CN113410058A - 电容器单元及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电容器单元及其制造方法，电容器单元的制造方法包括：提供一金属箔片，金属箔片的外表面上形成有一氧化层。形成一围绕状阻隔层于氧化层上，围绕状阻隔层围绕地形成在氧化层的一外表面上，以将氧化层的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。于氧化层的第二部分外表面上形成一打底层，以部分地包覆氧化层。浸泡打底层于包含碱类与酸类的一化成液中。干燥打底层，以于打底层上形成一修补层。形成一导电高分子层于修补层上。形成一导电胶层于导电高分子层上，导电胶层包括一银胶层。
Description
技术领域
本发明涉及一种电容器单元及其制造方法，特别是涉及一种形成有修补层的电容器单元及其制造方法。
背景技术
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通信产品、及汽车等的基本组件，其主要的作用包括：滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等。故电容器是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质及用途，有不同的型态，包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。现有技术中，固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，并可使用于中央处理器的电源电路的解耦合作用上。固态电解电容器是以固态电解质取代液态电解液作为阴极，而导电高分子基于其高导电性、制作过程容易等优点已被广泛应用于固态电解电容的阴极材料。
可用于固态电容器的阴极的导电高分子包含聚苯胺(polyaniline，PAni)、聚吡咯(polypyrrole，PPy)及聚噻吩(polythiophene，PTh)等材料及其衍生物。其中，聚二氧乙烯基噻吩：聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)复合物具有优异的导电性，且相较于其他高分子，例如PAni及PPy等，PEDOT：PSS复合物具有较低的聚合速率，因此可在常温下进行聚合反应而降低制备的困难度。另外，PEDOT：PSS复合物更具有相较于其他高分子优选的耐候性及耐热性。除此之外，PEDOT：PSS复合物还具有良好分散性、低生产成本、高透明度以及优异的处理性(Processability)。因此，使用PEDOT：PSS复合物作为形成电容器的阴极部上导电高分子层的原料，对于电容器的电气效果的提升有很大的帮助。
然而在本领域中，目前仍有需要提供一种于电容器单元以及制备电容器单元的方法，以进一步提升电容器的整体电气性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电容器单元及其制造方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种电容器单元的制造方法。电容器单元的制造方法包括下述步骤：提供一金属箔片，金属箔片的外表面上形成有一氧化层。形成一围绕状阻隔层于氧化层上，围绕状阻隔层围绕地形成在氧化层的一外表面上，以将氧化层的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。形成一打底层于氧化层的第二部分外表面上，以部分地包覆氧化层。浸泡打底层于一化成液中，化成液中包含一碱类与一酸类。干燥打底层，以于打底层上形成一修补层。形成一导电高分子层于修补层上。形成一导电胶层于导电高分子层上，导电胶层包括一银胶层。
优选地，酸类是选自于由下列所构成的群组：醋酸、硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸、苯二甲酸、柠檬酸、草酸、丙醇二酸、苹果酸、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸、乙二胺四乙酸及其盐类中的至少一种；碱类是选自于由下列所构成的群组：有机胺及其盐类、氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、硼砂、碳酸钾、碳酸氢钾、碳酸钠及碳酸氢钠中的至少一种。
优选地，有机胺及其盐类是选自于由下列所构成的群组：碳数为2至10的二胺类、碳数为2至10的三胺类、含氮杂环及其盐类中的至少一种。
优选地，有机胺及其盐类是选自于由下列所构成的群组：乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、二乙烯三胺、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-(2-氨基乙基)吗啉、1-(2-吡啶基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(3-氨基丙基)咪唑、三聚氰胺及其对应的硼酸盐、磷酸盐或羧酸盐中的至少一种。
优选地，碱类及酸类的摩尔比为1：0.3至0.7。
优选地，化成液中进一步包括一胺基苯甲酸类，胺基苯甲酸类为胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一种。
优选地，胺基苯甲酸类是选自于由下列所构成的群组：对胺基苯甲酸、间胺基苯甲酸、邻胺基苯甲酸、对二甲胺基苯甲酸、2-胺基对苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸、5-胺基间苯二甲酸及其组合物。
优选地，化成液中进一步包括一助剂，助剂是选自于由下列所构成的群组：磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、葡萄糖酸钠、葡萄糖酸铵及其组合物。
优选地，胺类及助剂的摩尔比为1：0.01至0.5。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种电容器单元。电容器单元包括一金属箔片、一围绕状阻隔层、一氧化层、一打底层、一修补层、一导电高分子层及一导电胶层，氧化层形成于金属箔片的外表面。围绕状阻隔层围绕地形成在氧化层的一外表面上，以将氧化层的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面。打底层形成在氧化层的第二部分外表面，以部分地包覆氧化层。修补层形成于打底层上，修补层的材料是由一酸类及一碱类进行化成反应后所形成。导电高分子层形成在修补层上。导电胶层形成于导电高分子层上。导电胶层包括一银胶层。电容器单元在25伏特、10毫安的检测条件下的漏电流小于或等于100μA。
优选地，打底层的材料为化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物。
优选地，导电胶层包括一碳胶层，碳胶层形成于修补层上，银胶层形成于碳胶层上。
优选地，电容器单元是由如前述电容器单元的制造方法所制得。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明电容器单元的侧视示意图。
图2为图1的II部分的放大示意图。
图3为本发明电容器单元的制造方法的步骤流程图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实例来说明本发明所公开有关“电容器单元及其制造方法”的实施方式。
首先，请参阅图1所示，电容器可以是一堆叠型电容器单元，电容器单元10可包括一金属箔片100、一氧化层101、一打底层102、一修补层103、一导电高分子层104及一导电胶层。
依据不同的使用需求，金属箔片100可以是铝、铜或者任何的金属材料。并且，金属箔片100的外表面具有一多孔性腐蚀层，也就是说，金属箔片100可以是一具有多孔性腐蚀层的腐蚀箔片。氧化层101形成于金属箔片100的一外表面上，且氧化层101会包覆金属箔片100的外表面。另外，由于金属箔片100的外表面具有多孔性腐蚀层，故氧化层101会沿着多孔性腐蚀层的形状形成于金属箔片100上(如图2所示)。微观而言，金属箔片的表面形成有多个微细孔1000，一部分的氧化层101形成于金属箔片100的微细孔1000中。打底层102设置于氧化层101的一外表面上，并包覆一部分的氧化层101。修补层103设置于打底层102上。导电高分子层104设置于修补层103的一外表面上，并完整包覆修补层103的外表面。导电胶层形成在导电高分子层104的一外表面上，并完整包覆导电高分子层104的外表面。简言之，金属箔片100的外表面由内至外分别依序设置有氧化层101、打底层102、修补层103、导电高分子层104及导电胶层。
具体来说，导电胶层至少包括一银胶层106，银胶层106可直接设置于导电高分子层104的外表面。或者，导电胶层可包括一碳胶层105及银胶层106(如图1所示)，碳胶层105设置于导电高分子层104的外表面，并完整包覆导电高分子层104的外表面。银胶层106形成在碳胶层105的一外表面上，并完整包覆碳胶层105的外表面。也就是说，导电胶层至少包含银胶层106，另可选择性在银胶层106与导电高分子层104之间设置碳胶层105。
除此之外，请参阅图1所示，电容器单元10还进一步包括：一围绕状阻隔层107，围绕状阻隔层107围绕地形成在氧化层101的外表面上，以将氧化层101的外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面1011以及一第二部分外表面1012。打底层102设置于氧化层101的第二部分外表面1012上，并完整包覆氧化层101的第二部分外表面1012。
围绕状阻隔层107的一外周围表面1071相对于氧化层101的距离会大于、小于或者等于银胶层106的一外周围表面1061相对于氧化层101的距离。优选的，围绕状阻隔层107的一外周围表面1071相对于氧化层101的距离大于或等于银胶层106的一外周围表面1061相对于氧化层101的距离。在本实施例中，围绕状阻隔层107的一外周围表面1071相对于氧化层101的距离恰等于银胶层106的一外周围表面1061相对于氧化层101的距离。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
承上所叙述，在本实施例中，打底层102的一末端、修补层103的一末端、导电高分子层104的一末端、碳胶层105的一末端以及银胶层106的一末端都会接触或分离围绕状阻隔层107。在一优选实施例中，打底层102的末端、修补层103的末端、导电高分子层104的末端、碳胶层105的末端以及银胶层106的末端都会接触围绕状阻隔层107，以使得打底层102的长度、修补层103的长度、导电高分子层104的长度、碳胶层105的长度以及银胶层106的长度都受到围绕状阻隔层107的限制。另外，依据不同的使用需求，围绕状阻隔层107可以是一种可由任何的导电材料(例如Al或者Cu)所制成的导电层，或者是一种可由任何的绝缘材料(例如环氧树脂(epoxy)或者硅(silicon))所制成的绝缘层。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
为了制备前述的电容器单元10，请合并参阅图1及图3所示，图3为本发明电容器单元10的制造方法的流程步骤图。
首先，在步骤S100中，提供一金属箔片100，并氧化金属箔片100，以于金属箔片100的外表面形成一氧化层101。
接着，在步骤S102中，于氧化层101上形成一围绕状阻隔层107，围绕状阻隔层107围绕设置于氧化层101的一外表面上，并将氧化层101的外表面划分为彼此分离的一第一部分外表面1011及一第二部分外表面1012。
然后，在步骤S104中，形成一打底层102于氧化层101的第二部分外表面1012，以部分地包覆所述氧化层101。打底层102的材料是以化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩(self-doped PETOT，S-PEDOT)、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物(PEDOT：PSS)或其组合物。
在形成打底层102时(步骤S104)，氧化层101可能会因此受损。因此，在步骤S106中，使打底层102浸泡于一化成液中进行化成反应，以电化学的方式修补氧化层101。化成液中包含一酸类及一碱类。
为了提升化成反应效果，可在30℃至80℃的温度下进行20分钟至60分钟的化成反应。在本实施例中，化成液中的固含量为1重量百分浓度至25重量百分浓度，调控化成液的pH酸碱值为3至7，以提升化成反应的效率。
在本实施例中，酸类为弱酸。具体来说，化成液中的酸类可以是醋酸、硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸、苯二甲酸、柠檬酸、草酸、丙醇二酸、苹果酸、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸、乙二胺四乙酸及其盐类中的至少一种。另外，在一优选实施例中，酸类的盐类优选为钠盐、钾盐或铵盐中的至少一种。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
另一方面，化成液中的碱类可以是有机胺及其盐类、氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、硼砂、碳酸钾、碳酸氢钾、碳酸钠及碳酸氢钠中的至少一种。另外，在一优选实施例中，有机胺的盐类优选为硼酸盐、磷酸盐或羧酸盐中的至少一种。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
在一优选实施例中，化成液中的碱类是有机胺及其盐类，有机胺及其盐类可以是碳数为2至10的二胺类、碳数为2至10的三胺类、碳数为4至12的环状胺类、碳数为4至12的芳香族胺类或其盐类中的至少一种。
具体来说，碳数为2至10的二胺类可以是乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺或其盐类，但不限于上述。碳数为2至10的三胺类可以是二乙烯三胺或其盐类，但不限于上述。碳数为4至12的环状胺类可以是哌嗪、吗啉、哌啶、咪唑或三聚氰胺。例如：1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-(2-氨基乙基)吗啉、1-(2-吡啶基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(3-氨基丙基)咪唑或三聚氰胺，但不限于上述。碳数为4至12的芳香族胺类可以是苯砜，例如：4，4'-二氨基二苯砜，但不限于上述。
在其他实施例中，化成液中可进一步包括一助剂，助剂的添加，可以帮助去除打底层102中的金属离子。助剂可以是金属螯合剂或是弱酸盐类。举例来说，助剂可以是选自于由下列所构成的群组：磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、葡萄糖酸钠、葡萄糖酸铵及其组合物。
并且，在化成液中，胺类与助剂的摩尔比为1：0.01至0.5。优选的，胺类与助剂的摩尔比为1：0.01至0.3。
在其他实施例中，化成液中可进一步包括一胺基苯甲酸类，在添加了胺基苯甲酸类之后，可进一步提升化成液对氧化层101的修补效果。在添加了胺基苯甲酸类之后，化成液是一固成分为1.0重量百分浓度至25重量百分浓度的水溶液。胺基苯甲酸类可以是经取代或未取代的胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一种。举例来说，胺基苯甲酸可以是对胺基苯甲酸、间胺基苯甲酸、邻胺基苯甲酸或对二甲胺基苯甲酸；另外，胺基苯二甲酸可以是2-胺基对苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸或5-胺基间苯二甲酸。然而，本发明不以此为限。
在步骤S108中，干燥打底层102，以于打底层102上形成一修补层103，以达到降低电容器单元10的漏电流与提升电容器单元10电气性质的作用。干燥打底层102的方式，可以是将打底层102置于70℃至150℃的温度下10分钟至60分钟。然而，干燥的方式并不限于上述，只要可于打底层102上形成修补层103，即在本发明所保护的范围内。
在步骤S110中，于修补层103上形成一导电高分子层104。形成导电高分子层104的材料包含聚苯胺(polyaniline，PAni)、聚吡咯(polypyrrole，PPy)及聚噻吩(polythiophene，PTh)等材料及其衍生物。此外，聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子(PEDOT：PSS)复合物具有优异的导电性，且相较于其他高分子(例如PAni及PPy等)，PEDOT：PSS复合物具有较低的聚合速率，因此可在常温下进行聚合反应而降低制备的困难度。另外，PEDOT：PSS复合物更具有相较于其他高分子优选的耐候性及耐热性。除此之外，PEDOT：PSS复合物还具有良好分散性、低生产成本、高透明度以及优异的处理性(processability)。因此，使用PEDOT：PSS复合物作为形成导电高分子层104的材料对于电容器单元10的电气效果的提升有很大的帮助。在一优选实施例中，形成导电高分子层104的材料为PEDOT：PSS复合物。
接着，在步骤S112中，于导电高分子层104上形成一碳胶层105。
最后，在步骤S114中，再于碳胶层105上形成一银胶层106，便可完成电容器单元10的制备。举例来说，依据不同的使用需求，形成银胶层106所使用的材料包括40重量百分比至90重量百分比的银粉、0.1重量百分比至5重量百分比的分散剂、1重量百分比至10重量百分比的水溶性树脂、5重量百分比至40重量百分比的溶剂以及余量的水。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
[修补效果测试]
为证实本发明浸泡于化成液中所可达成的功效，本发明分别配制不同的化成液。在实施例1至7中，电容器单元10所浸泡的化成液的详细成分如下表1所示。比较例1中的电容器单元10不浸泡化成液。
具体来说，在实施例1、2中，先配制胺类浓度为1M的溶液，再添加适量的酸类，使得碱类及酸类的摩尔比为1：0.5，便可完成实施例1、2中化成液的配制。
具体来说，在实施例3至5中，先配制胺类浓度为1M的溶液，再添加适量的酸类，使得碱类及酸类的摩尔比为1：0.5，再添加适量的助剂，使得碱类及助剂的摩尔比为1：0.2，便可完成实施例3至5中化成液的配制。
具体来说，在实施例6、7中，先配制碱类浓度为0.8M的溶液，并添加适量的胺基苯甲酸使胺基苯甲酸的浓度为0.2M。再添加适量的酸类，使得碱类及酸类的摩尔比为1：0.5，并添加适量的助剂，使得碱类及助剂的摩尔比为1：0.2，便可完成实施例6、7中化成液的配制。
表1：
打底层102浸泡于化成液后，在30℃至80℃的温度下进行20分钟至60分钟的化成反应。接着，在70℃至150℃的温度下干燥10分钟至60分钟。待温度降至室温后，在25伏特、10毫安的条件下进行漏电流测试，其结果如下表2所示。
表2：
| 漏电流 | |
| 比较例1 | 803μA |
| 实施例1 | 15μA |
| 实施例2 | 27μA |
| 实施例3 | 13μA |
| 实施例4 | 39μA |
| 实施例5 | 18μA |
| 实施例6 | 22μA |
| 实施例7 | 54μA |
根据表2的结果可得知，相较于比较例1的结果，本发明的化成液可修补氧化层101，以提升电容器单元10的电气特性(降低漏电流)。具体来说，本发明的电容器单元10的漏电流小于100μA。优选的，本发明的电容器单元10的漏电流小于80μA。
当化成液中包含碱类及酸类时，电容器单元10的漏电流小于30μA(实施例1、2)。当化成液中包含碱类、酸类及助剂时，电容器单元10的漏电流小于40μA(实施例3至5)。当化成液中包含碱类、酸类、助剂及胺基苯甲酸类时，电容器单元10的漏电流小于60μA(实施例6、7)。
[实施例的有益效果]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电容器单元10及其制造方法，其能通过“浸泡打底层102于一化成液”以及“于打底层102上形成一修补层103”的技术特征，以提升电容器单元10的电气性能。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电容器单元10及其制造方法，其能通过“所述化成液中进一步包括一胺基苯甲酸类”的技术特征，以提升电容器单元10的电气性能，使电容器单元10的漏电流小于60μA。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的电容器单元10及其制造方法，其能通过“所述化成液中进一步包括一助剂”的技术特征，以提升电容器单元10的电气性能，使电容器单元10的漏电流小于40μA。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (13)
1.一种电容器单元的制造方法，其特征在于，所述电容器单元的制造方法包括：
提供一金属箔片，所述金属箔片的外表面上形成有一氧化层；
形成一围绕状阻隔层于所述氧化层上，所述围绕状阻隔层围绕地形成在所述氧化层的一外表面上，以将所述氧化层的所述外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面；
于所述氧化层的所述第二部分外表面上形成一打底层，以部分地包覆所述氧化层；
浸泡所述打底层于一化成液中，所述化成液包含一碱类与一酸类；
干燥所述打底层，以于所述打底层上形成一修补层；以及
形成一导电高分子层于所述修补层上；
形成一导电胶层于所述导电高分子层上，所述导电胶层包括一银胶层。
2.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述酸类是选自于由下列所构成的群组：醋酸、硼酸、磷酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、丁烯二酸、酒石酸、苯二甲酸、柠檬酸、草酸、丙醇二酸、苹果酸、己三酸、苯甲酸、葡萄糖酸、乙二胺四乙酸及其盐类中的至少一种；所述碱类是选自于由下列所构成的群组：有机胺及其盐类、氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、硼砂、碳酸钾、碳酸氢钾、碳酸钠及碳酸氢钠中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述有机胺及其盐类是选自于由下列所构成的群组：碳数为2至10的二胺类、碳数为2至10的三胺类、含氮杂环及其盐类中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述有机胺及其盐类是选自于由下列所构成的群组：乙二胺、丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、葵二胺、四甲基乙二胺、四甲基丙二胺、四甲基丁二胺、四甲基戊二胺、四甲基己二胺、四甲基庚二胺、四甲基辛二胺、四甲基壬二胺、四甲基葵二胺、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、二乙烯三胺、1-(2-羟乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-(2-氨基乙基)吗啉、1-(2-吡啶基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌啶、1-(3-氨基丙基)咪唑、三聚氰胺及其对应的硼酸盐、磷酸盐或羧酸盐中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述碱类及所述酸类的摩尔比为1：0.3至0.7。
6.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述化成液中进一步包括一胺基苯甲酸类，所述胺基苯甲酸类为胺基苯甲酸或胺基苯二甲酸中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述胺基苯甲酸类是选自于由下列所构成的群组：对胺基苯甲酸、间胺基苯甲酸、邻胺基苯甲酸、对二甲胺基苯甲酸、2-胺基对苯二甲酸、3-胺基苯二甲酸、5-胺基间苯二甲酸及其组合物。
8.根据权利要求1所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，所述化成液中进一步包括一助剂，所述助剂是选自于由下列所构成的群组：磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、柠檬酸钠、柠檬酸铵、葡萄糖酸钠、葡萄糖酸铵及其组合物。
9.根据权利要求8所述的电容器单元的制造方法，其特征在于，胺类及所述助剂的摩尔比为1：0.01至0.5。
10.一种电容器单元，其特征在于，所述电容器单元包括：
一金属箔片，所述金属箔片的外表面形成有一氧化层；
一围绕状阻隔层，所述围绕状阻隔层围绕地形成在所述氧化层的一外表面上，以将所述氧化层的所述外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面；
一打底层，所述打底层形成在所述氧化层的所述第二部分外表面，以部分地包覆氧化层；
一修补层，所述修补层形成于所述打底层上，所述修补层的材料是由一酸类及一碱类进行化成反应后所形成；
一导电高分子层，所述导电高分子层形成在所述修补层上；以及
一导电胶层，所述导电胶层形成于所述导电高分子层上，所述导电胶层包括一银胶层；
其中，所述电容器单元在125℃的温度下负载300小时，在25伏特、10毫安的检测条件下的漏电流小于或等于100μA。
11.根据权利要求10所述的电容器单元，其特征在于，所述打底层的材料为化学聚合法形成的聚二氧乙基噻吩、自掺杂聚二氧乙基噻吩、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸高分子复合物或其组合物。
12.根据权利要求10所述的电容器单元，其特征在于，所述导电胶层包括一碳胶层，所述碳胶层形成于所述修补层上，所述银胶层形成于所述碳胶层上。
13.根据权利要求10所述的电容器单元，其特征在于，所述电容器单元是由根据权利要求1至9中任一项所述电容器单元的制造方法所制得。
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