TWI695396B

TWI695396B - 電容器單元及其製造方法

Info

Publication number: TWI695396B
Application number: TW109108537A
Authority: TW
Inventors: 林傑
Original assignee: 鈺邦科技股份有限公司
Priority date: 2020-03-16
Filing date: 2020-03-16
Publication date: 2020-06-01
Also published as: US20210287856A1; TW202137254A; US11817273B2

Abstract

本發明公開一種電容器單元及其製造方法，電容器單元的製造方法包括：提供一金屬箔片，金屬箔片的外表面上形成有一氧化層。形成一圍繞狀阻隔層於氧化層上，圍繞狀阻隔層圍繞地形成在氧化層的一外表面上，以將氧化層的外表面劃分成彼此分離的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。於氧化層的第二部分外表面上形成一打底層，以部分地包覆氧化層。浸泡打底層於包含鹼類與酸類的一化成液中。乾燥打底層，以於打底層上形成一修補層。形成一導電高分子層於修補層上。形成一導電膠層於導電高分子層上，導電膠層包括一銀膠層。

Description

電容器單元及其製造方法

本發明涉及一種電容器單元及其製造方法，特別是涉及一種形成有修補層的電容器單元及其製造方法。

電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。故電容器是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質及用途，有不同的型態，包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先行技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。固態電解電容器是以固態電解質取代液態電解液作為陰極，而導電高分子基於其高導電性、製作過程容易等優點已被廣泛應用於固態電解電容的陰極材料。

可用於固態電容器之陰極的導電高分子包含聚苯胺（polyaniline，PAni）、聚吡咯（polypyrrole，PPy）及聚噻吩（polythiophene，PTh）等材料及其衍生物。其中，聚二氧乙烯基噻吩：聚苯乙烯磺酸（PEDOT：PSS）複合物具有優異的導電性，且相較於其他高分子，例如PAni和PPy等，PEDOT：PSS複合物具有較低的聚合速率，因此可在常溫下進行聚合反應而降低製備的困難度。另外，PEDOT：PSS複合物更具有相較於其他高分子較佳的耐候性及耐熱性。除此之外，PEDOT：PSS複合物還具有良好分散性、低生產成本、高透明度以及優異的處理性（Processability）。因此，使用PEDOT：PSS複合物作為形成電容器的陰極部上導電高分子層的原料，對於電容器的電氣效果的提升有很大的助益。

然而在本領域中，目前仍有需要提供一種於電容器單元以及製備電容器單元的方法，以進一步提升電容器的整體電氣性能。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電容器單元及其製造方法。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種電容器單元的製造方法。電容器單元的製造方法包括下述步驟：提供一金屬箔片，金屬箔片的外表面上形成有一氧化層。形成一圍繞狀阻隔層於氧化層上，圍繞狀阻隔層圍繞地形成在氧化層的一外表面上，以將氧化層的外表面劃分成彼此分離的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。形成一打底層於氧化層的第二部分外表面上，以部分地包覆氧化層。浸泡打底層於一化成液中，化成液中包含一鹼類與一酸類。乾燥打底層，以於打底層上形成一修補層。形成一導電高分子層於修補層上。形成一導電膠層於導電高分子層上，導電膠層包括一銀膠層。

在本發明的一實施例中，酸類是選自於由下列所構成的群組：醋酸、硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸（tartaric acid）、苯二甲酸、檸檬酸（citric acid）、草酸、丙醇二酸、蘋果酸（2-hydroxysuccinic acid）、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸（gluconic acid）、乙二胺四乙酸及其鹽類中的至少一種。鹼類是選自於由下列所構成的群組：有機胺及其鹽類、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、硼砂、碳酸鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉和碳酸氫鈉中的至少一種。

在本發明的一實施例中，有機胺及其鹽類是選自於由下列所構成的群組：碳數為2至10的二胺類、碳數為2至10的三胺類、碳數為4至12的環狀胺類、碳數為4至12的芳香族胺類或其鹽類中的至少一種。

在本發明的一實施例中，有機胺及其鹽類是選自於由下列所構成的群組：乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、二乙烯三胺、1-（2-羥乙基）哌嗪（1-（2-hydroxyethyl）piperazine）、1-（2-氨基乙基）哌嗪（1-（2-aminoethyl）piperazine）、4-（2-氨基乙基）嗎啉（4-（2-aminoethyl）morpholine）、1-（2-吡啶基）哌嗪（1-（2-pyridyl）piperazine）、1-（2-氨基乙基）哌啶（1-（2-aminoethyl）piperidine）、1-（3-氨基丙基）咪唑（1-（3-aminopropyl）imidazole）、三聚氰胺（melamine）及其對應的硼酸鹽、磷酸鹽或羧酸鹽中的至少一種。

在本發明的一實施例中，鹼類和酸類的莫耳比為1：0.3至0.7。

在本發明的一實施例中，化成液中進一步包括一胺基苯甲酸類，胺基苯甲酸類為胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一種。

在本發明的一實施例中，胺基苯甲酸類是選自於由下列所構成的群組：對胺基苯甲酸、間胺基苯甲酸、鄰胺基苯甲酸、對二甲胺基苯甲酸、2-胺基對苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸、5-胺基間苯二甲酸和其組合物。

在本發明的一實施例中，化成液中進一步包括一助劑，助劑是選自於由下列所構成的群組：磷酸二氫銨、磷酸氫二銨、乙二胺四乙酸、酒石酸鉀鈉、檸檬酸鈉、檸檬酸銨、葡萄糖酸鈉、葡萄糖酸銨和其組合物。

在本發明的一實施例中，鹼類與助劑的莫耳比為1：0.01至0.5。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種電容器單元。電容器單元包括一金屬箔片、一圍繞狀阻隔層、一氧化層、一打底層、一修補層、一導電高分子層及一導電膠層，氧化層形成於金屬箔片的外表面。圍繞狀阻隔層圍繞地形成在氧化層的一外表面上，以將氧化層的外表面劃分成彼此分離的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。打底層形成在所述氧化層的所述第二部分外表面，以部分地包覆氧化層。修補層形成於打底層上，修補層的材料是由一酸類和一鹼類與進行化成反應後所形成。導電高分子層形成在修補層上。導電膠層形成於導電高分子層上。導電膠層包括一銀膠層。電容器單元在25伏特、10毫安培的檢測條件下的漏電流小於或等於100μA。

在本發明的一實施例中，打底層的材料為以化學聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自摻雜聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子複合物或其組合物。

在本發明的一實施例中，導電膠層包括一碳膠層，碳膠層形成於導電高分子層上，銀膠層形成於碳膠層上。

在本發明的一實施例中，電容器單元是由前述製造方法所製得。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器單元及其製造方法，其能通過“浸泡打底層於一化成液”以及“於打底層上形成一修補層”的技術特徵，以提升電容器單元的電氣性能。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電容器單元及其製造方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件，但這些元件不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

首先，請參閱圖1所示，電容器可以是一堆疊型電容器單元，電容器單元10可包括一金屬箔片100、一氧化層101、一打底層102、一修補層103、一導電高分子層104和一導電膠層。

依據不同的使用需求，金屬箔片100可以是鋁、銅或者任何的金屬材料。並且，金屬箔片100的外表面具有一多孔性腐蝕層，也就是說，金屬箔片100可以是一具有多孔性腐蝕層的腐蝕箔片。氧化層101形成於金屬箔片100的一外表面上，且氧化層101會包覆金屬箔片100的外表面。另外，由於金屬箔片100的外表面具有多孔性腐蝕層，故氧化層101會沿著多孔性腐蝕層的形狀形成於金屬箔片100上（如圖2所示）。微觀而言，金屬箔片的表面形成有多個微細孔1000，一部分的氧化層101形成於金屬箔片100的微細孔1000中。打底層102設置於氧化層101的一外表面上，並包覆一部分的氧化層101。修補層103設置於打底層102上。導電高分子層104設置於修補層103的一外表面上，並完整包覆修補層103的外表面。導電膠層形成在導電高分子層104的一外表面上，並完整包覆導電高分子層104的外表面。簡言之，金屬箔片100的外表面由內至外分別依序設置有氧化層101、打底層102、修補層103、導電高分子層104和導電膠層。

具體來說，導電膠層至少包括一銀膠層106，銀膠層106可直接設置於導電高分子層104的外表面。或者，導電膠層可包括一碳膠層105和銀膠層106（如圖1所示），碳膠層105設置於導電高分子層104的外表面，並完整包覆導電高分子層104的外表面。銀膠層106形成在碳膠層105的一外表面上，並完整包覆碳膠層105的外表面。也就是說，導電膠層至少包含銀膠層106，另可選擇性在銀膠層106與導電高分子層104之間設置碳膠層105。

除此之外，請參閱圖1所示，電容器單元10還進一步包括：一圍繞狀阻隔層107，圍繞狀阻隔層107圍繞地形成在氧化層101的外表面上，以將氧化層101的外表面劃分成彼此分離的一第一部分外表面1011以及一第二部分外表面1012。打底層102設置於氧化層101的第二部分外表面1012上，並完整包覆氧化層101的第二部分外表面1012。

圍繞狀阻隔層107的一外周圍表面1071相對於氧化層101的距離會大於、小於或者等於銀膠層106的一外周圍表面1061相對於氧化層101的距離。較佳的，圍繞狀阻隔層107的一外周圍表面1071相對於氧化層101的距離大於或等於銀膠層106的一外周圍表面1061相對於氧化層101的距離。於本實施例中，圍繞狀阻隔層107的一外周圍表面1071相對於氧化層101的距離恰等於銀膠層106的一外周圍表面1061相對於氧化層101的距離。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。

承上所敘述，於本實施例中，打底層102的一末端、修補層103的一末端、導電高分子層104的一末端、碳膠層105的一末端以及銀膠層106的一末端都會接觸或分離圍繞狀阻隔層107。於一較佳實施例中，打底層102的末端、修補層103的末端、導電高分子層104的末端、碳膠層105的末端以及銀膠層106的末端都會接觸圍繞狀阻隔層107，以使得打底層102的長度、修補層103的長度、導電高分子層104的長度、碳膠層105的長度以及銀膠層106的長度都受到圍繞狀阻隔層107的限制。另外，依據不同的使用需求，圍繞狀阻隔層107可以是一種可由任何的導電材料（例如Al或者Cu）所製成的導電層，或者是一種可由任何的絕緣材料（例如環氧樹脂（epoxy）或者矽（silicon））所製成的絕緣層。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。

為了製備前述的電容器單元10，請合併參閱圖1和圖3所示，圖3為本發明電容器單元10的製造方法的流程步驟圖。

首先，在步驟S100中，提供一金屬箔片100，並氧化金屬箔片100，以於金屬箔片100的外表面形成一氧化層101。

接著，在步驟S102中，於氧化層101上形成一圍繞狀阻隔層107，圍繞狀阻隔層107圍繞設置於氧化層101的一外表面上，並將氧化層101的外表面劃分為彼此分離的一第一部分外表面1011和一第二部分外表面1012。

然後，在步驟S104中，形成一打底層102於氧化層101的第二部分外表面1012，以部分地包覆所述氧化層101。打底層102的材料是以化學聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自摻雜聚二氧乙基噻吩（self-doped PETOT，S-PEDOT）、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子複合物（PEDOT：PSS）或其組合物。

在形成打底層102時（步驟S104），氧化層101可能會因此受損。因此，在步驟S106中，使打底層102浸泡於一化成液中進行化成反應，以電化學的方式修補氧化層101。化成液中包含一酸類和一鹼類。

為了提升化成反應效果，可在30°C至80°C的溫度下進行20分鐘至60分鐘的化成反應。在本實施例中，化成液中的固含量為1重量百分濃度至25重量百分濃度，調控化成液的pH酸鹼值為3至7，以提升化成反應的效率。

於本實施例中，酸類為弱酸。具體來說，化成液中的酸類可以是醋酸、硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸、苯二甲酸、檸檬酸、草酸、丙醇二酸、蘋果酸、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸、乙二胺四乙酸及其鹽類中的至少一種。另外，於一較佳實施例中，酸類的鹽類較佳為鈉鹽、鉀鹽或銨鹽中的至少一種。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

另一方面，化成液中的鹼類可以是有機胺及其鹽類、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、硼砂、碳酸鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉和碳酸氫鈉中的至少一種。另外，於一較佳實施例中，有機胺的鹽類較佳為硼酸鹽、磷酸鹽或羧酸鹽中的至少一種。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。

於一較佳實施例中，化成液中的鹼類是有機胺及其鹽類，有機胺及其鹽類可以是碳數為2至10的二胺類、碳數為2至10的三胺類、碳數為4至12的環狀胺類、碳數為4至12的芳香族胺類或其鹽類中的至少一種。

具體來說，碳數為2至10的二胺類可以是乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺或其鹽類，但不限於上述。碳數為2至10的三胺類可以是二乙烯三胺或其鹽類，但不限於上述。碳數為4至12的環狀胺類可以是哌嗪、嗎啉、哌啶、咪唑或三聚氰胺。例如：1-（2-羥乙基）哌嗪、1-（2-氨基乙基）哌嗪、4-（2-氨基乙基）嗎啉、1-（2-吡啶基）哌嗪、1-（2-氨基乙基）哌啶、1-（3-氨基丙基）咪唑或三聚氰胺，但不限於上述。碳數為4至12的芳香族胺類可以是苯碸，例如：4,4'-二氨基二苯碸，但不限於上述。

於其他實施例中，化成液中可進一步包括一助劑，助劑的添加，可以幫助去除打底層102中的金屬離子。助劑可以是金屬螯合劑或是弱酸鹽類。舉例來說，助劑可以是選自於由下列所構成的群組：磷酸二氫銨、磷酸氫二銨、乙二胺四乙酸、酒石酸鉀鈉、檸檬酸鈉、檸檬酸銨、葡萄糖酸鈉、葡萄糖酸銨和其組合物。

並且，在化成液中，胺類與助劑的莫耳比為1：0.01至0.5。較佳的，胺類與助劑的莫耳比為1：0.01至0.3。

於其他實施例中，化成液中可進一步包括一胺基苯甲酸類，在添加了胺基苯甲酸類之後，可進一步提升化成液對氧化層101的修補效果。在添加了胺基苯甲酸類之後，化成液是一固成分為1.0重量百分濃度至25重量百分濃度的水溶液。胺基苯甲酸類可以是經取代或未取代的胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一種。舉例來說，胺基苯甲酸可以是對胺基苯甲酸、間胺基苯甲酸、鄰胺基苯甲酸或對二甲胺基苯甲酸；另外，胺基苯二甲酸可以是2-胺基對苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸或5-胺基間苯二甲酸。然而，本發明不以此為限。

在步驟S108中，乾燥打底層102，以於打底層102上形成一修補層103，以達到降低電容器單元10的漏電流與提升電容器單元10電氣性質的作用。乾燥打底層102的方式，可以是將打底層102置於70°C至150°C的溫度下10分鐘至60分鐘。然而，乾燥的方式並不限於上述，只要可於打底層102上形成修補層103，即在本發明所保護的範圍內。

於步驟S110中，於修補層103上形成一導電高分子層104。形成導電高分子層104的材料包含聚苯胺（polyaniline，PAni）、聚吡咯（polypyrrole，PPy）及聚噻吩（polythiophene，PTh）等材料及其衍生物。此外，聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子（PEDOT：PSS）複合物具有優異的導電性，且相較於其他高分子（例如PAni和PPy等），PEDOT：PSS複合物具有較低的聚合速率，因此可在常溫下進行聚合反應而降低的製備的困難度。另外，PEDOT：PSS複合物更具有相較於其他高分子較佳的耐候性及耐熱性。除此之外，PEDOT：PSS複合物還具有良好分散性、低生產成本、高透明度以及優異的處理性（processability）。因此，使用PEDOT：PSS複合物作為形成導電高分子層104的材料對於電容器單元10的電氣效果的提升有很大的助益。於一較佳實施例中，形成導電高分子層104的材料為PEDOT：PSS複合物。

接著，在步驟S112中，於導電高分子層104上形成一碳膠層105。

最後，在步驟S114中，再於碳膠層105上形成一銀膠層106，便可完成電容器單元10的製備。舉例來說，依據不同的使用需求，形成銀膠層106所使用的材料包括40重量百分比至90重量百分比的銀粉、0.1重量百分比至5重量百分比的分散劑、1重量百分比至10重量百分比的水溶性樹脂、5重量百分比至40重量百分比的溶劑以及餘量的水。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。

[修補效果測試]

為證實本發明浸泡於化成液中所可達成的功效，本發明分別配製不同的化成液。在實施例1至7中，電容器單元10所浸泡的化成液的詳細成分如下表1所示。比較例1中的電容器單元10不浸泡化成液。

具體來說，在實施例1、2中，先配製胺類濃度為1M的溶液，再添加適量的酸類，使得鹼類和酸類的莫耳比為1：0.5，便可完成實施例1、2中化成液的配製。

具體來說，在實施例3至5中，先配製胺類濃度為1M的溶液，再添加適量的酸類，使得鹼類和酸類的莫耳比為1：0.5，再添加適量的助劑，使得鹼類和助劑的莫耳比為1：0.2，便可完成實施例3至5中化成液的配製。

具體來說，在實施例6、7中，先配製鹼類濃度為0.8M的溶液，並添加適量的胺基苯甲酸使胺基苯甲酸的濃度為0.2M。再添加適量的酸類，使得鹼類和酸類的莫耳比為1：0.5，並添加適量的助劑，使得鹼類和助劑的莫耳比為1：0.2，便可完成實施例6、7中化成液的配製。

表1：

	化成液成分
鹼類	酸類	胺基苯甲酸類	助劑
實施例1	戊二胺	己二酸	-	-
實施例2	氨水	醋酸	-	-
實施例3	1-（2-羥乙基）哌嗪	苯甲酸	-	乙二胺四乙酸
實施例4	1-（2-氨基乙基）哌啶	硼酸	-	檸檬酸鈉
實施例5	1-（2-氨基乙基）哌嗪	對甲苯磺酸	-	酒石酸鉀鈉
實施例6	1-（2-氨基乙基）哌嗪	磷酸	對-胺基苯甲酸	酒石酸鉀鈉
實施例7	1-（2-氨基乙基）哌嗪	磷酸	5-胺基間苯二甲酸	酒石酸鉀鈉

打底層102浸泡於化成液後，在30°C至80°C的溫度下進行20分鐘至60分鐘的化成反應。接著，在70°C至150°C的溫度下乾燥10分鐘至60分鐘。待溫度降至室溫後，於25伏特、10毫安培的條件下進行漏電流測試，其結果如下表2所示。

表2：

	漏電流
比較例1	803μA
實施例1	15μA
實施例2	27μA
實施例3	13μA
實施例4	39μA
實施例5	18μA
實施例6	22μA
實施例7	54μA

根據表2的結果可得知，相較於比較例1的結果，本發明的化成液可修補氧化層101，以提升電容器單元10的電氣特性（降低漏電流）。具體來說，本發明的電容器單元10的漏電流小於100μA。較佳的，本發明的電容器單元10的漏電流小於80μA。

當化成液中包含鹼類和酸類時，電容器單元10的漏電流小於30μA（實施例1、2）。當化成液中包含鹼類、酸類和助劑時，電容器單元10的漏電流小於40μA（實施例3至5）。當化成液中包含鹼類、酸類、助劑和胺基苯甲酸類時，電容器單元10的漏電流小於60μA（實施例6、7）。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器單元10及其製造方法，其能通過“浸泡打底層102於一化成液”以及“於打底層102上形成一修補層103”的技術特徵，以提升電容器單元10的電氣性能。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器單元10及其製造方法，其能通過“所述化成液中進一步包括一胺基苯甲酸類”的技術特徵，以提升電容器單元10的電氣性能，使電容器單元10的漏電流小於60μA。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電容器單元10及其製造方法，其能通過“所述化成液中進一步包括一助劑”的技術特徵，以提升電容器單元10的電氣性能，使電容器單元10的漏電流小於40μA。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

10:電容器單元 100:金屬箔片 1000:微細孔 101:氧化層 1011:第一部分外表面 1012:第二部分外表面 102:打底層 103:修補層 104:導電高分子層 105:碳膠層 106:銀膠層 1061:外周圍表面 107:圍繞狀阻隔層 1071:外周圍表面

圖1為本發明電容器單元的側視示意圖。

圖2為圖1的II部分的放大示意圖。

圖3為本發明電容器單元的製造方法的步驟流程圖。

指定代表圖為流程圖，故無符號簡單說明

Claims

一種電容器單元的製造方法，其包括：提供一金屬箔片，所述金屬箔片的外表面上形成有一氧化層；形成一圍繞狀阻隔層於所述氧化層上，所述圍繞狀阻隔層圍繞地形成在所述氧化層的一外表面上，以將所述氧化層的所述外表面劃分成彼此分離的一第一部分外表面以及一第二部分外表面；於所述氧化層的所述第二部分外表面上形成一打底層，以部分地包覆所述氧化層；浸泡所述打底層於一化成液中，所述化成液包含一鹼類與一酸類；乾燥所述打底層，以於所述打底層上形成一修補層；以及形成一導電高分子層於所述修補層上；形成一導電膠層於所述導電高分子層上，所述導電膠層包括一銀膠層。
如請求項1所述電容器單元的製造方法，其中，所述酸類是選自於由下列所構成的群組：醋酸、硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸、苯二甲酸、檸檬酸、草酸、丙醇二酸、蘋果酸、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸、乙二胺四乙酸及其鹽類中的至少一種；所述鹼類是選自於由下列所構成的群組：有機胺及其鹽類、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、硼砂、碳酸鉀、碳酸氫鉀、碳酸鈉和碳酸氫鈉中的至少一種。
如請求項2所述電容器單元的製造方法，其中，所述有機胺及其鹽類是選自於由下列所構成的群組：碳數為2至10的二胺類、碳數為2至10的三胺類、含氮雜環及其鹽類中的至少一種。
如請求項2所述電容器單元的製造方法，其中，所述有機胺及其鹽類是選自於由下列所構成的群組：乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、二乙烯三胺、1-（2-羥乙基）哌嗪、1-（2-氨基乙基）哌嗪、4-（2-氨基乙基）嗎啉、1-（2-吡啶基）哌嗪、1-（2-氨基乙基）哌啶、1-（3-氨基丙基）咪唑、三聚氰胺及其對應的硼酸鹽、磷酸鹽或羧酸鹽中的至少一種。
如請求項1所述電容器單元的製造方法，其中，所述鹼類和所述酸類的莫耳比為1：0.3至0.7。
如請求項1所述電容器單元的製造方法，其中，所述化成液中進一步包括一胺基苯甲酸類，所述胺基苯甲酸類為胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一種。
如請求項6所述電容器單元的製造方法，其中，所述胺基苯甲酸類是選自於由下列所構成的群組：對胺基苯甲酸、間胺基苯甲酸、鄰胺基苯甲酸、對二甲胺基苯甲酸、2-胺基對苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸、5-胺基間苯二甲酸和其組合物。
如請求項1所述電容器單元的製造方法，其中，所述化成液中進一步包括一助劑，所述助劑是選自於由下列所構成的群組：磷酸二氫銨、磷酸氫二銨、乙二胺四乙酸、酒石酸鉀鈉、檸檬酸鈉、檸檬酸銨、葡萄糖酸鈉、葡萄糖酸銨和其組合物。
如請求項8所述電容器單元的製造方法，其中，所述胺類與所述助劑的莫耳比為1：0.01至0.5。
一種電容器單元，其包括：一金屬箔片，所述金屬箔片的外表面形成有一氧化層；一圍繞狀阻隔層，所述圍繞狀阻隔層圍繞地形成在所述氧化層的一外表面上，以將所述氧化層的所述外表面劃分成彼此分離的一第一部分外表面以及一第二部分外表面；一打底層，所述打底層形成在所述氧化層的所述第二部分外表面，以部分地包覆氧化層；一修補層，所述修補層形成於所述打底層上，所述修補層的材料是由一酸類和一鹼類進行化成反應後所形成；一導電高分子層，所述導電高分子層形成在所述修補層上；以及一導電膠層，所述導電膠層形成於所述導電高分子層上，所述導電膠層包括一銀膠層；其中，所述電容器單元在125°C的溫度下負載300小時，於25伏特、10毫安培的檢測條件下的漏電流小於或等於100μA。
如請求項10所述的電容器單元，其中，所述打底層的材料為化學聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自摻雜聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子複合物或其組合物。
如請求項10所述的電容器單元，其中，所述導電膠層包括一碳膠層，所述碳膠層形成於所述修補層上，所述銀膠層形成於所述碳膠層上。
如請求項10所述的電容器單元，其中，所述電容器單元是由如請求項1至9中任一項所述電容器單元的製造方法所製得。