TWI725154B - 半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的半導體裝置製造用黏著性膜為包括步驟(A)~步驟(C)的半導體裝置的製造方法中的黏著性膜，且依次具有耐溶劑性樹脂層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，黏著性樹脂層以成為半導體晶圓的第2電路面側的方式使用。(A)準備結構體的步驟，結構體包括：半導體晶圓，具有第1電路面及第2電路面；支撐構件，於半導體晶圓的第1電路面側介隔接著劑層而設置；以及黏著性膜，貼合於半導體晶圓的第2電路面側。(B)將支撐構件自結構體去除的步驟。(C)藉由溶劑將半導體晶圓的第1電路面側的接著劑層的殘渣去除的步驟。

Description

半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製 造方法
本發明是有關於一種半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法。
於對表面形成有電路圖案的半導體晶圓的背面進行電路加工時，就提高半導體晶圓的操作性的觀點而言，有時藉由接著劑將玻璃基板或陶瓷基板、金屬基板等支撐構件貼合於形成有電路圖案的面。
使用所述支撐構件的半導體裝置的製造方法中，通常必需：將支撐構件自半導體晶圓剝離的步驟；以及將接著劑的殘渣去除的步驟。 此處，自支撐構件剝離的半導體晶圓之後被移至切割步驟，而被分割為各半導體晶片。此時，就良好地保持半導體晶圓的操作性的觀點而言，於半導體晶圓的背面的電路圖案形成後，將切割帶(dicing tape)貼合於半導體晶圓的電路圖案，之後將支撐構件自半導體晶圓剝離。藉由溶劑對剝離支撐構件後殘存於電路圖案的接著劑殘渣進行清洗。 此處，由於利用溶劑的接著劑殘渣的清洗是在半導體晶圓貼合於切割帶的狀態下進行，因此對切割帶要求高耐溶劑性。
與使用所述支撐構件的半導體裝置的製造方法有關的技術例如可列舉專利文獻1（日本專利特開2013-239595號公報）中記載者。
專利文獻1中記載了一種半導體晶圓的切割方法，其包括：（a）經由接著劑而將支撐構件貼合於半導體晶圓的電路面側的步驟；（b）對所述半導體晶圓的與電路面為相反側的背面進行薄型加工的步驟；（c）將至少包含紫外線硬化型黏著劑層的切割帶貼合於所述半導體晶圓的與電路面為相反側的背面上的步驟；（d）將所述半導體晶圓自所述接著劑層及支撐構件剝離的步驟；（e）使用有機溶劑對所述半導體晶圓上的所述接著劑的殘渣進行清洗的步驟；以及（f）將所述半導體晶圓切斷而實現晶片化的步驟，且所述半導體晶圓的切割方法的特徵在於：於所述（e）步驟之前，藉由紫外線照射對所述切割帶中的未貼附所述半導體晶圓的區域的黏著劑層進行硬化。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-239595號公報
[發明所欲解決之課題] 關於使用支撐構件的半導體裝置的製造方法中使用的現有的黏著性膜，本發明者發現了如下所述的課題。 首先，就使與電路面的密接性良好的觀點而言，對兩面形成有電路圖案的半導體晶圓中使用的黏著性膜要求追隨電路面的凹凸的特性。因此，對於所述黏著性膜，使用凹凸追隨性優異的樹脂層。 然而，根據本發明者的研究，發現凹凸追隨性優異的樹脂層的耐溶劑性欠佳。 進而，根據本發明者的研究可知：若使用耐溶劑性優異的黏著性膜，則此次凹凸追隨性變差。若凹凸追隨性差，則溶劑進入至黏著性膜與電路面的間隙，而產生黏著性膜剝離等問題。 即，根據本發明者的研究可知：對於使用支撐構件的半導體裝置的製造方法中使用的現有的黏著性膜，對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性之間存在折衷的關係。即，本發明者發現就平衡性良好地提高對於電路圖案的追隨性及耐溶劑性的觀點而言，現有的黏著性膜存在改善的餘地。
本發明是鑒於所述實情而成者，提供一種將對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存的半導體裝置製造用黏著性膜及使用其的半導體裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。其結果發現藉由使用依次具有耐溶劑性樹脂層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層的黏著性膜，且以黏著性樹脂層成為半導體晶圓的電路面側的方式使用所述黏著性膜，可將對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存，從而完成本發明。
根據本發明，提供以下所示的半導體裝置製造用黏著性膜及半導體裝置的製造方法。 [發明的效果]
[1] 一種半導體裝置製造用黏著性膜，其為半導體裝置的製造方法中的黏著性膜，所述半導體裝置的製造方法至少包括： 準備結構體的步驟，所述結構體包括：半導體晶圓，具有包含第1電路圖案的第1電路面及所述第1電路面的相反側的包含第2電路圖案的第2電路面；支撐構件，於所述半導體晶圓的所述第1電路面側介隔接著劑層而設置；以及所述黏著性膜，貼合於所述半導體晶圓的所述第2電路面側； 將所述支撐構件自所述結構體去除的步驟；以及 藉由溶劑將所述半導體晶圓的所述第1電路面側的所述接著劑層的殘渣去除的步驟； 且所述半導體裝置製造用黏著性膜依次具有耐溶劑性樹脂層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層， 所述黏著性樹脂層以成為所述半導體晶圓的所述第2電路面側的方式使用。 [2] 如所述[1]所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述耐溶劑性樹脂層包含溶解度參數為9.0以上的樹脂。 [3] 如所述[1]或[2]所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述耐溶劑性樹脂層包含在25℃的條件下的拉伸彈性模數（E'）為300 MPa以下的樹脂。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述溶劑的溶解度參數未滿9.0。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述溶劑包含烴系溶劑。 [6] 如所述[1]至[5]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中於所述耐溶劑性樹脂層與所述凹凸吸收性樹脂層之間更包括接著層。 [7] 如所述[6]所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述接著層包含選自(甲基)丙烯酸系接著劑及聚烯烴系接著劑中的至少一種。 [8] 如所述[1]至[7]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述耐溶劑性樹脂層包含選自由聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯、聚醯亞胺及聚醯胺所組成的群組中的一種或兩種以上。 [9] 如所述[1]至[8]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述凹凸吸收性樹脂層包含選自由聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂所組成的群組中的一種或兩種以上。 [10] 如所述[9]所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中所述凹凸吸收性樹脂層包含選自乙烯·α-烯烴共聚物及乙烯·乙酸乙烯酯共聚物中的至少一種。 [11] 如所述[1]至[10]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜， 其中構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。 [12] 一種半導體裝置的製造方法，其至少包括： 準備結構體的步驟，所述結構體包括：半導體晶圓，具有包含第1電路圖案的第1電路面及所述第1電路面的相反側的包含第2電路圖案的第2電路面；支撐構件，於所述半導體晶圓的所述第1電路面側介隔接著劑層而設置；以及黏著性膜，貼合於所述半導體晶圓的所述第2電路面側； 將所述支撐構件自所述結構體去除的步驟；以及 藉由溶劑將所述半導體晶圓的所述第1電路面側的所述接著劑層的殘渣去除的步驟；且 使用如所述[1]至[11]中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜來作為所述黏著性膜。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種將對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存的半導體裝置製造用黏著性膜及使用其的半導體裝置的製造方法。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。此外，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。此外，數值範圍的「A～B」若無特別說明，則表示A以上、B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
圖1是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜50的結構的一例的剖面圖。圖2是示意性表示本發明的實施形態的半導體裝置的製造方法的一例的剖面圖。 如圖1所示般，本實施形態的半導體裝置製造用黏著性膜50（以下，均表示為「黏著性膜50」）為至少包括以下的步驟（A）～步驟（C）的半導體裝置的製造方法中的黏著性膜，且依次具有耐溶劑性樹脂層10、凹凸吸收性樹脂層20及黏著性樹脂層30，黏著性樹脂層30以成為半導體晶圓60的第2電路面65B側的方式使用。 （A）準備結構體100的步驟，所述結構體100包括：半導體晶圓60，具有包含第1電路圖案63A的第1電路面65A及第1電路面65A的相反側的包含第2電路圖案63B的第2電路面65B；支撐構件80，於半導體晶圓60的第1電路面65A側介隔接著劑層70而設置；以及黏著性膜50，貼合於半導體晶圓60的第2電路面65B側。 （B）將支撐構件80自結構體100去除的步驟。 （C）藉由溶劑將半導體晶圓60的第1電路面65A側的接著劑層70的殘渣去除的步驟。
如上所述般，關於使用支撐構件的半導體裝置的製造方法中使用的現有的黏著性膜，本發明者發現了如下所述的課題。 首先，就使與電路面的密接性良好的觀點而言，對兩面形成有電路圖案的半導體晶圓中使用的黏著性膜要求追隨電路面的凹凸的特性。因此，對於所述黏著性膜，使用凹凸追隨性優異的樹脂層。 然而，根據本發明者的研究，發現凹凸追隨性優異的樹脂層的耐溶劑性欠佳。
進而，根據本發明者的研究可知：若使用耐溶劑性優異的黏著性膜，則此次凹凸追隨性變差。若凹凸追隨性差，則溶劑進入至黏著性膜與電路面的間隙，而產生黏著性膜剝離等問題。 即，根據本發明者的研究可知：對於使用支撐構件的半導體裝置的製造方法中使用的現有的黏著性膜，對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性之間存在折衷的關係。即，本發明者發現就平衡性良好地提高對於電路圖案的追隨性及耐溶劑性的觀點而言，現有的黏著性膜存在改善的餘地。
本發明者基於與使用支撐構件的半導體裝置的製造方法中使用的現有的黏著性膜有關的所述發現，為了實現可平衡性良好地提高對於電路圖案的追隨性及耐溶劑性的半導體裝置製造用黏著性膜，反覆進行銳意研究。其結果發現藉由使用依次具有耐溶劑性樹脂層10、凹凸吸收性樹脂層20及黏著性樹脂層30的黏著性膜50，且以黏著性樹脂層30成為半導體晶圓60的第2電路面65B側的方式使用所述黏著性膜50，可將對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存。 藉由黏著性膜50包括耐溶劑性樹脂層10，即便黏著性膜50浸漬於溶劑中，亦可抑制黏著性膜50整體的膨潤或變形，可使黏著性膜50的耐溶劑性良好。另外，藉由黏著性膜50包括凹凸吸收性樹脂層20，電路圖案的凹凸的吸收性變得良好，可提高黏著性膜50對於電路圖案的追隨性。 以上，根據本實施形態的黏著性膜50，可使對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存。
1.黏著性膜 以下，對本實施形態的半導體裝置的製造方法中使用的黏著性膜50進行說明。
＜耐溶劑性樹脂層＞ 耐溶劑性樹脂層10是出於使黏著性膜50的耐溶劑性或操作性、機械特性等特性更良好的目的而設置的層。 耐溶劑性樹脂層10只要為相對於去除接著劑層70的殘渣時使用的溶劑而為不會引起膨潤或變形等程度的耐溶劑性，則並無特別限定，例如可列舉包含耐溶劑性樹脂的樹脂膜。
構成耐溶劑性樹脂層10的耐溶劑性樹脂例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚氯乙烯系樹脂；聚偏二氯乙烯系樹脂；聚乙酸乙烯酯系樹脂；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；聚碳酸酯；改質聚苯醚；聚縮醛；聚芳酯；聚碸；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醚酮；氟系樹脂；液晶聚合物；聚苯并咪唑；聚苯并噁唑等。
該些中，就耐溶劑性或機械強度、透明性、價格等平衡性優異的觀點而言，較佳為選自由聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯、聚醯亞胺及聚醯胺所組成的群組中的一種或兩種以上，就耐溶劑性及柔軟性的平衡性優異的觀點而言，更佳為選自由聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂及聚乙酸乙烯酯系樹脂所組成的群組中的一種或兩種以上，進而佳為選自由聚氯乙烯系樹脂及聚乙酸乙烯酯系樹脂所組成的群組中的至少一種，尤佳為軟質聚氯乙烯系樹脂。
構成耐溶劑性樹脂層10的耐溶劑性樹脂的溶解度參數較佳為9.0以上。 若使用所述耐溶劑性樹脂，則可進一步抑制將接著劑層70的殘渣去除時的黏著性膜50的膨潤或變形等。 本實施形態中，溶解度參數是藉由由希爾德布蘭（Hildebrand）導入的規則溶液理論進行定義的值。 構成耐溶劑性樹脂層10的耐溶劑性樹脂的溶解度參數的上限並無特別限定，例如為30.0以下，較佳為20.0以下，更佳為15.0以下。
構成耐溶劑性樹脂層10的耐溶劑性樹脂在25℃的條件下的拉伸彈性模數（E'）較佳為300 MPa以下。拉伸彈性模數（E'）的下限並無特別限定，例如為1 MPa以上，較佳為10 MPa以上，更佳為50 MPa以上。 若使用所述耐溶劑性樹脂，則黏著性膜50的伸縮性或柔軟性提高，於拾取半導體晶片90的步驟中容易使黏著性膜50於面內方向上擴張。 藉由所述方式，鄰接的半導體晶片90間的間隔容易擴大，因此容易自黏著性膜50上拾取半導體晶片90。進而，藉由因黏著性膜50的面內方向的擴張而產生的半導體晶片90與黏著性樹脂層30的剪切應力，半導體晶片90與黏著性樹脂層30的黏著力容易下降，因此容易自黏著性膜50上拾取半導體晶片90。 進而，若使用拉伸彈性模數（E'）為所述上限值以下的耐溶劑性樹脂，則黏著性膜50的整體的凹凸吸收性進一步提高，追隨半導體晶圓60的包含電路圖案的電路面的凹凸，可進一步提高半導體晶圓60的電路面與黏著性膜50的密接性。 拉伸彈性模數（E'）可按照JIS K7161來測定。
耐溶劑性樹脂層10可為單層，亦可為兩種以上的層。 另外，為了形成耐溶劑性樹脂層10而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜，但就提高耐溶劑性樹脂層10的耐溶劑性及機械強度的觀點而言，較佳為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，耐溶劑性樹脂層10的厚度較佳為10 μm以上、1000 μm以下，更佳為10 μm以上、500 μm以下，進而佳為20 μm以上、300 μm以下。 耐溶劑性樹脂層10為了改良與其他層的黏接性，亦可進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗（under coat）處理、底塗（primer coat）處理等。
＜凹凸吸收性樹脂層＞ 凹凸吸收性樹脂層20是出於使黏著性膜50的對於電路圖案的追隨性良好，且使與電路面的黏著性膜50的密接性良好的目的而設置的層。 藉由具備凹凸吸收性樹脂層20，黏著性膜50整體的凹凸吸收性提高，追隨半導體晶圓60的包含電路圖案的電路面的凹凸，可提高半導體晶圓60的電路面與黏著性膜50的密接性。進而，可抑制因加工半導體晶圓60時施加的外力等，形成於半導體晶圓60的表面的電路圖案破裂。
構成凹凸吸收性樹脂層20的樹脂只要為顯示凹凸吸收性者，則並無特別限定，例如可列舉選自由聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂所組成的群組中的一種或兩種以上。
作為聚烯烴系樹脂，例如可列舉：直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯等聚乙烯；聚丙烯；包含乙烯及碳數3～12的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、包含丙烯及碳數4～12的α-烯烴的丙烯·α-烯烴共聚物、乙烯·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·環狀烯烴共聚物等乙烯系共聚物；乙烯·(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸丙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸丁酯共聚物等乙烯·不飽和羧酸酯共聚物；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丁酸乙烯酯共聚物、乙烯·硬脂酸乙烯酯共聚物等乙烯·乙烯酯共聚物等。
乙烯·α-烯烴共聚物中的碳原子數為3～12的α-烯烴例如可列舉：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-庚烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等，較佳為丙烯、1-丁烯等。 該些中，就凹凸吸收性更優異的方面而言，較佳為低密度聚乙烯；聚丙烯；乙烯·丙烯共聚物、乙烯·1-丁烯共聚物、乙烯·丙烯·碳原子數為4～12的α-烯烴的三元共聚物等乙烯·α-烯烴共聚物；丙烯·1-丁烯·碳原子數為5～12的α-烯烴三元共聚物；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物等，更佳為乙烯·α-烯烴共聚物及乙烯·乙酸乙烯酯共聚物。
作為聚苯乙烯系樹脂，例如可列舉：苯乙烯·丁二烯共聚物、丙烯腈·丁二烯·苯乙烯共聚物（Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS）、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物（Styrene Isoprene Styrene，SIS）、苯乙烯-乙烯·丁烯-苯乙烯嵌段共聚物（Styrene Ethylene Butylene Styrene，SEBS）、苯乙烯-乙烯·丙烯-苯乙烯嵌段共聚物（Styrene Ethylene Propylene Styrene，SEPS）、其他苯乙烯·二烯系嵌段共聚物或其他氫化物等聚苯乙烯系彈性體等。 作為(甲基)丙烯酸系樹脂，可列舉以(甲基)丙烯酸的烷酯作為成分的(甲基)丙烯酸系共聚物等。
凹凸吸收性樹脂層20的厚度只要為可埋入半導體晶圓的包含電路圖案的電路面的凹凸的厚度，則並無特別限制，例如較佳為10 μm以上、500 μm以下，更佳為20 μm以上、400 μm以下，進而佳為30 μm以上、300 μm以下，尤佳為50 μm以上、250 μm以下。
＜黏著性樹脂層＞ 黏著性樹脂層30為設置於凹凸吸收性樹脂層20的其中一面側的層，是於將黏著性膜50貼附於半導體晶圓60上時，與半導體晶圓60的第2電路面65B接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層30的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合體作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
作為構成黏著性樹脂層30的黏著劑，可使用藉由放射線而使黏著力下降的放射線交聯型黏著劑。由放射線交聯型黏著劑所構成的黏著性樹脂層30藉由放射線的照射而交聯，黏著力顯著減少，因此於半導體晶片90的拾取步驟中，容易自黏著性樹脂層30上拾取半導體晶片90。放射線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。 放射線交聯型黏著劑較佳為紫外線交聯型黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系聚合體例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、順丁烯二酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
放射線交聯型黏著劑例如包含：所述(甲基)丙烯酸系黏著劑等黏著劑、交聯性化合物（具有碳-碳雙鍵的成分）、以及光聚合起始劑或熱聚合起始劑。
交聯性化合物例如可列舉：分子中具有碳-碳雙鍵，可藉由自由基聚合而交聯的單體、寡聚物或聚合物等。此種交聯性化合物例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰脲酸酯、雙(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸2-羥基乙酯、三(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯等異氰脲酸酯或者異氰脲酸酯化合物等。 此外，於黏著劑為於聚合物的側鏈上具有碳-碳雙鍵的放射線交聯型聚合物的情況下，亦可不添加交聯性化合物。
相對於黏著劑100質量份，交聯性化合物的含量較佳為5質量份～900質量份，更佳為5質量份～100質量份，進而佳為10質量份～50質量份。藉由交聯性化合物的含量為所述範圍內，則與少於所述範圍內的情況相比，黏著力的調整變得容易，且與多於所述範圍內的情況相比，難以產生由於對熱或光的感度過高而引起的保存穩定性的下降。
光聚合起始劑若為藉由照射放射線而開裂生成自由基的化合物即可，例如可列舉：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚類；苄基、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類等。
熱聚合起始劑例如可列舉有機過氧化物衍生物或偶氮系聚合起始劑等。就加熱時不會產生氮的方面而言，較佳為有機過氧化物衍生物。熱聚合起始劑例如可列舉：酮過氧化物、過氧化縮酮、氫過氧化物、二烷基過氧化物、二醯基過氧化物、過氧化酯及過氧化二碳酸酯等。
黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。 就提高黏著性樹脂層30的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系聚合體100質量份，交聯劑的含量較佳為0.1質量份以上、10質量份以下。
黏著性樹脂層30的厚度並無特別限制，例如較佳為1 μm以上、100 μm以下，更佳為3 μm以上、50 μm以下。
黏著性樹脂層30例如可藉由在凹凸吸收性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，通常較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。進而佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
本實施形態的黏著性膜50的總透光率較佳為85%以上，更佳為90%以上。藉由所述操作，可對黏著性膜50賦予透明性。而且，藉由將黏著性膜50的總透光率設為所述下限值以上，可於對本實施形態的黏著性膜50，自耐溶劑性樹脂層10側照射放射線時，對黏著性樹脂層30更有效果地照射放射線，可提高放射線照射效率。此外，黏著性膜50的總透光率可依據JIS K7105（1981）來測定。
繼而，對本實施形態的黏著性膜50的製造方法的一例進行說明。 首先，於耐溶劑性樹脂層10的其中一面上，利用擠出層壓法來形成凹凸吸收性樹脂層20。繼而，藉由在凹凸吸收性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液，使其乾燥而形成黏著性樹脂層30，獲得黏著性膜50。 另外，耐溶劑性樹脂層10與凹凸吸收性樹脂層20可藉由共擠出成形而形成，亦可將膜狀的耐溶劑性樹脂層10與膜狀的凹凸吸收性樹脂層20進行層壓（積層）而形成。
＜接著層＞ 本實施形態的黏著性膜50較佳為於耐溶劑性樹脂層10與凹凸吸收性樹脂層20之間更包括接著層（未圖示）。藉此，可提高耐溶劑性樹脂層10與凹凸吸收性樹脂層20的密接性。 所述接著層例如可列舉：以(甲基)丙烯酸的烷酯作為成分的(甲基)丙烯酸系聚合物、乙烯·(甲基)丙烯酸酯·不飽和羧酸三元共聚物等(甲基)丙烯酸系接著劑；改質聚烯烴樹脂等聚烯烴系接著劑等。該些中較佳為(甲基)丙烯酸系接著劑。
＜脫模層＞ 本實施形態的黏著性膜50亦可於黏著性樹脂層30上進而積層脫模膜等脫模層。脫模層例如可列舉經實施脫模處理的聚酯膜等。此外，於將黏著性膜50貼附於半導體晶圓60的第2電路面65B前，將脫模層自黏著性樹脂層30去除。
2.半導體裝置的製造方法 繼而，對本實施形態的半導體裝置的製造方法進行說明。 本實施形態的半導體裝置的製造方法至少包括以下的3個步驟。 （A）準備結構體100的步驟，所述結構體100包括：半導體晶圓60，具有包含第1電路圖案63A的第1電路面65A及第1電路面65A的相反側的包含第2電路圖案63B的第2電路面65B；支撐構件80，於半導體晶圓60的第1電路面65A側介隔接著劑層70而設置；以及黏著性膜，貼合於半導體晶圓60的第2電路面65B側。 （B）將支撐構件80自結構體100去除的步驟。 （C）藉由溶劑將半導體晶圓60的第1電路面65A側的接著劑層70的殘渣去除的步驟。 而且，本實施形態的半導體裝置的製造方法中，所述黏著性膜使用所述本實施形態的半導體裝置製造用黏著性膜50。
以下對本實施形態的半導體裝置的製造方法的各步驟進行說明。
（步驟（A）） 首先，準備結構體100，所述結構體100包括：半導體晶圓60，具有包含第1電路圖案63A的第1電路面65A及第1電路面65A的相反側的包含第2電路圖案63B的第2電路面65B；支撐構件80，於半導體晶圓60的第1電路面65A側介隔接著劑層70而設置；以及黏著性膜50，貼合於半導體晶圓60的第2電路面65B側。
所述結構體例如可以如下順序製作。 首先，介隔接著劑層70而將支撐構件80貼合於具有包含第1電路圖案63A的第1電路面65A的半導體晶圓60的第1電路面65A上。繼而，對半導體晶圓的與第1電路面65A為相反側的背面側進行電路加工，而形成包含第2電路圖案63B的第2電路面65B。 繼而，以第2電路面65B側與黏著性樹脂層30相向的方式將半導體晶圓60貼附於黏著性膜50，藉此可製作結構體100。
半導體晶圓60並無特別限定，例如可列舉矽、鍺、鎵-砷、鎵-磷、鎵-砷-鋁等半導體晶圓。
支撐構件80並無特別限定，例如可使用玻璃基板或陶瓷基板、金屬基板等。 作為將支撐構件80貼合於半導體晶圓60的第1電路面65A上的方法，例如可列舉如下方法：將接著劑塗佈於半導體晶圓60的第1電路面65A上後，使塗佈的接著劑乾燥而形成接著劑層70，繼而，於接著劑層70上貼合支撐構件80。
接著劑層70中使用的接著劑並無特別限定，可使用公知的接著劑，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系接著劑、環氧系接著劑、矽酮系接著劑、胺基甲酸酯系接著劑、烯烴系接著劑、苯乙烯系接著劑等。該些中較佳為烯烴系接著劑。
黏著性膜50的對半導體晶圓60的貼附亦可用人的手來進行，但通常利用安裝有卷狀的表面保護膜的自動黏貼機來進行。 對黏著性膜50及半導體晶圓60的貼附時的溫度並無特別限制，較佳為25℃～80℃。 另外，對黏著性膜50與半導體晶圓60的貼附時的壓力並無特別限制，較佳為0.3 MPa～0.5 MPa。
（步驟（B）） 繼而，將支撐構件80自結構體100去除。 支撐構件80的剝離亦有利用手來進行的情況，但通常利用稱為自動剝離機的裝置來進行。
（步驟（C）） 繼而，藉由溶劑將半導體晶圓60的第1電路面65A側的接著劑層70的殘渣去除。 作為溶劑，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基異胺基酮、2-庚酮、環己酮等酮系溶劑；乙二醇、丙二醇、二乙二醇、乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯或該些的單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚或單苯醚等多元醇系溶劑；二噁烷等環式醚系溶劑；乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯系溶劑；己烷、環己烷、甲基環己烷、苯、四甲基苯、甲苯、二甲苯、檸檬烯、月桂油烯、薄荷烷、正壬烷、正癸烷、1-癸烯、異壬烷、異癸烷、異十一烷、異十二烷、萜品烯、茚等烴系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等一元醇系溶劑；γ-丁內酯等內酯系溶劑；γ-丁內醯胺等內醯胺系溶劑；二乙醚或苯甲醚等醚系溶劑；二甲基甲醛、二甲基乙醛等醛類系溶劑等。
該些中，就接著劑層70的殘渣去除性能或價格等平衡優異的觀點而言，較佳為烴系溶劑。
所述溶劑的溶解度參數較佳為未滿9.0。 若使用所述溶劑，則可進一步有效率地去除接著劑層70的殘渣，並進一步抑制黏著性膜50的膨潤或變形等。 所述溶劑的溶解度參數是藉由由希爾德布蘭（Hildebrand）導入的規則溶液理論進行定義的值。
（步驟（D）） 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，較佳為於步驟（C）後更包括切割半導體晶圓60而獲得多個半導體晶片90的步驟（D）。 半導體晶片90的切割可利用公知的方法進行。
此處所謂的「切割」中包含： （a）藉由對半導體晶圓60設置與該半導體晶圓60的厚度相同的深度的切口，將半導體晶圓60分割而獲得多個經分割的半導體晶片90的操作（以下亦稱為「全切（full cut）切割」）；以及 （b）藉由照射雷射光，對半導體晶圓60設置未達到半導體晶圓60的切斷的程度的變質區域，獲得多個半導體晶片90的操作（以下亦稱為「隱形（stealth）切割」）。 所述切割可使用切割刀片（切割鋸）、雷射光等來進行。
於切割為全切切割的情況下，藉由切割，半導體晶圓60分割為多個半導體晶片90。 另一方面，於切割為隱形切割的情況下，僅藉由切割，半導體晶圓60未達到分割為多個半導體晶片90的程度，藉由切割後的黏著性膜50的擴張，半導體晶圓60被分割而獲得多個經分割的半導體晶片90。
（步驟（E）） 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，亦可於步驟（D）後進而進行自黏著性樹脂層30將半導體晶片90拾取的步驟（E）。 藉由該拾取，可自黏著性膜50上剝離半導體晶片90。 半導體晶片90的拾取可利用公知的方法來進行。
步驟（E）中，較佳為以使黏著性樹脂層30中的貼附有半導體晶片90的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的半導體晶片90間的間隔擴大的狀態，自黏著性樹脂層30上拾取半導體晶片90。 藉由所述方式，鄰接的半導體晶片90間的間隔擴大，因此容易自黏著性膜50上拾取半導體晶片90。進而，藉由因黏著性膜50的面內方向的擴張而產生的半導體晶片90與黏著性樹脂層30的剪切應力，半導體晶片90與黏著性樹脂層30的黏著力下降，因此容易自黏著性膜50上拾取半導體晶片90。
（步驟（F）） 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，較佳為於步驟（E）前更包括步驟（F）：藉由對黏著性膜50照射放射線，使黏著性樹脂層30進行交聯，而使黏著性樹脂層30對半導體晶片90的黏著力下降。 藉由進行步驟（F），可更容易自黏著性樹脂層30上拾取半導體晶片90。另外，可進一步抑制藉由構成黏著性樹脂層30的黏著成分而污染半導體晶片90的表面。 放射線例如是自黏著性膜50的耐溶劑性樹脂層10側照射。 於使用紫外線作為放射線的情況下，對黏著性膜50照射的紫外線的線量較佳為100 mJ/cm2 以上，更佳為350 mJ/cm2 以上。 若紫外線的線量為所述下限值以上，則可使黏著性樹脂層30的黏著力充分下降，其結果為，可進一步抑制於半導體晶片90表面產生殘膠。 另外，對黏著性膜50照射的紫外線的線量的上限並無特別限定，就生產性的觀點而言，例如為1500 mJ/cm2 以下，較佳為1200 mJ/cm2 以下。 紫外線照射例如可使用高壓水銀燈或發光二極體（Light Emitting Diode，LED）來進行。 步驟（F）可於步驟（D）之前進行，亦可於步驟（D）之後進行，較佳為於步驟（D）之後進行。
（其他步驟） 本實施形態的半導體裝置的製造方法亦可包括所述以外的其他步驟。其他步驟可使用半導體裝置的製造方法中公知的步驟。
例如，於進行步驟（E）之後，亦可進而進行將所得的半導體晶片90安裝於電路基板上的步驟，或引線接合（wire bonding）步驟、密封步驟等電子零件的製造步驟中通常進行的任意步驟等。
另外，例如可更包括如下步驟：利用通常使用的方法，於半導體晶圓60的電路形成面上進行電極形成以及於非電路面上進行保護膜形成。設置有該進行電極形成及樹脂密封的步驟的製造方法亦稱為晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP）。 另外，亦可更包括於半導體晶圓60的電路面上形成再配線層的步驟。藉由在超過半導體晶片面積的寬廣區域中形成再配線層而獲得的半導體裝置亦稱為扇出封裝（Fan-out Package）。
以上，已對本發明的實施形態進行了說明，但該些為本發明的例示，亦可採用所述以外的多種構成。
此外，本發明並不限定於所述實施形態，可達成本發明的目的的範圍內的變形、改良等包含於本發明中。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於此。
黏著性膜及結構體的製作中使用的材料的詳情如下所述。
＜耐溶劑性樹脂層形成用樹脂＞ 耐溶劑性樹脂1：軟質聚氯乙烯（溶解度參數：9.8、25℃的條件下的拉伸彈性模數（E'）：150 MPa（按照JIS K7161來進行測定））
＜凹凸吸收性樹脂層形成用樹脂＞ 凹凸吸收性樹脂1：乙烯·α-烯烴共聚物（三井化學公司製造，商品名：塔夫瑪（TAFMER）（註冊商標）） 凹凸吸收性樹脂2：乙烯·乙酸乙烯酯共聚物（三井杜邦聚化學（Mitsui Dupont Polychemicals，商品名：維波拉姆（EVAFLEX）（註冊商標））
＜黏著性樹脂層形成用黏著劑＞ 黏著劑1：丙烯酸系黏著劑（總研化學公司製造，商品名：SK Dyne（註冊商標））
＜接著劑層形成用接著劑＞ 接著劑1：烯烴系接著樹脂（三井化學公司製造，商品名：阿派拉（apelle）（註冊商標））
[實施例1] 於包含耐溶劑性樹脂1的軟質聚氯乙烯膜（厚度：70 μm）上，以厚度10 μm塗佈丙烯酸系接著劑（東亞合成公司製造，商品名：阿隆塔克（ARONTACK））。繼而，於丙烯酸系接著層上積層成為凹凸吸收性樹脂層的包含凹凸吸收性樹脂1的膜（厚度：100 μm）。 繼而，於所得的膜的凹凸吸收性樹脂層上塗佈黏著劑1的塗佈液後，進行乾燥，形成厚度20 μm的黏著性樹脂層，而獲得黏著性膜。 對所得的黏著性膜進行以下的評價。將所得的結果示於表1中。
[實施例2] 使用包含凹凸吸收性樹脂2的膜（厚度：100 μm）代替包含凹凸吸收性樹脂1的膜，除此以外與實施例1同樣地獲得黏著性膜。 於對實施例2中所得的黏著性膜進行以下的評價的情況下，將所得的結果示於表1中。
[比較例1] 於成為凹凸吸收性樹脂層的包含凹凸吸收性樹脂1的膜（厚度：200 μm）上，塗佈黏著劑1的塗佈液後，進行乾燥，形成厚度20 μm的黏著性樹脂層，而獲得黏著性膜。 對所得的黏著性膜進行以下的評價。將所得的結果示於表1中。
[比較例2] 於包含耐溶劑性樹脂1的軟質聚氯乙烯膜（厚度：70 μm）上，塗佈黏著劑1的塗佈液後，進行乾燥，形成厚度20 μm的黏著性樹脂層，而獲得黏著性膜。 對所得的黏著性膜進行以下的評價。將所得的結果示於表1中。
＜評價＞ （1）對於電路圖案的追隨性的評價 使用實施例·比較例中所得的黏著性膜而製作將支撐構件80自圖2所示的結構體100去除的結構體A。此處，作為用以形成接著劑層70的接著劑，使用接著劑1。繼而，將所得的結構體A於檸檬烯（溶解度參數：7.8）中於25℃下浸漬10分鐘，而去除接著劑層70。 繼而，利用下述基準評價黏著性膜的對於電路圖案的追隨性。 ○：未觀察到半導體晶圓與黏著性膜的剝離，半導體晶圓的電路面與黏著性膜的密接性良好。 ×：觀察到半導體晶圓與黏著性膜的剝離，半導體晶圓的電路面與黏著性膜的密接性差。
（2）耐溶劑性的評價 將所得的黏著性膜於檸檬烯（溶解度參數：7.8）中於25℃下浸漬10分鐘。繼而，利用下述基準評價黏著性膜的耐溶劑性。 ○：未藉由目視觀察到黏著性膜的膨潤或變形。 ×：藉由目視觀察到黏著性膜的膨潤或變形。
[表1] 表1
Figure 106110711-A0304-0001
實施例1的黏著性膜對於電路圖案的追隨性及耐溶劑性優異。另外，實施例2中記載的黏著性膜亦與實施例1的黏著性膜同樣地具有凹凸吸收性樹脂層及耐溶劑性樹脂層，因此可理解為可獲得與實施例1的黏著性膜同樣的結果。即，可理解為根據本實施形態的黏著性膜50，可將對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存。 與此相對，不含耐溶劑性樹脂層的比較例1的黏著性膜對於電路圖案的追隨性及耐溶劑性差。另外，不含凹凸吸收性樹脂層的比較例2的黏著性膜對於電路圖案的追隨性差。 即，可理解為比較例1及比較例2的黏著性膜中，無法將對於電路圖案的追隨性與耐溶劑性併存。
本申請案主張以2016年3月31日提出申請的日本申請特願2016-070392號作為基礎的優先權，將其揭示的全部併入本申請案中。
10‧‧‧耐溶劑性樹脂層 20‧‧‧凹凸吸收性樹脂層 30‧‧‧黏著性樹脂層 50‧‧‧黏著性膜 60‧‧‧半導體晶圓 63A‧‧‧第1電路圖案 63B‧‧‧第2電路圖案 65A‧‧‧第1電路面 65B‧‧‧第2電路面 70‧‧‧接著劑層 80‧‧‧支撐構件 90‧‧‧半導體晶片 100‧‧‧準備結構體
所述目的及其他目的、特徵及優點藉由以下所述的較佳實施形態、以及其中隨附的以下的圖式而進一步明確。
圖1是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜的結構的一例的剖面圖。 圖2是示意性表示本發明的實施形態的半導體裝置的製造方法的一例的剖面圖。
10:耐溶劑性樹脂層
20:凹凸吸收性樹脂層
30:黏著性樹脂層
50:黏著性膜

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置製造用黏著性膜，其為半導體裝置的製造方法中的黏著性膜，所述半導體裝置的製造方法至少包括：準備結構體的步驟，所述結構體包括：半導體晶圓，具有包含第1電路圖案的第1電路面及所述第1電路面的相反側的包含第2電路圖案的第2電路面；支撐構件，於所述半導體晶圓的所述第1電路面側介隔接著劑層而設置；以及所述黏著性膜，貼合於所述半導體晶圓的所述第2電路面側；將所述支撐構件自所述結構體去除的步驟；以及藉由溶劑將所述半導體晶圓的所述第1電路面側的所述接著劑層的殘渣去除的步驟；且所述半導體裝置製造用黏著性膜依次具有耐溶劑性樹脂層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，所述黏著性樹脂層以成為所述半導體晶圓的所述第2電路面側的方式使用，構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述耐溶劑性樹脂層包含溶解度參數為9.0以上的樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置製 造用黏著性膜，其中所述耐溶劑性樹脂層包含在25℃的條件下的拉伸彈性模數(E')為300MPa以下的樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述溶劑的溶解度參數未滿9.0。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述溶劑包含烴系溶劑。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中於所述耐溶劑性樹脂層與所述凹凸吸收性樹脂層之間更包括接著層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述接著層包含選自(甲基)丙烯酸系接著劑及聚烯烴系接著劑中的至少一種。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述耐溶劑性樹脂層包含選自由聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯、聚醯亞胺及聚醯胺所組成的群組中的一種或兩種以上。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述凹凸吸收性樹脂層包含選自由聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂所組成的群組中的一種或兩種以上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體裝置製造用黏著性膜，其中所述凹凸吸收性樹脂層包含選自乙烯．α-烯烴共聚物及 乙烯．乙酸乙烯酯共聚物中的至少一種。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其至少包括：準備結構體的步驟，所述結構體包括：半導體晶圓，具有包含第1電路圖案的第1電路面及所述第1電路面的相反側的包含第2電路圖案的第2電路面；支撐構件，於所述半導體晶圓的所述第1電路面側介隔接著劑層而設置；以及黏著性膜，貼合於所述半導體晶圓的所述第2電路面側；將所述支撐構件自所述結構體去除的步驟；以及藉由溶劑將所述半導體晶圓的所述第1電路面側的所述接著劑層的殘渣去除的步驟；且使用如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的半導體裝置製造用黏著性膜來作為所述黏著性膜。
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