TWI826082B - 監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims abstract description 71
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 54
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 43
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 62
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
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Abstract
本發明實施例揭露了監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置，該研磨裝置用於對矽片進行雙面研磨，該監控研磨裝置的加工狀態的系統包括：位置監測裝置，該位置監測裝置用於獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量；控制裝置，該控制裝置用於根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向目標位置移位。
Description
本發明屬於半導體製造技術領域，尤其關於監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置。
半導體矽片的生産技術通常包括拉晶、線切割、研磨、拋光等處理過程。雙面研磨作爲一種研磨技術用於同時對矽片的兩個主表面進行研磨以使矽片具有高度平整表面。在雙面研磨過程中，需要使用專用裝置來保持矽片，以便於研磨輪對矽片的兩個主表面同時進行研磨。通常，這種保持裝置包括對向設置的一對流體靜壓板，矽片沿垂直方向設置在兩個流體靜壓板之間，流體靜壓板可以在其自身與矽片的主表面之間形成流體屏障，以便使矽片能夠在不與兩個流體靜壓板相接觸的情况下被保持垂直，與此同時，可以利用對置的磨輪對矽片的兩個主表面進行研磨。相比於物理夾持，流體靜壓板的流體夾持方式减少了對矽片的損傷，並使得矽片以較小的摩擦相對於流體靜壓板表面在切向上移動（轉動）。
然而，對於上述雙面研磨技術而言，隨著設備的連續操作及研磨水的持續供應，研磨室溫度會不斷發生變化，導致金屬磨床的床體發生一定的形變，由於左、右磨輪通過支撑桿固定在磨床上，一旦磨床發生形變，將導致左、右磨輪的研磨位置隨之發生變化，當研磨位置超出預定範圍，將無法按照預期軌跡對矽片進行研磨，最終導致加工矽片精度惡化。
因此，在雙面研磨過程中，實時對金屬磨床的形變進行管控，確保左、右磨輪持續保持在能夠實現較佳研磨效果的位置範圍內，對提升研磨精度而言非常重要。
有鑒於此，本發明實施例期望提供監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置，通過該系統能夠在研磨的過程中實時監測因溫度變化等引起的研磨裝置的工作狀態的變化，並能夠根據監測結果對研磨裝置施加作用力以使研磨裝置恢復工作狀態，從而確保矽片的研磨精度。
本發明的技術方案是這樣實現的：
第一方面，本發明實施例提供了一種監控研磨裝置的加工狀態的系統，該研磨裝置用於對矽片進行雙面研磨，該監控研磨裝置的加工狀態的系統包括：
位置監測裝置，該位置監測裝置用於獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量；
控制裝置，該控制裝置用於根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向該目標位置移位。
第二方面，本發明實施例提供了一種雙面研磨裝置，該雙面研磨裝置用於對矽片進行雙面研磨，該雙面研磨裝置包括根據第一方面的監控研磨裝置的加工狀態的系統。
第三方面，本發明實施例提供了一種監控研磨裝置的加工狀態的方法，該監控研磨裝置的加工狀態的方法包括：
通過位置監測裝置獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量，
通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向該目標位置移位。
本發明實施例提供了監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置；該系統包括位置監測裝置和控制裝置，該位置監測裝置通過獲取研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量來監測研磨裝置的加工狀態變化，另外，控制裝置可以根據所獲取的位置變化量通過對研磨裝置的至少一部分施加作用力來使研磨裝置上的指定點朝向目標位置移位，由此，在研磨裝置對矽片進行雙面研磨操作時，一旦研磨裝置因連續操作、研磨水的持續供應等因素帶來的溫度變化而發生一定的形變並引起加工狀態的變化，則可以由位置監測裝置監測到並且可以由控制裝置通過施加作用力對研磨裝置的一部分的位置進行調整，從而確保研磨裝置持續保持在能夠實現較佳研磨效果的位置範圍內，即，持續保持在較佳的加工狀態，使得研磨後的矽片具有較好的平坦度。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，下面結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，但並不用於限定本發明。
需要說明的是，當元件被稱為“固定於”或“設置於”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者間接在所述另一個元件上。當一個元件被稱為是“連接於”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或間接連接至所述另一個元件上。
需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。在本發明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的具有通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
參見圖1，其示出了用於對矽片S進行研磨的現有雙面研磨裝置1，雙面研磨裝置1包括對向設置的第一靜壓板11和第二靜壓板12，以及對向設置的第一研磨輪13和第二研磨輪14，第一靜壓板11和第二靜壓板12設置成用於向放置於二者之間的矽片S的兩個側面同時施加流體壓力，從而以非接觸的方式支承矽片S，第一研磨輪13和第二研磨輪14在矽片S被靜壓板支承的情况下按照預定的研磨軌跡同時對矽片S的兩個側面進行研磨，研磨裝置1可以爲雙面研磨裝置，研磨裝置1還包括：第一水平支撑桿15、第二水平支撑桿16、第一垂直支撑桿17、第二垂直支撑桿18、基座19，其中，第一靜壓板11和第一研磨輪13以及第二靜壓板12和第二研磨輪14分別經由第一水平支撑桿15和第一垂直支撑桿17以及第二水平支撑桿16和第二垂直支撑桿18支撑在基座19上。
爲了對雙面研磨裝置的各部件進行穩定支撑以使雙面研磨操作能夠穩定執行，基座19通常由金屬製成，並且在研磨期間，還需要對研磨輪和矽片提供研磨水以减少對矽片的不必要損傷。然而，隨著設備連續加工及研磨水的持續供應，研磨室溫度會不斷發生變化，導致金屬基座19發生一定的形變，由於研磨輪和靜壓板通過支撑桿被支撑在基座上，基座發生形變會導致研磨輪的研磨位置隨之發生變化，最終導致加工矽片精度惡化。例如，參見圖2，當基座19受到溫度影響使得其上表面發生向上的膨脹時，設置在基座19上的第一水平支撑桿15、第二水平支撑桿16、第一垂直支撑桿17、第二垂直支撑桿18分別相對於各自的初始垂直位置發生了偏轉和偏移，支撑桿的偏轉和偏移致使第一靜壓板11和第一研磨輪13以及第二靜壓板12和第二研磨輪14也分別相對於它們各自的初始位置發生了偏轉和偏移，甚至不再與矽片S的待研磨的側面平行，類似地，參見圖3，當基座19受到溫度影響使得其上表面發生向下的收縮時，支撑桿以及因此的靜壓板、研磨輪也分別相對於它們各自的初始位置發生了偏轉和偏移，研磨輪的偏轉和偏移將導致研磨輪對矽片的研磨位置偏離於預設位置，這最終使得經研磨之後的矽片的平坦度無法達到預期要求。
爲了解决上述問題，參見圖4，本發明提出了一種監控研磨裝置1的加工狀態的系統M，該研磨裝置1用於對矽片S進行雙面研磨，該監控研磨裝置1的加工狀態的系統M包括：位置監測裝置20，該位置監測裝置20用於獲取該研磨裝置1上的指定點相對於目標位置的位置變化量；控制裝置30，該控制裝置30用於根據該位置變化量對該研磨裝置1的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向目標位置移位。關於本發明實施例限定的目標位置，應當理解爲，指定點朝向目標位置移位表徵研磨裝置將朝向相對於矽片的最佳研磨位置靠近，即研磨輪的研磨表面相對於矽片的待研磨表面更趨向於平行並且研磨輪將接近預定研磨軌跡，從而能夠獲得平坦度有所改善的矽片；進一步，在一種可選的情况下，指定點到達目標位置，這表徵該研磨裝置相對於矽片處於最佳研磨位置，即研磨輪的研磨表面相對於矽片的待研磨表面保持平行並且研磨輪將按照預定軌跡對矽片進行研磨，從而獲得具有最佳平坦度的矽片。
本發明實施例提供了監控研磨裝置1的加工狀態的系統M；該監控研磨裝置1的加工狀態的系統包括位置監測裝置20和控制裝置30，該位置監測裝置20通過獲取研磨裝置1上的指定點相對於目標位置的位置變化量來檢測研磨裝置1的加工狀態變化，另外，控制裝置30可以根據所獲取的位置變化量通過對研磨裝置1的至少一部分施加作用力來使研磨裝置1上的指定點朝向目標位置移位，由此，在研磨裝置對矽片進行雙面研磨操作時，一旦研磨裝置因連續操作、研磨水的持續供應等因素帶來的溫度變化而發生一定的形變並引起加工狀態的變化，則可以由位置監測裝置監測到並且可以由控制裝置通過施加作用力對研磨裝置的一部分的位置進行調整，從而確保研磨裝置持續保持在能夠實現較佳研磨效果的位置範圍內，即，持續保持在較佳的加工狀態，使得研磨後的矽片具有較好的平坦度。
根據本發明的實施例，“指定點”可以設定在研磨裝置的任何部分處，例如，可以設定在研磨裝置的基座、支撑桿等部分上。然而，由於在對矽片進行雙面研磨過程中，研磨輪相對於矽片的研磨位置直接影響矽片的平坦度影響並且靜壓板與研磨輪相對於彼此的位置基本上不變，因此，根據本發明的可選實施例，該位置監測裝置20設置成獲取該研磨裝置的研磨輪或靜壓板上的指定點相對於目標位置的位置變化量。
具體地，在圖4中示出的示例中，位置監測裝置20被固定在靜壓板附近並且能夠測量其距靜壓板的水平距離，如果基座19受溫度變化的影響發生變形而導致靜壓板和研磨輪相對於目標位置發生變化時，則靜壓板和研磨輪距離位置監測裝置20的水平距離將發生變化，位置監測裝置20可以監測到此位置變化量，並將位置變化量發送至控制裝置30，在具體應用中，可以根據産品要求設定允許的位置變化量範圍，也就是說允許在雙面研磨操作中靜壓板和研磨輪發生一定程度的位置偏移，但是一旦超出設定的位置變化範圍，則控制裝置30將執行調整操作，以使靜壓板和研磨輪朝向目標位置移位，由此，可以改善研磨位置的偏移造成對矽片的平坦度的影響。
根據本發明的可選實施例，該控制裝置30設置成根據該位置變化量對用於支撑該研磨輪或該靜壓板的支撑桿施加作用力，以使該研磨輪或該靜壓板上的該指定點朝向目標位置移位，具體而言，在圖4、圖6和圖8中示出的示例中，由於研磨輪和靜壓板是通過水平支撑桿和垂直支撑桿支撑在基座19上，基座19的變形直接導致與其相連接的垂直支撑桿發生位置偏移，這使得與垂直支撑桿相連接的水平支撑桿也將帶動研磨輪和靜壓板一起發生位置偏移，在這種情况下，控制裝置30直接對水平支撑桿施加作用力可以使直接且有效地調整研磨輪和靜壓板的位置。
如在本發明中描述的，在雙面研磨裝置中，對向設置的靜壓板向放置於其之間的矽片施加流體壓力以支承矽片，在此狀態下，對向設置的研磨輪同時對矽片的兩個側面進行研磨操作，因此在雙面研磨操作中，需要分別對兩個靜壓板以及兩個研磨輪進行監測和控制才能保證矽片的兩個側面的平坦度，基於此，可選地，參見圖4，該監控研磨裝置的加工狀態的系統包括分別用於獲取一對該研磨輪上的指定點相對於目標位置的位置變化量或分別用於獲取一對該靜壓板上的指定點相對於目標位置的位置變化量的一對位置監測裝置，即位置監測裝置20包括第一位置監測裝置21和第二位置監測裝置22。
爲了對研磨輪和靜壓板的位置進行精準監測和控制，可選地，該位置變化量包括該研磨輪或該靜壓板相對於目標位置的角度偏轉量。
具體地，以圖4和圖5示出的方案作爲示例，在研磨操作開始之前，位置監測裝置20可以測量出其距靜壓板的初始水平距離a，並且位置監測裝置20距靜壓板的中心的垂直距離x是已知的，在研磨操作開始之後，位置監測裝置20可以測量出其距靜壓板的實時水平距離aꞌ，由此控制裝置30可以計算出靜壓板的實時的偏轉角度α，偏轉角度α可以表徵靜壓板的偏轉情况，控制裝置30可以基於偏轉角度α對研磨裝置的水平支撑桿施加作用力以調整靜壓板的位置，在調整過程中，位置監測裝置20繼續執行實時監測直至偏轉角度α恢復至零或在設定範圍內。
爲了更精準地獲取位置變化量，可選地，參見圖6至圖9，該位置監測裝置20設置成獲取該研磨裝置上的多個指定點相對於各自對應的目標位置的位置變化量，並且該控制裝置30設置成根據該多個指定點相對於各自對應的目標位置的位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該多個指定點中的至少一個指定點朝向該至少一個指定點對應的目標位置移位。
下面以圖6至圖9中示出的示例進行詳細說明。位置監測裝置20包括用於監測第一靜壓板11的第一位置監測裝置21和第三位置監測裝置23以及用於監測第二靜壓板12的第二位置監測裝置22和第四位置監測裝置24，其中，第一位置監測裝置21距第一靜壓板11的中心以及第二位置監測裝置22距第二靜壓板12的垂直距離均爲x，第一位置監測裝置21與第三位置監測裝置23之間的距離以及第二位置監測裝置22與第四位置監測裝置24之間的距離均爲y，在雙面研磨操作開始之前，第一位置監測裝置21和第三位置監測裝置23距第一靜壓板11之間的距離以及第二位置監測裝置22和第四位置監測裝置24距第二靜壓板12之間的距離均爲a；在雙面研磨操作開始之後，第一位置監測裝置21距第一靜壓板11的距離以及第二位置監測裝置22距第二靜壓板12的距離可能變爲b，第三位置監測裝置23距第一靜壓板11的距離以及第四位置監測裝置24距第二靜壓板12的距離可能變爲c，通過第一位置監測裝置21和第三位置監測裝置23的測量值可以計算出兩個偏轉角度，控制裝置30可以通過取平均值獲得更爲接近真實值的偏轉角度，同理，設置第二位置監測裝置22和第四位置監測裝置24也有助於獲得更爲準確的偏轉角度。對於本領域具通常知識者而言，可以理解的是，可以根據實際産品要求設置更多個位置監測裝置，以獲得更爲精準的實際位置變化量。
對於控制裝置30的具體實現形式，可選地，該控制裝置設置成能夠在伸出狀態與縮回狀態之間變化的可伸縮裝置，其中，該可伸縮裝置在處於該伸出狀態時能夠對該研磨裝置的至少一部分施加沿第一方向的力，該可伸縮裝置在處於該縮回狀態時能夠對該研磨裝置的至少一部分施加沿與該第一方向相反的第二方向的力。
參見圖4、圖6和圖8，控制裝置30包括第一伸縮桿31和第二伸縮桿32以及第一伸縮驅動部33和第二伸縮驅動部34，其中，第一伸縮桿31和第二伸縮桿32分別與第一伸縮驅動部33和第二伸縮驅動部34連接，使得第一伸縮驅動部33能夠驅動第一伸縮桿31沿其延伸方向伸長或縮短，第二伸縮驅動部34能夠驅動第二伸縮桿32沿其延伸方向伸長或縮短，由於第一伸縮桿31的一端連接至第一水平支撑桿15，因此第一伸縮桿31伸長或縮回之後可以對第一水平支撑桿15施加相應的作用力，以使第一水平支撑桿15連同第一靜壓板11和第一研磨輪13發生位置偏移和偏轉，同理，第二伸縮桿32的伸長或縮回也可以通過對第二水平支撑桿16施加作用力來使第二水平支撑桿16連同第二靜壓板12和第二研磨輪14發生位置偏移和偏轉，由此實現對靜壓板和研磨輪的位置調整。應當指出的是，第一伸縮驅動部和第二伸縮驅動部可包括相關的伸縮驅動裝置，例如通過馬達、齒輪-齒條副的配合等。這些驅動方式都落入本發明的保護範圍內。此外，第一伸縮驅動部33和第二伸縮驅動部34還包括計算施加的作用力的大小的處理器（圖中未示出），並且第一伸縮驅動部33和第二伸縮驅動部34設置成能夠分別與第一位置監測裝置21和第三位置監測裝置23以及第二位置監測裝置22和第四位置監測裝置24實時通信，以基於監測裝置的測量值執行調整操作，從而形成控制閉環。
參見圖4，本發明實施例還提供了一種雙面研磨裝置1，該雙面研磨裝置1用於對矽片S進行雙面研磨，該雙面研磨裝置1包括根據本發明描述的監控研磨裝置1的加工狀態的系統M。
參見圖10，本發明實施例還提供了一種監控研磨裝置的加工狀態的方法，該監控研磨裝置的加工狀態的方法包括：
S01：通過位置監測裝置獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量；
S02：通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向該目標位置移位。
根據本發明的可選實施例，該通過位置監測裝置獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量包括：通過位置監測裝置獲取該研磨裝置的研磨輪或靜壓板上的指定點相對於目標位置的位置變化量；和/或
該通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力包括：通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的用於支撑該研磨輪或該靜壓板的支撑桿施加作用力。
需要說明的是：本發明實施例所記載的技術方案之間，在不衝突的情况下，可以任意組合。
上面結合附圖對本發明的實施例進行了描述，但是本發明並不局限於上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領域的具有通常知識者在本發明的啟示下，在不脫離本發明宗旨和申請專利範圍所保護的範圍情況下，還可做出很多形式，均屬於本發明的保護之內。
1:研磨裝置
11:第一靜壓板
12:第二靜壓板
13:第一研磨輪
14:第二研磨輪
15:第一水平支撑桿
16:第二水平支撑桿
17:第一垂直支撑桿
18:第二垂直支撑桿
19:基座
20:位置監測裝置
21:第一位置監測裝置
22:第二位置監測裝置
23:第三位置監測裝置
24:第四位置監測裝置
30:控制裝置
31:第一伸縮桿
32:第二伸縮桿
33:第一伸縮驅動部
34:第二伸縮驅動部
M:監控研磨裝置的加工狀態的系統
S:矽片
S01-S02:步驟
圖1爲現有的雙面研磨裝置的示意圖；
圖2爲現有的雙面研磨裝置的另一示意圖，其示出了雙面研磨裝置受溫度影響發生變形的狀態；
圖3爲現有的雙面研磨裝置的又一示意圖，其示出了雙面研磨裝置受溫度影響發生變形的另一狀態；
圖4爲本發明實施例提供的監控研磨裝置的加工狀態的系統和雙面研磨裝置的示意圖；
圖5爲根據本發明實施例的系統獲取研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量的原理圖；
圖6爲本發明實施例提供的監控研磨裝置的加工狀態的系統和雙面研磨裝置的另一示意圖；
圖7爲根據本發明實施例的系統獲取研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量的另一原理圖；
圖8爲本發明實施例提供的用於監控雙面研磨裝置的加工狀態的系統和雙面研磨裝置的又一示意圖；
圖9爲根據本發明實施例的系統獲取研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量又一原理圖；
圖10爲根據本發明實施例的監控研磨裝置的加工狀態的方法的流程圖。
1:研磨裝置
11:第一靜壓板
12:第二靜壓板
13:第一研磨輪
14:第二研磨輪
15:第一水平支撑桿
16:第二水平支撑桿
17:第一垂直支撑桿
18:第二垂直支撑桿
19:基座
20:位置監測裝置
21:第一位置監測裝置
22:第二位置監測裝置
30:控制裝置
31:第一伸縮桿
32:第二伸縮桿
33:第一伸縮驅動部
34:第二伸縮驅動部
M:監控研磨裝置的加工狀態的系統
S:矽片
Claims (8)
- 一種監控研磨裝置的加工狀態的系統，該研磨裝置用於對矽片進行雙面研磨，該監控研磨裝置的加工狀態的系統包括：位置監測裝置，該位置監測裝置用於獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量，該指定點設定在該研磨裝置的研磨輪或靜壓板上，該位置變化量包括該研磨輪或該靜壓板相對於該目標位置的角度偏轉量；控制裝置，該控制裝置用於根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向該目標位置移位。
- 如請求項1所述的監控研磨裝置的加工狀態的系統，其中，該研磨裝置的一部分包括用於支撑該研磨輪或該靜壓板的支撑桿。
- 如請求項1或2所述的監控研磨裝置的加工狀態的系統，其中，該監控研磨裝置的加工狀態的系統包括分別用於獲取一對該研磨輪上的指定點相對於目標位置的位置變化量或分別用於獲取一對該靜壓板上的指定點相對於目標位置的位置變化量的一對位置監測裝置。
- 如請求項1所述的監控研磨裝置的加工狀態的系統，其中，該位置監測裝置設置成獲取該研磨裝置上的多個指定點相對於各自對應的目標位置的位置變化量，並且該控制裝置設置成根據該多個指定點相對於各自對應的目標位置的位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該多個指定點中的至少一個指定點朝向該至少一個指定點對應的目標位置移位。
- 如請求項1至2中任一項所述的監控研磨裝置的加工狀態的系統，其中，該控制裝置設置成能夠在伸出狀態與縮回狀態之間變化的可伸縮裝置，其中，該可伸縮裝置在處於該伸出狀態時能夠對該研磨裝置的至少一部分施加沿第一方向的力，該可伸縮裝置在處於該縮回狀態時能夠對該研磨裝置的至少一部分施加沿與該第一方向相反的第二方向的力。
- 一種雙面研磨裝置，所述雙面研磨裝置用於對矽片進行雙面研磨，該雙面研磨裝置包括如請求項1至5中任一項所述的監控研磨裝置的加工狀態的系統。
- 一種監控研磨裝置的加工狀態的方法，該監控研磨裝置的加工狀態的方法包括：通過位置監測裝置獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量，該指定點設定在該研磨裝置的研磨輪或靜壓板上，該位置變化量包括該研磨輪或該靜壓板相對於該目標位置的角度偏轉量；通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部分施加作用力，以使該指定點朝向該目標位置移位。
- 如請求項7所述的監控研磨裝置的加工狀態的方法，其中，該通過位置監測裝置獲取該研磨裝置上的指定點相對於目標位置的位置變化量包括：通過位置監測裝置獲取該研磨裝置的研磨輪或靜壓板上的指定點相對於目標位置的位置變化量；和/或該通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的至少一部 分施加作用力包括：通過控制裝置根據該位置變化量對該研磨裝置的用於支撑該研磨輪或該靜壓板的支撑桿施加作用力。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211098362.X | 2022-09-08 | ||
| CN202211098362.XA CN115723035A (zh) | 2022-09-08 | 2022-09-08 | 用于监控研磨装置的加工状态的系统、方法及双面研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202310974A TW202310974A (zh) | 2023-03-16 |
| TWI826082B true TWI826082B (zh) | 2023-12-11 |
Family
ID=85293134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111141168A TWI826082B (zh) | 2022-09-08 | 2022-10-28 | 監控研磨裝置的加工狀態的系統、方法及雙面研磨裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115723035A (zh) |
| TW (1) | TWI826082B (zh) |
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Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114986381B (zh) * | 2022-06-16 | 2023-08-22 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 双面研磨装置和双面研磨方法 |
-
2022
- 2022-09-08 CN CN202211098362.XA patent/CN115723035A/zh active Pending
- 2022-10-28 TW TW111141168A patent/TWI826082B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115723035A (zh) | 2023-03-03 |
| TW202310974A (zh) | 2023-03-16 |
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