TWI682851B - 應力緩和性膜、積層體及半導體用表面保護膜、半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種應力緩和性膜，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為50質量%～98質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為2質量%～50質量%。

Description

應力緩和性膜、積層體及半導體用表面保護膜、半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種應力緩和性膜、積層體、半導體用表面保護膜、半導體裝置的製造方法、及樹脂改質劑。
於建材、光學零件等各種樹脂製品、金屬製品、玻璃製品等的表面，以防止輸送時、保管時、加工時等的損傷或附著污垢為目的而貼著表面保護膜。表面保護膜例如亦可應用為半導體基板研磨（grind）時的電路形成面的保護構件（例如參照日本專利第3594581號公報及日本專利特開2010-92945號公報）。
[發明所欲解決之課題] 然而，對於表面保護膜，除了柔軟性、機械特性等對膜所通常要求的性質以外，亦根據保護對象、保護目的、使用環境等而要求各種特性。 例如，對於用以保護對象物免受外力所造成的損傷或破損的膜，作為其特性要求應力緩和性。
一般情況下，為了形成具有應力緩和性的膜，使用硬的樹脂作為材料。 然而，僅僅藉由硬的樹脂而形成的膜雖然具有應力緩和性，但具有衝擊強度變低的傾向，耐衝擊性差。 本發明者等人在進行膜的材料的研究的過程中，發現於骨架含有較多的4-甲基-1-戊烯的特定的熱塑性樹脂有助於提高膜的應力緩和性。 然而，本發明者等人亦發現：藉由於骨架含有較多的4-甲基-1-戊烯的特定的熱塑性樹脂，可提高膜的應力緩和性，另一方面，存在提高膜的脫模性的傾向。因此，於與其他層積層的情況下，容易產生層間剝離。
因此，本發明的第1形態的課題在於提供兼具優異的應力緩和性與耐衝擊性的應力緩和性膜、以及使用該應力緩和性膜的積層體、半導體用表面保護膜、及半導體製造裝置的製造方法。 本發明的第2形態的課題在於提供具有某種程度高的應力緩和性，且於與其他層積層的情況下難以產生層間剝離的應力緩和性膜、以及使用該應力緩和性膜的積層體、半導體用表面保護膜、及半導體製造裝置的製造方法。 而且，本發明的第2形態的課題在於提供對樹脂賦予某種程度高的應力緩和性、及與其他層積層的情況下難以層間剝離的接著性的樹脂改質劑。 [解決課題之手段]
用以解決上述課題的具體手段如下所示。
＜1＞ 一種應力緩和性膜，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為50質量%～98質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為2質量%～50質量%。
＜2＞ 如＜1＞所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂A是包含75 mol%～88 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元的共聚物。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂B是選自由乙烯系聚合物及丙烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物。 ＜4＞ 如＜1＞～＜3＞中任一項所述之應力緩和性膜，其具有海島結構，所述海島結構包含：含有所述熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由所述熱塑性樹脂B而形成的島部。 ＜5＞ 一種積層體，其包含：應力緩和層，包含如＜1＞～＜4＞中任一項所述之應力緩和性膜；以及表面層，包含作為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組之至少1種聚合物的熱塑性樹脂C，且至少一部分與所述應力緩和層接觸。
＜6＞ 一種半導體用表面保護膜，其包含如＜1＞～＜4＞中任一項所述之應力緩和性膜，於半導體基板的研磨時對該半導體基板的電路形成面進行保護。 ＜7＞ 如＜6＞所述之半導體用表面保護膜，其進一步包含基材層，所述基材層的於頻率1.6 Hz下測定的25℃下的儲藏彈性模數G'（25）為5×107 Pa以上。 ＜8＞ 如＜7＞所述之半導體用表面保護膜，其中，於所述應力緩和性膜的存在所述基材層之側的相反側包含黏著層。 ＜9＞ 一種半導體裝置的製造方法，其包含：準備步驟，準備僅僅於其中一個面上形成有電路的半導體基板；貼著步驟，將如＜8＞所述之半導體用表面保護膜，以該表面保護膜的所述黏著層與所述半導體基板的電路形成面對向的方式貼著於所述半導體基板的電路形成面；研磨步驟，對所述半導體基板的電路非形成面進行研磨；以及剝離步驟，將貼著於所述半導體基板的電路形成面的表面保護膜，自所述半導體基板的電路形成面剝離。
＜10＞ 一種應力緩和性膜，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為50質量%以上且98質量%以下。
＜11＞ 如＜10＞所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂A是包含70 mol%～88 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元的共聚物。
＜12＞ 如＜10＞或＜11＞所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂B是選自由乙烯系聚合物及丙烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物。 ＜13＞ 如＜10＞～＜12＞中任一項所述之應力緩和性膜，其具有海島結構，所述海島結構包含：含有所述熱塑性樹脂A而成的島部、以及實質上由所述熱塑性樹脂B而形成的海部。 ＜14＞ 一種積層體，其包含：應力緩和層，包含如＜10＞～＜13＞中任一項所述之應力緩和性膜；以及表面層，包含作為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組之至少1種聚合物的熱塑性樹脂C，且至少一部分與所述應力緩和層接觸。
＜15＞ 一種半導體用表面保護膜，其包含如＜10＞～＜13＞中任一項所述之應力緩和性膜，於半導體基板的研磨時對該半導體基板的電路形成面進行保護。 ＜16＞ 如＜15＞所述之半導體用表面保護膜，其進一步包含基材層，所述基材層的於頻率1.6 Hz下測定的25℃下的儲藏彈性模數G'（25）為5×107 Pa以上。 ＜17＞ 如＜16＞所述之半導體用表面保護膜，其中，於所述應力緩和性膜的存在所述基材層之側的相反側包含黏著層。 ＜18＞ 一種半導體裝置的製造方法，其包含：準備步驟，準備僅僅於其中一個面上形成有電路的半導體基板；貼著步驟，將如＜17＞所述之半導體用表面保護膜，以該表面保護膜的所述黏著層與所述半導體基板的電路形成面對向的方式貼著於所述半導體基板的電路形成面；研磨步驟，對所述半導體基板的電路非形成面進行研磨；以及剝離步驟，將貼著於所述半導體基板的電路形成面的表面保護膜，自所述半導體基板的電路形成面剝離。
＜19＞ 一種樹脂改質劑，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為50質量%以上且98質量%以下。
於本說明書中，使用「～」而表示的數值範圍是表示包含「～」前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。 於本說明書中，在提及關於組成物中的各成分的量的情況下，在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，若無特別限制，則表示組成物中所存在的多種物質的合計量。 於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」表示選自丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的至少一者。 於本說明書中，所謂「步驟」的術語，不僅僅是獨立的步驟，即使在無法與其他步驟明確地區別的情況下，若可達成該步驟的所期望的目的，則包含於本用語中。 [發明的效果]
藉由本發明的第1形態，可提供兼具優異的應力緩和性與耐衝擊性的應力緩和性膜、以及使用該應力緩和性膜的積層體、半導體用表面保護膜、及半導體製造裝置的製造方法。 藉由本發明的第2形態，可提供具有某種程度高的應力緩和性，且於與其他層積層的情況下難以產生層間剝離的應力緩和性膜、以及使用該應力緩和性膜的積層體、半導體用表面保護膜、及半導體製造裝置的製造方法。 而且，藉由本發明的第2形態，可提供對樹脂賦予某種程度高的應力緩和性、及與其他層積層的情況下難以層間剝離的接著性的樹脂改質劑。
以下，對本發明的具體的實施方式加以詳細說明，但本發明並不受以下實施方式任何限定，可於本發明的目的的範圍內加以適宜變更而實施。
《第1形態》 [應力緩和性膜] 本發明的第1形態的應力緩和性膜含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為50質量%～98質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為2質量%～50質量%。
對於用以保護對象物免受外力所造成的損傷或破損的膜，例如要求應力緩和性等特性。一般情況下，為了形成具有應力緩和性的膜，使用硬的樹脂作為材料，但僅僅藉由硬的樹脂而形成的膜存在衝擊強度變低的傾向。另一方面，使用柔軟的樹脂作為材料的膜雖然衝擊強度高、具有耐衝擊性，但存在應力緩和性差的傾向。而且，若在硬的樹脂中添加柔軟的樹脂而形成膜，則可使膜的衝擊強度提高，但由於添加柔軟的熱塑性樹脂的部分而造成硬的熱塑性樹脂的比例減少，因此膜的應力緩和性降低。 因此，可以說具有如下的二律背反的關係：具有應力緩和性與具有耐衝擊性，若欲實現其中一者，則需要犧牲另一者。
於本發明的第1形態中，藉由設為使膜以特定的比例含有如下樹脂的形態可實現兼具優異的應力緩和性與耐衝擊性的膜：具有於室溫（25℃）下使樹脂變硬的傾向的於骨架含有較多的4-甲基-1-戊烯的特定的熱塑性樹脂A、柔軟的特定的熱塑性樹脂B。
以下，對本發明的第1形態的應力緩和性膜中所含的成分加以說明。
[熱塑性樹脂A] 本發明的第1形態中的熱塑性樹脂A是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物（以下亦稱為「4-甲基-1-戊烯系共聚物」）。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物中包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元，更佳的是包含75 mol%～89 mol%，進一步更佳的是包含80 mol%～86 mol%。 若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元不足70 mol%，則無法作為保護膜而獲得優異的應力緩和性。而且，若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元超過90 mol%，則無法作為保護膜而獲得優異的耐衝擊性。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物中包含10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，更佳的是包含11 mol%～25 mol%，進一步更佳的是包含14 mol%～20 mol%。 若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元不足10 mol%，則材料的剛性過於提高，因此耐衝擊性降低，且變得無法獲得適宜的應力緩和性。而且，若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元超過30 mol%，則結晶性降低而變得無法觀測熔點，因此柔軟化進展，膜成形變困難。
源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元是源自乙烯或丙烯的結構單元。於本發明中，於獲得耐衝擊性與應力緩和性的平衡的室溫附近設計玻璃轉移溫度的方面而言，源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元特佳的是源自丙烯的結構單元。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物亦可包含源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元。4-甲基-1-戊烯系共聚物中的源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下，較佳的是5 mol%以下，更佳的是3 mol%以下，進一步更佳的是1 mol%以下。於本發明的第1形態中，特佳的是4-甲基-1-戊烯系共聚物不含源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元。 若4-甲基-1-戊烯系共聚物中的源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率超過10 mol%，則成為進行材料的柔軟化，應力緩和性差的傾向。
碳數為4～20的α-烯烴例如包含直鏈狀或分支狀的α-烯烴、環狀烯烴、芳香族乙烯基化合物、共軛二烯、非共軛多烯、官能乙烯基化合物等。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的直鏈狀或分支狀的α-烯烴，例如可列舉1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯等碳數為4～20（較佳的是4～10）的直鏈狀的α-烯烴；3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4,4-二甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4,4-二甲基-1-己烯、4-乙基-1-己烯、3-乙基-1-己烯等較佳的是碳數為5～20（更佳的是5～10）的分支狀的α-烯烴等。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的環狀烯烴，例如可列舉環戊烯、環庚烯、降冰片烯（norbornene）、5-甲基-2-降冰片烯、四環十二烯、乙烯基降冰片烯、乙烯基環己烷等碳數為4～20（較佳的是5～15）的化合物。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的芳香族乙烯基化合物，例如可列舉苯乙烯；α-甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、鄰,對-二甲基苯乙烯、鄰乙基苯乙烯、間乙基苯乙烯、對乙基苯乙烯等單或多烷基苯乙烯等。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的共軛二烯，例如可列舉1,3-丁二烯、異戊二烯、氯丁二烯、2,3-二甲基丁二烯、4-甲基-1,3-戊二烯、1,3-戊二烯、1,3-己二烯、1,3-辛二烯等碳數為4～20（較佳的是4～10）的化合物。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的非共軛多烯，例如可列舉1,4-戊二烯、1,4-己二烯、1,5-己二烯、1,4-辛二烯、1,5-辛二烯、1,6-辛二烯、1,7-辛二烯、2-甲基-1,5-己二烯、6-甲基-1,5-庚二烯、7-甲基-1,6-辛二烯、4-亞乙基-8-甲基-1,7-壬二烯、4,8-二甲基-1,4,8-癸三烯（DMDT）、二環戊二烯、環己二烯、二環辛二烯、亞甲基降冰片烯、5-乙烯基降冰片烯、5-亞乙基-2-降冰片烯、5-亞甲基-2-降冰片烯、5-亞異丙基-2-降冰片烯、6-氯甲基-5-異丙烯基-2-降冰片烯、2,3-二亞異丙基-5-降冰片烯、2-亞乙基-3-亞異丙基-5-降冰片烯、2-丙烯基-2,2-降冰片二烯等碳數為5～20（較佳的是5～10）的化合物。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的官能化乙烯基化合物，例如可列舉含有羥基的烯烴；鹵化烯烴；丙烯酸、丙酸、3-丁烯酸、4-戊烯酸、5-己烯酸、6-庚烯酸、7-辛烯酸、8-壬烯酸、9-癸烯酸等不飽和羧酸類；烯丙胺、5-己烯胺、6-庚烯胺等不飽和胺類；(2,7-辛二烯基)琥珀酸酐、五丙烯基琥珀酸酐、所述不飽和羧酸類的酸酐等不飽和酸酐類；所述不飽和羧酸類的鹵化物；4-環氧-1-丁烯、5-環氧-1-戊烯、6-環氧-1-己烯、7-環氧-1-庚烯、8-環氧-1-辛烯、9-環氧-1-壬烯、10-環氧-1-癸烯、11-環氧-1-十一烯等不飽和環氧化合物類等。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的含有羥基的烯烴，若為具有羥基的烯烴系化合物則並無特別限定，較佳的是末端羥基化烯烴化合物。 作為末端羥基化烯烴化合物，例如可列舉乙烯醇、烯丙醇、羥基化-1-丁烯、羥基化-1-戊烯、羥基化-1-己烯、羥基化-1-辛烯、羥基化-1-癸烯、羥基化-1-十二烯、羥基化-1-十四烯、羥基化-1-十六烯、羥基化-1-十八烯、羥基化-1-二十烯等碳數為4～20（較佳的是2～10）的直鏈狀羥基化α-烯烴；羥基化-3-甲基-1-丁烯、羥基化-4-甲基-1-戊烯、羥基化-3-甲基-1-戊烯、羥基化-3-乙基-1-戊烯、羥基化-4,4-二甲基-1-戊烯、羥基化-4-甲基-1-己烯、羥基化-4,4-二甲基-1-己烯、羥基化-4-乙基-1-己烯、羥基化-3-乙基-1-己烯等較佳的是碳數為5～20（更佳的是5～10）的分支狀的羥基化α-烯烴等。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的鹵化烯烴，例如可列舉鹵化-1-丁烯、鹵化-1-戊烯、鹵化-1-己烯、鹵化-1-辛烯、鹵化-1-癸烯、鹵化-1-十二烯、鹵化-1-十四烯、鹵化-1-十六烯、鹵化-1-十八烯、鹵化-1-二十烯等碳數為4～20（較佳的是4～10）的直鏈狀的鹵化α-烯烴；鹵化-3-甲基-1-丁烯、鹵化-4-甲基-1-戊烯、鹵化-3-甲基-1-戊烯、鹵化-3-乙基-1-戊烯、鹵化-4,4-二甲基-1-戊烯、鹵化-4-甲基-1-己烯、鹵化-4,4-二甲基-1-己烯、鹵化-4-乙基-1-己烯、鹵化-3-乙基-1-己烯等碳數為5～20（更佳的是5～10）的分支狀的鹵化α-烯烴等。
作為可成為4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元的源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元，上述中特佳的是選自由1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4,4-二甲基-1-己烯、4,4-二甲基-1-戊烯、4-乙基-1-己烯、3-乙基-1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯、乙烯基環己烷、及苯乙烯所構成的群組的至少1種。 於4-甲基-1-戊烯系共聚物中包含源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的情況下，可僅僅包含1種源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元，亦可包含2種以上。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元、及源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的含有率（mol%）可藉由下述方法而測定。
～條件～ 測定裝置：核磁共振裝置（ECP500型、日本電子股份有限公司製造） 觀測核：13 C（125 MHz） 序列：單脈衝質子去偶合（decoupling） 脈衝寬度：4.7 微秒（μs）（45°脈衝） 重複時間：5.5秒 累計次數：1萬次以上 溶劑：鄰二氯苯/氘苯（容積比：80/20）混合溶劑 試樣濃度：55 mg/0.6 mL 測定溫度：120℃ 化學位移的基準值：27.50 ppm
4-甲基-1-戊烯系共聚物亦可在不損及本發明的第1形態的效果的範圍內包含源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元、及源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元以外的結構單元。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物在十氫萘溶劑中、135℃下測定的極限黏度[η]較佳的是0.5 dl/g～5.0 dl/g，更佳的是0.5 dl/g～4.0 dl/g。4-甲基-1-戊烯系共聚物的極限黏度[η]若為所述範圍內，則低分子量體少，因此膜的黏性變少，而且變得可進行擠出膜成形。 所述4-甲基-1-戊烯系共聚物的極限黏度[η]是使用烏式黏度計，藉由下述方法而測定的值。 使約20 mg的4-甲基-1-戊烯系共聚物溶解於十氫萘25 ml中之後，使用烏式黏度計，於135℃的油浴中測定比黏度ηsp。於該十氫萘溶液中加入十氫萘5 ml而進行稀釋後，與所述同樣地進行而測定比黏度ηsp。進一步反覆進行2次該稀釋操作，求出將濃度（C）外插為0時的ηsp/C的值作為極限黏度[η]（單位：dl/g）（參照下述式1）。 [η]=lim（ηsp/C） （C→0）···式1
作為本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物的重量平均分子量（Mw），自膜成形性的觀點考慮，較佳的是1×104 ～2×106 ，更佳的是1×104 ～1×106 。 而且，作為本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物的分子量分佈（Mw/Mn），自膜黏性及外觀的觀點考慮，較佳的是1.0～3.5，更佳的是1.1～3.0。
所述4-甲基-1-戊烯系共聚物的重量平均分子量（Mw）、及以重量平均分子量（Mw）與數量平均分子量（Mn）的比而表示的分子量分佈（Mw/Mn）是藉由使用下述凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）的標準聚苯乙烯換算法而算出的值。
～條件～ 測定裝置：GPC（ALC/GPC 150-C plus型、示差折射儀檢測器一體式、沃特世（Waters）公司製造） 管柱：將GMH6-HT（東曹股份有限公司製造）2根、及GMH6-HTL（東曹股份有限公司製造）2根串列連接 溶離液（eluent）：鄰二氯苯 管柱溫度：140℃ 流量：1.0 mL/min
作為本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物的熔融流動速率（Melt Flow Rate；MFR），自成形時的流動性的觀點考慮，較佳的是0.1 g/10 min～100 g/10 min，更佳的是0.5 g/10 min～50 g/10 min，進一步更佳的是0.5 g/10 min～30 g/10 min。 所述4-甲基-1-戊烯系共聚物的熔融流動速率（MFR）是依據ASTM D1238而測定的值。具體而言，4-甲基-1-戊烯系共聚物的熔融流動速率（MFR）是在230℃下、以2.16 kg的負載而測定的值。
作為本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物的密度，自操作性的觀點考慮，較佳的是820 kg/m3 ～870 kg/m3 ，更佳的是830 kg/m3 ～850 kg/m3 。 所述4-甲基-1-戊烯系共聚物的密度是依據JIS K7112（密度梯度管法）而測定的值。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物的熔點（Tm）較佳的是未觀察到或100℃～180℃，更佳的是未觀察到或110℃～160℃。 所述4-甲基-1-戊烯系共聚物的熔點（Tm）是使用示差掃描熱析儀（Differential scanning calorimetry；DSC），藉由下述方法而測定的值。 將約5 mg的4-甲基-1-戊烯系共聚物密封於精工電子股份有限公司製造的示差掃描熱析儀（DSC220C型）的測定用鋁鍋中，以10℃/min自室溫加熱至200℃。為了使4-甲基-1-戊烯系共聚物完全熔解，於200℃下保持5分鐘，其次以10℃/min冷卻至-50℃。於-50℃下放置5分鐘後，以10℃/min進行第2次加熱直至200℃，將該第2次的加熱的峰值溫度（℃）作為共聚物的熔點（Tm）。另外，在檢測出多個峰值的情況下，採用在最高溫側所檢測出的峰值。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物形成厚度為50 μm的膜，在膜形成的3日後所測定的損耗角正切（tanδ）的最大值處於-5℃～50℃的溫度範圍內，較佳的是處於0℃～45℃的溫度範圍內，更佳的是處於0℃～40℃的溫度範圍內，而且損耗角正切（tanδ）的最大值較佳的是0.5以上，更佳的是1.0以上，進一步更佳的是1.2以上。4-甲基-1-戊烯系共聚物若其損耗角正切（tanδ）的最大值處於所述溫度範圍內且最大值為0.5以上，則應力緩和性更優異。 所述4-甲基-1-戊烯系共聚物的損耗角正切（tanδ）的最大值及顯示該最大值時的溫度是藉由使用黏彈性測定裝置（MCR301、安東帕（Anton Paar）公司製造），以頻率為10 rad/s而對製成為50 μm的膜狀者測定-70℃～180℃的溫度範圍的動態黏彈性而所得的值。
本發明的第1形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物可藉由現有已知的利用茂金屬系觸媒的合成方法，例如國際公開第2005/121192號說明書、國際公開第2011/055803號說明書等中所記載的方法而合成。
作為本發明的第1形態的應力緩和性膜中的熱塑性樹脂A的含量，相對於應力緩和性膜的總質量而言為50質量%～98質量%，較佳的是50質量%～96質量%，更佳的是60質量%～95質量%。 若熱塑性樹脂A的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言不足50質量%，則無法作為保護膜而獲得優異的應力緩和性。 若熱塑性樹脂A的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言超過98質量%，則無法作為保護膜而獲得優異的耐衝擊性。
[熱塑性樹脂B] 本發明的第1形態中的熱塑性樹脂B是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物（其中，上述熱塑性樹脂A除外）。本發明中的熱塑性樹脂B較佳的是選自由乙烯系聚合物及丙烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物。
作為乙烯系聚合物，可為乙烯的均聚物（homopolymer），亦可為乙烯與其他單體的共聚物（copolymer）。作為乙烯系聚合物，例如可列舉藉由現有公知的方法而製造的低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、高壓法低密度聚乙烯等。而且，作為乙烯系聚合物，例如亦可列舉乙烯系聚合物系彈性體。 而且，作為熱塑性樹脂B中的較佳的乙烯系聚合物，可列舉後述的熱塑性樹脂C中的較佳的乙烯系聚合物。
作為丙烯系聚合物，可為丙烯的均聚物（homopolymer），亦可為丙烯與其他單體的共聚物（copolymer）。作為丙烯系聚合物，例如可列舉整規（isotactic）丙烯系聚合物、間規（syndiotactic）丙烯系聚合物等。作為整規丙烯系聚合物，可為均丙烯系聚合物，亦可為丙烯·碳數為2～20的α-烯烴（其中丙烯除外）無規共聚物，亦可為丙烯嵌段共聚物。而且，作為丙烯系聚合物，例如亦可列舉丙烯系聚合物系彈性體。 而且，作為熱塑性樹脂B中的較佳的丙烯系聚合物，可列舉後述的熱塑性樹脂C中的較佳的丙烯系聚合物。
作為丁烯系聚合物，可為丁烯的均聚物（homopolymer），亦可為丁烯與其他單體的共聚物（copolymer）。作為丁烯系聚合物，例如可列舉1-丁烯的均聚物、1-丁烯與除1-丁烯以外的烯烴的共聚物等。作為該共聚物，例如可列舉1-丁烯·乙烯無規共聚物、1-丁烯·丙烯無規共聚物、1-丁烯·甲基戊烯共聚物、1-丁烯·甲基丁烯共聚物、1-丁烯·丙烯·乙烯共聚物等。 而且，作為熱塑性樹脂B中的較佳的丁烯系聚合物，可列舉後述的熱塑性樹脂C中的較佳的丁烯系聚合物。
作為4-甲基-1-戊烯系聚合物，可為4-甲基-1-戊烯的均聚物（homopolymer），亦可為4-甲基-1-戊烯與其他單體的共聚物（copolymer）。作為4-甲基-1-戊烯系聚合物，例如可列舉4-甲基-1-戊烯的均聚物，4-甲基-1-戊烯與1-己烯、1-癸烯、1-十八烯、1-十六烯等的無規共聚物等。
作為本發明的第1形態中的熱塑性樹脂B的熔融流動速率（MFR），自膜成形性及膜的機械物性的觀點考慮，較佳的是0.1 g/10 min～100 g/10 min，更佳的是0.5 g/10 min～50 g/10 min。 所述熱塑性樹脂B的熔融流動速率（MFR）是依據ASTM D1238而測定的值。具體而言，乙烯系聚合物及丁烯系聚合物的熔融流動速率（MFR）是於190℃下，以2.16 kg的負載而測定的值，丙烯系聚合物的熔融流動速率（MFR）是於230℃下，以2.16 kg的負載而測定的值，4-甲基-1-戊烯系聚合物的熔融流動速率（MFR）是於260℃下，以5.0 kg的負載而測定的值。
作為本發明的第1形態中的熱塑性樹脂B的密度，自輕量性、及與4-甲基-1-戊烯系共聚物製成組成物時的分散性的觀點考慮，較佳的是820 kg/m3 ～960 kg/m3 ，更佳的是830 kg/m3 ～950 kg/m3 。 所述熱塑性樹脂B的密度是依據JIS K7112（密度梯度管法）而測定的值。
作為本發明的第1形態的應力緩和性膜中的熱塑性樹脂B的含量，相對於應力緩和性膜的總質量而言為2質量%～50質量%，較佳的是4質量%～50質量%，更佳的是5質量%～40質量%。 若熱塑性樹脂B的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言不足2質量%，則無法作為保護膜而獲得優異的耐衝擊性。 若熱塑性樹脂B的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言超過50質量%，則無法作為保護膜而獲得優異的應力緩和性。
[其他樹脂] 本發明的第1形態的應力緩和性膜亦可在不損及本發明的第1形態的目的的範圍內含有上述熱塑性樹脂A及熱塑性樹脂B以外的其他樹脂。
[應力緩和性膜的結構] 較佳的是本發明的第1形態的應力緩和性膜具有海島結構，所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的島部。 本發明中，所謂「實質上由熱塑性樹脂B而形成的」島部是表示島部的熱塑性樹脂B的含量相對於島部的構成成分的總質量而言為70質量%以上。
本發明的第1形態的應力緩和性膜由於具有海島結構（所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的島部），因此兼具更優異的應力緩和性與耐衝擊性。 起到此種效果的理由是由於：承擔應力緩和的熱塑性樹脂A成為海部，因此保證應力緩和性；且承擔提高衝擊強度的熱塑性樹脂B成為島部，分散於膜中，因此更有效地發揮熱塑性樹脂B的衝擊強度提高效果，膜的耐衝擊性提高。
另外，本發明的第1形態的應力緩和性膜具有海島結構（所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的島部）例如可藉由穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope；TEM）而確認。具體而言，對膜進行研磨而製作超薄切片，藉由四氧化釕或四氧化鋨（Osmium tetroxide）等重金屬氧化物僅對任意一種成分選擇性染色後，使用穿透式電子顯微鏡而進行觀察。
具有海島結構（所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的島部）的膜例如可藉由如下方式而獲得：藉由乾摻將熱塑性樹脂A與熱塑性樹脂B加以混合，藉由擠出進行膜成形。
[應力緩和性膜的製造方法] 對本發明的第1形態的應力緩和性膜的製造方法的一例加以說明。本發明的第1形態的應力緩和性膜例如可藉由下述方法而製造。但本發明的第1形態並不限定於下述方法。 將熱塑性樹脂A與熱塑性樹脂B加以混合（例如乾摻）。其次，將所得的混合物投入至設置有T模的擠出機的料斗中，將料缸（cylinder）溫度設定為100℃～270℃，將模具溫度設定為200℃～270℃。自T模擠出熔融混練物，進行流延（casting）成形而獲得應力緩和性膜。
本發明的第1形態的應力緩和性膜的厚度較佳的是50 μm～350 μm，更佳的是60 μm～300 μm，進一步更佳的是70 μm～200 μm。本發明的應力緩和性膜的厚度若為所述範圍內，則容易處理。
[應力緩和性膜的用途] 本發明的第1形態的應力緩和性膜能夠以建材或光學零件等各種樹脂製品、金屬製品、玻璃製品等的輸送時、保管時、加工時等的防止損傷或防塵為目的，作為貼著於該些表面的保護膜而適宜地使用。
而且，本發明的第1形態的應力緩和性膜可作為保護膜而特別適宜地使用，所述保護膜是用以在對半導體基板的電路非形成面進行研磨，使半導體基板成為所期望的厚度時，防止半導體基板的電路形成面的損傷或破損。本發明的第1形態的應力緩和性膜由於應力緩和性及耐衝擊性優異，因此可有效地防止半導體基板的電路形成面的損傷或破損。
[積層體] 本發明的第1形態的積層體包含：應力緩和層，包含所述本發明的第1形態的應力緩和性膜；以及表面層，包含作為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組之至少1種聚合物的熱塑性樹脂C，且至少一部分與所述應力緩和層接觸。 本發明的第1形態的積層體兼具優異的應力緩和性與耐衝擊性，而且於應力緩和層與表面層之間難以產生層間剝離。
[應力緩和層] 本發明的第1形態的積層體中的應力緩和層包含所述本發明的第1形態的應力緩和性膜。本發明的第1形態的積層體含有包含所述本發明的第1形態的應力緩和性膜的應力緩和層，因此兼具優異的應力緩和性與耐衝擊性。另外，關於本發明的第1形態的應力緩和性膜，已進行了上述說明，因此此處省略說明。
[表面層] 本發明的第1形態的積層體中的表面層包含作為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物的熱塑性樹脂C，且至少一部分與應力緩和層接觸。於本發明的第1形態的積層體中，表面層可僅僅存在於應力緩和層的單面側（亦即，僅1層），亦可存在於應力緩和層的兩個面側（亦即，合計為2層）。 本發明的第1形態的積層體的表面層包含作為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物的熱塑性樹脂C，因此於與應力緩和層之間難以產生層間剝離。 於本發明中，所謂「至少一部分與應力緩和層接觸」是表示表面層與應力緩和層的一部分接觸，或者表面層與應力緩和層的整體接觸。於本發明的第1形態的積層體中，應力緩和層與表面層的接觸比例較佳的是相對於應力緩和層的總面積而言為30%～100%，更佳的是50%～100%。
（熱塑性樹脂C） 本發明的第1形態中的熱塑性樹脂C是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物。作為本發明的第1形態中的熱塑性樹脂C，於可形成與應力緩和層之間更難產生層間剝離的表面層的方面而言，較佳的是選自由丙烯系聚合物及丁烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物，更佳的是丙烯系聚合物。 此處所謂的乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物分別與在熱塑性樹脂B的項目中所說明的乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物同義。
作為乙烯系聚合物，較佳的是源自乙烯的結構單元的比率為50 mol%以上的聚合物。而且，作為丙烯系聚合物，較佳的是源自丙烯的結構單元的比率為50 mol%以上的聚合物。另外，作為丁烯系聚合物，較佳的是源自1-丁烯的結構單元的比率為50 mol%以上的聚合物。
在乙烯系聚合物為共聚物的情況下，作為該共聚物，於可形成與應力緩和層之間更難產生層間剝離的表面層的方面而言，較佳的是乙烯與碳數為3～20的α-烯烴的共聚物，更佳的是乙烯與碳數為3～10的α-烯烴的共聚物。 在將乙烯系聚合物中的所有結構單元設為100 mol%的情況下，乙烯系聚合物中的源自乙烯的結構單元的比率較佳的是50 mol%～100 mol%，更佳的是60 mol%～99 mol%。若乙烯系聚合物中的源自乙烯的結構單元的比率為所述範圍內，則成為耐熱性及耐衝擊性更良好的結果。
在丙烯系聚合物為共聚物的情況下，作為該共聚物，於可形成與應力緩和層之間更難產生層間剝離的表面層的方面而言，較佳的是丙烯與碳數為2～20的α-烯烴（其中，丙烯除外）的共聚物。 在將丙烯系聚合物中的所有結構單元設為100 mol%的情況下，丙烯系聚合物中的源自丙烯的結構單元的比率較佳的是50 mol%～100 mol%，更佳的是60 mol%～99 mol%。若丙烯系聚合物中的源自丙烯的結構單元的比率為所述範圍內，則成為耐熱性及耐衝擊性更良好的結果。
在丁烯系聚合物為共聚物的情況下，作為該共聚物，於可形成與應力緩和層之間更難產生層間剝離的表面層的方面而言，較佳的是1-丁烯與除1-丁烯以外的烯烴的共聚物。 在將丁烯系聚合物中的所有結構單元設為100 mol%的情況下，丁烯系共聚物中的源自1-丁烯的結構單元的比率較佳的是50 mol%～100 mol%，更佳的是70 mol%～99 mol%。若丁烯系聚合物中的源自1-丁烯的結構單元的比率為所述範圍內，則成為耐衝擊性更良好的結果。
作為本發明的第1形態中的熱塑性樹脂C的熔融流動速率（MFR），自膜成形性及膜的機械物性的觀點考慮，較佳的是0.1 g/10 min～100 g/10 min，更佳的是0.5 g/10 min～50 g/10 min。 所述熱塑性樹脂C的熔融流動速率（MFR）是依據ASTM D1238而測定的值。具體而言，丙烯系聚合物的熔融流動速率（MFR）是於230℃下，以2.16 kg的負載而測定的值，乙烯系聚合物及丁烯系聚合物的熔融流動速率（MFR）是於190℃下，以2.16 kg的負載而測定的值。
作為本發明的第1形態中的熱塑性樹脂C的密度，自輕量性的觀點考慮，較佳的是820 kg/m3 ～960 kg/m3 ，更佳的是830 kg/m3 ～940 kg/m3 ，進一步更佳的是860 kg/m3 ～940 kg/m3 。 所述熱塑性樹脂C的密度是依據JIS K7112（密度梯度管法）而測定的值。
作為表面層中的熱塑性樹脂C的含量，相對於表面層的總質量而言，較佳的是50質量%～100質量%，更佳的是70質量%～100質量%。 若熱塑性樹脂C的含量相對於表面層的總質量而言為所述範圍內，則可形成與應力緩和層之間更難產生層間剝離的表面層。
本發明的第1形態的積層體中的表面層亦可於不損及本發明的第1形態的目的之範圍內包含所述熱塑性樹脂C以外的其他樹脂。 作為其他樹脂，例如可列舉苯乙烯系共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物（EVA）等。
[其他層] 本發明的積層體亦可於不損及本發明的第1形態的目的之範圍內包含應力緩和層及表面層以外的其他層。
[積層體的製造方法] 本發明的第1形態的積層體的製造方法並無特別限定。作為本發明的第1形態的積層體的製造方法，較佳的是作為應力緩和層的構成成分而所含的4-甲基-1-戊烯系共聚物、與作為表面層的構成成分而所含的熱塑性樹脂C於界面附近混合而接著，從而形成積層體的方法。作為此種方法，例如可列舉積層熔融的樹脂的共擠出法、使預先形成的樹脂膜熱融著的熱融著法等，於可形成應力緩和層與表面層的層間接著性更高、於應力緩和層與表面層之間更難以產生層間剝離的積層體的方面而言，更佳的是積層熔融的樹脂的共擠出法。
本發明的第1形態的積層體中的表面層與應力緩和層的厚度的比（表面層的厚度/應力緩和層的厚度）較佳的是1/99～60/40，更佳的是10/90～60/40。
作為本發明的第1形態的積層體的厚度，自容易處理的方面而言，較佳的是20 μm～500 μm，更佳的是20 μm～350 μm，進一步更佳的是50 μm～300 μm。
[半導體用表面保護膜] 本發明的第1形態的半導體用表面保護膜（以下亦簡稱為「表面保護膜」）是於半導體基板的研磨時保護該半導體基板的電路形成面者，包含本發明的第1形態的應力緩和性膜。本發明的第1形態的表面保護膜可僅僅包含本發明的第1形態的應力緩和性膜，亦可為本發明的第1形態的應力緩和性膜與其他層的積層體。其他層理想的是在不損及本發明的第1形態的應力緩和性膜的效果的範圍內進行適宜選擇。 本發明的第1形態的表面保護膜包含所述本發明的第1形態的應力緩和性膜，因此應力緩和性及耐衝擊性優異。因此，藉由本發明的第1形態的表面保護膜可有效地防止半導體基板的電路形成面的損傷或破損。
[基材層] 在本發明的第1形態的表面保護膜包含基材層的情況下，該基材層較佳的是彈性模數高。基材層通常積層於所述本發明的第1形態的應力緩和性膜的其中一個面上。本發明的第1形態的表面保護膜藉由包含基材層而防止其變形。 基材層的彈性模數較佳的是於頻率為1.6 Hz下所測定的25℃下的儲藏彈性模數G'（25）為5×107 Pa以上，更佳的是1×108 Pa～2×1010 Pa。 若基材層的儲藏彈性模數G'（25）為5×107 Pa以上，則於半導體基板的研磨中或研磨後，難以產生由於表面保護膜所引起的半導體基板的變形、及隨著該變形所產生的半導體基板的破裂。
基材層較佳的是可成形為所期望的形狀，且包含與本發明的第1形態的應力緩和性膜中所含的熱塑性樹脂A及熱塑性樹脂B的親和性良好的樹脂。例如，基材層較佳的是包含聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等的層。
於本發明的第1形態的表面保護膜包含基材層的情況下，該基材層的厚度較佳的是20 μm～100 μm，更佳的是38 μm～50 μm。若基材層的厚度為所述範圍內，則於半導體基板的研磨中或研磨後，難以產生表面保護膜所引起的半導體基板的變形、及隨著該變形所產生的半導體基板的破裂，而且表面保護膜的處理性良好。
[黏著層] 較佳的是本發明的第1形態的表面保護膜包含用以貼著於半導體基板的電路形成面的黏著層。於本發明的第1形態的表面保護膜包含基材層與黏著層的情況下，較佳的是於本發明的第1形態的應力緩和性膜的存在基材層之側的相反側包含該黏著層。
黏著層亦可為包含黏著劑等的層。構成黏著層的黏著劑並無特別限定，例如可列舉天然橡膠系；合成橡膠系；矽酮橡膠系；丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯等丙烯酸系黏著劑等。該些中，自黏著性等觀點考慮，黏著劑較佳的是丙烯酸系黏著劑。
構成黏著層的黏著劑可為放射線硬化型、熱硬化型、加熱發泡型等具有藉由一定條件使黏著力降低的黏著力轉換功能的黏著劑、或並不具有該轉換功能的黏著劑的任意者。 於本發明的第1形態的表面保護膜中，自可自電路形成面容易地剝離、損傷電路形成面之可能性少的觀點考慮，黏著劑較佳的是具有黏著力轉換功能的丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑。
作為丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑，例如可列舉包含如下化合物的黏著劑等：於分子中導入有光聚合性碳-碳雙鍵的丙烯酸酯系共聚物100質量份、於分子內具有2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物0.1質量份～20質量份、光起始劑5質量份～15質量份。
作為丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑中所含的丙烯酸酯系共聚物，例如可列舉使具有乙烯性雙鍵的單體及具有反應性官能基的共聚性單體共聚而成的共聚物，與具有可與所述反應性官能基反應的基的包含光聚合性碳-碳雙鍵的單體反應而成的化合物等。
作為用以獲得丙烯酸酯系共聚物的共聚物中所含的具有乙烯性雙鍵的單體，例如可列舉甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯及甲基丙烯酸烷基酯單體；乙酸乙烯酯等乙烯酯；丙烯腈；丙烯醯胺；苯乙烯等具有乙烯性雙鍵的單體等。
而且，作為用以獲得丙烯酸酯系共聚物的共聚物中所含的具有反應性官能基的共聚性單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸、馬來酸、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等。可使該些中的僅僅1種與所述具有乙烯性雙鍵的單體聚合，亦可使該些的2種以上與所述具有乙烯性雙鍵的單體聚合。
在獲得丙烯酸酯系共聚物的情況下的具有乙烯性雙鍵的單體與具有反應性官能基的共聚性單體的聚合比較佳的是70質量%～99質量%：30質量%～1質量%，更佳的是80質量%～95質量%：20質量%～5質量%。
而且，用以獲得丙烯酸酯系共聚物的包含光聚合性碳-碳雙鍵的單體並無特別限定，若為具有可與共聚物中所含的反應性官能基（例如羧基、羥基、縮水甘油基等）反應的基的包含光聚合性碳-碳雙鍵的光反應性單體即可。
作為共聚物中所含的反應性官能基與可與光反應性單體的反應性官能基反應的基的組合的例子，可列舉羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基（aziridinyl）、羥基與異氰酸酯基等。於此種組合中，理想的是容易產生加成反應的組合。而且，可與光反應性單體的反應性官能基反應的基並不限定於與共聚物的反應性官能基進行加成反應的基，亦可為與共聚物的反應性官能基進行縮合反應的基。
作為丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑中所含的於分子中具有2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物，例如可列舉三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。可於丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑中包含僅僅1種低分子量化合物，亦可包含2種以上。 此處所謂「低分子量化合物」是指分子量為10,000以下的化合物，所述低分子量化合物的分子量更佳的是5,000以下。
作為丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑中所含的光起始劑，例如可列舉安息香、異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮（Michler's ketone）、氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮、苯乙酮二乙基縮酮、苯偶醯二甲基縮酮、1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。可於紫外線硬化型黏著劑中包含僅僅1種光起始劑，亦可包含2種以上。作為紫外線硬化型黏著劑中的光起始劑的含量，相對於丙烯酸酯系共聚物100質量份而言較佳的是5質量份～15質量份，更佳的是5質量份～10質量份。
丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑亦可包含交聯劑。作為交聯劑，例如可列舉山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二甘油聚縮水甘油醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。
丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑亦包含松香樹脂系、萜烯樹脂系等膠黏劑、各種界面活性劑等。藉由該些化合物可調整丙烯酸系紫外線硬化型黏著劑的黏著特性。
於本發明的第1形態的表面保護膜包含黏著層的情況下，該黏著層的厚度並無特別限定，較佳的是3 μm～100 μm，更佳的是10 μm～100 μm。若黏著層的厚度為所述範圍內，則可獲得充分的黏著性，而且，難以損及本發明的第1形態的應力緩和性膜的效果。
作為包含黏著層的本發明的第1形態的表面保護膜的黏著力，換算為相對於SUS304-BA板的黏著力而言較佳的是0.1 N/25 mm～5 N/25 mm，更佳的是0.1 N/25 mm～3 N/25 mm。若表面保護膜的黏著力為所述範圍內，則可相對於半導體基板的電路形成面而充分地貼著表面保護膜，而且，在自電路形成面剝離表面保護膜時，難以產生半導體基板的破損，另外在自半導體基板的電路形成面剝離表面保護膜之後，難以於電路形成面殘留黏著層。 另外，在黏著劑具有放射線硬化型、熱硬化型、加熱發泡型等的黏著力轉換功能的情況下，較佳的是藉由放射線照射等而轉換黏著力使其降低後的黏著力在所述範圍內。
[其他層] 本發明的第1形態的表面保護膜例如亦可於本發明的第1形態的應力緩和性膜與黏著層之間包含彈性模數低的其他層。較佳的是其他層的彈性模數低於本發明的第1形態的應力緩和性膜的彈性模數。作為其他層的具體的彈性模數，於頻率為1.6 Hz下所測定的25℃之儲藏彈性模數G'（25）較佳的是8×106 Pa以下，更佳的是1×104 Pa～8×106 Pa。若其他層的儲藏彈性模數G'（25）為8×106 Pa以下，則難以損及本發明的第1形態的應力緩和性膜的效果。
作為其他層，例如可列舉包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物（烷基的碳數為1～4）、低密度聚乙烯、乙烯-α-烯烴共聚物（α-烯烴的碳數為3～8）等的樹脂層。該些中，較佳的是其他層為包含乙酸乙烯酯單元的含量為5質量%～50質量%的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的樹脂層。
[表面保護膜的製造方法] 本發明的第1形態的表面保護膜的製造方法並無特別限定。例如，本發明的第1形態的包含應力緩和性膜、基材層、及黏著層的表面保護膜可藉由如下方式而獲得：將本發明的第1形態的應力緩和性膜與基材層積層，進一步於該應力緩和性膜的存在基材層之側的相反側形成黏著層。
作為積層本發明的第1形態的應力緩和性膜與基材層的方法，例如可列舉：藉由多層製膜機對形成本發明的第1形態的應力緩和性膜的樹脂與形成基材層的樹脂進行擠出製膜的方法；分別藉由壓光法、T模擠出法、膨脹法、流延法等公知方法而成膜本發明的第1形態的應力緩和性膜及基材層後，藉由乾式層壓對該些進行積層的方法等。在後者的情況下，為了提高本發明的第1形態的應力緩和性膜與基材層的接著力，可於兩者之間重新形成接著層，亦可對本發明的第1形態的應力緩和性膜及基材層的各個實施電暈放電處理等易接著處理。
黏著層可藉由如下方式而形成：將所述黏著劑作為溶液，製成乳膠液等黏著劑塗佈液，藉由輥塗機、缺角輪塗佈機（comma coater）、模具塗佈機、繞線棒塗佈機（meyer bar coater）、逆輥塗佈機、凹版塗佈機等公知的方法將該黏著劑塗佈液塗佈於本發明的第1形態的應力緩和性膜上，使其乾燥。於形成黏著層後，為了防止黏著層之污染，較佳的是於黏著層表面貼著剝離膜。
亦可藉由所述方法而於剝離膜的其中一個面塗佈黏著劑塗佈液，使其乾燥而形成黏著層後，藉由乾式層壓法等將該黏著層轉印於本發明的第1形態的應力緩和性膜上。
使黏著劑塗佈液乾燥時的乾燥條件並無特別限定，一般情況下較佳的是於80℃～300℃的溫度範圍內進行10秒～10分鐘的乾燥，更佳的是於80℃～200℃的溫度範圍內進行15秒～5分鐘的乾燥。而且，於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，亦可在40℃～80℃下對表面保護膜進行5小時～300小時左右的加熱。
於本發明的第1形態的表面保護膜中，自防止半導體基板的電路形成面的污染的觀點考慮，較佳的是本發明的第1形態的應力緩和性膜、基材層、黏著層等所有的製膜環境、及該些的原材料的製造環境維持為美國聯邦規格209b中所規定的等級為1,000以下的潔淨度。
[半導體裝置的製造方法] 本發明的第1形態的半導體裝置的製造方法包含：準備步驟，準備僅僅於其中一個面上形成有電路的半導體基板；貼著步驟，將本發明的第1形態的表面保護膜，以該表面保護膜的所述黏著層與所述半導體基板的電路形成面對向的方式貼著於所述半導體基板的電路形成面；研磨步驟，對所述半導體基板的電路非形成面進行研磨；以及剝離步驟，將貼著於所述半導體基板的電路形成面的表面保護膜，自所述半導體基板的電路形成面剝離。
藉由一般的半導體裝置的製造方法，於500 μm～1000 μm左右的厚度的半導體基板的其中一個面上形成電路。其後，對未形成電路之側的面（電路非形成面）進行研磨，使半導體基板薄層化。 準備步驟是準備在對電路非形成面進行研磨之前具有厚度的半導體基板的步驟。作為半導體基板，例如可列舉矽晶圓、鍺、鎵-砷、鎵-磷、鎵-砷-鋁等的基板。
貼著步驟是將本發明的第1形態的表面保護膜，以該表面保護膜的所述黏著層與所述半導體基板的電路形成面對向的方式貼著於所述半導體基板的電路形成面的步驟。 貼著可藉由人手進行，通常藉由安裝有卷狀的表面保護膜的自動貼合機而進行。作為自動貼合機，例如可列舉高鳥股份有限公司製造的型號：ATM-1000B、高鳥股份有限公司製造的型號：ATM-1100、高鳥股份有限公司製造的型號：TEAM-100，帝國精機股份有限公司製造的型號：STL系列，日東精機股份有限公司製造的型號：DR-8500II、日東精機股份有限公司製造的型號：DR-3000II等。
研磨步驟是對所述半導體基板的電路非形成面進行研磨的步驟。 研磨例如可藉由貫穿進給方式、橫向進給方式等公知的方法而進行。於任意的方法中，均藉由磨石對半導體基板進行研磨。
研磨步驟開始時的半導體基板的溫度通常為18℃～28℃左右，較佳的是20℃～25℃。而且，研磨步驟中的半導體基板的溫度取決於所研磨的基板的材質，通常為20℃～120℃，較佳的是30℃～80℃，更佳的是40℃～70℃。
於研磨步驟後，亦可視需要進一步對半導體基板的電路非形成面進行處理。電路非形成面的處理可經由表面保護膜，將半導體基板固定於背面加工機的夾盤台等上而進行。作為電路非形成面的處理，例如包含半導體基板的拋光、化學蝕刻、乾式蝕刻、電漿處理等，進行半導體基板的電路非形成面所產生的變形的除去、或半導體基板的進一步薄層化、氧化膜等的除去、電極形成前的處理等。
而且，於所述研磨步驟後，亦可進行於半導體基板的背面貼著晶片接合（die bonding）用接著膜的步驟。作為貼著晶片接合用接著膜的裝置，例如存在有高鳥股份有限公司製造的型號：ATM-8200、高鳥股份有限公司製造的型號：DM-800等。而且，於最近，背面加工部、晶片接合用接著膜貼附部、及表面保護膜剝離部成為一體的裝置的所謂的線上（inline）背面加工機亦得到實用化。作為此種線上背面加工機，例如可列舉東京精密股份有限公司製造的型號：PG300RM。
剝離步驟是在所述研磨步驟之後，將半導體基板的電路形成面所貼著的表面保護膜自所述半導體基板的電路形成面剝離的步驟。 表面保護膜的剝離可藉由人手而進行，一般藉由被稱為自動剝離機的裝置而進行。作為自動剝離機，例如存在有高鳥股份有限公司製造的型號：ATRM-2000B、高鳥股份有限公司製造的型號：ATRM-2100、帝國精機股份有限公司製造的型號：STP系列、日東精機股份有限公司製造的型號：HR8500-II等。而且，為了提高表面保護膜的剝離性，可一面對半導體基板進行加熱一面進行表面保護膜的剝離。
可視需要對剝離表面保護膜後的半導體基板的電路形成面進行清洗。 作為清洗方法，例如可列舉水清洗、溶劑清洗等濕式清洗、電漿清洗等乾式清洗等。在進行濕式清洗的情況下，亦可併用超音波清洗。該些清洗方法可根據半導體基板表面的污染狀況而適宜選擇。
藉由本發明的第1形態的半導體裝置的製造方法，於半導體基板的電路形成面貼著本發明的第1形態的應力緩和性膜，因此在對半導體基板的電路非形成面進行研磨時，並無於電路形成面產生傷痕、或附著塵埃之虞。而且，於研磨步驟中，可防止薄的半導體基板破損。
《第2形態》 [應力緩和性膜] 本發明的第2形態的應力緩和性膜含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為50質量%以上且98質量%以下。 藉由本發明的第2形態的應力緩和性膜，具有某種程度高的應力緩和性，且於與其他層積層的情況下難以產生層間剝離。
對於用以保護對象物免受外力所造成的損傷或破損的膜（以下亦稱為「保護膜」），要求例如應力緩和性等特性。 本發明者等人發現於骨架含有較多的4-甲基-1-戊烯的特定的熱塑性樹脂作為承擔應力緩和性的樹脂。然而，僅僅藉由該熱塑性樹脂所形成的膜雖然具有高的應力緩和性，但脫模性高，於與其他層積層的情況下容易產生層間剝離。 於本發明的第2形態中，藉由將膜設為以特定的比例含有承擔應力緩和性的於骨架含有較多的4-甲基-1-戊烯的特定的熱塑性樹脂A、承擔接著性及密接性的特定熱塑性樹脂B的形態，可實現具有某種程度高的應力緩和性，且於與其他層積層的情況下難以產生層間剝離的膜。
以下，對本發明的第2形態的應力緩和性膜中所含的成分加以說明。
[熱塑性樹脂A] 本發明的第2形態中的熱塑性樹脂A除了以下方面以外與本發明的第1形態中的熱塑性樹脂A同義，較佳的範圍（例如4-甲基-1-戊烯系共聚物的結構單元及其含有率、4-甲基-1-戊烯系共聚物的物性（例如極限黏度[η]、重量平均分子量（Mw）、分子量分佈（Mw/Mn）、熔融流動速率（MFR）、密度、熔點（Tm）等）及其測定方法、合成方法等）與其理由亦相同。
於本發明的第2形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物中，包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元，更佳的是包含70 mol%～88 mol%，進一步更佳的是包含70 mol%～86 mol%。 若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元不足70 mol%，則無法獲得保護膜所需的程度的高的應力緩和性。而且，若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元超過90 mol%，則脫模性過於變高，因此於與其他層積層的情況下產生層間剝離。
於本發明的第2形態中的4-甲基-1-戊烯系共聚物中，包含10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，更佳的是包含11 mol%～30 mol%，進一步更佳的是包含14 mol%～30 mol%。 若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元不足10 mol%，則材料的剛性過於提高，因此變得無法獲得適宜的應力緩和性。而且，若4-甲基-1-戊烯系共聚物中所含的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元超過30 mol%，則結晶性降低而變得未能觀測到熔點，因此柔軟化進展，膜成形變困難。
源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元是源自乙烯或丙烯的結構單元。於本發明中，自應力緩和性的觀點考慮，源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元特佳的是源自丙烯的結構單元。
作為本發明的第2形態的應力緩和性膜中的熱塑性樹脂A的含量，相對於應力緩和性膜的總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，較佳的是5質量%以上且48質量%以下，更佳的是10質量%以上且45質量%以下。 若熱塑性樹脂A的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言不足2質量%，則無法獲得保護膜所需的程度的高的應力緩和性。 若熱塑性樹脂A的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言為50質量%以上，則脫模性過於變高，因此在與其他層積層的情況下產生層間剝離。
[熱塑性樹脂B] 本發明的第2形態中的熱塑性樹脂B除了以下的方面以外與本發明的第1形態中的熱塑性樹脂B同義，較佳的範圍（例如組成、物性（熔融流動速率（MFR）、密度等）及其測定方法等）與其理由亦相同。
作為本發明的第2形態的應力緩和性膜中的熱塑性樹脂B的含量，相對於應力緩和性膜的總質量而言為50質量%以上且98質量%以下，較佳的是52質量%以上且95質量%以下，更佳的是55質量%以上且90質量%以下。 若熱塑性樹脂B的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言不足50質量%，則無法表現出充分的接著性及密接性，於與其他層積層的情況下產生層間剝離。 若熱塑性樹脂B的含量相對於應力緩和性膜的總質量而言超過98質量%，則無法獲得保護膜所需的程度的高的應力緩和性。
[其他樹脂] 本發明的第2形態的應力緩和性膜亦可於不損及本發明的第2形態的目的之範圍內含有所述熱塑性樹脂A及熱塑性樹脂B以外的其他樹脂。
[應力緩和性膜的結構] 較佳的是本發明的第2形態的應力緩和性膜具有海島結構，所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的島部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的海部。 於本發明中，所謂「實質上由熱塑性樹脂B而形成的」海部是表示海部中的熱塑性樹脂B的含量相對於海部的構成成分的總質量而言為70質量%以上。
具有海島結構（所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的島部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的海部）的本發明的應力緩和性膜具有更高的應力緩和性，且在積層其他層的情況下更難產生層間剝離。起到此種效果的理由尚不明確，但本發明者等人如下所述地推測。 承擔接著性及密接性的熱塑性樹脂B成為海部，因此更有效地發揮由於熱塑性樹脂B的接著性能及密接性能。其結果，即使在積層其他層的情況下，亦變得更難產生層間剝離。而且，承擔應力緩和性的熱塑性樹脂A成為島部，分散於膜中，因此更有效地發揮由於熱塑性樹脂A的應力緩和性能。其結果，膜的應力緩和性變得更高。
另外，本發明的第2形態的應力緩和性膜具有海島結構（所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的島部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的海部）例如可藉由穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope；TEM）而確認。具體而言，對膜進行研磨而製作超薄切片，藉由四氧化釕或四氧化鋨等重金屬氧化物僅對任意一種成分選擇性染色後，使用穿透式電子顯微鏡而進行觀察。
具有海島結構（所述海島結構包含：含有熱塑性樹脂A而成的島部、以及實質上由熱塑性樹脂B而形成的海部）的膜例如可藉由如下方式而獲得：藉由乾摻將熱塑性樹脂A與熱塑性樹脂B加以混合，藉由擠出進行膜成形。
[應力緩和性膜的製造方法] 對本發明的第2形態的應力緩和性膜的製造方法的一例加以說明。本發明的第2形態的應力緩和性膜例如可藉由下述的方法而製造。但本發明的第2形態並不限定於下述方法。 對熱塑性樹脂A與熱塑性樹脂B加以混合（例如乾摻）。自形成所述海島結構的觀點考慮，與藉由熔融混練等而均一地混合熱塑性樹脂A與熱塑性樹脂B相比而言，較佳的是藉由乾摻等而適度地混練。 其次，將所得的混合物投入至設置有T模的擠出機的料斗中，將料缸溫度設定為100℃～270℃，將模具溫度設定為200℃～270℃。自T模擠出熔融混練物，進行流延成形而獲得應力緩和性膜。
本發明的第2形態的應力緩和性膜的厚度較佳的是50 μm～350 μm，更佳的是60 μm～300 μm，進一步更佳的是70 μm～200 μm。若本發明的第2形態的應力緩和性膜的厚度為所述範圍內，則容易處理。
[應力緩和性膜的用途] 本發明的第2形態的應力緩和性膜能夠以建材或光學零件等各種樹脂製品、金屬製品、玻璃製品等的輸送時、保管時、加工時等的防止損傷或防塵為目的，作為貼著於該些表面的保護膜而適宜地使用。
而且，本發明的第2形態的應力緩和性膜可作為保護膜而特別適宜地使用，所述保護膜是用以在對半導體基板的電路非形成面進行研磨，使半導體基板成為所期望的厚度時，防止半導體基板的電路形成面的損傷或破損。 本發明的第2形態的應力緩和性膜具有應力緩和性，因此可有效地防止半導體基板的電路形成面的損傷或破損。而且，本發明的第2形態的應力緩和性膜即使在積層其他層的情況下，亦難以產生層間剝離，因此貼著於半導體基板的電路形成面、自半導體基板的電路形成面剝離等的作業性良好。
[積層體] 本發明的第2形態的積層體包含：應力緩和層，包含所述本發明的第2形態的應力緩和性膜；以及表面層，包含作為選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、及丁烯系聚合物所構成的群組之至少1種聚合物的熱塑性樹脂C，且至少一部分與所述應力緩和層接觸。 本發明的第2形態的積層體具有某種程度的高的應力緩和性，且於與其他層積層的情況下難以產生層間剝離，含有包含所述本發明的第2形態的應力緩和性膜的應力緩和層，因此應力緩和性某種程度地高，而且於應力緩和層與該應力緩和層所接觸之層之間難以產生層間剝離。
[應力緩和層] 本發明的第2形態的積層體中的應力緩和層包含所述本發明的第2形態的應力緩和性膜。另外，關於本發明的第2形態的應力緩和性膜，如上所述，因此於此處省略說明。
[表面層] 本發明的第2形態的積層體中的表面層與本發明的第1形態的積層體中的表面層同義，較佳的範圍（例如組成、存在位置、與應力緩和層的接觸比例等）與其理由亦相同。
（熱塑性樹脂C） 本發明的第2形態中的熱塑性樹脂C與本發明的第1形態中的熱塑性樹脂C同義，較佳的範圍（例如組成、物性（熔融流動速率（MFR）、密度等）及其測定方法、表面層中的含量等）與其理由亦相同。
[其他層] 本發明的第2形態的積層體亦可在不損及本發明的第2形態的目的之範圍內包含應力緩和層及表面層以外的其他層。
[積層體的製造方法] 本發明的第2形態的積層體的製造方法與本發明的第1形態的積層體的製造方法相同，較佳的範圍（例如製造條件、表面層與應力緩和層的厚度比（表面層的厚度/應力緩和層的厚度）、積層體的厚度等）與其理由亦相同。
[半導體用表面保護膜] 本發明的第2形態的半導體用表面保護膜（以下亦簡稱為「表面保護膜」）是在半導體基板的研磨時保護該半導體基板的電路形成面者，包含本發明的第2形態的應力緩和性膜。本發明的第2形態的表面保護膜可僅僅包含本發明的第2形態的應力緩和性膜，亦可為本發明的第2形態的應力緩和性膜與其他層的積層體。理想的是在不損及本發明的第2形態的應力緩和性膜的效果的範圍內適宜選擇其他層。
本發明的第2形態的表面保護膜包含所述本發明的第2形態的應力緩和性膜，因此具有某種程度的高的應力緩和性。因此，藉由本發明的第2形態的表面保護膜，可有效地防止半導體基板的電路形成面的損傷或破損。 而且，於本發明的第2形態的表面保護膜是所述本發明的第2形態的應力緩和性膜與其他層的積層體的情況下，難以產生層間剝離，因此可良好地進行貼著於半導體基板的電路形成面、自半導體基板的電路形成面剝離等作業。
[基材層] 本發明的第2形態的表面保護膜中所可含的基材層與本發明的第1形態的表面保護膜中所可含的基材層同義，較佳的範圍（例如彈性模數、存在位置、組成、厚度等）與其理由亦相同。
[黏著層] 本發明的第2形態的表面保護膜中所可含的黏著層與本發明的第1形態的表面保護膜中所可含的黏著層同義，較佳的範圍（例如存在位置、構成黏著層的黏著劑、厚度、黏著力等）與其理由亦相同。
[其他層] 本發明的第2形態的表面保護膜中所可含的其他層與本發明的第1形態的表面保護膜中所可含的其他層同義，較佳的範圍（例如彈性模數、組成等）與其理由亦相同。
[表面保護膜的製造方法] 本發明的第2形態的表面保護膜的製造方法與本發明的第1形態的表面保護膜的製造方法相同，較佳的範圍（例如製造條件等）與其理由亦相同。
[半導體裝置的製造方法] 本發明的第2形態的半導體裝置的製造方法與本發明的第1形態的半導體裝置的製造方法相同，較佳的範圍（例如製造條件等）與其理由亦相同。
藉由本發明的第2形態的半導體裝置的製造方法，於半導體基板的電路形成面貼著本發明的第2形態的應力緩和性膜，因此在半導體基板的電路非形成面的研磨時，並無於電路形成面產生傷痕、或者附著塵埃之虞，而且，於研磨步驟中，可防止薄的半導體基板破損。 於本發明的第2形態的半導體裝置的製造方法中，於半導體基板的電路形成面所貼著的本發明的第2形態的應力緩和性膜為與其他層的積層體的情況下，難以產生層間剝離，因此可良好地進行貼著作業。
[樹脂改質劑] 本發明的第2形態的樹脂改質劑含有：熱塑性樹脂A，其是包含70 mol%～90 mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10 mol%～30 mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4～20的α-烯烴的結構單元的比率為10 mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為50質量%以上且98質量%以下。 藉由本發明的第2形態的樹脂改質劑，可對樹脂賦予某種程度的高的應力緩和性、及在與其他層積層的情況下難以層間剝離的接著性。
本發明的第2形態的樹脂改質劑中的熱塑性樹脂A及熱塑性樹脂B分別與在應力緩和性膜之項中所說明的熱塑性樹脂A及熱塑性樹脂B同義，較佳的形態亦相同，因此於此處省略說明。 而且，關於本發明的第2形態的樹脂改質劑中的熱塑性樹脂A的含量及熱塑性樹脂B的含量，亦分別與應力緩和性膜之項中所說明的熱塑性樹脂A的含量及熱塑性樹脂B的含量同義，較佳的形態亦相同，因此於此處省略說明。
成為本發明的第2形態的樹脂改質劑的改質對象的樹脂並無特別限定。作為成為本發明的第2形態的樹脂改質劑的改質對象的樹脂，自基材的剛性、耐熱性、與熱塑性樹脂A的分散狀態所帶來的應力緩和性等的觀點考慮，較佳的是乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物等。 本發明的第2形態的樹脂改質劑較佳的是相對於成為改質對象的樹脂100質量份而言調配5質量份～50質量份，更佳的是調配10質量份～45質量份。
本發明的第2形態的樹脂改質劑含有特定量的熱塑性樹脂A與特定量的熱塑性樹脂B，亦可進一步於不損及本發明的第2形態的目的之範圍內含有例如耐候穩定劑、耐熱穩定劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、防滑劑、抗結塊劑、防霧劑、成核劑、潤滑劑、顏料、染料、抗老化劑、鹽酸吸收劑、無機或有機的填充劑、有機系或無機系的發泡劑、交聯劑、交聯助劑、黏著劑、軟化劑、阻燃劑等各種添加劑。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明的第1形態及第2形態進一步加以具體的說明。本發明的第1形態及第2形態只要不超過其主旨，則並不限定於以下的實施例。
《第1形態的實施例》 [合成例1A]共聚物A-1A的合成 於經過充分氮氣置換的容積為1.5 L的附有攪拌翼的SUS製高壓釜中，於23℃下裝入300 ml的正己烷（在乾燥氮氣環境下，於活性氧化鋁上進行了乾燥者）、及450 ml的4-甲基-1-戊烯，然後裝入0.75 ml的三異丁基鋁（TIBAL）的1.0 mmol/ml甲苯溶液，並轉動攪拌機。 其次，對高壓釜進行加熱直至內溫成為60℃，以總壓（錶壓）成為0.19 MPa的方式藉由丙烯進行加壓。 繼而，藉由氮氣將預先製備的包含以鋁（Al）換算計而言為1 mmol的甲基鋁氧烷、及0.01 mmol的二苯基亞甲基(1-乙基-3-第三丁基-環戊二烯基)(2,7-二-第三丁基-茀基)二氯化鋯的甲苯溶液0.34 ml壓入至高壓釜中，開始聚合反應。於聚合反應中，以高壓釜的內溫成為60℃的方式進行溫度調整。 自聚合開始60分鐘後，藉由氮氣將甲醇5 ml壓入至高壓釜中，聚合反應停止後，將高壓釜內釋壓至大氣壓。於釋壓後，於反應溶液中一面攪拌該反應溶液一面添加丙酮，獲得包含溶劑的聚合反應產物。其次，將所得的包含溶劑的聚合反應產物在減壓下、130℃下進行12小時的乾燥，獲得44.0 g的粉末狀的共聚物A-1A。
將所得的共聚物A-1A的各種物性的測定結果表示於表1中。 共聚物A-1A中的4-甲基-1-戊烯的含有率為84.1 mol%，丙烯的含有率為15.9 mol%。而且，共聚物A-1A的密度為838 kg/m3 。共聚物A-1A的極限黏度[η]為1.5 dl/g，重量平均分子量（Mw）為340,000，分子量分佈（Mw/Mn）為2.1。共聚物A-1A的熔點（Tm）為132℃，tanδ的最大值為1.6（顯示最大值時的溫度：39℃）。
[合成例2A]共聚物A-2A的合成 於經過充分氮氣置換的容積為1.5 L的附有攪拌翼的SUS製高壓釜中，於23℃下裝入300 ml的正己烷（在乾燥氮氣環境下，於活性氧化鋁上進行了乾燥者）、及450 ml的4-甲基-1-戊烯，然後裝入0.75 ml的三異丁基鋁（TIBAL）的1.0 mmol/ml甲苯溶液，並轉動攪拌機。 其次，對高壓釜進行加熱直至內溫成為60℃，以總壓（錶壓）成為0.40 MPa的方式藉由丙烯進行加壓。 繼而，藉由氮氣將預先製備的包含以Al換算計而言為1 mmol的甲基鋁氧烷、及0.01 mmol的二苯基亞甲基(1-乙基-3-第三丁基-環戊二烯基)(2,7-二-第三丁基-茀基)二氯化鋯的甲苯溶液0.34 ml壓入至高壓釜中，開始聚合反應。於聚合反應中，以高壓釜的內溫成為60℃的方式進行溫度調整。 自聚合開始60分鐘後，藉由氮氣將甲醇5 ml壓入至高壓釜中，聚合反應停止後，將高壓釜內釋壓至大氣壓。於釋壓後，於反應溶液中一面攪拌該反應溶液一面添加丙酮，獲得包含溶劑的聚合反應產物。其次，將所得的包含溶劑的聚合反應產物在減壓下、130℃下進行12小時的乾燥，獲得36.9 g的粉末狀的共聚物A-2A。
將所得的共聚物A-2A的各種物性的測定結果表示於表1中。 共聚物A-2A中的4-甲基-1-戊烯的含有率為72.5 mol%，丙烯的含有率為27.5 mol%。而且，共聚物A-2A的密度為839 kg/m3 。共聚物A-2A的極限黏度[η]為1.5 dl/g，重量平均分子量（Mw）為337,000，分子量分佈（Mw/Mn）為2.1。未觀察到共聚物A-2A的熔點（Tm），tanδ的最大值為2.8（顯示最大值時的溫度：31℃）。
[合成例3A]共聚物A-3A（比較共聚物）的合成 於經過充分氮氣置換的容積為1.5 L的附有攪拌翼的SUS製高壓釜中，於23℃下裝入750 ml的4-甲基-1-戊烯後，裝入0.75 ml的三異丁基鋁（TIBAL）的1.0 mmol/ml甲苯溶液，並轉動攪拌機。 其次，對高壓釜進行加熱直至內溫成為60℃，以總壓（錶壓）成為0.15 MPa的方式藉由丙烯進行加壓。 繼而，藉由氮氣將預先製備的包含以Al換算計而言為1 mmol的甲基鋁氧烷、及0.005 mmol的二苯基亞甲基(1-乙基-3-第三丁基-環戊二烯基)(2,7-二-第三丁基-茀基)二氯化鋯的甲苯溶液0.34 ml壓入至高壓釜中，開始聚合反應。於聚合反應中，以高壓釜的內溫成為60℃的方式進行溫度調整。 自聚合開始60分鐘後，藉由氮氣將甲醇5 ml壓入至高壓釜中，聚合反應停止後，將高壓釜內釋壓至大氣壓。於釋壓後，於反應溶液中一面攪拌該反應溶液一面添加丙酮，獲得包含溶劑的聚合反應產物。其次，將所得的包含溶劑的聚合反應產物在減壓下、130℃下進行12小時的乾燥，獲得45.9 g的粉末狀的共聚物A-3A。
將所得的共聚物A-3A的各種物性的測定結果表示於表1中。 共聚物A-3A中的4-甲基-1-戊烯的含有率為92.3 mol%，丙烯的含有率為7.7 mol%。而且，共聚物A-3A的密度為832 kg/m3 。共聚物A-3A的極限黏度[η]為1.6 dl/g，重量平均分子量（Mw）為370,000，分子量分佈（Mw/Mn）為2.1。共聚物A-3A的熔點（Tm）為178℃，tanδ的最大值為0.4（顯示最大值時的溫度：40℃）。
以下表示共聚物的各種物性的測定方法。
[組成] 共聚物中的4-甲基-1-戊烯及丙烯（碳數為3的α-烯烴）的含有率（mol%）可藉由13 C-NMR而進行測定。測定條件如下所示。
～條件～ 測定裝置：核磁共振裝置（ECP500型、日本電子股份有限公司製造） 觀測核：13 C（125 MHz） 序列：單脈衝質子去偶合 脈衝寬度：4.7 μs（45°脈衝） 重複時間：5.5秒 累計次數：1萬次以上 溶劑：鄰二氯苯/氘苯（容積比：80/20）混合溶劑 試樣濃度：55 mg/0.6 mL 測定溫度：120℃ 化學位移的基準值：27.50 ppm
[極限黏度[η]] 共聚物的極限黏度[η]是使用烏式黏度計作為測定裝置，於十氫萘溶劑中、135℃下進行測定。 具體而言，使約20 mg的粉末狀的共聚物溶解於十氫萘25 ml中之後，使用烏式黏度計，於135℃的油浴中測定比黏度ηsp。於該十氫萘溶液中加入十氫萘5 ml而進行稀釋後，與所述同樣地進行而測定比黏度ηsp。進一步反覆進行2次該稀釋操作，求出將濃度（C）外插為0時的ηsp/C的值作為極限黏度[η]（單位：dl/g）（參照下述式1）。 [η]=lim（ηsp/C） （C→0）···式1
[重量平均分子量（Mw）及分子量分佈（Mw/Mn）] 共聚物的重量平均分子量（Mw）、及以重量平均分子量（Mw）與數量平均分子量（Mn）的比而表示的分子量分佈（Mw/Mn）可藉由使用凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）的標準聚苯乙烯換算法而算出。測定條件如下所示。
～條件～ 測定裝置：GPC（ALC/GPC 150-C plus型、示差折射儀檢測器一體式、沃特世公司製造） 管柱：將GMH6-HT（東曹股份有限公司製造）2根、及GMH6-HTL（東曹股份有限公司製造）2根串列連接 溶離液：鄰二氯苯 管柱溫度：140℃ 流量：1.0 mL/min
[熔融流動速率（MFR）] 共聚物的熔融流動速率（Melt Flow Rate；MFR）是依據ASTM D1238，於230℃下以2.16 kg的負載進行測定。單位為g/10 min。
[密度] 共聚物的密度是依據JIS K7112（密度梯度管法）而進行測定。將該密度（kg/m3 ）作為輕量性的指標。
[熔點（Tm）] 共聚物的熔點（Tm）可使用示差掃描熱析儀（DSC220C型、精工電子股份有限公司製造）作為測定裝置而進行測定。 將約5 mg的共聚物密封於測定用鋁鍋中，以10℃/min自室溫加熱至200℃。為了使共聚物完全熔解，於200℃下保持5分鐘，其次以10℃/min冷卻至-50℃。於-50℃下放置5分鐘後，以10℃/min進行第2次加熱直至200℃，將該第2次的加熱的峰值溫度（℃）作為共聚物的熔點（Tm）。將該共聚物的熔點（Tm）作為耐熱性的指標。
[減震性] 將所述所得的粉末狀的共聚物投入至設置有開幅240 mm的T模的20 mmf的單軸擠出機（單軸片材形成機、田中鐵工所股份有限公司製造）的料斗中。繼而，將料缸溫度設定為100℃～250℃，將模具溫度設定為250℃，自T模擠出熔融混練物。於冷卻輥溫度為20℃、牽引速度為10 m/min下牽引該擠出的熔融混練物，藉此獲得厚度為50 μm的鑄膜。自該鑄膜切出45 mm×10 mm而作為試片。 關於該試片，使用黏彈性測定裝置（MCR301、安東帕（Anton Paar）公司製造），於頻率為10 rad/s下測定-70℃～180℃的溫度範圍的動態黏彈性，測定由於玻璃轉移溫度所引起的損耗角正切（tanδ）的最大值（峰值）與顯示該最大值時的溫度（峰值時的溫度）。
[表1]
Figure 107136626-A0304-0001
＜實施例1A＞ 將共聚物A-1A 75質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、丙烯·乙烯·丁烯無規共聚物、密度：907 kg/m3 、MFR（230℃）：7 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）25質量份加以混合（乾摻）。其次，將所得的混合物投入至設置有開幅240 mm的T模的20 mmf的單軸擠出機（單軸片材形成機、田中鐵工所股份有限公司製造）的料斗中。繼而，將料缸溫度設定為230℃，將模具溫度設定為250℃，自T模擠出熔融混練物而進行流延成形，藉此獲得實施例1A的膜。形成厚度為50 μm的膜與厚度為200 μm的膜。
＜實施例2A＞ 將共聚物A-1A 60質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）40質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得實施例2A的膜。
＜實施例3A＞ 將共聚物A-1A 60質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F107、丙烯的均聚物、密度：910 kg/m3 、MFR（230℃）：7 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）40質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得實施例3A的膜。
＜實施例4A＞ 將共聚物A-2A 60質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）40質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得實施例4A的膜。
＜實施例5A＞ 將共聚物A-1A 60質量份與乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、直鏈狀低密度聚乙烯、密度：924 kg/m3 、MFR（190℃）：3.8 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）40質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得實施例5A的膜。
＜比較例1A＞ 將共聚物A-1A 25質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）75質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得比較例1A的膜。
＜比較例2A＞ 將共聚物A-3A 60質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）40質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得比較例2A的膜。
＜比較例3A＞ 僅僅使用乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）作為膜的原料，除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得比較例3A的膜。
＜比較例4A＞ 僅僅使用丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）作為膜的原料，除此以外藉由與實施例1A同樣的方法而獲得比較例4A的膜。
[利用穿透式電子顯微鏡（TEM）觀察膜] 藉由切片機，於剖面方向對實施例1A～實施例5A及比較例1A～比較例2A的膜進行研磨，對膜剖面的超薄切片進行修整後，於四氧化釕的蒸氣中暴露一定時間而對一方選擇性染色。使用日立高新技術股份有限公司製造的穿透式電子顯微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope、型號：H-7650），於加速電壓：100 kV、及觀察倍率：10000倍的測定條件下對所製作的樣品進行觀察，結果確認實施例1A～實施例5A及比較例1A～比較例2A的膜具有海島結構，所述海島結構包含含有共聚物A-1A、共聚物A-2A、或共聚物A-3A的海部、與實質上由丙烯系聚合物所形成的島部。將實施例2A的膜的TEM影像表示於圖1中。
[評價] 關於實施例1A～實施例5A及比較例1A～比較例4A的膜，進行拉伸降服點強度（YS）、拉伸斷裂伸長率（EL）、拉伸斷裂強度（TS）、拉伸彈性模數（YM）、耐衝擊性、及應力緩和性的評價。將評價結果表示於下述表2中。
1.拉伸降服點強度、拉伸斷裂伸長率、拉伸斷裂強度、及拉伸彈性模數 使用將厚度為200 μm的膜切割為寬25 mm×長100 mm的啞鈴狀而成者作為試片。 依據JIS K7127（1999），使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗（Instron）公司製造），於夾盤間距離為50 mm、拉伸速度為200 mm/min、及溫度為23℃的條件下，測定試片的拉伸降服點強度（單位：MPa）、拉伸斷裂伸長率（單位：%）、拉伸斷裂強度（單位：MPa）、及拉伸彈性模數（單位：MPa）。
2.耐衝擊性 使用將厚度為50 μm的膜切割為寬100 mm×長100 mm的短條狀而成者作為試片。 於23℃的條件下，將試片夾於金屬製的夾盤中，使頂端直徑為12.7 mm的圓筒狀的測定夾具傾斜而自50 cm的高度落下。繼而，測定藉由目視確認與試片接觸時的對試片的衝擊強度（破壞能量），依照下述評價基準進行膜的耐衝擊性的評價。 於實用上所許可的是分類為[A]者。
（評價基準） A：破壞能量為0.05 J以上。 B：破壞能量不足0.05 J。
3.應力緩和性 使用自厚度為50 μm的膜沖裁為寬10 mm×長100 mm的片材而成者作為試片。 使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗公司製造），於夾盤間距離為75 mm、拉伸速度為200 mm/min、及溫度為23℃的條件下使試片伸長10%。繼而，測量使其伸長10%時的應力（初始應力），於該狀態下保持試片的伸長120秒，測量其間的應力的變化。繼而，根據所述初始應力與伸長60秒後的應力之差算出應力緩和率，依據下述評價基準進行膜的應力緩和性的評價。 於實用上所許可的是分類為[A]、[B]及[C]者。
（評價基準） A：應力緩和率為60%以上。 B：應力緩和率為55%以上且不足60%。 C：應力緩和率為52%以上且不足55%。 D：應力緩和率不足52%。
[表2]
Figure 107136626-A0304-0002
如表2所示，可知實施例1A～實施例5A的膜兼具耐衝擊性與應力緩和性。相對於此，可知比較例1A、比較例3A、及比較例4A的膜的應力緩和性差，比較例2A的膜的耐衝擊性差。
＜實施例6A＞ 使用設置有開幅200 mm的T模的20 mmf的單軸擠出機（單軸二種三層片材成形機、諾澳泰克科技（Technovel）股份有限公司製造），藉由共擠出而成形二種三層膜（中間為應力緩和層），所述二種三層膜是包含如下者的3層構成的積層體（厚度：160 μm）：包含將共聚物A-1A 75質量份、及乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、直鏈狀低密度聚乙烯、密度：924 kg/m3 、MFR（190℃）：3.8 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）25質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：30 μm）。料缸溫度設定為200℃，模具溫度設定為200℃。
＜實施例7A＞ 藉由與實施例6A同樣的方法而成形包含如下者的2層構成的積層體（厚度：130 μm）：包含將共聚物A-1A 75質量份、及丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、丙烯·乙烯·丁烯無規共聚物、密度：907 kg/m3 、MFR（230℃）：7 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）25質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：30 μm）。
＜實施例8A＞ 藉由與實施例6A同樣的方法而成形包含如下者的2層構成的積層體（厚度：130 μm）：包含將共聚物A-1A 75質量份、及乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）25質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含將乙烯系共聚物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）80質量份、及乙烯系聚合物（TAFMER（註冊商標）DF605、乙烯·丁烯共聚物、源自乙烯的結構單元的比率：50 mol%以上、密度：861 kg/m3 、MFR（230℃）：0.9 g/10 min、三井化學股份有限公司製造）20質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的表面層（厚度：30 μm）。
＜實施例9A＞ 藉由與實施例6A同樣的方法而成形包含如下者的2層構成的積層體（厚度：130 μm）：包含將共聚物A-2A 75質量份、及丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）25質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：30 μm）。
＜比較例5A＞ 藉由與實施例6A同樣的方法而成形包含如下者的2層構成的積層體（厚度：130 μm）：包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：30 μm）。
＜比較例6A＞ 藉由與實施例6A同樣的方法而成形包含如下者的2層構成的積層體（厚度：130 μm）：包含丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：30 μm）。
＜比較例7A＞ 藉由與實施例6A同樣的方法而成形包含如下者的2層構成的積層體（厚度：130 μm）：包含共聚物A-1A 100質量份的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：30 μm）。
[評價] 關於實施例6A～9A及比較例5A～7A的積層體，進行拉伸降服點強度（YS）、拉伸斷裂伸長率（EL）、拉伸斷裂強度（TS）、拉伸彈性模數（YM）、耐衝擊性、應力緩和性、及剝離強度的評價。將評價結果表示於下述表3中。
1.拉伸降服點強度、拉伸斷裂伸長率、拉伸斷裂強度、及拉伸彈性模數 使用將積層體切割為寬25 mm×長100 mm的啞鈴狀而成者作為試片。 依據JIS K7127（1999），使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗公司製造），於夾盤間距離為50 mm、拉伸速度為200 mm/min、及溫度為23℃的條件下，測定試片的拉伸降服點強度（單位：MPa）、拉伸斷裂伸長率（單位：%）、拉伸斷裂強度（單位：MPa）、及拉伸彈性模數（單位：MPa）。
2.耐衝擊性 使用將積層體切割為寬100 mm×長100 mm的短條狀而成者作為試片。 於23℃的條件下，將試片夾於金屬製的夾盤中，使頂端直徑為12.7 mm的圓筒狀的測定夾具傾斜而自50 cm的高度落下。繼而，測定藉由目視確認與試片接觸時的對試片的衝擊強度（破壞能量），依照下述評價基準進行積層體的耐衝擊性的評價。 於實用上所許可的是分類為[A]者。
（評價基準） A：破壞能量為0.05 J以上。 B：破壞能量不足0.05 J。
3.應力緩和性 使用自積層體沖裁為寬10 mm×長100 mm的片材而成者作為試片。 使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗公司製造），於夾盤間距離為75 mm、拉伸速度為200 mm/min、及溫度為23℃的條件下使試片伸長10%。繼而，測量使其伸長10%時的應力（初始應力），於該狀態下保持試片伸長120秒，測量其間的應力的變化。繼而，根據所述初始應力與伸長60秒後的應力之差算出應力緩和率，依據下述評價基準進行積層體的應力緩和性的評價。 於實用上所許可的是分類為[A]、[B]及[C]者。
（評價基準） A：應力緩和率為60%以上。 B：應力緩和率為55%以上且不足60%。 C：應力緩和率為52%以上且不足55%。 D：應力緩和率不足52%。
4.剝離強度 使用將積層體切割為寬15 mm×長100 mm的短條狀而成者作為試片。 使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗公司製造）作為測定裝置，於夾盤間距離為80 mm、拉伸速度為200 mm/min、及溫度為23℃的條件下，於相對於應力緩和層與表面層的接著面而言為180°的方向上進行拉伸，使應力緩和層與表面層之間剝離。對5個試片的測定值進行平均而作為剝離強度。
[表3]
Figure 107136626-A0304-0003
如表3所示，可知實施例6A～實施例9A的積層體兼具耐衝擊性與應力緩和性。而且，可知於實施例6A～實施例9A的積層體中，應力緩和層及表面層之層間的剝離強度高，應力緩和層與表面層的密接性良好。相對於此，可知比較例5A及比較例6A的積層體的應力緩和性差，比較例7A的積層體的應力緩和層及表面層之層間的剝離強度低，容易產生層間剝離。
《第2形態的實施例》 [合成例1B]共聚物A-1B的合成 於經過充分氮氣置換的容積為1.5 L的附有攪拌翼的SUS製高壓釜中，於23℃下裝入300 ml的正己烷（在乾燥氮氣環境下，於活性氧化鋁上進行了乾燥者）、及450 ml的4-甲基-1-戊烯，然後裝入0.75 ml的三異丁基鋁（TIBAL）的1.0 mmol/ml甲苯溶液，並轉動攪拌機。 其次，對高壓釜進行加熱直至內溫成為60℃，以總壓（錶壓）成為0.19 MPa的方式藉由丙烯進行加壓。 繼而，藉由氮氣將預先製備的包含以Al換算計而言為1 mmol的甲基鋁氧烷、及0.01 mmol的二苯基亞甲基(1-乙基-3-第三丁基-環戊二烯基)(2,7-二-第三丁基-茀基)二氯化鋯的甲苯溶液0.34 ml壓入至高壓釜中，開始聚合反應。於聚合反應中，以高壓釜的內溫成為60℃的方式進行溫度調整。 自聚合開始60分鐘後，藉由氮氣將甲醇5 ml壓入至高壓釜中，聚合反應停止後，將高壓釜內釋壓至大氣壓。於釋壓後，於反應溶液中一面攪拌該反應溶液一面添加丙酮，獲得包含溶劑的聚合反應產物。其次，將所得的包含溶劑的聚合反應產物在減壓下、130℃下進行12小時的乾燥，獲得44.0 g的粉末狀的共聚物A-1B。
將所得的共聚物A-1B的各種物性的測定結果表示於表4中。 共聚物A-1B中的4-甲基-1-戊烯的含有率為84.1 mol%，丙烯的含有率為15.9 mol%。而且，共聚物A-1B的密度為838 kg/m3 。共聚物A-1B的極限黏度[η]為1.5 dl/g，重量平均分子量（Mw）為340,000，分子量分佈（Mw/Mn）為2.1，熔融流動速率（MFR）為11 g/10 min。共聚物A-1B的熔點（Tm）為132℃，tanδ的最大值為1.6（顯示最大值時的溫度：39℃）。
[合成例2B]共聚物A-2B的合成 於經過充分氮氣置換的容積為1.5 L的附有攪拌翼的SUS製高壓釜中，於23℃下裝入300 ml的正己烷（在乾燥氮氣環境下，於活性氧化鋁上進行了乾燥者）、及450 ml的4-甲基-1-戊烯，然後裝入0.75 ml的三異丁基鋁（TIBAL）的1.0 mmol/ml甲苯溶液，並轉動攪拌機。 其次，對高壓釜進行加熱直至內溫成為60℃，以總壓（錶壓）成為0.40 MPa的方式藉由丙烯進行加壓。 繼而，藉由氮氣將預先製備的包含以Al換算計而言為1 mmol的甲基鋁氧烷、及0.01 mmol的二苯基亞甲基(1-乙基-3-第三丁基-環戊二烯基)(2,7-二-第三丁基-茀基)二氯化鋯的甲苯溶液0.34 ml壓入至高壓釜中，開始聚合反應。於聚合反應中，以高壓釜的內溫成為60℃的方式進行溫度調整。 自聚合開始60分鐘後，藉由氮氣將甲醇5 ml壓入至高壓釜中，聚合反應停止後，將高壓釜內釋壓至大氣壓。於釋壓後，於反應溶液中一面攪拌該反應溶液一面添加丙酮，獲得包含溶劑的聚合反應產物。其次，將所得的包含溶劑的聚合反應產物在減壓下、130℃下進行12小時的乾燥，獲得36.9 g的粉末狀的共聚物A-2B。
將所得的共聚物A-2B的各種物性的測定結果表示於表4中。 共聚物A-2B中的4-甲基-1-戊烯的含有率為72.5 mol%，丙烯的含有率為27.5 mol%。而且，共聚物A-2B的密度為839 kg/m3 。共聚物A-2B的極限黏度[η]為1.5 dl/g，重量平均分子量（Mw）為337,000，分子量分佈（Mw/Mn）為2.1，熔融流動速率（MFR）為11 g/10 min。未觀察到共聚物A-2B的熔點（Tm），tanδ的最大值為2.8（顯示最大值時的溫度：31℃）。
以下表示共聚物A-1B及A-2B的各種物性的測定方法。
[組成] 共聚物中的4-甲基-1-戊烯及丙烯（碳數為3的α-烯烴）的含有率（mol%）可藉由13 C-NMR而進行測定。測定條件如下所示。
～條件～ 測定裝置：核磁共振裝置（ECP500型、日本電子股份有限公司製造） 觀測核：13 C（125 MHz） 序列：單脈衝質子去偶合 脈衝寬度：4.7 μs（45°脈衝） 重複時間：5.5秒 累計次數：1萬次以上 溶劑：鄰二氯苯/氘苯（容積比：80/20）混合溶劑 試樣濃度：55 mg/0.6 mL 測定溫度：120℃ 化學位移的基準值：27.50 ppm
[極限黏度[η]] 共聚物的極限黏度[η]是使用烏式黏度計作為測定裝置，於十氫萘溶劑中、135℃下進行測定。 具體而言，使約20 mg的粉末狀共聚物溶解於十氫萘25 ml中之後，使用烏式黏度計，於135℃的油浴中測定比黏度ηsp。於該十氫萘溶液中加入十氫萘5 ml而進行稀釋後，與所述同樣地進行而測定比黏度ηsp。進一步反覆進行2次該稀釋操作，求出將濃度（C）外插為0時的ηsp/C的值作為極限黏度[η]（單位：dl/g）（參照下述式1）。 [η]=lim（ηsp/C） （C→0）···式1
[重量平均分子量（Mw）及分子量分佈（Mw/Mn）] 共聚物的重量平均分子量（Mw）、及以重量平均分子量（Mw）與數量平均分子量（Mn）的比而表示的分子量分佈（Mw/Mn）可藉由使用凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）的標準聚苯乙烯換算法而算出。測定條件如下所示。
～條件～ 測定裝置：GPC（ALC/GPC 150-C plus型、示差折射儀檢測器一體式、沃特世公司製造） 管柱：將GMH6-HT（東曹股份有限公司製造）2根、及GMH6-HTL（東曹股份有限公司製造）2根串列連接 溶離液：鄰二氯苯 管柱溫度：140℃ 流量：1.0 mL/min
[熔融流動速率（MFR）] 共聚物的熔融流動速率（Melt Flow Rate；MFR）是依據ASTM D1238，於230℃下以2.16 kg的負載進行測定。單位為g/10min。
[密度] 共聚物的密度是依據JIS K7112（密度梯度管法）而進行測定。將該密度（kg/m3 ）作為輕量性的指標。
[熔點（Tm）] 共聚物的熔點（Tm）可使用示差掃描熱析儀（DSC220C型、精工電子股份有限公司製造）作為測定裝置而進行測定。 將約5 mg的共聚物密封於測定用鋁鍋中，以10℃/min自室溫加熱至200℃。為了使共聚物完全熔解，於200℃下保持5分鐘，其次以10℃/min冷卻至-50℃。於-50℃下放置5分鐘後，以10℃/min進行第2次加熱直至200℃，將該第2次的加熱的峰值溫度（℃）作為共聚物的熔點（Tm）。將該共聚物的熔點（Tm）作為耐熱性的指標。
[減震性] 將所述所得的粉末狀共聚物投入至設置有開幅240 mm的T模的20 mmf的單軸擠出機（單軸片材形成機、田中鐵工所股份有限公司製造）的料斗中。繼而，將料缸溫度設定為100℃～250℃，將模具溫度設定為250℃，自T模擠出熔融混練物。於冷卻輥溫度為20℃、牽引速度為10 m/min下牽引該擠出的熔融混練物，藉此獲得厚度為50 μm的鑄膜。自該鑄膜切出45 mm×10 mm而作為試片。 關於該試片，使用黏彈性測定裝置（MCR301、安東帕（Anton Paar）公司製造），於頻率為10 rad/s下測定-70℃～180℃的溫度範圍的動態黏彈性。繼而，將所得的由於玻璃轉移溫度所引起的損耗角正切（tanδ）的最大值與顯示該最大值時的溫度作為減震性的指標。
[表4]
Figure 107136626-A0304-0004
[應力緩和性膜] ＜實施例1B＞ 將共聚物A-1B 30質量份與乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、直鏈狀低密度聚乙烯、密度：924 kg/m3 、MFR（190℃）：3.8 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）70質量份加以混合（乾摻）。其次，將所得的混合物投入至設置有開幅240 mm的T模的20 mmf的單軸擠出機（單軸片材形成機、田中鐵工所股份有限公司製造）的料斗中。繼而，將料缸溫度設定為230℃，將模具溫度設定為250℃，自T模擠出熔融混練物而進行流延成形，藉此獲得應力緩和性膜（厚度：200 μm）。
＜實施例2B＞ 將共聚物A-1B 40質量份與丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、丙烯·乙烯·丁烯無規共聚物、密度：907 kg/m3 、MFR（230℃）：7 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）60質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1B同樣的方法而獲得應力緩和性膜（厚度：200 μm）。
＜實施例3B＞ 將共聚物A-2B 20質量份與乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）80質量份加以混合（乾摻），除此以外藉由與實施例1B同樣的方法而獲得應力緩和性膜（厚度：200 μm）。
＜比較例1B＞ 僅僅使用將乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）50質量份與乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP0540、直鏈狀低密度聚乙烯、密度：903 kg/m3 、MFR（190℃）：3.8 g/10 min、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）50質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物作為原料，除此以外藉由與實施例1B同樣的方法而獲得應力緩和性膜（厚度：200 μm）。
＜比較例2B＞ 僅僅使用丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）作為原料，除此以外藉由與實施例1B同樣的方法而獲得應力緩和性膜（厚度：200 μm）。
＜比較例3B＞ 僅僅使用共聚物A-1B作為原料，除此以外藉由與實施例1B同樣的方法而獲得應力緩和性膜（厚度：200 μm）。
[利用穿透式電子顯微鏡（TEM）觀察膜] 藉由切片機，於剖面方向對實施例1B～實施例3B的應力緩和性膜進行研磨，對膜剖面的超薄切片進行修整後，於四氧化釕的蒸氣中暴露一定時間而對一方選擇性染色。使用日立高新技術股份有限公司製造的穿透式電子顯微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope、型號：H-7650），於加速電壓：100 kV、及觀察倍率：3000倍的測定條件下對所製作的樣品進行觀察，結果確認實施例1B的應力緩和性膜具有海島結構（所述海島結構包含：含有共聚物A-1B的島部、以及實質上由乙烯系聚合物而形成的海部），實施例2B的應力緩和性膜具有海島結構（所述海島結構包含：含有共聚物A-1B的島部、以及實質上由丙烯系聚合物而形成的海部），實施例3B的應力緩和性膜具有海島結構（所述海島結構包含：含有共聚物A-2B的島部、以及實質上由乙烯系聚合物而形成的海部）。將實施例3B的膜的TEM影像表示於圖2中。
[應力緩和率的測定] 使用自實施例1B～實施例3B及比較例1B～比較例3B的應力緩和性膜沖裁為寬10 mm×長100 mm的片材而成者作為試片。 使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗公司製造），於夾盤間距離為75 mm、拉伸速度為200 mm/min、及溫度為23℃的條件下使試片伸長10%。繼而，測量使其伸長10%時的應力（初始應力），於該狀態下保持試片伸長120秒，測量其間的應力的變化。繼而，根據所述初始應力與伸長60秒後的應力之差算出應力緩和率（單位：%），將其作為應力緩和性的評價的指標。將結果表示於下述表5中。
[積層體] ＜實施例4B＞ 使用設置有開幅200 mm的二種三層型T模的20 mmf的單軸擠出機（諾澳泰克科技（Technovel）股份有限公司製造），藉由共擠出而成形二種三層構成的積層體（厚度：160 μm、層構成：表面層/應力緩和層/表面層），其包含：包含將共聚物A-1B 30質量份、及乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）70質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：各30 μm）。另外，將料缸溫度設定為200℃，將模具溫度設定為200℃。
＜實施例5B＞ 藉由與實施例4B同樣的方法而成形二種三層構成的積層體（厚度：160 μm、層構成：表面層/應力緩和層/表面層），其包含：包含將共聚物A-1B 40質量份、及丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）60質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：各30 μm）。
＜實施例6B＞ 藉由與實施例4B同樣的方法而成形二種三層構成的積層體（厚度：160 μm、層構成：表面層/應力緩和層/表面層），其包含：包含將共聚物A-2B 30質量份、及乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）70質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含將乙烯系共聚物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）80質量份、及乙烯系聚合物（TAFMER（註冊商標）DF605、乙烯·丁烯共聚物、源自乙烯的結構單元的比率：50 mol%以上、密度：861 kg/m3 、MFR（230℃）：0.9 g/10 min、三井化學股份有限公司製造）20質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的表面層（厚度：各30 μm）。
＜比較例4B＞ 藉由與實施例4B同樣的方法而成形二種三層構成的積層體（厚度：160 μm、層構成：表面層/應力緩和層/表面層），其包含：包含將乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）50質量份與乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP0540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）50質量份加以混合（乾摻）而所得的混合物的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：各30 μm）。
＜比較例5B＞ 藉由與實施例4B同樣的方法而成形二種三層構成的積層體（厚度：160 μm、層構成：表面層/應力緩和層/表面層），其包含：包含丙烯系聚合物（PRIME POLYPRO（註冊商標）F327、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：各30 μm）。
＜比較例6B＞ 藉由與實施例4B同樣的方法而成形二種三層構成的積層體（厚度：160 μm、層構成：表面層/應力緩和層/表面層），其包含：包含共聚物A-1B 100質量份的應力緩和層（厚度：100 μm），包含乙烯系聚合物（Evolue（註冊商標）SP2540、普瑞曼聚合物股份有限公司製造）100質量份的表面層（厚度：各30 μm）。
[剝離強度的測定] 使用將實施例4B～實施例6B及比較例4B～比較例6B的積層體切割為寬15 mm×長100 mm的短條狀而成者作為試片。 使用切割機於試片的表面（其中一個面）劃傷後，於該試片的兩端貼附強黏著膠帶，用手拉伸該強黏著膠帶，進行使表面層與應力緩和層之間剝離的嘗試。此時，關於未剝離的積層體，於下述表5的相應的欄中記載為「未剝離」。關於剝離的積層體，另行使用拉伸試驗機（萬能拉伸試驗機3380、英斯特朗公司製造），於夾盤間距離為80 mm、拉伸速度為300 mm/min、及溫度為23℃的條件下，於相對於應力緩和層與表面層的接著面而言為180°的方向上拉伸，使應力緩和層與表面層之間剝離，測定剝離強度（層間剝離強度）。剝離強度是對5個試片進行測定，算出平均值。將結果表示於下述表5中。
[表5]
Figure 107136626-A0304-0005
如表5所示，本發明的應力緩和性膜具有良好的應力緩和性（參照實施例1B～實施例3B），而且在與其他層積層的情況下，於與其他層之間顯示良好的接著性（參照實施例4B～實施例6B）。 [產業上之可利用性]
本發明的應力緩和性膜可用作以建材或光學零件等各種樹脂製品、金屬製品、玻璃製品等的輸送時、保管時、及加工時的防止損傷或防塵為目的而使用的表面保護膜或其構件。而且，本發明的應力緩和性膜藉由在半導體基板的研磨時，作為保護電路形成面的膜而使用，可抑制於半導體基板產生破裂或傷痕。因此，本發明的應力緩和性膜作為半導體基板用表面保護膜或其構件亦非常有用。
作為於日本提出申請的2013-137495、於日本提出申請的2013-163579、及於日本提出申請的2013-173556的揭示，藉由參照而將其整體併入至本說明書中。 作為本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術規格，與具體且各個地記載藉由參照而併入各個文獻、專利申請及技術規格之情形同等程度地，藉由參照而併入至本說明書中。
無
圖1是實施例2A的膜的TEM影像。 圖2是實施例3B的膜的TEM影像。

Claims (14)

  1. 一種應力緩和性膜，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含80mol%~90mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10mol%~20mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4~20的α-烯烴的結構單元的比率為10mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為50質量%~98質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為2質量%~50質量%，所述應力緩和性膜具有海島結構，所述海島結構包含：含有所述熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由所述熱塑性樹脂B而形成的島部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂A是包含80mol%~88mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元的共聚物。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂B是選自由乙烯系聚合物及丙烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物。
  4. 一種半導體用表面保護膜，其包含如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之應力緩和性膜，於半導體基板的研磨時對所述半導體基板的電路形成面進行保護。
  5. 一種半導體用表面保護膜，其於半導體基板的研磨時對所述半導體基板的電路形成面進行保護，所述半導體用表面保護膜包含：基材層，所述基材層的於頻率1.6Hz下測定的25℃下的儲藏彈性模數G'(25)為5×107Pa以上；以及應力緩和性膜，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含70mol%~90mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10mol%~30mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4~20的α-烯烴的結構單元的比率為10mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為50質量%~98質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為2質量%~50質量%，所述應力緩和性膜具有海島結構，所述海島結構包含：含有所述熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由所述熱塑性樹脂B 而形成的島部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之半導體用表面保護膜，其中，於所述應力緩和性膜的存在所述基材層之側的相反側包含黏著層。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，其包含：準備步驟，準備僅僅於其中一個面上形成有電路的半導體基板；貼著步驟，將如申請專利範圍第6項所述之半導體用表面保護膜，以所述表面保護膜的所述黏著層與所述半導體基板的電路形成面對向的方式貼著於所述半導體基板的電路形成面；研磨步驟，對所述半導體基板的電路非形成面進行研磨；以及剝離步驟，將貼著於所述半導體基板的電路形成面的表面保護膜，自所述半導體基板的電路形成面剝離。
  8. 一種應力緩和性膜，其含有：熱塑性樹脂A，其是包含84.1mol%~90mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10mol%~15.9mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4~20的α-烯烴的結構單元的比率為10mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物； 所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為50質量%以上且98質量%以下，所述應力緩和性膜具有海島結構，所述海島結構包含：含有所述熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由所述熱塑性樹脂B而形成的島部。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂A是包含84.1mol%~88mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元的共聚物。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之應力緩和性膜，其中，所述熱塑性樹脂B是選自由乙烯系聚合物及丙烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物。
  11. 一種半導體用表面保護膜，其包含如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述之應力緩和性膜，於半導體基板的研磨時對所述半導體基板的電路形成面進行保護。
  12. 一種半導體用表面保護膜，其於半導體基板的研磨時對所述半導體基板的電路形成面進行保護，所述半導體用表面保護膜包含：基材層，所述基材層的於頻率1.6Hz下測定的25℃下的儲藏彈性模數G'(25)為5×107Pa以上；以及應力緩和性膜，其含有： 熱塑性樹脂A，其是包含70mol%~90mol%的源自4-甲基-1-戊烯的結構單元、及10mol%~30mol%的源自碳數為2或3的α-烯烴的結構單元，且源自4-甲基-1-戊烯以外的碳數為4~20的α-烯烴的結構單元的比率為10mol%以下的共聚物；以及所述熱塑性樹脂A以外的熱塑性樹脂B，其是選自由乙烯系聚合物、丙烯系聚合物、丁烯系聚合物、及4-甲基-1-戊烯系聚合物所構成的群組的至少1種聚合物；所述熱塑性樹脂A的含量相對於總質量而言為2質量%以上且不足50質量%，所述熱塑性樹脂B的含量相對於總質量而言為50質量%以上且98質量%以下，所述應力緩和性膜具有海島結構，所述海島結構包含：含有所述熱塑性樹脂A而成的海部、以及實質上由所述熱塑性樹脂B而形成的島部。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之半導體用表面保護膜，其中，於所述應力緩和性膜的存在所述基材層之側的相反側包含黏著層。
  14. 一種半導體裝置的製造方法，其包含：準備步驟，準備僅僅於其中一個面上形成有電路的半導體基板；貼著步驟，將如申請專利範圍第13項所述之半導體用表面保護膜，以所述表面保護膜的所述黏著層與所述半導體基板的電路 形成面對向的方式貼著於所述半導體基板的電路形成面；研磨步驟，對所述半導體基板的電路非形成面進行研磨；以及剝離步驟，將貼著於所述半導體基板的電路形成面的表面保護膜，自所述半導體基板的電路形成面剝離。
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