TWI727388B - 發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之發光裝置包含:資料信號供給電路;第1開關元件,其具有電性連接於上述資料信號供給電路之一端、及另一端;第1電容,其電性連接於上述第1開關元件之上述另一端,保持對應於階度電壓之電荷;第2開關元件,其具有電性連接於上述第1開關元件之上述另一端之一端、及另一端;像素電路,其包含發光元件及電晶體;及資料線,其電性連接於上述像素電路;上述第1電容於俯視時與上述電晶體重疊配置。
Description
本發明係關於一種發光裝置及電子機器。
近年來,提案有使用有機發光二極體等發光元件之發光裝置。以下,將有機發光二極體稱為OLED(Organic Light Emitting Diode)。先前之發光裝置中,與掃描線與資料線之交叉對應,設置包含發光元件及驅動電晶體之像素電路。於專利文獻1中,揭示適於經細微化之像素電路之驅動之驅動電路。
專利文獻1揭示之技術中,於驅動電路設置保持輸出至資料線之階度電壓之保持電容。因此,保持電容配置於發光裝置之配置像素電路之顯示區域以外之部分。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-38425號公報
但,專利文獻1揭示之技術中,由於在顯示區域以外之部分設置保持電容,故有顯示區域以外之部分變大之問題。
為解決以上問題,本發明之發光裝置之一態樣包含:資料信號供給電路;第1開關元件,其具有電性連接於上述資料信號供給電路之一端、及另一端;第1電容,其電性連接於上述第1開關元件之上述另一端,保持對應於階度電壓之電荷;第2開關元件,其具有電性連接於上述第1開關元件之上述另一端之一端、及另一端;像素電路,其包含發光元件及電晶體;及資料線,其電性連接於上述像素電路;上述電晶體對上述發光元件供給與經由上述資料線被供給之上述階度電壓對應之電流,上述第1電容於俯視時與上述電晶體重疊配置。
又,為解決以上問題,本發明之發光裝置之一態樣包含:資料信號供給電路;第1開關元件,其具有電性連接於上述資料信號供給電路之一端、及另一端;第1電容,其電性連接於上述第1開關元件之上述另一端;第2開關元件,其具有電性連接於上述第1開關元件之上述另一端之一端、及另一端;第2電容,其具有電性連接於上述第2開關元件之上述另一端之一端、及另一端;像素電路,其包含發光元件及電晶體;及資料線,其電性連接於上述第2電容之上述另一端及上述像素電路;上述第1電容於俯視時與上述電晶體重疊配置。
又,為解決以上問題,本發明之發光裝置之一態樣包含:資料信號供給電路;第1開關元件,其具有電性連接於上述資料信號供給電路
之一端、及另一端;第1電容,其電性連接於上述第1開關元件之上述另一端;第2開關元件,其具有電性連接於上述第1開關元件之上述另一端之一端、及另一端;像素電路,其包含發光元件及電晶體;及資料線,其電性連接於上述第2開關元件之上述另一端及上述像素電路;上述第1電容於俯視時與上述電晶體重疊配置。
1:發光裝置
3:控制電路
5:資料驅動電路
10:顯示面板
12:掃描線
14:資料線
14':資料線
14'A:資料線
14'B:資料線
15:第1配線
16:饋電線
17:饋電線
18:信號線
19:配線部
19a:中繼金屬層
19b:接觸部
19c:接觸部
20:第2配線
20':第2配線
20A:第2配線
20B:第2配線
21:控制線
22:控制線
31:電壓產生電路
34:傳輸閘極
40:電容
40a:電極
40b:接觸部
41:電容
42:傳輸閘極
42A:傳輸閘極
42B:傳輸閘極
43:電晶體
43A:電晶體
43B:電晶體
44:電容
45:電晶體
45A:電晶體
45B:電晶體
50:電容
50A:電容
61:饋電線
62:饋電線
63:饋電線
64:饋電線
70:資料信號供給電路
82:外殼
84:FPC基板
86:端子
110:像素電路
110A:像素電路
110B:像素電路
112:顯示區域
116:饋電線
118:共通電極
121:第1電晶體
122:第2電晶體
123:第3電晶體
124:第4電晶體
125:第5電晶體
130:發光元件
130a:陽極
132:像素電容
132a:電極
300:頭戴式顯示器
301L:投射光學系統
301R:投射光學系統
310:邊撐
320:橋接部
400:個人電腦
401:電源開關
402:鍵盤
403:本體部
A01:平坦化層
C01:電路層
CP1~CP12:接觸部
Ctr1、Ctrl2:控制信號
DM:解多工器
DM(1)~DM(N):解多工器
F:彩色濾光片層
G1~G5:閘極電極
Gcpl:控制信號
Gref:控制信號
Gwr:掃描信號
Gwr(1):掃描信號
Gwr(2):掃描信號
Gwr(3):掃描信號
/Gcpl:控制信號
/Gini:控制信號
h:節點
ISO:絕緣層
L01:第1配線層
L02:第2配線層
L02a:陽極之部分
L02b:電性連接於饋電線16之部分
M01:第1金屬層
M02:第2金屬層
M02a:部分
MG:金屬層
MG1:部分
MG2:部分
OL:發光元件層
R01:反射層
S01:第1密封層
S02:第2密封層
SE1、SE2:半導體層
Sel:控制信號
Sel(1):控制信號
Sel(2):控制信號
Sel(3):控制信號
/Sel(1):控制信號
/Sel(2):控制信號
/Sel(3):控制信號
SW:開關部
T01:透明基板
Vd:資料信號
Vd(1)~Vd(n):資料信號
Vel:電位
Vid:圖像信號
Video:圖像資料
Vini:初始化電位
Vorst:重設電位
Vref:參照電位
圖1係顯示本發明之實施形態之發光裝置1之構成之立體圖。
圖2係顯示發光裝置1之電性構成之圖。
圖3係顯示像素電路110、開關部SW及解多工器DM之構成例之圖。
圖4係顯示面板10之部分剖視圖。
圖5係顯示電晶體121~125及像素電容132之配置之俯視圖。
圖6係顯示第2金屬層M02及第2配線層L02之配置之俯視圖。
圖7係顯示第1金屬層M01及第1配線層L02之配置之俯視圖。
圖8係顯示第1金屬層M01及第1配線層L01之配置之俯視圖。
圖9係用以說明變化例(1)之圖。
圖10係用以說明變化例(2)之圖。
圖11係用以說明變化例(2)之圖。
圖12係用以說明變化例(3)之圖。
圖13係本發明之頭戴式顯示器300之立體圖。
圖14係本發明之個人電腦400之立體圖。
以下,參照圖式,針對用以實施本發明之形態進行說明。但,各圖中,適當地使各部之尺寸及縮尺與實際者不同。又,以下所述之實施形態係本發明之較佳具體例,故而標註有技術性較佳之各種限定,但本發明之範圍,只要於以下之說明中無特別限定本發明之主旨之記載,則不限定於該等形態。
<A.實施形態>
圖1係顯示本發明之實施形態之發光裝置1之構成之立體圖。發光裝置1係例如頭戴式顯示器中顯示圖像之微顯示器。
如圖1所示,發光裝置1具備顯示面板10,及控制顯示面板10之動作之控制電路3。顯示面板10具備複數個像素電路,及驅動該像素電路之驅動電路。本實施形態中,顯示面板10具備之複數個像素電路及驅動電路形成於矽基板,於像素電路使用電性光學元件之一例即OLED。又,顯示面板10例如收納於在顯示部開口之框狀外殼82,且連接FPC(Flexible Printed Circuits,可撓式印刷電路)基板84之一端。於FPC基板84,藉由COF(覆晶薄膜)技術安裝半導體晶片之控制電路3,且設置複數個端子86,連接於省略圖示之上位電路。
圖2係顯示實施形態之發光裝置1之構成之方塊圖。如上述,發光裝置1具備顯示面板10及控制電路3。自省略圖示之上位電路對控制電路3與同步信號同步供給數位之圖像資料Video。此處,圖像資料Video係係以例如8位元規定應顯示於顯示面板10,嚴格而言應顯示於後述顯示部100之
圖像之像素的顯示階度之資料。又,所謂同步信號,係包含垂直同步信號、水平同步信號及點時脈信號之信號。
控制電路3基於同步信號,產生各種控制信號,將其供給於顯示面板10。具體而言,控制電路3對顯示面板10供給控制信號Ctr1、Ctr2、Gref、/Gini、Gcpl、/Gcpl、Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。控制信號Ctr1及Ctrl2之各者係包含脈衝信號或時脈信號、啟動信號等複數個信號之信號。控制信號Gref係正邏輯之控制信號,控制信號/Gini係負邏輯之控制信號。控制信號Gcpl亦係正邏輯之控制信號,控制信號/Gcpl係與控制信號Gcpl處於邏輯反轉關係之負邏輯之控制信號。控制信號/sel(1)與控制信號Sel(1)處於邏輯反轉之關係。同樣地,控制信號/sel(2)與控制信號Sel(2),控制信號/Sel(3)與控制信號Sel(3)分別處於邏輯反轉之關係。另,有將控制信號Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)總稱為控制信號Sel,將控制信號/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)總稱為控制信號/Sel之情形。電壓產生電路31接收來自未圖示之電源電路之電力供給,對顯示面板10供給重設電位Vorst、參照電位Vref及初始化電位Vini等。以下,針對具有參照電位Vref、控制信號Gref、電晶體43、饋電線62、初始化電位Vini、控制信號/Gini、電晶體45及饋電線61之構成進行說明,但該等亦可省略。
再者,控制電路3基於圖像資料Video,產生類比之圖像信號Vid。具體而言,於控制電路3記憶將圖像信號Vid所示之電位,及顯示面板10具備之電性光學元件之亮度建立對應之對照表。並且,控制電路3藉由參照
該對照表,而產生表示對應於圖像資料Video所規定之電性光學元件之亮度之電位之圖像信號Vid,並將其供給於顯示面板10。
如圖2所示,顯示面板10具備顯示部100,及驅動其之驅動電路。本實施形態中,將驅動電路分割成掃描線驅動電路4,及資料線驅動電路5,但亦可將該等一體化為一個電路,構成驅動電路。如圖2所示,於顯示部100,矩陣狀排列對應於應顯示之圖像之像素之像素電路110。圖2中雖省略詳細圖示,但於顯示部100,於圖中橫方向(X方向)延伸設置M列掃描線12,又,於圖中於縱方向(Y方向)延伸設置將每3行設為1組之(3N)行的資料線14。各掃描線12及各資料線14互相保持電性絕緣而設。像素電路110對應於M列掃描線12與(3N)行資料線14之交叉而設置。因此,本實施形態中,像素電路110以縱M列×橫(3N)行矩陣狀排列。
此處,M、N皆為自然數。掃描線12及像素電路110之矩陣中,為區別列,有於圖中自上起依序稱為1、2、3、…(M-1)、M列之情形。同樣地,為區別資料線14及像素電路110之矩陣之行,有於圖中自左起依序稱為1、2、3、…(3N-1)、(3N)行之情形。此處,為了一般化說明資料線14之組,若以n表示1以上之任意整數,則第(3n-2)行、第(3n-1)行及第(3n)行資料線14屬於自左數起第n號組。對應於同一列之掃描線12及屬於同一組之3行資料線14之3個像素電路110分別與R、G及B像素對應,表現該等3像素應顯示之彩色圖像之1點。即,本實施形態中,藉由對應於RGB之OLED之發光,以加成混色表現1點之色彩。
又,如圖2所示,於顯示部100,沿資料線14設置(3N)行饋電線16。(3N)行饋電線16之各者於縱向延伸,且與各掃描線12互相保持電性絕緣而設。各饋電線16係自電壓產生電路31共通地饋電特定之重設電位Vorst之固定電位線。為區別饋電線16之行,有於圖中自左起依序稱為第1、2、3、…、(3N)行之饋電線16之情形。第1行~第(3N)行饋電線16之各者係與第1行~第(3N)行資料線14對應設置。
掃描線驅動電路4遵循控制信號Ctr1,產生於1個訊框期間用以每1列依序選擇M列掃描線12之掃描信號Gwr。圖2中,供給於第1、2、3、…、M列掃描線12之掃描信號Gwr分別記作Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)…、Gwr(M-1)、Gwr(M)。另,掃描線驅動電路4除了掃描信號Gwr(1)~Gwr(M)外,每列產生與該掃描信號Gwr同步之各種控制信號,並供給於顯示部100,但圖2中省略圖示。所謂訊框期間,是指發光裝置1顯示1切割量之圖像所需要之期間,例如若同步信號所含之垂直同步信號之頻率為120Hz,則係其1週期量之8.3毫秒期間。
如圖2所示,資料線驅動電路5具備與(3N)行資料線14之各者1對1對應設置之(3N)個開關部SW、構成各組之每3行資料線14設置之N個解多工器DM、及資料信號供給電路70。
資料信號供給電路70基於自控制電路3供給之圖像信號Vid及控制信號Ctr2,產生資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即,資料信號供給電路70基於將資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)分時多工之圖像資料
Vid,產生資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。並且,資料信號供給電路70分別將資料信號Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N),供給於對應於第1、2、…、N組之解多工器DM。
參照圖3,說明像素電路110、開關部SW及解多工器DM之構成。為了一般地顯示像素電路110排列之列,將1以上M以下之任意整數表示為m。由於關於各像素電路110若以電性來看係互為相同構成,故此處以位於第m列,且位於第(3n)行之m列(3n)行像素電路110為例進行說明。自掃描線驅動電路4對第m列像素電路110供給掃描信號Gwr(m)、控制信號Gcmp(m)、Gel(m)。
如圖3所示,顯示部100之顯示區域112係顯示圖像之區域。於顯示區域112,設置像素電路110,及對像素電路110供給階度電壓之資料線14。此外,於顯示區域112,沿資料線14每行設置饋電線16及17與第1配線15。圖3中,m列(3n)行像素電路110係以符號「110(m、3n)」表示,第(3n)行資料線14係以符號「14(3n)」表示。與資料線14同樣地,圖3中,第(3n)行第1配線15係以符號「15(3n)」表示,第(3n)行饋電線16係以符號「16(3n)」表示,第(3n)行饋電線17係以符號「17(3n)」表示。如圖3所示,資料線14(3n)及第1配線15(3n)均連接於開關部SW,像素電路110連接於資料線14(3n)。另,圖3中,連接於資料線14(3n)之開關部SW係以符號「SW(3n)」表示,連接於開關部SW(3n)之解多工器DM係以符號「DM(n)」表示。像素電路110(m、3n)分別包含P通道MOS型電晶體即第1電晶體121、第2電晶體122、第3電晶體123、第4電晶體124及第5電晶體
125、OLED130及像素電容132。以下,有將第1電晶體121、第2電晶體122、第3電晶體123、第4電晶體124及第5電晶體125總稱為「電晶體121~125」之情形。
第2電晶體122之閘極電性連接於掃描線12(像素電路110(m、3n)之情形時,係第m列掃描線12)。又,第2電晶體122之源極或汲極之一者電性連接於資料線14(3n),另一者分別電性連接於第1電晶體121之閘極,及像素電容132之一電極。第2電晶體122作為控制第1電晶體121之閘極與資料線14(3n)間之電性連接之開關電晶體發揮功能。
第1電晶體121之源極電性連接於饋電線116。自未圖示之電源電路對饋電線116供給像素電路110中成為電源之高位側之電位Vel。第1電晶體121作為使對應於閘極及源極間之電壓之電流流動於OLED130之驅動電晶體發揮功能。
第3電晶體123之源極或汲極之一者電性連接於資料線14(3n),另一者電性連接於第1電晶體121之汲極。對第3電晶體123之閘極賦予控制信號Gcmp(m)。第3電晶體123係用以經由資料線14(3n)及第2電晶體122,使第1電晶體121之閘極及汲極間導通之電晶體。即,第3電晶體123作為控制第1電晶體121之閘極與汲極間之電性連接之開關電晶體發揮功能。
第4電晶體124之源極電性連接於第1電晶體121之汲極,第4電晶體124之汲極電性連接於OLED130之陽極。對第4電晶體124之閘極賦予控制
信號Gel(m)。第4電晶體124作為控制第1電晶體121之汲極與OLED130之陽極間之電性連接之開關電晶體發揮功能。
第5電晶體125之源極或汲極之一者電性連接於饋電線16(3n),即電性連接於饋電重設電位Vorst之固定電位線,另一者連接於OLED130之陽極。對第5電晶體125之閘極供給控制信號Gcmp(m)。第5電晶體125作為控制饋電線16(3n)與OLED130之陽極間之電性連接之開關電晶體發揮功能。
本實施形態中,由於顯示面板10形成於矽基板,故將電晶體121~125之基板電位設為電位Vel。又,上述電晶體121~125之源極、汲極亦可根據電晶體121~125之通道型、電位之關係而調換。又,電晶體可為薄膜電晶體,亦可為場效電晶體。
像素電容132之一電極電性連接於第1電晶體121之閘極,另一電極電性連接於饋電線116。因此,像素電容132作為保持第1電晶體121之閘極與源極間之電壓之保持電容發揮功能。另,作為像素電容132,可使用寄生於第1電晶體121之閘極之電容,亦可使用藉由於矽基板中以互不相同之導電層夾持絕緣層而形成之電容。
OLED130之陽極130a係於每一像素電路110個別地設置之像素電極。相對於此,OLED130之陰極係遍及所有像素電路110共通設置之共通電極118,且連接於饋電線63。對饋電線63供給固定電位即電位Vct。此
處,電位Vct亦可為相當於邏輯信號即掃描信號或控制信號之L位準者。OLED130係於上述矽基板中,以OLED130之陽極130a及具有光透過性之陰極夾持白色有機EL層之元件。並且,對應於RGB之某一者之彩色濾光片與OLED130之出射側重疊。該例中,OLED130之出射側係OLED之陰極側。另,亦可調整隔著白色有機EL層配置之2個反射層間之光學距離,形成腔室構造,設定自OLED130發出之光的波長。該情形時,可具有彩色濾光片,亦可不具有彩色濾光片。
若自OLED130之陽極130a朝陰極即共通電極118流動電流,則自陽極130a注入之電洞及自陰極注入之電子於有機EL層再結合而產生激子,發生白色光。此時發生之白色光透過與矽基板相反側之陰極,經由彩色濾光片之著色而於觀察者側被視認。
如圖3所示,解多工器DM(n)係於每行設置之傳輸閘極34與電容41之集合體,對構成各組之3行依序供給資料信號。對應於屬於第n號組之(3n-2)、(3n-1)、(3n)行之傳輸閘極34之輸入端互相共通連接,對其共通端子分別供給資料信號Vd(n)。對應於(3n)行之傳輸閘極34之輸出端經由信號線18(3n)連接於開關部SW(3n)之輸入端。圖3中雖省略詳細圖示,但對應於(3n-1)行之傳輸閘極34之輸出端經由信號線18(3n-1)連接於開關部SW(3n-1)之輸入端,對應於(3n-2)行之傳輸閘極34之輸出端經由信號線18(3n-2)連接於開關部SW(3n-2)之輸入端。
對應於(3n)行之電容41之一電極連接於信號線18(3n),對應於(3n)行之電容41之另一電極連接於饋電線64。同樣地,對應於(3n-1)行之電容41
之一電極連接於信號線18(3n-1),對應於(3n-2)行之電容41之一電極連接於信號線18(3n-2)。對應於(3n-1)行之電容41之另一電極,及對應於(3n-2)行之電容41之另一電極連接於饋電線64。對饋電線64供給固定電位即電位VSS。此處,電位VSS亦可為相當於邏輯信號即掃描信號或控制信號之L位準者。
第n組中設置於左端行即(3n-2)行之傳輸閘極34於控制信號Sel(1)為H位準時(控制信號/Sel(1)為L位準時)接通(導通)。同樣地,第n組中設置於中央行即(3n-1)行之傳輸閘極34於控制信號Sel(2)為H位準時(控制信號/Sel(2)為L位準時)接通,第n組中設置於右端行即(3n)行之傳輸閘極34於控制信號Sel(3)為H位準時,即控制信號/Sel(3)為L位準時接通。
開關部SW(3n)具有傳輸閘極42、N通道MOS型電晶體43、及P通道MOS型電晶體45。開關部SW(3n)中,傳輸閘極42之輸入端係該開關部SW(3n)之輸入端。於開關部SW(3n)之傳輸閘極42之輸入端連接信號線18(3n)。於信號線18(3n)之節點h連接第1配線15(3n)。因此,解多工器DM(n)中對應於3n行之電容41之一電極經由信號線18(3n)連接於第1配線15(3n)。於傳輸閘極42之輸出端連接資料線14(3n)。自控制電路3對傳輸閘極42供給控制信號Gcpl及控制信號/Gcpl。控制信號Gcpl為H位準時,即,控制信號/Gcpl為L位準時,傳輸閘極42接通。若傳輸閘極42接通,則信號線18(3n)及節點h中連接於信號線18(3n)之第1配線15(3n)及資料線14(3n)電性連接。
電晶體45之汲極連接於資料線14(3n),電晶體45之源極連接於供給
特定之初始化電位Vini之饋電線61。控制電路3對電晶體45之閘極供給控制信號/Gini。電晶體45於控制信號/Gini為L位準時,將資料線14(3n)及饋電線61電性連接,另一方面,於控制信號/Gini為H位準時設為非電性連接。若將資料線14(3n)及饋電線61電性連接,則資料線14(3n)之電位成為初始化電位Vini。
電晶體43之汲極連接於資料線14(3n),電晶體43之源極連接於供給參照電位Vref之饋電線62。參照電位Vref係補償像素電路110之驅動電晶體,即第1電晶體121之臨限值電壓之補償動作中使用之參照電位。對電晶體43之閘極供給控制信號Gref。電晶體43於控制信號Gref為H位準時將資料線14(3n)及饋電線62電性連接,於控制信號Gref為L位準時設為非電性連接。若將資料線14(3n)及饋電線62電性連接,則資料線14(3n)之電位成為參照電位Vref。
圖3之電容44係饋電線16與第1配線15(3n)間之配線間電容。圖3之電容40係饋電線17與第1配線15(3n)間之配線間電容。對饋電線17賦予電位Vel。若於傳輸閘極42斷開之狀態下,傳輸閘極34接通,則自傳輸閘極34之輸出端對信號線18(3n)供給資料信號Vd(n),於電容40、41及44蓄積對應於資料信號Vd(n)所示之階度電壓之電荷。即,(3n)行電容40、41及44發揮保持對應於(3n)行像素電路110之顯示階度之階度電壓之保持電容之作用。並且,若於電容40、41及44保持階度電壓之狀態下,傳輸閘極42接通,則信號線18(3n)及第1配線15(3n)電性連接於資料線14,保持於電容40、41及44之階度電壓經由資料線14(3n)向像素電路110(m、3n)供
給。
本實施形態中,電容41與傳輸閘極34、傳輸閘極42、電晶體43及45一起設置於發光裝置1之顯示區域112以外之部分,即包圍顯示區域112之外框區域。另一方面,電容40及44設置於顯示區域(即,顯示區域112)。如上述,(3n)行電容44係饋電線16(3n)與第1配線15(3n)間之配線間電容,以形成該電容44之方式,饋電線16(3n)及第1配線15(3n)以於顯示區域112彼此相沿之方式設置。又,(3n)行電容40係饋電線17(3n)與第1配線15(3n)間之配線間電容,以形成該電容40之方式,於第1配線15(3n)設置於顯示區域112中與饋電線17(3n)對向之電極40a。又,若電極40a具有與饋電線16(3n)對向之部分,則亦於電極40a與饋電線16(3n)間形成(3n)行電容44。
圖4係顯示通過像素電路110(m、3n-2)、110(m、3n-1)及110(m、3n)之平面之顯示部100之剖面的部分剖視圖。如圖4所示,顯示部100構成為依序積層電路層C01、第2金屬層M02、第2配線層L02、第1金屬層M01、第1配線層L01、反射層R01、絕緣層ISO、發光元件層OL、第1密封層S01、平坦化層A01、第2密封層S02、彩色濾光片層F及透明基板T01。
透明基板T01係以玻璃或透明樹脂形成。於彩色濾光片層F設置上述彩色濾光片。第1密封層S01及第2密封層S02之各者例如藉由CVD(chemical vapor deposition,化學蒸氣沈積)等成膜法,以SiOn形成。平
坦化層A01例如藉由印刷或噴墨法等成膜法,以環氧樹脂形成。於發光元件層OL,形成上述OLED130。圖4係圖示OLED130之陰極即共通電極118及陽極130a。於電路層C01,形成像素電路110所含之電晶體121~125及像素電容132。圖4所示例中,作為形成於電路層C01之電路元件之一例,圖示像素電容132、電晶體121,更正確而言,係電晶體121之閘極。此處,電路層C01具有金屬層MG,像素電容132具有與金屬層MG間形成電容之電極132a。金屬層MG及電極132a分別藉由例如CVD等成膜法,以鋁等金屬形成。另,電路層C01中,於金屬層MG及電極132a等導體層間,適當配置以SiO2或SiN等構成之層間絕緣膜或介電質膜。
第2金屬層M02、第2配線層L02、第1金屬層M01及第1配線層L01分別例如藉由CVD等成膜法,以鋁等金屬形成。於該等層間,適當配置以SiO2或SiN等構成之層間絕緣膜或介電質膜。如圖4所示,第1金屬層M01設置於較電路層C01更靠發光元件層OL側,第1配線層L01設置於較第1金屬層M01更靠發光元件層OL側。如圖4所示,饋電線16(3n)及第1配線15(3n)形成於第1配線層L01。如上述,由於(3n)行電容44係饋電線16(3n)與第1配線15(3n)間之配線間電容,故電容44形成於第1配線L01。
於電路層C01與第1金屬層M01之間,形成第2金屬層M02及第2配線層L02,於第2配線層L02,形成資料線14(3n)及第2配線20(3n)。又,第1金屬層M01及第2金屬層M02經由複數個配線部19互相連接。配線部19具有中繼金屬層19a、複數個接觸部19b及複數個接觸部19c。複數個接觸部19b連接第1金屬層M01及中繼金屬層19a。複數個接觸部19c連接第2金屬
層M02及中繼金屬層19a。中繼金屬層19a與資料線14形成於同一層。本實施形態中,資料線14如圖4所示,自橫切資料線14之剖面觀察時,被固定電位之第1金屬層M01、第2金屬層M02及複數個配線部19包圍。另,本實施形態之第2配線20係虛擬配線,例如可賦予固定電位,亦可省略。
此處,藉由饋電線17對第1金屬層M01、第2金屬層M02及複數個配線部19賦予共通之固定電位(本實施形態中係電位Vel),第1金屬層M01、第2金屬層M02及複數個配線部19發揮保護資料線14(3n)免受靜電雜訊影響之遮蔽之作用。由其他觀點而言,第1金屬層M01、第2金屬層M02及複數個配線部19作為饋電線17發揮功能。又,(3n)行電容40係饋電線17(3n)與第1配線15(3n)間之配線間電容,於連接於第1配線15(3n)之電極40a與第1金屬層M01間形成電容40。
如上,藉由將形成電容40及44之第1配線層L01及第1金屬層M01堆積於形成連接像素電路110之資料線14之第2配線層L02之上,而使形成保持電容之電容40及44與電容41一起形成於顯示區域112內。本實施形態中,為了使電容40、41及44擔負保持對應於像素電路110之顯示階度之階度電壓之保持電容之作用,與未設置電容40及44之態樣相比,可縮小電容41,可縮小顯示面板10之外框區域之面積。如此,根據本實施形態,可縮小發光裝置1之顯示區域112以外部分之晶片面積。
又,電容40於俯視時與第1電晶體121重疊。因此,電容40不僅發揮作為上述保持電容之作用,亦發揮對於第1電晶體121之靜電遮蔽及遮光
之作用。
圖5係顯示電晶體121~125及像素電容132之配置之俯視圖。如圖5所示,電路層C01具有半導體層SE1及SE2、閘極電極G1、G2、G3、G4及G5、接觸部CP1、CP2、CP3、CP4、CP5、CP6及CP7。
半導體層SE1係與第1電晶體121對應設置。於半導體層SE1上,經由未圖示之閘極絕緣膜,配置對應於第1電晶體121之閘極電極G1。又,接觸部CP1及CP2連接於半導體層SE1,一者作為第1電晶體121之源極電極發揮功能,另一者作為第1電晶體121之汲極電極發揮功能。接觸部CP1電性連接於饋電線116,接觸部CP2經由後述之部分MG2及接觸部CP5,電性連接於第3電晶體123及第4電晶體124。
半導體層SE2係與第2電晶體122、第3電晶體123、第4電晶體124及第5電晶體125共通設置。於半導體層SE2上,經由未圖示之閘極絕緣膜,配置閘極電極G2、G3、G4及G5。閘極電極G2、G3、G4及G5分別對應於第2電晶體122、第3電晶體123、第4電晶體124及第5電晶體125。圖示中,閘極電極G3及G5為一體。又,接觸部CP3、CP4、CP5、CP6及CP7連接於半導體層SE2。接觸部CP3及CP4之一者作為第2電晶體122之源極電極發揮功能,另一者作為第2電晶體122之汲極電極發揮功能。接觸部CP4及CP5之一者作為第3電晶體123之源極電極發揮功能,另一者作為第3電晶體123之汲極電極發揮功能。接觸部CP5及CP6之一者作為第4電晶體124之源極電極發揮功能,另一者作為第4電晶體124之汲極電極發揮功
能。接觸部CP6及CP7之一者作為第5電晶體125之源極電極發揮功能,另一者作為第5電晶體125之汲極電極發揮功能。因此,第2電晶體122之源極電極及汲極電極之一者與第3電晶體123之源極電極及汲極電極之一者共通設置,該共通部分係接觸部CP4。又,第3電晶體123之源極電極及汲極電極之一者與第4電晶體124之源極電極及汲極電極之一者共通設置,該共通部分係接觸部CP5。又,第4電晶體124之源極電極及汲極電極之一者與第5電晶體125之源極電極及汲極電極之一者共通設置,該共通部分係接觸部CP6。
接觸部CP3經由後述之部分MG1及接觸部CP8,電性連接於第1電晶體121之閘極電極G1。接觸部CP4電性連接於資料線14,接觸部CP5電性連接於第1電晶體121之汲極,接觸部CP6電性連接於OLED130之陽極,接觸部CP7電性連接於饋電線16。
閘極電極G2經由接觸部CP9電性連接於掃描線12,閘極電極G3及G5經由接觸部CP11電性連接於控制線21,閘極電極G4經由接觸部CP10電性連接於控制線22。饋電線116經由接觸部CP12電性連接於後述之部分M02a。
又,電路層C01具有之金屬層MG具有於俯視時與第1電晶體121重疊之部分MG1。又,金屬層MG具有將接觸部CP2及CP5電性連接之部分MG2。電極132a以於俯視時重疊之方式與部分MG1對向,於部分MG1與電極132a間,形成上述像素電容132。又,如圖5所示,電容40,更具體
而言,電容40之電極40a於俯視時與第1電晶體121重疊。又,電容40,更具體而言,電容40之電極40a於俯視時與像素電容132,更具體而言,與電極132a重疊。
圖6係顯示第2金屬層M02及第2配線層L02之配置之俯視圖。如圖6所示,第2金屬層M02具有於俯視時包含電容40之部分M02a。部分M02a雖未圖示,但於俯視時呈與第1電晶體121重疊之形狀。又,於部分M02a上,形成有第2配線層L02。具體而言,資料線14之一部分及第2配線20之一部分於部分M02a上延伸,以夾持該等之方式配置2個配線部19。如圖6所示,各配線部19之複數個接觸部19c沿資料線14並列配置。又,於第2金屬層M02,形成掃描線12、控制線21、22。又,於第2配線層L02,具有電性連接於OLED130之陽極之部分L02a,及電性連接於饋電線16之部分L02b。
圖7係顯示第1金屬層M01及第1配線層L02之配置之俯視圖。圖8係顯示第1金屬層M01及第1配線層L01之配置之俯視圖。如圖7所示,各配線部19之中繼金屬層19a呈沿資料線14延伸之形狀,複數個接觸部19b沿資料線14並列配置於中繼金屬層19a上。如圖7及圖8所示,第1金屬層M01於俯視時呈包含電容40之形狀。如圖8所示,電容40之電極40a具有於俯視時與第1配線15重疊之部分。於電極40a之該部分上,設置連接於第1配線15之接觸部40b。又,第1金屬層M01雖未圖示,但於俯視時與第1電晶體121重疊。
以上發光裝置1如上述,具有配置於顯示區域112之像素電路110、連接於像素電路110之資料線14、將資料信號Vd(N)向資料線14輸出之資料線驅動電路5、及保持資料信號Vd(N)之第1電容即電容40。此處,像素電路110包含發光元件130;及電晶體即第1電晶體121,其將基於對應於應顯示之階度之資料信號Vd(N)之電流供給於發光元件130。又,電容40於俯視時與第1電晶體121重疊配置於顯示區域112。
如此,發光裝置1中,發揮保持資料信號Vd(N)之保持電容之作用之電容40設置於顯示區域112。因此,發光裝置1中,與僅於顯示區域以外之部分設置保持電容之先前技術相比,可縮小發光裝置1之顯示區域112以外部分之面積。
又,發光裝置1中,電容40於俯視時對發揮將基於資料信號Vd(N)之電流供給於發光元件130之驅動電晶體之作用之第1電晶體121重疊配置。因此,發光裝置1中,電容40亦發揮對於第1電晶體121之靜電遮蔽及遮光之作用。如此,由於電容40兼備複數個作用,故與將該等作用設為分開構成之情形相比,像素電路110之佈局效率變高,其結果,可實現細微像素。
又,發光裝置1如上述,具有設有像素電路110之電路層C01、設有沿資料線14配置之第1配線15之第1配線層L01、及配置於電路層C01與第1配線層L01間之第1金屬層M01。此處,對第1金屬層M01供給固定電位即電位Vel,第1金屬層M01具有配置於資料線14與第1配線層15間之部分。
因此,第1金屬層M01發揮資料線14與第1配線15間之靜電遮蔽之作用。其結果,可減低資料線14與第1配線15間之串擾之產生,提高顯示品質。
第1金屬層M01如上述,於俯視時與第1電晶體121重疊。因此,第1金屬層M01發揮對於第1電晶體121之遮光作用。此處,由於第1金屬層M01係與第1配線層L01不同之層,故與第1金屬層M01為與第1配線層L01相同層之情形相比,有可容易增大發揮第1金屬層M01之遮光作用的部分之面積之優點。
如上述,電容40係連接於第1配線15之電極40a與第1金屬層M01間之電容。如此,由於電容40設置於第1配線15與第1金屬層M01之間,故利用第1金屬層M01之遮光性,電容40可發揮對於第1電晶體121之遮光作用。此處,第1金屬M01兼備構成電容40之1對電極中之一者。其結果,發光裝置1中,與不利用第1金屬層M01地構成保持電容之情形相比,像素電路110之佈局效率變高。
又,發光裝置1如上述,具有配置於電路層C01與第1金屬層M01間之第2金屬層M02,及配置於第1金屬層M01與第2金屬層M02間之第2配線層L02。此處,第2金屬層M02供給固定電位。並且,於配置於第1金屬層M01與第2金屬層M02間之第2配線層L02,設置資料線14。因此,可藉由固定電位之第1金屬層及第2金屬層,對資料線14進行靜電遮蔽。
第2金屬層M02於俯視時與第1電晶體121重疊。因此,第2金屬層
M02發揮對於第1電晶體121之遮光作用。此處,由於第2金屬層M02係與第1配線層L01及資料線14不同之層,故與第2金屬層M02為與第1配線層L01或資料線14相同層之情形相比,有可容易增大發揮第2金屬層M02之遮光作用的部分之面積之優點。
再者,發光裝置1如上述,具有連接第1金屬層M01與第2金屬層M02之複數個配線部19。此處,資料線14具有配置於複數個配線部19間之部分。因此,可藉由固定電位之複數個配線部19,對資料線14進行靜電遮蔽。
又,發光裝置1如上述,具有沿資料線14配置之固定電位線即饋電線16,及保持資料信號Vd(N)之第2電容即電容44。此處,對饋電線16供給固定電位即重設電位Vorst。並且,電容44係第1配線15與饋電線16間之電容。如此,不僅電容40,且電容44亦發揮保持資料信號Vd(N)之保持電容之作用。因此,與於第1配線15與饋電線16間不使用電容44之情形相比,可容易增大顯示區域112內之保持電容。又,由於饋電線16與第1配線15同樣地沿資料線14配置,故與第1配線15及饋電線16沿互相不同方向配置之情形相比,容易於第1配線15與饋電線16間形成電容44。
另,本實施形態中,除了電容40及44外,電容41發揮保持資料信號Vd(N)之保持電容之作用,但亦可省略電容41及44中之至少一者。該情形時,尤其省略配置於顯示區域112外側之電容41,與未省略之情形相比,可縮小發光裝置1之顯示區域112以外的部分之面積。
又,亦可省略電容40及44之任一者,使另一者於俯視時與驅動電晶體重疊。又,電容44亦可於俯視時與第1電晶體121重疊,該情形時,電容40於俯視時可與第1電晶體121重疊亦可不重疊。電容44係饋電線16(3n)與第1配線15(3n)間之配線間電容,但該等配線或其間(形成電容之部分)之至少一部分只要於俯視時與第1電晶體121重疊即可。又,上述說明中,饋電線17之電位為電位Vel,饋電線16之電位為重設電位Vorst,但該等電位亦可為其他固定電位。但,由電路簡化之觀點而言,對電容40及44之一者供給之電極之電位較佳為像素電路110中使用之電位。
如上述,第1配線15及饋電線16設置於同一層即第1配線層L01。因此,與將第1配線15及饋電線16設置於不同層之情形相比,可有效率地配置該等配線。此處,由於第1配線15及饋電線16之兩者係沿資料線14配置,故容易將該等層設置於同一層。
如上述,資料線14配置於第1電晶體121與第1配線15間。因此,與資料線14及第1配線15設置於相同層之情形相比,可容易增大資料線14與第1配線15間之距離。又,由於資料線14與像素電路110間之距離變短,故該等間之配線變簡單。
<B.變化例>
以上係本發明之一實施形態之說明,但亦可對該實施形態加入以下變化。
(1)上述實施形態中,將設有資料線14(3n)之第2配線層L02與設有饋電線16(3n)及第1配線15(3n)之第1配線層L01分開設置。但,如圖9所示,亦可省略第2配線層L02及第2金屬層M02,於第1配線層L01設置饋電線16(3n)、資料線14(3n)及第1配線15(3n)。
(2)亦可如圖10所示,將圖3之資料線14(3n)分割成連接像素電路110及電晶體45之資料線14'(3n),及連接於傳輸閘極42之輸出端及電晶體43之第2配線20'(3n),於資料線14'(3n)與第2配線20'(3n)間設置電容50(第2電容)。其理由係,可將電容50設為傳送電容,耦合驅動像素電路110之故。又,亦可以沿資料線14'(3n)之方式,將第2配線20'(3n)設置於第2配線層L02(參照圖11),使資料線14'(3n)與第2配線20'(3n)間之配線間電容擔負電容50之作用。其理由係,可將耦合驅動時使用之傳送電容設置於顯示部100之顯示區域112內,與將傳送電容設置於顯示區域112以外的部分之態樣相比,可縮小顯示區域112以外的部分之晶片面積之故。
(3)亦可如圖12所示,將圖10之資料線14'上下2分割成自第1列遍及第m列之資料線14'A,及自第(m+1)列遍及第M列之資料線14'B,且如圖12所示,將第2配線20'上下2分割成經由傳輸閘極42A連接於第1配線15之第2配線20A,及經由傳輸閘極42B連接於第1配線15之第2配線20B。另,圖12之電容50A係資料線14'A與第2配線20A間之配線間電容,圖12之電容50B係資料線14'B與第2配線20B間之配線間電容。又,圖12之電晶體43A係切換供給參照電位Vref之參照電源即電壓產生電路31與第2配線20A之連接或非連接之電晶體,電晶體43B係切換第2配線20B與上述參照電源之
連接或非連接之電晶體。圖12之電晶體45A係切換供給初始化電位Vini之初始化電源即電壓產生電路31與資料線14'A之連接或非連接之電晶體,電晶體45B係切換資料線14'B與上述初始化電源之連接或非連接之電晶體。
圖12所示之態樣中,藉由傳輸閘極42A及傳輸閘極42B之接通或斷開之切換,可分別獨立地驅動連接於資料線14'A之像素電路110A,及連接於資料線14'B之像素電路110B。例如,接通傳輸閘極42A,進行階度電壓向像素電路110A之寫入期間,可斷開傳輸閘極42B且接通電晶體43B,進行對於像素電路110B之驅動電晶體之臨限值電壓之補償動作。對像素電路110B之驅動電晶體之補償動作執行中,資料線14'B之電位變動,但資料線14'A自資料線14'B斷離,故對階度電壓向像素電路110A之寫入不會造成阻礙。根據圖12所示之態樣,階度電壓對像素電路110A及像素電路110B中之一者之寫入中,可開始對另一者之補償動作,可較先前更增長補償動作之執行期間(補償期間)。一般而言,補償期間愈長,臨限值電壓之補償效果愈高,故根據圖12所示之態樣,可提高像素電路所含之驅動電晶體之臨限值電壓之補償效果。又,根據圖12所示態樣,可縮小顯示區域以外的部分之大小。
<C.應用例>
上述實施形態之發光裝置可應用於各種電子機器,尤其適於要求2K以上之高精細圖像之顯示,且要求小型之電子機器。以下,針對本發明之電子機器進行說明。
圖13係顯示作為採用本發明之發光裝置之電子機器之頭戴式顯示器300之外觀之立體圖。如圖13所示,頭戴式顯示器300具備邊撐310、橋接部320、投射光學系統301L及投射光學系統301R。並且,圖13中,於投射光學系統301L之深處設置未圖示之左眼用發光裝置,於投射光學系統301R之深處設置未圖示之右眼用發光裝置。
圖14係採用本發明之發光裝置1之可攜型個人電腦400之立體圖。個人電腦400具備顯示各種圖像之發光裝置1、設有電源開關401及鍵盤402之本體部403。另,作為應用本發明之發光裝置1之電子機器,除了圖13及圖14例示之機器外,列舉數位示波器、數位雙眼望遠鏡、數位相機、攝像機等接近眼睛配置之電子機器。再者,可作為設置於行動電話機、智慧型手機、攜帶資訊終端(PDA:Personal Digital Assistants,個人數位助理)、汽車導航裝置、及車載用儀錶板等顯示器等之電子機器之顯示部使用。
12:掃描線
14:資料線
15:第1配線
16:饋電線
17:饋電線
18:信號線
21:控制線
22:控制線
34:傳輸閘極
40:電容
41:電容
42:傳輸閘極
43:電晶體
44:電容
45:電晶體
61:饋電線
62:饋電線
63:饋電線
64:饋電線
110:像素電路
112:顯示區域
116:饋電線
118:共通電極
121:第1電晶體
122:第2電晶體
123:第3電晶體
124:第4電晶體
125:第5電晶體
130:發光元件
130a:陽極
132:像素電容
DM:解多工器
Gcpl:控制信號
Gref:控制信號
/Gcpl:控制信號
/Gini:控制信號
h:節點
Sel:控制信號
SW:開關部
Vd:資料信號
Claims (9)
- 一種發光裝置,其特徵在於包含:資料信號供給電路;第1開關元件,其具有電性連接於上述資料信號供給電路之一端、及另一端;第1電容,其電性連接於上述第1開關元件之上述另一端,保持對應於階度電壓之電荷;第2開關元件,其具有電性連接於上述第1開關元件之上述另一端之一端、及另一端;像素電路,其包含發光元件及設置於電路層之電晶體;資料線,其電性連接於上述像素電路;第1配線層,其設有沿上述資料線配置之第1配線;及第1金屬層,其配置於上述電路層與上述第1配線層之間,被供給固定電位;且上述第1金屬層具有配置於上述資料線與上述第1配線間之部分;上述電晶體對上述發光元件供給與經由上述資料線被供給之上述階度電壓對應之電流;上述第1電容於俯視時與上述電晶體重疊配置。
- 如請求項1之發光裝置,其中上述第1金屬層於俯視時與上述電晶體重疊。
- 如請求項2之發光裝置,其中上述第1電容設置於上述第1配線與上述第1金屬層之間。
- 如請求項3之發光裝置,其具有:第2金屬層,其配置於上述電路層與上述第1金屬層之間,被供給固定電位;及第2配線層,其配置於上述第1金屬層與上述第2金屬層之間,供設置上述資料線。
- 如請求項4之發光裝置,其中上述第2金屬層於俯視時與上述電晶體重疊。
- 如請求項5之發光裝置,其具有:複數個配線部,其等連接上述第1金屬層與上述第2金屬層,且上述資料線具有配置於上述複數個配線部間之部分。
- 如請求項6之發光裝置,其具有:固定電位線,其沿上述資料線配置,被供給固定電位;及第2電容,其係上述第1配線與上述固定電位線間之電容,保持上述資料信號。
- 如請求項7之發光裝置,其中上述第1配線及上述固定電位線設置於同一層。
- 如請求項1至8中任一項之發光裝置,其中上述資料線配置於上述電晶體與上述第1配線之間。
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