TWI728907B - 半導體材料切割裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於將半導體條帶切割成單個的半導體封裝的半導體材料切割裝置，特別是涉及一種無需單獨的除焊設備而可利用超音波清潔部與單元拾取器對半導體封裝的下表面及上表面兩者進行清潔的半導體材料切割裝置。

Description

半導體材料切割裝置
本發明是有關於一種用於將半導體條帶切割成單個的半導體封裝的半導體材料切割裝置。
半導體材料切割裝置是將完成封裝的半導體條帶(strip)切割成單個的半導體封裝的設備。
除了簡單地切割半導體條帶的功能之外，半導體材料切割裝置在執行半導體條帶的切割、清潔及乾燥過程後，還提供處理檢查經切割的半導體封裝的上表面、下表面以對產生製造不良的半導體封裝進行分類的一系列工藝的功能，並且作為關於這種半導體材料切割裝置的專利，已知在韓國公開專利第10-2017-0026751號(以下稱為“專利文獻1”)中所記載者。
在如上所述的專利文獻1的半導體材料切割裝置中，在利用刀片在卡盤台(chuck table)上將半導體條帶切割成多個單個的半導體封裝後，在清潔乾燥部及吸附台中經過清潔製程及乾燥製程。
然而，在專利文獻1的清潔中，通過向半導體封裝的下表面噴射清潔液或壓縮空氣來執行清潔製程，但這種清潔製程具有不能保證各種種類的半導體封裝的高清潔品質(quality)的問題。
詳細地進行說明，難以去除由於切割部的高速鋸切而產生的白色污染(white contamination)，且在微細粉末等異物嵌入在球(Ball)部分中的情況下，僅通過專利文獻1的清潔製程難以將異物去除。
另外，在半導體封裝為小的尺寸的情況下，在用刷子(brush)、海綿(sponge)等物理接觸並清潔半導體封裝的情況下，可能存在對單元拾取器所拾取的半導體封裝的對準狀態產生干擾的問題。
另一方面，在球柵陣列(ball grid array，BGA)類型的半導體條帶中，塗布焊劑(flux)以將球附著到印刷電路板(printed circuit board，PCB)基板的球焊盤(Ball land)上，並在粘著球後執行回焊(reflow)製程，此後需要進行去除殘存在PCB基板上的焊劑的除焊(Deflux)製程，為此在半導體材料切割裝置中需要單獨的除焊設備。
若單獨配備此種除焊設備，則存在半導體材料生產製程延遲的問題。
另外，由於除焊設備以大尺寸製造，因此難以達成半導體材料切割裝置的小型化，且除焊設備的價格也很高昂，因此半 導體材料切割裝置的製造成本會增加。
因此，需要開發一種即使不存在單獨的除焊設備也可在半導體材料切割裝置的清潔時同時進行除焊與半導體封裝的清潔的半導體材料切割裝置。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]1)韓國專利第10-2017-0026751號
本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在於提供一種無需單獨的除焊設備而可利用超音波清潔部與單元拾取器對半導體封裝的下表面及上表面兩者進行清潔的半導體材料切割裝置。
根據本發明的一特徵的半導體材料切割裝置，其特徵在於包括：切割部，將卡盤台的上表面所吸附支持的半導體條帶切割成單個的半導體封裝；單元拾取器，包括吸附墊、供壓部以及第一管路，所述吸附墊在底表面配備吸附孔以真空吸附經切割的所述半導體封裝的球面，所述供壓部對所述吸附孔供應負壓，所述第一管路傳遞由所述供壓部供應的負壓並與所述吸附孔連通，所述單元拾取器對所述卡盤台的上表面所吸附支持的半導體封裝 進行拾取及移送；超音波清潔部，包括水槽及超音波產生部，所述水槽儲存用於供所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入的液體，所述超音波產生部向所述水槽內部產生超音波，並在將所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到所述水槽後進行超音波清潔；吸附台，在通過所述單元拾取器傳遞經超音波清潔的所述半導體封裝之後，吸附所述半導體封裝；以及控制部，在將所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到所述水槽時，對通過所述第一管路向所述吸附孔施加的負壓的強度進行控制，所述控制部降低負壓的強度以在所述單元拾取器的吸附墊與所述吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙，以使儲存在所述水槽中的液體可通過所述單元拾取器的吸附墊的吸附孔流入，若流入到所述單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量，則所述控制部提高所述負壓的強度。
根據本發明的另一特徵的半導體材料切割裝置，其特徵在於包括：切割部，將卡盤台的上表面所吸附支持的半導體條帶切割成單個的半導體封裝；單元拾取器，包括吸附墊、供壓部、以及第一管路、第二管路及閥，所述吸附墊在底表面配備吸附孔以真空吸附經切割的所述半導體封裝的球面，所述供壓部對所述吸附孔供應負壓，所述第一管路傳遞由所述供壓部供應的負壓並與所述吸附孔連通，所述第二管路的一端與所述第一管路連通以使外部空氣流入到所述第一管路，所述閥連接到所述第二管路的另一端以對所述第二管路進行開關，所述單元拾取器對所述卡盤 台的上表面所吸附支持的半導體封裝進行拾取及移送；超音波清潔部，包括水槽及超音波產生部，所述水槽儲存用於供所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入的液體，所述超音波產生部向所述水槽內部產生超音波，並在將所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到所述水槽後進行超音波清潔；吸附台，在通過所述單元拾取器傳遞經超音波清潔的所述半導體封裝之後，吸附所述半導體封裝；以及控制部，控制所述閥是開或是關或控制開關量，所述控制部在所述單元拾取器向所述吸附台傳遞所述半導體封裝之前打開所述閥，以去除殘存在所述單元拾取器的第一管路內的液體。
此處，特徵在於所述單元拾取器還包括：第二管路，一端與所述第一管路連通，以使外部空氣流入到所述第一管路；閥，連接到所述第二管路的另一端，以對所述第二管路進行開關，所述控制部調節所述閥是開或是關或調節開關量來控制施加到所述吸附孔的負壓的強度。
另外，特徵在於所述控制部在將所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到所述水槽時，打開所述閥而在所述單元拾取器的吸附墊與所述吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙，以使儲存在所述水槽中的液體可通過所述單元拾取器的吸附墊的吸附孔流入，若流入到所述單元拾取器的所述第一管路內的液體達到已設定的量，則關閉所述閥。
另外，控制部可在所述單元拾取器向所述吸附台傳遞所 述半導體封裝之前打開所述閥，以去除殘存在所述單元拾取器的第一管路內的液體。
另外，所述單元拾取器可在完成超音波清潔時從所述水槽上升，之後打開所述閥去除殘存在所述單元拾取器的第一管路內的液體，並在去除所述殘存的液體後在關閉所述閥的狀態下移動到所述吸附台。
另外，特徵在於所述控制部重複執行所述閥的打開與關閉直至儲存在所述水槽中的液體通過所述單元拾取器的吸附墊的吸附孔流入時為止，若所述液體通過所述吸附孔流入，則保持所述閥打開，利用在所述閥打開時流入的外部空氣使通過所述第一管路傳遞到所述半導體封裝的負壓具有使所述半導體封裝不從所述單元拾取器掉落的程度的吸附力。
另外，所述控制部可在將所述半導體封裝浸入到所述水槽之前或在所述半導體封裝已浸入到所述水槽的狀態下打開所述閥。
另外，所述閥為大氣連通閥，所述供壓部為真空噴射器(vacuum ejector)。
另外，所述閥為比例閥，可通過控制所述比例閥的開關量來調節通過所述閥流入的外部空氣的量。
另外，所述超音波清潔部可包括：上部排水口，配備在所述水槽內部的一側，用於將清潔時產生的漂浮異物排出；下部排水口，配備在所述上部排水口的下部，用於將清潔時產生的沉 澱異物排出；以及液體供應部，形成在所述水槽內部的另一側，並沿一側方向供應所述液體。
另外，所述超音波清潔部可包括液體供應部，所述液體供應部向所述水槽內供應具有特定溫度的液體。
另外，所述超音波清潔部可在所述水槽的一側配備加熱部件，以將儲存在所述水槽內的液體加熱到特定溫度。
另外，本發明還可包括：異物去除部，配備在所述超音波清潔部的一側，在對所述單元拾取器所拾取的半導體封裝進行超音波清潔之前清潔所述半導體封裝的下表面；以及空氣噴射部，配備在所述超音波清潔部的一側，為了對完成超音波清潔的所述半導體封裝進行乾燥而噴射空氣。
根據以上說明所示般的本發明的半導體材料切割裝置，具有如下效果。
與以往技術不同，即使不配備單獨的除焊設備及各種清潔設備，也可清潔半導體封裝(P)的下表面與上表面兩者，從而在縮短半導體材料切割裝置的製程時間的同時可達成半導體材料切割裝置的小型化。
利用超音波對半導體封裝清潔時，通過執行單元拾取器的上下垂直移動及前後水平移動中的至少任一者，可更有效地去除半導體封裝的異物。
通過向水槽內供應具有特定溫度的液體或在水槽的一側 配備加熱部件，將儲存在水槽內的液體加熱到特定溫度，從而在超音波清潔時可更有效地執行半導體封裝的殘餘異物的去除及除焊。
如此，由於控制部重複進行大氣連通閥的打開與大氣連通閥的關閉，因此即使在吸附墊由橡膠材質形成的情況下，半導體封裝的上表面與吸附墊的下表面之間也可容易地實現間隙的形成。
由於控制部重複進行大氣連通閥的打開與大氣連通閥的關閉，因此在半導體封裝與吸附墊之間形成微小的間隙的同時，液體迅速流入到間隙，從而可更有效地實現對半導體封裝的上表面的清潔。
另外，本發明中，由於在向吸附台傳遞完成切割及清潔的半導體封裝時，可全部去除殘存在單元拾取器的殘餘液體，因此吸附力不會降低，且在向吸附台傳遞已完成清潔的半導體封裝時，可防止半導體封裝與被污染的液體的掉落，因此可預先防止再次污染已清潔的半導體封裝的可能性。
10:半導體材料切割裝置
110:裝載部
130:條帶拾取器
150:卡盤台
170:切割部
200:單元拾取器
210:主體
230:吸附墊
231:吸附孔
233:第一管路
235:第二管路
237:閥
400:超音波清潔部
410:水槽
430:超音波產生部
510:異物去除部
530:雙流體噴嘴
570:吸附台
600:轉檯拾取器
700:對準部
710:轉檯
721:上表面視覺單元
722:下表面視覺單元
731:第一分類拾取器
732:第二分類拾取器
800:分類部
810:良好托盤
820:廢棄托盤
830:空托盤
850:托盤拾取器
851:托盤拾取器視覺單元
910:第一引導框架
920:第二引導框架
930:第三引導框架
940:第四引導框架
950:第五引導框架
960:第六引導框架
P:半導體封裝
L:液體
S:間隙
S10:第一拾取步驟
S20:異物去除步驟
S30:下表面清潔步驟
S40:第一上表面清潔步驟
S50:第二上表面清潔步驟
S60:液體去除步驟
S70:空氣乾燥步驟
S80:吸附台傳遞步驟
X、Y:軸
θ:方向
圖1是根據本發明優選實施例的半導體材料切割裝置的平面圖。
圖2是圖1的側剖面圖。
圖3是示出在圖1的單元拾取器將半導體封裝浸入到超音波清潔部的水槽的液體中時的狀態的圖。
圖4是示出在圖3的狀態下打開閥，以使液體通過間隙流入並被吸入到第一管路的狀態的圖。
圖5是示出在圖4的狀態下關閉閥，以使大量的液體通過間隙流入並被吸入到第一管路的狀態的圖。
圖6是示出在圖5的狀態下使單元拾取器上升，且半導體封裝的上表面接觸單元拾取器的下表面而去除間隙的狀態的圖。
圖7是示出在圖6的狀態下打開閥以排出並去除第一管路的殘存液體的狀態的圖。
圖8是使用根據本發明優選實施例的半導體材料切割裝置清潔及乾燥半導體封裝的方法的示意圖。
以下的內容僅例示發明的原理。因此即便未在本說明書中明確地進行說明或圖示，相應領域的技術人員也可實現發明的原理並發明包含於發明的概念與範圍內的各種裝置。另外，本說明書所列舉的所有條件部用語及實施例在原則上應理解為僅是作為明確地用於理解發明的概念的目的，並不限制於如上所述特別列舉的實施例及狀態。
所述的目的、特徵及優點通過與附圖相關的下文的詳細說明而進一步變明瞭，因此在發明所屬的技術領域內的具有通常 知識者可容易地實施發明的技術思想。
將參考作為本發明的理想例示圖的剖面圖和/或立體圖來說明本說明書中記述的實施例。因此，本發明的實施例並不限於所示的特定形態，還包括根據製造製程生成的形態的變化。
在進行說明之前，對以下事項進行定義。
圖1的X軸表示條帶拾取器130及單元拾取器200水平移動的方向。X軸的正方向是半導體材料切割裝置10的後方，且X軸的負方向是半導體材料切割裝置10的前方。
半導體材料切割裝置10的前方是半導體材料切割裝置10中進行製程的相反方向，且半導體材料切割裝置10的後方是半導體材料切割裝置10的進行製程的方向。因此，半導體材料切割裝置10的前後方向為與X軸方向相同的含義。
圖1的Y軸表示轉檯710水平移動的方向。
圖1中的θ表示在X-Y平面上旋轉的方向。因此，θ方向表示在X-Y平面上沿逆時針方向旋轉的方向。
以下，參照圖1至圖8對根據本發明優選實施例的半導體材料切割裝置10進行說明。
圖1是根據本發明優選實施例的半導體材料切割裝置的平面圖，圖2是圖1的側剖面圖，圖3是示出在圖1的單元拾取器將半導體封裝浸入到超音波清潔部的水槽的液體中時的狀態的圖，圖4是示出在圖3的狀態下打開閥，以使液體通過間隙流入並被吸入到第一管路的狀態的圖，圖5是示出在圖4的狀態下關 閉閥，以使大量的液體通過間隙流入並被吸入到第一管路的狀態的圖，圖6是示出在圖5的狀態下使單元拾取器上升，且半導體封裝的上表面接觸單元拾取器的下表面而去除間隙的狀態的圖，圖7是示出在圖6的狀態下打開閥以排出並去除第一管路的殘存液體的狀態的圖，圖8是使用根據本發明優選實施例的半導體材料切割裝置清潔及乾燥半導體封裝的方法的示意圖。
如圖1及圖2所示，根據本發明優選實施例的半導體材料切割裝置10是用於將半導體條帶切割並處理成單個的半導體封裝P的半導體材料切割裝置10，其特徵在於包括：切割部170，將卡盤台的上表面所吸附支持的半導體條帶切割成單個的半導體封裝；單元拾取器200，包括吸附墊、供壓部(未圖示)以及第一管路233，所述吸附墊在底表面配備吸附孔231以真空吸附經切割的半導體封裝P的球面(上表面)，所述供壓部對所述吸附孔231供應負壓，所述第一管路233傳遞由所述供壓部供應的負壓並與所述吸附孔連通，單元拾取器200對所述卡盤台的上表面所吸附支持的半導體封裝進行拾取及移送；超音波清潔部400，包括水槽410及超音波產生部，所述水槽410儲存用於供所述單元拾取器200所拾取的半導體封裝P浸入的液體L，所述超音波產生部向水槽410內部產生超音波，並在將所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到所述水槽後進行超音波清潔；吸附台570，在通過單元拾取器200傳遞在超音波清潔部400中被清潔的半導體封裝P之後，在吸附台570的上表面吸附半導體封裝P的下表面；以及控 制部，在將所述單元拾取器200所拾取的半導體封裝P浸入到水槽中時，對通過第一管路向所述吸附孔施加的負壓的強度進行控制，所述控制部降低負壓的強度以在單元拾取器的吸附墊與所述吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙，以使儲存在水槽中的液體可通過單元拾取器的吸附墊的吸附孔流入，若流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量，則所述控制部提高負壓的強度。
本發明的主要特徵是在超音波清潔部中降低單元拾取器的吸附力(負壓)的強度，從而在單元拾取器的吸附墊所吸附的半導體封裝與單元拾取器的吸附墊之間形成間隙，並通過間隙使產生有超音波的液體流入，從而可對半導體封裝的球面進行超音波清潔。另外，在通過間隙流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量時，提高負壓的強度以增大流入的液體的量，從而進一步增強球面清潔力。
超音波清潔時負壓的強度調節也可通過調節通過供壓部供應的負壓的強度來執行，但是也可使用包括可開關的閥的附加管路來達成。
為此，本發明的單元拾取器還可包括第二管路，所述第二管路與第一管路連通，並根據閥是開或是關使外部空氣流入到第一管路。通過這種構成，從供壓部供應到第一管路的負壓保持固定，且可通過閥是開或是關來確定有無外部空氣流入，並且可根據外部空氣的流入來調節供應到第一管路的負壓的強度，因此 可更方便地控制負壓的強度。另外，即使不增加供壓部的體積、容量，也可使用單獨的閥與第二管路來形成空氣流，從而可以小容量排出殘存在單元拾取器內部的液體，並且在以與單元拾取器的吸附孔的位置鄰近的方式配備閥的情況下，與位於單元拾取器最上端的供壓部相比，可具有快速回應的優點。
因此，更優選為還額外包括第二管路的構成，所述第二管路與第一管路連通，並根據閥是開或是關使外部空氣流入到第一管路中。
作為參考，本發明的控制部也可調節閥是開或是關來控制施加到吸附孔的負壓的強度。
更詳細來說，控制部在單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到水槽中時打開閥而在單元拾取器的吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙，以使儲存在水槽中的液體可通過單元拾取器的吸附墊的吸附孔流入，若流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量，則可控制關閉閥。
另一方面，本發明的超音波清潔部還可進一步包括單獨的清潔部。例如還可進一步包括：異物去除部510，配備在超音波清潔部的一側，在對單元拾取器所拾取的半導體封裝進行超音波清潔之前，接觸半導體封裝的下表面並去除異物；以及空氣噴射部，配備在超音波清潔部的一側，為了對完成超音波清潔的半導體封裝進行乾燥而對半導體封裝P的下表面噴射空氣。
本發明的空氣噴射部也可使用噴射空氣的空氣噴嘴，也 可使用可獨立控制水與空氣的雙流體噴嘴(twin-fluid nozzle)的空氣噴嘴。
另外，為了檢查吸附台570所吸附的半導體封裝P，上表面視覺單元721檢查所述半導體封裝P的上表面，以及在超音波產生部430中對單元拾取器200所吸附的半導體封裝P進行清潔時，使單元拾取器200下降以將半導體封裝P浸入到液體L，之後使超音波產生部430運行以利用超音波清潔半導體封裝P，並打開與第一管路233連通的閥237以減小傳遞到單元拾取器的吸附孔231的負壓，從而使液體L通過在單元拾取器200所吸附的半導體封裝P的上表面與單元拾取器200的下表面之間產生的間隙S流入並被吸入到第一管路233，此後，若流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量，則可控制使閥237關閉以使單元拾取器的吸附孔231的負壓增大。
另一方面，關於本發明，在為能夠在單元拾取器的吸附墊所吸附的半導體封裝與吸附墊之間產生間隙的材料的情況下，無需人為地在單元拾取器的吸附墊與吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙。因此，在這種情況下，由於在將單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到水槽中時，儲存在水槽中的液體流入到單元拾取器的第一管路，從而可觀察到半導體封裝的上表面(球面)的清潔效果，因此無需人為地使控制部控制通過第一管路施加到吸附孔的負壓的強度。
因此，關於本發明，在為能夠在單元拾取器的吸附墊所 吸附的半導體封裝與吸附墊之間產生間隙的材料的情況下，為了去除流入到單元拾取器的第一管路內的液體並增大吸附力，也可使用閥與第二管路的構成。
即，本發明的半導體材料切割裝置包括：切割部，將卡盤台的上表面所吸附支持的半導體條帶切割成單個的半導體封裝；單元拾取器，包括吸附墊、供壓部、以及第一管路及第二管路，所述吸附墊在底表面配備吸附孔以真空吸附經切割的所述半導體封裝的球面，所述供壓部對所述吸附孔供應負壓，所述第一管路傳遞由所述供壓部供應的負壓並與所述吸附孔連通，所述第二管路與所述第一管路連通，並根據閥是開或是關使外部空氣流入到所述第一管路，所述單元拾取器對所述卡盤台的上表面所吸附支持的半導體封裝進行拾取及移送；超音波清潔部，包括水槽及超音波產生部，所述水槽儲存用於供所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入的液體，所述超音波產生部向所述水槽內部產生超音波，並在將所述單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到所述水槽後進行超音波清潔；吸附台，在通過所述單元拾取器傳遞經超音波清潔的所述半導體封裝之後，吸附所述半導體封裝；以及控制部，控制所述閥是開或是關，此處，控制部以如下方式配備：可在所述單元拾取器向所述吸附台傳遞所述半導體封裝之前打開所述閥，以去除殘存在所述單元拾取器的第一管路內的液體。
以下，參照圖1及圖2更詳細地對根據本發明的半導體材料切割裝置10進行說明。首先，在半導體條帶通過入口軌條 (inlet rail)一次一個提供到裝載部110時，條帶拾取器130拾取被供應到裝載部110的半導體條帶，並以使半導體條帶的球面朝向上部的狀態向卡盤台150傳遞。卡盤台150接收條帶拾取器130所拾取的半導體條帶，並在吸附半導體條帶的下表面(模制表面)的狀態下移動到切割部170，並在切割部170中切割成單個的半導體封裝P。
切割部170起到將卡盤台150所吸附的半導體條帶切割成多個單個的半導體封裝P的功能。此種切割部170可為通過高速旋轉在卡盤台150上將半導體條帶切割成單個的半導體封裝P的刀片，且也可為照射鐳射光在卡盤台150上將半導體條帶切割成單個的半導體封裝P的鐳射切割機等切割工具。
在切割部170中切割成單個的半導體封裝P之後，為了去除在切割時產生的異物，以被單元拾取器200吸附的狀態移動到異物去除部510、超音波清潔部400及雙流體噴嘴530。
單元拾取器200起到吸附卡盤台150上經切割的多個半導體封裝P的上表面進行拾取的功能，並以可升降及在前後方向上移動的方式配備。
詳細來說，單元拾取器200起到如下功能：吸附卡盤台150上由切割部170切割的半導體封裝，並經過異物去除部510、超音波清潔部400、雙流體噴嘴530向吸附台570傳遞完成清潔的半導體封裝P。
如圖1至圖7所示，單元拾取器200可包括如下構件構 成：主體210，連接到第一引導框架910；吸附墊230，配備在主體210的下部；單元拾取器的多個吸附孔231，配備在吸附墊230的下表面並吸附多個半導體封裝P的上表面中的每一者；供壓部(未圖示)，產生負壓；第一管路233，傳遞由供壓部供應的負壓，並與單元拾取器的吸附孔231連通；第二管路235，與第一管路233連通，並根據閥237是打開還是關閉而使外部空氣流入到第一管路233；以及閥237，配備在第二管路235，並在打開時使外部空氣經過第二管路235流入到第一管路233，在關閉時阻斷外部空氣向第一管路233的流入。
吸附墊230可以可替換的方式配備在主體210上。
單元拾取器的吸附孔231在吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面配備有多個。
在單元拾取器的吸附孔231吸附並拾取由單元拾取器200切割的半導體封裝P時，使經切割的半導體封裝P的上表面接觸吸附孔231的下表面，從而利用負壓吸附經切割的半導體封裝P的上部。在此情況下，傳遞到單元拾取器的吸附孔231的負壓在供壓部中產生並通過第一管路233傳遞。
單元拾取器的吸附孔231與配備在卡盤台150的卡盤台的吸附孔相同，以與在切割部170中切割的半導體封裝P的位置對應的方式形成，吸附孔231的個數以具有與單個半導體封裝P的個數相同的個數的方式形成。因此，放置在卡盤台150上的半導體封裝中的每一者被吸附到單元拾取器200的吸附孔231中的 每一者，從而單元拾取器200可容易地吸附經切割的單個半導體封裝P。
第一管路233起到將單元拾取器的吸附孔231與供壓部連通的功能。因此，在供壓部運行而產生負壓時，通過第一管路233及單元拾取器的吸附孔231將負壓傳遞到半導體封裝P的上表面，以容易實現半導體封裝P的吸附。
第二管路235的一端與閥237連接，另一端與第一管路233連通。此種第二管路235根據閥237是打開還是關閉使外部空氣流入到第一管路233。在本發明中，外部空氣包括大氣與壓縮空氣等，且閥也可為與大氣連通的大氣連通閥，且也可為生成壓縮空氣的泵或連接到空氣罐的閥。
在使用大氣連通閥的情況下，打開閥時可使大氣流入。
本發明的閥可為比例閥，且也可通過控制比例閥的開關量來調節通過閥流入的外部空氣的量。
本發明的閥237配備在第二管路235，且在打開閥時，外部空氣流入到第一管路233，從而降低第一管路的負壓強度，且在關閉時，阻斷外部空氣向第一管路233的流入，從而增大了通過第一管路施加到吸附孔的負壓的強度。
作為參考，在本發明中，通過供壓部供應到第一管路的負壓的強度保持固定，且可根據閥的開關量改變通過第一管路施加到吸附孔的負壓的強度。
詳細地進行說明，在打開閥237時，外部空氣通過第二 管路235的孔洞流入到第二管路235內部，並流動到第一管路233。換句話說，由於打開閥237，具有大氣壓力的外部空氣流入到第一管路233及第二管路235以使大氣與第一管路233及第二管路235連通。
在關閉閥237時，通過阻斷外部空氣流入到第二管路235內部，從而增大了施加到吸附孔的負壓的強度。
在單元拾取器200中，單元拾取器200的主體210設置在第一引導框架910，且單元拾取器200沿第一引導框架910移動，從而可在前後方向、即在X軸方向上移動。
單元拾取器200以可升降的方式配備，由此，可容易地達成對卡盤台的上表面所吸附支持的半導體封裝P的拾取、向超音波清潔部的移動、及向吸附台傳遞半導體封裝P等。
超音波清潔部400起到如下功能：通過液體L所傳遞的超音波而利用超音波對多個半導體封裝P進行清潔。
這種超音波清潔部400可包括如下構件構成：水槽410，儲存用於通過單元拾取器200使在切割部170中切割的半導體封裝P浸入的液體L；以及超音波產生部430，向水槽410傳遞超音波，從而對浸入到液體L的半導體封裝P進行清潔。
本發明的超音波清潔部配備在水槽內部的一側且還可進一步包括：上部排水口，用於排出在清潔時產生的漂浮異物；下部排水口，配備在上部排水口的下部，用於排出在清潔時產生的沉澱異物；以及液體供應部，形成在所述水槽內部的另一側，以 沿一側方向供應所述液體。
此時，液體供應部也可向水槽內供應具有特定溫度的液體，且也可在水槽的一側配備加熱部件，從而將儲存在水槽內的液體加熱到特定溫度。
例如，特定溫度也可被設定為30°~60°的溫度以易於進行球面的除焊。
另一方面，儲存在超音波清潔部的水槽中的液體L可為水、純淨水、超純水或添加有表面活性劑的液體等。
另外，上部排水口優選為形成為與儲存在水槽410內部的液體L的水面的高度相似的高度，下部排水口優選為形成為與水槽410的底面稍微隔開的高度。
在水槽410內部的另一側配備供應液體L的液體供應部。液體供應部可包括多個供應噴嘴，且通過液體供應部供應的液體L從水槽410內部的另一側沿一側方向供應，以對儲存在水槽內的液體賦予單向的流動(流速)。
液體供應部以從水槽410內部的另一側沿一側方向供應液體L或者可同時供應液體L與空氣的方式配備，且配備可對液體L或液體L與空氣的供應量進行調節的閥。此處，閥可手動或自動調節。
作為參考，液體供應部可以如下方式進行調節：使在清潔時產生的漂浮異物與液體L一同溢出而通過上部排水口排出，並使通過液體供應部供應的液體L的量與通過上部排水口及下部 排水口排出的液體L的量相比相同或更多。
超音波產生部430配置在水槽410的下部，並起到產生超音波以將超音波傳遞到存儲在水槽410中的液體L的功能。
液體供應部起到將液體L供應到水槽410的功能。
另外，在超音波清潔製程中通過第一管路233吸入儲存在水槽410中的液體時，液體供應部通過對水槽410供應液體L，從而防止水槽410的水位變低。
加熱部起到對供應到液體供應部的液體L進行加熱的功能。
如此，通過加熱部對液體L加熱，從而通過液體供應部(未示出供應的液體L具有高溫，由此可更有效地去除半導體封裝P的殘餘異物及殘餘焊劑。
吸附台570起到如下功能：接收完成清潔及乾燥的單元拾取器200所拾取的多個半導體封裝P，並吸附多個半導體封裝P的下表面。也可在吸附台570內部附加配備用於乾燥殘留在被吸附的半導體封裝P的多餘的水分的加熱部件(加熱器)。
在吸附台570配備與卡盤台150的吸附孔相同的台吸附孔(未圖示)，可通過台吸附孔將各個半導體封裝P的下表面容易地吸附到吸附台570。
還可在吸附台570配備加熱器，如上所述，在通過台吸附孔吸附半導體封裝P的下表面時，可通過控制部的控制使加熱器運轉，並通過加熱器的熱容易地對多個半導體封裝P進行乾燥。 當然，也可不在吸附台570配備加熱器，而在吸附台570的上部配備單獨的空氣噴嘴，以對半導體封裝P的上表面噴射空氣來乾燥半導體封裝P。
吸附台570可設置在第五引導框架950，並沿第五引導框架950移動，從而可在X軸方向、即在前後方向上移動。
異物去除部510通過配備用於與單元拾取器200所吸附的半導體封裝P的下表面接觸來去除異物的接觸部件，從而起到去除半導體封裝P的下表面的異物的功能。
接觸部件具有向上方突出的形狀。
因此，在單元拾取器200經過異物去除部510的上部時，單元拾取器200所拾取的多個半導體封裝P的下表面接觸異物去除部510，從而附著在半導體封裝P的下表面的異物被容易地去除。異物去除部510去除相對大的異物，且通過在執行超音波清潔之前首先去除大的異物，從而可相對防止對超音波清潔部400的水槽410的污染。
異物去除部510的接觸部件可為刷子或海綿等。如果在半導體封裝的大小非常小的情況下，則在通過接觸部件去除異物時還可能導致半導體封裝的位置歪斜或產生洩露(leak)，因此也可省略異物去除部而通過超音波清潔部執行超音波清潔。
雙流體噴嘴530起到如下功能：對單元拾取器200所吸附的半導體封裝P的下表面噴射水與空氣而對單元拾取器200所吸附的半導體封裝P進行清潔。還可通過雙流體噴嘴將水與空氣 一同噴射，並在噴射水後也可噴射空氣以進行乾燥。
還可附加配備單獨的空氣噴嘴代替雙流體噴嘴，以對多個半導體封裝P的下表面噴射空氣以起到乾燥半導體封裝P的功能，此時，空氣噴嘴可配置在雙流體噴嘴530與吸附台570之間。
上述切割部170、超音波清潔部400、異物去除部510、雙流體噴嘴530、空氣噴嘴及吸附台570以半導體材料切割裝置10的前後方向為基準，可按照切割部170、超音波清潔部400、異物去除部510、雙流體噴嘴530、空氣噴嘴及吸附台570順序配置。
構成為：在對吸附台570所吸附的半導體封裝P進行清潔及乾燥、並執行由上表面視覺單元721進行的視覺檢查後，半導體封裝P如圖1所示，被轉檯拾取器600拾取，並移送到對準部700且在執行視覺檢查後搬送至分類部800。
以下，參照圖1至圖8詳細地對使用具有上述構成的半導體材料切割裝置10對半導體封裝P清潔及乾燥的方法進行說明。
使用半導體材料切割裝置10清潔及乾燥半導體封裝P的方法通過控制部的控制實現。
使用半導體材料切割裝置10清潔及乾燥半導體封裝P的方法可包括如下步驟構成：第一拾取步驟S10，通過單元拾取器200在卡盤台150上拾取半導體封裝P；異物去除步驟S20，通過異物去除部510的物理接觸而去除半導體封裝P的下表面的異物；下表面清潔步驟S30，使單元拾取器200下降到水槽410中而 將半導體封裝P浸入到液體L中，並通過超音波產生部430產生的超音波對半導體封裝P的下表面進行超音波清潔；第一上表面清潔步驟S40，打開與第一管路233連通的閥237以減小傳遞到單元拾取器的吸附孔231的負壓，從而在半導體封裝P的上表面與單元拾取器200的下表面之間產生間隙S，並通過間隙S使液體L被吸入到第一管路233，從而對半導體封裝P的上表面進行清潔；第二上表面清潔步驟S50，若流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量，則關閉閥237以增大單元拾取器的吸附孔231的負壓，從而增大通過間隙S流入的液體L的流入量；液體去除步驟S60，在關閉閥237的狀態下使單元拾取器200從水槽上升之後，打開大氣連通閥237以使殘存在第一管路233中的液體L通過第一管路233被去除；空氣乾燥步驟S70，單元拾取器200移動到空氣噴嘴上部，並對完成超音波清潔的半導體封裝P噴射空氣以乾燥半導體封裝；以及吸附台傳遞步驟S80，單元拾取器200將半導體封裝P傳遞到吸附台570。
在第一拾取步驟S10中，執行通過單元拾取器200在卡盤台150上拾取半導體封裝P的過程。
首先，若在切割部170中將半導體條帶切割成單個的半導體封裝P，則控制部控制單元拾取器200移動到卡盤台150上，之後使單元拾取器200下降到卡盤台150而使經切割的半導體封裝P的上表面與吸附墊230的下表面接觸，通過負壓吸附半導體封裝P的上部進行拾取。
在異物去除步驟S20中，執行通過異物去除部510的物理接觸而去除半導體封裝P的下表面的異物的過程。
在在切割部170中吸附並拾取半導體封裝P的第一拾取步驟S10後，控制部可使單元拾取器200在異物去除部510中去除異物，並移動到超音波清潔部400的上部以在超音波清潔部400中對單元拾取器200所吸附的半導體封裝P進行清潔。
詳細地進行說明，控制部控制單元拾取器200以將單元拾取器200移動到異物去除部510的上部，以使單元拾取器200所拾取的多個半導體封裝P的下表面接觸異物去除部510，從而首先去除附著在半導體封裝P的下表面的大的異物。
此後，將單元拾取器200移動到超音波清潔部400的上部，並執行超音波清潔製程。
超音波清潔製程可包括下表面清潔步驟S30、第一上表面清潔步驟S40、第二上表面清潔步驟S50以及液體去除步驟S60來構成。
在下表面清潔步驟S30中執行如下過程：使單元拾取器200下降到水槽410中，以將半導體封裝P浸入到液體L中，且通過超音波產生部430產生的超音波對半導體封裝P的下表面進行超音波清潔。
在超音波清潔製程中，控制部在在超音波產生部430中對單元拾取器200所吸附的半導體封裝P進行清潔的超音波清潔製程中，如圖3所示，控制部在使單元拾取器200下降並將半導 體封裝P浸入到液體L中之後，使超音波產生部430運行以利用超音波清潔半導體封裝P。
由於在超音波產生部430中產生超音波，超音波被傳遞到儲存在水槽410中的液體L，由此通過液體L及超音波由超音波清潔半導體封裝P的下表面。
在此情況下，半導體封裝P被單元拾取器的吸附孔231以負壓吸附，且半導體封裝P的上表面緊密接觸吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面。因此，在半導體封裝P與吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面之間不會產生間隙。
作為參考，由於在本發明中，負壓的值是可根據半導體封裝的大小、種類及形狀而變化的部分，因此省略關於其的具體記載。
在第一上表面清潔步驟S40中，通過在將單元拾取器所拾取的半導體封裝浸入到水槽中的狀態下打開閥，減弱了吸附半導體封裝的單元拾取器的吸附力，且在單元拾取器的吸附墊與吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙。此時，設定閥的開關量，以使在打開閥時流入的外部空氣通過第一管路傳遞到半導體封裝的負壓具有使半導體封裝不會從單元拾取器掉落的程度的吸附力。
在第一上表面清潔步驟S40中，打開閥而在吸附墊與吸附墊所吸附的半導體封裝之間形成間隙，以使液體可通過單元拾 取器的吸附墊的吸附孔流入。
在第二上表面清潔步驟S50中，執行如下過程：若流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已設定的量，則關閉閥237以使單元拾取器的吸附孔231的負壓增大，從而增大吸附力的強度，並增大通過間隙S流入的液體L的流入量。
控制部打開與第一管路233連通的第二管路235的閥237，以減小傳遞到單元拾取器的吸附孔231的負壓，使液體通過在單元拾取器200所吸附的半導體封裝P的上表面與單元拾取器200的下表面之間產生的間隙S流入，並被吸入到第一管路233。
詳細地進行說明，控制部控制並打開閥237，因此，外部空氣通過第二管路235流入到第一管路233。
由於外部空氣具有大氣壓的壓力，因此減小了從供壓部傳遞到第一管路233及單元拾取器的吸附孔231的負壓。
如上所述，由於負壓減小，如圖4所示半導體封裝P的上表面中的一部分區域不與吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面接觸。即，在吸附墊中的一部分區域中不接觸半導體封裝，且其餘區域保持接觸半導體封裝的狀態。此時，由於未進行接觸的一部分區域，在吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面與半導體封裝P的上表面之間產生間隙S，且液體會通過間隙流入。
但在此情況下，由於半導體封裝P的上表面的其餘區域與吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面接觸，因此 半導體封裝P整體不是與吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面間隔開的狀態。
由於打開閥237，外部空氣流入到第一管路233並減小負壓，但由於能夠持續地通過第一管路233及單元拾取器的吸附孔231傳遞負壓，因此水槽410的液體L通過單元拾取器的吸附孔231被吸入到第一管路233，並流入到第一管路233內部。
如上所述，由於液體L沿著第一管路233被吸入，液體L在半導體封裝P的上表面流動，由此清潔半導體封裝P的上表面。在半導體封裝P是BGA類型的情況下，形成在半導體封裝P的上表面的球也被清潔。
當然，由於在清潔半導體封裝的上表面期間還清潔浸入到液體中的半導體封裝的下表面，因此前文分為下表面清潔步驟與上表面清潔步驟，但並不限於此，由於在執行上表面清潔步驟時也具有清潔半導體封裝的下表面的效果，因此本發明的上表面清潔步驟包括下表面清潔步驟。
當液體L被吸入到第一管路233中時，液體L沿著第一管路233的內部壁流動，且在第一管路233的中央區域產生由負壓引起的真空流。因此，即使液體L被吸入到第一管路233中，也可持續地通過第一管路233及單元拾取器的吸附孔231傳遞負壓。
當液體L流入到第一管路233內部以清潔半導體封裝P的上表面時，且當流入到單元拾取器的第一管路內的液體達到已 設定的量時，控制部關閉閥237，以使單元拾取器的吸附孔231的負壓增大，從而增大通過間隙S流入的液體L的流入量及流速。
此時，流入到第一管路內的液體是否達到已設定的量還可通過流量感應感測器或壓力感測器來確認，還可根據特定時間的經過來判斷，以及通過利用重複的實驗獲得的資料來判斷是否以達到已設定的量。
詳細地進行說明，控制部控制並關閉閥237，因此，阻斷外部空氣向第二管路235的流入。因此，第一管路233內部的負壓再次增大。在此情況下，從供壓部傳遞到第一管路233及單元拾取器的吸附孔231的負壓與通過上述第二管路235流入外部空氣時相比，負壓增大。即使關閉閥237，傳遞到第一管路233及單元拾取器的吸附孔231的負壓與圖3的狀態相比也會降低，其原因在於液體L仍會流入到第一管路233內部。
在水槽內在單元拾取器形成間隙而使液體流入的情況下，液體通過間隙持續流入，因此，如果關閉閥以提高負壓的強度，則液體的流入量與流速會以增加的狀態通過間隙並保持液體流入狀態。
如圖5所示，隨著負壓增大，通過半導體封裝P的上表面吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面的間隙S流入的液體L的流速變快，且通過間隙S流入的液體L的流入量會增加。在此情況下，流入量是每單位時間的流入量。
在此情況下，由於液體L通過間隙S持續地流入到單元 拾取器的吸附孔231及第一管路233，因此半導體封裝P的上表面與吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面完全不接觸。
另一方面，根據半導體封裝的種類，可僅通過打開閥一次來使液體流入，但是也存在不這樣的情況。因此，也可執行重複閥237的打開與關閉直到液體流入時為止的過程。
此時，當液體通過吸附孔流入時，保持閥打開，當流入到第一管路內的液體達到已設定的量時，關閉閥以增大液體的流速與流入量，從而提高上表面清潔力。
控制部可通過重複執行閥237的打開與閥237的關閉，以調節通過間隙S流入的液體L的流入量。
當重複傳遞到第一管路233內部的負壓的減小與增大時，可在半導體封裝P的上表面與吸附墊230的下表面之間形成間隙S。
如此，由於控制部重複閥237的打開與閥237的關閉，因此即使在吸附墊230由橡膠材質形成的情況下，半導體封裝P的上表面也可容易地與吸附墊230的下表面間隔開而產生間隙S。
換句話說，可更容易地實現在半導體封裝P的上表面與吸附墊230的下表面之間形成間隙S。
另外，由於控制部重複閥237的打開與閥237的關閉，因此可對半導體封裝P的吸附力帶來改變，由此，被吸附的半導體封裝在上下方向上產生微小移動的同時會形成間隙S。另外，通過間隙S的液體L的流入量會產生變化，由此能夠更有效地實現 對半導體封裝P的上表面的清潔。
控制部對閥237的打開與關閉的這種重複執行可經過2次至6次來實現。
另一方面，在本發明中閥使用比例閥，還可通過控制比例閥的開關量容易地調節通過閥流入的外部空氣的量。
在完成超音波清潔時，執行在關閉閥237的狀態下使單元拾取器200從水槽上升的過程。
在完成半導體封裝P的下表面及半導體封裝P的上表面的清潔時，如圖6所示，控制部使單元拾取器200上升。在此情況下，閥237為關閉的狀態。
在單元拾取器200從水槽上升時，在單元拾取器的吸附孔231位於比水槽410的液體L的水位高的位置時，液體L不被吸入。因此，負壓再次增大，因此半導體封裝P的上表面與吸附墊230的下表面、即單元拾取器200的下表面接觸，從而間隙S消失。
執行液體去除步驟S60以去除殘存在單元拾取器的第一管路的液體。在液體去除步驟S60中，執行打開閥237以使殘存在第一管路233的液體L通過第一管路233去除的過程。
如圖7中所示，在單元拾取器200上升後的狀態下，控制部打開閥使殘存在第一管路233的液體L通過第一管路233被去除。
詳細地進行說明，在完成超音波清潔且在單元拾取器200 上升後的狀態下，液體L殘存在第一管路233內部。在這種狀態下，當控制部打開閥237(優選為大氣連通閥)時，外部空氣通過第二管路235流入並流入到第一管路233內部。由於外部空氣具有大氣壓的壓力，因此從供壓部傳遞到第一管路233及單元拾取器的吸附孔231的負壓會減小。
另外，當外部空氣從第二管路235流入到第一管路233的內部時，外部空氣具有大氣壓的壓力，因此在第二管路235中產生向供壓部方向的真空流，沿這種真空流，殘存在第一管路233內部的液體L沿第一管路233向上部移動而被去除。
為此，本發明的供壓部可使用真空噴射器。
真空噴射器可包括供壓縮空氣等流入的流入口與排出壓縮空氣及液體L的排出口。在這種真空噴射器中，壓縮空氣通過流入口流入並通過排出口排出，從而通過壓力差產生負壓，並且此種負壓能夠被傳遞到第一管路233。
如上所述，在液體去除步驟S60中，在第一管路233中流動的液體L可通過流動到流出口排出而被去除。
通過利用控制部的控制將殘存在第一管路233內部的液體L全部排出去除，從而在將單元拾取器200所吸附的半導體封裝P卸載到吸附台570時，可預先防止殘存在第一管路233內部的液體L流到吸附台570。
殘存在單元拾取器的第一管路內部的液體可在對半導體封裝的球面清潔時包含一部分污染物。因此，在單元拾取器向吸 附台傳遞半導體封裝時，如果不去除殘存在第一管路內部的液體，則半導體封裝與殘存在第一管路內部的液體可能會一同被排出到吸附台的上部。
在向吸附台傳遞半導體封裝時，若排出被污染的液體則可能會存在二次污染半導體封裝的問題，在內置有加熱部件的吸附台的情況下，吸附台的加熱溫度可能會降低，從而導致乾燥性能下降。
另外，當通過吸附台570對半導體封裝P乾燥時，可防止因液體L而妨礙乾燥。
因此，在將第一管路233內部的殘存液體L全部排出並去除之後，控制部再次關閉大氣連通閥237以增加負壓。優選為在將半導體封裝傳遞到吸附台之前執行殘存液體的排出，並且更優選為在完成超音波清潔並且在單元拾取器從水槽上升的時點執行殘存液體的排出。
在空氣乾燥步驟S70中，執行以下過程：將單元拾取器200移動到空氣噴嘴上部，空氣噴嘴對完成超音波清潔的半導體封裝噴射空氣來乾燥半導體封裝P。
在通過關閉閥237增大負壓而使半導體封裝P被完全吸附到單元拾取器200的狀態下，控制部控制單元拾取器200並將其移動到空氣噴嘴的上部，之後通過空氣噴嘴的空氣噴射來乾燥半導體封裝P的下表面。
在吸附台傳遞步驟S80中，為單元拾取器200將半導體 封裝P傳遞到吸附台570的步驟。關於傳遞到吸附台570的半導體封裝，也可在安裝有單獨的加熱部件的情況下對半導體封裝P進行加熱，並完全乾燥殘存的液體。
在執行空氣乾燥步驟S70之後，控制部控制單元拾取器200並將其移動到吸附台570的上部，之後使單元拾取器200下降以解除供壓部的負壓，從而向吸附台570傳遞半導體封裝P。
此後，控制部可使吸附台570的加熱部件運行，以進一步乾燥被吸附到吸附台570的台吸附孔的半導體封裝P。
在上述步驟中，在下表面清潔步驟S30與液體去除步驟S60的狀態、即圖3、圖6及圖7的狀態下，半導體封裝P的上表面與單元拾取器200的下表面、即吸附墊230的下表面緊密接觸，因此在半導體封裝P的上表面與單元拾取器200的下表面、即吸附墊230的下表面之間不存在間隙。
在第一上表面清潔步驟S40與第二上表面清潔步驟S50的狀態、即圖4及圖5的狀態下，半導體封裝P的上表面中的一部分區域不與單元拾取器200的下表面、即吸附墊230的下表面緊密接觸，因此在半導體封裝P的上表面與單元拾取器200的下表面、即吸附墊230的下表面之間存在間隙S。
本發明的半導體材料切割裝置10調節單元拾取器200的負壓以在單元拾取器的吸附孔231所吸附的半導體封裝P與單元拾取器200的下表面之間產生間隙S，從而可使液體L被吸入到第一管路233，由此可同時清潔半導體封裝P的下表面與半導體封 裝P的上表面。
因此，與以往技術不同，即使不配備單獨的除焊設備，也可清潔半導體封裝P的球面來去除殘存在半導體封裝上表面上的焊劑，從而縮短半導體材料切割裝置10的製程時間，同時可達成半導體材料切割裝置10的小型化。
在將半導體封裝P浸入到儲存在水槽410中的液體L中並用超音波清潔期間，控制部可以如下方式控制：使半導體封裝P在被浸入到液體L中的狀態下上升及下降的方式重複進行使單元拾取器200上升、使單元拾取器200下降的動作。
另外，在將半導體封裝P浸入到儲存在水槽410中的液體L中並用超音波清潔期間，控制部可以如下方式控制：使半導體封裝P在被浸入到液體L中的狀態下沿水平方向移動的方式重複進行使單元拾取器200沿X軸方向移動、即向前方移動及向後方移動。
如上所述，通過控制部控制單元拾取器200執行上下垂直移動及前後水平移動中的至少任一種，從而在用超音波清潔半導體封裝P時可更有效地去除半導體封裝P的異物。
如上所述，儘管已參照本發明優選實施例進行了說明，但是相應技術領域內的普通技術人員可在不脫離申請專利範圍中所記載的本發明的思想及領域的範圍內對本發明實施各種修改或變形。
200:單元拾取器 210:主體 230:吸附墊 231:吸附孔 233:第一管路 235:第二管路 237:閥 400:超音波清潔部 410:水槽 430:超音波產生部 P:半導體封裝 L:液體

Claims (14)

  1. 一種半導體材料切割裝置，包括：切割部，將卡盤台的上表面所吸附支持的半導體條帶切割成單個的半導體封裝；單元拾取器，包括吸附墊、供壓部以及第一管路，所述吸附墊在底表面配備吸附孔以真空吸附經切割的所述半導體封裝的球面，所述供壓部對所述吸附孔供應負壓，所述第一管路傳遞由所述供壓部供應的所述負壓並與所述吸附孔連通，所述單元拾取器對所述卡盤台的上表面所吸附支持的所述半導體封裝進行拾取及移送；超音波清潔部，包括水槽及超音波產生部，所述水槽儲存用於供所述單元拾取器所拾取的所述半導體封裝浸入的液體，所述超音波產生部向所述水槽內部產生超音波，並在將所述單元拾取器所拾取的所述半導體封裝浸入到所述水槽後進行超音波清潔；吸附台，在通過所述單元拾取器傳遞經超音波清潔的所述半導體封裝之後，吸附所述半導體封裝；以及控制部，在將所述單元拾取器所拾取的所述半導體封裝浸入到所述水槽時，對通過所述第一管路向所述吸附孔施加的所述負壓的強度進行控制，所述控制部降低所述負壓的強度以在所述單元拾取器的所述吸附墊與所述吸附墊所吸附的所述半導體封裝之間形成間隙，以使儲存在所述水槽中的所述液體能夠通過所述單元拾取器的所述 吸附墊的所述吸附孔流入，若流入到所述單元拾取器的所述第一管路內的所述液體達到已設定的量，則所述控制部提高所述負壓的強度。
  2. 如請求項1所述的半導體材料切割裝置，其中，所述單元拾取器還包括：第二管路，一端與所述第一管路連通，以使外部空氣流入到所述第一管路；閥，連接到所述第二管路的另一端，以對所述第二管路進行開關，所述控制部調節所述閥是開或是關或調節開關量來控制施加到所述吸附孔的所述負壓的強度。
  3. 如請求項2所述的半導體材料切割裝置，其中，所述控制部在所述單元拾取器向所述吸附台傳遞所述半導體封裝之前打開所述閥，以去除殘存在所述單元拾取器的所述第一管路內的所述液體。
  4. 一種半導體材料切割裝置，包括：切割部，將卡盤台的上表面所吸附支持的半導體條帶切割成單個的半導體封裝；單元拾取器，包括吸附墊、供壓部、以及第一管路、第二管路及閥，所述吸附墊在底表面配備吸附孔以真空吸附經切割的所述半導體封裝的球面，所述供壓部對所述吸附孔供應負壓，所述第一管路傳遞由所述供壓部供應的所述負壓並與所述吸附孔連 通，所述第二管路的一端與所述第一管路連通以使外部空氣流入到所述第一管路，所述閥連接到所述第二管路的另一端以對所述第二管路進行開關，所述單元拾取器對所述卡盤台的上表面所吸附支持的所述半導體封裝進行拾取及移送；超音波清潔部，包括水槽及超音波產生部，所述水槽儲存用於供所述單元拾取器所拾取的所述半導體封裝浸入的液體，所述超音波產生部向所述水槽內部產生超音波，並在將所述單元拾取器所拾取的所述半導體封裝浸入到所述水槽後進行超音波清潔；吸附台，在通過所述單元拾取器傳遞經超音波清潔的所述半導體封裝之後，吸附所述半導體封裝；以及控制部，控制所述閥是開或是關或控制開關量，所述控制部在所述單元拾取器向所述吸附台傳遞所述半導體封裝之前打開所述閥，以去除殘存在所述單元拾取器的所述第一管路內的所述液體。
  5. 如請求項2或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述控制部在將所述單元拾取器所拾取的所述半導體封裝浸入到所述水槽時，打開所述閥而在所述單元拾取器的所述吸附墊與所述吸附墊所吸附的所述半導體封裝之間形成間隙，以使儲存在所述水槽中的所述液體能夠通過所述單元拾取器的所述吸附墊的所述吸附孔流入，若流入到所述單元拾取器的所述第一管路內的所述液體達到已設定的量，則關閉所述閥。
  6. 如請求項2或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述單元拾取器在完成超音波清潔時從所述水槽上升，之後打開所述閥去除殘存在所述單元拾取器的所述第一管路內的所述液體，並在去除殘存的所述液體後在關閉所述閥的狀態下移動到所述吸附台。
  7. 如請求項5所述的半導體材料切割裝置，其中，所述控制部重複執行所述閥的打開與關閉直至儲存在所述水槽中的所述液體通過所述單元拾取器的所述吸附墊的所述吸附孔流入時為止，若所述液體通過所述吸附孔流入，則保持所述閥打開，利用在所述閥打開時流入的所述外部空氣使通過所述第一管路傳遞到所述半導體封裝的所述負壓具有使所述半導體封裝不從所述單元拾取器掉落的程度的吸附力。
  8. 如請求項2或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述控制部在將所述半導體封裝浸入到所述水槽之前或在所述半導體封裝已浸入到所述水槽的狀態下打開所述閥。
  9. 如請求項2或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述閥為大氣連通閥，所述供壓部為真空噴射器。
  10. 如請求項2或4所述的半導體材料切割裝置，其中， 所述閥為比例閥，通過控制所述比例閥的開關量來調節通過所述閥流入的所述外部空氣的量。
  11. 如請求項1或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述超音波清潔部包括：上部排水口，配備在所述水槽內部的一側，用於將清潔時產生的漂浮異物排出；下部排水口，配備在所述上部排水口的下部，用於將清潔時產生的沉澱異物排出；以及液體供應部，形成在所述水槽內部的另一側，並沿一側方向供應所述液體。
  12. 如請求項1或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述超音波清潔部包括液體供應部，所述液體供應部向所述水槽內供應具有特定溫度的所述液體。
  13. 如請求項1或4所述的半導體材料切割裝置，其中，所述超音波清潔部在所述水槽的一側配備加熱部件，以將儲存在所述水槽內的所述液體加熱到特定溫度。
  14. 如請求項1或4所述的半導體材料切割裝置，其中還包括：異物去除部，配備在所述超音波清潔部的一側，在對所述單 元拾取器所拾取的所述半導體封裝進行超音波清潔之前清潔所述半導體封裝的下表面；以及空氣噴射部，配備在所述超音波清潔部的一側，為了對完成超音波清潔的所述半導體封裝進行乾燥而噴射空氣。
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