TWI744890B - 混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置 - Google Patents

混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI744890B
TWI744890B TW109114821A TW109114821A TWI744890B TW I744890 B TWI744890 B TW I744890B TW 109114821 A TW109114821 A TW 109114821A TW 109114821 A TW109114821 A TW 109114821A TW I744890 B TWI744890 B TW I744890B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mask
strip
unit mask
single unit
welding
Prior art date
Application number
TW109114821A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202044579A (zh
Inventor
金正鎬
Original Assignee
南韓商Ｋｐｓ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Ｋｐｓ股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｋｐｓ股份有限公司
Publication of TW202044579A publication Critical patent/TW202044579A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI744890B publication Critical patent/TWI744890B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明公開了混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置。本發明的一實施例的一種混合掩模版條，其特徵在於，包括：結構用掩膜版條，以第一方向形成多個開口部，並且配置有沿着所述開口部的周圍配置的第一接合區域和包括所述第一接合區域的一端部且區劃各個所述開口部的肋條，在所述第一方向的兩端部配置拉伸固定部，以在施加拉伸力的狀態下彼此獨立地配置在框架；及單體單位掩膜版，具有沉積區域和第二接合區域，所述沉積區域與所述開口部相對應，所述第二接合區域沿着所述沉積區域的周圍配置且與所述第一接合區域接合。

Description

混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置
本發明涉及混合掩模版條及其製造方法、包括混合掩模版條的掩模版組件及利用此的有機發光顯示裝置，更詳細地說涉及用於在TFT玻璃上沉積沉積物質的混合掩模版條及其製造方法、包括混合掩模版條的掩模版組件及利用此的有機發光顯示裝置。
在顯示裝置中，有機發光顯示裝置（Organic Light Emitting Device, OLED）視角廣並且對比度（contrast）優秀，不僅如此還具有響應速度快的優點。據此，正在傾向於逐漸擴大有機發光顯示裝置（OLED）的使用區域的趨勢。
這種有機發光顯示裝置（OLED）的電極和包括發光層的中間層可通過各種方法形成，其中之一的方法就是沉積法（deposition）。
在中小型有機發光顯示裝置（OLED）產品中的高分辨率有機發光顯示裝置（OLED）的最大製造難關是有機物沉積工藝（deposition），該有機物沉積工藝在有機發光顯示裝置（OLED）製造工藝中是製造RGB像素的核心。對齊精細金屬掩膜版（Fine Metal Mask；以下，簡稱為掩膜版）的位置，沉積的薄膜的原材料形成所需圖案的薄膜，其中精細金屬掩膜版具有與在TFT玻璃上待形成的薄膜等的圖案相同的圖案。這種沉積工藝採取了如下的沉積方法：在位於腔室（chamber）下部的沉積源中加熱有機物，升華加熱的有機物，使該有機物通過位於上部的掩膜版沉積在TFT玻璃。
為了在TFT玻璃形成所需的沉積圖案，將掩膜版和TFT玻璃無間隙地緊貼非常重要。為此，應嚴格再現使掩膜版上的沉積物質通過的多個孔之間的位置精確度進行固定。目前，掩膜版的厚度為5㎛~30㎛，非常薄，若在不拉伸掩膜版進行固定，則出現重力方向的下沉，因此難以精確地再現孔的位置。結果，在沉積工藝中與TFT玻璃形成間隔，最終出現混色不良。
據此，為保持TFT玻璃平整度，需對掩膜版施加拉伸力，將掩膜版拉緊繃，處於保持彈力的狀態。為了使掩膜版保持緊繃，在掩膜版的邊緣位置添加用於拉伸的羽翼件，用可施加拉伸力的夾具夾住羽翼件部分拉伸掩膜版。對齊掩膜版的孔的位置，以與在TFT玻璃上待形成的薄膜等的圖案一致，之後焊接框架與掩膜版邊緣的重疊部分來製作掩模版組件。
在有源矩陣有機發光顯示裝置（Active Matrix OLED，AMOLED）面板的情況下，大小已到用於批量生產的第六代的一半，但是第七代、第八代的大面積化是不可避免的。這是因為只有實現這種大面積化，才能通過多面取製造同時製造大型AMOLED面板。
最近，在各種電子機器中要求大面積的高分辨率顯示裝置。處於要求更加微小的孔尺寸和緊密的孔間距以形成超高分辨率（UHD）的圖案的實情。需實現用於形成高分辨率圖案的像素的微小化和非常薄的掩膜版厚度以防止陰影（shadow），然而以目前商業化技術存在難以實現預定厚度以下的問題。
為了加工高分辨的精密的孔而製作非常薄的掩模版的情況下，掩膜版本身出現彎曲，而且因為以重力方向的下沉難以使TFT玻璃的沉積位置和掩膜版孔位置一致。而且，引起在沉積工藝中不與TFT掩膜版緊貼的問題。為了改善這一問題，應在緊繃拉伸掩膜版的狀態下通過焊接等固定在框架。
以往的TFT玻璃母片尺寸的掩膜版中，目前將多張的掩膜版條拉伸固定在框架，使用完整（full）掩模版組件的形態。對於掩膜版條的情況，處於商用化水準在500ppi~600ppi，而這以上的水準因為技術局限性難以實現的實情。
在為了實現第六代的一半尺寸，以長度方向拉伸厚度為10㎛、長度為約1,100mm的掩膜版條的情況下，難以調整位置精確度，並且存在因為拉伸出現撕裂或者在焊接固定時未焊接的問題。而且，存在如下的技術局限：作為掩膜版條的材料使用因瓦合金，利用因瓦合金通過軋制方法也難以製造薄厚度的掩膜版條，而且也降低厚度精確度等。
目前為止，掩膜版條正在用濕式蝕刻（wet etching）方式製作，並且正在嘗試電鑄鍍金或者激光加工方式等，以實現薄膜化，進而用於高分辨率的精確孔加工。但是，以往的掩膜版條的形狀還留下了難以解決的課題，諸如掩膜版條本身尺寸和難以拉伸和焊接薄膜。
反覆沉積時殘留的沉積物質導致沉積效率降低，所以因為使用數次的清洗和因為焊接部受損更換掩膜版條成為了在製造有機發光二極管發光裝置時的必要工藝。以往的掩膜版條也存在維修時需整體更換掩膜版條的問題。另外，在如此更換時要求精確對齊位置，然而存在這也並不容易的問題。
韓國授權專利公報第10-0534580號是在具有一個以上的開口部的框架掩模版對應於開口部個別固定一個以上的圖案掩模版的沉積掩膜版的相關技術，但是並未公開以第一方向形成多個開口部，並且具有沿着開口部的周圍配置的第一接合區域，在所述第一方向的兩端部配置拉伸固定部以在施加拉伸力的狀態下固定在框架的結構用掩膜版條。在更換各個單位掩膜版時，存在如下的問題：會影響其他單位掩膜版，增加了追加維修的掩膜版數量。 （現有技術文獻） （專利文獻） （專利文獻1）韓國授權專利公報第10-0534580號（2005.12.07.）
[發明所欲解決之問題]
本發明要解決的一技術課題在於提供將以往的掩膜版條二元化製成一體的混合掩模版條。
本發明要解決的另一課題在於提供如下的混合掩模版條：克服以往的掩模版的製造局限及掩膜版大面積化的技術局限，提高掩膜版的精確度及機械性強度。
本發明要解決的其他一課題在於提供如下的混合掩模版條：通過大面積化的掩膜版也可實現高分辨率的精確的沉積圖案。 [解決問題之技術手段]
本發明的一實施例的一種混合掩模版條包括：結構用掩膜版條，以第一方向形成多個開口部，並且配置有沿着所述開口部的周圍配置的第一接合區域和包括所述第一接合區域的一端部且區劃各個所述開口部的肋條（rib），在所述第一方向的兩端部配置拉伸固定部，以在施加拉伸力的狀態下彼此獨立地配置在框架；及單體單位掩膜版，具有沉積區域和第二接合區域，所述沉積區域與所述開口部相對應，所述第二接合區域沿着所述沉積區域的周圍配置且與所述第一接合區域接合；其中，各個的所述單體單位掩膜版在以第一方向或者所述第一方向及第二方向施加拉伸力的狀態下個別結合於所述結構用掩膜版條，其中所述第二方向與所述第一方向直交；分別與所述肋條焊接接合的第一單體單位掩膜版第二接合區域的一端部和第二單體單位掩膜版第二接合區域的一端部彼此間隔預定間距並排配置；在所述結構用掩膜版條中在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面凸出形成焊接凸起；在形成所述焊接凸起的區域中所述結構用掩膜版條的焊接熔化量大於所述單體單位掩膜版的焊接熔化量。
根據一實施例，所述結構用掩膜版條還可包括加固條，所述加固條配置在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面，進而以TFT玻璃的TFT位置為基準矯正所述沉積區域的錯位；所述加固條可介入於第一支撐部及第二支撐部之間，將位置變形最小化，其中所述第一支撐部容納於形成在所述框架的第一支撐槽，所述第二支撐部容納於與所述第一支撐槽間隔配置的第二支撐槽。
根據一實施例，所述加固條配置有多個，並且可沿着所述第一方向彼此間隔並排排列。
根據一實施例，所述加固條可由包圍所述單體單位掩膜版和所述結構用掩膜版條之間的焊接點的垂直方向的加固壁構成。
根據一實施例，所述單體單位掩膜版可具有與所述結構用掩膜版條相互不同的熱膨脹係數。
根據一實施例，所述單體單位掩膜版可具有與所述結構用掩膜版條相互不同的厚度。
根據一實施例，所述沉積區域包括使沉積物質通過的位置對齊孔；所述位置對齊孔以TFT玻璃的TFT位置為基準對齊所述單體單位掩膜版的位置，可決定所述單體單位掩膜版的焊接位置。
根據一實施例，所述沉積區域可通過濕式蝕刻、電鑄鍍金及激光加工中的一種進行孔加工。
本發明的另一實施例的一種混合掩模版條包括：結構用掩膜版條，配置有肋條和拉伸固定部，所述肋條區劃多個開口部，所述開口部以第一方向與各個單體單位掩膜版的沉積區域相對應，所述拉伸固定部配置在所述第一方向的兩端，以在施加拉伸力的狀態下彼此獨立地固定在框架；各個的所述單體單位掩膜版在以第一方向或者所述第一方向及第二方向施加拉伸力的狀態下個別結合於所述結構用掩膜版條，所述第二方向與所述第一方向直交；所述肋條包括：第一焊接接合部，可焊接接合於第一單體單位掩模版；第二焊接接合部，可焊接接合於第二單體單位掩膜版，其中所述第二單體單位掩膜版與所述第一單體單位掩模版相鄰配置；及單體單位間隔部，將所述第一焊接接合部和所述第二焊接接合部彼此間隔，在焊接接合所述第一單體單位掩模版時將與所述第二單體單位掩模版的干涉最小化；在所述結構用掩膜版條中在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面凸出形成焊接凸起；在形成所述焊接凸起的區域中所述結構用掩膜版條的焊接熔化量大於所述單體單位掩膜版的焊接熔化量。
根據一實施例，所述結構用掩膜版條還可包括加固條，所述加固條配置在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面，進而以所述第一方向的TFT位置為基準矯正所述沉積區域的錯位；所述加固條可介入於第一支撐部及第二支撐部之間，將位置變形最小化，其中所述第一支撐部容納於形成在所述框架的第一支撐槽，所述第二支撐部容納於與所述第一支撐槽間隔配置的第二支撐槽。
為了解決上述的技術課題，本發明提供混合掩模版條的製造方法。
本發明的一實施例的混合掩模版條的製造方法包括：結構用掩膜版條拉伸步驟，拉伸結構用掩膜版條，以使多個開口部對應於所述沉積區域，其中所述開口部形成在所述結構用掩膜版條，並且具有以第一方向及第二方向大於單體單位掩膜版的沉積區域的區域；單體單位掩膜版拉伸步驟，以所述第一方向或者所述第一方向及與所述第一方向直交的第二方向拉伸所述單體單位掩膜版；單體單位掩膜版對齊步驟，對齊所述單體單位掩膜版的位置，以使所述結構用掩膜版條的每個開口部對應於所述沉積區域；及單體單位掩膜版固定步驟，在所述結構用掩膜版條固定所述單體單位掩膜版；其中，在所述單體單位掩膜版拉伸步驟和所述單體單位掩膜版固定步驟中，每個所述單體單位掩膜版個別拉伸及固定在所述結構用掩膜版條；在所述單體單位掩膜版固定步驟中，通過從下部照射的激光束在所述結構用掩膜版條結合所述單體單位掩膜版時在所述結構用掩膜版條的下面凸出形成焊接凸起；在形成所述焊接凸起的區域中所述結構用掩膜版條的焊接熔化量大於所述單體單位掩膜版的焊接熔化量。
為了解決上述技術課題，本發明提供利用混合掩模版條的掩模版組件。
本發明的一實施例的掩模版組件包括：框架，形成開口部，並且具有沿着所述開口部的周圍配置的第三接合區域；及多個混合掩模版條，在以第一方向施加拉伸力的狀態下兩端部彼此獨立地固定在所述第三接合區域；其中，所述多個混合掩模版條利用上述的混合掩模版條形成。
根據一實施例，還可包支撐部，容納於以所述第一方向形成在所述框架兩端的支撐槽，支撐所述混合掩模版條的肋條，防止所述混合掩模版條的下沉，並且堵住所述混合掩膜版條之間的間隙。
為了解決上述的技術課題，本發明提供利用混合掩模版條形成的有機發光顯示裝置。
本發明的一實施例的有機發光顯示裝置包括：TFT玻璃；多個薄膜晶體管，配置在所述TFT玻璃上；多個像素電極，電連接於所述薄膜晶體管；沉積層，配置在所述像素電極上；及對向電極，配置在所述沉積層上；所述薄膜晶體管、所述像素電極、所述沉積層以及所述對向電極中的至少一個可利用上述的混合掩模版條形成。 [對照先前技術之功效]
根據本發明的實施例，具有作為混合掩模版條可直接靈活利用以往的掩膜版條方式的框架和掩膜版條拉伸系統的優點。
另外，根據本發明的一實施例，將現有掩膜版條二元化成結構用掩膜版條和單體單位掩膜版，進而結構用掩膜版條和單體單位掩膜版之間具有不同的製造誤差，因此具有提高製作的便利性、節省製作成本、提高生產力及質量的優點。
另外，根據本發明的一實施例，將現有掩膜版條二元化成結構用掩膜版條和單體單位掩膜版，進而以單體單位掩膜版為單位可製作得小且薄，因此不僅是以往的濕式蝕刻，還可通過電鑄鍍金或者激光加工等製作，因此具有可通過高分辨率的掩模版製作顯示裝置的優點。
另外，根據本發明的一實施例，根據結構用掩膜版條和單體單位掩膜版之間的厚度差，形成厚度薄的單體單位掩膜版的沉積區域，可實現高分辨率的孔加工，並且將陰影現象最小化，同時形成厚度厚的支撐的結構用掩膜版條，防止在拉伸及焊接時出現破損，具有容易以高分辨率實現大面積的有機發光顯示裝置的優點。
另外，根據本發明的一實施例，形成厚度厚的結構用掩膜版條或者單獨配置加固條，進而在結合已施加拉伸力的單體單位掩膜版時結構用掩膜版條的肋條（rib）也不會因為拉伸力而彎曲，可將單體單位掩膜版的位置變形最小化，具有實現大面積的掩模版組件的優點。
另外，根據本發明的一實施例，形成厚度厚的結構用掩膜版條或者單獨配置加固條，進而提高TFT玻璃和混合掩模版條之間的貼合力，具有可減少陰影（shadow）現象的優點。
另外，根據本發明的一實施例，結構用掩膜版條和單體單位掩膜版之間具有不同的熱膨脹係數，進而可將因為混合掩模版條及掩模版組件的製作工藝和沉積室內部中的沉積工藝中施加的熱導致單體單位掩膜版的變位相對最小化。
另外，根據本發明的一實施例，結構用掩膜版條和單體單位掩膜版之間形成不同的厚度，進而相比現有的掩膜版條可實現薄膜化的單體單位掩膜版，具有提高大面積的高分辨率精確沉積圖案的生成性和可靠性的優點。
另外，根據本發明的一實施例，若在包括多個單體單位掩膜版的混合掩模版條中更換一部分單體單位掩膜版，則只考慮單方向的其他單體單位掩膜版即可，可以不用考慮與相鄰的其他混合掩模版條的單體單位掩膜版的干涉現象，因此具有容易維護的優點。
另外，根據本發明的一實施例，通過焊接在與TFT玻璃的接觸面的背面（即，結構用掩膜版條的下面）形成焊接凸起，進而TFT玻璃緊貼於混合掩模版條，且無浮起現象，因此具有可減少沉積不良的優點。
另外，根據本發明的一實施例，配置有從接觸面凹陷預定深度形成的焊接槽，在焊接槽的基底面形成焊接凸起，而且焊接凸起的上端部低於接觸面，進而在與TFT玻璃的接觸面與TFT玻璃緊貼且無浮起現象，因此具有可減少沉積不良的優點。
另外，根據本發明的一實施例，以單位實現各個單體單位掩膜版，進而不僅是第一方向還能夠以第二方向對單體單位掩膜版施加拉伸力，因此具有可更加精確控制掩膜版的總間距的優點。
以下，參照附圖詳細說明本發明的優選實施例。然而，本發明的技術思想不限於在此說明的實施例，而是也可具體化成其他形態。反而，在此介紹的實施例是為使公開的內容更加透徹並完整以及向技術人員更加充分傳達本發明的思想而提供的。
在本說明書中，在說明某一構件位於另一構件上的情況下，這是指可直接形成在另一構件上或者在兩者之間也可介入第三構件。另外，在附圖中，形狀及尺寸是誇張示出的，以有效說明技術內容。
另外，在本說明書的各種實施例中，第一、第二、第三等的用語是為了說明各種構件而使用的，但是不得由該用語限制這些構件。這些用語只是為了區分某一構件和其他構件而使用的。據此，某一實施例說明的第一構件，在另一實施例也可用第二構件進行說明。在此，說明並示例的各個實施例也包括與其互補的實施例。另外，在本說明書中，“及/或者”以包括在前後列出的構件中的至少一個的意思使用。
在說明書中，對於單數的表述，除非文章中有明確定義，否則包括複數的表述。另外，“包括”或者“具有”等的用語是要指定在說明書上記載的特徵、數字、步驟、構件或者這些組合的存在，不得解釋為排除一個或者這以上的其他特徵、數字、步驟、構件或者這些組合的存在或者增加可能性。另外，在本說明書中“連接”是以將間接連接及直接連接多個構件全部包括的意思使用。
另外，在以下本發明的說明中，在判斷相關公知功能或者結構的具體說明使本發明的要點不清楚的情況下，將省略其詳細說明。
以下，為了便於說明，假設混合掩模版條使用水平型沉積系統，但是不限於此。在水平型沉積系統中，第一方向是指混合掩模版條的長度方向即直交坐標系的Y軸，第二方向是指混合掩模版條的寬度方向即直交坐標系的X軸，在Z軸中以垂直方向依次設置有沉積源、包括混合掩模版條的掩模版組件及作為沉積體的TFT玻璃。
以下，說明本發明的第一實施例的混合掩模版條100。
圖1是示出本發明的第一實施例的混合掩模版條100的立體圖；圖2是圖1的A-A'部分擴大剖面圖；圖3是示出在本發明的第一實施例的結構用掩膜版條110拉伸接合的單體單位掩膜版120的製造工藝圖；圖4是示出本發明的第一實施例的結構用掩膜版條的平面圖；圖5是示出本發明的第一實施例的單體單位掩膜版的平面圖。
參照圖1至圖5，發明的第一實施例的混合掩模版條100可利用於在TFT玻璃（未示出）沉積沉積物質的沉積工藝。基板S可以是透明的材料，諸如玻璃材料、塑料材料或者金屬材料，本發明在各種種類的基板S中將舉例說明TFT玻璃（未示出）。但是，本發明不限於此。
混合掩模版條100可包括結構用掩膜版條110和多個單體單位掩膜版120。在水平型沉積系統的情況下，混合掩模版條100可以是以垂直方向層疊結構用掩膜版條110和在這上面的單體單位掩膜版120的結構。混合掩模版條100能夠以待後述的單體單位掩膜版120或者結構用掩膜版條110為單位進行更換。結構用掩膜版條 110
參照圖1至圖5、圖22至圖25，本發明的第一實施例的結構用掩膜版條110可使待後述的單體單位掩膜版120的製作公差的總間距（total pitch）保持恆定。結構用掩膜版條110在施加拉伸力的狀態下固定在框架200可支撐單體單位掩膜版120。在結構用掩膜版條110以第一方向可形成多個開口部111。另外，結構用掩膜版條110可具有第一接合區域112和拉伸固定部113。進一步地，還可包括焊接凸起115。
重新參照圖2至圖5，開口部111能夠以Z方向暴露單體單位掩膜版120的沉積區域121。開口部111可以是垂直貫通的形狀。多個開口部111彼此間隔相當於肋條（rib）的間距。開口部111可形成與單體單位掩膜版120的沉積區域121相對應的尺寸和形狀。一個開口部111可對應於各個單體單位掩膜版120。各個開口部111可沿着第一方向對稱排列。能夠以低於單體單位掩膜版120的沉積區域121的精確度加工開口部111。
為了製造及加工的便利性，開口部111具有四邊形形狀，但是不一定必須是四邊形，諸如尺寸分別不同或者不規則的情況。另外，包圍開口部111的開口部邊框可具有以Z+方向越來越窄的傾斜面，以提高根據第一實施例的結構用掩膜版條110預定厚度的面取率。
重新參照圖4和圖5，第一接合區域112可提供支撐單體單位掩膜版120並且與單體單位掩膜版120的第二接合區域123接合的區域。第一接合區域112可沿着開口部111的周圍配置。第一接合區域112可與待後述的第二接合區域123面接觸，支撐單體單位掩膜版120。通過焊接第一接合區域112和第二接合區域123之間可接合結構用掩膜版條110和單體單位掩膜版120。第一接合區域112可具有四邊形形狀。一實施例的第一接合區域112在第一方向和第二方向分別可具有不同的寬度。
重新參照圖4，拉伸固定部113可以是結構用掩膜版條110的邊緣兩端凸出延伸的區域。拉伸固定部113可以是被以第一方向配置在兩端的夾緊裝置（未示出）夾緊的區域，以對結構用掩膜版條110施加拉伸力。在拉伸固定部113中被夾緊裝置（未示出）夾緊的區域可具有在邊緣相互對稱的羽翼形狀。拉伸固定部113可包括被激光焊接機（未示出）的激光束焊接的區域，其中所述激光焊接機以Z方向配置在上部。拉伸固定部113在施加拉伸力的狀態下通過焊接可固定在框架200。
在這一情況下，為了拉伸結構用掩膜版條110，可在拉伸固定部113分別配置夾緊裝置（未示出）。夾緊裝置（未示出）以第一方向對拉伸固定部113施加拉伸力，進而在將結構用掩膜版條110拉緊繃的狀態下可固定在框架200。拉伸固定部113可包括與框架200結合的固定區域。此時，通過焊接等的方法可固定在框架200。
重新參照圖2和圖3，為了提高單體單位掩膜版120和TFT玻璃（未示出）之間的貼合力，焊接凸起115可凸出形成在結構用掩膜版條110的下面，即結構用掩膜版條110中與單體單位掩膜版120的接合面的背面。為此，在結構用掩膜版條110結合單體單位掩膜版120時，可如圖2和圖3所示從單體單位掩膜版120的結合面的背面即下面以Z+方向照射激光束。焊接凸起115可形成在焊接點。在這一情況下，焊接點是指通過激光束形成焊接凸起115以結合各個的單體單位掩膜版120和結構用掩膜版條110的區域。多個焊接凸起115可間隔預定間距地配置在焊接點。
激光焊接裝置（未示出）可配置在結構用掩膜版條110的下部。通過從激光焊接裝置（未示出）照射的激光束可在與單體單位掩膜版120的接合面的背面形成焊接凸起115。據此，在與TFT玻璃（未示出）相互面對的單體單位掩膜版120的TFT玻璃的接觸面124不產生因為單獨焊接而形成的凹凸。據此，即使進行焊接工藝，也可在沉積工藝中緊貼地貼合TFT玻璃（未示出）和混合掩模版條100之間，且不出現浮起現象，因此可將陰影（shadow）現象最小化。
形成有焊接凸起115的區域中的結構用掩膜版條110的焊接熔化量可大於單體單位掩膜版120的焊接熔化量。
重新參照圖1和圖3、圖4，結構用掩膜版條110可以是以第一方向形成預定長度的條狀。結構用掩膜版條110能夠以比單體單位掩膜版120低的製作誤差製作。另外，結構用掩膜版條110能夠以比以往的掩膜版條低的製作誤差製作。結構用掩膜版條110的寬度和形狀、尺寸等可相互對稱，以對單體單位掩膜版120施加均勻的拉伸力。結構用掩膜版條110可以是對磁體起到吸引力作用的含有鋼成分的金屬材料。
結構用掩膜版條110可具有磁性。據此，在將混合掩模版條100緊貼於TFT玻璃（未示出）時通過配置在上部的磁性體以Z+方向對混合掩模版條100產生吸引力作用，進而可提高TFT玻璃（未示出）和混合掩模版條100之間的貼合力。
根據一實施例的結構用掩膜版條110可具有與單體單位掩膜版120相互不同的熱膨脹係數。更加具體地說，結構用掩膜版條110相比於單體單位掩膜版120可具有相對低的熱膨脹係數。據此，由於結構用掩膜版條110的熱膨脹係數小，因此可將引導在沉積工藝中產生的熱導致的變形最小化。
根據一實施例，結構用掩膜版條110可具有與單體單位掩膜版120相互不同的厚度。更具體地說，相比於單體單位掩膜版120，結構用掩膜版條110相對可具有預定厚度以上的厚度。與單體單位掩膜版120不同，相對增厚結構用掩膜版條110的厚度，進而在拉伸及焊接時不僅防止錯位，還可防止因為拉伸及焊接導致的破損。結構用掩膜版條110可具有100㎛至200㎛的厚度。
將說明作為混合掩模版條100的另一結構的單體單位掩膜版120。單體單位掩膜版 120
參照圖1至圖5，單體單位掩膜版120是在沉積工藝步驟中沉積物質通過沉積區域121沉積在TFT玻璃（未示出）上得到所需模樣的薄膜（金屬層或者有機發光層等）。如圖5所示，單體單位掩膜版120可包括沉積區域121和第二接合區域123。進一步地，還可包括位置對齊孔122。
重新參照圖1至圖3，單體單位掩膜版120可分別與結構用掩膜版條110個別結合。在這一情況下，各個單體單位掩膜版120可彼此間斷地以第一方向配置在結構用掩膜版條110。即，多個單體單位掩膜版120在彼此之間以第一方向間隔相當於肋條（rib）的間距的狀態下可接合於結構用掩膜版條110。單體單位掩膜版120可具有板狀的薄膜形狀。單體單位掩膜版120可具有5㎛至25㎛的厚度。單體單位掩膜版120是一面與TFT玻璃（未示出）面接觸，而另一面接合於結構用掩膜版條110可被支撐，根據一實施例，在水平型沉積系統中單體單位掩膜版120能夠以Z方向配置在結構用掩膜版條110的上面。
重新參照圖1和圖2、圖5，沉積區域121可由使沉積物質通過的多個圖案孔構成。沉積區域121可具有對應於開口部111的位置和尺寸、形狀。沉積區域121可具有以第一方向及第二方向小於開口部111的區域。結構用掩膜版條110的開口部111大於沉積區域121，但是可小於單體單位掩膜版120。示出了沉積區域121排列多個孔，但是除此之外沉積區域121也可具有多個狹槽形狀。沉積區域121可包括位置對齊孔122。
沉積區域121可通過濕式蝕刻、電鑄鍍金及激光加工中的一種進行孔加工。即，可又小又薄地製作單體單位掩膜版120，進而具有通過濕式蝕刻、電鑄鍍金方式、激光加工可加工具有精確的沉積區域121的單體單位掩膜版120的優點。
重新參照圖5，第二接合區域123可提供接合於結構用掩膜版條110的區域。第二接合區域123可沿着沉積區域121的周圍配置。第二接合區域123可以是在單體單位掩膜版120中除了沉積區域121以外的區域。重新參照圖3至圖5，第二接合區域123可以是與第一接合區域112面接觸的區域。
第二接合區域123可被第一接合區域112支撐。通過焊接第一接合區域112和第二接合區域123之間可接合結構用掩膜版條110和單體單位掩膜版120。第二接合區域123可具有四邊形形狀。一實施例的第二接合區域123在第一方向和第二方向上各自具有不同的寬度。
重新參照圖5，位置對齊孔122可由在用於使沉積物質通過的有機發光顯示裝置（OLED）的R、G、B像素中選擇的孔構成。另外，位置對齊孔122可以是以TFT玻璃（未示出）的TFT位置為基準對齊單體單位掩膜版120的位置的基準。位置對齊孔122可決定單體單位掩膜版120的焊接位置。單體單位掩膜版120的位置對齊孔122對應於TFT玻璃（未示出）的TFT位置，因此以TFT位置的絕對坐標值為基礎可對齊各個單體單位掩膜版120的位置。
根據一實施例，單體單位掩膜版120可具有與結構用掩膜版條110相互不同的熱膨脹係數。更具體地說，單體單位掩膜版120相比於結構用掩膜版條110可具有相對高的熱膨脹係數。據此，在對結構用掩膜版條110以第一方向施加拉伸力的情況下，相比於單體單位掩膜版120施加於結構用掩膜版條110的變形可相對更少。據此，在結構用掩膜版條110支撐各個單體單位掩膜版120的狀態下可將熱膨脹係數大的單體單位掩膜版120位置變化最小化。
根據一實施例，單體單位掩膜版120可具有與結構用掩膜版條110相互不同的厚度。更具體地說，單體單位掩膜版120相比於結構用掩膜版條110可具有相對薄的厚度（t2 以下，以與以本發明的第一實施例的混合掩模版條100的區別點為中心說明本發明的第二實施例的混合掩模版條100。省略的說明可由在上述圖1至圖5說明的第一實施例的混合掩模版條100的內容代替。
本發明的第二實施例的混合掩模版條100可具有如下特徵：在結構用掩膜版條110結合單體單位掩膜版120時，從上部照射激光束，在單體單位掩膜版120的焊接槽125的底面部形成焊接凸起126。
圖6是示出本發明的第二實施例的混合掩模版條的立體圖；圖7是圖6的A-A'部分擴大剖面圖；圖8是示出在本發明的第二實施例的結構用掩膜版條拉伸接合的單體單位掩膜版的製造工藝圖；圖9a和圖9b是示出本發明的第二實施例的單體單位掩膜版的平面圖。單體單位掩膜版 120
如圖6至圖9b所示，第二實施例的單體單位掩膜版120可形成焊接槽125。
第二實施例的單體單位掩膜版120是具有比第一實施例的單體單位掩膜版120更厚的厚度的情況。即，即使第二實施例的單體單位掩膜版120形成焊接槽125，也可具有不影響單體單位掩膜版120的耐久性的程度的預定厚度以上的厚度。
重新參照圖7和圖8，焊接槽125可防止在單體單位掩膜版120和結構用掩膜版條110之間結合時因為通過焊接形成的焊接凸起126在單體單位掩膜版120和TFT玻璃（未示出）之間形成間隔。即，焊接槽125可以是為了在通過從上部照射的激光束焊接結合時也可使單體單位掩膜版120和TFT玻璃（未示出）無間隔地緊貼而配置。焊接槽125可從作為單體單位掩膜版120的一面的與TFT玻璃的接觸面124形成預定深度的段差。
如圖7所示，焊接槽125從與TFT玻璃的接觸面124具有預定深度，可以是待形成待後述的焊接凸起126的區域。如圖9a至圖9b所示，具有段差的焊接槽125可在與TFT玻璃（未示出）的接觸面124的上部製作成各種形狀。
重新參照圖7，焊接凸起126可凸出形成在焊接槽125的基底面。為了提高單體單位掩膜版120和TFT玻璃（未示出）之間的貼合力，焊接凸起126的上端部可低於與TFT玻璃的接觸面124。在Z方向中相比於焊接凸起126上端部在相差t3左右的Z+方向設置與TFT玻璃的接觸面124。
以下，以與本發明的第一實施例的混合掩模版條100的區別點為中心說明本發明的第三實施例的混合掩模版條100。省略的說明可由在上述圖1至圖5說明的第一實施例的混合掩模版條100的內容代替。
本發明的第三實施例的混合掩模版條100的特徵為結構用掩膜版條110配置有加固條114a。
圖10是示出本發明的第三實施例的混合掩模版條100的立體圖；圖11是圖10的A-A'剖面圖；圖12是根據本發明的第三實施例示出通過從下面照射的激光束接合的混合掩模版條100的A-A'部分擴大剖面圖；圖13是示出在本發明的第三實施例的結構用掩膜版條110拉伸接合的單體單位掩膜版120的製造工藝圖；圖14是示出本發明的第三實施例的結構用掩膜版條110的仰視圖；圖15a至圖15c是用於說明本發明的第三實施例的加固條的作用效果的概略圖；圖16是用於說明本發明的第三實施例的加固條的結合過程的概略圖。結構用掩膜版條 110
參照圖10至圖16，本發明的第三實施例的結構用掩膜版條110可具有第一接合區域112和拉伸固定部113。進一步地，還可包括加固條114a和焊接凸起115。
根據第三實施例，結構用掩膜版條110與單體單位掩膜版120可具有相互不同的厚度。更具體地說，結構用掩膜版條110相比於單體單位掩膜版120可具有相對大於預定厚度的厚度。與單體單位掩膜版120不同，使結構用掩膜版條110形成更厚的厚度，進而不僅可防止在拉伸及焊接時的錯位，還可防止因為拉伸及焊接導致的破損。結構用掩膜版條110可具有30㎛至100㎛的厚度。
重新參照圖11和圖12、圖14，加固條114a可矯正待後述的單體單位掩膜版120（尤其是，沉積區域121）的錯位。由此，沉積區域121可具有與TFT玻璃（未示出）的TFT位置相對應的坐標值。加固條114a可配置在與單體單位掩膜版120的接合面的背面。加固條114a配置有多個，並且可沿着第一方向彼此間隔並排排列。加固條114a可具有預定厚度以上的厚度，以矯正單體單位掩膜版120的錯位。
加固條114a可具有預定的強度，以防止在與單體單位掩膜版120結合時發生彎曲。加固條114a可具有低重量材料，以防止因為以Z方向的自重而出現下沉。優選為，加固條114a可以是對磁體起到吸引力作用的含有鋼成分的金屬材料。
結構用掩膜版條110和加固條114a具有磁性，進而將混合掩模版條100緊貼於TFT玻璃（未示出）時，通過配置在上部的磁性體使混合掩模版條100以Z+方向產生吸引力作用，進而可提高TFT玻璃（未示出）和混合掩模版條100之間的貼合力。
如圖16所示，加固條114a通過由激光焊接機（未示出）照射的激光束可焊接結合於結構用掩膜版條110，所述激光焊接機配置在結構用掩膜版條110的接合面的背面（即，結構用掩膜版條110的下部）。
第一實施例的加固條114a可以是加固壁。加固壁可由包圍焊接點的垂直方向的壁構成。為了避免與用於與單體單位掩膜版120焊接的焊接點發生干涉，可在加固壁的下面沿着加固壁以預定間隔形成焊接凸起。
焊接點可提供通過焊接的結合區域，以用於在結構用掩膜版條110結合單體單位掩膜版120。即，在向結構用掩膜版條110下面（即，與單體單位掩膜版120的接合面的背面）照射激光束時，可排除該焊接點的區域，以提高結構用掩膜版條110和單體單位掩膜版120之間的結合力。
在以第一方向對結構用掩膜版條110施加拉伸力的情況下，以第一方向只向邊緣施加拉伸力，拉得緊繃，而在只以邊緣之間的區域的第二方向配置的肋條（rib）則不施加拉伸力。
圖15b和圖15c是假設在結構用掩膜版條110沒有加固條114a的情況下在每個結構用掩膜版條110的第一個、第二個開口部111拉伸、對齊及焊接各個單體單位掩膜版120的圖。
結構用掩膜版條110的第二個開口部111可結合以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力的單體單位掩膜版120。此時，尤其是若在結合的同時解除以第一方向施加於單體單位掩膜版120的拉伸力，則如圖15b所示在未傳遞拉伸力的肋條（rib）能夠以第一方向的（-）方向發生變形。
如圖15c所示，在結構用掩膜版條110的第一個開口部111結合以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力的單體單位掩膜版120的情況下，在結合的同時解除施加於單體單位掩膜版120的拉伸力，並且除了第一方向的邊緣以外的肋條（rib）可發生以圖15b的相反方向的第一方向的（+）方向發生變形。
據此，如圖15a所示，加固條114a的作用如下：支撐結構用掩膜版的肋條（rib），進而在將施加拉伸力的各個單體單位掩膜版120結合於結構用掩膜版條110時無論是否有施加的拉伸力都不使結構用掩膜版條的肋條（rib）發生變形。
如圖11和圖12、圖16所示，焊接凸起115可形成在作為加固壁內部區域的焊接點。在加固條114a內側配置焊接凸起115，進而不僅可提高結構用掩膜版條110和加固條114a之間的結合力，還可提高結構用掩膜版條110和單體單位掩膜版120之間的結合力。
通過配置在結構用掩膜版條110下部的激光焊接裝置（未示出）可在加固條114a內部焊接點形成焊接凸起115。
以下，以與本發明的第二及第三實施例的混合掩模版條100的區別點為中心說明本發明的第四實施例的混合掩模版條100。省略的說明可由在上述圖1至圖16說明的第一至第三實施例的混合掩模版條100的內容代替。
本發明的第四實施例的混合掩模版條100的特徵為結構用掩膜版條110配置有加固條114b。
圖17是示出本發明的第四實施例的混合掩模版條的立體圖；圖18是根據本發明的第四實施例示出通過從下面照射的激光束接合的混合掩模版條的A-A'部分擴大剖面圖；圖19是示出在本發明的第四實施例的結構用掩膜版條拉伸接合的單體單位掩膜版的製造工藝圖；圖20是示出本發明的第四實施例的結構用掩膜版條的仰視圖。結構用掩膜版條 110
如圖17至圖20所示，第四實施例的加固條114b形成直角六面體的形狀，可具有與結構用掩膜版條110的肋條（rib）相對應的預定厚度和寬度。第四實施例的結構用掩膜版條110可在與單體單位掩膜版120的接合面的背面形成焊接凸起126，以與加固條114b結合。在這一情況下，通過配置在加固條114b下部的激光束可結合加固條114b和結構用掩膜版條110。單體單位掩膜版 120
重新如圖17至圖20所示，第四實施例的單體單位掩膜版120可形成焊接槽125。
第四實施例的單體單位掩膜版120是具有比第一或者第三實施例的單體單位掩膜版120更厚的厚度的情況。即，第四實施例的單體單位掩膜版120具有預定厚度以上的厚度，即使形成焊接槽125也不影響單體單位掩膜版120的耐久性。
焊接槽125可防止在單體單位掩膜版120和結構用掩膜版條110之間結合時因為通過焊接形成的焊接凸起126在單體單位掩膜版120和TFT玻璃（未示出）之間形成間隔。即，焊接槽125可以是在通過從上部照射的激光束焊接結合時在沉積工藝中緊貼單體單位掩膜版120和TFT玻璃（未示出），不使這兩者之間形成間隔。焊接槽125可從作為單體單位掩膜版120的一面的與TFT玻璃的接觸面124形成預定深度的段差。
以下，參照圖2、圖3、圖7、圖8、圖12、圖13、圖18、圖19說明本發明的一實施例的混合掩模版條100的製造方法。
圖21是示出本發明的一實施例的混合掩模版條的製造方法的流程圖。
如圖21所示，混合掩模版條100的製造方法可包括：結構用掩膜版條拉伸步驟s10、單體單位掩膜版拉伸步驟s20、單體單位掩膜版對齊步驟s30、單體單位掩膜版固定步驟s40。
在結構用掩膜版條拉伸步驟s10中，利用夾緊裝置（未示出）能夠以第一方向拉伸結構用掩膜版條110。在結構用掩膜版條110中各個拉伸固定部113被夾緊裝置（未示出）夾緊的狀態下彼此以反方向拉伸，進而可對結構用掩膜版條110施加拉伸力。
在單體單位掩膜版拉伸步驟s20中，能夠以第一方向或者第一方向及第二方向拉伸單體單位掩膜版120。在單體單位掩膜版拉伸步驟s30中，單體單位掩膜版夾具（未示出）可對各個單體單位掩膜版120施加拉伸力。即，在單體單位掩膜版夾具（未示出）以垂直方向支撐單體單位掩膜版120的一面的狀態下能夠以第一方向或者第一方向及第二方向拉伸單體單位掩膜版120。
在圖3和圖8、圖13、圖19中，舉例了在單體單位掩膜版夾具（未示出）以垂直方向支撐單體單位掩膜版120的一面的狀態下以第一方向拉伸單體單位掩膜版120。
在單體單位掩膜版對齊步驟s30中，為使單體單位掩膜版120的沉積區域121對應於結構用掩膜版條110的開口部111，移動單體單位掩膜版120，可將單體單位掩膜版120的位置對齊於TFT玻璃（未示出）的TFT位置。
更具體地說，在單體單位掩膜版對齊步驟s30中，為使沉積區域121對應於開口部111，單體單位掩膜版夾具（未示出）可移動各個單體單位掩膜版120。即，為使在單體單位掩膜版夾具（未示出）施加拉伸力支撐單體單位掩膜版120的狀態下對應於開口部111，可進行第一位置對齊。
在單體單位掩膜版對齊步驟s30中，為了進行第二位置對齊，可利用攝像頭（未示出）進行第二位置對齊。攝像頭（未示出）可位於混合掩模版條100的下部。即，利用攝像頭（未示出）可確認位置對齊孔122的中心是否與TFT玻璃（未示出）的TFT位置中心一致，並且誤差範圍是否在1um以內。以第一方向或者第二方向細微調整單體單位掩膜版夾具（未示出）的位置，可將單體單位掩膜版120向TFT玻璃（未示出）的TFT位置進行第二位置對齊。
在單體單位掩膜版固定步驟s40中，可在結構用掩膜版條110固定單體單位掩膜版120。以Z-方向移動單體單位掩膜版夾具（未示出），在第一接合區域112安裝第二接合區域123之後可進行接合。在這一情況下，可通過焊接進行接合。在單體單位掩膜版夾具（未示出）將單體單位掩膜版120緊貼於結構用掩膜版條110的狀態下通過激光焊接機（未示出）在第一接合區域112和第二接合區域123形成焊接凸起（115或者126）並且可進行接合。
即，在單體單位掩膜版對齊步驟s30中，以第一方向或者第一方向及第二方向對齊單體單位掩膜版120的位置；在單體單位掩膜版固定步驟s40中，以Z方向對齊位置，進而可對齊各個單體單位掩膜版120的位置。
如圖2和圖3、圖12和圖13所示，在第一或者第三實施例的單體單位掩膜版固定步驟s40中，通過從下部照射的激光束在結構用掩膜版條110結合單體單位掩膜版120時，可在結構用掩膜版條110的下面凸出形成焊接凸起115。
如圖7和圖8、圖18、圖19所示，在第二或者第四實施例的單體單位掩膜版固定步驟s40中，通過從上部照射的激光束在結構用掩膜版條110結合單體單位掩膜版120時，在焊接槽125的基底面可凸出形成焊接凸起126。此時，焊接槽125在單體單位掩膜版120的一面中從與TFT玻璃的接觸面124形成預定深度的段差。
以下，說明包括混合掩模版條100的掩模版組件10。
圖22是示出本發明的第一實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖；圖23是圖22中的B-B'部分的主剖面圖；圖24是示出本發明的第二實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖；圖25是示出本發明的第三實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖；圖26是示出本發明的第四實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖；圖27是圖26中的B-B'部分的主剖面圖；圖28是示出本發明的第五實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖；圖29是示出本發明的第六實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖；圖30是示出本發明的一實施例的框架的立體圖。掩模版組件 10
參照圖22至圖29，掩模版組件10可提供沉積圖案，以在沉積工藝中可使沉積物質沉積在TFT玻璃（未示出）的特定位置。掩模版組件10可包括框架200和混合掩模版條100。框架 200
參照圖22至圖30，本發明的一實施例的框架200可支撐混合掩模版條100。框架200可在中心形成開口部210。另外，框架200可具有第三接合區域220。框架200可具有剛性大的金屬材料，以防止因為以混合掩模版條100的拉伸方向產生壓縮力作用而發生變形。框架200具有預定的厚度，並且可具有四邊形形狀。
重新參照圖22至圖30，開口部210能夠以Z方向暴露混合掩模版條100。開口部210可以是垂直貫通的形狀。開口部210以第一方向及第二方向可形成比各個沉積區域121更大的區域，以防止對於每個混合掩模版條100各個的沉積區域121以Z方向發生干涉。據此，可用低精確度加工開口部210。為了製造及加工的便利性，開口部210可具有四邊形形狀。
重新參照圖22至圖30，第三接合區域220形成包圍開口部210的形狀，支撐混合掩模版條100的一面，並且可提供與混合掩模版條100的接合區域。混合掩模版條的接合區域可包括以第一方向與混合掩模版條100的兩端（即，拉伸固定部113）面接觸並接合的區域。在第三接合區域220能夠以與混合掩模版條的接合區域交叉的第二方向形成多個支撐槽。一對支撐槽能夠以第一方向並排形成。兩端的支撐槽可容納支撐部230。
重新參照圖22至圖30，支撐部230支撐混合掩模版條100的肋條（rib），並且可防止混合掩模版條100的下沉。進一步地，可堵住彼此相鄰的混合掩模版條100之間的間隙。
支撐部230可支撐與混合掩模版條100並排的各個肋條（rib）邊緣。支撐部230可介入於框架200和混合掩模版條100之間。支撐部230能夠以第一方向配置。支撐部230一端和另一端可插入於相互面對的支撐槽內。支撐部230的高度可與形成支撐槽的厚度相同。據此，支撐部230與第三接合區域220以相同的高度以Z方向支撐混合掩模版條100。
支撐部230可具有以Z+方向寬度越來越寬的梯形形狀，以不干涉在沉積工藝升華的物質的移動途徑。混合掩模 版條 100
對於省略的說明引用以上圖1至圖20中說明的本發明的第一至第四實施例的混合掩模版條100的相關說明。
混合掩模版條100在以第一方向施加拉伸力的狀態下，拉伸固定部113可固定在第三接合區域220。混合掩模版條100通過結構用掩膜版條110的拉伸固定部113可固定在框架200。混合掩模版條100通過以Z方向配置在上部的激光焊接機（未示出）的激光束可焊接於框架200。
以下，說明在掩模版組件10中框架200和混合掩模版條100的結合結構。
如圖22、圖23、圖26及圖27所示，在本發明的第一實施例及第四實施例的掩模版組件10中對齊混合掩模版條100可固定在框架200。
拉伸單體單位掩膜版120對齊結構用掩膜版條110之後進行固定可製造混合掩模版條100。
可對齊混合掩模版條100，進而由夾緊裝置（未示出）對拉伸固定部113施加拉伸力以使沉積區域121到達TFT玻璃（未示出）的TFT位置。以Z方向移動對齊的混合掩模版條100，可安裝在框架200的第三接合區域220。通過以Z方向配置在上部的激光焊接機（未示出）的激光束可將混合掩模版條100焊接並結合於框架200。
如圖24和圖25、圖28、圖29所示，本發明的第二實施例、第三實施例、第五實施例及第六實施例的掩模版組件10在框架200對齊結構用掩膜版條110進行固定，之後可在結構用掩膜版條110對齊單體單位掩膜版120進行固定。圖24和圖28或者圖25和圖29是示出在結構用掩膜版條110結合單體單位掩膜版120時的焊接方向的差異。在圖24和圖28示出的本發明的第二實施例及第五實施例的掩模版組件10是在上面執行在結構用掩膜版條110焊接單體單位掩膜版120的情況；在圖25和圖29示出的本發明的第三實施例及第六實施例的掩模版組件10是在下面執行在結構用掩膜版條110焊接單體單位掩膜版120的情況。
如圖24及圖28的本發明的第二實施例及第五實施例的掩模版組件10的製造方法如下。
可對齊結構用掩膜版條110，進而夾緊裝置（未示出）對拉伸固定部113施加拉伸力以使結構用掩膜版條110的開口部111全部進入框架200的開口部210內。以Z方向移動對齊的結構用掩膜版條110可安裝在框架200的第三接合區域220。通過以Z方向配置在上部的激光焊接機（未示出）的激光束可將結構用掩膜版條110焊接結合於框架200。
在單體單位掩膜版夾具（未示出）以垂直方向支撐單體單位掩膜版120的一面的狀態下以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力可使沉積區域121到達結構用掩膜版條110的開口部111。
通過以Z方向配置在上部的激光焊接機（未示出）的激光束焊接結構用掩膜版條110的第一接合區域112和單體單位掩膜版120的第二接合區域123，可在結構用掩膜版條110可結合各個的單體單位掩膜版120。在這一情況下，焊接凸起126在與單體單位掩膜版120的TFT玻璃的接觸面124中可形成在焊接槽125內部。
圖25和圖29所示的本發明的第三實施例及第六實施例的掩模版組件10的製造方法如下。
可對齊結構用掩膜版條110，進而夾緊裝置（未示出）對拉伸固定部113施加拉伸力以使結構用掩膜版條110的開口部111全部進入框架200的開口部210內。以Z方向移動對齊的結構用掩膜版條110可安裝在框架200的第三接合區域220。通過以Z方向配置在上部的激光焊接機（未示出）的激光束可將結構用掩膜版條110焊接結合於框架200。
在單體單位掩膜版夾具（未示出）以垂直方向支撐單體單位掩膜版120的一面的狀態下以第一方向或者第一方向及第二方向施加拉伸力可使沉積區域121到達結構用掩膜版條110的開口部111。
通過以Z方向配置在上部的激光焊接機（未示出）的激光束焊接結構用掩膜版條110的第一接合區域112和單體單位掩膜版120的第二接合區域123，可在結構用掩膜版條110結合各個單體單位掩膜版120。在這一情況下，焊接凸起115在結構用掩膜版條110中可形成在單體單位掩膜版的接合面的背面。
如下說明利用上述的混合掩模版條100製造的本發明的另一實施例的有機發光顯示裝置1。
圖31是概略示出利用圖1至圖20的混合掩模版條製造的有機發光顯示裝置1的剖面圖。
參照圖31，有機發光顯示裝置1的各種構件可形成在基板S上。在這一情況下，基板S也可以是基板本身或者基板的切割的一部分。
諸如緩衝層1100、柵極絕緣膜1300、層間絕緣膜1500等的公共層可形成在基板S的前面。進一步地，也可形成包括溝通區域1210、源電極接觸區域1220及源電極接觸區域1230的圖案化的半導體層1200。與這種圖案化的半導體層1200可一同形成成為薄膜晶體管（TFT）的構件的柵電極1400、源電極1600及漏電極1700。
另外，覆蓋這種薄膜晶體管（TFT）的保護膜1800和位於保護膜1800上且上面大致平坦的平面化膜1900可形成在基板S的前面。在這種平面化膜1900上可配置OLED，所述OLED包括圖案化的像素電極2100、對向電極2300以及中間層2200，其中所述對向電極2300大致對應於基板S的前面，所述中間層2200為多層結構，介入於像素電極2100和對向電極2300之間並且包括發光層。當然，中間層2200與示出的不同，一部分可以是層大致對應於的基板S的前面的公共層，而另一部分層可以是圖案化的圖案層，以對應於像素電極2100。像素電極2100通過通孔可電連接於薄膜晶體管（TFT）。當然，像素定義層2000可形成在平面化膜1900上，以大致對應於基板S的前面，其中所述像素定義層2000覆蓋像素電極2100的邊緣並且具有定義各個像素區域的開口。
在如上所述的有機發光顯示裝置1的情況下，利用上述的實施例的混合掩模版條或者混合掩模版條的製造方法至少可形成各個構件中的一部分。
利用上述的實施例的混合掩模版條或者掩模版組件可形成中間層2200。例如，中間層2200可包括的空穴注入層（HIL, Hole Injection Layer）、空穴傳輸層（HTL, Hole Transport Layer）、發光層（EML, Emission Layer）、電子傳輸層（ETL, Electron Transport Layer）、電子注入層（EIL, Electron Injection Layer）等可利用上述的實施例的混合掩模版條或者混合掩模版條的製造方法形成。
以上使用優選的實施例詳細說明了本發明，但是本發明的範圍不限於特定實施例，應該通過申請專利範圍解釋。另外，只要是在該技術領域中掌握常規知識的人員應該理解為在不超出本發明的範圍的同時可進行多種修改和變形。
1:有機發光顯示裝置 10:掩模版組件 100:混合掩模版條 110:結構用掩膜版條 111:開口部 112:第一接合區域 113:拉伸固定部 114a、114b:加固條 115:焊接凸起 120:單體單位掩膜版 121:沉積區域 122:位置對齊孔 123:第二接合區域 124:與TFT玻璃的接觸面 125:焊接槽 126:焊接凸起 200:框架 210:開口部 220:第三接合區域 230:支撐部 t1:結構用掩膜版條厚度 t2:單體單位掩膜版厚度 t3:接觸面和焊接凸起上端部之間的段差
圖1是示出本發明的第一實施例的混合掩模版條的立體圖。 圖2是圖1的A-A'部分擴大剖面圖。 圖3是示出在本發明的第一實施例的結構用掩膜版條拉伸接合的單體單位掩膜版的製造工藝圖。 圖4是示出本發明的第一實施例的結構用掩膜版條的平面圖。 圖5是示出本發明的第一實施例的單體單位掩膜版的平面圖。 圖6是示出本發明的第二實施例的混合掩模版條的立體圖。 圖7是圖6的A-A'部分擴大剖面圖。 圖8是示出在本發明的第二實施例的結構用掩膜版條拉伸接合的單體單位掩膜版的製造工藝圖。 圖9a和圖9b是示出本發明的第二實施例的單體單位掩膜版的平面圖。 圖10是示出本發明的第三實施例的混合掩模版條的立體圖。 圖11是圖10的A-A'剖面圖。 圖12是根據本發明的第三實施例示出通過從下面照射的激光束接合的混合掩模版條的A-A'部分擴大剖面圖。 圖13是示出在本發明的第三實施例的結構用掩膜版條拉伸接合的單體單位掩膜版的製造工藝圖。 圖14是示出本發明的第三實施例的結構用掩膜版條的仰視圖。 圖15a至圖15c是用於說明本發明的第三實施例的加固條的作用效果的概略圖。 圖16是用於說明本發明的第三實施例的加固條的結合過程的概略圖。 圖17是示出本發明的第四實施例的混合掩模版條的立體圖。 圖18是根據本發明的第四實施例示出通過從下面照射的激光束接合的混合掩模版條的A-A'部分擴大剖面圖。 圖19是示出在本發明的第四實施例的結構用掩膜版條拉伸接合的單體單位掩膜版的製造工藝圖。 圖20是示出本發明的第四實施例的結構用掩膜版條的仰視圖。 圖21是示出本發明的一實施例的混合掩模版條的製造方法的流程圖。 圖22是示出本發明的第一實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖。 圖23是圖22中的B-B'部分的主剖面圖。 圖24是示出本發明的第二實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖。 圖25是示出本發明的第三實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖。 圖26是示出本發明的第四實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖。 圖27是圖26中的B-B'部分的主剖面圖。 圖28是示出本發明的第五實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖。 圖29是示出本發明的第六實施例的掩模版組件的製造工藝的立體圖。 圖30是示出本發明的一實施例的框架的立體圖。 圖31是概略示出利用圖1至圖20的混合掩模版條製造的有機發光顯示裝置的剖面圖。
100:混合掩模版條
110:結構用掩膜版條
120:單體單位掩膜版

Claims (14)

  1. 一種混合掩模版條，其中，包括：結構用掩膜版條，以第一方向形成多個開口部，並且配置有沿着所述開口部的周圍配置的第一接合區域和包括所述第一接合區域的一端部且區劃各個所述開口部的肋條，在所述第一方向的兩端部配置拉伸固定部，以在施加拉伸力的狀態下彼此獨立地配置在框架；及單體單位掩膜版，具有沉積區域和第二接合區域，所述沉積區域與所述開口部相對應，所述第二接合區域沿着所述沉積區域的周圍配置且與所述第一接合區域接合；其中，各個的所述單體單位掩膜版在以所述第一方向或者所述第一方向及第二方向施加拉伸力的狀態下個別結合於所述結構用掩膜版條，其中所述第二方向與所述第一方向直交；分別與所述肋條焊接接合的第一單體單位掩膜版第二接合區域的一端部和第二單體單位掩膜版第二接合區域的一端部彼此間隔預定間距並排配置；在所述結構用掩膜版條中在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面凸出形成焊接凸起；在形成所述焊接凸起的區域中所述結構用掩膜版條的焊接熔化量大於所述單體單位掩膜版的焊接熔化量。
  2. 如請求項1之混合掩模版條，其中，所述結構用掩膜版條還包括加固條，所述加固條配置在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面，進而以TFT玻璃的TFT位置為基準矯正所述沉積區域的錯位； 所述加固條介入於第一支撐部及第二支撐部之間，以將所述單體單位掩膜版的位置變形最小化，其中所述第一支撐部容納於形成在所述框架的第一支撐槽，所述第二支撐部容納於與所述第一支撐槽間隔配置的第二支撐槽。
  3. 如請求項2之混合掩模版條，其中，所述加固條配置有多個，並且沿着所述第一方向彼此間隔並排排列。
  4. 根據請求項3所述的混合掩模版條，其中，所述加固條由包圍所述單體單位掩膜版和所述結構用掩膜版條之間的焊接點的垂直方向的加固壁構成。
  5. 如請求項1之混合掩模版條，其中，所述單體單位掩膜版具有與所述結構用掩膜版條相互不同的熱膨脹係數。
  6. 如請求項1之混合掩模版條，其中，所述單體單位掩膜版具有與所述結構用掩膜版條相互不同的厚度。
  7. 如請求項1之混合掩模版條，其中，所述沉積區域包括使沉積物質通過的位置對齊孔；所述位置對齊孔以TFT玻璃的TFT位置為基準對齊所述單體單位掩膜版的位置，決定所述單體單位掩膜版的焊接位置。
  8. 如請求項1之混合掩模版條，其中，所述沉積區域通過濕式蝕刻、電鑄鍍金及激光加工中的一種進行孔加工。
  9. 一種混合掩模版條，其中，包括： 結構用掩膜版條，配置有肋條和拉伸固定部，所述肋條區劃多個開口部，所述開口部以第一方向與各個單體單位掩膜版的沉積區域相對應，所述拉伸固定部配置在所述第一方向的兩端，以在施加拉伸力的狀態下彼此獨立地固定在框架；各個的所述單體單位掩膜版在以第一方向或者所述第一方向及第二方向施加拉伸力的狀態下個別結合於所述結構用掩膜版條，所述第二方向與所述第一方向直交；所述肋條包括：第一焊接接合部，可焊接接合於第一單體單位掩模版；第二焊接接合部，可焊接接合於第二單體單位掩膜版，其中所述第二單體單位掩膜版與所述第一單體單位掩模版相鄰配置；及單體單位間隔部，將所述第一焊接接合部和所述第二焊接接合部彼此間隔，在焊接接合所述第一單體單位掩模版時將與所述第二單體單位掩模版的干涉最小化；在所述結構用掩膜版條中在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面凸出形成焊接凸起；在形成所述焊接凸起的區域中所述結構用掩膜版條的焊接熔化量大於所述單體單位掩膜版的焊接熔化量。
  10. 如請求項9之混合掩模版條，其中，所述結構用掩膜版條還包括加固條，所述加固條配置在與所述單體單位掩膜版的接合面的背面，進而以所述第一方向的TFT位置為基準矯正所述沉積區域的錯位； 所述加固條介入於第一支撐部及第二支撐部之間，以將所述單體單位掩膜版的位置變形最小化，其中所述第一支撐部容納於形成在所述框架的第一支撐槽，所述第二支撐部容納於與所述第一支撐槽間隔配置的第二支撐槽。
  11. 一種混合掩模版條的製造方法，包括：結構用掩膜版條拉伸步驟，拉伸結構用掩膜版條，以使多個開口部對應於單體單位掩膜版的沉積區域，其中所述開口部形成在所述結構用掩膜版條，並且具有以第一方向及第二方向大於所述單體單位掩膜版的沉積區域的區域；單體單位掩膜版拉伸步驟，以所述第一方向或者所述第一方向及與所述第一方向直交的第二方向拉伸所述單體單位掩膜版；單體單位掩膜版對齊步驟，對齊所述單體單位掩膜版的位置，以使所述結構用掩膜版條的每個開口部對應於所述沉積區域；及單體單位掩膜版固定步驟，在所述結構用掩膜版條固定所述單體單位掩膜版；其中，在所述單體單位掩膜版拉伸步驟和所述單體單位掩膜版固定步驟中，每個所述單體單位掩膜版個別拉伸及固定在所述結構用掩膜版條；在所述單體單位掩膜版固定步驟中，通過從下部照射的激光束在所述結構用掩膜版條結合所述單體單位掩膜版時在所述結構用掩膜版條的下面凸出形成焊接凸起； 在形成所述焊接凸起的區域中所述結構用掩膜版條的焊接熔化量大於所述單體單位掩膜版的焊接熔化量。
  12. 一種掩模版組件，包括：框架，形成開口部，並且具有沿着所述開口部的周圍配置的第三接合區域；及多個混合掩模版條，在以第一方向施加拉伸力的狀態下兩端部彼此獨立地固定在所述第三接合區域；其中，所述多個混合掩模版條利用請求項1至10中的任意一項的混合掩模版條形成。
  13. 如請求項12之掩模版組件，其中，還包括：支撐部，容納於以所述第一方向形成在所述框架兩端的支撐槽，支撐所述混合掩模版條的肋條，防止所述混合掩模版條的下沉，並且堵住所述混合掩膜版條之間的間隙。
  14. 一種有機發光顯示裝置，包括：TFT玻璃；多個薄膜晶體管，配置在所述TFT玻璃上；多個像素電極，電連接於所述薄膜晶體管；沉積層，配置在所述像素電極上；及對向電極，配置在所述沉積層上；所述薄膜晶體管、所述像素電極、所述沉積層以及所述對向電極中的至少一個是利用請求項1至10中的任意一項的混合掩模版條形成。
TW109114821A 2019-05-24 2020-05-04 混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置 TWI744890B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190061079A KR102083947B1 (ko) 2019-05-24 2019-05-24 하이브리드 스틱 마스크와 이의 제조 방법, 하이브리드 스틱 마스크를 포함하는 마스크 조립체 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치
KR10-2019-0061079 2019-05-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202044579A TW202044579A (zh) 2020-12-01
TWI744890B true TWI744890B (zh) 2021-11-01

Family

ID=70466102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109114821A TWI744890B (zh) 2019-05-24 2020-05-04 混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220181595A1 (zh)
KR (1) KR102083947B1 (zh)
CN (1) CN113785412A (zh)
TW (1) TWI744890B (zh)
WO (1) WO2020242055A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113272467B (zh) * 2019-11-12 2023-07-28 京东方科技集团股份有限公司 掩模板
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
CN111394692B (zh) * 2020-05-09 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
KR20220077308A (ko) 2020-12-01 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크
KR20230010121A (ko) * 2021-07-09 2023-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체를 포함한 증착 설비 및 마스크 조립체 리페어 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100010251A (ko) * 2008-07-22 2010-02-01 엘지디스플레이 주식회사 분할 마스크 조립체
KR20180087824A (ko) * 2017-01-25 2018-08-02 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법
KR20190025433A (ko) * 2017-09-01 2019-03-11 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100534580B1 (ko) 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
KR101309864B1 (ko) * 2010-02-02 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리
KR101820020B1 (ko) * 2011-04-25 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
KR102263604B1 (ko) * 2014-12-03 2021-06-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102278606B1 (ko) * 2014-12-19 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 이를 포함하는 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20180032717A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN109778116B (zh) * 2019-03-28 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100010251A (ko) * 2008-07-22 2010-02-01 엘지디스플레이 주식회사 분할 마스크 조립체
KR20180087824A (ko) * 2017-01-25 2018-08-02 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법
KR20190025433A (ko) * 2017-09-01 2019-03-11 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020242055A1 (ko) 2020-12-03
KR102083947B1 (ko) 2020-04-24
US20220181595A1 (en) 2022-06-09
TW202044579A (zh) 2020-12-01
CN113785412A (zh) 2021-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI744890B (zh) 混合掩模版條、其製造方法、掩模版組件及有機發光顯示裝置
US11674215B2 (en) Full-size mask assembly and manufacturing method thereof
TWI301904B (en) Method of manufacturing a display by mask alignment
US11542588B2 (en) Mask device and manufacturing method thereof, evaporation system
US20100310768A1 (en) Thin film deposition apparatus
JP2018504526A (ja) 処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリアとマスクキャリアを支持するための保持装置、基板を支持する基板キャリアとマスクキャリアを位置合わせするための方法
KR20130018132A (ko) Ｅｌ 장치의 제조방법
WO2018147339A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクのアライメント方法、及び蒸着マスク固定装置
KR20190025433A (ko) 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
JP2011106017A (ja) 押圧装置およびそれを備えた成膜装置、および成膜方法
KR20150069104A (ko) 박막 증착 장치
KR102466835B1 (ko) 풀 사이즈 마스크 조립체와 그 제조방법
WO2018146904A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置
JP2007287943A (ja) 位置合わせ方法および装置
KR102010815B1 (ko) 프레임 및 프레임 일체형 마스크
KR102371174B1 (ko) 지지체 및 이를 포함하는 프레임 일체형 마스크 제조 시스템
KR102011722B1 (ko) 프레임 일체형 마스크 제조 시스템
KR102544342B1 (ko) 풀 사이즈 마스크 조립체와 그 제조방법
KR20190095237A (ko) 프레임 및 프레임 일체형 마스크
US20200094349A1 (en) Method and device for producing a welded assembly
KR20190040794A (ko) 프레임에 마스크를 부착하는 방법
US20240110272A1 (en) Mask assembly and method of manufacturing the same
KR101827515B1 (ko) 마스크 고정 장치, 이를 구비하는 처리 장치 및 마스크 고정 방법
KR101125011B1 (ko) 기판 정렬용 핀세트, 기판 정렬 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
KR20190096896A (ko) 프레임 일체형 마스크의 제조 방법