TWI678262B - 薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置 - Google Patents

薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI678262B
TWI678262B TW105110045A TW105110045A TWI678262B TW I678262 B TWI678262 B TW I678262B TW 105110045 A TW105110045 A TW 105110045A TW 105110045 A TW105110045 A TW 105110045A TW I678262 B TWI678262 B TW I678262B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
workpiece
adjustment
static pressure
state
grinding
Prior art date
Application number
TW105110045A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201642999A (zh
Inventor
芝中篤志
Atsushi Shibanaka
Original Assignee
日商光洋機械工業股份有限公司
Koyo Machine Industries Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商光洋機械工業股份有限公司, Koyo Machine Industries Co., Ltd. filed Critical 日商光洋機械工業股份有限公司
Publication of TW201642999A publication Critical patent/TW201642999A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI678262B publication Critical patent/TWI678262B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06Work supports, e.g. adjustable steadies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • B24B7/17Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings for simultaneously grinding opposite and parallel end faces, e.g. double disc grinders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber

Abstract

本發明提供一種薄板狀工件的製造方法,其具備:使用雙頭平面磨削裝置,邊使在一對靜壓墊之間被靜壓支承著的薄板狀的工件旋轉,邊利用一對磨削磨具來磨削工件的兩面的磨削步驟;在進行磨削步驟之前對雙頭平面磨削裝置進行調整的預先調整步驟。在預先調整步驟中,在第一狀態(邊對調整用工件進行靜壓支承,邊利用磨削磨具夾持調整用工件)、第二狀態(不對調整用工件進行靜壓支承,只利用磨削磨具來夾持調整用工件)下取得調整用工件與靜壓墊之間的距離,並根據在這兩狀態下的距離之間的變化來調整雙頭平面磨削裝置。

Description

薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置
本發明關於一種薄板狀工件的製造方法以及一種雙頭平面磨削裝置。
舉例來說,橫型雙頭平面磨削裝置構成為:具備左右一對靜壓墊和左右一對磨削磨具,一邊利用靜壓墊從矽晶片等薄板狀工件的兩面側對該工件進行靜壓支承,一邊使該工件繞著中心軸旋轉,並且利用旋轉著的一對磨削磨具從該工件的兩面側夾住該工件來進行磨削(參照例如專利文獻1)。
在這種雙頭平面磨削裝置中,由於利用兩個支承單元即靜壓墊和磨削磨具在不同的兩個部位支承磨削中的工件,因此例如一旦由這兩個支承單元進行支承的支承位置在軸向上、也就是說工件的板厚方向上錯開了,則在工件上就會產生彎曲應力,從而無法進行高精度的磨削。
相對於此,專利文獻1中記載的雙頭平面磨削裝置構成為具備使左右側的靜壓墊沿著軸向同步移動的移動機構,並且以工件的安裝基準位置為中心,在磨削工件時使兩靜壓墊同步地在相同速度下移動相同距離,由此能夠使靜壓墊相對於工件安裝基準位置正確地定位,從而能夠進行高精度的磨削。
〔專利文獻〕
[專利文獻1] 日本特開2003-236746號公報
在專利文獻1中記載的雙頭平面磨削裝置中,如上所述,以工件的安裝基準位置為中心,在磨削工件時使兩靜壓墊同步地在相同速度下移動相同距離,然而工件不一定是在兩靜壓墊之間的中央處被靜壓支承著,而且靜壓支承位置與兩磨削磨具之間的中央位置也不一定一致,因此無法保證在工件上不會產生彎曲應力。
此外,作為不使磨削中的工件產生彎曲應力的其他方法,例如可以想到下述方法:直到得到規定精度為止,反覆地進行後述一連串的作業,即預先進行試磨削,並綜合地分析試磨削中的各種數據(磨具軸的電流值變化數據、工件動作數據等)、磨削後的工件的目測確認結果(表面粗糙度、彎曲等)、磨削後的工件的測量數據等來進行調整。
然而,存在下述問題:雖然適當地進行如上述那樣藉由反覆地試磨削來調整的預先調整作業,就能夠可靠地得到高精度,但是要根據試磨削的結果來適當地進行調整,作業員就必須具備充分的經驗,該預先調整作業對經驗較少的作業員來說是難度較高的。
本發明是根據上述問題而完成的,其的目的在於提供一種薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置,根據該薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置,不論作業員的熟練度高低,都能夠可靠地進行為了高精度地磨削薄板狀工件而所需的預先調整。
本發明是一種薄板狀工件的製造方法,其具備磨削步驟和預先調整步驟,該磨削步驟是使用具有一對靜壓墊和一對磨削磨具的雙頭平面磨削裝置,一邊使在所述一對靜壓墊之間被靜壓支承著的薄板狀的工件旋轉,一邊利用所述一對磨削磨具來磨削所述工件的兩面的步驟,該預先調整步驟是在進行所述磨削步驟之前對所述雙頭平面磨削裝置進行調整的步驟,在所述預先調整步驟中,在第一狀態和第二狀態下取得與調整用工件的形態相關的規定值,並 根據在該第一狀態和該第二狀態下的所述規定值之間的變化來調整所述雙頭平面磨削裝置,其中該第一狀態是一邊在所述一對靜壓墊之間對所述調整用工件進行靜壓支承,一邊利用所述一對磨削磨具夾持所述調整用工件的狀態,該第二狀態是不利用所述靜壓墊來對所述調整用工件進行靜壓支承,只利用所述一對磨削磨具來夾持所述調整用工件的狀態。
此外,較佳的是,以對所述一對靜壓墊與所述調整用工件之間的距離進行檢測的距離檢測感測器的輸出值作為所述規定值。在該情況下,較佳的是,以在所述第一狀態下的所述距離檢測感測器的輸出值與在所述第二狀態下的所述距離檢測感測器的輸出值之間的變化量小於等於規定判定值為條件來結束所述預先調整步驟。
此外,較佳的是,所述預先調整步驟具備:在所述一對靜壓墊之間對所述調整用工件進行靜壓支承的靜壓支承步驟;利用所述一對磨削磨具來夾持在所述靜壓支承步驟中被靜壓支承著的所述調整用工件的磨具支承步驟;在所述磨具支承步驟後使利用所述一對靜壓墊進行的靜壓支承停止的靜壓支承停止步驟;以及對進行所述靜壓支承停止步驟之前的所述距離檢測感測器的輸出值與進行所述靜壓支承停止步驟之後的所述距離檢測感測器的輸出值之間的變化量是否小於等於所述規定判定值進行判定的形態變化判定步驟,直到在所述形態變化判定步驟中,所述變化量被判定為小於等於所述規定判定值為止,反覆調整所述雙頭平面磨削裝置來使所述變化量減小,並且反覆進行所述靜壓支承步驟、所述磨具支承步驟、所述靜壓支承停止步驟以及所述形態變化判定步驟的步驟。
此外,較佳的是,在所述磨具支承步驟中,利用所述一對磨削磨具在所述距離檢測感測器的輸出值與所述靜壓支承步驟時大致相等的位置夾持 所述調整用工件。
另外,本發明是一種雙頭平面磨削裝置,其一邊使在一對靜壓墊之間被靜壓支承著的薄板狀的工件旋轉,一邊利用一對磨削磨具來磨削所述工件的兩面,所述雙頭平面磨削裝置具備預先調整單元,該預先調整單元用於:在第一狀態和第二狀態下分別取得與調整用工件的形態相關的規定值,並根據在該第一狀態和該第二狀態下的所述規定值之間的變化,在磨削所述工件之前進行規定的調整,其中該第一狀態是一邊在所述一對靜壓墊之間對所述調整用工件進行靜壓支承,一邊利用所述一對磨削磨具夾持所述調整用工件的狀態,該第二狀態是不利用所述靜壓墊來對所述調整用工件進行靜壓支承,只利用所述一對磨削磨具來夾持所述調整用工件的狀態。
根據本發明,不論作業員的熟練度高低,都能夠可靠地進行為了高精度地磨削薄板狀工件而所需的預先調整。
1、2‧‧‧靜壓墊
4、5‧‧‧磨削磨具
6a~6c、7a~7c‧‧‧空氣感測器(距離檢測感測器)
W‧‧‧工件
Wa‧‧‧調整用工件
圖1為示出本發明的第一實施方式的橫型雙頭平面磨削裝置的俯視剖視圖。
圖2是橫型雙頭平面磨削裝置的側視圖。
圖3是橫型雙頭平面磨削裝置的控制系統的方框圖。
圖4是使用橫型雙頭平面磨削裝置來進行的薄板狀工件的製造方法的流程圖。
圖5是薄板狀工件的製造方法中的靜壓支承步驟的說明圖。
圖6是薄板狀工件的製造方法中的磨具支承步驟的說明圖。
圖7是薄板狀工件的製造方法中的靜壓支承停止步驟的說明圖。
圖8是說明圖,其示出在薄板狀工件的製造方法中的、在第一狀態和第二狀 態下的感測器輸出值之間的變化情況的一個例子。
圖9是說明圖,其示出在薄板狀工件的製造方法中的、在第一狀態和第二狀態下的感測器輸出值之間的變化情況的一個例子。
圖10是示出本發明的第二實施方式的橫型雙頭平面磨削裝置的控制系統的方框圖。
以下,根據圖式詳細地說明本發明的實施方式。圖1到圖9中舉例示出了在橫型雙頭平面磨削裝置和使用該橫型雙頭平面磨削裝置來進行的薄板狀工件的製造方法中採用了本發明而構成的第一實施方式。如圖1、圖2所示,本實施方式的橫型雙頭平面磨削裝置具備左右一對靜壓墊1、2、驅動單元(省略圖示)以及左右一對磨削磨具4、5。上述一對靜壓墊1、2對矽晶片等薄板狀工件W進行靜壓支承。該驅動單元經由載具3驅動由上述靜壓墊1、2靜壓支承著的工件W繞該工件W的大致中心旋轉。上述一對磨削磨具4、5以能夠繞左右方向上的軸心自由旋轉的方式佈置著,並且從工件W的兩面側夾住工件W來進行磨削。
靜壓墊1、2呈從軸向看去為近似圓形的形狀,靜壓墊1、2在例如下部側具備從外周側向中心側凹入的凹部1a、2a,磨削磨具4、5佈置為與上述凹部1a、2a對應。靜壓墊1、2能夠沿著左右方向在前進位置與後退位置之間移動,其中該前進位置是工件W附近的位置,該後退位置是比該前進位置還遠離工件W的位置,在前進位置處,靜壓墊1、2經由供向與工件W相向的工件支承面1b、2b的靜壓流體(在此為靜壓水)對工件W進行靜壓支承。
在靜壓墊1、2的工件支承面1b、2b側上,除了多個袋(pocket,省略圖示)和排出槽(省略圖示)外,還佈置有多個(例如沿著凹部1a、2a的周向佈置 有三個)空氣感測器6a~6c、7a~7c,靜壓水經由規定的噴嘴供向上述多個袋,上述排出槽將靜壓水從各個袋向外側排出,上述多個空氣感測器6a~6c、7a~7c留有規定間隔地佈置在凹部1a、2a的附近。
空氣感測器(距離檢測感測器)6a~6c、7a~7c構成為從空氣噴嘴向工件W側噴出空氣,並根據噴出空氣時的背壓的變化來進行與工件W和靜壓墊1、2的工件支承面1b、2b之間的間隙的大小(距離)相應的輸出,空氣感測器6a、7a以在左右方向上相對應的方式佈置在凹部1a、2a的前側(圖1中的下側),空氣感測器6c、7c以在左右方向上相對應的方式佈置在凹部1a、2a的後側(圖1中的上側),空氣感測器6b、7b以在左右方向上相對應的方式佈置在凹部1a、2a的上側。需要說明的是,空氣感測器6a~6c、7a~7c只是距離檢測感測器的一個例子,還可以使用其他感測器,例如雷射式感測器、接觸式感測器等,只要能夠檢測出與工件W之間的距離即可。
磨削磨具4、5呈杯形等形狀,並且設置在由軸承殼8、9支承著能夠自由旋轉的、沿左右方向佈置的磨具軸10、11的頂端側上,磨削磨具4、5經由磨具軸10、11受磨具驅動電動機12、13驅動,從而繞該磨具軸10、11旋轉。此外,磨削磨具4、5例如經由軸承殼8、9等受切入驅動電動機(省略圖示)驅動,從而能夠在左右方向(軸向)上移動。另外,例如能夠經由軸承殼8、9等來調整磨削磨具4、5相對于軸向的傾斜度。
載具3呈近似圓環狀且具備能夠供工件W插入的工件安裝孔14,載具3的厚度比工件W薄,載具3被沿著該載具3的外周佈置的多個支承輥15支承著能夠繞該載具3的大致中心自由旋轉,並且載具3能夠被驅動單元(省略圖示)驅動而旋轉。在載具3上設有向工件安裝孔14內突出而與工件W上的凹口部16扣合的扣合部17,該扣合部17與載具3形成為一體。
圖3示出本實施方式的橫型雙頭平面磨削裝置的控制系統的簡要 結構。該控制系統具備靜壓墊控制單元21、磨具控制單元22以及操作單元23等。該靜壓墊控制單元21對靜壓墊1、2的移動(前進、後退)、靜壓水的供給、停止等進行控制。該磨具控制單元22對磨削磨具4、5的移動(前進、後退)、旋轉、停止等進行控制。該操作單元23用於對上述靜壓墊控制單元21、磨具控制單元22等進行各種設定、其他操作。
操作單元23例如除了流量設定單元24、位置設定單元25、傾斜度設定單元26等,還具備感測器輸出值顯示單元27等。流量設定單元24用來對靜壓墊控制單元21設定靜壓水的流量。位置設定單元25用來對磨具控制單元22設定磨削磨具4、5的軸向位置。傾斜度設定單元26用來對磨具控制單元22設定磨削磨具4、5的傾斜度。感測器輸出值顯示單元27用來顯示來自空氣感測器6a~6c、7a~7c的輸出值。需要說明的是,例如就磨削磨具4、5的傾斜度來說,也可以不經由磨具控制單元22來進行調整,而是利用另外設置的傾斜度調整單元來進行調整。
接著,邊參照圖4中所示的流程圖,邊說明使用本實施方式的橫型雙頭平面磨削裝置來進行的薄板狀工件的製造方法(調整方法和磨削方法)。如圖4所示,使用橫型雙頭平面磨削裝置來製造薄板狀工件時,首先進行對橫型雙頭平面磨削裝置作調整的預先調整步驟(SI~S10),然後進行使用該預先調整後的橫型雙頭平面磨削裝置來磨削工件W的兩面的磨削步驟(S11)。
在預先調整步驟中,首先,作為預先準備,作業員進行下述作業(S1):使磨具軸10、11平行、同軸的調整;靜壓墊1、2相對於磨具軸10、11的角度(直角)的調整;空氣感測器6a~6c、7a~7c的校準;磨削磨具4、5的修整等。就空氣感測器6a~6c、7a~7c的校準來說,較佳的是以下述方式進行調整,即工件W與靜壓墊1、2上的工件支承面1b、2b之間的距離的變化量和與該變化量相應的感測器輸出值的變化量的比例為1:1,但是至少兩個變化量之間存在 關聯即可。此外,本實施方式的空氣感測器6a~6c、7a~7c的輸出值被設定為:以0為基準值,與工件W之間的距離減少的方向為+,與工件W之間的距離增加的方向為-。
在預先準備(S1)之後,例如將載具3安裝在一對靜壓墊1、2之間,並將調整用工件Wa安裝在該載具3上(S2)。可以由作業員以手工作業的方式來安裝該調整用工件Wa,也可以由工件搬入搬出裝置自動地安裝該調整用工件Wa。此外,較佳的是使用完成磨削的工件W作為調整用工件Wa,但是也可以使用磨削前的工件W作為調整用工件Wa。此外,由於在該預先調整步驟中不對工件進行磨削,因此也可以使用與實際的磨削對象不同的金屬板、樹脂板等作為調整用工件Wa。
在完成調整用工件Wa的安裝(S2)後,作業員接著操作操作單元23,從而藉由靜壓墊控制單元21的控制來向左右側的靜壓墊1、2供給靜壓水1c、2c,由此如圖5所示那樣在靜壓墊1、2之間對調整用工件Wa進行靜壓支承(S3:靜壓支承步驟)。需要說明的是,此時不使調整用工件Wa旋轉。接著,作業員操作操作單元23,從而藉由磨具控制單元22的控制來使左右側的磨削磨具4、5在停止旋轉狀態下前進,由此如圖6所示那樣利用上述磨削磨具4、5從調整用工件Wa的兩面側夾持住該調整用工件Wa(S4:磨具支承步驟)。然後,在該狀態下,作業員例如從感測器輸出值顯示單元27取得空氣感測器6a~6c、7a~7c輸出的感測器輸出值(S5)。
在此,在磨具支承步驟S4中,較佳的是以下述方式對磨削磨具4、5的軸向位置進行調整,即:磨削磨具4、5夾持前後(利用磨削磨具4、5進行夾持前和利用磨削磨具4、5進行夾持後)的、空氣感測器6a~6c、7a~7c輸出的感測器輸出值大致為相等的值。例如,以下述方式對磨削磨具4、5的軸向位置進行調整,即:利用磨削磨具4、5進行夾持前的感測器輸出值與利用磨削磨 具4、5進行夾持後的感測器輸出值之間的差(絕對值)成為規定容許值以下的值。可以根據希望的磨削精度來設定規定容許值。需要說明的是,進行了該步驟S4後的狀態為第一狀態的一個例子,該第一狀態是一邊在一對靜壓墊1、2之間對調整用工件Wa進行靜壓支承,一邊利用一對磨削磨具4、5夾持調整用工件Wa的狀態。該第一狀態是與磨削工件W(S11)時同樣地利用靜壓墊1、2和磨削磨具4、5雙方來支承調整用工件Wa的狀態,只靠在步驟S5取得的第一狀態下的感測器輸出值,無法判定調整用工件Wa上是否產生了彎曲應力。
接著,在利用磨削磨具4、5夾持住調整用工件Wa的狀態下,作業員操作操作單元23,從而藉由靜壓墊控制單元21的控制來如圖7所示那樣停止向靜壓墊1、2供給靜壓水1c、2c,由此使利用靜壓墊1、2進行的靜壓支承停止(S6:靜壓支承停止步驟)。然後,在該狀態下,作業員例如從感測器輸出值顯示單元27取得空氣感測器6a~6c、7a~7c輸出的感測器輸出值。需要說明的是,進行了該步驟S6後的狀態為第二狀態的一個例子,該第二狀態是不利用靜壓墊1、2來對調整用工件Wa進行靜壓支承,只利用一對磨削磨具4、5來夾持調整用工件Wa的狀態。該第二狀態是從第一狀態中解除了利用靜壓墊1、2進行的靜壓支承,從而只利用磨削磨具4、5來進行支承的狀態,因此明顯可知調整用工件Wa上沒有產生彎曲應力。
然後,求出在步驟S5中取得的第一狀態(靜壓支承停止前)下的感測器輸出值與在步驟S7中取得的第二狀態(靜壓支承停止後)下的感測器輸出值之間的變化量,並對該變化量是否小於等於規定判定值(例如5μm)進行判定(S8:形態變化判定步驟)。
如果上述感測器輸出值的變化量夠小(如果小於等於規定判定值),就表示調整用工件Wa的形態在S5時間點(第一狀態)和S7時間點(第二狀態)之間幾乎沒有變化,因此能夠判定為在條件與磨削工件W時相同的第一狀態 下,在調整用工件Wa上產生的彎曲應力在容許範圍內。另一方面,如果感測器輸出值的變化量大於規定判定值,就表示調整用工件Wa的形態在S5時間點(第一狀態)與S7時間點(第二狀態)之間發生了較大的變化,因此能夠判定為在條件與磨削工件W時相同的第一狀態下,在調整用工件Wa上產生了無法忽視的彎曲應力。
於是,如果感測器輸出值的變化量未小於等於規定判定值(S8:否),作業員就根據上述感測器輸出值的變化方向和變化量來進行規定的調整,以使變化量減小(S9)。較佳的是以例如磨削磨具4、5的軸向位置、傾斜度為對象來進行該調整,但除此之外還能夠以例如靜壓水1c、2c的流量、噴嘴直徑等作為調整的對象,也可以對這些對象中的多個同時進行調整。
如圖8所示,例如當左側的空氣感測器6a~6c的輸出值的變化量都是-10,並且右側的空氣感測器7a~7c的輸出值的變化量都是+10時,可以認為:由磨削磨具4、5所支承的支承位置比由靜壓墊1、2所支承的支承位置位於右側。因此,作業員只要操作操作單元23的位置設定單元25來進行調整,例如使磨削磨具4、5在軸向上的位置往左側偏移即可。在該情況下,也可以不使磨削磨具4、5在軸向上的位置往左側偏移,取而代之的是例如可以進行調整來使右側的靜壓墊2側的靜壓水2c的流量比左側的靜壓墊1側的靜壓水1c的流量小,例如還可以進行調整來使右側的靜壓墊2側的用來供給靜壓水2c的噴嘴的直徑小於左側的靜壓墊1側的用來供給靜壓水1c的噴嘴的直徑。
一旦步驟S9的調整結束,就再次執行步驟S3以後的處理。也就是說,直到在步驟S8中,感測器輸出值的變化量被判定為小於等於規定判定值為止,反覆進行步驟S3~S9的處理。然後,如圖9中所示的例子那樣,當在步驟S8中,感測器輸出值的變化量被判定為小於等於規定判定值時(S8:是),因為能夠判定為磨削中的工件上產生的彎曲應力已被調整為落在容許範圍內,所以 在此結束預先調整步驟(S10),並使用調整後的橫型雙頭平面磨削裝置來磨削工件W(S11:磨削步驟)。
如以上說明那樣,本實施方式之薄板狀工件的製造方法是這樣的方法:在磨削步驟之前的預先調整步驟中,在第一狀態和第二狀態下取得對調整用工件Wa與靜壓墊1、2之間的距離進行檢測的空氣感測器(距離檢測感測器)6a~6c、7a~7c的輸出值,並且根據在該第一狀態和該第二狀態下的感測器輸出值之間的變化來進行調整,以使該變化減小,其中該第一狀態是一邊在一對靜壓墊1、2之間對調整用工件Wa進行靜壓支承,一邊利用一對磨削磨具4、5夾持調整用工件Wa的狀態,該第二狀態是不利用靜壓墊1、2來對調整用工件Wa進行靜壓支承,只利用一對磨削磨具4、5來夾持調整用工件Wa的狀態。由此,不論作業員的熟練度高低,都能夠可靠地進行為了高精度地磨削薄板狀工件而所需的預先調整。
此外,由於能夠直接使用以往裝載在雙頭平面磨削裝置上的、用來監測工件的端面位置的空氣感測器6a~6c、7a~7c,因此能夠以較低的成本來實現本實施方式之薄板狀工件的製造方法。
圖10中舉例示出了本發明的第二實施方式,在圖10示出的例子中,改變了第一實施方式的一部分結構,在橫型雙頭平面磨削裝置中設置了自動地進行預先調整步驟中的至少一部分步驟的預先調整單元31。
如圖10所示,本實施方式的橫型雙頭平面磨削裝置的控制系統除了靜壓墊控制單元21、磨具控制單元22等,還具備預先調整單元31。該預先調整單元31用來自動地進行圖4中所示的預先調整步驟中的至少一部分步驟,例如自動地進行步驟S3~S9的反覆處理,該預先調整單元31具備第一狀態控制單元32、第一輸出值取得單元33、第二狀態控制單元34、第二輸出值取得單元35、判定單元36、調整執行單元37等。
第一狀態控制單元32構成為:為了實現一邊在一對靜壓墊1、2之間對調整用工件Wa進行靜壓支承,一邊利用一對磨削磨具4、5夾持調整用工件Wa這樣的第一狀態,第一狀態控制單元32經由靜壓墊控制單元21和磨具控制單元22使圖4中的步驟S3、S4的處理自動地執行。此外,第一輸出值取得單元33取得在該第一狀態下的空氣感測器6a~6c、7a~7c的輸出值(圖4中的步驟S5)。
第二狀態控制單元34構成為:為了實現不利用靜壓墊1、2來對調整用工件Wa進行靜壓支承,只利用一對磨削磨具4、5來夾持調整用工件Wa這樣的第二狀態,第二狀態控制單元34經由靜壓墊控制單元21使圖4中的步驟S6的處理自動地執行。此外,第二輸出值取得單元35取得在該第二狀態下的空氣感測器6a~6c、7a~7c的輸出值(圖4中的步驟S7)。
然後,判定單元36求出由第一輸出值取得單元33取得的、在第一狀態(靜壓支承停止前)下的感測器輸出值與由第二輸出值取得單元35取得的、在第二狀態(靜壓支承停止後)下的感測器輸出值之間的變化量,並對該變化量是否小於等於規定判定值(例如5μm)進行判定(圖4中的步驟S8)。
此外,調整執行單元37具備用來調整靜壓水1c、2c的流量的流量調整單元37a、用來調整磨削磨具4、5的軸向位置的位置調整單元37b、用來調整磨削磨具4、5的傾斜度的傾斜度調整單元37c等,當判定單元36判定為感測器輸出值的變化量未小於等於規定判定值時(圖4中的步驟S8:否),就根據上述感測器輸出值的變化方向和變化量,藉由流量調整單元37a、位置調整單元37b、傾斜度調整單元37c等自動地進行調整,以使變化量減小(圖4中的步驟S9)。
然後,直到判定單元36判定為感測器輸出值的變化量小於等於規定判定值為止,預先調整單元31反覆執行圖4中的步驟S3~S9。
如以上說明那樣,由於在本發明中,能夠將第一狀態和第二狀態 下的感測器輸出值之間的變化方向和變化量數字化,因此能夠如本實施方式那樣使預先調整步驟中的至少一部分步驟自動地執行。
以上,詳細說明了本發明的實施方式,然而本發明不限於上述實施方式,能夠在不脫離本發明的要旨的範圍內進行各種變更。例如,上述實施方式中的預先調整步驟構成為:在第一狀態下取得感測器輸出值後,轉移到第二狀態來取得感測器輸出值。然而,預先調整步驟也可以構成為:先在第二狀態下取得感測器輸出值後,再轉移到第一狀態來取得感測器輸出值。
此外,上述實施方式中的預先調整步驟構成為:在執行靜壓支承步驟(圖4中的步驟S3)後執行磨具支承步驟(圖4中的步驟S4),由此轉移到第一狀態。然而,預先調整步驟也可以構成為:先利用磨削磨具4、5來夾持調整用工件Wa,然後再利用靜壓墊1、2進行靜壓支承,由此轉移到第一狀態。
上述實施方式構成為:在磨具支承步驟(圖4中的步驟S4)中,利用磨削磨具4、5在空氣感測器6a~6c、7a~7c的輸出值與靜壓支承步驟(圖4中的步驟S3)時大致相等的位置夾持調整用工件Wa。然而,上述實施方式也可以構成為:與空氣感測器6a~6c、7a~7c的輸出值無關地利用磨削磨具4、5在預先設定好的位置夾持調整用工件Wa。但是,在該情況下,有可能後續的調整比較費時。
此外,本發明的雙頭平面磨削裝置也同樣能夠應用在將一對靜壓墊1、2和一對磨削磨具4、5沿上下方向佈置的縱型雙頭平面磨削裝置上。

Claims (6)

  1. 一種薄板狀工件的製造方法,其具備磨削步驟和預先調整步驟,該磨削步驟是使用具有一對靜壓墊和一對磨削磨具的雙頭平面磨削裝置,一邊使在所述一對靜壓墊之間被靜壓支承著的薄板狀的工件旋轉,一邊利用所述一對磨削磨具來磨削所述工件的兩面的步驟,該預先調整步驟是在進行所述磨削步驟之前對所述雙頭平面磨削裝置進行調整的步驟,其中:在所述預先調整步驟中,在第一狀態和第二狀態下取得與調整用工件的形態相關的規定值,並根據在該第一狀態和該第二狀態下的所述規定值之間的變化來調整所述雙頭平面磨削裝置,其中該第一狀態是一邊在所述一對靜壓墊之間對所述調整用工件進行靜壓支承,一邊利用所述一對磨削磨具夾持所述調整用工件的狀態,該第二狀態是不利用所述靜壓墊來對所述調整用工件進行靜壓支承,只利用所述一對磨削磨具來夾持所述調整用工件的狀態。
  2. 如請求項1所述的薄板狀工件的製造方法,其中:以對所述一對靜壓墊與所述調整用工件之間的距離進行檢測的距離檢測感測器的輸出值作為所述規定值。
  3. 如請求項2所述的薄板狀工件的製造方法,其中:以在所述第一狀態和所述第二狀態下的所述距離檢測感測器的輸出值之間的變化量小於等於規定判定值為條件來結束所述預先調整步驟。
  4. 如請求項3所述的薄板狀工件的製造方法,其中:所述預先調整步驟具備:在所述一對靜壓墊之間對所述調整用工件進行靜壓支承的靜壓支承步驟;利用所述一對磨削磨具來夾持在所述靜壓支承步驟中被靜壓支承著的所述調整用工件的磨具支承步驟;在所述磨具支承步驟後使利用所述一對靜壓墊進行的靜壓支承停止的靜壓支承停止步驟;以及對進行所述靜壓支承停止步驟之前的所述距離檢測感測器的輸出值與進行所述靜壓支承停止步驟之後的所述距離檢測感測器的輸出值之間的變化量是否小於等於所述規定判定值進行判定的形態變化判定步驟,直到在所述形態變化判定步驟中,所述變化量被判定為小於等於所述規定判定值為止,反覆調整所述雙頭平面磨削裝置來使所述變化量減小,並且反覆進行所述靜壓支承步驟、所述磨具支承步驟、所述靜壓支承停止步驟以及所述形態變化判定步驟。
  5. 如請求項4所述的薄板狀工件的製造方法,其中:在所述磨具支承步驟中,利用所述一對磨削磨具在所述距離檢測感測器的輸出值與所述靜壓支承步驟時大致相等的位置夾持所述調整用工件。
  6. 一種雙頭平面磨削裝置,其一邊使在一對靜壓墊之間被靜壓支承著的薄板狀的工件旋轉,一邊利用一對磨削磨具來磨削所述工件的兩面,其中:所述雙頭平面磨削裝置具備預先調整單元,該預先調整單元用於:在第一狀態和第二狀態下分別取得與調整用工件的形態相關的規定值,並根據在該第一狀態和該第二狀態下的所述規定值之間的變化,在磨削所述工件之前進行規定的調整,其中該第一狀態是一邊在所述一對靜壓墊之間對所述調整用工件進行靜壓支承,一邊利用所述一對磨削磨具夾持所述調整用工件的狀態,該第二狀態是不利用所述靜壓墊來對所述調整用工件進行靜壓支承,只利用所述一對磨削磨具來夾持所述調整用工件的狀態。
TW105110045A 2015-04-07 2016-03-30 薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置 TWI678262B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015078531A JP6383700B2 (ja) 2015-04-07 2015-04-07 薄板状ワークの製造方法及び両頭平面研削装置
JP2015-078531 2015-04-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201642999A TW201642999A (zh) 2016-12-16
TWI678262B true TWI678262B (zh) 2019-12-01

Family

ID=57250367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105110045A TWI678262B (zh) 2015-04-07 2016-03-30 薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6383700B2 (zh)
KR (1) KR102499588B1 (zh)
CN (1) CN106041728B (zh)
TW (1) TWI678262B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI826082B (zh) * 2022-09-08 2023-12-11 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11400563B2 (en) * 2018-12-07 2022-08-02 Disco Corporation Processing method for disk-shaped workpiece
CN117226707A (zh) * 2023-11-10 2023-12-15 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 驱动环、承载装置及双面研磨装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002307303A (ja) * 2001-04-10 2002-10-23 Koyo Mach Ind Co Ltd 薄板円板状ワークの両面研削方法および装置
JP2005238444A (ja) * 1999-05-07 2005-09-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面同時研削方法および両面同時研削盤並びに両面同時ラップ方法および両面同時ラップ盤
US20100087123A1 (en) * 2006-01-30 2010-04-08 Memc Electronic Materials, Inc. Method For Assessing Workpiece Nanotopology Using A Double Side Wafer Grinder
TW201249594A (en) * 2011-03-18 2012-12-16 Koyo Machine Ind Co Ltd Method for grinding thin sheet-like workpiece and double-end surface grinder
TW201350263A (zh) * 2012-04-24 2013-12-16 Koyo Machine Ind Co Ltd 兩頭平面研磨法及兩頭平面研磨盤
CN103889655A (zh) * 2011-11-07 2014-06-25 信越半导体株式会社 双面研磨方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55125761U (zh) * 1979-02-24 1980-09-05
US5989108A (en) * 1996-09-09 1999-11-23 Koyo Machine Industries Co., Ltd. Double side grinding apparatus for flat disklike work
JPH10264024A (ja) * 1997-01-23 1998-10-06 Nippon Seiko Kk 砥石アンバランス測定方法
JPH11114792A (ja) * 1997-10-07 1999-04-27 Canon Inc 研磨装置
JP3571310B2 (ja) * 2001-06-12 2004-09-29 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェーハ剥し装置および半導体ウェーハの製造方法
JP2003236746A (ja) * 2002-02-14 2003-08-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd ワーク研削装置
JP3993856B2 (ja) * 2004-01-22 2007-10-17 光洋機械工業株式会社 両頭平面研削装置
JP4985451B2 (ja) * 2008-02-14 2012-07-25 信越半導体株式会社 ワークの両頭研削装置およびワークの両頭研削方法
JP5463570B2 (ja) * 2008-10-31 2014-04-09 Sumco Techxiv株式会社 ウェハ用両頭研削装置および両頭研削方法
JP5872947B2 (ja) * 2012-04-05 2016-03-01 光洋機械工業株式会社 両頭平面研削におけるワーク搬入出方法及び両頭平面研削盤
JP5724958B2 (ja) * 2012-07-03 2015-05-27 信越半導体株式会社 両頭研削装置及びワークの両頭研削方法
JP6033652B2 (ja) * 2012-11-23 2016-11-30 光洋機械工業株式会社 両面研削装置における静圧パッドの熱変形防止装置および両面研削装置
JP6145334B2 (ja) * 2013-06-28 2017-06-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005238444A (ja) * 1999-05-07 2005-09-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面同時研削方法および両面同時研削盤並びに両面同時ラップ方法および両面同時ラップ盤
JP2002307303A (ja) * 2001-04-10 2002-10-23 Koyo Mach Ind Co Ltd 薄板円板状ワークの両面研削方法および装置
US20100087123A1 (en) * 2006-01-30 2010-04-08 Memc Electronic Materials, Inc. Method For Assessing Workpiece Nanotopology Using A Double Side Wafer Grinder
TW201249594A (en) * 2011-03-18 2012-12-16 Koyo Machine Ind Co Ltd Method for grinding thin sheet-like workpiece and double-end surface grinder
CN103889655A (zh) * 2011-11-07 2014-06-25 信越半导体株式会社 双面研磨方法
TW201350263A (zh) * 2012-04-24 2013-12-16 Koyo Machine Ind Co Ltd 兩頭平面研磨法及兩頭平面研磨盤

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI826082B (zh) * 2022-09-08 2023-12-11 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6383700B2 (ja) 2018-08-29
CN106041728A (zh) 2016-10-26
TW201642999A (zh) 2016-12-16
KR102499588B1 (ko) 2023-02-15
JP2016198826A (ja) 2016-12-01
KR20160120237A (ko) 2016-10-17
CN106041728B (zh) 2020-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11171056B2 (en) Wafer processing method
US20090247050A1 (en) Grinding method for grinding back-surface of semiconductor wafer and grinding apparatus for grinding back-surface of semiconductor wafer used in same
US9108292B2 (en) Method of obtaining a sliding distance distribution of a dresser on a polishing member, method of obtaining a sliding vector distribution of a dresser on a polishing member, and polishing apparatus
TWI434748B (zh) 研磨墊的形狀修正方法
KR20180097136A (ko) 기판의 연마 장치 및 연마 방법
TWI678262B (zh) 薄板狀工件的製造方法以及雙頭平面磨削裝置
US11141830B2 (en) Method for setting processing device
CN107073683A (zh) 工件的加工装置
CN104271315A (zh) 磨削加工装置及其控制方法
JP2013141725A (ja) 研削装置
JP2013004726A (ja) 板状物の加工方法
TW202007479A (zh) 研削裝置的原點位置設定機構以及原點位置設定方法
KR20160033041A (ko) 피가공물의 연삭 방법
JP6424081B2 (ja) 研削方法
JP4591830B2 (ja) ウェーハ面取り装置
JP2012240177A (ja) 研削加工装置及び方法
TWI411030B (zh) 晶圓研磨機之加工品質判斷方法及晶圓研磨機
JP2015023113A (ja) 半導体基板の平坦化研削加工方法
JP6262593B2 (ja) 研削装置
CN113211299B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP2002307303A (ja) 薄板円板状ワークの両面研削方法および装置
JP2010173009A (ja) 半導体チップの薄片化の加工装置及びその加工方法
CN105290969B (zh) 磨削装置
TW202041320A (zh) 深切緩進磨削方法
JP6404002B2 (ja) 湾曲板の周縁加工方法