TWI685966B - 陣列基板、其製造方法以及有機發光顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本公開公開了陣列基板、其製造方法以及有機發光顯示裝置。該陣列基板，包括：並聯連接的第一儲存電容和第二儲存電容，其中所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層。對於本公開實施例的陣列基板，儲存電容值較大，顯示驅動穩定性較好。

Description

陣列基板、其製造方法以及有機發光顯示裝置

本公開涉及陣列基板、其製造方法以及有機發光顯示裝置。

有機電致發光（OLED）顯示技術因其自發光、廣視角、對比度高、較低耗電、極高反應速度、重量超輕薄、柔軟顯示、螢幕可捲曲、溫度適應性強、製造工藝簡單等優點，已成為了光電顯示技術領域的研究熱點。根據驅動方式不同，即根據畫素電路中是否採用薄膜電晶體（TFT）技術，可以把OLED器件分為AMOLED（Active Matrix OLED，主動式矩陣OLED）和PMOLED（Passive Matrix OLED，被動式矩陣OLED），目前市場上OLED 產品主要以AMOLED 為主。AMOLED具有TFT陣列，畫素獨立發光。AMOLED可以獨立地控制每個畫素點的發光情況，從而畫素點可以連續且獨立發光，最終形成所需圖像。AMOLED可以實現高亮度、高解析度、高效率和低功耗，並且易於實現大面積顯示。

然而，目前的用於主動式矩陣有機發光顯示裝置的陣列基板以及有機發光顯示裝置仍有待改進。

在本公開的第一方面，本公開提供了一種陣列基板，包括：第一儲存電容，所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層；第二儲存電容，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層，其中，所述第一儲存電容和所述第二儲存電容並聯。

例如，本公開提供的陣列基板還包括襯底，所述第一閘極層設置在所述襯底的一側，所述第二閘極層設置在所述第一閘極層遠離所述襯底的一側，所述第一源汲極層設置在所述第二閘極層遠離所述第一閘極層的一側，所述第二源汲極層設置在所述第一源汲極層遠離所述第二閘極層的一側。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述第一閘極層和所述第二源汲極層電連接，所述第二閘極層和所述第一源汲極層電連接。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述第二閘極層在所述第一閘極層上的正投影覆蓋所述第一閘極層的部分表面，所述第一源汲極層在所述第二源汲極層上的正投影覆蓋所述第二源汲極層的部分表面，所述第一閘極層和所述第二源汲極層通過第一過孔電連接，所述第二閘極層和所述第一源汲極層通過第二過孔電連接。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述第一閘極層和所述第二源汲極層之間依次設置有第二閘極絕緣層、第一層間絕緣層以及第二層間絕緣層，其中，所述第二閘極絕緣層靠近所述第一閘極層設置，所述第一閘極層以及所述第二源汲極層之間具有第一正對面積，所述第一過孔位於所述第一正對面積對應處，且貫穿所述第二閘極絕緣層、所述第一層間絕緣層以及所述第二層間絕緣層，所述第一過孔中設置有電連接所述第一閘極層和所述第二源汲極層的第一導線；所述第二閘極層和所述第一源汲極層之間設置有所述第一層間絕緣層，所述第二閘極層和所述第一源汲極層之間具有第二正對面積，所述第二過孔位於所述第二正對面積對應處，且貫穿所述第一層間絕緣層，所述第二過孔中設置有電連接所述第二閘極層和所述第一源汲極層的第二導線。

例如，本公開提供的陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層設置在所述第一源汲極層遠離所述第二閘極層一側的表面上，所述第二源汲極層設置在所述鈍化層遠離所述第一源汲極層一側的表面上。

例如，本公開提供的陣列基板還包括：鈍化層，所述鈍化層設置在所述第一源汲極層遠離所述第二閘極層一側的表面上；第一平坦化層，所述第一平坦化層設置在所述鈍化層遠離所述第一源汲極層一側的表面上，其中所述第二源汲極層設置在所述第一平坦化層遠離所述鈍化層一側的表面上。

例如，本公開提供的陣列基板還包括：閘極絕緣層，所述閘極絕緣層形成在所述第一閘極層以及所述第二閘極層之間。

例如，本公開提供的陣列基板還包括：公共電壓線，所述公共電壓線分別和所述第一源汲極層以及所述第二源汲極層相連。

例如，本公開提供的陣列基板還包括：緩衝層，所述緩衝層設置在所述襯底的一側；主動層，所述主動層設置在所述緩衝層遠離所述襯底的一側；第一閘極絕緣層，所述第一閘極絕緣層設置在所述主動層遠離所述緩衝層的一側；所述第一閘極層設置在所述第一閘極絕緣層遠離所述主動層的一側；第二閘極絕緣層，所述第二閘極絕緣層設置在所述第一閘極層遠離所述第一閘極絕緣層的一側；所述第二閘極層設置在所述第二閘極絕緣層遠離所述第一閘極層的一側；第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層設置在所述第二閘極層遠離所述第二閘極絕緣層的一側；所述第一源汲極層設置在所述第一層間絕緣層遠離所述第二閘極層的一側；鈍化層，所述鈍化層設置在所述第一源汲極層遠離所述第一層間絕緣層的一側；所述第二源汲極層設置在所述鈍化層遠離所述第一源汲極層的一側；第二平坦化層，所述第二平坦化層設置在所述第二源汲極遠離所述鈍化層的一側；畫素界定層，所述畫素界定層設置在所述第二平坦化層遠離所述第二源汲極的一側，所述畫素界定層在所述第二平坦化層遠離所述第二源汲極層一側的表面上限定出多個畫素區域；多個畫素電極，所述多個畫素電極分別設置在所述多個畫素區域中。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述主動層是由低溫多晶矽形成的。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述第一閘極層和所述第一源汲極層電連接，所述第二閘極層和所述第二源汲極層電連接。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述第二閘極層在所述第一閘極層上的正投影覆蓋所述第一閘極層的部分表面，所述第一源汲極層在所述第二源汲極層上的正投影覆蓋所述第二源汲極層的部分表面，所述第一閘極層和所述第一源汲極層通過第一過孔電連接，所述第二閘極層和所述第二源汲極層通過第二過孔電連接。

例如，在本公開提供的陣列基板中，所述第一閘極層以及所述第一源汲極層之間具有第一正對面積，所述第一過孔位於所述第一正對面積對應處，所述第一過孔中設置有電連接所述第一閘極層和所述第一源汲極層的導線；所述第二閘極層和所述第二源汲極層之間具有第二正對面積，所述第二過孔位於所述第二正對面積對應處，且所述第二過孔中設置有電連接所述第二閘極層和所述第二源汲極層的導線。

第二方面，本公開還提供一種有機發光顯示裝置，包括根據第一方面的陣列基板。

協力廠商面，本公開還提供一種如第二方面任意所述的陣列基板的製造方法，包括：製備並聯連接的所述第一儲存電容和所述第二儲存電容，其中所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層。

例如，在本公開提供的陣列基板的製造方法中，所述製備並聯連接的所述第一儲存電容和所述第二儲存電容包括：將所述第一閘極層和所述第二源汲極層通過第一過孔電連接；以及將所述第二閘極層和所述第一源汲極層通過第二過孔電連接。

為使本公開實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於所描述的本公開的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本公開保護的範圍。

除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語並不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞後面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語並非限定於物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用於表示相對位置關係，當被描述物件的絕對位置改變後，則該相對位置關係也可能相應地改變。

本公開是基於發明人對於以下事實和問題的發現和認識作出的：發明人發現，目前的主動式矩陣有機發光顯示裝置（AMOLED）存在驅動電壓不穩定等問題，進而造成AMOLED的顯示穩定性較差，容易產生顯示不良。AMOLED的陣列基板，例如背板，使用薄膜電晶體（TFT）構成驅動電晶體，提供驅動電流給OLED的發光層，進而發光，因此，驅動電壓的穩定性對於顯示亮度的均勻性和一致性至關重要。但是，由於TFT中存在漏電流、補償電路的各種寄生電容和干擾信號等，導致驅動電壓不穩定，進而產生顯示不良。為了提高背板驅動電壓的穩定性，目前通常在背板中設置儲存電容，然而，目前用於有機發光顯示裝置中的儲存電容值較小，還不能滿足顯示穩定性的需要。因此，如果能提出一種新的用於有機發光顯示裝置的背板，能夠具有較大的儲存電容值，將能在很大程度上解決上述問題。

在本公開的一個方面，本公開提出了一種提供了一種陣列基板，包括：第一儲存電容，所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層；第二儲存電容，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層，其中，所述第一儲存電容和所述第二儲存電容並聯，該陣列基板可用于有機發光顯示裝置的背板。根據本公開的實施例，該用於有機發光裝置的背板包括第一儲存電容以及第二儲存電容，第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層；第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層，第一儲存電容和第二儲存電容並聯。由此，該背板同時具有第一儲存電容和第二儲存電容，並且，第一儲存電容和第二儲存電容並聯，可以提高該背板的儲存電容值，該背板的儲存電容值較大，顯示驅動的穩定性較好，顯示性能較佳。

根據本公開的具體實施例，參考圖1，該用於有機發光顯示裝置的陣列基板，例如背板1000包括：襯底100、第一閘極層200、第二閘極層300、第一源汲極層400以及第二源汲極層500，第一閘極層200設置在襯底100的一側；第二閘極層300設置在第一閘極層200遠離襯底100的一側，第二閘極層300和第一閘極層200之間形成有第一儲存電容；第一源汲極層400設置在第二閘極層300遠離第一閘極層200的一側；第二源汲極層500設置在第一源汲極層400遠離第二閘極層300的一側，第二源汲極層500和第一源汲極層400之間形成有第二儲存電容，並且，第一儲存電容和第二儲存電容並聯。由此，該背板1000具有設置在第一閘極層200和第二閘極層300之間的第一儲存電容，還具有設置在第一源汲極層400和第二源汲極層500之間的第二儲存電容，第一儲存電容和第二儲存電容並聯，可以進一步提高該背板的儲存電容值，該背板1000的儲存電容值較大，顯示驅動的穩定性較好，顯示性能較佳。

為了便於理解，下面對根據本公開實施例的用於有機發光顯示裝置的背板能夠實現上述有益效果的原理進行詳細說明：

如前所述，目前的主動式矩陣有機發光顯示裝置（AMOLED）存在驅動電壓不穩定等問題，進而造成AMOLED的顯示穩定性較差，容易產生顯示不良。為了提高背板驅動電壓的穩定性，目前通常在背板中設置儲存電容，然而，目前用於有機發光顯示裝置的背板中的儲存電容值較小，還不能滿足顯示穩定性的需要。而根據本公開實施例的用於有機發光顯示裝置的背板，通過設置第一閘極層和第二閘極層之間的第一儲存電容，並且在背板結構中增設第二源汲極層，進而在第一源汲極層和第二源汲極層之間形成第二儲存電容，並且，將第一儲存電容和第二儲存電容並聯，由此，在該背板中同時具有第一儲存電容以及第二儲存電容，第一儲存電容和第二儲存電容並聯後蓋背板的儲存電容值進一步提高，該背板的儲存電容值較大，驅動電壓較為穩定，使用該背板的有機發光顯示裝置的顯示性能良好。

根據本公開的實施例，第二儲存電容和第一儲存電容並聯後，該背板中總的儲存電容值可以等於第一儲存電容和第二儲存電容之和，由此，可以進一步提高該背板的儲存電容值，進一步提高顯示驅動的穩定性，提高使用該背板的有機發光顯示裝置的使用性能。

根據本公開的實施例，第二儲存電容和第一儲存電容並聯的連接方式不受特別限制，例如，形成第一儲存電容的第一閘極層，可以與形成第二儲存電容的第二源汲極層電連接，第二閘極層可以和第一源汲極層電連接；或者第一閘極層可以和第一源汲極層電連接，第二閘極層可以和第二源汲極層電連接，進而可以簡便地實現第一儲存電容和第二儲存電容的並聯。

例如，第一儲存電容和第二儲存電容並聯時，第一閘極層可以和第二源汲極層可以通過第一過孔電連接，第二閘極層可以和第一源汲極層可以通過第二過孔電連接。示例性地，參考圖1，第二閘極層300在第一閘極層200上的正投影覆蓋第一閘極層200的部分表面，第一源汲極層400在第二源汲極層500上的正投影覆蓋第二源汲極層500的部分表面。該用於有機發光顯示裝置的背板1000可以進一步包括：設置在第一閘極層200和第二源汲極層500之間的第二閘極絕緣層52、第一層間絕緣層60以及第二層間絕緣層600，其中，第二閘極絕緣層52靠近第一閘極層200設置。例如，第一閘極層200以及第二源汲極層500之間具有第一正對面積，第一過孔11位於該第一正對面積對應處，且貫穿第二閘極絕緣層52、第一層間絕緣層60以及第二層間絕緣層600，第一過孔11中設置有電連接第一閘極層200和第二源汲極層500的第一導線（圖中未示出）；第二閘極層300以及第一源汲極層400之間具有第二正對面積，第二過孔22位於該第二正對面積對應處，且貫穿第一層間絕緣層60，第二過孔22中設置有電連接第二閘極層300和第一源汲極層400的第二導線（圖中未示出）。由此，可以簡便地實現第一儲存電容和第二儲存電容的並聯，可以進一步提高該背板的儲存電容值，進一步提高顯示驅動的穩定性。

根據本公開的實施例，通過增設第二源汲極層形成第一源汲極層和第二源汲極層之間的第二儲存電容時，需要在第一源汲極層和第二源汲極層之間形成電隔離材料，以便形成儲存電容，例如，參考圖1中所示出的第二層間絕緣層600，即為第一源汲極層400和第二源汲極層500之間形成電隔離材料。根據本公開的一些實施例，參考圖2，該第二層間絕緣層600可以進一步包括：鈍化層10以及第一平坦化層20，鈍化層10設置在第一源汲極層400遠離第二閘極層300一側的表面上，第一平坦化層20設置在鈍化層10遠離第一源汲極層400一側的表面上，第二源汲極層500設置在第一平坦化層20遠離鈍化層10一側的表面上。由此，該鈍化層10以及第一平坦化層20可以電隔離第一源汲極層400和第二源汲極層500，形成第二儲存電容，可以進一步提高該背板的儲存電容值，提高顯示驅動的穩定性。

根據本公開的另一些實施例，參考圖3，第二層間絕緣層600可以僅僅由鈍化層10形成的。即，在第一源汲極層400和第二源汲極層500之間僅僅設置有鈍化層10，無需設置第一平坦化層20，該鈍化層10可以電隔離第一源汲極層400和第二源汲極層500，使得第一源汲極層400和第二源汲極層500之間形成第二儲存電容，並且，該鈍化層10厚度較小，可以進一步提高第二儲存電容值，進而可以進一步提高該背板1000的儲存電容值，提高顯示驅動的穩定性。並且，第一源汲極層400和第二源汲極層500之間未設置第一平坦化層導致的表面不平整，可以在後續步驟中，例如在第二源汲極層500的表面形成第二平坦化層70時，使之平整，從而不會影響整個器件的平整性。

例如，該用於有機發光顯示裝置的背板1000可以進一步包括公共電壓線510，公共電壓線510可以是由第一源汲極層400形成的，也可以是第二源汲極層500形成的，公共電壓線也可以分別和第一源汲極層400以及第二源汲極層500相連。由此，公共電壓線510分別和第一源汲極層400以及第二源汲極層500相連後，可以進一步降低公共電壓線510的線電阻，進一步提高了該背板的使用性能。

根據本公開的具體實施例，參考圖3，該用於有機發光顯示裝置的背板1000沿著圖中所示出的方向，包括依次設置在襯底100上方的緩衝層30、主動層40、第一閘極絕緣層51、第一閘極層200、第二閘極絕緣層52、第二閘極層300、層間絕緣層60、第一源汲極層400、鈍化層10、第二源汲極層500、第二平坦化層70以及畫素界定層80，其中，畫素界定層80在第二平坦化層70遠離第二源汲極層500一側的表面上限定出多個畫素區域81（圖中所示出的僅為一個畫素區域81），多個畫素電極分別設置在多個畫素區域中（圖中所示出的為一個畫素電極90設置在一個畫素區域81中）並且，第二源汲極層500和第一閘極層200通過過孔11電連接，第一源汲極層400和第二閘極層300通過第二過孔22電連接，第一儲存電容和第二儲存電容並聯，由此，該背板1000具有設置在第一閘極層200和第二閘極層300之間的第一儲存電容，還具有設置在第一源汲極層400和第二源汲極層500之間的第二儲存電容，第一儲存電容和第二儲存電容並聯，該背板1000的儲存電容值較大，顯示驅動的穩定性較好，顯示性能較好。例如，主動層40可以是由低溫多晶矽形成的，從而進一步提高了該背板的使用性能。

例如，第一閘極層可以和第一源汲極層電連接，第二閘極層可以和第二源汲極層電連接，進而可以簡便地實現第一儲存電容和第二儲存電容的並聯。所述第二閘極層在所述第一閘極層上的正投影覆蓋所述第一閘極層的部分表面，所述第一源汲極層在所述第二源汲極層上的正投影覆蓋所述第二源汲極層的部分表面，所述第一閘極層和所述第一源汲極層通過第一過孔電連接，所述第二閘極層和所述第二源汲極層通過第二過孔電連接。所述第一閘極層以及所述第一源汲極層之間具有第一正對面積，所述第一過孔位於所述第一正對面積對應處，所述第一過孔中設置有電連接所述第一閘極層和所述第一源汲極層的導線；所述第二閘極層和所述第二源汲極層之間具有第二正對面積，所述第二過孔位於所述第二正對面積對應處，且所述第二過孔中設置有電連接所述第二閘極層和所述第二源汲極層的導線。

為了便於理解，下面對製作根據本公開實施例的陣列基板的方法進行說明：根據本公開的實施例，包括：製備並聯連接的所述第一儲存電容和所述第二儲存電容，其中所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層。

例如所述製備並聯連接的所述第一儲存電容和所述第二儲存電容包括：將所述第一閘極層和所述第二源汲極層通過第一過孔電連接；以及將所述第二閘極層和所述第一源汲極層通過第二過孔電連接。

例如，下面給出根據本公開的陣列基板的製造方法的示例說明，參考圖4以及圖5，該方法可以包括：

S100：在襯底上形成緩衝層

在該步驟中，在襯底上形成緩衝層。例如，參考圖5中的（a），可以在襯底100上形成緩衝層30。襯底100的種類不受特別限制，可以為絕緣襯底，例如玻璃等。例如，可以通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)，在整個襯底100上依次沉積氮化矽（SiN）薄膜和二氧化矽（SiO ₂）薄膜，形成氮化矽和二氧化矽構成的緩衝層30。

S200：形成主動層

在該步驟中，在緩衝層遠離襯底的一側形成主動層。例如，可以利用PECVD或者其它化學或物理氣相沉積方法在緩衝層上形成非晶矽(a-Si)薄膜。通過鐳射退火(ELA)或者固相結晶(SPC)方法，使得a-Si結晶成為多晶矽薄膜。然後採用傳統掩模工藝在多晶矽薄膜上形成光刻膠層的圖案，以光刻膠層為刻蝕阻擋層，通過等離子體刻蝕沒有被光刻膠層保護的多晶矽薄膜，形成多晶矽主動層（參考圖5中的（b），主動層40形成在緩衝層30原地襯底100的一側）。然後，可以利用離子注入工藝對多晶矽主動層40中的電晶體通道進行低濃度離子摻雜，在多晶矽主動層40中形成薄膜電晶體要求的導電通道。

S300：形成第一閘極層

在該步驟中，在主動層遠離緩衝層的一側形成第一閘極層。例如，參考圖5中的（c），在形成第一閘極層之前，首先在主動層40遠離緩衝層30的一側形成第一閘極絕緣層51，可以通過使用PECVD在主動層40遠離緩衝層30的一側沉積SiO ₂薄膜或SiO ₂與SiN的複合薄膜，以便形成第一閘極絕緣層51。然後，在第一閘極絕緣層51遠離主動層40的一側形成第一閘極層200，例如，可以通過磁控濺射等物理氣相沉積方法在第一閘極絕緣層51上沉積一種或者多種低電阻的金屬材料薄膜，利用光刻工藝形成第一閘極層200。例如，該金屬材料薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等單層金屬薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多層金屬薄膜。例如，第一閘極層200可以和掃描線（圖中未示出）相連，並且第一閘極層200可以作為離子注入阻擋層，對多晶矽主動層40進行離子摻雜，在未被閘極阻擋的多晶矽主動層區域形成低阻抗的源電極和汲極電極接觸區。例如，第一閘極層200也可以作為形成第一儲存電容的一個電極板。

S400：形成第二閘極層

在該步驟中，在第一閘極層遠離第一閘極絕緣層的一側形成第二閘極層。例如，參考圖5中的（d），在形成第二閘極層之間，首先在第一閘極層200遠離第一閘極絕緣層51的一側形成第二閘極絕緣層52，例如，第二閘極絕緣層52的形成方式和具體材料可以和第一閘極絕緣層51相同，在此不再贅述。然後，在第二閘極絕緣層52遠離第一閘極層200的一側形成第二閘極層300，例如，可以通過磁控濺射等物理氣相沉積方法在第二閘極絕緣層52上沉積一種或者多種低電阻的金屬材料薄膜，利用光刻工藝形成第二閘極層300。例如，該金屬材料薄膜的具體類型不受特別限制，只要能作為形成電容的電極板即可，例如，該金屬材料薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等單層金屬薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多層金屬薄膜。由此，第二閘極絕緣層52可以電隔離第一閘極層200以及第二閘極層300，使得第一閘極層200以及第二閘極層300之間形成第一儲存電容，提高了該背板的儲存電容值，提高顯示驅動的穩定性。

S500：形成第一源汲極層

在該步驟中，在第二閘極層遠離第二閘極絕緣層的一側形成第一源汲極層。例如，參考圖5中的（e），在形成第一源汲極層之前，首先在第二閘極層300遠離第二閘極絕緣層52的一側形成第一層間絕緣層60，具體的，可以在包含第二閘極層300的整個表面，使用PECVD依次沉積SiO ₂薄膜和SiN薄膜，以便形成第一層間絕緣層60，通過掩模和刻蝕工藝刻蝕第一層間絕緣層60而形成源電極和漏電極接觸孔（圖中未示出）。然後，使用磁控濺射在第一層間絕緣層60及源電極和漏電極接觸孔之上沉積一種或多種低電阻的金屬薄膜，通過掩模和刻蝕工藝形成源電極和漏電極（即第一源汲極層400），源電極和漏電極通過接觸孔與多晶矽主動層40形成歐姆接觸。使用快速熱退火或熱處理爐退火，啟動多晶矽主動層40中摻雜的離子，在第一閘極層200之下的多晶矽主動層40中形成有效的導電通道。該形成第一源汲極層的金屬薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等單層金屬薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多層金屬薄膜。例如，第一源汲極層400也可以作為形成第二儲存電容的一個電極板。

S600：形成第二源汲極層

在該步驟中，在第一源汲極層遠離層間絕緣層的一側形成第二源汲極層。例如，參考圖5中的（f），在形成第二源汲極層之前，首先在第一源汲極層400遠離第一層間絕緣層60的一側形成鈍化層10，具體的，可以使用PECVD在第一源汲極層400的整個表面沉積一層SiN薄膜，通過掩模和刻蝕工藝形成包含過孔（圖中未示出）的鈍化層10，然後使用快速熱退火或熱處理爐退火進行氫化工藝，修復多晶矽主動層40內部和介面的缺陷。根據本公開的實施例，形成鈍化層10之後，可以直接在鈍化層10遠離第一源汲極層400的一側形成第二源汲極層500，也可以先在鈍化層10遠離第一源汲極層400的一側形成第一平坦化層（圖中未示出），例如，可再一次通過掩模工藝，在SiN鈍化層10之上形成具有與前述過孔相同的過孔的第一平坦化層，填充器件表面的低凹形成平坦表面。然後，在該第一平坦化層的表面（如果未形成第一平坦化層，即在鈍化層10的表面）形成第二源汲極層500，例如，可以使用磁控濺射在鈍化層10之上沉積一種或多種低電阻的金屬薄膜，通過掩模和刻蝕工藝形成第二源汲極層500，第二源汲極層500可以作為形成儲存電容的一個電極板，第二源汲極層500和第一源汲極層400具有正對區域，進而可以形成儲存電容。由此，該鈍化層10和/或第一平坦化層可以電隔離第一源汲極層400和第二源汲極層500，形成第二儲存電容，可以進一步提高該背板的儲存電容值，提高顯示驅動的穩定性。

根據本公開的實施例，前面步驟形成的第一儲存電容和第二儲存電容可以並聯，從而能進一步提高該背板的儲存電容值，提高顯示驅動的穩定性。例如，參考圖5中的（f），第一閘極層200以及第二源汲極層500之間具有第一正對面積，在該第一正對面積對應處形成貫穿的第一過孔11，且第一過孔11中設置有電連接第一閘極層200和第二源汲極層500的第一導線（圖中未示出）；第二閘極層300以及第一源汲極層400之間具有第二正對面積，在該第二正對面積304對應處具有貫穿的第二過孔22，且第二過孔22中設置有電連接第二閘極層300和第一源汲極層400的第二導線（圖中未示出）。由此，通過形成第一過孔11以及第二過孔22，可以簡便地實現第一儲存電容和第二儲存電容的並聯，可以進一步提高該背板的儲存電容值，進一步提高顯示驅動的穩定性。

S700：形成畫素電極

在該步驟中，在第二源汲極層遠離鈍化層的一側形成畫素電極。例如，參考圖5中的（g），在形成畫素電極之前，首先在第二源汲極層500遠離鈍化層10的一側形成第二平坦化層70，該第二平坦化層70可以填充器件表面的低凹形成平坦表面。然後，使用磁控濺射在第二平坦化層70上沉積一層透明導電薄膜，通過光刻工藝刻蝕該透明導電薄膜在第二平坦化層70之上形成畫素電極90，然後在第二平坦化層70及畫素電極90上塗覆一層與有機第二平坦化層70類似的光敏有機材料，通過最後一道掩模工藝暴露出畫素電極90的部分區域，形成畫素界定層80，畫素界定層80覆蓋第二平坦化層70及部分的畫素電極90區域。形成畫素電極90的透明導電薄膜可以是單層的氧化物導電薄膜，如ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)等，也可以是ITO(氧化銦錫)/Ag/ITO、IZO(氧化銦鋅)/Ag等複合薄膜。

綜上所述，即可形成根據本公開實施例的陣列基板，例如，用於有機發光顯示裝置的背板。該背板通過設置第一閘極層和第二閘極層之間的第一儲存電容，並且在背板結構中增設第二源汲極層，進而在第一源汲極層和第二源汲極層之間形成第二儲存電容，並且，第一儲存電容和第二儲存電容並聯，由此，在該背板中同時具有並聯的第一儲存電容以及第二儲存電容，該背板的儲存電容值較大，驅動電壓較為穩定，使用該背板的有機發光顯示裝置的顯示性能良好。

為了便於理解，下面對根據本公開實施例的陣列基板的工作原理進行簡單說明：

根據本公開的實施例，參考圖6，圖6中，符號G2~G7標識電晶體T2~T7的閘極，符號Sn標識第n列閘線（信號），符號Sn-1標識第n-1列閘線（信號），符號SLn標識第n列閘線，符號DLm標識第m行資料信號線，符號Dm標識第m行資料信號線（信號），符號PL標識電源線，符號ELn標識第n列發光控制線，符號EMn標識第n列發光控制線信號，符號VL標識初始化控制線，符號OLED標識發光二極體，該背板中，第一儲存電容Cst1和第二儲存電容Cst2並聯，即第一儲存電容Cst1的第一電極板Cst1a和第二儲存電容Cst2的第一電極板Cst2a均和電源電壓ELVDD電連接，第一儲存電容Cst1的第二電極板Cst1b和第二儲存電容Cst2的第二電極板Cst2b均和驅動薄膜電晶體T1的閘極G1電連接。第一儲存電容Cst1和第二儲存電容Cst2並聯之後，該驅動電路中總的儲存電容值較大，因此可以保存的驅動電壓值也較大，驅動電壓比較穩定，顯示性能良好。

根據本公開的實施例，參考圖6以及圖7，圖7中，符號 Reset 標識初始化信號，符號Gate標識閘線信號，符號EM標識發光控制信號，符號Data標識資料信號，在本實施例中，OLED驅動補償電路的時序呈週期性，OLED驅動補償電路的一個週期包括重置/初始化階段、資料寫入階段以及發光階段。具體的，參考圖7，在重置階段（即圖7中示出的1階段），初始薄膜電晶體T4打開，參考電壓VINT可以給驅動薄膜電晶體T1的閘極G1、第一儲存電容Cst1的第二電極板Cst1b和第二儲存電容Cst2的第二電極板Cst2b充電，使驅動薄膜電晶體T1的閘極G1、第一儲存電容Cst1的第二電極板Cst1b和第二儲存電容Cst2的第二電極板Cst2b的電壓和參考電壓相等，使該驅動薄膜電晶體T1、第一儲存電容Cst1和第二儲存電容Cst2初始化。並且，在該重置階段，第一發光薄膜電晶體T5和第二發光薄膜電晶體T6關閉，OLED不發光。在資料寫入階段（即圖7中所示出的2階段），驅動薄膜電晶體T1、開關薄膜電晶體T2、第一補償薄膜電晶體T3以及第二補償薄膜電晶體T7打開，初始薄膜電晶體T4關閉，第一發光薄膜電晶體T5和第二發光薄膜電晶體T6關閉，開關薄膜電晶體T2可將資料信號Dm傳遞至驅動薄膜電晶體T1的源極S1、汲極D1，並且該資料信號Dm依次經過第一補償薄膜電晶體T3的源極S3和汲極D3、第二補償薄膜電晶體T7的源極S7和汲極D7，最後可傳遞至驅動薄膜電晶體T1的閘極G1、第一儲存電容Cst1的第二電極板Cst1b和第二儲存電容Cst2的第二電極板Cst2b，並且給驅動薄膜電晶體T1的閘極G1、第一儲存電容Cst1的第二電極板Cst1b和第二儲存電容Cst2的第二電極板Cst2b充電，即將該驅動電壓的資料信號寫入驅動薄膜電晶體T1的閘極G1、第一儲存電容Cst1和第二儲存電容Cst2中。在發光階段，開關薄膜電晶體T2、第一補償薄膜電晶體T3以及第二補償薄膜電晶體T7關閉，第一發光薄膜電晶體T5和第二發光薄膜電晶體T6打開，第一儲存電容Cst1的第二電極板Cst1b和第二儲存電容Cst2的第二電極板Cst2b可給驅動薄膜電晶體T1的閘極G1施加前面步驟寫入的電壓資料信號，驅動薄膜電晶體T1的源極S1接受電源電壓ELVDD，由此，驅動薄膜電晶體T1的閘極G1和源極S1之間可以形成驅動電流Ioled，該驅動電流Ioled可驅動OLED發光。

綜上可知，在驅動電路中增加第二儲存電容Cst2，並且第一儲存電容Cst1和第二儲存電容Cst2並聯後，該驅動電路中的總的儲存電容值較大，因此可以保存的驅動電壓值也較大，驅動電壓比較穩定，顯示性能良好。

在本公開的另一方面，本公開提出了一種有機發光顯示裝置。例如，參考圖8，該有機發光顯示裝置1100包括前面所述的用於有機發光顯示裝置的陣列基板1000。由此，該有機發光顯示裝置具有前面所述的用於有機發光顯示裝置的陣列基板所具有的全部特徵以及優點，在此不再贅述。總的來說，該有機發光顯示裝置的顯示穩定性較好，顯示性能較好。

還有以下幾點需要說明： (1) 本公開實施例的附圖只涉及到與本公開實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。 (2) 為了清晰起見，在用於描述本公開的實施例的附圖中，層或區域的厚度被放大或縮小，即這些附圖並非按照實際的比例繪製。可以理解，當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位於另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位於另一元件“上”或“下”或者可以存在中間元件。 (3) 在不衝突的情況下，本公開的實施例及實施例中的特徵可以相互組合以得到新的實施例。

以上，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護範圍並不局限於此，本公開的保護範圍應以權利要求的保護範圍為准。

本申請要求於2018年10月22日遞交的中國專利申請第201821715720.6 號的優先權，在此全文引用上述中國專利申請公開的內容以作為本申請的一部分。

100‧‧‧襯底 200‧‧‧第一閘極層 300‧‧‧第二閘極層 400‧‧‧第一源汲極層 500‧‧‧第二源汲極層 600‧‧‧第二層間絕緣層 11‧‧‧第一過孔 22‧‧‧第二過孔 10‧‧‧鈍化層 20‧‧‧第一平坦化層 30‧‧‧緩衝層 40‧‧‧主動層 51‧‧‧第一閘極絕緣層 52‧‧‧第二閘極絕緣層 60‧‧‧第一層間絕緣層 70‧‧‧第二平坦化層 80‧‧‧畫素界定層 81‧‧‧畫素區域 90‧‧‧畫素電極 510‧‧‧公共電壓線 1000‧‧‧背板 1100‧‧‧有機發光顯示裝置 Cst1‧‧‧第一儲存電容 Cst2‧‧‧第二儲存電容 T1‧‧‧驅動薄膜電晶體 T2‧‧‧開關薄膜電晶體 T3‧‧‧第一補償薄膜電晶體 T4‧‧‧初始薄膜電晶體 T5‧‧‧第一發光薄膜電晶體 T6‧‧‧第二發光薄膜電晶體 T7‧‧‧第二補償薄膜電晶體 S100、S200、S300、S400、S500、S600、S700‧‧‧步驟 Cst1a、Cst1b、Cst2a、Cst2b‧‧‧電極板 S1~S7‧‧‧源極 D1~D7‧‧‧汲極 G1~G7‧‧‧閘極 ELVDD、EVLSS‧‧‧電源電壓 VINT‧‧‧參考電壓 Dm‧‧‧資料信號 Ioled‧‧‧驅動電流 Sn、Sn-1、SLn‧‧‧閘線 DLm、Dm‧‧‧資料信號線 PL‧‧‧電源線 ELn‧‧‧發光控制線 EMn‧‧‧發光控制線信號 VL‧‧‧初始化控制線 OLED‧‧‧發光二極體 Reset‧‧‧初始化信號 Gate‧‧‧閘線信號 EM‧‧‧發光控制信號 Data‧‧‧資料信號

為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。 圖1顯示了根據本公開一個實施例的陣列基板的結構示意圖； 圖2顯示了根據本公開另一個實施例的陣列基板的結構示意圖； 圖3顯示了根據本公開又一個實施例的陣列基板的結構示意圖； 圖4顯示了根據本公開一個實施例的製備陣列基板的方法流程圖； 圖5顯示了根據本公開另一個實施例的製備陣列基板的方法流程圖； 圖6顯示了根據本公開一個實施例的陣列基板的驅動電路示意圖； 圖7顯示了根據本公開一個實施例的陣列基板的時序圖；以及 圖8顯示了根據本公開一個實施例的有機發光顯示裝置的結構示意圖。

22‧‧‧第二過孔

30‧‧‧緩衝層

40‧‧‧主動層

51‧‧‧第一閘極絕緣層

52‧‧‧第二閘極絕緣層

60‧‧‧第一層間絕緣層

70‧‧‧第二平坦化層

80‧‧‧畫素界定層

81‧‧‧畫素區域

90‧‧‧畫素電極

100‧‧‧襯底

200‧‧‧第一閘極層

300‧‧‧第二閘極層

400‧‧‧第一源汲極層

500‧‧‧第二源汲極層

510‧‧‧公共電壓線

600‧‧‧第二層間絕緣層

1000‧‧‧背板

Claims (14)

1. 一種陣列基板，包括：第一儲存電容，所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層；第二儲存電容，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層，其中，所述第一儲存電容和所述第二儲存電容並聯；襯底，其中所述第一閘極層設置在所述襯底的一側，所述第二閘極層設置在所述第一閘極層遠離所述襯底的一側，所述第一源汲極層設置在所述第二閘極層遠離所述第一閘極層的一側，所述第二源汲極層設置在所述第一源汲極層遠離所述第二閘極層的一側；緩衝層，所述緩衝層設置在所述襯底的一側；主動層，所述主動層設置在所述緩衝層遠離所述襯底的一側；第一閘極絕緣層，所述第一閘極絕緣層設置在所述主動層遠離所述緩衝層的一側；所述第一閘極層設置在所述第一閘極絕緣層遠離所述主動層的一側；第二閘極絕緣層，所述第二閘極絕緣層設置在所述第一閘極層遠離所述第一閘極絕緣層的一側；所述第二閘極層設置在所述第二閘極絕緣層遠離所述第一閘極層的一側；第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層設置在所述第二閘極層遠離所述第二閘極絕緣層的一側；所述第一源汲極層設置在所述第一層間絕緣層遠離所述第二閘極層的一側； 鈍化層，所述鈍化層設置在所述第一源汲極層遠離所述第一層間絕緣層的一側；所述第二源汲極層設置在所述鈍化層遠離所述第一源汲極層的一側；第二平坦化層，所述第二平坦化層設置在所述第二源汲極遠離所述鈍化層的一側；畫素界定層，所述畫素界定層設置在所述第二平坦化層遠離所述第二源汲極的一側，所述畫素界定層在所述第二平坦化層遠離所述第二源汲極層一側的表面上限定出多個畫素區域；以及多個畫素電極，所述多個畫素電極分別設置在所述多個畫素區域中。
2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述第一閘極層和所述第二源汲極層電連接，所述第二閘極層和所述第一源汲極層電連接。
3. 如申請專利範圍第1-2項中任一項所述的陣列基板，其中所述第二閘極層在所述第一閘極層上的正投影覆蓋所述第一閘極層的部分表面，所述第一源汲極層在所述第二源汲極層上的正投影覆蓋所述第二源汲極層的部分表面，所述第一閘極層和所述第二源汲極層通過第一過孔電連接，所述第二閘極層和所述第一源汲極層通過第二過孔電連接。
4. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中所述第一閘極層和所述第二源汲極層之間依次設置有所述第二閘極絕緣層、所述第一層間絕緣層以及第二層間絕緣層，其中，所述第二閘極絕緣層靠近所述第一閘極層設置，所述第一閘極層以及所述第二源汲極層之間具有第一正對面積，所述第一過孔位於所述第一正對面積對應處，且貫穿所述第二閘極絕緣層、所述第一層間絕緣層以及所述第二層間絕緣層，所述第一過孔中設置 有電連接所述第一閘極層和所述第二源汲極層的第一導線；所述第二閘極層和所述第一源汲極層之間設置有所述第一層間絕緣層，所述第二閘極層和所述第一源汲極層之間具有第二正對面積，所述第二過孔位於所述第二正對面積對應處，且貫穿所述第一層間絕緣層，所述第二過孔中設置有電連接所述第二閘極層和所述第一源汲極層的第二導線。
5. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，還包括：鈍化層，所述鈍化層設置在所述第一源汲極層遠離所述第二閘極層一側的表面上；所述第二源汲極層設置在所述鈍化層遠離所述第一源汲極層一側的表面上。
6. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，還包括：鈍化層，所述鈍化層設置在所述第一源汲極層遠離所述第二閘極層一側的表面上；第一平坦化層，所述第一平坦化層設置在所述鈍化層遠離所述第一源汲極層一側的表面上；所述第二源汲極層設置在所述第一平坦化層遠離所述鈍化層一側的表面上。
7. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，還包括：公共電壓線，所述公共電壓線分別和所述第一源汲極層以及所述第二源汲極層相連。
8. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述主動層是由低溫多晶矽形成的。
9. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中所述第一閘極層和所述第一源汲極層電連接，所述第二閘極層和所述第二源汲極層電連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述的陣列基板，其中所述第二閘極層在所述第一閘極層上的正投影覆蓋所述第一閘極層的部分表面，所述第一源汲極層在所述第二源汲極層上的正投影覆蓋所述第二源汲極層的部分表面，所述第一閘極層和所述第一源汲極層通過第一過孔電連接，所述第二閘極層和所述第二源汲極層通過第二過孔電連接。
11. 如申請專利範圍第10項所述的陣列基板，其中所述第一閘極層以及所述第一源汲極層之間具有第一正對面積，所述第一過孔位於所述第一正對面積對應處，所述第一過孔中設置有電連接所述第一閘極層和所述第一源汲極層的導線；所述第二閘極層和所述第二源汲極層之間具有第二正對面積，所述第二過孔位於所述第二正對面積對應處，且所述第二過孔中設置有電連接所述第二閘極層和所述第二源汲極層的導線。
12. 一種有機發光顯示裝置，包括如申請專利範圍第1-11項中任一項所述的陣列基板。
13. 一種如申請專利範圍第1-11項中任一項所述的陣列基板的製造方法，包括：製備並聯連接的所述第一儲存電容和所述第二儲存電容，其中所述第一儲存電容包括相對設置的第一閘極層以及第二閘極層，所述第二儲存電容包括相對設置的第一源汲極層以及第二源汲極層。
14. 如申請專利範圍第13項所述的陣列基板的製造方法，所述製備 並聯連接的所述第一儲存電容和所述第二儲存電容包括：將所述第一閘極層和所述第二源汲極層通過第一過孔電連接；將所述第二閘極層和所述第一源汲極層通過第二過孔電連接。

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