TWI708054B - 透光性膜之缺陷檢查方法、直線偏光單元膜之製造方法，及偏光板之製造方法 - Google Patents

透光性膜之缺陷檢查方法、直線偏光單元膜之製造方法，及偏光板之製造方法 Download PDF

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Abstract

一實施態樣之透光性膜之缺陷檢查方法係對具有透光性的被檢查膜S，一邊照射作為照明光的直線偏光的光，一邊隔著直線偏光板12B，藉由以攝影裝置拍攝被檢查膜，檢查屬於被檢查膜之透光性膜的缺陷之方法，該直線偏光板12B係以吸收軸A12B相對於與直線偏光的光之振動面垂直的方向為交叉的狀態，配置於被檢查膜與攝影裝置13之間；其中，直線偏光的光照射於被檢查膜時，透射被檢查膜及直線偏光板而入射攝影裝置的入射光的最大強度波長、與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下。

Description

透光性膜之缺陷檢查方法、直線偏光單元膜之製造方法，及偏光板之製造方法
本發明係關於透光性膜之缺陷檢查方法、直線偏光單元膜之製造方法及偏光板之製造方法。
作為直線偏光單元膜及相位差膜等為例的透光性膜的缺陷檢查方法，已知有專利文獻1記載的技術。於專利文獻1中，係於吸收軸(或穿透軸)實質上互相交叉90°的狀態配置之第1及第2偏光板之間，配置有光學膜(透光性膜)。於是，通過第1偏光板，照明光一邊照射光學膜，一邊隔著第2偏光板用攝影裝置拍攝光學膜。於該情況，因透射第1偏光板之照明光照射光學膜，直線偏光的光照射光學膜。另一方面，因第2偏光板對第1偏光板配置為第1偏光板的吸收軸對第2偏光板的吸收軸而言實質上交叉90°的狀態，透射第1偏光板後的直線偏光的光中，透射光學膜沒有發生缺陷的正常部分的光，被第2偏 光板吸收。相反地，於光學膜發生缺陷的缺陷部分，因直線偏光的光的偏光狀態被干擾，透射缺陷部分後的直線偏光的光之一部分透射第2偏光板。所以，用攝影裝置拍攝的圖像，缺陷部分與正常部分的亮度產生差異。藉此，理論上可檢查缺陷。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：特開2008-298557號公報
但是，於專利文獻1揭露之傳統的缺陷檢查方法，有無法確實檢測缺陷的情況。
所以，本發明係以提供可更確實地檢測缺陷的透光性膜之缺陷檢查方法、利用該檢查方法之偏光單元膜之製造方法及偏光板之製造方法為目的。
關於本發明的一面向的透光性膜之缺陷檢查方法(以下有時亦稱為「第1缺陷檢查方法」)，對具有透光性的被檢查膜，一邊照射作為照明光的直線偏光的光，一邊隔著的直線偏光板，藉由攝影裝置拍攝被檢查膜，檢查屬於被檢查膜之透光性膜的缺陷之方法，該直線偏光板係以吸收軸相對於與直線偏光的光之振動面垂直的方向交叉的狀態，配置於被檢查膜與攝影裝置之間；其中，直 線偏光的光照射於被檢查膜時，透射被檢查膜及直線偏光板而入射於攝影裝置的入射光的最大強度波長、與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下。
於上述第1缺陷檢查方法，直線偏光板配置為：相對於與直線偏光的光之振動面垂直的方向，吸收軸為交叉的狀態。因此，將作為照明光的直線偏光的光照射透光性膜之被檢查膜時，透射被檢查膜沒有發生缺陷的部分(以下亦稱為「正常部分」)的光係難以透射直線偏光板。另一方面，被檢查膜發生缺陷的部分(以下亦稱為「缺陷部分」)，因直線偏光板的偏光狀態被干擾，透射被檢查膜之缺陷部分的光，比透射正常部分的光多，且透射直線偏光板。於是，由於透射被檢查膜及直線偏光板而入射攝影裝置的入射光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下，隔著直線偏光板，藉由以攝影裝置拍攝被檢查膜時，可靈敏度良好地檢查上述入射光。藉此，可用攝影裝置拍攝的圖像，容易地區分正常部分與缺陷部分，結果於被檢查膜產生有缺陷的情況，可更確實地檢查該缺陷。
上述直線偏光板可配置為直線偏光板的吸收軸相對於與直線偏光的光之振動面垂直的方向係交叉85°至90°或90°至95°，較理想為交叉89°至90°或90°至91°的角度之狀態。於該情況，透射正常部分的光更難以透射直線偏光板，正常部分與缺陷部分更容易區分。
關於本發明的另一面向的透光性膜之缺陷 檢查方法(以下亦有稱為「第2缺陷檢查方法」的情況)，其係對具有吸收軸且具有讓在垂直於吸收軸的方向之方向振動的直線偏光的光透過之透光性的被檢查膜，將直線偏光板以被檢查膜的吸收軸與直線偏光板的吸收軸交叉的狀態來配置，並一邊以照明光照射被檢查膜，一邊用攝影裝置拍攝被檢查膜，藉此檢查屬於被檢查膜的透光性膜的缺陷之方法；其中，照明光照射被檢查膜時，透射被檢查膜及直線偏光板而入射攝影裝置的入射光的最大強度波長與前述攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下。
於上述構成，入射被檢查膜的沒有發生缺陷的正常部分的照明光係難以入射至攝影裝置。另一方面，於被檢查膜的發生缺陷的缺陷部分，因被檢查膜的直線偏光特性被干擾，入射被檢查膜的缺陷部分之照明光，係入射比入射正常部分的照明光更多的光至攝影裝置。因此，由於透射被檢查膜及直線偏光板而入射攝影裝置的入射光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下，用攝影裝置拍攝被檢查膜時，可靈敏度良好地檢查上述入射光。藉此，用攝影裝置拍攝的圖像，容易區分正常部分與缺陷部分，結果於被檢查膜產生有缺陷的情況，可更確實地檢查該缺陷。
上述直線偏光板可配置為下述狀態：直線偏光板的吸收軸以相對於被檢查膜的吸收軸為85°至90°或90°至95°交叉，較理想為以89°至90°或90°至91°的角度交叉。
上述入射光亦可為綠色光。
由於入射光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下，於入射光為綠色光的情況，攝影裝置也對綠色光具有高靈敏度。於是，藉由上述入射光為綠色光，對綠色光具有靈敏度之攝影裝置拍攝物體時，於圖像有對比變高的傾向。所以，於入射光為綠色光的上述態樣，可更容易地清楚辨識缺陷。再者，入射光亦可為紅色光、黃色光或藍色光。
於入射光為綠色光的態樣，照明光亦可為綠色光。或者照明光為白色光，使通過光學濾光片的光，作為入射光，入射至攝影裝置，該光學濾光片係配置於被檢查膜與攝影裝置之間，並選擇性地讓綠色光通過者。
關於本發明的另一面向的直線偏光單元膜之製造方法，係使用具有透光性的原料膜製造直線偏光單元膜的方法，並具備：偏光特性賦予步驟，賦予原料膜直線偏光特性；以及至少一個之缺陷檢查步驟，將偏光特性賦予步驟前的原料膜、偏光特性賦予步驟中的原料膜以及偏光特性賦予步驟後的原料膜中至少之一者，作為被檢查膜進行缺陷檢查；其中，於缺陷檢查步驟中，以偏光特性賦予步驟前的原料膜、及偏光特性賦予步驟中的原料膜中的至少一者作為被檢查膜進行缺陷檢查時，係藉由上述第1缺陷檢查方法，進行缺陷檢查；於缺陷檢查步驟中，以偏光特性賦予步驟後的原料膜作為被檢查膜進行缺陷檢查時，係藉由上述第2缺陷檢查方法，進行缺陷檢查。
上述直線偏光單元膜之製造方法，於偏光特性賦予步驟，藉由對原料膜賦予直線偏光特性，可使之成為直線偏光單元膜。然後，以偏光特性賦予步驟前的原料膜、偏光特性賦予步驟中的原料膜以及偏光特性賦予步驟後的原料膜中至少之一者，作為被檢查膜，進行缺陷檢查。於該缺陷檢查步驟中，將偏光特性賦予步驟前的原料膜及偏光特性賦予步驟中的原料膜中的至少一者作為被檢查膜，進行缺陷檢查時，係藉由上述第1缺陷檢查方法，進行缺陷檢查，於缺陷檢查步驟中，將偏光特性賦予步驟後的原料膜作為被檢查膜，進行缺陷檢查時，係藉由上述第2缺陷檢查方法，進行缺陷檢查。因此，可靈敏度良好地檢測被檢查膜的缺陷。結果，例如記錄缺陷部分的位置時，使用所製造的直線偏光單元膜，例如於直線偏光單元膜，貼合保護直線偏光單元膜用的偏光單元保護膜等，製造偏光板時，可容易地製造不包含缺陷部分的偏光板。
上述偏光特性賦予步驟可具備將原料膜單軸延伸的延伸步驟以及藉由二色性色素將延伸步驟被單軸延伸的原料膜染色的染色處理步驟。於該情況，上述缺陷檢查步驟可於延伸步驟與染色處理步驟之間，將染色處理步驟中的原料膜或染色處理步驟被染色的原料膜，作為前述被檢查膜實施。
於延伸步驟前的原料膜的一部分，例如具有點狀缺陷的情況，可能有在延伸步驟該缺陷也被延伸的變成條狀的缺陷(條狀的缺陷)的情況。於延伸步驟後實施 缺陷檢查步驟的態樣，可檢測延伸步驟發生的上述條狀缺陷。於缺陷檢查步驟，用關於本發明的一面向的透光性膜之缺陷檢查方法，檢查作為被檢查膜的原料膜時，可更確實地檢測上述條狀缺陷。
於一實施態樣之直線偏光單元膜之製造方法，可再具備於被賦予直線偏光特性的原料膜的至少單面貼合保護膜的保護膜貼合步驟。於該情況，缺陷檢查步驟，可用經過保護膜貼合步驟的原料膜作為被檢查膜實施。
於該情況，也可檢測保護膜本身的缺陷。
關於本發明的又另一的面向之偏光板之製造方法，具備：使用關於本發明的另一面向的直線偏光單元膜之製造方法製造直線偏光單元膜之偏光單元膜製造步驟；於偏光單元膜製造步驟所製造的直線偏光單元膜的至少單面貼合保護膜，得到積層偏光單元膜的保護膜貼合步驟；以及從積層直線偏光單元膜切出作為製品的偏光板的切出步驟。
於該方法，因利用本發明的另一面向的直線偏光單元膜之製造方法製造直線偏光單元膜，故直線偏光單元膜係會用缺陷檢查步驟進行缺陷檢查。所以，將對進行了缺陷檢查的直線偏光單元膜貼合有保護膜之積層偏光單元膜，切出作為製品的偏光板時，例如可切出除了缺陷部分以外之偏光板。或者，切出偏光板後，可將具有缺陷部分的偏光板分類。結果，容易有效率地得到作為良品的偏光板。
於一實施態樣，在切出步驟前，可將積層偏光單元膜作為被檢查膜，藉由上述第2缺陷檢查方法，進行缺陷檢查。
於該情況，也可能檢查在保護膜貼合步驟發生的缺陷或保護膜本身的缺陷，根據該結果，可能製造偏光板。
根據本發明，可提供可更確實地檢測缺陷的透光性膜之缺陷檢查方法、利用該檢查方法之偏光單元膜之製造方法及偏光板之製造方法。
1‧‧‧原料膜(透光性膜)
2‧‧‧第1原料膜捲
3‧‧‧第2原料膜捲
4‧‧‧直線偏光單元膜(透光性膜)
5‧‧‧保護膜
6‧‧‧保護膜捲
7‧‧‧積層偏光單元膜
101‧‧‧第1檢查裝置
102‧‧‧第2檢查裝置
103‧‧‧第3檢查裝置
11‧‧‧光源
12A、12B‧‧‧直線偏光板
13‧‧‧攝影裝置
14‧‧‧圖像處理裝置
15‧‧‧綠色濾光片(光學濾光片)
20‧‧‧延伸裝置
21‧‧‧熱滾輪
22A、22B‧‧‧傳送滾輪
30‧‧‧膨脹槽
31‧‧‧染色槽
32‧‧‧硼酸槽
33‧‧‧水洗槽
34‧‧‧乾燥裝置
40‧‧‧乾燥裝置
50‧‧‧偏光板
51‧‧‧保護膜
52‧‧‧黏著層
53‧‧‧分隔膜
54‧‧‧附黏著層的分隔膜
A12A、A12B、AS‧‧‧吸收軸
θ 1‧‧‧第1指定角度
θ 2‧‧‧第2指定角度
S‧‧‧被檢查膜
第1圖係用以說明關於第1實施態樣的透光性膜之缺陷檢查方法之示意圖。
第2圖係第1圖所示的透光性膜之缺陷檢查方法所使用的照明光的分光光譜之一例的圖示。
第3圖係第1圖所示的透光性膜之缺陷檢查方法所使用的攝影裝置的檢測靈敏度特性之一例的圖示。
第4圖係表示照明光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下的情況之缺陷檢測結果的圖示。
第5圖係表示照明光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差超過50nm的情況之缺陷檢測結果的圖示。
第6圖係用以說明關於第2實施態樣的透光性膜之缺陷檢查方法之示意圖。
第7圖係表示關於第3實施態樣的直線偏光單元膜之製造方法的一例之流程圖。
第8圖係用以說明第7圖所示的直線偏光單元膜之製造方法之延伸步驟與缺陷檢查步驟的圖示。
第9圖係用以說明第7圖所示的直線偏光單元膜之製造方法，從膨脹處理步驟至乾燥步驟的圖示。
第10圖係用以說明於第7圖所示的直線偏光單元膜之製造方法，染色處理步驟後實施缺陷檢查步驟的情況之變形例之圖示。
第11圖係用以說明於第7圖所示的直線偏光單元膜之製造方法中，再實施保護膜貼合步驟的情況之變形例之流程圖。
第12圖係用以說明在第11圖所示的流程圖所示的變形例之保護膜貼合步驟的圖示。
第13圖係表示第4實施態樣的偏光板之製造方法所製造的偏光板的構成之示意圖。
第14圖係表示第4實施態樣的偏光板之製造方法的一例之流程圖。
第15圖係用以說明透光性膜之缺陷檢查方法的其他例的示意圖。
第16圖係表示利用第15圖所示的透光性膜之缺陷檢查方法，對攝影裝置的入射光的最大強度波長與攝影裝置 的最大靈敏度波長的差為20nm以下的情況之缺陷檢測結果的圖示。
第17圖係表示從實驗所使用的藍色LED輸出的藍色光的分光光譜的圖示。
第18圖係表示從實驗所使用的紅色LED輸出的紅色光的分光光譜的圖示。
第19圖係表示照明光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下的情況之缺陷檢測結果的圖示。
第20圖係表示照明光的最大強度波長與攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下的情況之缺陷檢測結果的圖示。
以下，一邊參考圖示，一邊說明關於本發明的實施態樣。相同的元件賦予相同的符號。省略重複的說明。圖示的尺寸比例，不一定與說明的物件一致。說明中，表示「上」、「下」等的方向之用語，係根據圖示所示的狀態方便的用語。
(1)第1實施態樣
於第1實施態樣，使用第1圖的(a)示意表示的第1檢查裝置101，說明檢查透光性膜之被檢查膜S的缺陷之方法(第1缺陷檢查方法)。
於第1實施態樣，被檢查膜S，係用以製造具有使指定的直線偏光的光通過之直線偏光特性的直線偏 光單元膜的原料膜。原料膜的例，包括聚乙烯醇(以下有時亦亦稱為「PVA」)系樹脂膜、聚乙酸乙烯酯樹脂膜、乙烯/乙酸乙烯酯(以下亦有稱為「EVA」的情況)樹脂膜、聚醯胺樹脂膜及聚酯樹脂膜。通常從二色性染料的吸附性及配向性的觀點，使用PVA系樹脂膜，特別是乙烯醇單獨為重複單元之PVA膜。作為被檢查膜S的原料膜的厚度，通常為1μm以上50μm以下。
直線偏光單元膜，係經過對原料膜賦予直線偏光特性的偏光特性賦予處理所製造。偏光特性賦予處理，係包括單軸延伸原料膜及用二色性色素染色。利用第1檢查裝置101檢查之原料膜，可為實施偏光特性賦予處理前者，亦可為實施偏光特性賦予處理中者。
檢查的缺陷之例，包括條狀缺陷、凹陷及微小的異物。「條狀缺陷」，係只在一方向(例如1μm程度)隆起的缺陷。「凹陷」係直徑500μm至700μm及深度0.2μm至0.5μm程度的凹部，凹陷的例，包括直徑500μm且深度0.5μm程度的小且深的凹部以及直徑700μm且深度0.2μm程度的較大且淺的凹部。「微小的異物」的例，包括直徑500μm程度的異物。
如第1圖(a)所示，第1檢查裝置101，具備一對直線偏光板12A、12B、光源11、攝影裝置13及圖像處理裝置14。為了方便說明，設定XYZ座標系統。Z軸方向為直線偏光板12A、12B的厚度方向，Y軸方向為第1圖(a)的左右方向。
一對直線偏光板12A、12B係互相平行配置。所謂直線偏光板12A及直線偏光板12B，係如第1圖(b)示意表示，配置為直線偏光板12A的吸收軸A12A與直線偏光板12B的吸收軸A12B互相交叉為第1指定角度θ 1。所謂吸收軸A12A與吸收軸A12B的交叉，係指從被檢查膜S的厚度方向(Z軸方向)觀察時該等為交叉，第1圖(b)係表示被檢查膜S的厚度方向(Z軸方向)觀察的情況之吸收軸A12A與吸收軸A12B的交叉狀態。第1指定角度θ 1，係於被檢查膜S用攝影裝置13拍攝所得之圖像中，選擇容易檢測缺陷的角度。於一實施態樣，第1指定角度θ 1為85°至90°，較理想為89°至90°，更理想為89.4°以上。或者，於一實施態樣，第1指定角度θ 1為90°至95°，較理想為90°至91°，更理想為90.6°以下。
被檢查膜S的檢查時，於一對直線偏光板12A、12B之間，被檢查膜S配置為平行直線偏光板12A、12B。直線偏光板12A、12B的X軸方向的長度，例如可與被檢查膜S的X軸方向的長度相同。直線偏光板12A、12B的Y軸方向的長度，通常在攝影裝置13的拍攝區域的Y軸方向的長度以下，通常比被檢查膜S的Y軸方向的長度短。
光源11，係配置於從直線偏光板12A看時與直線偏光板12B的相反側(於第1圖(a)直線偏光板12A的下方)，輸出被檢查膜S照射用的照明光。從光源11輸出的照明光為無偏光的光。光源11的例為作為照明光輸出 綠色光的綠色LED(綠色發光二極體)。照明光為綠色光的情況之照明光的波長範圍的例為440nm至590nm。於照明光為綠色光的態樣，作為一例，從光源11輸出的光，用照度計直接檢測(不隔著聚光光學系統)的情況，照明光可為每受光面積
Figure 105117538-A0202-12-0013-21
(直徑)1mm為1850勒克斯(Lux)以上的光。
攝影裝置13係隔著直線偏光板12B拍攝被檢查膜S。攝影裝置13通常為黑白照相機。攝影裝置13的例，光檢測器配置為線狀之線檢測照相機以及光檢測器配置為二維狀的區域檢測照相機。攝影裝置13係將拍攝的結果輸出至圖像處理裝置14。
圖像處理裝置14，具有電腦，處理顯示攝影裝置13的拍攝結果之訊號，形成攝影圖像。此時，於被檢查膜S，區分缺陷發生的缺陷部分以及其以外的正常部分，形成攝影圖像。為了在圖像上區分缺陷部分及正常部分，例如在該等之間賦予濃淡差異。圖像處理裝置14，亦可具備根據形成的攝影圖像，抽出缺陷部分的圖像處理功能。缺陷部分的抽出，例如包括將缺陷部分著色。圖像處理裝置14，可具有顯示所形成的圖像之顯示器。或者，不同於圖像處理裝置14，第1檢查裝置101可具有顯示圖像處理裝置14所形成的圖像之顯示器。通常，攝影裝置13的攝影圖像為黑白(單色)圖像。
於第1檢查裝置101，光源11及攝影裝置13係滿足對應從光源11輸出的照明光的最大強度的波長之最大強度波長λ ms與對應攝影裝置13的最大靈敏度的 波長之最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下的關係之光源11及攝影裝置13。最大強度波長λ ms，亦可為對應照明光的分光光譜之光強度的極大值之波長。攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md，具體地為攝影裝置13所具有的光檢測器的最大靈敏度波長λ md。上述最大強度波長λ ms與最大靈敏度波長λ md為20nm以下較理想。
從光源11輸出的照明光的例為光強度極大且最大之最大強度波長λ ms為波長515.5nm至516.5nm之綠色光，綠色光的光譜之半高全寬通常為50nm以下，較理想為40nm以下，通常為10nm以上的光。照明光的例，於可見光區域，從最大強度波長λ ms降低至通常75nm以上，較理想為60nm以上之波長範圍，以及從λ ms提高至通常75nm以上，較理想為60nm以上之波長範圍之光強度，為最大強度的通常25%以下，較理想為10%以下的光。攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md，更具體地為攝影裝置13所具有的光檢測器的最大靈敏度波長λ md的例為500nm。
然後，說明利用第1檢查裝置101檢查被檢查膜S的缺陷之方法。於檢查被檢查膜S的缺陷之情況，被檢查膜S配置於一對直線偏光板12A、12B之間。然後，從光源11輸出照明光，同時利用攝影裝置13，隔著直線偏光板12A拍攝被檢查膜S。
從光源11的照明光，通過直線偏光板12A，以直線偏光的光照射被檢查膜S。因此，於被檢查膜S， 透射直線偏光板12A的直線偏光的光作為照明光照射。於是，透射被檢查膜S的光係入射直線偏光板12B。直線偏光板12B係相對於直線偏光板12A配置為吸收軸A12A、A12B交叉為第1指定角度θ 1的狀態。亦即，直線偏光板12B配置為吸收軸A12B相對於照射被檢查膜S的照明光之直線偏光的光的振動面係交叉第1指定角度θ 1。所以，於被檢查膜S沒有發生的缺陷之正常部分，透射被檢查膜S的光，難以透射直線偏光板12B。另一方面，被檢查膜S有缺陷時，透射缺陷部分的直線偏光的光被干擾。藉此，透射缺陷部分的光容易透射直線偏光板12B。所以，相對透射正常部分的光，較多透射缺陷部分的光入射攝影裝置13。
因此，於被檢查膜S有缺陷的情況，因於正常部分與缺陷部分產生亮度差，可檢測缺陷。例如指定的界限值以上的亮度訊號設定為對應缺陷部分，可判斷正常部分與缺陷部分。所以，圖像處理裝置14，例如形成藉由正常部分與缺陷部分對應亮度的濃淡表示之攝影圖像，可確認缺陷部分。
於第1實施態樣，照射被檢查膜S的照明光所具有的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下。
如此的照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md接近，於利用第1檢查裝置101之缺陷檢查方法，可高靈敏度地檢測缺陷。
照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md超過50nm時，缺陷中，無法檢查例如只延伸於一方向之隆起的缺陷之條狀缺陷。相對於此，只要是照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下，即可檢查條狀缺陷。
再者，以綠色光作為照明光拍攝時，容易得到高對比的圖像(特別是濃淡圖像)。於是，於使用綠色光為照明光的情況，攝影裝置13也對綠色光具有高靈敏度。因此，藉由從光源11輸出的光為綠色光，因可更清楚地區分正常部分與缺陷部分，結果可確實地檢測缺陷，特別是傳統無法檢測的條狀缺陷。
直線偏光板12A、12B，有容易吸收綠色光的傾向。所以，於光源11輸出綠色光的態樣，光源11輸出的照明光的照度高時，例如照度為每受光面積
Figure 105117538-A0202-12-0016-22
1mm為1850勒克斯(Lux)以上時，容易檢測缺陷。
第1指定角度θ 1為85°至90°，較理想為89°至90°，更理想為89.4°以上的態樣，或者為90°至95°，較理想為90°至91°，更理想為90.6°以下的態樣，吸收軸A12A與吸收軸A12B實質上交叉90°。因此，於攝影裝置13，透射缺陷部分的光入射，另一方面透射正常部分實質上不入射。所以，更容易地區分正常部分與缺陷部分。
利用實驗結果，說明藉由第1檢查裝置101，可更確實地檢測查缺陷的點。作為實驗，進行實驗 E1及實驗E2。於實驗E1、E2的說明，為了方便說明，對應第1檢查裝置101的構成元件之構成元件，賦予相同的符號。
於實驗E1、E2的任一者，皆採用第1圖(a)所示的構成之第1檢查裝置101。於實驗E1，使用輸出綠色光的綠色LED作為光源11。從實驗E1所使用的綠色LED輸出的照明光的分光光譜係如第2圖所示。第2圖的橫軸表示波長(nm)，縱軸表示相對光強度(任意單位)。由第2圖，實驗E1的照明光的最大強度波長λ ms為516nm，光譜的半高全寬為39.5nm之綠色光。於實驗E2，使用輸出白色光的白色LED作為光源11。從實驗E2的光源11輸出的照明光的最大強度波長λ ms為425nm。
實驗E1、E2之攝影裝置13，使用相同者。攝影裝置13的檢測靈敏度特性係如第3圖所示。於第3圖，橫軸表示波長(nm)，縱軸表示最大靈敏度標準化的相對值。如第3圖所示，攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md為500nm。
從上述實驗E1、E2的第1檢查裝置101的條件可理解，於實驗E1，照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為16nm。亦即，於實驗E1，最大強度波長λ ms與最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下，更具體地20nm以下。另一方面，於實驗E2，照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為75nm。亦即，於實驗E2，最大強度波長 λ ms與最大靈敏度波長λ md之差超過50nm。
於實驗E1、E2，被檢查膜S為單軸延伸的聚乙烯醇(PVA)膜。PVA膜因容易吸收水分而產生皺紋等，於實驗E1、E2，分別準備在相同條件下製造的PVA。作為被檢查膜S的PVA膜的厚度，於實驗E1及實驗E2皆為8μm。
於實驗E1、E2，各被檢查膜S配置於直線偏光板12A、12B之間後，從光源11輸出照明光。於是，隔著直線偏光板12B，用攝影裝置13拍攝被檢查膜S，檢查缺陷。於實驗E1、E2，將直線偏光板12A、12B配置成第1指定角度θ 1為90°。
於實驗E1，如攝影裝置13的攝影圖像之第4圖所示，明白地拍攝到條狀缺陷，得知可檢測條狀缺陷。另一方面，於實驗E2，如攝影裝置13的攝影圖像之第5圖所示，與第4圖相比較，得知顯著地難以檢測條狀缺陷。
如此，理解到藉由使照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下，可更確實地檢測缺陷，特別是可適當地檢測條狀缺陷。
(2)第2實施態樣
於第2實施態樣，說明使用第6圖(a)示意表示的第2檢查裝置102，檢查透光性膜之被檢查膜S的缺陷的方法(第2缺陷檢查方法)。於第2實施態樣，為了方便說明，也有使用與第1圖(a)所示的XYZ座標系統相同的XYZ座標系 統加以說明之情況。
在第2實施態樣檢查的被檢查膜S，係具有直線偏光特性，亦即有具有吸收軸AS的透光性膜。如此的透光性膜的例，包括透過對垂直吸收軸AS的方向的方向偏光之直線偏光的光之直線偏光單元膜、以及保護膜積層於直線偏光單元膜的至少單面之積層偏光單元膜。
保護膜係透明的透光性膜，保護膜的例，包括三乙醯基纖維素(以下亦有稱為「TAC」的情況)系膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、尼龍膜、聚碳酸酯膜及聚乙烯膜等。通常使用光學異向性小的TAC系膜，特別是三乙醯基纖維素的同元聚合物所構成的TAC膜。
作為被檢查膜S的積層偏光單元膜的厚度，通常為5至30μm(0.3mm)°
第2檢查裝置102主要在不具備直線偏光板12A的點與第1檢查裝置101不同。以該差異點為中心，說明第2檢查裝置102。於第2檢查裝置102，被檢查膜S與直線偏光板12B，係如第6圖(b)示意表示，配置為直線偏光板12B的吸收軸A12B相對於被檢查膜S的吸收軸AS交叉第2指定角度θ 2的狀態。所謂吸收軸AS與吸收軸A12B的交叉，係指從被檢查膜S的厚度方向(Z軸方向)觀察時該等為交叉，第6圖(b)係表示從被檢查膜S的厚度方向(Z軸方向)觀察時之吸收軸AS與吸收軸A12B的交叉狀態。第2指定角度θ 2，係於被檢查膜S用攝影裝置13拍攝所得之圖像，選擇容易檢測缺陷的角度。於一實施態樣，第2指 定角度θ 2為85°至90°，較理想為89°至90°，更理想為89.4°以上。或者，於一實施態樣，第2指定角度θ 2為90°至95°，較理想為90°至91°，更理想為90.6°以下。
說明關於使用第2檢查裝置102之被檢查膜S的檢查方法。於檢查被檢查膜S的缺陷的情況，從光源11的照射光照射被檢查膜S。被檢查膜S，因具有直線偏光特性，透射被檢查膜S的沒有發生缺陷的正常部分的光為直線偏光的光。於該情況，直線偏光板12B對被檢查膜S因配置為交叉第2指定角度θ 2的狀態，透射被檢查膜S的正常部分的直線偏光的光，大多被直線偏光板12B吸收而不透射。亦即，透射正常部分的直線偏光的光係難以透射直線偏光板12B。
另一方面，於被檢查膜S，有發生缺陷的缺陷部分時，於缺陷部分，被檢查膜S的直線偏光特性被干擾。結果，於透射缺陷部分的光，亦包含與被檢查膜S生成的直線偏光不同的偏光成分的光。於該情況，透射被檢查膜S的缺陷部分的光，容易透射直線偏光板12B。藉此，透射缺陷部分的光比透射正常部分的光多，透射直線偏光板12B，以入射光入射攝影裝置13。
如此地，於正常部分與缺陷部分，產生入射攝影裝置13的光量之差，同時照射被檢查膜S的照明光所具有的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下。所以，於被檢查膜S有缺陷的情況，於正常部分與缺陷部分，更明確地產生亮度差。 結果，與第1實施態樣同樣地，可檢測缺陷。
即使於第2檢查裝置102，被檢查膜S與直線偏光板12B，係配置為吸收軸AS、A12B交叉第2指定角度θ 2的狀態，由於照射被檢查膜S的照明光所具有的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下，藉由第2檢查裝置102，與第1檢查裝置101的情況同樣地，可檢查被檢查膜S的缺陷。因此，利用第2檢查裝置102之缺陷檢查方法，具有至少與第1實施態樣之利用第1檢查裝置101的情況的缺陷檢查方法相同的作用效果。
(3)第3實施態樣
作為第3實施態樣，說明關於利用第1及第2實施態樣說明的缺陷檢查方法中至少之一的直線偏光單元膜之製造方法。
直線偏光單元膜，係對未延伸及未染色的原料膜實施賦予直線偏光特性的偏光特性賦予處理所製造。製造直線偏光單元膜用的原料膜的例，例如與第1實施態樣舉例的膜相同。作為原料膜，通常使用例如PVA系膜、特別是PVA膜。於製造直線偏光單元膜的情況有原料膜為帶狀，並以捲成捲狀的狀態準備的傾向。因此，原料膜1也為原料膜。
如第7圖所示，直線偏光單元膜之製造方法，具備單軸延伸原料膜的延伸步驟S10、檢查被單軸延伸的原料膜的缺陷之缺陷檢查步驟S11以及將被單軸延伸 的原料膜用二色性色素染色的染色處理步驟S13。延伸原料膜的同時，藉由用二色性色素染色原料膜，因可賦予原料膜直線偏光特性，延伸步驟S10與染色處理步驟S13，構成實施偏光特性賦予處理之偏光特性賦予步驟。
於一實施態樣，如第7圖所示，於染色處理步驟S13前具備膨脹處理步驟S12，於染色處理步驟S13後，也可具備硼酸處理步驟S14、水洗處理步驟S15及乾燥步驟S16。一邊參考第8圖及第9圖，一邊說明第7圖舉例的各步驟。以下，舉例包含膨脹處理步驟S12、硼酸處理步驟S14、水洗處理步驟S15及乾燥步驟S16的態樣，加以說明。
(3-1)延伸步驟
於延伸步驟S10，如第8圖所示，從帶狀的原料膜1捲成捲狀的第1原料捲2，送出原料膜1，藉由傳送滾輪1，傳送原料膜1至延伸裝置20。在延伸裝置20內，藉由乾式延伸方法，將原料膜1進行單軸延伸後，從延伸裝置20，送出被單軸延伸的原料膜1。
具體地，延伸裝置20具有熱滾輪21以及在原料膜1的傳送方向配置於熱滾輪21的前後之傳送滾輪22A、22B。於原料膜1的厚度方向，傳送滾輪22A、22B的位置與熱滾輪21的位置不同。在延伸裝置20內，原料膜1越過熱滾輪21，於原料膜1的傳送方向，藉由熱滾輪21前後之傳送滾輪22A、22B，於原料膜1的傳送方向(長度方向)，賦予張力，單軸延伸原料膜1。延伸倍率的例為 3倍至8倍。
於延伸裝置20係使用熱滾輪21將原料膜1單軸延伸，例如藉由設定傳送滾輪22A的轉速與傳送滾輪22B的轉速為不同的值，可單軸延伸原料膜1。
(3-2)缺陷檢查步驟
於缺陷檢查步驟S11，如第8圖所示，以從延伸裝置20送出的原料膜1作為被檢查膜S，進行原料膜1的缺陷檢查。如第7圖所示，在延伸步驟S10與染色處理步驟S13間，進行缺陷檢查的情況，於原料膜1沒有賦予直線偏光特性。所以，在延伸步驟S10與染色處理步驟S13間，進行缺陷檢查的情況，係藉由利用第1實施態樣說明的第1檢查裝置101之缺陷檢查方法，進行缺陷的檢查。
第1檢查裝置101，如第8圖所示，於延伸裝置20的下游，配置於原料膜1的傳送路徑上。具體地，一邊傳送原料膜1，一邊通過配置成吸收軸A12A、A12B交叉為第1指定角度θ 1的狀態之直線偏光板12A、12B之間。此時，從光源11輸出照明光，利用攝影裝置13，隔著直線偏光板12B拍攝原料膜1。根據攝影裝置13的攝影結果，於圖像處理裝置14，形成攝影圖像。觀察該攝影圖像，可判斷有無缺陷。
如第1實施態樣之說明，因2個直線偏光板12A、12B配置成交叉第1指定角度θ 1的狀態，於被檢查膜S，透射沒有缺陷的正常部分的光，難以入射攝影裝置13。另一方面，於原料膜1有缺陷部分的情況，於該缺陷 部分，因透射直線偏光板12A的直線偏光的光被干擾，透射作為被檢查膜S的原料膜1的光，透射直線偏光板12B，容易入射至攝影裝置13。亦即，於原料膜1有缺陷部分的情況，透射缺陷部分的光比透射正常部分的光多，入射攝影裝置13。然後，照射被檢查膜S的照明光所具有的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下。結果，於原料膜1有缺陷部分的情況，可更明確地檢測缺陷部分與其他正常部分之間的亮度差，結果可確實地檢測缺陷。
於缺陷檢查步驟S11中檢查出缺陷的情況，例如係預先記錄缺陷的位置。缺陷位置，例如可電子式地記錄於記錄媒體，亦可藉由對原料膜1的缺陷部分實施標記而記錄。作為記錄媒體，例如可為圖像處理裝置14之記憶部，其他電腦的記憶部或USB記憶體及DVD等的可拆卸的外部記錄媒體。
通過第1檢查裝置101之原料膜1，係捲取成捲狀。捲取延伸完的原料膜1之捲，稱為第2原料膜捲3。
(3-3)膨脹處理步驟
於膨脹處理步驟S12，如第9圖所示，從第2原料膜捲3送出單軸延伸完的原料膜1，藉由浸漬於膨脹槽30內的處理浴，對原料膜1進行膨脹處理。該膨脹處理，係在除去膜表面的異物、除去膜中的塑化劑、賦予後續步驟的易染色性、原料膜1的可塑化等的目的下進行。膨脹處理 的條件，在可達成該等目的的範圍，且不發生原料膜1的極端溶解、失去透明性等的缺陷的範圍下決定。於膨脹處理步驟S12，將原料膜1藉由浸漬於例如溫度10至50℃，較理想為20至50℃的處理浴，進行膨脹處理。膨脹處理的時間為5至300秒的程度，較理想為20至240秒的程度。
膨脹槽30所使用的處理浴，除純水外，可為將特開平10-153709號公報記載的硼酸、特開平6-281816號公報記載的氯化物或其他無機酸、其他無機鹽、水溶性有機溶劑、醇類等，以0.01至10重量%範圍添加的水溶液。但是，該膨脹槽30，使用實質上沒有溶解成分的純水較理想。
(3-4)染色處理步驟
於染色處理步驟S13，藉由將經過膨脹處理步驟S12的原料膜1浸漬於染色槽31內的二色性色素的水溶液，以二色性色素染色原料膜1。通常的藉由二色性色素之染色處理，係在使二色性色素吸附於原料膜1等的目的下進行。處理條件，在可達成如此的目的之範圍且不發生原料膜1的極端溶解、失去透明性等的缺陷的範圍下決定。染色所使用的二色性色素的例為碘及二色性染料。
於使用碘作為二色性色素的情況，例如於10至50℃，較理想為20至40℃的溫度，且對水100重量份而言包含碘0.003至0.2重量份及碘化鉀0.1至10重量份的水溶液中，以10至600秒，較理想為30至200秒，浸漬原料膜，進行染色處理。取代碘化鉀之其他碘化物， 例如可使用碘化鋅。而且，其他碘化物亦可與碘化鉀併用。再者，亦可與碘化物以外的化合物，例如硼酸、氯化鋅、氯化鈷等共存。於添加硼酸的情況，在包含碘的點，與其後的硼酸處理區分。對水100重量份，包含0.003重量份以上的碘之浴，即可看做染色浴。
於使用水溶性二色性染料作為二色性色素的情況，例如於20至80℃，較理想為30至60℃的溫度，且對水100重量份而言包含二色性染料0.001至0.1重量份的水溶液中，以10至600秒，較理想為20至300秒，浸漬原料膜1進行染色處理。使用的二色性染料的水溶液，亦可含有染色助劑等，例如硫酸鈉的無機鹽，亦可含有界面活性劑。二色性染料，可只使用1種類，亦可依據所期望的色相，使用2種以上的二色性染料。
如第7圖所示，延伸步驟S10後，進行染色處理步驟S13的態樣，藉由經過染色處理步驟S13，於單軸延伸的延伸方向，使二色性色素吸附配向於原料膜1，賦予原料膜1直線偏光特性。因此，依第7圖所示的流程圖之製造方法，染色處理步驟S13後的原料膜1則為直線偏光單元膜4。但是，因染色處理步驟S13以後的各步驟也連續依序實施，染色處理步驟S13後的各步驟所處理的膜，也當作為原料膜1來說明。
(3-5)硼酸處理步驟
於硼酸處理步驟S14，如第9圖所示，藉由將經過染色處理步驟S13的原料膜1浸漬於硼酸槽32內的水溶液， 實施硼酸處理。該硼酸處理，係藉由浸漬被二色性色素染色的原料膜1於對水100重量份含有硼酸約1至10重量份的水溶液而進行。於使用碘作為二色性色素的情況，該硼酸處理浴，除了硼酸外，含有對水100重量份含有碘化物約0.1至30重量份者較理想。作為碘化物，例如碘化鉀、碘化鋅等。
該硼酸處理，係為了藉由交聯的耐水化、色相調整(防止偏藍)等進行。於藉由交聯的耐水化為目的之情況，依需要，與硼酸一起，可使用乙二醛、戊二醛等的交聯劑。再者，耐水化用的硼酸處理，亦可稱為耐水化處理、交聯處理、固定化處理等。而且，硼酸處理為色相調整用時，也稱為補色處理、調色處理等。
該硼酸處理係依據其目的，適當地變更硼酸及碘化物的濃度、處理浴的溫度進行。耐水化用的硼酸處理及色相調整用的硼酸處理，雖無特別區分，較理想為以下列的條件實施。
於原料膜1，依序實施膨脹、染色及硼酸處理的情況，硼酸處理為藉由交聯之耐水化為目的時，對水100重量份含有硼酸約3至10重量份及碘化物約1至20重量份的水溶液，作為硼酸處理浴，通常於50至70℃，較理想為53至65℃的溫度下進行。處理時間，通常為10至600秒的程度，較理想為20至300秒，更理想為20至100秒。
進行耐水化用的硼酸處理後，亦可再進行 色相調整用的硼酸處理。例如於二色性染料為碘的情況，為了該目的，對水100重量份含有硼酸約1至5重量份及碘化物約3至30重量份的水溶液，作為硼酸處理浴，通常於10至45℃程度的溫度下進行。浸漬時間，通常為1至300秒的程度，較理想為2至100秒。色相調整用的硼酸處理，比耐水化用的硼酸處理通常在較低溫度下進行。
此處，該硼酸處理可在複數個槽進行，通常大多配置1至5個槽。於配置複數個槽的情況，原料膜1依序通過各槽，對該原料膜1實施硼酸處理。於配置複數個槽的情況，所使用的各硼酸處理槽的水溶液組成、溫度，在上述範圍內可為相同，亦可為不同。上述耐水化用的硼酸處理、色相調整用的硼酸處理，分別可在複數個槽進行。
(3-6)水洗處理步驟
於水洗處理步驟S15係將經過硼酸處理步驟S14的原料膜1浸漬於水洗槽33內的水，水洗硼酸處理步驟S14後的原料膜1。但是，水洗處理中，係將水以淋浴噴霧的方法或併用浸漬及噴霧的方法等來進行。水洗處理之水的溫度，通常為2至40℃的程度，處理時間通常為2至120秒的程度。
(3-7)乾燥步驟
於乾燥步驟S16，係將經過水洗處理步驟S15的原料膜1傳送至乾燥裝置34，在乾燥裝置34內使原料膜1乾燥。該乾燥係在保持約40至100℃的溫度之乾燥裝置34 中，約30至600秒的程度進行。於第9圖，示意表示乾燥裝置34。乾燥裝置34，只要是可將直到乾燥步驟S16為止附著於原料膜1的水分予以乾燥，則無特別限制，於直線偏光單元膜之製造，通常使用習知者。
根據上述製造方法，延伸步驟S10後，實施缺陷檢查步驟S11。因此，可檢查從第1原料膜捲2送出後直到到達第1檢查裝置101為止的原料膜1發生的缺陷。
於缺陷檢查步驟S11係利用第1實施態樣說明的檢查方法進行缺陷檢查。所以，於原料膜1存在缺陷的情況，可更確實地檢測缺陷部分。
於未延伸的原料膜1本身之製造步驟，起因於附著於傳送滾輪或捲取滾輪等的表面之異物，有未延伸的原料膜1發生缺陷(例如點狀缺陷)的情況。如此的包含缺陷之原料膜1，於延伸步驟S10進行單軸延伸時，有變成條狀缺陷的情況。
如此的條狀缺陷，無法用傳統的檢查方法檢測出。相對地，如第1實施態樣之說明，藉由使用滿足最大強度波長λ ms與最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下的關係之照明光與攝影裝置13進行缺陷檢查，於缺陷檢查步驟S11，可檢測上述條狀缺陷。於照明光為綠色光的態樣，更容易檢測條狀缺陷。
於是，如第7圖所示，因缺陷檢查步驟S11設置於延伸步驟S10後，可確實地檢測上述條狀缺陷。
藉由缺陷檢查，檢測缺陷時，如前述，可 電子式地記錄缺陷位置，或可於原料膜1的缺陷部分進行標記。在進行缺陷檢查步驟S11的同時或者於缺陷檢查步驟S11後，藉由進行如上述的記錄處理(記錄步驟)，例如於利用直線偏光單元膜4製造偏光板的情況，避開缺陷部分製造偏光板，或者從製造的偏光板容易地分類包含缺陷部分者。結果，容易得到作為良品的偏光板。
或者，於原料膜1之缺陷狀態(例如缺陷部分的數目或大小等)超過容許範圍的情況，例如中斷直線偏光單元膜4的製造，更換第1原料捲2。於該情況，對缺陷狀態超過容許範圍的原料膜1，因可省略後續步驟，可有效地製造作為良品的直線偏光單元膜4。是否中斷直線偏光單元膜4的製造之判斷，例如於缺陷檢查步驟S11，可一邊觀察圖像處理裝置14所形成的攝影圖像一邊進行，或者形成第2原料膜捲3後，考慮跨捲成第2原料膜捲3的原料膜1的全部長度之缺陷狀態進行。
〔變形例1〕
缺陷檢查步驟S11，可設置於延伸步驟S11與膨脹處理步驟S12之間，亦可在賦予原料膜1直線偏光特性之偏光特性賦予步驟進行之間。
例如，具備如第7圖所示的膨脹處理步驟S12的態樣，缺陷檢查步驟S11可在膨脹處理步驟S12與染色處理步驟S13之間進行。於該情況，第1檢查裝置101設置於從膨脹槽30至染色槽31為止的原料膜1的傳送路徑上。於膨脹處理步驟S12與染色處理步驟S13之間設置 缺陷檢查步驟S11的情況，可檢查直到膨脹處理步驟S12為止發生的缺陷，依據該檢查結果，可判斷可否製造直線偏光單元膜4。
〔變形例2〕
缺陷檢查步驟S11，亦可設置於延伸步驟S10前，亦即賦予原料膜1直線偏光特性之偏光特性賦予步驟前。於該情況，變成檢查捲成第1原料膜捲2的原料膜1本身。藉此，可高靈敏度地檢查製造原料膜1時的缺陷。於是，於變形例2的缺陷檢查步驟S11，於原料膜1有超過容許範圍的缺陷的情況，例如更換第1原料膜捲2的話，可延伸步驟S10以後的步驟，取代超過容許範圍的原料膜1，使用更適合的原料膜1進行。結果，提高直線偏光單元膜4的製造效率。
〔變形例3〕
缺陷檢查步驟S11，亦可設置於染色處理步驟S13後，亦即賦予原料膜1直線偏光特性之偏光特性賦予步驟後。於該情況，因經過延伸步驟S10及染色處理步驟S13，變成檢查賦予原料膜1直線偏光特性之直線偏光單元膜4。因此，利用第2實施態樣說明的使用第2檢查裝置102之檢查方法，進行缺陷檢查。例如，如第10圖所示，於乾燥裝置34的下游，配置第2檢查裝置102，直線偏光單元膜4為被檢查膜S，進行直線偏光單元膜4的缺陷檢查。
於延伸步驟S10，係如利用第9圖所說明，於原料膜1的傳送方向，亦即原料膜1的長度方向，進行 原料膜1的單軸延伸。因吸收軸AS的方向與延伸方向一致，藉由對原料膜1實施延伸步驟S10及染色處理步驟S13，賦予原料膜1之吸收軸AS的方向，可假設實質上為原料膜1(或直線偏光單元膜4)的傳送方向。
因此，在將第2檢查裝置102配置於直線偏光單元膜4的傳送方向時，直線偏光板12B的吸收軸A12B相對於傳送方向交叉為第2指定角度θ 2配置時，對被傳送的直線偏光單元膜4而言，直線偏光板12B配置為直線偏光板12B的吸收軸A12B相對於直線偏光單元膜4的吸收軸AS交叉第2指定角度θ 2的狀態。
此處，舉例原料膜1的傳送方向假設為吸收軸AS的方向的情況，例如變形例3的缺陷檢查步驟S11前，檢測出吸收軸AS的方向，使用該檢測結果，可調整直線偏光板12B的配置。
利用第2檢查裝置102，直線偏光單元膜4之被檢查膜S的缺陷檢查方法，因如第2實施態樣的說明，故省略其說明。
於變形例3，於缺陷檢查步驟S11，因使用最大強度波長λ ms與最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下之照明光與攝影裝置13，缺陷的檢測靈敏度佳。所以，可更確實地檢測缺陷，特別是可檢測延伸步驟S10可能發生的條狀缺陷。於照明光為綠色光的態樣，更容易檢測條狀缺陷。
於變形例3，可高靈敏度地檢測在製造直線 偏光單元膜4為止的步驟發生的缺陷。結果，可更適當地判斷賦予直線偏光特性的原料膜1是否適合作為製品的直線偏光單元膜4，或者直線偏光單元膜4是否可使用於直線偏光單元膜4的製造繼續進行的直線偏光板的製造。
於第10圖，於乾燥裝置34的後段，配置第2檢查裝置102，利用第2檢查裝置102，實施缺陷檢查步驟S11。但是，經過延伸步驟S10及染色處理步驟S13時，因原料膜1被賦予直線偏光特性，亦可於染色處理步驟S13後，實施變形例3說明的缺陷檢查步驟S11。例如，可於從染色槽31朝水洗槽33的原料膜1的傳送路徑上，設置第2檢查裝置102，實施缺陷檢查步驟S11。
〔變形例4〕
如第11圖所示，乾燥步驟S16後，亦可設置貼合保護膜於直線偏光單元膜之保護膜貼合步驟S17。
參考第12圖，說明保護膜貼合步驟S17。保護膜5係用以保護直線偏光單元膜4的透明膜。保護膜5的例，係與第2實施態樣關於保護膜舉例的膜相同。作為保護膜5，使用TAC系膜，特別是TAC膜。保護膜5的厚度的例為10μm至100μm。於保護膜5中，與直線偏光單元膜4的接著面，可用皂化處理等進行親水化處理。
如第12圖所示，從保護膜5捲成捲狀的保護膜捲6，送出保護膜5，積層保護膜5於藉由滾輪對滾輪(roll-to-roll)法傳送的直線偏光單元膜4。於第12圖，保護膜5積層於直線偏光單元膜4的兩面，保護膜5亦可只積 層於單面。保護膜5積層於直線偏光單元膜4時，於該界面，通常塗佈接著該等用的水溶性接著劑。因此，通常保護膜5積層於直線偏光單元膜4後，傳送至乾燥裝置40，乾燥接著劑，使保護膜5與直線偏光單元膜4貼合。藉此，可得到保護膜5積層於直線偏光單元膜4之積層偏光單元膜7。於第12圖，示意表示乾燥裝置40。乾燥裝置40，只要是可乾燥積層偏光單元膜7即可，可為使用於直線偏光單元膜的製造之習知者。
〔變形例5〕
如變形例4所說明，設置保護膜貼合步驟S17的情況，如第12圖的舉例，於乾燥裝置40的下游，亦可設置第2檢查裝置102，實施缺陷檢查步驟S11。積層偏光單元膜7用第2檢查裝置102檢查的方法，可與第2實施態樣及變形例3說明的情況相同。
以積層偏光單元膜7作為被檢查膜S，用第2實施態樣說明的缺陷檢查方法檢查的情況，包含保護膜5本身的缺陷，可高靈敏度地檢測在製造積層偏光單元膜7為止的步驟所發生的缺陷。結果，可更適當地判斷保護膜5積層於直線偏光單元膜4之積層偏光單元膜7，是否適合作為製品的直線偏光單元膜，或者是否可能使用於使用積層偏光單元膜7之直線偏光板的製造。
於保護膜貼合步驟S17後，進行缺陷檢查步驟S11的情況，直到保護膜貼合步驟S17為止，可另外實施缺陷檢查步驟S11，或者亦可不實施。
〔變形例6〕
第7圖所示的流程圖，延伸步驟S10後，進行染色處理步驟S13。但是，亦可於染色處理步驟S13後，進行延伸步驟S10。於染色處理步驟S13在延伸步驟S10前實施的情況，通常膨脹處理步驟S12、硼酸處理步驟S14、水洗處理步驟S15及乾燥步驟S16也在延伸步驟S10前進行。
於變形例6，只要在延伸步驟S10後，實施缺陷檢查步驟S11即可。於染色處理步驟S13後實施延伸步驟S10的情況，於第8圖，只要取代從第1原料膜捲2送出的原料膜1，與染色同時將乾燥的原料膜1傳送至延伸裝置20即可。然後，取代第8圖所示的第1檢查裝置101，使用第2檢查裝置102即可。
〔變形例7〕
延伸步驟S10，亦可在染色處理步驟S13中實施。例如於原料膜1的傳送方向，染色槽31前後的傳送滾輪的轉速為互相不同的轉速，一邊將原料膜1在染色槽31內浸漬於二色性色素的水溶液實施染色處理，一邊可將原料膜1在其長度方向(傳送方向)進行單軸延伸。同樣地，延伸步驟S10，亦可在硼酸處理步驟S14中實施，亦可跨染色處理步驟S13與硼酸處理步驟S14實施。
(4)第4實施態樣
作為第4實施態樣，說明關於包含第13圖所示的直線偏光單元膜的偏光板之製造方法。
偏光板50，如第13圖所示，具有直線偏光 單元膜4及貼合於其兩面的保護膜5所構成的積層偏光單元膜7、設置於一保護膜5上的保護膜51、設置於另一保護膜5上的黏著層52以及設置於黏著層52上的分隔膜53。偏光板50的平面圖形狀(從厚度方向觀察的形狀)，只要是對應偏光板50所應用的裝置即可。偏光板的平面圖形狀的例為長方形或正方形。
直線偏光單元膜4，係經過如第3實施態樣說明的貼合保護膜5前的步驟所製造者。保護膜5，因與第3實施態樣的變形例4說明的保護膜相同，故省略其說明。
保護膜51係保護積層偏光單元膜7的表面用的表面保護膜。保護膜51的厚度的例為30μm至100μm。保護膜51的材料的例，包括聚乙烯、聚丙烯及聚酯。
黏著層52，係將作為製品的偏光板50貼合於液晶單元等的其他構件用者。黏著層52的厚度的例為5μm至30μm。構成黏著層52的黏著劑的例，包括丙烯酸系黏著劑、氨酯系黏著劑及聚矽氧系黏著劑。
分隔膜53，係作為製品的偏光板50被使用為止，防止異物等附著於黏著層52用的膜。分隔膜53的厚度的例為30μm至100μm。
通常於製造偏光板50的情況，將於分隔膜53的一表面形成有黏著層52者，貼合於保護膜5。是以，黏著層52形成於分隔膜53的一表面之構件，亦稱為附黏 著層的分隔膜54。
偏光板50之製造方法，如第14圖所示，具備製造直線偏光單元膜4的直線偏光單元膜製造步驟S20、保護膜5貼合於直線偏光單元膜4之第1貼合步驟(保護膜貼合步驟)S21、保護膜51貼合於經過第1貼合步驟S21的積層偏光單元膜7的一側的表面的同時，附黏著層的分隔膜54貼合於另一側的表面之第2貼合步驟S22以及從經過第2貼合步驟S22的積層偏光單元膜7切出作為製品的偏光板50之切出步驟S23。說明各步驟。
(4-1)直線偏光單元膜製造步驟
於直線偏光單元膜製造步驟S20，藉由第7圖舉例的製造方法，製造直線偏光單元膜4。製造方法，因如第3實施態樣之說明，故省略其說明。
(4-2)第1貼合步驟
第1貼合步驟S21，係與第3實施態樣的變形例5說明的保護膜5對直線偏光單元膜4之保護膜貼合步驟S17相同，故省略其說明。
(4-3)第2貼合步驟
於第2貼合步驟S22，對經過第1貼合步驟S21的積層偏光單元膜7，貼合保護膜51及附黏著層的分隔膜54。
具體地，藉由利用第12圖說明的保護膜5貼合於直線偏光單元膜4的情況相同的方法，積層保護膜51於積層偏光單元膜7的一側的表面，於另一側的表面，積層附黏著層的分隔膜54。
亦即，於第12圖，於乾燥裝置40的下游，積層保護膜5於直線偏光單元膜4的一側的表面的情況相同地，藉由滾輪對滾輪法於積層偏光單元膜7積層保護膜51。此時，於保護膜51中，在面對積層偏光單元膜7的表面，可先塗佈接著劑。
與積層保護膜5於直線偏光單元膜4的另一側的表面的情況相同地，藉由滾輪對滾輪法積層附黏著層的分隔膜54於積層偏光單元膜7。於該情況，於附黏著層的分隔膜54，使黏著層52與積層偏光單元膜7接觸地於積層偏光單元膜7積層附黏著層的分隔膜54即可。
(4-4)切出步驟
於切出步驟S23，係將經過第2貼合步驟S22的積層偏光單元膜7，切割為作為製品的偏光板50的大小，得到偏光板50。此時，對應直線偏光單元膜4的製造過程之缺陷檢查步驟S11(參考第7圖)的檢查結果，可以不包含缺陷部分地方式從積層偏光單元膜7切出偏光板50。
於上述偏光板50之製造方法，積層偏光單元膜7所具有的直線偏光單元膜4，用第7圖舉例的製造方法製造。因此，直線偏光單元膜4係經過缺陷檢查步驟S11(參考第7圖)所製造。
因此，於切出步驟S23，根據缺陷檢查步驟S11的檢查結果，選擇沒有發生缺陷的部分，可切出偏光板50。結果，容易製造不包含缺陷的偏光板50。於缺陷檢查步驟S11檢測出缺陷的情況，只要記錄缺陷位置，即可 選擇沒有發生缺陷的部分，容易地切出偏光板50。
或者，於切出步驟S23，切出偏光板50後，可分類不包含缺陷的偏光板50。例如，缺陷檢查步驟S11的檢查結果，在被檢查膜S上標記，容易地分類不包含缺陷部分的偏光板50，容易得到良品的偏光板50。
於上述偏光板50之製造方法，因直線偏光單元膜4用第7圖舉例的方法製造，也具有與第3實施態樣說明的直線偏光單元膜4的製造方法相同的作用效果。
於直線偏光單元膜製造步驟S20，用第7圖舉例的製造方法製造直線偏光單元膜4，例如第3實施態樣舉例的變形例中，不包含保護膜貼合步驟S17的變形例的態樣，亦可製造直線偏光單元膜4。
於第2貼合步驟S22與切出步驟S23之間，可與第3實施態樣的變形例6說明的缺陷檢查同樣地，實施積層偏光單元膜7的缺陷檢查。如此，進行積層偏光單元膜7的缺陷檢查的情況，於切出步驟S23，利用積層偏光單元膜7的缺陷檢查結果，可切出偏光板50。
第14圖所示的製造方法，具備第2貼合步驟S22，偏光板之製造方法亦可不包含第2貼合步驟S22。於該情況，從積層偏光單元膜7直接切出作為製品的偏光板。如此製造的偏光板，於第13圖所示的偏光板50，係不包含保護膜51、黏著層52及分隔膜53的構成。
以上，說明本發明的各種實施態樣及變形例，但不限於舉例的各種實施態樣及變形例，而係意於依 據申請專利範圍所示，包括與申請專利範圍均等的意義及範圍內之全部變更。
例如，於第1實施態樣，被檢查膜S為製造直線偏光單元膜用的原料膜，但不限於此。例如，亦可為相位差膜，亦可為不具有雙折射性的具有透光性的光學膜。
於第1實施態樣，從光源11輸出無偏光的光，通過直線偏光板12A，直線偏光的光作為照明光照射被檢查膜S。但是，亦可使用輸出直線偏光的光之光源。於該情況，對照射被檢查膜S的直線偏光的光的振動方向而言，直線偏光板12B的吸收軸A12B的方向成為平行即可。輸出直線偏光的光的光源的例，可為第1圖(a)舉例的光源11與直線偏光板12A為一照明單元的光源。
於第1及第2實施態樣，雖以照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下說明，惟透射被檢查膜S而入射攝影裝置13的入射光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為50nm以下即可。
於第1及第2實施態樣，舉例綠色光作為照明光之一例。但是，入射攝影裝置13的入射光為綠色光即可。例如，透光性膜的缺陷檢查，可使用第15圖所示的第3檢查裝置103進行。
於第3檢查裝置103，直線偏光板12B與被檢查膜S之間，主要在藉由配置選擇性地使綠色光通過的光學濾光片之綠色濾光片15的點，與第1檢查裝置101不 同。第15圖舉例的第3檢查裝置103，直線偏光板12A的吸收軸A12A朝向第1圖(a)所示的Y軸方向，直線偏光板12B的吸收軸A12B朝向第1圖(a)所示的X軸方向。由於直線偏光板12B的吸收軸A12B朝向上述X軸方向，於第15圖，直線偏光板12B的吸收軸A12B的方向以黑點示意表示。於該情況，即使從光源11輸出的照明光為白色光，入射攝影裝置13者仍為綠色光。這是因為白色光也包含綠色光，故實質上係用綠色光照射被檢查膜S。所以，由於與第1實施態樣等使用綠色光作為照明光的情況相同的理由，可更清楚地檢測缺陷。
根據實驗結果說明該點。作為使用第3檢查裝置103之實驗，進行實驗E3。於實驗E3，於第1實施態樣說明的實驗E1的情況，取代第1檢查裝置101，使用第3檢查裝置103。而且，作為光源11，使用實驗E2所使用的白色LED。再者，從綠色濾光片15透過的綠色光，亦即朝攝影裝置13入射的入射光的最大強度波長λ ms為532nm。於該情況，實驗E1、E2所使用的攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md與朝攝影裝置13入射的入射光的最大強度波長λ ms之差為32nm，為50nm以下。於被檢查膜S，使用在與實驗E1、E2的情況相同的條件下製造之厚度8μm的PVA膜。
實驗方法係與實驗E1、E2的情況相同。於實驗E3，如為攝影裝置13的攝影圖像之第16圖所示，與實驗E1的情況相同地，拍攝條狀缺陷，可檢測條狀缺陷。
於第3檢查裝置103，因白色光中除綠色光以外被綠色濾光片15遮斷，從光源11的照明光為高照度的照明光較理想。例如從光源11輸出的光用照度計直接(亦即不隔著聚光光學系統)檢測的情況，照明光可為每受光面積
Figure 105117538-A0202-12-0042-23
1mm為1850勒克斯以上的光。
綠色濾光片15，可配置於直線偏光板12B與攝影裝置13之間。而且，於第2檢查裝置102，使用第3檢查裝置103說明，亦可配置選擇性地通過綠色光之綠色濾光片15。
於第6圖(a)所示的第2檢查裝置102，直線偏光板12B配置於被檢查膜S與攝影裝置13之間，不設置直線偏光板12B，亦可於被檢查膜S與光源11之間，配置直線偏光板12A。於該情況，直線偏光的光係照射於被檢查膜S。
於第2檢查裝置102，除直線偏光板12B外，於被檢查膜S與光源11之間，如第1圖(a)所示的第1檢查裝置101，可配置直線偏光板12A。於該情況，直線偏光板12A的吸收軸A12A的方向與被檢查膜S的吸收軸AS的方向平行，或者直線偏光板12B的吸收軸A12B的方向與被檢查膜S的吸收軸AS的方向平行即可。
作為第3實施態樣，包含變形例說明的各種態樣，於直線偏光單元膜4的製造步驟，基本上具備一缺陷檢查步驟S11。但是，直線偏光單元膜4的製造方法，亦可具備複數的缺陷檢查步驟S11。例如，如第3實施態 樣之變形例舉例，具備延伸步驟S10前的缺陷檢查步驟S11、如第7圖舉例的延伸步驟S10後的缺陷檢查步驟S11以及如變形例4舉例的經過染色處理步驟S13後的缺陷檢查步驟S11。
如此地具備複數的缺陷檢查步驟S11的情況，實施後續步驟側的缺陷檢查步驟S11時，可把握累積的缺陷狀態(缺陷的數目及大小等)。因此，於缺陷狀態超過容許範圍的情況，例如中斷直線偏光單元膜4的製造，取代第1原料捲2，用更適合的原料膜1，可製造直線偏光單元膜4。或者，於具備複數的缺陷檢查步驟S11的情況，因可把握一缺陷檢查步驟S11與接著的缺陷檢查步驟S11之間的缺陷，可更確實地把握缺陷的原因。
第1至第3檢查裝置101至103，具有圖像處理裝置14，例如從攝影裝置13的訊號強度的變化對應被檢查膜S的檢測位置，可特定缺陷部分即可，亦可不具有圖像處理裝置14。
於第8圖及第9圖舉例的製造方法，捲取單軸延伸後的原料膜1，作為第2原料膜捲3。但是，不形成第2原料膜捲3，可傳送單軸延伸過的原料膜1，浸漬於膨脹槽30內的處理浴。
至此的說明，係舉綠色光作為入射攝影裝置13的入射光。但是，只要滿足所謂對應入射光的最大強度之波長的最大強度波長與對應攝影裝置13的最大靈敏度之波長的最大靈敏度波長之差為50nm以下的關係，上 述入射光，可為紅色光或藍色光。
此處，說明入射光為藍色光或紅色光的情況之實驗例。入射光為藍色光的情況之實驗，稱為實驗E4，入射光為紅色光的情況之實驗，稱為實驗E5。
實驗E4之裝置構成，與實驗E1相同，亦即採用第1圖(a)所示的構成之第1檢查裝置101。於被檢查膜S，使用在與實驗E1、E2的情況相同的條件下製造之厚度8μm的PVA膜。於實驗E4，使用輸出藍色光的藍色LED，作為光源11。從實驗E4所使用的藍色LED輸出的照明光之分光光譜，係如第17圖所示。第17圖的橫軸表示波長(nm)。第17圖的縱軸表示藍色LED的最大光輸出為100%的情況之相對光輸出(%)。在實驗E4的照明光的最大強度波長λ ms為470nm，光譜的半高全寬為26.7nm。於實驗E4，使用最大靈敏度波長λ md為445nm的攝影裝置13。
從上述實驗E4的第1檢查裝置101的條件理解，於實驗E4，照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為25nm，為50nm以下。於是，即使於實驗E4，攝影裝置13的攝影圖像之如第19圖所示，拍攝到條狀缺陷，可檢測條狀缺陷。
實驗E5之裝置構成，與實驗E1相同，亦即採用第1圖(a)所示的構成之第1檢查裝置101。於被檢查膜S，使用在與實驗E1、E2的情況相同的條件下製造之厚度8μm的PVA膜。於實驗E5，使用輸出紅色光的紅色 LED，作為光源11。從實驗E5所使用的藍色LED輸出的照明光之分光光譜，係如第18圖所示。第18圖的橫軸表示波長(nm)。第18圖的縱軸表示紅色LED的最大光輸出為100%的情況之相對光輸出(%)。在實驗E5的照明光的最大強度波長λ ms為633.3nm，光譜的半高全寬為16.7nm。於實驗E5，使用最大靈敏度波長λ md為650nm的攝影裝置13。
從上述實驗E5的第1檢查裝置101的條件理解，於實驗E5，照明光的最大強度波長λ ms與攝影裝置13的最大靈敏度波長λ md之差為16.7nm，為50nm以下。於是，即使於實驗E5，攝影裝置13的攝影圖像之如第20圖所示，拍攝到條狀缺陷，可檢測條狀缺陷。
於實驗E4及實驗E5，雖然從光源11輸出藍色光或紅色光，與綠色光的情況同樣地，入射攝影裝置13的入射光為藍色光或紅色光即可。而且，只要滿足所謂對應入射光的最大強度之波長的最大強度波長與對應攝影裝置13的最大靈敏度之波長的最大靈敏度波長之差為50nm以下的關係，上述入射光亦可為黃色光。
101‧‧‧第1檢查裝置
11‧‧‧光源
12A、12B‧‧‧直線偏光板
13‧‧‧攝影裝置
14‧‧‧圖像處理裝置
A12A、A12B‧‧‧吸收軸
θ 1‧‧‧第1指定角度
S‧‧‧被檢查膜

Claims (14)

  1. 一種透光性膜之缺陷檢查方法，係對具有透光性的被檢查膜，一邊照射作為照明光的直線偏光的光，一邊隔著直線偏光板，藉由攝影裝置拍攝前述被檢查膜，檢查屬於前述被檢查膜之透光性膜的缺陷之方法，該直線偏光板係以吸收軸相對於與前述直線偏光的光之振動面垂直的方向交叉的狀態，配置於前述被檢查膜與攝影裝置之間；其中，前述照明光，於可見光區域，從最大強度波長λ ms降低至75nm以上之波長範圍，以及從λ ms提高至75nm以上之波長範圍之光強度，為最大強度的通常25%以下；直線偏光的光照射於前述被檢查膜時，透射前述被檢查膜及前述直線偏光板而入射於前述攝影裝置的入射光的最大強度波長、與前述攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下；前述入射光為綠色光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之透光性膜之缺陷檢查方法，其中前述照明光為綠色光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之透光性膜之缺陷檢查方法，其中，前述照明光為白色光；使通過光學濾光片的光，作為前述入射光，入射於前述攝影裝置，該光學濾光片係配置於前述被檢查膜與前述攝影裝置之間，並選擇性地使綠色光通過者。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之透光性膜之缺陷檢查方法，其中，前述直線偏光板以下述狀態配置：前述直線偏光板的吸收軸以相對於與前述直線偏光的光之振動面垂直的方向以85°至90°或90°至95°的角度交叉。
  5. 一種透光性膜之缺陷檢查方法，其係對具有吸收軸且具有讓在垂直於前述吸收軸的方向之方向振動的直線偏光的光透過之透光性的被檢查膜，將直線偏光板以前述被檢查膜的吸收軸與前述直線偏光板的吸收軸交叉的狀態來配置，並一邊以照明光照射前述被檢查膜，一邊用攝影裝置拍攝前述被檢查膜，藉此檢查屬於前述被檢查膜的透光性膜的缺陷之方法；其中，前述照明光，於可見光區域，從最大強度波長λ ms降低至75nm以上之波長範圍，以及從λ ms提高至75nm以上之波長範圍之光強度，為最大強度的通常25%以下；前述照明光照射於前述被檢查膜時，透射前述被檢查膜及前述直線偏光板而入射前述攝影裝置的入射光的最大強度波長、與前述攝影裝置的最大靈敏度波長的差為50nm以下；前述入射光為綠色光。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之透光性膜之缺陷檢查方法，其中前述照明光為綠色光。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之透光性膜之缺陷檢查方法，其中， 前述照明光為白色光；使通過光學濾光片的光，作為前述入射光，入射於前述攝影裝置，該光學濾光片係配置於前述被檢查膜與前述攝影裝置之間，並選擇性地使綠色光通過者。
  8. 如申請專利範圍第5項至第7項中任一項所述之透光性膜之缺陷檢查方法，其中，前述直線偏光板以下述狀態配置：前述直線偏光板的吸收軸以相對於前述被檢查膜的吸收軸為85°至90°或90°至95°的角度交叉。
  9. 一種直線偏光單元膜之製造方法，係使用具有透光性的原料膜製造直線偏光單元膜的方法，並具備：偏光特性賦予步驟，係賦予前述原料膜直線偏光特性；以及至少一個之缺陷檢查步驟，係將前述偏光特性賦予步驟前的前述原料膜、前述偏光特性賦予步驟中的前述原料膜以及前述偏光特性賦予步驟後的前述原料膜中至少之一者，作為被檢查膜進行缺陷檢查；其中於前述缺陷檢查步驟中，以前述偏光特性賦予步驟前的前述原料膜、及前述偏光特性賦予步驟中的前述原料膜中的至少一者作為前述被檢查膜進行缺陷檢查時，係藉由屬於申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之透光性膜之缺陷檢查方法之第1缺陷檢查方法，進行缺陷檢查；於前述缺陷檢查步驟中，以前述偏光特性賦予步驟後的前述原料膜作為前述被檢查膜進行缺陷檢查時， 係藉由屬於申請專利範圍第5項至第8項中任一項所述之透光性膜之缺陷檢查方法之第2缺陷檢查方法，進行缺陷檢查。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之直線偏光單元膜之製造方法，其中，前述偏光特性賦予步驟具備：將前述原料膜單軸延伸的延伸步驟；以及藉由二色性色素將前述延伸步驟被單軸延伸的前述原料膜染色的染色處理步驟；其中前述缺陷檢查步驟係於前述延伸步驟與前述染色處理步驟之間，以在前述延伸步驟被單軸延伸的前述原料膜作為前述被檢查膜實施。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之直線偏光單元膜之製造方法，其中，前述偏光特性賦予步驟具備：藉由二色性色素將前述原料膜染色的染色處理步驟；以及將在前述染色處理步驟被染色的前述原料膜延伸的延伸步驟；其中前述缺陷檢查步驟係於前述染色處理步驟與前述延伸步驟之間，以前述染色處理步驟中的前述原料膜、或在前述染色處理步驟被染色的前述原料膜作為前述被檢查膜實施。
  12. 如申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述之直線 偏光單元膜之製造方法，更具備：於被賦予前述直線偏光特性的前述原料膜的至少單面貼合保護膜之保護膜貼合步驟；其中前述缺陷檢查步驟係以經過前述保護膜貼合步驟的前述原料膜作為前述被檢查膜實施。
  13. 一種偏光板之製造方法，具備：利用申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述之直線偏光單元膜之製造方法，製造直線偏光單元膜之偏光單元膜製造步驟；在前述偏光單元膜製造步驟所製造的前述直線偏光單元膜的至少單面，貼合保護膜，得到積層偏光單元膜之保護膜貼合步驟；以及從前述積層偏光單元膜切出作為製品的偏光板的切出步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之偏光板之製造方法，其中，前述切出步驟前，將前述積層偏光單元膜作為被檢查膜，藉由前述第2缺陷檢查方法，進行缺陷檢查。
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