TWI745710B - Pickup system for semiconductor die - Google Patents
Pickup system for semiconductor die Download PDFInfo
- Publication number
- TWI745710B TWI745710B TW108123670A TW108123670A TWI745710B TW I745710 B TWI745710 B TW I745710B TW 108123670 A TW108123670 A TW 108123670A TW 108123670 A TW108123670 A TW 108123670A TW I745710 B TWI745710 B TW I745710B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor die
- pressure
- suction
- semiconductor
- picking
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 522
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 102
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 61
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 31
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 12
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 101
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 101150073222 SSN8 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100183412 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SIN4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
本發明的課題是應用適合於一片晶圓中的各個半導體晶粒的剝離動作來進行半導體晶粒的拾取。對貼附於切割片材12的表面12a的半導體晶粒15進行拾取的半導體晶粒的拾取系統500包括:控制部150,在拾取時,對用以自切割片材12剝離半導體晶粒15的剝離動作進行控制;以及儲存部152,儲存將一片晶圓中的各半導體晶粒15與預先規定的多種剝離動作的任一種對應起來的對應關係(等級表159、參數表160)。控制部150自儲存部152中讀出所述對應關係,並在拾取一片晶圓的各半導體晶粒15時,依照與每個半導體晶粒15建立了對應關係的剝離動作,將半導體晶粒15自切割片材12剝離並加以拾取。The subject of the present invention is to apply the peeling action suitable for each semiconductor die in a wafer to pick up the semiconductor die. The pick-up system 500 for semiconductor die 15 that is attached to the surface 12a of the dicing sheet 12 to pick up the semiconductor die 15 includes: a control unit 150, when picking up the semiconductor die 15 that is used to peel the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 The peeling operation is controlled; and the storage unit 152 stores a correspondence relationship (level table 159, parameter table 160) that associates each semiconductor die 15 in a wafer with any one of a plurality of predetermined peeling operations. The control unit 150 reads the corresponding relationship from the storage unit 152, and when picking up each semiconductor die 15 of a wafer, in accordance with the peeling action that establishes a corresponding relationship with each semiconductor die 15, the semiconductor die 15 The self-cut sheet 12 is peeled off and picked up.
Description
本發明是有關於一種用於接合裝置(接合系統(bonding system))的半導體晶粒的拾取(pickup)系統。 The present invention relates to a pickup system for semiconductor die of a bonding device (bonding system).
半導體晶粒是將6吋(inch)或8吋大小的晶圓(wafer)切斷成規定的大小而製造。在切斷時,在背面貼附切割片材(dicing sheet),並自表面側藉由切割鋸等來切斷晶圓,以免切斷後的半導體晶粒七零八落。此時,貼附於背面的切割片材成為被稍許切入但未被切斷且保持著各半導體晶粒的狀態。然後,被切斷的各半導體晶粒被逐個自切割片材拾取而送往晶粒接合(die bonding)等下個步驟。 The semiconductor die is manufactured by cutting a 6-inch or 8-inch wafer into a predetermined size. When cutting, a dicing sheet is attached to the back side, and the wafer is cut from the surface side with a dicing saw or the like to prevent the semiconductor dies after cutting from falling apart. At this time, the dicing sheet attached to the back surface is slightly cut but not cut, and each semiconductor crystal grain is maintained. Then, the cut semiconductor dies are picked up one by one from the dicing sheet and sent to the next step such as die bonding.
作為自切割片材拾取半導體晶粒的方法,提出有下述方法:在使切割片材吸附於圓板狀的吸附板的表面,並使半導體晶粒吸附於吸頭(collet)的狀態下,利用配置於吸附板中央部的頂塊(block)來頂起半導體晶粒,並且使吸頭上升,從而自切割片材拾取半導體晶粒(例如參照專利文獻1的圖9至表2)。在使半導體晶粒自切割片材剝離時,有效的做法是,首先使半導體晶粒的周邊部剝離,接下來使半導體晶粒的中央部剝離,因此在專利文獻1所記載的現有技術中,採用下述方法,即:將頂塊分為頂
起半導體晶粒的周圍部分的塊、頂起半導體晶粒的中央的塊、與頂起半導體晶粒的中間的塊這3個塊,首先使3個塊上升至規定高度後,使中間與中央的塊上升得高於周邊的塊,最後使中央的塊上升得高於中間的塊。
As a method of picking up semiconductor die from a diced sheet, the following method is proposed: in a state where the diced sheet is adsorbed on the surface of a disc-shaped adsorption plate and the semiconductor die is adsorbed on a collet, The semiconductor die is lifted up by a block arranged in the center of the suction plate, and the suction head is raised to pick up the semiconductor die from the diced sheet (for example, refer to FIG. 9 to Table 2 of Patent Document 1). When peeling the semiconductor die from the dicing sheet, it is effective to peel off the peripheral portion of the semiconductor die first, and then peel off the center portion of the semiconductor die. Therefore, in the prior art described in
另外,亦提出有下述方法:在使切割片材吸附於圓板狀的頂帽(ejector cap)的表面,並使半導體晶粒吸附於吸頭的狀態下,使吸頭以及周邊、中間、中央的各頂塊上升至高於頂帽的表面的規定高度後,使吸頭的高度仍保持該高度,並使頂塊依照周圍的頂塊、中間的頂塊的順序下降至頂帽表面之下的位置,從而自半導體晶粒剝離切割片材(例如參照專利文獻2)。 In addition, the following method has also been proposed: in a state where the dicing sheet is adsorbed to the surface of a disc-shaped ejector cap, and the semiconductor die is adsorbed to the suction head, the suction head and the periphery, middle, After the top blocks in the center rise to a specified height higher than the surface of the top hat, the height of the suction head is still maintained at that height, and the top blocks are lowered below the top hat surface in the order of the surrounding top blocks and the middle top block The dicing sheet is peeled from the semiconductor die (for example, refer to Patent Document 2).
在利用專利文獻1、專利文獻2中記載的方法來使切割片材自半導體晶粒剝離的情況下,如專利文獻1的圖40、圖42、圖44,專利文獻2的圖4A至圖4D、圖5A至圖5D所記載般,在半導體晶粒剝離之前,半導體晶粒有時會在仍貼附於切割片材的狀態下與切割片材一同彎曲變形。若在半導體晶粒發生彎曲變形的狀態下繼續進行切割片材的剝離動作,則半導體晶粒有時會發生破損,因此提出有下述方法:如專利文獻1的圖28所記載般,根據來自吸頭的抽吸空氣的流量變化來檢測半導體晶粒的彎曲,並如專利文獻1的圖43所記載般,在檢測到吸氣流量時,判斷為半導體晶粒已發生變形而使頂塊暫時下降後,再次使頂塊上升。再者,在專利文獻3中亦揭示了根據來自吸頭的抽吸空氣的流量的變化來檢測(判別)半導體晶粒的彎曲(撓曲)。
In the case of using the methods described in
[現有技術文獻] [Prior Art Literature]
[專利文獻] [Patent Literature]
[專利文獻1]日本專利第4945339號公報 [Patent Document 1] Japanese Patent No. 4945339
[專利文獻2]美國專利第8092645號說明書 [Patent Document 2] Specification of U.S. Patent No. 8092645
[專利文獻3]日本專利第5813432號公報 [Patent Document 3] Japanese Patent No. 5813432
近年來,半導體晶粒變得非常薄,例如亦有20μm左右的半導體晶粒。另一方面,切割片材的厚度為100μm左右,因此切割片材的厚度亦達到半導體晶粒的厚度的4倍~5倍。若欲使此種薄的半導體晶粒自切割片材剝離,則容易更明顯地產生追隨於切割片材的變形的半導體晶粒的變形。根據專利文獻1,對半導體晶粒的彎曲進行檢測並變更剝離動作,因此在自切割片材拾取半導體晶粒時,有能夠抑制半導體晶粒的損傷的可能性。
In recent years, semiconductor crystal grains have become very thin, for example, there are also semiconductor crystal grains of about 20 μm. On the other hand, the thickness of the dicing sheet is about 100 μm, so the thickness of the dicing sheet also reaches 4 to 5 times the thickness of the semiconductor crystal grain. If such a thin semiconductor crystal grain is to be peeled off from the dicing sheet, the deformation of the semiconductor crystal grain that follows the deformation of the dicing sheet is likely to occur more clearly. According to
但是,由於一邊檢測正在進行拾取的半導體晶粒的彎曲一邊變更剝離動作(即時變更),因此拾取的控制變得非常複雜。由於多次重覆進行半導體晶粒的彎曲的檢測、根據檢測結果來判定是否變更剝離動作、根據判定結果來變更剝離動作或者不進行變更而使動作前進這一系列的處理,因此亦擔心剝離動作花費的時間變長。因此,實際上,在很多情況下不進行此種即時的剝離動作的變更,而是將假定了最難剝離的半導體晶粒時的剝離動作一律應用於所有的半導體晶粒。但是,在該情況下,對於原本可 應用簡化的短時間的剝離動作的容易剝離的半導體晶粒,亦應用長時間的剝離動作,拾取變得低速。希望應用適合於各個半導體晶粒的剝離動作,對於每個半導體晶粒,使半導體晶粒的損傷抑制與半導體晶粒的拾取高速化的平衡適當。 However, since the peeling operation is changed (instant change) while detecting the bending of the semiconductor die being picked up, the control of the picking becomes very complicated. Since the detection of the bending of the semiconductor die is repeated many times, the determination of whether to change the peeling action based on the detection result, the change of the peeling action based on the determination result, or the advancement of the action without the change, there is also concern about the peeling action. It takes longer. Therefore, in fact, in many cases, such an immediate change of the peeling action is not performed, but the peeling action when the most difficult-to-peel semiconductor die is assumed to be applied to all semiconductor dies. However, in this case, The easy-to-peel semiconductor die using a simplified short-time peeling action, and a long-time peeling action are also applied, and the pick-up speed becomes low. It is desirable to apply a peeling operation suitable for each semiconductor die, and for each semiconductor die, a balance between suppression of damage of the semiconductor die and an increase in the speed of pickup of the semiconductor die is appropriately balanced.
此外,根據晶圓中的半導體晶粒的位置,有時半導體晶粒自切割片材的剝離性會發生變化。例如,自晶圓中的中心附近的半導體晶粒向外周附近的半導體晶粒,剝離性(易剝離性或難剝離性)有時會緩緩變化。或者,例如有晶圓中的特定區域的半導體晶粒的剝離性與其他區域的半導體晶粒的剝離性大不相同的情況。關於此種與晶圓的半導體晶粒的位置對應的剝離性的傾向,在連續進行拾取的多個晶圓中多數情況下為相同的。在連續拾取多個晶圓的半導體晶粒時,藉由對處於容易剝離的位置的半導體晶粒應用短時間的剝離動作,能夠使拾取高速化。根據半導體晶粒的各個位置的剝離性來應用適合於各個半導體晶粒的剝離動作,能夠使半導體晶粒的損傷抑制與半導體晶粒的拾取高速化的平衡適當。為了實現所述情況,需要一種用來把握與晶圓的各半導體晶粒的位置對應的各半導體晶粒的剝離性的結構。另外,在把握了與晶圓的各半導體晶粒的位置對應的各半導體晶粒的剝離性之後、或者在能夠事先把握的情況下,需要一種用來應用適合於晶圓的各個半導體晶粒的剝離動作的結構。 In addition, depending on the position of the semiconductor die in the wafer, the peelability of the semiconductor die from the dicing sheet may change. For example, from a semiconductor crystal grain near the center of a wafer to a semiconductor crystal grain near the outer periphery, peelability (easy peelability or difficult peelability) may gradually change. Or, for example, the releasability of semiconductor crystal grains in a specific region of the wafer may be significantly different from the releasability of semiconductor crystal grains in other regions. The tendency of the peelability corresponding to the position of the semiconductor crystal grain of the wafer is often the same in a plurality of wafers that are continuously picked up. When continuously picking up semiconductor dies of a plurality of wafers, by applying a short-time peeling operation to the semiconductor dies at positions where they are easily peeled, the picking can be speeded up. Applying the peeling action suitable for each semiconductor crystal grain according to the peelability of each position of the semiconductor crystal grain can appropriately balance the suppression of the damage of the semiconductor crystal grain and the acceleration of the pickup of the semiconductor crystal grain. In order to achieve this, a structure for grasping the peelability of each semiconductor die corresponding to the position of each semiconductor die on the wafer is required. In addition, after grasping the peelability of each semiconductor die corresponding to the position of each semiconductor die on the wafer, or if it can be grasped in advance, a method for applying each semiconductor die suitable for the wafer is required. The structure of the peeling action.
本發明的目的在於使得能夠應用適合於各半導體晶粒的剝離動作(拾取動作)來進行各半導體晶粒的拾取。或者,本 發明的目的在於把握與晶圓的各半導體晶粒的位置對應的各半導體晶粒的剝離性。 The object of the present invention is to enable the application of a peeling action (pickup action) suitable for each semiconductor die to pick up each semiconductor die. Or this The purpose of the invention is to grasp the peelability of each semiconductor die corresponding to the position of each semiconductor die on the wafer.
本發明的半導體晶粒的拾取系統是將對晶圓進行切割而成的半導體晶粒自切割片材剝離並加以拾取的拾取系統,其特徵在於包括:控制單元,基於用以自切割片材拾取半導體晶粒的拾取條件,對拾取動作進行控制;以及生成單元,生成將多個拾取條件中的任意一個拾取條件與半導體晶粒的個別資訊建立了對應關係的對應資訊,控制單元在拾取半導體晶粒時,依照與每個半導體晶粒建立了對應關係的所述對應資訊,進行自切割片材拾取半導體晶粒的控制。 The semiconductor die picking system of the present invention is a picking system that peels and picks up the semiconductor die formed by dicing the wafer from the diced sheet. It is characterized by comprising: a control unit based on The pickup condition of the semiconductor die controls the pickup action; and the generation unit generates corresponding information that establishes a corresponding relationship between any one pickup condition of the multiple pickup conditions and the individual information of the semiconductor die, and the control unit is picking up the semiconductor die. During the graining process, according to the corresponding information that has established a corresponding relationship with each semiconductor die, the control of picking up the semiconductor die from the cutting sheet is performed.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為生成單元生成:等級表,將一片晶圓中的各半導體晶粒與作為多個拾取條件的辨識符的等級值建立了對應關係;以及條件表,將多個等級值的任意一個與拾取條件的任意一個建立了對應關係,所述對應資訊由等級表及條件表確定。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable to set the generating unit to generate: a grade table, which establishes a corresponding relationship between each semiconductor die in a wafer and the grade value of the identifier as a plurality of picking conditions ; And a condition table, which establishes a corresponding relationship between any one of the multiple level values and any one of the picking conditions, and the corresponding information is determined by the level table and the condition table.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:多個等級值是表示拾取所需時間的長短的值。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable to set the multiple level values to indicate the length of time required for picking.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為包括:顯示部,顯示畫面;以及顯示控制單元,顯示控制單元在顯示部上顯示模仿一片晶圓的各半導體晶粒而得的映射圖像,在映射圖像中,對與等級值建立了對應關係的半導體晶粒所對應的半 導體晶粒圖像,附加與等級值對應的顏色、圖案、文字、數字及記號的至少一種。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable to include: a display portion, a display screen; and a display control unit. The display control unit displays each semiconductor die imitating a wafer on the display portion. The mapped image, in the mapped image, the half of the semiconductor die that has a corresponding relationship with the level value is At least one of colors, patterns, characters, numbers, and marks corresponding to the grade value is added to the conductor die image.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為包括:輸入部,輸入資訊,生成單元自輸入部接受映射圖像上的一個或多個半導體晶粒圖像的選擇、以及自多個等級值中的一個等級值的選擇,並使所選擇的等級值與對應於所選擇的半導體晶粒圖像的半導體晶粒建立對應關係,來生成或更新等級表。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable to include: an input unit, which inputs information, the generating unit receives from the input unit the selection of one or more semiconductor die images on the mapped image, and self One of a plurality of gradation values is selected, and a corresponding relationship is established between the selected gradation value and the semiconductor die corresponding to the selected semiconductor die image to generate or update the grading table.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為包括:吸頭,吸附半導體晶粒;抽吸機構,與吸頭連接,自吸頭的表面抽吸空氣;流量感測器,檢測抽吸機構的抽吸空氣流量;以及儲存部,儲存有期待流量資訊,所述期待流量資訊表示半導體晶粒自切割片材的剝離良好的情況下的、所述半導體晶粒的拾取時的流量感測器檢測出的抽吸空氣流量的時間變化,生成單元獲取實際流量資訊,所述實際流量資訊表示在拾取一片晶圓中的各半導體晶粒時流量感測器檢測出的抽吸空氣流量的時間變化,所述生成單元求出多個半導體晶粒各自的實際流量資訊與期待流量資訊的相關值,並基於多個相關值各者,使等級值與多個半導體晶粒各者建立對應關係,來生成或更新等級表。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferably configured to include: a suction head, which adsorbs the semiconductor die; a suction mechanism, which is connected to the suction head and sucks air from the surface of the suction head; and a flow sensor, Detecting the suction air flow rate of the suction mechanism; and the storage section stores expected flow rate information indicating that the semiconductor die is picked up when the semiconductor die is well peeled from the dicing sheet The time change of the suction air flow rate detected by the flow sensor, the generating unit obtains actual flow information, which represents the suction air detected by the flow sensor when picking up each semiconductor die in a wafer The generation unit obtains the correlation value between the actual flow information and the expected flow information of each of the plurality of semiconductor dies, and establishes the level value and each of the plurality of semiconductor dies based on each of the plurality of correlation values. Correspondence, to generate or update the level table.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:顯示控制單元在顯示部的映射圖像中,在各半導體晶粒圖像或各半導體晶粒圖像的附近顯示與各半導體晶粒圖像對應的各半導體晶粒的相關值,或者在顯示部中,在畫面上的規定位置顯示與特定 的半導體晶粒圖像對應的半導體晶粒的相關值。 In the semiconductor die pickup system of the present invention, it is also preferable that the display control unit displays the semiconductor die image or the semiconductor die image in the vicinity of each semiconductor die image in the mapped image of the display unit. The correlation value of each semiconductor die corresponding to the die image, or in the display part, display and specific The semiconductor die image corresponds to the correlation value of the semiconductor die.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:在等級表中,隨著自一片晶圓的外周側朝向內周側,使拾取所需時間更短的等級值與各半導體晶粒建立了對應關係。 In the semiconductor die pick-up system of the present invention, it is also preferable to set: in the grade table, as from the outer peripheral side to the inner peripheral side of a wafer, the grade value that makes the picking time shorter and each semiconductor The crystal grains have established a corresponding relationship.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為包括:平台,包含吸附切割片材的背面的吸附面;以及開口壓力切換機構,在接近真空的第一壓力與接近大氣壓的第二壓力之間切換設置於平台的吸附面的開口的開口壓力,控制單元在拾取半導體晶粒時,進行在第一壓力與第二壓力之間切換所述開口壓力的控制,拾取條件的種類中包括在第一壓力與第二壓力之間切換所述開口壓力的切換次數。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable to include: a platform including an adsorption surface for adsorbing the back surface of the cut sheet; The opening pressure of the opening provided on the suction surface of the platform is switched between the two pressures, and the control unit performs control to switch the opening pressure between the first pressure and the second pressure when picking up the semiconductor die. Among the types of picking conditions The number of times of switching the opening pressure between the first pressure and the second pressure is included.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:拾取條件的種類中包括將所述開口壓力保持於第一壓力的保持時間。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable that the types of picking conditions include a holding time for maintaining the opening pressure at the first pressure.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:包括階差面形成機構,所述階差面形成機構包含多個移動元件,所述多個移動元件配置於所述開口中,且前端面在比吸附面高的第一位置與比第一位置低的第二位置之間移動,所述階差面形成機構形成相對於吸附面的階差面,在拾取半導體晶粒時,控制單元進行使多個移動元件分別以規定時間的間隔依次自第一位置移動至第二位置、或者以規定的移動元件的組合同時自第一位置移動至第二位置的控制,拾取條件的種類中包括所述規定時間。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable to include a step surface forming mechanism, the step surface forming mechanism includes a plurality of moving elements, and the plurality of moving elements are arranged in the opening , And the front end surface moves between a first position higher than the suction surface and a second position lower than the first position. The step surface forming mechanism forms a step surface relative to the suction surface, and when picking up the semiconductor die , The control unit performs control to move the plurality of moving elements from the first position to the second position sequentially at predetermined time intervals, or to move from the first position to the second position at the same time by a combination of predetermined moving elements, and pick up conditions The specified time is included in the category.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:拾取條件的種類中包括同時自第一位置移動至第二位置的所述移動元件的數量。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferable that the types of picking conditions include the number of the moving elements simultaneously moving from the first position to the second position.
在本發明的半導體晶粒的拾取系統中,亦較佳設為:包括吸附半導體晶粒的吸頭,拾取條件的種類中包括自吸頭著落於半導體晶粒起至開始所述半導體晶粒的抬起為止的待機時間。 In the semiconductor die picking system of the present invention, it is also preferably configured to include a suction tip for adsorbing the semiconductor die, and the types of picking conditions include from the tip landing on the semiconductor die to the beginning of the semiconductor die. Standby time before lifting.
本發明的半導體晶粒的拾取系統是拾取貼附於切割片材的表面的半導體晶粒的半導體晶粒的拾取系統,其特徵在於包括:吸頭,吸附半導體晶粒;抽吸機構,與吸頭連接,自吸頭的表面抽吸空氣;流量感測器,檢測抽吸機構的抽吸空氣流量;控制部,在拾取時,對用以自切割片材剝離半導體晶粒的剝離動作進行控制;以及顯示部,顯示畫面,控制部獲取實際流量變化,所述實際流量變化是在拾取一片晶圓中的各半導體晶粒時,流量感測器檢測出的抽吸空氣流量的時間變化,所述控制部基於多個半導體晶粒各自的實際流量變化,求出多個半導體晶粒各自的自切割片材的剝離容易度或剝離困難度即剝離度,並在顯示部上顯示模仿一片晶圓的各半導體晶粒而得的映射圖像,且在映射圖像中,對與求出了剝離度的半導體晶粒對應的半導體晶粒圖像附加與所述半導體晶粒的剝離度對應的顏色、圖案、文字、數字及記號的至少一種。 The semiconductor die pickup system of the present invention is a semiconductor die pickup system that picks up semiconductor die attached to the surface of a diced sheet, and is characterized by including: a suction head, which adsorbs the semiconductor die; a suction mechanism, and a suction The head is connected to suck air from the surface of the suction head; the flow sensor detects the suction air flow of the suction mechanism; the control part controls the peeling action to peel off the semiconductor die from the diced sheet during pickup ; And the display part, the display screen, the control part acquires the actual flow rate change, the actual flow rate change is the time change of the suction air flow rate detected by the flow sensor when picking up each semiconductor die in a wafer, so The control unit obtains the ease of peeling or the difficulty of peeling, that is, the peeling degree, of the self-cut sheet of each of the plurality of semiconductor dies based on the actual flow rate changes of each of the plurality of semiconductor dies, and displays the imitation of a wafer on the display section. A mapped image obtained by each semiconductor die, and in the mapped image, a color corresponding to the peeling degree of the semiconductor die is added to the semiconductor die image corresponding to the semiconductor die for which the peeling degree is determined At least one of, patterns, characters, numbers, and signs.
本發明具有如下效果:能夠應用適合於各半導體晶粒的 剝離動作(拾取動作)來拾取各半導體晶粒。或者,本發明具有如下效果:能夠把握與一片晶圓的各半導體晶粒的位置對應的各半導體晶粒的剝離性。 The present invention has the following effects: it is possible to apply the The peeling action (pickup action) picks up each semiconductor die. Alternatively, the present invention has the effect of being able to grasp the peelability of each semiconductor crystal grain corresponding to the position of each semiconductor crystal grain of a wafer.
10:晶圓固持器 10: Wafer holder
11:晶圓 11: Wafer
12:切割片材 12: Cutting the sheet
12a、18a:表面 12a, 18a: surface
12b:背面 12b: back
13:環 13: ring
14:間隙/切入間隙 14: gap/cut into gap
15、15a、15b、15c、15d、15e、15f:半導體晶粒 15, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f: semiconductor die
16:擴展環 16: Expansion ring
17:環按壓件 17: Ring pressing part
18:吸頭 18: Suction head
19:抽吸孔 19: Suction hole
20:平台 20: platform
22:吸附面 22: Adsorption surface
23:開口 23: opening
23a:內表面 23a: inner surface
24:基體部 24: base body
26:槽 26: Slot
27:吸附孔 27: Adsorption hole
28:上側內部 28: Inside the upper side
30:移動元件 30: moving components
31:移動元件/周邊環狀移動元件 31: Moving element/peripheral circular moving element
33:外周面 33: Outer peripheral surface
38a、38b、47:前端面 38a, 38b, 47: front face
40:移動元件/中間環狀移動元件 40: Moving element/Middle ring moving element
41:中間環狀移動元件 41: Middle circular moving element
45:移動元件/柱狀移動元件 45: Moving element/Columnar moving element
80:開口壓力切換機構 80: Opening pressure switching mechanism
81、91、101:三通閥 81, 91, 101: Three-way valve
82、92、102:驅動部 82, 92, 102: drive unit
83~85、93~95、103~105:配管 83~85, 93~95, 103~105: Piping
90:吸附壓力切換機構 90: Adsorption pressure switching mechanism
100:抽吸機構 100: suction mechanism
106:流量感測器 106: Flow sensor
110:晶圓固持器水平方向驅動部 110: Wafer holder horizontal drive part
120:平台上下方向驅動部 120: Platform up and down direction drive unit
130:吸頭驅動部 130: Suction head drive
140:真空裝置 140: vacuum device
150:控制部 150: Control Department
151:CPU 151: CPU
152:儲存部 152: Storage Department
153:設備/感測器介面 153: Device/Sensor Interface
154:資料匯流排 154: Data Bus
155:控制程式 155: Control Program
156:設定顯示程式 156: Setting display program
157:期待流量變化 157: Expect traffic changes
158、158a、158b:實際流量變化 158, 158a, 158b: actual flow change
159:等級表 159: Grade Table
160:參數表 160: parameter table
300:階差面形成機構 300: Step difference surface forming mechanism
400:階差面形成機構驅動部 400: Driving part of step surface forming mechanism
410:輸入部 410: Input
450:顯示部 450: Display
460:設定顯示畫面 460: Setting display screen
462:等級值按鈕群組 462: Level value button group
464:操作按鈕群組 464: Operation button group
466、468、470、472:按鈕 466, 468, 470, 472: buttons
478:指標 478: indicator
480:映射圖像 480: mapped image
482、482a、482b、482c:半導體晶粒圖像 482, 482a, 482b, 482c: semiconductor die image
486:氣泡 486: Bubble
490:視窗 490: Windows
492:文字盒 492: text box
500:半導體晶粒的拾取系統 500: Picking system for semiconductor die
600:拾取控制單元(控制單元) 600: Pickup control unit (control unit)
602:生成單元 602: Generating Unit
604:顯示控制單元 604: display control unit
a、201~207、210~218、220、221、223~232、241~246、260、301:箭頭 a, 201~207, 210~218, 220, 221, 223~232, 241~246, 260, 301: arrow
d:間隙 d: gap
F1~F3:拉伸力 F 1 ~F 3 : tensile force
H0~H2、H1-H0、Hc、Hc1:高度 H 0 ~H 2 , H 1 -H 0 , Hc, Hc 1 : height
HT1、HT4、HT8:第一壓力的保持時間 HT1, HT4, HT8: the holding time of the first pressure
IT4、IT8:移動元件間的下降時間間隔 IT4, IT8: Falling time interval between moving components
P1:第一壓力 P 1 : first pressure
P2:第二壓力 P 2 : second pressure
P3:第三壓力 P 3 : Third pressure
P4:第四壓力 P 4 : Fourth pressure
t、t1~t16、ts1、tr_exp、tr_rel、tc_end:時刻 t, t1~t16, ts1, tr_exp, tr_rel, tc_end: time
WT1、WT4、WT8:吸頭待機時間 WT1, WT4, WT8: Tip standby time
X、Y:方向 X, Y: direction
τ:剪切應力 τ: shear stress
(a):吸頭高度 (a): Tip height
(b):柱狀移動元件位置 (b): Position of columnar moving element
(c):中間環狀移動元件位置 (c): The position of the middle circular moving element
(d):周邊環狀移動元件位置 (d): Peripheral circular moving element position
(e):開口壓力 (e): Opening pressure
(f):吸頭空氣洩漏量 (f): The amount of air leakage from the tip
圖1是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統的系統構成的說明圖。 FIG. 1 is an explanatory diagram showing the system configuration of a semiconductor die pickup system according to an embodiment of the present invention.
圖2是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統的平台的立體圖。 2 is a perspective view showing a platform of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention.
圖3是表示貼附於切割片材的晶圓的說明圖。 Fig. 3 is an explanatory diagram showing a wafer attached to a dicing sheet.
圖4是表示貼附於切割片材的半導體晶粒的說明圖。 Fig. 4 is an explanatory diagram showing a semiconductor die attached to a dicing sheet.
圖5A、圖5B是表示晶圓固持器的構成的說明圖。 5A and 5B are explanatory diagrams showing the structure of the wafer holder.
圖6是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 6 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖7是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 7 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖8是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 8 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖9是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 9 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖10是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 10 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖11是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 11 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖12是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 12 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖13是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 13 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖14是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 14 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖15是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 15 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖16是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 16 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖17是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定等級值下的動作的說明圖。 FIG. 17 is an explanatory diagram showing the operation of the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention at a predetermined level value.
圖18是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在規定的等級值下動作時的吸頭高度、柱狀移動元件位置、中間環狀移動元件位置、周邊環狀移動元件位置、開口壓力、以及吸頭的空氣洩漏量的時間變化的圖。 18 is a diagram showing the height of the tip, the position of the columnar moving element, the position of the intermediate ring-shaped moving element, the position of the peripheral ring-shaped moving element, and the opening pressure when the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention operates at a predetermined level value. , And a graph of the time change of the air leakage of the tip.
圖19是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在另一等級值下動作時的吸頭高度、柱狀移動元件位置、中間環狀移動元件位置、周邊環狀移動元件位置、以及開口壓力的時間變化的圖。 19 is a diagram showing the height of the tip, the position of the columnar moving element, the position of the middle ring-shaped moving element, the position of the peripheral ring-shaped moving element, and the opening when the pickup system of the semiconductor die according to the embodiment of the present invention is operating at another level value. Graph of pressure change over time.
圖20是表示本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統在又一等級值下動作時的吸頭高度、柱狀移動元件位置、中間環狀移動元件位置、周邊環狀移動元件位置、以及開口壓力的時間變化的圖。 20 is a diagram showing the height of the tip, the position of the columnar moving element, the position of the intermediate ring-shaped moving element, the position of the peripheral ring-shaped moving element, and the opening when the semiconductor die picking system according to the embodiment of the present invention is operating at another level value. Graph of pressure change over time.
圖21是關於本發明實施方式的一片晶圓的各半導體晶粒的辨識編號的說明圖。 FIG. 21 is an explanatory diagram regarding the identification number of each semiconductor die of a wafer according to the embodiment of the present invention.
圖22是表示與一片晶圓的各半導體晶粒建立了對應關係的等級值的一例的說明圖。 FIG. 22 is an explanatory diagram showing an example of a rank value that is associated with each semiconductor die of a wafer.
圖23是表示本發明實施方式的設定顯示畫面的圖。 Fig. 23 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
圖24是表示本發明實施方式的設定顯示畫面的圖。 Fig. 24 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
圖25是表示本發明實施方式的設定顯示畫面的圖。 Fig. 25 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
圖26是表示本發明實施方式的初始剝離的規定期間內的開口壓力的時間變化、以及期待流量變化及實際流量變化的一例的圖。 FIG. 26 is a diagram showing an example of the time change of the opening pressure and the expected flow rate change and the actual flow rate change during the predetermined period of initial peeling in the embodiment of the present invention.
圖27是表示本發明實施方式的設定顯示畫面的圖。 Fig. 27 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
圖28是表示本發明實施方式的設定顯示畫面的圖。 Fig. 28 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
圖29是表示本發明實施方式的設定顯示畫面的圖。 Fig. 29 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
圖30是表示與一片晶圓的各半導體晶粒建立了對應關係的等級值的另一例的說明圖。 FIG. 30 is an explanatory diagram showing another example of a rank value that is associated with each semiconductor die of a wafer.
圖31是表示與一片晶圓的各半導體晶粒建立了對應關係的等級值的又一例的說明圖。 FIG. 31 is an explanatory diagram showing another example of the level value that is associated with each semiconductor die of a wafer.
圖32是表示與一片晶圓的各半導體晶粒建立了對應關係的 等級值的又一例的說明圖。 Figure 32 shows the correspondence relationship with each semiconductor die of a wafer An explanatory diagram of another example of the rank value.
圖33是本發明實施方式的控制部的功能框圖。 Fig. 33 is a functional block diagram of a control unit according to an embodiment of the present invention.
<構成> <Composition>
以下,參照圖式對本發明實施方式的半導體晶粒的拾取系統進行說明。如圖1所示,本實施方式的半導體晶粒的拾取系統500包括:晶圓固持器10,保持切割片材12,且沿水平方向移動,所述切割片材12在表面12a貼附有半導體晶粒15;平台20,配置於晶圓固持器10的下表面,且包含吸附面22,所述吸附面22吸附切割片材12的背面12b;多個移動元件30,配置在設置於平台20的吸附面22的開口23中;階差面形成機構300,形成相對於吸附面22的階差面;階差面形成機構驅動部400,驅動階差面形成機構300;吸頭18,拾取半導體晶粒15;開口壓力切換機構80,切換平台20的開口23的壓力;吸附壓力切換機構90,切換平台20的吸附面22的吸附壓力;抽吸機構100,自吸頭18的表面18a抽吸空氣;真空裝置(VAC)140;晶圓固持器水平方向驅動部110,沿水平方向驅動晶圓固持器10;平台上下方向驅動部120,沿上下方向驅動平台20;吸頭驅動部130,沿上下左右方向驅動吸頭18;控制部150,進行半導體晶粒的拾取系統500的控制;輸入部410,其為輸入資訊的鍵盤或滑鼠等;以及顯示部450,其為顯示畫面的顯示器。
Hereinafter, a semiconductor die pickup system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the semiconductor
階差面形成機構300與階差面形成機構驅動部400收納
於平台20的基體部24中。階差面形成機構300位於平台20的上部28,階差面形成機構驅動部400位於平台20的下部。階差面形成機構300包括沿上下方向移動的多個移動元件30。藉由階差面形成機構驅動部400,多個移動元件30的各前端面如圖1所示的箭頭a般向下側移動。之後將說明移動元件30的詳情。
The stepped
對平台20的開口23的壓力進行切換的開口壓力切換機構80包括三通閥81以及進行三通閥81的開閉驅動的驅動部82。三通閥81具有3個埠(port),第一埠利用配管83而連接於與平台20的開口23連通的基體部24,第二埠利用配管84而連接於真空裝置140,第三埠連接於向大氣開放的配管85。驅動部82使第一埠與第二埠連通而阻斷第三埠,以將開口23的壓力設為接近真空的第一壓力P1,或者使第一埠與第三埠連通而阻斷第二埠,以將開口23的壓力設為接近大氣壓的第二壓力P2,藉此,在第一壓力P1與第二壓力P2之間切換開口23的壓力。
The opening
對平台20的吸附面22的吸附壓力進行切換的吸附壓力切換機構90是與開口壓力切換機構80同樣地,包括具有3個埠的三通閥91以及進行三通閥91的開閉驅動的驅動部92,第一埠利用配管93而連接於與平台20的槽26連通的吸附孔27,第二埠利用配管94而連接於真空裝置140,第三埠連接於向大氣開放的配管95。驅動部92使第一埠與第二埠連通而阻斷第三埠,以將槽26或吸附面22的壓力設為接近真空的第三壓力P3,或者使第一埠與第三埠連通而阻斷第二埠,從而將槽26或吸附面22的壓力
設為接近大氣壓的第四壓力P4,藉此,在第三壓力P3與第四壓力P4之間切換槽26或吸附面22的壓力。
The suction
自吸頭18的表面18a抽吸空氣的抽吸機構100是與開口壓力切換機構80同樣地,包括具有3個埠的三通閥101以及進行三通閥101的開閉驅動的驅動部102,第一埠利用配管103而連接於與吸頭18的表面18a連通的抽吸孔19,第二埠利用配管104而連接於真空裝置140,第三埠連接於向大氣開放的配管105。驅動部102使第一埠與第二埠連通而阻斷第三埠,並自吸頭18的表面18a抽吸空氣以將吸頭18的表面18a的壓力設為接近真空的壓力,或者使第一埠與第三埠連通而阻斷第二埠,從而將吸頭18的表面18a的壓力設為接近大氣壓的壓力。在將吸頭18的抽吸孔19與三通閥101之間予以連接的配管103中,安裝有流量感測器106,所述流量感測器106對自吸頭18的表面18a抽吸至真空裝置140的空氣流量(抽吸空氣流量)進行檢測。
The
晶圓固持器水平方向驅動部110、平台上下方向驅動部120、吸頭驅動部130例如藉由設置於內部的馬達與齒輪(gear),來沿水平方向或上下方向等驅動晶圓固持器10、平台20、吸頭18。
The wafer holder horizontal
控制部150是包含進行各種運算處理或控制處理的中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)151、儲存部152以及設備/感測器介面(interface)153,且CPU 151、儲存部152與設備/感測器介面153利用資料匯流排(data bus)154而連接的電腦(computer)。在儲存部152中保存有:控制程式155,用以進行
半導體晶粒15的拾取控制;設定顯示程式156,用以使拾取時的剝離動作與一片晶圓的各半導體晶粒15建立對應關係;等級表159(參照表2),將一片晶圓的各半導體晶粒15與剝離動作的等級值建立了對應關係;參數表160(參照表1),將等級值與各種剝離參數的參數值建立了對應關係;期待流量變化157,其為半導體晶粒15自切割片材12的剝離良好的情況下的拾取時的、流量感測器106所檢測出的抽吸空氣流量的時間變化;實際流量變化158,其為拾取時流量感測器106所實際檢測出的抽吸空氣流量的時間變化。圖33是控制部150的功能塊圖。控制部150藉由執行控制程式155,作為拾取控制單元600(控制單元)發揮功能。另外,控制部150藉由執行設定顯示程式156,作為後述的生成單元602及顯示控制單元604發揮功能。
The
如圖1所示,開口壓力切換機構80、吸附壓力切換機構90、抽吸機構100的各三通閥81、三通閥91、三通閥101的各驅動部82、驅動部92、驅動部102及階差面形成機構驅動部400、晶圓固持器水平方向驅動部110、平台上下方向驅動部120、吸頭驅動部130、真空裝置140分別連接於設備/感測器介面153,根據控制部150的指令而受到驅動。另外,流量感測器106連接於設備/感測器介面153,檢測訊號被導入至控制部150中進行處理。另外,輸入部410及顯示部450亦連接於設備/感測器介面153,來自輸入部410的輸入資訊被導入至控制部150,來自控制部150的輸出圖像資訊被送往顯示部450。
As shown in Figure 1, the opening
接下來,對平台20的吸附面22與移動元件30的詳情進行說明。如圖2所示,平台20為圓筒形,且在上表面形成有平面狀的吸附面22。在吸附面22的中央,設置有四方的開口23,在開口23中,安裝有移動元件30。如圖6所示,在開口23的內表面23a與移動元件30的外周面33之間設置有間隙d。如圖2所示,在開口23的周圍,以圍繞開口23的方式設置有槽26。在各槽26中設置有吸附孔27,各吸附孔27連接於吸附壓力切換機構90。
Next, the details of the
如圖2所示,移動元件30包含配置於中央的柱狀移動元件45;配置於柱狀移動元件45周圍的兩個中間環狀移動元件40、中間環狀移動元件41;以及配置於中間環狀移動元件40周圍從而配置于最外周的周邊環狀移動元件31。再者,此處中間環狀移動元件的數量為兩個,但中間環狀移動元件的數量亦可為一個或三個以上。在圖6及其以後的圖式中,為了簡化說明,中間環狀移動元件40的數量為一個。如圖6所示,柱狀移動元件45、中間環狀移動元件40、周邊環狀移動元件31各自的前端面47、前端面38b、前端面38a位於自平台20的吸附面22突出了高度H0的第一位置,且構成了同一面(相對於吸附面22的階差面)。在拾取半導體晶粒15時,按照周邊環狀移動元件31、中間環狀移動元件40、柱狀移動元件45的順序,以規定時間的間隔自第一位置移動至比第一位置低的第二位置。或者,以規定的移動元件的組合同時自第一位置移動至第二位置。
As shown in FIG. 2, the moving
<切割片材的設置(set)步驟> <Set Steps for Cutting Sheets>
此處,對將貼附有半導體晶粒15的切割片材12設置於晶圓固持器10的步驟進行說明。如圖3所示,晶圓11的背面貼附有黏接性的切割片材12,切割片材12被安裝於金屬製的環(ring)13。晶圓11在如此般經由切割片材12而安裝於金屬製的環13的狀態下受到處理(handling)。而且,如圖4所示,晶圓11在切斷步驟中自表面側被切割鋸等切斷而成為各半導體晶粒15。在各半導體晶粒15之間,形成在切割時所形成的切入間隙14。切入間隙14的深度是自半導體晶粒15到達切割片材12的一部分為止,但切割片材12未被切斷,各半導體晶粒15由切割片材12予以保持。
Here, the step of setting the
如此,安裝有切割片材12與環13的半導體晶粒15如圖5A、圖5B所示,被安裝於晶圓固持器10。晶圓固持器10包括:圓環狀的擴展環(expand ring)16,具有凸緣部;以及環按壓件17,將環13固定於擴展環16的凸緣上。環按壓件17藉由未圖示的環按壓件驅動部,在朝向擴展環16的凸緣進退的方向上予以驅動。擴展環16的內徑比配置有半導體晶粒15的晶圓的直徑大,擴展環16具備規定的厚度,凸緣位於擴展環16的外側,且以朝外側突出的方式安裝於離開切割片材12的方向的端面側。另外,擴展環16的切割片材12側的外周呈曲面構成,以使得在將切割片材12安裝於擴展環16時,可順利地拉延切割片材12。如圖5B所示,貼附有半導體晶粒15的切割片材12在被設置於擴展環16之前呈大致平面狀態。
In this way, the semiconductor die 15 on which the
如圖1所示,切割片材12在被設置於擴展環16時,沿著擴展環上部的曲面而被拉延擴展環16的上表面與凸緣面的階差量,因此在被固定於擴展環16上的切割片材12,作用有自切割片材12的中心朝向周圍的拉伸力。另外,切割片材12因該拉伸力而延伸,因此貼附於切割片材12上的各半導體晶粒15間的間隙14擴大。
As shown in FIG. 1, when the
<拾取動作> <Pickup Action>
接下來,對半導體晶粒15的拾取動作進行說明。根據一片晶圓中的各半導體晶粒15的位置,各半導體晶粒15自切割片材12的剝離性有時發生變化。例如,自晶圓中的外周附近的半導體晶粒15向中心附近的半導體晶粒15,剝離容易度(易剝離性)有時緩緩變高。認為其原因在於:在將切割片材12設置於晶圓固持器10的擴展環16時,切割片材12的中心附近與外周附近相比受到更大拉伸,因此晶圓中心附近的半導體晶粒15的剝離容易度進一步提高。關於此種與晶圓的半導體晶粒15的位置對應的剝離性的傾向,在連續進行拾取的多個晶圓中多數情況下為相同的。在連續拾取多個晶圓的半導體晶粒15時,藉由對處於容易剝離的位置的半導體晶粒15應用簡化的短時間的剝離動作(拾取動作),能夠使拾取高速化,另一方面,藉由對處於難以剝離的位置的半導體晶粒15應用長時間的剝離動作(拾取動作),能夠抑制半導體晶粒15的損傷或拾取錯誤。因此,本實施方式的半導體晶粒的拾取系統500能夠按照一片晶圓中的半導體晶粒15來變更拾取時的
剝離動作。
Next, the pickup operation of the semiconductor die 15 will be described. Depending on the position of each semiconductor die 15 in a wafer, the releasability of each semiconductor die 15 from the dicing
在儲存部152中保存有:如表2所示的等級表159,將依照一片晶圓中的各半導體晶粒15的位置而附加的各半導體晶粒15的辨識編號(亦稱為晶粒辨識編號或個別資訊)與等級值建立了對應關係;以及如表1所示的參數表160(條件表),將各等級值與多種剝離參數的參數值(亦稱為拾取條件)建立了對應關係。藉由等級表159及參數表160,使所應用的剝離動作(剝離參數的參數值)與一片晶圓中的各半導體晶粒15建立了對應關係。在本實施方式中,等級值規定了自剝離動作所需時間(拾取時間)最短的等級1至剝離動作所需時間(拾取時間)最長的等級8。在拾取動作前,操作者等考慮與晶圓中的各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性,經由後述的設定顯示畫面460(參照圖23)使等級值與各半導體晶粒15建立對應關係,生成等級表159。在進行拾取動作時,參照等級表159,對一片晶圓中的每個半導體晶粒15,根據建立了對應關係的等級值進行剝離動作(拾取動作)。以下,以應用參數表160的等級4的剝離動作來進行的半導體晶粒15的拾取為例,對拾取的動作進行說明。再者,關於參數表160的各種剝離參數及設定顯示畫面460,將在之後進行詳細說明。
The
[表1]
控制部150藉由執行圖1所示的控制程式155,作為拾
取控制單元發揮功能來進行半導體晶粒15的拾取動作的控制。控制部150對作為拾取動作的一部分的、用以將半導體晶粒15自切割片材12剝離的剝離動作進行控制。控制部150最先藉由晶圓固持器水平方向驅動部110來使晶圓固持器10沿水平方向移動至平台20的待機位置之上為止。然後,控制部150在使晶圓固持器10移動至平台20的待機位置之上的規定位置後,暫時停止晶圓固持器10的水平方向的移動。如之前所述,在初始狀態下,各移動元件45、移動元件40、移動元件31的各前端面47、前端面38b、前端面38a處於自平台20的吸附面22突出了高度H0的第一位置,因此控制部150藉由平台上下方向驅動部120來使平台20上升,直至各移動元件45、移動元件40、移動元件31的各前端面47、前端面38b、前端面38a密接至切割片材12的背面12b,且吸附面22的自開口23稍許離開的區域密接至切割片材12的背面12b為止。而且,在各移動元件45、移動元件40、移動元件31的各前端面47、前端面38b、前端面38a及吸附面22的自開口23稍許離開的區域密接至切割片材12的背面12b後,控制部150停止平台20的上升。然後,控制部150再次藉由晶圓固持器水平方向驅動部110來調整水平位置,以使欲拾取的半導體晶粒15來到自平台20的吸附面22稍許突出的移動元件30的前端面(階差面)的正上方。
The
如圖6所示,半導體晶粒15的大小比平台20的開口23小,且比移動元件30的寬度或者縱深大,因此當平台20的位置
調整結束時,半導體晶粒15的外周端處於平台20的開口23的內表面23a與移動元件30的外周面33之間、即處於開口23的內表面23a與移動元件30的外周面33之間的間隙d的正上方。在初始狀態下,平台20的槽26或者吸附面22的壓力為大氣壓,開口23的壓力亦成為大氣壓。在初始狀態下,各移動元件45、移動元件40、移動元件31的各前端面47、前端面38b、前端面38a處於自平台20的吸附面22突出了高度H0的第一位置,因此與各前端面47、前端面38b、前端面38a接觸的切割片材12的背面12b的高度亦處於自吸附面22突出了高度H0的第一位置。另外,在開口23的周緣,切割片材12的背面12b自吸附面22稍許浮起,而在離開開口23的區域,成為密接於吸附面22的狀態。當水平方向的位置調整結束後,控制部150藉由圖1所示的吸頭驅動部130來使吸頭18下降至半導體晶粒15上,使吸頭18的表面18a著落於半導體晶粒15上。
As shown in FIG. 6, the size of the semiconductor die 15 is smaller than the
圖18中的(a)~(f)是表示等級4的剝離動作(拾取動作)時的吸頭18的高度、柱狀移動元件45的位置、中間環狀移動元件40的位置、周邊環狀移動元件31的位置、開口23的開口壓力、以及吸頭18的空氣洩漏量的時間變化的圖。在圖18中的(a)中示出了吸頭18的表面18a的高度,且示出了在自時刻t=0(高度Hc1)起經過少許的時刻至時刻t2使吸頭18移動的狀態。控制部150在使吸頭18移動的期間的時刻t1,藉由抽吸機構100的驅動部102將三通閥101切換成使吸頭18的抽吸孔19與真
空裝置140連通的方向(如圖7的箭頭301所示)。藉此,抽吸孔19成為負壓,空氣自吸頭18的表面18a流入抽吸孔19中,因此,如圖18中的(f)所示,流量感測器106檢測出的抽吸空氣流量(空氣洩漏量)自時刻t1至時刻t2逐漸增加。在時刻t2,當吸頭18著落於半導體晶粒15時,半導體晶粒15被吸附固定於表面18a,無法自表面18a流入空氣。藉此,在時刻t2,流量感測器106檢測出的空氣洩漏量轉為減少。吸頭18著落於半導體晶粒15時的吸頭18的表面18a的高度如圖6所示,成為將各移動元件45、移動元件40、移動元件31的各前端面47、前端面38b、前端面38a的高度(自吸附面22算起的高度H0)加上切割片材12的厚度與半導體晶粒15的厚度所得的高度Hc。
(A) to (f) in FIG. 18 represent the height of the
接下來,控制部150在圖18中的(a)~(f)所示的時刻t2,輸出將平台20的吸附面22的吸附壓力(未圖示)自接近大氣壓的第四壓力P4切換為接近真空的第三壓力P3的指令。根據該指令,吸附壓力切換機構90的驅動部92將三通閥91切換成使吸附孔27與真空裝置140連通的方向。於是,如圖7的箭頭201、圖10的箭頭211、圖11的箭頭213、圖13的箭頭221、圖14的箭頭225、圖16的箭頭242、圖17的箭頭245所示,槽26的空氣通過吸附孔27被吸出至真空裝置140,吸附壓力成為接近真空的第三壓力P3。而且,開口23周緣的切割片材12的背面12b如圖7的箭頭202所示,被真空吸附至吸附面22的表面。各移動元件45、移動元件40、移動元件31的各前端面47、前端面38b、
前端面38a處於自平台20的吸附面22突出了高度H0的第一位置,因此對切割片材12施加朝斜下的拉伸力F1。該拉伸力F1可分解為朝橫方向拉伸切割片材12的拉伸力F2與朝下方向拉伸切割片材12的拉伸力F3。橫方向的拉伸力F2使半導體晶粒15與切割片材12的表面12a之間產生剪切應力τ。因該剪切應力τ,在半導體晶粒15的外周部分或周邊部分與切割片材12的表面12a之間發生偏離。該偏離成為切割片材12與半導體晶粒15的外周部分或周邊部分的剝離的契機。
Next, the
如圖18中的(e)所示,控制部150在時刻t3輸出將開口壓力自接近大氣壓的第二壓力P2切換為接近真空的第一壓力P1的指令。根據該指令,開口壓力切換機構80的驅動部82將三通閥81切換成使開口23與真空裝置140連通的方向。於是,如圖8的箭頭206所示,開口23的空氣被抽吸至真空裝置140,如圖18中的(e)所示,在時刻t4,開口壓力成為接近真空的第一壓力P1。藉此,如圖8的箭頭203所示,位於開口23的內表面23a與移動元件30的外周面33的間隙d正上方的切割片材12朝下側受到拉伸。另外,位於間隙d正上方的半導體晶粒15的周邊部被切割片材12拉伸,從而如箭頭204所示般朝下彎曲變形。藉此,半導體晶粒15的周邊部離開吸頭18的表面18a。當吸附壓力成為接近真空的第三壓力P3時,由於在半導體晶粒15的外周部分與切割片材12的表面12a之間發生的偏離,在半導體晶粒15的周邊部形成了自切割片材12的表面12a剝離的契機,因此半導體晶粒15的周
邊部如圖8的箭頭204所示一邊發生彎曲變形,一邊自切割片材12的表面12a開始剝離。
FIG. 18 (e), the
如圖8所示,當半導體晶粒15的周邊部離開吸頭18的表面18a時,如圖8的箭頭205所示,空氣流入吸頭18的抽吸孔19中。流入的空氣流量(空氣洩漏量)由流量感測器106予以檢測。藉此,如圖18中的(f)所示,在時刻t2轉為減少並持續減少的空氣洩漏量在時刻t3再次開始增加。具體而言,自時刻t3朝向時刻t4,隨著開口壓力自接近大氣壓的第二壓力P2下降至接近真空的第一壓力P1,半導體晶粒15與切割片材12一同朝下方向受到拉伸而彎曲變形,因此,流入吸頭18的抽吸孔19內的空氣洩漏量自時刻t3朝向時刻t4而逐漸增加。
As shown in FIG. 8, when the peripheral portion of the semiconductor die 15 leaves the
然後,如圖18中的(e)所示,控制部150在時刻t4至時刻t5的期間(時間HT4),將平台20的開口23保持於接近真空的第一壓力P1。該時間HT4是表1的參數表160中所規定的等級4的「第一壓力的保持時間」。在表1的例子中,HT4為130ms。在保持於第一壓力P1的期間,如圖9的箭頭207所示,半導體晶粒15的周邊部因吸頭18的抽吸孔19的真空與半導體晶粒15的彈性而逐漸返回吸頭18的表面18a。藉此,在圖18中的(f)的時刻t4,空氣洩漏量轉為減少並持續減少,當半導體晶粒15被真空吸附於吸頭18的表面18a時,在時刻t5的稍早前空氣洩漏量大致成為零。此時,半導體晶粒15的周邊部自位於間隙d正上方的切割片材12的表面12a剝離(初始剝離)。然後,如圖18中的
(e)所示,控制部150輸出在時刻t5將開口壓力自接近真空的第一壓力P1切換為接近大氣壓的第二壓力P2的指令。根據該指令,開口壓力切換機構80的驅動部82將三通閥81切換成將向大氣開放的配管85與開口23連通。藉此,如圖10所示的箭頭210般,空氣流入開口23,因此,如圖18中的(e)所示,自時刻t5朝向時刻t6,開口壓力自接近真空的第一壓力P1上升至接近大氣壓的第二壓力P2。
Then, as shown in (e) of FIG. 18, the
圖18中的(a)~(f)的時刻t1~時刻t6是初始剝離。在半導體晶粒15與切割片材12的剝離性差(剝離容易度低)的情況下,在如圖8的箭頭204般半導體晶粒15的周邊部被切割片材12拉伸後,至如圖9的箭頭207般半導體晶粒15的周邊部返回吸頭18的表面18a為止花費大量的時間。對於此種半導體晶粒15,應用將開口壓力保持於第一壓力P1的時間(圖18中的(e)的時刻t4~時刻t5的時間)長、或者在接近真空的第一壓力P1與接近大氣壓的第二壓力P2之間切換開口壓力的次數多的剝離動作(等級值),來促進半導體晶粒15的周邊部與切割片材12的剝離。
Time t1 to time t6 in (a) to (f) in FIG. 18 are the initial peeling. In the case where the peelability between the semiconductor die 15 and the
另一方面,在半導體晶粒15與切割片材12的剝離性良好(剝離容易度高)的情況下,在如圖8的箭頭204般半導體晶粒15的周邊部被切割片材12拉伸後,至如圖9的箭頭207般半導體晶粒15的周邊部返回吸頭18的表面18a為止的時間短。對於此種半導體晶粒15,應用將開口壓力保持於第一壓力P1的時間
短、或者在接近真空的第一壓力P1與接近大氣壓的第二壓力P2之間切換開口壓力的次數少的剝離動作(等級值),使拾取高速化。再者,在圖18中的(a)~(f)的等級4的例子中,初始剝離時的開口壓力的切換次數為1次(自第二壓力P2切換為第一壓力P1、其後自第一壓力P1切換為第二壓力P2計數為1次的情況)。此為表1的參數表160中所規定的等級4的「初始剝離時的開口壓力的切換次數」(FSN4)。
On the other hand, when the peelability between the semiconductor die 15 and the
另外,如上所述,根據半導體晶粒15的剝離容易度,自半導體晶粒15的周邊部被切割片材12拉伸後至半導體晶粒15的周邊部返回吸頭18的表面18a為止的時間發生變化,因此流量感測器106檢測出的空氣洩漏量的時間變化(實際流量變化)亦發生變化。因此,如之後所詳細說明般,能夠基於實際流量變化來判斷半導體晶粒15自切割片材12的剝離容易度。
In addition, as described above, depending on the ease of peeling of the semiconductor die 15, the time from when the peripheral portion of the semiconductor die 15 is stretched by the dicing
繼續進行拾取動作的說明。在圖18中的(a)~(f)的t6中,當開口壓力上升至接近大氣壓的第二壓力P2時,因真空而朝下方向被拉伸的位於間隙d正上方的切割片材12如圖10的箭頭212所示,因在固定於晶圓固持器10時施加的拉伸力而朝上方向返回。另外,開口23周緣的切割片材12因所述拉伸力而成為自吸附面22稍許浮起的狀態。
Continue with the description of the pickup action. In t6 of (a) to (f) in FIG. 18, when the opening pressure rises to the second pressure P 2 close to the atmospheric pressure, the cut sheet positioned directly above the gap d is stretched downward due to the vacuum As shown by the
當如圖18中的(e)所示在時刻t6開口壓力成為接近大氣壓的第二壓力P2後,如圖18中的(d)所示,控制部150輸出下述指令,該指令是將周邊環狀移動元件31的前端面38a的高度
設為自第一位置(自吸附面22算起的高度為H0的初始位置)低了高度H1的第二位置。根據該指令,圖1所示的階差面形成機構驅動部400進行驅動,如圖11的箭頭214所示使周邊環狀移動元件31下降。周邊環狀移動元件31的前端面38a移動至距第一位置(初始位置)為高度H1的下側且比吸附面22稍低的第二位置(自吸附面22低了高度(H1-H0)的位置)。
When FIG. 18 (e), at time t6 becomes close to the atmospheric pressure opening the
接下來,如圖18中的(a)~(f)所示,控制部150自時刻t6至時刻t7保持狀態。此時,開口23的壓力成為接近大氣壓的第二壓力P2,因此,如圖11所示,在位於間隙d正上方的切割片材12的背面12b與周邊環狀移動元件31的前端面38a之間空出間隙。
Next, as shown in (a) to (f) in FIG. 18, the
如圖18中的(e)所示,控制部150在時刻t7輸出將開口壓力自接近大氣壓的第二壓力P2切換為接近真空的第一壓力P1的指令。根據該指令,開口壓力切換機構80的驅動部82將三通閥81切換成使開口23與真空裝置140連通。藉此,如圖12的箭頭215所示,開口23中的空氣被抽吸至真空裝置140,在時刻t8,開口壓力成為接近真空的第一壓力P1。當開口壓力自接近大氣壓的第二壓力P2下降至接近真空的第一壓力P1時,位於周邊環狀移動元件31的前端面38a正上方(相向)的切割片材12如圖12的箭頭216所示,朝下側受到拉伸,以使背面12b與前端面38a接觸。藉此,如圖12的箭頭217所示,半導體晶粒15中的位於前端面38a正上方的半導體晶粒15的一部分朝下方向彎曲變形而離
開吸頭18的表面18a,如圖12的箭頭218所示,空氣流入至吸頭18的抽吸孔19中。流入至抽吸孔19的空氣洩漏量是由流量感測器106予以檢測。空氣洩漏量如圖18中的(f)所示,在開口壓力下降的時刻t7至時刻t8的期間內增加。然後,在開口壓力達到第一壓力P1的時刻t8附近,與前端面38a相向的區域的半導體晶粒15如圖13所示的箭頭224般朝向吸頭18的表面18a返回。藉此,在圖18中的(f)的時刻t8附近,空氣洩漏量轉為減少,當如圖13所示半導體晶粒15被真空吸附至吸頭18的表面18a時,空氣洩漏量又大致成為零。此時,半導體晶粒15的與前端面38a相向的區域自切割片材12的表面12a剝離。再者,在如圖12的箭頭217般半導體晶粒15的與前端面38a相向的區域被切割片材12拉伸後、至如圖13的箭頭224般返回吸頭18的表面18a為止的時間根據半導體晶粒15與切割片材12的剝離性而變化。
(E), the
接下來,如圖18中的(e)所示,控制部150在到達時刻t9時,輸出使開口壓力自接近真空的第一壓力P1上升至接近大氣壓的第二壓力P2的指令。根據該指令,開口壓力切換機構80的驅動部82將三通閥81切換成使開口23與向大氣開放的配管85連通。藉此,如圖13的箭頭220所示,空氣流入開口23內,在時刻t10,開口23的壓力上升至接近大氣壓的第二壓力P2。藉此,如圖13的箭頭223所示,間隙d正上方的切割片材12離開周邊環狀移動元件31的前端面38a而朝上方向移位。
Next, as shown in 18 (e), the
在圖18中的(a)~(f)的時刻t10,控制部150輸出
下述指令,該指令是將中間環狀移動元件40的前端面38b移動至自第一位置(自吸附面22算起的高度為H0的位置)低了高度H1的第二位置、以及將位於第二位置的周邊環狀移動元件31的前端面38a移動至自第一位置(初始位置)低了高度H2的第三位置(自吸附面22低了H2-H0的位置)。根據該指令,圖1所示的階差面形成機構驅動部400進行驅動,如圖14的箭頭227所示使中間環狀移動元件40下降,且如箭頭226所示使周邊環狀移動元件31下降。中間環狀移動元件40的前端面38b移動至自第一位置(自吸附面高了高度H0的位置)低了高度H1的第二位置(自吸附面22低了H1-H0的位置),且周邊環狀移動元件31的前端面38a移動至自第一位置(初始位置)低了高度H2的第三位置(自吸附面22低了H2-H0的位置)。藉此,如圖14所示,前端面38a、前端面38b、前端面47為彼此存在階差的階差面,與此同時為相對於吸附面22的階差面。
At time t10 from (a) to (f) in FIG. 18, the
接下來,如圖18中的(a)~(f)所示,控制部150自時刻t10至時刻t11保持狀態。然後,控制部150在圖18中的(e)的時刻t11輸出將開口壓力自接近大氣壓的第二壓力P2切換為接近真空的第一壓力P1的指定。根據該指令,開口壓力切換機構80的驅動部82將三通閥81切換成使開口23與真空裝置140連通。藉此,如圖15的箭頭228所示,開口23的空氣被抽吸至真空裝置140,在時刻t12,開口壓力成為接近真空的第一壓力P1。於是,如圖15所示的箭頭229、箭頭230般,切割片材12朝向下
降至第三位置的周邊環狀移動元件31的前端面38a、下降至第二位置的中間環狀移動元件40的前端面38b受到拉伸,而朝下方向移位。伴隨於此,半導體晶粒15的與前端面38a、前端面38b相向的區域亦如圖15的箭頭231所示,自吸頭18的表面18a離開而朝下方向彎曲變形。於是,如圖15的箭頭232所示,空氣自吸頭18的表面18a與半導體晶粒15之間流入至抽吸孔19。流入至抽吸孔19的空氣洩漏量是由流量感測器106予以檢測。空氣洩漏量如圖18中的(f)所示,在開口壓力逐漸下降的時刻t11至時刻t12的期間內逐漸增加。然後,在開口壓力達到第一壓力P1的時刻t12附近,與前端面38a、前端面38b相向的區域的半導體晶粒15如圖16所示的箭頭244般朝向吸頭18的表面18a返回。藉此,在圖18中的(f)的時刻t12附近,空氣洩漏量轉為減少,當如圖16所示半導體晶粒15被真空吸附至吸頭18的表面18a時,空氣洩漏量大致成為零。再者,至朝向該吸頭18的表面18a返回為止的時間根據半導體晶粒15與切割片材12的剝離性而變化。
Next, as shown in (a) to (f) in FIG. 18, the
接下來,如圖18中的(e)所示,控制部150在時刻t13輸出將開口壓力自接近真空的第一壓力P1切換為接近大氣壓的第二壓力P2的指令。根據該指令,開口壓力切換機構80的驅動部82將三通閥81切換成使開口23與向大氣開放的配管85連通。於是,如圖16的箭頭241所示,空氣流入至開口23,開口壓力上升,因此切割片材12如圖16所示的箭頭243所示,朝上方向移位。如圖18中的(e)所示,在時刻t14,開口壓力成為接近大氣壓的
第二壓力P2。在該狀態下,如圖16所示,雖然與柱狀移動元件45的前端面47對應的區域的半導體晶粒15貼附於切割片材12,但半導體晶粒15的大部分區域成為自切割片材12剝離的狀態。
Next, in 18 (e) As shown, the
接下來,在圖18中的(a)~(f)的時刻t14,控制部150輸出下述指令,該指令是將柱狀移動元件45的前端面47移動至自第一位置(自吸附面22算起的高度為H0的位置)低了高度H1的第二位置、以及將位於第二位置的中間環狀移動元件40的前端面38b移動至自第一位置(初始位置)低了高度H2的第三位置(自吸附面22低了H2-H0的位置)。根據該指令,圖1所示的階差面形成機構驅動部400進行驅動,如圖17的箭頭260所示使柱狀移動元件45下降,且如箭頭246所示使中間環狀移動元件40下降。柱狀移動元件45的前端面47移動至自第一位置(自吸附面高了高度H0的位置)低了高度H1的第二位置,且中間環狀移動元件40的前端面38b移動至自第一位置(初始位置)低了高度H2的第三位置。藉此,如圖17所示,半導體晶粒15成為自切割片材12剝離的狀態。
Next, at time t14 from (a) to (f) in FIG. 18, the
控制部150在圖18中的(a)~(f)的時刻t15輸出使吸頭18上升的指令。根據該指令,圖1所示的吸頭驅動部130驅動馬達,如圖17所示般使吸頭18上升。當吸頭18上升時,半導體晶粒15在由吸頭18吸附的狀態下被拾取。
The
在拾取了半導體晶粒15後,控制部150在時刻t16使各移動元件31、移動元件40、移動元件45的各前端面38a、前端面
38b、前端面47返回第一位置,藉由吸附壓力切換機構90將平台20的吸附面22的吸附壓力自接近真空的第三壓力P3切換為接近大氣壓的第四壓力P4。至此,拾取結束。
After picking up the semiconductor die 15, the
以上所說明的圖18中的(a)~(f)的時刻t6~時刻t16為正式剝離。在正式剝離中,自外側的移動元件30向內側的移動元件30依次使前端面自第一位置移動至第二位置,在第一壓力P1與第二壓力P2間切換開口壓力,藉此將半導體晶粒15的比周邊部靠內側的區域自切割片材12的表面12a剝離。再者,在以上所說明的正式剝離中,在第一壓力P1與第二壓力P2之間切換開口壓力,但亦可在將開口壓力保持於接近真空的第一壓力的狀態下,使各移動元件30依次移動。
The time t6 to the time t16 in (a) to (f) in FIG. 18 described above is the actual separation. In the official release, the moving
此處,對以上所說明的圖18中的(a)~(f)的剝離動作的剝離參數進行確認。以上所說明的圖18中的(a)~(f)的剝離動作是應用表1的參數表160的等級4中所規定的各剝離參數的參數值來進行。具體而言,應用了以下剝離參數的參數值。「初始剝離時的開口壓力的切換次數(自第二壓力P2切換為第一壓力P1、其後自第一壓力P1切換為第二壓力P2計數為1次的情況,以下相同)」設為FSN4=1次。「正式剝離時的開口壓力的切換次數」設為SSN4=2次。將開口壓力保持於第一壓力P1的時間即「第一壓力的保持時間」設為HT4=130ms。「同時下降的移動元件的數量」設為DN4=0個。使各移動元件30的前端面依次自第一位置下降至第二位置時的「移動元件間的下降時間間隔」設為IT4=240
ms。另外,自吸頭18著落於半導體晶粒15起至開始抬起半導體晶粒15為止的時間即「吸頭待機時間」設為WT4=710ms。而且,「拾取時間」為PT4=820ms。
Here, the peeling parameters of the peeling operation in (a) to (f) in FIG. 18 described above are confirmed. The peeling operation of (a) to (f) in FIG. 18 described above is performed by applying the parameter value of each peeling parameter specified in the
<參數表> <Parameter table>
此處,對表1的參數表160更詳細地進行說明。參數表160的各剝離參數的參數值與等級值的變化對應地具有如下傾向。如表1所示,自等級1向等級8,「初始剝離時的開口壓力的切換次數」增加了數量。但是,此並不意味著每當等級值變化時切換次數必定會增加,有相鄰的多個等級值中切換次數相同的情況。其他剝離參數亦同樣如此,所述情況並不意味著每當等級值變化時參數值均會變化,有相鄰的多個等級值中參數值相同的情況。自等級1向等級8,「正式剝離時的開口壓力的切換次數」增加了數量。另外,自等級1向等級8,「第一壓力的保持時間」延長了時間。自等級1向等級8,「移動元件間的下降時間間隔」延長了時間間隔。另外,自等級1向等級8,「吸頭待機時間」延長了時間。每當等級值變化時,「拾取時間」均會變化,且自等級1向等級8變長。再者,「拾取時間」與「吸頭待機時間」類似,但不僅為吸頭待機時間,亦包含使吸頭18自規定位置下降而著落於半導體晶粒15為止的時間、以及自開始半導體晶粒15的抬起至上升至規定位置為止的時間。再者,表1的參數表160亦可稱為「條件表」,剝離參數亦可稱為「拾取參數」。表1中所示出的具體的各參數值僅為一例,當然亦可為其他值。
Here, the parameter table 160 of Table 1 will be described in more detail. The parameter value of each peeling parameter of the parameter table 160 has the following tendency corresponding to the change of the grade value. As shown in Table 1, from
此處,作為所述等級4的剝離動作以外的剝離動作的例子,對等級1與等級8的剝離動作進行說明。首先,對等級8的剝離動作進行說明。等級8是應與非常難以剝離的半導體晶粒15建立對應關係的等級值。圖19中的(a)~(e)是表示等級8的剝離動作時的吸頭18的高度、柱狀移動元件45的位置、中間環狀移動元件40的位置、周邊環狀移動元件31的位置、以及開口23的開口壓力的圖。比較圖19中的(a)~(e)的等級8的剝離動作與圖18中的(a)~(f)的等級4的剝離動作,可知以下情況。
Here, as an example of peeling operations other than the above-mentioned
在圖19中的(a)~(e)的等級8的剝離動作中,「初始剝離時的開口壓力的切換次數」增加至4次(FSN8)。藉此,即使在半導體晶粒15的周圍難以自切割片材12剝離的情況下,亦能夠將半導體晶粒15的周圍自切割片材12充分剝離。藉由多次切換開口壓力,是將附著於半導體晶粒15周圍的切割片材12抖落的印象(image),雖然花費時間,但能夠切實地進行剝離。另外,在圖19中的(a)~(e)中,將初始剝離時的「第一壓力的保持時間」(HT8)設為150ms(參照表1,以下同樣,關於詳細的參數值,參照該圖)而進行了延長。藉此,能夠促進半導體晶粒15的周圍自然地自切割片材12剝落。再者,在表1的例子中,關於「第一壓力的保持時間」,在等級4與等級8中並無大的差別,但亦可考慮使差別更大。
In the
另外,在圖19中的(a)~(e)的等級8的剝離動作
中,「正式剝離時的開口壓力的切換次數」增至4次(SSN8)。藉此,即使在半導體晶粒15的比周圍靠內側的區域難以自切割片材12剝離的情況下,亦能夠以將附著於半導體晶粒15的切割片材12抖落的方式進行切實剝離。另外,在圖19中的(a)~(e)中,將正式剝離時的「第一壓力的保持時間」(HT8)設為150ms而進行了延長。藉此,能夠促進半導體晶粒15的比周圍靠內側的區域自然地自切割片材12剝落。再者,在表1所示的參數表160中,在初始剝離時與正式剝離時,使「第一壓力的保持時間」(HT8)相同,但亦可在參數表160中規定初始剝離時與正式剝離時各自不同的「第一壓力的保持時間」。另外,如圖19中的(a)~(e)所示,當在初始剝離時或正式剝離時多次切換開口壓力故而存在多個保持於第一壓力P1的時間時,亦可在參數表160中分別規定多個「第一壓力的保持時間」,並使該些的參數值相互不同。例如,按照在剝離動作中的應用順序來排列多個「第一壓力的保持時間」並在參數表160中進行規定。
In addition, in the peeling operation of
另外,在圖19中的(a)~(e)的等級8的剝離動作中,將「移動元件間的下降時間間隔」(IT8)設為450ms而進行了延長。若延長自使周邊環狀移動元件31的前端面38a自第一位置下降至第二位置、至使中間環狀移動元件40的前端面38b自第一位置下降至第二位置為止的時間,則可促進半導體晶粒15的與周邊環狀移動元件31的前端面38a相向的區域自然地自切割片材12剝落。同樣地,若延長自使中間環狀移動元件40的前端面38b
自第一位置下降至第二位置、至使柱狀移動元件45的前端面47自第一位置下降至第二位置為止的時間,則可促進半導體晶粒15的與中間環狀移動元件40的前端面38b相向的區域自然地自切割片材12剝落。再者,亦可使周邊環狀移動元件31與中間環狀移動元件40之間的下降時間間隔、和中間環狀移動元件40與柱狀移動元件45之間的下降時間間隔不同,在該情況下,在參數表160中規定各個下降時間間隔。再者,如圖2所示,中間環狀移動元件40、中間環狀移動元件41的數量有時為兩個以上,在該情況下,在剝離動作中,設為自外周側的中間環狀移動元件40向內周側的中間環狀移動元件41依次下降。在如此般中間環狀移動元件40、中間環狀移動元件41的數量為兩個以上的情況下,亦可在參數表160中規定中間環狀移動元件40與另一中間環狀移動元件41之間的下降時間間隔。再者,例如亦可在參數表160中規定自開始拾取動作的時間點(圖19中的(a)~(e)的時刻t1)、至使周邊環狀移動元件31(最先下降的移動元件30)自第一位置下降至第二位置的時間點為止的時間。
In addition, in the
另外,在圖19中的(a)~(e)的等級8的剝離動作中,將「吸頭待機時間」(WT8)設為1590ms而進行了延長。而且,在圖19中的(a)~(e)中,「拾取時間」(PT8)變為1700ms而變長。
In addition, in the
接下來,對等級1的剝離動作進行說明。等級1是應與非常容易剝離的半導體晶粒15建立對應關係的等級值。圖20中
的(a)~(e)是表示等級1的剝離動作時的吸頭18的高度、柱狀移動元件45的位置、中間環狀移動元件40的位置、周邊環狀移動元件31的位置、以及開口23的開口壓力的圖。比較圖20中的(a)~(e)的等級1的剝離動作與圖18中的(a)~(f)的等級4的剝離動作,可知以下情況。
Next, the
在圖20中的(a)~(e)的等級1的剝離動作中,將初始剝離時的「第一壓力的保持時間」(HT1)設為100ms而進行了縮短。在半導體晶粒15容易自切割片材12剝離的情況下,即使縮短「第一壓力的保持時間」,半導體晶粒15的周圍亦自切割片材12充分剝離。藉由如此般縮短「第一壓力的保持時間」,能夠縮短剝離動作所需時間。
In the
另外,在圖20中的(a)~(e)的等級1的剝離動作中,「正式剝離時的開口壓力的切換次數」減少至1次(SSN1)。在半導體晶粒15容易自切割片材12剝離的情況下,即使「正式剝離時的開口壓力的切換次數」為1次,半導體晶粒15的比周圍靠內側的區域亦自切割片材12充分剝離。另外,在圖20中的(a)~(e)中,在時刻ts1使3個移動元件30(周邊環狀移動元件31、中間環狀移動元件40、柱狀移動元件45)的前端面38a、前端面38b、前端面47同時自第一位置下降至第二位置以下,「同時下降的移動元件的數量」增至3個(DN1)。在半導體晶粒15容易自切割片材12剝離的情況下,即使使多個移動元件30同時下降,半導體晶粒15的比周圍靠內側的區域亦會立即自切割片材12剝
離。再者,在使周邊環狀移動元件31與中間環狀移動元件40同時下降,並在其規定時間後使柱狀移動元件45下降的情況下,「同時下降的移動元件的數量」變為2個。再者,在表1的參數表160中,規定了「同時下降的移動元件的數量」與「移動元件間的下降時間間隔」這兩個剝離參數,但可代替該些而規定所述「周邊環狀移動元件31與中間環狀移動元件40之間的下降時間間隔」、「中間環狀移動元件40與柱狀移動元件45之間的下降時間間隔」、「中間環狀移動元件40與另一中間環狀移動元件41之間的下降時間間隔」。在該情況下,為了使多個移動元件30同時下降,可將該些下降時間間隔的一個或兩個以上設定為0。
In addition, in the
另外,在圖20中的(a)~(e)的等級1的剝離動作中,將「吸頭待機時間」(WT1)設為460ms而進行了縮短。而且,在圖20中的(a)~(e)中,「拾取時間」(PT1)為570ms而變短。
In addition, in the
如以上所說明般,根據等級值而使各剝離參數的參數值不同,即,使剝離動作(拾取動作)不同。藉由使接近等級8的等級值與一片晶圓中的處於難以剝離的位置的半導體晶粒15建立對應關係來進行剝離動作,能夠抑制拾取時的半導體晶粒15的破損或拾取錯誤。另一方面,藉由使接近等級1的等級值與一片晶圓中的處於容易剝離的位置的半導體晶粒15建立對應關係來進行剝離動作,能夠在短時間內進行拾取。再者,多個等級值可稱為表示拾取所需時間的長短的值。各剝離參數的參數值可稱為「拾
取條件」,相同種類的剝離參數(例如「初始剝離時的開口壓力的切換次數」)的等級1~等級8的參數值是「多個拾取條件」。另外,表1所示的剝離參數的種類可定義為「拾取條件的種類」。
As described above, the parameter value of each peeling parameter is changed according to the level value, that is, the peeling operation (pickup operation) is different. The peeling operation is performed by matching the level value close to
<等級表> <Class Table>
接下來,對等級表159進行詳細說明。圖21是一片晶圓的各半導體晶粒15的辨識編號(晶粒辨識編號、個別資訊)的說明圖,表2是表示等級表159的一例的圖。如圖21所示,包含一片晶圓11的各半導體晶粒15的X方向的位置(X座標)與Y方向的位置(Y座標)的辨識編號與各半導體晶粒15建立了對應關係。例如,處於晶圓11最左上方的半導體晶粒15由於X方向的位置為「1」、Y方向的位置為「9」,故與辨識編號「1-9」建立了對應關係,同樣地,該半導體晶粒15的右鄰的半導體晶粒15由於X方向的位置為「1」、Y方向的位置為「10」,故與辨識編號「1-10」建立了對應關係。
Next, the rank table 159 will be described in detail. FIG. 21 is an explanatory diagram of the identification number (die identification number, individual information) of each semiconductor die 15 of a wafer, and Table 2 is a diagram showing an example of the grade table 159. As shown in FIG. 21, the identification numbers of the X-direction position (X coordinate) and the Y-direction position (Y coordinate) of each semiconductor die 15 of a
如表2所示,等級表159將各半導體晶粒的辨識編號(晶粒辨識編號、個別資訊)與等級值建立了對應關係。即,等級表159將一片晶圓中的各半導體晶粒與作為剝離參數的參數值(多個拾取條件)的辨識符的等級值建立了對應關係。藉由等級表159與參數表160,使等級值所對應的剝離動作與一片晶圓的各半導體晶粒15建立了對應關係。藉由等級表159與參數表160,確定出將各種剝離參數中的多個拾取條件(等級1~等級8的參數值)中的一個拾取條件(參數值)與半導體晶粒的個別資訊(辨識資訊)
建立了對應關係的對應資訊。
As shown in Table 2, the grade table 159 establishes a corresponding relationship between the identification number (die identification number, individual information) of each semiconductor die and the grade value. That is, the grade table 159 associates each semiconductor die in a wafer with the grade value of the identifier of the parameter value (a plurality of pick-up conditions) as the peeling parameter. Through the grade table 159 and the parameter table 160, the peeling action corresponding to the grade value is established in correspondence with each semiconductor die 15 of a wafer. According to the grade table 159 and the parameter table 160, it is determined that one of the multiple picking conditions (parameter values of
圖22是依照表2的等級表159,對一片晶圓的各半導體晶粒15附加與各半導體晶粒15建立了對應關係的等級值所對應的濃淡或陰影而成的圖。如上所述,自一片晶圓中的外周附近的半導體晶粒15向中心附近的半導體晶粒15,剝離容易度(易剝離性)有時緩緩變高。在該情況下,如圖22所示,自晶圓中的外周附近的半導體晶粒15向中心附近的半導體晶粒15,使建立對應關係的等級值變低(使剝離動作簡化,以使得剝離動作所需時間變短)。在圖22中,使等級7與最外周的半導體晶粒15e(附加有左側高斜線的陰影的半導體晶粒)建立了對應關係,使等級6與半導體晶粒15e的內周側的半導體晶粒15d(附加有右側高斜線的陰影的半導體晶粒)建立了對應關係,且分別使等級5與半導體晶粒15d的內周側的半導體晶粒15c(附加有深灰色的半導體晶粒)、等級4與半導體晶粒15c的內周側的半導體晶粒15b(附加有淺灰色的半導體晶粒)、等級3與中心附近的半導體晶粒15a(附加有白色的半導體晶粒)建立了對應關係。再者,關於以下說明的圖23~圖25、圖27~圖32中的附加於各半導體晶粒15或各半導體圖像(後述)的與圖22相同的濃淡或陰影,是指與和圖22的各等級值相同的等級值建立了對應關係。如圖22所示,藉由對處於難以剝離的位置的半導體晶粒15應用充分促進剝離的剝離動作(高等級值),能夠抑制拾取時的半導體晶粒的損傷或拾取錯誤,且對處於容易剝離的位置的半導體晶粒15應用簡易的剝離動作
(低等級值),能夠以短時間進行拾取。在多個晶圓中,與各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性顯示出同樣的傾向,因此使用表2、圖22般的等級表159,來連續地拾取多個晶圓的半導體晶粒15。
22 is a diagram obtained by adding shades or shading corresponding to the grade values corresponding to each semiconductor die 15 to each semiconductor die 15 of a wafer in accordance with the grade table 159 of Table 2. As described above, the ease of peeling (easy peelability) may gradually increase from the
<設定顯示畫面> <Setting display screen>
接下來,對用以供操作者等進行等級表159的生成或編輯(更新)的設定顯示畫面460進行說明。圖23~圖25是表示設定顯示畫面460的一例的圖。控制部150藉由執行保存於儲存部152中的設定顯示程式156,在顯示部450(顯示器)上顯示設定顯示畫面460,並接受等級表159的讀出、生成、更新。控制部150作為顯示控制單元發揮功能,藉此在顯示部450上顯示設定顯示畫面460。另外,如後所述,藉由執行設定顯示程式156而接受自動獲取與晶圓的各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性的指示。如圖23所示,設定顯示畫面460具有:映射圖像480,模仿一片晶圓的各半導體晶粒而得,且包含多個半導體晶粒圖像482;操作按鈕群組464,包含各種操作用的按鈕468;以及等級值按鈕群組462,包含「等級1」~「等級8」的各按鈕466。
Next, the
在如表2、圖22般等級值已與各半導體晶粒15建立了對應關係的情況下,即已生成了等級表159的情況下,操作者等能夠在設定顯示畫面460的映射圖像480中顯示等級表159所規定的對應關係。具體而言,操作者等藉由滑鼠(輸入部410),如圖23般將處於設定顯示畫面460上的指標478移動至「讀出」的
按鈕468的位置,並點選(選擇)該按鈕。藉此,讀出等級表159所規定的對應關係,且該對應關係被顯示於映射圖像480。具體而言,在映射圖像480中,對與各半導體晶粒15對應的各個半導體晶粒圖像482,附加與各半導體晶粒15建立了對應關係的等級值所對應的顏色。在圖23中,示出了已讀出具有表2、圖22所示的各半導體晶粒15與等級值的對應關係的等級表159的情況。如此,藉由對各半導體晶粒圖像482附加與等級值對應的顏色,操作者等能夠容易地把握哪一等級值與處於各位置的半導體晶粒建立了對應關係。再者,此處設為對各半導體晶粒圖像482附加與等級值對應的顏色,但亦可對映射圖像480的各半導體晶粒圖像482附加與等級值對應的顏色、圖案、文字、數字及記號的至少一種。
In the case where the level value has been associated with each semiconductor die 15 as shown in Table 2 and FIG. 22, that is, when the level table 159 has been created, the operator or the like can set the
操作者等能夠對設定顯示畫面460的映射圖像480中讀出的等級表159進行編輯。關於該情況,在說明新生成等級表159的方法之後進行說明。再者,在本實施方式中,設為在指標478的移動或按鈕的選擇中使用滑鼠,但亦可使用搖桿等。
The operator or the like can edit the rank table 159 read from the
圖24是表示新生成等級表159時的設定顯示畫面460的一例的圖。操作者等將指標478移動至「新增」的按鈕468,並點選該按鈕468,藉此,設定顯示畫面460成為等級表159的新增的畫面。此時,製作將預設的等級值與一片晶圓的所有半導體晶粒15建立了對應關係的暫時的等級表159,並對映射圖像480的各半導體晶粒圖像482附加與預設的等級值對應的顏色。在圖24
中,預設的等級值為等級3,對各半導體晶粒圖像482附加了與等級3對應的顏色(白色)(如圖25中半導體晶粒圖像482a)。操作者等藉由自該狀態,使所期望的等級值與各半導體晶粒圖像482建立對應關係,從而使等級值與各半導體晶粒圖像482所對應的半導體晶粒15建立對應關係。
FIG. 24 is a diagram showing an example of the
具體而言,首先,如圖24所示,使指標478移動至所希望的等級值(在圖24中為等級5)的按鈕466,並藉由點選該按鈕466來選擇等級值。然後,如圖25般使指標478移動至欲與所選擇的等級值建立對應關係的半導體晶粒圖像482b,並點選該半導體晶粒圖像482b。藉此,使所選擇的等級值與對應於所點選的半導體晶粒圖像482b的半導體晶粒建立對應關係。另外,對半導體晶粒圖像482b附加與所選擇的等級值對應的顏色。在圖25中,示出了藉由點選三個半導體晶粒圖像482b,而對該些半導體晶粒圖像482b附加與所選擇的等級5對應的顏色的狀態。操作者等藉由如此般反覆進行等級值的選擇、以及與所選擇的等級值建立對應關係的半導體晶粒圖像(半導體晶粒)的選擇,來製作或編輯等級表159。控制部150作為生成單元發揮功能,接受該等級值的選擇以及半導體晶粒圖像(半導體晶粒)的選擇。
Specifically, first, as shown in FIG. 24, the
然後,當等級表159的製作或編輯完成時,使指標478移動至「重寫儲存」的按鈕468,並點選(選擇)該按鈕468,藉此結束等級表159的製作(生成)。當點選「重寫儲存」的按鈕468時,控制部150作為生成單元發揮功能,生成等級表159。再者,
當存在多個等級表159時,為了辨識各等級表159,可考慮如下形態:對等級表159附加檔案名並保存至儲存部152,在讀出時指定檔案名並自儲存部152讀出等級表159。在該形態的情況下,利用指標478點選「另存新檔」的按鈕468,自輸入部410的鍵盤等附加檔案名,將等級表159保存至儲存部152。再者,在該情況下,當點選「另存新檔」的按鈕468時,控制部150作為生成單元發揮功能,並生成等級表159。然後,當利用指標478點選所述「讀出」的按鈕468時,自多個等級表159中指定欲讀出的等級表159的檔案名,藉此在設定顯示畫面460中讀出所希望的等級表159。
Then, when the production or editing of the rank table 159 is completed, the
如所述圖23般,當在設定顯示畫面460的映射圖像480中讀出等級表159後對等級表159進行編輯(更新)時,亦藉由與所述新增的情況相同的方法來進行。即,在圖23中,在利用指標478點選(選擇)所希望的等級值的按鈕466後,利用指標478點選欲變更為所選擇的等級值的半導體晶粒圖像482(半導體晶粒)。藉此,使所選擇的等級值與對應於所點選的半導體晶粒圖像482的半導體晶粒15建立對應關係,並根據等級值對半導體晶粒圖像482附加顏色。
As shown in FIG. 23, when the grade table 159 is read out from the
操作者等於在設定顯示畫面460中讀出了等級表159的狀態、即在對映射圖像480的各半導體晶粒圖像482附加了與等級值對應的顏色的狀態下,藉由按下未圖示的執行拾取的按鈕,而開始半導體晶粒15的拾取。再者,執行拾取的按鈕可為利用輸入部410的滑鼠點選顯示於畫面上的按鈕的形態,或者為操作者
等利用手或手指按下物理上存在的按鈕的形態。藉由按下執行拾取的按鈕,控制部150執行儲存部152中所保存的控制程式155,來進行半導體晶粒15的拾取。此時,對於各晶圓的各半導體晶粒15,依照在設定顯示畫面460的映射圖像480中讀出的等級表159來進行剝離動作。
The operator is equivalent to reading the state of the level table 159 on the
<一片晶圓中的各半導體晶粒的剝離性的獲取> <Acquisition of the peelability of each semiconductor die in a wafer>
接下來,對一片晶圓的各半導體晶粒15的剝離性的獲取進行說明。操作者等藉由把握與晶圓的各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性(易剝離性或難剝離性),能夠使更準確的等級值與各半導體晶粒15建立對應關係。因此,本實施方式的半導體晶粒的拾取系統500能夠自動獲取與晶圓的各半導體晶粒的位置對應的各半導體晶粒的剝離性。以下,對各半導體晶粒15的剝離性的自動獲取進行詳細說明。
Next, the acquisition of the peelability of each semiconductor die 15 of one wafer will be described. By grasping the peelability (easy peelability or difficult peelability) of each semiconductor die 15 corresponding to the position of each semiconductor die 15 on the wafer, the operator can make a more accurate level value with each semiconductor die 15 Establish correspondence. Therefore, the semiconductor
<剝離性的檢測方法> <Method for detecting peelability>
首先,對半導體晶粒的拾取系統500進行的、半導體晶粒15自切割片材12的剝離性的檢測方法進行說明。能夠根據流量感測器106所檢測出的吸頭18的抽吸空氣流量的時間變化(實際流量變化)來檢測半導體晶粒15自切割片材12的剝離性。
First, a method of detecting the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing
圖26是表示初始剝離時的開口壓力與流量感測器106檢測出的吸頭18的空氣洩漏量(抽吸空氣流量)的時間變化的圖,t1、t2、t3、t4的各時刻的含義與圖18中的(a)~(f)所示的所述各時刻的含義相同。圖26的空氣洩漏量的曲線圖中的實線157
是半導體晶粒15自切割片材12的剝離良好的情況(剝離容易度非常高的情況)下的空氣洩漏量的時間變化即期待流量變化157,期待流量變化157預先保存於儲存部152中。具體而言,保存於儲存部152中的期待流量變化157可為以規定的採樣週期獲取的多個抽吸空氣流量的集合,且為與多個離散的時刻t建立了對應關係的抽吸空氣流量。圖26的空氣洩漏量的曲線圖中的單點劃線158a與雙點劃線158b是實際自切割片材12拾取半導體晶粒15時檢測出的空氣洩漏量的時間變化即實際流量變化158的例子。實際流量變化158在每次拾取半導體晶粒15時被保存至儲存部152。具體而言,保存至儲存部152的實際流量變化158只要是能夠與期待流量變化157對比的形態即可,例如與期待流量變化157同樣地,可為以規定的採樣週期獲取的多個抽吸空氣流量的集合,且為與多個離散的時刻t建立了對應關係的抽吸空氣流量。再者,可將實際流量變化稱為「實際流量資訊」,可將期待流量變化稱為「期待流量資訊」。
26 is a diagram showing the time change of the opening pressure during the initial peeling and the air leakage amount (suction air flow rate) of the
在半導體晶粒15自切割片材12的剝離良好的情況下,當在時刻t3開口壓力向接近真空的第一壓力P1開始變化時,半導體晶粒15的周圍自吸頭18的表面18a離開(參照圖8),但半導體晶粒15的周圍立即返回吸頭18的表面18a(參照圖9)。因此,如圖26的期待流量變化157般,空氣洩漏量自時刻t3開始增加,但立即轉為減少(在時刻tr_exp轉為減少)。在期待流量變化157中,增加的空氣洩漏量亦少。
In the semiconductor die 15 from the dicing
另一方面,在半導體晶粒15自切割片材12的剝離性差的情況下(剝離容易度低的情況下),當在時刻t3開口壓力向接近真空的第一壓力P1開始變化時,半導體晶粒15的周圍自吸頭18的表面18a離開,並在經過一定程度的時間後,半導體晶粒15的周圍返回吸頭18的表面18a。因此,如圖26的實際流量變化158a般,空氣洩漏量自時刻t3開始增加,並在持續增加後,在比時刻tr_exp晚的時刻tr_rel轉為減少。另外,在實際流量變化158a中,增加的空氣洩漏量多。
On the other hand, in the semiconductor die 15 from the lower case of cutting poor release sheet 12 (easiness of peeling is low), the close when the first vacuum pressure P 1 is started at time t3 opening of the pressure change, the semiconductor The periphery of the die 15 is separated from the
另外,在半導體晶粒15自切割片材12的剝離性非常差的情況下(剝離容易度非常低的情況下),即使在半導體晶粒15的周圍自吸頭18的表面18a離開後經過一定程度的時間,半導體晶粒15的周圍亦不會返回吸頭18的表面18a。因此,如圖26的實際流量變化158b般,即使在自開口壓力達到接近真空的第一壓力P1的時刻t4起經過了規定時間的時刻tc_end,空氣洩漏量亦保持大的狀態。
In addition, in the case where the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing
如此,半導體晶粒15自切割片材12的剝離性越差,實際流量變化158越偏離期待流量變化157。因此,將實際流量變化158與期待流量變化157相比,實際流量變化158越與期待流量變化157類似,則判斷為剝離性越良好(剝離容易度越高)。或者,實際流量變化158與期待流量變化157的相關性越強,則判斷為剝離性越良好(剝離容易度越高)。在本實施方式中,將實際流量變化158與期待流量變化157進行比較,求出該些的相關值。相
關值是0~1.0的值,在實際流量變化158與期待流量變化157完全一致時設為1.0,且自0越接近1.0,則判斷為剝離容易度越高。再者,在本實施方式中,將相關值取值的範圍設為0~1.0,但當然亦可為除此之外的值。
In this way, the worse the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing
關於對實際流量變化158與期待流量變化157進行比較的期間,例如設為作為初始剝離期間的一部分的圖21的時刻t1(自吸頭18的表面18a開始抽吸空氣的時刻)~時刻tc_end(自最先開口壓力達到第一壓力P1的時刻t4起經過了規定時間的時刻)。或者,進行比較的期間亦可為作為初始剝離期間的一部分的時刻t3(開口壓力開始朝向第一壓力P1變化的時刻)~tc_end的期間。另外,進行比較的期間亦可為其他期間。
Regarding the period during which the actual
再者,作為半導體晶粒15自切割片材12的剝離性,亦可求出實際流量變化158與期待流量變化157的相關值以外的值。例如,圖26的時刻tc_end處的期待流量變化157的值與該時刻處的實際流量變化158的值之差越小,則亦可判斷為剝離性越良好(剝離容易度越高)。另外,例如,作為期待流量變化157中的空氣洩漏流量自增加轉為減少的時間點的時刻tr_exp與作為實際流量變化158中的空氣洩漏流量自增加轉為減少的時間點的時刻tr_rel之差越小,則亦可判斷為剝離容易度越高。另外,例如,在圖26的時刻t3以後檢測出的期待流量變化157的空氣洩漏流量的最大值與在該時刻以後檢測出的實際流量變化158的空氣洩漏流量的最大值之差越小,則亦可判斷為剝離容易度越高。
Furthermore, as the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing
另外,亦考慮不使用期待流量變化157而檢測半導體晶粒15自切割片材12的剝離性。例如,圖26的時刻tc_end處的實際流量變化158的值越小,則亦可判斷為剝離性越良好(剝離容易度越高)。再者,亦可將基於實際流量變化158而獲得的、所述相關值或代替所述相關值的表示半導體晶粒15自切割片材12的剝離性的指標值稱為「評價值」。
In addition, it is also considered to detect the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing
<剝離性在設定顯示畫面上的顯示> <Releasability displayed on the setting display screen>
接下來,對將如上所述般檢測出的半導體晶粒15自切割片材12的剝離性顯示於設定顯示畫面460的方法進行說明。操作者等在欲把握一片晶圓的各半導體晶粒15的位置上的各半導體晶粒15的剝離性的情況下,如圖27般,利用指標478點選「自動獲取」的按鈕468。藉此,控制部150執行儲存部152的控制程式155,並以規定的等級值的剝離動作(拾取操作)拾取一片晶圓的各半導體晶粒15。此時,控制部150作為生成單元發揮功能,每當拾取半導體晶粒15時,獲取實際流量變化158,求出實際流量變化158與期待流量變化157之間的相關值,並將實際流量變化158與相關值保存至儲存部152。
Next, a method of displaying the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing
而且,每當拾取半導體晶粒15時,控制部150(生成單元)對相關值與表3所示的臨限值表的各等級值的臨限值TH1、臨限值TH2進行比較。表3是臨限值表的一例,臨限值表是預先保存於儲存部152中的表,且是用以基於相關值來決定應對半導體晶粒15應用哪一等級值的表。在臨限值表中,各等級值的範圍
藉由下側臨限值TH1、上側臨限值TH2來設定,等級值越低,則設定越大的臨限值TH1、臨限值TH2。例如,等級4的範圍為0.81(下側臨限值TH1)~0.85(上側臨限值TH2),等級1的範圍為0.96(下側臨限值TH1)以上,等級8的範圍為0.65(上側臨限值TH2)以下。控制部150(生成單元)搜尋所求出的相關值屬於哪一等級值的範圍,獲取相關值所屬的等級值。例如,若求出的相關值為0.78,則獲取等級5(範圍:0.76~0.80)。如此,每當拾取一片晶圓的各半導體晶粒15時,控制部150自臨限值表獲取相關值所屬的等級值。然後,控制部150使該等級值與求出了相關值的半導體晶粒15(晶粒辨識編號)建立對應關係。即,控制部150(生成單元)逐漸製作等級表159。而且,控制部150基於緩緩製作而成的等級表159,如圖27所示般對映射圖像480的各半導體晶粒圖像482附加與等級值對應的顏色。
In addition, every time the semiconductor die 15 is picked up, the control unit 150 (generation unit) compares the correlation value with the threshold value TH1 and the threshold value TH2 of each level value of the threshold value table shown in Table 3. Table 3 is an example of the threshold value table. The threshold value table is a table stored in the
如此,將各半導體晶粒15的相關值(剝離容易度)的大小以等級值階段性地表示於映射圖像480。操作者等藉由觀察圖27般的映射圖像480,便能夠容易地把握哪一位置的半導體晶粒
具有何種程度的剝離容易度。另外,由於僅藉由點選「自動獲取」的按鈕468便可製作等級表159,故在拾取以後的多片晶圓的各半導體晶粒時,亦可直接應用該等級表159。另外,操作者等亦能夠對如圖27般自動地使等級值與各半導體晶粒15建立了對應關係的等級表159進行編輯。即,與所述編輯等級表159的情況相同,在圖27的設定顯示畫面460中,在利用指標478選擇了所希望的等級值的按鈕466後,利用指標478選擇映射圖像480中的欲變更等級值的半導體晶粒圖像482即可。再者,此處設為對映射圖像480的各半導體晶粒圖像482附加與等級值對應的顏色,但亦可以對各半導體晶粒圖像482附加根據相關值(剝離容易度)的大小而更細微地變化的顏色、圖案、文字、數字及記號的至少一種。
In this way, the magnitude of the correlation value (easy degree of peeling) of each semiconductor die 15 is displayed on the
進而,本實施方式的半導體晶粒的拾取系統500具有能夠供操作員等詳細把握一片晶圓的各半導體晶粒15的剝離性的結構。如圖28所示,當使指標478移動至映射圖像480的規定的半導體晶粒圖像482c時,出現氣泡486,在氣泡486中,顯示與指標478所處位置的半導體晶粒圖像482c對應的、半導體晶粒15的實際流量變化的波形以及相關值。在圖28所示的氣泡486中,不僅以實線顯示了實際流量變化,亦以虛線顯示了期待流量變化。如此,在設定顯示畫面460中顯示出各半導體晶粒15的實際流量變化以及相關值,因此操作員等能夠詳細地知悉各半導體晶粒15的剝離性。再者,在映射圖像480中,亦可對各半導體晶粒
圖像482附加與各半導體晶粒圖像482對應的各半導體晶粒15的相關值。或者,亦可將與特定的一個或多個半導體晶粒圖像482對應的半導體晶粒15的相關值顯示於設定顯示畫面460上的規定位置。
Furthermore, the semiconductor
<作用效果> <Effects>
以上所說明的半導體晶粒的拾取系統500在儲存部152中儲存有將一片晶圓中的各半導體晶粒15與各種剝離參數中的多個拾取條件(等級1~等級8的參數值)中的一個拾取條件(參數值)建立了對應關係的對應資訊(等級表159及參數表160)。而且,在拾取一片晶圓的各半導體晶粒15時,參照該對應資訊,依照與每個半導體晶粒15建立了對應關係的剝離動作,將半導體晶粒15自切割片材12剝離並加以拾取。因此,能夠應用適合於一片晶圓中的各半導體晶粒15的剝離動作來進行拾取。另外,根據以上所說明的半導體晶粒的拾取系統500,能夠把握與一片晶圓的各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性。
In the semiconductor
<其他> <other>
在以上所說明的實施方式中,設定顯示畫面460是用以進行等級表159的製作或更新等的畫面。但是,亦可在設定顯示畫面460中進行參數表160(條件表)的各參數值的設定。例如,如圖29所示,使參數值設定用的視窗490顯示於設定顯示畫面460,以使得能夠進行參數值的設定。具體而言,首先,利用指標478選擇(點選)欲設定參數值的等級值的按鈕466,然後利用指標
478點選「詳細設定」的按鈕470。藉此,如圖29般出現所選擇的等級值的剝離參數的參數值設定用的視窗490。然後,利用指標478點選視窗490內的欲進行變更或重新設定的參數值的文字盒492,並自輸入部410的鍵盤輸入參數值。然後,當結束所有參數值的輸入時,利用指標478點選視窗490內的「儲存」的按鈕472。藉此變更或重新設定所選擇的等級值的剝離參數的參數值。該參數值的接受、藉由點選「儲存」的按鈕472而進行的參數表160的更新或生成是由控制部150作為生成單元發揮功能來進行。如此,若能夠在設定顯示畫面460中變更、設定參數表160的各參數值,則能夠非常簡單地調整各等級值的剝離參數的參數值。
In the embodiment described above, the
另外,在以上所說明的實施方式中,以自晶圓中的外周附近的半導體晶粒15向中心附近的半導體晶粒15而剝離容易度(易剝離性)緩緩變高的情況為例進行了說明。但是,除此之外,亦有各種與晶圓中的各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性的樣式。在半導體晶粒15的背面,有時會貼附被稱為晶粒貼合膜(die attachment film,DAF)的膜。DAF在貼附於半導體晶粒15的背面的狀態下與半導體晶粒15一起被拾取後,在將半導體晶粒15晶粒接合於基板時,作為半導體晶粒15與基板之間的黏接劑發揮功能。在半導體晶粒15貼附於切割片材12的狀態下,在半導體晶粒15與切割片材12之間存在DAF。為了使貼附於半導體晶粒15的背面的DAF與切割片材12的剝離性良好,有時在拾取晶圓的各半導體晶粒15之前,對切割片材12照
射紫外線。照射紫外線以使切割片材12的黏合力降低。有時該紫外線的照射會產生不均,根據一片晶圓的各半導體晶粒15的位置,各半導體晶粒15的剝離性有時會發生變化。基於此種因素,與晶圓中的各半導體晶粒15的位置對應的各半導體晶粒15的剝離性有各種樣式,操作人員等把握該樣式,使適當的等級值與一片晶圓的各半導體晶粒15建立對應關係。例如,可考慮如圖30般將晶圓在周向上分割成兩個以上(在圖30中為四個),並使不同的等級值與屬於多個分割部分各者的半導體晶粒15a、半導體晶粒15b、半導體晶粒15c、半導體晶粒15d建立對應關係。或者,例如可考慮如圖31般將晶圓在徑向上分割成兩個以上(在圖31中為六個),並使不同的等級值與屬於多個分割部分各者的半導體晶粒15a、半導體晶粒15b、半導體晶粒15c、半導體晶粒15d、半導體晶粒15e、半導體晶粒15f建立對應關係。或者,例如可考慮如圖32般部分地劃分晶圓,並使不同的等級值與分別屬於各部分的半導體晶粒15a、半導體晶粒15b、半導體晶粒15c、半導體晶粒15d建立對應關係。
In addition, in the embodiment described above, the case where the ease of peeling (easy peelability) gradually increases from the semiconductor die 15 near the outer periphery of the wafer to the semiconductor die 15 near the center is taken as an example. The description. However, in addition to this, there are also various types of peelability of each semiconductor die 15 corresponding to the position of each semiconductor die 15 in the wafer. On the back surface of the semiconductor die 15, a film called a die attachment film (DAF) is sometimes attached. After DAF is attached to the back surface of the semiconductor die 15 and picked up together with the semiconductor die 15, when the semiconductor die 15 is bonded to the substrate, it serves as an adhesive between the semiconductor die 15 and the substrate Function. In the state where the semiconductor die 15 is attached to the
另外,在以上所說明的實施方式中,作為用以把握半導體晶粒15的剝離性的指標,求出了實際流量變化與期待流量變化的相關值。相關值取0~1.0的值,值越大,表示半導體晶粒15越容易自切割片材12剝離,從而相關值為剝離容易度。另一方面,自1.0減去相關值後的值(1.0-相關值)取0~1.0的值,值越大,表示半導體晶粒15越難以自切割片材12剝離,從而該值為剝離
困難度。作為用以把握半導體晶粒15的剝離性的指標,可代替相關值(剝離容易度)而使用剝離困難度。在以上所說明的實施方式中,使用了以相關值(剝離容易度)、與相關值的取值範圍(0~1.0)為前提的表3的臨限值表(等級值越低,則設定了越大的臨限值TH1、臨限值TH2的表),來使等級值與各半導體晶粒15建立了對應關係。但是,亦可使用將剝離困難度(1.0-相關值)、與剝離困難度的取值範圍(0~1.0)作為前提的臨限值表(等級值越低,則設定了越小的臨限值TH1、臨限值TH2的表),來使等級值與各半導體晶粒15建立對應關係。再者,剝離容易度、或剝離困難度亦可稱為剝離度。
In addition, in the embodiment described above, as an index for grasping the peelability of the semiconductor die 15, the correlation value between the actual flow rate change and the expected flow rate change was obtained. The correlation value takes a value from 0 to 1.0. The larger the value, the easier it is for the semiconductor die 15 to peel from the dicing
另外,在以上所說明的實施方式中,用以求出相關值的將期待流量變化157與實際流量變化158進行對比的期間是初始剝離中的規定期間。但是,將期待流量變化157與實際流量變化158進行對比的期間亦可為初始剝離的整個期間、或者正式剝離的整個期間、或者正式剝離中的規定期間、或者使初始剝離與正式剝離組合的期間。期待流量變化157僅在與實際流量變化158對比的期間預先保存於儲存部152中。
In addition, in the embodiment described above, the period during which the expected
另外,在以上所說明的剝離動作中,在初始剝離時及正式剝離時,將平台20的吸附面22的吸附壓力保持於接近真空的第三壓力P3。但是,在初始剝離時、正式剝離時、或者初始剝離時及正式剝離時,亦可設為在接近真空的第三壓力P3與接近大氣壓的第四壓力P4之間切換一次或多次吸附壓力。即,作為參數表
160的剝離參數之一,亦可設置在第三壓力P3與第四壓力P4之間切換平台20的吸附面22的吸附壓力的次數即「吸附壓力的切換次數」。在參數表160中,以等級值越高,則「吸附壓力的切換次數」越多的方式設定參數值。使高等級值與剝離性差的半導體晶粒15建立對應關係,以使「吸附壓力的切換次數」增加,從而促進半導體晶粒15自切割片材12的剝離。
In addition, in the peeling operation described above, during the initial peeling and the actual peeling, the suction pressure of the
另外,在以上所說明的實施方式中,如圖33所示,一個控制部150作為拾取控制單元600、生成單元602、及顯示控制單元604發揮了功能。但是,半導體晶粒的拾取系統500亦可包括兩個以上的控制部150,且例如一個控制部150作為拾取控制單元600發揮功能,另一控制部150作為生成單元602及顯示控制單元604發揮功能。
In addition, in the embodiment described above, as shown in FIG. 33, one
半導體晶粒的拾取系統500亦可稱為半導體晶粒的拾取裝置。另外,半導體晶粒的拾取系統500可為接合裝置(接合機、接合系統)、或者晶粒接合裝置(晶粒接合機、晶粒接合系統)的一部分,亦可以該些名稱來稱謂。
The semiconductor die
<附記> <Supplement>
以上對本發明的實施方式進行了說明,但本發明並不受所述實施方式的任何限定,當然能夠在不脫離本發明的主旨的範圍內以各種方式來實施。 The embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments at all, and of course can be implemented in various ways within the scope not departing from the gist of the present invention.
10‧‧‧晶圓固持器 10‧‧‧Wafer Holder
12‧‧‧切割片材 12‧‧‧cut sheet
12a、18a‧‧‧表面 12a、18a‧‧‧surface
12b‧‧‧背面 12b‧‧‧Back
13‧‧‧環 13‧‧‧ring
14‧‧‧間隙/切入間隙 14‧‧‧Gap/cut-in gap
15‧‧‧半導體晶粒 15‧‧‧Semiconductor die
16‧‧‧擴展環 16‧‧‧Expansion Ring
17‧‧‧環按壓件 17‧‧‧Ring press
18‧‧‧吸頭 18‧‧‧Suction tip
19‧‧‧抽吸孔 19‧‧‧Suction hole
20‧‧‧平台 20‧‧‧Platform
22‧‧‧吸附面 22‧‧‧Adsorption surface
23‧‧‧開口 23‧‧‧Open
24‧‧‧基體部 24‧‧‧Base
26‧‧‧槽 26‧‧‧Slot
27‧‧‧吸附孔 27‧‧‧Adsorption hole
28‧‧‧上側內部 28‧‧‧Inside the upper side
30‧‧‧移動元件 30‧‧‧Mobile components
80‧‧‧開口壓力切換機構 80‧‧‧Opening pressure switching mechanism
81、91、101‧‧‧三通閥 81, 91, 101‧‧‧Three-way valve
82、92、102‧‧‧驅動部 82, 92, 102‧‧‧Drive
83~85、93~95、103~105‧‧‧配管 83~85, 93~95, 103~105‧‧‧Piping
90‧‧‧吸附壓力切換機構 90‧‧‧Adsorption pressure switching mechanism
100‧‧‧抽吸機構 100‧‧‧Suction mechanism
106‧‧‧流量感測器 106‧‧‧Flow Sensor
110‧‧‧晶圓固持器水平方向驅動部 110‧‧‧Wafer holder horizontal drive part
120‧‧‧平台上下方向驅動部 120‧‧‧Platform up and down direction drive unit
130‧‧‧吸頭驅動部 130‧‧‧Suction head drive
140‧‧‧真空裝置 140‧‧‧Vacuum device
150‧‧‧控制部 150‧‧‧Control Department
151‧‧‧CPU 151‧‧‧CPU
152‧‧‧儲存部 152‧‧‧Storage Department
153‧‧‧設備/感測器介面 153‧‧‧Device/Sensor Interface
154‧‧‧資料匯流排 154‧‧‧Data Bus
155‧‧‧控制程式 155‧‧‧Control program
156‧‧‧設定顯示程式 156‧‧‧Setting display program
157‧‧‧期待流量變化 157‧‧‧Expect traffic changes
158‧‧‧實際流量變化 158‧‧‧Actual flow change
159‧‧‧等級表 159‧‧‧Grading Table
160‧‧‧參數表 160‧‧‧Parameter table
300‧‧‧階差面形成機構 300‧‧‧Step difference surface forming mechanism
400‧‧‧階差面形成機構驅動部 400‧‧‧Step difference surface forming mechanism driving part
410‧‧‧輸入部 410‧‧‧input section
450‧‧‧顯示部 450‧‧‧Display
500‧‧‧半導體晶粒的拾取系統 500‧‧‧Semiconductor die picking system
a‧‧‧箭頭 a‧‧‧Arrow
Claims (13)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018129334 | 2018-07-06 | ||
JP2018-129334 | 2018-07-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202006836A TW202006836A (en) | 2020-02-01 |
TWI745710B true TWI745710B (en) | 2021-11-11 |
Family
ID=69060529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108123670A TWI745710B (en) | 2018-07-06 | 2019-07-04 | Pickup system for semiconductor die |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6883369B2 (en) |
KR (1) | KR102424153B1 (en) |
CN (1) | CN112368817B (en) |
SG (1) | SG11202012864QA (en) |
TW (1) | TWI745710B (en) |
WO (1) | WO2020009243A1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7421412B2 (en) | 2020-05-01 | 2024-01-24 | 株式会社Fuji | Adsorption device status determination device |
CN115699272A (en) * | 2020-05-26 | 2023-02-03 | 佳能株式会社 | Suction mechanism, article manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
CN112599467B (en) * | 2020-12-15 | 2022-08-09 | 长江存储科技有限责任公司 | Die picking method and device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200913096A (en) * | 2007-06-19 | 2009-03-16 | Renesas Tech Corp | Manufacturing method for semiconductor integrated device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4945339B1 (en) | 1970-08-12 | 1974-12-03 | ||
JPS5813432B2 (en) | 1978-10-11 | 1983-03-14 | 日立造船株式会社 | Tank yard for offshore storage of flammable liquids |
JP3956636B2 (en) | 2001-03-30 | 2007-08-08 | 松下電器産業株式会社 | Microwork transfer device and transfer method |
US7235795B2 (en) * | 2004-08-12 | 2007-06-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device manufacturing apparatus and a method of controlling a semiconductor device manufacturing process |
US8092645B2 (en) | 2010-02-05 | 2012-01-10 | Asm Assembly Automation Ltd | Control and monitoring system for thin die detachment and pick-up |
JP5348084B2 (en) * | 2010-07-20 | 2013-11-20 | パナソニック株式会社 | Chip pickup device and chip pickup method |
JP5805411B2 (en) * | 2011-03-23 | 2015-11-04 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Die bonder pickup method and die bonder |
JP2013065628A (en) * | 2011-09-15 | 2013-04-11 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | Die bonder and die pickup device and die pickup method |
AT512859B1 (en) * | 2012-05-11 | 2018-06-15 | Hanmi Semiconductor Co Ltd | Semiconductor chip Turning and fastening device |
JP6349496B2 (en) * | 2014-02-24 | 2018-07-04 | 株式会社新川 | Semiconductor die pickup apparatus and pickup method |
JP5717910B1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-05-13 | 株式会社新川 | Semiconductor die pickup apparatus and pickup method |
JP6367672B2 (en) * | 2014-09-29 | 2018-08-01 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Semiconductor or electronic component mounting apparatus and semiconductor or electronic component mounting method |
JP5888455B1 (en) * | 2015-04-01 | 2016-03-22 | 富士ゼロックス株式会社 | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method |
-
2019
- 2019-07-04 TW TW108123670A patent/TWI745710B/en active
- 2019-07-05 JP JP2020529076A patent/JP6883369B2/en active Active
- 2019-07-05 WO PCT/JP2019/026910 patent/WO2020009243A1/en active Application Filing
- 2019-07-05 CN CN201980044462.4A patent/CN112368817B/en active Active
- 2019-07-05 SG SG11202012864QA patent/SG11202012864QA/en unknown
- 2019-07-05 KR KR1020207027930A patent/KR102424153B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200913096A (en) * | 2007-06-19 | 2009-03-16 | Renesas Tech Corp | Manufacturing method for semiconductor integrated device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020009243A1 (en) | 2021-02-15 |
CN112368817B (en) | 2024-03-12 |
SG11202012864QA (en) | 2021-01-28 |
CN112368817A (en) | 2021-02-12 |
KR102424153B1 (en) | 2022-07-25 |
WO2020009243A1 (en) | 2020-01-09 |
TW202006836A (en) | 2020-02-01 |
JP6883369B2 (en) | 2021-06-09 |
KR20200124735A (en) | 2020-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI745710B (en) | Pickup system for semiconductor die | |
JP5888455B1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method | |
JP4816654B2 (en) | Chip peeling device, chip peeling method, and chip pickup device | |
EP3352221A3 (en) | Array substrate and fabricating method thereof, display panel, display apparatus, electronic device, computer program and recording medium | |
US20200365430A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
US20130039733A1 (en) | Pick and place tape release for thin semiconductor dies | |
CN112368818B (en) | Pick-up system for semiconductor die | |
KR101780359B1 (en) | Semiconductor Production Device and Semiconductor Device Production Method | |
CN210325719U (en) | Crystal grain sorting mechanism | |
JP5888463B1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method | |
CN207387641U (en) | Automatically select the device of paste | |
JPH0376139A (en) | Upward pushing movement of semiconductor element | |
JP5924446B1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method | |
JP5888464B1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor chip manufacturing method | |
CN105280555A (en) | Carrier plate stripping machine table and method for stripping carrier plate by using the same | |
CN113035720B (en) | Chip mounting method | |
CN105729983B (en) | A kind of pre- dyestripping manufacturing technique method | |
CN205231034U (en) | Board is peeled off to support plate | |
US20230120615A1 (en) | Semiconductor Manufacturing Apparatus and Manufacturing Method for Semiconductor Device | |
CN112405681B (en) | Epoxy film cutting device and method | |
EP1968102A3 (en) | Method of evaluation of bonded wafer | |
JP2002124525A (en) | Semiconductor chip separating device and method therefor | |
JPH04148547A (en) | Method for pickup of semiconductor pellet | |
JPS622633A (en) | Stripping method for semiconductor chip and its equipment | |
JPH02177448A (en) | Method of lighting semiconductor chip |