TWI691517B - 光阻組成物及使用其的光阻膜 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於一種光阻組成物及使用其的光阻膜，所述光 阻組成物能夠形成抑制基腳現象的圖案同時在金屬表面基板上形成精細圖案期間高度靈敏，且能夠產生化學穩定性極佳的光阻膜。所述光阻組成物包括：第一(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及由以下化學式1表示的鍵結至所述主鏈的一個末端的官能基，以及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至所述主鏈的一個末端的硫醇基： 在化學式1中，各取代基的定義與實施方式中所定義的相同。

Description

光阻組成物及使用其的光阻膜
[相關申請案的交叉參考]
本申請案主張2017年11月24日向韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)申請的韓國專利申請案第10-2017-0158923號的申請日的權益，所述專利申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明是關於一種光阻組成物及使用其的光阻膜。更具體言之，本發明是關於一種光阻組成物及使用其的光阻膜，所述光阻組成物能夠產生抑制基腳現象的圖案同時在金屬表面基板上形成精細圖案期間高度靈敏，且能夠製備具有極佳化學穩定性的光阻膜。
感光蝕刻加工(Photofabrication)已成為微加工技術的主流，且封裝技術不斷變成用於製造高密度封裝的方法。
特定言之，隨著半導體輸入/輸出端子的增加，倒裝晶片的使用亦已擴大，且正引入扇出型晶圓級封裝(Fan-Out Wafer Level Packaging；FOWLP)技術。另外，出於使訊號延遲最小化的目的，能夠實現晶片之間的直接連接的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)製程得到發展。就此而言，對凸塊的需求有所增加，且將形成其的凸塊光阻的技術研發視作極為重要的。
就凸塊光阻而言，(i)範圍介於10微米(μm)至100微米的厚膜的靈敏度及解析度應為極佳的，(ii)金屬凸塊應經由電鍍製程形成，從而使得圖案性能(諸如直度、殘留、基腳(footing)以及凹口(notching)特性)應為良好的，且(iii)對電鍍溶液的耐性應為極佳的。
因此，使用化學增幅型光阻以增加厚膜的靈敏度及解析度。大體而言，上述光阻組成物包含(a)樹脂，所述樹脂經酸解離以提高其在鹼性顯影溶液中的可溶性，(b)感光性酸產生劑(光酸產生劑)，以及(c)酸擴散控制劑。
在製造凸塊的製程中，凸塊藉由如下方法形成：首先經由微影製程來製備光阻孔圖案，且接著經由電鍍製程將金屬填充於孔圖案內部。因此，由於將具有金屬表面(諸如Al、Cu、W，或類似金屬)的基板用作電鍍的基底材料，因此光阻在金屬表面上形成圖案。
然而，就自習知化學增幅型光阻組成物得到的光阻而言，在矽或氧化矽基板上，可形成下部(基板表面側)圖案與上部(光阻表面側)圖案具有相同大小的豎直圖案。然而，在具有金屬表面的基板上，基板因由酸產生劑產生的酸與金屬基板之間的相互作用而未在圖案形成期間完全顯影，或在圖案的底部中出現基腳現象，且從而存在難以得到頂部與底部具有相同CD的豎直圖案的限制。
為解決此等問題，已提議一種向光阻組成物添加腐蝕抑 制劑的方法，但存在(諸如經由腐蝕抑制劑的可溶性欠佳、腐蝕抑制劑幾乎不溶解，或攪拌時間延長而使)光阻組成物的製造生產率降低的問題，且另外存在含於光阻圖案中的腐蝕抑制劑在光阻圖案形成之後的電鍍製程期間溶解於電鍍溶液中，從而污染電鍍溶液的問題。
鑒於上文，需要研發在金屬基板上形成圖案時能夠形成不具有不顯影或殘留的問題且顯著地減少基腳現象或不引起任何基腳現象的圖案的新穎光阻組成物。
本發明的目的是提供一種光阻組成物，在使用化學增幅型光阻組成物在金屬基板上形成圖案時，所述光阻組成物能夠形成不具有不顯影或殘留的問題且顯著地減少基腳或不引起任何基腳的圖案。
本發明的另一目的是提供一種使用上述光阻組成物的光阻膜。
本發明提供一種用來在具有金屬表面的支撐件上形成使圖案的底部中的基腳現象減至最少的光阻圖案以及用來產生使用其的鍍層的用於厚膜的光阻組成物，其中光阻組成物包含：第一(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及由以下化學式1表示的鍵結至主鏈的一個末端的官能基；以及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至主鏈的一個末端的硫醇(thiol)基。
Figure 107141900-A0305-02-0006-4
在化學式1中，Z是氫、具有1個至20個碳原子的烷基、具有6個至20個碳原子的芳基、具有1個至20個碳原子的烷基硫氧(alkylthioxy)基、具有6個至20個碳原子的芳基硫氧(arylthioxy)基、具有1個至20個碳原子的烷氧基、具有6個至20個碳原子的芳氧基，或具有1個至20個碳原子的胺基。
本發明亦提供一種包含一個實施例的光阻組成物的固化產物的光阻膜。
本發明人經由實驗發現，在使用藉由將第一(甲基)丙烯酸類樹脂(其中具有由化學式1表示的具體結構的官能基鍵結至(甲基)丙烯酸主鏈的一個末端)與第二(甲基)丙烯酸類樹脂(其中硫醇(thiol)官能基鍵結至(甲基)丙烯酸主鏈的一個末端)混合在一起而得到的光阻組成物時，不僅有可能產生即使在不添加另一腐蝕抑制劑的情況下亦不具有不顯影或殘留的問題、可顯著地減少基腳或不引起任何基腳的圖案，而且亦有可能達成即使在使光阻圖案暴露於電鍍溶液時亦不污染電鍍溶液的效果，從而完成本發明。
特定言之，可藉由使第一(甲基)丙烯酸類樹脂與胺或類似者反應的方法來容易地引入第二(甲基)丙烯酸類樹脂，且似乎由於第二(甲基)丙烯酸類樹脂中所存在的硫醇(thiol)官能基而實現了如上文所描述的減少基腳的效果。
特定言之，第一(甲基)丙烯酸類樹脂與第二(甲基)丙烯酸 類樹脂之間的混合比可較佳地為按第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂的總和計自1莫耳%(mol%)至95莫耳%、自3莫耳%至50莫耳%或自5莫耳%至30莫耳%。當第二(甲基)丙烯酸類樹脂的莫耳含量過度減少至小於1莫耳%時，改善基腳的效果不顯著。當第二(甲基)丙烯酸類樹脂的莫耳含量過度增加至大於95莫耳%時，存在由於胺的過量添加而降低暴露靈敏度的問題。
在下文中，將詳細描述根據本發明的具體實施例的光阻組成物及光阻膜。
貫穿本說明書，當一個部分「包含(includes)」一個組成元素時，除非另外具體描述，否則此不意謂排除另一組成元素，而是意謂可更包含另一組成元素。
在本發明中，術語「(甲基)丙烯酸((meth)acrylic)」以包含丙烯酸或甲基丙烯酸的含義進行使用。
在本發明中，取代基的實例在下文進行描述，但不限於此。
如本文所使用，術語「經取代(substituted)」意謂鍵結化合物中的其他官能基而非氫原子，且經取代的位置不受限制，只要位置為氫原子經取代的位置(亦即，取代基可經取代的位置)即可，且當兩個或大於兩個取代基經取代時，兩個或大於兩個取代基可與彼此相同或不同。
如本文中所使用，術語「經取代或未經取代(substituted or unsubstituted)」意謂未經取代或經由下述者所組成的族群中選出的一或多個取代基取代：氘；鹵基；氰基；硝基；羥基；羰基；酯基；醯亞胺基；醯胺基；胺基；羧基；磺酸基；磺醯胺基 (sulfonamide group)；膦氧化物基團；烷氧基；芳氧基；烷基硫氧基；芳基硫氧基；烷基磺醯氧基(alkylsulfoxy group)；芳基磺醯氧基(arylsulfoxy group)；矽烷基；硼基；烷基；環烷基；烯基；芳基；芳烷基；芳烯基；烷基芳基；芳基膦基；或含有N原子、O原子以及S原子中的至少一者的雜環基，或未經取代或經上文所例示的取代基當中的與兩個或大於兩個取代基鍵聯的取代基取代。舉例而言，「與兩個或大於兩個取代基鍵聯的取代基(the substituent to which two or more substituents are linked)」可為聯苯基。亦即，聯苯基亦可為芳基，且可解釋為與兩個苯基鍵聯的取代基。
如本文中所使用，標號
Figure 107141900-A0305-02-0008-33
或
Figure 107141900-A0305-02-0008-34
意謂與另一取代基鍵聯的鍵，且直接鍵意謂無單獨原子存在於由L表示的部分處的情況。
如本文所使用，重量平均分子量意謂藉由GPC方法量測的相對於聚苯乙烯的重量平均分子量。在判定藉由GPC方法量測的相對於聚苯乙烯的重量平均分子量的過程中，可使用通常已知的分析裝置、諸如折射率偵測器的偵測器(Refractive Index Detector)以及分析型管柱。可使用通常應用的溫度、溶劑以及流動速率(flow rate)的條件。量測條件的具體實例如下：使用沃特世(Waters)PL-GPC220儀器，在160℃的評估溫度下使用聚合物實驗室(Polymer Laboratories)PLgel MIX-B 300毫米(mm)管柱，將1,2,4-三氯苯用作溶劑，流動速率為1毫升/分鐘(mL/min)，以10毫克(mg)/10毫升(mL)的濃度製備樣品且接著以200微升(μL)的量進料，且可使用根據聚苯乙烯標準形成的校準曲線來判定Mw的值。本文所使用的聚苯乙烯標準的分子量為 2000/10,000/30,000/70,000/200,000/700,000/2,000,000/4,000,000/10,000,000的九種類型。
在本發明中，烷基可為直鏈或支鏈，且其碳原子數不受特定限制，但較佳地為1個至40個。根據例示性實施例，烷基的碳原子數為1個至20個。根據另一例示性實施例，烷基的碳原子數為1個至10個。根據又一例示性實施例，烷基的碳原子數為1個至6個。烷基的具體實例包含甲基、乙基、丙基、正丙基、異丙基、丁基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、環戊基甲基、環庚基甲基、辛基、正辛基、第三辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、異己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基，以及類似基團，但不限於此。
在本發明中，烷氧基可為直鏈、支鏈或環狀鏈。烷氧基的碳原子數不受特定限制，但較佳地為1個至30個。具體言之，其實例可包含甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基(isopropoxy)、異丙氧基(i-propyloxy)、正丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、第二丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、異丁氧基、異戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苯甲氧基，對甲基苯甲氧基，或類似基團，但不限於此。
在本發明中，環烷基不受特定限制，但其碳原子數較佳地為3個至60個，且其可為單環環烷基或多環環烷基。根據例示性 實施例，環烷基的碳原子數為3個至30個。根據又一例示性實施例，環烷基的碳原子數為3個至20個。根據另一例示性實施例，環烷基的碳原子數為3個至6個。其具體實例包含環丙基、環丁基、環戊基、3-甲基環戊基、2,3-二甲基環戊基、環己基、3-甲基環己基、4-甲基環己基、2,3-二甲基環己基、3,4,5-三甲環已基、4-第三丁基環己基、環庚基、環辛基，以及類似基團，但不限於此。
在本發明中，胺基可由下述者所組成的族群中選出：-NH2、單烷基胺基、二烷基胺基、N-烷基芳基胺基、單芳基胺基、二芳基胺基、N-芳基雜芳基胺基、N-烷基雜芳基胺基、單雜芳基胺基以及二雜芳基胺基，且其碳原子數不受特定限制，但較佳地為1個至30個。胺基的具體實例可包含但不限於甲胺基、乙胺基、二乙胺基、苯胺基、萘胺基、聯苯胺基、蒽胺基、9-甲基-蒽胺基、二苯胺基、二甲苯胺基、N-苯基聯苯胺基、N-苯基萘胺基、N-聯苯萘胺基、N-苯基甲苯胺基、三苯胺基、N-萘基茀胺基、N-苯基菲胺基、N-聯苯菲胺基、N-苯基茀胺基、N-苯基聯三苯基胺基、N-菲基茀胺基、N-聯苯茀胺基，或類似基團。
在本發明中，N-烷基芳基胺基意謂烷基及芳基經胺基的N取代的胺基。
在本發明中，N-芳基雜芳基胺基意謂芳基及雜芳基經胺基的N取代的胺基。
在本發明中，N-烷基雜芳基胺基意謂烷基及雜芳基經胺基的N取代的胺基。
在本發明中，在單烷基胺基、二烷基胺基、N-芳基烷基胺基以及烷基硫氧基中的烷基與上述芳基實例相同。具體言之，烷基 硫氧基包含甲基硫氧基、乙基硫氧基、第三丁基硫氧基、己基硫氧基、辛基硫氧基，以及類似基團，但不限於此。
在本發明中，芳基不受特定限制，但其碳原子數較佳地為6個至60個，且芳基可為單環芳基或多環芳基。根據另一例示性實施例，芳基的碳原子數為6個至30個。根據例示性實施例，芳基的碳原子數為6個至20個。單環芳基可為苯基、聯苯基、聯三苯基，或類似基團，但不限於此。多環芳基可為萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、屈基(chrycenyl group)、茀基，或類似基團，但不限於此。
在本發明中，在單芳基胺基、二芳基胺基、芳氧基以及芳基硫氧(arylthioxy)基中的芳基與上述芳基的實例相同。具體言之，芳氧基包含苯氧基、對甲苯氧基、間甲苯氧基、3,5-二甲基-苯氧基、2,4,6-三甲基苯氧基、對第三丁基苯氧基、3-聯苯氧基、4-聯苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-甲基-1-萘氧基、5-甲基-2-萘氧基、1-蒽氧基、2-蒽氧基、9-蒽氧基、1-菲氧基、3-菲氧基、9-菲氧基，以及類似基團，且芳基硫氧基包含苯基硫氧基、2-甲基苯基硫氧基、4-第三丁基苯氧基，以及類似基團，但不限於此。
在本發明中，伸烷基是衍生自烷烴(alkane)的二價官能基(例如，直鏈、支鏈或環狀基)，且其實例可為亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸異丁基、伸第二丁基、伸第三丁基、伸戊基、伸己基，以及類似基團。
在本發明中，直接鍵意謂連接至其中對應位置處不存在原子或原子團的鍵線。
I.光阻組成物
(1)丙烯酸類樹脂
本發明的一個實施例的光阻組成物是用來在具有金屬表面的支撐件上形成使圖案的底部中的基腳現象減至最少的光阻圖案以及用來產生使用其的鍍層的用於厚膜的光阻組成物，且所述光阻組成物可包含：第一(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及由化學式1表示的鍵結至主鏈的一個末端的官能基；以及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至主鏈的一個末端的硫醇基。
(甲基)丙烯酸主鏈意謂可經由(甲基)丙烯酸單體(諸如(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酸)的聚合而形成的聚合物鏈。
在光阻組成物中，第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂可充當經酸解離以提高在鹼性顯影溶液中的可溶性的樹脂(在下文中被稱作鹼性可顯影樹脂)，且同時可充當可在光阻膜的圖案形成期間抑制圖案的下端中的基腳現象的腐蝕抑制劑。
因此，光阻組成物具有如下特徵：由於不需要將單獨的腐蝕抑制劑與鹼溶性樹脂混合，因此在添加腐蝕抑制劑期間出現的問題(例如，光阻組成物的製造生產率降低，諸如腐蝕抑制劑的可溶性欠佳、腐蝕抑制劑幾乎不溶解，或攪拌時間延長；且另外，含於光阻圖案中的腐蝕抑制劑在光阻圖案形成之後的電鍍製程中溶解於電鍍溶液中，從而污染電鍍溶液)得到解決，且亦可實現作為鹼性可顯影樹脂的極佳顯影靈敏度。
亦即，光阻組成物可包含丙烯酸類樹脂，所述丙烯酸類樹脂包含：第一(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及由化 學式1表示的鍵結至主鏈的一個末端的官能基；以及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至主鏈的一個末端的硫醇(thiol)基。此外，光阻組成物可包含鹼溶性樹脂，所述鹼溶性樹脂包含：第一(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及由化學式1表示的鍵結至主鏈的一個末端的官能基；以及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至主鏈的一個末端的硫醇(thiol)基。
首先，第一(甲基)丙烯酸類樹脂可含有(甲基)丙烯酸主鏈及由以下化學式1表示的鍵結至主鏈的一個末端的官能基。主鏈的一個末端可為沿主鏈的鏈延伸方向定位的兩端中的任一者。
Figure 107141900-A0305-02-0013-5
在化學式1中，Z是氫、具有1個至20個碳原子的烷基、具有6個至20個碳原子的芳基、具有1個至20個碳原子的烷基硫氧(alkylthioxy)基、具有6個至20個碳原子的芳基硫氧(arylthioxy)基、具有1個至20個碳原子的烷氧基、具有6個至20個碳原子的芳氧基，或具有1個至20個碳原子的胺基。
更具體言之，在化學式1中，Z可為具有10個至20個碳原子的烷基硫氧(alkylthioxy)基，較佳地為具有12個碳原子的烷基硫氧基。
由以下化學式2表示的官能基或含有衍生自聚合起始劑的部分的官能基可鍵結至(甲基)丙烯酸主鏈的另一末端。主鏈的另一末端可為基於主鏈的一個末端沿鏈延伸方向定位的相對端。
Figure 107141900-A0305-02-0014-6
在化學式2中，R是具有1個至20個碳原子的伸烷基，且X是具有1個至20個碳原子的烷基，或羧基。具體言之，在化學式2中，R可為經甲基取代的具有1個至5個碳原子的氰基或伸烷基。更具體言之，R可為由以下化學式3至化學式5表示的官能基中的一者。
Figure 107141900-A0305-02-0014-7
Figure 107141900-A0305-02-0014-8
Figure 107141900-A0305-02-0014-9
較佳地，(i)在化學式2中，R可為化學式3的官能基，且X可為羧基，(ii)在化學式2中，R可為化學式4的官能基，且X可為甲基，且(iii)在化學式2中，R可為化學式5的官能基，且X可為羧基。
在衍生自聚合起始劑的部分中，「部分(moiety)」是指在某一化合物參與化學反應時衍生自某一化合物且包含於所述化學反應的產物中的部分或單位。作為實例，聚合起始劑的「部分」是指衍生自藉由聚合起始劑或分解聚合起始劑與(甲基)丙烯酸酯之間的反應而形成的反應產物中的聚合起始劑或分解聚合起始劑的 部分。聚合起始劑的具體實例包含偶氮二異丁腈(azobisisobutyronitrile；AIBN)。
同時，含於第一(甲基)丙烯酸類樹脂中的(甲基)丙烯酸主鏈可包含由以下化學式6表示的重複單位。
Figure 107141900-A0305-02-0015-10
在化學式6中，R1是具有4個至10個碳原子的烷基，較佳地是具有4個至10個碳原子的第三烷基，R2是具有1個至3個碳原子的烷基或經具有3個至10個碳原子的烷氧基取代的烷基，R3是具有6個至20個碳原子的芳基或具有3個至20個碳原子的環烷基，R4至R7各自獨立地為氫或甲基，且a+c：b：d的比=2至8：0.5至3：1至5。
具有3個至20個碳原子的環烷基具體地為多環環烷基，且可包含降莰烷(norbornane)類官能基。更具體言之，降莰烷(norbornane)類官能基可包含一結構，其中降莰烷(norbornane)中所包含的兩個相鄰取代基彼此鍵結以形成環烷基，且降莰烷中所包含的一個氫經直接鍵取代。
更具體言之，在化學式6中，R1是第三丁基，R2是經甲氧基乙氧基取代的甲基或乙基，R3是苯甲基或由以下化學式9表示的官能基，R4至R7各自獨立地為甲基，且a+c：b：d的比=2至 8：0.5至3：1至5。
Figure 107141900-A0305-02-0016-11
作為非限制性實例，可以具有在分子中經酸解離的官能基的重複單位的30重量%至60重量%的量來含有(甲基)丙烯酸主鏈，此可較佳地用於形成穩定圖案。具有在分子中經酸解離的官能基的重複單位的實例可包含含有化學式6中的支鏈末端處的R1的(甲基)丙烯酸酯重複單位，或含有化學式6中的支鏈末端處的R2的(甲基)丙烯酸酯重複單位。
出於防止對電鍍溶液或顯影溶液具有可濕性、黏著至基板以及出現開裂的目的，(甲基)丙烯酸主鏈可較佳地包含10重量%至50重量%的具有親水性部分的重複單位。
為了防止光阻圖案在電鍍期間開裂或溶脹(swelling)，(甲基)丙烯酸主鏈較佳地含有10重量%至50重量%的能夠賦予耐電鍍性(plating resistance)的疏水性龐大(hydrophobic bulky)重複單位。疏水性龐大重複單位的實例包含含有化學式6中的支鏈末端處的R3的(甲基)丙烯酸酯重複單位。
此外，在形成(甲基)丙烯酸主鏈時，可以5重量%至20重量%的量應用具有酸基或羥基的重複單位，從而控制靈敏度及顯影速度。作為此單體，呈藉由經酸去保護的基團加以保護的形式的化 合物亦可適用。具有酸基或羥基的重複單位的實例可包含含有化學式6中的支鏈末端處的羧基的(甲基)丙烯酸酯重複單位。
此外，在形成(甲基)丙烯酸主鏈時，可添加能夠控制耐熱性及耐化學性特性的單體。
具體言之，第一(甲基)丙烯酸類樹脂可為由以下化學式7表示的聚合物
Figure 107141900-A0305-02-0017-12
在化學式7中，Z是氫、具有1個至20個碳原子的烷基、具有6個至20個碳原子的芳基、具有1個至20個碳原子的烷基硫氧(alkylthioxy)基、具有6個至20個碳原子的芳基硫氧(arylthioxy)基、具有1個至20個碳原子的烷氧基、具有6個至20個碳原子的芳氧基，或具有1個至20個碳原子的胺基，R是具有1個至20個碳原子的伸烷基，X是具有1個至20個碳原子的烷基，或羧基，R1是具有4個至10個碳原子的烷基，R2是具有1個至3個碳原子的烷基或經具有3個至10個碳原子的烷氧基取代的烷基，R3是具有6個至20個碳原子的芳基或具有3個至20個碳原子的環烷基，R4至R7各自獨立地為氫或甲基，且a+c：b：d=2至8：0.5至3：1至5。
由化學式7表示的聚合物的具體實例可包含製備實例1的化學式11、製備實例3的化學式13或製備實例4的化學式15。
合成第一(甲基)丙烯酸類樹脂的方法的實例不受特定限制，但可使用使具有化學式1及化學式2互連的結構的鏈轉移劑與能夠形成(甲基)丙烯酸主鏈的(甲基)丙烯酸單體的混合物一起反應的方法。
同時，第二(甲基)丙烯酸類樹脂可包含(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至主鏈的一個末端的硫醇(thiol)基。
可藉由含於第一(甲基)丙烯酸類樹脂中的由化學式1表示的官能基與胺化合物之間的反應來引入鍵結至主鏈的一個末端的硫醇(thiol)基。一個末端或(甲基)丙烯酸主鏈的細節與上文關於第一(甲基)丙烯酸類樹脂描述的彼等相同。
由化學式2表示的官能基亦可鍵結至第二(甲基)丙烯酸類樹脂的(甲基)丙烯酸主鏈的另一末端，且由化學式2表示的官能基的細節與上文關於第一(甲基)丙烯酸類樹脂描述的彼等相同。
具體言之，第二(甲基)丙烯酸類樹脂可為由以下化學式8表示的聚合物。
Figure 107141900-A0305-02-0018-13
在化學式8中，R是具有1個至20個碳原子的伸烷基，X是具有1個至20個碳原子的烷基，或羧基，R1是具有4個至10個碳原子的烷基，R2是具有1個至3個碳原子的烷基或經具有3個 至10個碳原子的烷氧基取代的烷基，R3是具有6個至20個碳原子的芳基或具有3個至20個碳原子的環烷基，R4至R7各自獨立地為氫或甲基，且a+c：b：d=2至8：0.5至3：1至5。
由化學式8表示的聚合物的具體實例包含製備實例1的化學式12的聚合物、製備實例3的化學式14的聚合物或製備實例4的化學式16的聚合物。第二(甲基)丙烯酸類樹脂的莫耳含量可為按第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂的總和計自1莫耳%至95莫耳%、自3莫耳%至50莫耳%或自5莫耳%至30莫耳%。
將第一(甲基)丙烯酸類樹脂與第二(甲基)丙烯酸類樹脂混合的混合樹脂可具有10,000公克/莫耳(g/mol)至300,000公克/莫耳、10,000公克/莫耳至250,000公克/莫耳或12,000公克/莫耳至200,000公克/莫耳的重量平均分子量，此可有利於形成穩定圖案。
(2)光阻組成物
本發明的一個實施例的光阻組成物可具體地為用於厚膜的正向型(positive type)光阻組成物或用於形成凸塊的光阻組成物。更具體言之，本發明的一個實施例的光阻組成物可為用於厚膜的光阻組成物，用來在具有金屬表面的支撐件上形成使圖案的底部中的基腳現象減至最少的光阻圖案，以及用來產生使用其的鍍層。
具有金屬表面的支撐件可包含其表面上形成有金屬層的基板，或金屬基板。在其表面上形成有金屬層的基板中，基板的實例不受特定限制，且可在不加以限制的情況下應用光阻圖案化領 域中通常已知的各種材料，諸如塑膠、木材、半導體材料(諸如晶圓)、金屬，以及類似者。
圖案的底部意謂與具有金屬表面的支撐件接觸的光阻圖案的下端。當在光阻圖案的上端中的孔徑與在其下端中的孔徑之間的差值為基腳(footing)長度時，圖案的底部中的基腳現象意謂基腳長度大於1微米(μm)。圖案末端處的孔徑可意謂相對於形成於圖案的上端或下端中的介層孔(via hole)在平行於支撐件的方向上截取的橫截面的最大直徑，且可經由SEM影像來量測所述橫截面的直徑。
圖案的下端意謂光阻圖案與具有金屬表面的支撐件相接觸的點，且圖案的上端可意謂光阻圖案與具有金屬表面的支撐件相距最遠的點。
舉例言之，可如下量測基腳長度。將本發明的一個實施例的光阻組成物旋塗至銅(Cu)基板上使得膜厚度為30微米，在110℃下在加熱板上將其乾燥2分鐘，使用i線照射(i-line irradiation)裝置(配備有其中形成具有大約10微米、20微米、30微米、40微米以及50微米的大小的孔圖案的光罩)以250毫焦/平方公分(mJ/cm2)使其暴露於光，在90℃下藉由加熱板將其額外烘烤2分鐘，且在大約2.38重量%(wt%)的四甲基銨氫氧化物(tetramethylammonium hydroxide；TMAH)水溶液中使其顯影3分鐘。由此產生的光阻圖案的上端中的孔徑與在其下端中的孔徑之間的差值可量測為基腳長度。
更具體言之，如圖1中所繪示，當在光阻圖案的上端中的孔徑與在其下端中的孔徑之間的差幾乎不存在時，基腳長度為1 微米或小於1微米，此意謂基腳現象減至最少。如2圖中所繪示，基腳長度(其是在光阻圖案的上端中的孔徑與在其下端中的孔徑之間的差)大於1微米，此意謂基腳現象充分出現。
在一個實施例的光阻組成物中，除第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂之外，若鹼性可顯影樹脂為具有由保護基保護的酸基的聚合物樹脂，則亦可添加所述鹼性可顯影樹脂。酸基可為例如羧基、酚羥基或類似基團。作為鹼性可顯影樹脂，可使用所屬領域中通常已知的聚合物樹脂，且例如其可為羥基苯乙烯樹脂或類似者。
較佳地，可更包含按第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂的總和的100重量份計1重量份至90重量份或10重量份至50重量份的量的羥基苯乙烯樹脂。
較佳地，羥基苯乙烯樹脂可具有5000公克/莫耳(g/mol)至20,000公克/莫耳的重量平均分子量，且可為20%至60%經縮醛基取代的聚羥基苯乙烯樹脂。
必要時，光阻組成物可更包含光阻領域中普遍熟知的各種有機溶劑或其他添加劑。
包含有機溶劑以便均一地溶解及混合各種組分，以及控制光阻組成物的黏度。可在不加以特定限制的情況下應用有機溶劑，只要已知其可在正向型光阻組成物中使用即可。
舉例而言，有機溶劑可為由下述者所組成的族群中選出的一或多種化合物：乙二醇單甲基乙醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇單乙醚、二乙二醇甲基乙醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、甲苯、二 甲苯、甲基乙基酮、甲基異戊基酮、環己酮、二噁烷、乳酸甲酯、乳酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、丙酸3-乙氧基乙酯(3-ethoxyethyl propionate)、2-庚酮、γ-丁內酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸乙酯、乙酸乙酯，乙酸丁酯，以及類似者。
按樹脂組分(第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，以及其他鹼溶性樹脂)的總量的100重量份計，可使用5重量份至500重量份、5重量份至450重量份或5重量份至400重量份的量的有機溶劑。換言之，為了確保組成物的適用性，較佳地含有按樹脂組分的總和的100重量份計5重量份或大於5重量份的量的有機溶劑。然而，當過量添加有機溶劑時，組成物的黏度可能降低，且可能難以調節光阻的厚度。因此，較佳的是按樹脂組分的總和的100重量份計，包含500重量份或小於500重量份的量的有機溶劑。
其他添加劑的實例可包含光酸產生劑、酸擴散控制劑、塑化劑、界面活性劑、光起始劑、溶解抑制劑，以及類似添加劑。然而，在實施例的光阻組成物中，在如上所述那樣組合地使用第一(甲基)丙烯酸類樹脂及第二(甲基)丙烯酸類樹脂時，可不使用單獨的腐蝕抑制劑。
亦即，光阻組成物可含有小於0.0001重量%的腐蝕抑制劑，所述腐蝕抑制劑包含三嗪硫醇化合物或三唑化合物。「小於 0.0001重量%(less than 0.0001% by weight)」意謂光阻組成物不含有任何腐蝕抑制劑，或微量含有以避免其充當腐蝕抑制劑。
可在不加以特定限制的情況下應用光酸產生劑、酸擴散控制劑、塑化劑、界面活性劑、光起始劑以及溶解抑制劑，只要其可通常用於本發明所屬的技術領域中的正向型光阻組成物即可。
光起始劑可為苯甲酮(benzophenone)、芳族α-羥基酮(aromatic alpha-hydroxy ketone)、苯甲基縮酮、芳族α-胺基酮、苯乙醛酸酯(phenylglyoxalic acid ester)、單醯基膦氧化物、雙醯基膦氧化物、三醯基膦氧化物、芳族酮衍生的肟酯、咔唑類肟酯，以及類似者。
按樹脂組分的總和的100重量份計，可含有0.1重量份至5重量份的量的光起始劑，此有利於表現光起始劑的適當效果。
按樹脂組分的總和的100重量份計，可含有0.1重量份至10重量份、0.5重量份至10重量份，或1重量份至5重量份的量的光酸產生劑。
亦即，為了充分表現上述光酸產生效果，較佳地按樹脂組分的總量的100重量份計，含有0.1重量份或大於0.1重量份的量的光酸產生劑。然而，當過量添加光酸產生劑時，組成物的感光性可能偏離適當位準，且在顯影之後浮渣可能殘留在暴露部分上。因此，較佳地按樹脂組分的總和的100重量份計，含有10重量份或小於10重量份的量的光酸產生劑。
按樹脂組分的總量的100重量份計，可含有0.01重量份至1重量份、0.05重量份至1重量份或0.05重量份至0.5重量份的量的界面活性劑。當過量添加界面活性劑時，組成物關於基板的 可濕性及平坦性可能偏離適當位準。因此，較佳地按樹脂組分的總和的100重量份計，含有1重量份或小於1重量份的量的界面活性劑。
可包含酸擴散控制劑以改良光阻圖案形狀、暴露之後的穩定性等，且例如，其可為由下述者所組成的族群中選出的至少一者：三乙胺(triethylamine)、三丙胺(tripropyl amine)、三苯甲胺(tribenzyl amine)、三羥乙胺(trihydroxyethyl amine)，以及乙二胺(ethylene diamine)。
II.光阻膜
另一方面，根據本發明的另一實施例，可提供一種包含一個實施例的光阻組成物的固化產物的光阻膜。
更具體言之，可藉由包含以下步驟的用於製備光阻膜的方法得到光阻膜：塗覆一個實施例的光阻組成物並對其進行乾燥，且接著使光阻組成物暴露並顯影以形成光阻膜。
作為更具體實例，一種用於製備光阻膜的方法如下。將本發明的一個實施例的光阻組成物旋塗至銅(Cu)基板上並在110℃下將其乾燥2分鐘，以形成具有大約30微米的厚度的光阻層。隨後，使用i線(i-line)照射裝置(配備有其中形成具有大約10微米、20微米、30微米、40微米以及50微米的大小的孔圖案的光罩)使基板暴露於光。在90℃下將經暴露的基板烘烤2分鐘，且接著使用顯影溶液(大約2.38重量%的四甲基銨氫氧化物水溶液)使基板顯影3分鐘。
在其他實施例的光阻膜中，在圖案形成時圖案的底部中的基腳現象減至最少，且不必擔心腐蝕抑制劑在電鍍製程期間溶 解於電鍍溶液中，進而防止對電鍍溶液的污染。
根據本發明，可提供一種光阻組成物及使用其的光阻膜，所述光阻組成物能夠形成抑制基腳現象的圖案同時在金屬表面基板上形成精細圖案期間高度靈敏，且能夠產生化學穩定性極佳的光阻膜。
圖1繪示實例1中所得到的光阻圖案中的基腳的量測結果。
圖2繪示比較例1中所得到的光阻圖案中的基腳的量測結果。
將藉助於下面提供的實例更詳細地描述本發明。然而，以下實例僅是出於說明目的而給出，且本發明的範圍不意欲受此等實例限制。
<製備實例：丙烯酸類樹脂的製備>
製備實例1
以30/20/40/10的重量比將第三丁基甲基丙烯酸酯、(2-甲氧基乙氧基)甲基丙烯酸乙酯、5-甲基丙烯醯氧基2,3-三亞甲基降莰烷(5-methacryloyloxy 2,3-trimethylene norbornane)以及甲基丙烯酸混合，且攪拌總量(500公克)的丙烯酸單體、500公克的PGMEA以及10公克的作為鏈轉移劑的由以下化學式A表示的2- (十二烷硫基硫代羰基硫基)-2-甲基丙酸(2-(dodecylthiocarbonothioylthio)-2-methylpropionic acid)。在溫度升高至80℃之後，添加5公克的AIBN作為聚合起始劑，並攪拌18小時，且保持此溫度不變以合成由以下化學式11表示的丙烯酸聚合物。
Figure 107141900-A0305-02-0026-14
Figure 107141900-A0305-02-0026-15
隨後，以相對於鏈轉移劑的添加量5莫耳%的量向合成丙烯酸聚合物添加環己胺(cyclohexylamine)，且接著在60℃下使其反應24小時。由此，製備了其中將95莫耳%的化學式11的丙烯酸聚合物與5莫耳%的化學式12的丙烯酸聚合物混合的製備實例1的丙烯酸類樹脂。(藉由GPC量測的重量平均分子量：15,700公克/莫耳)。
[化學式12]
Figure 107141900-A0305-02-0027-16
製備實例2
除以相對於鏈轉移劑的添加量30莫耳%的量向合成丙烯酸聚合物添加環己胺(cyclohexylamine)之外，以與製備實例1中相同的方式製備其中將70莫耳%的化學式11的丙烯酸聚合物與30莫耳%的化學式12的丙烯酸聚合物混合的製備實例2的丙烯酸類樹脂。(藉由GPC量測的重量平均分子量：15,500公克/莫耳)
製備實例3
除使用由以下化學式B表示的2-氰基-2-丙基十二烷基三硫代碳酸酯(2-cyano-2-propyl dodecyl trithiocarbonate)替代由化學式A表示的2-(十二烷硫基硫代羰基硫基)-2-甲基丙酸作為鏈轉移劑之外，以與製備實例1中相同的方式製備其中將95莫耳%的化學式13的丙烯酸聚合物與5莫耳%的化學式14的丙烯酸聚合物混合的製備實例3的丙烯酸類樹脂。(藉由GPC量測的重量平均分子量：14,500公克/莫耳)
Figure 107141900-A0305-02-0027-17
[化學式13]
Figure 107141900-A0305-02-0028-18
Figure 107141900-A0305-02-0028-19
製備實例4
除使用由以下化學式C表示的4-氰基-4-[(十二烷磺醯基硫代羰基)磺醯基]戊酸(4-cyano-4-[(dodecylsulfanylthiocarbonyl)sulfanyl]pentanoic acid)替代由化學式A表示的2-(十二烷硫基硫代羰基硫基)-2-甲基丙酸作為鏈轉移劑之外，以與製備實例1中相同的方式製備其中將95莫耳%的化學式15的丙烯酸聚合物與5莫耳%的化學式16的丙烯酸聚合物混合的製備實例4的丙烯酸類樹脂。(藉由GPC量測的重量平均分子量：16100公克/莫耳)
Figure 107141900-A0305-02-0029-20
Figure 107141900-A0305-02-0029-21
Figure 107141900-A0305-02-0029-22
<比較製備實例：丙烯酸類樹脂的製備>
比較製備實例1
除未將由化學式A表示的2-(十二烷硫基硫代羰基硫基)-2-甲基丙酸(2-(dodecylthiocarbonothioylthio)-2-methylpropionic acid)用作鏈轉移劑且環己胺未經處理之外，以與製備實例1中相同的方式製備比較製備實例1的丙烯酸類樹脂。
比較製備實例2
除使用1-十二烷硫醇(1-dodecanethiol)替代由化學式A表示的2-(十二烷硫基硫代羰基硫基)-2-甲基丙酸作為鏈轉移劑且環己胺未經處理之外，以與製備實例1中相同的方式製備比較製備實例2的丙烯酸類樹脂。
比較製備實例3
除未向由化學式11表示的丙烯酸聚合物添加環己胺(cyclohexylamine)之外，以與製備實例1中相同的方式製備僅含有100莫耳%的在製備實例1中所得到的由化學式11表示的丙烯酸聚合物的比較製備實例3的丙烯酸類樹脂。
<實例及比較例：光阻組成物的製備>
下表1中所繪示的組分經混合以製備實例及比較例中的每一者的光阻組成物。
具體言之，表1中所使用的具體組分如下。
-其他樹脂：縮醛保護(acetal protected)聚羥基苯乙烯(polyhydroxystyrene；PHS)樹脂(resin)(Mw 15,300公克/莫耳，取代率40%)
-光酸產生劑：PAI 101 (α-[(4-甲苯磺醯氧基亞胺基)](4-甲氧基苯基)乙腈)((α-[(4-toluenesulfonyloxyimino)](4-methoxyphenyl)acetonitrile))
-酸擴散控制劑：正三丁胺(n-tributylamine)
-有機溶劑：丙二醇甲醚乙酸酯(Propylene glycol methyl ether acetate；PGMEA)
-腐蝕抑制劑：苯并三唑(benzotriazole；BTA)
Figure 107141900-A0305-02-0031-23
實驗實例
使用根據實例及比較例的各別光阻組成物藉由以下方法來評估光阻組成物的物理特性，且結果繪示於下表2中。
(1)圖案的底部中的基腳(footing)
將在實例及比較例中製備的光阻組成物旋塗至銅(Cu)基板上使得膜厚度為30微米(μm)，在110℃下在加熱板上將其乾燥2分鐘，使用i線(i-line)照射裝置(配備有其中形成具有大約10微米、20微米、30微米、40微米以及50微米的大小的孔圖案的光罩)以250毫焦/平方公分使其暴露於光，在90℃下藉由加熱板將其額外烘烤2分鐘，且在大約2.38重量%的四甲基銨氫氧化物(tetramethylammonium hydroxide；TMAH)水溶液中使其顯影3分鐘以製備光阻圖案。
將在光阻圖案的頂部中的孔徑與在其底部中的孔徑之間的差值量測為基腳長度，且基於以下準則對其進行評估。
◎：基腳長度大於0奈米(nm)且不大於500奈米
○：基腳長度大於500奈米且不大於1微米
△：基腳長度大於1微米且不大於2微米
X：基腳長度大於2微米
此外，實例1的基腳的量測結果(FE-SEM(日立(Hitachi)，S-4800))繪示於圖1中，且比較例1的基腳的量測結果(FE-SEM(日立，S-4800))繪示於圖2中。
(2)電鍍溶液是否受到污染
在將實驗實例1中製備的光阻圖案浸入AnAg電鍍溶液2小時之後，藉由UV-Vis設備分析含於AnAg電鍍溶液中的組分以判定是否偵測到苯并三唑組分。基於以下準則來評估對電鍍溶液的污染。
良好：未偵測到苯并三唑
不佳：偵測到苯并三唑
Figure 107141900-A0305-02-0032-24
參看表2，確認就根據實例的光阻組成物而言，即使在幾乎不產生圖案的下端中的基腳時，由於組成物中不含有腐蝕抑制劑作為添加劑，因此電鍍溶液中亦不產生污染。
另一方面，確認就比較例1及比較例2的光阻組成物而言，由於未包含製備實例中所得到的具體丙烯酸類樹脂，因此基腳長度增加，且因此難以產生適合於凸塊形成的光阻圖案。
特定言之，確認與如同比較例4那樣在不添加環己胺的 情況下只存在一種類型的丙烯酸聚合物的情況相比，當如同實例那樣將兩種類型的丙烯酸聚合物混合時，圖案的底部中的基腳長度大大減小，從而產生用於凸塊形成的最優光阻圖案。
此外，確認就比較例3的光阻組成物而言，由於腐蝕抑制劑與樹脂單獨地添加至組成物，因此在電鍍製程期間腐蝕抑制劑溶離於電鍍液中，且存在電鍍溶液受到污染的限制。
Figure 107141900-A0305-02-0002-3

Claims (12)

  1. 一種用來在具有金屬表面的支撐件上形成使圖案的底部中的基腳現象減至最少的光阻圖案以及用來產生使用其的鍍層的用於厚膜的光阻組成物，其中所述光阻組成物包括：第一(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及由以下化學式1表示的鍵結至所述主鏈的一個末端的官能基，以及第二(甲基)丙烯酸類樹脂，含有(甲基)丙烯酸主鏈及鍵結至所述主鏈的一個末端的硫醇基：
    Figure 107141900-A0305-02-0034-25
     其中，在化學式1中，Z是氫、具有1個至20個碳原子的烷基、具有6個至20個碳原子的芳基、具有1個至20個碳原子的烷基硫氧基、具有6個至20個碳原子的芳基硫氧基、具有1個至20個碳原子的烷氧基、具有6個至20個碳原子的芳氧基，或具有1個至20個碳原子的胺基，其中所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂的莫耳含量按所述第一(甲基)丙烯酸類樹脂及所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂的總和計，為自5莫耳%至95莫耳%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中Z是具有10個至20個碳原子的烷基硫氧基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中在所述 第一(甲基)丙烯酸類樹脂及所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂中，由以下化學式2表示的官能基或含有衍生自聚合起始劑的部分的官能基鍵結至所述(甲基)丙烯酸主鏈的另一末端：
    Figure 107141900-A0305-02-0035-26
     其中，在化學式2中，R是經甲基取代的具有1個至5個碳原子的氰基或伸烷基，以及X是具有1個至20個碳原子的烷基，或羧基。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的光阻組成物，其中，在化學式2中，R是由以下化學式3至化學式5表示的官能基中的一者：
    Figure 107141900-A0305-02-0035-27
    Figure 107141900-A0305-02-0035-28
    Figure 107141900-A0305-02-0035-29
  5. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中含於所述第一(甲基)丙烯酸類樹脂中的所述(甲基)丙烯酸主鏈包含由以下化學式6表示的重複單位：[化學式6]
    Figure 107141900-A0305-02-0036-30
     其中，在化學式6中，R1是具有4個至10個碳原子的烷基，R2是具有1個至3個碳原子的烷基，或經具有3個至10個碳原子的烷氧基取代的烷基，R3是具有6個至20個碳原子的芳基，或具有3個至20個碳原子的環烷基，R4至R7各自獨立地為氫或甲基，且a+c：b：d的比=2至8：0.5至3：1至5。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中所述第一(甲基)丙烯酸類樹脂是由以下化學式7表示的聚合物：
    Figure 107141900-A0305-02-0036-31
     其中，在化學式7中，Z是氫、具有1個至20個碳原子的烷基、具有6個至20個碳原子的芳基、具有1個至20個碳原子的烷基硫氧基、具有6個至20個碳原子的芳基硫氧基、具有1個至20個碳原子的烷氧基、具有6個至20個碳原子的芳氧基，或具有1個至20個碳原子的胺基， R是具有1個至20個碳原子的伸烷基，X是具有1個至20個碳原子的烷基，或羧基，R1是具有4個至10個碳原子的烷基，R2是具有1個至3個碳原子的烷基，或經具有3個至10個碳原子的烷氧基取代的烷基，R3是具有6個至20個碳原子的芳基，或具有3個至20個碳原子的環烷基，R4至R7各自獨立地為氫或甲基，且a+c：b：d的比=2至8：0.5至3：1至5。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂是由以下化學式8表示的聚合物：
    Figure 107141900-A0305-02-0037-32
     其中，在化學式8中，R是具有1個至20個碳原子的伸烷基，X是具有1個至20個碳原子的烷基，或羧基，R1是具有4個至10個碳原子的烷基，R2是具有1個至3個碳原子的烷基，或經具有3個至10個碳原子的烷氧基取代的烷基，R3是具有6個至20個碳原子的芳基或具有3個至20個碳原 子的環烷基，R4至R7各自獨立地為氫或甲基，且a+c：b：d的比=2至8：0.5至3：1至5。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂的莫耳含量按所述第一(甲基)丙烯酸類樹脂及所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂的總和計，為自10莫耳%至30莫耳%。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中按所述第一(甲基)丙烯酸類樹脂及所述第二(甲基)丙烯酸類樹脂的總和的100重量份計，更包含1重量份至90重量份的量的羥基苯乙烯樹脂。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中所述光阻組成物更包含由下述者所組成的族群中選出的一或多種添加劑：光酸產生劑、酸擴散控制劑、塑化劑、界面活性劑、光起始劑以及溶解抑制劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物，其中所述光阻組成物含有小於0.0001重量%的腐蝕抑制劑，所述腐蝕抑制劑包含三嗪硫醇化合物或三唑化合物。
  12. 一種光阻膜，包括如申請專利範圍第1項所述的光阻組成物的固化產物。
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