CN113410057B - 电容器单元及其制造方法 - Google Patents
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Classifications
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Abstract
本发明公开一种电容器单元及其制造方法，电容器单元的制造方法包括：提供一金属箔片，金属箔片的外表面上形成有一氧化层。形成一围绕状阻隔层于氧化层上，以将氧化层的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。于氧化层上形成一打底层，以部分地包覆氧化层。配制一清洗溶液，清洗溶液中包含一胺类及一酸类。以清洗溶液清洗打底层并进行干燥。形成一导电高分子层于打底层上。形成一导电胶层于导电高分子层上，导电胶层包括一银胶层。
Description
技术领域
本发明涉及一种电容器单元及其制造方法，特别是涉及一种经清洗溶液清洗的电容器单元及其制造方法。
背景技术
电容器已被广泛地使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品、及汽车等的基本组件，其主要的作用包括：滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等。故电容器是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质及用途，有不同的型态，包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。现有技术中，固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，而可使用于中央处理器的电源电路的解耦合作用上。固态电解电容器是以固态电解质取代液态电解液作为阴极，而导电高分子基于其高导电性、制作过程容易等优点已被广泛应用于固态电解电容的阴极材料。
可用于固态电容器之阴极的导电高分子包含聚苯胺(polyaniline，PAni)、聚吡咯(polypyrrole，PPy)及聚噻吩(polythiophene，PTh)等材料及其衍生物。其中，聚二氧乙烯基噻吩：聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)复合物具有优异的导电性，且相较于其他高分子，例如PAni及PPy等，PEDOT：PSS复合物具有较低的聚合速率，因此可在常温下进行聚合反应而降低制备的困难度。另外，PEDOT：PSS复合物更具有相较于其他高分子较佳的耐候性及耐热性。除此之外，PEDOT：PSS复合物还具有良好分散性、低生产成本、高透明度以及优异的处理性(Processability)。因此，使用PEDOT：PSS复合物作为形成电容器的阴极部上导电高分子层的原料，对于电容器的电气效果的提升有很大的帮助。
然而在本领域中，目前仍有需要提供一种于电容器单元以及制备电容器单元的方法，以进一步提升电容器的整体电气性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电容器单元及其制造方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种电容器单元的制造方法。电容器单元的制造方法包括下述步骤：提供一金属箔片，金属箔片的外表面上形成有一氧化层。形成一围绕状阻隔层于氧化层上，围绕状阻隔层围绕地形成在氧化层的一外表面上，以将氧化层的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。于氧化层的第二部分外表面上形成一打底层，以部分地包覆氧化层。配制一清洗溶液，清洗溶液中包含一胺类及一酸类。以清洗溶液清洗打底层，并进行干燥。形成一导电高分子层于打底层的第二部分外表面上。形成一导电胶层于导电高分子层上，导电胶层包括一银胶层。
优选地，打底层的材料是化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物。
优选地，清洗溶液中进一步包括一胺基苯甲酸类，胺基苯甲酸类为胺基苯甲酸和胺基苯二甲酸中的至少一种。
优选地，胺基苯甲酸类是选自于由下列所构成的群组：对胺基苯甲酸、间胺基苯甲酸、邻胺基苯甲酸、对二甲胺基苯甲酸、2-胺基对苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸、5-胺基间苯二甲酸及其组合物。
优选地，胺类具有至少两个胺基，酸类为弱酸，胺类及酸类的摩尔比为1：0.3至0.7。
优选地，胺类是选自于由下列所构成的群组：碳数为2至10的二胺类、碳数为2至10的三胺类、碳数为4至12的环状胺类、碳数为4至12的芳香族胺类及其盐类中的至少一种。
优选地，胺类是选自于由下列所构成的群组：乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、4,4'-二氨基二苯砜、二乙烯三胺、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-(2-氨基乙基)吗啉、1-(2-吡啶基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(3-氨基丙基)咪唑、三聚氰胺及其盐类中的至少一种。
优选地，酸类是选自于由下列所构成的群组：硼酸、磷酸、苯甲酸、甲酸、醋酸、水杨酸、苯酚、对甲苯磺酸及其组合物。
优选地，清洗溶液中进一步包括一助剂，助剂是选自于由下列所构成的群组：磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、葡萄糖酸钠、葡萄糖酸铵及其组合物。
优选地，胺类与助剂的摩尔比为1：0.01至0.5。
优选地，导电胶层包括一碳胶层，碳胶层形成于导电高分子层上，银胶层形成于碳胶层上。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种电容器单元。电容器单元包括一金属箔片、一氧化层、一围绕状阻隔层、一打底层、一导电高分子层及一导电胶层，氧化层形成于金属箔片的外表面。围绕状阻隔层围绕地形成在氧化层的一外表面上，以将氧化层的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。打底层形成在氧化层的第二部分外表面。导电高分子层形成在打底层。导电胶层形成于导电高分子层上。导电胶层包括一银胶层。其中，电容器单元在125℃的温度下负载300小时，于25伏特、10毫安的检测条件下的漏电流小于或等于450μA，且等效串联电阻小于29mΩ。
优选地，打底层的材料为化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物。
优选地，电容器单元是由如前述的电容器单元的制造方法所制得，胺类及酸类附着于打底层上。
优选地，导电胶层包括一碳胶层，碳胶层形成于导电高分子层上，银胶层形成于碳胶层上。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明电容器单元的侧视示意图。
图2为图1的II部分的放大示意图。
图3为本发明第一实施例的电容器单元的制造方法的步骤流程图。
图4为本发明第二实施例的电容器单元的制造方法的步骤流程图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实例，来说明本发明所公开有关“电容器单元及其制造方法”的实施方式。
首先，请参阅图1所示，电容器可以是一堆叠型电容器单元10，电容器单元10可包括一金属箔片100、一氧化层101、一打底层102、一导电高分子层103及一导电胶层。
依据不同的使用需求，金属箔片100可以是铝、铜或者任何的金属材料。并且，金属箔片100的外表面具有一多孔性腐蚀层，也就是说，金属箔片100可以是一具有多孔性腐蚀层的腐蚀箔片。氧化层101形成于金属箔片100的一外表面上，且氧化层101会包覆金属箔片100的外表面。另外，由于金属箔片100的外表面具有多孔性腐蚀层，故氧化层101会沿着多孔性腐蚀层的形状形成于金属箔片100上(如图2所示)。微观而言，金属箔片的表面形成有多个微细孔1000，一部分的氧化层101形成于金属箔片100的微细孔1000中。打底层102设置于氧化层101的一外表面上，并包覆一部分的氧化层101。导电高分子层103设置于打底层102上。导电胶层设置于导电高分子层103上，并完整包覆导电高分子层103的一外表面。简言之，金属箔片100的外表面由内至外分别依序设置有氧化层101、打底层102、导电高分子层103及导电胶层。
具体来说，导电胶层至少包括一银胶层105，银胶层105可直接设置于导电高分子层103的外表面。或者，导电胶层可包括一碳胶层104及银胶层105(如图1所示)，碳胶层104设置于导电高分子层103的外表面，并完整包覆导电高分子层103的外表面；银胶层105形成在碳胶层104的一外表面上，并完整包覆碳胶层104的外表面。也就是说，导电胶层至少包含银胶层105，另可选择性在银胶层105与导电高分子层103之间设置碳胶层104。
除此之外，请参阅图1所示，电容器单元10进一步包括：一围绕状阻隔层106，围绕状阻隔层106围绕地形成在氧化层101一部分的外表面上，如此便可将氧化层101的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面1011以及一第二部分外表面1012。打底层102设置于氧化层101的第二部分外表面1012上，并完整包覆氧化层101的第二部分外表面1012。
围绕状阻隔层106的一外周围表面1061相对于氧化层101的距离会大于、小于或者等于银胶层105的一外周围表面1051相对于氧化层101的距离。较佳的，围绕状阻隔层106的一外周围表面1061相对于氧化层101的距离大于或等于银胶层105的一外周围表面1051相对于氧化层101的距离。于本实施例中，围绕状阻隔层106的一外周围表面1061相对于氧化层101的距离恰等于银胶层105的一外周围表面1051相对于氧化层101的距离。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
承上所叙述，于本实施例中，打底层102的一末端、导电高分子层103的一末端、碳胶层104的一末端以及银胶层105的一末端都会接触或分离围绕状阻隔层106。于一较佳实施例中，打底层102的末端、导电高分子层103的末端、碳胶层104的末端以及银胶层105的末端都会接触围绕状阻隔层106，以使得打底层102的长度、导电高分子层103的长度、碳胶层104的长度以及银胶层105的长度都受到围绕状阻隔层106的限制。另外，依据不同的使用需求，围绕状阻隔层106可以是一种可由任何的导电材料(例如Al或者Cu)所制成的导电层，或者是一种可由任何的绝缘材料(例如环氧树脂(epoxy)或者硅(silicon))所制成的绝缘层。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
为了制备前述的电容器单元10，请合并参阅图1及图3所示，图3为本发明第一实施例的电容器单元10的制造方法的流程步骤图。
首先，在步骤S100中，提供一金属箔片100，并氧化金属箔片100，以于金属箔片100的外表面形成一氧化层101。
接着，在步骤S102中，于氧化层101上形成一围绕状阻隔层106，围绕状阻隔层106围绕设置于氧化层101一部分的一外表面上，并将氧化层101的外表面划分为彼此分离的一第一部分外表面1011及一第二部分外表面1012。
在步骤S104中，形成一打底层102于氧化层101的第二部分外表面1012，以部分地包覆氧化层101。打底层102的材料是以化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩(self-doped PETOT，S-PEDOT)、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物(PEDOT：PSS)或其组合物。
然后，在步骤S106中，配制一清洗溶液，清洗溶液中包括一酸类及一胺类。于本实施例中，清洗溶液是一固成分为1.0重量百分浓度至25重量百分浓度的水溶液。在清洗溶液中，胺类及酸类的摩尔比为1：0.3至0.7。通过调控胺类及酸类的摩尔比例，可具有较佳的清洗效果，如此，可达到降低电容器单元10的漏电流与提升电容器单元10电气性质的作用。
于本实施例中，胺类具有至少两个胺基，并且可以是碳数为2至10的二胺类、碳数为2至10的三胺类、碳数为4至12的环状胺类、碳数为4至12的芳香族胺类或其盐类中的至少一种。具体来说，碳数为2至10的二胺类可以是乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、邻苯二胺、间苯二胺或对苯二胺，但不限于上述。碳数为2至10的三胺类可以是二乙烯三胺，但不限于上述。碳数为4至12的环状胺类可以是哌嗪、吗啉、哌啶、咪唑或三聚氰胺。例如：1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-(2-氨基乙基)吗啉、1-(2-吡啶基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(3-氨基丙基)咪唑或三聚氰胺，但不限于上述。碳数为4至12的芳香族胺类可以是苯砜，例如：4,4'-二氨基二苯砜，但不限于上述。
于本实施例中，酸类为弱酸。具体来说，酸类可以是选自于由下列所构成的群组：硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸、苯二甲酸、柠檬酸、草酸、丙醇二酸、苹果酸、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸与对甲苯磺酸中的至少一种。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例，而并非用以限定本发明。
在步骤S108中，以清洗溶液清洗打底层102，并进行干燥。清洗溶液的使用可去除打底层102中的金属离子与其他杂质。一般来说，打底层102在形成时，通常会掺杂有金属离子及杂质，使得电容器单元10的漏电流增加，并负面影响电容器单元10的电气特性。于本实施例中，将打底层102置于70℃至110℃的温度下干燥5分钟至30分钟，即可完成清洗的步骤。值得注意的是，在步骤S106之后，清洗溶液中的胺类及酸类会附着于打底层102上。
在步骤S110中，将打底层102浸泡于一导电高分子溶液中，并形成一导电高分子层103。导电高分子层103的材料可以包含聚苯胺(polyaniline，PAni)、聚吡咯(polypyrrole，PPy)及聚噻吩(polythiophene，PTh)等材料及其衍生物。举例来说，导电高分子层103的材料可以是聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物。其中，聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子(PEDOT：PSS)复合物具有优异的导电性，且相较于其他高分子(例如PAni及PPy等)，PEDOT：PSS复合物具有较低的聚合速率，因此可在常温下进行聚合反应而降低制备的困难度。
值得注意的是，导电高分子层103的材料可以与打底层102的材料相同或不同，也就是说，在本发明的电容器单元10中，打底层102与导电高分子层103可以一体成形，也可以是两个独立的层体。另外，导电高分子层103形成的方式可以与打底层102形成的方式相同或不同。
接着，在步骤S112中，于导电高分子层103上形成一碳胶层104。
最后，在步骤S114中，再于碳胶层104上形成一银胶层105，便可完成电容器单元10的制备。举例来说，基于形成银胶层105所使用的材料的总重为100重量百分比，形成银胶层105所使用的材料可包括40重量百分比至90重量百分比的银粉、0.1重量百分比至5重量百分比的分散剂、1重量百分比至10重量百分比的水溶性树脂、5重量百分比至40重量百分比的溶剂以及余量的水。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
另外，请合并参阅图1及图4所示，图4为本发明第二实施例的电容器单元10的制造方法的流程步骤图。
在第二实施例的电容器单元10的制造方法中，包括了与第一实施例相似的步骤S100至S114，其差异在于：第二实施例在步骤S106中的清洗溶液中进一步包括一胺基苯甲酸类，在添加了胺基苯甲酸类之后，可进一步提升清洗溶液对打底层102的清洗效果。
于第二实施例中，清洗溶液是一固成分为1.0重量百分浓度至25重量百分浓度的水溶液。胺基苯甲酸类可以是经取代或未取代的胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一种。举例来说，胺基苯甲酸可以是对胺基苯甲酸、间胺基苯甲酸、邻胺基苯甲酸或对二甲胺基苯甲酸；另外，胺基苯二甲酸可以是2-胺基对苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸或5-胺基间苯二甲酸。然而，本发明不以此为限。
于其他实施例中，清洗溶液中还可进一步包括一助剂，助剂的添加，可以帮助去除打底层102中的金属离子。助剂可以是金属螯合剂或是弱酸盐类。举例来说，助剂可以是选自于由下列所构成的群组：磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、葡萄糖酸钠、葡萄糖酸铵及其组合物。
并且，在清洗溶液中，胺类与助剂的摩尔比为1：0.01至0.5。优选的，胺类与助剂的摩尔比为1：0.01至0.3。
[清洗效果测试]
为证实本发明清洗溶液成分所可达成的功效，本发明分别配制不同的清洗溶液，实施例1至7中清洗溶液的详细成分如下表1所示，比较例1至3中清洗溶液的详细成分如下表2所示。
具体来说，在实施例1、2中，先配制胺类浓度为1M的溶液，再添加适量的酸类，使得胺类及酸类的摩尔比为1：0.5，便可完成实施例1、2中清洗溶液的配制。在实施例3至5中，先配制胺类浓度为1M的溶液，根据胺类及酸类的摩尔比为1：0.5的比例添加对应的酸类，再添加适量的助剂，使得胺类及助剂的摩尔比为1：0.2，便可完成实施例3至5中清洗溶液的配制。在实施例6、7中，先配制胺类浓度为0.8M的溶液，并添加适量的胺基苯甲酸使胺基苯甲酸的浓度为0.2M；再添加适量的酸类，使得胺类及酸类的摩尔比为1：0.5，并添加适量的助剂，使得胺类及助剂的摩尔比为1：0.2，便可完成实施例6、7中清洗溶液的配制。
另一方面，在比较例1至3中，分别配制了浓度为0.5M的酸类溶液以及0.5M的胺类溶液。也就是说，比较例1至3并未使用同时包括胺类及酸类的混合溶液，而是将胺类溶液及酸类溶液分开单独使用。
表1：实施例1至7中清洗溶液的详细成分。
表2：比较例1至3中分别使用的胺类溶液及酸类溶液的成分。
| 胺类溶液 | 酸类溶液 | |
| 比较例1 | 戊二胺 | 醋酸 |
| 比较例2 | 1-(2-羟乙基)哌嗪 | 苯甲酸 |
| 比较例3 | 1-(2-氨基乙基)哌啶 | 磷酸 |
为证实本发明清洗溶液成分所可达成的功效，将上述实施例1至7中的清洗溶液用来清洗打底层102，于清洗后，在80℃的温度下干燥20分钟，并冷却至室温。接着，使清洗后的打底层102浸泡于导电高分子溶液中，取出后在125℃的温度下干燥30分钟。待温度降至室温后，于25伏特、10毫安的条件下进行漏电流测试，其结果如下表3所示。
表3：使用实施例1至7的清洗溶液后的漏电流测试结果。
| 漏电流 | |
| 未清洗 | 1130μA |
| 实施例1 | 890μA |
| 实施例2 | 786μA |
| 实施例3 | 604μA |
| 实施例4 | 650μA |
| 实施例5 | 620μA |
| 实施例6 | 420μA |
| 实施例7 | 318μA |
由表3的结果可得知，相较于未进行清洗的单元片而言，本发明的清洗溶液可达到去除打底层102中金属离子以及杂质的效果，因此，具有可有效降低漏电流的功效。
[电气特性测试]
为了证实本发明的清洗溶液可提升电容器单元10的电气特性，本发明分别使用实施例1、5、6、7及比较例1至3的清洗溶液，对打底层102进行清洗，并依前述步骤依序于打底层102上形成导电高分子层103、碳胶层104与银胶层105，以完成电容器单元10的制备。
需特别说明的是，在比较例1至3中，是先以酸类溶液清洗氧化层101，于在80℃的温度下干燥20分钟；再以胺类溶液清洗打底层102，并同样在80℃的温度下干燥20分钟。待降至室温后，根据前述步骤依序于打底层102上形成导电高分子层103、碳胶层104与银胶层105，以完成电容器单元10的制备。
为了比较实际使用时电容器单元10的特性，本发明将实施例1、5、6、7及比较例1至3中的电容器单元10于封装后进行信赖测试，于125℃的温度下负载300小时，并以25伏特、10毫安的条件进行特性测量，结果列于下表4中。
表4：实施例1、5、6、7及比较例1至3中的电容器单元10于封装后的信赖测试结果。
| 等效串联电阻(ESR) | 漏电流 | 备注 | |
| 未清洗 | - | - | 封装后短路 |
| 实施例1 | 24mΩ | 226μA | |
| 实施例5 | 26mΩ | 180μA | |
| 实施例6 | 28mΩ | 126μA | |
| 实施例7 | 24mΩ | 120μA | |
| 比较例1 | 38mΩ | 683μA | |
| 比较例2 | 30mΩ | 520μA | |
| 比较例3 | 51mΩ | 486μA |
根据表4的结果可得知，相较于比较例1至3的结果，本发明的清洗溶液不仅可去除氧化层中的金属离子及杂质，还可提升电容器单元10的电气特性(降低漏电流与等效串联电阻)。具体来说，本发明的电容器单元10的漏电流小于450μA；并且，本发明的电容器单元10的等效串联电阻小于29mΩ。
[实施例的有益效果]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电容器单元10及其制造方法，其能通过“配制一清洗溶液，清洗溶液中包含一胺类与一酸类”以及“以清洗溶液清洗打底层102，并进行干燥”的技术特征，以提升电容器单元10的电气性能。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电容器单元10及其制造方法，其能通过“清洗溶液中进一步包括一胺基苯甲酸类”的技术特征，以进一步降低电容器单元10于封装后的漏电流。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电容器单元10及其制造方法，其能通过“清洗溶液中进一步包括一助剂”的技术特征，以加强去除氧化层中金属离子的作用，达到更佳的清洗效果。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (13)
1.一种电容器单元的制造方法，其特征在于，所述电容器单元的制造方法包括：
提供一金属箔片，所述金属箔片的外表面上形成有一氧化层；
形成一围绕状阻隔层于所述氧化层上，所述围绕状阻隔层围绕地形成在所述氧化层的一外表面上，以将所述氧化层的所述外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面；
于所述氧化层的所述第二部分外表面上形成一打底层，以部分地包覆所述氧化层，所述打底层的材料是化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物；
配制一清洗溶液，所述清洗溶液中包含一胺类与一酸类；
以所述清洗溶液清洗所述打底层，并进行干燥，以使所述打底层附着有所述胺类及所述酸类；
形成一导电高分子层于所述打底层上；以及
形成一导电胶层于所述导电高分子层上，所述导电胶层包括一银胶层。
2.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述清洗溶液中进一步包括一胺基苯甲酸类，所述胺基苯甲酸类为胺基苯甲酸和胺基苯二甲酸中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述胺基苯甲酸类是选自于由下列所构成的群组：对胺基苯甲酸、间胺基苯甲酸、邻胺基苯甲酸、对二甲胺基苯甲酸、2-胺基对苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸、5-胺基间苯二甲酸及其组合物。
4.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述胺类具有至少两个胺基，所述酸类为弱酸，所述胺类及所述酸类的摩尔比为1：(0.3至0.7)。
5.根据权利要求4所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述胺类是选自于由下列所构成的群组：碳数为2至10的二胺类、碳数为2至10的三胺类、碳数为4至12的环状胺类、碳数为4至12的芳香族胺类及其盐类中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述胺类是选自于由下列所构成的群组：乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、4,4'-二氨基二苯砜、二乙烯三胺、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-(2-氨基乙基)吗啉、1-(2-吡啶基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(3-氨基丙基)咪唑、三聚氰胺及其盐类中的至少一种。
7.根据权利要求4所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述酸类是选自于由下列所构成的群组：硼酸、磷酸、苯甲酸、甲酸、醋酸、水杨酸、苯酚、对甲苯磺酸及其组合物。
8.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述清洗溶液中进一步包括一助剂，所述助剂是选自于由下列所构成的群组：磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、葡萄糖酸钠、葡萄糖酸铵及其组合物。
9.根据权利要求8所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述胺类与所述助剂的摩尔比为1：(0.01至0.5)。
10.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述导电胶层包括一碳胶层，所述碳胶层形成于所述导电高分子层上，所述银胶层形成于所述碳胶层上。
11.一种电容器单元，其特征在于，所述电容器单元包括：
一金属箔片，所述金属箔片的外表面形成有一氧化层；
一围绕状阻隔层，所述围绕状阻隔层围绕地形成在所述氧化层的一外表面上，以将所述氧化层的所述外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面；
一打底层，所述打底层形成在所述氧化层的所述第二部分外表面，所述打底层的材料为化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物，所述打底层附着有一胺类及一酸类；
一导电高分子层，所述导电高分子层形成在所述打底层；以及
一导电胶层，所述导电胶层形成于所述导电高分子层上，所述导电胶层包括一银胶层；
其中，所述电容器单元在125℃的温度下负载300小时，于25伏特、10毫安的检测条件下的漏电流小于或等于450μA，且等效串联电阻小于29mΩ。
12.根据权利要求11所述的电容器单元，其特征在于，所述电容器单元是由如权利要求1至10中任一项所述的电容器单元的制造方法所制得。
13.根据权利要求11所述的电容器单元，其特征在于，所述导电胶层包括一碳胶层，所述碳胶层形成于所述导电高分子层上，所述银胶层形成于所述碳胶层上。
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