JP6342683B2 - 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6342683B2 JP6342683B2 JP2014059147A JP2014059147A JP6342683B2 JP 6342683 B2 JP6342683 B2 JP 6342683B2 JP 2014059147 A JP2014059147 A JP 2014059147A JP 2014059147 A JP2014059147 A JP 2014059147A JP 6342683 B2 JP6342683 B2 JP 6342683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- photosensitive resin
- resin composition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 CCCC(C#N)=NO* Chemical compound CCCC(C#N)=NO* 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
このため、特許文献1、2等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いる場合、金属基板上にトップの幅よりもボトムの幅のほうが大きい非レジスト部を備えるレジストパターンを形成することが困難である。
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂と、(C)下記式(1)で表されるメルカプト化合物と、を含有する、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物である。
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、
を含む、鋳型付き基板の製造方法である。
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物(以下、感光性樹脂組成物とも記す。)は、(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(以下(A)酸発生剤とも記す。)と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(以下(B)樹脂とも記す。)と、所定の構造の(C)メルカプト化合物と、を含有する。感光性樹脂組成物は、必要に応じて、(D)アルカリ可溶性樹脂、(E)酸拡散抑制剤、及び(S)有機溶剤等の成分を含んでいてもよい。
(A)酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物であれば特に限定されない。(A)酸発生剤としては、以下に説明する、第一〜第五の態様の酸発生剤が好ましい。以下、感光性樹脂組成物において好適に使用される(A)酸発生剤のうち好適なものについて、第一から第五の態様として説明する。
(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂としては、特に限定されず、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する任意の樹脂を用いることができる。その中でも、(B1)ノボラック樹脂、(B2)ポリヒドロキシスチレン樹脂、及び(B3)アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂を含有することが好ましい。
(B1)ノボラック樹脂としては、下記式(b1)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
(B2)ポリヒドロキシスチレン樹脂としては、下記式(b4)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
(B3)アクリル樹脂としては、下記式(b5)〜(b7)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
感光性樹脂組成物は、下記式(1)で表される(C)メルカプト化合物を含有する。ポジ型の感光性樹脂組成物を用いてめっき用の鋳型として使用されるレジストパターンを形成する際、レジストパターンの非レジスト部について、トップ(レジスト層の表面側)の幅よりもボトム(基板表面側)の幅が狭くなってしまう場合がある。このような形状の非レジスト部を有するレジストパターンを鋳型として、めっき造形物を製造する場合、めっき造形物と基板との接触面積が小さいために、めっき造形物の基板への密着状態が不安定になりやすい。しかし、感光性樹脂組成物が、下記式(1)で表される(C)メルカプト化合物を含有する場合、レジストパターンの非レジスト部において、ボトムの幅が、トップの幅よりも狭まることを抑制できる。
感光性樹脂組成物は、クラック耐性を向上させるため、さらに(D)アルカリ可溶性樹脂を含有することが好ましい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度20質量%の樹脂溶液(溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)により、膜厚1μmの樹脂膜を基板上に形成し、2.38質量%のTMAH水溶液に1分間浸漬した際、0.01μm以上溶解するものをいう。(D)アルカリ可溶性樹脂としては、(D1)ノボラック樹脂、(D2)ポリヒドロキシスチレン樹脂、及び(D3)アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。
ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物(以下、単に「フェノール類」という。)とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
(D2)ポリヒドロキシスチレン樹脂を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、p−ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。
さらに、(D2)ポリヒドロキシスチレン樹脂は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましい。このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等が挙げられる。
(D3)アクリル樹脂としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。
感光性樹脂組成物は、鋳型として使用されるレジストパターンの形状や、感光性樹脂膜の引き置き安定性等の向上のため、さらに(E)酸拡散制御剤を含有することが好ましい。(E)酸拡散制御剤としては、(E1)含窒素化合物が好ましく、さらに必要に応じて、(E2)有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。
(E1)含窒素化合物としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3,−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、8−オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6−トリ(2−ピリジル)−S−トリアジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(E2)有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。
感光性樹脂組成物は、(S)有機溶剤を含有する。(S)有機溶剤の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、従来よりポジ型の感光性樹脂組成物に使用されている有機溶剤から適宜選択して使用することができる。
感光性樹脂組成物は、可塑性を向上させるため、さらにポリビニル樹脂を含有していてもよい。ポリビニル樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリビニル樹脂は、ガラス転移点の低さの点から、好ましくはポリビニルメチルエーテルである。
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物は、上記の各成分を通常の方法で混合、撹拌して調製される。上記の各成分を、混合、撹拌する際に使用できる装置としては、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等が挙げられる。上記の各成分を均一に混合した後に、得られた混合物を、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。
上記説明した感光性樹脂組成物を用いて、金属表面を有する基板の金属表面上に、めっき造形物を形成するための鋳型となるレジストパターンを形成する方法は特に限定されない。
好適な方法としては、
金属表面を有する基板の金属表面上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、
を含む、鋳型付き基板の製造方法が挙げられる。
上記の方法により形成された鋳型付き基板の鋳型中の非レジスト部(現像液で除去された部分)に、めっきにより金属等の導体を埋め込むことにより、例えば、バンプやメタルポスト等の接続端子のようなめっき造形物を形成することができる。なお、めっき処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。めっき液としては、特にハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき液が好適に用いられる。残っている鋳型は、最後に、常法に従って剥離液等を用いて除去される。
D−1:ポリヒドロキシスチレン樹脂(質量平均分子量10000)
D−2:ノボラック樹脂(m−クレゾールとp−クレゾールとをm−クレゾール/p−クレゾール=60/40(質量比)で混合し、ホルムアルデヒド及び酸触媒の存在下で付加縮合して得たノボラック樹脂(質量平均分子量8000))
<感光性樹脂組成物組成>
樹脂B−1:40質量部
樹脂D−1:20質量部
樹脂D−2:40質量部
酸発生剤:2質量部
添加剤(トリエチルアミン):0.02質量部
添加剤(サリチル酸):0.025質量部
メルカプト化合物:表1に記載の量
実施例1〜11、及び比較例1〜3の感光性樹脂組成物を、スピンコーターを用いて8インチの銅基板上に塗布し、表1に記載の膜厚のレジストパターンを形成できる膜厚の感光性樹脂層を形成した。そして、この感光性樹脂層を150℃で5分間プリベークした。プリベーク後、60μm径のホールパターンのマスクと、露光装置Prisma GHI(ウルトラテック社製)とを用いて、露光量を段階的に変化させながらghi線でパターン露光した。次いで、基板をホットプレート上に載置して100℃で3分間の露光後加熱(PEB)を行った。その後、2.38%テトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)水溶液を感光性樹脂層に滴下して、23℃で60秒間放置し、これを4回繰り返して現像した。その後、流水洗浄し、窒素ブローして60μm径のコンタクトホールパターンを有する厚膜レジストパターンを得た。
そして、パターン残渣が認められなくなる露光量、すなわち厚膜レジストパターンを形成するのに必要な最低露光量を求め、感度の指標とした。結果を下記表1に示す。
各実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、直径8インチの銅基板上に塗布し、膜厚50μmの感光性樹脂層を形成した。次いで、感光性樹脂層を150℃で5分間プリベークした。プリベーク後、60μm径のホールパターンのマスクと露光装置Prisma GHI(ウルトラテック社製)とを用いて、感度の評価で求められた最低露光量の1.2倍の露光量にて、ghi線でパターン露光した。次いで、基板をホットプレート上に載置して100℃で3分間の露光後加熱(PEB)を行った。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液(現像液、NMD−3、東京応化工業株式会社製)を露光された感光性樹脂層に滴下した後に23℃で60秒間静置する操作を、計4回繰り返して行った。その後、レジストパターン表面を流水洗浄した後に、窒素ブローしてレジストパターンを得た。このレジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡に観察して、フッティング量を測定した。
具体的には、フッティング量は以下のようにして測定した。フッティング量を測定する際のレジスト部及び比レジスト部の断面の模式図を図1に示す。図1中で、基板11上にレジスト部12と非レジスト部13(ホール)とを備えるレジストパターンが形成されている。まず、レジスト部12と非レジスト部13との界面である側壁14上において、側壁14上でのフッティングが開始する箇所である変曲点15を定めた。変曲点15から基板11の表面に向けて垂線16を下ろし、垂線16と基板11の表面との交点をフッティング始点17とした。また、側壁14の曲線と基板11の表面との交点をフッティング終点18とした。このように定めた、フッティング始点17とフッティング終点18との間の幅Wfをフッティング量とした。フッティング量は、レジストパターン中の任意の1つの非レジスト部の、任意の一方の側壁14について測定した値である。求められたフッティング量の値から、以下の基準に従って、フッティングの程度を評価した。フッティングの評価結果を表1に記す。
<フッティング評価基準>
◎:0μm以上0.5μm未満
○:0.5μm以上1.0μm未満
△:1.0μm以上2.0μm未満
×:2.0μm以上
また、実施例と、比較例1との比較から、(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂とを含む感光性樹脂組成物に、式(1)で表されるメルカプト化合物を加える場合、感光性樹脂組成物の感度の低下は生じず、むしろ、感光性樹脂組成物の感度が若干上がることが分かる。
12 レジスト部
13 非レジスト部
14 側壁
15 変曲点
16 垂線
17 フッティング始点
18 フッティング終点
Claims (5)
- さらに(D)アルカリ可溶性樹脂を含有する、請求項1記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(D)アルカリ可溶性樹脂が、(D1)ノボラック樹脂、(D2)ポリヒドロキシスチレン樹脂、及び(D3)アクリル樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の樹脂を含む、請求項1又は2記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
- 金属表面を有する基板の前記金属表面上に、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
前記感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、
を含む、鋳型付き基板の製造方法であって、
前記化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物が、(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂と、(C)下記式(1)で表されるメルカプト化合物と、を含有する、鋳型付き基板の製造方法。
- 請求項4に記載の方法により製造される前記鋳型付き基板にめっきを施して、前記鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059147A JP6342683B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
TW104107409A TWI667533B (zh) | 2014-03-20 | 2015-03-09 | Chemically amplified positive photosensitive resin composition, method for producing substrate with template, and method for producing deposited body |
KR1020150037211A KR102399142B1 (ko) | 2014-03-20 | 2015-03-18 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
US14/662,659 US9557651B2 (en) | 2014-03-20 | 2015-03-19 | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014059147A JP6342683B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015184389A JP2015184389A (ja) | 2015-10-22 |
JP6342683B2 true JP6342683B2 (ja) | 2018-06-13 |
Family
ID=54141993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014059147A Active JP6342683B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9557651B2 (ja) |
JP (1) | JP6342683B2 (ja) |
KR (1) | KR102399142B1 (ja) |
TW (1) | TWI667533B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017181895A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP6667361B2 (ja) * | 2016-05-06 | 2020-03-18 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
TWI724029B (zh) * | 2016-09-28 | 2021-04-11 | 奇美實業股份有限公司 | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、附有鑄模的基板的製造方法以及電鍍成形體的製造方法 |
TWI681253B (zh) * | 2016-12-27 | 2020-01-01 | 奇美實業股份有限公司 | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、附有鑄模的基板的製造方法以及電鍍成形體的製造方法 |
TWI685714B (zh) * | 2016-12-27 | 2020-02-21 | 奇美實業股份有限公司 | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、附有鑄模的基板的製造方法以及電鍍成形體的製造方法 |
JP6845050B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2021-03-17 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
KR102513125B1 (ko) | 2017-09-13 | 2023-03-23 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
KR102678027B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2024-06-24 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
JP6978268B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-12-08 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法、及びメルカプト化合物 |
US11022880B2 (en) * | 2017-10-25 | 2021-06-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and mercapto compound |
TWI749104B (zh) * | 2017-11-16 | 2021-12-11 | 奇美實業股份有限公司 | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物、附有鑄模的基板的製造方法以及電鍍成形體的製造方法 |
KR102164614B1 (ko) * | 2017-11-24 | 2020-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 필름 |
JP7020953B2 (ja) | 2018-02-13 | 2022-02-16 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、めっき造形物の製造方法、及びメルカプト化合物 |
JP7002966B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2022-01-20 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
EP3761117A4 (en) * | 2018-03-27 | 2021-05-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | METHOD OF MANUFACTURING A PLATED SHAPED BODY |
US11131927B2 (en) * | 2018-05-09 | 2021-09-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template and method of manufacturing plated article |
JP7210231B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2023-01-23 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法及びめっき造形物の製造方法 |
US20220035246A1 (en) * | 2018-12-12 | 2022-02-03 | Jsr Corporation | Method for producing plated formed product |
KR20210101219A (ko) | 2018-12-12 | 2021-08-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감광성 수지 조성물, 레지스트 패턴막의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
US20220026801A1 (en) * | 2018-12-26 | 2022-01-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive -type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, and method of manufacturing plated article |
JP6691203B1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-04-28 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法及びめっき造形物の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3937466B2 (ja) | 1995-12-28 | 2007-06-27 | 東洋インキ製造株式会社 | 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物および硬化性組成物 |
JP3921748B2 (ja) | 1997-08-08 | 2007-05-30 | 住友化学株式会社 | フォトレジスト組成物 |
JP4403627B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-01-27 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法 |
KR100795112B1 (ko) * | 2001-02-05 | 2008-01-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 레지스트 조성물 |
JP4243029B2 (ja) * | 2001-02-05 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
JP2006019447A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Canon Inc | レジストパターンの形成方法、基板の加工方法及びデバイスの作製方法 |
US7081327B2 (en) * | 2004-12-29 | 2006-07-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal |
JP2006330366A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物、転写フィルムおよびメッキ造形物の製造方法 |
JP2007133185A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
US20110039206A1 (en) * | 2009-05-20 | 2011-02-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Novel resins and photoresist compositions comprising same |
JP5348062B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2013-11-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法及びメッキパターン形成方法 |
JP2012189875A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Fujifilm Corp | 樹脂パターン及びその製造方法、mems構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法 |
JP2013171101A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機el表示装置および液晶表示装置 |
JP2013210558A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Fujifilm Corp | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機el表示装置および液晶表示装置 |
KR20140148431A (ko) * | 2012-04-27 | 2014-12-31 | 후지필름 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 유기 el 표시 장치 및 액정 표시 장치 |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014059147A patent/JP6342683B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-09 TW TW104107409A patent/TWI667533B/zh active
- 2015-03-18 KR KR1020150037211A patent/KR102399142B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-19 US US14/662,659 patent/US9557651B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015184389A (ja) | 2015-10-22 |
US20150268553A1 (en) | 2015-09-24 |
KR102399142B1 (ko) | 2022-05-17 |
TWI667533B (zh) | 2019-08-01 |
US9557651B2 (en) | 2017-01-31 |
KR20150110351A (ko) | 2015-10-02 |
TW201602721A (zh) | 2016-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6342683B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP6564196B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5749631B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP6147995B2 (ja) | メッキ造形物の形成方法 | |
JP6667361B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP6174420B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
TWI771270B (zh) | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物 | |
JP6612485B1 (ja) | めっき造形物の製造方法 | |
JP5778568B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 | |
JP6238635B2 (ja) | 化学増幅型感光性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
JP6195445B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト積層体、ホトレジストパターンの製造方法、及び接続端子の製造方法 | |
JP2010185986A (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物および厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP2017198919A (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5814103B2 (ja) | 厚膜ホトレジストパターンの製造方法 | |
JP2016177018A (ja) | 感光性樹脂層の形成方法、ホトレジストパターンの製造方法、及びメッキ造形物の形成方法 | |
JP2008134474A (ja) | 厚膜用化学増幅型ドライフィルム及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP5006013B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP2019200418A (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 | |
JP6059071B2 (ja) | 被膜形成方法 | |
JP7017608B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2019159040A (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180515 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6342683 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |