TWI710301B - 薄型天線電路板的製作方法 - Google Patents
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Abstract
一種薄型天線電路板的製作方法,其包括以下步驟:提供單面基板,包括第一絕緣層、銅層,且還包括貫穿該第一絕緣層的第一通孔,及填滿該第一通孔的第一導電結構;提供一中間結構,包括依次層疊設置的線路層、第三絕緣層、金屬遮罩層、第二絕緣層及另一線路層,每一線路層包括信號線及連接墊,上述中間結構還包括貫穿一該連接墊、該第二絕緣層、該金屬遮罩層及該第三絕緣層的電連接結構;將該中間結構設置於二該單面基板間並進行壓合,製得薄型天線電路板。
Description
本發明涉及一種電路板的製作方法,尤其涉及一種薄型天線電路板的製作方法。
近年來,電子產品被廣泛應用在日常工作及生活中,輕、薄、小的電子產品越來越受到歡迎。柔性電路板作為電子產品的主要部件,其佔據了電子產品的較大空間,故柔性電路板的體積在很大程度上影響了電子產品的體積,大體積的柔性電路板勢必難以符合電子產品輕、薄、短、小之趨勢。
電路板中的線路在進行信號導通時,容易受到外界信號或其他線路信號的干擾。習知技術中,在製作多層電路板時,藉由將獨立的遮罩層壓合至獨立的線路上以降低其他線路或外界信號對該線路的干擾。然上述方法對製程的精准度要求較高,耗費工時較長。
故,有必要提供一種薄型天線電路板的製作方法。
一種薄型天線電路板的製作方法,其包括以下步驟:提供一單面基板,其包括一第一絕緣層及覆蓋於所述第一絕緣層一表面的銅層,且所述單面基板還包括一貫穿所述第一絕緣層並露出所述銅層的第一通孔,及一填滿所述第一通孔的第一導電結構;提供一層疊基板,所述層疊基板包括依次層疊設
置的金屬層、第三絕緣層、金屬遮罩層及第二絕緣層;對所述金屬層進行線路製作形成線路層,所述線路層包括至少一信號線及至少一連接墊;在上述層疊基板上開設至少一貫穿所述第二絕緣層、所述金屬遮罩層及所述第三絕緣層的第二通孔,以露出所述連接墊;對應所述第二通孔形成第二導電結構,所述第二導電結構填滿所述第二通孔,從而形成中間體;提供一雙面基板,其包括依次層疊設置的線路層、第四絕緣層及第一銅箔,所述雙面基板的線路層包括至少一信號線及至少一連接墊,且所述雙面基板還包括電連接所述連接墊與所述第一銅箔的第三導電結構,將一所述單面基板、至少一上述中間體及一所述雙面基板依次層疊設置並壓合,製得薄型天線電路板;所述第一導電結構連接相鄰的中間體的連接墊,所述雙面基板中的連接墊連接相鄰的中間體的第二導電結構,當所述中間體至少為二個時,相鄰二所述中間體中的一中間體的第二導電結構連接相鄰的另一中間體的連接墊。
一種薄型天線電路板的製作方法,其包括以下步驟:提供二個單面基板,每一單面基板包括一第一絕緣層及覆蓋於所述第一絕緣層一表面的銅層,且每一單面基板還包括一貫穿所述第一絕緣層並露出所述銅層的第一通孔,及一填滿所述第一通孔的第一導電結構;提供一層疊結構,所述層疊結構依次層疊設置的金屬層、第三絕緣層、金屬遮罩層、第二絕緣層及另一金屬層;對每一金屬層進行線路製作形成一線路層,每一線路層包括至少一信號線及至少一連接墊;在上述層疊結構上開設至少一貫穿一所述連接墊、所述第二絕緣層、所述金屬遮罩層及所述第三絕緣層的連接孔,以連通所述層疊結構二線路層上的連接墊;對應所述連接孔形成電連接結構,所述電連接結構填滿所述連接孔,從而形成中間結構;將所述中間結構設置於二所述單面基板間並進行壓合,製得薄型天線電路板;所述中間結構的二線路層的連接墊分別與二所述單面基板的第一導電結構背離對應的單面基板中的銅層的一端電連接。
本發明的薄型天線電路板的製作方法,其藉由在層疊基板、層疊結構上先形成金屬遮罩層,而後將層疊基板、層疊結構上的金屬層分別製作形成線路層,並將線路層與所述金屬遮罩層電連接,減少了壓合流程,降低了壓合獨立設置的金屬遮罩層與所述線路層時整體產品的累加對位元公差。
100a,100b,100c,100d:薄型天線電路板
10:單面基板
11:第一絕緣層
13:銅層
101:第一通孔
15:第一導電結構
20:層疊基板
24,44,45:金屬層
23,43:第三絕緣層
22,42,53:金屬遮罩層
21,41:第二絕緣層
240,330,440,450,54:線路層
241,331,441,451,541:信號線
242,332,442,452,543:連接墊
201:第二通孔
25:第二導電結構
200:中間體
30:雙面基板
32:第四絕緣層
31:第一銅箔
35:第三導電結構
10a:單面覆銅板
16,26:絕緣剝離層
103:導通孔
221,531:種子層
222,532:金屬增厚層
30a:雙面覆銅板
33:第二銅箔
301:第三通孔
40:層疊結構
401:連接孔
46:電連接結構
400:中間結構
55:介電層
56:導電結構
圖1係本發明提供的一實施方式的單面基板的截面示意圖。
圖2係本發明提供的另一實施方式的層疊基板的截面示意圖。
圖3係對圖2所示的層疊基板進行線路製作形成線路層的截面示意圖。
圖4係在圖3所示的層疊基板中形成第二通孔的截面示意圖。
圖5係在圖4所示的第二通孔中形成第二導電結構進而形成中間體的截面示意圖。
圖6係本發明提供的一實施方式的雙面基板的截面示意圖。
圖7係將圖5所示的中間體夾設於圖1所示的單面基板及圖6所示的雙面基板之間壓合形成第一實施例的薄型天線電路板的截面示意圖。
圖8係本發明提供的一實施方式的單面覆銅板的截面示意圖。
圖9係將一絕緣剝離層壓合於圖8所示的單面覆銅板並形成導通孔的截面示意圖。
圖10係在本發明提供的一實施方式的第二絕緣層上形成金屬遮罩層的截面示意圖。
圖11係在圖10所示的金屬遮罩層上形成第三絕緣層的截面示意圖。
圖12係本發明提供的一實施方式的雙面覆銅板的截面示意圖。
圖13係對圖12所示的雙面覆銅板進行線路製作形成線路層的截面示意圖。
圖14係本發明提供的另一實施例中形成第二通孔的截面示意圖。
圖15本發明提供的一實施方式的層疊結構的截面示意圖。
圖16對圖15所示的層疊結構進行線路製作形成線路層的截面示意圖。
圖17係在圖16所示的層疊結構上開設連接孔的截面示意圖。
圖18係在圖17所示的連接孔中形成電連接結構進而形成中間結構的截面示意圖。
圖19係將圖18所示的中間結構夾設於二圖1所示的單面基板間並壓合形成第二實施例的薄型天線電路板的截面示意圖。
圖20係本發明提供的另一實施例壓合形成薄型天線電路板的截面示意圖。
圖21係本發明提供的一實施例的薄型天線電路板的截面示意圖。
下面將結合本發明實施例中的圖式,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅係本發明一部分實施例,而不係全部的實施例。基於本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,均屬於本發明保護的範圍。
除非另有定義,本文所使用的所有的技術及科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只係為了描述具體的實施例的目的,不係旨在於限制本發明。
下面結合圖式,對本發明的一些實施方式作詳細說明。在不衝突的情況下,下述的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。
請結合參閱圖1~圖13,本發明第一實施例的薄型天線電路板100a的製作方法,其包括以下步驟:
步驟S1,請參閱圖1,提供一單面基板10,其包括一第一絕緣層11及覆蓋於所述第一絕緣層11一表面的銅層13。所述單面基板10還包括至少一貫穿所述第一絕緣層11並露出所述銅層13的第一通孔101,及填滿所述第一通孔101的第一導電結構15。
所述第一導電結構15可從所述第一絕緣層11背離所述銅層13的表面凸伸出。
步驟S2,請一併參閱圖2,提供一層疊基板20,所述層疊基板20包括依次層疊設置的金屬層24、第三絕緣層23、金屬遮罩層22及第二絕緣層21。
步驟S3,請一併參閱圖3,對所述金屬層24進行線路製作形成線路層240,所述線路層240包括至少一信號線241及至少一連接墊242。
本實施例中,所述線路層240包括一信號線241及二連接墊242,所述信號線241位於二連接墊242之間。
步驟S4,請一併參閱圖4,在所述層疊基板20上開設至少一貫穿所述第二絕緣層21、所述金屬遮罩層22及所述第三絕緣層23的第二通孔201,以露出所述連接墊242。
本實施例中,所述第二通孔201藉由鐳射切割的方式形成。在其他實施例中,所述第二通孔201還可以藉由機械切割、蝕刻等其他方式形成。
在其他實施例中,所述第二通孔201還可穿過所述連接墊242的部分,使得所述連接墊242上形成凹陷(圖未示)。
步驟S5,請一併參閱圖5,對應所述第二通孔201形成第二導電結構25,所述第二導電結構25填滿所述第二通孔201,從而形成中間體200。
本實施例中,所述第二導電結構25一端連接所述連接墊242,另一端可從所述第二絕緣層21背離所述金屬遮罩層22的表面凸伸出。
本實施例中,所述第二導電結構25由導電膏藉由塞孔印刷的方式形成。在其他實施例中,所述第二導電結構25可以為其他材質(如金屬),亦可以藉由其他方式(如電鍍)形成。
在其他實施例中,所述第二導電結構25連接所述連接墊242的一端可嵌入所述連接墊242。
步驟S6,請一併參閱圖6,提供一雙面基板30,所述雙面基板30包括依次層疊設置的線路層330、第四絕緣層32及第一銅箔31。所述線路層330包括至少一信號線331及至少一連接墊332。所述雙面基板30還包括貫穿所述第四絕緣層32且電連接所述連接墊332與所述第一銅箔31的第三導電結構35。
本實施例中,所述線路層330包括一信號線331及二連接墊332。所述信號線331位於二連接墊332之間。
步驟S7,請一併參閱圖7,將至少一所述中間體200夾設於所述單面基板10及所述雙面基板30之間,使得所述單面基板10、所述中間體200及所述雙面基板30層疊設置,而後進行壓合製得薄型天線電路板100a。所述第一導電結構15連接相鄰的中間體200的連接墊242,所述雙面基板30中的連接墊332連接相鄰的中間體200的第二導電結構25,當所述中間體200至少為二個時,相鄰二所述中間體200中的一中間體200的第二導電結構25連接相鄰的另一中間體200的連接墊242。
本實施例中,所述中間體200為二個。具體的,在所述薄型天線電路板100a中,沿層疊方向由上至下,所述單面基板10中的第一導電結構15
背離所述銅層13的一端連接第一個中間體200中的連接墊242背離所述第一個中間體200中的金屬遮罩層22的一側;所述第一個中間體200中的第二導電結構25背離所述第一個中間體200中的連接墊242的一端連接第二個中間體200中的連接墊242背離所述第二個中間體200中的金屬遮罩層22的一側;所述第二個中間體200中的第二導電結構25背離所述第二個中間體200中的連接墊242的一端連接所述雙面基板30中的連接墊332背離所述第一銅箔31的一側。所述第一絕緣層11與所述第一個中間體200中的第三絕緣層23結合形成介電層包覆所述第一個中間體200中的線路層240;所述第一個中間體200中的第二絕緣層21與所述第二個中間體200中的第三絕緣層23結合形成介電層包覆所述第二個中間體200中的線路層240;所述第二個中間體200中的第二絕緣層21與所述雙面基板30中的第四絕緣層32結合形成介電層包覆所述雙面基板30中的線路層330。
每一線路層夾設於所述銅層13與一所述金屬遮罩層22之間,或所述第一銅箔31與一所述金屬遮罩層22之間,甚至夾設於二所述金屬遮罩層22之間,以避免任意所述線路層受其他線路層或外接信號的干擾。
在本實施例中,所述單面基板10的製備包括以下步驟S11~步驟S13:
步驟S11,請參閱圖8,提供一單面覆銅板10a,所述單面覆銅板10a包括一第一絕緣層11及覆蓋與所述第一絕緣層11一表面的銅層13。
本實施例中,所述第一絕緣層11可選用介電常數Dk小於3.4且介電損失Df小於0.005的材料,如液晶高分子材料(LCP)、聚醚醚酮高分子材料(PEEK)、改性聚醯亞胺高分子材料等。在其他實施例中,所述第一絕緣層11還可根據需由其他介電材料製得。
步驟S12,請一併參閱圖9,將一絕緣剝離層16壓合於所述第一絕緣層11背離所述銅層13的表面,並開設至少一貫穿所述絕緣剝離層16及第一絕緣層11的導通孔103,以露出所述銅層13。所述導通孔103包括貫穿所述第一絕緣層11的第一通孔101。
步驟S13,請一併參閱圖1,對應所述導通孔103形成第一導電結構15,所述第一導電結構15填滿所述導通孔103,而後去除所述絕緣剝離層16,製得所述單面基板10。所述第一導電結構15一端連接所述銅層13,另一端從所述第一絕緣層11背離所述銅層13的表面凸伸出。
本實施例中,所述第一導電結構15由導電膏藉由塞孔印刷的方式形成。在其他實施例中,所述第一導電結構15可以為其他材質(如金屬),亦可以藉由其他方式(如電鍍)形成。
本實施例中,所述層疊基板20的製備包括以下步驟S21~步驟S23:
步驟S21,請參閱圖10,提供一第二絕緣層21,並在所述第二絕緣層21一表面形成金屬遮罩層22。
本實施例中,具體的,對所述第二絕緣層21的一表面進行粗化後在粗化的表面形成一種子層221,而後在所述種子層221上形成一金屬增厚層222,所述種子層221與所述金屬增厚層222構成金屬遮罩層22。
所述種子層221可藉由塗佈、電鍍、化學鍍、離子鍍或濺鍍等方式形成。本實施例中,所述種子層221藉由在粗化的表面塗佈一組合物的方式製得。所述組合物包括起始劑0.036%~1.36%,單體化合物10%~20%,溴化銅0.028%~0.28%,鷹爪豆堿0.09%~0.9%,銀粉80%~90%。
本實施例中,所述種子層221的厚度為0.1微米~1微米。
所述金屬增厚層222可藉由化學鍍或電鍍的方式形成。
步驟S22,請一併參閱圖11,在所述金屬遮罩層22背離所述第二絕緣層21的表面形成一第三絕緣層23。
所述第三絕緣層23可藉由塗佈絕緣材料並固化的方式形成在所述金屬遮罩層22上,亦可直接將所述第三絕緣層23熱壓合於所述金屬遮罩層22。
本實施例中,所述第二絕緣層21及第三絕緣層23可選用介電常數Dk小於3.4且介電損失Df小於0.005的材料,如液晶高分子材料(LCP)、聚醚醚酮高分子材料(PEEK)、改性聚醯亞胺高分子材料等。在其他實施方式中,所述第二絕緣層21及第三絕緣層23還可以根據需由其他材料製得。
步驟S23,請一併參閱圖2,在所述第三絕緣層23背離所述金屬遮罩層22的表面形成一金屬層24,從而製得所述層疊基板20。
所述金屬層24可藉由金屬化的方式形成於所述第三絕緣層23,亦可直接將金屬箔熱壓合於所述第三絕緣層23上形成金屬層24。
本實施例中,所述雙面基板30的製備包括以下步驟S31~步驟S33:
步驟S31,請參閱圖12,提供一雙面覆銅板30a,所述雙面覆銅板30a包括依次層疊設置的第一銅箔31、第四絕緣層32及第二銅箔33。
步驟S32,請一併參閱圖13,對所述第二銅箔33進行線路製作形成線路層330。所述線路層330至少一信號線331及至少一連接墊332。
步驟S33,請一併參閱圖6,開設至少一貫穿所述第四絕緣層32以連通所述第一銅箔31及所述連接墊332的第三通孔301,並對應所述第三通孔301形成第三導電結構35以電連接所述第一銅箔31及所述連接墊332。
本實施例中,所述第三通孔301貫穿所述第一銅箔31及所述第四絕緣層32,以露出所述連接墊332。
在其他實施例中,所述第三通孔301還可穿過所述連接墊332的部分或者貫穿所述連接墊332,且所述第三導電結構35嵌入所述連接墊332。
在其他實施例中,請一併參閱圖14及5,步驟S4還可為將一絕緣剝離層26壓合於所述第二絕緣層21背離所述金屬遮罩層22的表面,在所述層疊基板20上開設至少一貫穿所述絕緣剝離層26、所述第二絕緣層21、所述金屬遮罩層22及所述第三絕緣層23的第二通孔201,以露出所述連接墊242。且步驟S5在形成第二導電結構25後還包括去除所述絕緣剝離層26,使得所述第二導電結構25從第二絕緣層21背離所述金屬遮罩層22的表面凸伸出。
請結合參閱圖1、圖5及圖15~圖19,本發明第二實施方式的薄型天線電路板100b的製作方法,其包括以下步驟:
第一步,請參閱圖1,提供二個上述單面基板10。
第二步,請參閱圖15,提供一層疊結構40,所述層疊結構40包括依次層疊設置的金屬層44、第三絕緣層43、金屬遮罩層42、第二絕緣層41及另一金屬層45。
本實施例中,所述層疊結構40的形成步驟相較於所述層疊基板20還包括在所述第二絕緣層41背離所述金屬遮罩層42的表面形成一金屬層45。
所述金屬層45可藉由金屬化的方式形成於所述第二絕緣層41,亦可直接將金屬箔熱壓合於所述第二絕緣層41上形成金屬層45。
第三步,請一併參閱圖16,對每一金屬層44(45)進行線路製作形成以線路層440(450),每一線路層440(450)包括至少一信號線441(451)及至少一連接墊442(452)。
第四步,請一併參閱圖17,在上述層疊結構40上開設至少一貫穿所述連接墊452、所述第二絕緣層41、所述金屬遮罩層42及所述第三絕緣層43的連接孔401,以連通所述層疊結構二線路層440及450上的連接墊442及452。
本實施例中,所述連接孔401僅貫穿所述連接墊452、所述第二絕緣層41、所述金屬遮罩層42及所述第三絕緣層43。
第五步,請一併參閱圖18,對應所述連接孔401形成電連接結構46,所述電連接結構46填滿所述連接孔401,從而形成中間結構400。所述電連接結構46電連接所述連接墊442及所述連接墊452。
本實施例中,所述電連接結構46由導電膏藉由塞孔印刷的方式形成。在其他實施例中,所述電連接結構46可以為其他材質(如金屬),亦可以藉由其他方式(如電鍍)形成。
第六步,請一併參閱圖19,將所述中間結構400設置於二所述單面基板10間並進行壓合,製得薄型天線電路板100b。所述中間結構400的二線路層440、450的連接墊442、452分別與二所述單面基板10的第一導電結構15背離對應所述單面基板10中的銅層13的一端電連接。
本實施例中,壓合時,二所述單面基板10間還可包括至少一所述中間體200。
具體的,所述中間體200為二個且位於所述中間結構400的同一側。所述薄型天線電路板100b中,沿層疊方向由上至下,與所述薄型天線電路板100a不同的係:所述第二個中間體200中的第二導電結構25背離所述第二個中間體200中的連接墊242的一端連接所述中間結構400中的連接墊442背離所述中間結構400中的金屬遮罩層42的一側;所述中間結構400中的連接墊452背離所述中間結構400中的金屬遮罩層42的一側連接另一所述單面基板10中的第一導電結構15背離對應的單面基板10中的銅層13的一端。
在另一實施例中,請參閱圖20,所述中間體200為二個且分別位於所述中間結構400的二側。所述薄型天線電路板100c中,與所述薄型天線電路板100a不同的係:所述第一個中間體200中的第二導電結構25背離所述第一個中間體200中的連接墊242的一端連接所述中間結構400中的連接墊442背離所述中間結構400中的金屬遮罩層42的一側;所述中間結構400中的連接墊452
背離所述中間結構400中的金屬遮罩層42的一側連接第二個中間體200中的第二導電結構25背離所述第二個中間體200中的連接墊242的一端;所述第二個中間體200中的連接墊242背離所述第一個中間體200中的金屬遮罩層22的一側連接另一所述單面基板10中的第一導電結構15背離對應的單面基板10中的銅層13的一端。
在其他實施例中,所述連接孔401還可穿過所述連接墊442的部分或者貫穿所述連接墊442,且所述電連接結構46嵌入所述連接墊442。
請參閱圖21,本發明提供一較佳實施方式的薄型天線電路板100d,其包括N+1層金屬遮罩層53、N層線路層54及N層介電層55,其中,N為大於或等於1的自然數。每相鄰二金屬遮罩層53間夾設一介電層55,且每一介電層55中埋設一線路層54。每一線路層54包括至少一信號線541及至少一連接墊543。每一線路層54的連接墊543與二側相鄰的金屬遮罩層53藉由一穿射於所述介電層55中的導電結構56電連接。內埋於所述電路板100d中的每一金屬遮罩層53包括一種子層531及一與所述種子層531層疊設置的金屬增厚層532。
所述種子層531藉由在粗化的表面塗佈一組合物的方式製得。所述組合物包括起始劑0.036%~1.36%,單體化合物10%~20%,溴化銅0.028%~0.28%,鷹爪豆堿0.09%~0.9%,銀粉80%~90%。
本實施例中,所述種子層531的厚度為0.1微米~1微米。
本發明的薄型天線電路板100a、100b、100c、100d的製作方法,其藉由在層疊基板20、層疊結構40上先形成金屬遮罩層22、42,而後將層疊基板20、層疊結構40上的金屬層24、44、45分別製作形成線路層240、440、450,並將線路層240、440、450與所述金屬遮罩層22、42電連接,減少了壓合流程,降低了壓合獨立設置的金屬遮罩層與所述線路層時整體產品的累加對位元公差。
以上所述,僅係本發明的較佳實施方式而已,並非對本發明任何形式上的限制,雖然本發明已係較佳實施方式揭露如上,並非用以限定本發明,任何熟悉本專業的技術人員,在不脫離本發明技術方案範圍內,當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施方式,但凡係未脫離本發明技術方案內容,依據本發明的技術實質對以上實施方式所做的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
100a:薄型天線電路板
10:單面基板
11:第一絕緣層
13:銅層
15:第一導電結構
23:第三絕緣層
22:金屬遮罩層
21:第二絕緣層
241,330:線路層
241,331:信號線
242,332:連接墊
25:第二導電結構
200:中間體
30:雙面基板
32:第四絕緣層
32:第一銅箔
35:第三導電結構
Claims (15)
- 一種薄型天線電路板的製作方法,其包括以下步驟:提供一單面基板,其包括一第一絕緣層及覆蓋於所述第一絕緣層一表面的銅層,且所述單面基板還包括一貫穿所述第一絕緣層並露出所述銅層的第一通孔,及一填滿所述第一通孔的第一導電結構;提供一層疊基板,所述層疊基板包括依次層疊設置的金屬層、第三絕緣層、金屬遮罩層及第二絕緣層;對所述金屬層進行線路製作形成線路層,所述線路層包括至少一信號線及至少一連接墊;在上述層疊基板上開設至少一貫穿所述第二絕緣層、所述金屬遮罩層及所述第三絕緣層的第二通孔,以露出所述連接墊;對應所述第二通孔形成第二導電結構,所述第二導電結構填滿所述第二通孔,從而形成中間體;提供一雙面基板,其包括依次層疊設置的線路層、第四絕緣層及第一銅箔,所述雙面基板的線路層包括至少一信號線及至少一連接墊,且所述雙面基板還包括電連接所述連接墊與所述第一銅箔的第三導電結構;及將一所述單面基板、至少一上述中間體及一所述雙面基板依次層疊設置並壓合,製得薄型天線電路板;所述第一導電結構直接電連接相鄰的中間體的連接墊,所述雙面基板中的連接墊直接電連接相鄰的中間體的第二導電結構,當所述中間體至少為二個時,相鄰二所述中間體中的一中間體的第二導電結構直接電連接相鄰的另一中間體的連接墊。
- 如請求項1所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,每一線路層包括至少一信號線及至少二連接墊,所述至少一信號線位於所述至少二連接墊之間。
- 如請求項1所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,所述單面基板的形成包括以下步驟:提供一單面覆銅板,所述單面覆銅板包括一第一絕緣層及覆蓋與所述第一絕緣層一表面的銅層;一絕緣剝離層壓合於所述第一絕緣層背離所述銅層的表面,並開設至少一貫穿所述絕緣剝離層及第一絕緣層的第一通孔,以露出所述銅層;及對應所述第一通孔形成第一導電結構,所述第一導電結構填滿所述第一通孔,而後去除所述絕緣剝離層,製得所述單面基板;所述第一導電結構一端連接所述銅層,另一端從所述第一絕緣層背離所述銅層的表面凸伸出。
- 如請求項1所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,所述層疊基板的形成包括以下步驟:提供一第二絕緣層,並對所述第二絕緣層一表面進行粗化;在粗化的第二絕緣層的表面形成種子層;在所述種子層背離所述第二絕緣層的表面形成金屬增厚層,所述金屬增厚層及所述種子層構成一金屬遮罩層;在所述金屬遮罩層背離所述第二絕緣層的表面形成一第三絕緣層;及在所述第三絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面形成一金屬層,從而製得所述層疊基板。
- 如請求項1所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,所述雙面基板的形成包括以下步驟:提供一雙面覆銅板,所述雙面覆銅板包括依次層疊設置的第一銅箔、第四絕緣層及第二銅箔;對所述第二銅箔進行線路製作形成線路層,所述雙面覆銅板中的線路層至少一信號線及至少一連接墊;及 開設至少一貫穿所述第四絕緣層以連通所述第一銅箔及所述連接墊的第三通孔,並對應所述第三通孔形成第三導電結構以電連接所述第一銅箔及所述連接墊。
- 如請求項1所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,形成所述第二通孔之前還包括步驟“將一絕緣剝離層壓合於所述第二絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面”,且所述第二通孔還貫穿壓合於所述第二絕緣層上的絕緣剝離層;在形成所述第二導電結構之後還包括步驟“去除壓合於所述第二絕緣層上的絕緣剝離層,使得所述第二導電結構從第二絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面凸伸出”。
- 一種薄型天線電路板的製作方法,其包括以下步驟:提供二個單面基板,每一單面基板包括一第一絕緣層及覆蓋於所述第一絕緣層一表面的銅層,且每一單面基板還包括一貫穿所述第一絕緣層並露出所述銅層的第一通孔,及一填滿所述第一通孔的第一導電結構;提供一層疊結構,所述層疊結構依次層疊設置的金屬層、第三絕緣層、金屬遮罩層、第二絕緣層及另一金屬層;對每一金屬層進行線路製作形成一線路層,每一線路層包括至少一信號線及至少一連接墊;在上述層疊結構上開設至少一貫穿一所述連接墊、所述第二絕緣層、所述金屬遮罩層及所述第三絕緣層的連接孔,以連通所述層疊結構二線路層上的連接墊;對應所述連接孔形成電連接結構,所述電連接結構填滿所述連接孔,從而形成中間結構;及將所述中間結構設置於二所述單面基板間並進行壓合,製得薄型天線電路板;所述中間結構的二線路層的連接墊分別與二所述單面基板的第一導電結構背離對應的單面基板中的銅層的一端直接電連接。
- 如請求項7所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,所述層疊結構的形成包括以下步驟:提供一第二絕緣層,並對所述第二絕緣層一表面進行粗化;在粗化的第二絕緣層的表面形成種子層;在所述種子層背離所述第二絕緣層的表面形成金屬增厚層,所述金屬增厚層及所述種子層構成一金屬遮罩層;在所述金屬遮罩層背離所述第二絕緣層的表面形成一第三絕緣層;在所述第三絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面及在所述第二絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面分別形成一金屬層,從而製得所述層疊結構。
- 如請求項8所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,在步驟“將所述中間結構設置於二所述單面基板間並進行壓合”前,還包括提供至少一中間體,所述中間體的製作步驟包括:提供一層疊基板,所述層疊基板包括依次層疊設置的金屬層、第三絕緣層、金屬遮罩層及第二絕緣層;對所述層疊基板中的金屬層進行線路製作形成線路層,所述層疊基板中的線路層包括至少一信號線及至少一連接墊;在上述層疊基板上開設至少一貫穿所述層疊基板中的第二絕緣層、金屬遮罩層及第三絕緣層的第二通孔,以露出所述層疊基板中的連接墊;及對應所述第二通孔形成第二導電結構,所述第二導電結構填滿所述第二通孔,從而形成中間體;在步驟“將所述中間結構設置於二所述單面基板間並進行壓合”時,將所述中間結構及至少一所述中間體層疊設置於二所述單面基板間並進行壓合,製得薄型天線電路板;每一連接墊連接一所述第一導電結構、一所述第二導電結構或一所述電連接結構。
- 如請求項9所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,形成所述層疊基板的方法與形成所述層疊結構的方法相同。
- 如請求項9所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,所述中間體夾設於所述中間結構與一所述單面基板間。
- 如請求項9所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,所述中間結構與二所述單面基板之間分別夾設至少一所述中間體。
- 如請求項9所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,每一線路層包括至少一信號線及至少二連接墊,所述至少一信號線位於所述至少二連接墊之間。
- 如請求項7所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,每一單面基板的形成包括以下步驟:提供一單面覆銅板,所述單面覆銅板包括一第一絕緣層及覆蓋與所述第一絕緣層一表面的銅層;一絕緣剝離層壓合於所述第一絕緣層背離所述銅層的表面,並開設至少一貫穿所述絕緣剝離層及第一絕緣層的導通孔,以露出所述銅層,其中,所述導通孔包括貫穿所述絕緣剝離層及所述第一絕緣層的第一通孔;對應所述導通孔形成第一導電結構,所述第一導電結構填滿所述導通孔,而後去除所述絕緣剝離層,製得所述單面基板;所述第一導電結構一端連接所述銅層,另一端從所述第一絕緣層背離所述銅層的表面凸伸出。
- 如請求項9所述的薄型天線電路板的製作方法,其中,形成所述第二通孔之前還包括步驟“將一絕緣剝離層壓合於所述第二絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面”,且所述第二通孔還貫穿壓合於所述第二絕緣層上的絕緣剝離層;在形成所述第二導電結構之後還包括步驟“去除壓合於所述第二絕緣層上的絕 緣剝離層,使得所述第二導電結構從第二絕緣層背離所述金屬遮罩層的表面凸伸出”。
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