TWI677600B - 用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法,該方法包含以下步驟: (i) 提供包含該最外側鉻或最外側鉻合金層之基板, (ii) 提供或製造酸性鈍化水溶液,該溶液包含 三價鉻離子, 磷酸根離子, 一種或多於一種有機酸殘基陰離子, (iii) 使基板與鈍化溶液接觸且在鈍化溶液中在作為陰極之基板與陽極之間通電流,以使得鈍化層沈積於最外層上, 其中 在鈍化溶液中,該等三價鉻離子係藉由在磷酸存在下經由選自由過氧化氫及有機還原劑組成之群之至少一種還原劑化學還原六價鉻而獲得, 其限制條件為在化學還原期間或之後,一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次出現在鈍化溶液中。

Description

用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法
本發明係關於一種用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法,特別是對於由電解沈積之三價鉻獲得的最外側鉻或最外側鉻合金層。
出於裝飾及功能目的,金屬基板或塑膠基板上電解沈積之鎳及鉻層為眾所周知的。亦已知此類基板展現良好及可接受之抗腐蝕性,尤其若最外層由六價鉻獲得。 然而,六價鉻,尤其鉻酸,為毒性極大的致癌物及環境危害。尤其廢水處理成本很高,需要付出很大的努力。因此,希望使六價鉻之利用減到最少。因此,由六價鉻獲得的通常展現極好的抗腐蝕性且藉由公認程序製造之最外側鉻層(包括其合金)愈來愈多地由自三價鉻獲得之最外側鉻層替代。此後,不斷努力使此類鉻層最佳化,以便獲得至少等效於由六價鉻獲得之鉻層的特性,例如就抗腐蝕性而言。 為了使由三價鉻獲得之最外側鉻層的抗腐蝕性最佳化,通常施加表面處理,諸如浸漬處理及/或電解鈍化。 US 2015/0252487 A1係關於一種賦予鍍鉻基板改良之腐蝕保護的方法,該等基板已用來自Cr+3 鍍覆浴之鉻鍍覆,要求一種處理基板之方法,其中該基板包含具有自三價鉻電解質沈積之鉻的鍍層,該方法包含以下步驟: (a)在包含(i)三價鉻鹽及(ii)錯合劑之電解質中提供陽極及作為陰極之基板; (b)在陽極與陰極之間通電流以將鈍化膜沈積於基板上。 JP 2009-235456 A係關於(i)由三價鉻鍍覆溶液形成之鍍鉻膜的電解處理溶液及(ii)用於電解處理由三價鉻鍍覆溶液形成之鍍鉻膜的方法,其中該溶液包含水溶性三價鉻化合物,例如硫酸鉻、鹼性硫酸鉻、硝酸鉻、乙酸鉻、氯化鉻及磷酸鉻。其進一步揭示作為陰極進行電解處理之製品。 JP 2010-209456 A係關於一種用於防止鍍鉻膜生銹之浸漬處理溶液及一種使用處理溶液進行防止鍍鉻膜生銹之處理的方法(防銹處理方法),其中該方法可應用於六價鍍鉻膜或三價鍍鉻膜。 WO 2008/151829 A1係關於一種用於形成抗腐蝕塗層之方法,其中待處理之表面與包含鉻(III)離子及至少一種磷酸鹽化合物之處理水溶液接觸,其中鉻(III)離子之物質量的濃度與至少一種磷酸鹽化合物之濃度(相對於正磷酸鹽計算)之比率在1:1.5與1:3之間。該方法改良配備有轉化層之金屬表面、尤其含有鋅之金屬表面的抗腐蝕保護。鉻(III)離子由無機鉻(III)鹽或藉助於還原適合之六價鉻化合物提供。 WO 2011/147447 A1係關於一種用於在鋅、鋁或鎂以及此等金屬之合金上產生基本上無鉻(VI)之腐蝕保護層的方法。待處理之表面連續與含有鉻(III)離子、待處理基板表面之金屬離子及至少一種錯合劑的兩種處理水溶液直接接觸。第一處理溶液之pH在1.0至4.0範圍內,而第二處理溶液之pH為3.0至12.0。技術方案12揭示步驟1中之鈍化處理係藉由在鈍化溶液中連接作為陰極之基板來輔助。 US 6,004,448 A係關於一種用於在含有三價鉻化合物之浴中在金屬基板上電解沈積氧化鉻塗層之可溶性物質組合物及方法。 目前,在一些情況下,在通常標準化之中性鹽霧測試(NSS測試)中,包含由基於Cr-III之電解質沈積之最外側鉻或最外側鉻合金層的基板理想地提供約300小時之抗腐蝕性。 然而,為了獲得甚至更好的包含該等最外側鉻層之防腐蝕基板,對抗腐蝕性之要求不斷增加。儘管有上述努力,但仍不斷需要進一步增加藉由如上所述之此項技術中已知之方法獲得的抗腐蝕性。特別希望且要求在該等通常標準化之中性鹽霧測試中獲得容易超過480小時之抗腐蝕性,較佳超過600小時或甚至超過800小時。
因此,基於上述先前技術,本發明之主要目標為進一步增加包含最外側鉻或最外側鉻合金層之基板的抗腐蝕性,且同時保持該等最外側層之光澤度、尤其均勻的光學外觀,以用於例如裝飾應用。特定言之,在該等通常標準化之中性鹽霧測試中,抗腐蝕性應至少超過480小時,較佳超過600小時且最佳超過甚至800小時。 上述目標係藉由用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法來解決,該方法包含以下步驟: (i) 提供包含該最外側鉻或最外側鉻合金層之基板, (ii) 提供或製造酸性鈍化水溶液,該溶液包含 - 三價鉻離子, - 磷酸根離子, - 一種或多於一種有機酸殘基陰離子, (iii) 使基板與鈍化溶液接觸且在鈍化溶液中在作為陰極之基板與陽極之間通電流,以使得鈍化層沈積於最外層上, 其中 在鈍化溶液中,該等三價鉻離子係藉由在磷酸存在下經由選自由過氧化氫及有機還原劑組成之群之至少一種還原劑化學還原六價鉻而獲得, 其限制條件為在化學還原期間或之後,一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次出現在鈍化溶液中。 自己的實驗已顯示,提供該等三價鉻離子之方式很大程度上影響該抗腐蝕性之程度及品質。用於鈍化之本發明方法之步驟(iii)中所用之鈍化溶液通常不含任何更多的六價鉻,且因此不展現通常由用於沈積鈍化層之包含六價鉻的鈍化溶液引起或與之相關的有毒及有害特徵。因此,若僅使用六價鉻作為起始物質,則鑒於健康及環境方面,有可能改良操作條件。 此項技術中已知數種提供包含三價鉻離子之水溶液的方法。如上文所引用之一些文獻中所示,藉由溶解相應的三價鉻鹽,亦即使用三價鉻鹽作為三價鉻離子之來源,容易獲得此類離子(參見上文例如JP 2009-235456 A及JP 2010-209456 A)。 還原六價鉻以獲得三價鉻離子亦為已知的。舉例而言,EP 2 322 482 A1係關於一種含鉻(III)水溶液,其可用於鍍鉻或金屬表面處理,諸如三價鉻化學轉化處理,及其製造方法。然而,EP'482未揭示電解鈍化最外側鉻層以增加其抗腐蝕性。 吾等意外發現,在用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層之酸性鈍化水溶液中利用此類三價鉻離子,與由相同組成、但含有由溶解三價鉻鹽獲得之三價鉻離子的酸性鈍化水溶液產生的抗腐蝕性相比,顯著增加該最外層之抗腐蝕性(例如,如JP 2009-235456 A及JP 2010-209456 A中所揭示)。實驗顯示,抗腐蝕性自通常標準化之中性鹽霧測試中之約300小時增加至甚至高達700小時及更多(參見下面的實例)。 在本發明方法中,尚未完全瞭解在進行化學還原之後,酸性鈍化水溶液中存在何種三價鉻離子錯合物。假定形成具有至少一個磷酸基團及有機酸基團鍵結至鉻原子的鉻(III)鹽錯合物。此外,假定與藉由溶解三價鉻鹽作為三價鉻離子之唯一來源形成的錯合物相比,此類錯合物之形成更快且更定量地發生。此應該會影響整個溶液中之電荷分佈。根據自己的實驗,本發明方法中所定義之酸性鈍化水溶液展現用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以顯著增加其抗腐蝕性之所需特性。 本發明方法包含至少兩個製備步驟,步驟(i)及(ii);步驟(iii)為實際鈍化步驟。在步驟(iii)之後,獲得鈍化的最外層,與具有未鈍化之最外側鉻或最外側鉻合金層之基板相比,且甚至與具有如JP 2009-235456 A及JP 2010-209456 A (參見實例)中所定義之經鈍化之最外側鉻或最外側鉻合金層的基板相比,提供顯著增加的抗腐蝕性。 在本發明之上下文中,術語「至少一個」可與術語「一個、兩個、三個或多於三個」交換。詞語「製造」意謂藉由一個或多於一個製造步驟獲得相應的結果或產物。通常,「提供」包括「製造」。 在本發明方法之步驟(i)中,提供包含該最外側鉻或最外側鉻合金層(在本文全篇中頻繁縮寫為「最外層」)之基板。 本發明之方法為較佳的,其中在步驟(i)中最外層係 (a) 直接在基底基板之表面上以形成如步驟(i)中所定義之基板,或 (b) 層堆疊之一層,該層堆疊在基底基板之表面上且較佳包含選自由鎳層、鎳合金層、銅層、銅合金層及貴金屬晶種層組成之群之一個或多於一個層。 若最外層為此類層堆疊之一層,則層堆疊在該基底基板之表面上,其中該基底基板及該層堆疊一起形成如本發明方法之步驟(i)中所定義之基板。 在一些情況下,層堆疊中之一個或多於一個層(較佳鎳或鎳合金層)較佳另外包含非導電粒子,較佳二氧化矽粒子及/或氧化鋁粒子。 基底基板較佳為金屬基底基板或有機基底基板。 較佳地,金屬基底基板包含選自由鐵、鎂、鎳、鋅、鋁及銅組成之群之一種或多於一種金屬,較佳為鐵、銅及鋅。在許多情況下,更佳為前述金屬之金屬合金基底基板。 最佳為本發明方法,其中金屬基底基板係選自由以下組成之群:鋼基板、基於鋅之壓鑄基板、黃銅基板、銅基板及鋁基板。基於鋅之壓鑄基板通常包含多於一種或全部的鋅、鋁、鎂及銅元素。此類產品之典型商標為例如ZAMAC及Superloy。 具有最外側鉻或最外側鉻合金層之黃銅基板特別用於製造衛生設備。鋼基板及基於鋅之壓鑄基板通常用於各種各樣之製品中且出於裝飾目的,通常展現該最外側鉻或最外側鉻合金層。 在一些情況下,本發明之方法為較佳的,其中最外層直接在基底基板之表面上,其中基底基板為金屬基底基板,更佳地,金屬基底基板包含鐵,最佳地,金屬基底基板為鋼基板。直接在鋼基板表面上之最外側鉻或最外側鉻合金層通常展現極好的摩擦特徵。在許多情況下,希望另外增加此類基板之抗腐蝕性,較佳藉由本發明方法。 若基底基板為金屬基底基板,較佳金屬合金基底基板,更佳如上文所定義之每一者,則本發明方法特別有利。此類基底基板特別需要持久的抗腐蝕性。然而,藉由本發明方法獲得之鈍化層亦保護沈積於有機基底基板上之最外側鉻或最外側鉻合金層免受腐蝕損傷及光學劣化。 較佳地,有機基底基板係選自由塑膠組成之群,更佳地選自由丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、丙烯腈丁二烯苯乙烯-聚碳酸酯(ABS-PC)、聚丙烯(PP)及聚醯胺(PA)組成之塑膠之群。 有機基底基板亦用於製造衛生設備及汽車行業中使用之各種各樣的製品,從而模仿金屬或金屬合金基底基板。 通常,首先藉助於晶種層使有機基底基板導電以用於隨後的金屬化。此類晶種層通常為藉由無電沈積所沈積之金屬層。在本發明之上下文中,此類晶種層屬於上述層堆疊。較佳地,晶種層為銅層或貴金屬晶種層。較佳貴金屬晶種層係選自由鈀層及銀層組成之群。 在許多情況下,最外層為層堆疊之一層,層堆疊在基底基板之表面上,最佳地,若基底基板為有機基底基板。 然而,若基底基板包含鎳或層堆疊包含鎳及/或鎳合金層,則本發明方法之步驟(i)中之最外層較佳在銅或銅合金層上。若步驟(i)之基板經常與人類皮膚接觸,則此可為有益的。因此,過敏性鎳反應可能會減少或甚至避免。較佳地,對於此類製品,根本不使用鎳(包括鎳層及鎳合金層)。 在許多情況下,本發明之方法為較佳的,其中層堆疊包含銅或銅合金層,及於其上之一個或多於一個鎳或鎳合金層,及於其上之如本發明方法之步驟(i)中所定義之該最外層。基底基板較佳為金屬合金基底基板,更佳含有鋅;或有機基底基板,較佳如上所述。 本發明之方法為較佳的,其中最外層之最大層厚度為500 nm或更小,較佳400 nm或更小。此類層厚度對於裝飾性鉻或鉻合金層為典型的。在本發明方法中,最外層較佳為此類裝飾層。 在本發明方法之步驟(i)中,「鉻層」係指純鉻層,亦即並不有意添加或存在除鉻之外的其他化學元素。「鉻合金層」係指包含有意添加或存在之除鉻以外之其他化學元素以形成相應合金的鉻層。在步驟(i)中,最外側鉻合金層為較佳的。較佳合金元素係選自由以下組成之群:鐵、碳、氧、硫及其混合物。在一些情況下,本發明之方法為較佳的,其中最外側鉻合金層中合金元素之總量以最外側鉻合金層中之原子總量計為25原子%或更少。 較佳為本發明之方法,其中最外層中硫之總量以最外層中之原子總量計為0至10原子%,較佳0至4原子%。 在一些情況下,本發明之方法為較佳的,其中以最外層中之原子總量計,最外層含有總量為10原子%或更少、較佳0.1原子%或更少(包括根本沒有鐵)的鐵。通常,此類最外層(同時具有75原子%或更多之鉻總量)展現光滑及光亮的外觀,較佳具有由在79至86範圍內之L*、在-0.4至+0.4範圍內之a*及在0.1至2.5範圍內之b*所限定之外觀。 「最外側鉻或最外側鉻合金層」意謂在步驟(i)中無額外金屬或金屬合金層沈積或存在於該最外層上。較佳地,無其他鈍化層存在於該最外層上。然而,此並不排除在步驟(iii)之前清潔或預處理最外側鉻或最外側鉻合金層。 最外層之較佳預處理揭示於JP 2010-209456 A段落[0015]至[0027]中,其中段落[0015]至[0021]揭示浸漬處理水溶液且段落[0022]至[0027]揭示利用該浸漬處理水溶液之防銹處理方法。此類浸漬處理水溶液之pH較佳在1至3、較佳1至1.5之範圍內,且包含水溶性三價鉻磷酸鹽及磷酸。按浸漬處理水溶液之總體積計,三價鉻離子之總量在1 g/L至50 g/L、較佳8 g/L至12 g/L之範圍內。視情況,按浸漬處理水溶液之總體積計,浸漬處理水溶液包含10 g/L至100 g/L之量的一種或多於一種pH緩衝化合物,較佳一種或多於一種水溶性脂族有機酸,更佳選自由以下組成之群:甲酸、乙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、葡萄糖酸、蘋果酸、檸檬酸及其水溶性鹽,較佳其鈉及/或鉀鹽。在本發明方法之一些情況下,如步驟(i)中所定義之基板較佳在步驟(iii)之前浸入此類浸漬處理水溶液中3至120秒,較佳5至30秒。在浸漬期間,浸漬處理水溶液之溫度較佳在20℃至50℃之範圍內,更佳在20℃至35℃之範圍內。在預處理之後,較佳用去離子水徹底沖洗基板。 本發明方法可應用於任何最外側鉻或最外側鉻合金層,不管是否由三價鉻離子或六價鉻獲得。然而,本發明之方法為較佳的,其中在步驟(i)中,最外層由電解沈積之三價鉻離子獲得。根據自己的實驗,本發明方法特別有益於由電解沈積之三價鉻離子獲得的最外層。獲得與由六價鉻獲得之最外層(無鈍化)的抗腐蝕性相比幾乎相同或甚至較佳的抗腐蝕性。 較佳地,在最外側鉻合金層中,以最外側鉻合金層中之原子總量計,鉻之總量為至少45原子%。因此,本發明之方法(如上所述,較佳如所述為較佳的)為較佳的,其中在步驟(i)中,以最外側鉻合金層中之原子總量計,最外側鉻合金層包含總量為45原子%或更多、較佳60原子%或更多、更佳75原子%或更多的鉻。 在本發明方法之步驟(ii)中,提供或製造酸性鈍化水溶液。 酸性鈍化水溶液之以下參數及特徵通常係指溶液之最終狀態,其準備在本發明方法之步驟(iii)中使用(亦即在化學還原已進行之後)。因此,術語「提供」係指酸性鈍化水溶液準備在本發明方法之步驟(iii)中使用。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液之pH在3至5、較佳3至4之範圍內。pH在20℃下測定。若pH顯著高於5,則在鈍化溶液中觀察到不希望的沈澱。若pH顯著低於3,則與由顯示pH在3至5範圍內之鈍化溶液所獲得的抗腐蝕性相比,在通常標準化之中性鹽霧測試中之抗腐蝕性降低,且觀察到最外層之光學外觀的不希望的變化。較佳地,上述pH範圍係藉由添加氫氧化物、較佳氫氧化鈉來獲得及/或維持。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液中三價鉻離子之總量按酸性鈍化水溶液之總體積計在0.1 g/L至50 g/L、較佳1 g/L至25 g/L、更佳1 g/L至10 g/L、甚至更佳1 g/L至7 g/L、最佳2 g/L至7 g/L之範圍內。該總量係基於鉻之分子量為52 g/mol。若三價鉻離子之總量顯著低於0.1 g/L,則未觀察到鈍化效應。若總量顯著超過50 g/L,則經常觀察到最外層之光學外觀的不希望的變化,諸如污漬及模糊。此外,高於50 g/L,鈍化製程通常不再具成本效益。 在本發明之上下文中,「三價鉻」係指氧化數為+3之鉻。術語「三價鉻離子」係指游離或複合形式之Cr3+ 離子。同樣,「六價鉻」係指氧化數為+6之鉻,「六價鉻化合物」特別係指含有此類六價鉻之化合物。 較佳為本發明之方法,其中按鈍化溶液之總體積計,酸性鈍化水溶液中磷酸根離子之總量在1 g/L至90 g/L、較佳2 g/L至50 g/L、更佳5 g/L至40 g/L、最佳8 g/L至30 g/L之範圍內。該總量係基於磷酸根離子(PO43- )之分子量為95 g/mol。在本發明方法中所用之酸性鈍化水溶液中,磷酸根離子較佳與三價鉻離子形成錯合物,或至少根據酸性鈍化水溶液之酸性pH (例如H2 PO4 - 在pH 3.5)質子化。 酸性鈍化水溶液包含一種或多於一種有機酸殘基陰離子,主要用於錯合目的。在酸性鈍化水溶液中,將一種或多於一種有機酸殘基陰離子質子化(亦即以相應有機酸形式存在)或去質子化(亦即以相應有機酸殘基陰離子形式存在),視溶液之pH、相應有機酸之酸解離常數及包括該等有機酸殘基陰離子之錯合物而定。若有機酸殘基陰離子為具有多於一個羧基之有機酸殘基陰離子,則陰離子可分別部分質子化/去質子化。 在本發明方法中,酸性鈍化水溶液較佳僅包含一個有機酸殘基陰離子,最佳二羧酸有機酸殘基陰離子。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液中之一種或多於一種有機酸殘基陰離子係 - 選自由具有一個羧基部分之有機酸殘基陰離子、具有兩個羧基部分之羧酸殘基陰離子及具有三個羧基部分之羧酸殘基陰離子組成之群, - 較佳選自由具有兩個羧基部分之羧酸殘基陰離子組成之群, - 更佳選自由草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、蘋果酸及酒石酸組成之群之有機酸的陰離子, - 最佳草酸根。 較佳為本發明之方法,其中按酸性鈍化水溶液之總體積計,酸性鈍化水溶液中一種或多於一種有機酸殘基陰離子之總量在1 g/L至30 g/L、較佳2 g/L至14 g/L、更佳6 g/L至12 g/L之範圍內。總量係基於相應有機酸之完全質子化、非錯合的單體形式來確定。若總量顯著低於1 g/L,則觀察不到足夠的鈍化效應。若總量顯著超過30 g/L,則有時會觀察到最外層之光學外觀的不希望的變化(諸如污漬及模糊)以及不足的鈍化效應。 較佳為本發明之方法,其中步驟(iii)中所用之酸性鈍化水溶液不含六價鉻化合物,較佳不含六價鉻化合物及鋁化合物,更佳不含六價鉻化合物、鋁化合物、鉬化合物、釩化合物及汞化合物。根據自己的實驗,假定鋁化合物、鉬化合物、釩化合物及汞化合物可能會對測定及分析六價鉻之方法產生負面干擾。此外,在一些情況下,鈍化溶液較佳不含鉬、鎢及元素週期表第7族(例如錳)至第12族(例如鋅)元素之離子。在一些情況下,尤其較佳為鈍化溶液不含銅離子、鋅離子、鎳離子及鐵離子。此意謂此類離子並非有意添加或存在的。 通常,六價鉻係藉助於通常已知的二苯卡肼方法來測定及分析(包括其定量)。術語「不含六價鉻化合物」表示在本發明方法之步驟(iii)中所用的酸性鈍化水溶液中,六價鉻無法藉助於該方法偵測到。根據自己的實驗,假定酸性鈍化水溶液中六價鉻化合物之總量以酸性鈍化水溶液之總重量計遠低於1 ppm (且因此通常低於偵測極限)。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液不另外含有由溶解三價鉻鹽獲得之三價鉻離子。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液不含硼酸,較佳不含含硼化合物。此通常意謂此類化合物並非有意添加或存在於鈍化溶液中。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液不含硫氰酸鹽,較佳不含氧化態低於+6之硫原子的含硫化合物。然而,此意謂鈍化溶液例如可含有硫酸根離子(氧化態為+6),例如作為導電鹽之陰離子(關於導電鹽,參見下文)。 較佳為本發明之方法,其中酸性鈍化水溶液包含一種或多於一種導電鹽。較佳地,鈍化溶液之電導率在25℃下測定為1 mS/cm至30 mS/cm。一種或多於一種導電鹽較佳選自由含硫酸根之鹽、含硝酸根之鹽及含過氯酸根之鹽組成之群。最佳地,一種或多於一種導電鹽之陽離子為鈉。因此,最佳地,一種或多於一種導電鹽係選自由硫酸鈉、硝酸鈉及過氯酸鈉組成之群。在一些情況下,本發明之方法為較佳的,其中陽離子不選自由鉀、銨及鎂組成之群,更佳不選自由鉀、銨、鎂、鈣、鍶及鋇組成之群,最佳不選自由鉀、銨及鹼土金屬組成之群。此意謂本發明方法中之鈍化溶液較佳不包含選自由鉀、銨及鎂組成之群之陽離子,更佳不包含選自由鉀、銨、鎂、鈣、鍶及鋇組成之群之陽離子,最佳不包含選自由鉀、銨及鹼土金屬組成之群之陽離子。上述電導率為較佳的,因為在步驟(iii)中,浴槽之電壓操作窗口可維持相對較低,且因此可使用具有相對較小電壓操作窗口的整流器,其具成本效益。較佳地,鈍化溶液中導電鹽之總量按鈍化溶液之總體積計,在0至30 g/L之範圍內,更佳在1至30 g/L之範圍內。 根據自己的實驗,在許多情況下,鉀陽離子及鹼土金屬離子在相應的鈍化溶液中引起不希望的沈澱。在相應鈍化溶液中使用銨陽離子之實驗中,有時觀察到在步驟(iii)之後,在一些情況下,最外層之光學外觀受負面影響且出現污漬或模糊。 如上文所提及,在本發明方法之步驟(iii)中使用的酸性鈍化水溶液中三價鉻錯合物的確切組成尚未完全理解/已知。因此,藉助於獲得其中之三價鉻離子來更詳細地描述鈍化溶液。 在本發明方法中,酸性鈍化水溶液中之該等三價鉻離子係藉由在磷酸存在下經由選自由過氧化氫及有機還原劑組成之群之至少一種還原劑化學還原六價鉻而獲得, 其限制條件為在化學還原期間或之後,一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次出現在鈍化溶液中。 通常,六價鉻(通常呈溶解的六價鉻化合物形式)與磷酸混合以形成起始水溶液。較佳地,使用濃磷酸。該化學還原係藉由添加必需總量之還原劑用於定量還原六價鉻總量至三價鉻離子以形成鈍化溶液之前期階段而開始。在進行化學還原之後或在化學還原仍在進行中時(亦即在化學還原期間),一種或多於一種有機酸殘基陰離子(較佳該一種或多於一種有機酸殘基陰離子之一種或多於一種相應有機酸)添加至鈍化溶液中(亦即該一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次存在於鈍化溶液中)。較佳為本發明之方法,其中化學還原不在一種或多於一種有機酸殘基陰離子存在下開始及/或在化學還原開始後不久不添加一種或多於一種有機酸殘基陰離子。 因此,較佳為本發明之方法,其中化學還原在磷酸存在下進行及開始且在不存在一種或多於一種有機酸殘基陰離子之情況下開始,該一種或多於一種有機酸殘基陰離子在化學還原開始後首次存在, 以化學還原開始時鈍化溶液中六價鉻之總莫耳量計,較佳在化學還原六價鉻之至少90%之後,更佳在至少95%之後,最佳在至少99%之後。 較佳在化學還原完成之前或在化學還原完成之後不久,首次存在一種或多於一種有機酸殘基陰離子。此防止(a)該一種或多於一種有機酸殘基陰離子之不必要的分解及(b)相應分解產物之累積,其可能負面影響抗腐蝕性之程度及品質。術語「在至少90%之後」表示90%或更多,包括100% (同樣適用於95%及99%)。 較佳為本發明之方法,其中該等三價鉻離子係藉由化學還原三氧化鉻(亦即CrO3 )來獲得。在水溶液中,三氧化鉻至少部分形成H2 CrO4 及其相應去質子化形式。 六價鉻化學還原成三價鉻係經由選自由過氧化氫及有機還原劑組成之群之至少一種還原劑來進行。在本發明之上下文中,過氧化氫視為無機還原劑。 較佳地,至少一種有機還原劑不同於一種或多於一種有機酸殘基陰離子(包括該等殘基陰離子之相應有機酸)。 較佳為本發明之方法,其中至少一種還原劑為或至少包含過氧化氫,較佳其限制條件為若三價鉻離子係經由多於一種還原劑獲得,則過氧化氫為主要還原劑。術語「主要還原劑」表示藉助於過氧化氫定量地化學還原大部分六價鉻。在此情況下,除過氧化氫以外之還原劑係選自有機還原劑之群。較佳地,對於僅使用一種還原劑之化學還原,最佳為過氧化氫。一般而言,本發明方法中使用之還原劑不足以將三價鉻還原成金屬鉻。然而,化學還原六價鉻至三價鉻離子之還原劑通常在該過程期間劇烈分解,理想地大部分分解成二氧化碳。 有機還原劑通常含有碳原子。較佳地,選擇(及添加)用於化學還原之有機還原劑的總量,使得酸性鈍化水溶液不含有或積聚(i)該等有機還原劑之含碳分解產物及(ii)未反應之有機還原劑。此使得鈍化溶液不受不當污染。相比之下,作為極有效之還原劑的過氧化氫僅由氫及氧組成。因此,不存在含碳分解產物污染之危險。因此,過氧化氫為較佳還原劑。 較佳為本發明之方法,其中該等有機還原劑係選自由醇、醛、羧酸及碳水化合物組成之群,較佳選自由醇、醛及碳水化合物組成之群。羧酸較不佳;較佳至少一種還原劑不包含乙醇酸。在有機還原劑中,醇及碳水化合物為較佳的,醇為最佳的。 較佳醇係選自由一元醇、二元醇及三元醇組成之群。 較佳一元醇包含1至6個碳原子、更佳1至3個碳原子之總量,最佳其係選自由甲醇及丙醇組成之群。然而,在一些情況下,本發明之方法為較佳的,其中至少一種還原劑不包含甲醇。 較佳二元醇包含2至6個碳原子、更佳2至3個碳原子之總量,最佳其係選自由乙二醇及丙二醇組成之群。在一些情況下,其聚合物為較佳的。 較佳三元醇包含3至6個碳原子、更佳3個碳原子之總量,最佳地,三元醇為甘油。 較佳醛係選自由單醛及二醛組成之群,較佳單醛。較佳單醛包含1至6個碳原子、更佳1至4個碳原子之總量,最佳地,其係選自由甲醛、乙醛、丙醛及丁醛組成之群。 較佳碳水化合物係選自由單糖、雙糖及澱粉組成之群。 還原劑之總量(亦即所有還原劑之總和)經選擇以使得六價鉻至少定量地還原,較佳地,過氧化氫之總量經選擇以使得六價鉻至少定量地還原。 在化學還原完成之後,以鈍化溶液之總重量計,鈍化溶液中還原劑之總量較佳低於1重量%,更佳地,以鈍化溶液之總重量計,鈍化溶液中過氧化氫之總量低於1重量%,甚至更佳地,過氧化氫之總量低於0.1重量%。 在本發明方法中,化學還原在磷酸存在下進行,其限制條件為在化學還原期間或之後,一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次存在於鈍化溶液中(如上文更詳細地描述)。較佳為本發明之方法,其中一種或多於一種有機酸殘基陰離子係由相應有機酸獲得,較佳由羧酸獲得,更佳由包含至少草酸之羧酸獲得。最佳地,有機酸殘基陰離子為草酸根,相應有機酸為草酸。 甚至更佳為本發明方法,其中 酸性鈍化水溶液包含草酸鹽,及 化學還原係在磷酸存在下進行及開始且在不存在草酸鹽(較佳草酸)之情況下開始,草酸鹽在化學還原開始之後首次存在,較佳以化學還原開始時鈍化溶液中六價鉻之總莫耳量計,在化學還原六價鉻之至少90%之後,更佳在至少95%之後,最佳在至少99%之後。 在一些情況下,本發明之方法為較佳的,其中在步驟(ii)中,化學還原不在除磷酸以外之無機酸額外存在下,更佳不在一種或多於一種選自由鹽酸、硝酸及硫酸組成之群之無機酸額外存在下進行。在鈍化溶液製造期間,鈍化溶液中較佳不具有太多不同的離子物種;尤其不具有太多無機酸陰離子物種。較佳地,除磷酸以外之無機酸的鹽在後期添加至鈍化溶液中,例如以影響鈍化溶液之電導率(關於導電鹽參見上文)。然而,除磷酸以外之少量一種或多於一種無機酸通常為無害的,但不太優選。 在特定情況中,本發明方法在步驟(ii)中包括製造酸性鈍化水溶液。在此特定情況下,用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法為較佳的,該方法包含以下步驟: (i) 提供包含最外側鉻或最外側鉻合金層之基板(較佳如本文通篇所述),其較佳由電解沈積三價鉻離子獲得, (ii) 製造酸性鈍化水溶液,其包含 - 三價鉻離子, - 磷酸根離子, - 一種或多於一種有機酸殘基陰離子, 製造包含 - 在磷酸存在下經由至少一種還原劑化學還原六價鉻,從而獲得該等三價鉻離子,還原劑係選自由過氧化氫及有機還原劑組成之群, - 在化學還原期間或之後,添加一種或多於一種有機酸殘基陰離子(較佳該一種或多於一種有機酸殘基陰離子之一種或多於一種相應有機酸)至鈍化溶液,其限制條件為該一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次存在於鈍化溶液中, (iii) 使基板與鈍化溶液接觸且在鈍化溶液中在作為陰極之基板與陽極之間通電流,以使得鈍化層沈積於最外層上。 上文及下文關於本發明方法所提及(包括其較佳特徵及實施例)一般同樣適用於此特定情況。 在本發明方法之步驟(iii)中,使基板(作為陰極操作)與鈍化溶液接觸(較佳藉由將基板浸入鈍化溶液中),且在基板與陽極之間通電流(陽極亦通常浸入鈍化溶液中),使得鈍化層沈積於最外層上。 較佳為本發明之方法,其中在步驟(iii)中,陽極係選自由混合金屬氧化物塗佈之陽極、石墨陽極及鋼陽極組成之群,最佳為混合金屬氧化物塗佈之陽極。尤其較佳為不溶性陽極,諸如混合金屬氧化物塗佈之陽極。根據自己的實驗,在本發明方法中,混合金屬氧化物塗佈之陽極展現相對較低的三價鉻陽極氧化成不希望的六價鉻之速率。較佳地,本發明方法以使得酸性鈍化水溶液中六價鉻之總量(若完全在步驟(iii)中陽極形成)在本發明方法進行時保持低於偵測水準的方式進行(關於偵測六價鉻,參見上文)。此可藉由使用該等混合金屬氧化物塗佈之陽極來達成。較佳混合金屬氧化物塗佈之陽極包含選自由氧化鈦、氧化銥、氧化釕及氧化鉑組成之群之一種或多於一種氧化物。 步驟(iii)中之電流較佳為直流電,更佳不包括脈衝。然而,此電流以及鈍化溶液中三價鉻離子之總量不足以將步驟(iii)中之金屬鉻沈積於最外層上。此意謂鈍化層不是額外金屬鉻層,而是含有三價鉻之化合物層。 較佳為本發明之方法,其中在步驟(iii)中,電流之陰極電流密度為0.1至8 A/dm2 、較佳0.1至5 A/dm2 、更佳0.2至3 A/dm2 、最佳0.3至2 A/dm2 。若電流密度顯著低於0.1 A/dm2 ,則未獲得足夠的鈍化效應。若電流密度顯著超過8 A/dm2 ,則有時會觀察到最外層之光學外觀的不希望的變化,諸如污漬及模糊,且伴隨著鈍化效應不足。 較佳為本發明之方法,其中在步驟(iii)中,使電流通過10至300秒、較佳10至240秒、更佳15至120秒、最佳20至60秒。若時間長度顯著低於10秒,則未獲得足夠的鈍化效應。若時間長度顯著超過300秒,則在一些情況下觀察到最外層之光學外觀的不希望的變化,諸如污漬及模糊。 較佳為本發明之方法,其中在步驟(iii)中,鈍化溶液之溫度在20℃至40℃、較佳20℃至30℃之範圍內。若溫度顯著超過40℃,則有時會觀察到最外層之光學外觀中不希望的變化,諸如污漬及模糊,且伴隨著鈍化效應不足。 在本發明方法中(如上所述,較佳如所述為較佳的),較佳在步驟(iii)中在單個步驟中不中斷地沈積鈍化層。 較佳地,在步驟(iii)之後獲得之鈍化層具有4 nm或更小、更佳3 nm或更小、最佳2 nm或更小之最大層厚度。 根據自己的實驗,在步驟(iii)中沈積之鈍化層通常包含鉻、碳、氧及磷元素。因此,鈍化層為含磷鈍化層,以鈍化層中之原子總量計,較佳含有總量為40原子%或更少、更佳30原子%或更少、甚至更佳20原子%或更少、最佳10原子%或更少之磷。詞語「或更少」不包括零,亦即在每種情況下均存在磷。 本發明係藉由以下非限制性實例進一步說明。實例 在所有實例中均使用具有相同尺寸且各自在其表面上具有層堆疊之ABS基底基板,層堆疊包含銅層、半光亮鎳層、光亮鎳層、含有非導電粒子之鎳層(「微孔鎳層」)及作為最外層之光亮鉻層。因此,提供如本發明方法之步驟(i)中所定義之基板。 若進行鈍化步驟,則在相應實例中使用相同的不溶性、混合金屬氧化物塗佈之陽極。 為了評估抗腐蝕性,在每個實例中,根據ISO 9227以不同時間長度進行中性鹽霧測試(NSS測試)。典型時間長度為例如240、480及720小時。相應時間長度之結果彙總於下文表1中。 在每次NSS測試之前及之後,對最外層之光學外觀進行視覺及系統檢查。 在每次NSS測試之後,基板用水沖洗,乾燥且目視檢查以確定/定量光學外觀之改變(表示為藉助於口徑板測定之缺陷面積)。若未觀察到光學外觀之改變(包括在最外層之整個表面之至多0.1%中之光學外觀的改變),則測試視為「通過」。相比之下,若觀察到最外層之整個表面的超過0.1%中之光學外觀的改變,則測試視為「失敗」。實例 1 ( 比較 ) 對如上文所定義之基板進行上述NSS測試。不進行如例如本發明方法之步驟(iii)中所定義之預處理且不與鈍化溶液接觸。實例 2 ( 比較 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 不進行預處理 鈍化步驟(亦即包括電流): 鈍化溶液(不根據本發明): 5 g/L Cr3+ ,28.5 g/L PO4 3- ,10 g/L草酸根 溫度:25℃, pH:3.5 電流:1 A/dm2 ,持續30秒,基板為陰極 鈍化溶液係藉由溶解磷酸鉻(III)及草酸,隨後在80℃下混合3小時且用氫氧化鈉進行最終pH調節來製造。 最外層之光學外觀由於鈍化處理而未改變。 實例2係分別基於JP 2009-235456 A及JP 2010-209456 A。吾等關於實例2所獲得之結果證實JP-2009及JP-2010中所揭示之結果。實例 3 ( 比較 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 浸漬處理水溶液: 10 g/L Cr3+ ,80 g/L PO4 3- ,15 g/L蘋果酸 溫度:25℃,pH:1.3 浸漬10秒 鈍化步驟(亦即包括電流): 與實例2相同 預處理之最外層的光學外觀由於鈍化處理而未改變。 實例3係基於JP 2010-209456 A。吾等關於實例3所獲得之結果證實JP-2010、尤其JP-2010之「實施例14」中所揭示之結果。實例 4 ( 比較 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 不進行預處理 鈍化步驟(亦即包括電流): 鈍化溶液(不根據本發明): 4.4 g/L Cr3+ ,9.9 g/L PO4 3- ,9.7 g/L草酸根 溫度:25℃,pH:3.5 電流:1 A/dm2 ,持續30秒,基板為陰極 鈍化溶液係藉由溶解磷酸鉻(III)及草酸鉻(III),隨後在80℃下混合3小時且用氫氧化鈉進行最終pH調節來製造。 最外層之光學外觀由於鈍化處理而未改變。實例 5 ( 比較 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 與實例3相同 鈍化步驟(亦即包括電流): 與實例4相同 預處理之最外層的光學外觀由於鈍化處理而未改變。實例 6 ( 比較 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 與實例3相同 鈍化步驟(亦即包括電流): 鈍化溶液(不根據本發明): 5 g/L Cr3+ ,13 g/L PO4 3- ,10 g/L草酸根,13 g/L SO4 2- 溫度:25℃,pH:3.5 電流:0.2 A/dm2 持續30秒,基板為陰極 預處理之最外層的光學外觀由於鈍化處理而變得略微較暗。 鈍化溶液係藉由溶解鉻酸鹽(鹼性硫酸鉻)、磷酸及草酸,隨後在80℃下混合3小時且用氫氧化鈉進行最終pH調節來製造。實例 7 ( 根據本發明 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 不進行預處理 鈍化步驟(亦即包括電流): 鈍化溶液(根據本發明): 4.9 g/L Cr3+ ,9.5 g/L PO4 3- ,7.5 g/L草酸根 溫度:25℃,pH:3.5 電流:1 A/dm2 ,持續30秒,基板為陰極 鈍化溶液(如本發明方法之步驟(ii)中所定義)係藉由用H2 O2 還原CrO3 ,隨後添加草酸且用氫氧化鈉進行最終pH調節來製造。 最外層之光學外觀由於鈍化處理而未改變。實例 8 ( 根據本發明 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 與實例3相同 鈍化步驟(亦即包括電流): 與實例7相同 最外層之光學外觀由於鈍化處理而未改變。實例 9 ( 根據本發明 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 不進行預處理 鈍化步驟(亦即包括電流): 鈍化溶液(根據本發明): 4.9 g/L Cr3+ ,47 g/L PO4 3- ,7.5 g/L草酸根 溫度:25℃,pH:3.5 電流:1 A/dm2 ,持續30秒,基板為陰極 鈍化溶液(如本發明方法之步驟(ii)中所定義)係藉由用H2 O2 還原CrO3 ,隨後添加草酸且用氫氧化鈉進行最終pH調節來製造。 最外層之光學外觀由於鈍化處理而未改變。實例 10 ( 根據本發明 ) 預處理(亦即在鈍化處理之前在無電流之情況下浸漬): 與實例3相同 鈍化步驟(亦即包括電流): 與實例9相同 最外層之光學外觀由於鈍化處理而未改變。 所有實驗結果彙總在表1中。 表1,實驗結果彙總 根據自己的實驗,與已知方法相比,利用本發明方法顯著增加中性鹽霧測試中之抗腐蝕性。

Claims (14)

  1. 一種用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法,該方法包含以下步驟:(i)提供包含該最外側鉻或最外側鉻合金層之基板,(ii)提供或製造酸性鈍化水溶液,該溶液包含三價鉻離子,磷酸根離子,一種或多於一種有機酸殘基陰離子,(iii)使該基板與該鈍化溶液接觸且在該鈍化溶液中在作為陰極之該基板與陽極之間通電流,以使得鈍化層沈積於該最外層上,其中在該鈍化溶液中,該等三價鉻離子係藉由在磷酸存在下經由選自由過氧化氫及有機還原劑組成之群之至少一種還原劑化學還原六價鉻而獲得,其限制條件為在該化學還原期間或之後,該一種或多於一種有機酸殘基陰離子首次出現在該鈍化溶液中。
  2. 如請求項1之方法,其中在步驟(i)中,該最外層係(a)直接在基底基板之表面上以形成如步驟(i)中所定義之基板,或(b)層堆疊之一層,該層堆疊係在基底基板之表面上。
  3. 如請求項1或2之方法,其中該最外層之最大層厚度為500nm或更小。
  4. 如請求項1或2之方法,其中在步驟(i)中,該最外層係由電解沈積之三價鉻離子獲得。
  5. 如請求項1或2之方法,其中在步驟(i)中,以該最外側鉻合金層中之原子總量計,該最外側鉻合金層包含總量為45原子%或更多的鉻。
  6. 如請求項1或2之方法,其中該酸性鈍化水溶液中之一種或多於一種有機酸殘基陰離子係選自由具有一個羧基部分之有機酸殘基陰離子、具有兩個羧基部分之羧酸殘基陰離子及具有三個羧基部分之羧酸殘基陰離子組成之群。
  7. 如請求項1或2之方法,其中該酸性鈍化水溶液不含硼酸。
  8. 如請求項1或2之方法,其中該酸性鈍化水溶液不含硫氰酸鹽。
  9. 如請求項1或2之方法,其中該化學還原係在磷酸存在下進行及開始且在不存在該一種或多於一種有機酸殘基陰離子之情況下開始,該一種或多於一種有機酸殘基陰離子係在該化學還原開始後首次出現。
  10. 如請求項1或2之方法,其中該等三價鉻離子係藉由化學還原三氧化鉻來獲得。
  11. 如請求項1或2之方法,其中該至少一種還原劑為或至少包含過氧化氫。
  12. 如請求項1或2之方法,其中該一種或多於一種有機酸殘基陰離子係由相應有機酸獲得。
  13. 如請求項1或2之方法,其中該酸性鈍化水溶液包含草酸鹽,及該化學還原係在磷酸存在下進行及開始且在不存在草酸鹽之情況下開始,草酸鹽係在該化學還原開始之後首次出現。
  14. 如請求項1或2之方法,其中在步驟(iii)中,該電流之陰極電流密度係在0.1至8A/dm2之範圍內。
TW107104897A 2017-02-13 2018-02-12 用於電解鈍化最外側鉻或最外側鉻合金層以增加其抗腐蝕性之方法 TWI677600B (zh)

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