TWI682038B - 鎂合金及其製造方法、以及電子機器 - Google Patents
鎂合金及其製造方法、以及電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI682038B TWI682038B TW107135391A TW107135391A TWI682038B TW I682038 B TWI682038 B TW I682038B TW 107135391 A TW107135391 A TW 107135391A TW 107135391 A TW107135391 A TW 107135391A TW I682038 B TWI682038 B TW I682038B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- magnesium alloy
- temperature
- aforementioned
- mass
- magnesium
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Continuous Casting (AREA)
- Forging (AREA)
Abstract
本發明係提供一種不僅適用模具鑄造法，亦適用半固體鑄造法，且耐蝕性良好之鎂合金。本發明之鎂合金含有鎂、鋰、鋅、及鈹；並具有固相線溫度與液相線溫度；前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上。
Description
本發明係有關於鎂合金及其製造方法、以及電子機器。
於筆記型電腦等電子機器之框體內部配置有機械驅動部或電源等內部零件。如此之電子機器因需保護內部零件不受來自外部之衝撃或壓力等傷害，故要求框體具機械強度。如此之框體於金屬框體方面多使用有鐵、鋁合金之壓製加工品或切割加工品。
隨著電子機器之用途及使用場所多樣化，預期電子機器具可攜帶性。如此電子機器之框體除了機械強度之外，亦要求輕巧性。為回應如此要求，使用了將輕量且高剛性之鎂合金壓製加工而成者。
壓製加工用之鎂合金，目前有於鎂添加3%鋁、1%鋅之AZ31B合金上市。又，已提案有一種含有鋰之鎂合金(參照例如，專利文獻1)。
但，該等材料與鐵、或鋁合金相較，因非常具有活性，故有耐蝕性差的問題。又，因該等材料為不具顯示半固體狀態之固相線溫度的合金，故不適合半固體鑄造法。再者，半固體鑄造法較一般鑄造法之模具鑄造法，有鑄造時不易產生鏽，且容易管理熔融金屬的優點。
為解決耐蝕性差之問題，已提案一種藉由金屬鍍敷、化學轉化處理、鋅擴散膜等於合金表面形成被膜，以提升表面耐蝕性的技術(參照例如，非專利文獻1、專利文獻2~3)。但，被膜厚度增厚時，將有合金本身變重的問題。為解決該問題，考量了一種為減少被膜厚度而製作薄被膜之方法。但，製作薄被膜時，因成膜缺陷等而不易完全覆蓋合金表面。若未完全覆蓋合金表面，則耐蝕性不充分。因此，期望有耐蝕性良好之鎂合金。再者，前述技術中使用之鎂合金因為不具顯示半固體狀態之固相線溫度的合金，而不適合半固體鑄造法之點係與前述技術相同。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平9-41066號公報
專利文獻2：日本專利特開平10-140369號公報
專利文獻3：日本專利特開平2000-160320號公報
非專利文獻
非專利文獻1：鋁研究會誌No.9、p121
發明概要
發明欲解決之課題
本發明目的係提供不僅適用模具鑄造法，亦適用半固體鑄造法，且耐蝕性良好之鎂合金及其製造方法、以及使用其之電子機器。
用以解決課題之手段
態樣之1，一種鎂合金含有鎂、鋰、鋅、及鈹；並具有固相線溫度與液相線溫度；前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上。
又，態樣之1，一種鎂合金之製造方法包含以下步驟：
升溫步驟，其一面電磁感應攪拌750℃±20℃之鎂、鋰、鋅、及鈹的混合物，一面以50℃±10℃/分之升溫速度升溫至850℃±25℃；及
降溫步驟，其於前述升溫步驟後一面電磁感應攪拌前述混合物，一面以30℃±10℃/分之降溫速度降溫至525℃±10℃。
又，態樣之1，電子機器具有揭示之前述鎂合金。
發明效果
形態之1，可提供一種不僅適用模具鑄造法，亦適用半固體鑄造法，且耐蝕性良好之鎂合金。
又，形態之1，可提供一種不僅適用模具鑄造法，亦適用半固體鑄造法，且耐蝕性良好之鎂合金之製造方法。
又，形態之1，可提供一種使用有不僅適用模具鑄造法，亦適用半固體鑄造法，且耐蝕性良好之鎂合金的電子機器。
用以實施發明之形態
(鎂合金)
揭示之鎂合金至少含有鎂、鋰、鋅、及鈹，更可視需要含有鋁、錫、矽、鈣等其他金屬。
前述鎂合金亦可含有不可避免的雜質。
本發明人等為了提供一種不僅適用模具鑄造法，亦適用半固體鑄造法，且耐蝕性良好之鎂合金，全力地進行研究。
並且，本發明人等發現藉於鎂、鋰、及鋅中更添加鈹並攪拌，且以特定溫度條件製造鎂合金，可得耐蝕性優異且亦適用半固體鑄造法之鎂合金。
前述鎂合金具有固相線溫度與液相線溫度。
前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上，例如，可為50℃以上150℃以下、或50℃以上140℃以下，亦可為50℃以上130℃以下。
前述液相線溫度並未特別限制，可視目的適當地選擇，例如，可為560℃以上700℃以下、或570℃以上650℃以下，亦可為580℃以上620℃以下。
前述固相線溫度並未特別限制，可視目的適當地選擇，例如，可為490℃以上560℃以下、或500℃以上550℃以下。
前述液相線溫度、及前述固相線溫度可進行TG-DTA(微分熱×熱重量測定)求得。具體而言，以以下方法測定。
Ar氣體環境下以室溫至650℃升溫速度20℃/分之條件進行TG-DTA分析。
因小於顯示鎂合金熔融狀態之液相線溫度的溫度中吸熱峰值顯示半固體狀態，故顯示該吸熱峰值之極小值的溫度為固相線溫度。
前述固相線溫度的出現可視為與製造鎂合金之際的條件相關，宜藉由後述揭示之前述鎂合金之製造方法來製造前述鎂合金。
由前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上來看，揭示之前述鎂合金適用半固體鑄造法。
＜＜半固體鑄造法＞＞
半固體鑄造法(semi-solid metal casting)為鑄造技術之一。
半固體製造法亦稱作觸變成型法，其為將半熔融狀態(觸變)之金屬或合金射出成形之方法，具有例如，如以下之優點。
因以金屬或合金之碎片作為原料，故不需熔解爐及熔融金屬。
射出速度快故表面品質提升。
薄製品可精密成形。
熔融溫度較模具鑄造法低，故尺寸精度與機械性質提升。
經高溫化之原料不會與大氣接觸，故加工中不會產生氧化(生鏽)。
對如此之半固體鑄造法中使用的金屬×合金，要求固相線與液相線間之溫度範圍需充分地大。這是因為合金之開始熔解溫度至合金完全熔解溫度的溫度範圍[換言之，固液共存域(solid-liquid co-existence region)]充分地大，而容易控制鑄造溫度之故。如此，可製造形狀複雜與具優異機械特性之鑄造片。
適用半固體鑄造法之固相線與液相線間的溫度範圍，由經驗來看為50℃以上。若為50℃以上，固相線與液相線間之溫度範圍充分地大，可使用於半固體鑄造法。
＜鎂＞
前述鎂為前述鎂合金之主成分。
前述鎂合金中前述鎂含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，例如，可為80質量%以上、或85質量%以上。
＜鋰＞
前述鋰有助於前述鎂合金之輕量化。
前述鎂合金中前述鋰含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以6質量%以上16質量%以下為佳，以7質量%以上11質量%以下較佳，以8質量%以上10質量%以下特佳。前述含量若為16質量%以下，即可不使耐蝕性下降地輕量化。
＜鋅＞
前述鋅有助於提升前述鎂合金之強度。
前述鎂合金中前述鋅含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以0.1質量%以上4質量%以下為佳，以0.2質量%以上2質量%以下較佳，以0.5質量%以上1.5質量%以下特佳。前述含量若為4質量%以下，即可不產生脆化地提升強度。
＜鈹＞
含有鎂、鋰及鋅之鎂合金(例如，LZ91合金)，通常，未具有固相線、或即使具有固相線，但與液相線間之溫度範圍小。
本發明人等發現藉於鎂合金中適當地添加鈹，可產生與液相線之溫度差大的固相線。
又，含有鋰之鎂合金因其氧化性高，故有鎂合金之裸耐蝕性低的問題。
本發明人等發現於鎂合金中適當地添加鈹，可提升鎂合金之裸耐蝕性。
前述鎂合金中前述鈹含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以0.01質量%以上2質量%以下為佳，以0.02質量%以上1.5質量%以下較佳。以0.02質量%以上1質量%以下更佳，以0.03質量%以上0.5質量%以下特佳。由可充分得到前述鈹添加後之效果的點、及防止鎂合金變硬且脆之點來看，前述鈹含量以前述範圍為佳。
＜其他金屬＞
前述其他金屬可舉鋁、錫、矽、鈣等為例。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
＜＜鋁＞＞
前述鋁有助於提升前述鎂合金之強度。
前述鎂合金中前述鋁之含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以0.1質量%以上10質量%以下為佳，以1質量%以上8質量%以下較佳，以2質量%以上7質量%以下特佳。前述含量即使超過10質量%，提升強度之效果仍未變。
＜＜錫＞＞
前述錫有助於提升前述鎂合金之強度。
前述鎂合金中前述錫之含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以0.1質量%以上5質量%以下為佳，以0.5質量%以上4質量%以下較佳，以1質量%以上3質量%以下特佳。前述含量即使超過5質量%，提升強度之效果仍未變。
＜＜矽＞＞
前述矽有助於提升前述鎂合金之強度。
前述鎂合金中前述矽之含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以0.1質量%以上5質量%以下為佳，以0.2質量%以上3質量%以下較佳，以0.5質量%以上2質量%以下特佳。前述含量即使超過5質量%，提升強度之效果仍未變。
＜＜鈣＞＞
前述鈣有助於提升前述鎂合金之強度，並且有助於防止半固體製造法中之燃燒。
前述鎂合金中前述鈣之含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，但以0.1質量%以上5質量%以下為佳，以0.5質量%以上4質量%以下較佳，以1質量%以上3質量%以下特佳。前述含量即使超過5質量%，提升強度之效果仍未變。
(鎂合金之製造方法)
揭示之鎂合金之製造方法至少包含升溫步驟與降溫步驟，更可視需要包含保持步驟、混合物製作步驟等其他步驟。
前述鎂合金之製造方法為製造揭示之前述鎂合金的較佳方法。
本發明人等為使含有鎂、鋰、鋅、及鈹之鎂合金中，液相線溫度(L)與固相線溫度(S)的差(L-S)為50℃以上，檢討了各種前述鎂合金之製造條件。
那時，發現了若進行電磁感應攪拌，並以特定之升溫條件、及特定之降溫條件製造鎂合金，即可使所得之前述鎂合金中前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)的差(L-S)為50℃以上。
這可視為因為使前述鎂合金中固相線溫度顯現，鈹的存在係為重要，並且前述鎂合金中藉使鈹均一地分散，可增加液相線溫度(L)與固相線溫度(S)之差(L-S)之故。此外，前述鎂合金中為使鈹均一地分散，攪拌與合金製造中之溫度管理係為重要。
再者，前述電磁感應攪拌為利用電磁力產生之攪拌能量攪拌熔融物的方法，一般使用於金屬熔融物等高溫熔融物之攪拌。前述電磁感應攪拌亦稱作電磁攪拌。
前述電磁感應攪拌可使用例如，電磁感應攪拌裝置進行。
利用前述電磁感應攪拌裝置之前述電磁感應攪拌的方法，一般為例如，使用移動磁場、旋轉磁場等之感應方式。藉由形成移動磁場、旋轉磁場等，使熔融物移動，以進行熔融物之攪拌。
揭示之前述鎂合金之製造方法中前述電磁感應攪拌之攪拌條件並未特別限制，可視目的適當地選擇。
＜升溫步驟＞
前述升溫步驟為一面電磁感應攪拌750℃±20℃之鎂、鋰、鋅、及鈹的混合物，一面以50℃±10℃/分之升溫速度升溫至850℃±25℃的步驟。
前述升溫步驟中前述電磁感應攪拌之攪拌條件並未特別限制，可視目的適當地選擇。
前述混合物可例如，使用後述混合物製作步驟製作。
前述混合物中前述鎂含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，可舉前述鎂合金之說明中例示的前述鎂合金中前述鎂含量等為例。
前述混合物中前述鋰含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，可舉前述鎂合金之說明中例示的前述鎂合金中前述鋰含量等為例。
前述混合物中前述鋅含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，可舉前述鎂合金之說明中例示的前述鎂合金中前述鋅含量等為例。
前述混合物中前述鈹含量並未特別限制，可視目的適當地選擇，可舉前述鎂合金之說明中例示的前述鎂合金中前述鈹含量等為例。
揭示之前述鎂合金之製造方法中，若未以前述升溫步驟之條件進行升溫，則未能得到液相線溫度(L)與固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上的前述鎂合金。例如，若升溫後之溫度超過875℃，則有前述混合物起火的疑慮。
＜降溫步驟＞
前述降溫步驟為前述升溫步驟後一面電磁感應攪拌前述混合物，一面以30℃±10℃/分之降溫速度降溫至525℃±10℃的步驟。
前述降溫步驟中前述電磁感應攪拌之攪拌條件並未特別限制，可視目的適當地選擇。
揭示之前述鎂合金之製造方法中，若未以前述降溫步驟之條件進行降溫，則未能得到液相線溫度(L)與固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上的前述鎂合金。
冷卻至525℃±10℃之前述混合物，例如，供應至後述之鑄造步驟，成形成所期之形狀。
＜保持步驟＞
前述保持步驟為前述升溫步驟與前述降溫步驟之間，一面電磁感應攪拌前述混合物，一面保持850℃±25℃5分~15分鐘的步驟。藉由設置前述保持步驟，前述混合物中鎂、鋰、鋅、及鈹可更確實地相熔。
前述保持步驟中前述電磁感應攪拌之攪拌條件並未特別限制，可視目的適當地選擇。
＜混合物製作步驟＞
前述混合物製作步驟為於以750℃±20℃熔解有前述鎂、前述鋰及前述鋅之熔體中，添加前述鈹後得到前述混合物的步驟。
若於混合有鎂、鋰及鋅並熔融後得到的熔體中添加鈹，則所得之混合物中將容易熔解鈹。由該點來看，前述混合物以於前述混合物製作步驟中得到為佳。
＜其他步驟＞
前述其他步驟可舉鑄造步驟等為例。
＜＜鑄造步驟＞＞
所得之前述混合物，即鎂合金可經由例如，鑄造步驟成形成所期之形狀。
前述鑄造步驟若為鑄造前述鎂合金之步驟，則未特別限制，可視目的適當地選擇，可舉重力鑄造法、模具鑄造法、半固體鑄造法等為例。
前述重力鑄造法為使用重力將前述鎂合金流入模具中以鑄造之方法。前述重力鑄造法亦稱作重力法。
前述模具鑄造法為使用壓力將前述鎂合金流入模具中以鑄造之方法。前述模具鑄造法亦稱作壓鑄法。
前述半固體鑄造法係如前述。
(電子機器)
電子機器具有揭示之鎂合金。電子機器並未特別限制，可視目的適當地選擇。可舉例如：個人電腦(筆記型個人電腦、桌上型個人電腦)、電話、行動電話、影印機、傳真機、各種印表機、數位相機、電視、影像機、CD裝置、DVD裝置、空調、遙控裝置等。該等中由行動使用之點來看，亦以筆記型個人電腦、行動電話(包含智慧型手機)特佳。
前述電子機器中，前述鎂合金為例如，前述電子機器之框體。
此處，於圖1顯示揭示之電子機器之一例的筆記型個人電腦。
該圖1之筆記型個人電腦20具有筆記型個人電腦本體21與旋動後開啟之液晶顯示面板部22。筆記型個人電腦本體21具有位於扁平形狀之殼體25上面作為輸入裝置的鍵盤部23及指向裝置24。殼體25內部內建有硬碟裝置、及裝載有CPU、記憶體等之印刷基板、電池等。
例如，於殼體25使用前述鎂合金。
實施例
(實施例1)
鎂合金使用含有鎂(90質量份)、鋰(9質量份)、及鋅(1質量份)之含MLZ之鎂合金(LZ91)。以750℃熔解鎂合金(100質量份)後電磁感應攪拌。然後，添加鈹(1質量份)再一面繼續電磁感應攪拌一面以50℃/分之升溫速度升溫至850℃。之後，一面繼續電磁感應攪拌一面以30℃/分之冷卻溫度冷卻至525℃。之後，將經使用250mm×30mm×45mm之模具重力鑄造而成者自然冷卻至室溫，得到實施例1之鎂合金。
＜耐蝕性之評價＞
藉由以下方法利用鹽水噴霧試驗試驗所得之鎂合金的耐蝕性。
將所得之鎂合金切成寬10mm，並以400號之研磨紙研磨表面至無凹凸，得到鹽水噴霧試驗片(試樣)。
對所得之試樣依據基於JIS Z 2371-2001之方法進行鹽水噴霧試驗。於以下顯示噴霧條件。
＜＜噴霧條件＞＞
噴霧室內溫度：35±2℃
空氣飽和度：47±2℃
噴霧量：1.5±0.5ml/80cm2
/h
鹽水濃度：5±1%
NaCl純度：99.5%以上
pH值：6.5~7.2
噴霧暴露時間：240h
藉由前述條件進行鹽水噴霧後，將試樣純水洗淨、乾燥後，測定自初期之重量變化，算出重量變化比例。
＜＜評價基準＞＞
藉由鹽水噴霧試驗後之重量變化比例註記下述分數。再者，以評價3以上為合格(可實用之鎂合金)。
重量變化比例：無變化：5
重量變化比例：2.5%以下：4
重量變化比例：5%以下：3
重量變化比例：10%以下：2
重量變化比例：超過10%：1
對實施例1之試樣施行鹽水噴霧試驗後的重量變化比例為4。
＜TG-DTA分析＞
進行TG-DTA(微分熱×熱重量測定)，求出鎂合金之固相線溫度、及液相線溫度。具體而言，以以下方法進行測定。
Ar氣體環境下以升溫速度20℃/分之條件自室溫升溫至650℃，進行TG-DTA分析。
因小於顯示鎂合金熔融狀態之液相線溫度的溫度中吸熱峰值顯示半固體狀態，故顯示該吸熱峰值之極小值的溫度為固相線溫度。
測定結果，固相線溫度為500℃，液相線溫度為620℃。
(實施例2)
除了將實施例1中之鈹改為0.03質量份以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例2之鎂合金。
對所得之實施例2之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為4。
將所得之實施例2之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為522℃，液相線溫度為596℃。
(實施例3)
除了將實施例1中之鑄造方法改為模具鑄造法以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例3之鎂合金。
對所得之實施例3之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為4。
將所得之實施例3之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為500℃，液相線溫度為620℃。
(實施例4)
除了將實施例1中之鑄造方法改為半固體鑄造法以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例4之鎂合金。
對所得之實施例4之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為4。
將所得之實施例4之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為500℃，液相線溫度為620℃。
(實施例5)
除了將實施例1中之鈹1質量份改為鋁5質量份及鈹0.5質量份以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例5之鎂合金。
對所得之實施例5之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為3。
將所得之實施例5之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為532℃，液相線溫度為596℃。
(實施例6)
除了將實施例1中之鈹1質量份改為錫2質量份及鈹0.5質量份以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例6之鎂合金。
對所得之實施例6之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為4。
將所得之實施例6之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為511℃，液相線溫度為586℃。
(實施例7)
除了將實施例1中之鈹1質量份改為矽1質量份及鈹0.5質量份以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例7之鎂合金。
對所得之實施例7之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為4。
將所得之實施例7之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為531℃，液相線溫度為598℃。
(實施例8)
除了將實施例1中之鈹1質量份改為鈣2質量份及鈹0.5質量份以外，與實施例1同樣地製作，得到實施例8之鎂合金。
對所得之實施例8之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為4。
將所得之實施例8之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為537℃，液相線溫度為590℃。
(比較例1)
除了未添加實施例1中之鈹以外，與實施例1同樣地製作，得到比較例1之鎂合金。
對所得之比較例1之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為1。
將所得之比較例1之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度未顯現，液相線溫度為598℃。
(比較例2)
除了實施例1中於750℃下熔解後未進行電磁感應攪拌，藉由自然冷卻冷卻以外，與實施例1同樣地製作，得到比較例2之鎂合金。再者，前述自然冷卻中自750℃至580℃的冷卻速度約5℃/分鐘。
對所得之比較例2之鎂合金，與實施例1同樣地施行鹽水噴霧試驗。對試樣施行鹽水噴霧試驗後之重量變化比例為2。
將所得之比較例2之鎂合金，與實施例1同樣地進行TG-DTA測定。測定結果，固相線溫度為590℃，液相線溫度為635℃。
於表1統整以上結果。
[表1] 
更揭示以下附註。
(附註1)
一種鎂合金，其特徵在於：含有鎂、鋰、鋅、及鈹；
並具有固相線溫度與液相線溫度；
前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上。
(附註2)
如附註1記載之鎂合金，其中前述差(L-S)為50℃以上150℃以下。
(附註3)
如附註1至2中任一項記載之鎂合金，其中前述液相線溫度(L)為560℃以上700℃以下。
(附註4)
如附註1至3中任一項記載之鎂合金，其中前述鎂含量為80質量%以上。
(附註5)
如附註1至4中任一項記載之鎂合金，其中前述鈹含量為0.01質量%以上2質量%以下。
(附註6)
如附註1至5中任一項記載之鎂合金，其中前述鋰含量為6質量%以上16質量%以下。
(附註7)
如附註1至6中任一項記載之鎂合金，其中前述鋅含量為0.1質量%以上4質量%以下。
(附註8)
如附註1至7中任一項記載之鎂合金，其更至少含有鋁、錫、矽、及鈣中之任一者。
(附註9)
一種鎂合金之製造方法，其特徵在於：包含以下步驟：
升溫步驟，其一面電磁感應攪拌750℃±20℃之鎂、鋰、鋅、及鈹的混合物，一面以50℃±10℃/分之升溫速度升溫至850℃±25℃；及
降溫步驟，其於前述升溫步驟後一面電磁感應攪拌前述混合物，一面以30℃±10℃/分之降溫速度降溫至525℃±10℃。
(附註10)
如附註9記載之鎂合金之製造方法，其可得如附註1至8中任一項記載之鎂合金。
(附註11)
如附註9至10中任一項記載之鎂合金之製造方法，其於前述升溫步驟與前述降溫步驟之間包含保持步驟，其一面電磁感應攪拌一面保持850℃±25℃5分~15分鐘。
(附註12)
如附註9至11中任一項記載之鎂合金之製造方法，其中於以750℃±20℃熔解有前述鎂、前述鋰及前述鋅之熔體中，添加前述鈹後可得前述混合物。
(附註13)
一種電子機器，其特徵在於具有如附註1至8中任一項記載之鎂合金。
20‧‧‧筆記型個人電腦
21‧‧‧筆記型個人電腦本體
22‧‧‧液晶顯示面板部
23‧‧‧鍵盤部
24‧‧‧指向裝置
25‧‧‧殼體
圖1係揭示之電子機器之一例之筆記型個人電腦的立體圖。
20‧‧‧筆記型個人電腦
21‧‧‧筆記型個人電腦本體
22‧‧‧液晶顯示面板部
23‧‧‧鍵盤部
24‧‧‧指向裝置
25‧‧‧殼體
Claims (9)
- 一種鎂合金，其特徵在於：含有鎂、鋰、鋅、及鈹；前述鎂含量為80質量%以上；前述鋰含量為6質量%以上且16質量%以下；前述鋅含量為0.1質量%以上且4質量%以下；前述鈹含量為0.01質量%以上且2質量%以下；並具有固相線溫度與液相線溫度；前述液相線溫度(L)與前述固相線溫度(S)之差(L-S)為50℃以上。
- 如請求項1之鎂合金，其中前述液相線溫度(L)為570℃以上且700℃以下。
- 如請求項1至2中任一項之鎂合金，其中前述固相線溫度(S)為490℃以上且560℃以下。
- 如請求項1之鎂合金，其更至少含有鋁、錫、矽、及鈣中之任一者。
- 一種鎂合金之製造方法，其特徵在於：包含以下步驟：升溫步驟，其一面電磁感應攪拌750℃±20℃之鎂、鋰、鋅、及鈹的混合物，一面以50℃±10℃/分之升溫速度升溫至850℃±25℃；及降溫步驟，其於前述升溫步驟後一面電磁感應攪拌前述混合物，一面以30℃±10℃/分之降溫速度降溫至525℃±10℃。
- 如請求項5之鎂合金之製造方法，其可得如請求項1至4中任一項之鎂合金。
- 如請求項5至6中任一項之鎂合金之製造方法，其於前述升溫步驟與前述降溫步驟之間包含保持步驟，其一面電磁感應攪拌一面保持850℃±25℃ 5分~15分鐘。
- 如請求項5之鎂合金之製造方法，其中於以750℃±20℃熔解有前述鎂、前述鋰及前述鋅之熔體中，添加前述鈹後可得前述混合物。
- 一種電子機器，其特徵在於具有請求項1至4中任一項之鎂合金。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017237448A JP7078839B2 (ja) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | マグネシウム合金、及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2017-237448 | 2017-12-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201928080A TW201928080A (zh) | 2019-07-16 |
| TWI682038B true TWI682038B (zh) | 2020-01-11 |
Family
ID=66959565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107135391A TWI682038B (zh) | 2017-12-12 | 2018-10-08 | 鎂合金及其製造方法、以及電子機器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7078839B2 (zh) |
| CN (1) | CN109913719B (zh) |
| TW (1) | TWI682038B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019208287A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | キヤノン株式会社 | マグネシウム－リチウム系合金 |
| CN112593132B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-03-01 | 郑州轻研合金科技有限公司 | 一种高强半固态双相压铸镁锂合金及其制备方法 |
| CN113319260A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-31 | 山东华盛荣镁业科技有限公司 | 一种镁锂合金笔记本外壳半固态压铸方法 |
| JP7321601B1 (ja) | 2022-10-21 | 2023-08-07 | ネクサス株式会社 | マグネシウム合金、マグネシウム合金成形体およびその製造方法、ならびにマグネシウム合金部材 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104745906A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种镁合金及其制备方法 |
| TW201621059A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-16 | 安立材料科技股份有限公司 | 鎂合金 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413644A (en) * | 1994-01-21 | 1995-05-09 | Brush Wellman Inc. | Beryllium-containing alloys of magnesium |
| JPH09241778A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | マグネシウム−リチウム系合金の成形方法 |
| JP2001073059A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-21 | Mazda Motor Corp | マグネシウム合金成形部材 |
| CN100365147C (zh) * | 2002-09-09 | 2008-01-30 | 旭阳科技股份有限公司 | 高延展性镁合金材料的制造方法 |
| JP2007284743A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Tetsuichi Mogi | Ｍｇ合金 |
| TWI335939B (en) * | 2007-04-02 | 2011-01-11 | Chung Shan Inst Of Science | Ultra-light weight and high strength mg alloy material |
| EP2145704A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-20 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for continuous extrusion of thixo-magnesium into plate or bar shaped extrusion products |
| JP5356777B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2013-12-04 | 宮本工業株式会社 | マグネシウム合金の鍛造方法 |
| CN101921922B (zh) * | 2009-06-12 | 2011-12-07 | 安立材料科技股份有限公司 | 镁合金的制造方法及镁合金 |
| CN101928845A (zh) * | 2009-06-19 | 2010-12-29 | 安立材料科技股份有限公司 | 含锂的合金材料制造方法 |
| CN102620575A (zh) * | 2012-04-16 | 2012-08-01 | 上海交通大学 | 气体搅拌制备镁合金半固态浆料装置 |
| CN104109790B (zh) * | 2014-08-08 | 2016-03-30 | 苏州金仓合金新材料有限公司 | 高强镁合金材料及其制备方法 |
| TWI545202B (zh) * | 2016-01-07 | 2016-08-11 | 安立材料科技股份有限公司 | 輕質鎂合金及其製造方法 |
| CN107058836B (zh) * | 2017-04-10 | 2018-11-02 | 广西科技大学 | 一种机械外壳用高耐腐蚀性镁合金及其制备方法 |
| CN107587017A (zh) * | 2017-09-14 | 2018-01-16 | 广州宇智科技有限公司 | 一种含铍且双相α+β的镁锂合金及其加工工艺 |
-
2017
- 2017-12-12 JP JP2017237448A patent/JP7078839B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-08 TW TW107135391A patent/TWI682038B/zh active
- 2018-10-25 CN CN201811247629.0A patent/CN109913719B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104745906A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 比亚迪股份有限公司 | 一种镁合金及其制备方法 |
| TW201621059A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-16 | 安立材料科技股份有限公司 | 鎂合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019104961A (ja) | 2019-06-27 |
| CN109913719A (zh) | 2019-06-21 |
| JP7078839B2 (ja) | 2022-06-01 |
| TW201928080A (zh) | 2019-07-16 |
| CN109913719B (zh) | 2021-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI682038B (zh) | 鎂合金及其製造方法、以及電子機器 | |
| JP6771032B2 (ja) | 低コスト・高熱伝導性のダイカスト用マグネシウム合金、およびその製造方法 | |
| WO2017133415A1 (zh) | 一种高导热压铸铝合金及其制备方法 | |
| CN108118197B (zh) | 一种高导热压铸铝合金材料的制备方法 | |
| El-Bagoury et al. | Microstructure of an experimental Ni base superalloy under various casting conditions | |
| CN110714156B (zh) | 一种轻质高强耐蚀高熵合金及其制备方法 | |
| CN104233013A (zh) | 一种流变压铸散热壳体的铝硅合金及其制备方法 | |
| TWI518183B (zh) | Corrosion resistant high nickel alloy and its manufacturing method | |
| CN108070761A (zh) | 具备优异铸造性能和传热性能的单相α镁锂合金 | |
| CN107904463A (zh) | 具备优异铸造性能和传热性能的双相α+β镁锂合金 | |
| KR101637639B1 (ko) | 티타늄화합물을 포함하는 고탄성 알루미늄 합금 및 그 제조방법 | |
| US8268236B2 (en) | Aluminum-based master alloy for manganese alloying of metal alloys, method for producing thereof and use thereof | |
| CN109182819B (zh) | 一种石墨烯增强铝镁合金的熔炼制备方法 | |
| CN107893178B (zh) | 一种高品质铝钛硼合金杆的制备方法 | |
| JP2020059894A (ja) | マグネシウム合金、及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| CN114058899A (zh) | 一种锡基巴氏合金的制备方法 | |
| CN107974597A (zh) | 一种压铸用的镁钪合金及其加工工艺 | |
| JP4967206B2 (ja) | マグネシウム合金、並びに、これを用いて製造されるマグネシウム合金製筐体およびその製造方法 | |
| JP6940759B2 (ja) | マグネシウム合金及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| Hu et al. | Effect of Recrystallization and Partial Remelting on Al15Mg45Li39Ca0. 5Si0. 5 Lightweight High-Entropy Alloy | |
| CN103820667A (zh) | 覆盖剂及铝硅合金熔体处理方法 | |
| Ren et al. | Introduction of rare-earth element Sc in alloy design to modify wear features of dual-phase high-entropy alloy | |
| Balart et al. | Surface oxidation of molten AZ31, AM60B and AJ62 magnesium alloys in air | |
| JP5472273B2 (ja) | マグネシウム複合材およびその製造方法 | |
| Avestro et al. | The Effect on the Electrical Conductivity of Doping Cerium, Cerium Oxide, and Lanthanum (37.5%)-Tellurium (62.5%) on Aluminum Alloy 1350 |