TWI740216B - 銦錫鎳氧化物靶材及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本創作提供一種銦錫鎳氧化物靶材，其係由銦、錫、鎳及氧所組成， 其中鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子百分比且小於或等於3原子百分比，且該銦錫鎳氧化物靶材的平均體電阻率小於2x10-4歐姆-公分。本創作能顯著降低銦錫鎳氧化物靶材於濺鍍一段時間後靶面發生的結瘤現象，故可提升濺鍍過程的穩定性並獲得高品質之薄膜。

Description

銦錫鎳氧化物靶材及其製造方法
本創作係關於一種銦錫鎳氧化物靶材，特別是關於一種可應用於製造平面顯示器之透明導電氧化物(TCO)材料的銦錫鎳氧化物靶材。
在諸如觸控面板、液晶面板等平面顯示器的領域中，銦錫氧化物(ITO)薄膜由於具有優異的導電性與高穿透率的特性而受到廣泛地應用。舉例而言，薄膜電晶體陣列(TFT array)及彩色濾光片(CF)皆需使用ITO薄膜。
許多製法可用以製備ITO薄膜，其成膜方式包含旋轉塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)等。物理氣相沉積是一種以物質的相變化(例如濺鍍)進行薄膜沉積的技術，此種製程無涉及化學反應，因此所製備的薄膜純度佳且品質穩定，故目前在平面顯示器領域的薄膜製造中以PVD製程為主流技術。PVD製程可達成快速的沉積速率、精確的成分控制、準確的沉積厚度控制及較低的製造成本，並可透過調整製程參數而獲得所需物性之ITO薄膜。
一般採用高溫製程沉積多晶ITO薄膜，其具有低電阻值及高穿透性，但需以強酸進行蝕刻以避免殘留微粒，且於濺鍍一段時間後靶面易產生結瘤現象。在銦錫氧化物靶材表面產生的結瘤會導致濺鍍速率改變、受濺射之 原子的角度分布變化、異常電弧放電等，而濺鍍系統也因需清除結瘤而暫時停機，故銦錫氧化物靶材表面產生的結瘤致使濺鍍穩定性下降、薄膜潔淨度降低、或導致薄膜組成變異而影響薄膜的品質，進而使良率降低。
有鑑於此，需積極改善在PVD過程中銦錫氧化物靶材之靶面結瘤的問題，從而提升濺鍍過程的穩定性、獲得良好品質的薄膜並提高製程良率。
為克服先前技術所面臨之問題，本創作之主要目的在於提供一種摻雜異質元素的銦錫氧化物靶材，其有效降低濺鍍一段時間後靶面發生結瘤現象，可提高薄膜之生產效率並獲得高品質之薄膜。
為達成改善銦錫氧化物靶材表面結瘤之目的，本創作提供一種銦錫鎳氧化物靶材，其係由銦、錫、鎳及氧所組成，其中鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子百分比(at%)且小於或等於3原子百分比，且該銦錫鎳氧化物靶材的平均體電阻率小於2x10-4歐姆-公分(Ω-cm)。
較佳的，前述銦錫鎳氧化物靶材的鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於或等於0.1原子百分比且小於或等於2.8原子百分比。
依據本創作，所述銦錫鎳氧化物靶材的錫相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子百分比且小於或等於10原子百分比。
較佳的，所述銦錫鎳氧化物靶材的體電阻率不均勻度小於20%；更佳的，所述銦錫鎳氧化物靶材的體電阻率不均勻度小於或等於18%；再更佳的，所述銦錫鎳氧化物靶材的體電阻率不均勻度小於或等於15%。
依據本創作，所述銦錫鎳氧化物靶材包含二次相，該二次相的成分為銦錫氧化物(In4Sn3O12)，該二次相的面積佔該銦錫鎳氧化物靶材之截面積的比例小於16%。
較佳的，所述二次相的面積佔該銦錫鎳氧化物靶材之截面積的比例小於14%，更佳的，所述二次相的面積佔該銦錫鎳氧化物靶材之截面積的比例小於5%。藉由控制鎳在銦錫鎳氧化物靶材中的含量，可降低銦錫鎳氧化物靶材中的二次相化合物含量。
依據本創作，前述銦錫鎳氧化物靶材之平均晶粒粒徑尺寸大於或等於5微米(μm)且小於或等於12微米。
依據本創作，前述銦錫鎳氧化物靶材之X光繞射(XRD)光譜包含第一特徵峰及第二特徵峰，該第一特徵峰的2θ為30.243°±1.000°，該第二特徵峰的2θ為30.585°±1.000°。以該第二特徵峰的繞射強度為基準，該第一特徵峰的繞射強度相對於該第二特徵峰的繞射強度之比例小於30%，較佳的，該第一特徵峰的繞射強度相對於該第二特徵峰的繞射強度之比例小於16%，更佳的，該第一特徵峰的繞射強度相對於該第二特徵峰的繞射強度之比例小於10%。此外，該第二特徵峰的2θ相對於具有立方晶系結構之氧化銦標準品之X光繞射光譜(編號88-2160)中2θ為30.585°之特徵峰的2θ偏移量大於0.02°，較佳的，該2θ偏移量大於0.06°，更佳的，該2θ偏移量大於0.08°，其中該2θ偏移量小於或等於0.15°。
依據本創作，前述銦錫鎳氧化物靶材於濺鍍過程期間，其靶面為光滑的且實質上不發生靶面結瘤的現象。
依據本創作，前述銦錫鎳氧化物靶材之製造方法包含：將銦的氧化物粉末、錫的氧化物粉末及鎳的氧化物粉末混合並進行噴霧造粒，得到造粒粉末，其中該造粒粉末中鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子 百分比且小於或等於3原子百分比；將該造粒粉末進行預成型，得到一靶胚；再將該靶胚於1500℃至1600℃下燒結10小時(hr)至20小時，以獲得該銦錫鎳氧化物靶材。
依據本創作，所述銦錫鎳氧化物靶材於濺鍍一段時間後能實質上避免其靶面發生結瘤的現象，從而提升銦錫鎳氧化物靶材的濺鍍穩定性、提升銦錫鎳氧化物靶材薄膜潔淨度，進而提高薄膜的品質及生產效率。
圖1A係未摻雜鎳之銦錫氧化物靶材之掃描式電子顯微鏡(SEM)金相圖。
圖1B至圖1D係具有不同鎳含量之銦錫鎳氧化物靶材之SEM金相圖。
圖2A係未摻雜鎳之銦錫氧化物靶材之XRD光譜與氧化銦標準品和In4Sn3O12標準品之XRD光譜的比對結果。
圖2B至圖2D係具有不同鎳含量之銦錫鎳氧化物靶材之XRD光譜與氧化銦標準品和In4Sn3O12標準品之XRD光譜的比對結果。
圖3A係未摻雜鎳之銦錫氧化物靶材於濺鍍一段時間後所觀察到的靶材表面。
圖3B係摻雜鎳之銦錫鎳氧化物靶材於濺鍍一段時間後所觀察到的靶材表面。
為驗證本創作之銦錫鎳氧化物靶材的組成對靶面結瘤現象之改善程度，以下列舉數種具有不同組成之銦錫鎳氧化物靶材作為例示，說明本創 作之實施方式；熟習此技藝者可經由本說明書之內容輕易地了解本創作所能達成之優點與功效，並且於不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更，以施行或應用本創作之內容。
實施例1至3：銦錫鎳氧化物靶材
首先，依表1之實施例1至3的混合比例，將純度高於3N(99.9%)之氧化銦(In2O3)粉末、二氧化錫(SnO2)粉末及一氧化鎳(NiO)粉末與水混合成一漿料(漿料中的固含量控制於40%至65%)，再使用氧化鋯磨球持續進行2小時至4小時的濕式球磨，使其平均粒徑(D50)低於1微米，藉此提升粉末分散性，避免發生成分不均的問題。於此，若成分混合不均易導致成分偏析、局部氧化物聚集與金相異常等，致使銦錫鎳氧化物靶材的電阻率產生分區差異性，高電阻區在濺鍍過程期間易帶電、產生電弧而導致異常放電。
接著，將前述濕式球磨後的漿料透過黏結劑使粉末間具黏結性，攪拌使其均勻混合後接續以噴霧造粒機進行粉末乾燥，以形成直徑不大於150微米的造粒粉末。於此，利用噴霧造粒步驟能提升造粒粉末的流動性，於填粉成型步驟確保造粒粉末均勻填充於模具處，以利受壓成型。
之後，取適量造粒粉末填於選定模具中，並施予每平方公分150公斤至300公斤(kg/cm2)之壓力，以單軸加壓方式成型得到靶胚。於此，若加壓成型步驟所設定之面壓過小時，靶胚成型不易、緻密性低；而若面壓過大時，則有靶胚層裂抑或能源耗費等疑慮。接續轉以冷均壓成型，提升靶胚受壓均勻性。
最後，於氧氣氛下、於1500℃至1600℃下燒結10小時至20小時，以製得實施例1至3的銦錫鎳氧化物靶材。於此，燒結的溫度過低抑或持溫時間過短易致使燒結驅動力不足與反應緻密化時間不夠，而溫度過高或持溫時 間過長則導致銦錫鎳氧化物靶材晶粒成長過大而使強度弱化。提高銦錫鎳氧化物靶材的緻密性亦可抑制銦錫鎳氧化物靶材濺鍍一段時間後發生靶面結瘤的現象。
於下表1中，銦含量係指銦相對於銦、錫和鎳之原子數總和的含量，錫含量係指錫相對於銦、錫和鎳之原子數總和的含量，鎳含量係指鎳相對於銦、錫和鎳之原子數總和的含量，單位為at%。
比較例1：銦錫氧化物靶材
本比較例僅選用純度高於3N之氧化銦粉末及二氧化錫粉末作為起始原料，並大致上經由如實施例1至3之操作步驟製得不含鎳的銦錫氧化物靶材。
Figure 108134422-A0305-02-0007-1
試驗例1：相對密度
前述實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材的相對密度係利用阿基米德法測量的實際密度除以銦錫氧化物的理論密度再乘以100%後所得。實施例1至3及比較例1的分析結果列於上表1中。於此，應說明的是，由於實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材的鎳含量不高，微量存在的鎳不至於顯著影響密度變異性，故本說明書中銦錫鎳氧化物靶材的相對密度係以銦錫氧化物的理論密度(每立方公分7.15克(g/cm3))為基準進行計算。
由上表1可知，實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材之相對密度皆大於98%，且實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材仍可維持如比較例1之銦錫氧化物靶材的高相對密度。
試驗例2：平均體電阻率
本試驗例以實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材為待測樣品，使用四點探針電阻率測試儀(廠牌：Napson，型號：RT-70)測量各待測樣品的體電阻率，各待測樣品測試30筆數據後取其平均值作為其平均體電阻率。各待測樣品的分析結果列於上表1中。
由上表1可知，實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材之平均體電阻率皆小於2x10-4Ω-cm，且實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材仍可維持與比較例1之銦錫氧化物靶材相當的平均體電阻率。
試驗例3：體電阻率不均勻度
本試驗例以實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材為待測樣品，將各待測樣品的橫截面由上至下先區分為五個區域，再由前述五個區域分別測量得到一測量值，由前述五個測量值中取最大的體電阻率減最小的體電阻率再除以該最小的體電阻率再乘以100%[(R最大值-R最小值)/R最小值*100%]計算得到體電阻率不均勻度。各待測樣品的分析結果列於上表1中。
由上表1可知，實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材的體電阻率不均勻度小於20%，較佳的，實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材的體電阻率不均勻度小於或等於18%；再更佳的，實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材的體電阻率不均勻度小於或等於15%，且實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材仍可維持如比較例1之銦錫氧化物靶材的低體電阻率不均勻度。
試驗例4：二次相之面積比例
在銦錫氧化物靶材的製造過程中，因二氧化錫與氧化銦固溶量有限而生成二次相化合物In4Sn3O12，該二次相化合物In4Sn3O12的電阻率較氧化銦為高，於銦錫氧化物靶材中分布不均或含量偏高易使銦錫氧化物靶材於濺鍍過程期間產生不正常的放電效應，甚而劣化ITO薄膜的品質。
依據本發明，所謂「品質」係指靶材各成分間的均勻性或二次相化合物佔整體靶材之含量。當靶材中混合的成分越均勻或整體靶材含有的二次相化合物含量相對少時，表示一靶材具有較高的品質。使用一高品質的靶材進行薄膜濺鍍製程，可製得成分較為均勻的薄膜。
本試驗例以實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材為待測樣品，以各待測樣品之2K倍率的SEM金相圖進行分析，利用影像圖之色差做對比度及明亮度之調整，使各待測樣品的二次相與氧化銦母相在影像上產生明顯的差異，再經由Image-pro plus 6.3影像分析軟體判斷二次相之區域，並將二次相面積的總合除以整體處理後影像圖之觀察面積再乘以100%後得到各待測樣品之二次相的面積比例。每一待測樣品採其3張金相圖之二次相的面積比例平均值為該待測樣品之二次相的面積比例。各待測樣品的分析結果列於上表1中。
綜合圖1A及上表1之結果可知，比較例1之未摻雜鎳的銦錫氧化物靶材中二次相的面積比例為16.0%；反觀實施例1至3，根據圖1B至圖1D之結 果可見，實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材中二次相之面積比例較低，尤其圖1D中僅有微量的二次相存在。如上表1所示，實施例1之銦錫鎳氧化物靶材中因含有0.14原子百分比的鎳含量，故實施例1之銦錫鎳氧化物靶材中二次相的面積比例降為15.5%。實施例2之銦錫鎳氧化物靶材中因含有0.56原子百分比的鎳含量，故實施例2之銦錫鎳氧化物靶材中二次相的面積比例進一步降為13.4%。實施例3之銦錫鎳氧化物靶材中因含有2.77原子百分比的鎳含量，故實施例3之銦錫鎳氧化物靶材中二次相的面積比例更進一步降為4.0%。根據上表1之結果，可發現銦錫鎳氧化物靶材中二次相的面積比例隨著鎳含量的增加而減少。
因此，可得知摻雜鎳有助於減少銦錫氧化物靶材中的二次相面積，亦即，隨著鎳含量的提升，有助於將錫固溶至氧化銦母相，而使二次相的面積比例明顯降低。當銦錫鎳氧化物靶材中混合的成分越均勻或整體銦錫鎳氧化物靶材含有越少的二次相化合物時，表示銦錫鎳氧化物靶材具有較高的品質。
試驗例5：平均晶粒粒徑尺寸
本試驗例以實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材為待測樣品，以各待測樣品於3K倍率下觀察所拍攝得到的SEM金相圖進行分析，於各金相圖上分別繪製四條截線，其中二條截線為該金相圖之對角線，另外兩條截線分別平行於長邊之中心線及平行於短邊之中心線，四條截線於金相圖上呈米字型排列。
接著，以此抽樣統計四條截線上的晶粒總數，因晶粒在空間中之非等相性，即便四條截線的其中一條已計算過某一顆晶粒，該等截線中的其他截線亦貫穿同一顆晶粒時，該同一顆晶粒仍列入計算。統計各截線上的晶粒總數後，再將各截線於待測樣品上的實際長度(即金相圖上的截線長度乘以比例尺)除以晶粒總數得到各截線上之晶粒粒徑尺寸。然後，屏除二次相而僅以 氧化銦母相進行計算，以前述計算得到各截線上的晶粒粒徑尺寸的數據計算所有截線之平均晶粒粒徑尺寸，各待測樣品分別採3張金相圖平均值為各待測樣品的平均晶粒粒徑尺寸。各待測樣品的分析結果列於上表1中。
由上表1可知，實施例1與比較例1之待測樣品的平均晶粒粒徑尺寸相同，兩者皆為5.53微米，此表示含有0.14原子百分比之鎳含量的銦錫鎳氧化物靶材並不影響靶材的平均晶粒粒徑尺寸。實施例2之銦錫鎳氧化物靶材含有0.56原子百分比的鎳含量，其鎳含量為實施例1之鎳含量的四倍，但實施例2的銦錫鎳氧化物靶材之平均晶粒粒徑尺寸僅稍微增加至5.78微米。實施例3之銦錫鎳氧化物靶材含有2.77原子百分比的鎳含量，其鎳含量為實施例1之鎳含量的約二十倍，但實施例3的銦錫鎳氧化物靶材之平均晶粒粒徑尺寸僅增加至約兩倍為11.8微米。
由以上實驗結果可知，摻雜微量的鎳幾乎不改變銦錫鎳氧化物靶材的平均晶粒粒徑尺寸，或僅使銦錫鎳氧化物靶材的平均晶粒粒徑尺寸稍微增加。
試驗例6：X光繞射分析
本試驗例以實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材為待測樣品，使用X光繞射儀(廠牌：Rigaku，型號：Ultima IV)，並以每分鐘2.4°的速度掃描、繞射角度由2θ為20°掃描至2θ為80°的掃描條件進行各待測樣品的晶體結構分析，並將各待測樣品所量測的X光繞射光譜與粉末繞射標準聯合委員會(Joint Committee on Powder Diffraction Standard，JCPDS)的粉末繞射資料檔(Powder Diffraction File，PDF)進行比對，比對結果如圖2A至2D所示。
如圖2A至2D所示，在具有立方晶系結構之氧化銦標準品的X光繞射光譜(編號88-2160)中，具有最大繞射強度的特徵峰(對應於氧化銦晶體 的(222)晶面)之2θ為30.585°；在具有菱方晶系結構之In4Sn3O12標準品的X光繞射光譜(編號88-0773)中，2θ為30.243°之特徵峰係對應於In4Sn3O12標準品的(003)晶面。實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材於2θ為30.243°±1.000°具有一第一特徵峰、及於2θ為30.585°±1.000°具有一第二特徵峰，其中該第一特徵峰係匹配於In4Sn3O12標準品的X光繞射光譜之2θ為30.243°的特徵峰，而該第二特徵峰係匹配於氧化銦標準品的X光繞射光譜之2θ為30.585°之具有最大繞射強度的特徵峰。
將實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材之第一特徵峰的繞射強度除以第二特徵峰的繞射強度再乘以100%計算得到XRD特徵峰的強度比例(Intensity ratio)。此外，將實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材之X光繞射光譜中第二特徵峰的2θ減去氧化銦標準品之X光繞射光譜之2θ為30.585°之特徵峰的偏移量做為第二特徵峰的偏移量。實施例1至3及比較例1的分析結果列於上表1中。
圖2A係比較例1之未摻雜鎳之銦錫氧化物靶材的XRD光譜。從圖2A及上表1可知，比較例1之第一特徵峰的繞射強度相對於第二特徵峰的繞射強度之比例為35.76%，且第二特徵峰的2θ為30.585°，該第二特徵峰的2θ相對於氧化銦標準品之X光繞射光譜中2θ為30.585°之特徵峰的2θ偏移量為0。
圖2B係實施例1之銦錫鎳氧化物靶材的XRD光譜，從圖2B及上表1可知，實施例1之第一特徵峰的繞射強度降低，該第一特徵峰的繞射強度相對於第二特徵峰的繞射強度之比例降為26.50%，從圖2B及上表1亦可知，該第二特徵峰的2θ相對於氧化銦標準品之X光繞射光譜中2θ為30.585°之特徵峰向右偏移0.022°。圖2C係實施例2之銦錫鎳氧化物靶材的XRD光譜，從圖2C及上表1可知，實施例2之第一特徵峰的繞射強度進一步降低，該第一特徵峰的繞射強度相對於第二特徵峰的繞射強度之比例進一步降為15.84%，從圖2C及上表1亦 可知，該第二特徵峰的2θ相對於氧化銦標準品之X光繞射光譜中2θ為30.585°之特徵峰向右偏移0.066°。圖2D係實施例3之銦錫鎳氧化物靶材的XRD光譜，從圖2D及上表1可知，實施例3之第一特徵峰的繞射強度顯著地降低，該第一特徵峰的繞射強度相對於第二特徵峰的繞射強度之比例降低至9.64%，從圖2D及上表1亦可知，該第二特徵峰的2θ相對於氧化銦標準品之X光繞射光譜中2θ為30.585°之特徵峰向右偏移0.084°。
由以上實驗結果可知，隨著鎳含量的增加，銦錫鎳氧化物靶材之XRD光譜的第一特徵峰的繞射強度相對於第二特徵峰的繞射強度的比例逐漸降低。由於第一特徵峰的繞射強度降低表示銦錫鎳氧化物靶材中二次相化合物In4Sn3O12的含量減少，意謂著摻雜鎳有助於將銦錫鎳氧化物靶材中的錫固溶至氧化銦母相，因而減少二次相化合物In4Sn3O12的含量。此外，亦從實驗結果可觀察到隨著鎳含量增加，銦錫鎳氧化物靶材中第二特徵峰的2θ偏移量亦隨之增加。
試驗例7：靶面結瘤狀況
本試驗例以實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材和比較例1之銦錫氧化物靶材為待測樣品，利用直流濺鍍源進行濺鍍，將該直流濺鍍源的能量密度設定為每平方公分3瓦(w/cm2)、工作壓力設為3毫托、並以4千瓦小時(kwhr)進行濺鍍，接著以照片紀錄靶面狀態作為各待測樣品的靶面結瘤評估標準。
圖3A係比較例1之銦錫氧化物靶材於濺鍍一段時間後觀察到的靶材表面；而圖3B係實施例1至3之銦錫鎳氧化物靶材於濺鍍一段時間後觀察到的靶材表面。摻雜鎳的銦錫鎳氧化物靶材，其靶面係皆如圖3B所示般光滑；相對的，比較例1之銦錫氧化物靶材中二次相化合物含量較高抑或分布不均，致使銦錫氧化物靶材在濺鍍過程期間容易產生異常尖端放電造成靶面回濺物蓄 積，而使比較例1之銦錫氧化物靶材的表面顯得粗糙，可明顯觀察到有結瘤的現象，如圖3A所示。因此，實施例1至3所製得的銦錫鎳氧化物靶材具有不會產生裂縫並有效降低濺鍍一段時間後發生靶面結瘤的現象。
綜合上述試驗結果，依據本創作之製造方法所製得的銦錫鎳氧化物靶材由於其二次相化合物In4Sn3O12含量減少或分布均勻性提升而有效降低濺鍍一段時間後發生靶面結瘤的現象，使濺鍍穩定性升高、薄膜潔淨度增加，進而增加薄膜的品質及提高生產效率。

Claims (7)

  1. 一種銦錫鎳氧化物靶材，其係由銦、錫、鎳及氧所組成，其中鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子百分比且小於或等於3原子百分比，且該銦錫鎳氧化物靶材的平均體電阻率小於2x10-4 歐姆－公分。
  2. 如請求項1之銦錫鎳氧化物靶材，其中鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於或等於0.1原子百分比且小於或等於2.8原子百分比。
  3. 如請求項1之銦錫鎳氧化物靶材，其中錫相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子百分比且小於或等於10原子百分比。
  4. 如請求項1至3中任一項之銦錫鎳氧化物靶材，其中該銦錫鎳氧化物靶材包含二次相，該二次相的成分為銦錫氧化物，該二次相的面積佔該銦錫鎳氧化物靶材之截面積的比例小於16%。
  5. 如請求項1至3中任一項之銦錫鎳氧化物靶材，其X光繞射光譜包含一第一特徵峰及一第二特徵峰，該第一特徵峰的2θ為30.243°±1.000°，該第二特徵峰的2θ為30.585°±1.000°，以該第二特徵峰的繞射強度為基準，該第一特徵峰的繞射強度相對於該第二特徵峰的繞射強度之比例小於30%。
  6. 如請求項5之銦錫鎳氧化物靶材，該第二特徵峰的2θ相對於氧化銦標準品之X光繞射光譜中2θ為30.585°之特徵峰的2θ偏移量大於0.02°。
  7. 一種製造如請求項1至6中任一項之銦錫鎳氧化物靶材的方法，包含下列步驟： (1) 將銦的氧化物粉末、錫的氧化物粉末及鎳的氧化物粉末混合並進行噴霧造粒，得到造粒粉末，其中該造粒粉末中鎳相對於銦、錫和鎳之總和的含量和係大於0原子百分比且小於或等於3原子百分比； (2) 將該造粒粉末進行預成型，得到一靶胚；及 (3) 將該靶胚於1500°C至1600°C下燒結10小時至20小時，以獲得該銦錫鎳氧化物靶材。
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