CN107924858A - 具有增强型容纳的衬底容器 - Google Patents

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Abstract

可通过射出模制金属浆料而形成用于半导体制造工业中的衬底容器及/或其部分。更特定来说，可通过射出模制含有镁或镁合金的金属浆料而形成此类衬底容器及/或其部分。与相当的由基于聚合物的材料形成的衬底载体相比，其中衬底容器的至少一部分由含有镁或镁合金的金属浆料射出模制而成的所述衬底容器可展现对湿气及氧气的经改进渗透控制。示范性衬底容器可包含晶片容器、光罩盒、磁盘运送器及/或半成品盒。

Description

具有增强型容纳的衬底容器
相关申请案交叉参考
本申请案主张2015年7月13日提出申请的美国临时专利申请案第62/192,011号的权益，所述美国临时专利申请案的揭示内容据此以其全文引用的方式并入。
技术领域
本发明一般来说涉及用于半导体制造中的衬底容器，例如硅晶片容器及光罩容器。
背景技术
被制造成集成电路(包含计算机芯片)的半导体晶片在各种处理设备中的处理期间经受众多步骤。晶片必须从工作站被运输到工作站且通常必须被暂时存储以便适应必要的处理步骤。此外，晶片必须有时从晶片制造设施被运输或运送到其被进一步处理的另一位点。此通常使用衬底容器来实现。
许多操作性能要求与此类容器相关联。一般来说，此类容器需要具有强度、稳健性、重量、公差控制与成本效益的最优组合。所述容器可由高架机器运输、可被洗涤及再使用、可被打开及关闭数百次且可被装载及卸载数百次。
用于在处理步骤之间存储300mm晶片的容器称为FOUP(前开式晶片传送盒(FrontOpening Unified Pod))且通常用于在设施之间运送300mm晶片的容器称为FOSB(前开式运送盒(Front Opening Shipping Box))。FOUP及FOSB各自具有壳体，所述壳体具有开放内部及位于壳体中的用于固持间隔开的晶片堆叠的搁架。在底部上提供运动学耦合以用于与设备精确地介接。壳体中的前开口接纳门。所述门具有用以气密密封到壳体的密封件及用以将门固定于壳体中的闩锁机构。
几乎所有组件(一些品牌的紧固件除外)由经射出模制聚合物组件形成。大多数制造商已由于污染问题而尽可能地在晶片容器中完全避免金属紧固件及金属。已证明完全或大体上由聚合物形成的衬底容器是具成本效益的且普遍用于半导体工业中。
然而，已证明基于聚合物的容器、特定来说晶片容器具有必须加以管理的特定缺点。举例来说，由于半导体的规模已变得较大，也就是说，由于每单位面积的电路数目已增加且由于晶片已变得较大，因此污染物已变为较大问题。污染物可为包含VOC(挥发性有机化合物)的粒子或空气传播分子污染物(AMC)。对金属的消除及对特种聚合物的使用以及其它手段已解决粒子污染物问题。关于AMC，聚合物具有吸收并释放湿气及其它AMC的倾向。对容器的持续冲洗已提供部分解决方案，但冲洗并不总是可用的，例如当晶片被运送时。
此外，被制造成集成电路的晶片还对静电放电为敏感的。在处置及存储半导体衬底中所涉及的组件的静电耗散(“ESD”)为通常需要或期望的。常规聚合物不提供此特性且必须利用添加剂及/或特殊制剂。此提高了聚合物的成本且可增加污染问题以及改变聚合物的模制及其它特性。
此外，具有大面积聚合物壁的射出模制容器需要精确控制的壁厚度、工艺控制且通常需要针对强度、形状稳定性及尺寸稳定性的补充结构。也就是说，壁厚度无法在(举例来说)壳体的不同部分中急剧地变化，这是因为模制之后的冷却将通常导致不期望/不均匀的收缩及形状变形。即使在存在极严格控制的工艺的情况下，用于聚合物产品的模具仍必须为过大的以提供所要大小的最终聚合物组件，所述最终聚合物组件将在尺寸上不同于模具。因此，较大扩展性组件(例如FOUP及FOSB中的壳体)整个具有均匀壁厚度。另外，薄聚合物壁为脆弱的。将聚合物容器抽真空通常被认为是不实际的。然而，特定聚合物具有使其对于衬底容器(尤其是用于较大衬底的容器，例如FOUP及FOSB)为合意的特性；这些聚合物(例如含氟聚合物、聚醚醚酮及液晶聚合物)具有低粒子产生特性及经减小VOC吸收速率，但可极难以进行模制。对于这些聚合物，上文所论述的模制问题加重。
按照由工业标准群组SEMI(国际半导体设备与材料)陈述的标准来制造FOUP及FOSB。这些标准提供对表面及特征的极严格公差位置要求。例如上文所论述的模制不准确性可使成品经模制产品变得不可使用。
SEMI标准还提供机器人凸缘在FOUP及FOSB的顶部上的定位。机器人凸缘与含于容器中的间隔开的晶片堆叠的中心同轴地定中心。考虑聚合物模制的壳体的常规均匀壁厚度以及由门框架及门在容器的向前部分处的存在所致的额外向前定位的聚合物，当此类容器由其机器人凸缘支撑及运输时，容器的向前部分比向后部分重得多。此使重心向前移位，对凸缘与运输系统连接件施加力矩，从而在容器从上方被悬置时促使所述容器的前部向下。如此可具有不利效应，尤其是在容器的高架运输期间，以导致(举例来说)机器人凸缘上的高应力点及对运输系统的应力，从而可能导致连接故障或运输异常。用以解决此问题的一种已知方式是在容器后部添加单独压载物重量。(参见美国专利第8,881,907号。)
通常在运输及处置期间，期望使振动及任何震动事件最小化，这是因为此可往往在衬底容器内产生及/或发射粒子。对此振动及震动吸收的任何改进及/或最小化将为受欢迎的。
就可克服这些问题且改进性能同时仍提供具成本效益的解决方案来说，此将受半导体处理工业欢迎。
发明内容
针对用于半导体制造中的衬底的存储及/或运输容器(“衬底容器”)通过以下操作而制造：利用半固体金属(例如镁合金)而射出模制聚合物组件及射出模制容纳组件、适合地涂覆所述容纳组件且将所述组件组装到衬底容器中。在前开口晶片容器(例如FOUP及FOSB)中，容纳组件可为壳体(通常称为容器部分)以及面向容器的内部的门或门的一部分。聚合物组件适合地用于若干部分，例如闩锁部分、高架机器人凸缘、手动把手、晶片搁架及/或限制器、基底部分及/或在容器的底部处提供运动学耦合的部分以及例如配件、塔及冲洗端口等冲洗组件。在特定部分中，经射出模制金属组件可通过紧固件或通过卡扣配合啮合而与聚合物组件连接，或者聚合物可被包覆模制到金属组件上。另外，可通过原位成型(form-in-place)工艺的方式将垫片及密封件添加到金属组件。
本发明的实施例的特征及优点是容纳组件可在从模具移除之后以最小收缩来模制，也就是说，所述模具可构造有腔，所述腔与既定产品的大小基本上相同或比射出模制聚合物更接近于所述既定产品的大小。此外，壁厚度可在整个容纳组件中变化。另外，容纳壁可被制作为充分强的以将内部抽成部分真空。本发明的实施例的特征及优点(尤其针对FOUP、FOSB及具有高架运输机器人凸缘的其它容器)，用于镁合金的壳体模具可经设计以提供固有的向后重量集中，借此抵消与向前门相关的质量且提供不需要补充压载物的固有平衡的衬底容器。
由经射出模制镁形成的衬底容器的实施例的特征及优点是容器为充分强的，使得可在内部抽真空，从而提供增强型存储环境。可提供密封，使得可获得1.0x 10-7托的真空。另外，可维持小于5％的相对湿度控制达6到12个小时以及维持小于100ppm的低氧气(O2)水平达6到12个小时。此在晶片容器、光罩盒及磁盘容器中为有利的。
本发明的实施例中的复合金属衬底容器的特征及优点是被提供到镁合金容纳组件的导电涂层。导电涂层将镁合金与环境隔离且对容纳组件提供静电耗散特性。镁合金组件并非固有地拥有此特性。在实施例中，容纳组件是前开口晶片容器的壳体且在底板上具有运动学耦合，运动学耦合由静电耗散材料形成，底板及壳体导电地连接在一起。在实施例中，壳体中的搁架为静电耗散性的且导电地连接到导电壳体及基板。
揭示具有由经镁触变模制材料形成的至少一部分的衬底容器。衬底容器或部分包含被施加到经镁触变模制材料的表面的针对抗腐蚀性的涂层。在一些实施例中，涂层为转化涂层。根据各种实施例，衬底容器可被配置为晶片容器、光罩盒、磁盘运送器及半成品盒。
在一些实施例中，衬底容器的至少一部分由经喷射聚合物组合物形成。可通过在衬底容器的部分的表面上直接移动喷嘴而喷射所述经喷射聚合物。经镁触变模制部分及经喷射聚合物在衬底容器的构造中接合。经喷射部分可为(举例来说)介于门与壳体之间的垫片或密封件。
在各种实施例中，衬底容器被配置为光罩容器或盒。如本文中所揭示，光罩盒的一部分或若干部分或者所述光罩盒可大体上由经镁触变模制材料形成。
在各种实施例中，衬底容器被配置为晶片载体，所述晶片载体具有容器壳体部分(其具有前开口)及可密封地插入且可从所述晶片载体移除的门以及适合于运输多个半导体晶片的结构元件。如本文中所揭示，晶片载体的一部分或所述晶片载体可大体上由经镁触变模制材料形成。在一些实施例中，晶片载体的容器壳体部分包括经模制聚合物材料且所述门或其一部分包括经镁模制材料。此类晶片载体的一些实施例的设计具有重心，所述重心经定位使得衬底容器在为空的并位于水平表面上时抵抗倾翻。在一些实施例中，重心位于衬底容器中心。
在一些实施例中，衬底容器为晶片载体，所述晶片载体具有容器壳体部分(其包含壁、前开口)及可密封地插入且可从所述晶片载体移除的门。容器壳体部分大体上由经镁触变模制材料形成。在一些实施例中，壳体部分的壁具有约2mm(±10％)的厚度，且在各种实施例中，壳体部分进一步具有约57in3(±10％)的体积。在实施例中，门或其一部分进一步由经镁触变模制材料形成。门与壳体部分介接且在实施例中，在门的外围上提供弹性体密封件。
本发明进一步包含形成衬底容器的方法。在所述方法中，准备一定量的镁合金以进行触变模制且将所述量的镁合金引入到挤出机中。对所述镁合金进行加热并施加剪切，从而形成浆料。以高速将浆料射出到模具中，从而形成衬底容器或其组件。针对抗腐蚀性而涂覆所述衬底容器或组件。在一些实施例中，涂层为转化涂层。
衬底容器可被配置为选自由以下各项组成的群组的物品：晶片载体、光罩盒、EUV光罩盒、磁盘运送器及半成品盒。在EUV光罩盒中，内部盒及/或外部盒可由经射出模制金属、特定来说经触变模制镁形成。在一些实施例中，衬底容器被配置为光罩盒。在一些实施例中，衬底容器被配置为具有适合于运输多个半导体晶片的结构元件的晶片载体。
在一些实施例中，衬底容器为晶片载体，所述晶片载体具有适合于运输多个半导体晶片的结构元件以及容器壳体部分、前开口及可密封地插入且可从所述晶片载体移除的门组件。在一些实施例中，所述方法包含对容器壳体部分或其部分、门组件或其部分或者其组合进行镁触变模制。在形成之后，将所述容器壳体部分与门组件连接并组合。经镁触变模制材料部分进一步被涂覆有转化涂层。
在一些实施例中，所述方法包括形成门或其面向内部的部分。将所述门与晶片载体的壳体部分连接并组合。在一些实施例中，壳体也部分地或大体上由经镁触变模制材料形成。在一些实施例中，衬底容器经构造使得晶片容器具有与堆叠于容器中的晶片的轴大体上对准的重心。在此上下文中，大体上意指在晶片容器的向前到向后长度的10％以内。
本发明的实施例中的物品可包含衬底容器，例如但不限于晶片载体、光罩盒、运送器、芯片托盘及磁头(head)托盘(读取及/或写入)。在一些实施例中，衬底容器被形成为具有用于支撑晶片的狭槽，其中所述狭槽包括晶片触点。在一些实施例中，经镁触变模制衬底容器或其部分中的镁存在于以98重量％或更大浓度的经镁触变模制材料中。本文中所揭示的衬底容器可进一步经配置以容纳300mm晶片或450mm晶片。
在一些实施例中，经镁模制物品可结合常规地用于半导体制造工业中所使用的衬底容器中的多种工程及结构塑料来使用。
在所揭示衬底载体的一些实施例中，与由基于聚合物的材料形成的已知衬底载体相比，经镁触变模制衬底载体展现对湿气及氧气的经改进渗透控制。此可提供减少对影响FOUP中的集成电路合格率的有害痕量气体的常规监视及检测的需要的益处。
在本发明的各种实施例中，与由基于聚合物的材料形成的已知衬底载体或其部分相比，经镁触变模制衬底载体或其部分具有低重量且具有成比例地较高强度。衬底容器的所形成材料的较轻重量及经改进强度的特性提供其它优点。作为实例，由于本发明的实施例的较轻重量及较强(较小挠曲)组合物，因此可实现较高速AMHS(自动材料处置系统)技术且可增加工厂人员及被运输的载体(例如光罩及晶片)内的有效载荷两者的安全性。在其中容器保持真空的实施例中，镁触变模制的低重量及成比例地较高强度准许在较高量生产中具有负担能力及运输能力。
在一些实施例中，由本发明的实施例提供的优点可包含：通过减少或限制所载运或存储光罩中的雾度或其它透明度缺陷(通过相比于已知聚合物晶片载体或光罩载体而维持较低湿气、大体上消除氧气渗透)而减少或限制器件制造中的合格率损失；减少或消除来自受控制经密封晶片、光罩或其它敏感衬底环境内的排气的交叉污染。
对本发明的各种代表性方面的以上概述并不打算描述本发明的每一所图解说明方面或每个实施方案。而是，选择并描述所述方面，使得所属领域的技术人员可了解并理解本发明的原理及实践。
所属领域的技术人员将依据以下详细描述容易地明了本发明的其它对象及优点以及其形成及构造方法，其中仅通过图解说明执行本发明的所预期最佳模式的方式展示及描述仅优选实施例。如将意识到，本发明能够具有其它及不同实施例及构造方法，且其数个细节能够在各个显而易见方面进行修改，而所有这些均不背离本发明。因此，应将各图式及描述视为实质上具有说明性而非限定性。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的光罩盒的前视透视图。
图2是根据本文中的本发明的实施例的前开口晶片容器的前视透视图。
图2A是根据本文中的本发明的实施例的前开口晶片容器壳体的前视透视图。
图2B是图2A的前开口晶片容器壳体的平面图。
图2C是图2A的前开口晶片容器壳体的前视立面图。
图2D是图2A的前开口晶片容器壳体的侧视立面图。
图2E是在图2D的线2E到2E处截取的拐角部分及壁部分的横截面图。
图3是根据本文中的本发明的实施例的晶片容器的前视透视图。
图4是根据本文中的本发明的实施例的开放前开口晶片容器的前视透视图。
图5是图3的晶片容器的右侧立面图。
图6是根据本文中的本发明的实施例的磁盘运送器的前视透视图。
图7是图6的磁盘运送器的匣盒部分的前视透视图。
图8是根据本发明的实施例的底部开口盒的透视图。
图9是图8的底部开口衬底容器的仰视透视图。
图10是机器射出触变模制装置的部分呈横截面的示意性侧视图。
尽管本发明易于做出各种修改及替代形式，但在图式中已通过实例方式展示且将详细地描述其特定细节。然而，应理解，本发明并不将本发明限制于所描述的特定方面。而是，本发明欲涵盖属于如由所附权利要求书界定的本发明的精神及范围内的所有修改、等效内容及替代形式。
具体实施方式
尽管本发明可以许多不同形式体现，但在本文中详细描述本发明的特定实施例。此描述是本发明的原理的例示且并非打算将本发明限制于所图解说明的特定实施例。出于本发明的目的，除非另有指示，否则图中的相似参考编号应是指相似特征。
本发明的衬底容器通过使用镁合金的射出模制(镁射出模制或镁触变模制)而直接处理。作为实例，图1到7描绘可使用根据本发明的方法来形成的多种示范性常规衬底容器。
参考图1到6，图解说明衬底容器的数个不同配置。图1图解说明具有容纳组件的光罩盒20，所述容纳组件具有上部壳体部分或盖22(其具有底部开口)及基底23或者可密封地插入到上部壳体部分或盖22的底部开口中的门。壳体部分22包含顶部部分，所述顶部部分被配置为具有把手26的带凸缘圆顶部分24。举例来说，参见全部由本申请案的拥有者拥有的美国专利第8,613,359号、第8,231,005号、第8,146,623号、第7,607,543号、第7,450,219号、第7,400,383号、第7,139,066号、第6.8259.16号及美国专利公开案20140183076中的各种光罩盒配置以及制作及使用方法，以获得光罩盒的进一步揭示内容。还参见下文所列示的相关所并入专利及/或公开案。所述专利及公开案出于所有目的以其全文引用的方式并入本文中，包含光罩盒配置及部分以及制作及使用方法。
参考图2，描绘根据本发明的实施例的晶片容器或晶片载体(例如FOUP)且其主要由配置为用于固持晶片的外壳部分30的容纳部分以及可密封地插入于所述容纳部分中并可从所述容纳部分移除的门32构成。参考图2到2E，外壳部分30包括壳体36及内部48，所述壳体具有顶部38、一对侧34、35、底部、门框架44、机器人提升凸缘39、侧把手40及前开口46。门32通常包含框架结构、外部表面及内部表面。如所并入专利及公开案中所展示，门32可包含在FOUP的密封中起作用的各种所形成部分及经连接或接合部分(固定或被动的及可移动或主动的)，例如晶片限制器、闩锁机构及隔室以及键槽。本发明的载体及载体部分可展现超薄壁能力且具有较薄壁区段，所述较薄壁区段具有与由塑料形成的常规载体壁的强度及刚度相等或优于其的强度及刚度。图2A到D图解说明通过此类镁射出模制方法而形成的FOUP或FOSB壳体。作为实例，被触变模制及涂覆的所图解说明FOUP或FOSB壳体可具有图2A到D中所图解说明的尺寸(±10％)及约2mm(±10％)的壁厚度。在实施例中，FOUP或FOSB可具有约1mm(±10％)的壁厚度。例如图2A到D中所展示的FOUP或FOSB壳体可进一步具有约57in3(±10％)的材料体积。如图2A中所描绘，例如聚合物射出模制的晶片支撑件49、聚合物射出模制的输送器50及/或运动学耦合板50以及聚合物射出模制的机器人凸缘51等组件可附接到壳体。在其它实施例中，以上组件中的一些或所有组件可由镁形成。
参考图2E，在实施例中，壁部分可比其它部分薄。举例来说，拐角部分52可比从拐角部分位移的壁部分53厚。壁部分可减少至少20％的厚度、在实施例中减少至少30％的厚度、在实施例中减少至少50％的厚度、在实施例中减少至少65％的厚度。在此类实施例中，拐角部分与壁部分彼此成一体。此允许设计的较大灵活性且仅通过使壁厚度变化而允许CoG向前移位。
关于此类容器的进一步揭示内容可存在于由本申请案的拥有者拥有的美国专利第8276759号、第7886910号、第7578404号、第7059475号、第7040487号、第6848578号、第6825916号、第6736268号、第6550619号、第6354601号、第6267245号、第6206196号、第6082540号、第6010008号、第5788082号及第5711427号中。还参见下文所列示的相关所并入专利及/或公开案。所述专利及公开案出于所有目的以其全文引用的方式并入本文中，包含晶片容器或晶片载体配置及部分以及制作及使用方法。
图3、4及5图解说明WIP或半成品盒60，所述WIP或半成品盒通常包含底部部分66、上部部分64、铰链68、闩锁69及密封于其中的H条(H-bar)晶片载体62。
图6及7图解说明针对用于硬盘驱动器中的衬底的磁盘运送器70且所述磁盘运送器具有匣盒或基底76、侧壁77、顶部盖78、底部盖79、端壁82及匣盒中的狭槽84。关于此类容器的进一步揭示内容可存在于美国专利及公开案第8734698号、第7252199号、第6994217号及第20130001114号中。所述专利及公开案出于所有目的以其全文引用的方式并入本文中，包含晶片容器或晶片载体配置及部分以及制作及使用方法。
图8及9图解说明底部开口衬底容器，其包括容器部分90及门部分92。容器部分包含壳体93、把手94及机器人凸缘95且门部分包含闩锁机构96。
还称为镁触变模制且如本文中所使用的镁射出模制用于形成镁衬底容器或衬底容器的镁组件。镁射出模制或镁触变模制是镁的触变半固体模制工艺。用于镁的镁触变模制机器(图10中以100展示的实例)看起来很像射出模制机器，具有类似的工具夹具及基于螺杆的射出筒110。镁触变模制机器与常规射出模制机器的不同之处在于：所述镁触变模制机器使用惰性气氛来覆盖经加热镁；相对于塑料，针对镁的所涉及温度高得多；且镁以比塑料高得多的速度被射出。
在实施例中，以周围温度将镁或镁合金碎片112馈送到具有旋转螺杆114的射出模制机器的经加热筒110中。碎片112经由加热元件(举例来说，电阻型加热带116)被带入高温且通过经射出模制机器100的旋转螺杆114而经受高剪切力，同时在镁上方维持氩气覆盖气氛。往复螺杆114使材料变成触变(类凝胶)状态—熔融基质内的球状固体粒子的浆料117。
浆料接着以高速率且在高压力下被射出到经预加热衬底容器模具或模118中。镁半固体浆料在极大射出压力下触变地流动到模具118中。浆料接着被保持在一定压力下且经冷却以形成本发明的高精确度净形或近净形衬底容器120。
特征及优点是浆料具有低黏度，从而允许其迅速且均匀地完全游动到所有模具的较小空间中，从而产生严格公差以及需要极少后模制精加工/处理的完全致密容器或容器部分。特征及优点是镁浆料的流动性以及聚合物材料上的材料的低黏度及经改进刚性允许在常规聚合物材料之外形成小件及表面结构。举例来说，衬底容器外壳、盖及/或门的原本将在模制之后被连接或接合的固定或被动的部分可在容器外壳、盖及/或门中整体地形成。
用于镁射出模制工艺中的镁组合物的原料可呈商业上可购得的镁碎片的形式。适合材料的实例包含铸造镁合金，例如触变模制AZ-91-D。在一些实施例中，镁组合物及经模制物品可包括以98重量％或更大浓度的镁。在一些实施例中，镁组合物可与合金2重量％或更小非镁材料(例如，包含例如铝、铜、铝、锌、锰、硅、铜、稀土、锆及其组合等非铁金属的合金材料)混合、组合或包含所述材料。
根据所揭示方法的至少一些实施例，所形成衬底容器可用适合于本文中所论述的环境的涂层或饰面来涂覆或精加工。在一些实施例中，工具还可如在经射出模制工具中一般被精加工成经抛光表面。经模制载体部分可用提供腐蚀保护、耐磨性及/或电绝缘的兼容性饰面来精加工。在一些实施例中，将转化涂层施加到经清洁镁表面以确保良好粘合。转化涂层涉及施加与镁表面的部分反应且将所述部分转化为涂层的适合饰面。用于经镁模制载体或载体部分的适合饰面的实例包含商业上可购得的阿洛丁5200(非铬酸盐)；阿洛丁(汉高公司(Henkel Corporation)的商标)5900(三价铬酸盐)；可从NALTIC工业公司(Industrials,LLC)商业上购得的梅塔拉斯特(Metalast)TCP-HF(梅塔拉斯特是梅塔拉斯特表面技术公司(Metalast Surface Technology,LLC)的商标)；NH35(六价铬酸盐)；塔格尼特(Tagnite)(技术应用集团公司(Technology Applications Group Inc.)的商标)；阿诺玛格(Anomag)(克络耐国际有限公司(Keronite International Limited Company)的商标)；及克络耐(克络耐国际有限公司的商标)。在一些实施例中，涂层通常可进一步包含电泳涂层、粉末涂层、无电镀镍、铬、尿烷、UV固化涂层及阳极化涂层。此类涂层可允许与其它件的经改进附接及可连接性以及原位成型能力，尤其是将特征及组件包覆模制或原位成型模制到经镁模制载体部分。涂层还可与用于污染衬底容器中的传统聚合物相比改进除气性能。
本发明的经涂覆衬底容器展现经增加抗腐蚀性、经增加表面硬度。在一些实施例中，涂层可为极薄的，举例来说几十万分之一英寸。
其它精加工工艺可包含静电放电加工(EDM)、化学铣切、烧蚀或激光切割。
在一些实施例中，本发明的所形成物品可包含用作用于半导体制造中的衬底的运输及存储外壳的物品。此类物品可包含衬底容器/容器，其实例展示于图中且包含：晶片载体(FOUP)、光罩盒及磁盘运送器、WIP盒、芯片托盘等等。物品的其它特定实例包含300mm/450mm EBM FOUP/光罩盒/EUV盒。
在一些实施例中，载体的部分是结合使用挤出模制的聚合物组合物常规地形成的部分而触变模制的镁。所属领域的技术人员将知晓此类聚合物组合物及常规模制工艺。并入本文中的专利及公开案提供进一步指导及揭示内容。适合聚合物组合物的实例包含选自由以下各项组成的群组的聚合物：聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚烯烃(PO)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯橡胶、呈聚醚嵌段聚酰胺(PEBA)形式的尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚(偏二氟乙烯)、聚(四氟乙烯)(PTFE)、聚乙烯、聚丙烯、聚(氯乙烯)(PVC)、乙基乙酸乙烯酯以及其混合物及共聚物。此类聚合物可包含在整个聚合物中混合的碳纳米管。
作为实例，在一些实施例中，构造FOUP，其中使用经挤出模制聚合物组合物来常规地形成容器部分且使用本文中的镁触变模制工艺来形成门。此组合具有使FOUP的重心(“CoG”)集中的益处，从而允许以比其中CoG较向前定位的常规FOUP大的稳定性来搁放空的FOUP。此可使AMHS设备较难以以所需的高速来处置载体。本发明的实施例的材料及方法允许形成门，所述门根据SEMI国际标准而具有充分刚性且为较轻的以便改进载体CoG。
本文中所揭示的方法以及镁浆料材料的流动性提供严格公差模制，从而允许一致且准确尺寸公差。此使所形成载体配备有高晶片平面/晶片位置重复性。此还提供原位成型(FIP)垫片能力，从而提供在晶片及光罩载体中形成经密封界面(举例来说，门到壳体带垫片界面及冲洗模块带垫片界面)的能力。通常在模制之后并入或连接或者接合到其它载体部分的较小且较复杂件或部分还可形成为整体表面结构。举例来说，衬底容器外壳、盖及/或门的原本将在模制之后被连接或接合的固定或被动的部分可在容器外壳、盖及/或门中整体地形成。
所揭示载体及载体部分的所形成壁还展现良好的阻尼特性。举例来说，所述所形成壁可使在手动及自动处置期间去往晶片的能量输入阻尼。
实例
作为对本发明的物品优于常规热塑性物品的一些改进的图解说明，在根据本发明的经镁模制部分与用于微环境(ME)应用中的物品的经射出模制EBM材料(高性能英特格(Entegris)专有聚合物)之间执行渗透测试比较。如下文的工艺及结果描述中可见，镁部分具有大致好一个数量级的渗透性能。
测试1
使用氢气及标准测压技术进行第一测试以确定经射出模制镁样品的渗透特性。在第二测试中，对英特格公司的热塑性专有树脂(称为EBM材料)评估氢气及氧气的抗渗透性。
在第一测试中，测试38mil的经射出模制镁样品。将氢气(来自明尼苏达州明尼阿波利斯市拓领公司的工业级别(Industrial Grade,Toll Co.,Minneapolis,MN)用作渗透气体。气体渗透装置由以下各项组成：位于温度控制室内部的样本固持器、一系列阀、上游压载箱、用于上游气体的压力传感器(300psi黑斯(Heise)PM数字指示器)及下游固态压力计(10托MKS巴拉特(Baratron)型627B)。所述装置由不锈钢构造。通过焊接或利用VCR凸缘进行连接以防止泄漏。
根据标准测压程序(D1434-82，用于确定塑料膜及薄片的气体渗透特性的标准测试方法(Standard Test Method for Determining Gas Permeability Characteristicsof Plastic Film and Sheeting)，ASTM，宾夕法尼亚州西康舍霍肯(West Conshohocken，PA)，1998年。还参见JIS K7126。)而测量渗透，如下文所描述。将具有4.6cm直径及13.7cm2有效面积(A)的圆形样品放置于气体渗透装置中。将装置抽降到大约20毫托并保持一夜以从装置以及从样品移除挥发性成分。第二天，对装置进行泄漏测试。如果泄漏速率为充分低的，那么在装置的上游侧充填有渗透气体。
在允许压力及温度保持平衡达几分钟之后，开始测试。随时间推移而记录下游压力上升(Δp1)。(还在实验的持续时间内监视温度及上游压力(Δp)以确保其恒定性。)所有测量均在25℃(77℉)下进行。使用两个压力(2atm及3atm)从一个厚度(38mil)获得测量。
分析：
气体通过首先溶解且接着扩散而渗透穿过均质材料。可在标准温度及压力(STP)下将渗透物的下游压力上升(Δp1)转化为等效气体体积(V)，
V＝(Δpl/Δpo)(To/T)Vs，
其中T为测量温度，Vs为渗透装置的下游侧的体积，To为标准温度(32℉＝273K)且Δpo为标准压力(＝1atm或76cmHg)。在稳态条件下随时间(t)渗透穿过膜的气体体积(V)取决于渗透系数(P)以及膜厚度(B)、膜面积(A)及所施加上游压力(Δp)(4、5)，
V＝P·A·Δp·t/B。
渗透物穿透膜所需的时间(tb)取决于材料的膜厚度(B)及扩散系数，
tb＝B2/6D。
针对渗透系数及扩散系数而将溶解度系数计算为，
S＝P/D。
结果：
渗透速率与所施加上游压力成比例。因此，来自两个压力的数据给出P、D及S的唯一值。以下表1概述镁样品的质量传递系数。其总体平均值为P＝(0.056±0.001)x 10- 10cm3·cm/cm2·s·cmHg、D＝(5.66±0.53)x 10-8cm2/s及S＝(0.098±0.010)x 10-3cm3/cm3·cmHg。
在25℃(77℉)下穿过经射出模制镁的氢气的渗透系数(P)、扩散系数(D)及溶解度系数(S)
P值为相当低的且比最小可测量值大一个数量级以上。在表2中展示此装置上的氢气的下限(使用ERG 0608-01来测试，从而确定气体渗透模块的泄漏速率及能力)。
在25℃(77℉)下针对铝的氢气的渗透系数(P)的总体平均值
测试2：
在第二测试中，对压缩模制的高性能专有聚合物评估氢气及氧气的抗渗透性。在280℃(536℉)的温度下使用PHI工作台(Bench)设计、液压压机来压缩模制样品。针对各种厚度的膜称出指定量的树脂、将所述树脂倾倒到黄铜饰板模具的中心中且接着夹在薄铝片与PI膜之间。将此夹层放置于压机的经预加热下部压板上且使所述夹层与顶部压板成“吻合(kiss)”位置并保持达两分钟，在此之后施加20,000磅的装载达一分钟。接着通过将样本放置于两个铝块(7mil)之间或通过从压机移除所述样本且允许样品在室温(12mil)下缓慢地冷却而将所述样本冷却。
使用差示扫描量热法(珀金埃尔默(Perkin Elmer)Diamond DSC)来确定EBM树脂及各种膜的玻璃化转变温度(Tg)。从样品切割质量介于从4mg到8mg的范围内的样本、将所述样本从25℃(77℉)加热到200℃(392℉)、从200℃冷却到25℃且接着再次以10℃/min(18℉/min)的速率从25℃加热到200℃。对每一材料及膜厚度执行三次DSC扫描并进行分析。
渗透气体是来自明尼苏达州明尼阿波利斯市拓领公司的工业级别。气体渗透装置由以下各项组成：位于温度控制室内部的样本固持器、一系列阀、上游压载箱、用于上游气体的压力传感器(300psi黑斯PM数字指示器)及下游固态压力计(10托MKS巴拉特型627B)。所述装置由不锈钢构造。通过焊接或利用凸缘进行连接以防止泄漏。
根据标准测压程序(D1434-82，用于确定塑料膜及薄片的气体渗透特性的标准测试方法，ASTM，宾夕法尼亚州西康舍霍肯，1998年。还参见JIS K7126。)而测量渗透，如下文所描述。将具有4.6cm直径及13.7cm2有效面积(A)的圆形样品放置于气体渗透装置中。将装置抽降到大约20毫托并保持一夜以从装置以及从样品移除挥发性成分。第二天，对装置进行泄漏测试。如果泄漏速率为充分低的，那么在装置的上游侧充填有渗透气体。在允许压力及温度保持平衡达几分钟之后，开始测试。随时间推移而记录下游压力上升(Δp1)。(还在实验的持续时间内监视温度及上游压力(Δp)以确保其恒定性。)所有测量均在25℃(77℉)下进行。针对氢气使用三个压力(1atm、2atm及3atm)来获得测量且针对氧气使用两个压力(1atm及2atm)来获得测量。
分析：
气体通过首先溶解且接着扩散而渗透穿过均质材料。可在标准温度及压力(STP)下将渗透物的下游压力上升(Δp1)转化为等效气体体积(V)，
V＝(Δpl/Δpo)(To/T)Vs，
其中T为测量温度，Vs为渗透装置的下游侧的体积，To为标准温度(32℉＝273K)且Δpo为标准压力(＝1atm或76cmHg)。在稳态条件下随时间(t)渗透穿过膜的气体体积(V)取决于渗透系数(P)以及膜厚度(B)、膜面积(A)及所施加上游压力(Δp)
V＝P·A·Δp·t/B。
渗透物穿透膜所需的时间(tb)取决于材料的膜厚度(B)及扩散系数，
tb＝B2/6D。
针对渗透系数及扩散系数而将溶解度系数计算为，
S＝P/D。
结果：
针对两个厚度的膜以及针对树脂测量EBM专有聚合物的热性质。在表3中展示平均值。这些值通常与其规范相符。
*依据对所有厚度的个别测量而计算表中所展示的总体平均值及标准偏差。
使用较缓慢冷却方法(即，室温冷却)以试图使样品更柔顺。氢气在经块冷却样品及经室温冷却样品两者上游动以验证不同冷却方法并不影响数据。实际上，两种冷却方法给出相同渗透结果。
渗透速率与所施加上游压力成比例且与厚度成反比。针对给定气体，来自各种压力及厚度的数据给出P、D及S的唯一值。表4列示用于在英特格处被压缩模制的EBM膜上的氢气及氧气的总体平均值。
*依据对所有厚度的个别测量而计算表中所展示的总体平均值及标准偏差。
表5列示两个聚碳酸酯膜—使用那些相同气体来测量的聚碳酸酯1及低渗透级别膜聚碳酸酯2的总体平均值。尽管EBM展示比标准聚碳酸酯1好的抗渗透性，但低渗透PC比EBM稍微好。氧气穿过EBM的渗透速率比聚碳酸酯1低2倍。
*依据对所有厚度的个别测量而计算表中所展示的总体平均值及标准偏差。**样品是利用冰淬火方法来冷却。样品被允许在压机中冷却一夜。
下文所展示的表6到8基于方法内的厚度及所使用的气体而概述DSC数据以及EMB膜的质量传递系数。
*依据对所有厚度的个别测量而计算表中所展示的总体平均值及标准偏差。
*样品是利用铝块来冷却。
样品在金属板之间于室温下冷却。
**依据对所有厚度的个别测量而计算表中所展示的总体平均值及标准偏差。
*样品在金属板之间于室温下冷却。
样品在压力下冷却一夜。
**依据对所有厚度的个别测量而计算表中所展示的总体平均值及标准偏差。
使用两种不同气体针对英特格高性能专有聚合物EBM而测量渗透系数、扩散系数及溶解度系数。由EBM模制的样品比聚碳酸酯2柔韧，但在样本固持器中的o形环的界面处展示出一些细微裂缝。发现结果独立于所施加上游压力及厚度。EBM展示出比聚碳酸酯1好的抗渗透性，低渗透聚碳酸酯2比EBM稍微好。氧气穿过EBM的渗透速率比聚碳酸酯1低2倍。氢气比氧气渗透得快，这主要是因为氢气的较小分子大小。
结果及结论
考虑以上测试及所测量渗透系数、扩散系数及溶解度系数，经射出模制镁合金远比热塑性材料更不易渗透。此经射出模制镁合金的渗透速率比聚碳酸酯小两个数量级。
在不受本发明的特定理论或设计或者在解释权利要求书时提供的范围限制的情况下，据信通过本发明的方法而形成的衬底载体(举例来说，FOUP)提供优于常规聚合物载体的经改进性能质量且满足半导体制造领域的用户所期望的要求。
举例来说，据信根据本发明而制作及涂覆的经镁触变模制FOUP与基于聚合物的FOUP相比在以下性能标准中的任一者、全部或组合方面做出适应或改进：适应180℃到240℃的热晶片插入温度；提供可重复且较不可变晶片平面(标称±0.5mm(以10mm间距))；提供平衡晶片平面(从左到右±0.15mm)；满足或超过100lpm(升/分钟)每端口最大值的冲洗性能条件(门打开小于5％RH(标准EFEM(设备前端模块—装载端口)条件)，门打开小于100ppM(百万分率)O2，门关闭小于5％RH、小于60秒)(使用冲洗气体N2，XCDA)；适应在70lpm冲洗下以0.1微米的99.999％的粒子效率、以最低6小时的小于100ppm的低氧气环境、以最低2小时的小于50ppm的低氧气环境以及以6小时的小于5％的低湿气环境；适应在被运送(使用阿迪克森(Adixen)APA)时的小于或等于200ppb的低VOC散发环境；与常规FOUP清洁中的基于聚合物的FOUP相比的经改进干燥时间(小于六分钟)；提供与基于聚合物的FOUP相比的经改进晶片级保持及振动(经减少粒子产生及截留)；在垂直振动测试之后具有2N的晶片保持以用于粒子产生；在小于1.6度旋转的OHT(高架运输)提升期间提供经改进晶片保护；提供非标准晶片厚度及直径，包含薄晶片、3D晶片、301mm及302mm晶片；提供经改进R1、1.00mm之内的晶片中心以及狭槽之间的经降低差异(标称+)；保护免受光诱发的缺陷；具有SEMI标准尺寸能力(末端执行器与储料器界面、后壁间隙、OHT凸缘干涉、传感器位置错失)；具有ESD(静电放电)保护能力(到接地的静电耗散106/109路径小于0.1秒；与高通(Qualcomm)规范一致)；以及与基于聚合物的FOUP相比提供针对可密封性的壳体刚性以及尺寸控制及扩散的改进以对抗可变EFEM条件。
与聚合物硅晶片载体或光罩载体相比，通过本文中的镁射出模制方法而形成的所得净形或近净形镁衬底容器或衬底容器的镁组件展现较低重量及较高强度(较小挠曲)，同时提供极薄壁、较低孔隙度/渗透性、较低吸收及解吸；高延展性、良好阻尼特性、高公差、经改进表面精加工、低可燃性；及就可循环性来说的较低不利环境影响。此类衬底容器的进一步特征在于具有固有EMI(电磁干扰)屏蔽、不具有填充物或添加剂及高公差。
举例来说，衬底容器的所形成材料的低孔隙度/渗透性的特性在由载体展现的对湿气及氧气的经改进渗透控制中反映。关于镁合金形式物品，湿气及氧气的渗透被控制及保持为极低的，以便限制来自受控制经密封晶片、光罩或其它敏感衬底环境内的排气的交叉污染。相比来说，基于聚合物的载体可吸收湿气。由载体展现的对湿气及氧气的渗透控制具有减少对影响FOUP中的集成电路合格率的有害痕量气体的常规监视及检测的需要的益处。此监视及检测通常使用量子级联激光(“QCL”)技术来执行，这增加了工艺成本。
衬底容器的所形成材料的较轻重量及经改进强度的特性提供其它优点。经改进衬底容器材料的相当高强度重量比允许较可靠货运安全性。此类改进进一步可启用较高速AMHS(自动材料处置系统)技术，从而改进效率且增加工厂人员及被运输的载体(即，光罩、晶片等)内的有效载荷两者的安全性。举例来说，SEMI国际标准要求特定衬底容器(例如300mm载体)的门具有最小刚性。根据SEMI国际标准而具有充分刚性的衬底容器聚合物门可具有倾向于将衬底容器的重心(“CoG”)朝向门驱动的重量。此可使AMHS设备较难以以所需的高速来处置载体。本发明的材料及方法允许形成门，所述门根据SEMI国际标准而具有充分刚性且为较轻的以便改进载体CoG。
其它优点包含与用于模制常规热塑性载体中的原始材料相比，对用于所揭示镁触变射出模制的衬底容器中的合金的较低费用。而且，通过所揭示方法及组合物而制作的衬底容器及载体可被反复地再使用，即，被再循环以形成其它产品而不显著失去导电性质，因此具有较低长期成本。
本发明的实施例提供具有大体上均匀表面电阻率的物品。在一些实施例中，物品的表面上的任何点的大体均匀表面电阻率在100倍以内且在一些实施例中，来自物品上的任何其它测试点的大体均匀表面电阻率在10倍以内。此在例如芯片托盘、光罩及晶片载体、晶片运送器等等的物品中的复合物的静电放电应用中为有利的。
一般来说，适合挤出机为商业上可购得的。挤出机可为单螺杆挤出机或多螺杆挤出机，例如双螺杆挤出机。在下文所列示的所并入专利及专利公开案中找到关于适合挤出机及使用方法的进一步细节。所属领域的技术人员将认识到，对特定挤出机及模制装置的选择可由特定物品的既定应用指导。
可在下文所列示的所并入专利及专利公开案中找到处理、组合物组成、浓度及物理特性的进一步揭示内容。以下美国专利号及美国公开案号中的包含方法、材料、设备及物品的揭示内容并入到本发明中且可用于本发明中及/或与本发明的方法、材料、设备及物品组合而使用并且出于所有目的以其全文引用的方式并入本文中。
20150014882 8613359 7588071 7237594 6857524 6428729
20140287176 8556987 7578404 7157158 6848578 6354601
20140284019 8276759 7575040 7139066 6843496 6267245
20140264999 8267149 7560001 7059476 6825916 6206196
20140193662 8231005 7500987 7059475 6818078 6082540
20140183076 8146623 7469738 7040487 6771490 6079565
20130025814 8057530 7450219 7017645 6736268 6010008
20090321037 7886910 7400383 7008490 6619370 5979535
20060254747 7607543 7293599 6887586 6550619 5788082
8833432 7604876 7255151 6875293 6446558 5711427
以上实施例打算进行说明而非限制。额外实施例在权利要求书内。虽然已参考特定实施例对本发明进行描述，但所属领域技术人员将认识到，可在不背离本发明的精神及范围的情况下在形式及细节上作出改变。
另外，本发明的实施例包含：
●一种形成具有经配置以用于运输多个半导体晶片的结构元件的晶片容器的方法，晶片载体具有容器壳体部分、前开口以及可密封地插入且可从所述晶片载体移除的门，所述方法包括以下步骤：准备一定量的镁合金材料；将所述量的镁合金材料引入于挤出机内；加热所述量的镁合金并将剪切施加到所述量的镁合金以形成浆料；将所述浆料射出到模具中，从而形成容器壳体部分及门部分的组件中的至少一者；及将所述门及所述容器壳体部分组装到所述晶片容器中。
●以上方法进一步包括针对抗腐蚀性而涂覆所述组件中的至少一者。以上方法，其中涂层是转化涂层。
●以上方法中的任一者进一步包括配置所述晶片容器以固持300mm晶片及450mm晶片中的一者。
●以上方法中的任一者进一步包括将所述晶片容器的重心定位成大体与将被容纳于所述晶片容器中的晶片的轴对准。
●以上方法中的任一者，其中所述晶片载体具有中心定位的重心。
●以上方法中的任一者进一步包括将经镁触变模制材料维持处于98重量％或更大的浓度。
本发明的其它实施例可包含以下编号段落中所描述的实施例：
1.一种由经射出模制组件形成的衬底容器，组件包括容器部分及门部分，所述容器部分具有在最厚壁部分与最薄壁部分之间变化至少40％的壁厚度。
2.一种包括容器部分的衬底容器，所述容器部分具有前开口及可密封地插入且可从所述容器部分移除的门，其中容器壳体部分包括经模制聚合物材料且所述门包括经镁触变模制材料。
3.一种以1.0x 10-7托的真空来维持衬底外壳环境的方法，所述方法包括：提供容器，所述容器具有包括镁的壳体部分及包括镁的门部分，其中密封件位于所述壳体部分与所述门部分之间的界面处；及将内部气氛减小到1.0x 10-7托的真空。
4.一种在封闭之后以小于5％的相对湿度来维持衬底外壳环境达6到12个小时的方法，其包括：提供容器，所述容器具有包括镁的壳体部分及由经触变模制镁形成的门部分，其中密封件位于所述壳体部分与所述门部分之间的界面处。
5.一种以小于100ppm的低氧气(O2)水平来维持衬底外壳环境达6到12个小时的方法，其包括：提供容器，所述容器具有包括经触变模制镁的壳体部分及包括经触变模制镁的门部分，其中密封件位于所述壳体部分与所述门部分之间的界面处。
6.根据编号段落3到5中的任一者的方法，其进一步包括提供多个经射出模制聚合物衬底组件且将容器容纳组件与所述多个经射出模制聚合物组件组装到衬底容器中。
本文所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的而非打算为限制性的。如本文中所使用，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一(a、an)”及“所述(the)”打算也包含复数形式。对术语“第一”、“第二”等等的使用并不暗指任何特定次序而是被包含以识别个别元件。将进一步理解，术语“包括(comprises)”及/或“包括(comprising)”或“包含(includes)”及/或“包含(including)”在被用于本说明书中时，指定所陈述特征、区域、整数、步骤、操作、元件及/或组件的存在，但不排除一或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件及/或其群组的存在或添加。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包含技术及科学术语)具有与实施例属于的所属领域的技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，应将术语(例如通常使用的词典中所定义的那些术语)解释为具有与其在相关技术及本发明的上下文中的含义一致的含义，且将不以理想化或过分形式化的意义来解释，除非本文中明确定义如此。
对本文中所含有的“实施例”、“本发明的实施例”及“所揭示实施例”的提及是指此专利申请案的未在现有技术中被承认的说明书(文本，包含权利要求书及图)。
本说明书(包含以引用的方式并入的参考，包含任何所附权利要求书、摘要及图式)中所揭示的所有特征及/或如此揭示的任何方法或工艺的所有步骤可以任何组合形式进行组合，只有其中此类特征及/或步骤中的至少一些相互排斥的组合除外。
除非另有明确陈述，否则本说明书(包含以引用的方式并入的参考、任何所附权利要求书、摘要及图式)中所揭示的每一特征可由用于相同、等效或类似目的的替代特征替换。因此，除非另有明确陈述，否则每一所揭示特征仅是一系列类属等效或类似特征的一个实例。
本发明并不限于前述实施例的细节。本发明扩展到本说明书(包含任何以引用的方式并入的参考、任何所附权利要求书、摘要及图式)中所揭示的特征中的任何新颖特征或任何新颖组合，或者扩展到如此揭示的任何方法或工艺的步骤中的任何新颖步骤或任何新颖组合。此申请案的所有章节中的以上参考出于所有目的以其全文引用的方式并入本文中。
虽然本文中已图解说明且描述了特定实例，但所属领域的技术人员将了解，旨在实现相同目的的任何布置可替代所展示的特定实例。此申请案打算涵盖本发明标的物的更改或变化。因此，打算本发明将由所附权利要求书及其合法等效物以及以下说明性方面来界定。本发明的上文所描述方面实施例仅描述本发明的原理且不应被认为具限制性。所属领域的技术人员将想到本文中所揭示的本发明的其它修改且所有此类修改被视为在本发明的范围内。
出于解释本发明的实施例的权利要求书的目的，明确打算将不援引35U.S.C.112(f)的规定，除非在相应权利要求中陈述了特定术语“用于…的构件(means for)”或“用于…的步骤(step for)”。

Claims (23)

1.一种衬底容器，其包括：容器部分，所述容器部分具有前开口及针对所述前开口而定大小的门；所述容器部分包括金属壳体及用于固持300mm晶片及450mm晶片中的一者的一对晶片支撑件。
2.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述金属壳体由镁构成且具有涂层。
3.根据权利要求2所述的衬底容器，其中所述门由镁构成且具有涂层。
4.根据权利要求1、2或3所述的衬底容器，其中所述晶片支撑件包括聚合物材料。
5.根据权利要求1、2或3所述的衬底容器，其中所述容器部分进一步包括聚合物机器人凸缘。
6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底容器，其中所述金属壳体由经触变模制镁形成。
7.根据权利要求6所述的衬底容器，其中所述门由经触变模制镁形成。
8.根据权利要求1所述的衬底容器，其中所述金属壳体包括多个拐角部分及多个壁部分，且其中所述壁部分具有从所述多个拐角部分位移的部分且所述位移的部分具有是所述拐角部分中的一者处的壁厚度的60％或更小的壁厚度。
9.根据权利要求8所述的衬底容器，其中至少一个壁部分具有经薄化部分，所述经薄化部分比所述拐角部分中的至少一者处的区域的厚度小至少30％。
10.一种衬底容器，其包括所述衬底容器的由经镁触变模制材料形成的容纳部分，所述容纳部分具有在所述经镁触变模制材料的表面上的涂层，所述容纳部分进一步具有衬底支撑件。
11.根据权利要求10所述的衬底容器，其中所述衬底支撑件经配置及定位以用于固持300mm晶片及450mm晶片中的一者。
12.根据权利要求10所述的衬底容器，其中所述衬底支撑件经配置以用于固持光罩。
13.根据权利要求10所述的衬底容器，所述衬底容器被配置为选自由以下各项组成的群组的物品：晶片载体、光罩盒、磁盘运送器及半成品盒。
14.根据权利要求10所述的衬底容器，其中所述衬底容器被配置为具有适合于运输多个半导体晶片的结构元件的晶片载体。
15.根据权利要求10所述的衬底容器，晶片载体大体上由所述经镁触变模制材料形成。
16.根据权利要求12所述的衬底容器，所述光罩支撑件大体上由所述经镁触变模制材料形成。
17.根据权利要求10到16中任一权利要求所述的衬底容器，所述衬底容器的至少一部分由经射出模制聚合物组合物形成。
18.根据权利要求10到16中任一权利要求所述的衬底载体，所述衬底容器包括接合到所述经镁触变模制材料的经涂覆表面的组件。
19.根据权利要求10到16中任一权利要求所述的衬底容器，其中所述涂层为转化涂层。
20.根据权利要求10所述的衬底容器，涂层厚度为10-4英寸到10-5英寸。
21.根据权利要求19所述的衬底容器，其中所述转化涂层选自由以下各项组成的群组：阿洛丁5200(非铬酸盐)、阿洛丁5900(三价铬酸盐)、梅塔拉斯特TCP-HF；NH35(六价铬酸盐)、塔格尼特、阿诺玛格及克络耐。
22.根据权利要求19所述的衬底容器，其中通过电泳涂覆或粉末涂覆而施加所述转化涂层。
23.根据权利要求1到3及14中任一权利要求所述的衬底容器，其中所述晶片载体具有大体上定位于晶片堆叠的垂直轴处的重心。
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