TWI720970B - 發光裝置冷卻 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種諸如發光體之發光裝置，其包含安裝於一板(10)上之一或多個發光裝置晶片(2)。該等發光裝置晶片具有電觸點(8)且覆晶安裝至板(10)，其中該等電觸點(8)連接至接觸墊(12)。該等發光裝置晶片之側壁上之側壁金屬化物(20)係由金屬熱轉移元件(22)連接至板(10)之熱耗散區域(14)。該等金屬熱轉移元件(22)可具有焊料，該焊料可使用習用地用於附接表面安裝裝置之裝備來進行沈積。

Description

發光裝置冷卻
本發明係關於一種發光裝置及製造方法。
半導體發光裝置正越來越多地用於各種各樣之應用中。在一特定實例中，使用若干個發光二極體來發射光之發光體正越來越多地用於照明應用以替換諸如白熾燈泡或螢光燈等技術。藉由將複數個發光二極體安裝於一基板上，可達成各種不同光輸出。
現代發光裝置中之發光二極體之光輸出通常受溫度相關行為限制。對光輸出之一個約束係藉由發光二極體之半導體材料之熱電行為(舉例而言，熱及電流下降)提供。為產生白色光，通常使用一適合磷光體且該磷光體可在高溫下淬滅。因此，在發光二極體正在使用中之情況下，磷光體之溫度需要保持低於此等溫度。然而，磷光體通常毗鄰於發光二極體而定位且與發光二極體接觸，且因此隨著該等發光二極體升溫，該磷光體亦升溫。
通常需要發光裝置工作達長時間段而不進行替換。在某些情形中，該等發光裝置定位於難以進入之位置處。甚至在進入相對簡單之處，仍需要合理壽命。發光二極體之長期可靠性通常與操作條件之溫度直接相關，其中高溫導致經減小壽命。
由於所有此等原因，因此自發光裝置封裝進行熱提取係必要的。
在習用發光體中，發光二極體可焊接至一基板且發光二極體中所產生之熱藉由透過電觸點之熱傳導而傳遞至該基板。然而，仍需要對發光二極體之經改良熱管理。
本發明係由申請專利範圍界定。
根據依據本發明之一態樣之實例，提供一種包括一發光裝置晶片之發光裝置，該發光裝置包括：一絕緣基板；一發光半導體層，其在該絕緣基板上，該發光半導體層包括一發光區域；及電觸點，其屬於該發光半導體層；及一板，其具有複數個接觸墊及至少一個熱耗散區域；其中該發光裝置晶片經安裝，使得該等電觸點連接至該板上之該等接觸墊且使得一金屬熱轉移元件與該發光裝置晶片之側壁及該板之一熱耗散區域兩者接觸。
藉由在該晶片之側與該板之間直接地連接一金屬熱轉移元件而改良熱耗散。此係除在該發光層之該等電觸點與該板上之該等接觸墊之間進行熱轉移之外的情形。因此，存在允許經改良熱耗散且因此允許針對任何給定操作條件該發光裝置晶片之溫度之一減小的一額外熱轉移路徑。
以此方式，該發光裝置上之熱負荷經減小，其可具有增加該發光裝置之壽命及/或最佳化光輸出的效應。
該配置亦係高度可製造的，此乃因毗鄰於晶片之元件之提供係透過使用用於板上之晶片之表面安裝之習用裝備而容易地達成。
該發光裝置晶片可進一步包括該絕緣基板之側壁上之側壁金屬化物，該等側壁金屬化物與該發光區域電隔離；該金屬熱轉移元件與 該等側壁金屬化物接觸。該等側壁金屬化物提供一良好熱轉移且亦提供該金屬熱轉移元件可附接至之一表面。
該金屬熱轉移元件可包括焊料。可使用用於表面安裝晶片之習用設備來將焊料引入於該板上之一晶片之該等側上。
將焊料用於該金屬熱轉移元件允許使用通常用於將表面安裝晶片焊接至一板之裝備進行製造。此類裝備係廣泛可獲得的。因此，此材料之使用允許一具成本效益之製造。
另一選擇係，該金屬熱轉移元件可包含圍繞該發光裝置晶片、與該等側壁金屬化物接觸之一金屬框架。此一金屬框架可提供用於自正在使用中之該發光裝置移除熱之一適合額外熱路徑。
該發光裝置晶片可覆晶安裝於該板上，其中該等電觸點連接至該板上之該等接觸墊。
可背對該板提供一磷光體。該等側壁金屬化物可在該磷光體以及該絕緣基板之該等側壁上方延伸。以此方式，可由於熱可透過該磷光體轉移而改良熱耗散。
該板可在該板之該熱耗散區域上具有至少一個經電隔離散熱器墊，其中金屬化物覆蓋該等側壁金屬化物及該至少一個散熱器墊。在該金屬熱轉移元件具有焊料之情況下，該墊可界定焊料將施加的該板之區域(舉例而言，在該焊料熔融時，該焊料藉由表面張力而含於該墊上的情形中)。此確保該等焊料熱轉移元件正確地定位於該板上且遠離用於電驅動該發光裝置之墊。
每一熱耗散區域可包含含有金屬之複數個導通體。以此方式，可由於該等導通體可將熱之增強的熱傳導遞送遠離該等熱轉移元件而增強熱耗散。
該板可具有一金屬芯及一絕緣表面。該金屬芯可提供熱轉移。
該絕緣基板可係藍寶石。
該發光裝置可係一發光體。
在本發明之一態樣中，提供一種具有複數個發光裝置晶片之發光體，每一發光裝置晶片包括：一絕緣基板；一發光半導體層，其在該絕緣基板上；電觸點，其屬於該發光層；及側壁金屬化物，其在該絕緣基板之側壁上，該等側壁金屬化物並未經電連接；其中該等發光裝置晶片經安裝，使得該等電觸點連接至該板上之該等接觸墊且使得該發光裝置晶片之側上之一金屬熱轉移元件與該等側壁金屬化物及該板之一熱耗散區域兩者接觸。
本發明之又一態樣係關於一種將一發光裝置晶片接合至一板之方法，其中該發光裝置晶片包括：一絕緣基板；一發光半導體層，其在該絕緣基板上；電觸點，其屬於該發光層、在該發光層之一第一主表面上；及側壁金屬化物，其在該絕緣基板之側壁上；該方法包括：將該發光裝置晶片覆晶接合至該板，其中該第一主表面面對該板且其中該第一主表面上之該等電觸點連接至該板上之對應接觸墊；及將該等側壁金屬化物焊接至該板之熱耗散區域。
藉由以此方式使用一焊接程序，易於製造具有經改良熱處置之一經改良發光裝置而不會顯著地增加總成之複雜性及成本。
焊接該等側壁金屬化物之步驟可與覆晶接合之步驟同時發生於一單個加熱操作中或一單獨步驟中。在後一情形中，覆晶接合之該步驟可使用一第一焊料且焊接該等側壁金屬化物之該步驟使用一第二焊料，該第二焊料具有低於該第一焊料之一熔點。
該板可具有至少一個經隔離散熱器墊且焊接該等側壁金屬化物之該步驟可包括：引入焊料；以及提供熱以熔融該焊料以覆蓋該等側壁金屬化物及該經隔離散熱器墊並在該等側壁金屬化物與該經隔離散熱器墊之間延伸。以此方式，該或該等經隔離散熱器墊界定該焊料之 區域且因此確保焊料元件之正確形式。
在又一態樣中，提供一種將一發光裝置晶片接合至一板之方法，其中該發光裝置晶片包括：一絕緣基板；一發光半導體層，其在該絕緣基板上；電觸點，其屬於該發光層、在該發光層之一第一主表面上；及側壁金屬化物，其在該絕緣基板之側壁上；該方法包括：將該發光裝置晶片覆晶接合至該板，其中該第一主表面面對該板且該第一主表面上之該等電觸點連接至該板上之對應接觸墊；及圍繞該發光裝置晶片提供一金屬框架，且在該金屬框架與該板之間及該金屬框架與該等側壁金屬化物之間提供焊料；及使該焊料回流以將該金屬框架固定至該板。
回流及覆晶接合步驟可使用一單個加熱操作或另一選擇係可係循序的。
該方法可進一步包括將複數個該等發光裝置晶片覆晶接合至該板以製造一發光體。
2‧‧‧發光裝置晶片/晶片
4‧‧‧藍寶石基板/基板/絕緣基板
6‧‧‧發光半導體層/發光層/半導體層
8‧‧‧電觸點
9‧‧‧發光區域/發光二極體
10‧‧‧板
12‧‧‧接觸墊
14‧‧‧熱耗散區域
16‧‧‧磷光體
20‧‧‧側壁金屬化物/經金屬化側壁
22‧‧‧金屬熱轉移元件/第二焊料/焊料/側熱轉移元件/熱轉移元件/金屬轉移元件
24‧‧‧熱導通體/導通體
26‧‧‧散熱器
28‧‧‧散熱器墊/經隔離散熱器墊
30‧‧‧金屬框架/框架/熱轉移元件/金屬熱轉移元件/金屬轉移元件
32‧‧‧銲線
34‧‧‧可焊接層
40‧‧‧外殼
42‧‧‧發光體
現將參考附圖詳細闡述本發明之實例，在附圖中：圖1展示根據本發明之一發光裝置之一第一實施例；圖2展示安裝於如圖1中所圖解說明之一板上之一單個發光裝置晶片之一透視圖；圖3展示安裝於一板上之一列發光裝置晶片之一透視圖；圖4展示根據本發明之一發光裝置之一第二實施例；圖5展示根據本發明之一發光裝置之一第三實施例；圖6圖解說明具有複數個發光裝置晶片之一發光體；且圖7圖解說明使用本發明之實施例之溫度減小。
本發明提供一種製造一發光裝置之方法及所得裝置。
根據一實例之一發光裝置晶片2具有一藍寶石基板4及藍寶石基板4之一面上之一發光半導體層6。發光半導體層6係藍寶石基板4上之一磊晶層。電觸點8提供於該發光裝置晶片之直接連接至該發光半導體層之一第一主表面上。發光半導體層6包括可通常被稱為一發光區域9之一發光二極體，且可具有若干個子層(摻雜n型及p型)以在一電流通過時發射光，該電流係自電觸點8引入。發光二極體9與發光半導體層6之邊緣電隔離。
發光裝置晶片2安裝於板10上，該板具有複數個接觸墊12及至少一個熱耗散區域14。一散熱器墊28提供於每一熱耗散區域14上。該發光裝置晶片以已知為覆晶安裝(其中第一主表面面對板10)之定向經安裝，其中電觸點8直接連接至接觸墊12。
一磷光體16提供於第二主表面上，該第二主表面係發光裝置晶片之與第一主表面相對的面、背對板之側。磷光體16之材料經選擇以提供所要光譜。舉例而言，一種組合物之一磷光體可用以提供一暖光且另一組合物之一磷光體可用以提供匹配日光之一光譜。熟習此項技術者能夠取決於發光裝置之所要輸出特性而選擇一適合磷光體材料。
呈一高度反射側壁之形式之一側壁金屬化物20提供於發光裝置晶片及磷光體之四側中之每一者上。側壁金屬化物20係跨越發光半導體層6、藍寶石基板4及磷光體16之側壁而延伸之一薄金屬膜。側壁金屬化物並非一真實電觸點且與發光半導體層6之發光區域9電隔離。其具有反射光之功能使得原本將以其他方式通過基板4或磷光體16之側壁之光自該發光裝置發射。側壁金屬化物20係具有以下各項之一多層：在發光裝置晶片及磷光體之側壁上之一鋁層，其遞送良好反射性質；及一上部可焊接層，舉例而言鎳/金層。
側壁金屬化物20藉助於焊料之金屬熱轉移元件22而連接至各別熱耗散區域14，焊料之金屬熱轉移元件22在側壁金屬化物20與熱耗散 區域14之上部側上之散熱器墊28之間延伸。如圖2中所圖解說明，金屬熱轉移元件22提供於發光裝置晶片2之每一側壁上。
金屬連接件提供一額外熱路徑且允許經改良熱管理。
注意，儘管圖1及圖2圖解說明安裝於板10上之一單個發光裝置晶片2，但在實際實施方案中可存在安裝於板上之複數個發光裝置晶片，舉例而言，在一發光體中通常需要若干個發光裝置晶片。
發光裝置易於使用現有表面安裝技術來製造。
在藍寶石基板4上具有發光層6之發光裝置晶片2具有施加於該藍寶石基板之第二主表面(將係上部表面之表面)上之磷光體16。側壁金屬化物20係藉由使用一著鋅程序進行鋁及然後鎳/金之PVD而沈積於包含藍寶石基板4及磷光體16之晶片2之整個側壁上方。鋁提供一反射層以將光反射回至磷光體中且鎳/金在頂部提供一可焊接層。在替代配置中，可使用用於此等層中之任一層或所有層之汽相沈積。
然後，將晶片2覆晶安裝於板10上，其中電觸點8與接觸墊12接觸。此可藉助習用表面安裝裝備來完成。可使用一適合第一焊料，諸如AuSn。另一選擇係，一非焊接方法(諸如Au-Au熱音波接合)可用以附接覆晶組件。
然後施配一第二焊料22以將側壁金屬化物20連接至熱耗散區域14。特定而言，該第二焊料可係低於用於所闡述之特定實施例中之第一焊料-錫銀銅焊料(SAC)之熔點之一焊料。然後加熱焊料以將該焊料熔融。此在習用表面安裝裝備中係可能的。焊料潤濕側壁金屬化物20及散熱器墊28。因此，側壁金屬化物20及散熱器墊28之範圍用以界定充當熱轉移元件之焊料22之形狀。
然後將焊料冷卻為圖1中所圖解說明之形式。
因此，該方法使用以下兩個在表面安裝裝置之製造中已知之程序：一覆晶安裝程序，其用以形成電連接；及然後，通常用於施配焊 料材料且因此此處用於形成至側壁之電連接之一程序，其用以形成焊料之熱轉移元件22。此意味著可由現有製造裝備執行程序。
所提供之額外熱路徑減小正在使用中之發光裝置之溫度。熱不僅透過電觸點8及接觸墊12轉移且亦透過絕緣基板4、焊料之熱轉移元件22轉移且然後到達板10上。此外，進一步熱轉移自磷光體16、熱轉移元件22及板10發生。以此方式，對於任一給定所施加至發光層6之電流及電壓皆可使發光裝置之溫度最小化，此繼而可增加晶片之壽命以用於恆定光輸出或另一選擇係允許額外光輸出。
一替代程序流程使用一經組合覆晶裝配程序及焊料內圓角形成。
在此程序中，焊料經絲網印刷至板14上(在接觸墊12及散熱器墊28兩者上)。注意，由於在散熱器墊上需要相當大量之焊料，因此此藉由加印而達成。在此內容脈絡中，加印不僅係指在散熱器墊28上沈積焊料，且亦係指在板之空白區上方圍繞該等散熱器墊而沈積焊料。然後，當使焊料回流時，該焊料優先地潤濕散熱器墊28且退回至彼區，從而在散熱器墊上形成大於原本將係不進行套印之情形之焊料之一體積。
然後，發光裝置晶片2位於正確位置處。一回流焊接操作然後發生以下兩種操作：將晶片2接合至接觸墊12從而形成一電連接；以及重組散熱器墊28上之焊料以形成熱轉移元件22。
在圖3中所圖解說明之一替代配置中，複數個發光裝置晶片2沿縱向延伸之一線配置。縱向延伸之一焊料線32係接觸裝置晶片之橫向側壁而提供。以此方式，可達成板上之晶片之一較高密度。在此情形中，側壁金屬化物20僅提供於裝置晶片2之相對橫向側壁上。
在圖1及圖2之配置中，熱耗散區域14僅係板10之不具有電觸點的部分-散熱器墊界定將由焊料潤濕但並未經電連接之一區。
在替代配置中，板之熱耗散區域可經調適以用於經改良熱轉 移。
在一種配置中，板10係具有一金屬芯及一絕緣表面之一絕緣金屬基板。該金屬芯允許良好熱傳導。
在一替代配置中，參考圖4，熱耗散區域14包括複數個熱導通體24，該等導通體穿過板且填充有金屬。熱導通體24與一散熱器26熱接觸。
注意，在此配置中，圖1之配置中所圖解說明之散熱器墊28係不存在的。然而，在又一替代方案中，散熱器墊28可額外地提供於圖4之配置中。
在此實施例中，側壁金屬化物20展示為不在發光層6上方延伸。然而，作為一替代方案，側壁金屬化物20可在發光層6上方延伸，其中此層含有與發光層6之邊緣隔離之一發光二極體，如在圖1之實例中。
注意，如圖4中所圖解說明之一散熱器26亦可視情況地提供於圖1中所圖解說明之基板之後部上。
在又一配置中，參考圖5，側壁金屬化物20與散熱器墊28之間的金屬熱轉移元件係呈環繞晶片2、與經金屬化側壁20接觸之一金屬框架30之形式。金屬框架30提供一額外熱傳導路徑。金屬框架30可焊接至側壁金屬化物20及板10之熱耗散區域14。
金屬框架具有與晶片2大約相同之高度，亦即金屬框架之高度介於包含磷光體16、絕緣基板4及半導體發光層6的晶片2之經組合高度之50%與150%之間。較佳地，該高度介於晶片2之經組合高度之80%與120%之間。金屬框架較佳地係矩形以匹配矩形晶片，其中四個翼部環繞晶片2。金屬框架之每一翼部之寬度具有與該金屬框架之高度相同之數量級，其較佳地介於該金屬框架之高度之50%與300%之間。
金屬框架30可較佳地具有銅，其中鋁作為一替代方案。一可焊 接層34提供於金屬框架上方，舉例而言Ni/Au、Sn或任一可焊接金屬。
存在可用以製造具有一金屬框架30之一裝置之若干種方法。
在一第一方法中，使用一第一較高熔點焊料圍繞晶片2及磷光體16來預附接金屬框架30。然後，藉由以下操作將晶片2及金屬框架30作為一單元表面安裝至板14：將一第二較低熔點焊料絲網印刷至該板上(在散熱器墊28及接觸墊12兩者上)；將晶片2與金屬框架30對準，其中框架30在散熱器墊28上面且電觸點8在接觸墊12上面；及然後藉由加熱該焊料而執行一回流程序。錫/銀/銅焊料適合作為第二較低熔點焊料。
在一第二方法中，藉由如上文在板14上進行絲網印刷而形成焊料沈積物。在板14上之正確位置上放置晶片2且圍繞晶片2放置金屬框架30。將焊料預施加於晶片2之金屬化側壁20之上部層上。然後執行一回流程序以熔融該焊料以形成圖5中所圖解說明之配置。
在一第三方法中，首先使用一第一較高熔點焊料將電觸點8焊接至接觸墊12上而將晶片2表面安裝至板14上。然後，將一第二較低熔點焊料施加於散熱器墊28上且將金屬框架30圍繞晶片2而放置於該等散熱器墊上。然後執行一回流程序以熔融該第二較低熔點焊料以形成圖5中所圖解說明之配置。
熟習此項技術者將認識到，可對此等方法做出其他變化。
上文所闡述之實例闡述一藍寶石基板之使用。然而，熟習此項技術者知曉其他基板材料且可使用其他基板材料。
以上用於將發光裝置晶片安裝至一板之配置在如圖6中所圖解說明之一發光體中具有特定應用，圖6展示安裝至含於一外殼40內之板10之複數個發光裝置晶片2，該複數個發光裝置晶片共同構成一發光體42。發光裝置晶片2安裝至如上文所論述之板10。可藉由提供用於 自發光裝置晶片2提取熱之一額外熱路徑而增強發光體42之長期可靠性及光輸出。
已在一4.5W LED上執行熱模擬，該LED具有若干個不同側熱轉移元件22之導熱率k值(以W/mK為單位)。圖7展示以下三種情形中之磷光體、接面及互連件之溫度(以彼次序自左至右)：首先，無任何側觸點；第二，具有如圖1之實施例中之焊料側觸點；及第三，具有如圖5之實施例中之一金屬框架。
將看到，藉由在側壁處提供顯著導熱率(第二及第三組溫度)，可使晶片之接面之操作溫度減少8℃。因此，所量測實施例提供操作條件之一顯著改良。
可變化晶片之側壁上之金屬。舉例而言，代替一Al層或除一Al層之外，可將一Ag層用作反射層。一Sn層可提供於NiAu層之頂部上以進一步改良可銲性。若需要，則使用其他可焊接組合。
可視需要變化晶片及磷光體。儘管以上實施例闡述一藍寶石基板4之使用，但若需要則可使用其他基板材料，諸如絕緣半導體。
在所揭示之實施例中之諸多實施例中，側壁金屬化物覆蓋包含絕緣基板4、半導體層6及磷光體16之晶片2之整個側表面。此有助於較簡易製造。在此情形中，電觸點8與側壁間隔開以確保電分隔。在替代配置中，側壁金屬化物20可經圖案化以覆蓋磷光體16及絕緣基板4之一部分但與半導體層間隔開以改良側壁金屬化物與半導體層6中之發光裝置之電隔離。
依據對圖式、揭示內容及隨附申請專利範圍之研究，熟習此項技術者在實踐所主張之發明時可理解及實現對所揭示實施例之其他變化形式。在申請專利範圍中，措辭「包括(comprising)」並不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一(a)」或「一(an)」並不排除複數。在互不相同之附屬請求項中陳述某些量測之單純事實並不指示無法有利 地使用此等量測之一組合。申請專利範圍中之任何元件符號皆不應解釋為限制範疇。
2‧‧‧發光裝置晶片/晶片
4‧‧‧藍寶石基板/基板/絕緣基板
6‧‧‧發光半導體層/發光層/半導體層
8‧‧‧電觸點
9‧‧‧發光區域/發光二極體
10‧‧‧板
12‧‧‧接觸墊
14‧‧‧熱耗散區域
16‧‧‧磷光體
20‧‧‧側壁金屬化物/經金屬化側壁
22‧‧‧金屬熱轉移元件/第二焊料/焊料/側熱轉移元件/熱轉移元 件/金屬轉移元件
28‧‧‧散熱器墊/經隔離散熱器墊

Claims (15)

  1. 一種發光裝置，其包括：一發光裝置晶片(2)，其包括具有一發光區域(9)且具有電觸點(8)之一發光半導體層(6)；一板(10)，其包括至少一個熱耗散區域(14)及連接至該等電觸點(8)之複數個接觸墊(12)；一金屬熱轉移元件(22、30)；其中該發光裝置包括一絕緣基板(4)；其中該發光半導體層(6)在該基板(4)上且該發光半導體層(6)之該等電觸點(8)在背對(facing away)該基板的該發光半導體之一側上，其中該金屬熱轉移元件(22、30)與包含該基板之該發光裝置晶片(2)之側壁及與該板之一熱耗散區域(14)接觸；且其中該金屬熱轉移元件(22、30)包括焊料。
  2. 如請求項1之發光裝置，其進一步包括該發光裝置晶片(2)之該等側壁上之側壁金屬化物(20)，該等側壁金屬化物(20)與該發光區域(9)電隔離；該金屬熱轉移元件(22、30)與該等側壁金屬化物接觸。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其中：該金屬熱轉移元件包括圍繞該發光裝置晶片之一金屬框架(30)。
  4. 如請求項1或2之發光裝置，其中：該發光裝置晶片之該等電觸點(8)在該發光半導體層(6)之一第一主表面上；且該發光裝置晶片經覆晶安裝，其中該第一主表面面對該板(10) 且該絕緣基板(4)在該發光半導體層(6)之與該板相對的側上。
  5. 如請求項1或2之發光裝置，其中該發光裝置晶片(2)進一步包括一磷光體(16)，該磷光體在與該發光半導體層(6)相對的該絕緣基板(4)之表面上。
  6. 如請求項2之發光裝置，其進一步包括該板(10)之該熱耗散區域(14)上之至少一個經隔離散熱器墊(28)，其中該金屬轉移元件(22、30)覆蓋該等側壁金屬化物及該至少一個散熱器墊(28)。
  7. 如請求項1或2之發光裝置，其中每一熱耗散區域(14)包括含有金屬之複數個導通體(24)。
  8. 如請求項1或2之發光裝置，其中該板(10)具有一金屬芯及一絕緣表面。
  9. 如請求項1或2之發光裝置，其中該發光裝置係一發光體(42)。
  10. 一種將一發光裝置晶片(2)接合至一板(10)之方法，該發光裝置晶片(2)包括一發光半導體層(6)及該發光半導體層之一第一主表面上之電觸點(8)；其中該發光裝置晶片包括在與該第一主表面相對的該發光層之一第二主表面上之一絕緣基板；該方法包括：將該發光裝置晶片(2)覆晶接合(flip chip bonding)至該板(10)，其中該第一主表面上之該等電觸點連接至該板上之對應接觸墊；及將側壁金屬化物(metallisations)焊接至該發光裝置晶片且將該等側壁金屬化物連接至該板之熱耗散區域。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包括該板上之至少一個經隔離散熱器墊，其中焊接該等側壁金屬化物之步驟包括：引入焊料；以及提 供熱以熔融該焊料以覆蓋該等側壁金屬化物及該經隔離散熱器墊並在該等側壁金屬化物與該經隔離散熱器墊之間延伸。
  12. 如請求項10或11之方法，其中覆晶接合之步驟使用一第一焊料且焊接該等側壁金屬化物之該步驟使用一第二焊料，該第二焊料具有低於該第一焊料之一熔點。
  13. 如請求項10或11之方法，其進一步包括將複數個該等發光裝置晶片覆晶接合至該板以製造一發光體。
  14. 一種將一發光裝置晶片(2)接合至一板(10)之方法，其中該發光裝置晶片(2)包括：一絕緣基板(4)；一發光半導體層(6)，其在該絕緣基板上；至該發光層之電觸點(8)，在該發光層之一第一主表面上；及側壁金屬化物(20)，其在該絕緣基板之該等側壁上；該方法包括：將該發光裝置晶片(2)覆晶接合至該板(10)，其中該第一主表面面對該板且其中該第一主表面上之該等電觸點連接至該板上之對應接觸墊；及圍繞該發光裝置晶片(2)提供一金屬框架(30)且在該金屬框架(30)與該板(10)之間及該金屬框架(30)與該等側壁金屬化物(20)之間提供焊料；及使該焊料回流以將該金屬框架固定至該板。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包括將複數個該等發光裝置晶片覆晶接合至該板以製造一發光體。
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