TWI727928B - 攝像元件、攝像裝置及攝像元件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明可使畫質提高。攝像元件係於該攝像元件之受光面上相鄰之受光元件間之間隔，根據於該受光面上之位置而變更者。又，該攝像元件係使用藉由反復進行矽磊晶(silicon epitaxial)步驟與離子注入步驟而將光電二極體積層化之攝像元件之製造方法製造者。又，該攝像元件係藉由該積層化，且將於該攝像元件之受光面上相鄰之光電二極體間之間隔根據於該受光面上之位置而於各層變更之攝像元件之製造方法而製造者。

Description

攝像元件、攝像裝置及攝像元件之製造方法
本技術係關於攝像元件。詳細而言，係關於產生圖像資料之攝像元件、攝像裝置及攝像元件之製造方法。
先前，存在拍攝被攝體而產生圖像資料之攝像元件。例如，CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補型金屬氧化半導體)、CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合裝置)等攝像元件已普及。
又，已有提出一種例如於像素區域中心部與像素區域周邊部，根據入射至基板之光之行進方向而將各感測器分離層之形成位置設為不同之攝像元件(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-118479號公報
於上述先前技術中，藉由將感測器分離層之形成位置設為不同，可抑制混色。
又，例如藉由瞳修正等而抑制混色或陰影，而提高由攝像元件產生之圖像資料之畫質乃為重要課題。
本技術係鑑於此種狀況而發明者，其目的在於提高畫質。
本技術係用於消除上述問題點而完成者，其第1態樣係一種攝像元件及包含其之攝像裝置，該攝像元件係其於受光面上相鄰之受光元件間之間隔根據於上述受光面上之位置而變更者。藉此，可藉由於受光面中上鄰之受光元件間之間隔根據於該受光面上之位置而變更之攝像元件，而帶來產生圖像資料之作用。
又，於該第1態樣中，亦可設為上述攝像元件係背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補型金屬氧化半導體)感測器；且於像素電晶體側，以上述相鄰之受光元件間成為等間隔之方式形成上述受光元件，且於光入射側，以上述相鄰之受光元件間之間隔根據於上述受光面上之位置而異之方式形成上述受光元件。藉此，可藉由於像素電晶體側，以相鄰之受光元件間成為等間隔之方式形成受光元件，且於光入射側，以相鄰之受光元件間之間隔根據於受光面上之位置而異之方式形成受光元件之背面照射型CMOS感測器，而帶來產生圖像資料之作用。
又，於該第1態樣中，亦可設為上述受光元件以沿自該受光元件之開口部入射之光之光路之方式形成。藉此，可帶來藉由以沿自受光元件之開口部入射之光之光路之方式形成受光元件之攝像元件，產生圖像資料之作用。
又，於該第1態樣中，亦可設為上述受光元件以被分割為複數個之矽磊晶(silicon epitaxial)形成。藉此，可藉由以被分割為複數個之矽磊晶形成之攝像元件，而帶來產生圖像資料之作用。
又，於該第1態樣中，亦可設為於上述受光面上上述相鄰之受光元件間之間隔隨著自上述受光面之中心向畫角端線性或非線性變更。藉此，可藉由於受光面上相鄰之受光元件間之間隔隨著自該受光面之中心向畫角端線性或非線性變更之攝像元件，而帶來產生圖像資料之 作用。
又，於該第1態樣中，亦可設為設置於上述相鄰之受光元件間之像素間遮光膜之間隔根據於上述受光面上之位置而變更。藉此，可藉由設置於相鄰之受光元件間之像素間遮光膜之間隔根據於受光面上之位置而變更之攝像元件，而帶來產生圖像資料之作用。
又，於該第1態樣中，亦可設為設置於上述受光元件之透鏡之間隔根據於上述受光面之位置而變更。藉此，可藉由設置於受光元件之透鏡之間隔根據於受光面之位置而變更之攝像元件，而帶來產生圖像資料之作用。
又，本技術之第2態樣係一種攝像元件之製造方法，其藉由反復進行矽磊晶步驟與離子注入步驟而將光電二極體積層化，且將於攝像元件之受光面上相鄰之上述光電二極體間之間隔根據於上述受光面上之位置而於各層變更。藉此，可帶來以下作用：藉由反復進行矽磊晶步驟與離子注入步驟而將光電二極體積層化，且將於攝像元件之受光面上相鄰之光電二極體間之間隔根據於受光面之位置而於各層變更。
根據本技術，可發揮可提高畫質之優異效果。另，此處所記載之效果並非完全限定者，亦可為本揭示中所記載之任一效果。
100‧‧‧攝像元件
111~114‧‧‧晶片上透鏡(OCL)
121~124‧‧‧晶片上彩色濾光片(OCCF)
131~134‧‧‧像素間遮光膜
141~146‧‧‧光電二極體
151~153‧‧‧像素電晶體
160‧‧‧像素區域
161‧‧‧中央
162‧‧‧箭頭
163‧‧‧箭頭
170‧‧‧像素
171‧‧‧光電二極體開口部
172‧‧‧晶片上透鏡(OCL)
175‧‧‧氧化膜
180‧‧‧矽晶圓
181‧‧‧槽形狀
182~185‧‧‧抗蝕劑
186~188‧‧‧光電二極體之N型區域
189~191‧‧‧第1光電二極體
192‧‧‧磊晶層
193‧‧‧槽形狀
194~196‧‧‧第2光電二極體
197~199‧‧‧像素電晶體
200‧‧‧攝像元件
211~214‧‧‧晶片上透鏡(OCL)
221~224‧‧‧晶片上彩色濾光片(OCCF)
231~238‧‧‧金屬配線
241~244‧‧‧像素電晶體
251~256‧‧‧光電二極體
260‧‧‧矽晶圓
261~263‧‧‧第1光電二極體
270‧‧‧磊晶層
271‧‧‧槽形狀
272‧‧‧氧化膜
273~275‧‧‧光電二極體之P型區域
276~278‧‧‧抗蝕劑
300‧‧‧攝像元件
311~314‧‧‧晶片上透鏡(OCL)
321~324‧‧‧晶片上彩色濾光片(OCCF)
331~334‧‧‧像素間遮光膜
341~349‧‧‧光電二極體
351~353‧‧‧像素電晶體
400‧‧‧攝像元件
411~414‧‧‧晶片上透鏡(OCL)
421~424‧‧‧晶片上彩色濾光片(OCCF)
431~438‧‧‧金屬配線
441~444‧‧‧像素電晶體
451~459‧‧‧光電二極體
d‧‧‧射出瞳距離
d1‧‧‧射出瞳距離
d2‧‧‧射出瞳距離
L11~L13‧‧‧光
L21~L23‧‧‧光
L31~L33‧‧‧光
L41~L43‧‧‧光
圖1係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之構成例之剖視圖。
圖2a、b係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之構成例之俯視圖。
圖3係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖4係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一 例之圖。
圖5係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖6係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖7係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖8係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖9係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖10係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。
圖11係顯示本技術之第2實施形態之攝像元件200之構成例之剖視圖。
圖12係顯示本技術之第2實施形態之攝像元件200之製造步驟之一例之圖。
圖13係顯示本技術之第2實施形態之攝像元件200之製造步驟之一例之圖。
圖14係顯示本技術之第3實施形態之攝像元件300之構成例之剖視圖。
圖15係顯示本技術之第3實施形態之攝像元件400之構成例之剖視圖。
以下，對用以實施本技術之形態(以下、稱為實施形態)進行說明。說明根據以下順序進行。
1.第1實施形態(背面照射型CMOS感測器等攝像元件之例)
2.第2實施形態(表面照射型CMOS感測器等攝像元件之例)
3.第3實施形態(3層以上之多層矽磊晶之攝像元件之例)
<1.第1實施形態>
[攝像元件之構成例]
圖1係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之構成例之剖視圖。於圖1中，顯示攝像元件100之周邊部(受光面之周邊側之區域)之構成例。
攝像元件100具備：OCL(On Chip Lens：覆晶透鏡)111至114、OCCF(On Chip Color Filter：覆晶彩色濾光片)121至124、像素間遮光膜131至134、光電二極體141至146、及像素電晶體151至153。攝像元件100可藉由例如背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補型金屬氧化半導體)感測器實現。
OCL111至114係設置於各像素之上部之微透鏡，將來自被攝體之光聚光至光電二極體141至146。
OCCF121至124係設置於各像素之上部之彩色濾光片，各像素取得與配置於其等的上部之OCCF相應之彩色資訊。
像素間遮光膜131至134係沿相鄰之像素間之邊界線形成之遮光膜。像素間遮光膜131至134由遮蔽光之材料形成。
光電二極體141至146係接收藉由OCL111至114聚光之光之受光元件。
像素電晶體151至153係於讀取藉由光電二極體141至146聚光而累積之像素資料時使用之讀取用電晶體。
圖2係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之構成例之俯視圖。
於圖2a，簡化顯示自上面觀看攝像元件100之情形時之像素區域 160。另，於圖2a中，為了便於說明，以大致正方形之矩形顯示攝像元件100之像素區域160。
於圖2b，顯示自上方觀看攝像元件100之情形時之光電二極體開口部與OCL之關係。另，於圖2b中，為了便於說明，將構成攝像元件100之像素之數量設為僅有25個，並藉由矩形示意性顯示各像素。 又，以大致矩形顯示各像素之光電二極體之開口部(將矩形之四角圓角化之形狀)，以圓顯示OCL。例如，於像素170，配置有光電二極體開口部171及OCL172。
如圖2b所示，自像素區域之中央向畫角端，將光電二極體開口部171之區域於像素170內線性(或非線性)地逐漸錯開。例如，如圖2a所示，隨著自像素區域160之中央161向箭頭162、163方向前進，而線性地將光電二極體開口部171之區域逐漸錯開。例如，可使光電二極體開口部171之區域之錯開量隨著自中央161向箭頭162、163方向前進而增加(例如根據特定規則增加(例如單調遞增))。
又，亦可設為例如隨著自像素區域160之中央161向箭頭162、163方向前進，而非線性地逐漸錯開光電二極體開口部171之區域之至少一部分。例如，可使光電二極體開口部171之區域之錯開量增加(例如，隨著自中央161向箭頭162、163方向前進而根據特定規則增加)，且將其他區域之錯開量設為固定值。
即，隨著自該受光面之中心向畫角端，以線性(或非線性)變更於攝像元件100之受光面上相鄰之光電二極體間之間隔。
又，如圖1及圖2所示，將於攝像元件100之受光面上相鄰之光電二極體間之間隔，根據於攝像元件100之受光面上之位置而變更。
例如，假設攝像元件100係背面照射型CMOS感測器之情形。於該情形時，於像素電晶體側，以於攝像元件100之受光面上相鄰之光電二極體間成為等間隔之方式，形成各光電二極體。又，於光入射 側，以於攝像元件100之受光面上相鄰之光電二極體間之間隔根據於該受光面上之位置而異之方式，形成各光電二極體。於該情形時，如圖1所示，各光電二極體係以沿自其開口部入射之光之光路之方式形成。又，各光電二極體以被分割為複數個之矽磊晶(silicon epitaxial)形成。
又，如圖1所示，將設置在於攝像元件100之受光面上相鄰之光電二極體間之像素間遮光膜131至134之間隔，根據於該受光面上之位置而變更。又，如圖1及圖2所示，將設置於像素元件100之透鏡(OCL111至114、OCCF121至124)之間隔，根據於該受光面上之位置而變更。
如此，可對構成攝像元件100之各部(OCL、OCCF、像素間遮光膜、光電二極體)施以瞳修正。此處，瞳修正係根據攝像面之位置，而對射出瞳距離進行之修正(例如、參照日本專利特開2004-56260號公報)。
例如，於CMOS感測器之光學系統中，使用射出瞳距離於攝像面之中心部看起來較小、射出瞳距離於攝像面之周邊部看起來較大之非球面透鏡。又，於使用該非球面透鏡之情形時，射出瞳距離於攝像面上隨著自中心部朝向周邊部而單調遞增。如此，由於射出瞳距離根據攝像面之位置而變化，故必須對射出瞳距離進行修正(瞳修正)。
例如，假設將攝像面之於中心之射出瞳距離設為d1，將攝像面之於端部之射出瞳距離設為d2，且射出瞳距離單調遞增之情形。於該情形時，可對滿足(d1+d2)/2<d<d2之關係之射出瞳距離d進行瞳修正。
[攝像元件之製造步驟例]
圖3至圖10係顯示本技術之第1實施形態之攝像元件100之製造步驟之一例之圖。於圖3至圖10中，顯示藉由反復進行矽磊晶步驟與離 子注入步驟，而將光電二極體之矽膜厚度厚膜化之例。藉此，可提高感度。
圖3至圖7顯示第1光電二極體形成步驟。例如，於矽晶圓180形成如圖7所示之第1光電二極體189至191、與槽(trench)形狀181。
圖3顯示標記形成步驟。例如，藉由使矽晶圓180之表面氧化而形成氧化膜175，並經由光微影(photolithography)步驟進行亁蝕刻，而於矽晶圓180形成槽形狀181。
圖4顯示抗蝕劑(resist)形成步驟。例如，藉由進行光微影步驟，而於矽晶圓180形成抗蝕劑182至185。
圖5顯示離子注入步驟。例如，藉由進行離子注入步驟，而於矽晶圓180形成光電二極體之N型區域186至188。又，於圖5中，顯示塗有灰色之區域作為P型區域。另，P型區域及N型區域之任一者均係於圖案化後藉由離子注入而形成。
圖6顯示抗蝕劑剝離步驟。例如，藉由進行抗蝕劑剝離步驟，而剝離形成於矽晶圓180之抗蝕劑182至185。
圖7顯示氧化膜剝離步驟及磊晶(矽磊晶)步驟。例如，藉由進行氧化膜剝離步驟，而自矽晶圓180剝離氧化膜175。接著，進行矽磊晶步驟，而形成第1光電二極體189至191。
圖8顯示矽磊晶步驟。例如，形成磊晶層192。又，槽形狀181之槽維持槽形狀而磊晶成長，成為槽形狀193。
圖9顯示像素電晶體形成步驟及配線步驟。例如，形成第2光電二極體194至196、及像素電晶體197至199。另，形成各配線。
圖10顯示背面化步驟。另，於圖3至圖10中，為了便於說明，顯示未對光電二極體施以瞳修正之情形時之光電二極體形成之一例。於對光電二極體施以瞳修正之情形時，於圖3至圖10所示之製造步驟中，如圖1及圖2所示般，將光電二極體開口部錯開。即，藉由如圖1 及圖2所示般，按照上述之錯開量而錯開光電二極體開口部之區域，可對光電二極體施以瞳修正。如此，於本技術之第1實施形態中，以將於攝像元件之受光面上相鄰之光電二極體間之間隔根據於攝像元件之受光面上之位置而變更之方式，製造攝像元件。藉此，可抑制混色、及陰影。
此處，於CMOS感測器(包含紅外線感測器)，為了獲得感度，必須加長(加深)光電二極體之長度(光軸方向之長度)。然而，若加長光電二極體，則有因斜向入射之光而產生混色之情形。因此，於本技術之第1實施形態中，藉由使用矽磊晶積層光電二極體，而對光電二極體施以瞳修正。
例如，如圖1所示，於攝像元件100之受光面之周邊部，光L11至L13斜向入射。即使於該情形時，由於已對光電二極體施加瞳修正，故可抑制因斜向入射之光L11至L13引起之混色。藉此，可提高攝像元件100之感度。
如此，根據本技術之第1實施形態，亦可對光電二極體施以瞳修正。又，由於可對光電二極體施以瞳修正，故可提高OCL、及OCCF之修正量之自由度。
此處，存在例如將晶片重疊2層而形成之攝像元件。但是，晶片2層重疊之攝像元件於配線層區域感度損失會變大。因此，減少感度損失為重要課題。
又，存在藉由反復進行微影與離子注入而將光電二極體斜向錯開而形成之表面照射型CMOS感測器。該表面照射型CMOS感測器藉由像素間隙、像素電晶體、及像素共用方法等決定光電二極體開口位置。因此，由於成為非對稱之配置，而難以相對於要施以瞳修正之OCL、OCCF，將光電二極體配置於最合適之位置，故有混色劣化之虞。
相對於此，於本技術之第1實施形態中，可對OCL、OCCF、像素間遮光膜、金屬配線等施以瞳修正，且亦對光電二極體施以瞳修正。藉此，可抑制混色或陰影。
又，因於藉由離子注入形成光電二極體之情形時，有離子注入裝置之能量限制，故有無法形成較深之光電二極體之虞。相對於此，於本技術之第1實施形態中，可藉由反復進行矽磊晶與離子注入，而將光電二極體之矽膜厚度厚膜化。即，可形成較深之光電二極體。藉此，可提高紅外線、近紅外線之感度。又，可對光電二極體(開口部)施以瞳修正，而可抑制混色，且可抑制陰影。
如此，對像素間遮光膜及各透鏡(OCL、OCCF)施以線性修正(或非線性修正)，且亦對光電二極體施以線性修正(或非線性修正)。又，可藉由對像素間遮光膜、各透鏡(OCL、OCCF)、及光電二極體施以線性修正(或非線性修正)，而實現對混色及陰影抗性較強之攝像元件。即，可提高由攝像元件產生之圖像資料之畫質。又，可消除對膜厚之限度。
<2.第2實施形態>
於本技術之第1實施形態中，顯示了背面照射型CMOS感測器等攝像元件之例。於本技術之第2實施形態中，顯示表面照射型CMOS感測器等攝像元件之例。
[攝像元件之構成例]
圖11係顯示本技術之第2實施形態之攝像元件200之構成例之剖視圖。於圖11中，顯示攝像元件200之周邊部(受光面之周邊側之區域)之構成例。
攝像元件200具備：OCL211至214、OCCF221至224、金屬配線231至238、像素電晶體241至244、及光電二極體251至256。攝像元件200可藉由例如表面照射型CMOS感測器實現。
OCL211至214、OCCF221至224、像素電晶體241至244、及光電二極體251至256與圖1所示之相同名稱之各部對應。因此，省略此處之詳細說明。
[攝像元件之製造步驟例]
圖12及圖13係顯示本技術之第2實施形態之攝像元件200之製造步驟之一例之圖。另，由於攝像元件200之製造步驟與圖3至圖8所示之製造步驟(第1光電二極體形成步驟)共通，故此處僅就圖3至圖8所示之製造步驟以後之製造步驟進行說明。
於圖12，顯示於圖8所示之矽磊晶步驟後進行之表面氧化步驟。 例如，使藉由矽磊晶步驟形成之磊晶層192之表面氧化而形成氧化膜272。另，第1光電二極體261至263、及槽形狀271，係與圖8所示之第1光電二極體189至191、及槽形狀193對應。
於圖13，顯示光電二極體形成步驟。例如，形成光電二極體之N型區域(第1光電二極體261至263)、光電二極體之P型區域273至275、及抗蝕劑276至278。
<3.第3實施形態>
於本技術之第1及第2實施形態中，顯示了2層之矽磊晶之攝像元件之例。於本技術之第3實施形態中，顯示3層以上之多層矽磊晶之攝像元件之例。
[攝像元件之構成例]
圖14係顯示本技術之第3實施形態之攝像元件300之構成例之剖視圖。於圖14中，顯示攝像元件300之周邊部(受光面之周邊側之區域)之構成例。
攝像元件300具備：OCL311至314、OCCF321至324、像素間遮光膜331至334、光電二極體341至349、及像素電晶體351至353。另，該等與圖1所示之相同名稱之各部對應。因此，省略此處之詳細說明。
又，關於像素元件300之製造步驟，在變更光微影步驟之圖案而錯開光電二極體之位置之點不同，但除此以外，與圖3至圖10共通。因此，省略此處之詳細說明。
[攝像元件之構成例]
圖15係顯示本技術之第3實施形態之攝像元件400之構成例之剖視圖。於圖15中，顯示攝像元件400之周邊部(受光面之周邊側之區域)之構成例。
攝像元件400具備：OCL411至414、OCCF421至424、金屬配線431至438、像素電晶體441至444、及光電二極體451至459。另，該等與圖11所示之相同名稱之各部對應。因此，省略此處之詳細說明。
又，關於像素元件400之製造步驟，在變更光微影步驟之圖案而錯開光電二極體之位置之點不同，但除此以外，與圖3至圖8、圖12、及圖13共通。因此，省略此處之詳細說明。
另，於本技術之實施形態中，顯示了攝像元件100、200、300、400之例。但是，對具備攝像元件100、200、300、400之攝像裝置，亦可應用本技術之實施形態。又，對智慧型電話、平板終端、及個人電腦等電子機器、資訊處理裝置，亦可應用本技術之實施形態。
另，上述實施形態係顯示用以將本技術具體化之一例者，實施形態之事項、與申請專利範圍之發明特定事項各自具有對應之關係。同樣的，申請專利範圍之發明特定事項、與標註有與其相同之名稱之本技術之實施形態之事項各自具有對應之關係。但是，本技術並非限定於實施形態者，在不脫離其主旨之範圍內可藉由對實施形態實施種種變化而具體化。
另，本說明書中記載之效果僅為示例，並非限定者，且亦可有其他效果。
另，本技術亦可採用如以下之構成。
(1)
一種攝像元件，其於受光面上相鄰之受光元件間之間隔根據於上述受光面上之位置而變更。
(2)
如上述(1)記載之攝像元件，其中上述攝像元件係背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補型金屬氧化半導體)感測器；且於像素電晶體側，以上述相鄰之受光元件間成為等間隔之方式形成上述受光元件，且於光入射側，以上述相鄰之受光元件間之間隔根據於上述受光面上之位置而異之方式形成上述受光元件。
(3)
如上述(1)或(2)記載之攝像元件，其中上述受光元件以沿自該受光元件之開口部入射之光之光路之方式形成。
(4)
如上述之(1)至(3)之任一者記載之攝像元件，其中上述受光元件以被分割為複數個之矽磊晶(silicon epitaxial)形成。
(5)
如上述之(1)至(4)之任一者記載之攝像元件，其中於上述受光面上上述相鄰之受光元件間之間隔，隨著自上述受光面之中心向畫角端線性或非線性變更。
(6)
如上述之(1)至(5)之任一者記載之攝像元件，其中設置於上述相鄰之受光元件間之像素間遮光膜之間隔根據於上述受光面上之位置而變更。
(7)
如上述之(1)至(6)之任一者記載之攝像元件，其中設置於上述受 光元件之透鏡之間隔根據於上述受光面之位置而變更。
(8)
一種攝像裝置，其包含攝像元件，該攝像元件其於受光面上相鄰之受光元件間之間隔根據於上述受光面上之位置而變更。
(9)
一種攝像元件之製造方法，其藉由反復進行矽磊晶步驟與離子注入步驟而將光電二極體積層化，且將於攝像元件之受光面上相鄰之上述光電二極體間之間隔根據於上述受光面之位置而於各層變更。
100‧‧‧攝像元件
111~114‧‧‧晶片上透鏡(OCL)
121~124‧‧‧晶片上彩色濾光片(OCCF)
131~134‧‧‧像素間遮光膜
141~146‧‧‧光電二極體
151~153‧‧‧像素電晶體
L11~L13‧‧‧光

Claims (9)

  1. 一種攝像元件，其包含：二維陣列之像素，其具有於拍攝時面對被攝體之上表面，各上述像素包含受光元件及對應之受光開口部，其中上述受光開口部設置於上述二維陣列之像素之上述上表面；且上述二維陣列之像素之上述上表面上之上述受光開口部之間之第1間隔，係根據上述上表面上之上述受光開口部之位置而不同，且其中來自上述被攝體之光在由上述受光元件接收之前穿過上述受光開口部。
  2. 如請求項1之攝像元件，其中上述攝像元件係背面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補型金屬氧化半導體)感測器；且於像素電晶體側，以相鄰之複數個上述受光元件之間成為等間隔之方式形成上述受光元件，並於光入射側，以相鄰之複數個上述受光元件之間之間隔根據於上述上表面上之位置而異之方式形成上述受光元件。
  3. 如請求項1之攝像元件，其中上述受光元件以沿自上述受光開口部入射之光之光路之方式形成。
  4. 如請求項1之攝像元件，其中上述受光元件以被分割為複數個之矽磊晶(silicon epitaxial)形成。
  5. 如請求項1之攝像元件，其中上述受光開口部之間之第1間隔，係隨著自上述上表面之中心向畫角端線性或非線性變更。
  6. 如請求項1之攝像元件，其中設置於上述受光元件間之像素間遮光膜之間之第2間隔，係根據於上述上表面上之位置而不同。
  7. 如請求項1之攝像元件，其中設置於上述受光元件之透鏡之間之第3間隔，係根據於上述上表面之位置而不同。
  8. 一種攝像裝置，其包含攝像元件，上述攝像元件包含：二維陣列之像素，其具有於拍攝時面對被攝體之上表面，各上述像素包含受光元件及對應之受光開口部，其中上述受光開口部設置於上述二維陣列之像素之上述上表面；其中上述二維陣列之像素之上述上表面上之上述受光開口部之間之間隔，係根據上述上表面上之上述受光開口部之位置而不同，且其中來自上述被攝體之光在由上述受光元件接收之前穿過上述受光開口部。
  9. 一種攝像元件之製造方法，其包含：形成二維陣列之像素，上述二維陣列之像素具有於拍攝時面對被攝體之上表面，各上述像素包含受光元件及對應之受光開口部，其中上述受光開口部設置於上述二維陣列之像素之上述上表面；及根據上述上表面上之上述受光開口部之位置，形成不同之間隔於上述二維陣列之像素之上述上表面上之上述受光開口部之間，其中來自上述被攝體之光在由上述受光元件接收之前穿過上述受光開口部。
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