TWI737810B - 晶圓之加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種晶圓之加工方法，其課題為確實地使所有的電極柱露出於晶圓的背面。 　　解決手段係加以埋設伸長至形成裝置於表面之晶圓的厚度方向，從該晶圓表面至特定深度位置之複數的電極柱之晶圓的加工方法，其中，具備：在保持台而保持晶圓的表面側之保持步驟，和由加工在該保持台所保持之晶圓的背面側者，將該晶圓薄化為特定厚度之薄化步驟，和實施該薄化步驟後，攝影晶圓的背面而作成攝影畫像，依據該攝影畫像而判定有無未露出於該背面之電極柱的判定步驟；對於以該判定步驟判定有未露出於晶圓背面之電極柱的情況，實施更薄化晶圓之追加工程步驟者。

Description

晶圓之加工方法
[0001] 本發明係有關由半導體等而加以構成之晶圓的加工方法。
[0002] 具有IC、LSI等之裝置的晶片係於表面，加以分割形成有複數的裝置之略圓板形狀的晶圓而加以形成。該複數的裝置，係加以形成於經由於該晶圓表面設定成格子狀之分割預定線所劃分之各複數的範圍。加以形成複數的裝置之後，晶圓係經由研削裝置或研磨裝置等，自背面側加以加工而薄化為特定之厚度。所薄化之該晶圓則經由切削裝置等而沿著分割預定線加以研削者，分割成各個的晶片。 　　[0003] 具有裝置之晶片係加以搭載於行動電話，個人電腦等之各種電子機器而加以廣泛利用。對於各種電子機器而言之小型化或薄型化的要求係持續增高，而伴隨於此，亦加以檢討晶片的小型化或薄型化，對於晶片的安裝所要求之面積的省面積化等。 　　[0004] 近年，作為提高裝置之集成度的技術，重疊複數的晶片而安裝之技術則被加以實用化。更且，為了將複數之重疊之晶片間的電性連接，省空間地加以實現，經由埋入於貫通晶片的孔之貫通電極（以下，稱為電極柱）而電性連接晶片間之技術則被加以實用化。對於專利文獻1及專利文獻2係加以揭示有以電極柱而電性連接所層積之晶片間的技術。 　　[0005] 電極柱係例如，自分割前的晶圓表面形成特定深度的孔，經由埋入導電材料於該孔而加以形成。之後，在自背面加工薄化晶圓時，除去該孔的底部，使埋入於該孔之電極柱露出於背面側。 ［先前技術文獻 ］ ［專利文獻］ 　　[0006] 　　［專利文獻1］日本特開2001-53218號公報 　　［專利文獻2］日本特開2005-136187號公報
［發明欲解決之課題］ 　　[0007] 埋入有導電材料之該孔係以與最終所形成之晶片的完成厚度相同程度之深度而加以形成，但對於各孔的深度係存在有不均。因而，即使以研削裝置，研磨裝置，或刀具切削裝置等之加工裝置而加工具有埋入導電材料之複數的該孔之晶圓背面，薄化該晶圓至設計值為止，亦無法除去所有孔之底部，而有一部分的電極柱未露出於背面側之情況。 　　[0008] 因此，在薄化晶圓時，有必要確認所有的電極柱是否露出於晶圓的背面側。以往，作業者則以目視確認晶圓的背面，但為此係必須從實施薄化之場所移動晶圓，而在成為必須更追加工程時，必須將晶圓返回至原來的場所，而作業則成為煩雜。另外，產生有漏看未露出之電極柱等的問題。 　　[0009] 本發明係有鑑於有關的問題而作為之構成，而其目的係提供：可效率佳地判定複數之電極柱所有是否露出於所薄化後之晶圓的背面之晶圓的加工方法。另外，對於有未露出之電極柱之情況，確實地檢出此等而實施追加工程，提供可將所有的電極柱露出於該背面之晶圓的加工方法。 為了解決課題之手段 　　[0010] 如根據本發明之一形態，提供：一種晶圓的加工方法，係加以埋設伸長至形成裝置於表面之晶圓的厚度方向，從該晶圓表面至特定深度位置之複數的電極柱之晶圓的加工方法，其特徵為具備：在保持台而保持晶圓的表面側之保持步驟，和由加工在該保持台所保持之晶圓的背面側者，將該晶圓薄化為特定厚度之薄化步驟，和實施該薄化步驟後，攝影晶圓的背面而作成攝影畫像，依據該攝影畫像而判定有無未露出於該背面之電極柱的判定步驟；對於以該判定步驟判定有未露出於晶圓背面之電極柱的情況，實施更薄化晶圓之追加工程步驟者。 　　[0011] 然而，在本發明之一形態中，該判定步驟係在以該保持台而加以保持晶圓之狀態而加以實施，而該追加工程步驟係在以該保持台而加以保持該晶圓之狀態而加以執行亦可。 發明效果 　　[0012] 當經由有關本發明之一形態的晶圓之加工方法時，實施將晶圓薄化為特定厚度之薄化步驟之後，攝影所加工之該晶圓的背面而作成攝影畫像，依據該攝影畫像而可判定有無未露出於該背面之電極柱。該判定係例如，經由對照所作成之攝影畫像，和露出有所有的電極柱情況的攝影畫像而加以實施。因此，可以較由目視而判定為短時間，實施正確的判定。 　　[0013] 為了可盡早判定所有的電極柱是否露出於晶圓的背面側，而必須追加工程之情況，馬上給予實施該追加工程的判斷。並且，實施追加工程之後，對於再次判定有無未露出之電極柱時，亦可縮短對於該判定所需之時間。 　　[0014] 實施該判定之結果，可確認所有的電極柱露出於晶圓背面之情況，無須實施追加工程。在此，即使判斷為無須追加工程之情況，因馬上給予無實施追加工程之判斷之故，而加以縮短對於將晶圓送至接下來的工程為止所需的時間。 　　[0015] 更且，對於該判定係加以使用經由設置於加工裝置之攝影單元而加以攝影之攝影畫像之故，而可判定未從實施加工之位置移動晶圓情況。目視晶圓之情況，因此必須從加工裝置取出晶圓，而實施追加工程之情況，再配置晶圓之作業則成為必要。但經由本發明時，無需如此之作業，而提高加工處理的效率。 　　[0016] 如以上，經由本發明之一形態，加以提供可效率佳地判定於所薄化後之晶圓背面，是否露出有複數之電極柱的所有之晶圓的加工方法。另外，對於有未露出之電極柱之情況，確實地檢出此等而實施追加的加工，提供可將所有的電極柱露出於該背面之晶圓的加工方法。
[0018] 對於有關本發明之實施形態加以說明。首先，對於有關本實施形態之晶圓的加工方法之被加工物的晶圓加以說明。圖1（A）係顯示被加工物之晶圓1的剖面模式圖。晶圓1之表面1a係以配列成格子狀的分割預定線（未圖示）而加以劃分成複數的範圍，而對於所劃分之各範圍，係加以形成IC、LSI等之裝置（未圖示）。最終，晶圓1係沿著該分割預定線而加以分割，加以形成複數的晶片。 　　[0019] 晶圓1係例如，由矽，藍寶石，玻璃，石英等之材料所成，例如為略圓板形之基板。使用由半導體材料所構成之晶圓的情況，裝置係例如，使用該晶圓1之一部分而加以形成。未由半導體材料而加以構成晶圓1的情況，例如，設置半導體層於晶圓1之表面1a，加工該半導體層而形成裝置。 　　[0020] 對於晶圓1，係加以設置開口於表面1a側之特定深度之複數的孔，於各該孔加以導入導電材料，加以形成伸長於晶圓1之厚度方向之複數的電極柱3。對於該孔之導電材料的導入係經由電解電鍍法，CVD法，蒸鍍法等而加以實施。另外，導入含有該導電材料之電糊而使其固化。以此等方法而導入導電材料於該孔之後，為了除去過剩地加以供給而未收納於孔之多餘的導電材料，而經由CMP法等而平坦化晶圓1之表面1a側。 　　[0021] 對於該導電材料係例如，使用金、銀、銅、鋁等之材料。該電極柱3係因為了電性連接所層積之各晶片間而加以使用之故，對於該導電材料係使用電性阻抗低的材料即可。 　　[0022] 將晶圓1，從背面1b側加工而薄化為特定之厚度時，除去導入導電材料的孔之底部，使該電極柱3露出於該背面1b側之故，而該孔係較晶圓1之薄化後的完成厚度為深地加以形成。 　　[0023] 在有關本實施形態之加工方法中，在加工晶圓1之背面1b之前，如圖1（B）所示，為了保護該表面1a的裝置之支持晶圓5則加以貼著於該表面1a。作為支持晶圓5係例如，加以使用矽晶圓。取代於支持晶圓5而貼著保護膠帶於晶圓1之表面1a亦可。 　　[0024] 接著，對於適用於實施有關本實施形態之晶圓的加工方法之加工裝置而加以說明。對於圖2係加以顯示該加工裝置之一例的斜視圖。加工裝置2係可對於晶圓，實施研削加工，及研磨加工等之加工的裝置。 　　[0025] 加工裝置2係具備略長方體形狀的台4。對於台4之上面的端部附近，係加以立設有略長方體形狀的柱體6。對於柱體6之加工裝置2的前面，係加以設置有伸長於上下方向的二對之軌道8及軌道10。 　　[0026] 對於一方的對之軌道8係粗研削單元12則經由粗研削單元傳送機構14而可移動地加以安裝於上下方向（Z軸方向），而對於另一方的對之軌道10係精研削單元16則經由精研削單元傳送機構18而可移動地加以安裝於上下方向。 　　[0027] 參照圖2及圖3（B）而說明粗研削單元12之詳細的構成。粗研削單元12係具有：筒狀的收納單元20，和旋轉驅動旋轉自由地收容於收納單元20中的心軸22之馬達32。心軸22之前端係自收納單元20之下面露出於外部。 　　[0028] 粗研削單元12係更具有：固定於心軸22之前端的圓板狀的輪組座24，和安裝自由地安裝於輪組座24前端的研削輪組26。研削輪組26係由口徑大致與輪組座24相等之圓板狀的輪組基台28，和固定安裝成環狀於輪組基台28之下端面外周之複數的研削磨石30而加以構成。 　　[0029] 精研削單元16係與粗研削單元12同樣地加以構成。但對於精研削單元16所具有之研削輪組，係與粗研削單元12所具有之研削磨石做比較，加以使用適合平滑地研削晶圓的研削磨石。 　　[0030] 加工裝置2係如圖2所示，具備於柱體6之前與台4之上面略平行的轉盤34。轉盤34係經由未圖示之旋轉驅動機構而加以旋轉於以箭頭36所示之方向。對於轉盤34上係互相90度離間於圓周方向的4個之保持台38則在水平面內，可旋轉地加以配置。 　　[0031] 對於該保持台38之上部係加以配設多孔質構件38a，而該多孔質構件38a之上面則成為保持面（參照圖4）。保持台38係於內部具有一端則與吸引源（未圖示）加以連接之吸引路徑38b。該吸引路徑38b之另一端係加以連接於該多孔質構件38a（參照圖4）。保持台38係於通過該多孔質構件38a而加以載置於該保持面上之晶圓1，使經由該吸引源而產生之負壓作用，吸引保持晶圓1。 　　[0032] 加以配設於轉盤34之4個保持台38係轉盤34則經由適宜，而加以依序移動至晶圓搬入･搬出範圍A、粗研削加工範圍B、精研削加工範圍C、研磨加工範圍D。各保持台38係於保持面可各旋轉於垂直的軸之周圍，在將晶圓1加以研削等時進行旋轉而使晶圓1旋轉。 　　[0033] 對於研磨加工範圍D係加以配設第1研磨單元40。第1研磨單元40係包含：加以固定於台4上之靜止方塊（未圖示），和安裝於靜止方塊而經由X軸移動機構（未圖示），可移動於X軸方向之X軸移動方塊（未圖示），和安裝於X軸移動方塊而經由Z軸移動機構（未圖示），可移動於Z軸方向之Z軸移動方塊（未圖示）。 　　[0034] 對於Z軸移動方塊係加以配設筒狀的收納單元（未圖示），而對於收納單元中係如圖4所示，可旋轉地加以收容心軸42。心軸42之前端係自收納單元之下面露出於外部。對於心軸42之前端係加以固定圓板狀的輪組座44，而對於此輪組座44而言拆裝自由地安裝研磨輪組46。 　　[0035] 研磨輪組46係由口徑大致與輪組座44相等之圓板狀的基台48，和貼著於基台48之研磨墊片50而加以構成。此研磨輪組46之基台48側則加以安裝於輪組座44。研磨墊片50係例如，使研磨粒分散於聚胺酯或氈而以黏合劑而固定之氈材而加以形成。對於基台48及研磨墊片50之中心部係加以形成有研磨液供給路徑52。更且，對於研磨墊片50之研磨面（下面），係加以形成保持研磨液之複數的溝（未圖示）。 　　[0036] 於晶圓搬入･搬出範圍A與研磨加工範圍D之間，加以配設第2研磨單元40a。第2研磨單元40a係與第1研磨單元40同樣地加以構成。 　　[0037] 對於與加工裝置2的台4之柱體6相反側，係例如，可拆裝地加以安裝儲存加工前的晶圓之第1卡匣62，和例如，儲存加工後的晶圓之第2卡匣64。 　　[0038] 晶圓搬送機器手臂66係將收容於第1卡匣62內的晶圓，搬出至暫時放置台68。另外，將以旋轉洗淨單元70所洗淨的加工後之晶圓，搬送至第2卡匣64。 　　[0039] 搬送單元72係自暫時放置台68，將晶圓搬入至安置於晶圓搬入･搬出範圍A的保持台38。另外，吸附加工後之晶圓而自保持台38搬送至旋轉洗淨單元70。搬送單元72係可將晶圓移動至X軸方向、Y軸方向、Z軸方向。 　　[0040] 加工裝置2之粗研削單元12，精研削單元16，第1研磨單元40，及第2研磨單元40a之至少一個係更具備在確認被加工物的狀態或加工位置時所使用之攝影單元。並且，該攝影單元係亦可在有關本實施形態之加工方法的判定步驟加以使用。該攝影單元係例如，由具備直線狀地排列於棒狀的框體中之複數的攝影元件之線感測器等而加以形成。 　　[0041] 如圖5（A）所示，攝影單元54係棒狀的框體之長軸則呈成為平行於晶圓1，安置於該晶圓1的端部之上方。攝影單元54係在水平面內移動於垂直於該框體之該長軸之方向（圖5（A）之箭頭方向）同時，攝影加工後之晶圓1而作成攝影畫像，將該攝影畫像傳送至加工裝置2之控制器（控制部）56。 　　[0042] 加工裝置2係如圖2所示，具有連接於台4之控制器（控制部）56。該控制器（控制部）56係具有控制加工裝置2之各構成要素的機能。另外，在後述之判定步驟中，該控制器（控制部）56係自該攝影單元54接受攝影畫像，依據該攝影畫像而判定所有的電極柱3是否露出於晶圓1之該背面1b側。然而，該控制器（控制部）56之構成與機能係於PC上作為軟體而加以實現亦可。 　　[0043] 該控制器（控制部）56係具有判定部58，和標準畫像保存部60。對於標準畫像保存部60係作為標準畫像而加以保持正確所加工之晶圓1的背面1b側之攝影畫像。在後述之判定步驟中，判定部58則比較自標準畫像保存部60所讀出之該標準畫像，和自攝影單元54所傳送的攝影畫像，再判定有無未露出於該背面之電極柱3。 　　[0044] 當由判定部58加以判定未有未露出之電極柱3時，該控制器（控制部）56係將晶圓1傳送至接下的步驟。當由判定部58加以判定有未露出之電極柱3時，於安裝有該攝影單元54之加工單元（研削加工或研磨加工），使晶圓再次加工。然而，對於使晶圓再次加工之後，再次對於攝影單元54作成攝影畫像而實施判定。 　　[0045] 接著，對於有關本實施形態之晶圓的加工方法加以說明。首先，如圖3（A）所示，將形成有複數的裝置於表面1a之晶圓1，實施保持在位於加工裝置2之晶圓搬入･搬出範圍A的保持台38之保持步驟。對於晶圓1之表面1a，係預先加以貼著支持晶圓5等之表面保護構件，而晶圓1係將表面1a側朝向於該保持台38的保持面而載置於保持台38上加以吸引保持。 　　[0046] 接著，由加工保持在該保持台38之晶圓1的背面1b側者，實施薄化該晶圓1之薄化步驟。在該薄化步驟中，與薄化晶圓1之同時，加以除去埋入有晶圓1之電極柱3的孔之底部，而電極柱3則露出於晶圓1之背面1b側。 　　[0047] 使電極柱3露出之薄化步驟係例如，使用加工裝置2之粗研削單元12，精研削單元16，第1研磨單元40，第2研磨單元40a而加以實施。以下，對於在此等各單元之晶圓1的加工而加以說明。 　　[0048] 首先，使轉盤34旋轉，將保持台38傳送至粗研削加工範圍B，再使晶圓1移動。並且，經由粗研削單元12而粗研削該晶圓1之背面1b。圖3（B）係對於粗研削而加以說明之側面圖。 　　[0049] 在粗研削中，首先，使保持台38，和研削輪組26，各旋轉於圖3（B）所示之箭頭方向。並且，在兩者旋轉的狀態，使粗研削單元傳送機構作動，將研削輪組26加工傳送至下方向。並且，研削輪組26所保持之研削磨石30則接觸於晶圓1時，加以粗研削該晶圓1之背面1b側。當晶圓1粗研削至成為特定的厚度時，使粗研削結束。 　　[0050] 接著，使加工裝置2之轉盤34旋轉，將該保持台38傳送至精研削加工範圍C。並且，經由精研削單元16而精研削該晶圓1。然而，經由精研削單元16之精研削係與經由粗研削單元12之粗研削同樣地加以實施。 　　[0051] 精研削係以較粗研削為慢的加工傳送速度而加以實施，研削後的被研削面則呈成為平順地加以實施。晶圓1之背面1b係經由粗研削及精研削，加以薄化為晶片的完成厚度程度之厚度。 　　[0052] 精研削之後，使轉盤34旋轉，將該保持台38傳送至研磨加工範圍D。並且，經由第1研磨單元40而研磨該晶圓1之背面1b側。圖4係模式性地顯示經由第1研磨單元40之晶圓1之背面1b側的研磨之剖面圖。 　　[0053] 於保持於保持台38上之晶圓1，藉由研磨液供給路徑52而供給研磨液之同時，使保持台38和，研磨墊片50，各旋轉於圖4所示之箭頭的方向。並且，使Z軸移動機構作動而於晶圓1的背面1b，使研磨墊片50接觸，直接將研磨墊片50朝向晶圓1的背面1b進行推壓實施研磨。 　　[0054] 接著，使轉盤34旋轉，將該保持台38傳送於晶圓搬入･搬出範圍A。並且，經由第2研磨單元40a而更研磨該晶圓1。然而，經由第2研磨單元40a之研磨係與經由第1研磨單元40之研磨同樣地加以實施。晶圓1的背面1b則經由在第1研磨單元40及第2研磨單元40a所實施的研磨而更加加以薄化時，除去晶圓1的背面1b之研磨翹曲。 　　[0055] 在此，在粗研磨單元12所實施之研削，在精研磨單元16所實施之研削，在第1研磨單元40所實施之研磨，或以第2研磨單元40a所實施之研磨之任一加工中，加以除去埋入有電極柱3的孔之底部。並且，電極柱3則露出於晶圓1的背面1b側。但形成於晶圓1的該孔係對於其深度具有不均，以特定的條件而實施加工，亦有複數的電極柱3之所有未露出於晶圓1的背面1b側的情況。 　　[0056] 如於晶圓1的背面1b側未露出有電極柱3時，使分割晶圓1而加以形成之複數的晶片層積而作成層積體時，在該電極柱3未能適當地連接晶片間之故，該層積體係未正確發揮機能。因此，必須使形成於晶圓1之電極柱3的所有露出於晶圓1的背面1b。 　　[0057] 因此，在有關本實施形態之晶圓的加工方法中，係實施使電極柱3露出於背面1b側之薄化步驟之後，實施判定步驟。在該判定步驟中，攝影晶圓1的背面1b而作成攝影畫像，依據該攝影畫像而判定有無未露出於該背面1b之電極柱3。 　　[0058] 如上述，對於粗研削單元12，精研削單元16，第1研磨單元40，或第2研磨單元40a，係加以安裝攝影單元54。經由該攝影單元54，攝影加工後之晶圓1的背面1b側而作成攝影畫像。圖5（A）係顯示使用攝影單元54之晶圓1的背面1b側的攝影之側面圖。攝影步驟係在薄化步驟之後，保持晶圓1於保持台38之狀態，直接加以實施。 　　[0059] 在判定步驟中，首先，攝影單元54之棒狀的框體則其長軸呈成為平行於該晶圓1地加以朝向，安置於晶圓1的端部上方。並且，攝影單元54係在水平面內移動於垂直於該框體之該長軸之方向（圖5（A）之箭頭方向）同時，攝影加工後之晶圓1而作成攝影畫像，將該攝影畫像傳送至加工裝置2之控制器（控制部）。 　　[0060] 圖5（B）及圖5（C），係各顯示經由攝影單元54而加以攝影之攝影畫像的一例。圖5（B）係顯示形成於晶圓1之複數的電極柱3之一部分則未露出於晶圓1的背面1b側情況之攝影畫像7，而圖5（C）係所有的電極柱3則露出於晶圓1的背面1b側情況之攝影畫像9。 　　[0061] 如圖5（C）所圖示之攝影畫像9係作為顯示正常地實施薄化步驟之狀態的標準畫像，預先加以保存於加工裝置2之控制器（控制部）56的標準畫像保存部60。 　　[0062] 自攝影單元54接受該攝影畫像之該控制器（控制部）56的判定部58係與標準畫像保存部60加以連接，而自攝影單元54接受該攝影畫像時，自該標準畫像保存部60讀入如圖5（C）所示之標準畫像。並且，比較該攝影畫像，和該標準畫像，而判定是否能將所有的電極柱3露出於晶圓1的背面。 　　[0063] 該判定係例如，經由2個畫像的對照而加以實施。經由該對照而判斷為2個畫像為一致之情況，判定部係判定為無未露出於晶圓1的背面1b側的電極柱3。另一方面，判斷為2個畫像為未一致之情況，判定部係判定為有未露出於晶圓1的背面1b側的電極柱3。然而，在2個畫像的對照中，兩者亦可為完全一致，而例如，在各電極柱3之形成位置的誤差範圍中，容許有位置的偏差。 　　[0064] 該判定部58則判定為無未露出於晶圓1的背面1b側的電極柱3之情況，加工裝置2係對於晶圓1而言，實施該薄化步驟之接下來的步驟。如此，即使正常地進行薄化步驟而無須追加工程之情況，在有關本實施形態之晶圓的加工方法中，馬上下達無加工工程之必要性的判斷之故，而經由有關本實施形態之加工方法時，可將工程做迅速化。 　　[0065] 該判定部58則判定為有未露出於晶圓1的背面1b側的電極柱3之情況，對於維持保持於保持台38之晶圓1而言實施追加加工。追加加工係為了使所有的電極柱3露出於晶圓1的背面1b側而加以實施。追加加工係直接使用在薄化步驟所使用之加工單元而加以實施。 　　[0066] 在有關本實施形態之晶圓的加工方法中，無須在判定或追加加工時，使保持台38或晶圓1等移動，而可對於晶圓1迅速地實施追加加工。追加工程係將與在薄化步驟實施之加工同樣的加工，例如，作為縮短加工的時間等而實施。實施追加工程之後係再次實施上述的判定步驟，得到露出有所有的電極柱3之判定之後，實施接下來的步驟。 　　[0067] 在有關本實施形態之晶圓的加工方法中，經由攝影單元54，攝影晶圓1的背面1b而作成攝影畫像，依據該攝影畫像而判定有無未露出於該背面1b之電極柱3。因此，與自保持台38剝離晶圓1，做業者以目視判斷之情況作比較，可迅速且確實地實施判定。更且，可未移動保持台38而進行判定之故，即使追加工程之實施為必要之情況，亦可對於原來位置之晶圓1實施追加工程。 　　[0068] 然而，本發明係未加以限定於上述實施形態之記載，而可作種種變更而實施者。例如，接受判定部58之判定而實施追加工程之情況，為了決定所實施之追加工程的程度，而導出複數之電極柱3之中，露出於背面1b側之電極柱3的比例亦可。當考慮埋入有電極柱3的孔深度之一般的分布時，該比例越低，自最淺的孔之底部的背面1b之距離則成為越大。因此，可考慮該比例，和必要之追加工程的強度之間的相關關係而決定追加工程的內容。 　　[0069] 例如，檢出映照於標準畫像之電極柱3的數量，和映照於經由攝影單元而加以作成之攝影畫像的電極柱3之數量。並且，導出對於全體而言露出之電極柱3的比例。所露出之電極柱3的比例則如為比較低時，為了使所有的電極柱3露出而如實施強度高之追加工程即可。在另一方面，所露出之電極柱3的比例則為比較高之情況，係如實施強度低之追加工程即可。 　　[0070] 如此，當可使用攝影畫像而決定追加工程的內容時，可對於露出未露出之電極柱3實施最低限度必要程度之追加工程之故，而可壓低抑制對於追加工程所需之時間及金錢的成本。 　　[0071] 另外，在本發明之一形態中，在與薄化步驟不同之場所而實施判定步驟，和再加工亦可。例如，作為薄化步驟而實施精研削之情況，在研磨後進行判定步驟亦可，而又自粗研削實施再加工亦可。 　　[0072] 其他，有關上述實施形態之構造，方法等係只要在不脫離本發明之目的範圍中，可作適宜變更而實施。
[0073]1‧‧‧晶圓1a‧‧‧表面1b‧‧‧背面3‧‧‧電極柱5‧‧‧支持晶圓7，9‧‧‧攝影畫像2‧‧‧加工裝置4‧‧‧台6‧‧‧柱體8，10‧‧‧軌道12‧‧‧粗研削單元14‧‧‧粗研削單元傳送機構16‧‧‧精研削單元18‧‧‧精研削單元傳送機構20‧‧‧收納單元22‧‧‧心軸24‧‧‧輪組座26‧‧‧研削輪組28‧‧‧輪組基台30‧‧‧研削磨石32‧‧‧馬達34‧‧‧轉盤36‧‧‧箭頭38‧‧‧保持台38a‧‧‧多孔質構件38b‧‧‧吸引路徑40，40a‧‧‧研磨單元42‧‧‧心軸44‧‧‧輪組座46‧‧‧研磨輪組48‧‧‧基台50‧‧‧研磨墊片52‧‧‧研磨液供給路徑54‧‧‧攝影單元56‧‧‧控制器（控制部）58‧‧‧判定部60‧‧‧標準畫像保存部62，64‧‧‧卡匣66‧‧‧晶圓搬送機器手臂68‧‧‧暫時放置台70‧‧‧旋轉洗淨單元72‧‧‧搬送單元
[0017] 　　圖1（A）係顯示埋入有複數的電極柱之晶圓的剖面模式圖，圖1（B）係顯示配設支持晶圓於晶圓表面情況的剖面模式圖。 　　圖2係模式性地顯示加工裝置之一例的斜視圖。 　　圖3（A）係說明保持步驟之側面圖，而圖3（B）係說明薄化步驟之一例的側面圖。 　　圖4係說明薄化步驟之其他一例的剖面圖。 　　圖5（A）係說明判定步驟之側面圖，而圖5（B）係顯示攝影畫像之一例的模式圖，圖5（C）係顯示攝影畫像之其他一例的模式圖。
2‧‧‧加工裝置
4‧‧‧台
6‧‧‧柱體
8，10‧‧‧軌道
12‧‧‧粗研削單元
14‧‧‧粗研削單元傳送機構
16‧‧‧精研削單元
18‧‧‧精研削單元傳送機構
20‧‧‧收納單元
32‧‧‧馬達
34‧‧‧轉盤
36‧‧‧箭頭
38‧‧‧保持台
40，40a‧‧‧研磨單元
56‧‧‧控制器(控制部)
58‧‧‧判定部
60‧‧‧標準畫像保存部
62，64‧‧‧卡匣
66‧‧‧晶圓搬送機器手臂
68‧‧‧暫時放置台
70‧‧‧旋轉洗淨單元
72‧‧‧搬送單元

Claims (2)

  1. 一種晶圓的加工方法，係埋設有在表面形成有裝置的晶圓的厚度方向伸長，從該晶圓表面至特定深度位置之複數的電極柱之晶圓的加工方法，其特徵為具備： 　　在保持台而保持晶圓的表面側之保持步驟， 　　和藉由加工在該保持台所保持之晶圓的背面側，將該晶圓薄化為特定厚度之薄化步驟， 　　和實施該薄化步驟後，攝影晶圓的背面而作成攝影畫像，依據該攝影畫像而判定有無未露出於該背面之電極柱的判定步驟； 　　對於以該判定步驟判定有未露出於晶圓背面之電極柱的情況，實施更薄化晶圓之追加工程步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之晶圓的加工方法，其中，該判定步驟係在以該保持台而加以保持晶圓之狀態而加以實施， 　　該追加工程步驟係在以該保持台而加以保持該晶圓之狀態而加以執行。
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