TWI710054B - 氣體浮上工件支持裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種氣體浮上工件支持裝置,用以搬送被雷射光照射的工件。氣體浮上工件支持裝置包括:安裝底座;第一與第二氣體上方噴出部,配置在安裝底座上;第三氣體上方噴出部,配置在安裝底座上且位於第一與第二氣體上方噴出部之間;及第一與第二氣體下方噴出部,配置在第三氣體上方噴出部的垂直上方。第一與第二氣體下方噴出部配置為彼此相向,雷射光能夠通過第一與所述第二氣體下方噴出部之間,並對工件進行照射。雷射光的照射區域和第三氣體上方噴出部在從平面看是重疊的,工件在第一至第三氣體上方噴出部上,通過從第一至第三氣體上方噴出部噴出的上方氣體而浮上。工件在第三氣體上方噴出部上,通過從第一與所述第二氣體下方噴出部噴出的下方氣體受到向下的壓力。工件在第三氣體上方噴出部上,被上方氣體和下方氣體所支持。

Description

氣體浮上工件支持裝置
本發明是有關於一種藉由噴射氣體而使玻璃基板等板狀工件以非接觸方式浮上的氣體浮上工件支持裝置及非接觸工件支持方法。
關於藉由噴射氣體而使玻璃基板等板狀工件浮上的裝置,迄今為止已提出有若干方案。 例如,在專利文獻1中,已提出有如圖7(A)所示,在底座(base)上分別設置有產生正壓的多孔區塊(block)51及產生負壓的吸引區塊52的浮上吸引混合部50。在多孔區塊51上,供給空氣,使空氣自多孔體的上表面噴出而以非接觸狀態保持包含玻璃基板的板狀工件100。與此同時,利用吸引區塊52使吸引力起作用,使玻璃基板100吸引至浮上吸引混合部50的上表面側。藉由所述吸引力與所述浮上力的協調,玻璃基板100相對於浮上吸引混合部50的上表面而以大致固定的浮上量浮上,從而獲得穩定的浮上狀態。
又,在專利文獻2中,如圖8(A)所示,在浮上單元60的上方浮上的板狀工件100藉由未圖示的搬送裝置夾持而沿箭頭方向搬送。在所述浮上單元60中,空氣自多孔板61的整個面噴出,由於多孔板61的整個面成為空氣承載面,因此可使板狀工件100不產生翹曲而浮上,從而與多孔板61不接觸地進行搬送。又,在吸引孔62中產生吸引板狀工件100的力。所述吸引力是對藉由自多孔板61噴出的空氣而浮上的板狀工件100的浮上量進行限制的力。因此,藉由對所述吸引力進行控制,可對板狀工件100的浮上量進行控制。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-266351號公報 [專利文獻2]日本專利特開2008-110852號公報
[發明所欲解決之課題]
但是,在專利文獻1所揭示的裝置中,產生正壓的區域(area)與產生負壓的區域為不同的區塊,故而在正壓區域內單獨產生浮上力,在負壓區域內單獨產生吸引力。因此,當對正壓產生區塊上的基板的浮上量與負壓產生區塊上的基板的浮上量進行對比時,某種程度上會產生浮上量的差,實際上當如圖7(B)所示以整個玻璃基板觀察時平面度降低。由此,在所述裝置中,在對基板的整個面或基板的一部分進行加工的製程中,當需要基板的整個面或基板的一部分的平面度高時,存在無法滿足所述條件的問題。
又,在專利文獻2所揭示的裝置中,已設法使正壓產生區域(多孔板)上與負壓產生區域(吸引孔)上的浮上量就內部構造而言不產生差,但是實際上,當大型的玻璃基板跨越多個浮上單元上而浮上時,根據浮上單元的排列方式,如圖8(B)所示在玻璃基板的中央部難以去除空氣。由此,因自多孔板產生的正壓而產生空氣蓄積,從而產生基板中央部隆起,玻璃基板整體的平面度下降的現象。為了消除所述現象,可舉出在玻璃基板的中央部配置多個吸引孔的方法,但是由於玻璃被搬送,故而中央部並非固定,且最佳的吸引孔的布局(layout)因玻璃尺寸而改變成為問題。
本發明是為了解決如上所述的現有技術的課題而完成,目的在於提供一種可使玻璃基板等板狀工件整個面的浮上量變得均勻,從而提高板狀工件的平面度的氣體浮上工件支持裝置及非接觸工件支持方法。 [解決課題之手段]
即,本發明的一形態的氣體浮上工件支持裝置用以搬送被雷射光照射的工件。氣體浮上工件支持裝置包括:安裝底座;第一與第二氣體上方噴出部,配置在安裝底座上;第三氣體上方噴出部,配置在安裝底座上且位於第一與第二氣體上方噴出部之間;及第一與第二氣體下方噴出部,配置在第三氣體上方噴出部的垂直上方。第一與第二氣體下方噴出部配置為彼此相向,雷射光能夠通過第一與第二氣體下方噴出部之間,並對工件進行照射。雷射光的照射區域和第三氣體上方噴出部在從平面看是重疊的,工件在第一至第三氣體上方噴出部上,通過從第一至第三氣體上方噴出部噴出的上方氣體而浮上。工件在第三氣體上方噴出部上,通過從第一與第二氣體下方噴出部噴出的下方氣體受到向下的壓力。工件在第三氣體上方噴出部上,被上方氣體和下方氣體所支持。
根據所述本發明的一實施方式,其中在第一與第二氣體上方噴出部的垂直上方,沒有存在其他氣體下方噴出部。
根據所述本發明的一實施方式,第一與第二氣體下方噴出部以及第三氣體上方噴出部配置在從平面看是重疊的位置。
根據所述本發明的一實施方式,工件在第三氣體上方噴出部上可以比在第一與第二氣體上方噴出部更高精確度地控制浮上量。
根據所述本發明的一實施方式,第一至第三氣體上方噴出部具有噴出所述上方氣體的多孔體。第一與第二氣體下方噴出部具有噴出下方氣體的多孔體。
根據所述本發明的一實施方式,工件可為玻璃基板。
根據所述本發明的一實施方式,氣體浮上工件支持裝置更包括:位置調整部,能夠調整第一、第二氣體下方噴出部以及工件的距離。
根據所述本發明的一實施方式,氣體浮上工件支持裝置更包括:氣流調整部,能夠調整上方氣體以及下方氣體的流量。
根據所述本發明的一實施方式,氣體浮上工件支持裝置,更包括:檢測部,對工件的高度位置進行檢測,且基於檢測部的檢測結果,對上方氣體和下方氣體的流量進行控制。
根據所述本發明的一實施方式,氣體浮上工件支持裝置,更包括:第一台座與第二台座,配置在安裝底座;第三台座,安裝在安裝底座,並且位在第一台座與第二台座之間。第一至第三氣體上方噴出部分別配置在第一至第三台座上。 [發明的效果]
即,根據本發明,為了對工件(板狀工件)的任意面(整個面或一部分)自上下方向噴出氣體而使其浮上,對工件的任意面施加均等的力,而在工件的整個任意面上獲得同等的浮上量,此外藉由所述力來矯正工件的任意面的翹曲或彎曲,而可獲得使其平坦的效果。
(實施形態1) 以下,基於隨附圖式對本發明的一實施形態進行說明。 氣體浮上工件支持裝置1是將上部側的浮上單元2A與下部側的浮上單元2B上下隔開間隔而相對向地設置。
浮上單元2A在下表面上包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體下方噴出部3A、以及位於其上方的台座4A,台座4A安裝在位於其上方的單元安裝底座5A上。氣體下方噴出部3A的各孔相當於本發明的氣體下方噴出孔。 浮上單元2B在上表面上包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體上方噴出部3B以及位於其下方的台座4B,台座4B安裝在位於其下方的單元安裝底座5B上。氣體上方噴出部3B的各孔相當於本發明的氣體上方噴出孔。
藉由沿上下方向配置單元安裝底座5A、單元安裝底座5B,而構成為浮上單元2A、浮上單元2B各自的噴出部的表面相對向。由此,氣體下方噴出孔與氣體上方噴出孔在噴出方向上重合。
再者,單元安裝底座5A安裝在可沿Z軸平台移動的高度調整機構6上,可進行高度位置的調整。藉由高度調整機構6的調整來變更氣體下方噴出部3A的高度位置,即噴出位置。高度調整機構6相當於本發明的位置調整部。藉由所述操作,可調整浮上單元2A、浮上單元2B之間的間隙L。
在台座4A上,連接有與氣體下方噴出部3A連通的供氣管7A,供氣管7A經由流量控制閥8A而與未圖示的加壓氣體供給部連接。流量控制閥8A可對通過供氣管7A供給至氣體下方噴出部3A的氣體的流量及壓力進行調整。即,流量控制閥8A相當於本發明的氣流調整部。 又,在台座4B上,連接有與氣體上方噴出部3B連通的供氣管7B,供氣管7B經由流量控制閥8B而與未圖示的加壓氣體供給部連接。流量控制閥8B可對通過供氣管7B供給至氣體上方噴出部3B的氣體的流量及壓力進行調整。即,流量控制閥8B相當於本發明的氣流調整部。
再者,在自供氣管7A、供氣管7B接受氣體的供給的氣體下方噴出部3A、氣體上方噴出部3B中,已切斷流路,以便自整個面的氣體下方噴出孔、氣體上方噴出孔噴出加壓氣體。氣體下方噴出部3A、氣體上方噴出部3B需要自整個面均等地噴出加壓氣體,因此理想的是多孔體,但只要是具有同等性能的噴出部即無此限。
又,在氣體浮上工件支持裝置1中,包括對高度調整機構6、流量控制閥8A、流量控制閥8B進行控制的控制部9。控制部9包括中央處理單元(central processing unit,CPU)及使其運行的程式,非揮發性記憶體、隨機存取記憶體(random access memory,RAM)等記憶部。控制部9既可藉由初始設定來調整高度調整機構6、流量控制閥8A、流量控制閥8B,又,亦可在非接觸支持過程中進行動態地調整所述高度調整機構6、流量控制閥8A、流量控制閥8B的控制。此外,亦可基於未圖示的高度檢測部對進行非接觸支持的板狀工件100的檢測結果,進行調整高度調整機構6、流量控制閥8A、流量控制閥8B的控制。
在上下的浮上單元2A、浮上單元2B之間設置板狀工件100。在本實施形態中,板狀工件是設為玻璃基板來描述。再者,在本實施形態1中的板狀工件100的尺寸是處於浮上單元2A、浮上單元2B的氣體上方噴出部3B上表面的範圍內的尺寸。 此處,通過供氣管7A、供氣管7B對上下的浮上單元2A、浮上單元2B供給加壓氣體。在所述實施形態1中,加壓氣體可使用空氣、清潔乾燥空氣(clean dry air)、N2 等氣體。作為本發明,對氣體的種類並無特別限定。
供給至上下的浮上單元2A、浮上單元2B的加壓氣體分別可藉由流量控制閥8A、流量控制閥8B來控制壓力及流量。當對上下的浮上單元2A、浮上單元2B供給加壓氣體時,藉由流量控制閥8A、流量控制閥8B來調整壓力及流量,並自氣體下方噴出部3A、氣體上方噴出部3B噴出任意的壓力及流量的加壓氣體。自上方的浮上單元2A的氣體下方噴出部3A噴出的加壓氣體被噴附至板狀工件100的上表面。自下方的浮上單元2B的氣體上方噴出部3B噴出的加壓氣體被噴附至板狀工件100的下表面。噴附至所述板狀工件100的上表面及下表面的加壓氣體的噴附力達到平衡,從而板狀工件100以整個面均勻地浮上。
以下對加壓氣體的噴附力與浮上量的關係進行說明。 圖2是表示對圖1的浮上單元2A施加任意的施加壓力Pu[kPa]時,浮上單元2A與板狀工件100即玻璃基板之間的間隙Lu、和自浮上單元2A的氣體下方噴出部3A噴附的加壓氣體賦予至玻璃基板的上表面的每單位面積的力Fu[gf/cm2 ]的關係的圖。再者,曲線圖的傾斜度或截距、以及流量Qu[L/min]因多孔體的種類(孔徑或孔隙度)而發生變化。又,當將玻璃基板的每單位面積的載荷設為Fg時,最終與自浮上單元2B側向玻璃基板的下表面的噴附力達到平衡的力的大小成為Fu+Fg[gf/cm2 ]。以下,將重力方向上的力稱為Fu+Fg。
圖3是表示對圖1的浮上單元2B施加任意的施加壓力Pd[kPa]時,浮上單元2B與板狀工件100即玻璃基板之間的間隙Ld[μm]、和自浮上單元2B的氣體上方噴出部3B噴附的加壓氣體賦予至玻璃基板的下表面的每單位面積的力Fd[gf/cm2 ]的關係的圖。曲線圖的傾斜度或截距、以及流量Qd[L/min]因多孔體的種類(孔徑或孔隙度)而發生變化。以下,將反重力方向上的力稱為Fd。
當重力方向上的力Fu+Fg與Fd的力變得相等時,達到平衡而玻璃基板浮上。 當將浮上單元2A、浮上單元2B之間的間隙設為L,將氣體下方噴出部3A的下表面與玻璃基板的上表面的間隙設為Lu,將氣體上方噴出部3B的上表面與玻璃基板的下表面的間隙設為Ld,將玻璃基板的厚度設為Lg時,可由下式表示: |L|=|Lu|+|Lg|+|Ld|。
此處,重力方向上的力Fu+Fg施加至玻璃基板的上表面,反重力方向上的力Fd施加至玻璃基板的下表面。成為下述式: |Lu|≦|L|-|Lg|=|Lu|+|Ld| |Ld|≦|L|-|Lg|=|Lu|+|Ld|。
因此,可視為相反方向上的力施加至相同範圍內,因此當將反重力方向設為正方向時,在將圖2反轉並使圖3重合而成的圖4中,重力方向上的力(Fu+Fg)的曲線圖與反重力方向上的力Fd的曲線圖的交點的X軸的值成為浮上量,所述浮上量對於玻璃基板整個面而言相同,即浮上量成為固定。 此外,若觀察交點的Y軸上的值,則成為賦予至玻璃基板的上下表面的單位面積上的力,從而成為利用所述力自上下按壓著板狀工件的狀態。即,玻璃基板成為藉由空氣壓住整個上表面及整個下表面的狀態,其成為將玻璃基板矯正為平坦的基板矯正力。
又,當浮上量因暫時的干擾而發生變化時,例如,當浮上量變小時,Fu+Fg變小,Fd變大。因此,使得反重力方向上的力>重力方向上的力,從而將玻璃基板上推而使其返回至平衡點為止。當浮上量變大時,Fu+Fg變大,Fd變小。因此,使得重力方向上的力>反重力方向上的力,從而將玻璃基板下推而使其返回至平衡點為止。欲使其返回至所述平衡點的力即浮上剛性因平衡點上的重力方向上的力與反重力方向上的力於曲線圖中的交叉角度θ而發生變化。交叉角度θ越大,浮上剛性越強,交叉角度θ越小,浮上剛性越弱。
在本實施形態中,藉由變更施加至浮上單元的壓力間隙、以及浮上單元的種類,而使浮上單元與板狀工件的距離、氣體噴射的流量、壓力發生變化,從而可任意設定所述浮上量、基板矯正力、浮上剛性。 再者,在所述實施形態中,是在氣體下方噴出部3A及氣體上方噴出部3B上,分別連接有供氣管7A、供氣管7B,從而可分別對氣流量及壓力進行調整,然而亦可在氣體下方噴出部3A及氣體上方噴出部3B的各個上,分成多個區域而分別針對每個區域調整氣流量及壓力,且亦可設為針對每各自的噴射孔調整氣流量及壓力。又,亦可設為僅進行氣流量及壓力的調整中的任一者的構成。
(實施形態2) 在所述實施形態1中,是對準全部的氣體上方噴出部設置有氣體下方噴出部,但亦可對準一部分氣體上方噴出部設置有氣體下方噴出部。基於圖5對所述實施形態2進行說明。再者,此時,亦可對準一部分氣體下方噴出部設置有氣體上方噴出部。 在實施形態2中,設置有針對板狀工件100的加工區域W,且以避開加工區域W的方式,設置有氣體下方噴出部。 在所述實施形態2中,浮上單元2B側具有與實施形態1同樣的構成,從而標註相同符號並省略詳細的說明。 另一方面,在上方,以避開加工區域W的方式,且以與浮上單元2B相對向的方式設置有浮上單元2C及浮上單元2D。
浮上單元2C位於加工區域W的一側,在下表面包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體下方噴出部3C以及位於其上方的台座4C,台座4C安裝在位於其上方的單元安裝底座5C上。氣體下方噴出部3C的各孔相當於本發明的氣體下方噴出孔。 浮上單元2D位於加工區域W的另一側,在下表面包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體下方噴出部3D以及位於其上方的台座4D,且台座4D安裝在位於其上方的單元安裝底座5D上。氣體下方噴出部3D的各孔相當於本發明的氣體下方噴出孔。
再者,在圖中雖未表示,但單元安裝底座5C與單元安裝底座5D相連結,且安裝在可沿Z軸平台移動的高度調整機構6上,可進行高度位置的調整。藉由高度調整機構6的調整來變更氣體下方噴出部3C及氣體下方噴出部3D的高度位置,即噴出位置。藉由所述操作,可調整浮上單元2B與浮上單元2C、浮上單元2D之間的間隙L。 再者,此處是設為將單元安裝底座5C及單元安裝底座5D加以連結而安裝在高度調整機構6上的構成來進行說明,但亦可設為分別安裝在獨立的高度調整機構上而可相互獨立地進行高度調整的構成。
在台座4D上,連接有與氣體下方噴出部3D連通的供氣管7D,供氣管7D經由流量控制閥8D而與未圖示的加壓氣體供給部連接。流量控制閥8D可對通過供氣管7D供給至氣體下方噴出部3D的氣體的流量及壓力進行調整。即,流量控制閥8D相當於本發明的氣流調整部。 又,在台座4C上,連接有與氣體下方噴出部3C連通的供氣管7C。供氣管7C可藉由與供氣管7D連結而利用流量控制閥8D來調整氣體的流量或壓力。 再者,亦可設為使供氣管7C與供氣管7D不連結,而在供氣管7C上插設獨立於流量控制閥8D的流量控制閥(未圖示),從而可與供氣管7D側獨立地調整供氣管7C側的氣流量或壓力。
又,在氣體浮上工件支持裝置1A中,包括對高度調整機構6、流量控制閥8D進行控制的控制部9。控制部9包含CPU及使其運行的程式,非揮發性記憶體、RAM等記憶部。控制部9既可藉由初始設定來調整高度調整機構6、流量控制閥8D,又,亦可在非接觸支持過程中進行對所述高度調整機構6、流量控制閥8D進行調整的控制。 又,在所述實施形態2中,在加工區域W內以位於加工區域W的兩側的方式設置有對板狀工件的高度進行檢測的高度檢測部10、高度檢測部11。高度檢測部10、高度檢測部11是使用光感測器或雷射(laser)等來檢測板狀工件100的高度位置。亦可將高度檢測部10、高度檢測部11的檢測結果發送至控制部9,基於高度檢測部10、高度檢測部11對板狀工件100的檢測結果,進行對高度調整機構6、流量控制閥8D進行調整的控制。
在所述實施形態2中,可通過加工區域W,例如對玻璃基板進行雷射照射或曝光等的加工。此時,在區域B內,僅施加來自浮上單元2B的反重力方向上的力,而無法獲得針對板狀工件100的矯正力。但是,板狀工件100在區域A及區域C被矯正為平坦而浮上,此外由於板狀工件100中具有剛性,故而板狀工件100不會僅在區域B部分大幅度隆起,從而在區域B內亦可在不對加工造成不良影響的程度上確保均勻的浮上量。
(實施形態3) 在所述實施形態2中,是除加工區域之外,對準氣體上方噴出部設置有氣體下方噴出部,但亦可僅在加工區域的附近設置氣體下方噴出部。基於圖6(A)及圖6(B)對所述實施形態3進行說明。 在實施形態3中,在下方側沿板狀工件100的搬送方向配置有浮上單元20B、浮上單元20C、浮上單元20D。板狀工件100是藉由搬送裝置15沿圖示搬送方向以非接觸狀態加以搬送。
浮上單元20B在上表面包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體上方噴出部23B以及位於其下方的台座24B,浮上單元20C在上表面包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體上方噴出部23C以及位於其下方的台座24C,浮上單元20D在上表面包括包含開設有多個孔的多孔體的氣體上方噴出部23D以及位於其下方的台座24D。台座24B、台座24C、台座24D共同安裝在位於其下方的單元安裝底座5B上。氣體上方噴出部23B、氣體上方噴出部23C、氣體上方噴出部23D的各孔相當於本發明的氣體上方噴出孔。
另一方面,在上方側,在隔著加工區域W的位置上,對準浮上單元20C的區域而設置有浮上單元2E及浮上單元2F。 浮上單元2E位於加工區域W的一側,且在下表面包括包含經開口的多孔體的氣體下方噴出部3E以及位於其上方的台座4E,台座4E安裝在位於其上方的單元安裝底座5E上。氣體下方噴出部3E的各孔相當於本發明的氣體下方噴出孔。 浮上單元2F位於加工區域W的另一側,且在下表面包括包含經開口的多孔體的氣體下方噴出部3F以及位於其上方的台座4F,台座4F安裝在位於其上方的單元安裝底座5F上。氣體下方噴出部3F的各孔相當於本發明的氣體下方噴出孔。
再者,在圖中雖未表示,但單元安裝底座5E與單元安裝底座5F相連結,且安裝在可沿Z軸平台移動的高度調整機構6上,可進行高度位置的調整。藉由高度調整機構6的調整來變更氣體下方噴出部3E及氣體下方噴出部3F的高度位置,即噴出位置。藉由所述操作,可調整浮上單元20C與浮上單元2E、浮上單元2F之間的間隙L。 再者,此處是設為將單元安裝底座5E與單元安裝底座5F加以連結而安裝在高度調整機構6上的構成來進行說明,但亦可設為分別安裝在獨立的高度調整機構上而可獨自地進行高度調整的構成。 在台座4E、台座4F上,連接有與氣體下方噴出部3E、氣體下方噴出部3F連通的未圖示的供氣管。在供氣管中,與所述實施形態同樣地,可設置氣流調整部即流量控制閥,且亦可針對台座4E、台座4F分別設置供氣管及氣流調整部而使得可個別地調整氣流量及壓力。
又,在氣體浮上工件支持裝置1B中,亦可設為設置對高度調整機構6、流量控制閥進行控制的控制部而對運行進行控制。此時,亦可在加工區域W內設置對板狀工件的高度進行檢測的高度檢測部,將高度檢測部的檢測結果發送至控制部而進行所述控制。 在實施形態3中,可對板狀工件100僅將加工點附近的區域矯正為平坦,而實現高精度的浮上。 再者,在實施形態3中,包括如上所述沿圖示搬送方向搬送板狀工件100的搬送裝置15。搬送裝置15例如可握持板狀工件100的一部分賦予沿搬送方向的移動力,或藉由自搬送方向上的後方推出、自搬送方向上的前方拉扯等來進行。又,亦可設為藉由氣體的壓力來搬送板狀工件100的機構。作為本發明,對搬送裝置的構成並無特別限定,只要為可搬送經氣體浮上的被搬送物的構成即可。
板狀工件100是在浮上單元20B的上方沿圖6(A)及圖6(B)所示的搬送方向以非接觸方式加以搬送。 此時,在搬送方向上的上游側,板狀工件100僅藉由自浮上單元20B噴出的加壓氣體而浮上,因此未矯正為平坦,板狀工件100的浮上量的精度低。 然後,板狀工件100在浮上單元20B上被搬送至下游側,並沖入至浮上單元2E、浮上單元20C之間。此時,亦可對浮上單元2E的氣體下方噴出部3E的搬送方向上游側,以越靠近上游端,與板狀工件100的距離越大的方式預先進行錐形(taper)加工部T等的加工,以使板狀工件100容易沖入至浮上單元2E、浮上單元20C之間。由此,當板狀工件100沖入至浮上單元2E、浮上單元20C之間時,可減少來自上方的壓力的變動而減小板狀工件100的搖晃等。又,藉由在氣體下方噴出部3E的搬送方向上游側,預先使氣體的流量或壓力小於其下游側,可獲得同樣的作用。
板狀工件100在浮上單元2E、浮上單元20C之間的區域內,藉由實施形態1所示的浮上原理,而獲得高精度的浮上量。當搬送推進時,板狀工件100自浮上單元2E、浮上單元20C之間的區域起僅藉由浮上單元20D而受到浮上支持。在所述區域內亦不進行矯正,而實現低精度的支持。 根據本實施形態3,在加工點附近(以加工為目的之區域)可使板狀工件高精度地浮上,在除此以外的區域(僅以搬送為目的之區域),則可使板狀工件浮上至板狀工件可藉由自浮上單元20B、浮上單元20D噴出的加壓氣體而與浮上單元不接觸地加以搬送的程度,從而可簡化裝置構造而降低裝置成本。在所述實施形態3中,可不論板狀工件的尺寸,均以非接觸方式支持並且搬送板狀工件。
以上,已基於所述各實施形態對本發明進行說明,但只要在不脫離本發明的範圍內即可進行適當的變更。
1、1A、1B‧‧‧氣體浮上工件支持裝置 2A~2F、20B~20D、60‧‧‧浮上單元 3A、3C、3D‧‧‧氣體下方噴出部 3E、3F‧‧‧氣體下方噴出部(第一、第二) 3B‧‧‧氣體上方噴出部 23B~23D‧‧‧氣體上方噴出部(第一、第三、第二) 4A~4F‧‧‧台座 24B~24D‧‧‧台座(第一、第三、第二) 5A~5F‧‧‧單元安裝底座(安裝底座) 6‧‧‧高度調整機構 7A~7D‧‧‧供氣管 8A、8B、8D‧‧‧流量控制閥 9‧‧‧控制部 10、11‧‧‧高度檢測部 15‧‧‧搬送裝置 50‧‧‧浮上吸引混合部 51‧‧‧多孔區塊 52‧‧‧吸引區塊 61‧‧‧多孔板 62‧‧‧吸引孔 100‧‧‧板狀工件(工件、玻璃基板) A~C‧‧‧區域 L‧‧‧間隙 Ld、Lu‧‧‧浮上單元與板狀工件即玻璃基板之間的間隙 Lg‧‧‧玻璃基板的厚度 T‧‧‧錐形加工部 W‧‧‧加工區域
圖1是表示本發明的一實施形態的氣體浮上工件支持裝置的圖。 圖2是表示本發明的一實施形態的氣體上方噴出部與板狀工件下表面的距離、和氣體上方噴出部的氣體噴射所產生的每單位體積的力及每單位面積的板狀工件的載荷的關係的曲線圖。 圖3是表示本發明的一實施形態的氣體下方噴出部與板狀工件上表面的距離、和氣體下方噴出部的氣體噴射所產生的每單位體積的力的關係的曲線圖。 圖4是表示本發明的一實施形態的氣體上方噴出部與板狀工件下表面的距離、和氣體上方噴出部的氣體噴射所產生的每單位面積的力及氣體下方噴出部的氣體噴射所產生的每單位面積的力的關係的曲線圖。 圖5是表示本發明的實施形態2的氣體浮上工件支持裝置的圖。 圖6(A)及圖6(B)是表示本發明的實施形態3的氣體浮上工件支持裝置的圖(圖A)及浮上單元2E的局部放大圖(圖B)。 圖7(A)及圖7(B)是表示專利文獻1中的浮上裝置的(A)圖及表示所述浮上裝置的課題的(B)圖。 圖8(A)及圖8(B)是表示專利文獻2中的浮上裝置的(A)圖及表示所述浮上裝置的課題的(B)圖。
1B‧‧‧氣體浮上工件支持裝置
2E~2F、20B~20D‧‧‧浮上單元
3E、3F‧‧‧氣體下方噴出部
23B~23D‧‧‧氣體上方噴出部
4E~4F、24B~24D‧‧‧台座
5B、5E~5F‧‧‧單元安裝底座
6‧‧‧高度調整機構
15‧‧‧搬送裝置
100‧‧‧工件(玻璃基板)
W‧‧‧加工區域

Claims (10)

  1. 一種氣體浮上工件支持裝置,用以搬送被雷射光照射的工件,其特徵在於包括:安裝底座;第一氣體上方噴出部與第二氣體上方噴出部,配置在所述安裝底座上;第三氣體上方噴出部,配置在所述安裝底座上並且位於所述第一氣體上方噴出部與所述第二氣體上方噴出部之間;以及第一氣體下方噴出部與第二氣體下方噴出部,配置在所述第三氣體上方噴出部的垂直上方,其中所述第一氣體下方噴出部與所述第二氣體下方噴出部並列配置,所述雷射光能夠通過所述第一氣體下方噴出部與所述第二氣體下方噴出部之間,並對所述工件進行照射,所述雷射光的照射區域和所述第三氣體上方噴出部在從平面看是重疊的,所述工件在所述第一至所述第三氣體上方噴出部上,通過從所述第一至所述第三氣體上方噴出部噴出的上方氣體而浮上,所述工件在所述第三氣體上方噴出部上,通過從所述第一與所述第二氣體下方噴出部噴出的下方氣體受到向下的壓力,所述工件在所述第三氣體上方噴出部上,被所述上方氣體和所述下方氣體所支持。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氣體浮上工件支持裝置, 其中在所述第一與所述第二氣體上方噴出部的垂直上方,沒有存在其他氣體下方噴出部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,其中所述第一與所述第二氣體下方噴出部以及所述第三氣體上方噴出部配置在從平面看是重疊的位置。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,其中所述工件在所述第三氣體上方噴出部上可以比在所述第一與所述第二氣體上方噴出部更高精確度地控制浮上量。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,其中所述第一至所述第三氣體上方噴出部具有噴出所述上方氣體的多孔體,所述第一與所述第二氣體下方噴出部具有噴出所述下方氣體的多孔體。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,其中所述工件為玻璃基板。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,更包括:位置調整部,能夠調整所述第一、所述第二氣體下方噴出部以及所述工件的距離。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,更包括:氣流調整部,能夠調整所述上方氣體以及所述下方氣體的流量。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件 支持裝置,更包括:檢測部,對所述工件的高度位置進行檢測,且基於所述檢測部的檢測結果,對所述上方氣體和所述下方氣體的流量進行控制。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的氣體浮上工件支持裝置,更包括:第一台座與第二台座,配置在所述安裝底座;以及第三台座,安裝在所述安裝底座,並且位在所述第一台座與所述第二台座之間,其中所述第一至所述第三氣體上方噴出部分別配置在所述第一至所述第三台座上。
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