TWI727579B - 塗膠顯影設備 - Google Patents

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TWI727579B
TWI727579B TW108148251A TW108148251A TWI727579B TW I727579 B TWI727579 B TW I727579B TW 108148251 A TW108148251 A TW 108148251A TW 108148251 A TW108148251 A TW 108148251A TW I727579 B TWI727579 B TW I727579B
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洪旭東
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大陸商瀋陽芯源微電子設備股份有限公司
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Abstract

本發明提供了一種塗膠顯影設備包括片盒模組、第一製程模組、第二製程模組和接口模組,第一和第二製程模組的一端與片盒模組連接,第一和第二製程模組的另一端與接口模組連接,第一和第二製程模組可以相互獨立工作,節約了維護時間,提高了生產效率,第一和第二製程模組之間設置有第一層間製程機械手、層內製程機械手組和第二層間製程機械手,第一、第二層間製程機械手和層內製程機械手組內的機械手均具有兩組朝向相反的末端執行器,每組末端執行器的數量為m,m為大於或等於2的自然數,能夠實現多個晶圓的搬運,提高了生產效率。

Description

塗膠顯影設備
本發明涉及半導體加工技術領域,尤其涉及一種塗膠顯影設備。
現有半導體加工的光刻製程中,塗膠設備、光刻設備和顯影設備分別完成光刻膠塗布製程流程、光刻製程流程以及顯影製程流程。隨著半導體加工製程水平的提升,市場主流將塗膠顯影設備與光刻設備連接在一起從而完成整套光刻製程流程,其中通常把塗膠製程流程和顯影製程流程集成在同一設備上,同時需要塗膠顯影設備的產能大於光刻設備的產能,而塗膠顯影設備的產能由製程單元瓶頸產能和機器人瓶頸產能決定。傳統的設備機器人形式固定,機器人速度已經接近極限,提高設備的機器人的瓶頸產能,只能通過增加機器人的數量來實現,而增加機器人數量則會導致顯影設備的占地面積變大,占地面積變大則成為限制產能的另一限制條件。
因此,有必要提供一種新型的塗膠顯影設備以解決現有技術中存在的上述問題。
本發明的目的在於提供一種塗膠顯影設備,在同等機器人數量及機器人速度的前提下提高顯影設備的工作效率。
為實現上述目的,本發明的所述塗膠顯影設備,包括片盒模組、第一製程模組、第二製程模組和接口模組,所述第一製程模組和所述第二製程模組的一端與所述片盒模組連接,所述第一製程模組和所述第二製程模組的另一端與所述接口模組連接,所述第一製程模組和所述第二製程模組之間設置有第一層間製程機械手、層內製程機械手組和第二層間製程機械手,所述第一層間製程機械手、所述第二層間製程機械手和所述層內製程機械手組內的機械手均具有兩組朝向相反的末端執行器,每組所述末端執行器的數量為m,m為大於或等於2的自然數。
本發明的有益效果在於:所述第一製程模組和所述第二製程模組並排設置於所述片盒模組和所述接口模組之間,所述第一製程模組和所述第二製程模組可以相互獨立工作,節約了維護時間,提高了生產效率;所述第一層間製程機械手、所述第二層間製程機械手和所述層內製程機械手組內的機械手均具有兩組朝向相反的末端執行器,每組所述末端執行器的數量為m,m為大於或等於2的自然數,一個方向上能夠實現多個晶圓的同時搬運,提高了生產效率。
優選地,所述層內製程機械手組自下而上分別包括結構相同的第一層內製程機械手、第二層內製程機械手和第三層內製程機械手。其有益效果在於:所述第一層內製程機械手、所述第二層內製程機械手和所述第三層內製程機械手可用於所述第一製程模組和所述第二製程模組內不同位置晶圓的搬運,獨立運行提高生了產效率,並且從下而上設置,充分利用了豎直上的空間,節約了占地面積。
進一步優選地,所述第一層內製程機械手包括第一豎直滑部、第一水平滑部和第一執行器台座,所述第一豎直滑部設置於所述第一水平滑部的 上側,且所述第一豎直滑部與所述第一水平滑部滑動連接,所述第一執行器台座設置於所述第一豎直滑部的一側。其有益效果在於:便於所述第一執行器台座在水平和豎直方向上運動。
進一步優選地,所述第一執行器台座包括連接部、第一執行部和第二執行部。
進一步優選地,所述連接部包括承載部和豎直連接部,所述豎直連接部設置於所述承載部的一側,所述豎直連接部與所述第一豎直滑部滑動連接。
進一步優選地,所述承載部的上側設有執行部滑軌,所述執行部滑軌垂直於所述豎直連接部,所述第一執行部和所述第二執行部設置於所述執行部滑軌的上側,且所述第一執行部、所述第二執行部均與所述豎直連接部平行,所述第二執行部與所述執行部滑軌固定連接,所述第一執行部下側設有執行部滑塊,且所述執行部滑塊與所述執行部滑軌滑動連接。其有益效果在於:便於調節所述第一執行部和所述第二執行部之間的裝配誤差。
進一步優選地,所述第一執行部背向所述第二執行部的一側設有第一上滑道和第一下滑道,所述第一上滑道上設有第一上彎折板,所述第一上彎折板與所述第一上滑道滑動連接,所述第一下滑道上設有第一下彎折板,所述第一下彎折板與所述第一下滑道滑動連接,所述第一上彎折板和所述第一下彎折板上側設置有第一上固定板,所述第一上固定板的一側設有第一組末端執行器。其有益效果在於:所述第一上彎折板和所述第一下彎折板共同固定所述第一上固定板,能保證所述第一上固定板的穩定性,防止出現晃動。
進一步優選地,所述第二執行部背向所述第一執行部的一側設有第二上滑道和第二下滑道,所述第二上滑道上設有第二上彎折板,所述第二上彎折板與所述第二上滑道滑動連接,所述第二下滑道上設有第二下彎折板,所 述第二下彎折板與所述第二下滑道滑動連接,所述第二上彎折板和所述第二下彎折板上側設有第二上固定板,所述第二上固定板的一側設有第二組末端執行器。其有益效果在於:所述第二上彎折板和所述第二下彎折板共同固定所述第二上固定板,能保證所述第二上固定板的穩定性,防止出現晃動。
進一步優選地,所述第一執行部背向所述第二執行部的一側設有第一上滑道和第一下滑道,所述第一上滑道上設有第一上彎折板,所述第一上彎折板與所述第一上滑道滑動連接,所述第一下滑道上設有第一下彎折板,所述第一下彎折板與所述第一下滑道滑動連接,所述第一上彎折板和所述第一下彎折板上側設置有第一上固定板,所述第一上固定板的一側設有第一組末端執行器,所述第二執行部背向所述第一執行部的一側設有第二上滑道和第二下滑道,所述第二上滑道上設有第二上彎折板,所述第二上彎折板與所述第二上滑道滑動連接,所述第二下滑道上設有第二下彎折板,所述第二下彎折板與所述第二下滑道滑動連接,所述第二上彎折板和所述第二下彎折板上側設有有第二上固定板,所述第二上固定板的一側設有第二組末端執行器,所述第一組末端執行器的延伸方向與所述第二組末端執行器的延伸方向相反,且所述第一組末端執行器與所述第二組末端執行器之間具有第一高度差。其有益效果在於:所述第一組末端執行器與所述第二組末端執行器之間具有高度差,所述第一組末端執行器與所述第二組末端執行器在豎直方向上可以重疊,節約了在水平面上的佔用面積。
進一步優選地,所述第一製程模組和所述第二製程模組之間具有第二高度差,所述第一高度差等於所述第二高度差。其有益效果在於:所述第一製程模組和所述第二製程模組之間的高度差與所述第一組末端執行器和所述第二組末端執行器之間的高度差相同,使得所述第一組末端執行器和所述第二組末端執行器能夠完成晶圓的抓取和放置。
進一步優選地,所述第一組末端執行器包括第一末端執行器和第二末端執行器,所述第二組末端執行器包括第三末端執行器和第四末端執行器。
進一步優選地,所述第一層間製程機械手和所述第二層間製程機械手之結構相同,所述第一層間製程機械手包括第二豎直滑部和第二執行器台座,且所述第二執行器台座與所述第一執行器台座的結構相同。
優選地,所述片盒模組包括片盒機械手和片盒組,所述片盒機械手設置於所述片盒組和所述第一製程模組之間。其有益效果在於:便於所述片盒機械手將晶圓從所述片盒搬運到所述第一製程模組內。
進一步優選地,所述片盒機械手包括n個朝向相同的所述末端執行器,n為大於或等於2的自然數。其有益效果在於:便於同時從所述片盒組搬運多個晶圓。
進一步優選地,所述接口模組內置有接口機械手,所述接口機械手與所述片盒機械手之結構相同。其有益效果在於:便於同時從所述第二層間製程單元搬運多個晶圓。
優選地,所述第一製程模組和所述第二製程模組之結構相同,所述第一製程模組包括依次設置的第一層間製程模組、層內製程模組和第二層間製程模組。其有益效果在於:所述第一製程模組和所述第二製程模組之結構相同,簡化了所述第一層間製程機械手、所述層內製程機械手組和所述第二層間製程機械手的製程控制。
進一步優選地,所述第一層間製程模組包括第一層間製程單元和第一層內傳送單元,所述第一層間製程單元位於所述片盒模組與所述第一層內傳送單元之間。其有益效果在於:便於所述第一層間製程單元從所述片盒模組接收晶圓和所述第一層內傳送單元從所述第一層間製程單元接收加工後的晶圓。
進一步優選地,所述第一層間製程單元包括第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、第一晶圓傳輸單元組、第二晶圓傳輸單元組、第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、增黏單元組、晶圓缺陷檢測單元組和第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組,所述第一晶圓傳輸單元組設置於所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組的上側,所述第二晶圓傳輸單元組設置於所述第一晶圓傳輸單元組的上側,所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組設置於所述第二晶圓傳輸單元組的上側,所述增黏單元組設置於所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組的上側,所述晶圓缺陷檢測單元組設置於所述增黏單元組的上側,所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組設置於所述晶圓缺陷檢測單元組的上側。
進一步優選地,所述第一層內傳送單元內置有第一高精冷卻控制單元組,且所述第一高精冷卻控制單元組與所述增黏單元組連接。
進一步優選地,所述層內製程模組包括第一層內製程單元和第二層內製程單元,所述第一層內製程單元與所述第一層間製程模組連接,所述第二層內製程單元與所述第二層間製程模組連接。
進一步優選地,所述第一層內製程單元包括第一高度層內製程單元、第二高度層內製程單元和第三高度層內製程單元,所述第二高度層內製程單元設置於所述第一高度層內製程單元的上側,所述第三高度層內製程單元設置於所述第二高度層內製程單元的上側。
進一步優選地,所述第一高度層內製程單元包括塗抗反射底層單元組和塗光刻膠單元組,所述塗光刻膠單元組設置於所述塗抗反射底層單元組的上側,所述第二高度層內製程單元包括塗抗反射頂層單元組和晶圓背面清洗單元組,所述晶圓背面清洗單元組設置於所述塗抗反射頂層單元組的上側,所述第三高度層內製程單元包括第一顯影單元組。
進一步優選地,所述第二層內製程單元包括第四高度層內製程單元、第五高度層內製程單元和第六高度層內製程單元,所述第五高度層內製程單元設置於所述第四高度層內製程單元的上側,所述第六高度層內製程單元設置於所述第五高度層內製程單元的上側。
進一步優選地,所述第四高度層內製程單元包括高溫熱處理單元組和第一熱處理單元組,所述第一熱處理單元組設置於所述高溫熱處理單元組的上側,所述第五高度層內製程單元包括第二熱處理單元組和邊緣曝光單元組,所述邊緣曝光單元組設置於所述第二熱處理單元組的上側,所述第六高度層內製程單元包括第二顯影單元組和第三熱處理單元組,所述第三熱處理單元組設置於所述第二顯影單元組的上側。
進一步優選地,所述第二層間製程模組包括第二層間製程單元和第二層內傳送單元,所述第二層間製程單元和所述接口模組連接,所述第二層內傳送單元與所述層內製程模組連接。
進一步優選地,所述第二層間製程單元包括第三晶圓傳輸單元組、晶圓表面清洗單元組、第四晶圓傳輸單元組、第四熱處理單元組和第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組,所述晶圓表面清洗單元組設置於所述第三晶圓傳輸單元組的上側,所述第四晶圓傳輸單元組設置於所述晶圓表面清洗單元組的上側,所述第四熱處理單元組設置於所述第四晶圓傳輸單元組的上側,所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組設置於所述第四熱處理單元組的上側。
進一步優選地,所述層內製程模組包括第一層內製程單元和第二層內製程單元,所述第一層內製程單元與所述第一層間製程模組連接,所述第二層內製程單元與所述第二層間製程模組連接,所述第二層內製程單元自下而上分別包括第四高度層內製程單元、第五高度層內製程單元和第六高度層內製程單元,所述第四高度層內製程單元自下而上分別包括高溫熱處理單元組和第 一熱處理單元組,所述第二層間製程模組包括第二層間製程單元和第二層內傳送單元,所述第二層間製程單元和所述接口模組連接,所述第二層內傳送單元包括第二高精冷卻控制單元組,且所述第二高精冷卻控制單元組與所述高溫熱處理單元組連接。
進一步優選地,所述層內製程機械手組自下而上分別包括結構相同的第一層內製程機械手、第二層內製程機械手和第三層內製程機械手,所述第一層內製程單元自下而上分別包括第一高度層內製程單元、第二高度層內製程單元和第三高度層內製程單元,所述第二層內製程單元自下而上分別包括第四高度層內製程單元、第五高度層內製程單元和第六高度層內製程單元,所述第一層內製程機械手、所述第一高度層內製程單元和所述第四高度層內製程單元位於同一水平面內,所述第二層內製程機械手、所述第二高度層內製程單元和所述第五高度層內製程單元位於同一水平面內,所述第三層內製程機械手、所述第三高度層內製程單元和所述第六高度層內製程單元位於同一水平面內。其有益效果在於:便於第一層內製程機械手搬運所述第一高度層內製程單元和所述第四高度層內製程單元內的晶圓,便於所述第二層內製程機械手搬運所述第二高度層內製程單元和所述第五高度層內製程單元內的晶圓,便於所述第三層內製程機械手搬運所述第三高度層內製程單元和所述第六高度層內製程單元內的晶圓。
10:塗膠顯影設備
11:片盒模組
111:片盒機械手
112:片盒組
1121:第一片盒
1122:第二片盒
1123:第三片盒
1124:第四片盒
12:第一製程模組
121:第一層間製程模組
1211:第一層間製程單元
12111:第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組
12112:第一晶圓傳輸單元組
12113:第二晶圓傳輸單元組
12114:第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組
12115:增黏單元組
12116:晶圓缺陷檢測單元組
12117:第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組
1212:第一層內傳送單元
12121:第一高精冷卻控制單元組
122:層內製程模組
1221:第一層內製程單元
12211:第一高度層內製程單元
12212:第二高度層內製程單元
12213:第三高度層內製程單元
1222:第二層內製程單元
12221:第四高度層內製程單元
12222:第五高度層內製程單元
12223:第六高度層內製程單元
123:第二層間製程模組
1231:第二層間製程單元
12311:第三晶圓傳輸單元組
12312:晶圓表面清洗單元組
12313:第四晶圓傳輸單元組
12314:第四熱處理單元組
12315:第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組
1232:第二層內傳送單元
12321:第二高精冷卻控制單元組
13:第二製程模組
14:接口模組
141:接口機械手
15、50:第一層間製程機械手
16:層內製程機械手組
161、40:第一層內製程機械手
162:第二層內製程機械手
163:第三層內製程機械手
17:第二層間製程機械手
30:第一類機械手
31:豎直滑板
32:水平滑板
33:固定座
331:左末端執行器
332:右末端執行器
41:第一豎直滑部
411:第一豎直滑軌
42:第一水平滑部
421:水平滑軌
43:第一執行器台座
431:連接部
4311:承載部
43111:執行部滑軌
4312:豎直連接部
432:第一執行部
4321:執行部滑塊
4322:第一上滑道
43221:第一上彎折板
4323:第一下滑道
43231:第一下彎折板
4324:第一上固定板
43241:第一組末端執行器
432411:第一末端執行器
432412:第二末端執行器
433:第二執行部
4331:第二上彎折板
4332:第二下彎折板
4333:第二上固定板
4334:第二組末端執行器
43341:第三末端執行器
43342:第四末端執行器
51:第二豎直滑部
511:第二豎直滑軌
52:第二執行器台座
R1:方向
A-A’:剖面線
θ:旋轉方向
第1圖為本發明的塗膠顯影設備的俯視圖。
第2圖為本發明的層內製程機械手組的結構示意圖。
第3圖為本發明的第一類機械手的結構示意圖。
第4圖為本發明的第一層內製程機械手的結構示意圖。
第5圖為本發明的第一層間製程機械手的結構示意圖。
第6圖為本發明的第一執行器台座的結構示意圖。
第7圖為第1圖沿剖面線A-A’方向的剖視圖。
上述圖式為示意性且並未按比例縮放。圖式中相對尺寸與比例因精確與/或方便之目的而放大或縮小,且尺寸為任意的且不限於此。於圖式中相似之參考符號代表相似之元件。
以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明之實施方式,藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。
當在此使用時,除非文中另行明確地表示,否則「一」、「該」、「此」等單數型式亦旨在包含複數型式。
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發明的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬本發明保護的範圍。除非另外定義,此處使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本文中使用的“包括”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞後面列舉的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
針對現有技術存在的問題,本發明的實施例提供了一種塗膠顯影設備,參照第1圖,塗膠顯影設備10包括片盒模組11、第一製程模組12、第二製程模組13和接口模組14,所述第一製程模組12和所述第二製程模組13的一端與所述片盒模組11連接,所述第一製程模組12和所述第二製程模組13的另一端與所述接口模組14連接,且所述第一製程模組12和所述第二製程模組13之結構相同,所述第一製程模組12和所述第二製程模組13之間具有第二高度差,所述第一製程模組12和所述第二製程模組13之間設置有第一層間製程機械手15、層內製程機械手組16和第二層間製程機械手17,所述第一層間製程機械手15與所述片盒模組11連接,所述第二層間製程機械手17與所述接口模組14連接,所述層內製程機械手組16與所述第二層間製程機械手17連接,所述第一層間製程機械手15、所述第二層間製程機械手17和所述層內製程機械手組16內的機械手均具有兩組朝向相反的末端執行器(圖中未標示),所述第一製程模組12包括依次設置的第一層間製程模組121、層內製程模組122和第二層間製程模組123,所述第一層間製程模組121包括第一層間製程單元1211和第一層內傳送單元1212,所述第一層間製程單元1211位於所述片盒模組11與所述第一層內傳送單元1212之間,所述層內製程模組122包括第一層內製程單元1221和第二層內製程單元1222,所述第一層內製程單元1221與所述第一層間製程模組121連接,所述第二層內製程單元1222與所述第二層間製程模組123連接,所述第二層間製程模組123包括第二層間製程單元1231和第二層內傳送單元1232,所述第二層間製程單元1231和所述接口模組14連接,所述第二層內傳送單元1232與所述層內製程模組122連接。
本發明的一些實施例中,所述接口模組與光刻機連接。
本發明的一些實施例中,每組所述末端執行器的數量為m,m為大於或等於2的自然數。
第2圖為本發明一些具體實施例中所述層內製程機械手組的結構示意圖。參照第2圖,所述層內製程機械手組16自下而上分別包括結構相同的第一層內製程機械手161、第二層內製程機械手162和第三層內製程機械手163。
本發明的一些實施例中,參照第1圖,所述片盒模組11包括片盒機械手111和片盒組112,所述片盒機械手111設置於所述片盒組112和所述第一製程模組12之間,所述片盒組112包括第一片盒1121、第二片盒1122、第三片盒1123和第四片盒1124。
本發明的一些實施例中,參照第1圖,片盒機械手111包括n個朝向相同的所述末端執行器(圖中未標示),n為大於或等於2的自然數。
本發明的一些實施例中,參照第1圖,接口模組14內置有接口機械手141,所述接口機械手141與所述片盒機械手111之結構相同。
第3圖為本發明一些具體實施例中第一類機械手的結構示意圖。參照第1圖和第3圖,接口機械手141和所述片盒機械手111的結構均與為第一類機械手30相同,第一類機械手30包括豎直滑板31、水平滑板32和固定座33,所述固定座33的上表面設置有方向相同的左末端執行器331和右末端執行器332,所述固定座33內設有旋轉軸(圖中未標示),旋轉軸由電機(圖中未標示)驅動以使所述固定座33的上表面旋轉,從而帶動所述左末端執行器331和所述右末端執行器332旋轉,所述旋轉軸的轉動方向與旋轉方向θ相同,所述左末端執行器331和所述右末端執行器332沿方向R1做伸縮運行,所述豎直滑板31與所述水平滑板32滑動連接,且由電機(圖中未標示)驅動以使所述滑動座帶動所述豎直滑板31沿所述水平滑板32滑動,所述固定座33與所述豎直滑板31滑動連接,且由電機(圖中未標示)驅動以使所述固定座33沿所述豎直滑板31滑動。所述接口機械手141和所述片盒機械手111均為本領域的公知技術,不再贅述。
第4圖為本發明一些具體實施例中第一層內製程機械手的結構示意圖,參照第4圖,第一層內製程機械手40包括第一豎直滑部41、第一水平滑部42和第一執行器台座43,所述第一豎直滑部41和所述第一水平滑部42為直板狀,所述第一水平滑部42上側設有兩個平行設置的水平滑軌421,所述第一豎直滑部41下側設有兩個第一滑塊(圖中未標示),兩個所述第一水平滑塊與兩個所述水平滑軌421一一對應滑動連接,且兩個所述水平滑軌421垂直於所述第一豎直滑部41,所述第一豎直滑部41的一側設有兩個平行設置的第一豎直滑軌411。
第5圖為本發明一些具體實施例中第一層間製程機械手的結構示意圖。參照第5圖,第一層間製程機械手50包括第二豎直滑部51和第二執行器台座52,第二執行器台座52與所述第二豎直滑部51滑動連接,第二豎直滑部51為直板狀,所述第二豎直滑部51的一側設有兩個平行設置的第二豎直滑軌511。
本發明的一些實施例中,所述第二層間製程機械手與所述第一層間製程機械手的結構相同,所述第二執行器台座與所述第一執行器台座的結構相同。
第6圖為本發明一些具體實施例中第一執行器台座的結構示意圖。參照第4圖和第6圖,第一執行器台座43包括連接部431、第一執行部432和第二執行部433,所述連接部431包括承載部4311和豎直連接部4312,所述豎直連接部4312設置於所述承載部4311的一側,所述豎直連接部4312背向所述第二執行部433的一側設有兩個第二滑塊(圖中未標示),兩個所述第二滑塊與所述兩個所述第一豎直滑軌411一一對應滑動連接。
本發明的一些優選實施例中,參照第6圖,承載部4311和所述豎直連接部4312均成長方形的板狀,所述豎直連接部4312的寬度小於所述承載部 4311的寬度,所述豎直連接部4312的一條長邊與所述承載部4311的一條長邊連接,且長度相同。
本發明的一些優選實施例中,參照第4圖和第6圖,所述豎直連接部4312垂直於所述承載部4311,且所述豎直連接部與所述第一豎直滑部41平行,以使所述承載部4311能在保持水平的情況下豎直運動。
參照第6圖,所述承載部4311上側設有執行部滑軌43111,所述執行部滑軌43111的數量為兩個,所述第一執行部432和所述第二執行部433設置於兩個所述執行部滑軌43111的上側,且所述第一執行部432、所述第二執行部433均與所述豎直連接部4312平行,所述第二執行部433與所述執行部滑軌43111固定連接,所述第一執行部432下側設有執行部滑塊4321,所述執行部滑塊4321的數量為兩個,且所述執行部滑塊4321與所述執行部滑軌43111一對一對應滑動連接,以便於調節所述第一執行部432和所述第二執行部433之間的裝配誤差。
本發明的一些優選實施例中,參照第6圖,兩個所述執行部滑軌43111各沿所述承載部4311的一條短邊設置,且兩個所述執行部滑軌43111均垂直於所述豎直連接部4312,以使兩個所述執行部滑軌43111的行程最短。
本發明的一些優選實施例中,參照第6圖,所述第二執行部433固定於兩個所述執行部滑軌43111的一端,且所述第一執行部432與所述第二執行部433之間形成活動空間,以使所述第一執行部432能相對所述第二執行部433運動,便於調節所述第一執行部432與所述第二執行部433之間的相對位置。
參照第6圖,所述第一執行部432背向所述第二執行部433的一側設有相互平行的第一上滑道4322和第一下滑道4323,所述第一上滑道4322上設有第一上彎折板43221,所述第一上彎折板43221與所述第一上滑道4322滑動連接,所述第一下滑道4323上設有第一下彎折板43231,所述第一下彎折板43231與所述第一下滑道4323滑動連接,所述第一上彎折板43221和所述第一下彎折板 43231上側設置有第一上固定板4324,所述第一上彎折板43221和所述第一下彎折板43231共同固定所述第一上固定板4324,以增加所述第一上固定板4324的穩定性,防止出現晃動的情況,所述第一上固定板4324的一側設有第一組末端執行器43241,所述第一組末端執行器43241包括第一末端執行器432411和第二末端執行器432412,所述第一末端執行器432411和所述第二末端執行器432412均為本領域的公知技術,在此不做贅述。
本發明的一些優選實施例中,參照第6圖,所述第一執行部432為長方體,所述第一上彎折板43221和所述第一下彎折板43231均成L狀,能使所述第一上彎折板43221和所述第一下彎折板43231僅貼所述第一執行部432的一個面,從而減少了所述第一上彎折板43221和所述第一下彎折板43231的佔用空間。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第一上滑道4322和所述第一下滑道4323為長方體滑道,且所述第一上滑道4322和所述第一下滑道4323均平行於所述第一執行部432的上表面,以使所述第一組末端執行器43241能做水平移動。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第一上彎折板43221與所述第一上滑道4322連接的一端設有第一內嵌滑塊(圖中未標示),所述第一內嵌滑塊可在所述第一上滑道4322內滑動,減少所述第一上彎折板43221與所述第一上滑道4322之間的摩擦力,便於所述第一上彎折板43221的滑動。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第一下彎折板43231與所述第一下滑道4323連接的一端設有第二內嵌滑塊(圖中未標示),所述第二內嵌滑塊可在所述第一下滑道4323內滑動,減少所述第一下彎折板43231與所述第一下滑道4323之間的摩擦力,便於所述第一下彎折板43231的滑動。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第一末端執行器432411和所述第二末端執行器432412設置於所述第一上固定板4324同一端的兩側,且所述所述第一末端執行器432411和所述第二末端執行器432412位於同一平面內,以便於同時抓取或放置兩片晶圓。
參照第6圖,所述第二執行部433背向所述第一執行部432的一側設有相互平行的第二上滑道(圖中未標示)和第二下滑道(圖中未標示),所述第二上滑道上設有第二上彎折板4331,所述第二上彎折板4331與所述第二上滑道滑動連接,所述第二下滑道上設有第二下彎折板4332,所述第二下彎折板4332與所述第二下滑道滑動連接,所述第二上彎折板4331和所述第二下彎折板4332上側設有第二上固定板4333,所述第二上彎折板4331和所述第二下彎折板4332共同固定所述第二上固定板4333,以增加所述第二上固定板4333的穩定性,防止出現晃動的情況,所述第二上固定板4333的一側設有第二組末端執行器4334,所述第二組末端執行器4334包括第三末端執行器43341和第四末端執行器43342,所述第三末端執行器43341和所述第四末端執行器43342均為本領域的公知技術,在此不做贅述。
本發明的一些優選實施例中,參照第6圖,所述第二執行部433為長方體,所述第二上彎折板4331和所述第二下彎折板4332均成L狀,能使所述第二上彎折板4331和所述第二下彎折板4332僅貼所述第二執行部的一個面,從而減少了所述第二上彎折板4331和所述第二下彎折板4332的佔用空間。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第二上滑道和所述第二下滑道成長方體滑道,且所述第二上滑道和所述第二下滑道均平行於所述第二執行部433的上表面,以使所述第二組末端執行器4334能做水平移動。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第二上彎折板4331與所述第二上滑道連接的一端設有第三內嵌滑塊(圖中未標示),所述第 三內嵌滑塊可在所述第二上滑道內滑動,減少所述第二上彎折板4331與所述第二上滑道之間的摩擦力,便於所述第二上彎折板4331的滑動。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第二下彎折板4332與所述第二下滑道連接的一端設有第四內嵌滑塊(圖中未標示),所述第四內嵌滑塊可在所述第一下滑道內滑動,減少所述第二下彎折板4332與所述第二下滑道之間的摩擦力,便於所述第二下彎折板4332的滑動。
本發明的又一些優選實施例中,參照第6圖,所述第三末端執行器43341和所述第四末端執行器43342設置於所述第二上固定板4333同一端的兩側,且所述所述第三末端執行器43341和所述第四末端執行器43342位於同一平面內,以便於同時抓取或放置兩片晶圓。
參照第6圖,所述第一組末端執行器43241的延伸方向與所述第二組末端執行器4334的延伸方向相反,且所述第一組末端執行器43241位於所述第二組末端執行器4334的上側,所述第一組末端執行器43241與所述第二組末端執行器4334之間具有第一高度差,以使所述第一組末端執行器43241可以重疊到所述第二組末端執行器4334的上側,充分利用了所述第一執行器台座43豎直方向上的空間,減少了在水平方向上佔用的空間。
上述機械手均由電機驅動,由所述電機提供滑動的驅動力。
本發明的一些優選實施例中,參照第1圖和第6圖,所述第一組末端執行器43241位於所述第二組末端執行器4334的上側,且所述第一組末端執行器43241的上表面最高點所在水平面到所述第二組末端執行器4334的上表面最高點所在水平面的距離為d,即所述第一高度差為d;所述第一製程模組12的底表面最低點所在水平面高於所述第二製程模組13的底表面最低點所在水平面,且兩個水平面之間的距離為d,即所述第二高度差為d;所述第一高度差等於所述第二高度差,且所述第一製程模組12和所述第二製程模組13的整體結構、大 小等完全相同,因此,所述第一製程模組12內每個子模組的底表面最低點所在水平面均高於所述第二製程模組13內相對應位置子模組的底表面最低點所在的水平面,且高度差也均為d,使得所述第一組末端執行器43241能夠從所述第一製程模組12內的子模組完成晶圓的抓取和放置,同時所述第二組末端執行器4334能夠從所述第二製程模組13內相對應位置的子模組完成晶圓的抓取和放置。
本發明的一些優選實施例中,參照第6圖,所述第一製程模組12和所述第二製程模組13之間與所述第一組末端執行器43241和所述第二組末端執行器4334之間存在相同的高度差,即所述第一高度差等於所述第二高度差,使得所述第一組末端執行器43241和所述第二組末端執行器4334抓取或放置晶圓時,在所述第二製程模組13內子模組的高度與所述第二組末端執行器4334的高度適配的情況下,所述第一製程模組12內不需要特別設置頂針機構來抬高子模組的位置來適配所述第一組末端執行器43241,或在所述第一製程模組12內子模組的高度與所述第一組末端執行器43241的高度適配的情況下,所述第二製程模組13內不需要特別的設置頂針機構來降低子模組的位置來適配所述第二組末端執行器4334,使得製程控制變得簡單。
第7圖為第1圖沿剖面線A-A’方向的剖視圖。參照第7圖,所述第一層間製程單元1211包括第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12111、第一晶圓傳輸單元組12112、第二晶圓傳輸單元組12113、第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12114、增黏單元組12115、晶圓缺陷檢測單元組12116和第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12117,所述第一晶圓傳輸單元組12112設置於所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12111的上側,所述第二晶圓傳輸單元組12113設置於所述第一晶圓傳輸單元組12112的上側,所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12114設置於所述第二晶圓傳輸單元組12113的上側,所述增黏單元組12115設置 於所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12114的上側,所述晶圓缺陷檢測單元組12116設置於所述增黏單元組12115的上側,所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12117設置於所述晶圓缺陷檢測單元組12116的上側。
本發明的一些實施例中,參照第7圖,所述第一層內傳送單元(圖中未標示)內置有第一高精冷卻控制單元組12121,且所述第一高精冷卻控制單元組12121與所述增黏單元組12115連接。
本發明的一些實施例中,參照第7圖,所述第一層內製程單元1221包括第一高度層內製程單元12211、第二高度層內製程單元12212和第三高度層內製程單元12213,所述第二高度層內製程單元12212設置於所述第一高度層內製程單元12211的上側,所述第三高度層內製程單元12213設置於所述第二高度層內製程單元12212的上側。
本發明的一些實施例中,所述第一高度層內製程單元包括塗抗反射底層單元組和塗光刻膠單元組,所述塗光刻膠單元組設置於所述塗抗反射底層單元組的上側。
本發明的一些實施例中,所述第二高度層內製程單元包括塗抗反射頂層單元組和晶圓背面清洗單元組,所述晶圓背面清洗單元組設置於所述塗抗反射頂層單元組的上側。
本發明的一些實施例中,所述第三高度層內製程單元包括第一顯影單元組。
本發明的一些實施例中,參照第7圖,所述第二層內製程單元1222包括第四高度層內製程單元12221、第五高度層內製程單元12222和第六高度層內製程單元12223,所述第五高度層內製程單元12222設置於所述第四高度層內製程單元12221的上側,所述第六高度層內製程單元12223設置於所述第五高度層內製程單元12222的上側。
本發明的一些實施例中,所述第四高度層內製程單元包括高溫熱處理單元組和第一熱處理單元組,所述第一熱處理單元組設置於所述高溫熱處理單元組的上側。
本發明的一些實施例中,所述第五高度層內製程單元包括第二熱處理單元組和邊緣曝光單元組,所述邊緣曝光單元組設置於所述第二熱處理單元組的上側。
本發明的一些實施例中,所述第六高度層內製程單元包括第二顯影單元組和第三熱處理單元組,所述第三熱處理單元組設置於所述第二顯影單元組的上側。
本發明的一些實施例中,參照第7圖,所述第二層間製程單元1231包括第三晶圓傳輸單元組12311、晶圓表面清洗單元組12312、第四晶圓傳輸單元組12313、第四熱處理單元組12314和第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12315,所述晶圓表面清洗單元組12312設置於所述第三晶圓傳輸單元組12311的上側,所述第四晶圓傳輸單元組12313設置於所述晶圓表面清洗單元組12312的上側,所述第四熱處理單元組12314設置於所述第四晶圓傳輸單元組12313的上側,所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12315設置於所述第四熱處理單元組12314的上側。
本發明的一些實施例中,參照第7圖,所述第二層內傳送單元(圖中未標示)包括第二高精冷卻控制單元組12321,且所述第二高精冷卻控制單元組12321與所述高溫熱處理單元組(圖中未標示)連接。
本發明的一些實施例中,所述第一層內製程機械手、所述第一高度層內製程單元和所述第四高度層內製程單元位於同一水平面內,且所述第一層內製程機械手上的末端執行器能夠到達所述第一高度層內製程單元和所述第四高度層內製程單元的任意位置,所述第二層內製程機械手、所述第二高度層 內製程單元和所述第五高度層內製程單元位於同一水平面內,且所述第二層內製程機械手上的末端執行器能夠到達所述第二高度層內製程單元和所述第五高度層內製程單元的任意位置,所述第三層內製程機械手、所述第三高度層內製程單元和所述第六高度層內製程單元位於同一水平面內,所述第三層內製程機械手的末端執行器能夠到達所述第三高度層內製程單元和所述第六高度層內製程單元的任意位置。
本發明的一些實施例中,所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組和所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組均包括至少兩個晶圓傳輸高精冷卻控制單元,具體地,所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組和所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組均包括兩個所述晶圓傳輸高精冷卻控制單元,且所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組和所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組從所述第一層間製程單元延伸至所述第一層內傳送單元內,所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組從所述第二層間製程單元延伸至所述第二層內傳送單元內,所述晶圓傳輸高精冷卻控制單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述第一晶圓傳輸單元組和所述第三晶圓傳輸單元組均包括至少兩個晶圓傳輸單元,具體地,所述第一晶圓傳輸單元組和所述第三晶圓傳輸單元組均包括兩個所述晶圓傳輸單元,且所述第一晶圓傳輸單元組從所述第一層間製程單元延伸至所述第一層內傳送單元內,第一高精冷卻控制單元組設置於所述第一晶圓傳輸單元組的上側,所述第三晶圓傳輸單元從所述第二層間製程單元延伸至所述第二層內傳送單元內。
本發明的一些實施例中,所述第二晶圓傳輸單元組和所述第四晶圓傳輸單元組包括至少兩個晶圓傳輸單元,具體地,所述第一晶圓傳輸單元組和所述第三晶圓傳輸單元組均包括兩個所述晶圓傳輸單元,所述晶圓傳輸單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述第一高精冷卻控制單元組和所述第二高精冷卻控制單元組包括至少兩個高精冷卻控制單元,具體地,所述第一高精冷卻控制單元組和所述第二高精冷卻控制單元組包括兩個所述高精冷卻控制單元,所述高精冷卻控制單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述增黏單元組包括至少兩個增黏單元,具體地,所述增黏單元組包括四個所述增黏單元,所述增黏單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述晶圓缺陷檢測單元組包括至少兩個晶圓缺陷檢測單元,具體地,所述晶圓缺陷檢測單元組包括兩個所述晶圓缺陷檢測單元,所述晶圓缺陷檢測單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述塗抗反射底層單元組包括至少兩個晶圓缺陷檢測單元,具體地,所述塗抗反射底層單元組包括兩個所述晶圓缺陷檢測單元,所述晶圓缺陷檢測單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述塗光刻膠單元組包括至少兩個塗光刻膠單元,具體地,所述塗光刻膠單元組包括兩個所述塗光刻膠單元,所述塗光刻膠單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述塗抗反射頂層單元組包括至少兩個塗抗反射頂層單元,具體地,所述塗抗反射頂層單元組包括兩個所述塗抗反射頂層單元,所述塗抗反射頂層單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述晶圓背面清洗單元組包括至少兩個晶圓背面清洗單元,具體地,所述晶圓背面清洗單元組包括兩個所述晶圓背面清洗單元,所述晶圓背面清洗單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述第一顯影單元組和第二顯影單元組均包括至少兩個顯影單元,具體地,所述第一顯影單元組包括四個所述顯影單元,所述第二顯影單元組包括兩個所述顯影單元,所述顯影單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述高溫熱處理單元組包括至少兩個高溫熱處理單元,具體地,所述高溫熱處理單元組包括六個所述高溫熱處理單元,所述高溫熱處理單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述第一熱處理單元組、所述第二熱處理單元組、所述第三熱處理單元組和所述第四熱處理單元組均包括至少兩個熱處理單元,具體地,所述第一熱處理單元組、所述第二熱處理單元組、所述第三熱處理單元組和所述第四熱處理單元組均包括六個所述熱處理單元,所述熱處理單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述邊緣曝光單元組包括至少兩個邊緣曝光單元,具體地,所述邊緣曝光單元組包括六個所述邊緣曝光單元,所述邊緣曝光單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明的一些實施例中,所述晶圓表面清洗單元組包括至少兩個晶圓表面清洗單元,具體地,所述晶圓表面清洗單元組包括兩個所述晶圓表面清洗單元,所述晶圓表面清洗單元為本領域公知技術,細節不再贅述。
本發明中所述第一製程模組和所述第二製程模組之結構相同,所述第一製程模組和所述第二製程模組的製程流程相同,現僅對所述第一製程模組的製程流程進行闡述。
本發明工作時,參照第1圖、第2圖和第7圖,具體過程如下。
所述片盒組112內裝載有晶圓,所述片盒機械手111從所述片盒組112內抓取晶圓,將晶圓傳遞到所述第一晶圓傳輸單元組12112內,然後由所述第一層間製程機械手15將晶圓傳遞到所述增黏單元組12115完成增黏製程,完成增黏製程後,所述第一層間製程機械手15將晶圓傳遞到所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12111。
所述第一層內製程機械手161從所述第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12111內抓取晶圓,然後將晶圓依次傳遞到所述塗抗反射底層單元組、所述高溫熱處理單元組、所述第二高精冷卻控制單元組12321、所述塗光刻膠單元組、所述第一熱處理單元組和所述第一晶圓傳輸單元組12112。
所述第一層間製程機械手15從所述第一晶圓傳輸單元組12112抓取晶圓,然後將晶圓傳遞到所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12114。
所述第二層內製程機械手162從所述第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12114內抓取晶圓,然後將晶圓依次傳遞到所述塗抗反射頂層單元組、所述第二熱處理單元組、所述第一高精冷卻控制單元組12121、所述邊緣曝光單元組、所述晶圓背面清洗單元組和所述第四晶圓傳輸單元組12313。
所述接口機械手141從所述第四晶圓傳輸單元組12313內抓取晶圓,然後將晶圓傳遞到光刻機中完成光刻製程,光刻製程完成後,所述接口機械手141從所述光刻機中抓取晶圓,然後將晶圓傳遞到所述第四晶圓傳輸單元組12313。
所述第二層間製程機械手17從所述第四晶圓傳輸單元組12313內抓取晶圓,然後將晶圓依次傳遞給所述晶圓表面清洗單元組12312、所述第四熱處理單元組12314和所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12315。
所述第三層內製程機械手163從所述第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12315內抓取晶圓,然後將晶圓依次傳遞到所述第二顯影單元組、所述第三熱處理單元組和所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12117。
所述第一層間製程機械手15從所述第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組12117內抓取晶圓,然後將晶圓依次傳遞到所述晶圓缺陷檢測單元組12116和所述第二晶圓傳輸單元組12113。
所述片盒機械手111從所述第二晶圓傳輸單元組12113內抓取晶圓,然後將晶圓傳遞給所述片盒組112,以完成一次光刻製程流程。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習相像技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10:塗膠顯影設備
11:片盒模組
111:片盒機械手
112:片盒組
1121:第一片盒
1122:第二片盒
1123:第三片盒
1124:第四片盒
12:第一製程模組
121:第一層間製程模組
1211:第一層間製程單元
1212:第一層內傳送單元
122:層內製程模組
1221:第一層內製程單元
1222:第二層內製程單元
123:第二層間製程模組
1231:第二層間製程單元
1232:第二層內傳送單元
13:第二製程模組
14:接口模組
141:接口機械手
15:第一層間製程機械手
16:層內製程機械手組
17:第二層間製程機械手
A-A’:剖面線

Claims (25)

  1. 一種塗膠顯影設備,包括一片盒模組、一第一製程模組、一第二製程模組和一接口模組,其中該第一製程模組和該第二製程模組的一端與該片盒模組連接,該第一製程模組和該第二製程模組的另一端與該接口模組連接,該第一製程模組和該第二製程模組之間設置有第一層間製程機械手、層內製程機械手組和第二層間製程機械手,該第一層間製程機械手、該第二層間製程機械手和該層內製程機械手組內的機械手均具有兩組朝向相反的末端執行器,每組該末端執行器的數量為m,m為大於或等於2的自然數;其中該層內製程機械手組自下而上分別包括結構相同的第一層內製程機械手、第二層內製程機械手和第三層內製程機械手;其中該第一層內製程機械手包括第一豎直滑部、第一水平滑部和第一執行器台座,該第一豎直滑部設置於該第一水平滑部的上側,且該第一豎直滑部與該第一水平滑部滑動連接,該第一執行器台座設置於該第一豎直滑部的一側;其中該第一執行器台座包括連接部、第一執行部和第二執行部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之塗膠顯影設備,其中該連接部包括承載部和豎直連接部,該豎直連接部設置於該承載部的一側,該豎直連接部與該第一豎直滑部滑動連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之塗膠顯影設備,其中該承載部的上側設有執行部滑軌,該執行部滑軌垂直於該豎直連接部,該第一執行部和該第二執行部設置於該執行部滑軌的上側,且 該第一執行部、該第二執行部均與該豎直連接部平行,該第二執行部與該執行部滑軌固定連接,該第一執行部下側設有執行部滑塊,且該執行部滑塊與該執行部滑軌滑動連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之塗膠顯影設備,其中該第一執行部背向該第二執行部的一側設有第一上滑道和第一下滑道,該第一上滑道上設有第一上彎折板,該第一上彎折板與該第一上滑道滑動連接,該第一下滑道上設有第一下彎折板,該第一下彎折板與該第一下滑道滑動連接,該第一上彎折板和該第一下彎折板上側設置有第一上固定板,該第一上固定板的一側設有第一組末端執行器。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之塗膠顯影設備,其中該第二執行部背向該第一執行部的一側設有第二上滑道和第二下滑道,該第二上滑道上設有第二上彎折板,該第二上彎折板與該第二上滑道滑動連接,該第二下滑道上設有第二下彎折板,該第二下彎折板與該第二下滑道滑動連接,該第二上彎折板和該第二下彎折板上側設有第二上固定板,該第二上固定板的一側設有第二組末端執行器。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之塗膠顯影設備,其中該第一執行部背向該第二執行部的一側設有第一上滑道和第一下滑道,該第一上滑道上設有第一上彎折板,該第一上彎折板與該第一上滑道滑動連接,該第一下滑道上設有第一下彎折板,該第一下彎折板與該第一下滑道滑動連接,該第一上彎折板和該第一下彎折板上側設置有第一上固定板,該第一上固定板的一側設有第一組末端執行器,該第二執行部背向該第一執行部的一側設有第二上滑道和第二下滑道,該第二上滑道上設有第二上彎折板,該第二上彎折板與該第二 上滑道滑動連接,該第二下滑道上設有第二下彎折板,該第二下彎折板與該第二下滑道滑動連接,該第二上彎折板和該第二下彎折板上側設有第二上固定板,該第二上固定板的一側設有第二組末端執行器,該第一組末端執行器的延伸方向與該第二組末端執行器的延伸方向相反,且該第一組末端執行器與該第二組末端執行器之間具有第一高度差。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之塗膠顯影設備,其中該第一製程模組和該第二製程模組之間具有第二高度差,該第一高度差等於該第二高度差。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之塗膠顯影設備,其中該第一組末端執行器包括第一末端執行器和第二末端執行器,該第二組末端執行器包括第三末端執行器和第四末端執行器。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之塗膠顯影設備,其中該第一層間製程機械手和該第二層間製程機械手之結構相同,該第一層間製程機械手包括第二豎直滑部和第二執行器台座,且該第二執行器台座與該第一執行器台座的結構相同。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之塗膠顯影設備,其中該片盒模組包括片盒機械手和片盒組,該片盒機械手設置於該片盒組和該第一製程模組之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之塗膠顯影設備,其中該片盒機械手包括n個朝向相同的該末端執行器,n為大於或等於2的自然數。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之塗膠顯影設備,其中該接口模組內置有接口機械手,該接口機械手與該片盒機械手之結構 相同。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之塗膠顯影設備,其中該第一製程模組和該第二製程模組之結構相同,該第一製程模組包括依次設置的第一層間製程模組、層內製程模組和第二層間製程模組。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之塗膠顯影設備,其中該第一層間製程模組包括第一層間製程單元和第一層內傳送單元,該第一層間製程單元位於該片盒模組與該第一層內傳送單元之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之塗膠顯影設備,其中該第一層間製程單元自下而上分別包括第一晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、第一晶圓傳輸單元組、第二晶圓傳輸單元組、第二晶圓傳輸高精冷卻控制單元組、增黏單元組、晶圓缺陷檢測單元組和第三晶圓傳輸高精冷卻控制單元組。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之塗膠顯影設備,其中該第一層內傳送單元內置有第一高精冷卻控制單元組,且該第一高精冷卻控制單元組與該增黏單元組連接。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之塗膠顯影設備,其中該層內製程模組包括第一層內製程單元和第二層內製程單元,該第一層內製程單元與該第一層間製程模組連接,該第二層內製程單元與該第二層間製程模組連接。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之塗膠顯影設備,其中該第一層內製程單元自下而上分別包括第一高度層內製程單元、第二高度層內製程單元和第三高度層內製程單元。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之塗膠顯影設備,其中該第一高度層內製程單元自下而上分別包括塗抗反射底層單元組和塗光刻膠單元組,該第二高度層內製程單元自下而上分別包括塗抗反射頂層單元組和晶圓背面清洗單元組,該第三高度層內製程單元包括第一顯影單元組。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之塗膠顯影設備,其中該第二層內製程單元自下而上分別包括第四高度層內製程單元、第五高度層內製程單元和第六高度層內製程單元。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之塗膠顯影設備,其中該第四高度層內製程單元自下而上分別包括高溫熱處理單元組和第一熱處理單元組,該第五高度層內製程單元自下而上分別包括第二熱處理單元組和邊緣曝光單元組,該第六高度層內製程單元自下而上分別包括第二顯影單元組和第三熱處理單元組。
  22. 如申請專利範圍第13項所述之塗膠顯影設備,其中該第二層間製程模組包括第二層間製程單元和第二層內傳送單元,該第二層間製程單元和該接口模組連接,該第二層內傳送單元與該層內製程模組連接。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之塗膠顯影設備,其中該第二層間製程單元自下而上分別包括第三晶圓傳輸單元組、晶圓表面清洗單元組、第四晶圓傳輸單元組、第四熱處理單元組和第四晶圓傳輸高精冷卻控制單元組。
  24. 如申請專利範圍第13項所述之塗膠顯影設備,其中該層內製程模組包括第一層內製程單元和第二層內製程單元,該第一層內製程單元與該第一層間製程模組連接,該第二層內製程單元與該第 二層間製程模組連接,該第二層內製程單元自下而上分別包括第四高度層內製程單元、第五高度層內製程單元和第六高度層內製程單元,該第四高度層內製程單元自下而上分別包括高溫熱處理單元組和第一熱處理單元組,該第二層間製程模組包括第二層間製程單元和第二層內傳送單元,該第二層間製程單元和該接口模組連接,該第二層內傳送單元包括第二高精冷卻控制單元組,且該第二高精冷卻控制單元組與該高溫熱處理單元組連接。
  25. 如申請專利範圍第17項所述之塗膠顯影設備,其中該層內製程機械手組自下而上分別包括結構相同的第一層內製程機械手、第二層內製程機械手和第三層內製程機械手,該第一層內製程單元自下而上分別包括第一高度層內製程單元、第二高度層內製程單元和第三高度層內製程單元,該第二層內製程單元自下而上分別包括第四高度層內製程單元、第五高度層內製程單元和第六高度層內製程單元,該第一層內製程機械手、該第一高度層內製程單元和該第四高度層內製程單元位於同一水平面內,該第二層內製程機械手、該第二高度層內製程單元和該第五高度層內製程單元位於同一水平面內,該第三層內製程機械手、該第三高度層內製程單元和該第六高度層內製程單元位於同一水平面內。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240044511A (ko) * 2021-08-20 2024-04-04 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 코팅 및 현상 장치
CN113628994A (zh) * 2021-08-27 2021-11-09 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 晶圆搬运装置及晶圆搬运方法
CN113611646B (zh) * 2021-08-27 2024-04-16 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 晶圆搬运装置及晶圆搬运方法
CN115404467B (zh) * 2022-09-02 2024-01-09 江苏芯梦半导体设备有限公司 全自动化学镀系统及化学镀方法
CN115400924B (zh) * 2022-10-31 2023-01-31 天霖(张家港)电子科技有限公司 一种具有平整涂胶功能的涂胶显影机

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200707621A (en) * 2005-04-22 2007-02-16 Applied Materials Inc Cartesian robot cluster tool architecture
TW200904606A (en) * 2007-05-31 2009-02-01 Applied Materials Inc Methods and apparatus for extending the reach of a dual SCARA robot linkage
TW201438858A (zh) * 2013-03-15 2014-10-16 Applied Materials Inc 基板沉積系統、機械手臂運輸設備及用於電子裝置製造之方法
TW201919970A (zh) * 2011-10-26 2019-06-01 美商布魯克斯自動機械公司 基板處理系統
CN110161804A (zh) * 2019-06-21 2019-08-23 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶显影设备及系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004282002A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US7905960B2 (en) * 2004-03-24 2011-03-15 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus for manufacturing substrate
US8950998B2 (en) * 2007-02-27 2015-02-10 Brooks Automation, Inc. Batch substrate handling
KR100897850B1 (ko) * 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2009135169A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP6243784B2 (ja) * 2014-03-31 2017-12-06 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
CN210272293U (zh) * 2019-09-30 2020-04-07 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶显影设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200707621A (en) * 2005-04-22 2007-02-16 Applied Materials Inc Cartesian robot cluster tool architecture
TW200904606A (en) * 2007-05-31 2009-02-01 Applied Materials Inc Methods and apparatus for extending the reach of a dual SCARA robot linkage
TW201919970A (zh) * 2011-10-26 2019-06-01 美商布魯克斯自動機械公司 基板處理系統
TW201438858A (zh) * 2013-03-15 2014-10-16 Applied Materials Inc 基板沉積系統、機械手臂運輸設備及用於電子裝置製造之方法
CN110161804A (zh) * 2019-06-21 2019-08-23 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 涂胶显影设备及系统

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