JP2017198919A - 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017198919A JP2017198919A JP2016091292A JP2016091292A JP2017198919A JP 2017198919 A JP2017198919 A JP 2017198919A JP 2016091292 A JP2016091292 A JP 2016091292A JP 2016091292 A JP2016091292 A JP 2016091292A JP 2017198919 A JP2017198919 A JP 2017198919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- photosensitive resin
- acid
- carbon atoms
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 C*(C)[N+]([O-])O* Chemical compound C*(C)[N+]([O-])O* 0.000 description 3
- YBTVRFLWSQFFNU-UHFFFAOYSA-O C[S+](C)c(c1c2)cccc1ccc2O Chemical compound C[S+](C)c(c1c2)cccc1ccc2O YBTVRFLWSQFFNU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2065—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam using corpuscular radiation other than electron beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1146—Plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/116—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
- H01L2224/1162—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material using masks
- H01L2224/11622—Photolithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13155—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂と、(S)有機溶剤とを含む、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物について、(B−3)−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含有するアクリル樹脂を用いる。
【選択図】なし
Description
この場合、レジストパターンを鋳型としてバンプやメタルポストを形成する際に、形成されるバンプやメタルポストとの基板との接触面積が小さいため、バンプやメタルポストが倒れたり基板から剥離したりしてしまう問題が生じやすい。
(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂は、脂肪族の酸解離性溶解抑制基で保護されたアルカリ可溶性基を有し、且つ、
(B−3)−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含有するアクリル樹脂を含む、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物である。
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光することと、
露光後の感光性樹脂層を現像することと、を含む、レジストパターンの製造方法である。
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光することと、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法である。
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物(以下、感光性樹脂組成物とも記す。)は、(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(以下(A)酸発生剤とも記す。)と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(以下(B)樹脂とも記す。)と、(S)有機溶剤と、を含有する。感光性樹脂組成物は、必要に応じて、(C)アルカリ可溶性樹脂、及び(D)酸拡散抑制剤から選択される1以上の成分を含んでいてもよい。
(A)酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物であれば特に限定されない。(A)酸発生剤としては、以下に説明する、第一〜第五の態様の酸発生剤が好ましい。以下、感光性樹脂組成物において好適に使用される(A)酸発生剤のうち好適なものについて、第一から第五の態様として説明する。
(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂は、脂肪族の酸解離性溶解抑制基で保護されたアルカリ可溶性基を有し、且つ、(B−3)−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含有するアクリル樹脂(以下、(B−3)アクリル樹脂とも記す。)を含む。
感光性樹脂組成物が(B−3)アクリル樹脂を含有することにより、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを形成することができる。なお、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂は、従来からポジ型感光性樹脂組成物に配合されている、上記の(B−3)アクリル樹脂以外の樹脂を含んでいてもよい。
上述の通り、感光性樹脂組成物は、(B−3)−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含有するアクリル樹脂を必須に含有する。
このため、(B3)アクリル樹脂としては、(B−3)−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含有するアクリル樹脂が好ましい。以下、好適な(B3)アクリル樹脂として、好適な樹脂である(B−3)アクリル樹脂について説明する。
(B−3)アクリル樹脂は、−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含む。このため、(B−3)アクリル樹脂は、−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含む構成単位(b−3a)と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含む構成単位(b−3b)と、を必須に含む。
−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含む構成単位(b−3a)について説明する。
ここで、「−SO2−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO2−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO2−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO2−を含む環をひとつ目の環として数え、当該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO2−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
構成単位(b−3a−S)の例として、より具体的には、下記式(b−S1)で表される構成単位が挙げられる。
R11bは、前記で挙げた−SO2−含有環式基と同様である。
R12bは、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
R13bの2価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
構成単位(b−3a−L)の例としては、例えば前述の式(b−S1)中のR11bをラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記式(b−L1)〜(b−L5)で表される構成単位が挙げられる。
R’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、−SO2−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基について前述したものと同様のものが挙げられる。
R”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R”が直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素原子数1〜10であることが好ましく、炭素原子数1〜5であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素原子数3〜15であることが好ましく、炭素原子数4〜12であることがさらに好ましく、炭素原子数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
A”としては、前述の式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素原子数1〜5のアルキレン基、酸素原子(−O−)又は硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素原子数1〜5のアルキレン基、又は−O−がより好ましい。炭素原子数1〜5のアルキレン基としては、メチレン基、又はジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
式(b−L1)中、s”は1〜2であることが好ましい。
以下に、前述の式(b−L1)〜(b−L3)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。
なかでも、前述の式(b−L1−1)、(b−L1−2)、(b−L2−1)、(b−L2−7)、(b−L2−12)、(b−L2−14)、(b−L3−1)、及び(b−L3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
以下、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含む構成単位(b−3b)について説明する。
感光性樹脂組成物が、前述の構成単位(b−3a)と、構成単位(b−3b)とを組み合わせて含む(B−3)アクリル樹脂を含有することによって、断面形状が良好であるパターンを形成しやすい。
構成単位(b−3b)中の芳香族基の数は特に限定されず、1であっても、2以上の複数であってもよく、1が好ましい。
芳香族炭化水素基は、種々の芳香族炭化水素基から、芳香族炭化水素基の価数と同数の水素原子を除いた基である。
好ましい芳香族炭化水素基を与える芳香族炭化水素としては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、アントラセン、フェナントレンが好ましい。
好ましい芳香族複素環基を与える芳香族複素環としては、ピリジン、フラン、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾゾール、及びベンゾイミダゾールが挙げられる。
芳香族基が置換基を有する場合、置換基の数は特に限定されず、例えば、1〜5が好ましく、1〜3がより好ましい。芳香族基は、無置換であるのも好ましい。
アルコール性水酸基を有する有機基において、アルコール性水酸基は、1級水酸基であっても、2級水酸基であっても、3級水酸基であってもよい。
ただし、アルコール性水酸基を有する有機基は、ラクトン環又は−SO2−含有環を含まない。
芳香族基と、アルコール性水酸基とが結合した基としては、例えば、下記(i)〜(Viii)で表される基が好ましい。
−R14b(OH)−O−R15b・・・(i)
−R14b(OH)−CO−O−R15b・・・(ii)
−R14b(OH)−O−CO−R15b・・・(iii)
−R14b(OH)−R15b・・・(iv)
−R16b−O−R17b−OH・・・(v)
−R16b−CO−O−R17b−OH・・・(vi)
−R16b−O−CO−R17b−OH・・・(vii)
−R16b−R17b−OH・・・(viii)
R14b及びR15bについて、脂肪族炭化水素基は、それぞれ直鎖状でも分岐鎖状でもよく、直鎖状が好ましい。当該脂肪族炭化水素基の炭素原子数は2〜20が好ましく、2〜10がより好ましく、2〜6が特に好ましい、
R15b及びR16bについて、好ましい芳香族基は前述の通りである。
つまり、R15bについては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、アントラセン、フェナントレン、ピリジン、フラン、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾゾール、又はベンゾイミダゾールから1つの水素原子を除いた1価の芳香族基が好ましく、R16bについては、これらの芳香族化合物から2つの水素原子を除いた2価の芳香族基が好ましい。
構成単位(b−3b−H)の例として、より具体的には、下記式(b−H1)で表される構成単位が挙げられる。
R18bについて、脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、2〜10が好ましく、2〜6がより好ましい。
R19bとしては、フェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、及び2−フェニルフェニル基が好ましい。
また、(B−3)アクリル樹脂は、酸解離性溶解抑制基を含み、酸の作用により(B−3)アクリル樹脂のアルカリに対する溶解性を高める構成単位として、下記式(b5)〜(b7)で表される構成単位を含む。
脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから1個の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。
感光性樹脂組成物は、クラック耐性を向上させるため、必要に応じて(C)アルカリ可溶性樹脂を含んでいてもよい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度20質量%の樹脂溶液(溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)により、膜厚1μmの樹脂膜を基板上に形成し、2.38質量%のTMAH水溶液に1分間浸漬した際、0.01μm以上溶解するものをいう。
(C1)ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物(以下、単に「フェノール類」という。)とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
(C2)ポリヒドロキシスチレン樹脂を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、p−ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。
(C3)アクリル樹脂としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシル基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。
感光性樹脂組成物は、形状の良好なパターンの形状や、感光性樹脂膜の引き置き安定性等の向上のため、さらに(D)酸拡散制御剤を含有することが好ましい。(D)酸拡散制御剤としては、(D1)含窒素化合物が好ましく、さらに必要に応じて、(D2)有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。
(D1)含窒素化合物としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3,−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、8−オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6−トリ(2−ピリジル)−S−トリアジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D2)有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。
感光性樹脂組成物は、塗布性の調製の目的等で(S)有機溶剤を含有する。(S)有機溶剤の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、従来よりポジ型の感光性樹脂組成物に使用されている有機溶剤から適宜選択して使用することができる。
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物は、上記の各成分を通常の方法で混合、撹拌して調製される。上記の各成分を、混合、撹拌する際に使用できる装置としては、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等が挙げられる。上記の各成分を均一に混合した後に、得られた混合物を、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。
上記説明した感光性樹脂組成物を用いるレジストパターンの形成方法は特に限定されないが、好ましい方法としては
基板上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層することと、
感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光することと、
露光後の感光性樹脂層を現像することと、
を含む方法が挙げられる。
めっき造形物を形成するための鋳型を備える鋳型付き基板では、感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンが鋳型として使用される。レジストパターン中の非レジスト部に、めっきにより金属が充填され、めっき造形物が形成される。
上記の方法により形成された鋳型付き基板の鋳型中の非レジスト部(現像液で除去された部分)に、めっきにより金属等の導体を埋め込むことにより、例えば、バンプやメタルポスト等の接続端子のようなめっき造形物を形成することができる。なお、めっき処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。めっき液としては、特にハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき液が好適に用いられる。残っている鋳型は、最後に、常法に従って剥離液等を用いて除去される。
比較例では、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂として、表1に記載の樹脂P−9〜P〜11を用いた。
樹脂P−1〜P−11の構成単位の組成を以下に、A〜Iとして示す。各構成単位の右下の数値は、樹脂中の構成単位の比率(質量%)を意味する。
得られた感光性樹脂組成物を用いて、以下の方法に従って、レジストパターン中の非レジスト部の断面形状と、解像性と、感度とを評価した。
実施例1〜8、及び比較例1〜3の感光性樹脂組成物を、スピンコーターを用いて8インチの銅基板上に塗布し、膜厚100μmのレジストパターンを形成できる膜厚の感光性樹脂層を形成した。そして、この感光性樹脂層を150℃で5分の順でプリベークした。プリベーク後、60μm径のホールパターンを形成するためのマスクと、露光装置Prisma GHI(ウルトラテック社製)とを用いてghi線でパターン露光した。次いで、基板をホットプレート上に載置して100℃で3分、露光後加熱(PEB)を行った。その後、2.38%テトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)水溶液を感光性樹脂層に滴下して、23℃で60秒間放置し、これを4回繰り返して現像した。その後、流水洗浄し、窒素ブローして60μm径のコンタクトホールパターンを有するレジストパターンを得た。
◎:CDmax/CDminが1.1未満である。
○:CDmax/CDminが1.1以上1.2未満である。
△:CDmax/CDminが1.2以上1.3未満である。
×:CDmax/CDminが1.3以上である。
20μm径、40μm径、及び60μm径のホールパターンを形成するための3種のマスクを用いることの他は、非レジスト部の断面形状の評価方法と同様にしてコンタクトホールパターンを形成して解像性の評価を行った。評価基準は以下の通りである。解像性の評価結果を表2に記す。なお、比較例2については、60μ径のホールを形成できなかった。
◎:20μm径のホール解像可
○:40μm系のホール解像可、且つ20μm系のホール解像不可
×:40μm系のホール解像不可
非レジスト部の断面形状の評価方法と同様にして、露光量を変化させながら100μm径のホールパターンを形成するためのマスクを用いて、コンタクトホールパターンを形成した。この際に、100μm径のホールが解像した露光量を感度とした。感度の評価結果を表2に記す。
Claims (7)
- (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂と、(S)有機溶剤と、を含有する化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物であって、
前記(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂は、脂肪族の酸解離性溶解抑制基で保護されたアルカリ可溶性基を有し、且つ、
(B−3)−SO2−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、芳香族基及びアルコール性水酸基を有する有機基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、を含有するアクリル樹脂を含む、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の全質量に対する、前記(B−3)アクリル樹脂の質量の割合が70質量%以上である、請求項1又は2に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
- 金属基板上に、めっき造形物を形成するための鋳型を作成するために用いられる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
- 基板上に、請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層することと、
前記感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光することと、
露光後の前記感光性樹脂層を現像することと、を含む、レジストパターンの製造方法。 - 金属基板上に、請求項4に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層することと、
前記感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光することと、
露光後の前記感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法。 - 請求項6に記載の方法により製造される前記鋳型付き基板にめっきを施して、前記鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016091292A JP6734109B2 (ja) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
US15/494,851 US10261415B2 (en) | 2016-04-28 | 2017-04-24 | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition |
KR1020170053921A KR102396893B1 (ko) | 2016-04-28 | 2017-04-26 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
TW106113957A TWI739824B (zh) | 2016-04-28 | 2017-04-26 | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016091292A JP6734109B2 (ja) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017198919A true JP2017198919A (ja) | 2017-11-02 |
JP6734109B2 JP6734109B2 (ja) | 2020-08-05 |
Family
ID=60158939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016091292A Active JP6734109B2 (ja) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10261415B2 (ja) |
JP (1) | JP6734109B2 (ja) |
KR (1) | KR102396893B1 (ja) |
TW (1) | TWI739824B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020016796A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
WO2022168967A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 興和株式会社 | 新規なコポリマー |
WO2024034683A1 (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | 興和株式会社 | 新規なコポリマー |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7141260B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-09-22 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、めっき造形物の製造方法及び含窒素芳香族複素環化合物 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090155719A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Choi Sang-Jun | Aromatic (meth)acrylate compound having an alpha-hydroxy, photosensitive polymer, resist compositions, and associated methods |
JP2010053163A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ナフタレン環を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2010061097A (ja) * | 2008-03-05 | 2010-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料 |
WO2014208102A1 (en) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for Enhancing Generation of Chemical Species |
JP2015025879A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | Jsr株式会社 | 樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法 |
JP2015194715A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-11-05 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2015200874A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-11-12 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上剤 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3937466B2 (ja) | 1995-12-28 | 2007-06-27 | 東洋インキ製造株式会社 | 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物および硬化性組成物 |
JP3921748B2 (ja) | 1997-08-08 | 2007-05-30 | 住友化学株式会社 | フォトレジスト組成物 |
WO2010061774A1 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 日産化学工業株式会社 | アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物 |
JP2010185986A (ja) | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物および厚膜レジストパターンの製造方法 |
JP5776580B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-09-09 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP6247858B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-12-13 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP6438645B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2018-12-19 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP6432170B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2018-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP6456176B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2019-01-23 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
US9989849B2 (en) * | 2015-11-09 | 2018-06-05 | Jsr Corporation | Chemically amplified resist material and resist pattern-forming method |
JP6583126B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-10-02 | 信越化学工業株式会社 | 新規カルボン酸オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
-
2016
- 2016-04-28 JP JP2016091292A patent/JP6734109B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-24 US US15/494,851 patent/US10261415B2/en active Active
- 2017-04-26 TW TW106113957A patent/TWI739824B/zh active
- 2017-04-26 KR KR1020170053921A patent/KR102396893B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090155719A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Choi Sang-Jun | Aromatic (meth)acrylate compound having an alpha-hydroxy, photosensitive polymer, resist compositions, and associated methods |
JP2010061097A (ja) * | 2008-03-05 | 2010-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料 |
JP2010053163A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ナフタレン環を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
WO2014208102A1 (en) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for Enhancing Generation of Chemical Species |
JP2015025879A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | Jsr株式会社 | 樹脂組成物、重合体及びレジストパターン形成方法 |
JP2015200874A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-11-12 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上剤 |
JP2015194715A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-11-05 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020016796A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
US11016387B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, method of manufacturing substrate with template, and method of manufacturing plated article |
WO2022168967A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 興和株式会社 | 新規なコポリマー |
WO2024034683A1 (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | 興和株式会社 | 新規なコポリマー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102396893B1 (ko) | 2022-05-11 |
US10261415B2 (en) | 2019-04-16 |
TWI739824B (zh) | 2021-09-21 |
KR20170123265A (ko) | 2017-11-07 |
US20170315444A1 (en) | 2017-11-02 |
JP6734109B2 (ja) | 2020-08-05 |
TW201818148A (zh) | 2018-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6564196B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP6342683B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5749631B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP6667361B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP6147995B2 (ja) | メッキ造形物の形成方法 | |
TWI771270B (zh) | 化學增幅型正型感光性樹脂組成物 | |
JP6174420B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
JP7393408B2 (ja) | 化学増幅型感光性組成物、感光性ドライフィルムの製造方法及びパターン化されたレジスト膜の製造方法 | |
JP5778568B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜ホトレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法 | |
JP4884951B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
KR102396893B1 (ko) | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
JP6456176B2 (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP6238635B2 (ja) | 化学増幅型感光性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
JP2010185986A (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物および厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP6195445B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト積層体、ホトレジストパターンの製造方法、及び接続端子の製造方法 | |
JP2008191218A (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 | |
JP2016148740A (ja) | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP5814103B2 (ja) | 厚膜ホトレジストパターンの製造方法 | |
JP2019200418A (ja) | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200623 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6734109 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |