TW202214803A - 背面研磨用黏著性膜及電子裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種背面研磨用黏著性膜（50），包括基材層（10）以及設置於基材層（10）的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層（20），並且用於保護電子零件（30）的表面，其中藉由下述方法測定的、紫外線硬化後的黏著性膜（50）的60°剝離強度為0.4 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下。（方法）以黏著性樹脂層（20）與矽鏡面晶圓相接的方式將黏著性膜（50）貼附於所述矽鏡面晶圓上。繼而，於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對黏著性膜（50）照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線，使黏著性樹脂層（20）紫外線硬化。繼而，使用拉伸試驗機將黏著性膜（50）於23℃、速度150 mm/分鐘的條件下自所述矽鏡面晶圓沿60°方向剝離，將此時的強度（N/25 mm）作為60°剝離強度。

Description

背面研磨用黏著性膜及電子裝置的製造方法
本發明是有關於一種背面研磨用黏著性膜及電子裝置的製造方法。
於電子裝置的製造步驟中，於研磨電子零件的步驟中，為了將電子零件固定、或防止電子零件的損傷，而於電子零件的電路形成面上貼附黏著性膜。 於此種黏著性膜中，通常使用於基材膜上積層有黏著性樹脂層的膜。
隨著高密度安裝技術的進步，要求半導體晶圓等電子零件的薄厚化，要求進行薄厚加工至例如50 μm以下的厚度。 作為此種薄厚加工之一，有先切割法，即於電子零件的研磨加工之前，於電子零件的表面形成既定深度的槽，繼而藉由進行研磨將電子零件單片化。另外，有先隱形法，即於研磨加工之前，藉由向電子零件內部照射雷射而形成改質區域，繼而藉由進行研磨將電子零件單片化。
作為與此種先切割法、先隱形法用的黏著性膜相關的技術，例如可列舉專利文獻1（日本專利特開2014-75560號公報）及專利文獻2（日本專利特開2016-72546號公報）中記載者。
於專利文獻1中記載了一種表面保護片材，於基材上具有黏著劑層，且滿足下述必要條件（a）～必要條件（d）。 （a）所述基材的楊氏模量為450 MPa以上 （b）所述黏著劑層於25℃下的儲存彈性係數為0.10 MPa以上 （c）所述黏著劑層於50℃下的儲存彈性係數為0.20 MPa以下 （d）所述黏著劑層的厚度為30 μm以上 於專利文獻1中記載了此種表面保護片材於工件的背面研磨步驟時抑制水自切斷工件而形成的間隙浸入工件的被保護表面（淤泥浸入），從而能夠防止工件的被保護表面的污染。
於專利文獻2中記載了一種半導體晶圓表面保護用黏著膠帶，其特徵在於：具有基材樹脂膜以及形成於所述基材樹脂膜的至少單面側的放射線硬化性的黏著劑層，所述基材樹脂膜具有至少一層拉伸彈性係數為1 GPa～10 GPa的剛性層，且使所述黏著劑層放射線硬化後的剝離角度30°下的剝離力為0.1 N/25 mm～3.0 N/25 mm。 於專利文獻2中記載了藉由此種半導體晶圓表面保護用黏著膠帶，於應用了先切割法或先隱形法的半導體晶圓的背面研磨步驟中，可抑制經單片化的半導體晶片的劃痕偏離，並且於不損壞或污染半導體晶圓的情況下進行加工。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2014-75560號公報 專利文獻2：日本專利特開2016-72546號公報
[發明所欲解決之課題]
根據本發明者等人的研究，明確到例如於使用了先切割法或先隱形法等的電子裝置的製造製程中，於背面研磨步驟後自電子零件剝離黏著性膜時，於電子零件側容易產生殘膠。
本發明是鑒於所述情況而成，提供一種背面研磨用黏著性膜，能夠抑制於背面研磨步驟後，自電子零件剝離黏著性膜時的電子零件側的殘膠。 [解決課題之手段]
本發明者等人為達成所述課題反覆進行了努力研究。其結果發現於包括基材層以及紫外線硬化型的黏著性樹脂層的黏著性膜中，藉由使用紫外線硬化後的60°剝離強度處於特定範圍的黏著性樹脂層，能夠抑制於背面研磨步驟後，自電子零件剝離黏著性膜時的電子零件側的殘膠。
根據本發明，提供一種以下所示的背面研磨用黏著性膜及電子裝置的製造方法。
[1] 一種背面研磨用黏著性膜，包括基材層以及設置於所述基材層的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層，並且用於保護電子零件的表面，其中， 藉由下述方法測定的、紫外線硬化後的所述黏著性膜的60°剝離強度為0.4 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下。 （方法） 以所述黏著性樹脂層與矽鏡面晶圓相接的方式將所述黏著性膜貼附於所述矽鏡面晶圓上。繼而，於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對所述黏著性膜照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線，使所述黏著性樹脂層紫外線硬化。繼而，使用拉伸試驗機將所述黏著性膜於23℃、速度150 mm/分鐘的條件下自所述矽鏡面晶圓沿60°方向剝離，將此時的強度（N/25 mm）作為60°剝離強度。 [2] 如所述[1]所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 所述黏著性樹脂層包含分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂以及光起始劑。 [3] 如所述[1]或[2]所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 所述電子零件被半切或形成有改質層。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 所述黏著性樹脂層的厚度為5 μm以上且300 μm以下。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 構成所述基材層的樹脂包含選自聚烯烴、聚酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、離子聚合物、聚碸、聚醚碸及聚苯醚中的一種或兩種以上。 [6] 一種電子裝置的製造方法，至少包括： 步驟（A），準備結構體，所述結構體包括具有電路形成面的電子零件以及貼合於所述電子零件的所述電路形成面側的黏著性膜； 步驟（B），對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行背面研磨；以及 步驟（C），於對所述黏著性膜照射紫外線之後自所述電子零件除去所述黏著性膜；其中， 所述黏著性膜為如所述[1]至[5]中任一項所述的背面研磨用黏著性膜。 [7] 如所述[6]所述的電子裝置的製造方法，其中， 所述步驟（A）包括： 步驟（A1），選自對所述電子零件進行半切的步驟（A1-1）及對於所述電子零件照射雷射而於所述電子零件上形成改質層的步驟（A1-2）中的至少一種；以及 步驟（A2），於所述步驟（A1）之後，於所述電子零件的所述電路形成面側貼附所述背面研磨用黏著性膜。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種背面研磨用黏著性膜，能夠抑制於背面研磨步驟後，自電子零件剝離黏著性膜時的電子零件側的殘膠。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。再者，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。再者，數值範圍的「A～B」若無特別說明，則表示A以上且B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
1. 黏著性膜 圖1是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜50的結構的一例的剖面圖。 如圖1所示，本實施形態的背面研磨用黏著性膜50包括基材層10以及設置於基材層10的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層20，並且用於保護電子零件30的表面，其中，藉由下述方法測定的、紫外線硬化後的黏著性膜50的60°剝離強度為0.4 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下。 （方法） 以黏著性樹脂層20與矽鏡面晶圓相接的方式將黏著性膜50貼附於所述矽鏡面晶圓上。繼而，於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對黏著性膜50照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線，使黏著性樹脂層20紫外線硬化。繼而，使用拉伸試驗機將黏著性膜50於23℃、速度150 mm/分鐘的條件下自所述矽鏡面晶圓沿60°方向剝離，將此時的強度（N/25 mm）作為60°剝離強度。
如上所述，根據本發明者等人的研究，明確到於使用了例如先切割法或先隱形法等的電子裝置的製造製程中，於背面研磨步驟後自電子零件30剝離黏著性膜50時，電子零件30側容易產生殘膠。 其理由尚不明確，但與通常的電子零件30的背面研磨步驟不同，需要自切斷後的電子零件30剝離背面研磨用黏著性膜50，因此認為切斷後的電子零件30的邊緣部容易產生殘膠。 本發明者等人為達成所述課題反覆進行了努力研究。其結果，首次發現於包括基材層10以及紫外線硬化型的黏著性樹脂層20的黏著性膜50中，藉由紫外線硬化後的黏著性樹脂層20的60°剝離強度處於所述範圍，可抑制於背面研磨步驟後，自電子零件30剝離黏著性膜50時的電子零件30側的殘膠。
本實施形態的黏著性膜50中，就防止相對於各種表面狀態下的晶圓而言的殘膠的觀點而言，紫外線硬化後的黏著性膜50的60°剝離強度為0.4 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下，較佳為3.0 N/25 mm以下，更佳為2.5 N/25 mm以下。 紫外線硬化後的黏著性膜50的60°剝離強度例如可藉由控制構成黏著性樹脂層20的黏合性樹脂或交聯劑、光起始劑的種類或調配比例、黏合性樹脂中的各單體的種類或含有比例來控制於所述範圍內。
就機械特性與操作性的平衡而言，本實施形態的黏著性膜50整體的厚度較佳為50 μm以上且600 μm以下，更佳為50 μm以上且400 μm以下，進而佳為50 μm以上且300 μm以下。
本實施形態的黏著性膜50亦可於無損本發明的效果的範圍內，於各層之間設置凹凸吸收性樹脂層或黏接層、抗靜電層（未圖示）等其他層。藉由凹凸吸收性樹脂層可提高黏著性膜50的凹凸吸收性。藉由黏接層可提高各層之間的黏接性。另外，藉由抗靜電層可提高黏著性膜50的抗靜電性。
本實施形態的黏著性膜50於電子裝置的製造步驟中，用於保護電子零件30的表面，更具體而言，於作為電子裝置的製造步驟之一的研磨電子零件30的步驟（亦稱為背面研磨步驟）中，用作為了保護電子零件30的電路形成面30A（即包含電路圖案的電路面）而使用的背面研磨膠帶。具體而言，被用於如下步驟：將黏著性膜50貼附於電子零件30的電路形成面30A來進行保護，並對與該電路形成面30A為相反側的面進行研磨。特別是，於使用了先切割法或先隱形法等的電子裝置的製造製程中，於背面研磨步驟後自電子零件30剝離黏著性膜50時，於電子零件30側容易產生殘膠，因此，於使用了先切割法或先隱形法等的電子裝置的製造製程中，可適合應用本實施形態的黏著性膜50。 此處，於先切割法中，電子零件30如圖1所示被半切。另外，於先隱形法中，電子零件30形成有藉由雷射照射而形成的改質層（於電子零件30的內部利用雷射進行內部加工而得的區域）。
接下來，對構成本實施形態的黏著性膜50的各層進行說明。
＜基材層＞ 基材層10是出於使黏著性膜50的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。 基材層10若具有可耐受對電子零件30進行加工時所施加的外力的機械強度，則並無特別限定，例如可列舉樹脂膜。 作為構成基材層10的樹脂，例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；(甲基)丙烯酸系樹酯；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；離子聚合物；聚碸；聚醚碸；聚醚醚酮等。 該些中，就使機械物性及透明性良好的觀點而言，較佳為選自聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯胺、聚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及聚對苯二甲酸丁二酯中的一種或兩種以上，更佳為選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯中的一種或兩種以上。
基材層10可為單層，亦可為兩種以上的層。 另外，為了形成基材層10而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜，但就提高基材層10的機械強度的觀點而言，較佳為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。就抑制研磨後的電子零件30的翹曲的觀點而言，較佳為預先對基材層10進行退火處理。為了改良與其他層的黏接性，亦可對基材層10進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗（under coat）處理、底塗（primer coat）處理等。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，基材層10的厚度較佳為20 μm以上且250 μm以下，更佳為30 μm以上且200 μm以下，進而佳為50 μm以上且150 μm以下。
＜黏著性樹脂層＞ 本實施形態的黏著性膜50包括紫外線硬化型的黏著性樹脂層20。 黏著性樹脂層20為設置於基材層10的其中一面側的層，且為於將黏著性膜50貼附於電子零件30的電路形成面30A上時，與電子零件30的電路形成面30A接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層20的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易地調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系樹脂作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
另外，作為構成黏著性樹脂層20的黏著劑，較佳為使用藉由紫外線而使黏著力下降的紫外線交聯型黏著劑。 由紫外線交聯型黏著劑構成的黏著性樹脂層20由於藉由紫外線的照射而交聯，黏著力顯著減小，因此容易將電子零件30自黏著性膜50剝離。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系樹脂例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯醯胺、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、馬來酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
紫外線交聯型的(甲基)丙烯酸系黏著劑可例示如下的黏著劑，其包含分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂、及光起始劑，且所述黏著劑視需要藉由交聯劑而使所述(甲基)丙烯酸系樹脂進行交聯而獲得。紫外線交聯型的(甲基)丙烯酸系黏著劑亦可更包含於分子內具有兩個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。
分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂具體而言是以如下方式獲得。首先，使具有乙烯性雙鍵的單體與具有官能基（P）的共聚合性單體進行共聚合。繼而，使該共聚物中所含的官能基（P）和具有可與該官能基（P）產生加成反應、縮合反應等的官能基（Q）的單體，以殘留該單體中的雙鍵的狀態進行反應，於共聚物分子中導入聚合性碳-碳雙鍵。
作為所述具有乙烯性雙鍵的單體，例如自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯及甲基丙烯酸烷基酯單體、乙酸乙烯酯之類的乙烯酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、苯乙烯等具有乙烯性雙鍵的單體中，使用一種或兩種以上。
所述具有官能基（P）的共聚合性單體可列舉：(甲基)丙烯酸、馬來酸、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯等。該些可為一種，亦可將兩種以上組合使用。 所述具有乙烯性雙鍵的單體與具有官能基（P）的共聚合性單體的比例較佳為，所述具有乙烯性雙鍵的單體為70質量%～99質量%，具有官能基（P）的共聚合性單體為1質量%～30質量%。進而佳為，所述具有乙烯性雙鍵的單體為80質量%～95質量%，具有官能基（P）的共聚合性單體為5質量%～20質量%。 所述具有官能基（Q）的單體例如可列舉與所述具有官能基（P）的共聚合性單體相同的單體。
於具有乙烯性雙鍵的單體與具有官能基（P）的共聚合性單體的共聚物中，導入聚合性碳-碳雙鍵時進行反應的官能基（P）與官能基（Q）的組合理想為羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等容易產生加成反應的組合。另外，並不限於加成反應，只要為羧酸基與羥基的縮合反應等可容易地導入聚合性碳-碳雙鍵的反應，則可使用任意的反應。
作為分子中具有兩個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物，例如可列舉：三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。該些可使用一種或兩種以上。相對於所述(甲基)丙烯酸系樹脂100質量份，分子中具有兩個以上的聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物的添加量較佳為0.1質量份～20質量份，更佳為5質量份～18質量份。
光起始劑例如可列舉：安息香、異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮（Michler's ketone）、氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮、苯乙酮二乙基縮酮、苄基二甲基縮酮、1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-4'-嗎啉代苯丁酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)丁烷-1-酮等。該些可使用一種或兩種以上。相對於所述(甲基)丙烯酸系樹脂100質量份，光起始劑的添加量較佳為0.1質量份～15質量份，更佳為1質量份～10質量份，進而佳為4質量份～10質量份。
所述紫外線硬化型黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物，四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物，四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。所述紫外線硬化型黏著劑可為溶劑類型、乳膠類型、熱熔類型等的任一種。
交聯劑的含量通常較佳為交聯劑中的官能基數不會多於(甲基)丙烯酸系樹脂中的官能基數的程度的範圍。但是，於交聯反應中新產生官能基的情況、或交聯反應緩慢的情況等，視需要亦可過量地含有。 就提高黏著性樹脂層20的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系樹脂100質量份，(甲基)丙烯酸系黏著劑中的交聯劑的含量較佳為0.1質量份以上且15質量份以下，更佳為0.5質量份以上且5質量份以下。
黏著性樹脂層20例如可藉由於基材層10上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 作為塗佈黏著劑塗佈液的方法，例如可採用輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等現有公知的塗佈方法。所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，通常較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。進而佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與(甲基)丙烯酸系樹脂的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
本實施形態的黏著性膜50中，黏著性樹脂層20的厚度較佳為5 μm以上且300 μm以下，更佳為10 μm以上且100 μm以下，進而佳為10 μm以上且50 μm以下。若黏著性樹脂層20的厚度為所述範圍內，則對電子零件30的表面的黏著性與操作性的平衡良好。
2. 電子裝置的製造方法 圖2中的（A）至（C）是示意性地表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。 本實施形態的電子裝置的製造方法例如至少包括以下三個步驟。 （A）準備結構體100的步驟，所述結構體100包括具有電路形成面30A的電子零件30及貼合於電子零件30的電路形成面30A側的黏著性膜50； （B）對電子零件30的與電路形成面30A側為相反側的面進行背面研磨的步驟（B）；以及 （C）對黏著性膜50照射紫外線之後自電子零件30除去黏著性膜50的步驟。 而且，作為黏著性膜50，使用本實施形態的黏著性膜50。本實施形態的電子裝置的製造方法的特徵在於，當對電子零件30的背面進行研磨時，使用本實施形態的黏著性膜50作為所謂的背面研磨膠帶。 以下，對本實施形態的電子裝置的製造方法的各步驟進行說明。
（步驟（A）） 首先，準備如下的結構體100，所述結構體100包括：具有電路形成面30A的電子零件30；及貼合於電子零件30的電路形成面30A側的黏著性膜50。 此種結構體100例如可藉由將脫模膜自黏著性膜50的黏著性樹脂層20剝離，使黏著性樹脂層20的表面露出，並於該黏著性樹脂層20上貼附電子零件30的電路形成面30A來製作。
此處，於黏著性膜50上貼附電子零件30的電路形成面30A時的條件並無特別限定，例如，溫度可設為20℃～80℃，壓力可設為0.05 MPa～0.5 MPa，貼附速度可設為0.5 mm/秒～20 mm/秒。
步驟（A）較佳為更包括：選自對電子零件30進行半切的步驟（A1-1）及對於電子零件30照射雷射而於電子零件30上形成改質層的步驟（A1-2）中的至少一種的步驟（A1），以及於步驟（A1）之後於電子零件30的電路形成面30A側貼附背面研磨用黏著性膜50的步驟（A2）。 如上所述，本實施形態的黏著性膜50可適合用於使用了先切割法或先隱形法等的電子裝置的製造製程。因此，較佳為進行成為先切割法的所述步驟（A1-1）或成為先隱形法的所述步驟（A1-2）的製造方法。
於步驟（A2）中，可將黏著性膜50加溫並貼附於電子零件30的電路形成面30A上。藉此，可長時間地使黏著性樹脂層20與電子零件30的黏接狀態良好。加溫溫度並無特別限定，例如為60℃～80℃。
將黏著性膜50貼附於電子零件30上的操作亦有利用人手來進行的情況，但通常可利用安裝有卷狀黏著性膜的被稱為自動黏貼機的裝置來進行。
貼附於黏著性膜50上的電子零件30並無特別限定，較佳為具有電路形成面30A的電子零件30。例如可列舉半導體晶圓、環氧模製晶圓、模製面板、模製陣列封裝（molding array package）、半導體基板等，較佳為半導體晶圓及環氧模製晶圓。 另外，半導體晶圓例如可列舉矽晶圓、藍寶石晶圓、鍺晶圓、鍺-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓、鎵-砷晶圓、鉭酸鋰晶圓等，但適宜地使用矽晶圓。環氧模製晶圓可列舉藉由作為扇出（fan-out）型晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP）的製作方法之一的嵌入式晶圓級球柵陣列（Embedded Wafer Level Ball Grid Array，EWLB）製程而製作的晶圓。 具有電路形成面的半導體晶圓及環氧模製晶圓並無特別限定，例如使用表面形成有配線、電容器、二極體或電晶體等電路者。另外，亦可對電路形成面進行電漿處理。
電子零件30的電路形成面30A例如可藉由具有凸塊電極等而成為凹凸面。 另外，凸塊電極例如為將電子裝置安裝於安裝面時，相對於安裝面上所形成的電極而接合，並形成電子裝置與安裝面（印刷基板等的安裝面）之間的電性連接者。 凸塊電極例如可列舉：球狀凸塊（ball bump）、印刷凸塊、螺柱凸塊（stud bump）、鍍覆凸塊、柱形凸塊（pillar bump）等。即，凸塊電極通常為凸電極。該些凸塊電極可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 凸塊電極的高度及直徑並無特別限定，分別較佳為10 μm～400 μm，更佳為50 μm～300 μm。此時的凸塊間距亦無特別限定，較佳為20 μm～600 μm，更佳為100 μm～500 μm。 另外，構成凸塊電極的金屬種並無特別限定，例如可列舉：焊料、銀、金、銅、錫、鉛、鉍及該些的合金等，但黏著性膜50適宜地用於凸塊電極為焊料凸塊的情形。該些金屬種可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
（步驟（B）） 繼而，對電子零件30的與電路形成面30A側為相反側的面（亦稱為背面）進行背面研磨。 此處，所謂背面研磨，是指於不會使電子零件30破損的情況下，進行薄化加工至既定的厚度為止。 例如，於研磨機的夾盤工作台（chuck table）等上固定結構體100，對電子零件30的背面（電路非形成面）進行研磨。
於此種背面研磨操作中，將電子零件30研磨至厚度成為所期望的厚度以下為止。研磨前的電子零件30的厚度是根據電子零件30的直徑、種類等來適當決定，研磨後的電子零件30的厚度是根據所獲得的晶片的尺寸、電路的種類等來適當決定。 另外，於電子零件30被半切，或者藉由雷射照射而形成有改質層的情況下，如圖1所示藉由步驟（B）將電子零件30單片化。
背面研磨方式並無特別限定，可採用公知的研磨方式。各種研磨可一面將水供給至電子零件30與研磨石上而冷卻一面進行。視需要可於研磨步驟的最後進行作為不使用研磨水的研磨方式的乾式拋光（dry polishing）步驟。背面研磨結束後，視需要進行化學蝕刻。化學蝕刻是利用以下等方法來進行：於選自由包含氫氟酸、硝酸、硫酸、乙酸等單獨或者混合液的酸性水溶液，氫氧化鉀水溶液、氫氧化鈉水溶液等鹼性水溶液所組成的群組中的蝕刻液中，以黏貼有黏著性膜50的狀態浸漬電子零件30。該蝕刻是出於電子零件30的背面所產生的應變的去除、電子零件30的進一步薄層化、氧化膜等的去除、將電極形成於背面時的預處理等的目的而進行。蝕刻液是根據所述目的來適當選擇。
（步驟（C）） 繼而，於對黏著性膜50照射紫外線之後自電子零件30除去黏著性膜50。於步驟（C）中，藉由對黏著性膜50照射例如200 mJ/cm 2以上且2000 mJ/cm 2以下的劑量的紫外線，使黏著性樹脂層20紫外線硬化，而降低黏著性樹脂層20的黏著力，之後自電子零件30除去黏著性膜50。 另外，紫外線照射例如可使用高壓水銀燈並使用主波長365 nm的紫外線來進行。 紫外線的照射強度例如為50 mW/cm 2以上且500 mW/cm 2以下。
於自電子零件30除去黏著性膜之前，亦可於切割膠帶或帶有晶粒附接膜的切割膠帶上裝配電子零件30。自電子零件30除去黏著性膜50的操作亦有利用人手來進行的情況，但通常可利用被稱為自動剝除機的裝置來進行。 剝離了黏著性膜50之後的電子零件30的表面視需要亦可進行清洗。清洗方法可列舉：水清洗、溶劑清洗等濕式清洗；電漿清洗等乾式清洗等。於濕式清洗的情況下，亦可併用超音波清洗。該些清洗方法可根據電子零件30的表面的污染狀況來適當選擇。
（其他步驟） 進行了步驟（A）～步驟（C）之後，亦可進而進行將所獲得的半導體晶片安裝於電路基板上的步驟等。該些步驟可基於公知的資訊來進行。
以上，對本發明的較佳實施形態進行了敘述，但該些為本發明的例示，亦可採用所述以外的多種構成。 [實施例]
以下，藉由實施例及比較例來對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於此。 與黏著性膜的製作有關的詳情如以下所述。
＜基材層＞ 基材層1：聚對苯二甲酸乙二酯膜（東洋紡公司製造，製品名：E7180，厚度：50 μm，單面電暈處理品）
基材層2：包含低密度聚乙烯膜/聚對苯二甲酸乙二酯膜/低密度聚乙烯膜的積層膜（總厚度：110 μm） 於聚對苯二甲酸乙二酯膜（東麗公司製造，製品名：露米勒（LUMIRROR）S10，厚度：50 μm）的兩側層壓低密度聚乙烯膜（密度：0.925 kg/m 3，厚度：30 μm）而獲得。對所獲得的積層膜的單側實施電暈處理。
基材層3：包含聚對苯二甲酸乙二酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜/丙烯酸膜的積層膜（總厚度：145 μm） 將聚對苯二甲酸乙二酯膜（東洋紡公司製造，製品名：E7180，厚度：50 μm）與乙烯-乙酸乙烯酯共聚物（三井陶氏聚合化學（MITSUI DOW POLYCHEMICAL）股份有限公司製造，MFR：2.5 g/10分鐘）膜（厚度：70 μm）藉由於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的與聚對苯二甲酸乙二酯膜的貼合面側實施電暈處理來進行積層。進而，對乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的聚對苯二甲酸乙二酯膜的相反面側亦實施電暈處理。 接著，於經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（隔離膜）的脫模面上將如下所示的基材用的丙烯酸系樹脂塗佈液以乾燥厚度成為20 μm的方式進行塗佈並加以乾燥，並經由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜貼合於所述包含聚對苯二甲酸乙二酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的積層膜上，並進行熟化（40℃，3天）。繼而，剝離隔離膜，獲得基材層3。
＜基材用的丙烯酸系樹脂塗佈液＞ 使用作為聚合起始劑的4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸（大塚化學公司製造，製品名：ACVA）0.5質量份，將丙烯酸丁酯74質量份、甲基丙烯酸甲酯14質量份、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯9質量份、甲基丙烯酸2質量份、丙烯醯胺1質量份、聚氧乙烯壬基丙烯基苯基醚硫酸銨的水溶液（第一工業製藥公司製造，製品名：阿庫隆（AQUARON）HS-1025）3質量份於去離子水中於70℃下乳液聚合9小時。聚合結束後，利用氨水調整為pH=7，獲得固體成分濃度42.5%的丙烯酸聚合物水系乳液。接下來，相對於所述丙烯酸聚合物水系乳液100質量份，使用氨水調整為pH=9以上，同時調配氮丙啶系交聯劑〔日本觸媒化學工業製造，凱美特（CHEMITITE）PZ-33〕0.75質量份及二乙二醇單丁醚5質量份，獲得基材用的塗佈液。
＜(甲基)丙烯酸系樹脂溶液＞ (甲基)丙烯酸系樹脂溶液1： 使丙烯酸乙酯49質量份、丙烯酸-2-乙基己酯20質量份、丙烯酸甲酯21質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯10質量份、及作為聚合起始劑的過氧化苯甲醯系聚合起始劑0.5質量份於甲苯65質量份及乙酸乙酯50質量份中於80℃下進行10小時反應。反應結束後，將所獲得的溶液冷卻，於冷卻了的溶液中加入二甲苯25質量份、丙烯酸5質量份、以及十四烷基二甲基苄基氯化銨0.5質量份，一面吹入空氣一面於85℃下進行32小時反應，從而獲得(甲基)丙烯酸系樹脂溶液1。
(甲基)丙烯酸系樹脂溶液2： 使丙烯酸正丁酯77質量份、甲基丙烯酸甲酯16質量份、丙烯酸-2-羥基乙酯16質量份及作為聚合起始劑的過氧化-2-乙基己酸第三丁酯0.3質量份於甲苯20質量份及乙酸乙酯80質量份中於85℃下進行10小時反應。反應結束後，將所述溶液冷卻，向其中加入甲苯30質量份、甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（昭和電工製造，製品名：卡蘭茨（KARENZ）MOI）7質量份及二月桂酸二丁基錫0.05質量份，一面吹入空氣一面於85℃下進行12小時反應，從而獲得(甲基)丙烯酸系樹脂溶液2。
(甲基)丙烯酸系樹脂溶液3： 使丙烯酸乙酯30質量份、丙烯酸甲酯11質量份、丙烯酸-2-乙基己酯26質量份、丙烯酸-2-羥基乙酯7質量份、及作為聚合起始劑的過氧化苯甲醯系聚合起始劑0.8質量份於甲苯7質量份及乙酸乙酯50質量份中於80℃下進行9小時反應。反應結束後，將所獲得的溶液冷卻，於冷卻了的溶液中加入甲苯25質量份，從而獲得(甲基)丙烯酸系樹脂溶液3。
＜黏著性膜的製作＞ 藉由向丙烯酸系樹脂溶液中加入表1中所示的添加劑，製備黏著性樹脂層用的黏著劑塗佈液。將所述塗佈液塗佈於經矽酮脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯膜（隔離膜）上。繼而，於120℃下乾燥3分鐘，形成厚度20 μm的黏著性樹脂層，並使其貼合於基材層上。關於基材層1及基材層2，使其貼合於電暈處理面上。關於基材層3，剝除隔離膜，使其貼合於丙烯酸層側。將所獲得的積層體利用烘箱於40℃下加熱3天，製作黏著性膜。
＜黏著性膜的評價方法＞ （1）紫外線硬化後的60°剝離強度 將矽鏡面晶圓（8吋單面鏡面晶圓）切成50 mm×100 mm的大小。藉由紫外線（Ultraviolet，UV）臭氧清洗裝置（科技視野（Technovision）公司製造，UV-208）對晶圓鏡面進行臭氧清洗（臭氧處理時間：60秒）。其後，利用乙醇擦拭晶圓鏡面，將所得者作為被接著體晶圓。 於23℃、50%RH的環境下，將黏著性膜切成橫向寬度25 mm，剝除隔離膜，使用手動輥將黏著性膜經由其黏著性樹脂層貼附於被接著體晶圓鏡面上，放置1小時。放置後，使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對黏著性膜照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線。其後，將貼附有黏著性膜的被接著體晶圓固定於黏著/皮膜剝離解析裝置（VPA-2S、協和界面科學公司製造）上，利用透明膠帶將黏著性膜的一端固定於測壓元件側。以剝離角度：60°、剝離速度：150 mm/分鐘自被接著體晶圓的表面剝離黏著性膜，根據此時的應力，求出UV照射後的60°剝離強度。評價以N=2實施，將其值加以平均來作為測定值。
（2）180°剝離強度評價 被接著體晶圓： 將矽鏡面晶圓（4吋單面鏡面晶圓）的鏡面藉由UV臭氧清洗裝置（科技視野（Technovision）公司製造，UV-208）進行臭氧清洗（臭氧處理時間：60秒）。其後，利用乙醇擦拭晶圓鏡面，將所得者作為被接著體晶圓。 紫外線照射前剝離強度： 於23℃、50%RH的環境下，將黏著性膜切成橫向寬度50 mm，剝除隔離膜，使用手動輥將黏著性膜經由其黏著性樹脂層貼附於被接著體晶圓鏡面上，放置1小時。放置後，使用拉伸試驗機（島津製作所，製品名：奧拓古拉夫（AUTOGRAPH）AGS-X）夾持黏著性膜的一端，以剝離角度：180度、剝離速度：300 mm/分鐘自被接著體晶圓的表面剝離黏著性膜。測定此時的應力，並換算為N/25 mm，求出剝離強度。評價以N=2實施，將其值加以平均來作為測定值。 紫外線照射後剝離強度：於23℃、50%RH的環境下，將黏著性膜切成橫向寬度50 mm，剝除隔離膜，使用手動輥將黏著性膜經由其黏著性樹脂層貼附於被接著體晶圓鏡面上，放置1小時。放置後，於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對黏著性膜照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線。其後，使用拉伸試驗機（島津製作所，製品名：奧拓古拉夫（autograph）AGS-X）夾持黏著性膜的一端，以剝離角度：180度、剝離速度：300 mm/分鐘自被接著體晶圓的表面剝離黏著性膜。測定此時的應力，並換算為N/25 mm，求出剝離強度。評價以N=2實施，將其值加以平均來作為測定值。
殘膠評價： 藉由目視觀察所述剝離後的被接著體晶圓，按照以下基準進行評價。 ○（良）：未確認到殘膠 ×（差）：確認到殘膠
（3）先切割法評價 評價晶圓1： 使用切割鋸，對鏡面晶圓（8吋鏡面晶圓，直徑：200±0.5 mm，厚度：725±50 μm，單面鏡面）的鏡面進行半切，獲得評價晶圓1。（刀片：ZH05-SD3500-N1-70-DD，晶片尺寸：5 mm×8 mm，切口深度：58 μm，刀片旋轉速度：30000 rpm）。利用光學顯微鏡觀察評價晶圓1，結果劃痕寬度為35 μm。
評價晶片2： 使用切割鋸，對鏡面晶圓（8吋鏡面晶圓，直徑：200±0.5 mm，厚度：725±50 μm，單面鏡面）的鏡面實施第一階段的半切（刀片：Z09-SD2000-Y1 58×0.25A×40×45E-L，晶片尺寸：5 mm×8 mm，切口深度：15 μm，刀片旋轉速度：30000 rpm）。利用光學顯微鏡進行觀察，結果劃痕寬度為60 μm。繼而，實施第二階段的半切（刀片：ZH05-SD3500-N1-70-DD，晶片尺寸：5 mm×8 mm，切口深度：58 μm，刀片旋轉速度：30000 rpm），獲得評價晶圓2。
先切割法： 使用膠帶層壓機（日東電工公司製造，DR3000II），將黏著性膜貼附於所述評價晶圓的經半切的面上（23℃，貼附速度：5 mm/分鐘，貼附壓力：0.36 MPa）。 繼而，使用研磨機（grinder）（迪思科（DISCO）公司製造，DGP8760）對所述晶圓進行背面研磨（粗磨削及精密磨削，精密磨削量：40 μm，無拋光，研磨後厚度：38 μm），並加以單片化。 關於先切割時的晶片飛散，於實施背面研磨後，藉由目視並按照以下基準進行評價。 ○（良）：包含三角角部在內，未確認到晶片飛散 ×（差）：包含三角角部在內，確認到晶片飛散
進而，進行紫外線照射及黏著性膜剝離，評價先切割法後的殘膠。 紫外線照射是於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對黏著性膜照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線。 黏著性膜的剝離按照以下的程序進行。首先，使用晶圓裝配機（日東電工公司製造，MSA300），將另外準備的切割膠帶（用作裝配用膠帶）經由該切割膠帶的黏著面貼附於8吋晶圓用環形框架及所述經單片化的晶圓的晶圓側。繼而，使用膠帶剝離機（日東電工公司製造，HR3000III），藉由剝離膠帶（拉斯廷系統（Lasting System）公司製造，PET38REL）自晶圓切口部剝離黏著性膜。裝置剝離性按照以下基準進行評價。 ○（良）：第一次可將黏著性膜自晶圓剝離 ×（差）：第一次無法將黏著性膜自晶圓剝離
關於先切割法後的經單片化的晶圓上的殘膠，使用光學顯微鏡（奧林巴斯（OLYMPUS）公司製造），並按照以下基準進行評價。 ○（良）：未確認到殘膠 ×（差）：確認到殘膠
[實施例1] 對於(甲基)丙烯酸系樹脂溶液1（固體成分）100質量份，添加作為光起始劑的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮（IGM公司製造，商品名：奧尼拉德（OMNIRAD）651）6.9質量份、異氰酸酯系交聯劑（三井化學公司製造，商品名：奧萊斯特（OLESTER）P49-75S）0.93質量份，獲得黏著性樹脂層用的黏著劑塗佈液1。藉由所述方法，製作黏著性膜。另外，基於先前所敘述的評價方法，實施紫外線硬化後的60°剝離強度評價、180°剝離強度評價及先切割法評價。將結果示於表1中。
[實施例2～實施例9及比較例1及比較例2] 將黏著性樹脂層及基材層的種類變更為表1中所示者，除此以外，以與實施例1同樣的方式分別製作黏著性膜。另外，與實施例1同樣地分別進行各評價。將所獲得的結果分別示於表1中。 再者，表1中記載的化合物如下所述。 奧尼拉德（OMNIRAD）651（IGM公司製造）：2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮 奧尼拉德（OMNIRAD）369（IGM公司製造）：2-苄基-2-二甲基胺基-4'-嗎啉代苯丁酮 阿羅尼斯（ARONIX）M400（東亞合成公司製造）：二季戊四醇五丙烯酸酯與二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物 NK酯AD-TMP（新中村化學工業公司製造）：二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯
[表1] 表1
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 比較例1 比較例2
黏著性膜 基材層   基材層1 基材層1 基材層1 基材層1 基材層1 基材層1 基材層2 基材層3 基材層3 基材層1 基材層1
基材層厚度 μm 50 50 50 50 50 50 110 145 145 50 50
黏著性樹脂層 調配 (甲基)丙烯酸系樹脂溶液1 phr 100 100 100         100 100    
(甲基)丙烯酸系樹脂溶液2 phr       100 100 100 100        
(甲基)丙烯酸系樹脂溶液3 phr                   100 100
奧尼拉德（OMNIRAD）651 phr 6.9 6.9 6.9         6.9 6.9 6.9 6.9
奧尼拉德（OMNIRAD）369 phr       6 6 6 6        
阿羅尼斯（ARONIX）M400 phr   5     11.6   11.6 11.6 11.6 10 50
NK酯AD-TMP phr     11.6     11.6          
奧萊斯特（OLESTER）P49-75S phr 0.93 0.93 0.93 0.93 0.93 0.93 0.93 0.5 0.93 0.93 0.93
黏著性樹脂層厚度 μm 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
黏著性膜厚度 μm 70 70 70 70 70 70 130 165 165 70 70
黏著性膜物性 60°剝離強度 UV照射後 N/25 mm 1.2 0.6 0.4 0.5 0.8 0.6 0.8 2.3 1.8 7.2 0.3
60°剝離試驗下的殘膠 - 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
180°剝離強度 UV照射前 N/25 mm 6.9 8.7 2.4 10.9 11.0 5.6 7.1 12.7 11.6 14.1 5.4
UV照射後 N/25 mm 0.7 0.3 0.1 0.2 0.2 0.2 0.2 0.4 0.6 8.7 0.1
180°剝離試驗下的殘膠 - 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
先切割法評價 評價晶圓 - 晶圓1 晶圓1 晶圓1 晶圓1 晶圓1 晶圓1 晶圓1 晶圓2 晶圓2 晶圓1 晶圓1
DBG後 晶片飛散 - 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
裝配 剝離後 裝置剝離性 - 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇
殘膠 - 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 × ×
本申請案主張以2020年7月22日提出申請的日本申請案特願2020-125414號為基礎的優先權，並將其全部揭示內容併入本申請案中。
10:基材層 20:黏著性樹脂層 30:電子零件 30A:電路形成面 50:黏著性膜（背面研磨用黏著性膜） 100:結構體
圖1是示意性地表示本發明的實施形態的黏著性膜的結構的一例的剖面圖。 圖2中的（A）至（C）是示意性地表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。
10:基材層
20:黏著性樹脂層
50:黏著性膜(背面研磨用黏著性膜)

Claims (7)

  1. 一種背面研磨用黏著性膜，包括基材層以及設置於所述基材層的其中一面側的紫外線硬化型的黏著性樹脂層，並且用於保護電子零件的表面，其中， 藉由下述方法測定的、紫外線硬化後的所述黏著性膜的60°剝離強度為0.4 N/25 mm以上且5.0 N/25 mm以下， （方法） 以所述黏著性樹脂層與矽鏡面晶圓相接的方式將所述黏著性膜貼附於所述矽鏡面晶圓上；繼而，於25℃的環境下使用高壓水銀燈以照射強度100 mW/cm 2對所述黏著性膜照射紫外線量為1080 mJ/cm 2的主波長365 nm的紫外線，使所述黏著性樹脂層紫外線硬化；繼而，使用拉伸試驗機將所述黏著性膜於23℃、速度150 mm/分鐘的條件下自所述矽鏡面晶圓沿60°方向剝離，將此時的強度（N/25 mm）作為60°剝離強度。
  2. 如請求項1所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 所述黏著性樹脂層包含分子中具有聚合性碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸系樹脂以及光起始劑。
  3. 如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 所述電子零件被半切或形成有改質層。
  4. 如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 所述黏著性樹脂層的厚度為5 μm以上且300 μm以下。
  5. 如請求項1或請求項2所述的背面研磨用黏著性膜，其中， 構成所述基材層的樹脂包含選自聚烯烴、聚酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、離子聚合物、聚碸、聚醚碸及聚苯醚中的一種或兩種以上。
  6. 一種電子裝置的製造方法，至少包括： 步驟（A），準備結構體，所述結構體包括具有電路形成面的電子零件以及貼合於所述電子零件的所述電路形成面側的黏著性膜； 步驟（B），對所述電子零件的與所述電路形成面側為相反側的面進行背面研磨；以及 步驟（C），對所述黏著性膜照射紫外線之後自所述電子零件除去所述黏著性膜；其中， 所述黏著性膜為如請求項1至請求項5中任一項所述的背面研磨用黏著性膜。
  7. 如請求項6所述的電子裝置的製造方法，其中， 所述步驟（A）包括： 步驟（A1），選自對所述電子零件進行半切的步驟（A1-1）及對於所述電子零件照射雷射而於所述電子零件上形成改質層的步驟（A1-2）中的至少一種；以及 步驟（A2），於所述步驟（A1）之後，於所述電子零件的所述電路形成面側貼附所述背面研磨用黏著性膜。
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