TWI690468B - 具有強化圍阻的基板容器 - Google Patents

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葛瑞 蓋勒格
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Abstract

可藉由對金屬漿體進行射出成型來形成供在半導體製造行業中使用之基板容器及/或其部分。更具體而言，可藉由對含有鎂或鎂合金之金屬漿體進行射出成型來形成此等基板容器及/或其部分。與由基於聚合物之材料形成之相當基板載具相較，基板容器可展現出改良之水分及氧氣滲透控制，其中該基板容器之至少一部分係由含有鎂或鎂合金之一金屬漿體而射出成型。實例性基板容器可包含晶圓容器、光罩盒、碟片運送裝置、及/或在製品盒。

Description

具有強化圍阻的基板容器 【優先權聲明】
本申請案主張2015年7月13日提出申請之第62/192,011號美國臨時專利申請案之權利，該美國臨時專利申請案以引用方式全文併入本文中。
本發明大體而言係關於在半導體製造中所使用之基板容器，例如矽晶圓容器及光罩容器。
被製造成積體電路(包含電腦晶片)之半導體晶圓於在各種加工設備中進行加工期間會經受眾多步驟。該等晶圓必須在各工作站之間被運輸且為了適應必需加工步驟通常必須被臨時儲存。此外，晶圓有時必須自一晶圓製造設施被運輸或運送至另一位點，在該另一位點處，對晶圓進行進一步加工。此通常藉由使用基板容器來達成。
諸多操作效能要求與此等容器相關聯。通常，此等容器需要具有如下各項之一最佳組合：強度、穩健性、重量、容差控制、及成本效益。該等容器可藉由架空式機械設備運輸、其可被清洗及再使用、其可被數百次地打開及閉合、且其可被數百次地裝載及卸載。
用於在各加工步驟之間儲存300毫米晶圓的容器被稱作前開式統一標準盒(Front Opening Unified Pod；FOUP)，且傳統上用於在各設施之間運送300毫米晶圓的容器被稱作前開式運送盒(Front Opening Shipping Box；FOSB)。前開式統一標準盒及前開式運送盒各自具有一殼體及位於該殼體中之複數個擱架，該殼體具有一開口內部，該等擱架用於固持一隔開式晶圓。在底部上提供一運動耦合件，以與設備精確地介接。殼體中之一前開口接納一門。該門具有一密封件及一閂鎖機構，該密封件用以密閉地密封至殼體，該閂鎖機構用以將門緊固於殼體中。
除某些品牌之緊固件以外，幾乎所有組件皆係由射出成型聚合物組件形成。大多數製造商已由於污染問題而在晶圓容器中可能之處完全避免使用金屬緊固件及金屬。完全或實質上由聚合物形成之基板容器已被證明係具成本效益的，且普遍地用於半導體行業中。
然而，基於聚合物之容器、尤其是晶圓容器已被證明具有必須被解決之某些缺點。舉例而言，隨著半導體在尺度上變得更大，亦即，隨著每單位面積的電路數目增大，且隨著晶圓變得更大，污染物已更成問題。污染物可係為微粒或氣載分子污染物(airbome molecular contaminant；AMC)，包含揮發性有機化合物(volatile organic compound；VOC)。對金屬之消除及對特種聚合物之使用以及其他手動已解決了微粒污染物問題。對於氣載分子污染物，聚合物具有吸收並釋放水分及其他氣載分子污染物之一趨勢。對容器之不斷吹掃已提供一種不完全解決方案，但吹掃並非始終皆可進行，例如在晶圓被運送時。
此外，被製造成積體電路之晶圓對靜電放電亦係敏感的。通常需要或期望對在搬運及儲存半導體基板時所涉及之組件進行靜電耗散 (Electrostatic dissipation；「ESD」)。傳統聚合物並不提供此種特性，且必須利用添加劑及/或特殊調配物。此會提高聚合物之成本且可增加污染問題並且改變聚合之成型特性及其他特性。
此外，具有寬廣聚合物壁之射出成型容器需要精確受控之壁厚度、製程控制，且為達成強度、形狀穩定性及尺寸穩定性通常需要補充結構。亦即，壁厚度不能在例如殼體之不同部分中有所顯著變化，乃因在成型後進行之冷卻通常將引起不合意/不均勻之收縮及形狀變形。甚至在進行受極嚴格控制之製程之情形下，用於聚合物產品之模具亦必須過大，以提供所需大小之最終聚合物組件，該最終聚合物組件將在尺寸上不同於該模具。因此，較寬廣之組件(例如前開式統一標準盒及前開式運送盒中之殼體)才會在各處具有均勻壁厚度。另外，薄聚合物壁係為脆弱的。在聚合物容器中抽出真空通常被視為不可行的。然而，某些聚合物具有使其適用於基板容器、尤其是用於較大基板之容器(例如前開式統一標準盒及前開式運送盒)之特性；此等聚合物(例如，含氟聚合物、聚醚醚酮及液晶聚合物)具有低微粒產生特性及降低之揮發性有機化合物吸收率，但可能非常難以成型。對於此等聚合物而言，上述之成型問題會加劇。
前開式統一標準盒及前開式運送盒係按照行業標準組國際半導體設備與材料協會(Semiconductor Equipment and Materials International；SEMI)所提出之標準而製造。此等標準對於表面及特徵提供非常嚴格之容差位置要求。例如上文所述之成型不準確度可使得製成之成型產品不可用。
國際半導體設備與材料協會標準亦規定在前開式統一標準盒及前開式運送盒之頂部上定位一機器人凸緣(robotic flange)。機器人凸 緣與容器中所容納之隔開式晶圓堆疊之中心同軸地居中。鑒於聚合物成型殼體以及其他由於門框架及門存在於容器前向部分處而被前向定位之聚合物之傳統均勻壁厚度，當此等容器係藉由其機器人凸緣而被支撐及運輸時，容器之前向部分較後向部分重得多。此使重心向前移位並對凸緣及運輸系統連接賦予一力矩，進而在容器係自上方被懸置時迫使容器之前部朝下。此可具有一不利影響，尤其在對容器進行架空式運輸期間，例如，會對機器人凸緣造成高應力點且對運輸系統造成應力，進而潛在地導致連接故障或運輸異常。一種用以解決此種問題之已知方式係在容器上後向地添加單獨之壓載重物。(參見第8,881,907號美國專利。)
通常，在運輸及搬運期間，需要使振動及任何衝擊事件最小化，乃因此可能往往在基板容器內產生及/或引發微粒。對此種振動與衝擊吸收之任何改良及/或對此種振動與衝擊之最小化將受到歡迎。
一種解決方案，只要能夠克服此等問題並改良效能同時仍提供成本效益，便會受到半導體加工行業歡迎。
藉由以半固態金屬(例如，鎂合金)對聚合物組件進行射出成型並對圍阻組件進行射出成型、適當地塗覆圍阻組件並將該等組件組裝成一基板容器來為在半導體製造中所使用之基板製造儲存及/或運輸容器(「基板容器」)。在前開式晶圓容器(例如前開式統一標準盒及前開式運送盒)中，圍阻組件可係為一殼體(通常被稱為容器部)以及門，或者該門之一部分面對容器之內部。聚合物組件適用於例如以下各項等部分：閂鎖部、架空式機器人凸緣、手動把手、晶圓擱架及/或限制件、基底部及/或在容器底部處提供一運動耦合件之部分、以及例如配件、塔器及吹掃埠等吹 掃組件。在某些部分中，射出成型金屬組件可藉由緊固件或藉由搭扣配合嚙合與聚合物組件連接，或者聚合物可被包覆成型至金屬組件上。另外，可藉由現場成型製程來向金屬組件添加墊圈及密封件。
本發明實施例之一特徵及優點係為，所成型之圍阻組件可在自模具中取出之後具有微小收縮，亦即，可構造模腔與預期產品為本質上相同大小或較在對聚合物進行射出成型時更加接近預期產品之大小之模具。此外，在整個圍阻組件中，壁厚度可有所變化。另外，圍阻壁可被製成為足夠強，以在內部中抽吸一局部真空。本發明實施例之一特徵及優點(尤其對於前開式統一標準盒、前開式運送盒及具有架空式樣運輸機器人凸緣之其他容器)係為，用於鎂合金之一殼體模具可被設計成內在地使重量向後集中，藉此使前向門相關質量偏移且提供不需要補充壓載之一內在平衡基板容器。
由射出成型鎂形成之一基板容器之實施例之一特徵及優點係為，容器具有充足強度，俾使可在內部中抽吸一真空，進而提供一強化之儲存環境。可提供密封，俾使可得到1.0×10-7托之一真空。另外，可維持小於5%之相對濕度控制達6小時至12小時，同時維持小於百萬分之100之一低氧氣(O2)位準達6小時至12小時。此在晶圓容器、光罩盒及磁碟容器中係為有利的。
本發明實施例中之一複合金屬基板容器之一特徵及優點係為向一鎂合金圍阻組件提供之一導電塗層。該導電塗層將鎂合金與環境隔離，並為圍阻組件提供一靜電耗散特性。鎂合金組件並不內在地具有此種特性。在實施例中，圍阻組件係為一前開式晶圓容器之一殼體且在一底板上具有一運動耦合件，該運動耦合件由一靜電耗散材料形成，該底板與該 殼體被導電性地連接於一起。在實施例中，殼體中之擱架係為靜電耗散性且導電性地連接至導電殼體及基底板。
本發明揭露一種基板容器，其具有由一鎂觸變成型材料形成之至少一部分。該基板容器或該部分包含被施加至該鎂變成型材料之表面之一塗層，以達成耐腐蝕性。在某些實施例中，該塗層係為一轉化塗層。根據各種實施例，該基板容器可被構造為一晶圓容器(wafer container)、一光罩盒(reticle pod)、一碟片運送裝置(disk shipper)、及一在製品盒(work-in-process box)。
在某些實施例中，該基板容器之至少一部分係由一所射出聚合物組成物形成。可藉由一移動噴嘴直接在基板容器之該部分之一表面上射出所射出聚合物。在構造基板容器時將鎂觸變成型部分與所射出聚合物接合。所射出部分可係為例如位於門與殼體間之一墊圈或密封件。
在各種實施例中，該基板容器被構造為一光罩容器或光罩盒。如本文中所揭露，該光罩盒之一部分或複數個部分或者該光罩盒實質上可由形成鎂觸變成型材料形成。
在各種實施例中，該基板容器被構造為一晶圓載具，該晶圓載具具有一容器殼體部，該容器殼體部具有一前部開口及一門以及複數個結構元件，該門可密封地插入該前部開口並自該前部開口拆卸，該等結構元件適用於運輸複數個半導體晶圓。如本文中所揭露，該晶圓載具之一部分或該晶圓載具實質上可由鎂觸變成型材料形成。在某些實施例中，晶圓載具之容器殼體部包含一成型聚合物材料，且門或其一部分包含鎂成型材料。此等晶圓載具之某些實施例之設計具有一重心，該重心被定位成使基板容器在為空且安放於一水平表面上時會抵制傾翻。在某些實施例中，該 重心居中地位於基板容器中。
在某一實施例中，該基板容器係為一晶圓載具，其具有一容器殼體部，該容器殼體部包含一壁、一前部開口及一門，該可密封地插入該前部開口並自該前部開口拆卸。容器殼體部實質上由鎂觸變成型材料形成。在某些實施例中，殼體部之壁具有約2毫米(±10%)之一厚度，且在不同實施例中，殼體部更具有約57立方英吋(±10%)之體積。在實施例中，門或其一部分更由鎂觸變成型材料形成。該門與殼體部介接，且在實施例中，在門之一周邊上提供一彈性密封件。
本發明更包含一種形成基板容器之方法。在該方法中，製備一定量之鎂合金，以進行觸變成型並引入至一擠出機中。將鎂合金加熱並施加剪切，進而形成一漿體。將該漿體以高度射出至一模具中，進而形成基板容器或其一組件。塗覆該基板容器或組件以達成耐腐蝕性。在某些實施例中，塗層係為一轉化塗層。
基板容器可被構造為選自由以下各項組成之群組之一物件：一晶圓載具、一光罩盒，、一EUV光罩盒、一碟片運送裝置、及一在製品盒。在一EUV光罩盒中，內部盒及/或外部盒可由射出成型金屬、尤其是觸變成型的鎂形成。在某些實施例中，基板容器被構造為一光罩盒。在某些實施例中，基板容器被構造為一晶圓載具，其具有適用於運輸複數個半導體晶圓之複數個結構元件。
在某些實施例中，基板容器係為一晶圓載具，其具有：複數個結構元件，適用於運輸複數個半導體晶圓；以及一容器殼體部；一前部開口；以及一門組件，可密封地插入該前部開口及自該前部開口拆卸。在某些實施例中，該方法包含對容器殼體部或其部分、門組件或其部分、或 上述之組合進行鎂觸變成型。在成型之後，將容器殼體部與門組件連接並組合。更給鎂觸變成型材料部分塗覆一轉化塗層。
在某些實施例中，該方法包含形成門或面向其部分之內部。將該門與晶圓載具之殼體部連接並組合於一起。在某些實施例中，殼體亦係局部地或實質上由鎂觸變成型材料形成。在某些實施例中，基板容器被構造成使得晶圓容器具有與容器中所堆疊之晶圓之軸線實質上對準之一重心。在此上下文中，實質上意指在晶圓容器之前後長度之10%以內。
本發明實施例中之物件可包含基板容器，例如但不限於晶圓載具、光罩盒、運送裝置、晶片託盤、及磁頭託盤(讀磁頭及/或寫磁頭)。在某些實施例中，基板容器被形成為具有用於支撐一晶圓之複數個狹槽，其中該等狹槽包含複數個晶圓接觸點。在某些實施例中，鎂觸變成型基板容器或其部分中之鎂以按重量計98%或以上之一濃度存在於鎂觸變成型材料中。本文中所揭露之基板容器可更用以容置300毫米晶圓或450毫米晶圓。
在某些實施例中，鎂成型物件可與傳統上用於在半導體製造行業中所使用之基板容器之各種工程與結構塑膠組合使用。
在所揭露基板載具之某些實施例中，鎂觸變成型基板載具與由基於聚合物之材料形成之已知基板載具相較展現出改良之水分及氧氣滲透控制。此可提供如下益處：減少了對傳統上監測及偵測影響前開式統一標準盒中積體電路良率之有害微量氣體的需要。
在本發明之各種實施例中，與由基於聚合物之材料形成之已知基板載具或其部分相較，鎂觸變成型基板載具或其部分具有低重量且具有成比例地更高之強度。基板容器所成型材料之較輕重量及改良強度之特 性提供其他優點。作為一實例，由於本發明實施例之較輕重量及較強(撓曲較少)組成物，可達成更高速度之自動化材料搬運系統(Automated Material Handling System；AMHS)技術，且可增加工廠人員及正被運輸載具內之有效負載(例如，光罩及晶圓)二者之安全性。在其中容器保持一真空之實施例中，觸變成型鎂之低重量及成比例地更高之強度允許在進行更大批量生產時之可購性及可運輸性。
在某些實施例中，由本發明實施例所提供之優點可包含：與已知聚合物晶圓載具或光罩載具相較，減少或限制製造器件時之良率損失、藉由維持較低水分而減少或限制所載運或所儲存光罩中之霾塵或其他清晰度缺陷、實質上消除氧氣滲透；減少或消除在受控之被密封晶圓、光罩或其他敏感基板環境內因除氣所致的交叉污染。
以上對本發明各種代表性態樣之概述並不旨在闡述本發明之每一所例示態樣或每一實施方案。而是，選擇並闡述該等態樣係為使其他熟習此項技術者能夠瞭解及理解本發明之原理及實踐。
依據以下詳細說明，熟習此項技術者將輕易明瞭本發明以及本發明調配及構造方法之另一些目標及優點，其中僅藉由例示所設想的實施本發明之最佳方式來顯示及闡述了較佳實施例。將認識到，本發明能夠具有其他及不同實施例及構造方法，且其數個細節能夠在各種顯而易見之方面具有潤飾，此皆不背離本發明。因此，附圖及說明應被視為本質上係例示性而非限制性。
20‧‧‧光罩盒
22‧‧‧上殼體部或蓋
23‧‧‧基底
24‧‧‧凸緣式圓頂部
26‧‧‧把手
30‧‧‧外殼部
32‧‧‧門
34‧‧‧側面
35‧‧‧側面
36‧‧‧殼體
38‧‧‧頂部
39‧‧‧機器人舉升凸緣
40‧‧‧側面把手
44‧‧‧門框架
46‧‧‧開口前部
48‧‧‧內部
49‧‧‧聚合物射出成型晶圓支撐件
50‧‧‧聚合物射出成型傳送機及/或運動耦合板
51‧‧‧聚合物射出成型機器人凸緣
52‧‧‧隅角部
53‧‧‧壁部
60‧‧‧在製品盒
62‧‧‧H條晶圓載具
64‧‧‧上部部分
66‧‧‧底部部分
68‧‧‧鉸鏈
69‧‧‧閂鎖
70‧‧‧碟片運送裝置
76‧‧‧匣盒或基底
77‧‧‧側壁
78‧‧‧頂蓋
79‧‧‧底蓋
82‧‧‧端壁
84‧‧‧狹槽
90‧‧‧容器部
92‧‧‧門部
95‧‧‧機器人凸緣
96‧‧‧閂鎖機構
100‧‧‧鎂觸變成型機器
110‧‧‧射出筒體
112‧‧‧鎂或鎂合金碎屑
114‧‧‧旋轉螺桿/往復運動螺桿
116‧‧‧電阻型加熱帶
117‧‧‧漿體
118‧‧‧基板容器模具或沖模
120‧‧‧基板容器
2E-2E‧‧‧線
第1圖係為根據本發明一實施例之一光罩盒之正視立體圖；第2圖係為根據本發明一實施例之一前開式晶圓容器之正視立體圖；第2A圖係為根據本發明一實施例之一前開式晶圓容器殼體之正視立體圖；第2B圖係為第2A圖所示前開式晶圓容器殼體之平面圖；第2C圖係為第2A圖所示前開式晶圓容器殼體之正視立面圖；第2D圖係為第2A圖所示前開式晶圓容器殼體之側視立面圖；第2E圖係為以第2D圖所示線2E-2E所截取的隅角部及壁部之剖視圖；第3圖係為根據本發明一實施例之一晶圓容器之正視立體圖；第4圖係為根據本發明一實施例之一開口前開式晶圓容器之正視立體圖；第5圖係為第3圖所示晶圓容器之右側立面圖；第6圖係為根據本發明一實施例之一碟片運送裝置之正視立體圖；第7圖係為第6圖所示碟片運送裝置之匣盒部之正視立體圖；第8圖係為根據本發明一實施例之一底開式盒之立體圖；第9圖係為第8圖所示底開式基板容器之仰視立體圖；以及第10圖係為一觸變成型機器(thixomolding machine)之側視圖。
儘管本發明可具有各種潤飾及替代形式，但已在附圖中以舉例方式顯示且將詳細地闡述本發明之細節。然而，應理解，意圖並非係將本發明限於所述之特定態樣。相反，意圖係涵蓋歸屬於由隨附申請專利範圍所界定之本發明精神及範圍內之所有潤飾、等效內容及替代方案。
儘管本發明可實施為諸多不同形式，但本文中將詳細闡述本發明之特定實施例。此說明係對本發明原理之例示，而並非旨在將本發明限制於所例示之特定實施例。為便於說明本發明，除非另有指示，否則各圖中之相同參考編號將指代相同特徵。
本發明之基板容器係直接藉由使用鎂合金進行射出成型(鎂射出成型或鎂觸變成型)被加工而成。作為一實例，第1圖至第7圖繪示可使用根據本發明之方法而形成之各種實例性傳統基板容器。
參照第1圖至第6圖，其例示數種不同構造之基板容器。第1圖例示一光罩盒20，其具有如下圍阻組件：一上殼體部或蓋22，具有一底部開口；以及一基底23或門，可密封地插入至上殼體部或蓋22之底部開口中。殼體部22包含被構造為一凸緣式圓頂部24之一頂部部分，凸緣式圓頂部24具有把手26。舉例而言，參見如下文獻中之各種光罩盒構造以及製造及使用方法，以查看光罩盒之其他揭露內容：第8,613,359號美國專利；第8,231,005號美國專利；第8,146,623號美國專利；第7,607,543號美國專利；第7,450,219號美國專利；第7,400,383號美國專利；第7,139,066號美國專利；第6.8259.16號美國專利；以及美國專利公開案20140183076，所有此等文獻 皆為本申請案之所有人所有。亦參見下文所列示之相關所併入專利及/或公開案。該等專利及公開案出於所有目的而以引用方式全文併入本文中，包含光罩盒構造及部件以及製造及使用方法。
參照第2圖，其繪示根據本發明實施例之一晶圓容器或晶圓載具(例如一前開式統一標準盒)，且其主要包含一圍阻部，該圍阻部被構造為一外殼部30及一門32，外殼部30用於固持複數個晶圓，門32可密封地插入於外殼部30中且可自外殼部30拆卸。參照第2圖至第2E圖，外殼部30包含一殼體36，殼體36具有一頂部38、一對側面34、35、一底部、一門框架44、一機器人舉升凸緣39、複數個側面把手40、以及一開口前部46、及一內部48。門32通常包含一框架結構、一外表面及一內表面。如所併入專利及公開案中所示，門32可包含用於對前開式統一標準盒進行密封之各種成型部及連接部或接合部(固定或被動式及可移動或主動式)，例如，晶圓限制件、閂鎖機構及隔間以及鍵槽。本發明之載具及載具部可展現出超薄壁能力且具有強度及剛度等於或優於由塑膠形成的傳統載具壁的較薄壁區段。第2A圖至第2D例示藉由此等鎂射出成型方法形成之一前開式統一標準盒或前開式運送盒殼體。作為一實例，被觸變成型並塗覆之所例示前開式統一標準盒或前開式運送盒殼體可具有第2A圖至第2D圖所例示之尺寸(±10%)及約2毫米(±10%)之一壁厚度。在實施例中，前開式統一標準盒或前開式運送盒可具有約1毫米(±10%)之一壁厚度。前開式統一標準盒或前開式運送盒殼體(例如第2A圖至第2D圖所示殼體)可更具有約57立方英吋(±10%)之一材料容積。如第2A圖中所示，例如聚合物射出成型晶圓支撐件49、聚合物射出成型傳送機50及/或運動耦合板50及一聚合物射出成型機器人凸緣51等組件可附裝至殼體。在其他實施例中，上述組件其中之某些或全部可係由鎂形成。
參照第2E圖，在實施例中，壁之部分可薄於其他部分。舉例而言，隅角部52可厚於相對於該等隅角部被移置之壁部53。該等壁部可至少薄20%、在實施例中至少薄30%、在實施例中至少薄50%、在實施例中至少薄65%。在此等實施例中，隅角部與壁部彼此成一體。此容許設計具有較大靈活性且使得能夠簡單地藉由改變壁厚度而使重心向前移位。
關於此等容器之其他揭露內容可見於為本申請案之所有人所有之以下美國專利中：第8276759號、第7886910號、第7578404號、第7059475號、第7040487號、第6848578號、第6825916號、第6736268號、第6550619號、第6354601號、第6267245號、第6206196號、第6082540號、第6010008號、第5788082號、及第5711427號。亦參見下文所列示之相關所併入專利及/或公開案。該等專利及公開案出於所有目的而以引用方式全文併入本文中，包含晶圓容器或晶圓載具構造及部件以及製造及使用方法。
第3圖、第4圖及第5圖例示一在製品(work-in-process；WIP)盒60，其通常包含一底部部分66、一上部部分64、一鉸鏈68、一閂鎖69、及被密封於在製品盒60中之一H條晶圓載具62。
第6圖及第7圖例示用於在硬碟機中所使用之基板之一碟片運送裝置70，且其具有一匣盒或基底76、複數個側壁77、一頂蓋78、一底蓋79、複數個端壁82、及位於該匣盒中之複數個狹槽84。關於此等容器之其他揭露內容可見於以下美國專利及公開案中：第8734698號、第7252199號、第6994217號及第20130001114號。該等專利及公開案出於所有目的而以引用方式全文併入本文中，包含晶圓容器或晶圓載具構造及部件以及製造及使用方法。
第8圖及第9圖例示包含一容器部90及一門部92之一底開式 基板容器。該容器部包含一殼體93、複數個把手94及一機器人凸緣95，且該門部包含閂鎖機構96。
本文中所使用之鎂射出成型(亦被稱作鎂觸變成型)用於形成鎂基板容器、或基板容器之鎂組件。鎂射出成型或鎂觸變成型係為一種用於鎂之觸變半固態成型製程。一種用於鎂之鎂觸變成型機器(在第10圖中以100來顯示實例)與一射出成型機器看上去很像，具有一類似之工具夾及一基於螺桿之射出筒體110。該鎂觸變成型機器與傳統射出成型機器之不同在於，其使用一惰性氣氛來包圍受熱鎂；相較於塑膠，對於鎂，所涉及之溫度高得多；且鎂係以較塑膠高得多的速度被射出。
在一實施例中，在環境溫度下將鎂或鎂合金碎屑112饋送至具有一旋轉螺桿114之一射出成型機器之一受熱筒體110中。經由加熱元件(例如，電阻型加熱帶116)將碎屑112升至一高溫，並在鎂上維持一氬氣包圍氣氛之同時藉由射出成型機器100之旋轉螺桿114使碎屑112經受高剪切力。往復運動螺桿114將材料處理成一觸變(凝膠狀)狀態，即球狀固體微粒處於一熔融基質內之一漿體117。
隨後，以一高速率且在高壓力下將該漿體射出至一受預熱基板容器模具或沖模118中。鎂半固態漿體在極端射出壓力下以觸變成型方式流動至模具118中。隨後，使漿體保持處於壓力下並將其冷卻，以形成本發明之高精度淨形狀或近淨形狀基板容器120。
一特徵及優點係為，該漿體具有一低黏度，進而使其能夠快速且完全均勻地流入模具之所有較小空間中，此產生嚴格容差及一全緻密容器或容器部，該全緻密容器或容器部需要很少成型後精加工/加工。一特徵及優點係為，鎂漿體之流動性以及該材料相對於聚合物材料之低黏度及 改良之硬度容許較傳統聚合物材料形成更小之片塊及表面結構。舉例而言，基板容器外殼、蓋及/或門中係固定或被動式且原本將在成型後被連接或接合之部件可一體形成於容器外殼、蓋及/或門中。
在鎂射出成型製程中所使用之鎂組成物之原料可呈可商購獲得之鎂碎屑之形式。適合材料之一實例包含鑄造鎂合金，例如Thixomolding AZ-91-D。在某些實施例中，鎂組成物及成型物件可包含按重量計濃度為98%或以上之鎂。在某些實施例中，作為一合金，鎂組成物可混合有、組合有或包含按重量計為2%或以下之非鎂材料，例如包含非鐵金屬之合金材料，例如鋁、銅、鋁、鋅、錳、矽、銅、稀土元素、鋯及其組合。
根據所揭露方法之至少某些實施例，可以適用於本文所述環境之一塗層或飾面來塗覆或精加工所成型基板容器。在某些實施例中，亦可在一射出成型工具中將工具精加工成一拋光表面。可以相容飾面來精加工所成型載具部，以達成防腐蝕性、耐磨性及/或電絕緣性。在某些實施例中，對已清潔之鎂表面施加一轉化塗層，以確保良好之黏附性。轉化塗層涉及施加一適合飾面，該飾面與鎂表面之一部分反應並將其轉化成塗層。用於鎂成型載具或載具部之適合飾面之實例包含可商購獲得之Alodine 5200(非鉻酸鹽)；Alodine(Henkel Corporation之商標)5900(三價非鉻酸鹽)；可自NALTIC Industrials,LLC購得之Metalast TCP-HF(Metalast係為Metalast Surface Technology,LLC之一商標)；NH35(六價鉻酸鹽)；Tagnite(Keronite International Limited Company之一商標)；Anomag(Keronite International Limited Company之一商標)；以及Keronite(Keronite International Limited之一商標)。在某些實施例中，塗層可通常更包含電塗層、粉末塗層、無電鍍鎳、鉻、尿烷、UV固化塗層、及陽極處理塗層。此 等塗層可能夠改良與其他件之附著性及可連接性以及現場成型能力、具體來說對鎂成型載具部之特徵及組件進行包覆成型或現場成型。塗層亦可相較於在污染型基板容器中所使用之傳統聚合物改良除氣效能。
本發明之被塗覆基板容器展現出提高之耐腐蝕性、提高之表面硬度。在某些實施例中，該等塗層可係為非常薄的，例如，百分之幾或千分之幾英吋。
其他精加工製程可包含靜電放電加工(electrostatic discharge machining；EDM)、化學研磨(chemical milling)、燒蝕(ablation)、或雷射切割(laser cutting)。
在某一實施例中，本發明之所成型物件可包含用作用於在半導體製造中所使用之基板之運輸與儲存外殼之物件。此等物件可包含基板容器/容器，其實例顯示於各圖中且包含：晶圓載具(前開式統一標準盒)、光罩盒及碟片運送裝置、在製品盒、晶片託盤等。物件之其他特定實例包含300毫米/450毫米EBM前開式統一標準盒/光罩盒/EUV盒。
在某些實施例中，載具之部分係為觸變成型的鎂以及傳統上使用擠出成型聚合物組成物所成型之部分。此項技術中具有通常知識者將瞭解此等聚合物組成物及傳統成型製程。本文中所併入之專利及公開案提供其他指導及揭露內容。適合聚合物組成物之實例包含選自由以下各項組成之群組之一聚合物：聚對苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate；PBT)、聚烯烴(polyolefin；PO)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、苯乙烯嵌段共聚物(styrene block co-polymer)、丁苯橡膠(styrene-butadiene rubber)、呈聚醚嵌段聚醯胺(polyether block polyamide；PEBA)形式之尼龍、聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)、 聚(偏二氟乙烯)(poly(vinylidenefluoroide))、聚(四氟乙烯)(poly(tetrafluororethylene)；PTFE)、聚乙烯、聚丙烯、聚(氯乙烯)(poly(vinylchloride)；PVC)、乙烯醋酸乙烯酯(ethyl vinyl acetate)、以及其摻合物及共聚物。此等聚合物可包含混合於整個聚合物中之碳奈米管。
作為一實例，在某些實施例中，構造一種前開式統一標準，其中容器部係使用擠出成型聚合物組成物而傳統地形成，且門係使用本文中之鎂觸變成型製程而形成。此種組合具有如下益處：使前開式統一標準盒之重心(center of gravity；「CoG」)居中，進而能夠將一空的前開式統一標準盒設立成較重心更向前定位之傳統前開式統一標準盒具有更大穩定性。此可使得自動化材料搬運系統設備較難以以所需之高速度搬運載具。本發明實施例之材料及方法能夠形成根據國際半導體設備與材料協會標準具有充足剛度且較輕以改良載具重心之門。
本文中所揭露之方法及鎂漿體材料之流動性提供嚴格公差成型，進而達成一致且準確之尺寸公差。此使所成型載具具備高晶圓平面/晶圓位置可重複性。此亦提供現場成型(form in place；FIP)墊圈能力，進而使得能夠在晶圓及光罩載具中形成密封界面，例如，門-殼體墊圈界面及吹掃模組墊圈界面。通常被併入或連接或接合至其他載具部件之較小且較複雜件或部分亦可被形成為一體式表面結構。舉例而言，基板容器外殼、蓋及/或門中係固定或被動式且原本將在成型後被連接或接合之部件可一體形成於容器外殼、蓋及/或門中。
所揭露載具及載具部之所成型壁亦展現出良好之阻尼特性。舉例而言，其可對在手動及自動搬運期間被輸入至晶圓之能量進行阻尼。
實例
作為本發明物件相較於傳統熱塑性物件之某些改良之例示，在根據本發明之鎂成型部件與用於微環境(microenvironment；ME)應用中之物件之射出成型EBM材料(一高效能Entegris專利聚合物)之間執行一滲透測試比較。如在以下過程及結果說明中可見，鎂部件具有大致好出1數量級之滲透效能。
測試1
進行一第一測試，以確定使用氫氣及標準測壓技術所得之一射出成型鎂試樣之滲透特性。在一第二測試中，對Entegris公司之一熱塑性專利樹脂(被稱作EBM材料)評估氫氣及氧氣阻滲性。
在第一測試中，測試38密耳射出成型鎂試樣。使用氫氣(來自Industrial Grade,Toll Co.,Minneapolis,MN)作為滲透氣體。氣體滲透裝置由位於一溫控室內之一樣本固持器、一系列閥、一上游壓載槽、用於上游氣體之一壓力傳感器(300磅/平方英吋Heise PM數位指示器)、及一下游固態壓力計(10托MKS Baratron Type 627B)組成。該裝置係由不銹鋼構造而成。連接係藉由焊接或以VCR凸緣來形成，以防止洩漏。
根據標準測壓程序(D1434-82,Standard Test Method for Determining Gas Permeability Characteristics of Plastic Film and Sheeting,ASTM,West Conshohocken,PA,1998。亦參見JIS K7126。)來量測滲透作用，如下文所述。將直徑為4.6公分且有效面積(A)為13.7平方公分之一圓形試樣放置於氣體滲透裝置中。將該裝置抽吸降壓至大約20毫托並保持一夜，以自該裝置以及試樣移除揮發性成分。第二天，對裝置進行洩漏測試。若 洩漏速率足夠低，則給裝置之上游側填充滲透氣體。
在容許壓力及溫度平衡幾分鐘之後，開始測試。隨著時間過去而記錄下游壓力上升(△p1)。(在實驗之持續時間內亦監測溫度及上游壓力(△p)以確保其恆定性。)所有量測皆係在25攝氏度(77華氏度)下進行。使用二種壓力(2個大氣壓及3個大氣壓)、根據一種厚度(38密耳)來進行量測。
分析
氣體藉由首先溶解且隨後擴散而滲透過均質材料。可將滲透物之下游壓力上升(△p1)轉換成處於標準溫度及壓力(standard temperature and pressure；STP)之一等效氣體體積(V)，V=(△p1/△po)(To/T)Vs
其中T係為量測溫度，Vs係為滲透裝置之下游側之體積，To係為標準溫度(32華氏度=273開氏度)，且△po係為標準壓力(=1個大氣壓或76公分汞柱)。在穩態條件下隨著時間(t)而滲透過一膜之氣體體積(V)相依於滲透率係數(P)以及膜厚度(B)、膜面積(A)及所施加上游壓力(△p)(4,5)，V=P．A．△p．t/B
使一滲透物穿透一膜所需之時間(tb)相依於膜厚度(B)及材料之擴散係數，tb=B2/6D
如下根據滲透率係數及擴散係數來計算溶度係數 S=P/D
結果
滲透率與所施加上游壓力成正比。因此，來自二種壓力之資料給出P、D及S之獨特值。下表1概括鎂試樣之質量傳遞係數。其總平均值係為P=(0.056±0.001)×10-10cm3．cm/cm2．s．cmHg，D=(5.66±0.53)×10-8cm2/s，且S=(0.098±0.010)×10-3cm3/cm3．cmHg。
Figure 105122027-A0202-12-0020-1
氫氣在25攝氏度(77華氏度)下穿過射出成型鎂之滲透率係數(P)、擴散係數(D)及溶度係數(S)
P值係為相當低的，且較最小可量測值大1個數量級。表2中顯示此裝置上對氫氣之下極限(使用ERG 0608-01進行之測試，確定氣體滲透模組之洩漏率及能力)。
Figure 105122027-A0202-12-0021-2
氫氣在25攝氏度(77華氏度)下針對鋁之滲透率係數(P)之總平均值
測試2
在一第二測試中，對一高效能專利聚合物之一壓縮成型評估氫氣及氧氣阻滲性。在280攝氏度(536華氏度)之一溫度下、使用一PHI Bench Design(液壓壓縮機)對試樣進行壓縮成型。為各種厚度之膜稱出一指定量之樹脂、將其注入一黃銅板模具之中心，且隨後將其夾置於薄鋁片與PI膜之間。將此夾層結構放置於壓機中受預熱之下部壓板上，並使其成為與頂部壓板「吻合」之一位置並保持達2分鐘，此後，施加20,000磅之一負荷達1分鐘。隨後，藉由將樣本放置於二個鋁塊(7密耳)之間或藉由自壓機取出樣本並容許試樣在室溫下緩慢地冷卻(12密耳)來使樣本冷卻。
使用差示掃描量熱法(Perkin Elmer Diamond DSC)來確定EBM樹脂及各種膜之玻璃轉化溫度(Tg)。自試樣切出質量範圍為自4毫克至8毫克之樣本、自25攝氏度(77華氏度)加熱至200攝氏度(392華氏度)、自200攝氏度冷卻至25攝氏度，且隨後再次以10攝氏度/分鐘(18華氏度/分鐘)之一速率自25攝氏度加熱至200攝氏度。針對每一材料及膜厚度執行三 重DSC掃描並加以分析。
滲透氣體係工業級、來自Toll Co.,Minneapolis,MN。氣體滲透裝置由位於一溫控室內之一樣本固持器、一系列閥、一上游壓載槽、用於上游氣體之一壓力傳感器(300磅/平方英吋Heise PM數位指示器)、及一下游固態壓力計(10托MKS Baratron Type 627B)組成。該裝置係由不銹鋼構造而成。連接係藉由焊接或以VCR凸緣來形成，以防止洩漏。
根據標準測壓程序(D1434-82,Standard Test Method for Determining Gas Permeability Characteristics of Plastic Film and Sheeting,ASTM,West Conshohocken,PA,1998。亦參見JIS K7126。)來量測滲透作用，如下文所述。將直徑為4.6公分且有效面積(A)為13.7平方公分之一圓形試樣放置於氣體滲透裝置中。將該裝置抽吸降壓至大約20毫托並保持一夜，以自該裝置以及試樣移除揮發性成分。第二天，對裝置進行洩漏測試。若洩漏速率足夠低，則給裝置之上游側填充滲透氣體。在容許壓力及溫度平衡幾分鐘之後，開始測試。隨著時間過去而記錄下游壓力上升(△p1)。(在實驗之持續時間內亦監測溫度及上游壓力(△p)以確保其恆定性。)所有量測皆係在25攝氏度(77華氏度)下進行。對於氫氣使用三種壓力(1個大氣壓、2個大氣壓及3個大氣壓)且對於氧氣使用二種壓力(1個大氣壓及2個大氣壓)來進行量測。
分析
氣體藉由首先溶解且隨後擴散而滲透過均質材料。可將滲透物之下游壓力上升(△p1)轉換成處於標準溫度及壓力(STP)之一等效氣體體積(V)， V=(△p1/△po)(To/T)Vs
其中T係為量測溫度，Vs係為滲透裝置之下游側之體積，To係為標準溫度(32華氏度=273開氏度)，且△po係為標準壓力(=1個大氣壓或76公分汞柱)。在穩態條件下隨著時間(t)而滲透過一膜之氣體體積(V)相依於滲透率係數(P)以及膜厚度(B)、膜面積(A)及所施加上游壓力(△p)，V=P．A．△p．t/B
使一滲透物穿透一膜所需之時間(tb)相依於膜厚度(B)及材料之擴散係數，tb=B2/6D
如下根據滲透率係數及擴散係數來計算溶度係數S=P/D
結果
針對二種膜厚度以及針對樹脂來量測EBM專利聚合物之熱性質。表3中顯示平均值。此等值大體符合其規範。
Figure 105122027-A0202-12-0023-3
Figure 105122027-A0202-12-0024-4
使用一較慢冷卻方法(即，室溫冷卻)，以努力使試樣更具依順性。使氫氣流過二個被冷卻之塊及被室溫冷卻之試樣，以驗證不同冷卻方法不會影響資料。而是，二種冷卻方法會給出相同滲透結果。
滲透率與所施加上游壓力成正比且與厚度成反比。對於一給定氣體，來自各種壓力及厚度之資料給出P、D及S之獨特值。表4列出在Entegris被壓縮成型之EBM膜上所使用之氫氣及氧氣之總平均值。
Figure 105122027-A0202-12-0024-5
表5列出使用彼等相同氣體所量測之二種聚碳酸酯膜(聚碳酸酯1及低滲透級膜聚碳酸酯2)之總平均值。儘管EBM較我們的標準聚碳酸酯1顯示出更好之阻滲性，但低滲透PC略好於EBM。氧氣穿過EBM之滲 透率係為聚碳酸酯1之1/2。
Figure 105122027-A0202-12-0025-10
下文所示之表6至8基於所使用方法及氣體內之厚度而概括EMB膜之DSC資料以及質量傳遞係數。
Figure 105122027-A0202-12-0025-8
*表中所示之總平均值及標準偏差係根據所有厚度之個別量測值而計算。
Figure 105122027-A0202-12-0026-9
Figure 105122027-A0202-12-0026-11
*試樣係在金屬板之間在室溫下被冷卻。
†試樣係在壓力下被冷卻一夜。
**表中所示之總平均值及標準偏差係根據所有厚度之個別量測值而計算。
使用二種不同氣體針對高效能專利聚合物EBM量測滲透率係數、擴散係數及溶度係數。由EBM成型之試樣較聚碳酸酯2更具柔韌性，但在樣本固持器中之o形環之界面處顯示出某些細裂縫。已發現結果與所施加上游壓力及厚度無關。EBM顯示出較聚碳酸酯1更好之阻滲性，但低滲透聚碳酸酯2略好於EBM。氧氣穿過EBM之滲透率係為聚碳酸酯1之1/2。氫氣主要係因其較小分子大小而較氧氣更快地滲透。
結果及結論
鑒於以上測試及所量測滲透率係數、擴散係數及溶度係數，射出成型鎂合金之不滲透性遠大於熱塑性材料。此種射出成型鎂合金之滲透率較聚碳酸酯小2個數量級。
不受限於本發明或在解釋申請專利範圍時所提供之範圍之一特定理論或設計之情形下，據信由本發明方法形成之基板載具(例如前開式統一標準盒)會提供相較於傳統聚合物載具改良之效能品質且滿足半導體製造領域之使用者所需之要求。
舉例而言，據信根據本發明製造及塗覆之一鎂觸變成型前開式統一標準盒相較於基於聚合物之前開式統一標準盒會以如下效能標準其中之任一者、全部或組合而適應或改良： ˙適應180攝氏度至240攝氏度之一熱晶圓插入溫度；提供可重複且變動較低之晶圓平面(標稱±0.5毫米(在10毫米間距下))；˙提供一平衡之晶圓平面(自左向右±0.15毫米)；˙滿足或超過每埠100升/分鐘(liters per min.；lpm)最大值之吹掃效能條件(門打開時小於5% RH(標準設備前端模組-裝載埠(equipment front end module-load port；EFEM)條件)，門打開時小於百萬分之(ppM；parts per million)100 O2，門關閉時小於5% RH小於60秒)(使用吹掃氣體N2，XCDA)；˙適應在70升/分鐘吹掃下在0.1微米下之微粒效率99.999%、在6小時內小於100升/分鐘之最小值、在2小時內小於50升/分鐘之最小值之一低氧環境及在6小時內小於5%之一低水分環境；˙適應在運送時小於或等於200ppb之一低揮發性有機化合物排放環境(使用Adixen APA)；˙在傳統前開式統一標準盒清洗中相較於基於聚合物之前開式統一標準盒改良乾燥時間(小於六分鐘)；˙相較於基於聚合物之前開式統一標準盒提供改良之晶圓級保持及振動(減少微粒產生及截留)；˙在一垂直振動測試之後對於微粒產生具有2N之晶圓保持；˙在小於1.6度旋轉之架空式運輸(overhead transport；OHT)舉升期間提供改良之晶圓保護； ˙達成非標準晶圓厚度及直徑，包含薄晶圓、三維晶圓、301毫米晶圓及302毫米晶圓；˙提供改良之R1、處於1.00毫米內之晶圓中心及狹槽之間減小之變動(標稱+)；˙防止光誘發之缺陷；能夠具有國際半導體設備與材料協會標準尺寸(端部執行器及堆垛機界面、後壁間隙、架空式運輸凸緣干涉、感測器位置缺少)；˙具有靜電放電(electrostatic discharge；ESD)防護能力(通向接地之靜電耗散106/109路徑小於0.1秒；符合Qualcomm規範)；以及˙相較於基於聚合物之前開式統一標準盒提供殼體剛度之改良以達成可密封性及細微控制及擴散以對抗可變之標準設備前端模組-裝載埠條件。
藉由本文中之鎂射出成型方法而形成之所得淨形狀或近淨形狀鎂基板容器或基板容器鎂組件與聚合物矽晶圓載具或光罩載具相較展現出更低重量及更高強度(撓曲較少)，同時提供超薄壁、更低孔隙率/滲透率、更低吸收性及解吸性；高延展性、良好阻尼特性、高容差、改良之表面飾面、低可燃性；以及就可循環性而言更低之不利環境影響。此等基板容器之特徵更在於具有內在電磁干擾(electromagnetic interference；EMI)屏蔽而無需填料或添加劑，且具有高容差。
基板容器之所成型材料之低孔隙率/滲透率之特性例如表現在由載具所展現出的改良之水分及氧氣滲透控制。藉由鎂合金成型物件， 水分及氧氣之滲透得以控制並保持非常低，以限制在受控之被密封晶圓、光罩或其他敏感基板環境內因除氣所致的交叉污染。相比之下，基於聚合物之載具可吸收水分。由載具所展現之水分及氧氣滲透控制具有如下益處：減少了對傳統上監測及偵測影響前開式統一標準盒中積體電路良率之有害微量氣體的需要。此種監測及偵測通常係使用量子串接雷射(quantum cascade laser；「QCL」)技術來執行，此會增加製程成本。
基板容器所成型材料之較輕重量及改良強度之特性提供其他優點。改良基板容器材料之相當高的強重比(strength-to-weight ratio)達成更可靠之貨運安全性。此等改良更可達成更高速度之自動化材料搬運系統(Automated Material Handling System；AMHS)技術，進而提高效率並增加工廠人員及正被運輸載具內之有效負載(即，光罩、晶圓等)二者之安全性。舉例而言，國際半導體設備與材料協會標準要求，特定基板容器(例如300毫米載具)之門應具有一最小剛度。根據國際半導體設備與材料協會標準具有充足剛度之基板容器聚合物門可具有往往會使基板容器之重心(「CoG」)驅向門之一重量。此可使得自動化材料搬運系統設備更難以以所需之高速度搬運載具。invention本發明的材料及方法能夠形成依據國際半導體設備與材料協會標準具有充足剛度且較輕以改良載具重心之門。
其他優點包含在所揭露鎂觸變成型射出成型基板容器中所使用之合金較在對傳統熱塑性載具進行成型時所使用之原始材料花費更低。此外，由所揭露方法及組成物製成之基板容器及載具可被重複地再使用(即，被再循環)，以形成其他產品，而不會顯著地丟失導電性質，因此降低長期成本。
本發明之實施例提供具有實質上均勻表面電阻率之物件。在 某些實施例中，物件表面上任一點之實質上均勻表面電阻率處於物件上任一其他測試點之100倍以內且在某些實施例中處於10倍以內。在複合材料在例如晶片託盤、光罩及晶圓載具、晶圓運送裝置等物件中之靜電放電應用中，此係為有利的。
一般而言，適合擠出機可商購獲得。擠出機可係為一單螺桿擠出機或一多螺桿擠出機，例如一雙螺桿擠出機。關於適合擠出機及使用方法之其他細節可見於下文所列之所併入專利及專利公開案中。此項技術中具有通常知識者將認識到，對一特定擠出機及成型裝置之選擇可由一特定物件之預期應用決定。
加工、組成組分、濃度及物理特性之其他揭露內容可見於下文所列之所併入專利及專利公開案中。以下美國專利及美國專利公開案中包含方法、材料、設備及物件之揭露內容被併入本發明中且可用於本發明之方法、材料、設備及物件中及/或可與本發明之方法、材料、設備及物件相組合，並且出於所有目的而以引用方式全文併入本文中。
Figure 105122027-A0202-12-0031-12
Figure 105122027-A0202-12-0032-13
上述實施例旨在係為例示性而非限制性的。申請專利範圍內亦具有其他實施例。雖然已參照特定實施例闡述了本發明，但熟習此項技術之工作者將認識到，可在形式及細節上作出改變，此並不背離本發明之精神及範圍。
另外，本發明之實施例包含：一種形成一晶圓容器之方法，該晶圓容器具有用以運輸複數個半導體晶圓之結構元件，該晶圓載具具有一容器殼體部、一前部開口及一門，該門可密封地插入該前部開口且可自該前部開口拆卸，該方法包含以下步驟：製備一定量之鎂合金材料；將該一定量之鎂合金材料引入一擠出機內；將該一定量之鎂合金加熱並對其施加剪切，以形成一漿體；將漿體射出至一模具中，進而形成該容器殼體部及該門部之組件至少其中之一；以及將門與容器殼體部組裝成一晶圓容器。
上述方法更包含對該等組件至少其中之一進行塗覆，以達成耐腐蝕性。在上述方法中，其中塗層係為一轉化塗層。
上述方法其中之任一者更包含使晶圓容器用以固持300毫米晶圓及450毫米晶圓其中之一。
上述方法其中之任一者更包含將晶圓容器之一重心定位成與欲容納於其中之晶圓之一軸線實質上對準。
在上述方法其中之任一者中，晶圓載具具有一居中定位之重心。
上述方法其中之任一者更包含使鎂觸變成型材料維持按重 量計98%或以上之一濃度。
本發明之其他實施例可包含在以下編號段落中所述之實施例：
1.一種由複數個射出成型組件形成之基板容器，該等組件包含一容器部及一門部，該容器部具有在最厚壁部與最薄壁部之間變化至少40%之壁厚度。
2.一種基板容器，包含一容器部，該容器部具有一前部開口及一門，該門可密封地插入該容器部並自該容器部拆卸，其中容器殼體部包含一成型聚合物材料，且門包含鎂觸變成型材料。
3.一種維持具有1.0×10-7托之一真空之一基板外殼環境之方法，該方法包含：提供一容器，該容器具有包含鎂之一殼體部及包含鎂之一門部，該殼體部與該門部間之一界面處具有一密封件；以及將內部大氣壓降低至1.0×10-7托之一真空。
4.一種在閉合之後維持具有小於5%之一相對濕度之一基板外殼環境達6小時至12小時之方法，包含：提供一容器，該容器具有包含鎂之一殼體部及由觸變成型的鎂形成之一門部，該殼體部與該門部間之一界面處具有一密封件。
5.一種維持具有小於百萬分之100之一低氧氣(O2)位準之一基板外殼環境達6小時至12小時之方法，包含：提供一容器，該容器具有包含觸變成型的鎂之一殼體部及包含觸變成型的鎂之一門部，該殼體部與該門部間之一界面處具有一密封件。
6.如編號段落3至5中任一項所述之方法，更包含提供複數個射出成型聚合物基板組件，並將容器圍阻組件與該等射出成型聚合物組件組裝成一基板容器。
本文中所使用之術語僅用於闡述特定實施例，而非旨在係為限制性。除非上下文另有清晰指示，否則本文中所使用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」亦旨在包含複數形式。所使用之用語「第一」、「第二」等並不暗示任一特定次序，而是包含該等用語係為了識別個別要素。更應理解，本說明書中所使用之用語「包含(comprise及/或comprising、或者include及/或including)」係指明所陳述特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、及/或組件之存在，但並不排除一或多個其他特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或添加。
除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含技術及科學術語)皆具有與實施例所屬技術中具有通常知識者通常所理解之含義相同的含義。更應理解，諸如常用字典中所定義之術語等術語應被解釋為具有與其在相關技術及本發明之背景中之含義相一致之一含義，而將不被解釋為具有一理想化或過度形式化意義，除非本文中明確如此定義。
本文中所含有的所提及之「(各)實施例」、「本發明之(各)實施例」及「(各)所揭露實施例」係指不被承認係先前技術的本專利申請案之說明書(包含申請專利範圍之正文、及各圖)。
本說明書(包含以引用方式併入之參考文獻，包含任何隨附申請專利範圍、摘要及附圖)中所揭露之所有特徵、及/或如此揭露之任一方法或製程之所有步驟可以任一組合形式而組合，但不包含其中此等特徵 及/或步驟其中之至少某些相互排斥之組合。
本說明書(包含以引用方式併入之參考文獻，包含任何隨附申請專利範圍、摘要及附圖)中所揭露之每一特徵可由用於相同、等效或類似目的之替代特徵取代，除非另有明確陳述。因此，除非另有明確陳述，否則所揭露之每一特徵僅係為一系列通用等效或類似特徵之一個實例。
本發明並不限於前述實施例之細節。本發明可擴展至本說明書(包含以引用方式併入之任何參考文獻、任何隨附申請專利範圍、摘要及附圖)中所揭露之特徵其中之任一新穎特徵或任一新穎組合、或者可擴展至如此揭露之任一方法或製程之步驟其中之任一新穎步驟或任一新穎組合。本申請案之所有章節中之上述參考文獻出於所有目的而以引用方式全文併入本文中。
雖然本文中已例示並闡述了特定實例，但此項技術中具有通常知識者將瞭解，任何旨在達成相同目的之配置皆可替代所示特定實例。本申請案旨在涵蓋本標的物之更改或變化形式。因此，旨在使本發明由隨附申請專利範圍及其合法等效內容以及以下例示性態樣來界定。本發明實施例之上述態樣僅說明其原理，而不應被視為限制性。熟習相應技術者將會聯想到本文所揭露發明之其他潤飾，且所有此等潤飾皆被視為處於本發明之範圍內。
為便於針對本發明實施例解釋申請專利範圍，除非在相應請求項中敍述特定用語「用於...之元件」或「用於...之步驟」，否則明確打算將不援引35 U.S.C.112(f)之規定。
20‧‧‧光罩盒
22‧‧‧上殼體部或蓋
23‧‧‧基底
24‧‧‧凸緣式圓頂部
26‧‧‧把手

Claims (10)

  1. 一種基板容器，包含一圍阻部(containment portion)，該基板容器之該圍阻部係由一鎂觸變成型材料而形成，該圍阻部在該鎂觸變成型材料之一表面上具有一塗層，該圍阻部更具有複數個基板支撐件、複數個隅角部及複數個壁部，其中該複數個隅角部之各者由兩個壁部會聚所界定，該複數個壁部之各者具有從一隅角部位移之一部，其中從該隅角部位移之該部具有一壁厚度，其為該等隅角部之一者之一壁厚度的60%或更少。
  2. 如請求項1所述之基板容器，其中該等基板支撐件被構造成用於固持一光罩。
  3. 如請求項1所述之基板容器，該基板容器被構造為選自由以下各項組成之群組之一物件：一晶圓載具(wafer carrier)、一光罩盒(reticle pod)、一碟片運送裝置(disk shipper)、及一在製品盒(work-in-process box)。
  4. 如請求項1或3之基板容器，該基板容器包含一組件，該組件被接合至該鎂觸變成型材料之一經塗佈表面。
  5. 如請求項1或3之基板容器，其中該塗層係為一轉化塗層(conversion coating)。
  6. 如請求項1所述之基板容器，該塗層之厚度係為10-4英吋至10-5英寸。
  7. 如請求項5所述之基板容器，其中該轉化塗層選自由以下各項組成之群組：Alodine 5200(非鉻酸鹽)、Alodine 5900(三價鉻酸鹽)、Metalast TCP-HF、NH35(六價鉻酸鹽)、Tagnite、Anomag、及Keronite。
  8. 如請求項5所述之基板容器，其中該轉化塗層係為一電塗層(e-coat)或 一粉末塗層。
  9. 如請求項1所述之基板容器，其中至少一壁部具有一薄部，其比該等隅角部之至少一者之一區域的厚度至少薄30%。
  10. 如請求項1所述之基板容器，進一步包括一門，該門由鎂觸變成型材料而形成。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107924858B (zh) 2015-07-13 2023-05-30 恩特格里斯公司 具有增强型容纳的衬底容器
CN109326546A (zh) * 2017-07-31 2019-02-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 用于晶圆盒的气体填充装置及气体填充系统
JP6578551B1 (ja) * 2017-11-15 2019-09-25 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
DE102018208812A1 (de) * 2018-06-05 2019-12-05 Zf Friedrichshafen Ag Verfahren zur Fertigung eines Grundkörpers eines Ventilgehäuses für ein hydraulisches Steuerventil sowie Ventilgehäuse mit dem Grundkörper
EP3872851A1 (en) 2020-02-27 2021-09-01 Infineon Technologies Austria AG Protector cap for package with thermal interface material
US20220406637A1 (en) * 2021-06-14 2022-12-22 Entegris, Inc. Substrate container with door gasket
US11698591B2 (en) 2021-08-31 2023-07-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of discharging an EUV mask

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011086775A (ja) * 2009-10-15 2011-04-28 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板収納容器及び蓋体
KR20140099690A (ko) * 2013-02-04 2014-08-13 조호현 내식성을 강화한 마그네슘 케로나이트 방법

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442803Y2 (zh) * 1975-03-26 1979-12-12
JPS51128804A (en) 1975-05-02 1976-11-10 Minaminihon Kiso Kouji Kk Foundationnpile embedding method
AU5983986A (en) * 1985-07-09 1987-01-15 Basf Aktiengesellschaft Container for discs
US5711427A (en) 1996-07-12 1998-01-27 Fluoroware, Inc. Wafer carrier with door
US5788082A (en) 1996-07-12 1998-08-04 Fluoroware, Inc. Wafer carrier
JP3475707B2 (ja) 1997-03-27 2003-12-08 マツダ株式会社 金属の半溶融射出成形方法及びその装置
US6736268B2 (en) 1997-07-11 2004-05-18 Entegris, Inc. Transport module
US6010008A (en) 1997-07-11 2000-01-04 Fluoroware, Inc. Transport module
JPH11264078A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Ltd Ｍｇ合金部材及びその用途とその処理液及びその製造法
US6871741B2 (en) 1998-05-28 2005-03-29 Entegris, Inc. Composite substrate carrier
US6428729B1 (en) 1998-05-28 2002-08-06 Entegris, Inc. Composite substrate carrier
JP3370278B2 (ja) 1998-07-03 2003-01-27 マツダ株式会社 金属の半溶融射出成形方法及びその装置
US6267245B1 (en) 1998-07-10 2001-07-31 Fluoroware, Inc. Cushioned wafer container
US5918957A (en) * 1998-09-04 1999-07-06 Digital Equipment Corporation Pivoting door system for a portable computer
US6079565A (en) 1998-12-28 2000-06-27 Flouroware, Inc. Clipless tray
US6206196B1 (en) 1999-01-06 2001-03-27 Fluoroware, Inc. Door guide for a wafer container
US6354601B1 (en) * 1999-01-06 2002-03-12 Fluoroware, Inc. Seal for wafer containers
US6082540A (en) 1999-01-06 2000-07-04 Fluoroware, Inc. Cushion system for wafer carriers
JP2001261089A (ja) 2000-03-16 2001-09-26 Toshiba Corp 電子部品用トレイ
US6550619B2 (en) 2000-05-09 2003-04-22 Entergris, Inc. Shock resistant variable load tolerant wafer shipper
US6446558B1 (en) 2001-02-27 2002-09-10 Liquidmetal Technologies, Inc. Shaped-charge projectile having an amorphous-matrix composite shaped-charge liner
AU2002242330A1 (en) 2001-03-07 2002-09-19 Liquidmetal Technologies Amorphous alloy gliding boards
KR100874694B1 (ko) 2001-03-07 2008-12-18 리퀴드메탈 테크놀로지스 인코포레이티드 날이 예리한 커팅 공구
US6771490B2 (en) 2001-06-07 2004-08-03 Liquidmetal Technologies Metal frame for electronic hardware and flat panel displays
US7040487B2 (en) 2001-07-14 2006-05-09 Entegris, Inc. Protective shipper
WO2003008303A1 (en) 2001-07-15 2003-01-30 Entegris, Inc. Tray for semiconductors
ATE420218T1 (de) 2001-08-02 2009-01-15 Liquidmetal Technologies Inc Verbinden von amorphen metallen mit anderen metallen mit einer mechanischen gussverbindung
WO2003023081A1 (en) 2001-09-07 2003-03-20 Liquidmetal Technologies Method of forming molded articles of amorphous alloy with high elastic limit
KR101202587B1 (ko) 2001-10-03 2012-11-19 크루서블 인텔렉츄얼 프라퍼티 엘엘씨. 벌크 응고형 비정질 합금 조성물의 개선 방법 및 그조성물로 이루어진 주조 제품
US7059475B2 (en) 2001-10-04 2006-06-13 Entegris, Inc. System for cushioning wafer in wafer carrier
EP1453741A1 (en) * 2001-11-14 2004-09-08 Entegris, Inc. Wafer enclosure sealing arrangement for wafer containers
KR100927923B1 (ko) 2001-11-27 2009-11-19 엔테그리스, 아이엔씨. 도어에 의해 구현되는 접지 경로를 포함하는 전방 개방웨이퍼 캐리어
KR101190440B1 (ko) 2002-02-01 2012-10-11 크루서블 인텔렉츄얼 프라퍼티 엘엘씨. 비결정질 합금의 열가소성 주조
AU2003213841A1 (en) 2002-03-11 2003-09-29 Liquidmetal Technologies Encapsulated ceramic armor
US6787899B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-07 Intel Corporation Electronic assemblies with solidified thixotropic thermal interface material
US6892790B2 (en) 2002-06-13 2005-05-17 Husky Injection Molding Systems Ltd. Process for injection molding semi-solid alloys
US6825916B2 (en) * 2002-07-05 2004-11-30 Entegris, Inc. Reticle carrier with positioning cover
AU2003252040A1 (en) 2002-07-17 2004-02-02 Liquidmetal Technologies Method of making dense composites of bulk-solidifying amorphous alloys and articles thereof
US7293599B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Liquidmetal Technologies, Inc. Investment casting of bulk-solidifying amorphous alloys
AU2003287682A1 (en) 2002-11-18 2004-06-15 Liquidmetal Technologies Amorphous alloy stents
US7588071B2 (en) 2003-04-14 2009-09-15 Liquidmetal Technologies, Inc. Continuous casting of foamed bulk amorphous alloys
WO2004092428A2 (en) 2003-04-14 2004-10-28 Liquidmetal Technologies, Inc. Continuous casting of bulk solidifying amorphous alloys
TWI337160B (en) 2003-10-09 2011-02-11 Entegris Inc Shipper with tooth design for improved loading
JP4339135B2 (ja) 2004-01-15 2009-10-07 Ｙｋｋ株式会社 非晶質合金成形用の射出鋳造装置
US7252199B2 (en) 2004-03-26 2007-08-07 Entegris, Inc. Disk cassette system
US7473278B2 (en) 2004-09-16 2009-01-06 Smith & Nephew, Inc. Method of surface oxidizing zirconium and zirconium alloys and resulting product
US7183140B2 (en) 2004-11-08 2007-02-27 Intel Corporation Injection molded metal bonding tray for integrated circuit device fabrication
US7255151B2 (en) 2004-11-10 2007-08-14 Husky Injection Molding Systems Ltd. Near liquidus injection molding process
JP4667018B2 (ja) 2004-11-24 2011-04-06 ミライアル株式会社 レチクル搬送容器
WO2006087894A1 (ja) * 2005-02-03 2006-08-24 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. 固定キャリア、固定キャリアの製造方法、固定キャリアの使用方法、及び基板収納容器
US8652391B2 (en) 2005-02-03 2014-02-18 Entegris, Inc. Method of forming substrate carriers and articles from compositions comprising carbon nanotubes
US7578404B2 (en) 2005-02-04 2009-08-25 Phoenix Closures, Inc. Tamper evident band closure assembly
US7607543B2 (en) 2005-02-27 2009-10-27 Entegris, Inc. Reticle pod with isolation system
US7400383B2 (en) 2005-04-04 2008-07-15 Entegris, Inc. Environmental control in a reticle SMIF pod
EP1928764B1 (en) 2005-09-27 2011-11-02 Entegris, Inc. Reticle pod
WO2008005898A2 (en) 2006-06-30 2008-01-10 Ev3 Endovascular, Inc. Medical devices with amorphous metals and methods therefor
JP2008060297A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Miraial Kk ウエハ収納容器
JP5094093B2 (ja) * 2006-11-07 2012-12-12 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
EP2081223A4 (en) 2006-11-07 2011-09-07 Shinetsu Polymer Co SUBSTRATE CONTAINER
EP2122014A4 (en) 2007-02-28 2014-09-17 Entegris Inc CLEANING SYSTEM FOR A SUBSTRATE CONTAINER
MX2009009705A (es) 2007-03-10 2009-10-30 Cool Options Inc Diseño de huesillo y metodo para moldeo por inyeccion de metal.
WO2009008375A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. 基板収納容器用蓋体及び基板収納容器
JP2009259951A (ja) 2008-04-15 2009-11-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板収納容器
US20090321037A1 (en) 2008-06-27 2009-12-31 Ultradent Products, Inc. Mold assembly apparatus and method for molding metal articles
US20110070429A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Thomas H. Rochester Corrosion-resistant coating for active metals
JP5363277B2 (ja) * 2009-11-11 2013-12-11 信越ポリマー株式会社 基板収納容器、及び支持部材
CN105225686A (zh) 2009-11-18 2016-01-06 恩特格林斯公司 通用磁盘装运器
BR112012012347A2 (pt) * 2009-11-24 2016-04-26 Sumitomo Electric Industries material espiral de liga de magnésio
US20130010435A1 (en) * 2010-03-11 2013-01-10 Toshinobu Ogatsu Frame unit, mounting substrate unit, and manufacturing method for the same
KR101708087B1 (ko) 2010-04-22 2017-02-17 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 기판 수납 용기
US8797474B2 (en) * 2010-12-06 2014-08-05 Apple Inc. Methods for assembling display structures with alignment features
CN103443321B (zh) 2011-02-16 2015-09-30 加利福尼亚技术学院 通过快速电容器放电进行的金属玻璃的注射成型
KR101944140B1 (ko) 2011-07-21 2019-01-30 엔테그리스, 아이엔씨. 나노튜브 및 미세하게 분쇄된 탄소섬유 중합체 복합체 조성물 및 그의 제조 방법
US8770262B2 (en) 2011-08-11 2014-07-08 Hong Fu Jin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Stainless steel-and-amorphous alloy composite and method for manufacturing
KR20140068246A (ko) 2011-09-30 2014-06-05 크루서블 인텔렉츄얼 프라퍼티 엘엘씨. 사출 성형 시스템을 사용한 비정질 합금의 사출 성형
US8833432B2 (en) 2012-09-27 2014-09-16 Apple Inc. Injection compression molding of amorphous alloys
US20150014882A1 (en) 2013-07-12 2015-01-15 No Limit Safety, LLC Method of forming molded components
KR200474198Y1 (ko) 2013-12-27 2014-08-28 코리아에이스테크놀로지(주) 반도체 적재용 매거진
CN107924858B (zh) 2015-07-13 2023-05-30 恩特格里斯公司 具有增强型容纳的衬底容器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011086775A (ja) * 2009-10-15 2011-04-28 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板収納容器及び蓋体
KR20140099690A (ko) * 2013-02-04 2014-08-13 조호현 내식성을 강화한 마그네슘 케로나이트 방법

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