TWI713912B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI713912B
TWI713912B TW107136815A TW107136815A TWI713912B TW I713912 B TWI713912 B TW I713912B TW 107136815 A TW107136815 A TW 107136815A TW 107136815 A TW107136815 A TW 107136815A TW I713912 B TWI713912 B TW I713912B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
processing liquid
substrate
processing
end time
Prior art date
Application number
TW107136815A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201923888A (zh
Inventor
太田喬
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201923888A publication Critical patent/TW201923888A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713912B publication Critical patent/TWI713912B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置（100）及基板處理方法。基板處理裝置（100）包括：腔室（1）、噴嘴（3）、供給配管（5）、閥（7）、溫度檢測部（9）、及控制部（11）。噴嘴（3）向基板（W）噴出處理液。供給配管（5）對噴嘴（3）供給處理液。閥（7）能夠切換成打開狀態與關閉狀態，所述打開狀態使於供給配管（5）內流動的處理液朝向噴嘴（3）通過，所述關閉狀態使自供給配管（5）朝噴嘴（3）的處理液的供給停止。溫度檢測部（9）檢測腔室（1）內的處理液的溫度。控制部（11）基於處理液的溫度來控制閥（7），並以基於處理液的累積熱量成為規定值（PV）的方式控制處理液的噴出時間。累積熱量表示代表投入至基板（W）的處理液的熱量的累積值的物理量。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明是有關於一種處理基板的基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1記載的基板處理裝置是對基板逐片進行處理的單片型。而且，基板處理裝置將室溫的磷酸水溶液與具有較磷酸水溶液的沸點高的溫度的高溫的硫酸水溶液於供給配管內混合，生成磷酸、硫酸、及水的混合液。與硫酸水溶液混合的磷酸水溶液利用硫酸水溶液的熱而被加熱。進而，藉由將磷酸水溶液與硫酸水溶液混合，產生稀釋熱。而且，與硫酸水溶液混合的磷酸水溶液不僅利用硫酸水溶液的熱被加熱，亦利用稀釋熱被加熱。因而，混合液中所含的磷酸水溶液被加熱至沸點附近，包含沸點附近的磷酸水溶液的混合液(以下，記載為「處理液」)朝基板噴出。其結果，於對形成有氮化矽膜的基板進行蝕刻處理的情況下，可獲得高選擇比、與高蝕刻速率。若進行規定時間的時刻處理，則閥關閉，而停止自噴嘴噴出混合液。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-74601號公報
但是，於專利文獻1記載的基板處理裝置中，存在因處理中的基板的周圍環境的溫度(以下，記載為「環境溫度」。)的變動，於多個基板間，處理結果產生些許偏差的可能性。
具體而言，存在處理中的基板的環境溫度的變動對處理液的溫度產生些許影響的可能性。特別是於使用高溫的處理液的情況下，環境溫度與處理液的溫度之差大，故環境溫度的變動的影響較使用非高溫的處理液的情況亦變大。
當環境溫度的變動對處理液的溫度即便產生些許影響時，亦存在於多個基板間，處理結果產生些許偏差的可能性。特別是近年來存在要求連處理結果的些許偏差亦抑制的情況。換言之，存在要求於多個基板間，處理結果的均一性的進一步提高的情況。
例如，一般而言，於基板處理裝置中，於儲存處理液的處理液槽、以及於將處理液供給至基板的準備階段使處理液循環的循環配管中，進行將處理液調整成規定的溫度的措施，或將該處理液的流量及噴出時間根據處理步驟而設定成規定的值的措施。但是，例如伴隨環境溫度的變動，實際投入至基板的處理液的溫度會產生微妙的變動。其結果，於現有裝置中，特別是於利 用高溫的處理液進行處理的現有裝置中，儘管進行了處理液槽及循環配管的溫度調整，或進行了處理液的流量及噴出時間的控制，還是會發生於多個基板間處理液的處理結果產生偏差的問題。
因此，本申請案的發明者著眼於累積熱量，對在多個基板間處理結果產生偏差的原因進行了詳細研究。累積熱量以物理量表示，所述物理量代表投入至基板的處理液的熱量的累積值。具體而言，累積熱量由處理液的溫度的時間積分值來表示。
參照圖12，對累積熱量進行說明。圖12是表示一般的基板處理裝置中的處理液的溫度推移的圖。如圖12所示，橫軸表示時間，縱軸表示處理液的溫度。時刻t0表示處理液的噴出開始時刻，時刻te表示處理液的噴出結束時刻。溫度Tr表示環境溫度。
曲線C1表示對第1片基板進行處理時的處理液的溫度推移。曲線C2表示對第2片基板進行處理時的處理液的溫度推移。曲線C3表示對第3片基板進行處理時的處理液的溫度推移。
第1片~第3片基板的處理時間固定(te-t0)。而且，如曲線C1及曲線C2所示，就第1片基板和第2片基板而言，處理液的溫度推移大致相同。因而，就第1片基板和第2片基板而言，累積熱量大致相同。其結果，就第1片基板和第2片基板而言，處理結果大致相等。
但是，如曲線C3所示，因受到環境溫度的變動的影響，於某一時間段，針對第3片基板而言的處理液的溫度較針對第1片基板而言的處理液的溫度稍低。因而，針對第3片基板而言的 累積熱量較針對第1片基板而言的累積熱量稍小。進而，處理結果依存於累積熱量。其結果，就第1片基板和第3片基板而言，存在處理結果稍有不同的可能性。
以上，如參照圖12所說明般，本申請案的發明者查明：當因環境溫度的變動的影響而累積熱量於多個基板間不同時，存在於多個基板間處理結果產生些許偏差的可能性。
因此，本申請案的發明者自累積熱量的觀點出發，對基板處理裝置及基板處理方法進行了深入研究。
本發明是鑒於所述課題而成者，其目的在於提供一種能夠提高於多個基板間處理液的處理結果的均一性的基板處理裝置及基板處理方法。
根據本發明的一方面，基板處理裝置對基板進行處理。基板處理裝置包括：腔室、噴嘴、供給配管、閥、溫度檢測部、及控制部。腔室收容所述基板。噴嘴配置於所述腔室內，向所述基板噴出處理液。供給配管對所述噴嘴供給所述處理液。閥能夠切換成打開狀態與關閉狀態，所述打開狀態使於所述供給配管內流動的所述處理液朝向所述噴嘴通過，所述關閉狀態使自所述供給配管朝所述噴嘴的所述處理液的供給停止。溫度檢測部檢測所述腔室內的所述處理液的溫度。控制部基於所述處理液的溫度來控制所述閥，並以基於所述處理液的累積熱量成為規定值的方式控制所述處理液的噴出時間。所述累積熱量以物理量表示，所述 物理量代表投入至所述基板的所述處理液的熱量的累積值。
於本發明的基板處理裝置中，所述控制部較佳為以使所述閥自所述打開狀態成為所述關閉狀態的方式，基於噴出結束時間資訊來控制所述閥。所述噴出結束時間資訊較佳為基於溫度剖面圖(temperature profile)而預先規定，表示所述處理液的噴出結束時間。所述溫度剖面圖較佳為表示當對與所述基板相同的基板噴出與所述處理液相同的處理液時，所述相同的處理液的溫度的時間推移。所述噴出結束時間資訊所示的所述噴出結束時間較佳為表示所述相同的處理液的溫度的時間積分值變得與所述規定值相等的時間。
於本發明的基板處理裝置中，所述控制部較佳為於將所述處理液向所述基板噴出的期間中執行選擇處理。所述選擇處理較佳為表示自多個所述噴出結束時間資訊中選擇與所述處理液的溫度對應的噴出結束時間資訊的處理。所述控制部較佳為基於所述經選擇的噴出結束時間資訊來控制所述閥，使所述閥自所述打開狀態成為所述關閉狀態。所述多個噴出結束時間資訊較佳為分別基於互不相同的多個所述溫度剖面圖而預先規定。
於本發明的基板處理裝置中，所述控制部較佳為僅執行一次所述選擇處理。
於本發明的基板處理裝置中，所述溫度檢測部較佳為於噴出所述處理液的過程中的多個規定檢測時刻檢測所述處理液的溫度。所述控制部較佳為針對每個所述規定檢測時刻，基於在所 述規定檢測時刻所檢測出的所述處理液的溫度來執行所述選擇處理。
於本發明的基板處理裝置中，所述處理液較佳為包含磷酸、或硫酸過氧化氫水混合液。
於本發明的基板處理裝置中，較佳為包括多個所述腔室。較佳為每個所述腔室包括所述噴嘴、所述供給配管、所述閥、及所述溫度檢測部。所述控制部較佳為針對每個所述腔室，以所述累積熱量成為所述規定值的方式控制所述處理液的噴出時間。
根據本發明的另一方面，基板處理方法是對基板進行處理的方法。基板處理方法包括：噴出步驟，向收容於腔室的所述基板噴出處理液；檢測步驟，檢測所述腔室內的所述處理液的溫度；以及控制步驟，基於所述處理液的溫度，以基於所述處理液的累積熱量成為規定值的方式控制所述處理液的噴出時間。所述累積熱量以物理量表示，所述物理量代表投入至所述基板的所述處理液的熱量的累積值。
於本發明的基板處理方法中，所述控制步驟較佳為包括基於噴出結束時間資訊來結束所述處理液的噴出的結束步驟。所述噴出結束時間資訊較佳為基於溫度剖面圖而預先規定，表示所述處理液的噴出結束時間。所述溫度剖面圖較佳為表示當對與所述基板相同的基板噴出與所述處理液相同的處理液時，所述相同的處理液的溫度的時間推移。所述噴出結束時間資訊所示的所述噴出結束時間較佳為表示所述相同的處理液的溫度的時間積分值 變得與所述規定值相等的時間。
於本發明的基板處理方法中，較佳為所述控制步驟更包括於將所述處理液向所述基板噴出的期間中執行選擇處理的選擇步驟。所述選擇處理較佳為表示自多個所述噴出結束時間資訊中選擇與所述處理液的溫度對應的噴出結束時間資訊。於所述結束步驟中，較佳為基於所述經選擇的噴出結束時間資訊來結束所述處理液的噴出。所述多個噴出結束時間資訊較佳為分別基於互不相同的多個所述溫度剖面圖而預先規定。
於本發明的基板處理方法中，於所述選擇步驟中較佳為僅執行一次所述選擇處理。
於本發明的基板處理方法中，於所述檢測步驟中較佳為，於噴出所述處理液的過程中的多個規定檢測時刻檢測所述處理液的溫度。於所述選擇步驟中，較佳為針對每個所述規定檢測時刻，基於在所述規定檢測時刻所檢測出的所述處理液的溫度來執行所述選擇處理。
於本發明的基板處理方法中，所述處理液較佳為包含磷酸、或硫酸過氧化氫水混合液。
於本發明的基板處理方法中，於所述控制步驟中，較佳為針對分別收容多個所述基板的多個所述腔室，以所述累積熱量成為所述規定值的方式控制所述處理液的噴出時間。
根據本發明，能夠提高於多個基板間處理液的處理結果 的均一性。
1:腔室
3:噴嘴
5:供給配管
7:閥
9:溫度檢測部
11:控制部
13:存儲部
22:處理單元
24:流體箱
26:處理液盒
28:控制裝置
30:旋轉卡盤
32:杯體
34:待機口
36:噴嘴移動單元
38:流量計
40:流量調整閥
60:處理液槽
61:循環配管
62:上游配管
63:個別配管
64:下游配管
65:泵
66:過濾器
67:溫度調節器
100、100A:基板處理裝置
A1:旋轉軸線
A2:轉動軸線
B1、C、C1、C2、C3:曲線
B2:線
CR:中心機器人
IR:分度器機器人
LP:裝載口
PF、PF1、PF2、PF3:溫度剖面圖
S1、S3、S5、S7、S11、S13、S15、S17、S71、S73、S75、S171、S173、S175:步驟
ST1、ST2、ST3:噴出結束時間資訊
t0:處理液的噴出開始時刻
T1~T3:處理液的溫度(參照溫度)
T4~T9:參照溫度
t10、t11、t12、t13:時刻
TB、TB1~TB3:噴出結束時間表
te、te1、te2、te3:處理液的噴出結束時刻
Tr:環境溫度
TW:塔
W:基板
x1、x2、x3:時刻(規定檢測時刻)
X、Y、Z:軸
圖1是表示本發明的實施方式1的基板處理裝置的圖。
圖2是表示實施方式1的基板處理裝置中的處理液的溫度推移的圖。
圖3是表示實施方式1的基板處理裝置的溫度剖面圖的圖。
圖4是表示實施方式1的基板處理裝置的噴出結束時間表的圖。
圖5是表示實施方式1的基板處理裝置所執行的基板處理方法的流程圖。
圖6是表示實施方式1的變形例的基板處理裝置的噴出結束時間表的圖。
圖7是表示變形例的基板處理裝置所執行的基板處理方法的流程圖。
圖8是表示本發明的實施方式2的基板處理裝置的平面圖。
圖9是表示實施方式2的基板處理裝置的處理單元的內部的圖。
圖10是表示實施方式2的基板處理裝置的配管的圖。
圖11是表示實施方式2的基板處理裝置中的處理液的溫度推移的圖。
圖12是表示一般的基板處理裝置中的處理液的溫度推移的 圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明的實施方式進行說明。再者，圖中，對相同或相當部分標注相同的參照符號且不重覆說明。
(實施方式1)
參照圖1~圖5對本發明的實施方式1的基板處理裝置100進行說明。圖1是表示基板處理裝置100的圖。如圖1所示，基板處理裝置100對基板W進行處理。具體而言，基板處理裝置100是對基板W逐片進行處理的單片型。基板處理裝置100包括：腔室1、噴嘴3、供給配管5、閥7、溫度檢測部9、控制部11、及存儲部13。
腔室1收容基板W。於實施方式1中，基板W為大致圓板狀。噴嘴3配置於腔室1內。噴嘴3向基板W噴出處理液。處理液是藥液。例如，於基板處理裝置100對形成有氮化矽膜的基板執行蝕刻處理的情況下，處理液包含磷酸。例如，於基板處理裝置100執行抗蝕劑(resist)的去除處理的情況下，處理液包含硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM)。包含磷酸或SPM的處理液是於高溫下使用的處理液的一例。
供給配管5連接於噴嘴3。供給配管5對噴嘴3供給處理液。供給至供給配管5的處理液的溫度被維持為較室溫高的規 定溫度(以下，記載為「規定溫度TM」)以上的特定溫度。規定溫度TM表示能夠對基板W實現規定的處理速率(例如，規定的蝕刻速率或規定的對象物去除速率)的溫度。換言之，規定溫度TM表示能夠對基板W於規定時間內達成規定的處理結果(例如，規定的蝕刻量或規定的對象物去除量)的溫度。規定溫度TM於包含磷酸的處理液中例如為175℃。規定溫度TM於包含SPM的處理液中例如為200℃。
閥7配置於供給配管5。閥7是開閉閥，能夠切換成打開狀態與關閉狀態。所謂打開狀態是使於供給配管5內流動的處理液朝向噴嘴3通過的狀態。所謂關閉狀態是使自供給配管5朝噴嘴3的處理液的供給停止的狀態。
溫度檢測部9檢測腔室1內的處理液的溫度。於實施方式1中，溫度檢測部9檢測供給配管5內的處理液的溫度。具體而言，溫度檢測部9的測溫部(未圖示)接觸供給配管5內的處理液，從而檢測處理液的溫度。溫度檢測部9較佳為於噴嘴3的附近檢測供給配管5內的處理液的溫度。這是由於溫度檢測部9檢測溫度的位置越靠近噴嘴3，檢測出的溫度越接近基板W上的處理液的溫度。
例如，溫度檢測部9包含溫度感測器。溫度感測器例如包含熱電偶及測量器。具體而言，熱電偶插入至供給配管5。而且，熱電偶檢測供給配管5內的處理液的溫度，並將對應於溫度的電壓訊號輸出至測量器。測量器將電壓訊號轉變成溫度，並將表示 溫度的資訊輸出至控制部11。測量器既可配置於腔室1內，亦可配置於腔室1外。熱電偶的測溫結較佳為於供給配管5內，配置於噴嘴3的附近。測溫結相當於溫度檢測部9的測溫部。再者，溫度檢測部9可藉由檢測供給配管5的外表面的溫度來間接地檢測處理液的溫度。另外，例如，溫度檢測部9既可於噴嘴3的內部檢測處理液的溫度，亦可藉由檢測噴嘴3的外表面的溫度來間接地檢測處理液的溫度。
溫度檢測部9只要於腔室1內檢測處理液的溫度，則可於供給配管5以外的位置及噴嘴3以外的位置檢測處理液的溫度。例如，溫度檢測部9可於將處理液噴出至基板W後，檢測基板W上的處理液的溫度。於檢測基板W上的處理液的溫度的情況下，例如，溫度檢測部9包含輻射溫度計。輻射溫度計對自噴出至基板W的處理液放射的紅外線或可見光線的強度進行測定，從而測定噴出至基板W的處理液的溫度。而且，輻射溫度計將表示處理液的溫度的訊號輸出至控制部11。
控制部11於向基板W噴出處理液的期間中，基於由溫度檢測部9檢測出的處理液的溫度來控制處理液的噴出時間。具體而言，控制部11基於處理液的溫度來控制閥7，並以基於處理液的累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間。藉由控制部11的控制而「累積熱量成為規定值」表示「累積熱量變得大致等於規定值」。規定值PV是以能夠達成利用處理液的規定的處理結果的方式，例如根據實驗及/或經驗來確定。
參照圖2，對累積熱量進行說明。圖2是表示處理液的溫度推移的圖。如圖2所示，橫軸表示時間，縱軸表示處理液的溫度。溫度Tr表示基板W的周圍環境的溫度(以下，記載為「環境溫度」)。
曲線C表示利用處理液對基板W進行處理時的處理液的溫度推移。處理液的溫度表示利用溫度檢測部9而檢測出的溫度。於時刻t0開始處理液的噴出。因而，於時刻t0處理液接觸溫度檢測部9的測溫部。其結果，利用溫度檢測部9而檢測出的處理液的溫度急劇上升。進而，於時刻te結束處理液的噴出，且處理液被反吸(抽吸)。因而，於時刻te處理液遠離測溫部。其結果，利用溫度檢測部9而檢測出的處理液的溫度急劇下降。
由曲線C包圍的區域(斜線區域)的面積表示累積熱量。這是因為對基板W進行處理時的處理液的溫度與投入至基板W的處理液的熱量大致成比例。具體而言，累積熱量由對基板W進行處理時的處理液的溫度的累積值來表示。換言之，累積熱量由處理液的溫度的時間積分值來表示。於參照圖2進行說明的例子中，累積熱量由自時刻t0至時刻te的處理液的溫度的時間積分值來表示。進一步換言之，累積熱量以物理量表示，所述物理量代表投入至基板W的處理液的熱量的累積值。
再者，於時刻t0，利用溫度檢測部9而檢測出的處理液的溫度為規定溫度TM以上。因而，於圖2中，累積熱量的累積開始時刻為處理液的溫度是規定溫度TM以上的期間中的任一時 刻。累積熱量的累積結束時刻是處理液的噴出結束的時刻。
以上，如參照圖1及圖2所說明般，根據實施方式1，控制部11基於處理液的溫度來控制閥7，並以累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間。例如，於利用溫度檢測部9檢測出的處理液的溫度與處理液的基準溫度大致相等的情況下，將處理液的噴出時間設定為規定時間PT，使累積熱量成為規定值PV。處理液的基準溫度表示對基板W進行處理時的處理液的溫度的基準值。例如，於檢測出的處理液的溫度較處理液的基準溫度低的情況下，使處理液的噴出時間較規定時間PT更長，而使累積熱量成為規定值PV。例如，於檢測出的處理液的溫度較處理液的基準溫度更高的情況下，使處理液的噴出時間較規定時間PT更短，而使累積熱量成為規定值PV。
因而，即便於基板W的環境溫度發生變動的情況下，累積熱量亦成為規定值PV。即，於多個基板W間，針對一片基板W而言的累積熱量固定。因而，利用處理液對基板W進行處理的處理結果依存於環境溫度的情況得以抑制。其結果，能夠提高於多個基板W間處理液的處理結果的均一性。換言之，能夠抑制於多個基板W間處理液的處理結果的偏差。
另外，根據實施方式1，控制部11的控制對使用高溫的處理液(例如，包含磷酸的處理液或包含SPM的處理液)的情況特別有效。這是因為於使用高溫的處理液的情況下，環境溫度與處理液的溫度之差大，故環境溫度的變動對處理液的溫度帶來的 影響較使用非高溫的處理液的情況變大。根據實施方式1，即便於使用高溫的處理液的情況下，亦能夠提高於多個基板W間處理液的處理結果的均一性。
繼而，參照圖1及圖3對控制部11更具體地進行說明。如圖1所示，控制部11基於噴出結束時間資訊ST來控制處理液的噴出時間。噴出結束時間資訊ST基於溫度剖面圖而預先規定，表示累積熱量成為規定值PV時的處理液的噴出結束時間。噴出結束時間資訊ST所示的噴出結束時間表示確定處理液的噴出結束時刻的時間。即，噴出結束時間資訊ST確定處理液的噴出結束時刻。
具體而言，控制部11於處理液的噴出開始後，以使閥7自打開狀態成為關閉狀態的方式，基於噴出結束時間資訊ST對閥7進行控制。更具體而言，於正在噴出處理液時的當前時刻與藉由噴出結束時間資訊ST而確定的噴出結束時刻一致時，控制部11以使閥7自打開狀態成為關閉狀態的方式對其進行控制。其結果，於累積熱量成為規定值PV時，處理液的噴出結束。
繼而，參照圖3對溫度剖面圖PF及噴出結束時間資訊ST進行說明。圖3是表示溫度剖面圖PF的圖。如圖3所示，橫軸表示時間，縱軸表示處理液的溫度。時刻t0表示處理液的噴出開始時刻。時刻te1、時刻te2、及時刻te3表示處理液的噴出結束時刻。溫度Tr表示環境溫度。處理液的溫度表示利用溫度檢測部9而檢測出的溫度。
溫度剖面圖PF的各個是於對基板W進行處理前根據實驗及/或經驗預先製作的。溫度剖面圖PF的各個表示當對與基板W相同的基板噴出與噴出至基板W的處理液相同的處理液(以下，記載為「相同處理液SL」)時，相同處理液SL的溫度的時間推移。
換言之，溫度剖面圖PF的各個表示噴出過程中的相同處理液SL的溫度與噴出經過時間的關係。而且，以基於相同處理液SL的累積熱量成為規定值PV的方式，即，以相同處理液SL的溫度的時間積分值成為規定值PV的方式規定溫度剖面圖PF的各個。多個溫度剖面圖PF的始點時刻(例如t0)彼此相同。溫度剖面圖PF的始點時刻為相同處理液SL的溫度是規定溫度TM以上的期間中的任一時刻。於實施方式1中，噴出開始時刻t0與溫度剖面圖PF的各個的始點時刻一致。多個溫度剖面圖PF的終點時刻(例如te1~te3)彼此不同。溫度剖面圖PF的終點時刻為累積熱量成為規定值PV的時刻。
噴出結束時間資訊ST所示的噴出結束時間表示於溫度剖面圖PF的各個中，相同處理液SL的溫度的時間積分值變得與規定值PV相等的時間。因而，根據實施方式1，能夠藉由預先製作溫度剖面圖PF，而容易地規定噴出結束時間資訊ST。
具體而言，噴出結束時間資訊ST針對各溫度剖面圖PF而不同。即，多個噴出結束時間資訊ST分別基於互不相同的多個溫度剖面圖PF而預先規定。於多個溫度剖面圖PF中，相同處理 液SL的溫度的最大值不同。因而，多個溫度剖面圖PF於互不相同的溫度條件下製作。另外，於實施方式1中，噴出結束時間資訊ST所示的噴出結束時間表示自溫度剖面圖PF的始點時刻至終點時刻的時間。
多個溫度剖面圖PF中，存在如下情況：將根據溫度剖面圖PF1而規定的噴出結束時間資訊ST記載為「噴出結束時間資訊ST1」，將根據溫度剖面圖PF2而規定的噴出結束時間資訊ST記載為「噴出結束時間資訊ST2」，將根據溫度剖面圖PF3而規定的噴出結束時間資訊ST記載為「噴出結束時間資訊ST3」。
噴出結束時間資訊ST1表示於溫度剖面圖PF1中，自相同處理液SL的噴出開始時刻t0至噴出結束時刻te1的時間(噴出結束時間)。噴出結束時刻te1為溫度剖面圖PF1的終點時刻。即，噴出結束時間資訊ST1表示自溫度剖面圖PF1的始點時刻至終點時刻的時間(噴出結束時間)。
噴出結束時間資訊ST2表示於溫度剖面圖PF2中，自相同處理液SL的噴出開始時刻t0至噴出結束時刻te2的時間(噴出結束時間)。噴出結束時刻te2為溫度剖面圖PF2的終點時刻。即，噴出結束時間資訊ST2表示自溫度剖面圖PF2的始點時刻至終點時刻的時間(噴出結束時間)。
噴出結束時間資訊ST3表示於溫度剖面圖PF3中，自相同處理液SL的噴出開始時刻t0至噴出結束時刻te3的時間(噴出結束時間)。噴出結束時刻te3為溫度剖面圖PF3的終點時刻。即， 噴出結束時間資訊ST3表示自溫度剖面圖PF3的始點時刻至終點時刻的時間(噴出結束時間)。
控制部11自多個噴出結束時間資訊ST中選擇任一個噴出結束時間資訊ST。即，控制部11於向基板W噴出處理液的期間中執行選擇處理。選擇處理表示自多個噴出結束時間資訊ST中選擇與處理液的溫度對應的噴出結束時間資訊ST的處理。具體而言，選擇處理表示自多個噴出結束時間資訊ST中選擇根據多個溫度剖面圖PF中最接近處理液的溫度的溫度剖面圖PF而規定的噴出結束時間資訊ST的處理。處理液的溫度表示於噴出處理液的期間中，利用溫度檢測部9而檢測出的處理液的溫度。
而且，控制部11基於經選擇的噴出結束時間資訊ST來控制閥7，以使閥7自打開狀態成為關閉狀態。其結果，當累積熱量成為規定值PV時，處理液的噴出結束。
以上，如參照圖1及圖3所說明般，根據實施方式1，於向基板W噴出處理液的期間中執行選擇處理，選擇與處理液的溫度對應的噴出結束時間資訊ST。因而，能夠基於與噴出過程中的處理液的溫度相應的更適當的噴出結束時間資訊ST來控制處理液的噴出時間。其結果，能夠進一步提高多個基板W間處理液的處理結果的均一性。
繼而，一邊參照圖3列舉具體例，一邊對基於溫度剖面圖PF的噴出結束時間的推測進行說明。作為一例，對如下情況進行說明：在對基板W噴出處理液(以下，於噴出結束時間的推測 的說明中記載為「處理液Q」)的期間中，於與溫度剖面圖PF1~溫度剖面圖PF3的時間軸相同的時間軸上的時刻x1檢測出的處理液Q的溫度為「Td」。該情況下，時刻x1處的溫度剖面圖PF1上的處理液的溫度為「T1」。時刻x1處的溫度剖面圖PF2上的處理液的溫度為「T2」。時刻x1處的溫度剖面圖PF3上的處理液的溫度為「T3」。
而且，與溫度T1~溫度T3中最接近處理液Q的溫度Td的溫度對應的溫度剖面圖PF近似於在時刻x1具有溫度Td的處理液Q的溫度推移。例如，於溫度T1~溫度T3中最接近處理液Q的溫度Td的溫度為溫度T1的情況下，於時刻x1具有溫度T1的溫度剖面圖PF1近似於處理液Q的溫度推移。除此以外，溫度剖面圖PF1是以累積熱量成為規定值PV的方式規定。
因而，能夠推測基於處理液Q的累積熱量成為規定值PV時的噴出結束時間與溫度剖面圖PF1的自始點時刻t0至終點時刻te1的時間(即，噴出結束時間資訊ST1所示的噴出結束時間)大致一致。即，控制部11能夠基於處理液Q的溫度與溫度剖面圖PF1來推測處理液Q的噴出結束時間。
其結果，控制部11藉由基於噴出結束時間資訊ST1使閥7自打開狀態成為關閉狀態，而能夠使基於處理液Q的累積熱量成為規定值PV，所述噴出結束時間資訊ST1是根據在時刻x1最接近處理液Q的溫度的溫度剖面圖PF1而規定。
繼而，參照圖3及圖4對控制部11於選擇處理中參照 的噴出結束時間表TB進行說明。圖4是表示噴出結束時間表TB的圖。如圖3及圖4所示，存儲部13存儲噴出結束時間表TB。噴出結束時間表TB是針對規定檢測時刻x1而規定，將多個參照溫度(實施方式1中為參照溫度T1~參照溫度T3)分別與多個噴出結束時間資訊ST(實施方式1中為噴出結束時間資訊ST1~噴出結束時間資訊ST3)建立關聯。
於噴出結束時間表TB中，參照溫度T1表示規定檢測時刻x1處的溫度剖面圖PF1上的溫度T1。而且，噴出結束時間資訊ST1表示自溫度剖面圖PF1的始點時刻t0至終點時刻te1的時間。
於噴出結束時間表TB中，參照溫度T2表示規定檢測時刻x1處的溫度剖面圖PF2上的溫度T2。而且，噴出結束時間資訊ST2表示自溫度剖面圖PF2的始點時刻t0至終點時刻te2的時間。
於噴出結束時間表TB中，參照溫度T3表示規定檢測時刻x1處的溫度剖面圖PF3上的溫度T3。而且，噴出結束時間資訊ST3表示自溫度剖面圖PF3的始點時刻t0至終點時刻te3的時間。
控制部11於選擇處理中，參照噴出結束時間表TB，選擇與最接近處理液的溫度的參照溫度建立了關聯的噴出結束時間資訊ST。因而，根據實施方式1，藉由簡單的處理，能夠自多個噴出結束時間資訊ST容易地選擇適當的噴出結束時間資訊ST。
再者，於實施方式1中，由於製作了三個溫度剖面圖PF(溫度剖面圖PF1~溫度剖面圖PF3)，因此噴出結束時間表TB具有三個參照溫度(參照溫度T1~參照溫度T3)。其中，溫度剖面圖PF的數量只要為兩個以上，則無特別限定，參照溫度的數量只要對應於溫度剖面圖PF的數量而為兩個以上，則亦無特別限定。為了以累積熱量更高精度地變成規定值PV的方式進行控制，溫度剖面圖PF的數量與參照溫度的數量越多越佳。這是因為能夠選擇更近似於噴出過程中的處理液的溫度的參照溫度。
繼而，參照圖1及圖5，對基板處理裝置100所執行的基板處理方法進行說明。圖5是表示基板處理方法的流程圖。如圖5所示，基板處理方法是對基板W進行處理的方法，其包括步驟S1~步驟S7。
於步驟S1中，溫度檢測部9開始處理液的溫度的檢測。而且，溫度檢測部9於對基板W噴出處理液的期間中，檢測處理液的溫度。溫度檢測部9將表示處理液的溫度的資訊輸出至控制部11。步驟S1相當於「檢測腔室1內的處理液的溫度的檢測步驟」的一例。
於步驟S3中，噴嘴3開始向基板W噴出處理液。具體而言，控制部11以使閥7自關閉狀態成為打開狀態的方式對閥7進行控制。步驟S3相當於「向收容於腔室1的基板W噴出處理液的噴出步驟」的一例。
於步驟S5中，控制部11對當前的時刻是否為規定檢測 時刻x1進行判定。
於作出否定判定的情況(步驟S5中為否(No))下，處理於步驟S5待機。
另一方面，於作出肯定判定的情況(步驟S5中為是(Yes))下，處理進入步驟S7。
於步驟S7中，控制部11基於在規定檢測時刻x1檢測出的處理液的溫度，以基於處理液的累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間。步驟S7相當於「控制步驟」的一例。
具體而言，步驟S7包含步驟S71~步驟S75。
於步驟S71中，控制部11執行選擇處理。具體而言，控制部11參照噴出結束時間表TB(圖4)，選擇與最接近處理液的溫度的參照溫度建立了關聯的噴出結束時間資訊ST。步驟S71相當於「於向基板W噴出處理液的期間中執行選擇處理的選擇步驟」的一例。
於步驟S73中，控制部11對當前的時刻是否成為藉由經選擇的噴出結束時間資訊ST而確定的噴出結束時刻進行判定。
於作出否定判定的情況(步驟S73中為否(No))下，處理於步驟S73待機。因而，控制部11僅執行一次選擇處理。
另一方面，於作出肯定判定的情況(步驟S73中為是(Yes))下，處理進入步驟S75。
於步驟S75中，噴嘴3結束處理液的噴出。具體而言，控制部11以使閥7自打開狀態成為關閉狀態的方式對閥7進行控 制。步驟S75相當於「基於噴出結束時間資訊ST來結束處理液的噴出的結束步驟」的一例。
以上，如參照圖1及圖5所說明般，根據實施方式1，控制部11僅執行一次選擇處理。因而，能夠藉由簡單的處理來提高多個基板W間處理液的處理結果的均一性。
再者，控制部11包含如中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)般的處理器。存儲部13包含存儲裝置，存儲資料及電腦程式。存儲部13包含：如半導體記憶體般的主存儲裝置、以及如半導體記憶體及/或硬碟驅動器般的輔助存儲裝置。存儲部13亦可包含可移媒體。控制部11的處理器執行存儲部13的存儲裝置所存儲的電腦程式，來執行基板處理方法。
(變形例)
參照圖1、圖6及圖7對實施方式1的變形例的基板處理裝置100進行說明。變形例與實施方式1的不同點在於，變形例執行多次選擇處理。以下，主要對變形例與實施方式1的不同點進行說明。
如圖1所示，溫度檢測部9於噴出處理液的過程中的多個規定檢測時刻檢測處理液的溫度。而且，控制部11針對每個規定檢測時刻，基於在規定檢測時刻所檢測出的處理液的溫度來執行選擇處理。其結果，根據變形例，即便於伴隨時間的經過處理液的溫度發生了變動的情況下，亦能夠針對每個規定檢測時刻，選擇與處理液的溫度相應的適當的噴出結束時間資訊ST。其結 果，能夠進一步提高多個基板W間處理液的處理結果的均一性。
繼而，參照圖3及圖6對控制部11於選擇處理中參照的噴出結束時間表TB進行說明。圖6是表示噴出結束時間表TB的圖。如圖3及圖6所示，存儲部13存儲互不相同的多個噴出結束時間表TB。
多個噴出結束時間表TB(噴出結束時間表TB1~噴出結束時間表TBN)是分別針對多個規定檢測時刻(規定檢測時刻x1~規定檢測時刻xN)而規定。「N」表示2以上的整數。於變形例中，「N」為3以上的整數。
噴出結束時間表TB1是針對規定檢測時刻x1而規定，將多個參照溫度(變形例中為參照溫度T1~參照溫度T3)分別與多個噴出結束時間資訊ST(變形例中為噴出結束時間資訊ST1~噴出結束時間資訊ST3)建立關聯。噴出結束時間表TB1與參照圖4所說明的噴出結束時間表TB相同。
噴出結束時間表TB2是針對規定檢測時刻x2而規定，將多個參照溫度(變形例中為參照溫度T4~參照溫度T6)分別與多個噴出結束時間資訊ST(變形例中為噴出結束時間資訊ST1~噴出結束時間資訊ST3)建立關聯。而且，參照溫度T4表示規定檢測時刻x2處的溫度剖面圖PF1上的溫度T4。參照溫度T5表示規定檢測時刻x2處的溫度剖面圖PF2上的溫度T5。參照溫度T6表示規定檢測時刻x2處的溫度剖面圖PF3上的溫度T6。
噴出結束時間表TB3(參照溫度T7~T9)~噴出結束 時間表TBN設為與噴出結束時間表TB1及噴出結束時間表TB2同樣，並基於溫度剖面圖PF1~溫度剖面圖PF3來製作。
控制部11於選擇處理中，針對每個規定檢測時刻，參照針對規定檢測時刻而規定的噴出結束時間表TB，選擇與最接近處理液的溫度的參照溫度建立了關聯的噴出結束時間資訊ST。
再者，溫度剖面圖PF的數量只要為兩個以上，則無特別限定，於噴出結束時間表TB的各者中，參照溫度的數量只要對應於溫度剖面圖PF的數量而為兩個以上，則亦無特別限定。
繼而，參照圖1及圖7，對變形例的基板處理裝置100所執行的基板處理方法進行說明。圖7是表示基板處理方法的流程圖。如圖7所示，基板處理方法是對基板W進行處理的方法，包括步驟S11~步驟S17。
於步驟S11中，溫度檢測部9開始處理液的溫度的檢測。而且，溫度檢測部9於噴出處理液的過程中的多個規定檢測時刻檢測處理液的溫度。步驟S11與步驟S1(圖5)同樣，相當於「檢測步驟」的一例。
於步驟S13中，噴嘴3開始向基板W噴出處理液。步驟S13與步驟S3(圖5)同樣，相當於「噴出步驟」的一例。
於步驟S15中，控制部11對當前的時刻是否成為多個規定檢測時刻中的任一規定檢測時刻進行判定。
於作出否定判定的情況(步驟S15中為否(No))下，處理於步驟S15待機。
另一方面，於作出肯定判定的情況(步驟S15中為是(Yes))下，處理進入步驟S17。
於步驟S17中，控制部11基於在規定檢測時刻檢測出的處理液的溫度，以基於處理液的累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間。步驟S17與步驟S7(圖5)同樣，相當於「控制步驟」的一例。
具體而言，步驟S17包含步驟S171~步驟S175。
於步驟S171中，控制部11基於在規定檢測時刻所檢測出的處理液的溫度來執行選擇處理。具體而言，控制部11參照多個噴出結束時間表TB(圖6)中的針對規定檢測時刻而規定的噴出結束時間表TB，選擇與最接近處理液的溫度的參照溫度建立了關聯的噴出結束時間資訊ST。例如，於步驟S15中判定為當前的時刻為規定檢測時刻x1的情況下，控制部11參照針對規定檢測時刻x1而規定的噴出結束時間表TB1。步驟S171相當於「選擇步驟」的一例。
於步驟S173中，控制部11對當前的時刻是否成為藉由經選擇的噴出結束時間資訊ST而確定的噴出結束時刻進行判定。
於作出否定判定的情況(步驟S173中為否(No))下，處理返回至步驟S15。
另一方面，於作出肯定判定的情況(步驟S173中為是(Yes))下，處理進入步驟S175。
於步驟S175中，噴嘴3結束處理液的噴出。步驟S175 與步驟S75(圖5)同樣，相當於「結束步驟」的一例。
再者，控制部11的處理器執行存儲部13的存儲裝置所存儲的電腦程式，從而執行基板處理方法。
(實施方式2)
參照圖8~圖11對本發明的實施方式2的基板處理裝置100A進行說明。實施方式2與實施方式1及變形例的不同點在於，實施方式2具備多個腔室1。以下，主要對實施方式2與實施方式1及變形例的不同點進行說明。再者，於圖8~圖10中，為了容易理解，記載有相互正交的X軸、Y軸及Z軸。X軸及Y軸與水平方向平行，Z軸與鉛垂方向平行。
首先，參照圖8對基板處理裝置100A進行說明。圖8是表示基板處理裝置100A的平面圖。如圖8所示，基板處理裝置100A包括：多個裝載口LP、分度器機器人IR、中心機器人CR、多個處理單元22、多個流體箱24、處理液盒(cabinet)26、以及控制裝置28。控制裝置28對裝載口LP、分度器機器人IR、中心機器人CR、及處理單元22進行控制。控制裝置28包含控制部11與存儲部13。
裝載口LP的各者將多片基板W層疊來收容。分度器機器人IR於裝載口LP與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR於分度器機器人IR與處理單元22之間搬送基板W。處理單元22的各者對基板W噴出處理液，對基板W進行處理。流體箱24的各者收容流體機器。處理液盒26收容處理液。
具體而言，多個處理單元22形成以於俯視下包圍中心機器人CR的方式配置的多個塔(tower)TW(實施方式2中為四個塔TW)。各塔TW包含上下層疊的多個處理單元22(實施方式2中為三個處理單元22)。多個流體箱24分別與多個塔TW對應。處理液盒26內的處理液經由任一個流體箱24而被供給至與流體箱24對應的塔TW所包含的所有的處理單元22。
繼而，參照圖9，對處理單元22進行說明。圖9是表示處理單元22的內部的圖。如圖9所示，處理單元22包括：腔室1、噴嘴3、溫度檢測部9、旋轉卡盤30、杯體32、待機口34、以及噴嘴移動單元36。基板處理裝置100A包含：供給配管5、閥7、流量計38、以及流量調整閥40。
腔室1具有大致箱形狀。旋轉卡盤30於腔室1內一邊水平地保持基板W，一邊使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。杯體32具有大致筒形狀。杯體32接收自基板W中排出的處理液。
待機口34配置於噴嘴3的待機位置的下方。待機位置表示相對於旋轉軸線A1而較旋轉卡盤30更靠外側的第1規定位置。噴嘴移動單元36繞轉動軸線A2轉動，並使噴嘴3水平地移動。具體而言，噴嘴移動單元36於噴嘴3的待機位置與處理位置之間，使噴嘴3水平地移動。處理位置表示基板W的上方的第2規定位置。
對噴嘴3的處理液的供給開始及供給停止是藉由閥7來切換。供給至噴嘴3的處理液的流量藉由流量計38來檢測。流量 能夠藉由流量調整閥40來變更。當閥7成為打開狀態時，處理液以與流量調整閥40的開度對應的流量自供給配管5被供給至噴嘴3。其結果，自噴嘴3噴出處理液。開度表示流量調整閥40已打開的程度。
噴嘴3於對基板W噴出處理液前，執行預分配(pre-dispense)處理。所謂預分配處理是對基板W噴出處理液前，向待機口34噴出處理液的處理。
控制部11與參照圖1~圖5所說明的實施方式1的控制部11、或參照圖6及圖7所說明的變形例的控制部11同樣地動作。因而，根據實施方式2，與實施方式1或變形例同樣地，能夠提高於一個腔室1中逐片地進行處理的多個基板W間，處理液的處理結果的均一性。
另外，於實施方式2中，基板處理裝置100A針對每個腔室1而包括：噴嘴3、供給配管5、閥7及溫度檢測部9。而且，控制部11針對分別收容多個基板W的多個腔室1，以累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間。因而，於多個腔室1，利用處理液對基板W進行處理的處理結果依存於環境溫度的情況得以抑制。其結果，能夠提高於多個腔室1進行處理的多個基板W間，處理液的處理結果的均一性。例如，能夠提高於一個塔TW內的多個腔室1間，利用處理液對多個基板W進行處理的處理結果的均一性。例如，能夠提高於多個塔TW間，利用處理液對多個基板W進行處理的處理結果的均一性。再者，基板處理裝置 100A針對每個腔室1而執行圖5所示的基板處理方法。或者，基板處理裝置100A針對每個腔室1而執行圖7所示的基板處理方法。
繼而，參照圖10，對處理液朝噴嘴3的供給進行說明。圖10是表示基板處理裝置100A的配管的圖。如圖10所示，於各塔TW中，針對每個處理單元22，基板處理裝置100A包括：供給配管5、閥7、流量計38、及流量調整閥40。閥7、流量計38及流量調整閥40被收容於與塔TW對應的流體箱24。各供給配管5的一部分被收容於流體箱24內，各供給配管5的其他部分被收容於腔室1。
另外，基板處理裝置100A包括：處理液槽60、循環配管61、泵65、過濾器66、及溫度調節器67。處理液槽60、泵65、過濾器66、及溫度調節器67收容於處理液盒26。循環配管61的一部分被收容於處理液盒26內，循環配管61的其他部分被收容於流體箱24。
循環配管61包括：自處理液槽60向下游延伸的上游配管62、自上游配管62分支的多個個別配管63、及自各個別配管63向下游延伸至處理液槽60的下游配管64。
上游配管62的上游端連接於處理液槽60。下游配管64的下游端連接於處理液槽60。上游配管62的上游端相當於循環配管61的上游端，下游配管64的下游端相當於循環配管61的下游端。各個別配管63自上游配管62的下游端延伸至下游配管64的 上游端。
多個個別配管63分別與多個塔TW對應。與一個塔TW中包含的三個處理單元22對應的三個供給配管5連接於一個個別配管63。
泵65將處理液槽60內的處理液輸送至循環配管61。過濾器66自於循環配管61內流動的處理液中去除異物。溫度調節器67調節處理液槽60內的處理液的溫度。溫度調節器67例如為對處理液進行加熱的加熱器。
泵65、過濾器66、及溫度調節器67配置於上游配管62。處理液槽60內的處理液藉由泵65而被輸送至上游配管62，並自上游配管62流動至多個個別配管63。個別配管63內的處理液朝下游配管64流動，並自下游配管64返回至處理液槽60。處理液槽60內的處理液以成為規定溫度TM以上的特定溫度的方式藉由溫度調節器67而被加熱，並被輸入至上游配管62。因而，於循環配管61內循環的處理液的溫度被維持為規定溫度TM以上的特定溫度。
而且，於循環配管61內維持為特定溫度的處理液被供給至供給配管5。其結果，根據實施方式2，藉由以累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間這一簡單的控制，能夠提高於多個基板W間，處理液的處理結果的均一性。
繼而，參照圖11，對處理液的溫度推移進行說明。圖11是表示基板處理裝置100A中的處理液的溫度推移的圖。如圖 11所示，橫軸表示時間，縱軸表示處理液的溫度。處理液的溫度表示利用溫度檢測部9而檢測出的處理液的溫度。曲線B1表示處理液的溫度，線B2表示閥7的狀態。
於時刻t10，於噴嘴3處於待機位置的狀態下，閥7自關閉狀態成為打開狀態。其結果，開始預分配處理。而且，於時刻t11，閥7自打開狀態成為關閉狀態。其結果，預分配處理結束。於時刻t11，噴嘴3自待機位置朝向處理位置移動。而且，於時刻t12，當噴嘴3到達處理位置時，閥7自關閉狀態成為打開狀態。其結果，向基板W噴出處理液。進而，於時刻t13，閥7自關閉狀態成為打開狀態。其結果，一片基板W的處理結束。
於實施方式2中，藉由進行預分配處理，於朝基板W噴出處理液前，處理液的溫度成為規定溫度TM以上。而且，進行預分配處理後，於時刻t12以後的期間中，控制部11基於處理液的溫度來控制閥7，並以基於處理液的累積熱量成為規定值PV的方式控制處理液的噴出時間。
以上，一面參照圖式一面對本發明的實施方式(包含變形例)進行了說明。但是，本發明並不限定於所述實施方式，可在不脫離其主旨的範圍內在各種形態中實施(例如，如下所示的(1)~(3))。另外，藉由將所述實施方式中揭示的多個構成元素適宜組合而可形成各種發明。例如，可自實施方式中所示的全部構成要素中刪除幾個構成元素。進而，亦可將涉及不同的三個實施方式的構成要素適宜組合。為了容易理解，圖式以各個構成 要素為主體而示意性地表示，為了方便製作圖式，經圖示的各構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦存在與實際不同的情況。另外，所述實施方式中所示的各構成要素的材質、形狀、尺寸等為一例，並無特別限定，可在不實質性地脫離本發明的效果的範圍內進行各種變更。
(1)於參照圖4及圖6所說明的實施方式1(以下，包含變形例)及實施方式2中，控制部11參照噴出結束時間表TB。其中，只要以累積熱量成為規定值PV的方式控制噴出時間，則控制部11可參照溫度剖面圖PF來決定噴出結束時間資訊ST。該情況下，存儲部13存儲多個溫度剖面圖PF。
例如，如圖3所示，控制部11將於規定檢測時刻x1處檢測出的處理液的溫度(以下，存在記載為「溫度Td」情況)與於溫度剖面圖PF1~溫度剖面圖PF3的各者的規定檢測時刻x1處的溫度T1~溫度T3進行比較。而且，控制部11自溫度T1~溫度T3中選擇最接近溫度Td的溫度(例如，溫度T1)。進而，控制部11選擇具有經選擇的溫度的溫度剖面圖PF(例如，溫度剖面圖PF1)。而且，控制部11將經選擇的溫度剖面圖PF的自始點時刻(例如，t0)至終點時刻(例如，te1)的時間決定為噴出結束時間(即，噴出結束時間資訊ST)。
(2)於參照圖1~圖11所說明的實施方式1及實施方式2中，噴出結束時間資訊ST所示的噴出結束時間表示溫度剖面圖PF的自始點時刻至終點時刻的時間，但只要能夠確定處理液的 噴出結束時刻，則可將噴出結束時間任意地進行定義。例如，噴出結束時間既可為自規定檢測時刻至溫度剖面圖PF的終點時刻的時間，亦可為溫度剖面圖PF的終點時刻。
(3)於參照圖1及圖9所說明的實施方式1及實施方式2中，閥7配置於腔室1的外部，但只要能夠實現處理液對噴嘴3的供給開始及供給停止，則閥7亦可配置於腔室1的內部。另外，亦可將加熱器配置於供給配管5。這是為了對供給配管5內的處理液進行加熱。加熱器既可配置於腔室1的內部，亦可配置於腔室1的外部。
[產業上的可利用性]
本發明是有關於一種對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法，且具有產業上的可利用性。
1‧‧‧腔室
3‧‧‧噴嘴
5‧‧‧供給配管
7‧‧‧閥
9‧‧‧溫度檢測部
11‧‧‧控制部
13‧‧‧存儲部
100‧‧‧基板處理裝置
W‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，對基板進行處理，其包括：腔室，收容所述基板；噴嘴，配置於所述腔室內，向所述基板噴出處理液；供給配管，對所述噴嘴供給所述處理液；閥，能夠切換成打開狀態與關閉狀態，所述打開狀態使於所述供給配管內流動的所述處理液朝向所述噴嘴通過，所述關閉狀態使自所述供給配管朝所述噴嘴的所述處理液的供給停止；溫度檢測部，檢測所述腔室內的所述處理液的溫度；以及控制部，基於所述處理液的溫度來控制所述閥，並以基於所述處理液的累積熱量成為規定值的方式控制所述處理液的噴出時間，且所述累積熱量以物理量表示，所述物理量代表投入至所述基板的所述處理液的熱量的累積值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中所述控制部以使所述閥自所述打開狀態成為所述關閉狀態的方式，基於噴出結束時間資訊來控制所述閥，且所述噴出結束時間資訊基於溫度剖面圖而預先規定，表示所述處理液的噴出結束時間，所述溫度剖面圖表示當對與所述基板相同的基板噴出與所述處理液相同的處理液時，所述相同的處理液的溫度的時間推移，所述噴出結束時間資訊所示的所述噴出結束時間表示所述相 同的處理液的溫度的時間積分值變得與所述規定值相等的時間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置，其中所述控制部於將所述處理液向所述基板噴出的期間中執行選擇處理，所述選擇處理表示自多個所述噴出結束時間資訊中選擇與所述處理液的溫度對應的噴出結束時間資訊的處理，所述控制部基於所述經選擇的噴出結束時間資訊來控制所述閥，使所述閥自所述打開狀態成為所述關閉狀態，所述多個噴出結束時間資訊分別基於互不相同的多個所述溫度剖面圖而預先規定。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中所述控制部僅執行一次所述選擇處理。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的基板處理裝置，其中所述溫度檢測部於噴出所述處理液的過程中的多個規定檢測時刻檢測所述處理液的溫度，且所述控制部針對每個所述規定檢測時刻，基於在所述規定檢測時刻所檢測出的所述處理液的溫度來執行所述選擇處理。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其中所述處理液包含磷酸、或硫酸過氧化氫水混合液。
  7. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板處理裝置，其包括多個所述腔室，且每個所述腔室包括所述噴嘴、所述供給配管、所述閥、及所述溫度檢測部， 所述控制部針對每個所述腔室，以所述累積熱量成為所述規定值的方式控制所述處理液的噴出時間。
  8. 一種基板處理方法，其是對基板進行處理的基板處理方法，且所述基板處理方法包括：噴出步驟，向收容於腔室的所述基板噴出處理液；檢測步驟，檢測所述腔室內的所述處理液的溫度；以及控制步驟，基於所述處理液的溫度，以基於所述處理液的累積熱量成為規定值的方式控制所述處理液的噴出時間，所述累積熱量以物理量表示，所述物理量代表投入至所述基板的所述處理液的熱量的累積值。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理方法，其中所述控制步驟包括基於噴出結束時間資訊來結束所述處理液的噴出的結束步驟，且所述噴出結束時間資訊基於溫度剖面圖而預先規定，表示所述處理液的噴出結束時間，所述溫度剖面圖表示當對與所述基板相同的基板噴出與所述處理液相同的處理液時，所述相同的處理液的溫度的時間推移，所述噴出結束時間資訊所示的所述噴出結束時間表示所述相同的處理液的溫度的時間積分值變得與所述規定值相等的時間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板處理方法，其中所述控制步驟更包括：於將所述處理液向所述基板噴出的期間中執行選擇處理的選擇步驟，且 所述選擇處理表示自多個所述噴出結束時間資訊中選擇與所述處理液的溫度對應的噴出結束時間資訊的處理，於所述結束步驟中，基於所述經選擇的噴出結束時間資訊來結束所述處理液的噴出，所述多個噴出結束時間資訊分別基於互不相同的多個所述溫度剖面圖而預先規定。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的基板處理方法，其中於所述選擇步驟中，僅執行一次所述選擇處理。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的基板處理方法，其中於所述檢測步驟中，於噴出所述處理液的過程中的多個規定檢測時刻檢測所述處理液的溫度，且於所述選擇步驟中，針對每個所述規定檢測時刻，基於在所述規定檢測時刻所檢測出的所述處理液的溫度來執行所述選擇處理。
  13. 如申請專利範圍第8項至第12項中任一項所述的基板處理方法，其中所述處理液包含磷酸、或硫酸過氧化氫水混合液。
  14. 如申請專利範圍第8項至第12項中任一項所述的基板處理方法，其中於所述控制步驟中，針對分別收容多個所述基板的多個所述腔室，以所述累積熱量成為所述規定值的方式控制所述處理液的噴出時間。
TW107136815A 2017-10-31 2018-10-18 基板處理裝置及基板處理方法 TWI713912B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017209992A JP6923419B2 (ja) 2017-10-31 2017-10-31 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017-209992 2017-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201923888A TW201923888A (zh) 2019-06-16
TWI713912B true TWI713912B (zh) 2020-12-21

Family

ID=66333527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107136815A TWI713912B (zh) 2017-10-31 2018-10-18 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6923419B2 (zh)
KR (1) KR102376797B1 (zh)
CN (1) CN111316404A (zh)
TW (1) TWI713912B (zh)
WO (1) WO2019087702A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6942660B2 (ja) * 2018-03-09 2021-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200842938A (en) * 2007-02-09 2008-11-01 Tokyo Electron Ltd Temperature control method, temperature regulator, and heating treatment apparatus
WO2012011535A1 (ja) * 2010-07-23 2012-01-26 倉敷紡績株式会社 基板処理装置
TW201349329A (zh) * 2012-03-06 2013-12-01 Tokyo Electron Ltd 用於單一基板剝除處理之順序階段混合
US20150273534A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201735107A (zh) * 2015-12-15 2017-10-01 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置及基板處理裝置之調整方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654042A (en) * 1979-10-09 1981-05-13 Toshiba Corp Controller for liquid spray type treatment
JPH0786233A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP2003151950A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012074601A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2015167161A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US10261521B2 (en) * 2015-06-16 2019-04-16 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing method, and storage medium
JP2017183568A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200842938A (en) * 2007-02-09 2008-11-01 Tokyo Electron Ltd Temperature control method, temperature regulator, and heating treatment apparatus
WO2012011535A1 (ja) * 2010-07-23 2012-01-26 倉敷紡績株式会社 基板処理装置
TW201349329A (zh) * 2012-03-06 2013-12-01 Tokyo Electron Ltd 用於單一基板剝除處理之順序階段混合
US20150273534A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201735107A (zh) * 2015-12-15 2017-10-01 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置及基板處理裝置之調整方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102376797B1 (ko) 2022-03-18
JP2019083267A (ja) 2019-05-30
TW201923888A (zh) 2019-06-16
WO2019087702A1 (ja) 2019-05-09
KR20200067198A (ko) 2020-06-11
CN111316404A (zh) 2020-06-19
JP6923419B2 (ja) 2021-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI555078B (zh) 用以提供加熱的蝕刻溶液之方法
TWI810572B (zh) 濕式蝕刻裝置
TWI527111B (zh) 用於單一基板處理的蝕刻系統及方法
JP6320869B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102356420B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI602254B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2011071564A (ja) 流体流れを制御するシステムおよび方法
JP2007258405A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20180108432A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI713912B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6313231B2 (ja) 基板液処理装置
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
TW201832822A (zh) 用以控制於一基板配發的液體之溫度的使用點混合系統及方法
JP2015167161A (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2018157042A (ja) 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
KR101099737B1 (ko) 고온의 약액을 공급하는 장치
JP7460983B2 (ja) 処理液供給システムおよび処理液供給方法
US7650776B2 (en) Substrate processing apparatus
US20240173742A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP7299833B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7441706B2 (ja) 基板処理方法