JP2021082724A - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】画質や機能を更に向上させることができる固体撮像装置を提供すること。【解決手段】複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、該画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数と、該画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数とが異なる、固体撮像装置を提供する。【選択図】図１

Description

本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。

近年、デジタルカメラは、益々、普及が進んでおり、その中心部品である固体撮像装置（イメージセンサ）の需要はますます高まっている。これに伴い、固体撮像装置では高画質化や高機能化を実現するための技術開発が盛んに行われいる。例えば、基板の厚さ方向に凹凸形状を形成させて感度特性を向上させた光電変換装置に関する技術が提案されている（特許文献１を参照。）。

特開２００５−７２０９７号

しかしながら、特許文献１で提案された技術では、更なる高画質化や高機能化を図れないおそれがある。

そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、画質や機能を更に向上させることができる固体撮像装置、及びその固体撮像装置が搭載された電子機器を提供することを主目的とする。

本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、固体撮像装置の更なる高画質化や高機能化に成功し、本技術を完成するに至った。

すなわち、本技術では、第１の側面として、
複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、
該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、
該画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数と、該画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数とが異なる、固体撮像装置を提供する。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の前記凹凸数が、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の前記凹凸数よりも少なくてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部の凹凸数が、前記画素領域の中央部に配された前記画素から、前記画素領域の周囲部に配された前記画素に向かうに従って変化してよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部の凹凸数が、前記画素領域の中央部に配された前記画素から、前記画素領域の周囲部に配された前記画素に向かうに従って漸次的に増えてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチと、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチとが異なっていてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチが、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチよりも大きくてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチが、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチよりも大きくてよく、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、前記画素内の全体に設けられていてよく、
前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、前記画素内の全体に設けられていてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有してよく、
前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有してよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有してよく、
前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、多角形である形状を有してよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部が、前記光電変換部に形成される前記入射光が集光される集光領域を覆うように設けられていてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
該画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置と、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置とが異なっていてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられていてよく、
前記画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられていてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられいてよく、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の右周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から左周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられていてよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられいてよく、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の左周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から右周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられていてよい。

また、本技術では、第２の側面として、
複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、
該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、
該画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内での設けられた位置と、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内での設けられた位置とが異なる、固体撮像装置を提供する。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられいてよく、
前記画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられていてよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられいてよく、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の右周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から左周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられていてよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられていてよく、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の左周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から右周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられていてよい。

さらに、本技術では、本技術に係る第１の側面の固体撮像装置又は本技術に係る第２に側面の固体撮像装置が搭載された、電子機器を提供する。

本技術によれば、固体撮像装置の画質や機能を更に向上させることができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

図１（ａ）〜図１（ｃ）は、本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図１（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、本技術を適用した第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図２（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図３（ａ）は、本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図３（ｂ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図４（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図５（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 図７（ａ）〜図７（ｃ）は、本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図７（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図８（ａ）は、本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図８（ｂ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図９（ａ）〜図９（ｃ）は、本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図９（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、本技術を適用した第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図１０（ｄ）は、画素領域における明暗ムラを示す図である。 本技術を適用した第６の実施形態の固体撮像装置が有する４画素の構成例を示す図である。 本技術を適用した第７実施形態の固体撮像装置が有する４画素の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の全体構成例を示す図である。 本技術を適用した第１〜第７の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。 本技術を適用した第８の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）
７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）
８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）
９．第８の実施形態（電子機器の例）
１０．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
１１．内視鏡手術システムへの応用例
１２．移動体への応用例

＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。

例えば、単画素（例えば１つの画素）の感度特性を高めるために、光電変換部が形成された半導体基板と絶縁膜との界面に凹凸形状を設けることができるが、実製品においては、レンズの組み合わせ等、光学系によって発生する斜入射光特性の影響で光電変換部における照度がチップ（基板）の面内で異なり明暗ムラが発生することがある。

本技術は、以上の状況を鑑みてなされたものある。本技術は、第１の側面として、複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、光電変換部の上方であって、半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数と、画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数とが異なる、固体撮像装置を提供することができるし、また、第２の側面として、複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、光電変換部の上方であって、半導体基板の受光面側に形成された凹凸部と、を有し、画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部の、画素を平面視したときの画素内での設けられた位置と、画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部の、画素を平面視したときの画素内での設けられた位置とが異なる、固体撮像装置を提供することができる。本技術によれば、チップ面内又は基板面内の感度の均一性を高めた固体撮像装置を製造することが可能である。また、チップ面内又は基板面内の感度の均一性を高めることにより、後段のアナログ回路による利得調整、信号処理による明暗ムラ低減処理を削減することも可能である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について図面を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。

＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置について、図１及び図１３を用いて説明をする。

まずは、図１を用いて説明する。図１は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図１（ａ）は、固体撮像装置１００１が有する４画素分の領域１００１ａの平面図であり、図１（ｂ）は、固体撮像装置１００１が有する４画素分の領域１００１ｂの平面図であり、図１（ｃ）は、固体撮像装置１００１が有する４画素分の領域１００１ｃの平面図であり、図１（ｄ）は、光入射側からの平面視での画素領域１００１−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。

図１（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００１が有する４画素分の領域１００１ａには、右回りの順で、４つの画素１００１ａ―１〜１００１ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００１ａは、図１（ｄ）に示される画素領域１００１−Ｇの中央部であるＰ１領域に相当する。

画素１００１ａ−１は凹凸部１１ａ―１を有し、凹凸部１１ａ―１は、画素１００１ａ−１の画素中心ｔ（後述する図１（ａ−１）を参照。以下同じ。）を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ａ−２は凹凸部１１ａ―２を有し、凹凸部１１ａ―２は、画素１００１ａ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ａ−３は凹凸部１１ａ―３を有し、凹凸部１１ａ―３は、画素１００１ａ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ａ−４は凹凸部１１ａ―４を有し、凹凸部１１ａ―４は、画素１００１ａ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。なお、画素中心ｔは、凹凸部１１ａ―１〜１１ａ―４の中心に対応する。

図１（ａ−１）は、図１（ａ）に示される凹凸部１１ａ−１の拡大平面図であり、参照符号１１ａ−１Ａ及び１１ａ−１Ｃは凹凸部の凹部を示し、参照符号１１ａ−１Ｂは凹凸部の凸部を示す。１ピッチは、凹部１１ａ−１Ａから凹部１１ａ−１Ｃまでの長さである。そして、半ピッチは、凹部１１ａ−１Ａ又は凹部１１ａ−１Ｃから凸部凹部１１ａ−１Ｂまでの長さである。そして、本明細書では、凹凸部１１ａ−１中の斜線部分の範囲（参照符号Ｖ１で示した範囲）を、凹凸部の１単位とし、凹凸部の平面視での大きさを表す。したがって、凹凸部１１ａ−１は４単位で構成される。また、同様に凹凸部１１ａ―２、凹凸部１１ａ−３及び凹凸部１１ａ−４のそれぞれも４単位である。後述する、凹凸部１１ｂ−１、凹凸部１１ｂ−２、凹凸部１１ｂ−３及び凹凸部１１ｂ−４のそれぞれは、図１（ｂ）中では、９単位であり、凹凸部１１ｃ−１、凹凸部１１ｃ−２、凹凸部１１ｃ−３及び凹凸部１１ｃ−４のそれぞれは、図１（ｃ）中では、１６単位である。

図１（ａ−２）は、図１（ａ−１）に示されるＡ１−Ｂ１線に従った断面図である。図１（ａ−２）に示されるように、凹凸部１１ａ−１の凸部１１ａ−１Ｂは、三角錐形状（断面視では三角形）である。なお、凹凸部１７ａ−１は、ウェットエッチングにより作製することができる。

凹凸部１１ａ―１〜１１ａ−４は、画素１００１ａ―１〜１００１ａ−４のそれぞれの画素の中心部（画素中心ｔを囲んだ領域）に形成されているので、垂直入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１１ａ―１〜１１ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００１ａ―１〜１００１ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図１（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００１が有する４画素分の領域１００１ｂには、右回りの順で、４つの画素１００１ｂ―１〜１００１ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００１ｂは、図１（ｄ）に示される画素領域１００１−Ｇの右上周囲部であるＱ１領域に相当する。

画素１００１ｂ−１は凹凸部１１ｂ―１を有し、凹凸部１１ｂ―１は、凹凸部１１ｂ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ｂ−２は凹凸部１１ｂ―２を有し、凹凸部１１ｂ―２は、凹凸部１１ｂ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ｂ−３は凹凸部１１ｂ―３を有し、凹凸部１１ｂ―３は、凹凸部１１ｂ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ｂ−４は凹凸部１１ｂ―４を有し、凹凸部１１ｂ―４は、凹凸部１１ｂ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１１ｂ―１〜１１ｂ―４の凹凸数は、凹凸部１１ａ−１〜１１ａ−４の凹凸数に対して多い。凹凸部１１ｂ―１〜１１ｂ―４の凹凸数を多くすることで、Ｑ１領域で入射される右斜め光の反射防止をより効果的にして感度を上げることができる。

凹凸部１１ｂ―１〜１１ｂ−４は、画素１００１ｂ―１〜１００１ｂ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部（画素の左上部でもよい。）に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。凹凸部が、画素の右下部（又は右上部）に主に形成されている場合は、左斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１１ｂ―１〜１１ｂ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００１ｂ―１〜１００１ｂ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図１（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００１が有する４画素分の領域１００１ｃには、右回りの順で、４つの画素１００１ｃ―１〜１００１ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００１ｃは、図１（ｄ）に示される画素領域１００１−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００１−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ１領域に相当する。

画素１００１ｃ−１は凹凸部１１ｃ―１を有し、凹凸部１１ｃ―１は、凹凸部１１ｃ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ｃ−２は凹凸部１１ｃ―２を有し、凹凸部１１ｃ―２は、凹凸部１１ｃ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ｃ−３は凹凸部１１ｃ―３を有し、凹凸部１１ｃ―３は、凹凸部１１ｃ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００１ｃ−４は凹凸部１１ｃ―４を有し、凹凸部１１ｃ―４は、凹凸部１１ｃ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１１ｃ―１〜１１ｃ―４の凹凸数は、凹凸部１１ｂ−１〜１１ｂ−４の凹凸数に対して多い。凹凸部１１ｃ―１〜１１ｃ―４の凹凸数を多くすることで、Ｒ１領域で入射される右斜め光の反射防止をより効果的にして感度を上げることができる。

凹凸部１１ｃ―１〜１１ｃ−４は、画素１００１ｃ―１〜１００１ｃ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部（画素の左上部でもよい。）に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。凹凸部が、画素の右下部（又は右上部）に主に形成されている場合は、左斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１１ｃ―１〜１１ｃ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００１ｃ―１〜１００１ｃ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

以上より、Ｐ１領域（画素領域の中心部）から、Ｑ１領域及びＲ１領域に従って、凹凸部の凹凸数が増えて、チップ内（基板内）の感度の均一化を図ることができる。すなわち、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置により、図１（ｄ）に示される明暗ムラを改善することができる。

次に、図１３を用いて説明をする。図１３は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、固体撮像装置１ｅの画素２ｅ（図中では２画素分を図示）の断面図である。なお、固体撮像装置１ｅの構成例は、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２〜第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

固体撮像装置１ｅは、半導体基板１２ｅと、その表面側（図中下側）に形成された多層配線層２１ｅと、支持基板２２ｅとを備える。

半導体基板１２ｅは、例えばシリコン（Ｓｉ）で構成され、例えば１乃至６μｍの厚みを有して形成されている。半導体基板１２ｅには、例えば、Ｐ型（第１導電型）の半導体領域４１ｅに、Ｎ型（第２導電型）の半導体領域４２ｅが画素２ｅごとに形成されることにより、フォトダイオードＰＤが画素単位に形成されている。半導体基板１２ｅの表裏両面に臨むＰ型の半導体領域４１ｅは、暗電流抑制のための正孔電荷蓄積領域を兼ねている。

なお、Ｎ型の半導体領域４２ｅの間となる各画素２ｅの画素境界では、Ｐ型の半導体領域４１ｅが、画素間遮光部４７ｅを形成するために、図１３に示されるように深く掘り込まれている。画素間遮光部４７ｅは、凹凸部４８ｅ（反射防止部）により散乱した入射光を反射させて、光電変換部（フォトダイオード（ＰＤ））内に入射光を閉じ込める効果がある。

電荷蓄積領域となるＮ型の半導体領域４２ｅの上側のＰ型の半導体領域４１ｅの界面（受光面側界面）は、微細な凹凸部（凹凸構造）を形成した、いわゆるモスアイ構造により、入射光の反射を防止する反射防止部４８ｅを構成する。すなわち、反射防止部（凹凸部）４８ｅは、凸部４８ｅ−１と凹部４８ｅ−２とから構成される。反射防止部４８ｅにおいて、凹凸の周期に相当する三角錐形状（断面視では三角形）の凸部のピッチは、例えば、４０ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲に設定されている。

多層配線層２１ｅは、複数の配線層４３ｅと層間絶縁膜４４ｅとを有する。また、多層配線層２１ｅ（多層配線層２１ｅと半導体基板１２ｅとの界面でもよい。）には、フォトダイオードＰＤに蓄積された電荷の読み出し等を行う複数の画素トランジスタＴｒも形成されている。

半導体基板１２ｅの裏面側には、Ｐ型の半導体領域４１ｅの上面を被覆するように、ピンニング層４５ｅが成膜されている。ピンニング層４５ｅは、半導体基板１２ｅとの界面部分において正電荷（ホール）蓄積領域が形成されて暗電流の発生が抑制されるように、負の固定電荷を有する高誘電体を用いて形成されている。負の固定電荷を有するようにピンニング層４５ｅを形成することで、その負の固定電荷によって、半導体基板１２ｅとの界面に電界が加わるので、正孔電荷蓄積領域が形成される。

ピンニング層４５ｅは、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）を用いて形成される。また、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などを用いて、ピンニング層４５ｅを形成してもよい。

透明絶縁膜４６ｅは、Ｐ型の半導体領域４１ｅの掘り込み部分に埋め込まれるとともに、半導体基板１２ｅのピンニング層４５ｅ上部の裏面側全面に形成されている。透明絶縁膜４６ｅが埋め込まれたＰ型の半導体領域４１ｅの掘り込み部分は、隣接する画素２ｅからの入射光（例えば、反射防止部４８により散乱した入射光）の漏れ込みを防止する画素間遮光部４７ｅを構成する。そして、画素間遮光部４７ｅと反射防止部４８ｅとの間は、ピンニング層４５ｅから構成される平坦部４８ｅ−３が形成され、平坦部４８ｅ−３の形成により、隣接画素への光漏れがよりなく、混色をより防止することができる。

透明絶縁膜４６ｅは、光を透過させるとともに絶縁性を有し、屈折率ｎ１が半導体領域４１ｅおよび半導体領域４２ｅの屈折率ｎ２よりも小さい（ｎ１＜ｎ２）材料である。透明絶縁膜４６ｅの材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ランタン（Ｌａ₂Ｏ₃）、酸化プラセオジム（Ｐｒ₂Ｏ₃）、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、酸化ネオジム（Ｎｄ₂Ｏ₃）、酸化プロメチウム（Ｐｍ₂Ｏ₃）、酸化サマリウム（Ｓｍ₂Ｏ₃）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ₂Ｏ₃）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ₂Ｏ₃）、酸化テルビウム（Ｔｂ₂Ｏ₃）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ₂Ｏ₃）、酸化ホルミウム（Ｈｏ₂Ｏ₃）、酸化ツリウム（Ｔｍ₂Ｏ₃）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ₂Ｏ₃）、酸化ルテチウム（Ｌｕ₂Ｏ₃）、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）、樹脂などを、単独または組み合わせて用いることができる。

なお、透明絶縁膜４６ｅを形成する前に、ピンニング層４５ｅの上側に、反射防止膜を積層してもよい。反射防止膜の材料としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｔａ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂） 、酸化ランタン（Ｌａ₂Ｏ₃）、酸化プラセオジム（Ｐｒ₂Ｏ₃）、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、酸化ネオジム（Ｎｄ₂Ｏ₃）、酸化プロメチウム（Ｐｍ₂Ｏ₃）、酸化サマリウム（Ｓｍ₂Ｏ₃）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ₂Ｏ₃）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ₂Ｏ₃）、酸化テルビウム（Ｔｂ₂Ｏ₃）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ₂Ｏ₃）、酸化ホルミウム（Ｈｏ₂Ｏ₃）、酸化ツリウム（Ｔｍ₂Ｏ₃）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ₂Ｏ₃）、酸化ルテチウム（Ｌｕ₂Ｏ₃）、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）などを用いることができる。

反射防止膜は、モスアイ構造の反射防止部４８ｅの上面のみに成膜してもよいし、ピンニング層４５ｅと同様に、反射防止部４８ｅの上面と、画素間遮光部４７ｅの側面の両方に成膜してもよい。

透明絶縁膜４６ｅ上の画素境界の領域には、遮光膜４９ｅが形成されている。遮光膜４９ｅの材料としては、光を遮光する材料であればよく、例えば、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）などを用いることができる。

遮光膜４９ｅを含む透明絶縁膜４６ｅの上側全面には、平坦化膜５０ｅが形成されている。平坦化膜５０ｅの材料としては、例えば、樹脂などの有機材料を用いることができる。

平坦化膜５０ｅの上側には、Ｒｅｄ（赤）、Ｇｒｅｅｎ（緑）、またはＢｌｕｅ（青）のカラーフィルタ層５１ｅが画素ごとに形成される。カラーフィルタ層５１ｅは、例えば顔料や染料などの色素を含んだ感光性樹脂を回転塗布することによって形成される。Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅの各色は、例えばベイヤ配列により配置されることとするが、その他の配列方法で配置されてもよい。図１３の例では、右側の画素２ｅには、Ｂｌｕｅ（Ｂ）のカラーフィルタ層５１ｅが形成されており、左側の画素２ｅには、Ｇｒｅｅｎ（Ｇ）のカラーフィルタ層５１ｅが形成されている。カラーフィルタ層５１ｅの上側には、オンチップレンズ５２ｅが画素２ｅごとに形成されている。オンチップレンズ５２ｅは、例えば、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン−アクリル共重合系樹脂、またはシロキサン系樹脂等の樹脂系材料で形成される。オンチップレンズ５２ｅでは入射された光が集光され、集光された光はカラーフィルタ層５１ｅを介してフォトダイオードＰＤに効率良く入射される。

凹凸部４８ｅの製造方法について説明をする。

半導体基板１２ｅの裏面側の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、反射防止部（凹凸部）４８ｅのモスアイ構造の凹部となる部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板１２ｅに対してウェットエッチング処理を施すことにより、反射防止部４８ｅのモスアイ構造の凹部が形成され、その後、フォトレジストが除去される。なお、反射防止部４８ｅのモスアイ構造は、凸部が紡錘形状の場合は、ドライエッチング処理で形成することができ、図１３に示されるように、凸部が三角錐形状の場合は、上記のとおり、ウェットエッチング処理により形成することができる。

次に、モスアイ構造の反射防止部４８ｅとトレンチ構造４７ｅとが形成された半導体基板１２ｅの表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ピンニング層（金属酸化膜）４５ｅが形成される。

そして、ピンニング層（金属酸化膜）４５ｅの上面に、絶縁膜４６ｅは、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。

以上、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２〜第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置について、図２を用いて説明をする。図２は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図２（ａ）は、固体撮像装置１００２が有する４画素分の領域１００２ａの平面図であり、図２（ｂ）は、固体撮像装置１００２が有する４画素分の領域１００２ｂの平面図であり、図２（ｃ）は、固体撮像装置１００２が有する４画素分の領域１００２ｃの平面図であり、図２（ｄ）は、光入射側からの平面視での画素領域１００２−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。

図２（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００２が有する４画素分の領域１００２ａには、右回りの順で、４つの画素１００２ａ―１〜１００２ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００２ａは、図２（ｄ）に示される画素領域１００２−Ｇの中央部であるＰ２領域に相当する。

画素１００２ａ−１は凹凸部１２ａ―１を有し、凹凸部１２ａ―１は、画素１００２ａ−１の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ａ−２は凹凸部１２ａ―２を有し、凹凸部１２ａ―２は、画素１００２ａ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ａ−３は凹凸部１２ａ―３を有し、凹凸部１２ａ―３は、画素１００２ａ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ａ−４は凹凸部１２ａ―４を有し、凹凸部１２ａ―４は、画素１００２ａ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。凹凸部１２ａ―１〜１２ａ−４は、４つの画素１００２ａ―１〜１００２ａ−４のそれぞれの画素の全体に形成されている。なお、画素中心ｔは、凹凸部１２ａ―１〜１２ａ―４の中心に対応する。

図２（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００２が有する４画素分の領域１００２ｂには、右回りの順で、４つの画素１００２ｂ―１〜１００２ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００２ｂは、図２（ｄ）に示される画素領域１００２−Ｇの右上周囲部であるＱ２領域に相当する。

画素１００２ｂ−１は凹凸部１２ｂ―１を有し、凹凸部１２ｂ―１は、画素１００２ｂ−１の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ｂ−２は凹凸部１２ｂ―２を有し、凹凸部１２ｂ―２は、画素１００２ｂ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ｂ−３は凹凸部１２ｂ―３を有し、凹凸部１２ｂ―３は、画素１００２ｂ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ｂ−４は凹凸部１２ｂ―４を有し、凹凸部１２ｂ―４は、画素１００２ｂ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。凹凸部１２ｂ―１〜１２ｂ−４は、４つの画素１００２ｂ―１〜１００２ｂ−４のそれぞれの画素の全体に形成されている。なお、画素中心ｔは、凹凸部１２ｂ―１〜１２ｂ―４の中心に対応する。図２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、凹凸部１２ｂ―１〜１２ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ２ｂ）は、凹凸部１２ａ―１〜１２ａ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ２ａ）より短く、ピッチ数が多い。凹凸部１２ｂ―１〜１２ｂ−４のそれぞれのピッチをより短くして、ピッチ数をより多くすることで、Ｑ２領域で入射される右斜め光の反射防止をより効果的にして感度を上げることができる。

図２（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００２が有する４画素分の領域１００２ｃには、右回りの順で、４つの画素１００２ｃ―１〜１００２ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００２ｃは、図２（ｄ）に示される画素領域１００２−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００２−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ２領域に相当する。

画素１００２ｃ−１は凹凸部１２ｃ―１を有し、凹凸部１２ｃ―１は、画素１００２ｃ−１の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ｃ−２は凹凸部１２ｃ―２を有し、凹凸部１２ｃ―２は、画素１００２ｃ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ｃ−３は凹凸部１２ｃ―３を有し、凹凸部１２ｃ―３は、画素１００２ｃ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００２ｃ−４は凹凸部１２ｃ―４を有し、凹凸部１２ｃ―４は、画素１００２ｃ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。凹凸部１２ｃ―１〜１２ｃ−４は、４つの画素１００２ｃ―１〜１００２ｃ−４のそれぞれの画素の全体に形成されている。なお、画素中心ｔは、凹凸部１２ｃ―１〜１２ｃ―４の中心に対応する。図２（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、凹凸部１２ｃ―１〜１２ｃ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ２ｃ）は、凹凸部１２ｂ―１〜１２ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ２ｂ）より短く、ピッチ数が多い。凹凸部１２ｃ―１〜１２ｃ−４のそれぞれのピッチをより短くして、ピッチ数をより多くすることで、Ｒ２領域で入射される右斜め光の反射防止をより効果的にして感度を上げることができる。

以上より、Ｐ２領域（画素領域の中心部）から、Ｑ２領域及びＲ２領域（画素領域の右周囲部）に向かうに従って、凹凸部のピッチ数が増えて、チップ内（基板内）の感度の均一化を図ることができる。すなわち、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置により、図２（ｄ）に示される明暗ムラを改善することができる。

以上、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第３〜第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置について、図３〜図５を用いて説明をする。図３は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図３（ａ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００３ａの平面図であり、図３（ｂ）は、画素領域１００３−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。図４は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図４（ａ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００４ａの平面図であり、図４（ｂ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００４ｂの平面図であり、図４（ｃ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００４ｃの平面図であり、図４（ｄ）は、画素領域１００３−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。図５は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図５（ａ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００５ａの平面図であり、図５（ｂ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００５ｂの平面図であり、図５（ｃ）は、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００５ｃの平面図であり、図５（ｄ）は、画素領域１００３−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。

図３（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００３ａには、右回りの順で、４つの画素１００３ａ―１〜１００３ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００３ａは、図３（ｂ）に示される画素領域１００３−Ｇの中央部であるＰ３領域に相当する。

画素１００３ａ−１は凹凸部１３ａ―１を有し、凹凸部１３ａ―１は、画素１００３ａ−１の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００３ａ−２は凹凸部１３ａ―２を有し、凹凸部１３ａ―２は、画素１００３ａ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００３ａ−３は凹凸部１３ａ―３を有し、凹凸部１３ａ―３は、画素１００３ａ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００３ａ−４は凹凸部１３ａ―４を有し、凹凸部１３ａ―４は、画素１００３ａ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。なお、画素中心ｔは、凹凸部１３ａ―１〜１３ａ―４の中心に対応する。

凹凸部１３ａ―１〜１３ａ−４は、画素１００３ａ―１〜１００３ａ−４のそれぞれの画素の中心部（画素中心ｔを囲んだ領域）に形成されているので、垂直入射光の反射を防止して、垂直入射光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１３ａ―１〜１３ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００３ａ―１〜１００３ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図４（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００４ａには、右回りの順で、４つの画素１００４ａ―１〜１００４ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００４ａは、図４（ｄ）に示される画素領域１００４−Ｇの右上周囲部であるＱ４領域に相当する。

画素１００４ａ−１は凹凸部１４ａ―１を有し、凹凸部１４ａ―１は、凹凸部１４ａ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００４ａ−２は凹凸部１４ａ―２を有し、凹凸部１４ａ―２は、凹凸部１４ａ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００４ａ−３は凹凸部１４ａ―３を有し、凹凸部１４ａ―３は、凹凸部１４ａ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００４ａ−４は凹凸部１４ａ―４を有し、凹凸部１４ａ―４は、凹凸部１４ａ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１４ａ―１〜１４ａ―４の凹凸数は、凹凸部１３ａ−１〜１３ａ−４の凹凸数に対して多い。

凹凸部１４ａ―１〜１４ａ−４は、画素１００４ａ―１〜１００４ａ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１４ａ―１〜１４ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００４ａ―１〜１００４ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図４（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００４ｂには、右回りの順で、４つの画素１００４ｂ―１〜１００４ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００４ｂは、図４（ｄ）に示される画素領域１００４−Ｇの右上周囲部であるＱ４領域に相当する。

画素１００４ｂ−１は凹凸部１４ｂ―１を有し、凹凸部１４ｂ―１は、凹凸部１４ｂ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００４ｂ−２は凹凸部１４ｂ―２を有し、凹凸部１４ｂ―２は、凹凸部１４ｂ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００４ｂ−３は凹凸部１４ｂ―３を有し、凹凸部１４ｂ―３は、凹凸部１４ｂ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００４ｂ−４は凹凸部１４ｂ―４を有し、凹凸部１４ｂ―４は、凹凸部１４ｂ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１４ｂ―１〜１４ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ４ｂ）は、凹凸部１３ａ―１〜１３ａ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ３ａ）より短く、凹凸数においては多い。

凹凸部１４ｂ―１〜１４ｂ−４は、画素１００４ｂ―１〜１００４ｂ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１４ｂ―１〜１４ｂ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００４ｂ―１〜１００４ｂ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図４（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００４ｃには、右回りの順で、４つの画素１００４ｃ―１〜１００４ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００４ｃは、図４（ｄ）に示される画素領域１００４−Ｇの右上周囲部であるＱ４領域に相当する。

画素１００４ｃ−１は凹凸部１４ｃ―１を有し、凹凸部１４ｃ―１は、凹凸部１４ｃ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００４ｃ−２は凹凸部１４ｃ―２を有し、凹凸部１４ｃ―２は、凹凸部１４ｃ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００４ｃ−３は凹凸部１４ｃ―３を有し、凹凸部１４ｃ―３は、凹凸部１４ｃ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００４ｃ−４は凹凸部１４ｃ―４を有し、凹凸部１４ｃ―４は、凹凸部１４ｃ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。なお、凹凸部１４ｃ―１〜１４ｃ−４は、それぞれの凹凸部の中心を対称点とした点対称の形状であるが、非対称の形状でもよい。

凹凸部１４ｃ―１〜１４ｃ−４は、画素１００４ｃ―１〜１００４ｃ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１４ｃ―１〜１４ｃ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００４ｃ―１〜１００４ｃ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。凹凸部１４ｃ―１〜１４ｃ−４は、多角形である形状を有しているので、右斜め入射光の集光領域を更に効率良く覆い、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めて、チップ内（基板内）の感度の均一化に更に貢献をする。

図５（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００５ａには、右回りの順で、４つの画素１００５ａ―１〜１００５ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００５ａは、図５（ｄ）に示される画素領域１００５−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００５−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ５領域に相当する。

画素１００５ａ−１は凹凸部１５ａ―１を有し、凹凸部１５ａ―１は、凹凸部１５ａ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００５ａ−２は凹凸部１５ａ―２を有し、凹凸部１５ａ―２は、凹凸部１５ａ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００５ａ−３は凹凸部１５ａ―３を有し、凹凸部１５ａ―３は、凹凸部１５ａ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００５ａ−４は凹凸部１５ａ―４を有し、凹凸部１５ａ―４は、凹凸部１５ａ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１５ａ―１〜１５ａ―４の凹凸数は、凹凸部１４ａ−１〜１４ａ−４の凹凸数に対して多い。

凹凸部１５ａ―１〜１５ａ−４は、画素１００５ａ―１〜１００５ａ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１５ａ―１〜１５ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００５ａ―１〜１００５ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図５（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００５ｂには、右回りの順で、４つの画素１００５ｂ―１〜１００５ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００５ｂは、図５（ｄ）に示される画素領域１００５−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００５−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ５領域に相当する。

画素１００５ｂ−１は凹凸部１５ｂ―１を有し、凹凸部１５ｂ―１は、凹凸部１５ｂ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００５ｂ−２は凹凸部１５ｂ―２を有し、凹凸部１５ｂ―２は、凹凸部１５ｂ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００５ｂ−３は凹凸部１５ｂ―３を有し、凹凸部１５ｂ―３は、凹凸部１５ｂ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００５ｂ−４は凹凸部１５ｂ―４を有し、凹凸部１５ｂ―４は、凹凸部１５ｂ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１５ｂ―１〜１５ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ５ｂ）は、凹凸部１４ｂ―１〜１４ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ４ｂ）より短く、凹凸数においては、多い。

凹凸部１５ｂ―１〜１５ｂ−４は、画素１００５ｂ―１〜１００５ｂ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１５ｂ―１〜１５ｂ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００５ｂ―１〜１００５ｂ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図５（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００３が有する４画素分の領域１００５ｃには、右回りの順で、４つの画素１００５ｃ―１〜１００５ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００５ｃは、図５（ｄ）に示される画素領域１００５−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００５−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ５領域に相当する。

画素１００５ｃ−１は凹凸部１５ｃ―１を有し、凹凸部１５ｃ―１は、凹凸部１５ｃ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００５ｃ−２は凹凸部１５ｃ―２を有し、凹凸部１５ｃ―２は、凹凸部１５ｃ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００５ｃ−３は凹凸部１５ｃ―３を有し、凹凸部１５ｃ―３は、凹凸部１５ｃ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００５ｃ−４は凹凸部１５ｃ―４を有し、凹凸部１５ｃ―４は、凹凸部１５ｃ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。なお、凹凸部１５ｃ―１〜１５ｃ−４は、それぞれの凹凸部の中心を対称点とした点対称の形状であるが、非対称の形状でもよい。

凹凸部１５ｃ―１〜１５ｃ−４は、画素１００５ｃ―１〜１００５ｃ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１５ｃ―１〜１５ｃ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００５ｃ―１〜１００５ｃ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。凹凸部１５ｃ―１〜１５ｃ−４は、多角形である形状を有しているので、右斜め入射光の集光領域を更に効率良く覆い、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めて、チップ内（基板内）の感度の均一化に更に貢献をする。

以上より、Ｐ３領域（画素領域の中心部）から、Ｑ４領域及びＲ５領域に従って、凹凸部の凹凸数が増えて、ピッチ数が増え、形状変更（矩形から多角形に変更）をすることにより、チップ内（基板内）の感度の均一化を図ることができる。すなわち、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置により、図３（ｂ）、図４（ｄ）及び図５（ｄ）に示される明暗ムラを改善することができる。

以上、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第２の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第４〜第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置について、図６〜図７を用いて説明をする。図６は、本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、詳しくは、図６（ａ）は、固体撮像装置１６００（固体撮像装置１６００ａ）の断面図であり、図６（ｂ）は、固体撮像装置１６００（固体撮像装置１６００ｂ）の平面レイアウト図である。図７は、本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図７（ａ）は、固体撮像装置１００７が有する４画素分の領域１００７ａの平面図であり、図７（ｂ）は、固体撮像装置１００７が有する４画素分の領域１００７ｂの平面図であり、図７（ｃ）は、固体撮像装置１００７が有する４画素分の領域１００７ｃの平面図であり、図７（ｄ）は、画素領域１００７−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。

固体撮像装置１６００（固体撮像装置１６００ａ及びｂ）は、光入射側から順に、オンチップレンズ１−１及び１−２と、カラーフィルタ２−１Ｇ及び２−２Ｒと、絶縁膜４と、半導体基板７に形成された光電変換部６−１及び６−２を備える、右斜め入射光Ｌ６−１及びＬ６−２が集光されて、集光領域Ｍ１及びＭ２が形成されている。凹凸部（凸部が紡錘形状）１６ａ―１及び１６ａ−２が形成されて、凹凸部（凸部が紡錘形状）１６ａ―１及び１６ａ２により光の反射が防止される。図６（ｂ）に示されるように、凹凸部（凸部が紡錘形状）１６ｂ―１及び１６ｂ−２は、集光領域Ｍ１及びＭ２を覆うように形成されている。凹凸部（凸部が紡錘形状）１６ａ―１及び１６ａ−２はドライエッチングにより作製することができる。

次に図７を用いて説明をする。図７（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００７が有する４画素分の領域１００７ａには、右回りの順で、４つの画素１００７ａ―１〜１００７ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００７ａは、図７（ｄ）に示される画素領域１００７−Ｇの中央部であるＰ３領域に相当する。

画素１００７ａ−１は凹凸部１７ａ―１を有し、凹凸部１７ａ―１は、画素１００７ａ−１の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ａ−２は凹凸部１７ａ―２を有し、凹凸部１７ａ―２は、画素１００７ａ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ａ−３は凹凸部１７ａ―３を有し、凹凸部１７ａ―３は、画素１００７ａ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ａ−４は凹凸部１７ａ―４を有し、凹凸部１７ａ―４は、画素１００７ａ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。なお、画素中心ｔは、凹凸部１７ａ―１〜１７ａ―４の中心に対応する。

図７（ａ−１）は、図７（ａ）に示される凹凸部１７ａ−１の拡大平面図であり、参照符号１７ａ−１Ａ及び１７ａ−１Ｃは凹凸部の凹部を示し、参照符号１７ａ−１Ｂは凹凸部の凸部を示す。１ピッチは、凹部１７ａ−１Ａの中心（下辺１７ａ−１Ｅの中心）から凹部１７ａ−１Ｃの中心（下辺１７ａ−１Ｆの中心）までの長さである。そして、半ピッチは、凹部１７ａ−１Ａの中心（下辺１７ａ−１Ｅの中心）又は凹部１７ａ−１Ｃの中心（下辺１７ａ−１Ｆの中心）から凸部１７ａ−１Ｂの中心（上辺１７ａ−１Ｄの中心）までの長さである。そして、本明細書では、凹凸部１７ａ−１中の斜線部分の範囲（参照符号Ｖ２で示した範囲）は、凹凸部の１単位とする。したがって、凹凸部１７ａ−１は４単位で構成される。また、同様に凹凸部１７ａ―２、凹凸部１７ａ−３及び凹凸部１７ａ−４のそれぞれも４単位である。後述する、凹凸部１７ｂ−１、凹凸部１７ｂ−２、凹凸部１７ｂ−３及び凹凸部１７ｂ−４のそれぞれは、図７（ｂ）中では、９単位であり、凹凸部１７ｃ−１、凹凸部１７ｃ−２、凹凸部１７ｃ−３及び凹凸部１７ｃ−４のそれぞれは、図７（ｃ）中では、１６単位である。

図７（ａ−２）は、図７（ａ−１）に示されるＡ２−Ｂ２線に従った断面図である。図７（ａ−２）に示されるように、凹凸部１７ａ−１の凸部は、紡錘形状であり、断面視では、上辺を有する。なお、凹凸部１７ａ−１は、ドライエッチングにより作製することができる。

凹凸部１７ａ―１〜１７ａ−４は、画素１００７ａ―１〜１００７ａ−４のそれぞれの画素の中心部（画素中心ｔを囲んだ領域）に形成されているので、垂直入射光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１７ａ―１〜１７ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００７ａ―１〜１００７ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、隣接画素への光漏れがなく、混色を防止することができる。

図７（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００７が有する４画素分の領域１００７ｂには、右回りの順で、４つの画素１００７ｂ―１〜１００７ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００７ｂは、図７（ｄ）に示される画素領域１００７−Ｇの右上周囲部であるＱ７領域に相当する。

画素１００７ｂ−１は凹凸部１７ｂ―１を有し、凹凸部１７ｂ―１は、凹凸部１７ｂ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ｂ−２は凹凸部１７ｂ―２を有し、凹凸部１７ｂ―２は、凹凸部１７ｂ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ｂ−３は凹凸部１７ｂ―３を有し、凹凸部１７ｂ―３は、凹凸部１７ｂ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ｂ−４は凹凸部１７ｂ―４を有し、凹凸部１７ｂ―４は、凹凸部１７ｂ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１７ｂ―１〜１７ｂ―４の凹凸数は、凹凸部１７ａ−１〜１７ａ−４の凹凸数に対して多い。凹凸部１７ｂ―１〜１７ｂ―４の凹凸数を多くすることで、Ｑ７領域で入射される右斜め光の反射防止をより効果的にして感度を上げることができる。

凹凸部１７ｂ―１〜１７ｂ−４は、画素１００７ｂ―１〜１００７ｂ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部（画素の左上部でもよい。）に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。凹凸部が、画素の右下部（又は右上部）に主に形成されている場合は、左斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１７ｂ―１〜１７ｂ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００７ｂ―１〜１００７ｂ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図７（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００７が有する４画素分の領域１００７ｃには、右回りの順で、４つの画素１００７ｃ―１〜１００７ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００７ｃは、図７（ｄ）に示される画素領域１００７−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００７−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ７領域に相当する。

画素１００７ｃ−１は凹凸部１７ｃ―１を有し、凹凸部１７ｃ―１は、凹凸部１７ｃ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ｃ−２は凹凸部１７ｃ―２を有し、凹凸部１７ｃ―２は、凹凸部１７ｃ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ｃ−３は凹凸部１７ｃ―３を有し、凹凸部１７ｃ―３は、凹凸部１７ｃ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００７ｃ−４は凹凸部１７ｃ―４を有し、凹凸部１７ｃ―４は、凹凸部１７ｃ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１７ｃ―１〜１７ｃ―４の凹凸数は、凹凸部１７ｂ−１〜１７ｂ−４の凹凸数に対して多い。凹凸部１７ｃ―１〜１７ｃ―４の凹凸数を多くすることで、Ｒ７領域で入射される右斜め光の反射防止をより効果的にして感度を上げることができる。

凹凸部１７ｃ―１〜１７ｃ−４は、画素１００７ｃ―１〜１００７ｃ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部（画素の左上部でもよい。）に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。凹凸部が、画素の右下部（又は右上部）に主に形成されている場合は、左斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１７ｃ―１〜１７ｃ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００７ｃ―１〜１００７ｃ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

以上より、Ｐ７領域（画素領域の中心部）から、Ｑ７領域及びＲ７領域に従って、凹凸部の凹凸数が増えて、チップ内（基板内）の感度の均一化を図ることができる。すなわち、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置により、図７（ｄ）に示される明暗ムラを改善することができる。

以上、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第３の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第５〜第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）＞
本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置について、図８〜図１０を用いて説明をする。図８は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図８（ａ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００８ａの平面図であり、図８（ｂ）は、画素領域１００８−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。図９は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図９（ａ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００９ａの平面図であり、図９（ｂ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００９ｂの平面図であり、図９（ｃ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００９ｃの平面図であり、図９（ｄ）は、画素領域１００８−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。図１０は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、より詳しくは、図１０（ａ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１０１０ａの平面図であり、図１０（ｂ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１０１０ｂの平面図であり、図１０（ｃ）は、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１０１０ｃの平面図であり、図１０（ｄ）は、画素領域１００８−Ｇにおける明暗ムラを示す図である。

図８に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００８ａには、右回りの順で、４つの画素１００８ａ―１〜１００８ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００８ａは、図８（ｂ）に示される画素領域１００８−Ｇの中央部であるＰ８領域に相当する。

画素１００８ａ−１は凹凸部１８ａ―１を有し、凹凸部１８ａ―１は、画素１００８ａ−１の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００８ａ−２は凹凸部１８ａ―２を有し、凹凸部１８ａ―２は、画素１００８ａ−２の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００８ａ−３は凹凸部１８ａ―３を有し、凹凸部１８ａ―３は、画素１００８ａ−３の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００８ａ−４は凹凸部１８ａ―４を有し、凹凸部１８ａ―４は、画素１００８ａ−４の画素中心ｔを対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。なお、画素中心ｔは、凹凸部１８ａ―１〜１８ａ―４の中心に対応する。

凹凸部１８ａ―１〜１８ａ−４は、画素１００８ａ―１〜１００８ａ−４のそれぞれの画素の中心部（画素中心ｔを囲んだ領域）に形成されているので、垂直入射光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１８ａ―１〜１８ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００８ａ―１〜１００８ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、隣接画素への光漏れがなく、混色を防止することができる。

図９（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００９ａには、右回りの順で、４つの画素１００９ａ―１〜１００９ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００９ａは、図９（ｄ）に示される画素領域１００８−Ｇの右上周囲部であるＱ９領域に相当する。

画素１００９ａ−１は凹凸部１９ａ―１を有し、凹凸部１９ａ―１は、凹凸部１９ａ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００９ａ−２は凹凸部１９ａ―２を有し、凹凸部１９ａ―２は、凹凸部１９ａ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００９ａ−３は凹凸部１９ａ―３を有し、凹凸部１９ａ―３は、凹凸部１９ａ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００９ａ−４は凹凸部１９ａ―４を有し、凹凸部１９ａ―４は、凹凸部１９ａ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１９ａ―１〜１９ａ―４の凹凸数は、凹凸部１８ａ−１〜１８ａ−４の凹凸数に対して多い。

凹凸部１９ａ―１〜１９ａ−４は、画素１００９ａ―１〜１００９ａ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１９ａ―１〜１９ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００９ａ―１〜１００９ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図９（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００９ｂには、右回りの順で、４つの画素１００９ｂ―１〜１００９ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００９ｂは、図９（ｄ）に示される画素領域１００８−Ｇの右上周囲部であるＱ９領域に相当する。

画素１００９ｂ−１は凹凸部１９ｂ―１を有し、凹凸部１９ｂ―１は、凹凸部１９ｂ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００９ｂ−２は凹凸部１９ｂ―２を有し、凹凸部１９ｂ―２は、凹凸部１９ｂ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００９ｂ−３は凹凸部１９ｂ―３を有し、凹凸部１９ｂ―３は、凹凸部１９ｂ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１００９ｂ−４は凹凸部１９ｂ―４を有し、凹凸部１９ｂ―４は、凹凸部１９ｂ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部１９ｂ―１〜１９ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ９ｂ）は、凹凸部１８ａ―１〜１８ａ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ８ａ）より短く、凹凸数においては多い。

凹凸部１９ｂ―１〜１９ｂ−４は、画素１００９ｂ―１〜１００９ｂ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１９ｂ―１〜１９ｂ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００９ｂ―１〜１００９ｂ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図９（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１００９ｃには、右回りの順で、４つの画素１００９ｃ―１〜１００９ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１００９ｃは、図９（ｄ）に示される画素領域１００８−Ｇの右上周囲部であるＱ９領域に相当する。

画素１００９ｃ−１は凹凸部１９ｃ―１を有し、凹凸部１９ｃ―１は、凹凸部１９ｃ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００９ｃ−２は凹凸部１９ｃ―２を有し、凹凸部１９ｃ―２は、凹凸部１９ｃ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００９ｃ−３は凹凸部１９ｃ―３を有し、凹凸部１９ｃ―３は、凹凸部１９ｃ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１００９ｃ−４は凹凸部１９ｃ―４を有し、凹凸部１９ｃ―４は、凹凸部１９ｃ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。なお、凹凸部１９ｃ―１〜１９ｃ−４は、それぞれの凹凸部の中心を対称点とした点対称の形状であるが、非対称の形状でもよい。

凹凸部１９ｃ―１〜１９ｃ−４は、画素１００９ｃ―１〜１００９ｃ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部１９ｃ―１〜１９ｃ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１００９ｃ―１〜１００９ｃ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。凹凸部１９ｃ―１〜１９ｃ−４は、多角形である形状を有しているので、右斜め入射光の集光領域を更に効率良く覆い、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めて、チップ内（基板内）の感度の均一化に更に貢献をする。

図１０（ａ）に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１０１０ａには、右回りの順で、４つの画素１０１０ａ―１〜１０１０ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１０１０ａは、図１０（ｄ）に示される画素領域１００８−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００８−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ１０領域に相当する。

画素１０１０ａ−１は凹凸部２０ａ―１を有し、凹凸部２０ａ―１は、凹凸部２０ａ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１０１０ａ−２は凹凸部２０ａ―２を有し、凹凸部２０ａ―２は、凹凸部２０ａ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１０１０ａ−３は凹凸部２０ａ―３を有し、凹凸部２０ａ―３は、凹凸部２０ａ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１０１０ａ−４は凹凸部２０ａ―４を有し、凹凸部２０ａ―４は、凹凸部２０ａ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部２０ａ―１〜２０ａ―４の凹凸数は、凹凸部１９ａ−１〜１９ａ−４の凹凸数に対して多い。

凹凸部２０ａ―１〜２０ａ−４は、画素１０１０ａ―１〜１０１０ａ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部２０ａ―１〜２０ａ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１０１０ａ―１〜１０１０ａ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図１０（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１０１０ｂには、右回りの順で、４つの画素１０１０ｂ―１〜１０１０ｂ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１０１０ｂは、図１０（ｄ）に示される画素領域１００８−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００８−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ１０領域に相当する。

画素１０１０ｂ−１は凹凸部２０ｂ―１を有し、凹凸部２０ｂ―１は、凹凸部２０ｂ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１０１０ｂ−２は凹凸部２０ｂ―２を有し、凹凸部２０ｂ―２は、凹凸部２０ｂ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１０１０ｂ−３は凹凸部２０ｂ―３を有し、凹凸部２０ｂ―３は、凹凸部２０ｂ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。画素１０１０ｂ−４は凹凸部２０ｂ―４を有し、凹凸部２０ｂ―４は、凹凸部２０ｂ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、矩形である形状を有する。そして、凹凸部２０ｂ―１〜２０ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ１０ｂ）は、凹凸部１９ｂ―１〜１９ｂ−４のそれぞれの凹凸部のピッチ（ｄ９ｂ）より短く、凹凸数においては、多い。

凹凸部２０ｂ―１〜２０ｂ−４は、画素１０１０ｂ―１〜１０１０ｂ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部２０ｂ―１〜２０ｂ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１０１０ｂ―１〜１０１０ｂ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。

図１０（ｃ）に示されるように、固体撮像装置１００８が有する４画素分の領域１０１０ｃには、右回りの順で、４つの画素１０１０ｃ―１〜１０１０ｃ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

４画素分の領域１０１０ｃは、図１０（ｄ）に示される画素領域１００８−Ｇの右上周囲部の右上周縁部（画素領域１００８−Ｇの右上頂点部近傍）であるＲ１０領域に相当する。

画素１０１０ｃ−１は凹凸部２０ｃ―１を有し、凹凸部２０ｃ―１は、凹凸部２０ｃ―１の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１０１０ｃ−２は凹凸部２０ｃ―２を有し、凹凸部２０ｃ―２は、凹凸部２０ｃ−２の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１０１０ｃ−３は凹凸部２０ｃ―３を有し、凹凸部２０ｃ―３は、凹凸部２０ｃ−３の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。画素１０１０ｃ−４は凹凸部２０ｃ―４を有し、凹凸部２０ｃ―４は、凹凸部２０ｃ−４の中心を対称点とした点対称の形状であり、多角形である形状を有する。なお、凹凸部２０ｃ―１〜２０ｃ−４は、それぞれの凹凸部の中心を対称点とした点対称の形状であるが、非対称の形状でもよい。

凹凸部２０ｃ―１〜２０ｃ−４は、画素１０１０ｃ―１〜１０１０ｃ−４のそれぞれの画素の画素中心ｔに対して、画素の左下部に主に形成されているので、右斜め入射光の反射を防止して、光を効率的に閉じ込めて量子効率を高めることができる。また、凹凸部２０ｃ―１〜２０ｃ−４は、画素間の遮光膜５までは形成されていなく、４つの画素１０１０ｃ―１〜１０１０ｃ−４のそれぞれの画素の周縁部には、平坦部が形成されているので、凹凸部による散乱がない場合があり、この場合、隣接画素への光漏れがないので、混色を防止することができる。凹凸部２０ｃ―１〜２０ｃ−４は、多角形である形状を有しているので、右斜め入射光の集光領域を更に効率良く覆い、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めて、チップ内（基板内）の感度の均一化に更に貢献をする。

以上より、Ｐ８領域（画素領域の中心部）から、Ｑ９領域及びＲ１０領域に従って、凹凸部の凹凸数が増えて、ピッチ数が増え、形状変更（矩形から多角形に変更）をすることにより、チップ内（基板内）の感度の均一化を図ることができる。すなわち、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置により、図８（ｂ）、図９（ｄ）及び図１０（ｄ）に示される明暗ムラを改善することができる。

以上、本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第４の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第６〜第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜７．第６の実施形態（固体撮像装置の例６）＞
本技術に係る第６の実施形態（固体撮像装置の例６）の固体撮像装置について、図１１を用いて説明をする。図１１は、本技術を適用した第６の実施形態の固体撮像装置が有する４画素の構成例を示す図であり、より詳しくは、第６の実施形態の固体撮像装置が有する４画素分の領域１０１１ａの平面図である。

図１１に示されるように、４画素分の領域１０１１ａには、右回りの順で、４つの画素１０１１ａ―１〜１０１１ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

画素１０１１ａ−１は凹凸部２１ａ―１を有し、画素１０１１ａ−２は凹凸部２１ａ―２を有し、画素１０１１ａ−３は凹凸部２１ａ―３を有し、画素１０１１ａ−４は凹凸部２１ａ―４を有する。

図１１に示されるように、凹凸部２１ａ―２のピッチは、凹凸部２１ａ―１に対して、Ｙ軸方向（図１１中では、上方向）に半ピッチずれている、なお、入射光の入射方向に応じて、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めるために（焦点領域に適切に対応するように）、ずれ幅は、随意にずらしてよく、例えば、１ピッチずらすこと、１／４ピッチずらすこと等が挙げられる。ここで、凹部２１ａ―１Ａの中心から凹部２１ａ−Ｃの中心までの長さを１ピッチとし、凹部２１ａ―１Ａ又凹部２１ａ―１Ｃの中心から凸部２１ａ−１Ｂの中心までの長さを半ピッチとする。

図１１に示されるように、凹凸部２１ａ―３のピッチは、凹凸部２１ａ―４に対して、Ｙ軸方向（図１１中では、上方向）に半ピッチずれている、なお、入射光の入射方向に応じて、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めるために（焦点領域に適切に対応するように）、ずれ幅は、随意にずらしてよく、例えば、１ピッチずらすこと、１／４ピッチずらすこと等が挙げられる。ここで、１ピッチ及び半ピッチの定義は上記のとおりである。

以上、本技術に係る第６の実施形態（固体撮像装置の例６）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第５の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第７の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜８．第７の実施形態（固体撮像装置の例７）＞
本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置について、図１２を用いて説明をする。図１２は、本技術を適用した第７実施形態の固体撮像装置が有する４画素の構成例を示す図であり、より詳しくは、第７の実施形態の固体撮像装置が有する４画素分の領域１０１２ａの平面図である。

図１２に示されるように、４画素分の領域１０１２ａには、右回りの順で、４つの画素１０１２ａ―１〜１０１２ａ−４が形成され、各画素間（画素境界）には遮光膜５が形成されている。

画素１０１２ａ−１は凹凸部２２ａ―１を有し、画素１０１２ａ−２は凹凸部２２ａ―２を有し、画素１０１２ａ−３は凹凸部２２ａ―３を有し、画素１０１２ａ−４は凹凸部２２ａ―４を有する。

図１２に示されるように、凹凸部２２ａ―２のピッチは、凹凸部２２ａ―１に対して、Ｘ軸方向（図１１中では、右方向）に半ピッチずれている、なお、入射光の入射方向に応じて、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めるために（焦点領域に適切に対応するように）、ずれ幅は、随意にずらしてよく、例えば、１ピッチずらすこと、１／４ピッチずらすこと等が挙げられる。ここで、凹部２２ａ―１Ａの中心から凹部２２ａ−Ｃの中心までの長さを１ピッチとし、凹部２２ａ―１Ａ又凹部２２ａ―１Ｃの中心から凸部２２ａ−１Ｂの中心までの長さを半ピッチとする。

図１２に示されるように、凹凸部２２ａ―３のピッチは、凹凸部２２ａ―４に対して、Ｘ軸方向（図１２中では、右方向）に半ピッチずれている、なお、入射光の入射方向に応じて、光を効率的に閉じ込めて量子効果を高めるために（焦点領域に適切に対応するように）、ずれ幅は、随意にずらしてよく、例えば、１ピッチずらすこと、１／４ピッチずらすこと等が挙げられる。ここで、１ピッチ及び半ピッチの定義は上記のとおりである。

以上、本技術に係る第７の実施形態（固体撮像装置の例７）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜第６の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜９．第８の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第８の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態〜第７の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。

＜１０．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
図１４は、イメージセンサ（固体撮像装置）としての本技術に係る第１〜第７の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。

上述した第１〜第７の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１４に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第８の実施形態の電子機器）に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラプルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

次に、本技術に係る第１〜第７の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１〜第７の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置が用いられる。具体的には、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図１５に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。

光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。

＜１１．内視鏡手術システムへの応用例＞
本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

図１６は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

図１６では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。

ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

図１７は、図１６に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等の性能を向上させることが可能となる。

ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。

＜１２．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図１８は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１８に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１８の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図１９は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図１９では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図１９には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１２０３１の性能を向上させることが可能となる。

なお、本技術は、上述した実施形態及び使用例並びに応用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、
該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、
該画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数と、該画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数とが異なる、固体撮像装置。
［２］
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の前記凹凸数が、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の前記凹凸数よりも少ない、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部の凹凸数が、前記画素領域の中央部に配された前記画素から、前記画素領域の周囲部に配された前記画素に向かうに従って変化する、［１］又は［２］に記載の固体撮像装置。
［４］
前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部の凹凸数が、前記画素領域の中央部に配された前記画素から、前記画素領域の周囲部に配された前記画素に向かうに従って漸次的に増える、［１］から［３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［５］
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチと、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチとが異なる、［１］から［４］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［６］
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチが、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチよりも大きい、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチが、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチよりも大きく、
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、前記画素内の全体に設けられ、
前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、前記画素内の全体に設けられている、［１］から［６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［８］
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有し、
前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有する、［１］から［７］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［９］
前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有し、
前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、多角形である形状を有する、［１］から［８］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１０］
前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部が、前記光電変換部に形成される前記入射光が集光される集光領域を覆うように設けられている、［１］から［９］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１１］
該画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置と、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置とが異なる、［１］から［１０］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１２］
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
前記画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、［１１］に記載の固体撮像装置。
［１３］
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の右周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から左周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、［１１］又は［１２］に記載の固体撮像装置。
［１４］
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の左周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から右周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、［１１］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１５］
複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、
該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、
該画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内での設けられた位置と、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内での設けられた位置とが異なる、固体撮像装置。
［１６］
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
前記画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、［１５］に記載の固体撮像装置。
［１７］
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の右周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から左周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、［１５］又は［１６］に記載の固体撮像装置。
［１８］
前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の左周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から右周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、［１５］から［１７］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１９］
［１］から［１８］のいずれか１つに記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。

１（１−１、１−２）・・・オンチップレンズ、
２（２−１Ｇ、２−２Ｒ）・・・カラーフィルタ、
４・・・絶縁膜（平坦化膜）、
５（５−１、５−２、５−３）・・・遮光膜、
６（６−１、６−２）・・・光電変換部（ＰＤ（フォトダイオード））、７・・・半導体基板、
１１（１１ａ−１〜１１ａ−４、１１ｂ−１〜１１ｂ−４、１１ｃ−１〜１１ｃ−４）、１２（１２ａ−１〜１２ａ−４、１２ｂ−１〜１２ｂ−４、１２ｃ−１〜１２ｃ−４）、１３（１３ａ−１〜１３ａ−４）、１４（１４ａ−１〜１４ａ−４、１４ｂ−１〜１４ｂ−４、１４ｃ−１〜１４ｃ−４）、１５（１５ａ−１〜１５ａ−４、１５ｂ−１〜１５ｂ−４、１５ｃ−１〜１５ｃ−４）、１６（１６ａ−１、１６ａ―２、１６ｂ−１、１６ｂ−２）、１７（１７ａ−１〜１７ａ−４、１７ｂ−１〜１７ｂ−４、１７ｃ−１〜１７ｃ−４）、１８（１８ａ−１〜１８ａ−４）、１９（１９ａ−１〜１９ａ−４、１９ｂ−１〜１９ｂ〜４、１９ｃ−１〜１９ｃ−４）、２０（２０ａ−１〜２０ａ−４、２０ｂ−１〜２０ｂ−４、２０ｃ−１〜２０ｃ−４）、２１（２１ａ−１〜２１ａ−４）、２２（２２ａ−１〜２２ａ―４）・・・凹凸部（モスアイ構造）、
２ｅ、１００１ａ−１〜１００１ａ−４、１００１ｂ−１〜１００１ｂ−４、１００１ｃ−１〜１００１ｃ−４、１００２ａ−１〜１００２ａ−４、１００２ｂ−１〜１００２ｂ−４、１００２ｃ−１〜１００２ｃ−４、１００３ａ−１〜１００３ａ−４、１００４ａ−１〜１００４ａ−４、１００４ｂ−１〜１００４ｂ−４、１００４ｃ−１〜１００４ｃ−４、１００５ａ−１〜１００５ａ−４、１００５ｂ−１〜１００５ｂ−４、１００５ｃ−１〜１００５ｃ−４、１００７ａ−１〜１００７ａ−４、１００７ｂ−１〜１００７ｂ−４、１００７ｃ−１〜１００７ｃ−４、１００８ａ−１〜１００８ａ−４、１００９ａ−１〜１００９ａ−４、１００９ｂ−１〜１００９ｂ−４、１００９ｃ−１〜１００９ｃ−４、１０１０ａ−１〜１０１０ａ−４、１０１０ｂ−１〜１０１０ｂ−４、１０１０ｃ−１〜１０１０ｃ−４、１０１１ａ−１〜１０１１ａ−４、１０１２ａ−１〜１０１２ａ−４・・・画素、
１００１ａ、１００１ｂ、１００１ｃ、１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃ、１００３ａ、１００４ａ、１００４ｂ、１００４ｃ、１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃ、１００７ａ、１００７ｂ、１００７ｃ、１００８ａ、１００９ａ、１００９ｂ、１００９ｃ、１０１０ａ、１０１０ｂ、１０１０ｃ、１０１１ａ、１０１２ａ・・・固体撮像装置の４画素分の領域、
１ｅ、１００１、１００２、１００３、１００７、１００８、１６００（１６００ａ、１６００ｂ）・・・固体撮像装置。

Claims (20)

1. 複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、
   該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、
   該画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数と、該画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部の凹凸数とが異なる、固体撮像装置。
2. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の前記凹凸数が、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の前記凹凸数よりも少ない、請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部の凹凸数が、前記画素領域の中央部に配された前記画素から、前記画素領域の周囲部に配された前記画素に向かうに従って変化する、請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部の凹凸数が、前記画素領域の中央部に配された前記画素から、前記画素領域の周囲部に配された前記画素に向かうに従って漸次的に増える、請求項１に記載の固体撮像装置。
5. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチと、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチとが異なる、請求項１に記載の固体撮像装置。
6. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチが、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチよりも大きい、請求項１に記載の固体撮像装置。
7. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチが、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部を構成する凸部のピッチよりも大きく、
   前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、前記画素内の全体に設けられ、
   前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、前記画素内の全体に設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
8. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有し、
   前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
9. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、矩形である形状を有し、
   前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部が、平面視したときに、該凹凸部の中心を対称点とした点対称であって、多角形である形状を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
10. 前記複数の画素を構成する各画素が有する凹凸部が、前記光電変換部に形成される前記入射光が集光される集光領域を覆うように設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
11. 前記画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置と、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置とが異なる、請求項１に記載の固体撮像装置。
12. 前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
    前記画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、請求項１１に記載の固体撮像装置。
13. 前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
    前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の右周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から左周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、請求項１１に記載の固体撮像装置。
14. 前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
    前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の左周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から右周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、請求項１１に記載の固体撮像装置。
15. 複数の画素が二次元に配置された画素領域を含み、
    該画素が、半導体基板に形成された入射光を光電変換する光電変換部と、該光電変換部の上方であって、該半導体基板の受光面側に形成された凹凸部とを有し、
    該画素領域の中央部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置と、前記画素領域の周囲部に配された前記画素が有する凹凸部の、前記画素を平面視したときの前記画素内で設けられた位置とが異なる、固体撮像装置。
16. 前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
    前記画素領域の周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、請求項１５に記載の固体撮像装置。
17. 前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
    前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の右周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から左周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、請求項１５に記載の固体撮像装置。
18. 前記画素領域の中央部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部には設けられ、
    前記画素領域を平面視したときに、前記画素領域の左周囲部に配された画素が有する凹凸部が、前記画素を平面視したときに、少なくとも、前記画素内の中心部から右周囲部に向けて、前記画素と隣接する画素との境界部までには到達しないで延在して設けられている、請求項１５に記載の固体撮像装置。
19. 請求項１に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
20. 請求項１５に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
    
    

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