KR102424153B1 - Pick-up system for semiconductor die - Google Patents

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KR102424153B1
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

반도체 다이(15)를 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 픽업 시에 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어하는 제어부(150)와, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)와 미리 규정된 복수 종류의 박리 동작 중 어느 하나를 대응시킨 대응 관계(레벨 테이블(159), 파라미터 테이블(160))를 기억하는 기억부(152)를 갖춘다. 제어부(150)는 상기 대응 관계를 기억부(152)로부터 읽어 내고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업할 때 반도체 다이(15)마다 대응시켜진 박리 동작에 따라 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하여 픽업을 행한다. 이것에 의해, 1매의 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하여, 반도체 다이의 픽업을 행할 수 있다.The semiconductor die pickup system 500 for picking up the semiconductor die 15 includes a control unit 150 for controlling a peeling operation for peeling the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 at the time of pickup, and one sheet. A storage unit 152 for storing a correspondence relationship (level table 159, parameter table 160) in which each semiconductor die 15 in the wafer is associated with any one of a plurality of predefined peeling operations is provided. . The control unit 150 reads the correspondence relation from the storage unit 152, and when picking up each semiconductor die 15 of a single wafer, the semiconductor die 15 according to the peeling operation associated with each semiconductor die 15. ) is peeled from the dicing sheet 12 to perform pickup. Thereby, a peeling operation suitable for each of the semiconductor dies in one wafer can be applied, and the semiconductor die can be picked up.

Figure R1020207027930
Figure R1020207027930

Description

반도체 다이의 픽업 시스템Pick-up system for semiconductor die

본 발명은 본딩 장치(본딩 시스템)에 사용하는 반도체 다이의 픽업 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a pickup system for a semiconductor die used in a bonding apparatus (bonding system).

반도체 다이는 6인치나 8인치 크기의 웨이퍼를 소정의 크기로 절단하여 제조된다. 절단 시에는 절단한 반도체 다이가 뿔뿔이 흩어지지 않도록, 이면에 다이싱 시트를 붙이고, 표면측에서 다이싱 소어 등에 의해 웨이퍼를 절단한다. 이때, 이면에 붙여진 다이싱 시트는 약간 깊게 베어지지만 절단되지 않고 각 반도체 다이를 유지한 상태로 되어 있다. 그리고 절단된 각 반도체 다이는 하나씩 다이싱 시트로부터 픽업되어 다이본딩 등의 다음 공정으로 보내진다.A semiconductor die is manufactured by cutting a 6-inch or 8-inch wafer into a predetermined size. At the time of cutting, a dicing sheet is affixed to the back surface so that the cut semiconductor die is not scattered, and the wafer is cut by a dicing saw or the like from the front side. At this time, although the dicing sheet pasted on the back surface is cut slightly deeply, it is in the state which hold|maintained each semiconductor die without cut|disconnection. Then, each cut semiconductor die is picked up from the dicing sheet one by one and sent to the next process such as die bonding.

다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하는 방법으로서는, 원판 형상의 흡착 피스의 표면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 흡착 피스의 중앙부에 배치된 밀어올림 블록으로 반도체 다이를 밀어올림과 아울러, 콜릿을 상승시키고, 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 방법이 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 1의 도 9 또는 23 참조). 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리 시킬 때는, 우선, 반도체 다이의 주변부를 박리시키고, 다음에 반도체 다이의 중앙부를 박리시키도록 하는 것이 효과적이므로, 특허문헌 1에 기재되어 있는 종래기술에서는, 밀어올림 블록을 반도체 다이의 주위의 부분을 밀어올리는 것과 반도체 다이의 중앙을 밀어올리는 것과, 그 중간을 밀어올리는 것의 3개로 나누고, 최초에 3개의 블록을 소정의 높이까지 상승시킨 후, 중간과 중앙의 블록을 주변의 블록보다도 높게 상승시키고, 최후에 중앙의 블록을 중간의 블록보다도 높게 상승시키는 방법을 취하고 있다.As a method of picking up the semiconductor die from the dicing sheet, the dicing sheet is adsorbed on the surface of the disc-shaped adsorption piece, and in a state in which the semiconductor die is adsorbed to the collet, the semiconductor die is used with a push-up block disposed at the center of the adsorption piece. While pushing up the collet, the method of raising a collet and picking up a semiconductor die from a dicing sheet was proposed (for example, refer FIG. 9 or 23 of patent document 1). When peeling the semiconductor die from the dicing sheet, it is effective to first peel off the peripheral portion of the semiconductor die and then peel the central portion of the semiconductor die. is divided into three of pushing up the peripheral part of the semiconductor die, pushing up the center of the semiconductor die, and pushing up the middle, and after raising the first three blocks to a predetermined height, the middle and central blocks A method is adopted in which the block is raised higher than the surrounding blocks, and finally the central block is raised higher than the middle block.

또한, 원판 형상의 이젝터 캡의 표면에 다이싱 시트를 흡착시키고, 반도체 다이를 콜릿에 흡착시킨 상태에서, 콜릿 및 주변, 중간, 중앙의 각 밀어올림 블록을 이젝터 캡의 표면보다 높은 소정의 높이까지 상승시킨 후, 콜릿의 높이를 그대로의 높이로 하고, 주위의 밀어올림 블록, 중간의 밀어올림 블록의 순으로 밀어올림 블록을 이젝터 캡 표면보다도 아래의 위치까지 강하시켜 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리하는 방법도 제안되었다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).In addition, the dicing sheet is adsorbed on the surface of the disk-shaped ejector cap, and in a state in which the semiconductor die is adsorbed to the collet, the collet and each push-up block in the periphery, middle, and center are moved to a predetermined height higher than the surface of the ejector cap. After raising, the height of the collet is set to the same height, and the push-up block is lowered to a position below the ejector cap surface in the order of the surrounding push-up block and the intermediate push-up block to peel the dicing sheet from the semiconductor die. A method has also been proposed (for example, refer to Patent Document 2).

특허문헌 1, 2에 기재된 방법으로 반도체 다이로부터 다이싱 시트를 박리시키는 경우, 특허문헌 1의 도 40, 42, 44, 특허문헌 2의 도 4a 또는 4d 도 5a 또는 5d에 기재되어 있는 바와 같이, 반도체 다이가 박리되기 전에, 반도체 다이가 다이싱 시트에 붙여진 채 다이싱 시트와 함께 굽힘 변형되는 경우가 있다. 반도체 다이가 굽힘 변형된 상태에서 다이싱 시트의 박리 동작을 계속하면, 반도체 다이가 파손되어 버리는 경우가 있으므로, 특허문헌 1의 도 31에 기재되어 있는 바와 같이, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡을 검출하고, 특허문헌 1의 도 43에 기재되어 있는 바와 같이, 흡기 유량이 검출된 경우에는, 반도체 다이가 변형되었다고 판단하고 밀어올림 블록을 일단 강하시킨 후, 다시 밀어올림 블록을 상승시키는 방법이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 3에도, 콜릿으로부터의 흡인 공기의 유량의 변화에 의해 반도체 다이의 만곡(휨)을 검출(판별)하는 것이 개시되어 있다.In the case of peeling the dicing sheet from the semiconductor die by the method described in Patent Documents 1 and 2, as described in Figs. Before the semiconductor die is peeled off, there is a case where the semiconductor die is bent and deformed together with the dicing sheet while being stuck to the dicing sheet. If the peeling operation of the dicing sheet is continued in a state in which the semiconductor die is bent and deformed, the semiconductor die may be damaged. As described in Fig. 31 of Patent Document 1, change in the flow rate of suction air from the collet detects the curvature of the semiconductor die, and as described in Fig. 43 of Patent Document 1, when the intake air flow rate is detected, it is judged that the semiconductor die is deformed, the push-up block is once lowered, and then the push-up block is pushed up again. A method of raising the block has been proposed. Moreover, it is disclosed also in patent document 3 to detect (determine) the curvature (curvature) of a semiconductor die by the change of the flow volume of the suction air from a collet.

일본 특허 제4945339호 공보Japanese Patent Publication No. 4945339 미국 특허 제8092645호 명세서US Patent No. 8092645 Specification 일본 특허 제5813432호 공보Japanese Patent Publication No. 5813432

최근, 반도체 다이는 대단히 얇아지고 있고, 예를 들면, 20㎛ 정도의 것도 있다. 한편, 다이싱 시트의 두께는 100㎛ 정도이므로, 다이싱 시트의 두께는 반도체 다이의 두께의 4∼5배나 되고 있다. 이러한 얇은 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리시키려고 하면, 다이싱 시트의 변형에 추종한 반도체 다이의 변형이 보다 현저하게 발생하기 쉽다. 특허문헌 1에 의하면, 반도체 다이의 만곡을 검출하여 박리 동작을 변경하기 때문에, 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업할 때 반도체 다이의 손상을 억제할 수 있을 가능성이 있다.In recent years, semiconductor dies have become extremely thin, for example, there are some of about 20 mu m. On the other hand, since the thickness of the dicing sheet is about 100 µm, the thickness of the dicing sheet is 4 to 5 times the thickness of the semiconductor die. When such a thin semiconductor die is to be peeled off from the dicing sheet, the deformation of the semiconductor die following the deformation of the dicing sheet is more likely to occur remarkably. According to patent document 1, since the curvature of a semiconductor die is detected and peeling operation|movement is changed, when picking up a semiconductor die from a dicing sheet, damage to a semiconductor die may be suppressed.

그러나, 픽업을 행하고 있는 반도체 다이의 만곡을 검출하면서 박리 동작을 변경해 가기(리얼타임으로 변경해 가기) 때문에, 픽업의 제어가 대단히 복잡해져 버린다. 반도체 다이의 만곡의 검출, 검출 결과로부터 박리 동작을 변경할지 판정, 판정 결과로부터 박리 동작을 변경하거나, 또는, 변경하지 않고 동작을 앞으로 진행시킨다고 하는 일련의 처리가 몇 번이나 되풀이되기 때문에, 박리 동작에 드는 시간이 길어져 버리는 것도 염려된다. 그래서, 실제로는, 이러한 리얼타임으로 박리 동작을 변경하는 것은 행하지 않고, 가장 박리하기 어려운 반도체 다이를 상정한 박리 동작을, 모든 반도체 다이에 일률적으로 적용하고 있는 경우가 많다. 그러나, 이 경우에는, 본래, 간이화된 단시간의 박리 동작을 적용할 수 있는 박리하기 쉬운 반도체 다이에 대해서도, 장시간의 박리 동작을 적용하게 되어, 픽업이 저속으로 되고 있다. 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하여, 반도체 다이마다, 반도체 다이의 손상의 억제와, 반도체 다이의 픽업 고속화와의 균형을 적정하게 하는 것이 요망되고 있다.However, since the peeling operation is changed (changed in real time) while detecting the curvature of the semiconductor die being picked up, control of the pickup becomes very complicated. Since a series of processes of detecting the curvature of the semiconductor die, determining whether to change the peeling operation from the detection result, changing the peeling operation from the determination result, or advancing the operation without changing it, are repeated many times, the peeling operation I'm also worried about the time it takes for it to get longer. Therefore, in reality, such a peeling operation is not changed in real time, and the peeling operation assuming the most difficult semiconductor die is applied uniformly to all the semiconductor dies in many cases. However, in this case, a long-time peeling operation|movement comes to apply also to the semiconductor die which is easy to peel to which the peeling operation of a simplified short time can be applied originally, and the pickup is slowed down. It is desired to apply a peeling operation suitable for each of the semiconductor dies to appropriately balance the suppression of damage to the semiconductor die and the speeding up of pickup of the semiconductor die for each semiconductor die.

그런데, 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이의 위치에 따라, 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리성이 변화하는 경우가 있다. 예를 들면, 웨이퍼에 있어서의 중심 부근의 반도체 다이로부터 외주 부근의 반도체 다이를 향하여, 박리성(박리하기 쉬움 또는 박리하기 어려움)이 서서히 변화되어 가는 경우가 있다. 또는, 예를 들면, 웨이퍼에 있어서의 특정 영역의 반도체 다이의 박리성이 다른 영역의 반도체 다이의 박리성과 크게 상이한 경우가 있다. 이러한 웨이퍼의 반도체 다이의 위치에 따른 박리성의 경향은 연속하여 픽업을 행하는 복수의 웨이퍼에서 공통되고 있는 경우가 많다. 복수의 웨이퍼의 반도체 다이를 연속하여 픽업할 때, 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이에는, 단시간의 박리 동작을 적용함으로써, 픽업을 고속화할 수 있다. 반도체 다이의 위치의 각각의 박리성에 따라, 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하여, 반도체 다이의 손상의 억제와, 반도체 다이의 픽업 고속화와의 균형을 적정하게 할 수 있다. 이것들을 실현하기 위해, 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악하기 위한 기구가 필요한 것으로 되어 있다. 또한, 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악한 후에, 또는, 사전에 파악할 수 있는 경우에, 웨이퍼의 반도체 다이의 각각에 적합한 박리 동작을 적용하기 위한 기구가 필요한 것으로 되어 있다.By the way, with the position of the semiconductor die in a wafer, the peelability from the dicing sheet of a semiconductor die may change. For example, the peelability (easy to peel or difficult to peel) may change gradually from the semiconductor die near the center in a wafer toward the semiconductor die near the outer periphery in a wafer. Or, for example, the peelability of the semiconductor die of a specific area|region in a wafer may differ greatly from the peelability of the semiconductor die of another area|region. The tendency of the peelability according to the position of the semiconductor die of such a wafer is common among a plurality of wafers that are continuously picked up in many cases. When continuously picking up the semiconductor die of a plurality of wafers, the pick-up can be accelerated by applying a short-time peeling operation to the semiconductor die in a position where it is easy to peel. Depending on the respective peelability of the positions of the semiconductor dies, it is possible to apply a peeling operation suitable for each of the semiconductor dies, so that it is possible to properly balance the suppression of damage to the semiconductor die and the high-speed pickup of the semiconductor die. In order to realize these, a mechanism for grasping the peelability of each semiconductor die according to the position of each semiconductor die on the wafer is required. In addition, after grasping the peelability of each semiconductor die according to the position of each semiconductor die on the wafer, or when it can be grasped in advance, a mechanism for applying a peeling operation suitable to each of the semiconductor die of the wafer is required. have.

본 발명은 각 반도체 다이에 적합한 박리 동작(픽업 동작)을 적용하여, 각 반도체 다이의 픽업을 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다. 또는, 본 발명은 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to apply a peeling operation (pickup operation) suitable for each semiconductor die, so that each semiconductor die can be picked up. Alternatively, an object of the present invention is to grasp the peelability of each semiconductor die according to the position of each semiconductor die on the wafer.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템은 웨이퍼를 다이싱한 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하여 픽업하는 픽업 시스템으로서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되어, 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와, 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하기 위한 픽업 조건에 기초하여, 픽업 동작을 제어하는 제어 수단과, 반도체 다이를 픽업할 때, 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 실제 유량 정보를 취득하는 취득 수단과, 취득한 실제 유량 정보에 기초하여, 복수의 픽업 조건 중 어느 하나의 픽업 조건과, 반도체 다이의 개별 정보를 대응시킨 대응 정보를 생성하는 생성 수단을 갖추고, 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 반도체 다이마다 대응시켜진 상기 대응 정보에 따라 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 픽업하는 제어를 행하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor die pickup system of the present invention is a pickup system that peels and picks up a semiconductor die dicing a wafer from a dicing sheet, and a collet for adsorbing the semiconductor die, connected to the collet, and sucking air from the surface of the collet A suction mechanism, a flow sensor for detecting the suction air flow rate of the suction mechanism, a control means for controlling a pickup operation based on pickup conditions for picking up a semiconductor die from a dicing sheet, and a flow rate when picking up the semiconductor die Acquisition means for acquiring the actual flow rate information indicating the temporal change of the suction air flow rate detected by the sensor; A generating means for generating correspondence information is provided, and the control means performs control to pick up the semiconductor die from the dicing sheet according to the correspondence information associated with each semiconductor die when picking up the semiconductor die.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 생성 수단은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이와, 복수의 픽업 조건의 식별자인 레벨값을 대응시킨 레벨 테이블과, 복수의 레벨값 중 어느 하나와, 픽업 조건 중 어느 하나를 대응시킨 조건 테이블을 생성하고, 상기 대응 정보는 레벨 테이블 및 조건 테이블에 의해 정해지는 것으로 해도 된다.In the semiconductor die pickup system of the present invention, the generating means includes a level table in which each semiconductor die in a single wafer is associated with a level value that is an identifier of a plurality of pickup conditions, any one of the plurality of level values; A condition table in which any one of the pickup conditions is associated may be generated, and the correspondence information may be determined by the level table and the condition table.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 복수의 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값인 것으로 해도 된다.The pick-up system of the semiconductor die of this invention WHEREIN: It is good also as a some level value being a value which shows the long and short duration of the time required for pick-up.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 화면을 표시하는 표시부와, 표시 제어 수단을 갖추고, 표시 제어 수단은, 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고, 맵 화상에서, 레벨값이 대응시켜진 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 레벨값에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이는 것으로 해도 된다.The semiconductor die pickup system of the present invention includes a display unit for displaying a screen and a display control unit, wherein the display control unit displays a map image imitating each semiconductor die of a single wafer on the display unit, In the image, at least one of a color, a shape, a letter, a number, and a symbol corresponding to the level value may be attached to the semiconductor die image corresponding to the semiconductor die to which the level value is associated.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 정보를 입력하는 입력부를 갖추고, 생성 수단은 입력부로부터 맵 화상상의 1개 또는 복수의 반도체 다이 화상의 선택과, 복수의 레벨값 중에서 1개의 레벨값의 선택을 접수하고, 선택된 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이에, 선택된 레벨값을 대응시켜, 레벨 테이블을 생성, 또는, 갱신하는 것으로 해도 된다.In the semiconductor die pickup system of the present invention, an input unit for inputting information is provided, wherein the generating means selects one or a plurality of semiconductor die images on the map image from the input unit, and selects one level value from among a plurality of level values. is accepted, and the selected level value is associated with the semiconductor die corresponding to the selected semiconductor die image, and the level table may be generated or updated.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 반도체 다이의 다이싱 시트로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의, 당해 반도체 다이의 픽업 시의 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 기대 유량 정보를 기억한 기억부를 갖추고, 취득 수단은, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 실제 유량 정보를 취득하고, 생성 수단은 복수의 반도체 다이의 각각의 실제 유량 정보와 기대 유량 정보와의 상관값을 구하고, 복수의 상관값의 각각에 기초하여, 복수의 반도체 다이의 각각에 레벨값을 대응시켜, 레벨 테이블을 생성, 또는, 갱신하는 것으로 해도 된다.In the pick-up system of the semiconductor die of this invention, when peeling of the semiconductor die from the dicing sheet is favorable, the expectation which shows the time change of the said suction air flow rate detected by the said flow sensor at the time of the pick-up of the said semiconductor die. A storage unit storing flow rate information is provided; obtains a correlation value between the actual flow rate information and the expected flow rate information of each of the plurality of semiconductor dies, and based on each of the plurality of correlation values, associates the level values with each of the plurality of semiconductor dies to generate a level table; Alternatively, it may be updated.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 표시 제어 수단은, 표시부의 맵 화상에 있어서, 각 반도체 다이 화상 또는 각 반도체 다이 화상의 근방에, 각 반도체 다이 화상에 대응한 각 반도체 다이의 상관값을 표시하고, 또는, 표시부에 있어서, 특정 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이의 상관값을 화면상의 소정 위치에 표시하는 것으로 해도 된다.In the pickup system of the semiconductor die of the present invention, the display control means determines, in the map image of the display section, the correlation value of each semiconductor die corresponding to each semiconductor die image in each semiconductor die image or in the vicinity of each semiconductor die image. display, or in the display unit, the correlation value of the semiconductor die corresponding to the specific semiconductor die image may be displayed at a predetermined position on the screen.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 레벨 테이블에 있어서, 1매의 웨이퍼의 외주측으로부터 내주측을 향함에 따라, 각 반도체 다이에, 보다 픽업에 요하는 시간이 짧은 레벨값이 대응시켜져 있는 것으로 해도 된다.In the semiconductor die pickup system of the present invention, in the level table, from the outer peripheral side to the inner peripheral side of one wafer, a level value with a shorter time required for pickup is associated with each semiconductor die. It can be done as it is.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와, 스테이지의 흡착면에 설치된 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 개구 압력 변환 기구를 갖추고, 제어 수단은 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 제1 압력과 제2 압력의 사이에서 변환하는 제어를 행하고, 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 제1 압력과 제2 압력의 사이에서 변환하는 변한 횟수를 포함하는 것으로 해도 된다.In the pickup system for a semiconductor die of the present invention, a stage including a stage including a suction surface for sucking the back surface of a dicing sheet, and an opening pressure of an opening provided on the suction surface of the stage, are set to a first pressure close to vacuum and a second pressure close to atmospheric pressure. An opening pressure converting mechanism for converting between pressures is provided, wherein the control means performs control to convert the opening pressure between a first pressure and a second pressure when picking up the semiconductor die, and the type of pickup condition includes: The number of times the opening pressure is converted between the first pressure and the second pressure may be included.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 제1 압력에 유지하는 유지 시간을 포함하는 것으로 해도 된다.The pick-up system of the semiconductor die of this invention WHEREIN: It is good also as a kind of pick-up condition including the holding time which maintains the said opening pressure to a 1st pressure.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 상기 개구의 속에 배치되고, 선단면이 흡착면보다 높은 제1 위치와 제1 위치보다 낮은 제2 위치와의 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고, 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구를 갖추고, 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 복수의 이동 요소의 각각을 소정 시간의 간격으로 차례로, 또는, 소정의 이동 요소의 조합으로 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키는 제어를 행하고, 픽업 조건의 종류에는, 상기 소정 시간을 포함하는 것으로 해도 된다.A semiconductor die pickup system of the present invention, comprising: a plurality of moving elements disposed in the opening and moving between a first position having a tip surface higher than the suction surface and a second position lower than the first position; A step surface forming mechanism for forming a stepped surface with respect to the suction surface is provided, and the control means, when picking up the semiconductor die, sequentially moves each of the plurality of moving elements at intervals of a predetermined time, or by a combination of the predetermined moving elements. Simultaneously, control to move from the 1st position to a 2nd position is performed, and it is good also considering the said predetermined time being included in the kind of pick-up condition.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 픽업 조건의 종류에는, 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키는 상기 이동 요소의 수를 포함하는 것으로 해도 된다.The pick-up system of the semiconductor die of this invention WHEREIN: The kind of pick-up condition is good also considering the number of the said moving elements moved simultaneously from a 1st position to a 2nd position.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템에 있어서, 픽업 조건의 종류에는, 콜릿이 반도체 다이에 착지하고 나서 그 들어올림을 개시할 때까지의 대기 시간을 포함하는 것으로 해도 된다.The pick-up system of the semiconductor die of this invention WHEREIN: It is good also as a kind of pick-up condition including the waiting time from when a collet lands on a semiconductor die until starting the lifting.

본 발명의 반도체 다이의 픽업 시스템은 다이싱 시트의 표면에 붙여진 반도체 다이를 픽업하는 반도체 다이의 픽업 시스템으로서, 반도체 다이를 흡착하는 콜릿과, 콜릿에 접속되고, 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와, 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와, 픽업 시에 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어하는 제어부와, 화면을 표시하는 표시부를 갖추고, 제어부는, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 유량 센서가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화를 취득하고, 복수의 반도체 다이의 각각의 실제 유량 변화에 기초하여 복수의 반도체 다이의 각각의 다이싱 시트로부터의 박리 용이도 또는 박리 곤란도인 박리도를 구하고, 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고, 맵 화상에 있어서, 박리도를 구한 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 당해 반도체 다이의 박리도에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이는 것을 특징으로 한다.The pickup system for a semiconductor die of the present invention is a pickup system for a semiconductor die that picks up a semiconductor die pasted on the surface of a dicing sheet, and a collet for sucking the semiconductor die, and a suction connected to the collet and sucking air from the surface of the collet A mechanism, a flow sensor for detecting the suction air flow rate of the suction mechanism, a control unit for controlling a peeling operation for peeling the semiconductor die from the dicing sheet at the time of pickup, and a display unit for displaying a screen, the control unit comprising: one sheet When picking up each semiconductor die in the wafer, the actual flow rate change, which is a time change in the suction air flow rate detected by the flow sensor, is acquired, and based on each actual flow rate change of the plurality of semiconductor dies, the The degree of peeling, which is the ease of peeling or the degree of peeling difficulty, is obtained from each dicing sheet, and a map image imitating each semiconductor die of one wafer is displayed on the display unit, and in the map image, the degree of peeling is obtained. It is characterized in that at least one of a color, a pattern, a letter, a number, and a symbol according to the degree of peeling of the semiconductor die is attached to the semiconductor die image corresponding to the die.

본 발명은 각 반도체 다이에 적합한 박리 동작(픽업 동작)을 적용하여, 각 반도체 다이를 픽업할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. 또는, 본 발명은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 파악할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.The present invention can obtain the effect that each semiconductor die can be picked up by applying a peeling operation (pickup operation) suitable for each semiconductor die. Alternatively, the present invention can obtain the effect that the peelability of each semiconductor die according to the position of each semiconductor die on one wafer can be grasped.

도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 계통 구성을 도시하는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 스테이지를 도시하는 사시도이다.
도 3은 다이싱 시트에 붙여진 웨이퍼를 도시하는 설명도이다.
도 4는 다이싱 시트에 붙여진 반도체 다이를 도시하는 설명도이다.
도 5a는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 설명도이다.
도 5b는 웨이퍼 홀더의 구성을 도시하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 10은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 12는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 13은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 14는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 15는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 16은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 17은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작을 도시하는 설명도이다.
도 18은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 소정 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상(柱狀) 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력과, 콜릿의 공기 리크량의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시형태에 있어서의 파라미터 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 다른 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 다이의 픽업 시스템의 또 다른 레벨값에서의 동작 시의 콜릿 높이와, 주상 이동 요소 위치와, 중간 환상 이동 요소 위치와, 주변 환상 이동 요소 위치와, 개구 압력의 시간 변화를 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시형태에 있어서의 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이의 식별 번호에 대한 설명도이다.
도 23은 본 발명의 실시형태에 있어서의 레벨 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 24는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 25는 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 26은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 27은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 28은 본 발명의 실시형태에 있어서의 초기 박리의 소정 기간에 있어서의 개구 압력의 시간 변화와, 기대 유량 변화 및 실제 유량 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 29는 본 발명의 실시형태에 있어서의 임계값 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 30은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 31은 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 32는 본 발명의 실시형태에 있어서의 설정 표시 화면을 도시하는 도면이다.
도 33은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 다른 일례를 나타내는 설명도이다.
도 34는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 또 다른 일례를 나타내는 설명도이다.
도 35는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이에 대응시킨 레벨값의 또 다른 일례를 나타내는 설명도이다.
도 36은 본 발명의 실시형태에 있어서의 제어부의 기능 블럭도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is explanatory drawing which shows the system|strain structure of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is a perspective view which shows the stage of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
3 is an explanatory view showing a wafer pasted on a dicing sheet.
It is explanatory drawing which shows the semiconductor die pasted on the dicing sheet.
5A is an explanatory diagram showing the configuration of a wafer holder.
5B is an explanatory diagram showing the configuration of a wafer holder.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
It is explanatory drawing which shows the operation|movement by the predetermined level value of the pick-up system of the semiconductor die in embodiment of this invention.
18 is a collet height, columnar moving element position, intermediate annular moving element position, and peripheral annular moving element at the time of operation at a predetermined level value of the pickup system of the semiconductor die in the embodiment of the present invention; It is a figure which shows the time change of a position, an opening pressure, and the air leak amount of a collet.
It is a figure which shows an example of the parameter table in embodiment of this invention.
20 is a collet height, a columnar moving element position, an intermediate annular moving element position, a peripheral annular moving element position, and an opening at the time of operation at different level values of the pickup system of the semiconductor die in the embodiment of the present invention; It is a diagram showing the time change of pressure.
21 is a collet height, a columnar moving element position, an intermediate annular moving element position, a peripheral annular moving element position, and a collet height at the time of operation at another level value of the pickup system of the semiconductor die in the embodiment of the present invention; It is a figure which shows the time change of an opening pressure.
Fig. 22 is an explanatory diagram of an identification number of each semiconductor die of one wafer in the embodiment of the present invention.
It is a figure which shows an example of the level table in embodiment of this invention.
24 is an explanatory diagram showing an example of a level value made to correspond to each semiconductor die of a single wafer.
Fig. 25 is a diagram showing a setting display screen according to an embodiment of the present invention.
26 is a diagram showing a setting display screen according to an embodiment of the present invention.
Fig. 27 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
It is a figure which shows the time change of the opening pressure in the predetermined period of initial stage peeling in embodiment of this invention, and an example of an expected flow volume change and an actual flow volume change.
It is a figure which shows an example of the threshold value table in embodiment of this invention.
Fig. 30 is a diagram showing a setting display screen according to an embodiment of the present invention.
Fig. 31 is a diagram showing a setting display screen in the embodiment of the present invention.
Fig. 32 is a diagram showing a setting display screen according to the embodiment of the present invention.
Fig. 33 is an explanatory diagram showing another example of a level value made to correspond to each semiconductor die of a single wafer.
Fig. 34 is an explanatory diagram showing another example of a level value made to correspond to each semiconductor die of a single wafer.
Fig. 35 is an explanatory view showing still another example of the level value made to correspond to each semiconductor die of one wafer.
Fig. 36 is a functional block diagram of a control unit in the embodiment of the present invention.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for implementing the invention)

<구성><configuration>

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템에 대하여 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 반도체 다이(15)가 표면(12a)에 붙여진 다이싱 시트(12)를 유지하고, 수평 방향으로 이동하는 웨이퍼 홀더(10)와, 웨이퍼 홀더(10)의 하면에 배치되어, 다이싱 시트(12)의 이면(12b)을 흡착하는 흡착면(22)을 포함하는 스테이지(20)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)에 설치된 개구(23) 속에 배치되는 복수의 이동 요소(30)와, 흡착면(22)에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구(300)와, 단차면 형성 기구(300)를 구동하는 단차면 형성 기구 구동부(400)와, 반도체 다이(15)를 픽업하는 콜릿(18)과, 스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)와, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 변환하는 흡착 압력 변환 기구(90)와, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)와, 진공 장치(140)와, 웨이퍼 홀더(10)를 수평 방향으로 구동하는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)와, 스테이지(20)를 상하 방향으로 구동하는 스테이지 상하 방향 구동부(120)와, 콜릿(18)을 상하 좌우 방향으로 구동하는 콜릿 구동부(130)와, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)의 제어를 행하는 제어부(150)와, 정보를 입력하는 키보드나 마우스 등인 입력부(410)와, 화면을 표시하는 디스플레이인 표시부(450)를 갖추고 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the pickup system of the semiconductor die of embodiment of this invention is demonstrated, referring drawings. As shown in FIG. 1, the semiconductor die pickup system 500 of this embodiment holds the dicing sheet 12 with the semiconductor die 15 pasted on the surface 12a, and the wafer holder moves in the horizontal direction. (10), a stage 20 including a suction surface 22 disposed on the lower surface of the wafer holder 10 for adsorbing the rear surface 12b of the dicing sheet 12; A plurality of moving elements 30 disposed in the opening 23 provided in the surface 22 , a stepped surface forming mechanism 300 for forming a stepped surface with respect to the suction surface 22 , and a stepped surface forming mechanism 300 ) an opening pressure converting mechanism 80 for converting the pressure of the opening 23 of the stage 20; The suction pressure converting mechanism 90 for converting the suction pressure of the suction surface 22 of the stage 20, the suction mechanism 100 for sucking air from the surface 18a of the collet 18, and the vacuum device 140 ), a wafer holder horizontal driving unit 110 for driving the wafer holder 10 in a horizontal direction, a stage vertical driving unit 120 for driving the stage 20 in a vertical direction, and a collet 18 vertically and horizontally A collet driving unit 130 for driving in the direction, a control unit 150 for controlling the semiconductor die pickup system 500, an input unit 410 such as a keyboard or mouse for inputting information, and a display unit which is a display for displaying a screen (450) is equipped.

단차면 형성 기구(300)와 단차면 형성 기구 구동부(400)는 스테이지(20)의 기체부(24) 속에 수납된다. 단차면 형성 기구(300)는 스테이지(20)의 상부에 있고, 단차면 형성 기구 구동부(400)는 스테이지(20)의 하부에 있다. 단차면 형성 기구(300)는 상하 방향으로 이동하는 복수의 이동 요소(30)를 갖추고 있다. 단차면 형성 기구 구동부(400)에 의해, 복수의 이동 요소(30)의 각 선단면이 도 1에 도시하는 화살표(a)와 같이 하측으로 이동한다. 이동 요소(30)의 상세에 대해서는 뒤에서 설명한다.The stepped surface forming mechanism 300 and the stepped surface forming mechanism driving unit 400 are accommodated in the base portion 24 of the stage 20 . The stepped surface forming mechanism 300 is located above the stage 20 , and the stepped surface forming mechanism driving unit 400 is located below the stage 20 . The stepped surface forming mechanism 300 is provided with a plurality of moving elements 30 that move in the vertical direction. By the step surface forming mechanism driving unit 400 , the distal end surfaces of the plurality of moving elements 30 move downward as indicated by an arrow a in FIG. 1 . Details of the moving element 30 will be described later.

스테이지(20)의 개구(23)의 압력을 변환하는 개구 압력 변환 기구(80)는 3방향 밸브(81)와 3방향 밸브(81)의 개폐 구동을 행하는 구동부(82)를 갖추고 있다. 3방향 밸브(81)는 3개의 포트를 가지며, 제1 포트는 스테이지(20)의 개구(23)와 연통하고 있는 기체부(24)와 배관(83)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(84)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(85)과 접속되어 있다. 구동부(82)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 개구(23)의 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 하거나 함으로써, 개구(23)의 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)의 사이에서 변환한다.The opening pressure converting mechanism 80 for converting the pressure of the opening 23 of the stage 20 includes a three-way valve 81 and a driving unit 82 for opening/closing the three-way valve 81 . The three-way valve 81 has three ports, the first port is connected to the gas portion 24 communicating with the opening 23 of the stage 20 and the pipe 83, and the second port is a vacuum device. 140 and a pipe 84 are connected, and the third port is connected to a pipe 85 that is open to the atmosphere. The driving unit 82 communicates the first port and the second port and blocks the third port, so that the pressure of the opening 23 is a first pressure (P 1 ) close to vacuum, or the first port and the third port The pressure of the opening 23 is changed to the first pressure P 1 and the second pressure P by communicating with the second port and making the pressure of the opening 23 a second pressure P 2 close to atmospheric pressure. 2 ) is converted between

스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 변환하는 흡착 압력 변환 기구(90)는 개구 압력 변환 기구(80)와 같이 3개의 포트를 가지는 3방향 밸브(91)와, 3방향 밸브(91)의 개폐 구동을 행하는 구동부(92)를 갖추고, 제1 포트는 스테이지(20)의 홈(26)에 연통하는 흡착 구멍(27)과 배관(93)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(94)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(95)과 접속되어 있다. 구동부(92)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로 하거나 함으로써, 홈(26), 또는 흡착면(22)의 압력을 제3 압력(P3)과 제4 압력(P4)의 사이에서 변환한다.The adsorption pressure converting mechanism 90 for converting the adsorption pressure of the adsorption surface 22 of the stage 20 includes a three-way valve 91 having three ports, like the opening pressure converting mechanism 80 , and a three-way valve ( A drive unit 92 for opening/closing the 91 is provided, a first port is connected to a suction hole 27 communicating with a groove 26 of the stage 20 and a pipe 93, and a second port is a vacuum device. 140 and a pipe 94 are connected, and the third port is connected to a pipe 95 open to the atmosphere. The driving unit 92 connects the first port and the second port and blocks the third port, and the pressure of the groove 26 or the adsorption surface 22 is a third pressure P 3 close to vacuum, or the second By connecting the 1st port and the 3rd port, blocking the 2nd port, and making the pressure of the groove|channel 26 or the adsorption|suction surface 22 into 4th pressure P4 close|similar to atmospheric pressure, the groove|channel 26, or The pressure of the adsorption surface 22 is converted between the third pressure P 3 and the fourth pressure P 4 .

콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구(100)는 개구 압력 변환 기구(80)와 같이 3개의 포트를 가지는 3방향 밸브(101)와, 3방향 밸브(101)의 개폐 구동을 행하는 구동부(102)를 갖추고, 제1 포트는 콜릿(18)의 표면(18a)에 연통한 흡인 구멍(19)과 배관(103)으로 접속되고, 제2 포트는 진공 장치(140)와 배관(104)으로 접속되고, 제3 포트는 대기 개방의 배관(105)과 접속되어 있다. 구동부(102)는 제1 포트와 제2 포트를 연통시키고 제3 포트를 차단하여, 콜릿(18)의 표면(18a)로부터 공기를 흡입하여 콜릿(18)의 표면(18a)의 압력을 진공에 가까운 압력으로 하거나, 제1 포트와 제3 포트를 연통시키고 제2 포트를 차단하여, 콜릿(18)의 표면(18a)의 압력을 대기압에 가까운 압력으로 하거나 한다. 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 3방향 밸브(101) 사이를 접속하는 배관(103)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 진공 장치(140)로 흡인되는 공기 유량(흡인 공기 유량)을 검출하는 유량 센서(106)가 부착되어 있다.The suction mechanism 100 for sucking air from the surface 18a of the collet 18 is a three-way valve 101 having three ports, like the opening pressure converting mechanism 80, and the opening and closing of the three-way valve 101 A driving unit 102 for driving is provided, the first port is connected to a suction hole 19 communicating with the surface 18a of the collet 18 and a pipe 103, and the second port is connected to the vacuum device 140 and It is connected by the piping 104, and the 3rd port is connected with the piping 105 which is open|released to the atmosphere. The driving unit 102 communicates the first port and the second port and blocks the third port, sucking air from the surface 18a of the collet 18 to apply the pressure of the surface 18a of the collet 18 to a vacuum. It is set as the pressure close|similar, or a 1st port and a 3rd port are made to communicate, a 2nd port is shut off, and the pressure of the surface 18a of the collet 18 is made into a pressure close to atmospheric pressure. In the pipe 103 connecting between the suction hole 19 of the collet 18 and the three-way valve 101, the air flow rate (suction air) sucked from the surface 18a of the collet 18 to the vacuum device 140 . A flow rate sensor 106 for detecting the flow rate) is attached.

웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130)는, 예를 들면, 내부에 설치한 모터와 기어에 의해 웨이퍼 홀더(10), 스테이지(20), 콜릿(18)을 수평 방향, 또는 상하 방향 등으로 구동하는 것이다.The wafer holder horizontal driving unit 110, the stage vertical driving unit 120, and the collet driving unit 130, for example, the wafer holder 10, the stage 20, the collet ( 18) is driven in the horizontal or vertical direction.

제어부(150)는 각종의 연산 처리나 제어 처리를 행하는 CPU(151)와, 기억부(152)와, 기기·센서 인터페이스(153)를 포함하고, CPU(151)와 기억부(152)와 기기·센서 인터페이스(153)는 데이터 버스(154)로 접속되어 있는 컴퓨터이다. 기억부(152)의 속에는, 반도체 다이(15)의 픽업 제어를 위한 제어 프로그램(155), 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에 픽업 시의 박리 동작을 대응시키기 위한 설정 표시 프로그램(156), 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)와 박리 동작의 레벨값이 대응시켜진 레벨 테이블(159)(도 23 참조), 레벨값과 각종 박리 파라미터의 파라미터값이 대응시켜진 파라미터 테이블(160)(도 19 참조), 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의 픽업 시의 유량 센서(106)가 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 기대 유량 변화(157), 픽업 시에 유량 센서(106)가 실제로 검출하는 흡인 공기 유량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)가 저장되어 있다. 도 36은 제어부(150)의 기능 블럭도이다. 제어부(150)는 제어 프로그램(155)을 실행함으로써 픽업 제어 수단(600)(제어 수단)으로서 기능한다. 또한, 제어부(150)는 설정 표시 프로그램(156)을 실행함으로써 후술하는 생성 수단(602) 및 표시 제어 수단(604)으로서 기능한다.The control unit 150 includes a CPU 151 that performs various arithmetic processing and control processing, a storage unit 152, and a device/sensor interface 153, and includes the CPU 151, the storage unit 152 and the device. · The sensor interface 153 is a computer connected by a data bus 154 . In the storage unit 152, a control program 155 for controlling pickup of the semiconductor die 15, and a setting display program 156 for making each semiconductor die 15 of a single wafer correspond to a peeling operation at the time of pickup . 160) (refer FIG. 19), expected flow rate change which is time change of the suction air flow volume detected by the flow rate sensor 106 at the time of the pick-up in the case where peeling of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 is favorable. At 157, the actual flow rate change 158, which is a time change in the suction air flow rate that the flow rate sensor 106 actually detects at the time of pickup, is stored. 36 is a functional block diagram of the control unit 150 . The control unit 150 functions as the pickup control means 600 (control means) by executing the control program 155 . In addition, the control unit 150 functions as a generating unit 602 and a display control unit 604 which will be described later by executing the setting display program 156 .

도 1에 도시하는 바와 같이, 개구 압력 변환 기구(80), 흡착 압력 변환 기구(90), 흡인 기구(100)의 각 3방향 밸브(81, 91, 101)의 각 구동부(82, 92, 102) 및, 단차면 형성 기구 구동부(400), 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110), 스테이지 상하 방향 구동부(120), 콜릿 구동부(130), 진공 장치(140)는 각각 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되어, 제어부(150)의 지령에 의해 구동된다. 또한, 유량 센서(106)는 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되고, 검출 신호는 제어부(150)에 받아들여져 처리된다. 또한, 입력부(410) 및 표시부(450)도 기기·센서 인터페이스(153)에 접속되고, 입력부(410)로부터의 입력 정보가 제어부(150)에 받아들여져, 제어부(150)로부터의 출력 화상 정보가 표시부(450)로 보내진다.As shown in FIG. 1, each drive part 82, 92, 102 of each three-way valve 81, 91, 101 of the opening pressure conversion mechanism 80, the adsorption|suction pressure conversion mechanism 90, and the suction mechanism 100. ) and the step surface forming mechanism driving unit 400 , the wafer holder horizontal driving unit 110 , the stage vertical driving unit 120 , the collet driving unit 130 , and the vacuum device 140 are connected to the device/sensor interface 153 , respectively. It is connected and driven by a command from the control unit 150 . Further, the flow sensor 106 is connected to the device/sensor interface 153 , and the detection signal is received and processed by the control unit 150 . In addition, the input unit 410 and the display unit 450 are also connected to the device/sensor interface 153 , input information from the input unit 410 is received by the control unit 150 , and output image information from the control unit 150 is displayed. is sent to the display unit 450 .

다음에, 스테이지(20)의 흡착면(22)과, 이동 요소(30)의 상세에 대하여 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 스테이지(20)는 원통형이며, 상면에는 평면 형상의 흡착면(22)이 형성되어 있다. 흡착면(22)의 중앙에는, 사각의 개구(23)가 설치되고, 개구(23)에는 이동 요소(30)가 부착되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)의 사이에는 간극(d)이 설치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 개구(23)의 주위에는, 홈(26)이 개구(23)를 둘러싸듯이 설치되어 있다. 각 홈(26)에는, 흡착 구멍(27)이 설치되어 있고, 각 흡착 구멍(27)은 흡착 압력 변환 기구(90)에 접속되어 있다.Next, the adsorption|suction surface 22 of the stage 20 and the detail of the moving element 30 are demonstrated. As shown in FIG. 2, the stage 20 is cylindrical, and the flat suction surface 22 is formed in the upper surface. A rectangular opening 23 is provided in the center of the suction surface 22 , and a moving element 30 is attached to the opening 23 . As shown in FIG. 6 , a gap d is provided between the inner surface 23a of the opening 23 and the outer peripheral surface 33 of the movable element 30 . As shown in FIG. 2 , a groove 26 is provided around the opening 23 so as to surround the opening 23 . Each groove 26 is provided with an adsorption hole 27 , and each adsorption hole 27 is connected to an adsorption pressure converting mechanism 90 .

도 2에 도시하는 바와 같이, 이동 요소(30)는 중앙에 배치된 주상 이동 요소(45)와, 주상 이동 요소(45)의 주위에 배치된 2개의 중간 환상 이동 요소(40, 41)와, 중간 환상 이동 요소(40)의 주위에 배치되어 있고 최외주에 배치되어 있는 주변 환상 이동 요소(31)를 포함하고 있다. 또한, 여기에서는 중간 환상 이동 요소의 수는 2개이지만, 중간 환상 이동 요소의 수는 1개, 또는, 3개 이상이어도 된다. 도 6 이후의 도면에서는, 설명을 간단하게 하기 위해, 중간 환상 이동 요소(40)의 수는 1개로 되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45), 중간 환상 이동 요소(40), 주변 환상 이동 요소(31)의 각각의 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치에 있고, 동일면(흡착면(22)에 대한 단차면)을 구성하고 있다. 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45)의 순으로 소정 시간의 간격으로 제1 위치로부터 제1 위치보다도 낮은 제2 위치로 이동시킨다. 또는, 소정의 이동 요소의 조합으로 동시에 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시킨다.As shown in FIG. 2 , the moving element 30 includes a centrally arranged columnar moving element 45 , two intermediate annular moving elements 40 and 41 arranged around the columnar moving element 45 ; It includes a peripheral annular moving element 31 disposed on the periphery of the intermediate annular moving element 40 and disposed on the outermost periphery. In addition, although the number of intermediate|middle annular movement elements is two here, one or three or more may be sufficient as the number of intermediate|middle annular movement elements. In the drawings after FIG. 6 , in order to simplify the explanation, the number of the intermediate annular moving element 40 is one. As shown in FIG. 6 , the front end surfaces 47 , 38b and 38a of each of the columnar moving element 45 , the intermediate annular moving element 40 , and the peripheral annular moving element 31 are the adsorption surfaces of the stage 20 . It exists in the 1st position which protruded by height H 0 from (22), and comprises the same surface (step difference surface with respect to the adsorption|suction surface 22). When picking up the semiconductor die 15, the first position lower than the first position from the first position at intervals of a predetermined time in the order of the peripheral annular moving element 31, the intermediate annular moving element 40, and the columnar moving element 45 Move to position 2. Alternatively, a combination of predetermined moving elements simultaneously moves from the first position to the second position.

<다이싱 시트의 세트 공정><Setting process of dicing sheet>

여기에서, 반도체 다이(15)가 붙여진 다이싱 시트(12)를 웨이퍼 홀더(10)에 세팅하는 공정에 대하여 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 이면에 점착성의 다이싱 시트(12)가 붙여져 있고, 다이싱 시트(12)는 금속제의 링(13)에 부착되어 있다. 웨이퍼(11)는 이와 같이 다이싱 시트(12)를 통하여 금속제의 링(13)에 부착된 상태에서 핸들링 된다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)는 절단 공정에서 표면측으로부터 다이싱 소어 등에 의해 절단되어 각 반도체 다이(15)가 된다. 각 반도체 다이(15)의 사이에는 다이싱 시에 생긴 칼자국 간극(14)이 생긴다. 칼자국 간극(14)의 깊이는 반도체 다이(15)로부터 다이싱 시트(12)의 일부에까지 도달하고 있지만, 다이싱 시트(12)는 절단되어 있지 않아, 각 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)에 의해 유지되어 있다.Here, the process of setting the dicing sheet 12 to which the semiconductor die 15 was pasted to the wafer holder 10 is demonstrated. As shown in FIG. 3 , an adhesive dicing sheet 12 is attached to the back surface of the wafer 11 , and the dicing sheet 12 is attached to a metal ring 13 . The wafer 11 is handled while being attached to the metal ring 13 through the dicing sheet 12 in this way. And, as shown in FIG. 4, the wafer 11 is cut|disconnected by a dicing saw etc. from the surface side in a cutting process, and becomes each semiconductor die 15. As shown in FIG. Between the respective semiconductor dies 15 , a cut gap 14 generated at the time of dicing is formed. Although the depth of the cut gap 14 reaches from the semiconductor die 15 to a part of the dicing sheet 12, the dicing sheet 12 is not cut, and each semiconductor die 15 is a dicing sheet ( 12) is maintained.

이와 같이, 다이싱 시트(12)와 링(13)이 부착된 반도체 다이(15)는 도 5a 및 도 5b에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 홀더(10)에 부착된다. 웨이퍼 홀더(10)는 플랜지부를 가지는 둥근 고리 형상의 익스팬드 링(16)과 익스팬드 링(16)의 플랜지의 위에 링(13)을 고정하는 링 누름부(17)를 갖추고 있다. 링 누름부(17)는 도시하지 않은 링 누름부 구동부에 의해 익스팬드 링(16)의 플랜지를 향하여 진퇴하는 방향으로 구동된다. 익스팬드 링(16)의 내경은 반도체 다이(15)가 배치되어 있는 웨이퍼의 직경보다도 크고, 익스팬드 링(16)은 소정의 두께를 갖추고 있고, 플랜지는 익스팬드 링(16)의 외측에 있어서, 다이싱 시트(12)로부터 떨어진 방향의 끝면측에 외측으로 돌출하도록 부착되어 있다. 또한 익스팬드 링(16)의 다이싱 시트(12)측의 외주는 다이싱 시트(12)를 익스팬드 링(16)에 부착할 때, 다이싱 시트(12)를 원활하게 잡아 늘일 수 있도록 곡면 구성으로 되어 있다. 도 5b에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 붙여진 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되기 전은 대략 평면 상태로 되어 있다.In this way, the semiconductor die 15 to which the dicing sheet 12 and the ring 13 are attached is attached to the wafer holder 10 as shown in Figs. 5A and 5B. The wafer holder 10 is provided with a round annular expand ring 16 having a flange portion and a ring pressing portion 17 for fixing the ring 13 on the flange of the expand ring 16 . The ring pressing part 17 is driven in the direction of advancing and retreating toward the flange of the expand ring 16 by a ring pressing part driving part (not shown). The inner diameter of the expand ring 16 is larger than the diameter of the wafer on which the semiconductor die 15 is disposed, the expand ring 16 has a predetermined thickness, and the flange is located outside the expand ring 16 . , attached so as to protrude outward on the end face side in the direction away from the dicing sheet 12 . In addition, the outer periphery of the dicing sheet 12 side of the expand ring 16 is curved so that the dicing sheet 12 can be smoothly stretched when the dicing sheet 12 is attached to the expand ring 16 . is made up of As shown in FIG. 5B , the dicing sheet 12 to which the semiconductor die 15 is pasted is in a substantially planar state before being set on the expand ring 16 .

도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 시트(12)는 익스팬드 링(16)에 세팅되면 익스팬드 링(16)의 상면과 플랜지면과의 단차분만큼 익스팬드 링 상부의 곡면을 따라 잡아 늘여지므로, 익스팬드 링(16) 위에 고정된 다이싱 시트(12)에는 다이싱 시트(12)의 중심으로부터 주위를 향하는 인장력이 작용하고 있다. 또한, 이 인장력에 의해 다이싱 시트(12)가 늘어나므로, 다이싱 시트(12) 위에 붙여진 각 반도체 다이(15) 사이의 간극(14)이 벌어져 있다.As shown in FIG. 1 , when the dicing sheet 12 is set on the expand ring 16, it stretches along the curved surface of the upper part of the expand ring by the step difference between the upper surface of the expand ring 16 and the flange surface. Therefore, a tensile force from the center of the dicing sheet 12 toward the circumference is acting on the dicing sheet 12 fixed on the expand ring 16 . Moreover, since the dicing sheet 12 is stretched by this tensile force, the clearance gap 14 between each semiconductor die 15 pasted on the dicing sheet 12 is widened.

<픽업 동작><Pick-up operation>

다음에 반도체 다이(15)의 픽업 동작에 대해 설명한다. 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따라, 각 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 변화되는 경우가 있다. 예를 들면, 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 박리 용이도(박리하기 쉬움)가 서서히 높아지고 있는 경우가 있다. 이것은 다이싱 시트(12)가 웨이퍼 홀더(10)의 익스팬드 링(16)에 세팅되면, 다이싱 시트(12)의 중심 부근이 외주 부근에 비해 크게 잡아 당겨지기 때문에, 웨이퍼의 중심 부근의 반도체 다이(15)의 박리 용이도가 보다 높아진다고 생각된다. 이러한 웨이퍼의 반도체 다이(15)의 위치에 따른 박리성의 경향은 연속하여 픽업을 행하는 복수의 웨이퍼에서 공통되고 있는 경우가 많다. 복수의 웨이퍼의 반도체 다이(15)를 연속하여 픽업할 때, 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는, 간이화된 단시간의 박리 동작(픽업 동작)을 적용함으로써 픽업을 고속화할 수 있고, 한편으로, 박리하기 어려운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는, 장시간의 박리 동작(픽업 동작)을 적용함으로써 반도체 다이(15)의 손상이나 픽업 미스를 억제할 수 있다. 그래서, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은, 1매의 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이(15)마다, 픽업 시의 박리 동작을 변경할 수 있도록 되어 있다.Next, the pickup operation of the semiconductor die 15 will be described. Depending on the position of each semiconductor die 15 in one wafer, the peelability of each semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 may change. For example, the ease of peeling (easy peeling) may gradually increase from the semiconductor die 15 in the vicinity of the outer periphery to the semiconductor die 15 in the vicinity of the center in the wafer. This is because, when the dicing sheet 12 is set on the expand ring 16 of the wafer holder 10, the vicinity of the center of the dicing sheet 12 is pulled larger than the vicinity of the outer periphery, so that the semiconductor in the vicinity of the center of the wafer It is thought that the ease of peeling of the die 15 becomes higher. The tendency of the peelability according to the position of the semiconductor die 15 of such a wafer is common among a plurality of wafers that are continuously picked up in many cases. When the semiconductor die 15 of a plurality of wafers is continuously picked up, the pick-up can be accelerated by applying a simplified short-time peeling operation (pickup operation) to the semiconductor die 15 in a position where it is easy to peel, while Therefore, damage to the semiconductor die 15 and pick-up errors can be suppressed by applying a long-time peeling operation (pickup operation) to the semiconductor die 15 in a position where it is difficult to peel. Then, in the semiconductor die pickup system 500 of this embodiment, the peeling operation|movement at the time of pickup can be changed for every semiconductor die 15 in one wafer.

기억부(152)에는, 도 23에 도시하는 바와 같은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치를 따라 붙여진 각 반도체 다이(15)의 식별 번호(다이 식별 번호 또는 개별 정보라고도 함)와 레벨값을 대응시킨 레벨 테이블(159)과, 도 19에 도시하는 바와 같은 각 레벨값과 복수 종류의 박리 파라미터의 파라미터값(픽업 조건이라고도 함)을 대응시킨 파라미터 테이블(160)(조건 테이블)이 저장되어 있다. 레벨 테이블(159) 및 파라미터 테이블(160)에 의해, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)에 적용하는 박리 동작(박리 파라미터의 파라미터값)이 대응시켜져 있다. 본 실시형태에서는, 레벨값은, 박리 동작에 필요로 하는 시간(픽업 시간)이 가장 짧은 레벨 1부터, 가장 긴 레벨 8까지가 규정되어 있다. 픽업 동작 전에, 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성을 고려하여, 후술하는 설정 표시 화면(460)(도 25 참조)을 통하여, 오퍼레이터 등이 각 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켜, 레벨 테이블(159)을 생성한다. 픽업 동작 시에는, 레벨 테이블(159)이 참조되어, 1매의 웨이퍼에 있어서의 반도체 다이(15)마다, 대응시켜진 레벨값에 따른 박리 동작(픽업 동작)이 행해진다. 이하에서는, 파라미터 테이블(160)의 레벨 4의 박리 동작을 적용한 반도체 다이(15)의 픽업을 예로 들어, 픽업의 동작을 설명한다. 또한, 파라미터 테이블(160)의 각종의 박리 파라미터, 및 설정 표시 화면(460)에 대해서는 나중에 상세하게 설명한다.In the storage unit 152, an identification number (also referred to as a die identification number or individual information) of each semiconductor die 15 attached along the position of each semiconductor die 15 in one wafer as shown in FIG. 23 . ) and the level value, the level table 159 and the parameter table 160 (condition table) in which each level value as shown in Fig. 19 and the parameter values (also referred to as pickup conditions) of a plurality of types of peeling parameters are associated ) is stored. The level table 159 and the parameter table 160 correspond to the peeling operation (parameter value of the peeling parameter) applied to each semiconductor die 15 in one wafer. In this embodiment, as for a level value, the time (pickup time) required for peeling operation|movement is prescribed|regulated from the shortest level 1 to the longest level 8. Prior to the pick-up operation, an operator or the like can be configured by an operator or the like through a setting display screen 460 (see FIG. 25 ) to be described later in consideration of the peelability of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 on the wafer. A level table 159 is generated by making a level value correspond to each semiconductor die 15 . In the pickup operation, the level table 159 is referred to, and a peeling operation (pickup operation) according to the level value associated with each semiconductor die 15 in one wafer is performed. Hereinafter, the pickup of the semiconductor die 15 to which the level 4 peeling operation of the parameter table 160 is applied is taken as an example, and the operation of the pickup will be described. In addition, various peeling parameters of the parameter table 160 and the setting display screen 460 are demonstrated in detail later.

제어부(150)는 도 1에 도시하는 제어 프로그램(155)을 실행함으로써 픽업 제어 수단으로서 기능하여 반도체 다이(15)의 픽업 동작의 제어를 행한다. 제어부(150)는, 픽업 동작의 일부로서, 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 위한 박리 동작을 제어한다. 최초에, 제어부(150)는 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해 웨이퍼 홀더(10)를 스테이지(20)의 대기 위치의 위까지 수평 방향으로 이동시킨다. 그리고, 제어부(150)는 웨이퍼 홀더(10)가 스테이지(20)의 대기 위치의 위의 소정의 위치까지 이동하면, 웨이퍼 홀더(10)의 수평 방향의 이동을 일단 정지한다. 앞에 기술한 바와 같이, 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로, 제어부(150)는 스테이지 상하 방향 구동부(120)에 의해, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하고, 또한, 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착할 때까지 스테이지(20)를 상승시킨다. 그리고, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a) 및 흡착면(22)의 개구(23)로부터 조금 떨어진 영역이 다이싱 시트(12)의 이면(12b)에 밀착하면, 제어부(150)는 스테이지(20)의 상승을 정지한다. 그리고, 제어부(150)는, 다시, 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부(110)에 의해, 픽업하려고 하는 반도체 다이(15)가 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 약간 돌출해 있는 이동 요소(30)의 선단면(단차면)의 바로 위에 오도록 수평 위치를 조정한다.The control unit 150 functions as a pickup control means by executing the control program 155 shown in FIG. 1 to control the pickup operation of the semiconductor die 15 . The control unit 150 controls a peeling operation for peeling the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 as part of the pickup operation. First, the control unit 150 horizontally moves the wafer holder 10 up to the stand-by position of the stage 20 by the wafer holder horizontal direction driving unit 110 . Then, when the wafer holder 10 moves to a predetermined position above the standby position of the stage 20 , the control unit 150 temporarily stops the horizontal movement of the wafer holder 10 . As described above, in the initial state, each distal end surface 47 , 38b , 38a of each movable element 45 , 40 , 31 protrudes from the suction surface 22 of the stage 20 by a height H 0 . Since it is in the 1st position, the control part 150 controls each front end surface 47, 38b, 38a of each moving element 45, 40, 31 by the stage up-down direction drive part 120 to the dicing sheet 12. The stage 20 is raised until a region a little bit away from the opening 23 of the suction surface 22 is in close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12 in close contact with the back surface 12b of the dicing sheet 12 . Then, a region slightly distant from the opening 23 of the suction surface 22 and the front end surfaces 47, 38b, 38a of each of the moving elements 45, 40, 31 is the back surface 12b of the dicing sheet 12. When in close contact with the control unit 150 stops the rising of the stage (20). Then, the control unit 150, again, by the wafer holder horizontal direction driving unit 110, the semiconductor die 15 to be picked up slightly protrudes from the suction surface 22 of the stage 20, the moving element 30 Adjust the horizontal position so that it is directly above the tip surface (step difference surface) of

도 6에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 크기는 스테이지(20)의 개구(23)보다도 작고, 이동 요소(30)의 폭 혹은 안길이보다도 크므로, 스테이지(20)의 위치 조정이 종료되면, 반도체 다이(15)의 외주끝은 스테이지(20)의 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 사이, 즉, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 사이의 간극(d)의 바로 위로 되어 있다. 초기 상태에서는, 스테이지(20)의 홈(26), 혹은 흡착면(22)의 압력은 대기압이며, 개구(23)의 압력도 대기압으로 되어 있다. 초기 상태에서는 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로, 각 선단면(47, 38b, 38a)에 접해 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)의 높이도 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있다. 또한, 개구(23)의 둘레 가장자리에서는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 흡착면(22)으로부터 약간 떠 있고, 개구(23)로부터 떨어진 영역에서는 흡착면(22)에 밀착한 상태로 되어 있다. 수평 방향의 위치 조정이 종료되면, 제어부(150)는, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)에 의해 콜릿(18)을 반도체 다이(15)의 위로 강하시켜 콜릿(18)의 표면(18a)을 반도체 다이(15)에 착지시킨다.As shown in FIG. 6 , the size of the semiconductor die 15 is smaller than the opening 23 of the stage 20 and larger than the width or depth of the movable element 30 , so that the position adjustment of the stage 20 is difficult. When finished, the outer peripheral end of the semiconductor die 15 is between the inner surface 23a of the opening 23 of the stage 20 and the outer peripheral surface 33 of the moving element 30 , that is, the inner surface of the opening 23 ( 23a) and the outer circumferential surface 33 of the movable element 30 are directly above the gap d. In the initial state, the pressure of the groove 26 of the stage 20 or the suction surface 22 is atmospheric pressure, and the pressure of the opening 23 is also atmospheric pressure. In the initial state, each of the distal surfaces 47 , 38b , 38a of each of the movable elements 45 , 40 , 31 is in the first position protruding from the suction surface 22 of the stage 20 by the height H 0 . , the height of the back surface 12b of the dicing sheet 12 in contact with each of the tip surfaces 47 , 38b and 38a is also set to the first position protruding from the suction surface 22 by the height H 0 . In addition, in the peripheral edge of the opening 23, the back surface 12b of the dicing sheet 12 slightly floats from the suction surface 22, and in a region away from the opening 23, it is in close contact with the suction surface 22. has been When the position adjustment in the horizontal direction is finished, the control unit 150 lowers the collet 18 onto the semiconductor die 15 by the collet driving unit 130 shown in FIG. lands on the semiconductor die 15 .

도 18은 레벨 4의 박리 동작(픽업 동작) 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력과, 콜릿(18)의 공기 리크량의 시간 변화를 도시하는 도면이다. 도 18(a)에는, 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이가 도시되어 있고, 콜릿(18)을, 시각(t=0)으로부터 조금 경과한 시각으로부터 시각(t2)에 걸쳐 이동시킨 상태가 도시되어 있다. 제어부(150)는, 콜릿(18)을 이동시키고 있는 동안의 시각(t1)에서, 흡인 기구(100)의 구동부(102)에 의해 3방향 밸브(101)를 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 이것에 의해, 흡인 구멍(19)은 부압이 되어, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 오므로, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 유량 센서(106)가 검출하는 흡인 공기 유량(공기 리크량)은 시각(t1)으로부터 시각(t2)에 걸쳐 증가해 간다. 시각(t2)에서, 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지하면, 표면(18a)에 반도체 다이(15)가 흡착 고정되고, 표면(18a)으로부터 공기 유입할 수 없게 된다. 그것에 의해, 시각(t2)에서, 유량 센서(106)가 검출하는 공기 리크량은 감소로 바뀐다. 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지했을 때의 콜릿(18)의 표면(18a)의 높이는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)의 높이(흡착면(22)으로부터의 높이(H0))에 다이싱 시트(12)의 두께와 반도체 다이(15)의 두께를 더한 높이(Hc)로 되어 있다.18 shows the height of the collet 18, the position of the columnar moving element 45, the position of the intermediate annular moving element 40, and the peripheral annular moving element 31 in the level 4 peeling operation (pickup operation). It is a figure which shows the time change of the position of, the opening pressure of the opening 23, and the air leak amount of the collet 18. As shown in FIG. In Fig. 18(a), the height of the surface 18a of the collet 18 is shown, and the collet 18 is moved from the time slightly elapsed from the time t=0 to the time t2. is shown. The control unit 150 moves the three-way valve 101 to the suction hole 19 of the collet 18 by the drive unit 102 of the suction mechanism 100 at time t1 while the collet 18 is being moved. ) and the vacuum device 140 to communicate with each other. As a result, the suction hole 19 becomes negative pressure, and air flows into the suction hole 19 from the surface 18a of the collet 18. As shown in Fig. 18(f), the flow sensor The suction air flow rate (air leak amount) detected by (106) increases from time t1 to time t2. At time t2, when the collet 18 lands on the semiconductor die 15, the semiconductor die 15 is adsorbed and fixed to the surface 18a, and air cannot flow in from the surface 18a. Thereby, at time t2, the amount of air leak detected by the flow rate sensor 106 changes to decrease. The height of the surface 18a of the collet 18 when the collet 18 lands on the semiconductor die 15 is, as shown in FIG. 6 , the respective tip surfaces ( It is set as the height Hc which added the thickness of the dicing sheet 12 and the thickness of the semiconductor die 15 to the height (height H 0 from the adsorption|suction surface 22) of 47, 38b, 38a.

다음에 제어부(150)는, 도 18에 나타내는 시각(t2)에, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력(도시하지 않음)을 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로부터 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 흡착 압력 변환 기구(90)의 구동부(92)는 3방향 밸브(91)를 흡착 구멍(27)과 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 그러면, 도 7의 화살표(201)로 나타내는 바와 같이, 흡착 구멍(27)을 통하여 홈(26)의 공기가 진공 장치(140)로 빨아 내어져, 흡착 압력이 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로 된다. 그리고, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)의 이면(12b)은 도 7의 화살표(202)로 나타내는 바와 같이, 흡착면(22)의 표면에 진공 흡착된다. 각 이동 요소(45, 40, 31)의 각 선단면(47, 38b, 38a)은 스테이지(20)의 흡착면(22)으로부터 높이(H0)만큼 돌출한 제1 위치로 되어 있으므로 다이싱 시트(12)에는, 비스듬히 하향의 인장력(F1)이 걸린다. 이 인장력(F1)은 다이싱 시트(12)를 가로 방향으로 잡아당기는 인장력(F2)과, 다이싱 시트(12)를 하측 방향으로 잡아당기는 인장력(F3)으로 분해할 수 있다. 가로 방향의 인장력(F2)은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 표면(12a) 사이에 전단 응력(τ)을 발생시킨다. 이 전단 응력(τ)에 의해, 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a)과의 사이에 어긋남이 발생한다. 이 어긋남은 다이싱 시트(12)와 반도체 다이(15)의 외주 부분 혹은 주변 부분과의 박리의 근거가 된다.Next, at the time t2 shown in FIG. 18 , the control unit 150 sets the adsorption pressure (not shown) of the adsorption surface 22 of the stage 20 from a fourth pressure P 4 close to atmospheric pressure to a vacuum. Outputs a command to be converted into a nearby third pressure (P 3 ). In response to this command, the drive unit 92 of the suction pressure converting mechanism 90 switches the three-way valve 91 to the direction in which the suction hole 27 and the vacuum device 140 communicate. Then, as indicated by the arrow 201 in FIG. 7 , the air in the groove 26 is sucked into the vacuum device 140 through the suction hole 27 , and the suction pressure is a third pressure P 3 close to vacuum. ) becomes And the back surface 12b of the dicing sheet 12 of the peripheral edge of the opening 23 is vacuum-sucked by the surface of the adsorption|suction surface 22, as shown by the arrow 202 of FIG. Since each distal end surface 47 , 38b , 38a of each movable element 45 , 40 , 31 is in the first position protruding from the suction surface 22 of the stage 20 by the height H 0 , the dicing sheet At (12), an obliquely downward tensile force F 1 is applied. The tensile force F 1 may be decomposed into a tensile force F 2 pulling the dicing sheet 12 in a horizontal direction and a tensile force F 3 pulling the dicing sheet 12 in a downward direction. The transverse tensile force F 2 generates a shear stress τ between the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12 . Due to this shear stress τ, a shift occurs between the outer peripheral portion or the peripheral portion of the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12 . This shift|offset|difference becomes the basis of peeling of the outer peripheral part of the dicing sheet 12 and the semiconductor die 15, or a peripheral part.

제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t3)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키는 방향으로 변환한다. 그러면, 도 8의 화살표(206)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)에는 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 된다. 이것에 의해, 도 8의 화살표(203)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 내면(23a)과 이동 요소(30)의 외주면(33)과의 간극(d)의 바로 위에 있는 다이싱 시트(12)가 하측으로 잡아 당겨진다. 또한, 간극(d)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 주변부는 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨져 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 하향으로 굽힘 변형된다. 이것에 의해 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진다. 흡착 압력이 진공에 가까운 제3 압력(P3)이 되었을 때 반도체 다이(15)의 외주 부분과 다이싱 시트(12)의 표면(12a)의 사이에 발생한 어긋남 때문에, 반도체 다이(15)의 주변부에는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되는 근거가 형성되어 있으므로, 반도체 다이(15)의 주변부는 도 8의 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 굽힘 변형하면서도 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리되기 시작하고 있다.As shown in FIG. 18(e) , the control unit 150 is a command to convert the opening pressure from the second pressure P 2 close to atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to vacuum at time t3 . to output In response to this command, the drive unit 82 of the opening pressure converting mechanism 80 switches the three-way valve 81 to the direction in which the opening 23 and the vacuum device 140 communicate. Then, as indicated by the arrow 206 in FIG. 8 , the air in the opening 23 is sucked into the vacuum device 140 , and as shown in FIG. 18E , at the time t4 , the opening pressure is vacuum. A first pressure (P 1 ) close to . As a result, as indicated by the arrow 203 in FIG. 8 , the dicing sheet ( 12) is pulled downwards. Further, the peripheral portion of the semiconductor die 15 positioned just above the gap d is pulled by the dicing sheet 12 and bent downward as indicated by the arrow 204 . Thereby, the periphery of the semiconductor die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18 . Since the displacement occurred between the outer peripheral portion of the semiconductor die 15 and the surface 12a of the dicing sheet 12 when the adsorption pressure became the third pressure P 3 close to vacuum, the peripheral portion of the semiconductor die 15 Since there is formed a basis for peeling from the surface 12a of the dicing sheet 12, the periphery of the semiconductor die 15 is bent and deformed as indicated by the arrow 204 in FIG. It is starting to peel from the surface 12a.

도 8에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지면, 도 8의 화살표(205)로 나타내는 바와 같이 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속에 공기가 유입되어 온다. 유입된 공기 유량(공기 리크량)은 유량 센서(106)에 의해 검출된다. 이것에 의해, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 시각(t2)에서 감소로 바뀌고, 감소를 계속하고 있던 공기 리크량은 시각(t3)에서 다시 증가하기 시작한다. 구체적으로는, 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 저하되어 감에 따라, 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)와 함께 하측 방향으로 잡아 당겨져 굽힘 변형되어 가므로, 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)으로 유입되어 오는 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 시각(t4)을 향하여 증가해 간다.As shown in FIG. 8 , when the periphery of the semiconductor die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18 , it is inserted into the suction hole 19 of the collet 18 as indicated by the arrow 205 in FIG. 8 . air comes in The flow rate of the introduced air (air leak amount) is detected by the flow rate sensor 106 . Thereby, as shown in Fig. 18(f) , it changes to decrease at time t2, and the air leak amount which has continued to decrease starts to increase again at time t3. Specifically, as the opening pressure decreases from the second pressure P 2 close to atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to vacuum from the time t3 to the time t4, the semiconductor die 15 ) is pulled downward together with the dicing sheet 12 and is bent and deformed, so the amount of air leak flowing into the suction hole 19 of the collet 18 is from time t3 to time t4. increases

그리고, 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t4)으로부터 시각(t5)의 동안(시간(HT4)), 스테이지(20)의 개구(23)를 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 유지한다. 이 시간(HT4)은 도 19의 파라미터 테이블(160)에 규정되어 있는 레벨 4의 「제1 압력의 유지 시간」이다. HT4는 도 19의 예에서는 130ms이다. 제1 압력(P1)으로 유지하고 있는 동안에, 도 9의 화살표(207)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부는 콜릿(18)의 흡인 구멍(19)의 진공과, 반도체 다이(15)의 탄성에 의해 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아간다. 이것에 의해, 도 18(f)의 시각(t4)에 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 감소를 계속하여, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 시각(t5)의 조금 전에 공기 리크량은 거의 제로가 된다. 이때, 반도체 다이(15)의 주변부는 간극(d)의 바로 위에 위치하고 있는 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다(초기 박리). 그리고, 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)에 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 대기 개방의 배관(85)과 개구(23)가 연통하도록 변환한다. 이것에 의해, 도 10에 도시하는 화살표(210)와 같이, 공기가 개구(23)에 유입되어 오므로, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t5)으로부터 시각(t6)을 향하여, 개구 압력은 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승해 간다.Then, as shown in Fig. 18(e) , the control unit 150 closes the opening 23 of the stage 20 from the time t4 to the time t5 (time HT4) close to vacuum. Maintain the first pressure (P 1 ). This time HT4 is the "1st pressure holding time" of the level 4 prescribed|regulated in the parameter table 160 of FIG. HT4 is 130 ms in the example of FIG. 19 . While maintaining at the first pressure P 1 , as indicated by arrow 207 in FIG. 9 , the periphery of the semiconductor die 15 is exposed to the vacuum of the suction hole 19 of the collet 18 and the semiconductor die ( 15) returns to the surface 18a of the collet 18 by the elasticity. Accordingly, at time t4 in Fig. 18(f), the air leak amount changes to decrease, continues to decrease, and when the semiconductor die 15 is vacuum-adsorbed to the surface 18a of the collet 18, the time ( Shortly before t5), the air leak amount becomes almost zero. At this time, the peripheral portion of the semiconductor die 15 is peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12 positioned just above the gap d (initial peeling). Then, as shown in FIG. 18(e) , the control unit 150 converts the opening pressure from the first pressure P 1 close to vacuum to the second pressure P 2 close to atmospheric pressure at time t5 . output the command In response to this command, the drive part 82 of the opening pressure converting mechanism 80 converts the three-way valve 81 so that the pipe 85 and the opening 23 open to the atmosphere communicate. As a result, air flows into the opening 23 as shown by the arrow 210 shown in FIG. 10 , and thus, as shown in FIG. 18E , from the time t5 to the time t6 , the opening pressure rises from the first pressure P 1 close to vacuum to the second pressure P 2 close to atmospheric pressure.

도 18의 시각(t1∼t6)이 초기 박리이다. 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성이 나쁜(박리 용이도가 낮은) 경우에는, 도 8의 화살표(204)와 같이, 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 9의 화살표(207)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지 많은 시간이 걸린다. 그러한 반도체 다이(15)에는, 개구 압력을 제1 압력(P1)으로 유지하는 시간(도 18(e)의 시각(t4∼t5)의 시간)이 길거나, 또는, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제2 압력(P2)의 사이에서 변환하는 횟수가 많은 박리 동작(레벨값)을 적용하여, 반도체 다이(15)의 주변부와 다이싱 시트(12)와의 박리를 촉진한다.Time t1 to t6 in Fig. 18 are initial peeling. When the peelability between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 is poor (the ease of peeling is low), as shown by the arrow 204 in FIG. 8 , the peripheral portion of the semiconductor die 15 is the dicing sheet 12 . ), it takes a long time until the periphery of the semiconductor die 15 returns to the surface 18a of the collet 18 as shown by the arrow 207 in FIG. 9 . In such a semiconductor die 15, the time for maintaining the opening pressure at the first pressure P 1 (time of time t4 to t5 in Fig. 18(e)) is long, or the opening pressure is made close to vacuum. By applying a peeling operation (level value) with a large number of times to convert between one pressure P 1 and a second pressure P 2 close to atmospheric pressure, the periphery of the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 are separated from each other. promotes peeling;

한편으로, 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성이 좋은(박리 용이도가 높은) 경우에는, 도 8의 화살표(204)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 9의 화살표(207)와 같이 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간이 짧다. 그러한 반도체 다이(15)에는, 개구 압력을 제1 압력(P1)으로 유지하는 시간이 짧거나, 또는, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)과 대기압에 가까운 제2 압력(P2)의 사이에서 변환하는 횟수가 적은 박리 동작(레벨값)을 적용하여, 픽업을 고속화한다. 또한, 도 18의 레벨 4의 예에서는, 초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수는 1회(제2 압력(P2)으로부터 제1 압력(P1)으로 변환하고, 그 후, 제1 압력(P1)으로부터 제2 압력(P2)으로 변환하여 1회로 계산한 경우)이다. 이것은 도 19의 파라미터 테이블(160)에 규정되어 있는 레벨 4의 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」(FSN4)이다.On the other hand, when the releasability between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 is good (the ease of peeling is high), the peripheral portion of the semiconductor die 15 is the dicing sheet as shown by the arrow 204 in Fig. 8 . After being pulled at 12, the time until the periphery of the semiconductor die 15 returns to the surface 18a of the collet 18 is short as shown by the arrow 207 in FIG. In such a semiconductor die 15, the time for maintaining the opening pressure at the first pressure P 1 is short, or the opening pressure is set at a first pressure P 1 close to vacuum and a second pressure P close to atmospheric pressure. 2 ) A peeling operation (level value) with a small number of times of switching is applied to speed up pickup. In addition, in the example of level 4 of FIG. 18, the number of times of conversion of the opening pressure at the time of initial peeling is converted from the 2nd pressure P 2 to the 1st pressure P 1 , and after that, the 1st pressure ( P 1 ) is converted to the second pressure (P 2 ) and calculated once). This is the "number of times of opening pressure conversion at the time of initial peeling" (FSN4) of level 4 prescribed|regulated in the parameter table 160 of FIG.

또한, 상기한 바와 같이, 반도체 다이(15)의 박리 용이도에 따라, 반도체 다이(15)의 주변부가 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서 반도체 다이(15)의 주변부가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간이 변화되기 때문에, 유량 센서(106)가 검출하는 공기 리크량의 시간 변화(실제로 유량 변화)도 변화된다. 그래서, 뒤에서 상세하게 설명하는 바와 같이, 실제 유량 변화에 기초하여, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성(박리 용이도)을 판단하는 것이 가능하다.Further, as described above, depending on the ease of peeling of the semiconductor die 15 , the periphery of the semiconductor die 15 is pulled by the dicing sheet 12 , and then the periphery of the semiconductor die 15 becomes the collet 18 . Since the time until it returns to the surface 18a of is changed, the time change (actual flow rate change) of the amount of air leak detected by the flow rate sensor 106 also changes. Then, as described in detail later, it is possible to judge the peelability (easiness of peeling) of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 based on the actual flow rate change.

픽업 동작의 설명을 계속한다. 도 18의 t6에서, 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승하면, 도 10의 화살표(212)로 나타내는 바와 같이, 진공으로 하측 방향으로 잡아 당겨져 있던 간극(d)의 바로 위에 위치하는 다이싱 시트(12)는 웨이퍼 홀더(10)에 고정할 때 인가된 인장력에 의해 상측 방향으로 되돌아온다. 또한, 개구(23)의 둘레 가장자리의 다이싱 시트(12)는, 상기의 인장력에 의해, 흡착면(22)으로부터 약간 들뜬 상태로 되어 있다.The description of the pickup operation continues. At t6 of FIG. 18 , when the opening pressure rises to the second pressure P 2 close to atmospheric pressure, as indicated by the arrow 212 in FIG. 10 , immediately above the gap d pulled downward by vacuum. The positioned dicing sheet 12 returns upward by the tensile force applied when it is fixed to the wafer holder 10 . In addition, the dicing sheet 12 of the periphery of the opening 23 is in a state slightly lifted from the adsorption|suction surface 22 by said tensile force.

제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)에 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 되면, 도 18(d)에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 높이를 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하여, 도 11의 화살표(214)에 도시하는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)를 하강시킨다. 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H1)만큼 하측이며, 흡착면(22)보다도 약간 낮은 제2 위치(흡착면(22)으로부터 높이(H1-H0)만큼 낮은 위치)로 이동한다.As shown in FIG.18(e), when the opening pressure becomes the 2nd pressure P2 close to atmospheric pressure at time t6, as shown in FIG.18(d), as shown in FIG.18(d), the control part 150 Outputs a command to set the height of the tip surface 38a of the annular moving element 31 to a second position lower by the height H 1 from the first position (the height from the suction surface 22 is the initial position of H 0 ) do. In response to this command, the stepped surface forming mechanism driving unit 400 shown in FIG. 1 is driven to lower the peripheral annular moving element 31 as shown by an arrow 214 in FIG. 11 . The distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 is lower by the height H 1 from the first position (initial position), and is slightly lower than the adsorption face 22 at a second position (height from the adsorption face 22 ). (H 1 -H 0 ) to a lower position).

다음에 제어부(150)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 시각(t6)으로부터 시각(t7)까지 상태를 유지한다. 이때, 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 되어 있으므로, 도 11에 도시하는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위에 위치하고 있는 다이싱 시트(12)의 이면(12b)과 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)과의 사이에는 간극이 만들어져 있다.Next, as shown in FIG. 18, the control part 150 maintains the state from time t6 to time t7. At this time, since the pressure of the opening 23 is the 2nd pressure P2 close to atmospheric pressure, as shown in FIG. 11, the back surface 12b of the dicing sheet 12 located just above the clearance gap d. ) and the distal end face 38a of the peripheral annular moving element 31 is provided with a gap.

제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t7)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)가 연통하도록 변환한다. 이것에 의해 도 12의 화살표(215)로 나타내는 바와 같이, 개구(23) 속의 공기가 진공 장치(140)에 흡인되고, 시각(t8)에는, 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 된다. 개구 압력이 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 저하하면, 도 12의 화살표(216)로 나타내는 바와 같이, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는(대향하는) 다이싱 시트(12)는 이면(12b)이 선단면(38a)에 접하도록 하측으로 잡아 당겨진다. 이것에 의해, 도 12의 화살표(217)로 나타내는 바와 같이, 반도체 다이(15)의 선단면(38a)의 바로 위에 위치하는 반도체 다이(15)의 일부가 하측 방향으로 굽힘 변형하여, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어져, 공기가 콜릿(18)의 흡인 구멍(19) 속으로 유입된다. 흡인 구멍(19)으로 유입된 공기 리크량은 유량 센서(106)로 검출된다. 공기 리크량은, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t7)으로부터 시각(t8) 동안 증가해 간다. 그리고, 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t8) 부근에서, 선단면(38a)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는 도 13에 나타내는 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아온다. 그것에 의해, 도 18(f)의 시각(t8) 부근에서 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 또 거의 제로로 돌아간다. 이때, 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역은 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리된다. 또한, 도 12의 화살표(217)와 같이 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)에 잡아 당겨지고 나서, 도 13의 화살표(224)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아올 때까지의 시간은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)와의 박리성에 따라 변화된다.As shown in Fig. 18(e) , the control unit 150 commands to convert the opening pressure from the second pressure P 2 close to atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to vacuum at time t7 . to output In response to this command, the drive unit 82 of the opening pressure converting mechanism 80 converts the three-way valve 81 so that the opening 23 and the vacuum device 140 communicate. As a result, as indicated by the arrow 215 in FIG. 12 , the air in the opening 23 is sucked into the vacuum device 140 , and at time t8 , the opening pressure is the first pressure P 1 close to vacuum. becomes When the opening pressure decreases from the second pressure P 2 close to atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to vacuum, as indicated by the arrow 216 in FIG. 12 , the front end face of the peripheral annular movable element 31 . The dicing sheet 12 positioned directly above (opposite) 38a is pulled downward so that the back surface 12b abuts the front end surface 38a. As a result, as indicated by an arrow 217 in FIG. 12 , a part of the semiconductor die 15 positioned just above the tip surface 38a of the semiconductor die 15 is bent downwardly and deformed, and the collet 18 ), air is drawn into the suction hole 19 of the collet 18 . The amount of air leak flowing into the suction hole 19 is detected by the flow rate sensor 106 . As shown in Fig. 18(f), the air leak amount increases from the time t7 at which the opening pressure decreases to the time t8. Then, near the time t8 at which the opening pressure reaches the first pressure P 1 , the semiconductor die 15 in the area opposite to the tip surface 38a is collet ( 224 ) shown in FIG. 13 . 18) back toward the surface 18a. Thereby, the amount of air leakage changes to decrease around time t8 in FIG. , the amount of air leakage returns to almost zero again. At this time, the region of the semiconductor die 15 facing the front end face 38a is peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12 . Further, as shown by the arrow 217 in FIG. 12 , the region of the semiconductor die 15 opposite to the tip surface 38a is pulled by the dicing sheet 12 , and then, as shown by the arrow 224 in FIG. 13 , the collet ( The time until it returns to the surface 18a of 18 changes according to the peelability of the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12. As shown in FIG.

다음에 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t9)이 되면, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통하도록 변환한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(220)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)에 공기가 유입되고, 시각(t10)에서 개구(23)의 압력은 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 상승한다. 이것에 의해, 도 13의 화살표(223)로 나타내는 바와 같이, 간극(d)의 바로 위의 다이싱 시트(12)는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)으로부터 떨어져 상측 방향으로 변위한다.Next, as shown in FIG. 18(e) , when the time t9 comes, the control unit 150 changes the opening pressure from the first pressure P 1 close to vacuum to the second pressure P 2 close to atmospheric pressure. Outputs a command to increase to In response to this command, the drive part 82 of the opening pressure converting mechanism 80 converts the three-way valve 81 so that the opening 23 and the pipe 85 open to the atmosphere may communicate. Thereby, as shown by the arrow 220 of FIG. 13, air flows into the opening 23, and the pressure of the opening 23 rises to the 2nd pressure P2 close to atmospheric pressure at time t10. do. As a result, as indicated by the arrow 223 in FIG. 13 , the dicing sheet 12 immediately above the gap d is displaced upwardly away from the front end face 38a of the peripheral annular moving element 31 . do.

도 18의 시각(t10)에, 제어부(150)는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하는 지령과, 제2 위치에 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을, 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하고, 도 14의 화살표(227)로 나타내는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40)를 하강시켜, 화살표(226)로 나타내는 바와 같이 주변 환상 이동 요소(31)를 하강시킨다. 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치(흡착면(22)으로부터 H1-H0만큼 낮은 위치)로 이동하고, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동한다. 이것에 의해, 도 14에 도시하는 바와 같이, 선단면(38a, 38b, 47)은 서로 단차가 있는 단차면임과 동시에 흡착면(22)에 대한 단차면이 된다.At time t10 in FIG. 18 , the control unit 150 moves the tip surface 38b of the intermediate annular moving element 40 from the first position (the position where the height from the suction surface 22 is H 0 ) to the height H a command to move to a second position lower by 1 ) and a third lower end surface 38a of the peripheral annular moving element 31 in the second position by a height H 2 from the first position (initial position) A command to move to a position (a position as low as H 2 -H 0 from the adsorption surface 22) is output. In response to this command, the stepped surface forming mechanism driving unit 400 shown in FIG. 1 is driven, and as indicated by an arrow 227 in FIG. 14 , the intermediate annular moving element 40 is lowered by an arrow 226 . As shown, the peripheral annular moving element 31 is lowered. The tip face 38b of the intermediate annular moving element 40 is positioned from a first position (a position higher by a height H 0 from the adsorption face) to a second position lower by a height H 1 (H 1 from the adsorption face 22 ). -H 0 ), the tip face 38a of the peripheral annular moving element 31 from the first position (initial position) to a third position (adsorption face 22 ) lower by a height H 2 . H 2 -H 0 ). As a result, as shown in FIG. 14 , the tip surfaces 38a , 38b , and 47 are stepped surfaces with a level difference from each other as well as a stepped surface with respect to the suction surface 22 .

다음에 제어부(150)는, 도 18에 도시하는 바와 같이, 시각(t10)부터 시각(t11)까지 상태를 유지한다. 그리고, 제어부(150)는 도 18(e)의 시각(t11)에 개구 압력을 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로부터 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 진공 장치(140)를 연통시키도록 변환한다. 이것에 의해, 도 15의 화살표(228)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)의 공기는 진공 장치(140)에 흡인되고, 개구 압력은 시각(t12)에 진공에 가까운 제1 압력(P1)이 된다. 그러면, 도 15에 나타내는 화살표(229, 230)와 같이 다이싱 시트(12)는 제3 위치로 강하해 있는 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a), 제2 위치로 강하해 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 향하여 잡아 당겨지고, 하방향으로 변위한다. 이것에 따라, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역도 도 15의 화살표(231)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어져 하향으로 구부러짐 변형한다. 그러면, 도 15의 화살표(232)로 나타내는 바와 같이, 콜릿(18)의 표면(18a)과 반도체 다이(15) 사이에서 공기가 흡인 구멍(19)으로 유입된다. 흡인 구멍(19)에 유입된 공기 리크량은 유량 센서(106)로 검출된다. 공기 리크량은, 도 18(f)에 도시하는 바와 같이, 개구 압력이 저하되어 가는 시각(t11)으로부터 시각(t12) 동안 증가해 간다. 그리고, 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t12) 부근에서, 선단면(38a, 38b)에 대향하는 영역의 반도체 다이(15)는, 도 16에 나타내는 화살표(244)와 같이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아온다. 그것에 의해, 도 18(f)의 시각(t12) 부근에서 공기 리크량은 감소로 바뀌고, 도 16에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)의 표면(18a)에 진공 흡착되면, 공기 리크량은 거의 제로가 된다. 또한, 이 콜릿(18)의 표면(18a)을 향하여 되돌아올 때까지의 시간은 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12)의 박리성에 따라 변화된다.Next, the control unit 150 maintains the state from time t10 to time t11 as shown in FIG. 18 . Then, the control unit 150 outputs a command to convert the opening pressure from the second pressure P 2 close to atmospheric pressure to the first pressure P 1 close to vacuum at time t11 in FIG. 18(e) . In response to this command, the drive unit 82 of the opening pressure converting mechanism 80 converts the three-way valve 81 so that the opening 23 and the vacuum device 140 communicate with each other. Thereby, as shown by the arrow 228 of FIG. 15, the air of the opening 23 is sucked by the vacuum device 140, and the opening pressure is the 1st pressure P 1 close to a vacuum at the time t12. becomes this Then, as shown by the arrows 229 and 230 shown in Fig. 15, the dicing sheet 12 is lowered to the third position by the front end face 38a of the peripheral annular moving element 31, and the middle face is lowered to the second position. It is pulled toward the tip face 38b of the annular moving element 40, and is displaced downward. In accordance with this, the region of the semiconductor die 15 opposite to the tip surfaces 38a and 38b is also bent downward from the surface 18a of the collet 18, as indicated by an arrow 231 in FIG. . Then, air flows into the suction hole 19 between the surface 18a of the collet 18 and the semiconductor die 15 as indicated by the arrow 232 in FIG. 15 . The amount of air leak flowing into the suction hole 19 is detected by the flow rate sensor 106 . As shown in Fig. 18(f) , the air leak amount increases from the time t11 at which the opening pressure decreases to the time t12. Then, in the vicinity of the time t12 at which the opening pressure reaches the first pressure P 1 , the semiconductor die 15 in the region opposite to the tip surfaces 38a and 38b is the arrow 244 shown in FIG. 16 and It returns toward the surface 18a of the collet 18 as well. Thereby, the amount of air leakage changes to decrease around time t12 in FIG. , the amount of air leakage becomes almost zero. In addition, the time until it returns toward the surface 18a of this collet 18 changes according to the peelability of the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12. As shown in FIG.

다음에 제어부(150)는, 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t13)에 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력(P1)으로부터 대기압에 가까운 제2 압력(P2)으로 변환하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 개구 압력 변환 기구(80)의 구동부(82)는 3방향 밸브(81)를 개구(23)와 대기 개방의 배관(85)을 연통시키도록 변환한다. 그러면, 도 16의 화살표(241)로 나타내는 바와 같이, 개구(23)에 공기가 유입되고, 개구 압력이 상승하므로, 다이싱 시트(12)는, 도 16에 나타내는 화살표(243)로 나타내는 바와 같이, 상측 방향으로 변위한다. 도 18(e)에 도시하는 바와 같이, 시각(t14)에, 개구 압력은 대기에 가까운 제2 압력(P2)이 된다. 이 상태에서는, 도 16에 도시하는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)에 대응하는 영역의 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 붙어 있지만, 반도체 다이(15)의 대부분의 영역은 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태로 되어 있다.Next, as shown in FIG. 18(e) , the control unit 150 converts the opening pressure from the first pressure P 1 close to vacuum to the second pressure P 2 close to atmospheric pressure at time t13 . output the command In response to this command, the drive part 82 of the opening pressure converting mechanism 80 converts the three-way valve 81 so that the opening 23 and the pipe 85 open to the atmosphere may communicate. Then, as shown by the arrow 241 in FIG. 16 , air flows into the opening 23 and the opening pressure rises, so that the dicing sheet 12 is as shown by the arrow 243 shown in FIG. 16 . , displace in the upward direction. As shown in FIG.18(e), at time t14, the opening pressure becomes 2nd pressure P2 close|similar to atmospheric|atmosphere. In this state, as shown in FIG. 16 , the semiconductor die 15 in the region corresponding to the tip surface 47 of the columnar moving element 45 is attached to the dicing sheet 12, but the semiconductor die 15 Most of the area of the dicing sheet 12 has been peeled off from the dicing sheet 12 .

다음에 제어부(150)는, 도 18의 시각(t14)에, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)을 제1 위치(흡착면(22)으로부터의 높이가 H0의 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하는 지령과, 제2 위치에 있는 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을, 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치(흡착면(22)으로부터 H2-H0만큼 낮은 위치)로 이동하는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 단차면 형성 기구 구동부(400)가 구동하여, 도 17의 화살표(260)로 나타내는 바와 같이, 주상 이동 요소(45)를 하강시키고, 화살표(246)로 나타내는 바와 같이 중간 환상 이동 요소(40)를 하강시킨다. 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)은 제1 위치(흡착면으로부터 높이(H0)만큼 높은 위치)로부터 높이(H1)만큼 낮은 제2 위치로 이동하고, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)은 제1 위치(초기 위치)로부터 높이(H2)만큼 낮은 제3 위치로 이동한다. 이것에 의해, 도 17에 도시하는 바와 같이, 반도체 다이(15)는 다이싱 시트(12)로부터 박리된 상태가 된다.Next, at time t14 in FIG. 18 , the control unit 150 raises the tip surface 47 of the columnar moving element 45 from the first position (the position where the height from the suction surface 22 is H 0 ). a command to move to a second position as low as (H 1 ) and lower the tip face 38b of the intermediate annular moving element 40 in the second position by a height H 2 from the first position (initial position) A command to move to the third position (a position as low as H 2 -H 0 from the adsorption surface 22) is output. In response to this command, the stepped surface forming mechanism driving unit 400 shown in FIG. 1 is driven to lower the columnar moving element 45 as indicated by an arrow 260 in FIG. 17 , and is indicated by an arrow 246 . Lower the intermediate annular moving element 40 as shown. The distal face 47 of the columnar moving element 45 moves from a first position (a position higher by a height H 0 from the adsorption surface) to a second position lower by a height H 1 , and the intermediate annular moving element 40 ) moves from the first position (initial position) to the third position lower by the height H 2 . Thereby, as shown in FIG. 17, the semiconductor die 15 will be in the state peeled from the dicing sheet 12. As shown in FIG.

제어부(150)는 도 18의 시각(t15)에 콜릿(18)을 상승시키는 지령을 출력한다. 이 지령에 의해, 도 1에 도시하는 콜릿 구동부(130)는 모터를 구동하여, 도 17에 도시하는 바와 같이, 콜릿(18)을 상승시킨다. 콜릿(18)이 상승하면, 반도체 다이(15)가 콜릿(18)에 흡착된 상태에서 픽업된다.The control unit 150 outputs a command to raise the collet 18 at time t15 in FIG. 18 . In response to this command, the collet drive unit 130 shown in Fig. 1 drives the motor to raise the collet 18 as shown in Fig. 17 . When the collet 18 rises, the semiconductor die 15 is picked up in a state adsorbed to the collet 18 .

반도체 다이(15)를 픽업하면, 제어부(150)는, 시각(t16)에, 각 이동 요소(31, 40, 45)의 각 선단면(38a, 38b, 47)을 제1 위치로 되돌리고, 흡착 압력 변환 기구(90)에 의해 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)으로부터 대기압에 가까운 제4 압력(P4)으로 변환한다. 이것으로 픽업이 종료된다.When the semiconductor die 15 is picked up, the control unit 150 returns, at time t16, the respective tip surfaces 38a, 38b, and 47 of the respective moving elements 31, 40, 45 to the first position, and adsorbs them. The pressure conversion mechanism 90 converts the adsorption pressure of the adsorption surface 22 of the stage 20 from the third pressure P 3 close to vacuum to the fourth pressure P 4 close to atmospheric pressure. This completes the pickup.

이상에서 설명한 도 18의 시각(t6∼t16)이 본박리이다. 본박리에서는, 외측의 이동 요소(30)로부터 내측의 이동 요소(30)를 향하여 차례차례, 선단면을 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키고, 개구 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 변환함으로써, 반도체 다이(15)의 주변부보다 내측의 영역을 다이싱 시트(12)의 표면(12a)으로부터 박리한다. 또한, 이상에서 설명한 본박리에서는, 개구 압력을 제1 압력(P1)과 제2 압력(P2)과의 사이에서 변환하고 있었지만, 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력에 유지한 상태에서, 각 이동 요소(30)를 차례차례, 이동시키도록 해도 된다.The time (t6 - t16) of FIG. 18 demonstrated above is the main peeling. In the main peeling, the front end surface is sequentially moved from the first position to the second position from the outer moving element 30 toward the inner moving element 30, and the opening pressure is changed between the first pressure P 1 and the second position. By converting between the two pressures P 2 , the region inside the periphery of the semiconductor die 15 is peeled off from the surface 12a of the dicing sheet 12 . In addition, in the main peeling demonstrated above, although the opening pressure was converted between the 1st pressure P 1 and the 2nd pressure P 2 , in the state which maintained the opening pressure at the 1st pressure close to vacuum, You may make it move each moving element 30 sequentially.

여기에서, 이상에서 설명한 도 18의 박리 동작의 박리 파라미터에 대하여 확인한다. 이상에서 설명한 도 18의 박리 동작은 도 19의 파라미터 테이블(160)의 레벨 4에 규정된 각 박리 파라미터의 파라미터값을 적용하여 행했다. 구체적으로는, 다음 박리 파라미터의 파라미터값을 적용했다. 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수(제2 압력(P2)으로부터 제1 압력(P1)으로 변환하고, 그 후, 제1 압력(P1)으로부터 제2 압력(P2)으로 변환하여 1회로 계산한 경우, 이하 동일)」는 FSN4=1회로 했다. 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 SSN4=2회로 했다. 개구 압력을 제1 압력(P1)에 유지하는 시간인 「제1 압력의 유지 시간」은 HT4=130ms로 했다. 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 DN4=0개로 했다. 각 이동 요소(30)의 선단면을 차례차례, 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때의 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」은 IT4=240ms로 했다. 또한, 콜릿(18)이 반도체 다이(15)에 착지하고 나서 반도체 다이(15)의 들어올림을 개시할 때까지의 시간인 「콜릿 대기 시간」은 WT4=710ms로 했다. 그리고, 「픽업 시간」은 PT4=820ms이었다.Here, the peeling parameters of the peeling operation|movement of FIG. 18 demonstrated above are confirmed. The peeling operation of FIG. 18 described above was performed by applying the parameter values of each peeling parameter prescribed in level 4 of the parameter table 160 of FIG. 19 . Specifically, the parameter values of the following peeling parameters were applied. "The number of times of conversion of opening pressure at the time of initial peeling (second pressure P 2 to 1st pressure P 1 ), and then converting from 1st pressure P 1 to 2nd pressure P 2 . Thus, in the case of counting once, the same hereinafter)" was set to FSN4 = 1 time. "The number of times of conversion of the opening pressure at the time of main peeling" was made into SSN4=2 times. "The holding time of the 1st pressure" which is the time to hold|maintain an opening pressure to 1st pressure P 1 was made into HT4=130ms. "The number of moving elements to be descended at the same time" was set to DN4 = 0 pieces. The &quot;descent time interval between moving elements&quot; at the time of sequentially descending the tip surface of each moving element 30 from the first position to the second position was set to IT4 = 240 ms. In addition, the "collet waiting time", which is a time from when the collet 18 lands on the semiconductor die 15 until the lifting of the semiconductor die 15 is started, was set to WT4 = 710 ms. And the "pickup time" was PT4 = 820 ms.

<파라미터 테이블><parameter table>

여기에서, 도 19의 파라미터 테이블(160)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 파라미터 테이블(160)의 각 박리 파라미터의 파라미터값은 레벨값의 변화에 따라 다음과 같은 경향을 가지고 있다. 도 19에 도시하는 바와 같이, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변한 횟수」는 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 수를 많게 하고 있다. 단, 이것은 레벨값이 바뀔 때마다 반드시 변한 횟수가 많아지고 있는 것을 의미하고 있는 것은 아니고, 인접하는 복수의 레벨값에서 변한 횟수가 같은 경우가 있다. 이것은 다른 박리 파라미터도 마찬가지로, 레벨값이 바뀔 때마다 파라미터값이 변화되는 것을 의미하고 있지 않고, 인접하는 복수의 레벨값에서 파라미터값이 같은 경우가 있다. 「본 박리 시의 개구 압력의 변한 횟수」는 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 수를 많게 하고 있다. 또한, 「제1 압력의 유지 시간」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간을 길게 하고 있다. 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간 간격을 길게 하고 있다. 또한, 「콜릿 대기 시간」은 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 시간을 길게 하고 있다. 「픽업 시간」은 레벨값이 바뀔 때마다 변화되고, 레벨 1로부터 레벨 8을 향하여 길어진다. 또한, 「픽업 시간」은 「콜릿 대기 시간」을 닮아 있지만, 콜릿 대기 시간에 더하여, 콜릿(18)을 소정 위치로부터 강하시켜 반도체 다이(15)에 착지할 때까지의 시간과, 반도체 다이(15)의 들어올림을 개시하고 나서 소정 위치까지 상승할 때까지의 시간을 포함한다. 또한, 도 19의 파라미터 테이블(160)은 「조건 테이블」이라고 할 수도 있고, 박리 파라미터는 「픽업 파라미터」라고 할 수도 있다. 도 19에 도시되어 있는 구체적인 각 파라미터값은 어디까지나 일례이며, 다른 값이어도 되는 것은 당연하다.Here, the parameter table 160 of FIG. 19 will be described in more detail. The parameter value of each peeling parameter of the parameter table 160 has the following tendency according to the change of the level value. As shown in FIG. 19, "the number of times of change of the opening pressure at the time of initial peeling" is increasing from level 1 toward level 8. However, this does not necessarily mean that the number of times of change is increasing whenever a level value changes, and the number of times of change in a plurality of adjacent level values may be the same. This does not mean that a parameter value changes whenever a level value changes similarly also for other peeling parameters, but a parameter value may be the same in several adjacent level value. "The number of times of change of the opening pressure at the time of this peeling" is increasing the number from level 1 to level 8. In addition, the "holding time of the 1st pressure" is lengthening time toward the level 8 from level 1. The "descent time interval between moving elements" lengthens the time interval from level 1 to level 8. In addition, "collet waiting time" is lengthening time toward level 8 from level 1. The &quot;pickup time&quot; changes every time the level value changes, and becomes longer from level 1 to level 8. In addition, the "pickup time" is similar to the "collet waiting time", but in addition to the collet waiting time, the time until the collet 18 is lowered from a predetermined position to land on the semiconductor die 15, and the semiconductor die 15 ), including the time from starting to lift to a predetermined position. In addition, the parameter table 160 of FIG. 19 may be called a "condition table", and the peeling parameter may be called a "pickup parameter". Each specific parameter value shown in FIG. 19 is an example to the last, and it goes without saying that other values may be used.

여기에서, 전술한 레벨 4의 박리 동작 이외의 박리 동작의 예로서, 레벨 1과 레벨 8의 박리 동작에 대하여 설명한다. 우선, 레벨 8의 박리 동작에 대하여 설명한다. 레벨 8은 대단히 박리하기 어려운 반도체 다이(15)에 대응시키는 레벨값이다. 도 20은 레벨 8의 박리 동작 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력을 나타내는 도면이다. 도 20의 레벨 8의 박리 동작과, 도 18의 레벨 4의 박리 동작을 비교하면, 다음을 알 수 있다.Here, as an example of peeling operation|movement other than the peeling operation|movement of the level 4 mentioned above, the peeling operation|movement of level 1 and level 8 is demonstrated. First, the peeling operation|movement of level 8 is demonstrated. Level 8 is a level value corresponding to the semiconductor die 15 which is extremely difficult to peel. 20 shows the height of the collet 18, the position of the columnar moving element 45, the position of the intermediate annular moving element 40, and the position of the peripheral annular moving element 31 during the level 8 peeling operation; It is a figure which shows the opening pressure of the opening 23. Comparing the peeling operation|movement of the level 8 of FIG. 20 and the peeling operation|movement of the level 4 of FIG. 18, the following can be seen.

도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「초기 박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 4회(FSN8)로 증가해 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위가 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 어려운 경우이더라도, 반도체 다이(15)의 주위를 다이싱 시트(12)로부터 충분히 박리할 수 있다. 개구 압력을 몇 번이고 변환함으로써, 반도체 다이(15)의 주위에 붙은 다이싱 시트(12)를 떼어내는 이미지이며, 시간은 들지만 확실하게 박리를 행할 수 있다. 또한, 도 20에서는, 초기 박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 150ms(도 19 참조, 이하 마찬가지로, 상세한 파라미터값에 대해서는 동 도면을 참조)로 하여, 길게 하고 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위가 자연히 다이싱 시트(12)로부터 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 도 19의 예에서는, 「제1 압력의 유지 시간」에 대하여, 레벨 4와 8에서 큰 차가 없지만, 차를 보다 크게 하는 것도 생각할 수 있다.In the peeling operation|movement of the level 8 of FIG. 20, "the number of times of conversion of the opening pressure at the time of initial stage peeling" is increased to 4 times (FSN8). Thereby, even if it is a case where the periphery of the semiconductor die 15 is difficult to peel from the dicing sheet 12, the periphery of the semiconductor die 15 can fully peel from the dicing sheet 12. By changing the opening pressure many times, it is an image in which the dicing sheet 12 stuck to the periphery of the semiconductor die 15 is peeled off, and although it takes time, peeling can be performed reliably. In addition, in FIG. 20, the "holding time of the 1st pressure" (HT8) at the time of initial peeling is 150 ms (refer FIG. 19, similarly, refer to the same figure for detailed parameter values hereafter), and it is lengthening. Thereby, it can promote that the periphery of the semiconductor die 15 peels off from the dicing sheet 12 naturally. In addition, in the example of FIG. 19, there is no large difference in level 4 and 8 with respect to "holding time of 1st pressure", but it is also conceivable to make the difference larger.

또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 4회(SSN8)로 증가해 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 박리하기 어려운 경우이더라도, 반도체 다이(15)에 붙은 다이싱 시트(12)를 떼어내도록, 확실한 박리를 행할 수 있다. 또한, 도 20에서는, 본박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 150ms로 하여, 길게 하고 있다. 이것에 의해, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 자연히 다이싱 시트(12)로부터 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 도 19에 도시하는 파라미터 테이블(160)에서는, 초기 박리 시와 본박리 시에서 「제1 압력의 유지 시간」(HT8)을 공통으로 하고 있지만, 초기 박리 시와 본박리 시에서 각각의 「제1 압력의 유지 시간」이 파라미터 테이블(160)에 규정되어 있어도 된다. 또한, 도 20에 도시하는 바와 같이, 초기 박리 시, 또는, 본박리 시에 개구 압력을 복수회 변환함으로써, 제1 압력(P1)에 유지하는 시간이 복수개 있는 경우에는, 복수개의 「제1 압력의 유지 시간」의 각각을 파라미터 테이블(160)에 규정하고, 그것들의 파라미터값을 서로 다르게 해도 된다. 예를 들면, 박리 동작에 있어서 적용하는 순서로, 복수개의 「제1 압력의 유지 시간」을 나열하여 파라미터 테이블(160)에 규정한다.In addition, in the peeling operation|movement of the level 8 of FIG. 20, "the number of times of conversion of the opening pressure at the time of main peeling" is increasing to 4 times (SSN8). Thereby, even if the area inside the semiconductor die 15 is difficult to peel from the dicing sheet 12, the dicing sheet 12 adhering to the semiconductor die 15 can be peeled off reliably. can In addition, in FIG. 20, "holding time of 1st pressure" (HT8) at the time of main peeling is 150 ms, and is lengthening. Thereby, it can accelerate|stimulate that the area|region inside rather than the circumference|surroundings of the semiconductor die 15 peels from the dicing sheet 12 naturally. In addition, in the parameter table 160 shown in FIG. 19, the "holding time of the first pressure" (HT8) is common in the initial peeling time and the main peeling time, but each " 1st pressure holding time" may be prescribed|regulated in the parameter table 160. In addition, as shown in FIG. 20, when there exists a plurality of times to hold in the first pressure P 1 by changing the opening pressure a plurality of times at the time of initial peeling or main peeling, a plurality of "first pressure holding time" may be prescribed in the parameter table 160, and their parameter values may be different from each other. For example, in the order of application in peeling operation|movement, several "holding time of 1st pressure" are arranged in a row, and it is prescribed|regulated in the parameter table 160. As shown in FIG.

또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」(IT8)을 450ms로 하여, 길게 하고 있다. 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키고 나서, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때까지의 시간을 길게 하면, 주변 환상 이동 요소(31)의 선단면(38a)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 저절로 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 마찬가지로, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키고 나서, 주상 이동 요소(45)의 선단면(47)을 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시킬 때까지의 시간을 길게 하면, 중간 환상 이동 요소(40)의 선단면(38b)에 대향하는 반도체 다이(15)의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 저절로 벗겨지는 것을 촉진시킬 수 있다. 또한, 주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40) 사이의 강하 시간 간격과, 중간 환상 이동 요소(40)와 주상 이동 요소(45) 사이의 강하 시간 간격을 다르게 해도 되고, 그 경우에는, 각각의 강하 시간 간격이 파라미터 테이블(160)에 규정된다. 또한, 도 2에 도시하는 바와 같이, 중간 환상 이동 요소(40, 41)의 수가 2개 이상인 경우가 있고, 그 경우에는, 박리 동작에 있어서 외주측의 중간 환상 이동 요소(40)로부터 내주측의 중간 환상 이동 요소(41)를 향하여 차례로 강하시킨다. 이와 같이 중간 환상 이동 요소(40, 41)의 수가 2개 이상 있을 경우에는, 중간 환상 이동 요소(40)와 다른 중간 환상 이동 요소(41) 사이의 강하 시간 간격이 파라미터 테이블(160)에 규정되어도 된다. 또한, 예를 들면, 픽업 동작을 개시한 시점(도 20의 시각(t1))으로부터, 주변 환상 이동 요소(31)(최초에 강하시키는 이동 요소(30))를 제1 위치로부터 제2 위치로 강하시키는 시점까지의 시간이 파라미터 테이블(160)에 규정되어도 된다.In addition, in the peeling operation|movement of the level 8 of FIG. 20, the "fall time interval between moving elements" (IT8) is made into 450 ms, and it is lengthening. lowering the distal face 38a of the peripheral annular moving element 31 from the first position to the second position, and then lowering the distal face 38b of the intermediate annular moving element 40 from the first position to the second position. If the time until the time until the time is increased, the region of the semiconductor die 15 opposite to the tip face 38a of the peripheral annular moving element 31 can be promoted to spontaneously peel off from the dicing sheet 12 . Similarly, the distal face 38b of the intermediate annular moving element 40 is lowered from the first position to the second position, and then the distal face 47 of the columnar moving element 45 is lowered from the first position to the second position. If the time until the dicing is increased, the region of the semiconductor die 15 opposite to the tip face 38b of the intermediate annular moving element 40 can be promoted to spontaneously peel off from the dicing sheet 12 . In addition, the descending time interval between the peripheral annular moving element 31 and the intermediate annular moving element 40 and the descending time interval between the intermediate annular moving element 40 and the columnar moving element 45 may be different, in which case , each fall time interval is defined in the parameter table 160 . Moreover, as shown in FIG. 2, the number of the intermediate|middle annular moving elements 40 and 41 may be two or more, and in that case, in the peeling operation|movement, from the intermediate|middle annular moving element 40 on the inner peripheral side. It descends in sequence towards the intermediate annular moving element 41 . In this way, when the number of the intermediate annular moving elements 40 and 41 is two or more, the descent time interval between the intermediate annular moving element 40 and the other intermediate annular moving elements 41 is specified in the parameter table 160 . do. Further, for example, from the point in time when the pickup operation is started (time t1 in Fig. 20), the peripheral annular movable element 31 (moving element 30 that is initially lowered) is moved from the first position to the second position. The time until the time of descent may be prescribed in the parameter table 160 .

또한, 도 20의 레벨 8의 박리 동작에서는, 「콜릿 대기 시간」(WT8)을 1590ms로 하여, 길게 하고 있다. 그리고, 도 20에서는, 「픽업 시간」(PT8)이 1700ms로 되어, 길게 되어 있다.In addition, in the peeling operation|movement of the level 8 of FIG. 20, "collet waiting time" (WT8) is 1590 ms, and it is lengthening. And in Fig. 20, the "pickup time" (PT8) is 1700 ms, which is long.

다음에 레벨 1의 박리 동작에 대하여 설명한다. 레벨 1은 대단히 박리하기 쉬운 반도체 다이(15)에 대응시킬 레벨값이다. 도 21은 레벨 1의 박리 동작 시의 콜릿(18)의 높이와, 주상 이동 요소(45)의 위치와, 중간 환상 이동 요소(40)의 위치와, 주변 환상 이동 요소(31)의 위치와, 개구(23)의 개구 압력을 나타내는 도면이다. 도 21의 레벨 1의 박리 동작과, 도 18의 레벨 4의 박리 동작을 비교하면, 다음의 것을 알 수 있다.Next, the peeling operation|movement of level 1 is demonstrated. Level 1 is a level value made to correspond to the semiconductor die 15 which is very easy to peel. 21 shows the height of the collet 18, the position of the columnar moving element 45, the position of the intermediate annular moving element 40, and the position of the peripheral annular moving element 31 during the level 1 peeling operation; It is a figure which shows the opening pressure of the opening 23. When the peeling operation|movement of the level 1 of FIG. 21 is compared with the peeling operation|movement of the level 4 of FIG. 18, the following can be seen.

도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 초기 박리 시의 「제1 압력의 유지 시간」(HT1)을 100ms로 하여, 짧게 하고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 「제1 압력의 유지 시간」을 짧게 해도, 반도체 다이(15)의 주위가 다이싱 시트(12)로부터 충분하게 박리된다. 이와 같이 「제1 압력의 유지 시간」을 짧게 함으로써, 박리 동작에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있다.In the peeling operation|movement of the level 1 of FIG. 21, the "holding time of the 1st pressure" (HT1) at the time of initial peeling is 100 ms, and it is shortening. When the semiconductor die 15 is easily peeled from the dicing sheet 12 , even if "the holding time of the first pressure” is shortened, the periphery of the semiconductor die 15 is sufficiently peeled from the dicing sheet 12 . . Thus, by shortening "the holding time of a 1st pressure", the time required for a peeling operation|movement can be shortened.

또한, 도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」는 1회(SSN1)로 줄이고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 「본박리 시의 개구 압력의 변환 횟수」가 1회이어도, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 충분히 박리된다. 또한, 도 21에서는, 3개의 이동 요소(30)(주변 환상 이동 요소(31), 중간 환상 이동 요소(40), 주상 이동 요소(45))의 선단면(38a, 38b, 47)을 동시에 제1 위치로부터 제2 위치 이하로 강하시키고 있고, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 3개 (DN1)로 증가하고 있다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬울 경우에는, 복수의 이동 요소(30)를 동시에 강하시켜도, 반도체 다이(15)의 주위보다도 내측의 영역이 다이싱 시트(12)로부터 바로 박리된다. 또한, 주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40)를 동시에 강하시키고, 그 소정 시간 후에 주상 이동 요소(45)를 강하시키는 경우에는, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」는 2개가 된다. 또한, 도 19의 파라미터 테이블(160)에서는, 「동시에 강하시키는 이동 요소의 수」와 「이동 요소 간의 강하 시간 간격」의 2개의 박리 파라미터를 규정하고 있지만, 그것들 대신에, 상기한 「주변 환상 이동 요소(31)와 중간 환상 이동 요소(40) 사이의 강하 시간 간격」, 「중간 환상 이동 요소(40)와 주상 이동 요소(45) 사이의 강하 시간 간격」, 「중간 환상 이동 요소(40)와 다른 중간 환상 이동 요소(41) 사이의 강하 시간 간격」을 규정할 수 있다. 이 경우, 복수의 이동 요소(30)를 동시에 강하시키도록 하기 위해서는, 이것들의 강하 시간 간격의 1개 또는 2개 이상이 0으로 설정된다.In addition, in the peeling operation|movement of the level 1 of FIG. 21, "the number of times of conversion of the opening pressure at the time of main peeling" is reduced to 1 time (SSN1). When the semiconductor die 15 is easily peeled from the dicing sheet 12, even if the "number of times of conversion of the opening pressure at the time of main peeling" is one, the area inside the semiconductor die 15 is more than the periphery of the dicing sheet. (12) is sufficiently peeled off. Also, in Fig. 21, the tip faces 38a, 38b, 47 of the three moving elements 30 (peripheral annular moving element 31, intermediate annular moving element 40, columnar moving element 45) are simultaneously removed. It descends from the 1st position to the 2nd position or less, and "the number of moving elements to be descended at the same time" is increasing to three (DN1). When the semiconductor die 15 is easily peeled off from the dicing sheet 12 , even if the plurality of moving elements 30 are simultaneously lowered, the area inside the semiconductor die 15 is moved away from the dicing sheet 12 . peeled right off In addition, when the peripheral annular moving element 31 and the intermediate annular moving element 40 are simultaneously lowered and the columnar moving element 45 is lowered after the predetermined time, "the number of moving elements to be lowered simultaneously" is two. do. In addition, in the parameter table 160 of FIG. 19, two peeling parameters of "the number of moving elements to be descended simultaneously" and "descent time interval between moving elements" are prescribed, but instead of them, the above-mentioned "peripheral annular movement" “Descent time interval between element 31 and intermediate annular moving element 40”, “Descent time interval between intermediate annular moving element 40 and columnar moving element 45”, “intermediate annular moving element 40 and The descent time interval between the different intermediate annular moving elements 41" can be defined. In this case, in order to make the plurality of moving elements 30 descend simultaneously, one or two or more of these descending time intervals are set to zero.

또한, 도 21의 레벨 1의 박리 동작에서는, 「콜릿 대기 시간」(WT1)을 460ms로 하여, 짧게 하고 있다. 그리고, 도 21에서는, 「픽업 시간」(PT1)이 570ms로, 짧게 되어 있다.In addition, in the peeling operation|movement of the level 1 of FIG. 21, "collet waiting time" (WT1) is made into 460 ms, and it is shortening. In addition, in FIG. 21, the "pickup time" (PT1) is 570 ms, which is shortened.

이상에서 설명한 바와 같이, 레벨값에 따라 각 박리 파라미터의 파라미터값을 다르게 하고 있고, 즉, 박리 동작(픽업 동작)을 다르게 하고 있다. 1매의 웨이퍼 중의 박리하기 어려운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는 레벨 8에 가까운 레벨값을 대응시켜 박리 동작을 행함으로써, 픽업 시의 반도체 다이(15)의 파손이나 픽업 미스를 억제할 수 있다. 한편, 1매의 웨이퍼 중의 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이(15)에는 레벨 1에 가까운 레벨값을 대응시켜 박리 동작을 행함으로써, 픽업을 단시간에 행할 수 있다. 또한, 복수의 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값이라고 할 수 있다. 각 박리 파라미터의 파라미터값은 「픽업 조건」이라고 할 수 있고, 동종의 박리 파라미터(예를 들면 「초기 박리 시의 개구 압력의 변한 횟수」)의 레벨 1∼8의 파라미터값은 「복수의 픽업 조건」이다. 또한 도 19에 나타내는 박리 파라미터의 종류는 「픽업 조건의 종류」로 정의할 수 있다.As described above, the parameter value of each peeling parameter is different according to the level value, that is, the peeling operation (pickup operation) is made different. Breakage of the semiconductor die 15 at the time of pick-up and pick-up errors can be suppressed by performing a peeling operation|movement by making the level value close to level 8 correspond to the semiconductor die 15 in a position difficult to peel in one wafer. . On the other hand, by performing a peeling operation by making a level value close to level 1 correspond to the semiconductor die 15 in a position where it is easy to peel in one wafer, pickup can be performed in a short time. In addition, it can be said that a plurality of level values are values indicating the length of time required for pickup. The parameter value of each peeling parameter can be called "pickup condition", and the parameter values of levels 1 to 8 of the same kind of peeling parameter (for example, "number of times of change of opening pressure at the time of initial peeling") are "plural pickup conditions" "to be. In addition, the kind of peeling parameter shown in FIG. 19 can be defined as "the kind of pickup condition".

<레벨 테이블><level table>

다음에 레벨 테이블(159)에 대해 상세하게 설명한다. 도 22는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 식별 번호(다이 식별 번호, 개별 정보)의 설명도이며, 도 23은 레벨 테이블(159)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 22에 도시하는 바와 같이, 1매의 웨이퍼(11)의 각 반도체 다이(15)의 X 방향의 위치(X 좌표)와 Y 방향의 위치(Y 좌표)로 이루어지는 식별 번호가 각 반도체 다이(15)에 대응시켜져 있다. 예를 들면, 웨이퍼(11)의 가장 좌측 위에 있는 반도체 다이(15)는 X 방향의 위치가 「1」이고 Y 방향의 위치가 「9」이기 때문에, 식별 번호 「1-9」가 대응시켜져 있고, 마찬가지로, 그 반도체 다이(15)의 우측 옆의 반도체 다이(15)는 X 방향의 위치가 「1」이고 Y 방향의 위치가 「10」이기 때문에, 식별 번호 「1-10」이 대응시켜져 있다.Next, the level table 159 will be described in detail. 22 is an explanatory diagram of an identification number (die identification number, individual information) of each semiconductor die 15 of a single wafer, and FIG. 23 is a diagram showing an example of the level table 159 . As shown in FIG. 22 , an identification number consisting of a position in the X direction (X coordinate) and a position in the Y direction (Y coordinate) of each semiconductor die 15 of one wafer 11 is assigned to each semiconductor die 15 ) is associated with For example, since the semiconductor die 15 on the upper left of the wafer 11 has a position of "1" in the X direction and a position of "9" in the Y direction, identification numbers "1-9" are associated with each other. Similarly, in the semiconductor die 15 on the right side of the semiconductor die 15, the X-direction position is "1" and the Y-direction position is "10", so the identification number "1-10" corresponds to the corresponding time. turned on

도 23에 도시하는 바와 같이, 레벨 테이블(159)은 각 반도체 다이의 식별 번호(다이 식별 번호, 개별 정보)와, 레벨값을 대응시키고 있다. 즉, 레벨 테이블(159)은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이와, 박리 파라미터의 파라미터값(복수의 픽업 조건)의 식별자인 레벨값을 대응시키고 있다. 레벨 테이블(159)과 파라미터 테이블(160)에 의해, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에, 레벨값에 따른 박리 동작이 대응시켜져 있다. 레벨 테이블(159)과 파라미터 테이블(160)에 의해, 각종의 박리 파라미터에 있어서의 복수의 픽업 조건(레벨 1∼8의 파라미터값) 중 하나의 픽업 조건(파라미터값)과, 반도체 다이의 개별 정보(식별 정보)를 대응시킨 대응 정보가 정해져 있다.As shown in FIG. 23, the level table 159 associates the identification number (die identification number, individual information) of each semiconductor die, and the level value. That is, the level table 159 associates each semiconductor die in one wafer with the level value which is the identifier of the parameter value (plural pick-up conditions) of a peeling parameter. By the level table 159 and the parameter table 160, the peeling operation corresponding to the level value is associated with each semiconductor die 15 of one wafer. According to the level table 159 and the parameter table 160, one pickup condition (parameter value) among a plurality of pickup conditions (parameter values of levels 1 to 8) in various peeling parameters and individual information of the semiconductor die Corresponding information to which (identification information) is associated is determined.

도 24는, 도 23의 레벨 테이블(159)에 따라, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에, 각 반도체 다이(15)에 대응시켜진 레벨값에 따른 농담 또는 해칭을 넣은 도면이다. 전술한 바와 같이, 1매의 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 박리 용이도(박리하기 쉬움)가 서서히 높아지고 있는 경우가 있다. 그 경우에는, 도 24와 같이, 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 대응시키는 레벨값이 낮아지도록 한다(박리 동작을 간이화하여, 박리 동작에 요하는 시간이 짧아지도록 함). 도 24에서는, 최외주의 반도체 다이(15e)(좌상향 사선의 해칭이 넣어진 반도체 다이)에는 레벨 7을 대응시킬 수 있고 있어, 반도체 다이(15e)의 내주측의 반도체 다이(15d)(우상향 사선의 해칭이 넣어진 반도체 다이)에는 레벨 6이 대응시켜져 있고, 반도체 다이(15d)의 내주측의 반도체 다이(15c)(진한 그레이로 표시된 반도체 다이)에는 레벨 5, 반도체 다이(15c)의 내주측의 반도체 다이(15b)(연한 그레이로 표시된 반도체 다이)에는 레벨 4, 중심 부근의 반도체 다이(15a)(백색으로 표시된 반도체 다이)에는 레벨 3이 각각 대응시켜져 있다. 또한, 이하에 설명하는 도 25∼27, 30∼35에 있어서의, 각 반도체 다이(15) 또는 각 반도체 화상(후술)에 넣어진 도 24와 동일한 농담 또는 해칭은 도 24의 각 레벨값과 동일한 레벨값이 대응시켜져 있는 것을 의미하고 있다. 도 24와 같이, 박리하기 어려운 위치에 있는 반도체 다이(15)에 대해서는 충분히 박리를 촉진할 수 있는 박리 동작(높은 레벨값)을 적용함으로써, 픽업 시의 반도체 다이의 손상이나 픽업 미스를 억제할 수 있고, 박리하기 쉬운 위치에 있는 반도체 다이(15)에 대해서는 간이한 박리 동작(낮은 레벨값)을 적용하여 단시간의 픽업을 행할 수 있다. 복수의 웨이퍼에 있어서 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성은 동일한 경향을 나타내기 때문에, 도 23, 24와 같은 레벨 테이블(159)을 사용하여, 복수의 웨이퍼의 반도체 다이(15)를 연속하여 픽업한다.FIG. 24 is a diagram in which shading or hatching according to the level value associated with each semiconductor die 15 is added to each semiconductor die 15 of one wafer according to the level table 159 of FIG. 23 . As described above, the ease of peeling (easiness of peeling) may gradually increase from the semiconductor die 15 in the vicinity of the outer periphery to the semiconductor die 15 in the vicinity of the center in one wafer. In that case, as shown in Fig. 24, the corresponding level value is decreased from the semiconductor die 15 in the vicinity of the outer periphery to the semiconductor die 15 in the vicinity of the center (the peeling operation is simplified and the peeling operation is performed). to shorten the time required). In FIG. 24, level 7 can be made to correspond to the semiconductor die 15e of the outermost periphery (semiconductor die in which hatching of a left-upward diagonal line was put), and the semiconductor die 15d of the inner peripheral side of the semiconductor die 15e (upward-right). Level 6 is associated with the semiconductor die hatched with hatching, and level 5 and the semiconductor die 15c are associated with the semiconductor die 15c (semiconductor die indicated in dark gray) on the inner periphery side of the semiconductor die 15d. Level 4 is associated with the semiconductor die 15b (semiconductor die indicated in light gray) on the inner peripheral side, and level 3 is associated with the semiconductor die 15a (semiconductor die indicated in white) near the center. Incidentally, in Figs. 25 to 27 and 30 to 35 described below, the same shades or hatching as in Fig. 24 put in each semiconductor die 15 or each semiconductor image (to be described later) are the same as each level value in Fig. 24 . It means that the level values are matched. As shown in Fig. 24, by applying a peeling operation (a high level value) capable of sufficiently promoting peeling to the semiconductor die 15 in a position where it is difficult to peel, damage to the semiconductor die at the time of pickup or pickup error can be suppressed. In addition, a simple peeling operation (low level value) can be applied to the semiconductor die 15 in a position where it is easy to peel, and pickup can be performed in a short time. Since the peelability of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 in a plurality of wafers shows the same tendency, using the level table 159 as shown in Figs. The semiconductor die 15 is continuously picked up.

<설정 표시 화면><Settings display screen>

다음에 오퍼레이터 등이 레벨 테이블(159)의 생성이나 편집(갱신)을 행하기 위한 설정 표시 화면(460)에 대해 설명한다. 도 25∼27은 설정 표시 화면(460)의 일례를 나타내는 도면이다. 제어부(150)는 기억부(152)에 저장되어 있는 설정 표시 프로그램(156)을 실행함으로써, 표시부(450)(디스플레이)에 설정 표시 화면(460)을 표시하고, 레벨 테이블(159)의 읽어 내기, 생성, 갱신을 접수한다. 제어부(150)는 표시 제어 수단으로서 기능함으로써, 표시부(450)에 설정 표시 화면(460)을 표시한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 설정 표시 프로그램(156)을 실행함으로써, 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성의 자동 취득의 지시를 접수한다. 도 25에 도시하는 바와 같이, 설정 표시 화면(460)은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상(480)이며 다수의 반도체 다이 화상(482)으로 이루어지는 맵 화상(480)과, 각종 조작용의 버튼(468)으로 이루어지는 조작 버튼군(464)과, 「레벨 1」∼「레벨 8」의 각 버튼(466)으로 이루어지는 레벨값 버튼군(462)을 가지고 있다.Next, a setting display screen 460 for an operator or the like to create or edit (update) the level table 159 will be described. 25 to 27 are diagrams showing an example of the setting display screen 460 . The control unit 150 displays the setting display screen 460 on the display unit 450 (display) by executing the setting display program 156 stored in the storage unit 152 , and reads the level table 159 . , create, and receive updates. The control unit 150 functions as a display control means and displays the setting display screen 460 on the display unit 450 . Further, as will be described later, by executing the setting display program 156 , an instruction for automatically acquiring the peelability of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 on the wafer is received. As shown in Fig. 25, the setting display screen 460 is a map image 480 imitating each semiconductor die of one wafer, a map image 480 composed of a plurality of semiconductor die images 482, and various It has the operation button group 464 which consists of buttons 468 for operation, and the level value button group 462 which consists of each button 466 of "level 1" to "level 8".

도 23, 24와 같이 각 반도체 다이(15)에 레벨값이 이미 대응시켜져 있는 경우, 즉, 이미 레벨 테이블(159)이 생성된 경우에는, 오퍼레이터 등은 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에, 레벨 테이블(159)에 규정된 대응 관계를 표시할 수 있다. 구체적으로는, 오퍼레이터 등은, 마우스(입력부(410))에 의해, 도 25와 같이 설정 표시 화면(460)상에 있는 포인터(478)를 「읽어 내기」의 버튼(468)의 위치까지 이동하고, 그 버튼을 클릭(선택)한다. 그것에 의해, 레벨 테이블(159)에 규정된 대응 관계가 읽어 내지고, 그 대응 관계가 맵 화상(480)에 표시된다. 구체적으로는, 맵 화상(480)에 있어서, 각 반도체 다이(15)에 대응하는 반도체 다이 화상(482)의 각각, 각 반도체 다이(15)에 대응시켜진 레벨값에 따른 색이 넣어진다. 도 25에는, 도 23, 24에 나타내는 각 반도체 다이(15)와 레벨값과의 대응 관계를 가지는 레벨 테이블(159)이 읽어 내진 경우가 도시되어 있다. 이와 같이, 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣음으로써, 오퍼레이터 등은 각 위치에 있는 반도체 다이에 어느 레벨값이 대응시켜져 있는지를 용이하게 파악할 수 있다. 또한, 여기에서는, 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣는 것으로 했지만, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에, 레벨값에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이도록 해도 된다.23 and 24 , when a level value has already been associated with each semiconductor die 15 , that is, when a level table 159 has already been generated, the operator or the like displays the map image ( ) of the setting display screen 460 . In 480 , the correspondence defined in the level table 159 may be displayed. Specifically, the operator or the like moves the pointer 478 on the setting display screen 460 to the position of the button 468 of “Read” with a mouse (input unit 410) as shown in FIG. , click (select) the button. Thereby, the correspondence relationship prescribed|regulated to the level table 159 is read, and the correspondence relationship is displayed on the map image 480. FIG. Specifically, in the map image 480 , the semiconductor die image 482 corresponding to each semiconductor die 15 is colored according to the level value associated with each semiconductor die 15 . In FIG. 25, the case where the level table 159 which has the correspondence relationship between each semiconductor die 15 shown in FIGS. 23 and 24 and a level value is read is shown. In this way, by adding a color corresponding to a level value to each semiconductor die image 482, an operator or the like can easily grasp which level value is associated with the semiconductor die at each position. In addition, although it is assumed here that each semiconductor die image 482 is colored according to a level value, in each semiconductor die image 482 of the map image 480, a color, a pattern, a letter, a number and At least one of the symbols may be attached.

오퍼레이터 등은 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에 읽어 낸 레벨 테이블(159)을 편집할 수 있다. 이것에 대해서는, 레벨 테이블(159)을 신규로 생성하는 방법을 설명한 후에 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는, 포인터(478)의 이동이나 버튼의 선택에 마우스를 사용하는 것으로 하지만, 조이 스틱 등이 사용되어도 된다.An operator or the like can edit the level table 159 read out in the map image 480 of the setting display screen 460 . This will be described after a method for newly generating the level table 159 is described. Note that, in the present embodiment, a mouse is used to move the pointer 478 or to select a button, but a joystick or the like may be used.

도 26은 신규로 레벨 테이블(159)을 생성하는 경우의 설정 표시 화면(460)의 일례를 나타내는 도면이다. 오퍼레이터 등이 포인터(478)를 「신규 작성」의 버튼(468)으로 이동하고, 그 버튼(468)을 클릭함으로써, 설정 표시 화면(460)이 레벨 테이블(159)의 신규 작성의 화면으로 된다. 이때, 1매의 웨이퍼의 모든 반도체 다이(15)에 디폴트의 레벨값이 대응시켜진 임시 레벨 테이블(159)이 작성되고, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에는 디폴트의 레벨값에 대응한 색이 넣어진다. 도 26에서는, 디폴트의 레벨값은 레벨 3이며, 각 반도체 다이 화상(482)에는 레벨 3에 대응한 색(백색)이 넣어져 있다. 오퍼레이터 등은 이 상태로부터 각 반도체 다이 화상(482)에 원하는 레벨값을 대응시켜 감으로써, 각 반도체 다이 화상(482)에 대응하는 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켜 간다.26 is a diagram showing an example of the setting display screen 460 when the level table 159 is newly created. When the operator or the like moves the pointer 478 to the button 468 of “Create New” and clicks the button 468 , the setting display screen 460 becomes a screen for creating a new level table 159 . At this time, a temporary level table 159 in which default level values are associated with all the semiconductor dies 15 of one wafer is created, and default level values are displayed in each semiconductor die image 482 of the map image 480 . A color corresponding to In FIG. 26, the default level value is level 3, and a color (white) corresponding to level 3 is put in each semiconductor die image 482 . An operator or the like associates a desired level value with each semiconductor die image 482 from this state, thereby making the level value correspond to the semiconductor die 15 corresponding to each semiconductor die image 482 .

구체적으로는, 우선, 도 26과 같이 포인터(478)를 원하는 레벨값(도 26에서는 레벨 5)의 버튼(466)까지 이동시키고, 그 버튼(466)을 클릭함으로써 레벨값을 선택한다. 그리고, 도 27과 같이, 포인터(478)를, 선택한 레벨값을 대응시키고 싶은 반도체 다이 화상(482b)으로 이동시키고, 그 반도체 다이 화상(482b)을 클릭한다. 그것에 의해, 클릭된 반도체 다이 화상(482b)에 대응하는 반도체 다이에 선택한 레벨값이 대응시켜진다. 또한, 반도체 다이 화상(482b)에 선택한 레벨값에 따른 색이 넣어진다. 도 27에는, 3개의 반도체 다이 화상(482b)을 클릭함으로써, 그것들의 반도체 다이 화상(482b)에, 선택한 레벨 5에 따른 색이 넣어진 상태가 도시되어 있다. 오퍼레이터 등은, 이렇게 하여, 레벨값의 선택과, 선택한 레벨값을 대응시키는 반도체 다이 화상(반도체 다이)의 선택을 반복함으로써, 레벨 테이블(159)을 작성, 또는, 편집해 간다. 제어부(150)는 생성 수단으로서 기능하여, 이 레벨값의 선택과 반도체 다이 화상(반도체 다이)의 선택을 접수한다.Specifically, first, as shown in Fig. 26, the pointer 478 is moved to a button 466 of a desired level value (level 5 in Fig. 26), and the level value is selected by clicking the button 466. As shown in Figs. Then, as shown in Fig. 27, the pointer 478 is moved to the semiconductor die image 482b to which the selected level value is to be associated, and the semiconductor die image 482b is clicked. Thereby, the selected level value is associated with the semiconductor die corresponding to the clicked semiconductor die image 482b. In addition, a color according to the selected level value is added to the semiconductor die image 482b. Fig. 27 shows a state in which three semiconductor die images 482b are clicked, and the color corresponding to the selected level 5 is added to those semiconductor die images 482b. An operator or the like creates or edits the level table 159 by repeating selection of a level value and selection of a semiconductor die image (semiconductor die) corresponding to the selected level value in this way. The control unit 150 functions as a generation means and accepts selection of this level value and selection of a semiconductor die image (semiconductor die).

그리고, 레벨 테이블(159)의 작성, 또는 편집이 완료되면, 포인터(478)를 「덮어쓰기 보존」의 버튼(468)으로 이동시키고, 그 버튼(468)을 클릭(선택)함으로써, 레벨 테이블(159)의 작성(생성)이 종료된다. 제어부(150)는, 「덮어쓰기 보존」의 버튼(468)이 클릭되면, 생성 수단으로서 기능하여, 레벨 테이블(159)을 생성한다. 또한, 레벨 테이블(159)이 복수 존재하는 경우에는, 각 레벨 테이블(159)을 식별하기 위해, 레벨 테이블(159)에 파일명을 붙여 기억부(152)에 저장하고, 읽어 낼 때는 파일명을 지정하여 레벨 테이블(159)을 기억부(152)로부터 읽어 내는 형태를 생각할 수 있다. 이 형태의 경우에는, 포인터(478)에 의해 「다른 이름으로 저장」의 버튼(468)을 클릭하고, 입력부(410)의 키보드 등으로부터 파일명이 붙여지고, 레벨 테이블(159)이 기억부(152)에 저장된다. 또한, 이 경우에는, 제어부(150)는, 「다른 이름으로 저장」의 버튼(468)이 클릭되면, 생성 수단으로서 기능하여, 레벨 테이블(159)을 생성한다. 그리고, 전술한 「읽어 내기」의 버튼(468)이 포인터(478)에 의해 클릭되었을 때, 복수의 레벨 테이블(159) 속에서 읽어 내고 싶은 레벨 테이블(159)의 파일명을 지정함으로써, 원하는 레벨 테이블(159)이 설정 표시 화면(460)에 읽어 내지게 된다.Then, when the creation or editing of the level table 159 is completed, the pointer 478 is moved to the button 468 of "Save overwrite", and by clicking (selecting) the button 468, the level table ( 159) is completed. When the button 468 of "Save overwrite" is clicked, the control unit 150 functions as a generation means to generate the level table 159 . In addition, when there are a plurality of level tables 159, in order to identify each level table 159, a file name is attached to the level table 159 and stored in the storage unit 152, and when reading, the file name is specified and A form in which the level table 159 is read from the storage unit 152 is conceivable. In the case of this form, the button 468 of "save as" is clicked by the pointer 478, a file name is attached from the keyboard of the input unit 410 or the like, and the level table 159 is stored in the storage unit 152 ) is stored in Moreover, in this case, when the button 468 of "save as" is clicked, the control part 150 functions as a generation|generation means, and produces|generates the level table 159. As shown in FIG. And when the button 468 of the above-mentioned "read" is clicked with the pointer 478, a desired level table is designated by designating the file name of the level table 159 to be read from among the plurality of level tables 159. 159 is read on the setting display screen 460 .

전술한 도 25와 같이, 레벨 테이블(159)이 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에 읽어 내진 후, 레벨 테이블(159)을 편집(갱신)하는 경우도, 상기한 신규 작성의 경우와 동일한 방법으로 행해진다. 즉, 도 25에 있어서, 포인터(478)에 의해 원하는 레벨값의 버튼(466)을 클릭(선택)한 후, 선택한 레벨값으로 변경하고 싶은 반도체 다이 화상(482)(반도체 다이)을 포인터(478)에 의해 클릭한다. 그것에 의해, 클릭된 반도체 다이 화상(482)에 대응하는 반도체 다이(15)에, 선택한 레벨값이 대응시켜지고, 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따라 색이 넣어진다.25, after the level table 159 is read into the map image 480 of the setting display screen 460, when editing (updating) the level table 159, or in the case of the above-mentioned new creation as shown in FIG. is done in the same way as That is, in Fig. 25, after clicking (selecting) the button 466 of a desired level value by means of the pointer 478, the pointer 478 moves the semiconductor die image 482 (semiconductor die) to be changed to the selected level value. ) by clicking Thereby, the selected level value is associated with the semiconductor die 15 corresponding to the clicked semiconductor die image 482 , and the semiconductor die image 482 is colored according to the level value.

오퍼레이터 등은, 설정 표시 화면(460)에 레벨 테이블(159)을 읽어 낸 상태, 즉, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색이 넣어져 있는 상태에서, 도시하지 않은 픽업 실행의 버튼을 누름으로써, 반도체 다이(15)의 픽업을 스타트한다. 또한, 픽업 실행의 버튼은 화면상에 표시된 버튼을 입력부(410)의 마우스로 클릭하는 형태, 또는, 물리적으로 존재하는 버튼을 오퍼레이터 등이 손이나 손가락으로 누르는 형태일 수 있다. 픽업 실행의 버튼이 내리눌림으로써, 제어부(150)는 기억부(152)에 저장되어 있는 제어 프로그램(155)을 실행하고, 반도체 다이(15)의 픽업을 행한다. 이때, 각 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에 대하여, 설정 표시 화면(460)의 맵 화상(480)에 읽어 내어진 레벨 테이블(159)을 따라 박리 동작이 행해진다.The operator or the like shows the level table 159 on the setting display screen 460 in a state that reads the level table 159, that is, in a state in which each semiconductor die image 482 of the map image 480 is colored according to the level value. Pickup of the semiconductor die 15 is started by pushing the button of the pick-up execution which has not been carried out. In addition, the pickup execution button may be in the form of clicking a button displayed on the screen with a mouse of the input unit 410 or in a form in which an operator presses a physically existing button with a hand or a finger. When the pick-up execution button is depressed, the control unit 150 executes the control program 155 stored in the storage unit 152 and picks up the semiconductor die 15 . At this time, with respect to each semiconductor die 15 of each wafer, the peeling operation|movement is performed according to the level table 159 read out in the map image 480 of the setting display screen 460. As shown in FIG.

<1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이의 박리성의 취득><Acquisition of peelability of each semiconductor die in one wafer>

다음에 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 박리성의 취득에 대해 설명한다. 오퍼레이터 등은 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성(박리하기 쉬움, 또는 박리하기 어려움)을 파악함으로써, 각 반도체 다이(15)에 대하여 보다 정확한 레벨값을 대응시킬 수 있다. 그래서, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 웨이퍼의 각 반도체 다이의 위치에 따른 각 반도체 다이의 박리성을 자동으로 취득하는 것이 가능하게 되어 있다. 이하에, 각 반도체 다이(15)의 박리성의 자동 취득에 대해 상세하게 설명한다.Next, the acquisition of the peelability of each semiconductor die 15 of one wafer is demonstrated. An operator or the like grasps the peelability (easy to peel or difficult to peel) of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 on the wafer, so that a more accurate level value for each semiconductor die 15 can be matched. Then, the pick-up system 500 of the semiconductor die of this embodiment becomes possible to acquire automatically the peelability of each semiconductor die according to the position of each semiconductor die of a wafer. Below, automatic acquisition of the peelability of each semiconductor die 15 is demonstrated in detail.

<박리성의 검출 방법><Method for detecting peelability>

우선, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)이 행하는, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성의 검출 방법에 대해 설명한다. 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성은 유량 센서(106)가 검출하는 콜릿(18)의 흡인 공기 유량의 시간 변화(실제 유량 변화)로부터 검출할 수 있다.First, the detection method of the peelability from the dicing sheet 12 of the semiconductor die 15 performed by the pickup system 500 of a semiconductor die is demonstrated. The peelability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 can be detected from the time change (actual flow rate change) of the suction air flow rate of the collet 18 detected by the flow rate sensor 106 .

도 28은 초기 박리 시의 개구 압력과 유량 센서(106)가 검출하는 콜릿(18)의 공기 리크량(흡인 공기 유량)의 시간 변화를 나타내는 도면으로, t1, t2, t3, t4의 각 타이밍의 의미는 도 18에 도시한 그것들의 각 타이밍의 의미와 같다. 도 28의 공기 리크량의 그래프에 있어서의 실선(157)은 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호할 경우(박리 용이도가 대단히 높을 경우)에 있어서의 공기 리크량의 시간 변화인 기대 유량 변화(157)이며, 기대 유량 변화(157)는 미리 기억부(152)에 저장해 두는 것이다. 구체적으로는, 기억부(152)에 저장해 두는 기대 유량 변화(157)는 소정의 샘플링 주기에서 취득된 다수의 흡인 공기 유량의 집합이며, 다수의 이산적인 시각(t)에 대응시켜진 흡인 공기 유량일 수 있다. 도 28의 공기 리크량의 그래프에 있어서의 1점 쇄선(158a)과 2점 쇄선(158b)은 실제로 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 픽업할 때 검출되는 공기 리크량의 시간 변화인 실제 유량 변화(158)의 예이다. 실제 유량 변화(158)는 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다 기억부(152)에 저장된다. 구체적으로는, 기억부(152)에 저장되는 실제 유량 변화(158)는 기대 유량 변화(157)와 대비할 수 있는 형태이면 되고, 예를 들면, 기대 유량 변화(157)와 마찬가지로, 소정의 샘플링 주기에서 취득된 다수의 흡인 공기 유량의 집합이며, 다수의 이산적인 시각(t)에 대응시켜진 흡인 공기 유량일 수 있다. 또한, 실제 유량 변화를 「실제 유량 정보」라고 할 수 있고, 기대 유량 변화를 「기대 유량 정보」라고 할 수 있다.Fig. 28 is a diagram showing time changes in the amount of air leakage (suction air flow rate) of the collet 18 detected by the opening pressure and the flow rate sensor 106 at the time of the initial peeling, at the timings of t1, t2, t3, and t4. The meaning is the same as the meaning of their respective timings shown in FIG. 18 . A solid line 157 in the graph of the amount of air leakage in FIG. 28 indicates the amount of air leakage when the semiconductor die 15 is peeled from the dicing sheet 12 well (when the ease of peeling is very high). is an expected flow rate change 157 that is a time change of , and the expected flow rate change 157 is stored in the storage unit 152 in advance. Specifically, the expected flow rate change 157 stored in the storage unit 152 is a set of a plurality of suction air flow rates acquired at a predetermined sampling period, and the suction air flow rate associated with a plurality of discrete time points t. can be The dashed-dotted line 158a and the dashed-dotted line 158b in the graph of the amount of air leakage in FIG. 28 is a time change in the amount of air leakage detected when the semiconductor die 15 is actually picked up from the dicing sheet 12. is an example of an actual flow rate change 158 . The actual flow rate change 158 is stored in the storage 152 each time the semiconductor die 15 is picked up. Specifically, the actual flow rate change 158 stored in the storage unit 152 may be in a form that can be compared with the expected flow rate change 157, for example, similar to the expected flow rate change 157, a predetermined sampling period. It is a set of a plurality of suction air flow rates obtained at , and may be a suction air flow rate corresponding to a plurality of discrete time points t. Incidentally, the actual flow rate change may be referred to as “actual flow rate information”, and the expected flow rate change may be referred to as “expected flow rate information”.

반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리가 양호한 경우에는, 시각(t3)에 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작하면, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지지만(도 8 참조), 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 바로 되돌아온다(도 9 참조). 그 때문에, 도 28의 기대 유량 변화(157)와 같이, 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 증가하기 시작하지만, 바로 감소로 바뀐다(시각(tr_exp)에서 감소로 바뀜). 기대 유량 변화(157)에서는, 증가하는 공기 리크량도 적다.If the peeling of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 is good, when the opening pressure starts to change toward the first pressure P1 close to vacuum at time t3, the semiconductor die 15 While the perimeter is separated from the surface 18a of the collet 18 (see FIG. 8 ), the perimeter of the semiconductor die 15 returns directly to the surface 18a of the collet 18 (see FIG. 9 ). Therefore, like the expected flow rate change 157 in Fig. 28, the air leak amount starts to increase from the time t3, but immediately changes to a decrease (changes to a decrease at the time tr_exp). In the expected flow rate change 157, the amount of air leakage that increases is also small.

한편, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 나쁠 경우(박리 용이도가 낮을 경우)에는, 시각(t3)에 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작하면, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어지고, 어느 정도 시간이 지나고 나서, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아온다. 그 때문에, 도 28의 실제 유량 변화(158a)와 같이, 공기 리크량은 시각(t3)으로부터 증가하기 시작하고, 증가를 계속한 후, 시각(tr_exp)보다도 느린 시각(tr_rel)에서 감소로 바뀐다. 또한, 실제 유량 변화(158a)에서는 증가하는 공기 리크량이 많다.On the other hand, when the releasability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 is poor (when the ease of peeling is low), the opening pressure is close to a vacuum first pressure P 1 at time t3 . When the perimeter of the semiconductor die 15 begins to change toward the surface 18a of the collet 18, the periphery of the semiconductor die 15 is separated from the surface 18a of the collet 18, and after a certain time has passed, the perimeter of the semiconductor die 15 is the surface 18a of the collet 18. returns to Therefore, like the actual flow rate change 158a in Fig. 28, the air leak amount starts to increase from the time t3, continues to increase, and then changes to decrease at a time tr_rel later than the time tr_exp. In addition, in the actual flow rate change 158a, the amount of air leakage that increases is large.

또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 대단히 나쁠 경우(박리 용이도가 대단히 낮을 경우)에는, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 떨어진 후, 어느 정도 시간이 경과해도, 반도체 다이(15)의 주위가 콜릿(18)의 표면(18a)으로 되돌아오지 않는다. 그 때문에, 도 28의 실제 유량 변화(158b)와 같이, 개구 압력이 진공에 가까운 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t4)으로부터 소정 시간 경과한 시각(tc_end)에서도, 공기 리크량은 큰 상태 그대로이다.In addition, when the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 is very bad (when the ease of peeling is very low), the periphery of the semiconductor die 15 is the surface 18a of the collet 18 . Even after a certain amount of time has elapsed after separation from the semiconductor die 15 , the periphery of the semiconductor die 15 does not return to the surface 18a of the collet 18 . Therefore, like the actual flow rate change 158b in FIG. 28 , even at the time tc_end when a predetermined time has elapsed from the time t4 when the opening pressure reaches the first pressure P 1 close to vacuum, the air leak amount is It is in great condition.

이와 같이, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성이 나빠질수록, 실제 유량 변화(158)는 기대 유량 변화(157)로부터 괴리한다. 그래서, 실제 유량 변화(158)를 기대 유량 변화(157)와 비교하여, 실제 유량 변화(158)가 기대 유량 변화(157)에 유사해 있을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단한다. 또는, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관이 강할수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단한다. 본 실시형태에서는, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)를 비교하여, 그것들의 상관값을 구한다. 상관값은 0∼1.0의 값이며, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)가 완전히 일치할 때 1.0으로 하고, 0으로부터 1.0에 근접할수록 박리 용이도가 높다고 판단한다. 또한, 본 실시형태에서는, 상관값이 취하는 값의 범위를 0∼1.0으로 하지만, 그 이외이어도 되는 것은 말할 필요도 없다.In this way, as the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 deteriorates, the actual flow rate change 158 deviates from the expected flow rate change 157 . Therefore, comparing the actual flow rate change 158 with the expected flow rate change 157, the closer the actual flow rate change 158 to the expected flow rate change 157, the better the peelability (higher the ease of peeling). judge Alternatively, it is determined that the stronger the correlation between the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 is, the better the peelability (the higher the peelability). In the present embodiment, the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 are compared to obtain their correlation values. The correlation value is a value of 0 to 1.0, and it is set to 1.0 when the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 completely coincide, and it is determined that the peeling easiness is higher as it approaches from 0 to 1.0. In addition, in this embodiment, although the range of the value which a correlation value takes is 0-1.0, it goes without saying that other values may be used.

실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)를 비교하는 기간은, 예를 들면, 초기 박리의 기간의 일부인 도 28의 시각(t1)(콜릿(18)의 표면(18a)으로부터 공기를 흡인하기 시작한 시각)∼시각(tc_end)(최초에 개구 압력이 제1 압력(P1)에 도달한 시각(t4)으로부터 소정 시간 경과한 시각)으로 한다. 또는, 비교하는 기간은 초기 박리의 기간의 일부인 시각(t3(개구 압력이 제1 압력(P1)을 향하여 변화되기 시작한 시각)∼tc_end)의 기간이어도 된다. 또한, 비교하는 기간은 그 밖의 기간일 수도 있다.The period for comparing the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 is, for example, a portion of the initial peeling period at time t1 in FIG. 28 (air is drawn from the surface 18a of the collet 18). It is set as starting time) - time tc_end (time at which predetermined time has passed from the time t4 at which the opening pressure initially reached the 1st pressure P 1 ). Alternatively, the period for comparison may be a period of time t3 (the time when the opening pressure starts to change toward the first pressure P 1 ) to tc_end that is a part of the period of the initial peeling. In addition, the period of comparison may be other periods.

또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성으로서 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관값 이외를 구해도 된다. 예를 들면, 도 28의 시각(tc_end)에 있어서의 기대 유량 변화(157)의 값과, 동 시각에 있어서의 실제 유량 변화(158)의 값과의 차이가 작을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단해도 된다. 또한, 예를 들면, 기대 유량 변화(157)에 있어서의 공기 리크 유량이 증가로부터 감소로 바뀌는 타이밍인 시각(tr_exp)과, 실제 유량 변화(158)에 있어서의 공기 리크 유량이 증가로부터 감소로 바뀌는 타이밍인 시각(tr_rel)의 차가 작을수록, 박리 용이도가 높다고 판단해도 된다. 또한, 예를 들면, 도 28의 시각(t3) 이후에 검출되는 기대 유량 변화(157)의 공기 리크 유량의 최대값과, 동 시각 이후에 검출되는 실제 유량 변화(158)의 공기 리크 유량의 최대값과의 차가 작을수록, 박리 용이도가 높다고 판단해도 된다.In addition, as the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12, you may obtain|require anything other than the correlation value of the actual flow volume change 158 and the expected flow volume change 157. As shown in FIG. For example, the smaller the difference between the value of the expected flow rate change 157 at the time tc_end in Fig. 28 and the actual flow rate change 158 at the same time, the better the peelability (peelability). ease of use). Further, for example, the time tr_exp, which is the timing at which the air leak flow rate changes from increase to decrease in the expected flow rate change 157, and the air leak flow rate in the actual flow rate change 158 changes from increase to decrease You may judge that peeling easiness is high, so that the difference of the time tr_rel which is a timing is small. Moreover, for example, the maximum value of the air leak flow rate of the expected flow rate change 157 detected after time t3 of FIG. 28, and the maximum of the air leak flow rate of the actual flow volume change 158 detected after the same time. You may judge that peeling easiness is high, so that the difference with a value is small.

또한, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을, 기대 유량 변화(157)를 사용하지 않고 검출하는 것도 생각할 수 있다. 예를 들면, 도 28의 시각(tc_end)에 있어서의 실제 유량 변화(158)의 값이 작을수록, 박리성이 좋다(박리 용이도가 높다)고 판단해도 된다. 또한, 실제 유량 변화(158)에 기초하여 얻어진, 상기의 상관값, 또는 그것을 대신하는 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을 나타내는 지표값을 「평가값」이라고 해도 된다.It is also conceivable to detect the peelability of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 without using the expected flow rate change 157 . For example, the smaller the value of the actual flow rate change 158 at the time tc_end in FIG. 28 is, for example, it may be judged that the peelability is good (the ease of peeling is high). In addition, the above-mentioned correlation value obtained based on the actual flow rate change 158, or an index value indicating the peelability of the semiconductor die 15 replacing it from the dicing sheet 12 may be referred to as an "evaluation value". .

<박리성의 설정 표시 화면에의 표시><Display on the Peelability Setting Display Screen>

다음에 상기한 바와 같이 하여 검출되는 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리성을 설정 표시 화면(460)에 표시하는 방법에 대해 설명한다. 오퍼레이터 등은 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하고 싶을 경우에, 도 30과 같이, 포인터(478)에 의해 「자동 취득」의 버튼(468)을 클릭한다. 그것에 의해, 제어부(150)는 기억부(152)의 제어 프로그램(155)을 실행하고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 소정 레벨값의 박리 동작(픽업 동작)으로 픽업한다. 이때, 제어부(150)는 생성 수단으로서 기능하고, 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 실제 유량 변화(158)를 취득하고, 실제 유량 변화(158)와 기대 유량 변화(157)의 상관값을 구하고, 실제 유량 변화(158)와 상관값을 기억부(152)에 저장한다.Next, the method of displaying the peelability from the dicing sheet 12 of the semiconductor die 15 detected as mentioned above on the setting display screen 460 is demonstrated. When an operator or the like wants to grasp the peelability of each semiconductor die 15 at the position of each semiconductor die 15 of a single wafer, "automatic acquisition" is performed by the pointer 478 as shown in FIG. Click the button 468 of Thereby, the control unit 150 executes the control program 155 of the storage unit 152 and picks up each semiconductor die 15 of one wafer by a peeling operation (pickup operation) of a predetermined level value. At this time, the control unit 150 functions as a generating means, and each time the semiconductor die 15 is picked up, it acquires an actual flow rate change 158 , and a correlation value between the actual flow rate change 158 and the expected flow rate change 157 . , and stores the actual flow rate change 158 and the correlation value in the storage unit 152 .

그리고, 제어부(150)(생성 수단)는, 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 상관값을, 도 29에 도시하는 임계값 테이블(161)의 각 레벨값의 임계값(TH1, TH2)과 비교한다. 도 29는 임계값 테이블(161)의 일례이며, 임계값 테이블(161)은 미리 기억부(152)에 저장해 두는 테이블이고, 상관값에 기초하여 반도체 다이(15)에 대하여 어느 레벨값을 적용할 것인지를 결정하기 위한 테이블이다. 임계값 테이블(161)에는, 각 레벨값의 범위가 하측 임계값(TH1), 상측 임계값(TH2)으로 설정되어 있고, 낮은 레벨값일수록 큰 임계값(TH1, TH2)이 설정되어 있다. 예를 들면, 레벨 4의 범위는 0.81(하측 임계값(TH1))∼0.85(상측 임계값(TH2))이고, 레벨 1의 범위는 0.96(하측 임계값(TH1)) 이상이며, 레벨 8의 범위는 0.65(상측 임계값(TH2)) 이하이다. 제어부(150)(생성 수단)는 구해진 상관값이 어느 레벨값의 범위에 속해 있는지를 탐색하고, 상관값이 속하는 레벨값을 취득한다. 예를 들면, 구해진 상관값이 0.78이면, 레벨 5(범위: 0.76∼0.80)를 취득한다. 이렇게 하여, 제어부(150)는 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업할 때마다, 상관값이 속하는 레벨값을 임계값 테이블(161)로부터 취득한다. 그리고, 제어부(150)는 그 레벨값을 상관값이 구해진 반도체 다이(15)(다이 식별 번호)에 대응시켜 간다. 즉, 제어부(150)(생성 수단)는 레벨 테이블(159)을 작성해 간다. 그리고, 제어부(150)는 서서히 작성되어 가는 레벨 테이블(159)에 기초하여, 도 30에 도시하는 바와 같이, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣어 간다.And each time the control part 150 (generation means) picks up the semiconductor die 15, the correlation value is threshold value (TH1, TH2) of each level value of the threshold value table 161 shown in FIG. compare with 29 is an example of the threshold value table 161. The threshold value table 161 is a table stored in the storage unit 152 in advance, and based on the correlation value, which level value is applied to the semiconductor die 15 . It is a table for determining whether In the threshold value table 161, the range of each level value is set to the lower threshold value TH1 and the upper threshold value TH2, and the larger threshold values TH1 and TH2 are set as the level value is lower. For example, the range of level 4 is 0.81 (lower threshold value TH1) to 0.85 (upper threshold value TH2), and the range of level 1 is 0.96 (lower threshold value TH1) or more, and level 8 The range is below 0.65 (upper threshold TH2). The control unit 150 (generation means) searches to which level value range the obtained correlation value belongs, and acquires the level value to which the correlation value belongs. For example, if the obtained correlation value is 0.78, level 5 (range: 0.76 to 0.80) is obtained. In this way, whenever each semiconductor die 15 of a single wafer is picked up, the control part 150 acquires from the threshold value table 161 the level value to which a correlation value belongs. And the control part 150 makes the level value correspond to the semiconductor die 15 (die identification number) from which the correlation value was calculated|required. That is, the control unit 150 (generation means) creates the level table 159 . Then, based on the level table 159 that is created gradually, the control unit 150 adds a color corresponding to the level value to each semiconductor die image 482 of the map image 480 as shown in FIG. 30 . .

이와 같이, 각 반도체 다이(15)의 상관값(박리 용이도)의 크기를 레벨값으로 단계적으로 맵 화상(480)에 표시한다. 오퍼레이터 등은 도 30과 같은 맵 화상(480)을 보는 것으로, 어느 위치의 반도체 다이가 어느 정도의 박리 용이도를 가지고 있을지를 용이하게 파악할 수 있다. 또한 「자동 취득」의 버튼(468)을 클릭하는 것만으로 레벨 테이블(159)이 작성되므로, 이후의 복수매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 이 레벨 테이블(159)을 그대로 적용할 수도 있다. 또한, 오퍼레이터 등은 도 30과 같이 자동으로 각 반도체 다이(15)에 레벨값이 대응시켜진 레벨 테이블(159)을 편집할 수도 있다. 즉, 전술한 레벨 테이블(159)을 편집하는 경우와 마찬가지로, 도 30의 설정 표시 화면(460)에 있어서, 원하는 레벨값의 버튼(466)을 포인터(478)로 선택한 후, 맵 화상(480) 속의 레벨값을 변경하고 싶은 반도체 다이 화상(482)을 포인터(478)로 선택하면 된다. 또한, 여기에서는, 맵 화상(480)의 각 반도체 다이 화상(482)에 레벨값에 따른 색을 넣는 것으로 했지만, 각 반도체 다이 화상(482)에, 상관값(박리 용이도)의 크기에 따라 보다 미세하게 변화되는 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙이도록 해도 된다.In this way, the magnitude of the correlation value (easiness of peeling) of each semiconductor die 15 is displayed on the map image 480 step by step as a level value. By viewing the map image 480 as shown in FIG. 30 , an operator or the like can easily grasp the degree of peeling easiness of the semiconductor die at which position. In addition, since the level table 159 is created only by clicking the button 468 of "automatic acquisition", the level table 159 can be applied as it is when picking up each semiconductor die of a plurality of wafers thereafter. have. In addition, an operator or the like may edit the level table 159 in which level values are automatically associated with each semiconductor die 15 as shown in FIG. 30 . That is, as in the case of editing the level table 159 described above, on the setting display screen 460 of FIG. 30 , after selecting the button 466 of the desired level value with the pointer 478, the map image 480 What is necessary is just to select the semiconductor die image 482 whose level value is to be changed with the pointer 478. In addition, although it is assumed here that the color corresponding to the level value is put in each semiconductor die image 482 of the map image 480, it is more important to each semiconductor die image 482 according to the magnitude|size of a correlation value (peelability). At least one of a color, a shape, a letter, a number, and a symbol that is slightly changed may be attached.

또한, 본 실시형태의 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 오퍼레이터 등이 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 박리성을 상세하게 파악할 수 있는 구조를 가지고 있다. 도 31에 도시하는 바와 같이, 맵 화상(480)의 소정의 반도체 다이 화상(482c)에 포인터(478)를 이동시키면 말풍선(486)이 나타나고, 말풍선(486) 속에, 포인터(478)가 위치하고 있는 반도체 다이 화상(482c)에 대응하는 반도체 다이(15)의 실제 유량 변화의 파형과 상관값이 표시된다. 도 31에 나타내는 말풍선(486) 속에는, 실선으로 실제로 유량 변화가 표시되어 있는 것 외에, 파선으로 기대 유량 변화도 표시되어 있다. 이와 같이, 각 반도체 다이(15)의 실제 유량 변화와 상관값이 설정 표시 화면(460)에 표시되기 때문에, 오퍼레이터 등은 각 반도체 다이(15)의 박리성을 상세하게 알 수 있다. 또한, 맵 화상(480)에 있어서, 각 반도체 다이 화상(482)에, 각 반도체 다이 화상(482)에 대응한 각 반도체 다이(15)의 상관값을 붙이도록 해도 된다. 또는, 특정의 1개 또는 복수의 반도체 다이 화상(482)에 대응하는 반도체 다이(15)의 상관값을, 설정 표시 화면(460)상의 소정 위치에 표시하도록 해도 된다.Moreover, the semiconductor die pickup system 500 of this embodiment has a structure which can grasp|ascertain in detail the peelability of each semiconductor die 15 of one wafer, etc. by an operator. 31, when the pointer 478 is moved to a predetermined semiconductor die image 482c of the map image 480, a speech bubble 486 appears, and the pointer 478 is located in the speech bubble 486. The waveform and correlation value of the actual flow rate change of the semiconductor die 15 corresponding to the semiconductor die image 482c are displayed. In the speech bubble 486 shown in FIG. 31, the actual flow rate change is displayed with a solid line, and the expected flow rate change is also displayed with a broken line. In this way, since the actual flow rate change of each semiconductor die 15 and the correlation value are displayed on the setting display screen 460 , the operator or the like can know the peelability of each semiconductor die 15 in detail. Moreover, in the map image 480, you may make it attach the correlation value of each semiconductor die 15 corresponding to each semiconductor die image 482 to each semiconductor die image 482. Alternatively, the correlation value of the semiconductor die 15 corresponding to a specific one or a plurality of semiconductor die images 482 may be displayed at a predetermined position on the setting display screen 460 .

<작용 효과><action effect>

이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)와, 각종 박리 파라미터에 있어서의 복수의 픽업 조건(레벨 1∼8의 파라미터값) 중 하나의 픽업 조건(파라미터값)을 대응시킨 대응 정보(레벨 테이블(159) 및 파라미터 테이블(160))을 기억부(152)에 기억해 둔다. 그리고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업할 때, 그 대응 정보를 참조하여, 반도체 다이(15)마다 대응시켜진 박리 동작에 따라 반도체 다이(15)를 다이싱 시트(12)로부터 박리하여 픽업을 행한다. 그 때문에, 1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)에 적합한 박리 동작을 적용하여, 픽업을 행할 수 있다. 또한, 이상에서 설명한 반도체 다이의 픽업 시스템(500)에 의하면, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성을 파악할 수 있다.The semiconductor die pickup system 500 described above picks up each semiconductor die 15 in one wafer and picks up one of a plurality of pickup conditions (parameter values of levels 1 to 8) in various peeling parameters. Correspondence information (level table 159 and parameter table 160) associated with conditions (parameter values) is stored in the storage unit 152 . Then, when picking up each semiconductor die 15 of one wafer, the corresponding information is referred to, and the semiconductor die 15 is applied to the dicing sheet 12 according to the peeling operation associated with each semiconductor die 15 . It peels from and picks up. Therefore, a peeling operation suitable for each semiconductor die 15 in one wafer can be applied, and pickup can be performed. In addition, according to the semiconductor die pickup system 500 described above, it is possible to grasp the peelability of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 of one wafer.

<그 외><Others>

이상에서 설명한 실시형태에서는, 설정 표시 화면(460)은 레벨 테이블(159)의 작성이나 갱신 등을 행하기 위한 화면이었다. 그러나, 설정 표시 화면(460)에 있어서, 파라미터 테이블(160)(조건 테이블)의 각 파라미터값의 설정을 행할 수 있어도 된다. 예를 들면, 도 32에 도시하는 바와 같이, 파라미터값의 설정용의 윈도우(490)를 설정 표시 화면(460)에 표시시켜, 파라미터값의 설정을 행할 수 있도록 한다. 구체적으로는, 우선, 파라미터값을 설정하고 싶은 레벨값의 버튼(466)을 포인터(478)로 선택(클릭)하고, 그 후, 「상세 설정」의 버튼(470)을 포인터(478)로 클릭한다. 그것에 의해, 도 32와 같이 선택한 레벨값의 박리 파라미터의 파라미터값 설정용의 윈도우(490)가 나타난다. 그리고, 윈도우(490) 내의 변경, 또는, 새롭게 설정하고 싶은 파라미터값의 텍스트 박스(492)를 포인터(478)로 클릭하고, 입력부(410)의 키보드로부터 파라미터값을 입력한다. 그리고, 모든 파라미터값의 입력이 종료되면, 윈도우(490) 내의 「보존」의 버튼(472)을 포인터(478)로 클릭한다. 이것에 의해, 선택한 레벨값의 박리 파라미터의 파라미터값이 변경 또는 새롭게 설정된다. 이 파라미터값의 접수와, 「보존」의 버튼(472)이 클릭되는 것에 의한 파라미터 테이블(160)의 갱신, 또는, 생성은 제어부(150)가 생성 수단으로서 기능하여 행한다. 이와 같이, 설정 표시 화면(460)에 있어서 파라미터 테이블(160)의 각 파라미터값을 변경, 설정할 수 있으면, 각 레벨값의 박리 파라미터의 파라미터값을 대단히 간단하게 조정할 수 있다.In the embodiment described above, the setting display screen 460 is a screen for creating, updating, and the like of the level table 159 . However, in the setting display screen 460, each parameter value of the parameter table 160 (condition table) may be set. For example, as shown in Fig. 32, a window 490 for setting a parameter value is displayed on the setting display screen 460 so that the parameter value can be set. Specifically, first, the pointer 478 selects (clicks) the button 466 of the level value for which the parameter value is to be set, and then clicks the button 470 of the "detailed setting" with the pointer 478 do. Thereby, the window 490 for parameter value setting of the peeling parameter of the selected level value like FIG. 32 appears. Then, the pointer 478 clicks on the text box 492 of the parameter value to be changed or newly set in the window 490 , and the parameter value is inputted from the keyboard of the input unit 410 . Then, when the input of all parameter values is finished, a button 472 of &quot;save&quot; in the window 490 is clicked with the pointer 478 . Thereby, the parameter value of the peeling parameter of the selected level value is changed or newly set. The control unit 150 functions as a generating means to receive this parameter value, to update the parameter table 160 by clicking the "save" button 472, or to generate it. In this way, if each parameter value of the parameter table 160 can be changed and set in the setting display screen 460, the parameter value of the peeling parameter of each level value can be adjusted very simply.

또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 웨이퍼에 있어서의 외주 부근의 반도체 다이(15)로부터 중심 부근의 반도체 다이(15)를 향하여, 박리 용이도(박리하기 쉬움)가 서서히 높아지고 있는 경우를 예로 들어 설명을 행했다. 그러나, 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성의 패턴은 이외에도 여러 가지 있다. 반도체 다이(15)의 이면에는 DAF(다이 어태치먼트 필름)이라고 불리는 필름이 붙여지는 경우가 있다. DAF는 반도체 다이(15)의 이면에 붙은 상태에서 반도체 다이(15)와 함께 픽업된 후, 반도체 다이(15)가 기판에 다이본딩될 때, 반도체 다이(15)와 기판 사이의 접착제로서 기능한다. 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)에 붙여져 있는 상태에서는, 반도체 다이(15)와 다이싱 시트(12) 사이에 DAF가 존재한다. 반도체 다이(15)의 이면에 붙여진 DAF와 다이싱 시트(12)와의 박리성을 양호하게 하기 위해, 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)를 픽업하기 전에, 다이싱 시트(12)에 대하여 자외선이 조사되는 경우가 있다. 자외선을 조사하여 다이싱 시트(12)의 점착력을 저하시킨다. 이 자외선의 조사에 불균일이 생기는 경우가 있어, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따라 각 반도체 다이(15)의 박리성이 변화되는 경우가 있다. 이러한 요인에 의해, 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이(15)의 위치에 따른 각 반도체 다이(15)의 박리성은 여러 가지 패턴이 있고, 오퍼레이터 등은 그것을 파악하고, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이(15)에 적절한 레벨값을 대응시킨다. 예를 들면, 도 33과 같이 웨이퍼를 둘레 방향으로 2개 이상(도 33에서는 4개)으로 분할하여, 복수의 분할 부분의 각각에 속하는 반도체 다이(15a, 15b, 15c, 15d)에 다른 레벨값을 대응시키는 것을 생각할 수 있다. 또는, 예를 들면, 도 34와 같이 웨이퍼를 직경 방향으로 2개 이상(도 34에서는 6개)으로 분할하고, 복수의 분할 부분의 각각에 속하는 반도체 다이(15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f)에 상이한 레벨값을 대응시키는 것을 생각할 수 있다. 또는, 예를 들면, 도 35와 같이, 웨이퍼를 부분적으로 구분하여, 각 부분의 각각에 속하는 반도체 다이(15a, 15b, 15c, 15d)에 상이한 레벨값을 대응시키는 것을 생각할 수 있다.In addition, in the embodiment described above, the case where the ease of peeling (easiness of peeling) is gradually increasing from the semiconductor die 15 in the vicinity of the outer periphery to the semiconductor die 15 in the vicinity of the center in the wafer is described as an example. did However, there are various other patterns of peelability of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 in the wafer. A film called DAF (die attachment film) may be affixed on the back surface of the semiconductor die 15 . The DAF functions as an adhesive between the semiconductor die 15 and the substrate when the semiconductor die 15 is die-bonded to the substrate after being picked up together with the semiconductor die 15 in a state attached to the back surface of the semiconductor die 15 . . In the state where the semiconductor die 15 is pasted on the dicing sheet 12 , the DAF exists between the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 . In order to improve the peelability between the DAF pasted on the back surface of the semiconductor die 15 and the dicing sheet 12 , the dicing sheet 12 is irradiated with ultraviolet rays before each semiconductor die 15 of the wafer is picked up. there may be cases The adhesive force of the dicing sheet 12 is reduced by irradiating ultraviolet rays. Non-uniformity may arise in the irradiation of this ultraviolet-ray, and the peelability of each semiconductor die 15 may change according to the position of each semiconductor die 15 of one wafer. Due to these factors, the peelability of each semiconductor die 15 according to the position of each semiconductor die 15 in the wafer has various patterns, and the operator or the like grasps it, and each semiconductor die ( 15) corresponds to an appropriate level value. For example, the wafer is divided into two or more (four in FIG. 33) in the circumferential direction as shown in FIG. 33, and different level values are applied to the semiconductor dies 15a, 15b, 15c, and 15d belonging to each of the plurality of divided portions. can be considered to correspond to Alternatively, for example, the wafer is divided into two or more (6 in FIG. 34) in the radial direction as shown in FIG. 34, and the semiconductor dies 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, which belong to each of a plurality of divided parts; It is conceivable to associate different level values with 15f). Alternatively, for example, as shown in FIG. 35 , it is conceivable to partially divide the wafer and to associate different level values with the semiconductor dies 15a, 15b, 15c, and 15d belonging to each of the respective parts.

또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하기 위한 지표로서, 실제 유량 변화와 기대 유량 변화와의 상관값을 구했다. 상관값은 0∼1.0의 값을 취하고, 값이 커질수록 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 쉬운 것을 표시하고 있어, 박리 용이도이다. 한편, 1.0으로부터 상관값을 뺀 값(1.0-상관값)은 0∼1.0의 값을 취하고, 값이 커질수록 반도체 다이(15)가 다이싱 시트(12)로부터 박리되기 어려운 것을 표시하고 있어, 박리 곤란도이다. 반도체 다이(15)의 박리성을 파악하기 위한 지표로서, 상관값(박리 용이도) 대신에, 박리 곤란도를 사용할 수 있다. 이상에서 설명한 실시형태에서는, 상관값(박리 용이도)과, 상관값이 취하는 값의 범위(0∼1.0)를 전제로 한 도 29의 임계값 테이블(161)(낮은 레벨값일수록, 큰 임계값(TH1, TH2)이 설정된 테이블)을 사용하여, 각 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켰다. 그러나, 박리 곤란도(1.0-상관값)와, 박리 곤란도가 취하는 값의 범위(0∼1.0)를 전제로 한 임계값 테이블(161)(낮은 레벨값일수록, 작은 임계값(TH1, TH2)이 설정된 테이블)을 사용하여, 각 반도체 다이(15)에 레벨값을 대응시켜도 된다. 또한, 박리 용이도, 또는 박리 곤란도를 박리도라고 할 수도 있다.In addition, in embodiment demonstrated above, the correlation value of the change in actual flow rate and expected flow rate change was calculated|required as an index|index for grasping|ascertaining the peelability of the semiconductor die 15. As shown in FIG. The correlation value takes a value of 0 to 1.0, and the larger the value, the easier it is to peel the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12, which is the ease of peeling. On the other hand, the value obtained by subtracting the correlation value from 1.0 (1.0-correlation value) takes a value of 0 to 1.0, indicating that the semiconductor die 15 is more difficult to peel from the dicing sheet 12 as the value increases. it is difficult As an index for grasping the peelability of the semiconductor die 15 , the degree of peeling difficulty can be used instead of the correlation value (ease of peeling). In the embodiment described above, the correlation value (easiness of peeling) and the threshold value table 161 of Fig. 29 on the assumption that the correlation value is in the range (0 to 1.0) (the lower the level value, the larger the threshold value) (Table in which TH1, TH2) is set), the level value was made to correspond to each semiconductor die 15. As shown in FIG. However, the threshold value table 161 premised on the peeling difficulty (1.0-correlation value) and the range of values taken by the peeling difficulty level (0 to 1.0) (the lower the level value, the smaller the threshold values TH1, TH2) Using this set table), you may make each semiconductor die 15 correspond to a level value. In addition, peeling ease or peeling difficulty can also be called peeling degree.

또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 상관값을 구하기 위한 기대 유량 변화(157)와 실제 유량 변화(158)를 대비하는 기간은 초기 박리에 있어서의 소정의 기간이었다. 그러나, 기대 유량 변화(157)와 실제 유량 변화(158)를 대비하는 기간은 초기 박리의 전체 기간, 또는 본 박리의 전체 기간, 또는 본 박리에 있어서의 소정의 기간, 또는 초기 박리와 본 박리를 합친 기간이어도 된다. 기대 유량 변화(157)는 실제 유량 변화(158)와 대비되는 기간만큼, 미리 기억부(152)에 저장해 둔다.In addition, in the embodiment described above, the period in which the expected flow rate change 157 for obtaining a correlation value and the actual flow rate change 158 were compared was a predetermined period in the initial peeling. However, the period that contrasts the expected flow rate change 157 with the actual flow rate change 158 is the entire period of initial peeling, or the entire period of main peeling, or a predetermined period of time in main peeling, or between initial peeling and main peeling. A combined period may be sufficient. The expected flow rate change 157 is stored in the storage unit 152 in advance for a period in contrast to the actual flow rate change 158 .

또한, 이상에서 설명한 박리 동작에서는, 초기 박리 시 및 본 박리 시에, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)에 유지했다. 그러나, 초기 박리 시, 또는 본 박리 시, 또는 초기 박리 시 및 본 박리 시에, 흡착 압력을 진공에 가까운 제3 압력(P3)과 대기압에 가까운 제4 압력(P4)의 사이에서 1회 또는 복수회 변환하도록 해도 된다. 즉, 파라미터 테이블(160)의 박리 파라미터의 하나로서, 스테이지(20)의 흡착면(22)의 흡착 압력을 제3 압력(P3)과 제4 압력(P4)의 사이에서 변환하는 횟수인 「흡착 압력의 변환 횟수」가 마련되어도 된다. 파라미터 테이블(160)에 있어서, 레벨값이 높아질수록, 「흡착 압력의 변환 횟수」가 많아지도록 파라미터값을 설정해 둔다. 박리성이 나쁜 반도체 다이(15)에는 높은 레벨값을 대응시켜, 「흡착 압력의 변환 횟수」가 많아지도록 하고, 반도체 다이(15)의 다이싱 시트(12)로부터의 박리를 촉진시킨다.In addition, in the peeling operation demonstrated above, the adsorption|suction pressure of the adsorption|suction surface 22 of the stage 20 was maintained at the 3rd pressure P 3 close to vacuum at the time of initial peeling and the time of main peeling. However, at the time of initial peeling, or at the time of main peeling, or at the time of initial peeling and main peeling, the adsorption pressure is set once between the third pressure P 3 close to vacuum and the fourth pressure P 4 close to atmospheric pressure. Or you may make it convert multiple times. That is, as one of the peeling parameters of the parameter table 160 , the number of times the adsorption pressure of the adsorption surface 22 of the stage 20 is converted between the third pressure P 3 and the fourth pressure P 4 . A "number of times of conversion of the adsorption pressure" may be provided. In the parameter table 160, the parameter value is set so that "the number of times of conversion of adsorption|suction pressure" increases, so that a level value becomes high. A high level value is made to correspond to the semiconductor die 15 with poor peelability, and "the number of times of conversion of an adsorption|suction pressure" is made to increase, and peeling of the semiconductor die 15 from the dicing sheet 12 is accelerated|stimulated.

또한, 이상에서 설명한 실시형태에서는, 도 36에 도시하는 바와 같이, 1개의 제어부(150)가 픽업 제어 수단(600), 생성 수단(602), 및 표시 제어 수단(604)으로서 기능했다. 그러나, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)이 2개 이상의 제어부(150)를 구비하고, 예를 들면, 1개의 제어부(150)가 픽업 제어 수단(600)으로서 기능하고, 다른 제어부(150)가 생성 수단(602) 및 표시 제어 수단(604)으로서 기능해도 된다.In addition, in the embodiment described above, as shown in FIG. 36 , one control unit 150 functioned as the pickup control unit 600 , the generation unit 602 , and the display control unit 604 . However, the semiconductor die pickup system 500 has two or more control units 150, for example, one control unit 150 functions as the pickup control means 600, and the other control unit 150 generates It may function as the means 602 and the display control means 604 .

반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 반도체 다이의 픽업 장치라고 할 수도 있다. 또한, 반도체 다이의 픽업 시스템(500)은 본딩 장치(본더, 본딩 시스템), 또는 다이본딩 장치(다이 본더, 다이본딩 시스템)의 일부일 수 있고, 그것들의 명칭으로 부를 수도 있다.The semiconductor die pickup system 500 may be referred to as a semiconductor die pickup device. Also, the pickup system 500 of the semiconductor die may be a part of a bonding apparatus (bonder, bonding system), or a die bonding apparatus (die bonder, die bonding system), and may be called by their names.

<부기><bookkeeping>

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 실시형태에 조금도 한정되는 것은 아니고, 본 발명 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 다양한 형태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited at all to this embodiment, It goes without saying that it can implement in various forms within the range which does not deviate from the summary of this invention.

10 웨이퍼 홀더, 11 웨이퍼, 12 다이싱 시트, 12a 표면, 12b 이면, 13 링, 14 간극, 15, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f 반도체 다이, 16 익스팬드 링, 17 링 누름부, 18 콜릿, 18a 표면, 19 흡인 구멍, 20 스테이지, 22 흡착면, 23 개구, 23a 내면, 24 기체부, 26 홈, 27 흡착 구멍, 30 이동 요소, 31 주변 환상 이동 요소, 33 외주면, 38a, 38b, 47 선단면, 40, 41 중간 환상 이동 요소, 45 주상 이동 요소, 80 개구 압력 변환 기구, 81, 91, 101 3방향 밸브, 82, 92, 102 구동부, 83-85, 93-95, 103-105 배관, 90 흡착 압력 변환 기구, 100 흡인 기구, 106 유량 센서, 110 웨이퍼 홀더 수평 방향 구동부, 120 스테이지 상하 방향 구동부, 130 콜릿 구동부, 140 진공 장치, 150 제어부, 151 CPU, 152 기억부, 153 기기·센서 인터페이스, 154 데이터 버스, 155 제어 프로그램, 156 설정 표시 프로그램, 157 기대 유량 변화, 158, 158a, 158b 실제 유량 변화, 159 레벨 테이블, 160 파라미터 테이블, 161 임계값 테이블, 300 단차면 형성 기구, 400 단차면 형성 기구 구동부, 410 입력부, 450 표시부, 460 설정 표시 화면, 462 레벨값 버튼군, 464 조작 버튼군, 466, 468, 470, 472 버튼, 478 포인터, 480 맵 화상, 482, 482a, 482b, 482c 반도체 다이 화상, 486 말풍선, 490 윈도우, 492 텍스트 박스, 500 반도체 다이의 픽업 시스템, 600 픽업 제어 수단(제어 수단), 602 생성 수단, 604 표시 제어 수단.10 wafer holder, 11 wafer, 12 dicing sheet, 12a surface, 12b back surface, 13 ring, 14 gap, 15, 15a, 15b, 15c, 15d, 15e, 15f semiconductor die, 16 expand ring, 17 ring press, 18 collet, 18a surface, 19 suction hole, 20 stage, 22 suction surface, 23 opening, 23a inner surface, 24 gas part, 26 groove, 27 suction hole, 30 moving element, 31 peripheral annular moving element, 33 outer peripheral surface, 38a, 38b , 47 end face, 40, 41 intermediate annular moving element, 45 columnar moving element, 80 opening pressure converting mechanism, 81, 91, 101 3-way valve, 82, 92, 102 Actuating part, 83-85, 93-95, 103- 105 piping, 90 suction pressure conversion mechanism, 100 suction mechanism, 106 flow sensor, 110 wafer holder horizontal drive unit, 120 stage vertical drive unit, 130 collet drive unit, 140 vacuum device, 150 control unit, 151 CPU, 152 storage unit, 153 devices Sensor interface, 154 data bus, 155 control program, 156 setting display program, 157 expected flow change, 158, 158a, 158b actual flow change, 159 level table, 160 parameter table, 161 threshold value table, 300 step forming mechanism, 400 Step surface forming mechanism drive unit, 410 input unit, 450 display unit, 460 setting display screen, 462 level value button group, 464 operation button group, 466, 468, 470, 472 button, 478 pointer, 480 map image, 482, 482a, 482b , 482c semiconductor die image, 486 speech bubble, 490 windows, 492 text box, 500 semiconductor die pickup system, 600 pickup control means (control means), 602 generating means, 604 display control means.

Claims (14)

삭제delete 웨이퍼를 다이싱한 반도체 다이를 다이싱 시트로부터 박리하여 픽업하는 픽업 시스템으로서,
반도체 다이를 흡착하는 콜릿과,
상기 콜릿에 접속되어, 상기 콜릿의 표면으로부터 공기를 흡인하는 흡인 기구와,
상기 흡인 기구의 흡인 공기 유량을 검출하는 유량 센서와,
상기 다이싱 시트로부터 반도체 다이를 픽업하기 위한 픽업 조건에 기초하여, 픽업 동작을 제어하는 제어 수단과,
반도체 다이를 픽업할 때, 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 실제 유량 정보를 취득하는 취득 수단과,
취득한 실제 유량 정보에 기초하여, 복수의 상기 픽업 조건 중 어느 하나의 상기 픽업 조건과, 반도체 다이의 개별 정보를 대응시킨 대응 정보를 생성하는 생성 수단을 구비하고,
상기 제어 수단은
반도체 다이를 픽업할 때, 반도체 다이마다 대응시켜진 상기 대응 정보에 따라 반도체 다이를 상기 다이싱 시트로부터 픽업하는 제어를 행하고,
상기 생성 수단은
1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이와, 복수의 상기 픽업 조건의 식별자인 레벨값을 대응시킨 레벨 테이블과,
복수의 상기 레벨값 중 어느 하나와, 상기 픽업 조건 중 어느 하나를 대응시킨 조건 테이블을 생성하고,
상기 대응 정보는 상기 레벨 테이블 및 상기 조건 테이블에 의해 정해지는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.A pickup system for picking up a semiconductor die dicing a wafer by peeling it from a dicing sheet, the pickup system comprising:
A collet for adsorbing a semiconductor die;
a suction mechanism connected to the collet and sucking air from the surface of the collet;
a flow rate sensor for detecting a suction air flow rate of the suction mechanism;
control means for controlling a pick-up operation based on a pick-up condition for picking up a semiconductor die from the dicing sheet;
acquisition means for acquiring actual flow rate information indicating a temporal change of the suction air flow rate detected by the flow rate sensor when picking up the semiconductor die;
generating means for generating, based on the acquired actual flow rate information, corresponding information in which the pickup condition of any one of the plurality of pickup conditions and the individual information of the semiconductor die are associated;
the control means
When picking up the semiconductor die, control is performed to pick up the semiconductor die from the dicing sheet according to the correspondence information associated with each semiconductor die;
The means for generating
a level table in which each semiconductor die in one wafer is associated with a level value that is an identifier of a plurality of the pickup conditions;
generating a condition table in which any one of a plurality of the level values and any one of the pickup conditions is matched,
The pickup system for a semiconductor die, wherein the correspondence information is determined by the level table and the condition table. 제2항에 있어서,
복수의 상기 레벨값은 픽업에 요하는 시간의 장단을 나타내는 값인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.3. The method of claim 2,
A pickup system for a semiconductor die, characterized in that the plurality of level values are values indicating the length of time required for pickup. 제2항 또는 제3항에 있어서,
화면을 표시하는 표시부와,
표시 제어 수단을 갖추고,
상기 표시 제어 수단은
상기 표시부에, 1매의 웨이퍼의 각 반도체 다이를 모방한 맵 화상을 표시하고,
상기 맵 화상에서, 상기 레벨값이 대응시켜진 반도체 다이에 대응하는 반도체 다이 화상에, 레벨값에 따른 색, 모양, 문자, 숫자 및 기호 중 적어도 1개를 붙인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.4. The method of claim 2 or 3,
a display unit for displaying a screen;
equipped with display control means;
The display control means
a map image imitating each semiconductor die of one wafer is displayed on the display unit;
In the map image, at least one of a color, a shape, a letter, a number and a symbol according to the level value is attached to a semiconductor die image corresponding to the semiconductor die to which the level value is associated. . 제4항에 있어서,
정보를 입력하는 입력부를 갖추고,
상기 생성 수단은,
상기 입력부로부터, 상기 맵 화상상의 1개 또는 복수의 반도체 다이 화상의 선택과, 복수의 상기 레벨값 중에서 1개의 레벨값의 선택을 접수하고,
선택된 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이에, 선택된 레벨값을 대응시켜, 상기 레벨 테이블을 생성, 또는 갱신하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.5. The method of claim 4,
having an input unit for inputting information;
The means for generating
receiving, from the input unit, selection of one or a plurality of semiconductor die images on the map image and selection of one level value from among the plurality of level values;
A semiconductor die pickup system, characterized in that the level table is generated or updated by making the selected level value correspond to the semiconductor die corresponding to the selected semiconductor die image. 제4항에 있어서,
반도체 다이의 상기 다이싱 시트로부터의 박리가 양호한 경우에 있어서의, 당해 반도체 다이의 픽업 시의 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 기대 유량 정보를 기억한 기억부를 갖추고,
상기 취득 수단은
1매의 웨이퍼에 있어서의 각 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 유량 센서가 검출하는 상기 흡인 공기 유량의 시간 변화를 나타내는 실제 유량 정보를 취득하고,
상기 생성 수단은
복수의 반도체 다이의 각각의 상기 실제 유량 정보와 상기 기대 유량 정보와의 상관값을 구하고,
복수의 상기 상관값의 각각에 기초하여, 복수의 반도체 다이의 각각에 상기 레벨값을 대응시켜, 상기 레벨 테이블을 생성, 또는 갱신하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.5. The method of claim 4,
A storage unit for storing expected flow rate information indicating a temporal change in the suction air flow rate detected by the flow rate sensor at the time of pickup of the semiconductor die when the semiconductor die is well peeled from the dicing sheet;
The acquisition means
When picking up each semiconductor die in one wafer, the actual flow rate information indicating the temporal change of the suction air flow rate detected by the flow sensor is acquired;
The means for generating
obtaining a correlation value between the actual flow rate information and the expected flow rate information of each of a plurality of semiconductor dies;
The semiconductor die pickup system according to claim 1, wherein the level table is generated or updated by making the level value correspond to each of the plurality of semiconductor dies based on each of the plurality of correlation values. 제6항에 있어서,
상기 표시 제어 수단은,
상기 표시부의 상기 맵 화상에서, 각 반도체 다이 화상 또는 각 반도체 다이 화상의 근방에, 각 반도체 다이 화상에 대응한 각 반도체 다이의 상기 상관값을 표시하거나, 또는,
상기 표시부에서, 특정 반도체 다이 화상에 대응하는 반도체 다이의 상기 상관값을 화면상의 소정 위치에 표시하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.7. The method of claim 6,
The display control means,
In the map image of the display unit, each semiconductor die image or in the vicinity of each semiconductor die image, the correlation value of each semiconductor die corresponding to each semiconductor die image is displayed; or
The semiconductor die pickup system, wherein the display unit displays the correlation value of the semiconductor die corresponding to a specific semiconductor die image at a predetermined position on the screen. 제3항에 있어서,
상기 레벨 테이블에서, 1매의 웨이퍼의 외주측으로부터 내주측을 향함에 따라, 각 반도체 다이에, 보다 픽업에 요하는 시간이 짧은 레벨값이 대응시켜져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.4. The method of claim 3,
A semiconductor die pickup system, characterized in that, in the level table, a level value with a shorter time required for pickup is associated with each semiconductor die from the outer peripheral side to the inner peripheral side of one wafer. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 다이싱 시트의 이면을 흡착하는 흡착면을 포함하는 스테이지와,
상기 스테이지의 상기 흡착면에 설치된 개구의 개구 압력을 진공에 가까운 제1 압력과 대기압에 가까운 제2 압력의 사이에서 변환하는 개구 압력 변환 기구를 갖추고,
상기 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 사이에서 변환하는 제어를 행하고,
상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력과 상기 제2 압력의 사이에서 변환하는 변환 횟수를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.4. The method of claim 2 or 3,
a stage including an adsorption surface for adsorbing the back surface of the dicing sheet;
an opening pressure converting mechanism for converting an opening pressure of an opening provided on the adsorption surface of the stage between a first pressure close to vacuum and a second pressure close to atmospheric pressure;
When the semiconductor die is picked up, the control means controls to convert the opening pressure between the first pressure and the second pressure;
The pick-up system of the semiconductor die characterized by including the conversion frequency|count for converting the said opening pressure between the said 1st pressure and the said 2nd pressure in the kind of the said pick-up condition. 제9항에 있어서,
상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 개구 압력을 상기 제1 압력에 유지하는 유지 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.10. The method of claim 9,
The pick-up system for a semiconductor die, wherein the type of the pick-up condition includes a holding time for maintaining the opening pressure at the first pressure. 제9항에 있어서,
상기 개구의 속에 배치되고, 선단면이 상기 흡착면보다 높은 제1 위치와 상기 제1 위치보다 낮은 제2 위치의 사이에서 이동하는 복수의 이동 요소를 포함하고, 상기 흡착면에 대한 단차면을 형성하는 단차면 형성 기구를 갖추고,
상기 제어 수단은, 반도체 다이를 픽업할 때, 복수의 상기 이동 요소의 각각을 소정 시간의 간격으로 차례로, 또는 소정의 상기 이동 요소의 조합으로 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 제어를 행하고,
상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 소정 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.10. The method of claim 9,
a plurality of moving elements disposed in the opening and moving between a first position having a tip surface higher than the suction surface and a second position lower than the first position, forming a stepped surface with respect to the suction surface Equipped with a stepped surface forming mechanism,
The control means controls, when picking up the semiconductor die, for moving each of a plurality of the moving elements from the first position to the second position at the same time at intervals of a predetermined time, or at the same time with a combination of the moving elements. do,
The pick-up system of the semiconductor die characterized by including the said predetermined time in the kind of the said pick-up condition. 제11항에 있어서,
상기 픽업 조건의 종류에는, 동시에 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 상기 이동 요소의 수를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.12. The method of claim 11,
and the type of the pick-up condition includes the number of the moving elements simultaneously moving from the first position to the second position. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 픽업 조건의 종류에는, 상기 콜릿이 반도체 다이에 착지하고 나서 그 들어올림을 개시할 때까지의 대기 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 픽업 시스템.4. The method of claim 2 or 3,
The pick-up system for a semiconductor die, wherein the type of the pick-up condition includes a waiting time from when the collet lands on the semiconductor die until starting lifting thereof. 삭제delete
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