CN109913719A - 镁合金及其制造方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供镁合金及其制造方法和电子设备，其不仅可用于金属模铸造法还可用于半固体铸造法且耐腐蚀性良好的镁合金等。镁合金含有镁、锂、锌和铍，并且具有固相线温度和液相线温度，所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L‑S)在50℃以上。

Description

镁合金及其制造方法和电子设备

技术领域

本发明涉及镁合金及其制造方法和电子设备。

背景技术

在笔记本电脑等的电子设备的机体内部配置有机械驱动部和电源等的内部部件。对于这种电子设备，需要保护内部部件不受外部带来的冲击和压力等的影响，因此对机体要求机械的强度。针对这种机体，作为金属机体而大多使用铁、铝合金的冲压加工品和切削加工品。

基于电子设备的用途和使用场所的多样化，已预想到对电子设备进行搬运的情况。对于这种电子设备的机体，除了要求机械的强度之外，还对重量提出了要求。为了针对这种要求，已开始使用对轻量且高刚性的镁合金进行冲压加工的结构。

作为冲压加工用的镁合金，在镁中添加3％的铝，并添加了1％的锌而得到的AZ31B合金已经上市。此外，还提出了含有锂的镁合金(例如，参照专利文献1)。

然而，这些材料与铁或铝合金相比而言活性非常大，因此问题在于耐腐蚀性较差。此外，这些材料是不具备示出半固体状态的固相线温度的合金，因此不适于半固体铸造法。另外，半固体铸造法相比作为通常的铸造法的金属模铸造法而言，具有在铸造时不易生锈且易于进行熔液的管理的优点。

为了解决耐腐蚀性较差的问题，提出了通过金属镀敷、生成处理、锌扩散膜等而在合金表面上形成被膜来提高表面的耐腐蚀性的技术(例如，参照非专利文献1、专利文献2～3)。然而，若被膜的厚度增加，则存在合金本身变重的问题。为了解决该问题，研究出了制作较薄的被膜以减少被膜的厚度的方法。但是，在制作较薄的被膜时，由于成膜缺陷等而难以完全覆盖合金表面。若合金表面未被完全覆盖，则耐腐蚀性会不充分。因此，期望出现耐腐蚀性良好的镁合金。另外，在上述技术中使用的镁合金是不具备示出半固体状态的固相线温度的合金，因此不适于半固体铸造法，这一点与前述的技术同样。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-41066号公报

专利文献2：日本特开平10-140369号公报

专利文献3：日本特开平2000-160320号公报

非专利文献

非专利文献1：铝研究会刊物No.9，p121

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供不仅能够用于金属模铸造法也能够用于半固体铸造法，并且耐腐蚀性良好的镁合金及其制造方法和使用这种镁合金的电子设备。

用于解决课题的手段

本发明的一个方面中，镁合金含有镁、锂、锌和铍，

并且该镁合金具有固相线温度和液相线温度，

所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上。

此外，本发明的一个方面中，镁合金的制造方法包括如下步骤：

升温步骤，对750℃±20℃的镁、锂、锌和铍的混合物进行电磁感应搅拌并以50℃±10℃/分的升温速度使其升温至850℃±25℃；以及

降温步骤，在所述升温步骤之后，对所述混合物进行电磁感应搅拌并以30℃±10℃/分的降温速度使其降温至525℃±10℃。

此外，本发明的一个方面中，电子设备具有公开的所述镁合金。

发明效果

作为一个方面，可提供不仅能够用于金属模铸造法也能够用于半固体铸造法，并且耐腐蚀性良好的镁合金。

此外，作为一个方面，可提供不仅能够用于金属模铸造法也能够用于半固体铸造法，并且耐腐蚀性良好的镁合金的制造方法。

此外，作为一个方面，可提供使用不仅能够用于金属模铸造法也能够用于半固体铸造法，并且耐腐蚀性良好的镁合金的电子设备。

附图说明

图1是作为公开的电子设备的一例的笔记本型个人计算机的立体图。

标号说明

20：笔记本型个人计算机，21：笔记本型个人计算机主体，22：液晶显示面板部，23：键盘部，24：指示设备，25：壳体。

具体实施方式

(镁合金)

公开的镁合金至少含有镁、锂、锌和铍，并且根据需要含有铝、锡、硅、钙等的其他的金属。

所述镁合金可以含有不可避免的杂质。

本发明人等为了提供不仅可用于金属模铸造法也能够用于半固体铸造法，并且耐腐蚀性良好的镁合金而进行了锐意研究。

于是，本发明人等发现，通过向镁、锂和锌中还添加铍，在搅拌的情况下可通过特定的温度条件制造出镁合金，由此可得到耐腐蚀性优良且也能够用于半固体铸造法的镁合金。

所述镁合金具有固相线温度和液相线温度。

所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上，例如，既可以是50℃以上且150℃以下，也可以是50℃以上且140℃以下，还可以是50℃以上且130℃以下。

作为所述液相线温度没有特别的限制，可根据目的来适当选择，例如，既可以是560℃以上且700℃以下，也可以是570℃以上且650℃以下，还可以是580℃以上且620℃以下。

作为所述固相线温度没有特别的限制，可根据目的来适当选择，例如，既可以是490℃以上且560℃以下，也可以是500℃以上且550℃以下。

可通过进行TG-DTA(差热/热重量测定)来求出所述液相线温度和所述固相线温度。具体通过以下的方法进行测定。

在Ar气环境下从室温起以升温速度20℃/分的条件升温至650℃来进行TG-DTA分析。

温度低于表示镁合金的熔融状态的液相线温度时的吸热峰值表示处于半固体状态，因此表示该吸热峰值中的极小值的温度是固相线温度。

所述固相线温度的出现被认为取决于制造镁合金时的条件，优选通过后述的公开的所述镁合金的制造方法来制造所述镁合金。

公开的所述镁合金的所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上，因此能够用于半固体铸造法。

＜＜半固体铸造法＞＞

半固体铸造法(semi-solid metal casting)是铸造技术之一。

半固体制造法也被称作触变成型法，是对半熔融状态(触变性)的金属或合金注射成型的方法，例如具有以下所述的优点。

·以金属或合金的芯片为原料，因而不需要熔解炉和熔液。

·注射速度较快，表面品质提高。

·能够实现较薄产品的精密成型。

·相比金属模铸造法而言熔融温度较低，因此尺寸精度和机械性质提高。

·高温化的原料不与大气接触，因此在加工中不会发生氧化(生锈)。

对于在这种半固体铸造法中使用的金属/合金要求固相线与液相线之间的温度范围足够大。其原因在于，从合金开始熔解的温度到合金完全熔解的温度为止的温度范围〔即，固液共存域(solid-liquid co-existence region)〕足够大，更易于控制铸造温度。这样，可制造出具备复杂的形状和优良的机械特性的铸造片。

基于经验而言，可用于半固体铸造法的固相线与液相线之间的温度范围在50℃以上。如果是50℃以上，则固相线与液相线之间的温度范围足够大，可用于半固体铸造法。

＜镁＞

所述镁是所述镁合金的主成分。

作为所述镁合金中的所述镁的含量没有特别限制，可根据目的来适当选择，例如，既可以是80质量％以上，也可以是85质量％以上。

＜锂＞

所述锂有助于实现所述镁合金的轻量化。

作为所述镁合金中的所述锂的含量没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是6质量％以上且16质量％以下，更优选是7质量％以上且11质量％以下，特别优选是8质量％以上且10质量％以下。所述含量若在16质量％以下，则能够在不降低耐腐蚀性的情况下实现轻量化。

＜锌＞

所述锌有助于所述镁合金的强度提高。

作为所述镁合金中的所述锌的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是0.1质量％以上且4质量％以下，更优选是0.2质量％以上且2质量％以下，特别优选是0.5质量％以上且1.5质量％以下。所述含量若在4质量％以下，则能够在不引起脆化的情况下提高强度。

＜铍＞

含有镁、锂和锌的镁合金(例如，LZ91合金)通常不具有固相线，或者即使具有固相线，其与液相线之间的温度范围也很小。

本发明人发现，通过将铍适当地添加到镁合金中，可产生与液相线间的温度差较大的固相线。

此外，含有锂的镁合金由于其氧化性的程度较高而存在镁合金的裸耐腐蚀性较低的问题。

本发明人发现，通过将铍适当地添加到镁合金中，能够提高镁合金的裸耐腐蚀性。

作为所述镁合金中的所述铍的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是0.01质量％以上且2质量％以下，更优选是0.02质量％以上且1.5质量％以下。特别优选是0.02质量％以上且1质量％以下，尤为优选是0.03质量％以上且0.5质量％以下。基于可充分获得通过添加所述铍而实现的效果、以及防止镁合金变硬且变脆的观点，所述铍的含量优选为上述范围。

＜其他的金属＞

作为所述其他的金属，例如可举出铝、锡、硅、钙等。这些金属既可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。

＜＜铝＞＞

所述铝有助于所述镁合金的强度提高。

作为所述镁合金中的所述铝的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是0.1质量％以上且10质量％以下，更优选是1质量％以上且8质量％以下，特别优选是2质量％以上且7质量％以下。所述含量即使超过10质量％，提高强度的效果也不会改变。

＜＜锡＞＞

所述锡有助于所述镁合金的强度提高。

作为所述镁合金中的所述锡的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是0.1质量％以上且5质量％以下，更优选是0.5质量％以上且4质量％以下，特别优选是1质量％以上且3质量％以下。所述含量即使超过5质量％，提高强度的效果也不会改变。

＜＜硅＞＞

所述硅有助于所述镁合金的强度提高。

作为所述镁合金中的所述硅的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是0.1质量％以上且5质量％以下，更优选是0.2质量％以上且3质量％以下，特别优选是0.5质量％以上且2质量％以下。所述含量即使超过5质量％，提高强度的效果也不会改变。

＜＜钙＞＞

所述钙有助于所述镁合金的强度提高，并且有助于防止半固体制造法中的燃烧。

作为所述镁合金中的所述钙的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，优选是0.1质量％以上且5质量％以下，更优选是0.5质量％以上且4质量％以下，特别优选是1质量％以上且3质量％以下。所述含量即使超过5质量％，提高强度的效果也不会改变。

(镁合金的制造方法)

公开的镁合金的制造方法至少包括升温步骤和降温步骤，还可以根据需要包括保持步骤、混合物制作步骤等的其他步骤。

所述镁合金的制造方法是制造公开的所述镁合金的优选方法。

本发明人针对含有镁、锂、锌和铍的镁合金，为了使液相线温度(L)与固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上，而对所述镁合金的制造条件进行了各种研究。

此时，发现了若在进行电磁感应搅拌的同时，以特定的升温条件和特定的降温条件制造镁合金，则能够使所得到的所述镁合金中的所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上。

关于其原因，认为在所述镁合金的固相线温度的发现中，铍的存在很重要，并且通过在所述镁合金中均匀地分散铍，能够增大液相线温度(L)与固相线温度(S)之差(L-S)。并且，为了在所述镁合金中使铍均匀地分散，搅拌和合金制造中的温度管理非常重要。

另外，所述电磁感应搅拌是使用电磁力的搅拌能搅拌熔融物的方法，通常在金属熔融物等的高温的熔融物的搅拌中使用。所述电磁感应搅拌也被称作电磁搅拌。

所述电磁感应搅拌例如可使用电磁感应搅拌装置来进行。

作为所述电磁感应搅拌装置的所述电磁感应搅拌的方法，例如使用移动磁场、旋转磁场等的感应方式是一般的方式。通过形成移动磁场、旋转磁场等来使熔融物移动，由此进行熔融物的搅拌。

作为公开的所述镁合金的制造方法中的所述电磁感应搅拌的搅拌条件，没有特别限制，可根据目的来适当选择。

＜升温步骤＞

所述升温步骤是对750℃±20℃的镁、锂、锌和铍的混合物进行电磁感应搅拌并以50℃±10℃/分的升温速度使其升温至850℃±25℃的步骤。

作为所述升温步骤中的所述电磁感应搅拌的搅拌条件，没有特别限制，可根据目的来适当选择。

例如可使用后述的混合物制作步骤来制作所述混合物。

作为所述混合物中的所述镁的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，例如，可举出在前述的所述镁合金的说明中例示的所述镁合金中的所述镁的含量等。

作为所述混合物中的所述锂的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，例如，可举出在前述的所述镁合金的说明中例示的所述镁合金中的所述锂的含量等。

作为所述混合物中的所述锌的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，例如，可举出在前述的所述镁合金的说明中例示的所述镁合金中的所述锌的含量等。

作为所述混合物中的所述铍的含量，没有特别限制，可根据目的来适当选择，例如，可举出在前述的所述镁合金的说明中例示的所述镁合金中的所述铍的含量等。

在公开的所述镁合金的制造方法中，若不通过所述升温步骤的条件进行升温，则无法获得液相线温度(L)与固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上的所述镁合金。例如，若升温后的温度超过875℃，则所述混合物可能会点燃。

＜降温步骤＞

所述降温步骤是所述升温步骤之后，在对所述混合物进行电磁感应搅拌的同时，以30℃±10℃/分的降温速度使其降温至525℃±10℃的步骤。

作为所述降温步骤中的所述电磁感应搅拌的搅拌条件，没有特别限制，可根据目的来适当选择。

在公开的所述镁合金的制造方法中，若不通过所述降温步骤的条件进行降温，则无法获得液相线温度(L)与固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上的所述镁合金。

被冷却至525℃±10℃的所述混合物例如被提供给后述的铸造步骤而成型为期望的形状。

＜保持步骤＞

所述保持步骤是在所述升温步骤与所述降温步骤之间，对所述混合物进行电磁感应搅拌并在850℃±25℃下保持5分钟～15分钟的步骤。通过设置所述保持步骤，能够更可靠地实现所述混合物中的镁、锂、锌和铍的相溶。

作为所述保持步骤中的所述电磁感应搅拌的搅拌条件，没有特别限制，可根据目的来适当选择。

＜混合物制作步骤＞

所述混合物制作步骤是在使所述镁、所述锂和所述锌以750℃±20℃熔解而成的熔解物中添加所述铍而得到所述混合物的步骤。

若在对镁、锂和锌混合熔融而得的熔解物中添加铍，则在所得到的混合物中铍易于熔解。基于这一点，优选通过所述混合物制作步骤获得所述混合物。

＜其他的步骤＞

作为所述其他的步骤，例如可举出铸造步骤等。

＜＜铸造步骤＞＞

作为所得到的所述混合物的镁合金，例如经过铸造步骤而被成型为期望的形状。

作为所述铸造步骤，只要是制造所述镁合金的步骤，则没有特别限制，可根据目的来适当选择，例如可举出重力铸造法、金属模铸造法和半固体铸造法等。

所述重力铸造法是使用重力使所述镁合金流入模具而进行铸造的方法。所述重力铸造法也被称作重力法。

所述金属模铸造法是使用压力使所述镁合金流入模具而进行铸造的方法。所述金属模铸造法也被称作压铸法。

所述半固体铸造法如前所述。

(电子设备)

电子设备具有公开的镁合金。作为电子设备，没有特别限制，可根据目的来适当选择。例如可举出个人计算机(笔记本型个人计算机、桌面型个人计算机)、电话机、移动电话、复印机、传真机、各种打印机、数字相机、电视、放映机、CD装置、DVD装置、空调、遥控装置等。其中，基于便携使用的观点而特别优选笔记本型个人计算机、移动电话(包括智能手机)。

在所述电子设备中，所述镁合金例如是所述电子设备的机体。

这里，图1示出作为公开的电子设备的一例的笔记本型个人计算机。

该图1的笔记本型个人计算机20具有笔记本型个人计算机主体21、和转动打开的液晶显示面板部22。笔记本型个人计算机主体21在扁平形状的壳体25的上表面具有作为输入手段的键盘部23和指示设备24。在壳体25的内部收纳有硬盘装置、搭载了CPU、存储器等的印刷基板、电池等。

例如，壳体25使用所述镁合金。

【实施例】

(实施例1)

作为镁合金，使用含有镁(90质量部)、锂(9质量部)和锌(1质量部)的MLZ含有镁合金(LZ91)。在使镁合金(100质量部)以750℃熔解后，进行电磁感应搅拌。向其中添加铍(1质量部)，继续进行电磁感应搅拌，并以50℃/分的升温速度使其升温至850℃。此后，继续进行电磁感应搅拌，并以30℃/分的冷却温度使其冷却至525℃。此后，将使用250mm×30mm×45mm的模具进行重力铸造的混合物自然冷却至室温，得到实施例1的镁合金。

＜耐腐蚀性的评价＞

通过以下的方法，利用盐水喷雾试验对所得到的镁合金的耐腐蚀性进行了试验。

将所得到的镁合金切取为10mm的宽度，用400目的研磨纸将表面研磨成不存在凹凸，得到了盐水喷雾试验片(样本)。

通过依据JIS Z 2371-2001的方法对所得到的样本进行了盐水喷雾试验。以下示出喷雾条件。

＜＜喷雾条件＞＞

喷雾室内温度：35±2℃

空气饱和度：47±2℃

喷雾量：1.5±0.5ml/80cm²/h

盐水浓度：5±1％

NaCl纯度：99.5％以上

pH值：6.5～7.2

喷雾暴露时间：240h

在基于上述条件进行了盐水喷雾后，对样本进行纯水清洗、干燥后，测定从初始起的重量变化，计算出重量变化比例。

＜＜评价基准＞＞

通过盐水喷雾试验后的重量变化比例赋予了如下的点数。另外，将评价在3以上的情况作为合格(适于实际使用的镁合金)。

·重量变化比例：无变化5

·重量变化比例：2.5％以下4

·重量变化比例：5％以下3

·重量变化比例：10％以下2

·重量变化比例：超过10％1

对实施例1的样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

＜TG-DTA分析＞

进行TG-DTA(差热/热重量测定)，求出了镁合金的固相线温度和液相线温度。具体通过以下的方法进行测定。

在Ar气环境下以升温速度20℃/分的条件从室温升温至650℃进行了TG-DTA分析。

小于表示镁合金的熔融状态的液相线温度的温度的吸热峰值表示处于半固体状态，因此表示该吸热峰值的极小值的温度是固相线温度。

测定的结果是，固相线温度是500℃，液相线温度是620℃。

(实施例2)

除了在实施例1中将铍变更为0.03质量部以外，都与实施例1同样地处理，得到了实施例2的镁合金。

对于所得到的实施例2的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。在对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

对于所得到的实施例2的镁合金，与实施例1同样地进行了TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是522℃，液相线温度是596℃。

(实施例3)

除了在实施例1中将铸造方法变更为金属模铸造法以外，与实施例1同样地进行处理，得到了实施例3的镁合金。

对于所得到的实施例3的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

对于所得到的实施例3的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是500℃，液相线温度是620℃。

(实施例4)

除了在实施例1中将铸造方法变更为半固体铸造法以外，与实施例1同样地进行处理，得到了实施例4的镁合金。

对于所得到的实施例4的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

对于所得到的实施例4的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是500℃，液相线温度是620℃。

(实施例5)

除了在实施例1中将铍1质量部变更为铝5质量部和铍0.5质量部以外，都与实施例1同样地进行处理，得到了实施例5的镁合金。

对于所得到的实施例5的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是3。

对于所得到的实施例5的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是532℃，液相线温度是596℃。

(实施例6)

除了在实施例1中将铍1质量部变更为锡2质量部和铍0.5质量部以外，都与实施例1同样地进行处理，得到了实施例6的镁合金。

对于所得到的实施例6的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

对于所得到的实施例6的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是511℃，液相线温度是586℃。

(实施例7)

除了在实施例1中将铍1质量部变更为硅1质量部和铍0.5质量部以外，都与实施例1同样地进行处理，得到了实施例7的镁合金。

对于所得到的实施例7的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

对于所得到的实施例7的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是531℃，液相线温度是598℃。

(实施例8)

除了在实施例1中将铍1质量部变更为钙2质量部和铍0.5质量部以外，都与实施例1同样地进行处理，得到了实施例8的镁合金。

对于所得到的实施例8的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是4。

对于所得到的实施例8的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是537℃，液相线温度是590℃。

(比较例1)

除了在实施例1中不添加铍以外，都与实施例1同样地进行处理，得到了比较例1的镁合金。

对于所得到的比较例1的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是1。

对于所得到的比较例1的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，未显现出固相线温度，液相线温度是598℃。

(比较例2)

除了在实施例1中使用750℃进行熔解后，不进行电磁感应搅拌，通过自然冷却进行冷却以外，都与实施例1同样地进行处理而得到了比较例2的镁合金。另外，在上述的自然冷却中，从750℃到580℃的冷却速度约为5℃/分钟。

对于所得到的比较例2的镁合金，与实施例1同样地实施盐水喷雾试验。对样本实施盐水喷雾试验后的重量变化比例是2。

对于所得到的比较例2的镁合金，与实施例1同样地进行TG-DTA测定。测定的结果是，固相线温度是590℃，液相线温度是635℃。

表1归纳出以上的结果。

【表1】

本说明还公开了以下的附记。

(附记1)

一种镁合金，其特征在于，该镁合金含有镁、锂、锌和铍，

该镁合金具有固相线温度和液相线温度，

所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上。

(附记2)

根据附记1所述的镁合金，所述差(L-S)是50℃以上且150℃以下。

(附记3)

根据附记1或2所述的镁合金，所述液相线温度(L)是560℃以上且700℃以下。

(附记4)

根据附记1至3中的任意一项所述的镁合金，所述的镁合金中的所述镁的含量在80质量％以上。

(附记5)

根据附记1至4中的任意一项所述的镁合金，所述铍的含量是0.01质量％以上且2质量％以下。

(附记6)

根据附记1至5中的任意一项所述的镁合金，所述锂的含量是6质量％以上且16质量％以下。

(附记7)

根据附记1至6中的任意一项所述的镁合金，所述锌的含量是0.1质量％以上且4质量％以下。

(附记8)

根据附记1至7中的任意一项所述的镁合金，该镁合金还含有铝、锡、硅和钙中的至少任意一种。

(附记9)

一种镁合金的制造方法，其特征在于，该方法包括：

升温步骤，对750℃±20℃的镁、锂、锌和铍的混合物进行电磁感应搅拌并以50℃±10℃/分的升温速度使其升温至850℃±25℃；以及

降温步骤，在所述升温步骤之后，对所述混合物进行电磁感应搅拌并以30℃±10℃/分的降温速度使其降温至525℃±10℃。

(附记10)

根据附记9所述的镁合金的制造方法，通过该方法获得附记1至8中的任意一项所述的镁合金。

(附记11)

根据附记9或10所述的镁合金的制造方法，在所述升温步骤与所述降温步骤之间包括保持步骤，在该保持步骤中，进行电磁感应搅拌并在850℃±25℃下保持5分钟～15分钟。

(附记12)

根据附记9至11中的任意一项所述的镁合金的制造方法，通过向使所述镁、所述锂和所述锌以750℃±20℃熔解而成的熔解物添加所述铍而得到所述混合物。

(附记13)

一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有附记1至8中的任意一项所述的镁合金。

Claims (10)

1.一种镁合金，其特征在于，该镁合金含有镁、锂、锌和铍，

并且该镁合金具有固相线温度和液相线温度，

所述液相线温度(L)与所述固相线温度(S)之差(L-S)在50℃以上。

2.根据权利要求1所述的镁合金，其中，

所述铍的含量是0.01质量％以上且2质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的镁合金，其中，

所述锂的含量是6质量％以上且16质量％以下。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的镁合金，其中，

所述锌的含量是0.1质量％以上且4质量％以下。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的镁合金，其中，

所述镁合金还含有铝、锡、硅和钙中的至少任意一种。

6.一种镁合金的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

升温步骤，对750℃±20℃的镁、锂、锌和铍的混合物进行电磁感应搅拌并以50℃±10℃/分的升温速度使其升温至850℃±25℃；以及

降温步骤，在所述升温步骤之后，对所述混合物进行电磁感应搅拌并以30℃±10℃/分的降温速度使其降温至525℃±10℃。

7.根据权利要求6所述的镁合金的制造方法，其中，

通过该制造方法得到权利要求1至5中的任意一项所述的镁合金。

8.根据权利要求6或7所述的镁合金的制造方法，其中，

在所述升温步骤与所述降温步骤之间包括保持步骤，在该保持步骤中，进行电磁感应搅拌并在850℃±25℃下保持5分钟～15分钟。

9.根据权利要求6至8中的任意一项所述的镁合金的制造方法，其中，

所述混合物是向使所述镁、所述锂和所述锌在750℃±20℃下熔解而成的熔解物添加所述铍而得到的。

10.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有权利要求1至5中的任意一项所述的镁合金。