TWI715775B - 晶圓層合體及其之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題為提供一種適合製造薄型晶圓製造之晶圓層合體、及其之製造方法,該晶圓層合體係為支撐體與晶圓之接合為容易,也容易從支撐體剝離晶圓,且可提高薄型晶圓之生產性者。
其解決手段為一種晶圓層合體,其係具備支撐體、形成於該支撐體上之接著劑層、及晶圓之晶圓層合體;該晶圓係以具有電路面之表面面對該接著劑層之方式層合於該接著劑層,前述接著劑層係從前述支撐體側依序包含:具有遮光性之樹脂層A、包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂層B、及包含非聚矽氧系熱可塑性樹脂之樹脂層C;樹脂層B係由包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂組成物B之硬化物所構成,且該樹脂組成物B之硬化物之樹脂模數為10~1,000MPa。
Description
本發明係關於半導體領域中之晶圓層合體及其之製造方法。
為了實現更上一層之高密度、大容量化,而逐漸變得必須要3次元之半導體安裝。3次元安裝技術係指,使1個半導體晶片薄型化,更藉由矽貫通電極(TSV:through silicon via)將此接線並接續層合於多層上之半導體製作技術。為了實現此技術,必須要藉由研削已形成半導體電路之基板之非電路形成面(亦稱為「背面」)使其薄型化,更在背面進行包含TSV之電極形成的步驟。過往在矽基板之背面研削步驟中,在研削面之反對側貼上背面保護膠帶而防止研削時之晶圓破損。但,此膠帶係將有機樹脂膜使用於支持基材,雖然具有柔軟性,但在強度或耐熱性上反而不充分,故不適合TSV形成步驟或背面上之配線層形成步驟。
據此,已提出藉由在矽、玻璃等之支撐體上隔著接著層接合半導體基板,而能充分承受背面研削、TSV或背面電極形成之步驟的系統。此時重要的是將基板 接合於支撐體時之接著層。此必須係能無間隙地接合基板與支撐體,且能承受其後之步驟所需之充足耐久性,並且必須係在最後能從支撐體簡便地剝離薄型晶圓。因此,由於係會在最後剝離,故在本說明書中,將此接著層稱為暫時接著層(或暫時接著劑層)。
作為至今公知之暫時接著層與其剝離方法,已提出將熱熔融性之烴系化合物使用於接著劑,在加熱熔融狀態進行接合‧剝離之技術(專利文獻1)。但,由於僅以加熱進行控制,雖然簡便但在超過200℃之高溫下之熱安定性則反而為不充足,故其適用範圍狹窄。
又,已提出將聚矽氧黏著劑使用於暫時接著劑層之技術(專利文獻2)。此係使用加成硬化型之聚矽氧黏著劑將基板接合於支撐體,在剝離之際浸漬於如會溶解或分解聚矽氧樹脂之藥劑中將基板從支撐體予以分離者。因此,剝離需要非常長之時間,且難以適用於實際之製造製程。
另一方面,亦已提出藉由對包含光吸收性物質之接著劑照射高強度之光而分解接著劑層,從支撐體剝離接著劑層之技術(專利文獻3)。此方法中雖具有將基板從支撐體予以分離之際之每1枚基板1之處理時間變短之優點,但由於經照射之光會轉換成熱,故必須使用金屬化合物,且有對基板產生金屬污染之憂慮。
[專利文獻1]日本特開2003-177528號公報
[專利文獻2]國際公開第2015-072418號
[專利文獻3]日本特開2014-534721號公報
本發明係有鑑於前述問題點所完成者,其目的在於提供一種適合製造薄型晶圓之晶圓層合體、及其之製造方法,該晶圓層合體係為支撐體與晶圓之接合為容易,且亦能形成高段差基板之均勻膜厚,對於TSV形成、晶圓背面配線步驟之步驟適合性為高,並且稱為CVD(化學氣相沉積)之晶圓熱製程耐性優異,容易從支撐體剝離晶圓,又可提高薄型晶圓之生產性。
本發明者等為了達成前述目的經過精心研討之結果,發現利用藉由使用規定之接著劑層接合支撐體與晶圓而得之晶圓層合體,即可達成前述目的,進而完成本發明。
因此,本發明提供下述之晶圓層合體及其之製造方法。
1.一種晶圓層合體,其係具備支撐體、形成於該支撐體上之接著劑層、及晶圓之晶圓層合體;該晶圓係以具有
電路面之表面面對該接著劑層之方式層合於該接著劑層,前述接著劑層係從前述支撐體側依序包含:具有遮光性之樹脂層A、包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂層B、及包含非聚矽氧系熱可塑性樹脂之樹脂層C,樹脂層B係由硬化物所構成,該硬化物為包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂組成物B之硬化物,且該樹脂組成物B之硬化物之樹脂模數為10~1,000MPa。
2.如1之晶圓層合體,其中前述非聚矽氧系熱可塑性樹脂為玻璃轉移溫度-80~120℃之樹脂。
3.如1或2之晶圓層合體,其中樹脂層A在波長500nm之光線穿透率為20%以下。
4.如1~3中任一項之晶圓層合體,其中樹脂層A係由樹脂組成物A之硬化物所構成,該樹脂組成物A包含含有下述式(1)所示之重複單位且重量平均分子量為500~500,000之樹脂A;
(式中,R1~R3係各自獨立為氫原子、羥基、或碳數1~20之1價有機基,但R1~R3之至少一個為羥基。R4為氫原子、或可具有取代基之碳數1~30之1價有機基。)
5.如4之晶圓層合體,其中樹脂組成物A更包含交聯劑。
6.如4或5之晶圓層合體,其中樹脂組成物A更包含酸產生劑。
7.如4~6中任一項之晶圓層合體,其中樹脂組成物A更包含有機溶劑。
8.如1~7中任一項之晶圓層合體,其中樹脂組成物B為包含環氧變性聚矽氧樹脂,與交聯劑之組成物;該環氧變性聚矽氧樹脂係由下述式(2)所示之重複單位及因應必要之下述式(3)所示之重複單位所構成,且重量平均分子量為3,000~500,000者,該交聯劑包含選自1分子中平均具有2個以上酚基之酚化合物及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物之任一種以上,前述交聯劑之含量係相對於前述環氧變性聚矽氧樹脂100質量份為0.1~50質量份;
[式中,R5~R8係各自獨立表示碳數1~8之1價烴基,m表示1~100之整數,A及B為滿足0<A≦1、0≦B≦1、且A+B=1之正數,Y為下述式(4)所示之2價有機基。
9.一種晶圓層合體之製造方法,其係如1~8中任一項之晶圓層合體之製造方法,且包括以下步驟:(a)於支撐體直接形成具有遮光性之樹脂層A或形成樹脂層A形成用之樹脂組成物層A’的步驟、(b)於晶圓之電路形成面形成非聚矽氧熱可塑性樹脂層C的步驟、(c)在已形成之樹脂層A或樹脂組成物層A’上,更形成樹脂層B形成用之樹脂組成物層B’的步驟、(d)在減壓下接合樹脂組成物層B’,與非聚矽氧熱可塑性樹脂層C的步驟、及(e)實施前述樹脂組成物層B’之熱硬化而形成樹脂層B,並同時實施與樹脂層A之接合的步驟;或在使用樹脂組成物層A’時,與樹脂組成物層B’同時地實施熱硬化而形成樹脂層A及樹脂層B並進行接合的步驟。
10.一種晶圓層合體之製造方法,其係如1~8中任一 項之晶圓層合體之製造方法,且包括以下步驟:(a)於支撐體直接形成具有遮光性之樹脂層A或形成樹脂層A形成用之樹脂組成物層A’的步驟、(b)於晶圓之電路形成面形成非聚矽氧熱可塑性樹脂層C的步驟、(c’)於前述樹脂層C之上形成樹脂層B形成用之樹脂組成物層B’的步驟、(d’)在減壓下接合前述支撐體上之樹脂層A或樹脂組成物層A’,與樹脂組成物層B’的步驟、及(e)實施前述樹脂組成物層B’之熱硬化而形成樹脂層B,並同時實施與樹脂層A之接合的步驟;或在使用樹脂組成物層A’時,與樹脂組成物層B’同時地實施熱硬化而形成樹脂層A及B並進行接合的步驟。
11.一種薄型晶圓之製造方法,其係包括研削或研磨以如9或10之方法取得之晶圓層合體之晶圓之非電路形成面的步驟。
根據本發明,可提供一種晶圓層合體,其係能強固接合支撐體-晶圓並予以支撐,且具有熱耐性,容易從支撐體分離晶圓。
1‧‧‧支撐體
2‧‧‧接著劑層
2a‧‧‧樹脂層A
2b‧‧‧樹脂層B
2c‧‧‧樹脂層C
3‧‧‧晶圓
[圖1]展示本發明之晶圓層合體之一例的模式 圖。
本發明之晶圓層合體係具備支撐體、形成於該支撐體上之接著劑層、及晶圓之晶圓層合體,且該晶圓係以具有電路面之表面面對該接著劑層之方式層合於該接著劑層。前述接著劑層係從前述支撐體側依序包含:具有遮光性之樹脂層A、包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂層B、及包含非聚矽氧系熱可塑性樹脂之樹脂層C。
若具體說明本發明之晶圓層合體之構造,例如圖1所示,其為支撐體1與晶圓3利用接著劑層2而接合者。接著劑層2為包含:鄰接支撐體1而形成之樹脂層2a、鄰接樹脂層2a而形成之樹脂層2b、及鄰接樹脂層2b而形成之樹脂層2c之3層者。
作為前述支撐體,可舉出如透明基板、矽晶圓、陶瓷基板等,從剝離支撐體之際所照射之雷射之穿性之觀點,以透明基板為佳。作為前述透明基板,通常係使用玻璃基板或石英基板,其厚度通常以300~1,000μm為佳,以500~800μm為較佳。
前述晶圓通常為半導體晶圓。作為該半導體晶圓之例,可舉出如矽晶圓、鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓等。前述晶圓之厚度並無特別限定,通常以600~800μm為佳,以625~775μm為較佳。
樹脂層A為具有遮光性之樹脂層(遮光層),特別係以對於500nm以下之波長具有較大吸收者為佳。為了保持樹脂層A之耐熱性或接著性、耐藥品性等之特徴,樹脂層A係以由包含含有下述式(1)所示之重複單位之樹脂A之樹脂組成物A之硬化物所構成者為佳。式(1)所示之重複單位可僅包含1種,亦可包含2種以上。
式(1)中,R1~R3係各自獨立為氫原子、羥基、或碳數1~20,較佳為碳數1~10之1價有機基。但,R1~R3之至少1個為羥基。
作為前述1價有機基,可舉出如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、新戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基、n-十二基、n-十五基、n-二十烷基、環戊基、環己 基、環戊基甲基、環己基甲基、環戊基乙基、環己基乙基、環戊基丁基、環己基丁基、金剛烷基等之直鏈狀、分枝狀或環狀之烷基;甲氧基等之烷氧基;環氧丙氧基等之含環氧基之基;苯基、萘基等之芳基等。作為R1~R3,以氫原子、羥基、甲基等為佳。
式(1)中、R4為氫原子,或可具有取代基之碳數1~30,較佳為碳數1~10之1價有機基。作為R4所示之1價有機基,可舉出如烷基、苯基、萘基、蒽基、降莰基等,此等氫原子之一部分亦可被烷基、芳基、醛基、鹵素原子、硝基、腈基、羥基等取代。
樹脂A係通常可藉由在無溶劑或溶劑中,使用酸或鹼作為觸媒,在室溫或因應必要冷卻或加熱下,使萘酚或其衍生物與醛化合物進行縮聚合反應而得。
作為前述萘酚或其衍生物,可舉出如1-萘酚、2-萘酚、2-甲基-1-萘酚、4-甲氧基-1-萘酚、7-甲氧基-2-萘酚、1,2-二羥基萘、1,3-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1,4-二羥基萘、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、1,7-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,8-二羥基萘、5-胺基-1-萘酚、2-甲氧基羰基-1-萘酚、1-(4-羥基苯基)萘、6-(4-羥基苯基)-2-萘酚、6-(環己基)-2-萘酚、1,1’-聯-2-萘酚、6,6’-聯-2-萘酚、9,9-雙(6-羥基-2-萘基)茀、6-羥基-2-乙烯基萘、1-羥基甲基萘、2-羥基甲基萘等。前述萘酚或其衍生物係可單獨使用1種或可組合2種以上使用。
作為前述醛化合物,可舉出如下述式(5)所表示者。
R4-CHO (5)(式中,R4係與前述相同。)
作為式(5)所示之醛化合物,可舉出例如,甲醛、三噁烷、三聚甲醛、乙醛、丙基醛、金剛烷甲醛、苯甲醛、苯基乙醛、α-苯基丙基醛、β-苯基丙基醛、o-氯苯甲醛、m-氯苯甲醛、p-氯苯甲醛、o-硝基苯甲醛、m-硝基苯甲醛、p-硝基苯甲醛、o-甲基苯甲醛、m-甲基苯甲醛、p-甲基苯甲醛、p-乙基苯甲醛、p-n-丁基苯甲醛、1-萘基醛、2-萘基醛、蒽甲醛、芘甲醛、糠醛、二甲縮醛、酞醛、異酞醛、對酞醛、萘二甲醛、蒽二甲醛、芘二甲醛等。前述醛化合物係可單獨使用1種或可組合2種以上使用。
作為前述縮聚合反應使用之溶劑,可舉出例如,甲醇、乙醇、異丙基醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、丙三醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、丙二醇單甲基醚等之醇類;二乙基醚、二丁基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、四氫呋喃(THF)、1,4-二噁烷等之醚類;二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、三氯乙烯等之氯系溶劑;己烷、庚烷、苯、甲苯、茬、異丙苯等之烴類;乙腈等之腈類;丙酮、乙基甲基酮、異丁基甲基酮等之酮類;乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、丙二醇甲基醚乙酸酯等之酯類;γ-丁內酯等之內酯類;二甲 亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、六甲基磷三醯胺等之非質子性極性溶劑。此等溶劑係可單獨使用1種或混合2種以上使用。此等溶劑在相對於萘酚或其衍生物與醛化合物之合計100質量份,可較佳係在0~2,000質量份,更佳係在10~2,000質量份之範圍內使用。
作為前述縮聚合反應使用之酸觸媒,可舉出例如,鹽酸、氫溴酸、硫酸、硝酸、磷酸、雜多酸等之無機酸類、草酸、三氟乙酸、甲烷磺酸、苯磺酸、p-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸等之有機酸類、三氯化鋁、乙氧基化鋁、異丙氧基化鋁、三氟化硼、三氯化硼、三溴化硼、四氯化錫、四溴化錫、二氯化二丁基錫、二甲氧基化二丁基錫、氧化二丁基錫、四氯化鈦、四溴化鈦、甲氧基化鈦(IV)、乙氧基化鈦(IV)、異丙氧基化鈦(IV)、氧化鈦(IV)等之路易斯酸類。
又,作為前述縮聚合反應使用之鹼觸媒,可舉出例如,氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、氫化鋰、氫化鈉、氫化鉀、氫化鈣等之無機鹼類、甲基鋰、n-丁基鋰、氯化甲基鎂、溴化乙基鎂等之烷基金屬類、甲氧基化鈉、乙氧基化鈉、tert-丁氧基化鉀等之烷氧化物類、三乙基胺、二異丙基乙基胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、4-二甲基胺基吡啶等之有機鹼類。
觸媒之使用量係相對於萘酚或其衍生物與醛化合物之合計100質量份,較佳為0.001~100質量份,更佳為0.005~50質量份之範圍。反應溫度係以從-50℃至溶 劑沸點程度為佳,以從室溫至100℃為更佳。
作為縮聚合反應方法,可舉出將萘酚或其衍生物、醛類、觸媒一次置放之方法,或在觸媒存在下持續滴入萘酚或其衍生物、醛類之方法。
萘酚或其衍生物與醛化合物之使用比率在相對於萘酚或其衍生物之合計而言,以莫耳比計,醛化合物係以0.01~5為佳,較佳為0.05~2,更佳為0.05~1,最佳為0.1~0.9。
縮聚合反應結束後,為了去除存在於系統內之未反應原料、觸媒等,亦可使反應釜之溫度上升至130~230℃,在1~50mmHg程度下去除揮發成分,或加入適宜溶劑或水分開聚合物,或使聚合物溶解於良溶劑後,在貧溶劑中進行再沉澱。此等係可根據取得之反應生成物之性質來區分使用。
藉此而得之樹脂A之重量平均分子量(Mw)係以500~500,000為佳,以1,000~100,000為較佳。前述聚合物之分散度係以在1.2~20之範圍為佳,但若減少單體成分、寡聚物成分或Mw未滿500之低分子量體時,則可抑制烘烤中之揮發成分,且可防止烘烤杯周邊之污染或因揮發成分落下所導致表面缺陷之產生。尚且,本發明中Mw係藉由使用THF作為溶劑之凝膠滲透層析(GPC)並以聚苯乙烯換算之測量值。
樹脂組成物A係以包含使樹脂A因熱反應而交聯之交聯劑為佳。作為前述交聯劑,適宜使用分子內具 有2個以上官能基之環氧化合物、環氧樹脂、羥甲基三聚氰胺等之胺基樹脂等,為了促進此等交聯劑與前述聚合物之交聯反應,以更添加觸媒為佳。
作為前述環氧化合物或環氧樹脂,可舉出如2官能、3官能、4官能以上之多官能環氧樹脂,例如日本化藥(股)製之EOCN-1020(參照下述式)、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000,或下述式所表示者等。
在使用前述環氧化合物或環氧樹脂作為交聯劑時,其配合量係相對於具有式(1)所示之重複單位之 聚合物100質量份,以0.1~50質量份為佳,較佳為0.1~30質量份,更佳為1~30質量份。交聯劑係可單獨使用1種或可將2種以上組合使用。配合量若在前述範圍,即可取得充足交聯密度,且取得之硬化物會充分進行作用。
尚且,在使用前述環氧樹脂作為交聯劑時,以添加作為觸媒之硬化促進劑為佳。藉由含有環氧樹脂硬化促進劑,可使硬化反應適當且均勻地進行。
環氧樹脂硬化促進劑係可舉出例如2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、及此等化合物之乙基異氰酸酯化合物、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑等之咪唑化合物、1,8-二吖雙環[5.4.0]十一烯-7(DBU)、1,5-二吖雙環[4.3.0]壬烯-5(DBN)、DBU之有機酸鹽、DBU之酚樹脂鹽、DBU衍生物之四苯基硼酸鹽等之DBU系化合物、三苯基膦、三丁基膦、參(p-甲基苯基)膦、參(p-甲氧基苯基)膦、參(p-乙氧基苯基)膦、三苯基膦‧三苯基硼酸酯、四苯基膦‧四苯基硼酸酯等之三有機膦類、4級鏻鹽、三伸乙基銨‧三苯基硼酸酯等之第3級胺、及其四苯基硼酸鹽等。前述環氧樹脂硬化促進劑係可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
環氧樹脂硬化促進劑之配合量係相對於樹脂A 100質量份,以0.1~10質量份為佳,較佳為0.2~5質量份。
又,作為本發明使用之羥甲基三聚氰胺等之胺基樹脂,可舉出如選自由藉由福馬林或福馬林-醇所變性之胺基縮合物及1分子中具有平均2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物所成群之1種以上之化合物。
前述胺基樹脂之Mw係以150~10,000者為佳,以200~3,000者為較佳。Mw若在前述範圍內,可取得充足硬化性,且組成物硬化後之耐熱性亦為良好。
作為前述藉由福馬林或福馬林-醇所變性之胺基縮合物,可舉出例如藉由福馬林或福馬林-醇所變性之三聚氰胺縮合物,或藉由福馬林或福馬林-醇所變性之脲縮合物。
藉由福馬林或福馬林-醇所變性而成之三聚氰胺縮合物係可藉由例如依據公知方法以福馬林使三聚氰胺單體羥甲基化來進行變性,或將此更以醇進行烷氧基化來變性,作成下述式所示之變性三聚氰胺而調製。尚且,作為前述醇,以低級醇,例如碳數1~4之醇為佳。
作為前述變性三聚氰胺,可舉出如三甲氧基 甲基單羥甲基三聚氰胺、二甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基羥甲基三聚氰胺等。其次,根據常法,藉由使前述變性三聚氰胺或由此所得之多聚物(例如,2聚物、3聚物等之寡聚物)與甲醛進行加成縮聚合直到成為所欲之分子量,而可取得藉由福馬林或福馬林-醇所變性之三聚氰胺縮合物。尚且,可使用前述變性三聚氰胺及其縮合物之1種以上之變性三聚氰胺縮合物作為交聯劑。
又,藉由福馬林或福馬林-醇所變性之脲縮合物係可藉由例如依據公知方法以福馬林使所欲之分子量之脲縮合物進行羥甲基化來變性,或將此更以醇進行烷氧基化來變性而調製。
作為前述變性脲縮合物之具體例,可舉出例如甲氧基甲基化脲縮合物、乙氧基甲基化脲縮合物、丙氧基甲基化脲縮合物等。尚且,可使用此等1種以上之變性脲縮合物。
此等之中,作為1分子中具有平均2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物,可舉出例如,(2-羥基-5-甲基)-1,3-苯二甲醇、2,2’,6,6’-四甲氧基甲基雙酚A等。
此等胺基縮合物或酚化合物係可單獨使用1種或組合2種以上使用。
交聯劑之配合量係相對於樹脂A 100質量份,以0.1~50質量份為佳,以1~30質量份為較佳。若在 前述範圍,則組成物A會充分,且取得之硬化物會充分作用。
尚且,將前述羥甲基三聚氰胺等之胺基樹脂使用作為交聯劑時,以添加熱酸產生劑作為觸媒為佳。此熱酸產生劑並未特別限定,可舉出例如下述式所表示之銨鹽。
(式中,R17~R20係各自獨立表示氫原子、碳數1~12之直鏈狀、分枝或環狀之烷基或氧代烷基、碳數2~12之直鏈狀、分枝或環狀之烯基或氧代烯基、碳數6~20之芳基、或碳數7~12之芳烷基或芳基氧代烷基,此等基之氫原子之一部分或全部亦可被烷氧基取代。選自R17~R20之兩個亦可與此等所結合之氮原子一同形成環,該環係在環中具有式中之氮原子之碳數3~10之脂肪族環,或在環中具有式中之氮原子之碳數5~10之雜芳香族環。X-係為α位之至少1個經氟化之磺酸、全氟烷基醯亞胺酸或全氟烷基甲基化酸。)
X-係具體地可舉出如三氟甲磺酸根陰離子、全氟丁磺酸根陰離子等之全氟烷磺酸陰離子、α位之至少1個經氟取代之磺酸根陰離子、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺陰離子、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺陰離子、雙(全氟丁基磺醯基)醯亞胺陰離子等之醯亞胺陰離子、甲基化 參(三氟甲基磺醯基)陰離子、甲基化(全氟乙基磺醯基)陰離子等之甲基化(methanide)陰離子。
熱酸產生劑之配合量係相對於樹脂A 100質量份,以0.1~15質量份為佳,較佳為0.2~10質量份。若在前述範圍,則組成物A會充分硬化,且組成物A之保存安定性亦為良好。
樹脂組成物A可包含溶劑。作為前述溶劑,可舉出例如,環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等之酮類;3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇類;丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等之醚類;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸tert-丁酯、丙酸tert-丁酯、丙二醇單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等之酯類等。此等係可單獨使用1種單獨或混合2種以上使用。前述溶劑之配合量係相對於樹脂A 100質量份,以100~5,000質量份為佳,較佳為150~2,500質量份。
又,樹脂組成物A係亦可使用作為不包含溶劑之膜狀組成物。
樹脂組成物A在因應必要亦可包含界面活性劑,或作為更加提升耐熱性之目的,可包含防氧化劑等。
作為界面活性劑,並無特別限定,可舉出例 如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂醯基醚、聚氧乙烯十六基醚、聚氧乙烯烯烴醚等之聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯辛基酚醚、聚氧乙烯壬基酚醚等之聚氧乙烯烷基芳基醚類、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物類、花楸丹單月桂酸酯、花楸丹單棕櫚酸酯、花楸丹單硬脂酸酯等之花楸丹脂肪酸酯類、聚氧乙烯花楸丹單月桂酸酯、聚氧乙烯花楸丹單棕櫚酸酯、聚氧乙烯花楸丹單硬脂酸酯、聚氧乙烯花楸丹三油酸酯、聚氧乙烯花楸丹三硬脂酸酯等之聚氧乙烯花楸丹脂肪酸酯之非離子系界面活性劑、Eftop(註冊商標)EF301、EF303、EF352((股)Tohkem Products製)、Megafac(註冊商標)F171、F172、F173(DIC(股)製)、Fluorad(註冊商標)FC430、FC431(3M公司製)、AsahiguardAG710、Surflon(註冊商標)S-381、S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106、Surfynol(註冊商標)E1004、KH-10、KH-20、KH-30、KH-40(旭硝子(股))等之氟系界面活性劑、有機矽氧烷聚合物KP341、X-70-092、X-70-093、X-70-1102(信越化學工業(股)製)、丙烯酸系或甲基丙烯酸系Polyflow No.75、No.95(共榮社化學(股)製)。此等係可單獨使用1種或可組合2種以上使用。
作為防氧化劑,以選自受阻酚系化合物、受阻胺系化合物、有機磷化合物及有機硫化合物之至少1種為佳。
作為前述受阻酚系化合物,並無特別限定, 以下述例示者為佳。可舉出例如1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯(商品名:IRGANOX 1330)、2,6-二-t-丁基-4-甲基酚(商品名:Sumilizer BHT)、2,5-二-t-丁基-氫醌(商品名:Nocrac NS-7)、2,6-二-t-丁基-4-乙基酚(商品名:Nocrac M-17)、2,5-二-t-戊基氫醌(商品名:Nocrac DAH)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-t-丁基酚)(商品名:Nocrac NS-6)、3,5-二-t-丁基-4-羥基-苄基膦酸酯-二乙基酯(商品名:IRGANOX 1222)、4,4’-硫代雙(3-甲基-6-t-丁基酚)(商品名:Nocrac 300)、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-t-丁基酚)(商品名:Nocrac NS-5)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-t-丁基酚)(商品名:Adekastab AO-40)、2-t-丁基-6-(3-t-丁基-2-羥基-5-甲基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯(商品名:Sumilizer GM)、2-[1-(2-羥基-3,5-二-t-戊基苯基)乙基]-4,6-二-t-戊基苯基丙烯酸酯(商品名:Sumilizer GS)、2,2’-亞甲基雙[4-甲基-6-(α-甲基-環己基)酚]、4,4’-亞甲基雙(2,6-二-t-丁基酚)(商品名:Seenox 226M)、4,6-雙(辛基甲硫基)-o-甲酚(商品名:IRGANOX 1520L)、2,2’-伸乙基雙(4,6-二-t-丁基酚)、十八基-3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯(商品名:IRGANOX 1076)、1,1,3-參-(2-甲基-4-羥基-5-t-丁基苯基)丁烷(商品名:Adekastab AO-30)、肆[亞甲基-(3,5-二-t-丁基-4-羥基氫桂皮酸酯)]甲烷(商品名:Adekastab AO-60)、三乙二醇雙[3-(3-t-丁基-5-甲基-4- 羥基苯基)丙酸酯](商品名:IRGANOX 245)、2,4-雙-(n-辛硫基)-6-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪(商品名:IRGANOX 565)、N,N’-六亞甲基雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基-氫桂皮醯胺)(商品名:IRGANOX 1098)、1,6-已二醇-雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](商品名:IRGANOX 259)、2,2-硫-二伸乙基雙[3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](商品名:IRGANOX 1035)、3,9-雙[2-[3-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]1,1-二甲基乙基]2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷(商品名:Sumilizer GA-80)、參-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)異三聚氰酸酯(商品名:IRGANOX 3114)、雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基膦酸乙基)鈣/聚乙烯蠟混合物(50:50)(商品名:IRGANOX 1425WL)、異辛基-3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯(商品名:IRGANOX 1135)、4,4’-硫代雙(6-t-丁基-3-甲基酚)(商品名:Sumilizer WX-R)、6-[3-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-t-丁基二苯並[d,f][1,3,2]二氧雜亞膦酸酯(dioxaphosphepine)(商品名:Sumilizer GP)等。
作為前述受阻胺系化合物,並無特別限定,以下述例示者為佳。可舉出例如,p,p’-二辛基二苯基胺(商品名:IRGANOX 5057)、苯基-α-萘基胺(Nocrac PA)、聚(2,2,4-三甲基-1,2-二氫喹啉)(商品名:Nocrac 224、224-S)、6-乙氧基-2,2,4-三甲基-1,2-二氫喹 啉(商品名:Nocrac AW)、N,N’-二苯基-p-伸苯基二胺(商品名:Nocrac DP)、N,N’-二-β-萘基-p-伸苯基二胺(商品名:Nocrac White)、N-苯基-N’-異丙基-p-伸苯基二胺(商品名:Nocrac 810NA)、N,N’-二烯丙基-p-伸苯基二胺(商品名:Nonflex TP)、4,4’-(α,α-二甲基苄基)二苯基胺(商品名:Nocrac CD)、p,p-甲苯磺醯基胺基二苯基胺(商品名:Nocrac TD)、N-苯基-N’-(3-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-p-伸苯基二胺(商品名:Nocrac G1)、N-(1-甲基庚基)-N’-苯基-p-伸苯基二胺(商品名:Ozonon 35)、N,N’-二-sec-丁基-p-伸苯基二胺(商品名:Sumilizer BPA)、N-苯基-N’-1,3-二甲基丁基-p-伸苯基二胺(商品名:Antigene 6C)、烷基化二苯基胺(商品名:Sumilizer 9A)、琥珀酸二甲基-1-(2-羥基乙基)-4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶縮聚合物(商品名:Tinuvin 622LD)、聚[[6-(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基][(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]六亞甲基[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]](商品名:CHIMASSORB 944)、N,N’-雙(3-胺基丙基)乙二胺-2,4-雙[N-丁基-N-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)胺基]-6-氯-1,3,5-三嗪縮合物(商品名:CHIMASSORB 119FL)、雙(1-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(商品名:TINUVIN 123)、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(商品名:TINUVIN 770)、2-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)-2-n-丁基丙二酸雙(1,2,2,6,6-五 甲基-4-哌啶基)(商品名:TINUVIN 144)、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯(商品名:TINUVIN 765)、肆(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)1,2,3,4-丁烷四羧酸酯(商品名:LA-57)、肆(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)1,2,3,4-丁烷四羧酸酯(商品名:LA-52)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶酚及1-十三醇之混合酯化物(商品名:LA-62)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與2,2,6,6-四甲基-4-哌啶酚及1-十三醇之混合酯化物(商品名:LA-67)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶酚及3,9-雙(2-羥基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷之混合酯化物(商品名:LA-63P)、1,2,3,4-丁烷四羧酸與2,2,6,6-四甲基-4-哌啶酚及3,9-雙(2-羥基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷之混合酯化物(商品名:LA-68LD)、(2,2,6,6-四亞甲基-4-哌啶基)-2-伸丙基羧酸酯(商品名:Adekastab LA-82)、(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-2-伸丙基羧酸酯(商品名:Adekastab LA-87)等。
作為前述有機磷化合物,並無特別限定,以下述例示者為佳。可舉出例如雙(2,4-二-t-丁基苯基)[1,1-聯苯基]-4,4’-二基雙亞磷酸酯、9,10-二氫-9-氧雜-10-膦菲-10-氧化物(商品名:SANKO-HCA)、三乙基亞磷酸酯(商品名:JP302)、三-n-丁基亞磷酸酯(商品名:JP304)、三苯基亞磷酸酯(商品名:Adekastab TPP)、二苯基單辛基亞磷酸酯(商品名:Adekastab C)、三(p- 甲苯酚基)亞磷酸酯(商品名:Chelex-PC)、二苯基單癸基亞磷酸酯(商品名:Adekastab 135A)、二苯基單(十三基)亞磷酸酯(商品名:JPM313)、參(2-乙基已基)亞磷酸酯(商品名:JP308)、苯基二癸基亞磷酸酯(商品名:Adekastab 517)、十三基亞磷酸酯(商品名:Adekastab 3010)、四苯基二丙二醇二亞磷酸酯(商品名:JPP100)、雙(2,4-二-t-丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯(商品名:Adekastab PEP-24G)、參(十三基)亞磷酸酯(商品名:JP333E)、雙(壬基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯(商品名:Adekastab PEP-4C)、雙(2,6-二-t-丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯(商品名:Adekastab PEP-36)、雙[2,4-二(1-苯基異丙基)苯基]季戊四醇二亞磷酸酯(商品名:Adekastab PEP-45)、三月桂基三硫代亞磷酸酯(商品名:JPS312)、參(2,4-二-t-丁基苯基)亞磷酸酯(商品名:IRGAFOS 168)、參(壬基苯基)亞磷酸酯(商品名:Adekastab 1178)、二硬脂醯基季戊四醇二亞磷酸酯(商品名:Adekastab PEP-8)、參(單,二壬基苯基)亞磷酸酯(商品名:Adekastab 329K)、三油醯基亞磷酸酯(商品名:Chelex-OL)、三硬脂醯基亞磷酸酯(商品名:JP318E)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-t-丁基苯基貳十三基)亞磷酸酯(商品名:JPH1200)、四(C12-C15混合烷基)-4,4’-異亞丙基二苯基二亞磷酸酯(商品名:Adekastab 1500)、四(十三基)-4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-t-丁基酚)二亞磷酸酯 (商品名:Adekastab 260)、六(十三基)-1,1,3-參(2-甲基-5-t-丁基-4-羥基苯基)丁烷-三亞磷酸酯(商品名:Adekastab 522A)、氫化雙酚A亞磷酸酯聚合物(HBP)、肆(2,4-二-t-丁基苯基氧基)4,4’-伸聯苯基-二-膦(商品名:P-EPQ)、肆(2,4-二-t-丁基-5-甲基苯基氧基)4,4’-伸聯苯基-二-膦(商品名:GSY-101P)、2-[[2,4,8,10-肆(1,1-二甲基乙基)二苯並[d,f][1,3,2]二氧雜亞膦酸酯-6-基]氧基]-N,N-雙[2-[[2,4,8,10-肆(1,1-二甲基乙基)二苯並[d,f][1,3,2]二氧雜亞膦酸酯-6-基]氧基]-乙基]乙胺(商品名:IRGAFOS 12)、2,2’-亞甲基雙(4,6-二-t-丁基苯基)辛基亞磷酸酯(商品名:Adekastab HP-10)等。
作為前述有機硫化合物,並無特別限定,以下述例示者為佳。可舉出例如二月桂基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名:Sumilizer TPL-R)、二肉豆蔻基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名:Sumilizer TPM)、二硬脂醯基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名:Sumilizer TPS)、季戊四醇肆(3-月桂基硫代丙酸酯)(商品名:Sumilizer TP-D)、貳十三基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名:Sumilizer TL)、2-巰基苯並咪唑(商品名:Sumilizer MB)、貳十三基-3,3’-硫代二丙酸酯(商品名:Adekastab AO-503A)、1,3,5-參-β-硬脂醯基硫代丙醯氧基乙基異三聚氰酸酯、3,3’-硫代雙丙酸貳十二基酯(商品名:IRGANOX PS 800FL)、3,3’-硫代雙丙酸貳十八基酯(商品名: IRGANOX PS 802FL)等。
前述防氧化劑之中,以Adekastab AO-60為特佳。前述防氧化劑之添加量係相對於樹脂A 100質量份,以0.5~5質量份為佳,以1~3質量份為較佳。若在前述範圍,可取得充足耐熱效果,且亦可取得相溶性。尚且,防氧化劑係單獨使用1種或可組合2種以上使用。
又,樹脂組成物A中,為了更提高耐熱性,可相對樹脂A100質量份,添加公知之二氧化矽等之填料50質量份以下。
樹脂組成物A為溶液時,以旋轉塗佈、輥塗佈、模式塗佈、印刷、浸漬等之方法在支撐體上進行塗佈,因應其溶劑之揮發條件,藉由在以80~200℃為佳,較佳在100~180℃之溫度下進行預烘烤,使溶劑揮發,來形成樹脂組成物層A’。
另一方面,樹脂組成物A為膜狀組成物時,可藉由積層法在支撐體上形成樹脂組成物層A’。
形成於支撐體上之樹脂組成物層A’藉由更使其加熱硬化,而可作用作為樹脂層A。加熱硬化係能藉由加熱板或烤箱實施,其條件通常為在100~350℃下5~10分鐘,適宜為在150~300℃下3~8分鐘。此硬化反應係亦可不使樹脂組成物層A’硬化而形成未硬化狀態之晶圓層合體後,加熱層合體全體來達成。
形成於支撐體上之樹脂層A之膜厚係以0.1~50μm為佳,以0.3~30μm為較佳。膜厚若在前述範圍,則具有充分遮光性,膜之平坦性亦為良好。
樹脂層A係作用作為遮光層,波長500nm之光線穿透率係以20%以下為佳,較佳為18%以下,更佳為15%以下。並且,樹脂層A係以作為最大吸收波長在500nm以下,且500nm以下之波長之光線亦超過80%遮光者為佳。
[樹脂層B]
在從耐熱性等之觀點,樹脂層B係為由包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂(以下,亦稱為樹脂B)之樹脂組成物B之硬化物所構成者。又,在為了貼合支撐體與矽晶圓之相異種類之基板之目的,從抑制其之翹曲之觀點,前述硬化物在25℃下之樹脂模數為10~1,000MPa。尚且,本發明中樹脂模數係意指使用公知之動態黏彈性測量裝置,在樹脂組成物B之硬化物之形狀為厚度0.5mm、30mm×10mm見方、及頻率1Hz之拉伸條件下進行測量之特定溫度中之儲存模數(E’)。
作為樹脂B,以環氧變性聚矽氧樹脂為佳。
作為前述環氧變性聚矽氧樹脂,以由下述式(2)所示之重複單位及因應必要之下述式(3)所示之重複單位所構成者為佳。
式中,R5~R8係各自獨立表示碳數1~8之1價烴基。m表示1~100之整數。A及B為0<A≦1、0≦B≦1且滿足A+B=1之正數。Y為下述式(4)所表示之2價有機基。
前述環氧變性聚矽氧樹脂係Mw為3,000~500,000,以10,000~100,000為佳。又,樹脂層B中之矽氧烷量係以控制成基質聚合物中30~80質量%為理想。
前述環氧變性聚矽氧樹脂係可依據例如日本特開2013-110391號公報記載之方法進行合成。
樹脂組成物B為了其之熱硬化,以含有包含選自1分子中具有平均2個以上酚性羥基之酚化合物及1分子中具有平均2個以上環氧基之環氧化合物之至少1種之交聯劑為佳。
在此,作為前述環氧化合物,並無特限定,可舉出在樹脂層A之說明中所例示者。
作為前述酚化合物,並無特別限定,可舉出如m-或p-甲酚系酚醛樹脂(例如,旭有機材工業(股)製EP-6030G)、3官能酚化合物(例如,本州化學工業(股)製Tris-P-PA)、4官能性酚化合物(例如,旭有機材工業(股)TEP-TPA)等。
交聯劑之配合量係相對於樹脂B 100質量份,以0.1~50質量份為佳,較佳為0.1~30質量份,更佳為1~20質量份。交聯劑係可單獨使用1種或可組合2種以上使用。
又,相對於前述環氧變性聚矽氧樹脂100質量份,樹脂組成物B可以10質量份以下之比例包含酸酐等之硬化觸媒。
樹脂組成物B亦可包含溶劑。作為前述溶劑,可舉出如環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等之酮類;3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇類;丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等之醚類;丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、 乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸tert-丁酯、丙酸tert-丁酯、丙二醇單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等之酯類等。溶劑係可單獨使用1種單獨或混合2種以上使用。前述溶劑之配合量係相對於樹脂B100質量份,以40~1,000質量份為佳,較佳為50~600質量份。
又,樹脂組成物B係亦可使用作成不包含溶劑之膜狀組成物。
為了提升塗佈均勻性、耐熱性,樹脂組成物B亦可包含界面活性劑、防氧化劑。作為前述界面活性劑及防氧化劑,可舉出如在樹脂層A之說明中所例示者。
樹脂組成物B為了更加提高耐熱性,相對於樹脂B100質量份,可包含二氧化矽等之填料50質量份以下。
樹脂組成物B為溶液時,以旋轉塗佈、輥塗佈、模式塗佈、印刷、浸漬等之方法塗佈於樹脂層A或樹脂組成物層A’或後述樹脂層C上,因應其之溶劑揮發條件,較佳在60~160℃下進行1~4分鐘,更佳在80~140℃下進行2~4分鐘之預烘烤來使溶劑揮發,而可形成樹脂組成物層B’。
另一方面,樹脂組成物B為膜狀組成物時,可藉由積層法在樹脂層A或樹脂組成物層A’或後述樹脂層C上形成樹脂組成物層B’。
樹脂組成物層B’係藉由熱硬化而形成樹脂層B,樹脂層B在因應晶圓側之段差,硬化時之膜厚係以 1~200μm為較佳,較佳係以5~150μm進行成膜為佳。膜厚若在前述範圍,於接合之際可取得充足接著性,且接合後之貼合晶圓之平坦性亦為良好。
樹脂層C為包含不具有矽氧烷骨架之熱可塑性樹脂(非聚矽氧系熱可塑性樹脂)者。從對於具有段差之矽晶圓等之適用性,具有良好旋轉塗佈性之非聚矽氧系熱可塑性樹脂係特別適宜使用作為形成熱可塑性樹脂層之材料。作為此種非聚矽氧系熱可塑性樹脂,特別係以玻璃轉移溫度-80~120℃程度之非聚矽氧系熱可塑性樹脂為佳,Mw係以20,000~200,000為佳,較佳為30,000~150,000者。
作為前述非聚矽氧系熱可塑性樹脂,可舉出如聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚丁二烯系熱可塑性彈性體、聚苯乙烯系熱可塑性彈性體、聚苯乙烯‧丁二烯系熱可塑性彈性體、聚苯乙烯‧烯烴系熱可塑性彈性體等之非聚矽氧系熱可塑性彈性體,特別適宜為耐熱性優異之氫化聚苯乙烯系彈性體。具體地可舉出如Taftec(註冊商標)(旭化成化學(股)製)、Espolex(註冊商標)SB系列(住友化學(股)製)、Rabalon(註冊商標)(三菱化學(股)製)、Septon(註冊商標)((股)可樂麗製)、DYNARON(註冊商標)(JSR(股)製)等。又,作為前述非聚矽氧系熱可塑性樹脂,可舉出如由Zeonex(註冊商標)(日本瑞翁(股)製)所代表之環烯 烴聚合物、由TOPAS(註冊商標)(Topas Advanced Polymers公司製)所代表之環狀烯烴共聚物等。
作為非聚矽氧系熱可塑性樹脂,以非聚矽氧系熱可塑性彈性體為佳。若為具備包含非聚矽氧系熱可塑性彈性體之層之複合暫時接著劑層,在薄型晶圓製作後,由於可從支撐體容易剝離此晶圓,故可更容易地操作容易破裂之薄型晶圓。
樹脂層C係以包含非聚矽氧系熱可塑性樹脂之樹脂組成物C之硬化物為佳。
樹脂組成物C在為了提高其耐熱性之目的上可包含防氧化劑,或為了提高塗覆性可包含界面活性劑,或為了提高剝離性可包含離型劑。作為防氧化劑,可舉出如二-tert-丁基酚等。作為界面活性劑,可舉出如氟聚矽氧系界面活性劑X-70-1102(信越化學工業(股)製)等。作為離型劑,可舉出如KF-96(信越化學工業(股)製)等。
樹脂組成物C亦可包含溶劑。作為前述溶劑,可舉出如烴系溶劑,較佳可舉出如壬烷、p-薄荷烷、蒎烯、異辛烷、甲苯、茬、均三甲苯等,根據其塗覆性,以壬烷、p-薄荷烷、異辛烷、均三甲苯為較佳。溶劑係可單獨使用1種單獨或混合2種以上使用。前述溶劑之配合量係相對於樹脂C 100質量份,以250~3,500質量份為佳,較佳為300~2,000質量份。
又,樹脂組成物C係亦可使用作為不包含溶 劑之膜狀組成物。
樹脂組成物C為溶液時,以旋轉塗佈、輥塗佈、模式塗佈、印刷、浸漬等之方法塗佈於晶圓上,其後藉由加熱板或烤箱進行加熱,而可形成樹脂層C。此時,加熱條件係通常在100~200℃下1~10分鐘,適宜為130~190℃下2~5分鐘。
另一方面,樹脂組成物C為膜狀組成物時,可藉由積層法而在晶圓上形成樹脂層C。
樹脂層C之膜厚係以1~20μm為佳,較佳為2~15μm。膜厚若在前述範圍,可均勻地覆蓋晶圓上之段差,且變得無因加熱不足造成之溶劑殘留之憂慮。
本發明之晶圓層合體之製造方法係包含下述步驟(a)~(e)。
步驟(a)為在支撐體上形成具有遮光性之樹脂層A或樹脂組成物層A’之步驟。在形成樹脂層A用之樹脂組成物A為溶液時,將此藉由旋轉塗佈、輥塗佈等之方法塗佈於支撐體上,因應其溶劑之揮發條件,較佳在80~200℃,更佳在100~180℃之溫度下進行預烘烤,使溶劑揮發,而形成樹脂組成物層A’。又,樹脂組成物A為膜狀組成物時,藉由積層法而在支撐體上形成樹脂組成物層 A’。
形成於支撐體上之樹脂組成物層A’藉由使其加熱硬化,而可作用作為樹脂層A。加熱硬化係能藉由加熱板或烤箱實施,其溫度通常為100~350℃,適宜為150~300℃。又,硬化時間通常為1~10分鐘,適宜為2~8分鐘。此硬化反應係亦可不使樹脂組成物層A’硬化而形成未硬化狀態之晶圓層合體後,藉由加熱層合體全體來達成。
步驟(b)係在晶圓之表面電路形成面形成樹脂層C之步驟。樹脂層C在當樹脂組成物C為溶液時,以旋轉塗佈、輥塗佈、模式塗佈、印刷、浸漬等之方法塗佈於晶圓上,其後藉由加熱板或烤箱進行加熱,而可形成非聚矽氧系熱可塑性樹脂層C。
另一方面,樹脂組成物C為膜狀組成物時,可藉由積層法在晶圓上形成非聚矽氧系熱可塑性樹脂層C。
步驟(c)係在樹脂層A或樹脂組成物層A’上形成樹脂層B形成用之樹脂組成物層B’之步驟,步驟(c’)係在樹脂層C上形成該樹脂組成物層B’之步驟。樹脂組成物層B’係樹脂組成物B為溶液時,以旋轉塗佈、輥塗 佈、模式塗佈、印刷、浸漬等之方法塗佈於樹脂層A或樹脂組成物層A’或樹脂層C上,因應其溶劑之揮發條件,較佳在60~160℃下進行1~4分鐘,更佳在80~140℃下進行2~4分鐘預烘烤,使溶劑揮發,而可形成樹脂組成物層B’。另一方面,樹脂組成物B為膜狀組成物時,可藉由積層法在樹脂層A或樹脂組成物層A’或樹脂層C上形成樹脂組成物層B’。
步驟(d)係在減壓下接合樹脂組成物層B’與樹脂層C之步驟,步驟(d’)係在減壓下接合樹脂層A或樹脂組成物層A’與樹脂組成物層B’之步驟。作為減壓條件,以1~100Pa為佳,較佳為3~80Pa。又,此時,宜較佳在40~200℃,更佳在60~180℃之溫度區域中,減壓下,將此基板均勻地壓著使其接合。
步驟(e)係實施在步驟(d)或(d’)中已接合之晶圓層合體之樹脂組成物層B’之熱硬化而形成樹脂層B,並同時進行與樹脂層A之接合的步驟;或,在使用樹脂組成物層A’時,與樹脂組成物層B’同時地進行熱硬化而形成樹脂層A及B並進行接合的步驟。在前述晶圓層合體形成後,藉由在120~220℃,較佳在150~200℃下,進行10分~4小時,較佳進行30分~2小時加熱來實施熱硬化。
如以上所述,藉由組合支撐體、接著劑層及表面具有電路之基板,而可取得晶圓層合體。
藉由研削前述方法所得之晶圓層合體之晶圓之非電路形成面,而可製造薄型晶圓。
其次,可對藉由背面研削而薄型化之晶圓加工體之非電路形成面施以加工,而製造薄型晶圓加工體。此步驟中包括在晶圓等級使用之各種製程。作為其例,可舉出如形成電極形成、形成金屬配線、形成保護膜等。更具體而言,可舉出如形成電極等用之金屬濺鍍、蝕刻金屬濺鍍層之濕式蝕刻、形成金屬配線之作為遮罩用之光阻之塗佈、曝光、及顯像所成之圖型形成、光阻之剝離、乾式蝕刻、形成金屬電鍍、形成TSV用之矽蝕刻、形成矽表面之氧化膜等過往公知之製程。
薄型晶圓加工體係可藉由照射355nm之雷射,而從晶圓層合體剝離。
以下,展示調製例、實施例及比較例而更具體地說明本發明,但本發明並非係受限於此等實施例。尚且,在下述例中,份代表質量份,重量平均分子量(Mw)係由使用THF作為溶劑之由GPC所得之以聚苯乙烯所換算之測量值。又,下述例使用之化合物(M-1)~ (M-3)、酸產生劑AG係如下所示。
在具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之5L燒瓶內中,使環氧化合物(M-1)84.1g溶解於甲苯250g後,添加化合物(M-2)121.0g及化合物(M-3)21.5g,加溫至60℃。其後,投入碳載持鉑觸媒(5質量%)1g,確認內部反應溫度升溫到65~67℃後,更加溫至90℃,並熟成3小時。其次,冷卻至室溫後,對反應溶液添加甲基異丁基酮(MIBK)250g,對此藉由使用過濾器進行加壓過濾而去除鉑觸媒。減壓餾除此溶液中之溶劑,添加丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)150g,而取得固形物濃度60質量%之將PGMEA作為溶劑之樹脂溶液。此樹脂溶液中之樹脂之Mw為45,000。
對此樹脂溶液100g添加4官能酚化合物之TEP-TPA (旭有機材工業(股)製)9g及四氫無水酞酸(新日本理化(股)製、Rikacid HH-A)0.2g,以孔徑1μm之膜過濾器進行過濾,而取得環氧變性聚矽氧樹脂組成物B1。
在具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之5L燒瓶內,使環氧化合物(M-1)84.1g溶解於甲苯170g後,加入化合物(M-2)60.5g及化合物(M-3)24.2g,並加溫至60℃。其後,投入碳載持鉑觸媒(5質量%)1g,確認內部反應溫度升溫至65~67℃後,更加溫至90℃,並熟成3小時。其次,冷卻至室溫後,對反應溶液添加MIBK170g,對此藉由使用過濾器進行加壓過濾而去除鉑觸媒。減壓餾除此樹脂溶液中之溶劑,添加PGMEA 110g,而取得固形物濃度60質量%之將PGMEA作為溶劑之樹脂溶液。此樹脂溶液中之樹脂之Mw為42,000。
對此樹脂溶液100g添加4官能酚化合物之TEP-TPA(旭有機材工業(股)製)9g及四氫無水酞酸(新日本理化(股)製、Rikacid HH-A)0.2g,以孔徑1μm之膜過濾器進行過濾,而取得環氧變性聚矽氧樹脂組成物B2。
在具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之5L燒瓶內,使環氧化合物(M-1)84.1g溶解於甲苯110g後,添加化合物(M-3)26.9g,並加溫至60℃。其後, 投入碳載持鉑觸媒(5質量%)1g,確認內部反應溫度升溫至65~67℃後,更加溫至90℃,並熟成3小時。其次,冷卻至室溫後,對反應溶液添加MIBK110g,對此藉由使用過濾器進行加壓過濾而去除鉑觸媒。減壓餾除此樹脂溶液中之溶劑,添加PGMEA70g,而取得固形物濃度60質量%之將PGMEA作為溶劑之樹脂溶液。此樹脂溶液中之樹脂之Mw為25,000。
對此樹脂溶液100g添加4官能酚化合物之TEP-TPA(旭有機材工業(股)製)9g及四氫無水酞酸(新日本理化(股)製、Rikacid HH-A)0.2g,以孔徑1μm之膜過濾器進行過濾,而取得含矽氧烷之組成物B3。
對1,000mL之燒瓶添加1,5-二羥基萘80g(0.50莫耳)、2-羥基-6-萘醛51.6g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g,在70℃下攪拌並同時添加20質量%對甲苯磺酸甲基溶纖劑溶液20g。將溫度提升至85℃攪拌6小時後,冷卻至室溫,並以乙酸乙酯800mL進行稀釋。重複轉移至分液漏斗並以脫離子水200mL進行洗淨,而去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮取得之溶液後,對殘渣加入乙酸乙酯600mL,使用己烷2,400mL使聚合物沉澱。過濾分離已沉澱之聚合物且回收後,進行減壓乾燥,而取得包含下述式所示之重複單位之樹脂A1。樹脂A1之Mw為3,200,分散度(Mw/Mn)為2.44。
使樹脂A120份、酸產生劑AG1份、及交聯劑之Nikalac Mw390((股)三和化學製)4份溶解於包含FC-430(3M公司製)0.1質量%之PGMEA100份中,藉由使用0.1μm之氟樹脂製過濾器進行過濾而取得樹脂組成物A1。
對1,000mL之燒瓶添加1,5-二羥基萘80g(0.50莫耳)、三聚甲醛9.0g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g,在70℃下攪拌並同時添加20質量%對甲苯磺酸甲基溶纖劑溶液20g。將溫度提升至85℃攪拌6小時後,冷卻至室溫,並以乙酸乙酯800mL進行稀釋。重複轉移至分液漏斗並以脫離子水200mL進行洗淨,而去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮取得之溶液後,對殘渣加入乙酸乙酯600mL,使用己烷2,400mL使聚合物沉澱。過濾分離已沉澱之聚合物且回收後,進行減壓乾燥,而取得包含下述式所示之重複單位之樹脂A2。樹脂A2之Mw為1,500,Mw/Mn為2.20。
使樹脂A2 20份、酸產生劑AG1份、及交聯劑之 Nikalac Mw390((股)三和化學製)4份溶解於包含FC-430(3M公司製)0.1質量%之PGMEA100份中,藉由使用0.1μm之氟樹脂製過濾器進行過濾而取得樹脂組成物A2。
對1,000mL之燒瓶加入1-羥基萘72g(0.50莫耳)、2-羥基-6-萘醛51.6g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g,在70℃下攪拌並同時添加20質量%對甲苯磺酸甲基溶纖劑溶液20g。將溫度提升至85℃攪拌6小時後,冷卻至室溫,並以乙酸乙酯800mL進行稀釋。重複轉移至分液漏斗並以脫離子水200mL進行洗淨,而去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮取得之溶液後,對殘渣加入乙酸乙酯600mL,使用己烷2,400mL使聚合物沉澱。過濾分離已沉澱之聚合物且回收後,進行減壓乾燥,而取得包含下述式所示之重複單位之樹脂A3。樹脂A3之Mw為2,700,Mw/Mn為2.61。
使樹脂A3 20份、酸產生劑AG1份、及交聯劑之Nikalac Mw390((股)三和化學製)4份溶解於包含FC-430(3M公司製)0.1質量%之PGMEA100份中,藉由使 用0.1μm之氟樹脂製過濾器進行過濾而取得樹脂組成物A3。
對1,000mL之燒瓶添加2-甲基羥基苯32.4g(0.30莫耳)、2-羥基-6-萘醛51.6g(0.30莫耳)及甲基溶纖劑145g,在70℃下攪拌並同時添加20質量%對甲苯磺酸甲基溶纖劑溶液20g。將溫度提升至85℃攪拌6小時後,冷卻至室溫,並以乙酸乙酯800mL進行稀釋。重複轉移至分液漏斗並以脫離子水200mL進行洗淨,而去除反應觸媒與金屬雜質。減壓濃縮取得之溶液後,對殘渣加入乙酸乙酯600mL,使用己烷2,400mL使聚合物沉澱。過濾分離已沉澱之聚合物且回收後,進行減壓乾燥,而取得包含下述式所示之重複單位之樹脂A4。樹脂A4之Mw為2,100,Mw/Mn為1.58。
使樹脂A420份、酸產生劑AG1份、及交聯劑之Nikalac Mw390((股)三和化學製)4份溶解於包含FC-430(3M公司製)0.1質量%之PGMEA100份中,藉由使用0.1μm之氟樹脂製過濾器進行過濾而取得樹脂組成物 A4。
使樹脂A4 10份、酸產生劑AG1份、交聯劑之Nikalac Mw390((股)三和化學製)2份及碳黑8份溶解於包含FC-430(3M公司製)0.05質量%之PGMEA100份中,藉由使用0.1μm之氟樹脂製過濾器進行過濾而取得樹脂組成物A5。
使氫化聚苯乙烯系熱可塑性樹脂Septon4033((股)可樂麗製聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯共聚物、苯乙烯含量30質量%、氫化率98%以上、Tg=102℃、Mw=95,000)24g溶解於p-薄荷烷176g,而取得12質量%之Septon4033之p-薄荷烷溶液。使用0.2μm之膜過濾器過濾取得之溶液,而取得非聚矽氧熱可塑性樹脂之p-薄荷烷溶液C1。
使氫化聚苯乙烯系熱可塑性樹脂Septon8007((股)可樂麗製聚苯乙烯-聚(乙烯/丁烯)-聚苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯含量30質量%、氫化率98%以上、Tg=111℃、Mw=90,000)16g溶解於p-薄荷烷184g,而取得8質量%之Septon8007之p-薄荷烷溶液。使用0.2μm之膜過濾器過濾取得之溶液,而取得非聚矽氧系熱可塑性樹脂之p-薄荷烷溶液C2。
在直徑200mm(厚度:500μm)之玻璃板上旋轉塗佈樹脂組成物A1、A2、A3、A4或A5後,藉由使用加熱板在250℃下加熱5分鐘,而使對應樹脂層A之材料以表1所示之膜厚予以成膜。
另一方面,在於表面之全表面形成有高度10μm、直徑40μm之銅柱之直徑200mm矽晶圓(厚度:725μm)之銅柱面上旋轉塗佈p-薄荷烷溶液C1或C2後,藉由以加熱板在150℃下加熱5分鐘而以表1所示之膜厚形成熱可塑性樹脂層C。
更在樹脂層A上或樹脂層C上旋轉塗佈組成物B1、B2或B3後,藉由加熱板在150℃下加熱5分鐘而以表1所示之膜厚形成樹脂層B。使用玻璃板-樹脂層A-樹脂層B與樹脂層C-晶圓,或玻璃板-樹脂層A、樹硬化脂層B-樹脂層C-晶圓之組合,使個別之樹脂面面對之方式,在 真空貼合裝置(EVG公司製、EVG520IS)內,在0.1Pa以下之減壓條件下,以表1所示之條件進行貼合,而製成晶圓層合體。
其後,對於此已接合之基板實施下述試驗。其結果係如表1。尚且,依照以下順序實施評價。
200mm之晶圓接合係使用EVG公司之晶圓接合裝置EVG520IS實施。在接合溫度為表1記載之值、接合時之腔內壓力為0.1Pa以下、荷重為5kN下實施。
接合後,一度在180℃下使用烤箱加熱基板1小時,實施樹脂層B之硬化後,冷卻至室溫,其後分別以目視及光學顯微鏡確認界面之接合狀況,將在界面下之氣泡等之異常未發生之情況評價為良好並標示「○」,將異常發生之情況評價為不良並標示「×」。
以研磨機((股)DISCO製、DAG810)使用金剛石磨石進行矽晶圓之背面研削。研磨成最終基板厚50μm後,使用光學顯微鏡(100倍)調查有無龜裂、剝離等之異常。將異常未發生之情況評價為良好並標示「○」,將發生異常之情況評價為不良並標示「×」。
將背面研削矽晶圓後之加工體導入CVD裝置,進行2μm之SiO2膜之生成實驗,調查此時有無外觀異常。將外觀異常未發生之情況評價為良好並標示「○」,將發生空隙、晶圓膨脹、晶圓破損等之外觀異常之情況評價為不良評價並標示「×」。CVD耐性試驗之條件係如以下所示。
裝置名:電漿CVD PD270STL(Samco(股)製)
RF500W、內壓40Pa
TEOS(四乙基正矽酸酯):O2=20sccm:680sccm
支撐體之剝離性係依據以下方法進行評價。首先,在完成CVD耐性試驗之晶圓加工體之薄型化至50μm之晶圓側使用切割架貼上切割帶,藉由真空吸附此切割帶面,設置於吸附板。其後,從支撐體側對全面照射355nm之雷射。能將支撐體及50μm之晶圓無破割地成功剝離之情況標示「○」,將破裂等之異常發生之情況評價為不良並標示「×」。
樹脂層B之去層剝離性係依據以下方法進行評價。首先,在完成支撐體之剝離試驗之晶圓加工體之樹脂層B之面上貼附剝離用帶。其後,拉起剝離用帶,在樹脂層B與晶圓之界面、或樹脂層B與熱可塑性樹脂層(C)之界面 上使其剝離。此時,能將50μm之晶圓無破裂而成功剝離之情況標示「○」,將破裂等之異常發生之場合評價為評價並標示「×」。
前述剝離性試驗結束後,依據以下方法評價由溶劑所成之洗淨除去性之試驗。將經由切割帶而裝設於切割架上之200mm晶圓(經暴露於CVD耐性試驗條件者),以熱可塑性樹脂層C朝上之方式設置於選轉塗佈機上,使用p-薄荷烷作為洗淨溶劑,洗淨方法係進行噴霧5分鐘,使晶圓旋轉並同時以噴霧異丙基醇(IPA)來進行潤洗。其後,觀察外觀以目視確認有無殘留之樹脂層C。將未發現樹脂殘留者評價為良好並標示「○」,將發現樹脂殘留者評價為不良並標示「×」。
在矽晶圓上旋轉塗佈p-薄荷烷溶液C1後,藉由使用加熱板在150℃下加熱5分鐘,將對應層C之材料C1以表1所示之膜厚使其成膜之外,並在旋轉塗佈組成物B1、B2或B3後,在加熱板上150℃下加熱3分鐘而使對應層B之材料(B1~B3)形成50μm膜厚。其後以烤箱在180℃下費時1小時使層B硬化。
其後,在前述晶圓之層B上,貼上5條150mm長×25mm寬之聚醯亞胺膠帶,去除未張貼膠帶之部分之暫時 接著劑層。使用(股)島津製作所製之AUTOGRAPH(AG-1)在300mm/分之速度下,從膠帶之一端以剝離180°之方式剝離120mm,此時將施加力之平均(120mm行程×5次)設成該暫時接著層(B/C)之剝離力。
在厚度500μm之玻璃基板上,將樹脂溶液A1、A2、A3、A4或A5轉塗佈成膜厚0.3μm後,在250℃下進行5分鐘熱硬化而形成樹脂層A,照射500萬勒克司後,測量其穿透率(波長500nm)。將穿透率為20%以下之情況評為良好並標示「○」,將高於20%之情況評為不良並標示「×」。
如表1所示,可得知實施例1~6中,暫時接著及剝離為容易者。另一方面,在比較例1中,雷射照射後,支撐體未剝離且產生破裂,比較例2中,由於樹脂層B之係數高,故在背面研削時產生異常,比較例3中,由於不包含樹脂層C,故無法進行樹脂層B之去層剝離。尚且,實施例1~4中,藉由SEM-EDX試驗測量洗淨後之晶圓表面時,確認到金屬污染(金屬:Ca、K、Na、Mg、Mn、Pb)皆係在成為問題之程度以下。
尚且,本發明並非係受限於前述實施形態 者。前述實施形態僅為例示,具有本發明之申請專利範圍記載之技術思想實質上相同之構成,且達成相同作用效果者,無論係何種形式皆係包括在本發明之技術範圍。
1:支撐體
2:接著劑層
2a:樹脂層A
2b:樹脂層B
2c:樹脂層C
3:晶圓
Claims (9)
- 一種晶圓層合體,其係具備支撐體、形成於該支撐體上之接著劑層、及晶圓之晶圓層合體;該晶圓係以具有電路面之表面面對該接著劑層之方式層合於該接著劑層,前述接著劑層係從前述支撐體側依序包含:具有遮光性之樹脂層A、包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂層B、及包含非聚矽氧系熱可塑性樹脂之樹脂層C,前述樹脂層A在波長500nm之光線穿透率為20%以下,前述樹脂層A係由樹脂組成物A之硬化物所構成,該樹脂組成物A包含含有下述式(1)所示之重、複單位且重量平均分子量為500~500,000之樹脂A,前述樹脂層B係由硬化物所構成,該硬化物為包含含有矽氧烷骨架及環氧基之樹脂之樹脂組成物B之硬化物,且該樹脂組成物B之硬化物之樹脂模數為10~1,000MPa,前述樹脂模數為使用公知之動態黏彈性測量裝置,在樹脂組成物B之硬化物之形狀為厚度0.5mm、30mm×10mm見方、及頻率1Hz之拉伸條件下進行測量之在25℃溫度中之儲存模數(E’);
- 如請求項1之晶圓層合體,其中前述非聚矽氧系熱可塑性樹脂為玻璃轉移溫度-80~120℃之樹脂。
- 如請求項1之晶圓層合體,其中樹脂組成物A更包含交聯劑。
- 如請求項1之晶圓層合體,其中樹脂組成物A更包含酸產生劑。
- 如請求項1之晶圓層合體,其中樹脂組成物A更包含有機溶劑。
- 如請求項1之晶圓層合體,其中樹脂組成物B為包含環氧變性聚矽氧樹脂,與交聯劑之組成物;該環氧變性聚矽氧樹脂係由下述式(2)所示之重複單位及因應必要之下述式(3)所示之重複單位所構成,且重量平均分子量為3,000~500,000者, 該交聯劑包含選自1分子中平均具有2個以上酚基之酚化合物及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物之任一種以上,前述交聯劑之含量係相對於前述環氧變性聚矽氧樹脂100質量份為0.1~50質量份;
- 一種晶圓層合體之製造方法,其係如請求項1~6中任一項之晶圓層合體之製造方法,且包括以下步驟: (a)於支撐體直接形成具有遮光性之樹脂層A或樹脂層A形成用之樹脂組成物層A’的步驟、(b)於晶圓之電路形成面形成非聚矽氧熱可塑性樹脂層C的步驟、(c)在已形成之樹脂層A或樹脂組成物層A’上,更形成樹脂層B形成用之樹脂組成物層B’的步驟、(d)在減壓下接合樹脂組成物層B’,與非聚矽氧熱可塑性樹脂層C的步驟、及(e)實施前述樹脂組成物層B’之熱硬化而形成樹脂層B,並同時實施與樹脂層A之接合的步驟;或在使用樹脂組成物層A’時,與樹脂組成物層B’同時地實施熱硬化而形成樹脂層A及樹脂層B並進行接合的步驟。
- 一種晶圓層合體之製造方法,其係如請求項1~6中任一項之晶圓層合體之製造方法,且包括以下步驟:(a)於支撐體直接形成具有遮光性之樹脂層A或形成樹脂層A形成用之樹脂組成物層A’的步驟、(b)於晶圓之電路形成面形成非聚矽氧熱可塑性樹脂層C的步驟、(c’)於前述樹脂層C之上形成樹脂層B形成用之樹脂組成物層B’的步驟、(d’)在減壓下接合前述支撐體上之樹脂層A或樹脂組成物層A’,與樹脂組成物層B’的步驟、及(e)實施前述樹脂組成物層B’之熱硬化而形成樹脂 層B,並同時實施與樹脂層A之接合的步驟;或在使用樹脂組成物層A’時,與樹脂組成物層B’同時地實施熱硬化而形成樹脂層A及B並進行接合的步驟。
- 一種薄型晶圓之製造方法,其係包括研削或研磨以如請求項7或8之方法取得之晶圓層合體之晶圓之非電路形成面的步驟。
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