. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，所述核心電路包括：直流電路，耦合到所述輸出節點並包括功率電晶體，所述功率電晶體配置為在所述輸出節點上提供輸出電壓，以及電源抑制比電路，耦合到所述輸出節點並配置為提供電源抑制比；其中，所述電源抑制比電路包括所述第二電晶體。
  7. 根據請求項6所述的低壓差穩壓器，其中，所述電源抑制比電路包括：運算放大器，配置為至少部分地基於所述輸出節點處的輸出電壓來提供柵極電壓，以及所述第二電晶體。
  8. 根據請求項6所述的低壓差穩壓器，其中，所述電源抑制比電路包括：回饋電路，配置為至少部分地基於所述輸出節點處的輸出電壓來提供柵極電壓，以及所述第二電晶體。
  9. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，至少部分地調節流經所述反向隔離電路的電流，以在所述反向隔離電路消耗的功率與流經所述核心電路的洩漏電流之間進行折衷。
  10. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中，所述反向隔離電路包括並聯連接的複數個電晶體，以及基於所述反向隔離電路消耗的功率與流經所述核心電路的洩漏電流之間的 折衷，導通複數個電晶體中的一個或複數個。
  11. 根據請求項6所述的低壓差穩壓器，其中，所述核心電路還包括：增益減小電路，耦合到所述輸出節點並配置為減小所述直流電路的增益。
  12. 根據請求項1所述的低壓差穩壓器，其中所述流經所述反向隔離電路的電流是可配置的和/或可重新配置的。
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