TWI712102B - 用以升舉或降低一載體之組件、用以在一真空腔室中之一載體的傳送的設備、以及用以升舉或降低一載體之方法 - Google Patents
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Abstract
一種用以在一真空腔室中升舉或降低一載體(10)之組件(100)係提供。組件(100)包括一載體支撐件(20),於一向上方向中或一向下方向中為可移動的;以及一支承裝置(30),裝配以在載體之向上或向下移動期間非接觸支承載體之一上部。再者,一種用於在一真空腔室中之一載體的傳送之設備係說明,此設備包括用以一載體之升舉或下降的一組件。再者,一種用以在一真空腔室中升舉或降低一載體之方法係說明。
Description
本揭露之數個實施例是有關於一種用以在一真空腔室中升舉或降低一載體之組件,一種用以在一真空腔室中之一載體的傳送之設備,一種用於一基板之真空處理的系統,及一種用以升舉或降低一載體之方法。本揭露之數個實施例特別是有關於一種真空處理系統,具有至少一沈積源及具有一路徑切換組件,路徑切換組件裝配以於一第一傳送路徑及一第二傳送路徑之間移動一載體,其中路徑切換組件包括一種用以升舉或降低載體的組件。特別是,數種用以在一真空腔室中改變一載體之一軌道的方法係說明。
用以層沈積於基板上的技術舉例為包括濺射沈積、蒸發、及化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)。濺
射沈積製程可使用,以沈積材料層於基板上,例如是絕緣材料或導體材料層。
為了沈積數個層堆疊,可利用串連(in-line)配置的處理模組。串連處理系統包括數個接續之處理模組,例如是沈積模組及選擇之其他處理模組,舉例為清洗模組及/或蝕刻模組,其中處理動作係在處理模組中接續地處理,使得數個基板可在串連處理系統中連續地或近似連續地(quasi-continuously)處理。
在處理期間,基板可藉由載體運載,也就是用以運載基板的運載裝置。載體一般係利用一或多個傳送系統傳送通過真空腔室。傳送系統可裝配,以用於沿著一或多個傳送路徑輸送載體。至少兩個傳送路徑可在真空系統中彼此相鄰設置。此至少兩個傳送路徑舉例為第一傳送路徑及第二傳送路徑。第一傳送路徑用以在向前方向中傳送載體。第二傳送路徑用以在返回方向中傳送載體。返回方向相反於向前方向。
傳送系統可具有滾輪或其他支撐件,裝配以沿著傳送路徑及/或從一傳送路徑至另一傳送路徑(亦意指為「路徑切換」或「軌道切換」)支撐及輸送載體。載體可亦在向上方向中或在向下方向中移動(亦意指為載體之「升舉」或「降低」),以舉例為校正或調整載體的垂直高度。在載體移動期間,載體及載體支撐件之間的摩擦可能產生粒子,而可能負面地影響真空系統之內側的真空條件。粒子可能污染沈積於基板上的層,及可能降低沈積之層的品質。有鑑於上述,用以在真空腔室中升舉或降低載體之
改善的組件,用以在真空腔室中傳送載體之設備,及用以升舉或降低載體之方法係有需求的,而減少在真空腔室中產生粒子。此亦對提供真空腔室中之至少兩個傳送路徑之便利的路徑切換之新設備、系統及方法有需求。
有鑑於上述,提出一種用以在一真空腔室中升舉或降低一載體之組件,一種用以在一真空腔室中之一載體的傳送之設備,一種用於一基板之真空處理的系統,及一種用以升舉或降低一載體之方法。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所述之圖式更為清楚。
根據本揭露之一方面,提出一種用以在一真空腔室中升舉或降低一載體之組件。組件包括一載體支撐件,於一本質上垂直方向中為可移動的;以及一支承裝置,裝配以非接觸支承載體之一上部。
載體支撐件係裝配以支撐載體,使得載體係在載體支撐件於一向上方向中或一向下方向中移動時升舉或降低。在升舉或降低載體期間,支承裝置係裝配以非接觸支承載體的上部。
根據本揭露之一方面,提出一種設備,用於在一真空腔室中之一載體的傳送。設備包括一第一傳送系統,在一傳送方向中沿著一第一傳送路徑設置;以及一路徑切換組件,裝配以在一路徑切換方向中移動載體離開第一傳送路徑。路徑切換組件
包括一載體支撐件,於一本質上垂直方向中為可移動的;及一支承裝置,裝配以非接觸支承載體之一上部。
根據本揭露之另一方面,提出一種用於一基板之真空處理的系統。系統包括一真空腔室;根據此處所述任意實施例之一組件,用以在真空腔室中升舉或降低一載體;以及一或多個處理工具,配置於真空腔室中及選自由數個沈積源、數個蒸發源、數個濺射源、數個表面處理工具、數個加熱裝置、數個清洗裝置、數個蝕刻工具、及其組合所組成之群組。
根據此處所述之再另一方面,提出一種用以升舉或降低一載體之方法。此方法包括擺置載體於一載體支撐件;以及於一本質上垂直方向中移動載體支撐件來升舉或降低載體,其中載體之一上部係在升舉或降低載體期間由一支承裝置所非接觸支承。
數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備,且包括用以執行所述之各方法方面之設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者,根據本揭露之數個實施例係亦有關於用以操作所述之設備的方法。用以操作所述之設備的此些方法包括數個方法方面,用以執行設備之各功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉實施例,並配合所附圖式詳細說明如下:
10:載體
11:基板
12:遮罩
13:第一磁性相反單元
14:第二磁性相反單元
20:載體支撐件
25:致動器
30:支承裝置
31:第一懸臂
32:第二懸臂
33:第一磁鐵單元
34:第二磁鐵單元
37:第一穩定部
38:第二穩定部
100、200:組件
101:真空腔室
105:處理工具
112:第一傳送系統
114:第二傳送系統
121:下軌道部
122:上軌道部
123:第二下軌道部
124:第二上軌道部
150:路徑切換組件
152:路徑切換支撐件
400:設備
500:系統
610-640、710-770:方塊
S:路徑切換方向
T:傳送方向
T1:第一傳送路徑
T2:第二傳送路徑
T3:處理位置
V:本質上垂直方向
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解,簡要摘錄於上之本揭露之更特有的說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且說明於下文中:第1圖繪示根據此處所述實施例之用以升舉或降低載體之組件的剖面圖;第2A-D圖繪示根據此處所述實施例之用以利用組件升舉或降低載體之方法的數個階段的示意圖;第3圖繪示根據此處所述實施例之用以升舉或降低載體之組件的剖面圖;第4A-F圖繪示根據此處所述實施例之藉由設備執行之數個階段的示意圖,此設備用以傳送載體;第5圖繪示根據此處所述實施例之用以真空處理基板之系統的剖面圖;第6圖繪示根據此處所述實施例之說明用以升舉或降低載體之方法的流程圖;以及第7圖繪示根據此處所述實施例之說明用以傳送載體之方法的流程圖。
詳細的參照現在將以本揭露之數種實施例達成,數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在圖式之下方說明中,相同參考編號係意指相同的元件。一般來說,只有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式
提供且不意味為本揭露的一限制。再者,所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合,以取得再其他之實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用以升舉或降低載體10之組件100的剖面圖。組件100包括載體支撐件20。載體支撐件20於向上方向中或向下方向中(此處亦意指為「本質上垂直方向V」)為可移動的。組件更包括支承裝置30,裝配以非接觸支承載體10之上部。
載體10可擺置於及支撐於載體支撐件20上。載體支撐件20係在向下方向中為可移動的,用以降低支撐於其上之載體10。載體支撐件20係替代地或額外地在向上方向中為可移動的,用以升舉支撐於其上之載體。於一些實施例中,載體支撐件20可在用以升舉載體之向上方向中及用以下降載體之向下方向中為可移動的。致動器25可設置而用以移動載體支撐件20。
載體10可使用於在真空腔室中沿著傳送路徑運載基板11或另一物體。在傳送期間及/或在真空腔室中沈積塗佈材料於基板上期間,載體10可支承基板11。舉例來說,基板11可在載體10之基板支承表面處支承於本質上垂直定向中。支承基板之載體可移動通過真空腔室。載體可為「基板載體」,裝配以運載基板11。或者,載體可裝配以運載及傳送不同的物體,舉例為遮罩或遮蔽裝置。
於一些實施例中,載體10包括夾持裝置,舉例為磁性吸座或靜電吸座,用以吸引基板11或另一物體朝向載體10之支承表面。載體10可裝配,以支承基板11於本質上垂直定向中。也就是說,在載體移動期間,基板11之主表面與重力向量之間的角度一般係少於20°。舉例來說,基板之主表面及重力向量之間的角度可為從-10°至+10°之間,特別是本質上為0°,其中負角度係意指面向下的基板。
載體支撐件20可裝配,以支撐本質上垂直定向之載體10於其上。藉由在本質上垂直方向V中移動載體支撐件20,本質上垂直定向之載體可升舉或降低。
載體10可裝配以運載大面積基板,特別是用於顯示器製造的大面積基板。於數個實施例中,基板11可具有1m2或更多,特別是5m2或更多,或甚至是10m2或更多之將處理表面積。針對此原因,載體可具有1m2或更多,特別是5m2或更多,或甚至是10m2或更多之尺寸的基板支承表面。
舉例來說,載體10之高度可為1m或更多,特別是2m或更多,及/或載體10之寬度可為1m或更多,特別是2m或更多。載體的高度可理解為支撐於載體支撐件20上的載體之垂直尺寸。
致動器25可設置,用以在本質上垂直方向V中移動載體支撐件20。致動器25可包括驅動裝置,舉例為馬達、液壓裝置或氣動裝置,用以升舉或降低載體支撐件20。致動器25可裝
配,以在第一垂直高度及第二垂直高度之間移動載體支撐件20,其中第一垂直高度可在第二垂直高度之上方的5mm或更多處。特別是,第一垂直高度可在第二垂直高度之上方的20mm或更多,特別是40mm或更多,更特別是100mm或更多處。
載體的厚度可遠小於載體之高度及/或寬度。因此,當載體係在本質上垂直定向中支撐於載體支撐件20上時,從載體支撐件傾斜或掉落載體之風險可能存在。因此,提供在升舉或降低期間穩定載體之上部的支承裝置可為有利的。
機械支承件可提供而用於接觸及支承載體之上部,以避免載體從載體支撐件傾斜或掉落。機械支承件例如是彈簧固定之指狀物(fingers)或夾持件。舉例來說,機械支承件可從上方接觸且抓取載體。然而,在載體之垂直移動期間,可能難以維持機械支承件及載體之間固定(constant)及可靠的接觸。舉例來說,彈簧之支承力可能在載體移動離開彈簧支撐件時減少。再者,粒子可能因機械支承件及載體之間的機械滑動接觸產生,而可能負面地影響真空腔室中之真空條件。
提供用於載體之上部的機械支撐件係可行的,其中機械支承件係可移動地固定於本質上垂直方向V中。也就是說,機械支承件可與載體一起升舉及降低,而維持本質上固定的支承力。然而,垂直可移動的支承件可能複雜且巨大。再者,舉例為在機械支承件及載體支撐件沒有同步及以相同速度移動時,粒子可能在升舉期間產生於真空腔室中。
根據此處所述之數個實施例,用以在升舉或降低載體期間非接觸支承載體10之上部的支承裝置30係設置。也就是說,支承裝置30係裝配以支承及穩定載體之上部,而無需接觸載體之上部。因此,可避免載體10從載體支撐件20傾斜或掉落,且可減少或避免因支承裝置及載體之間的摩擦接觸產生粒子。舉例來說,支承裝置30可與載體之上部磁性或靜電交互作用。
如第1圖中所示,在載體之垂直移動期間,舉例為載體之向下移動期間,支承裝置30可非接觸穩定載體的垂直定向。支承裝置30可不與載體支撐件20於本質上垂直方向V中一起移動。舉例來說,在載體支撐件20之垂直移動期間,支承裝置30可靜止。支承裝置30可裝配,使得載體之上部係在載體10相對於支承裝置30垂直移動期間非接觸穩定。在真空腔室中產生粒子可減少,且簡單及節省空間的支承裝置係設置。
支承裝置30可本質上配置在載體支撐件20之上方。用於容置載體之載體傳送空間可在載體支撐件20及支承裝置30之間垂直地延伸。舉例來說,舉例為當載體之高度將升舉或下降多於1m時,支承裝置30可配置在載體支撐件20之上方的多於1m處。
支承裝置30可裝配,以特別是在水平方向(此處亦意指「路徑切換方向S」或「軌道切換方向」)中非接觸穩定載體之上部。也就是說,支承裝置可施加水平作用穩定力在載體10之上部,以舉例為減少在升舉或下降載體期間之載體傾斜移動的風險。
「載體之上部」可理解為垂直定向之載體10的上部,包括垂直定向之載體的高度的上部50%,特別是20%。舉例來說,支承裝置30可穩定載體之上端,以避免載體的傾斜。支承裝置30可包括至少一穩定部,此至少一穩定部與載體之上部非接觸交互作用。裝配以用於非接觸交互作用之此至少一穩定部的配對者可固定於載體之上部。舉例來說,藉由從兩個相反側上提供相反方向之水平穩定力於載體上,支承裝置30可穩定載體。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,支承裝置30包括兩個穩定部,裝配以於其之間非接觸支承載體的上部。舉例來說,第一穩定部37可配置於載體之第一側上(也就是載體傳送空間之第一側上),及第二穩定部38可配置於載體之第二側上(也就是載體傳送空間之第二側上),第二側相反於第一側。第二側可對應於支承基板11之載體的前側,及第一側可對應於相反於前側之載體的後側。
當載體支承於支承裝置30的第一穩定部37及第二穩定部38之間時,載體於兩個側方向中之傾斜可因所述之載體的兩側穩定而避免。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,支承裝置30包括至少一磁鐵單元,裝配以與載體之上部磁性交互作用。舉例為磁性相反單元的配對者係用以與支承裝置之此至少一磁鐵單元磁性交互作用。配對者可固定於載體之上部。載體之
上部可經由磁力非接觸穩定。磁鐵單元係可靠的、具成本效應的及可提供大的穩定力。
特別是,此至少一磁鐵單元可包括永久磁鐵。支承裝置之複雜度可減少及能量可節省,因為永久磁鐵提供磁力,而無需外部的電源供應器。
於一些實施例中,此至少一磁鐵單元具有30mm或更多,特別是50mm或更多之垂直延伸範圍。具有大的垂直延伸範圍之磁鐵單元可確保在載體及支承裝置之間不同相對垂直位置處之載體10及支承裝置30之間的磁性交互作用。因此,在載體支撐件20之垂直移動期間,支承裝置30可維持於固定之垂直位置。
支承裝置30可包括至少一磁鐵單元,用以施加排斥磁力於載體之上部。於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,支承裝置30包括第一磁鐵單元33及第二磁鐵單元34。第一磁鐵單元33用以從第一側施加排斥磁力於載體10之上部。第二磁鐵單元34用以從第二側施加排斥磁力於載體10之上部,第二側相反於第一側。
磁性相反單元可固定於載體10之上部,以與第一磁鐵單元33及第二磁鐵單元34分別磁性交互作用。特別是,支承裝置30之第一磁鐵單元33可施加排斥磁力至固定於載體10之第一側的第一磁性相反單元13,及/或支承裝置30之第二磁鐵單元34可施加排斥磁力至固定於載體10之第二側的第二磁性相反單元14,第二側相反於第一側。載體可非接觸迫使(urged)而朝向第一
磁鐵單元33及第二磁鐵單元34之間的中心區域。載體10及支承裝置30之間的接觸可因作用於載體之兩側上的排斥磁力而避免。載體之可靠及非接觸穩定可提供。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,支承裝置30可包括第一臂及第二臂。第一臂舉例為第一懸臂31,第二臂舉例為第二懸臂32。第一臂及第二臂可以是於一水平方向中獨立於彼此為可移動的。第一臂可包括第一穩定部37,位於載體傳送空間之第一側上。第二臂可包括第二穩定部38,位於載體傳送空間之第二側上。第一磁鐵單元33可固定於第一懸臂31,舉例為固定於第一懸臂31之遠端,及第二磁鐵單元34可固定於第二懸臂32,舉例為固定於第二懸臂32之遠端。
「懸臂」可為延伸固定裝置,裝配以使支承裝置30之磁鐵單元緊鄰於載體之對應側。第一磁鐵單元33可配置於第一懸臂31之遠端,及第一懸臂31可裝配以靠近設置第一磁性相反單元13的載體之上部。第二磁鐵單元34可配置於第二懸臂32之遠端,及第二懸臂32可裝配以靠近設置第二磁性相反單元14之載體的上部。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,支承裝置30可在水平方向中為可移動的,特別是在路徑切換方向S中。路徑切換方向S可對應於載體之厚度方向。舉例來說,支承裝置30可在水平方向中為可移動的,以帶動支承裝置30靠近載體來支承及穩定載體之上部。
於一些實施例中,第一懸臂31及第二懸臂32可在水平方向中為可移動的,特別是獨立於彼此在水平方向中為可移動的。舉例來說,用以水平地移動第一懸臂31(舉例為在路徑切換方向S中來回)之第一驅動器可設置於第一懸臂31之近端,舉例為真空腔室之外側。用以水平地移動第二懸臂32(舉例為在路徑切換方向S中來回)之第二驅動器可設置於第二懸臂32之近端,舉例為真空腔室之外側。第一驅動器及第二驅動器可配置於載體傳送空間之相同側上,舉例為在真空腔室之外側彼此相鄰。
第一驅動器及第二驅動器可獨立於彼此為可操作的。特別是,第一驅動器及第二驅動器可裝配,以在相反方向中移動第一懸臂及第二懸臂。第一驅動器及第二驅動器可替代地或額外地裝配,以利用對應之速度在相同方向中同步地移動第一懸臂及第二懸臂。
特別是,第一懸臂31之第一穩定部37可朝向載體之第一側為可移動的,及第二懸臂32之第二穩定部38可朝向載體之第二側為可移動的,第二側相反於第一側。藉由移動第一穩定部37朝向載體之第一側,載體可磁性地推離第一穩定部37而朝向第二穩定部38。藉由移動第二穩定部38朝向載體之第二側,載體可磁性地推離第二穩定部38而朝向第一穩定部37。因此,載體可非接觸穩定且支承於第一穩定部37及第二穩定部38之間的預定位置處。
第一懸臂31及第二懸臂32可分別為本質上L形。第一懸臂31之長部可在本質上水平方向中延伸。連接於此長部之遠端的短部可在向下方向中延伸及可包括第一穩定部37。第二懸臂32之長部可在載體傳送空間之上方於本質上水平方向中延伸。連接於此長部之遠端的短部可在向下方向中延伸及可包括第二穩定部38。於一些實施例中,第二懸臂32之長部可配置於第一懸臂31之長部的垂直高度的上方,如第1圖中所示。
於一些實施例中,支承裝置30可具有可分別在水平方向中彼此分離的至少兩個第一懸臂及/或至少兩個第二懸臂。裝配以非接觸穩定載體之上部的至少一磁鐵單元可設置於第一及第二懸臂之各者的遠端處。因此,載體之穩定及可靠穩定可提供至載體之整個寬度。
根據數個實施例,針之至少一或多個下述理由,載體可利用組件100在垂直方向中移動:(i)定位載體於預定的垂直高度;(ii)校正或調整載體之垂直高度;(iii)舉例為經由主動控制來控制載體的垂直高度;(iv)擺置載體於傳送系統之軌道上,傳送系統配置於特定的垂直高度;(v)降低載體於路徑切換支撐件上,用以執行路徑切換;以及(vi)從路徑切換支撐件升舉載體來置放載體回到傳送系統之軌道上。
第2A-D圖繪示根據此處所述實施例之用以利用組件100升舉或降低載體之方法的數個階段的示意圖。
在第2A圖中,載體10係置放於載體支撐件20上。載體支撐件20係與支撐於其上之載體10在向上方向中及/或向下方向中為可移動的。
支承裝置30可與載體之上部分離配置。特別是,支承裝置30可配置在沒有穩定力或可忽略之穩定力藉由支承裝置施加於載體上之縮回位置。在縮回位置中,設置於載體之第一側(舉例為載體之後側)上的第一穩定部37係配置在相距載體10cm或更多之一距離處,及設置於載體之第二側(舉例為載體之前側)上之第二穩定部係配置在相距載體10cm或更多之一距離處。
第一穩定部37可設置於第一懸臂31的遠端,第一懸臂31舉例為藉由第一驅動器在水平方向中為可移動的,及第二穩定部38可設置於第二懸臂32之遠端,舉例為藉由第二驅動器在水平方向中為可移動的,特別是彼此獨立為可移動的。
當載體支撐件20係舉例為在向下方向中垂直地移動時,載體之上部係藉由支承裝置30支承及穩定。因此,第一穩定部37係朝向載體之第一側移動,及第二穩定部38係朝向載體之第二側移動。
如第2B圖中所示,在支承裝置30之支承狀態中,支承裝置30及載體之上部之間的距離可為5cm或更少,特別是1m或更少。特別是,第一穩定部37已經移動而靠近載體之第一側,及第二穩定部38已經移動而靠近載體之第二側。然而,支承裝置30因磁鐵單元及磁性相反單元之間的排斥磁力而不接觸載體。磁
鐵單元設置於兩個穩定部,磁性相反單元設置於載體之兩側。因此,載體之上部可在支承裝置之此些穩定部之間支承及穩定。
於第2C圖中,載體支撐件20係在向下方向中或向上方向中移動。因此,支撐於載體支撐件20上之載體係降低或升舉。載體在下降或升舉期間係藉由支承裝置30穩定。
特別是,設置於支承裝置30之磁鐵單元及/或設置於載體之磁性相反單元具有垂直延伸範圍,而確保在支承裝置30及載體10之間的相對垂直移動期間之支承裝置30及載體之上部之間的磁性交互作用。特別是,設置在支承裝置之磁鐵單元及設置在載體之磁性相反單元可在第2B圖中所示之載體的上垂直位置中及在第2C圖中所示之載體之下垂直位置中重疊。
載體可降低或升舉10mm或更多,20mm或更多,40mm或更多,或甚至是100mm或更多。
在載體垂直移動期間,支承裝置30可保持靜止。
如第2D圖中所示,在升舉或降低之後,支承裝置30可移動離開載體10。舉例來說,第一穩定部37可移動離開載體之第一側,及第二穩定部38可移動離開載體之第二側。
在第2D圖中,藉由支承裝置30支承載體10之上部可不再為必要的,舉例為因為其他載體支承裝置(未繪示於第2D圖中)或磁性懸浮系統提供之磁性懸浮力可支承及穩定載體於升舉或降低位置。
第3圖繪示根據此處所述實施例之用以升舉或降低載體之組件200的剖面圖。組件200本質上對應於第1圖之組件100,使得參照可以上述說明完成而不於此重複。
第2圖之組件200包括第一傳送系統112,裝配以在傳送方向中沿著第一傳送路徑T1傳送載體10。傳送方向垂直於第2圖之圖面。第一傳送系統112可裝配,以舉例為利用磁力在傳送方向中非接觸傳送載體。也就是說,第一傳送系統可不使用機械力來傳送載體。取而代之,第一傳送系統可沿著傳送路朝向新的位置磁性推動或拉動載體。如本揭露通篇所使用之名稱「非接觸」及「非接觸移動」可理解為載體係不利用機械接觸於載體及第一傳送系統之間移動,但藉由排斥及/或吸引磁力磁性地移動之含義。在沿著第一及/或第二傳送路徑傳送期間,設備及載體之間沒有任何機械接觸。
於一些實施例中,第一傳送系統112可為磁性懸浮系統。磁性懸浮系統可包括上軌道部122及下軌道部121,其中載體10可在上軌道部122及下軌道部121之間於本質上垂直定向中傳送。上軌道部122可配置在下軌道部121之上方。磁性懸浮系統之磁鐵及/或驅動單元可配置在上軌道部122及/或下軌道部121。舉例來說,裝配以非接觸支承載體於上軌道部122之下方的主動磁性單元可配置於上軌道部,及裝配以沿著軌道移動載體之驅動單元可配置於下軌道部121,驅動單元舉例為線性馬達。
載體之非接觸傳送可為有利的,因傳送載體期間之載體及傳送系統之部件之間的機械接觸而產生的粒子之數量係減少。傳送系統之部件例如是滾軸。因此,真空腔室中之真空條件係不受載體之傳送負面地影響。沈積於基板上之層的純度可改善,特別是因為在使用傳送系統時產生之粒子係減少到最少或甚至避免。此傳送系統係裝配以用於非接觸傳送。
組件更包括載體支撐件20及支承裝置30。載體支撐件20經由致動器25在本質上垂直方向V中為可移動的。支承裝置30用以在載體之垂直移動期間支承載體10之上部。支承裝置30之細節係參照第1圖進行說明,及不於此處重複。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例,載體支撐件20可連接於第一傳送系統112之下軌道部121,或與第一傳送系統112之下軌道部121一體成型。特別是,如第3圖中所示,載體支撐件20係連接於下軌道部121,以在垂直方向中與下軌道部121一起為可移動的。
在載體藉由第一傳送系統112於傳送方向中非接觸傳送載體期間,載體係非接觸支承於上軌道部122之下方及下軌道部121的上方。磁性懸浮系統可更提供載體之磁性側穩定。也就是說,磁性懸浮系統可在水平方向中(特別是路徑切換方向S中)提供作用於載體上之磁力,而避免載體偏移離開上軌道部122。因此,在利用磁性懸浮系統傳送載體期間,載體之上部可藉由磁性懸浮系統於水平方向中支承及穩定。然而,磁性懸浮系統之磁性側穩
定一般係作用於特定之垂直高度上。支承及穩定垂直移動之載體的上部可能具有挑戰性。
根據此處所述之數個實施例,支承裝置30係設置。支承裝置30係裝配,以在載體垂直移動期間非接觸支承載體之上部。支承裝置30可與垂直移動之載體的上部磁性交互作用,而支承裝置30可保持在固定之垂直高度。
因此,第一傳送系統112之磁性懸浮可關閉或減少,及載體10可藉由在向下方向中移動載體支撐件20來降低。上軌道部122及載體10之間的距離係藉由降低載體來增加。由於上軌道部122及載體10之間的距離增加,載體10可接著在路徑切換方向S中移動離開第一傳送路徑T1。
第4A-F圖繪示根據此處所述實施例之用於在真空腔室中傳送載體之設備400的接續操作位置之示意圖。
設備400包括第一傳送系統112及路徑切換組件150。第一傳送系統112在傳送方向T中沿著第一傳送路徑T1設置。路徑切換組件150係裝配,以在路徑切換方向S中移動載體離開第一傳送路徑T1。路徑切換方向S本質上垂直於傳送方向T。
路徑切換組件150包括載體支撐件20及支承裝置30。載體支撐件20於本質上垂直方向V中為可移動的。支承裝置30裝配以非接觸支承載體的上部。支承裝置30可根據第1圖中所示之支承裝置裝配,使得參照可以上述說明達成,而不於此重複。
特別是,在升舉或下降支撐於載體支撐件上之載體期間,支承裝置30係裝配以支承載體的上部。
路徑切換方向S可對應於水平方向,支承裝置30在水平方向中為可移動的。特別是,路徑切換方向S可對應於穩定力之方向。穩定力係藉由支承裝置30施加於載體之上部上。
用以在真空腔室中傳送載體之設備400可提供一、二或多個傳送路徑,其中載體可沿著傳送路徑移動或傳輸。第一傳送路徑T1可相鄰於第二傳送路徑T2延伸,舉例為本質上平行於第一傳送路徑T1延伸。第一傳送路徑T1及/或第二傳送路徑T2可在傳送方向T中延伸。傳送方向T可為水平方向,本質上垂直於路徑切換方向S。
第一傳送路徑T1及第二傳送路徑T2可在路徑切換方向S中彼此水平地偏移。在路徑切換方向S中之第一傳送路徑T1及第二傳送路徑T2之間的距離可為10cm或更多,特別是20cm或更多,及/或100cm或更少,特別是50cm或更少。
設備400可為真空處理系統之一部份,真空處理系統例如是串連處理系統,使得基板可連續地或近似連續地處理。設備400可裝配,以位移或移動載體離開第一傳送路徑T1而至第二傳送路徑T2及/或處理位置T3。基板可在處理位置T3中進行處理。特別是,設備400可在路徑切換方向S中從第一傳送路徑T1上之第一位置橫向地位移載體至遠離第一位置的第二位置。路徑切換方向S可本質上垂直於傳送方向。當載體係在路徑切換方向S
中從一個傳送路徑移動至另一個傳送路徑時,所述之移動可亦意指為「路徑切換」或「軌道切換」。
第一傳送系統112可裝配,以在傳送方向T中沿著第一傳送路徑T1非接觸傳送載體10。第一傳送系統112可為第一磁性懸浮系統,裝配以用於沿著第一傳送路徑T1非接觸傳送載體。於一些實施例中,第一傳送系統112包括下軌道部121及上軌道部122。載體可在下軌道部121及上軌道部122之間的載體傳送空間中傳送,特別是在本質上垂直定向中傳送。
於一些實施例中,路徑切換組件150之載體支撐件20係連接於第一傳送系統112之下軌道部121或與第一傳送系統112之下軌道部121一體成型。載體支撐件20可在本質上垂直方向V中與下軌道部121一起為可移動的。特別是,致動器25可設置而用於與載體支撐件20一起垂直地移動下軌道部121
上軌道部122可本質上配置於下軌道部121之上方。第一傳送系統112之磁性單元可配置在下軌道部121及/或上軌道部122。舉例來說,數個主動控制之磁性單元可配置在上軌道部122,用以非接觸支承載體10於上軌道部122的下方。
上軌道部122可裝配成在傳送方向T中沿著第一傳送路徑T1延伸之上軌導引軌的上軌道之一部份。在經由磁性軸承在上軌道部122之下方非接觸傳送載體期間,上軌道部122及載體之間的縫隙可具有5mm或更少,特別是約2mm之寬度。第一傳送
系統112之主動磁性單元及/或被動磁性單元可固定於上軌道部122。
下軌道部121可裝配成在傳送方向T中沿著第一傳送路徑T1延伸之下軌導引軌的下軌道之一部份。在藉由第一傳送系統112在下軌道部121之上方非接觸傳送載體期間,下軌道部121及載體之間的縫隙可具有5mm或更少,特別是約2mm之寬度。裝配以在傳送方向T中非接觸傳送載體之第一傳送系統的驅動單元可固定於下軌道部121。
設備400更包括路徑切換組件150。路徑切換組件150可裝配,以在路徑切換方向S中移動載體離開第一傳送路徑T1。路徑切換方向S橫向於傳送方向T。舉例來說,路徑切換組件150可裝配,以在路徑切換方向S中從第一傳送路徑T1移動載體至第二傳送路徑T2。路徑切換組件150可替代地或額外地裝配,以移動載體至處理位置T3。載體係在處理位置T3中進行處理,舉例為塗佈。處理位置T3可從第一及第二傳送路徑水平地偏移。
如第4D圖中所示,處理工具105可配置於真空腔室中,用以舉例為當載體配置在處理位置T3中時處理載體10支承之基板11。處理工具105可為沈積源,裝配以沈積塗佈材料於基板上。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,路徑切換組件150包括路徑切換支撐件152。路徑切換支撐件152可在路徑切換方向S中為可移移動的,用以在路徑切換方向S中傳
送載體10。舉例來說,載體10可支撐於路徑切換支撐件152上。於第4C圖中,載體10係由路徑切換支撐件152從下方支撐,也就是載體10可置放於路徑切換支撐件152之頂部上。於其他實施例中,路徑切換支撐件152可從側邊支承載體。舉例來說,路徑切換支撐件152可包括磁性吸座,用以磁性地卡合於載體之側表面。
驅動裝置可設置而用於在路徑切換方向S中移動路徑切換支撐件152,用以從第一傳送路徑T1傳送載體至第二傳送路徑T2及/或至處理位置T3。驅動裝置(未繪示於圖式中)可配置於真空腔室之外側,及路徑切換支撐件152可延伸通過真空腔室之牆。或者,驅動裝置可配置於真空腔室之內側。
驅動裝置可裝配,以在路徑切換方向S中從第一傳送路徑T1移動路徑切換支撐件152 10cm或更多,特別是25cm或更多之距離至第二傳送路徑T2及/或至處理位置T3。舉例來說,第一傳送路徑T1及第二傳送路徑T2之間的距離可為25cm或更多及100cm或更少。
第4A圖中所示之實施例的路徑切換支撐件152包括支撐表面,用以定位載體於支撐表面上。載體10可藉由載體支撐件20於向下方向中移動,及定位於路徑切換支撐件152之支撐表面上。於是,路徑切換支撐件152可在路徑切換方向S中移動,用以傳送載體離開第一傳送路徑T1。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,第二傳送系統114可設置而用於沿著第二傳送路徑T2傳送載體
10。第二傳送系統114可為第二磁性懸浮系統,沿著第二傳送路徑T2設置。第二傳送路徑T2可從第一傳送路徑T1水平地偏移。特別是,路徑切換支撐件152可在路徑切換方向S中為可移動的,用以從第一傳送路徑T1傳送載體10至第二傳送路徑T2及/或至處理位置T3。處理位置T3從第一及第二傳送路徑水平地偏移。
類似於第一傳送系統112,第二傳送系統114可包括第二下軌道部123及第二上軌道部124,其中載體可沿著第二傳送路徑T2在第二下軌道部123及第二上軌道部124之間傳送。
於一些實施例中,第二下軌道部123可在本質上垂直方向V中為可移動的。配置於第二下軌道部123上之載體可因而藉由在向上方向中或向下方向中移動第二下軌道部123來升舉及下降。於一些應用中,第一傳送系統112之下軌道部121可在本質上垂直方向V中獨立於第二傳送系統114之第二下軌道部123為可移動的。
於第4A圖中,載體係藉由第一傳送系統112在傳送方向T中沿著第一傳送路徑T1傳送。傳送可為非接觸傳送。藉由磁力,舉例為從下方作用之排斥磁力及/或從上方作用之吸引磁力,載體10可支承於上軌道部122之下方的一距離處(舉例為約2mm之距離),及下軌道部121之上方的一距離處(舉例為約2mm之距離)。載體10係傳送至第4A圖中所示之第一傳送路徑T1上的一位置,此位置係為路徑切換組件150所配置處。
在藉由第一傳送系統112傳送載體期間,載體之上部可由第一傳送系統112提供之磁力支承及穩定。支承裝置30可與載體之上部分離配置。
如第4B圖中所示,支承裝置30可在水平方向中朝向載體10移動。支承裝置30之第一穩定部可朝向載體之第一側(舉例為載體之後側)移動,及支承裝置30之第二穩定部可朝向載體之第二側(舉例為載體之前側)移動。載體係接著由支承裝置非接觸支承及穩定。磁力可作用在路徑切換方向S中之支承裝置30之穩定部及載體之上部之間。
如第4B圖中所進一步繪示,磁性懸浮力可關閉或減少,用以置放載體於載體支撐件20上。磁性懸浮力可逐漸地減少,使得載體係平順地置放於載體支撐件20上。載體之上部係由支承裝置30非接觸支承。
如第4C圖中所示,載體支撐件20可接著藉由致動器25在向下方向中移動舉例為40mm或更多之距離。載體10係降低及置放於路徑切換支撐件152上。在下降期間,載體10之上部係由支承裝置30非接觸支承。在數個實施例中,在下降載體期間,支承裝置30可保持本質上靜止。
當載體已經置放於路徑切換支撐件152上時,載體支撐件20可更向下移動,以在路徑切換方向S中提供路徑切換支撐件152順暢的路徑切換移動。
如第4B圖及第4C圖中所示,載體支撐件20及路徑切換組件150之路徑切換支撐件152可裝配,以從下方支撐載體10。載體之底表面可先置放於基板支撐件上(第4B圖),及接著置放於路徑切換支撐件152上(第4C圖)。由於支承於載體支撐件20上之載體10向下移動之故,載體10及上軌道部122之間的距離可增加。由於相對於由路徑切換支撐件152所支撐之載體10向下移動載體支撐件20之故,載體及下軌道部121之間的距離可增加。在路徑切換方向S中之載體的傳送移動可為有幫助的,因為載體10之上方及載體之下方的自由空間在路徑切換期間係增加。
如第4D圖中所示,具有載體10支撐於其上之路徑切換支撐件152可在路徑切換方向S中從第一傳送路徑T1移動至第二傳送路徑T2及/或至處理位置T3(第4D圖),基板可在處理位置T3由處理工具105進行處理。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,支承裝置30係在路徑切換方向S中與路徑切換支撐件152一起為可移動的。在載體於路徑切換方向S中移動期間,支承裝置30可非接觸支承及穩定載體10之上部。支承裝置30可以本質上與路徑切換支撐件152同步及與路徑切換支撐件152相同速度之方式在路徑切換方向S中為可移動的。特別是,第一懸臂31及第二懸臂32可在路徑切換方向S中與路徑切換支撐件152同步地移動,及與路徑切換支撐件152相同的速度移動,以在載體之路徑切換移動期間提供載體10之上部可靠穩定。載體之上部可非接觸支承於支承裝
置30之第一磁鐵單元33及第二磁鐵單元34之中心位置。根據數個實施例,支承裝置可在水平方向為可移動的,特別是在路徑切換方向中為可移動的。
如第4E圖中所示,載體可藉由路徑切換支撐件152移動到第二傳送路徑T2,而載體之上部係由支承裝置30非接觸支承。支承裝置30可以相同於路徑切換支撐件之速度移動。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,第二傳送系統114可包括第二下軌道部123,在本質上垂直方向中為可移動的。裝配以升舉或降低支撐於第二載體支撐件上之載體的第二載體支撐件可連接於第二下軌道部123或與第二下軌道部123一體成型。
如第4E圖中所示,第二傳送系統114之第二下軌道部123可接著在向上方向中移動,直到載體從路徑切換支撐件152升舉,及朝向第二傳送系統114之第二上軌道部124向上移動。在升舉載體10期間,載體之上部可由支承裝置30非接觸支承。
當載體已經升舉至預定的垂直高度時,第二傳送系統114之磁性懸浮可開啟。藉由第二傳送系統114之個別磁性軸承,載體可接著非接觸支承於第二上軌道部124之下方及第二下軌道部123之上方。第二傳送系統114之磁力可亦提供載體之上部的側穩定。
如第4F圖中所示,當載體之上部的側穩定係由磁性懸浮系統提供時,支承裝置30可在水平方向中移動離開載體。
載體可接著在傳送方向T中沿著第二傳送路徑T2非接觸傳送,舉例為朝向其他處理模組非接觸傳送或返回而朝向載體卸載腔室非接觸傳送。
第5圖繪示根據此處所述實施例之包括用以傳送載體之設備的系統500的上視圖。此設備可對應於第4A-F圖中所示之設備400,使得參照可以上述說明達成而不於此重複。
根據此處所述數個實施例之用於真空處理基板之系統500包括真空腔室101、根據此處所述任何實施例之用以傳送載體之設備、及一或多個處理工具105。此一或多個處理工具105配置在真空腔室101中。此一或多個處理工具可選自由沈積源、濺射源、蒸發源、表面處理工具、加熱裝置、清洗裝置、蝕刻工具、及其組合所組成之群組。
第一傳送路徑T1及與第一傳送路徑T1水平地偏移之第二傳送路徑T2係至少部份地延伸通過真空腔室101。基板可於其中處理之處理位置T3係選擇地從第一傳送路徑T1及第二傳送路徑T2水平地偏移。於一些實施例中,遮罩12係提供於處理位置T3及處理工具105之間。遮罩12可為邊緣排除遮罩(edge exclusion mask)或精密金屬遮罩(fine metal mask)。舉例來說,遮罩12可避免基板之一部份塗佈及/或遮罩可具有開孔圖案,開孔圖案對應於將沈積於基板上之材料圖案。
設備包括第一傳送系統112、第二傳送系統114、及路徑切換組件150。第一傳送系統112用以沿著第一傳送路徑T1
非接觸傳送載體10。第二傳送系統114用以沿著第二傳送路徑T2非接觸傳送載體10。路徑切換組件150係裝配,以在路徑切換方向S中從第一傳送路徑T1傳送載體10至第二傳送路徑T2及/或至處理位置T3。
路徑切換組件150包括載體支撐件20(以虛線繪示於第5圖中)。載體支撐件20於垂直方向中為可移動的,用以升舉或降低載體。載體支撐件20可配置於載體傳送空間的下方,使得載體可藉由減少第一傳送系統112之磁性懸浮力來置放於載體支撐件20上。
路徑切換組件150更包括路徑切換支撐件152(以虛線繪示於第5圖中),裝配以支撐載體10。路徑切換支撐件152在路徑切換方向S中為可移動的,用以傳送載體於此些傳送路徑之間。載體支撐件20及路徑切換支撐件152兩者可裝配,以從下方支撐載體。在第5圖之實施例中,兩個路徑切換支撐件152係在傳送路徑T中彼此分離配置,舉例為分離1m或更多之距離。在其他實施例中,可設置多於兩個路徑切換支撐件。
路徑切換組件150更包括支承裝置30,裝配以非接觸穩定載體之上部,特別是藉由從載體之相反側邊施加磁性穩定力於載體上來非接觸穩定載體的上部。
繪示於第5圖中之支承裝置30包括兩個第一懸臂31。此兩個第一懸臂31在傳送方向T中彼此分離,舉例為分離2m或更多及4m或更少之距離。裝配以與載體之後側交互作用的至少
一磁鐵單元可固定於各第一懸臂31之遠端。藉由通用的驅動單元或藉由兩個分離之驅動單元,此兩個第一懸臂可在路徑切換方向S中朝向載體之後側為可移動的。於其他實施例中,可設置多於兩個第一懸臂。
繪示於第5圖中之支承裝置30包括兩個第二懸臂32。此兩個第二懸臂32在傳送方向T中彼此分離,舉例為分離50cm或更多及150cm或更少之距離。裝配以與載體之前側交互作用的至少一磁鐵單元可固定於各第二懸臂32之遠端。藉由通用的驅動單元或藉由兩個分離之驅動單元,此兩個第二懸臂可在路徑切換方向S中朝向載體之前側為可移動的。於其他實施例中,可設置多於兩個第二懸臂。
在路徑切換期間,此兩個路徑切換支撐件152、此兩個第一懸臂31、及此兩個第二懸臂32可在路徑切換方向S中朝向處理工具105一起且同步可移動的。快速及可靠之路徑切換可執行。
在升舉或降低載體期間以及在水平路徑切換移動期間,由於載體之上部的非接觸支承之故,可減少在真空腔室中產生粒子及可改善處理結果。
第6圖繪示根據此處所述實施例之說明在真空腔室中升舉或降低載體之方法的流程圖。
於方塊610中,載體置放於載體支撐件上。載體支撐件可從下方支撐載體。
載體可為垂直定向之載體,特別是運載在本質上垂直定向中之大面積基板的基板載體。
載體可具有1m或更多,特別是2m或更多的高度,具有1m或更多,特別是2m或更多的寬度,及/或具有50cm或更少,特別是20cm或更少的厚度。載體之「厚度」可為在對應於路徑切換方向S之水平方向中的載體之尺寸。
在(選擇的)方塊620中,支承裝置30在水平方向中移動朝向支撐於載體支撐件上的載體。特別是,支承裝置之第一穩定部可朝向載體之第一側移動,及支承裝置之第二穩定部可朝向載體之第二側移動,第二側相反於第一側。第二側可對應於支承基板的載體之前側。第一側可對應於載體之後側。因此,載體支承於第一穩定部及第二穩定部之間,第一穩定部及第二穩定部可從載體之相反側上施予排斥磁力在載體上。因此,載體可磁性穩定於第一穩定部及第二穩定部之間的中心位置。
在方塊630中,基板支撐件可在本質上垂直方向中移動來升舉或降低載體。在升舉或降低期間,載體之上部係藉由支承裝置非接觸支撐。在升舉或降低載體期間,支承裝置可保持本質上靜止。
在(選擇之)方塊640中,支承裝置係在水平方向中移動離開。特別是,支承裝置之第一穩定部係移動離開載體的第一側,及支承裝置之第二穩定部係移動離開載體的第二側。載體
可接著進一步傳送,舉例為在水平方向中從基板支撐件移除。水平方向可對應於路徑切換方向S。
於一些應用中,載體係載運用於顯示器製造的大面積基板,大面積基板將於真空腔室中處理。基板可具有1m2或更多,特別是5m2或更多之尺寸。
舉例為藉由蒸發、濺射及/或化學氣相沈積來沈積塗佈材料於基板上,基板可在真空腔室中進行處理。
第7圖繪示根據此處所述實施例之說明用以在真空腔室中傳送載體之方法的流程圖。
在方塊710中,載體藉由第一傳送系統於真空腔室中沿著第一傳送路徑非接觸傳送,特別是藉由第一磁性懸浮系統非接觸傳送。載體停止於路徑切換組件所配置之第一傳送路徑的一位置處。在所述之位置處,載體可配置於基板支撐件的上方。基板支撐件可於垂直方向中為可移動的。
於方塊720中,支承裝置30係朝向載體之上部移動來非接觸支承上部,特別是非接觸穩定載體之上部於支承裝置之兩個穩定部之間。
在方塊730中,第一傳送系統之磁性懸浮力可關閉或減少來置放載體於基板支撐件上,使得載體可與基板支撐件機械接觸。
在方塊740中,基板支撐件係在垂直方向中移動來降低支撐於其上的載體。在降低期間,載體之上部係由支承裝置
非接觸支承。支承裝置可施加水平穩定力於載體上。載體可降低至路徑切換支撐件上。路徑切換支撐件在路徑切換方向中為可移動的。路徑切換方向特別是垂直於傳送方向。
於方塊750中,路徑切換支撐件係在路徑切換方向中移動來從第一傳送路徑傳送載體至第二傳送路徑及/或至處理位置。支承裝置與路徑切換支撐件一起及同步在路徑切換方向中移動。在(選擇之)處理位置處,由載體運載之基板可進行處理,舉例為塗佈有塗佈材料。
載體可傳送至第二傳送路徑。在第二傳送路徑,載體可配置在第二傳送系統之垂直可移動之第二下軌道部的上方。
在方塊760中,當載體配置於第二傳送路徑上時,第二下軌道部在向上方向中移動。載體可藉由向上移動的第二下軌道部來從路徑切換支撐件升舉。第二下軌道部可定位載體於預定之垂直高度,載體之上端可在此預定之垂直高度配置於第二傳送系統之第二上軌道部的近距離處。在載體向上移動期間,載體的上部係由支承裝置非接觸支承。
在方塊770中,沿著第二傳送路徑設置之第二傳送裝置之磁性懸浮力可開啟。支承裝置可從載體之上部移除。載體可藉由第二傳送系統接著在傳送方向中沿著第二傳送路徑非接觸傳送。
綜上所述,雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,
在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:載體
11:基板
13:第一磁性相反單元
14:第二磁性相反單元
20:載體支撐件
25:致動器
30:支承裝置
31:第一懸臂
32:第二懸臂
33:第一磁鐵單元
34:第二磁鐵單元
37:第一穩定部
38:第二穩定部
100:組件
S:路徑切換方向
V:本質上垂直方向
Claims (19)
- 一種用以在一真空腔室中升舉或降低一載體(10)的組件(100),包括:一載體支撐件(20),於一本質上垂直方向(V)中為可移動的;以及一支承裝置(30),裝配以非接觸支承該載體之一上部,其中該支承裝置(30)係在一水平方向中為可移動的。
- 如申請專利範圍第1項所述之組件,其中該支承裝置(30)包括二穩定部,裝配以非接觸支承其間的該載體之該上部。
- 如申請專利範圍第1項所述之組件,其中該支承裝置(30)包括至少一磁鐵單元,裝配以與該載體之該上部磁性交互作用。
- 如申請專利範圍第2項所述之組件,其中該支承裝置(30)更包括至少一磁鐵單元,裝配以與該載體之該上部磁性交互作用。
- 如申請專利範圍第3項所述之組件,其中該支承裝置(30)包括一第一磁鐵單元(33)及一第二磁鐵單元(34),該第一磁性單元(33)用以從一第一側施加排斥磁力於該載體上,該第二磁性單元(34)用以從一第二側施加排斥磁力於該載體之該上部,該第二側相反於該第一側。
- 如申請專利範圍第4項所述之組件,其中該支承裝置(30)包括一第一磁鐵單元(33)及一第二磁鐵單元(34),該第一磁性單元(33)用以從一第一側施加排斥磁力於該載體上,該第二 磁性單元(34)用以從一第二側施加排斥磁力於該載體之該上部,該第二側相反於該第一側。
- 如申請專利範圍第1項所述之組件,其中該支承裝置(30)係在一路徑切換方向(S)中為可移動的。
- 如申請專利範圍第1至6項之任一者所述之組件,其中該支承裝置(30)包括一第一臂及一第二臂,該第一臂及該第二臂係於該水平方向中獨立於彼此為可移動的。
- 如申請專利範圍第8項所述之組件,其中該第一臂之一第一穩定部(37)係朝向該載體之一第一側為可移動的,及該第二臂之一第二穩定部(38)係朝向該載體之一第二側為可移動的,該第二側相反於該第一側。
- 一種用於在一真空腔室中一載體(10)的傳送之設備(400),該設備包括:一第一傳送系統(112),在一傳送方向(T)中沿著一第一傳送路徑(T1)設置;以及一路徑切換組件(150),裝配以在一路徑切換方向(S)中移動該載體離開該第一傳送路徑(T1),該路徑切換組件(150)包括:一載體支撐件(20),於一本質上垂直方向(V)中為可移動的;及一支承裝置(30),裝配以非接觸支承該載體之一上部,其中該支承裝置(30)係在一水平方向中為可移動的。
- 如申請專利範圍第10項所述之設備,其中該第一傳送系統(112)係為一磁性懸浮系統,包括一下軌道部(121)及一 上軌道部(122),該載體支撐件(20)連接於該下軌道部(121)或與該下軌道部(121)一體成型。
- 如申請專利範圍第10或11項所述之設備,其中該路徑切換組件(150)更包括一路徑切換支撐件(152),該路徑切換支撐件(152)於該路徑切換方向(S)中為可移動的,用以於該路徑切換方向(S)中傳送該路徑切換支撐件(152)支承的該載體(10)。
- 如申請專利範圍第12項所述之設備,其中該支承裝置(30)係與該路徑切換支撐件(152)一起在該路徑切換方向(S)中為可移動的。
- 如申請專利範圍第12項所述之設備,更包括一第二傳送系統(114),沿著一第二傳送路徑(T2)設置,該第二傳送路徑(T2)與該第一傳送路徑(T1)水平地偏移,該路徑切換支撐件(152)在該路徑切換方向(S)中從該第一傳送路徑(T1)至該第二傳送路徑(T2)及一處理位置(T3)之至少一者為可移動的,該處理位置與該第一及第二傳送路徑水平地偏移。
- 如申請專利範圍第13項所述之設備,更包括一第二傳送系統(114),沿著一第二傳送路徑(T2)設置,該第二傳送路徑(T2)與該第一傳送路徑(T1)水平地偏移,該路徑切換支撐件(152)在該路徑切換方向(S)中從該第一傳送路徑(T1)至該第二傳送路徑(T2)及一處理位置(T3)之至少一者為可移動的,該處理位置與該第一及第二傳送路徑水平地偏移。
- 如申請專利範圍第14項所述之設備,其中該第二傳送系統(114)包括一第二下軌道部(123),於該本質上垂直方向(V)中為可移動的。
- 一種用以升舉或降低一載體(10)之方法,包括:擺置該載體(10)於一載體支撐件(20);以及於一本質上垂直方向(V)中移動該載體支撐件(20)來升舉或降低該載體,其中該載體之一上部係在升舉或降低期間由一支承裝置(30)所非接觸支承,其中該支承裝置(30)係在一水平方向中為可移動的。
- 如申請專利範圍第17項所述之方法,其中該載體運載用於顯示器製造之一大面積基板。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法,其中該大面積基板具有1m2或更多或5m2或更多之一尺寸。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??PCT/EP2017/071449 | 2017-08-25 | ||
WOPCT/EP2017/071449 | 2017-08-25 | ||
PCT/EP2017/071449 WO2019037873A1 (en) | 2017-08-25 | 2017-08-25 | LIFTING OR LOWERING ASSEMBLY OF A SUPPORT, APPARATUS FOR TRANSPORTING A SUPPORT IN A VACUUM CHAMBER, AND METHOD OF LIFTING OR LOWERING A SUPPORT |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201921586A TW201921586A (zh) | 2019-06-01 |
TWI712102B true TWI712102B (zh) | 2020-12-01 |
Family
ID=59761946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107126003A TWI712102B (zh) | 2017-08-25 | 2018-07-27 | 用以升舉或降低一載體之組件、用以在一真空腔室中之一載體的傳送的設備、以及用以升舉或降低一載體之方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6766189B2 (zh) |
KR (1) | KR102248738B1 (zh) |
CN (1) | CN109790618B (zh) |
TW (1) | TWI712102B (zh) |
WO (1) | WO2019037873A1 (zh) |
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- 2017-08-25 CN CN201780059041.XA patent/CN109790618B/zh active Active
- 2017-08-25 KR KR1020197000513A patent/KR102248738B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-25 JP JP2018565841A patent/JP6766189B2/ja active Active
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JP2019537236A (ja) | 2019-12-19 |
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