TWI743636B - 記憶體裝置及記憶體裝置的擦除方法 - Google Patents

記憶體裝置及記憶體裝置的擦除方法 Download PDF

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Abstract

一種用於記憶體裝置的擦除方法。記憶體裝置包含記憶體單元串和控制器。記憶體單元串包含不用於儲存資料的複數個特殊記憶體單元和用於儲存資料的複數個主記憶體單元。擦除方法包含：控制器驗證複數個特殊記憶體單元中的至少一個特殊記憶體單元是否已經失效；如果至少一個特殊記憶體單元已經失效，則控制器重置至少一個特殊記憶體單元；以及控制器擦除複數個主記憶體單元。

Description

記憶體裝置及記憶體裝置的擦除方法
本發明關於記憶體裝置，特別是能夠減少編程干擾的記憶體裝置及其擦除方法。
隨著科技進步，半導體記憶體裝置中併入高密度的記憶體單元以減小總尺寸及增加資料儲存能力。然而，整合密度的增加可能導致記憶體單元之間的耦合程度增加，且未被選定的記憶體單元可能被不慎地編程。未選定記憶體單元的不慎編程稱為“編程干擾”(program disturbance)。
實施方式提供一種記憶體裝置，記憶體裝置包含記憶體單元串、複數條特殊字線、複數條主字線和控制器。記憶體單元串包含複數個特殊記憶體單元和複數個主記憶體單元。複數個特殊記憶體單元串聯耦合，被佈置在該串記憶體單元的一端，並且不用於儲存資料。複數個主記憶體單元串聯耦合，並用於儲存資料。複數個主記憶體單元中的一個主記憶體單元耦接於複數個特殊記憶體單元中的一個特殊記憶體單元。複數條特殊字線分別耦接於複數個特殊記憶體單元。複數條主字線分別耦接於複數個主記憶體單元。控制器耦接於複數條特殊字線和複數個字線，並且用於驗證複數個特殊記憶體單元中的至少一個特殊記憶體單元是否已經失效，如果至少一個特殊記憶體單元已經失效則重置至少一個特殊記憶體單元，並且擦除複數個主記憶體單元。
另一實施方式提供一種記憶體裝置的擦除方法。記憶體裝置包含記憶體單元串和控制器。該串記憶體單元包含不用於儲存資料的複數個特殊記憶體單元和用於儲存資料的複數個主記憶體單元。擦除方法包含：控制器驗證複數個特殊記憶體單元中的至少一個特殊記憶體單元是否已經失效；如果至少一個特殊記憶體單元已經失效，則控制器重置至少一個特殊記憶體單元；以及控制器擦除複數個主記憶體單元。
第1圖是根據本發明的實施方式的記憶體裝置1的透視圖。記憶體裝置1可以是三維（3D）NAND快閃記憶體裝置，並且可以包含基底10、控制器12和記憶體電路14。控制器12和記憶體電路14可以佈置在基底10上。記憶體電路14可以包含堆疊成層並用於資料儲存的複數個單元陣列141到14M，M是正整數。控制器12可以耦接於記憶體電路14以控制記憶體電路14的讀取、編程和/或擦除操作，並且可以與外部主機溝通以接收用於儲存在記憶體電路14中的資料並且傳輸從記憶體電路14取出的資料。
第2圖是記憶體裝置1的方塊圖。記憶體裝置1可以包含頂部選擇線TSL、虛設(dummy)字線DWL、字線WL(1)到WL(N)、底部選擇線BSL、源極線SL、位元線BL(1)到BL(P)、控制器12和包含複數個單元陣列141到14M的記憶體電路14，其中只有單元陣列14m在第2圖中顯示，N、P是正整數，例如N=64及P=8192，m是正整數並且m≤M。頂部選擇線TSL和虛設字線DWL可以被稱為特殊字線。
單元陣列14m可以包含佈置為單元串S(1)到S(P)的頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)、虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)、主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)、底部選擇單元Cbs(1)到Cbs(P)。在一些實施方式中，單元陣列14m可以包含二或更多行頂部選擇單元、虛設記憶體單元和底部選擇單元。此外，在一些實施方式中，單元陣列14m可以包含在該行底部選擇單元和主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)之間的一或多行虛設記憶體單元。記憶體裝置1可以用於在擦除操作期間驗證和重置單元陣列141到14M的頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)，從而減少編程干擾。
頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)、虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)、主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)和底部選擇單元Cbs(1)到Cbs(P)中的每一者可以是包含控制端、第一端和第二端的浮閘電晶體或電荷俘獲電晶體。頂部選擇線TSL可以耦接於頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)的控制端，以及位元線BL(1)到BL(P)可以分別耦接於頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)的第一端。虛設字線DWL可以耦接於虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)的控制端，以及虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)的第一端可以分別耦接於頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)的第二端。字線WL(1)到WL(N)可以分別耦接於在第一行中的主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,1)至在第N行中的主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)，以及主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,1)的第一端可以分別耦接於虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)的第二端。底部選擇線BSL可以耦接於底部選擇單元Cbs(1)到Cbs(P)的控制端，底部選擇單元Cbs(1)到Cbs(P)的第一端可以分別耦接於主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)的第二端，以及源極線SL可以耦接於底部選擇單元Cbs(1)到Cbs(P)的第二端。控制器12可以使用字線WL(1)到WL(N)和位元線BL(1)到BL(P)來處理主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)。
頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)可以稱為特殊記憶體單元。每個串S(p)可以包含特殊記憶體單元Cts(p)、Cd(p)、主記憶體單元Cm(p,1)到Cm(p,N)和底部選擇單元Cbs(p)，p是正整數以及p≤P。特殊記憶體單元Cts(p)、Cd(p)不用於儲存使用者資料，佈置在串S(p)的一端，並互相串聯耦合。主記憶體單元Cm(p,1)到Cm(p,N)用於儲存使用者資料並串聯耦合。頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)、虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)、主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)和底部選擇單元Cbs(1)到Cbs(P)可以具有單層單元（SLC）類型、多層單元（MLC）類型、三層單元（TLC）類型、四層單元（QLC）類型或更高層類型，並被編程為Q個可能的狀態中的一種狀態，Q是大於1的正整數，例如，對於SLC，Q=2，對於MLC，Q=4，對於TLC，Q=8，以及對於QLC，Q=16。
在編程操作中，供電電壓（例如，3.3V）可以被施加到頂部選擇線TSL，接地電壓（例如，0V）可以被施加到底部選擇線BSL，編程電壓（例如，20V）可以被施加到選定字線，通過電壓（例如，10V）可以被施加到未選定字線和虛設字線DWL，接地電壓可以被施加到選定位元線，以及供電電壓可以被施加到未選定位元線。例如，當對主記憶體單元Cm(1,1)編程時，頂部選擇線TSL由3.3V驅動，底部選擇線BSL在0V處被接地，字線WL(1)由20V驅動，字線WL(2)到WL(M)和虛設字線DWL由10V驅動，位元線BL(1)在0V處被接地，以及位元線BL(2)到BL(P)由3.3V驅動。在這樣的設置中，溝道區和選定主記憶體單元的控制端之間存在很大的壓差，使電子從溝道區注入到選定主記憶體單元的浮閘或電荷俘獲層內以對主記憶體單元編程，而升高的電壓（例如，8V）通過將通過電壓從控制端電容性耦合至主記憶體單元溝道區而被建立在未選定主記憶體單元的溝道區處，防止未選定主記憶體單元被編程並減小編程干擾。頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)可以在編程操作之前被編程為預定狀態（例如，擦除狀態）。虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)可以在編程操作之前被編程為預定狀態（例如，擦除狀態），並在編程操作期間在其控制端處由通過電壓(pass voltage)或虛設偏壓電壓進行偏壓，提供從主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,1)的溝道區到頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)的溝道區的逐漸過渡的溝道電壓，通過在編程操作期間抑制閘極誘導的漏極洩漏（gate induced drain leakage，GIDL）來減小編程干擾，特別是在對主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,1)中的一個主記憶體單元編程期間減小編程干擾。在一些實施方式中，可以從在通過電壓和供電電壓之間的範圍選擇虛設偏壓電壓。
在擦除操作中，除了從主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)擦除使用者資料以外，也可以驗證頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)的臨界電壓，如果驗證失效則重置頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)，從而使頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)能夠正確地操作並減小在編程操作中的編程干擾。在一些實施方式中，對頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)的重置可以是可選的，並且重置偏好的設置可以被儲存在記憶體裝置1中的暫存器中。當重置偏好被設置為啟用時，控制器12可以在檢測到頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)驗證失效時重置頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)；而當重置偏好未被設置為啟用時，控制器12可以在檢測到頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)驗證失效時中止擦除操作。第3到第6圖概述擦除方法和在擦除操作中重置頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)和虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)的重置方法。
第3圖是用於在記憶體裝置1中使用的擦除方法的流程圖。擦除方法300包含步驟S302到S308，在從主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)擦除資料之前重置特殊記憶體單元。步驟S302到S306用於將特殊記憶體單元設置到適當的臨界電壓範圍，以及步驟S308用於擦除主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)。在一些實施方式中，記憶體裝置1可以採用擦除方法來驗證並重置頂部選擇單元Cts(1)到Cts(P)。任何合理的步驟變化或調整在本公開內容的範圍內。如下解釋步驟S302到S308：
步驟S302：      控制器12驗證特殊記憶體單元；
步驟S304：      至少一個特殊記憶體單元驗證失效？如果是，到步驟S305；以及如果否，到步驟S308；
步驟S305：      啟用重置偏好？如果是，到步驟S306；以及如果否，退出方法300；
步驟S306：      控制器12重置至少一個特殊記憶體單元；到步驟S308；
步驟S308：      控制器12擦除主記憶體單元；退出方法300。
當擦除方法300初始化時，控制器12使用上限驗證電壓準位和下限驗證電壓準位來驗證特殊記憶體單元（S302）。上限驗證電壓準位和下限驗證電壓準位可分別根據特殊記憶體單元的預定臨界電壓干擾範圍的下限和上限來進行選擇。當至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓在預定臨界電壓干擾範圍之外時，至少一個特殊記憶體單元可能無法正常運作且可能導致編程干擾，所以將至少一個特殊記憶體單元驗證為已經失效。控制器12接著判斷至少一個特殊記憶體單元是否驗證為已經失效（S304），如果否，則控制器12擦除主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)（S308）並退出方法300，如果是，則控制器12判斷重置偏好是否被設置為啟用（S305）。如果至少一個特殊記憶體單元驗證為已經失效且重置偏好未被設置為啟用，則退出方法300而不擦除記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)。如果至少一個特殊記憶體單元驗證為已經失效且重置偏好被設置為啟用，則控制器12通過將至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓拉回到預定臨界電壓干擾範圍內來重置至少一個特殊記憶體單元（S306），接著擦除主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)（S308）。
第4圖是要合併到方法300中的重置方法400的流程圖。重置方法400包含用於驗證並重置特殊記憶體單元的步驟S402到S412。任何合理的步驟變化或調整在本公內容的範圍內。如下解釋步驟S402到S412：
步驟S402：      控制器12使用下限驗證電壓準位來驗證特殊記憶體單元；
步驟S404：      至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓小於下限驗證電壓準位？如果是，到步驟S406；以及如果否，到步驟S408；
步驟S406：      控制器12將編程脈衝施加到至少一個特殊記憶體單元；到步驟S408；
步驟S408：      控制器12使用上限驗證電壓準位來驗證特殊記憶體單元；
步驟S410：      至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓大於上限驗證電壓準位？如果是，到步驟S412；以及如果否，退出方法400；
步驟S412：      控制器12對至少一個特殊記憶體單元執行軟擦除操作；退出方法400。
在步驟402中，控制器12將下限驗證電壓準位施加到特殊記憶體單元的控制端，同時讀取其狀態，以及在步驟S404中，控制器10根據讀取結果來判斷至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓是否小於下限驗證電壓準位。如果至少一個特殊記憶體單元的狀態使用下限驗證電壓準位可正確讀取，則至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓小於下限驗證電壓準位且至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓太低，因此在步驟S406中，控制器12將一個或複數個編程脈衝施加到至少一個特殊記憶體單元，直到控制器12不能夠讀取至少一個特殊記憶體單元的狀態為止。接著在步驟S408中，控制器12將上限驗證電壓準位施加到特殊記憶體單元的控制端，同時讀取其狀態，以及在步驟S410中，控制器12根據讀取結果來判斷至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓是否大於下限驗證電壓準位。如果至少一個特殊記憶體單元的狀態使用上限驗證電壓準位無法正確讀取，則至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓不大於上限驗證電壓準位，方法400結束。如果至少一個特殊記憶體單元的狀態使用上限驗證電壓準位可正確讀取，則至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓大於上限驗證電壓準位且至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓太高，因此在步驟S412中，控制器12對至少一個特殊記憶體單元執行軟擦除操作以將其臨界電壓拉到小於上限驗證電壓準位，並退出方法400。
軟擦除操作可以通過使至少一個特殊記憶體單元的控制端接地同時將適當的軟擦除電壓施加到至少一個特殊記憶體單元的位元線來執行，從而將額外的電壓從至少一個特殊記憶體單元的浮閘或電荷俘獲層放出。軟擦除電壓可以是正電壓且在幅度上比在擦除操作中採用的擦除電壓較小。在一些實施方式中，驗證和校正在臨界電壓上太低的特殊記憶體單元和在臨界電壓上太高的特殊記憶體單元的順序可以交換，也就是說，步驟S408到S412和步驟S402到S406可以在適當的位置上交換。
第5圖是用於在記憶體裝置1中使用的另一擦除方法500的流程圖。擦除方法500包含在重置特殊記憶體單元之前從主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)擦除資料的步驟S502到S508。步驟S502用於擦除主記憶體單元，以及步驟S505到S508用於將特殊記憶體單元設置為適當的狀態。在一些實施方式中，記憶體裝置1可以採用擦除方法來驗證並重置虛設記憶體單元Cd(1)到Cd(P)。任何合理的步驟變化或調整在本公開內容的範圍內。如下解釋步驟S502到S508：
步驟S502：      控制器12擦除主記憶體單元；
步驟S504：      控制器12驗證特殊記憶體單元；
步驟S506：      至少一個特殊記憶體單元驗證失效？如果是，到步驟S507；以及如果否，退出方法500；
步驟S507：      重置偏好被啟用？如果是，到步驟S508；以及如果否，退出方法500；
步驟S508：      控制器12重置至少一個特殊記憶體單元；退出方法500。
當擦除方法500初始化時，控制器12擦除主記憶體單元Cm(1,N)到Cm(P,N)（S502），並且接著使用上限驗證電壓準位和下限驗證電壓準位來驗證特殊記憶體單元（S504）。上限驗證電壓準位和下限驗證電壓準位可以分別根據特殊記憶體單元的預定臨界電壓干擾範圍的下限和上限來進行選擇。當至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓在預定臨界電壓干擾範圍之外時，至少一個特殊記憶體單元可能無法正確運作且可能導致編程干擾，因此至少一個特殊記憶體單元驗證為已經失效。控制器12判斷至少一個特殊記憶體單元是否驗證已經失效（S506），如果否，則控制器12退出方法500，以及如果是，則控制器12判斷重置偏好是否被設置為啟用（S507）。如果至少一個特殊記憶體單元驗證已經失效且重置偏好未被設置為啟用，則方法500被直接退出而不重置至少一個特殊記憶體單元。如果至少一個特殊記憶體單元驗證已經失效且重置偏好被設置為啟用，則控制器12通過將至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓拉回到預定臨界電壓干擾範圍內來重置至少一個特殊記憶體單元並且退出方法500（S508）。
第6圖是要合併到方法500中的重置方法600的流程圖。方法600包含用於重置特殊記憶體單元的步驟S602到S608。任何合理的步驟變化或調整在本公開內容的範圍內。如下解釋步驟S602到S608：
步驟S602：      控制器12驗證特殊記憶體單元；
步驟S604：      至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓大於上限驗證電壓準位或小於下限驗證電壓準位？如果是，到步驟S606；以及如果否，退出方法600；
步驟S606：      控制器12擦除特殊記憶體單元和主記憶體單元；
步驟S608：      控制器12對特殊記憶體單元編程；退出方法600。
在步驟602中，控制器12將下限驗證電壓準位或上限驗證電壓準位施加到特殊記憶體單元的控制端以讀取其狀態，以及在步驟S604中，控制器10根據讀取結果來判斷至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓是否大於上限驗證電壓準位或小於下限驗證電壓準位。如果至少一個特殊記憶體單元的狀態使用下限驗證電壓準位可正確讀取，則至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓小於下限驗證電壓準位且至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓太低，以及如果至少一個特殊記憶體單元的狀態使用上限驗證電壓準位無法正確讀取，則至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓大於上限驗證電壓準位且至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓太高。
如果至少一個特殊記憶體單元的臨界電壓大於上限驗證電壓準位或小於下限驗證電壓準位，則控制器12擦除特殊記憶體單元和主記憶體單元Cm(1,1) 到Cm(P,N)（S606），然後將特殊記憶體單元編程為相應的預定狀態（S608），並退出方法600。可以通過使特殊記憶體單元和主記憶體單元Cm(1,1) 到Cm(P,N)的控制端接地同時將適當的擦除電壓施加到特殊記憶體單元和主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)的位元線來執行對特殊記憶體單元和主記憶體單元Cm(1,1) 到Cm(P,N)的擦除，從而將所有電荷從特殊記憶體單元和主記憶體單元Cm(1,1)到Cm(P,N)的浮閘或電荷俘獲層放出。
記憶體裝置1和方法300到600可用在擦除操作中驗證並重置記憶體裝置1中的特殊記憶體單元，從而減小編程干擾並增強裝置性能。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1:記憶體裝置 10:基底 12:控制器 14:記憶體電路 141到14M、14m:單元陣列 300、500:擦除方法 400、600:重置方法 S302到S308、S402到S412、S502到S508、S602到S608:步驟 TSL:頂部選擇線 BL(1)到BL(P):位元線 BSL:底部選擇線 Cbs(1)到Cbs(P):底部選擇單元 Cd(1)到Cd(P):虛設記憶體單元 Cm(1,1)到Cm(P,N):主記憶體單元 Cts(1)到Cts(P):頂部選擇單元 DWL:虛設字線 S(1)到S(P):單元串 SL:源極線 WL(1)到WL(N):字線
第1圖是根據本發明的一個實施方式的記憶體裝置的透視圖。 第2圖是第1圖中的記憶體裝置的方塊圖。 第3圖是用於在第1圖中的記憶體裝置中使用的擦除方法的流程圖。 第4圖是在第3圖中的擦除方法中的重置方法的流程圖。 第5圖是用於在第1圖中的記憶體裝置中使用的另一擦除方法的流程圖。 第6圖是在第5圖中的擦除方法中的重置方法的流程圖。
300:擦除方法
S302到S308:步驟

Claims (20)

  1. 一種記憶體裝置，包含： 一記憶體單元串，包含： 串聯的複數個特殊記憶體單元，佈置在該記憶體單元串的一端，並且不用於儲存資料；以及 串聯的複數個主記憶體單元，用於儲存資料，該複數個主記憶體單元中的一個主記憶體單元耦接於該複數個特殊記憶體單元中的一個特殊記憶體單元； 複數條特殊字線，分別耦接於該複數個特殊記憶體單元； 複數條主字線，分別耦接於該複數個主記憶體單元；以及 一控制器，耦接於該複數條特殊字線和該複數條字線，用以驗證該複數個特殊記憶體單元中的至少一個特殊記憶體單元是否已經失效，如果該至少一個特殊記憶體單元已經失效則重置該至少一個特殊記憶體單元，並且擦除該複數個主記憶體單元。
  2. 如請求項1所述之記憶體裝置，其中，該控制器用以在擦除該複數個主記憶體單元之前，驗證該至少一個特殊記憶體單元是否已經失效。
  3. 如請求項2所述之記憶體裝置，其中，該控制器使用一驗證電壓準位來驗證該複數個特殊記憶體單元，並且當該至少一個特殊記憶體單元的一臨界電壓小於該驗證電壓準位時，該控制器將一編程脈衝施加到該至少一個特殊記憶體單元。
  4. 如請求項2所述之記憶體裝置，其中，該控制器使用一驗證電壓準位來驗證該複數個特殊記憶體單元，並且當該至少一個特殊記憶體單元的一臨界電壓大於該驗證電壓準位時，該控制器對該至少一個特殊記憶體單元執行一軟擦除操作。
  5. 如請求項1所述之記憶體裝置，其中，該控制器用以在驗證該至少一個特殊記憶體單元是否已經失效之前擦除該複數個主記憶體單元。
  6. 如請求項5所述之記憶體裝置，其中，如果該至少一個特殊記憶體單元已經失效，則該控制器用以擦除該複數個特殊記憶體單元和該複數個主記憶體單元，並且將一編程脈衝施加到該複數個特殊記憶體單元。
  7. 如請求項1所述之記憶體裝置，其中： 該複數個特殊記憶體單元包含： 一選擇電晶體，其被佈置在該複數個特殊記憶體單元的一端；以及 一虛設(dummy)記憶體單元，其耦接於該選擇電晶體； 該複數條特殊字線包含： 一選擇字線，其耦接於該選擇電晶體；以及 一虛設字線，其耦接於該虛設記憶體單元。
  8. 如請求項7所述之記憶體裝置，其中： 該至少一個特殊記憶體單元包含該選擇電晶體。
  9. 如請求項7所述之記憶體裝置，其中： 該至少一個特殊記憶體單元包含該虛設記憶體單元。
  10. 如請求項1所述之記憶體裝置，其中，該記憶體裝置是一3維NAND快閃記憶體裝置。
  11. 一種記憶體裝置的擦除方法，該記憶體裝置包含一記憶體單元串和一控制器，該記憶體單元串包含不用於儲存資料的複數個特殊記憶體單元和用於儲存資料的複數個主記憶體單元，並且該擦除方法包含： 該控制器驗證該複數個特殊記憶體單元中的至少一個特殊記憶體單元是否已經失效； 如果該至少一個特殊記憶體單元已經失效，則該控制器重置該至少一個特殊記憶體單元；以及 該控制器擦除該複數個主記憶體單元。
  12. 如請求項11所述之方法，其中，在該控制器擦除該複數個主記憶體單元之前，該控制器驗證該至少一個特殊記憶體單元是否已經失效。
  13. 如請求項12所述之方法，其中，該控制器驗證該複數個特殊記憶體單元中的該至少一個特殊記憶體單元是否已經失效包含： 該控制器使用一驗證電壓準位來驗證該複數個特殊記憶體單元；以及 如果該至少一個特殊記憶體單元已經失效則重置該至少一個特殊記憶體單元包含： 當該至少一個特殊記憶體單元的一臨界電壓小於該驗證電壓準位時，該控制器將一編程脈衝施加到該至少一個特殊記憶體單元。
  14. 如請求項12所述之方法，其中，該控制器驗證該複數個特殊記憶體單元中的該至少一個特殊記憶體單元是否已經失效包含： 該控制器使用一驗證電壓準位來驗證該複數個特殊記憶體單元；以及 如果該至少一個特殊記憶體單元已經失效則重置該至少一個特殊記憶體單元包含： 當該至少一個特殊記憶體單元的一臨界電壓大於該驗證電壓準位時，該控制器對已失效的特殊記憶體單元執行一軟擦除操作。
  15. 如請求項11所述之方法，其中，在該控制器驗證該至少一個特殊記憶體單元是否已經失效之前，該控制器擦除該複數個主記憶體單元。
  16. 如請求項15所述之方法，其中，如果該至少一個特殊記憶體單元已經失效，則該控制器重置該至少一個特殊記憶體單元包含： 該控制器擦除該複數個特殊記憶體單元和該複數個主記憶體單元，並且將一編程脈衝施加到該特殊記憶體單元。
  17. 如請求項11所述之方法，其中： 該複數個特殊記憶體單元包含： 一選擇電晶體，其被佈置在該記憶體單元串的一端；以及 一虛設記憶體單元，其耦接於該選擇電晶體和該複數個記憶體單元中的一個記憶體單元。
  18. 如請求項17所述之方法，其中，該至少一個特殊記憶體單元包含該選擇電晶體。
  19. 如請求項17所述之方法，其中，該至少一個特殊記憶體單元包含該虛設記憶體單元。
  20. 如請求項11所述之方法，其中，該記憶體裝置是一3維NAND快閃記憶體裝置。
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