TWI676740B - 泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置 - Google Patents
泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI676740B TWI676740B TW107126308A TW107126308A TWI676740B TW I676740 B TWI676740 B TW I676740B TW 107126308 A TW107126308 A TW 107126308A TW 107126308 A TW107126308 A TW 107126308A TW I676740 B TWI676740 B TW I676740B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- opening
- processing liquid
- chamber
- storage portion
- pump device
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 60
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 248
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 245
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 57
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 claims 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B39/00—Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0042—Degasification of liquids modifying the liquid flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0042—Degasification of liquids modifying the liquid flow
- B01D19/0052—Degasification of liquids modifying the liquid flow in rotating vessels, vessels containing movable parts or in which centrifugal movement is caused
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0042—Degasification of liquids modifying the liquid flow
- B01D19/0052—Degasification of liquids modifying the liquid flow in rotating vessels, vessels containing movable parts or in which centrifugal movement is caused
- B01D19/0057—Degasification of liquids modifying the liquid flow in rotating vessels, vessels containing movable parts or in which centrifugal movement is caused the centrifugal movement being caused by a vortex, e.g. using a cyclone, or by a tangential inlet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
- B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B39/00—Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
- F04B39/16—Filtration; Moisture separation
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B43/00—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
- F04B43/02—Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Reciprocating Pumps (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Details Of Reciprocating Pumps (AREA)
- Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本發明之裝置係於腔室形成有第1開口、第2開口、第3開口。第2開口位於較第1開口及第3開口更高之位置,且為貯存部之最高位置。氣泡易因浮力而聚集於較第3開口更高之第2開口附近。又,腔室係於腔室之上部內壁具有使得愈向貯存部之最高位置升高則腔室內之橫剖面積愈小的上傾斜面。於上傾斜面不積存氣泡,而將氣泡沿上傾斜面引導至第2開口。因此,可易於自腔室內排出氣泡。
Description
本發明係關於對半導體基板、液晶顯示器用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等之基板供給處理液之泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置。
基板處理裝置具備:保持旋轉部,其將基板以水平姿勢保持,使所保持之基板旋轉;噴嘴,其用以對以保持旋轉部保持之基板上噴出處理液;及泵裝置,其對噴嘴輸送處理液。
泵裝置具備:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部,及接於貯存部之可動構件,藉由可動構件位移使貯存部之容積變化;及驅動機構,其使可動構件位移(例如參照日本專利特開2009-049228號公報)。於腔室之下部,設有入口,於腔室之上部,設有出口。即,使處理液自腔室下部之流入口流入,並自腔室上部之流出口流出。此係因將混入於處理液之氣泡(空氣)確實自腔室脫除之故。將來自腔室上部之流出口之處理液送至噴嘴。
又,於日本專利特開2013-100825號公報中,揭示有具備第1階段泵、過濾器及第2階段泵之多段泵。第1階段泵係以通過過濾器,對第2階段泵輸送液體之方式構成。又,第2階段泵具備用以排出液體之沖洗閥,通過沖洗閥排出之液體係回至第1階段泵。
[發明所欲解決之問題]
上述之構成,即,使處理液自腔室下部之流入口流入貯存部,使處理液自腔室上部之流出口流出至貯存部外之構成之情形時,可能導致氣泡與處理液一起自流出口流出,導致自噴出口噴出氣泡。若自噴嘴於基板上噴出混雜有氣泡之處理液,則可能產生製品不良。
為防止其,需要於腔室上部之流出口至噴嘴之配管,設置靜電電容感測器等之檢測氣泡之機構,或設置捕捉氣泡之機構。此將使系統複雜化。又,如此複雜化之構成可能使處理液之清淨度(品質)惡化。若為了保持處理液之清淨度而流動處理液,則處理液之使用量增加。因此,謀求防止自腔室之流出口送出處理液中之氣泡之構成。又,若難以自貯存部內排出氣泡,則有例如自流出口送出氣泡之可能性變高等問題。因此,謀求易自貯存部內排出滯留於貯存部內之氣泡之構成。
本發明係鑑於此種情況而完成者,第1目的係提供一種易自腔室內排出氣泡之泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置。第2目的係提供一種防止自腔室之特定開口送出處理液中之氣泡之泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明為達成此種目的,而採取如下之構成。即,本發明之輸送處理液之泵裝置包含以下構件:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出。
根據本發明之泵裝置,於腔室形成第1開口、第2開口、第3開口。第2開口位於較第1開口及第3開口更高之位置,且為貯存部之最高位置。氣泡易因浮力而聚集於高於第3開口之第2開口附近。又,腔室係於腔室之上部內壁具有使得愈向貯存部之最高位置升高則貯存部內之上部之橫剖面積愈小的傾斜面。傾斜面不積存氣泡,而沿傾斜面將氣泡引導至第2開口。因此,可容易自腔室內排出氣泡。
又,上述泵裝置中,較佳為上述第1開口及上述第3開口位於上述貯存部之底部。藉此,使第1開口及第3開口對於第2開口大幅遠離。因此,可大幅獲得藉由浮力上昇之氣泡不靠近第1開口及第3開口之效果。其結果,可大幅減低自第2開口以外之開口送出氣泡之可能性。
又,上述泵裝置中,較佳為上述腔室之上述貯存部係呈以於鉛直方向擴展之第1平面、面積小於上述第1平面且相對於上述第1平面平行之第2平面、及連結上述第1平面之外緣與上述第2平面之外緣之筒狀之周面包圍,且中心軸為水平姿勢之錐台狀;上述第1開口及上述第3開口位於上述錐台狀之貯存部之底部,上述第2開口位於上述錐台狀之貯存部之最高位置,上述傾斜面係藉由與上述筒狀之周面之上部碰觸之上述腔室之上部內壁而形成。
藉此,可容易形成以自第1平面朝向第2平面之第1橫方向,及正交於第1橫方向之第2橫方向之合計2個方向傾斜之傾斜面。又,可容易形成點狀引導至最高位置之傾斜面。又,由於第2平面小於配置可動構件之第1平面,故可將腔室小型地構成。又,由於第1開口及第3開口位於錐台狀之貯存部之底部,故可對於第2開口大幅遠離。
又,上述泵裝置中,較佳為上述可動構件為配置於上述第1平面上之隔膜。藉此,使用隔膜作為可動構件之情形時,可容易自腔室內排出氣泡。
又,上述泵裝置中,較佳為上述腔室之上述貯存部呈以於鉛直方向擴展之第1圓形面、面積小於上述第1圓形面且對於上述第1圓形面平行之第2圓形面、及連結上述第1圓形面之外緣與上述第2圓形面之外緣之筒狀之圓面包圍,且心軸為水平姿勢之圓錐台狀。例如,將五角形之第1平面之外緣與五角形之第2平面連結,形成筒狀之周面。該情形時,於周面出現5條折痕,但根據本發明,可以於筒狀之周面未附折痕之方式平滑地形成。
又,上述泵裝置中,較佳為上述第2開口構成為於上述腔室之壁自內側向外側朝斜上方延伸。藉此,可不使氣泡停留於第2開口之中途,即,於腔室之壁之自內側至外側之間。
又,上述泵裝置中,較佳為上述腔室之上述貯存部之上部呈中心軸為鉛直姿勢之錐體狀,上述第2開口位於上述錐體狀之貯存部之最高位置,上述傾斜面係藉由與上述錐體狀之貯存部之錐體面碰觸之上述腔室之上部內壁而形成。傾斜面不積存氣泡,而將氣泡沿傾斜面向第2開口引導。因此,可容易自腔室內排出氣泡。
又,上述泵裝置中,較佳為上述可動構件係其中心軸配置為鉛直姿勢、且以包圍上述貯存部之方式設置之具有彈性之管構件,上述驅動部藉由使上述管構件之主體部位移而使上述貯存部之容積變化,上述第1開口及第3開口形成於上述貯存部之底部,上述腔室具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之橫剖面積愈小的錐狀之傾斜面,上述第2開口將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出。
使用管構件作為可動構件。管構件係其中心軸配置為鉛直姿勢,以包圍貯存部之方式設置,並具有彈性。第1開口及第3開口形成於貯存部之底部,第2開口位於錐體狀之貯存部之最高位置。又,腔室具備錐體面狀之傾斜面,其愈向貯存部之最高位置升高則貯存部之上部之橫剖面積愈小。傾斜面不積存氣泡,而將氣泡沿傾斜面向第2開口引導。因此,可容易自腔室內排出氣泡。
又,上述泵裝置中,較佳為上述第1開口及上述第3開口係使用於藉由與上述可動構件之位移連動而控制流體之流通,而經由上述第1開口將處理液吸引至上述貯存部內,且經由上述第3開口送出上述貯存部內之處理液。即,將處理液自第1開口吸引至貯存部,並自第3開口送出至貯存部外。第2開口位於較第1開口及第3開口更高之位置,位於貯存部之最高位置。氣泡易藉由浮力聚集於高於第3開口之第2開口附近。因此,可防止將處理液中之氣泡自腔室之第3開口送出。
又,本發明之供給處理液之處理液供給裝置包含以下構件:過濾器,其過濾處理液;下游側泵裝置,其設置於上述過濾器之下游側,將經上述過濾器過濾之處理液引入並送出;及控制部,其進行上述下游側泵裝置之驅動控制及處理液之流通控制;上述下游側泵裝置具備:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口係將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出者;上述控制部藉由與上述下游側泵裝置之上述可動構件之位移連動,控制上述第1開口、上述第2開口、上述第3開口之處理液之流通,藉此下游側泵裝置經由上述第1開口吸引經上述過濾器過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡經由上述第2開口排出,其後,將上述貯存部內剩餘之處理液經由第3開口送出。
根據本發明之處理液供給裝置,於腔室形成有第1開口、第2開口、第3開口。第2開口位於較第1開口及第3開口更高之位置,且為貯存部之最高位置。氣泡易因浮力而聚集於高於第3開口之第2開口附近。又,腔室係於腔室之上部內壁具有使得愈向貯存部之最高位置升高則貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面。傾斜面不積存氣泡,而將氣泡沿傾斜面引導至第2開口。因此,可防止將處理液中之氣泡自腔室之第3開口送出,且容易自腔室內排出氣泡。
又,控制部與下游側泵裝置之可動構件之位移連動,而控制第1開口、第2開口、第3開口之處理液之流通。藉由該控制,下游側泵經由第1開口吸引經過濾器過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿傾斜面被引導之處理液中之氣泡經由第2開口排出,其後,將貯存部內之剩餘處理液經由第3開口送出。藉此,於將處理液自第3開口送出至貯存部外之前,可將處理液中之氣泡自第2開口排出。又,由於將處理液中之氣泡藉由傾斜面引導至第2開口,故可抑制用以排出氣泡之可動構件之位移量。因此,可增加自第3開口送出之處理液量。
又,本發明之基板處理裝置之特徵在於具備:上述處理液供給裝置;及噴嘴,其設置於連接於上述處理液供給裝置之上述第3開口之流路之末端。
根據本發明之基板處理裝置,可將處理液中之氣泡自腔室之第3開口送出,防止自噴嘴噴出氣泡。
又,本發明之供給處理液之處理液供給裝置包含以下構件:過濾器,其過濾處理液;上游側泵裝置,其設置於上述過濾器之上游側,向上述過濾器送入處理液;下游側泵裝置,其設置於上述過濾器之下游側,將經上述過濾器過濾之處理液引入並送出;及控制部,其進行上述上游側及下游側之泵裝置之驅動控制及處理液之流通控制;上述上游側泵裝置及上述下游側泵裝置各自具備:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口係將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出者;上述控制部與上述上游側泵裝置及上述下游側泵裝置之上述可動構件之位移連動,而控制上述上游側泵裝置及上述下游側泵裝置之上述第1開口、上述第2開口、上述第3開口之處理液之流通,藉此,上述上游側泵裝置經由上述第1開口吸引處理液,接著,將所吸引之處理液與沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡一起經由上述第2開口向過濾器送出,上述下游側泵裝置經由上述第1開口吸引經上述過濾器過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿上述傾斜面引導之上述處理液中之氣泡經由上述第2開口排出,其後,將上述貯存部內剩餘之處理液經由第3開口送出,將自上述下游側泵裝置之上述第2開口排出之包含氣泡之處理液經由上述上游側泵裝置之上述第3開口,回送至上述上游側泵裝置。
根據本發明之處理液供給裝置,於腔室形成第1開口、第2開口、第3開口。第2開口位於較第1開口及第3開口更高之位置,且為貯存部之最高位置。氣泡易因浮力而聚集於高於第3開口之第2開口附近。又,腔室係於腔室之上部內壁具有使得愈向貯存部之最高位置升高則腔室內之橫剖面積愈小的傾斜面。傾斜面不積存氣泡,而將氣泡沿傾斜面引導至第2開口。因此,可防止將處理液中之氣泡自腔室之第3開口送出,且易自腔室內排出氣泡。
又,下游側泵裝置中,於將處理液自第3開口送出至貯存部外之前,可將處理液中之氣泡自第2開口排出。又,下游側泵裝置中,由於將處理液中之氣泡藉由傾斜面引導至第2開口,故可抑制用以排出氣泡之可動構件之位移量。因此,可增加自第3開口送出之處理液量。又,於上游側泵裝置中,由於將處理液中之氣泡藉由傾斜面引導至第2開口,故可易自第2開口對去除氣泡之過濾器輸送氣泡。
又,本發明之基板處理裝置之特徵在於具備:上述處理液供給裝置;及噴嘴,其設置於連接於上述處理液供給裝置之上述下游側泵裝置之上述第3開口之流路之末端。
根據本發明之基板處理裝置,可將處理液中之氣泡自腔室之第3開口送出,防止自噴嘴噴出氣泡。 [發明之效果]
根據本發明之泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置,可易自腔室排出氣泡。
[實施例1]
以下,參照圖式說明本發明之實施例1。圖1係顯示實施例1之基板處理裝置之概略構成圖。
<基板處理裝置1之構成> 參照圖1。基板處理裝置1具備噴嘴2及保持旋轉部3。噴嘴2係對基板W噴出處理液者。處理液使用例如光阻液、抗反射膜形成用藥液、顯影液、溶劑或純水(DIW)等之沖洗液。保持旋轉部3為將基板W以大致水平姿勢保持並使其旋轉者。
旋轉保持部3具備旋轉卡盤4及旋轉驅動部5。旋轉卡盤4可繞旋轉軸AX旋轉地保持基板W。旋轉卡盤4例如真空吸附基板W之背面。旋轉驅動部5進行使旋轉卡盤4繞旋轉軸AX旋轉之驅動。旋轉驅動部5係以電動馬達等構成。
基板處理裝置1進而具備處理液容器7、配管9A、9B、泵裝置P及處理液供給裝置11。處理液容器(例如瓶)7係收納處理液者。於處理液容器7連接有配管9A。於配管9A設有泵裝置P。泵裝置P係自處理液容器7通過配管9A向處理液供給裝置11輸送處理液者。泵裝置P例如亦可為對處理液容器7送入氮氣等惰性氣體,藉由送入之惰性氣體而將處理液自處理液容器7向配管9A擠出者。
又,基板處理裝置1具備控制部21及操作部22。控制部21具備中央運算處理裝置(CPU)。控制部21控制後述之下游側泵裝置25、處理液供給裝置11及基板處理裝置1之各構成。例如,控制部21控制後述之開閉閥V1~V4及電動馬達M1。操作部22具備顯示部、記憶部及輸入部。顯示部例如以液晶監視器構成。記憶部至少具備ROM(Read-Only Memory:唯讀記憶體)、RAM(Random-Access Memory:隨機存取記憶體)及硬碟之任一者。輸入部具備鍵盤、滑鼠及各種按鈕之至少任一者。於記憶部記憶有基板處理之各種條件等及動作程式。
<處理液供給裝置11之構成> 處理液供給裝置11具備過濾器23及下游側泵裝置25。下游側泵裝置25具備泵本體25A及開閉閥V1、V2、V3。
於處理液供給裝置11中,處理液流動於配管27A~27C。過濾處理液之過濾器23設置於配管27A、27B之間。下游側泵裝置25(泵本體25A)設置於配管27B、27C之間。於配管27B設有開閉閥V1,於配管27C設有開閉閥V2。開閉閥V1使處理液流動於配管27B,再者,使處理液之流動停止。同樣地,開閉閥V2使處理液流動於配管27C,再者,使處理液之流動停止。另,於下游側泵裝置25連接有排出配管29。於排出配管29設有開閉閥V3。
過濾器23構成為對處理液供給裝置11裝卸自如並可更換。於過濾器23之上表面23A,設有入口(流入口)23B、出口(流出口)23C及排氣部23D。於入口23B連接有配管27A,於出口23C連接有配管27B。於排氣部23D,連接排出氣泡之排出配管30。於排出配管30設有開閉閥V4。開閉閥V1~V4例如係以通常關閉之常閉式構成。排氣部23D係用以排出過濾器23內之氣泡等之出口。過濾器23具備實際過濾處理液之過濾器本體23E。過濾器本體23E去除處理液中之氣泡等雜質。排氣部23D將通過過濾器本體23E之前之氣泡、或包含氣泡之處理液等排出。
圖2係泵本體25A之縱剖視圖。圖3係顯示自隔膜43側觀察之腔室本體40之立體圖。泵本體25A具備電動馬達M1(以下稱為「馬達M1」)及腔室33。馬達M1使用例如步進馬達,具體而言,如圖2所示,馬達M1具備:定子35,其於內周側產生磁場;筒狀之轉子36,其可旋轉地配置於定子35之內周側,藉由定子35而旋轉;及軸(螺旋軸)37,其與轉子36之中空部螺合,藉由轉子36之旋轉,對轉子36進退驅動。
於馬達M1安裝腔室33。腔室33具備引導部39,及收納處理液之腔室本體40。腔室33藉由後述之隔膜43位移使貯存部48之容積變化。引導部39插通有引導銷41。引導銷41之一端連結於軸37。又,引導銷41之另一端連結於設置於腔室本體40側之隔膜43之厚壁部43A。於引導部39設有引導孔45,其使引導銷41不繞軸37旋轉而引導至圖2之箭頭AR1之左右方向。即,轉子36之螺紋與軸37之螺紋嚙合。若轉子36之旋轉傳遞至軸37,則將與軸37連結之引導銷41藉由引導孔45而不繞軸37旋轉地,引導至箭頭AR1之左右方向。
於腔室本體側之引導部39,形成有凹部47,其收納位於隔膜43之中央之厚壁部43A及引導銷41之另一端。隔膜43係以接於貯存部48之方式設置。隔膜43係以其薄壁部43B之外緣被引導部39與腔室本體40之對接面夾持之方式固定。即,隔膜43之薄壁部43B之外緣安裝於凹部47或腔室本體40之內壁,構成腔室本體40之內壁之一部分。隔膜43將貯存部48(腔室本體40內)與引導銷41側之空間SP1隔離。隔膜43為樹脂製,例如以PTFE(polytetrafluoroethylene:聚四氟乙烯)構成。另,厚壁部43A形成為以箭頭AR1為軸之圓柱狀。
於腔室本體40,設有設置於凹部47側之貯存部48。貯存部48如圖2、圖3所示,係以圓錐台狀形成。該圓錐台係中心軸CT(參照圖4A)以水平姿勢配置。貯存部48為腔室本體40之內部空間,收納處理液。腔室本體40之內部即貯存部48構成為以第1圓形面49A、第2圓形面49B(參照圖4A)及筒狀之周面50包圍。
第1圓形面49A係以圓形之平面形成,於垂直方向擴展。第1圓形面49A形成於貯存部48與凹部47之邊界面,為開口部分。因此,隔膜43之厚壁部43A橫穿第1圓形面49A進入貯存部48。另,第1圓形面49A較凹部47之內周面稍大徑。
第2圓形面(垂直面)49B係以圓形之平面形成,係沿腔室本體40之內壁形成。第2圓形面49B直徑小於第1圓形面49A,且與第1圓形面49A平行。第2圓形面49B係隔著第1圓形面49A設置於凹部47之相反側。第2圓形面49B相對於軸37之軸向(水平方向)正交。於對應於第2圓形面49B之腔室本體40之內壁,如圖2所示,形成有連通貯存部48與外部之檢查開口部51。於檢查開口部51安裝測定貯存部48內之壓力之壓力感測器53。
筒狀之周面50將第1圓形面49A之外緣與第2圓形面49B之外緣連結。本實施例中,周面50具有上傾斜面50A及下傾斜面50B。上傾斜面50A係周面50中較圖4A所示之中心軸CT更上之部分。即,上傾斜面50A係由與筒狀之周面50之上部碰觸之腔室33(腔室本體40)之上部內壁而形成者。另一方面,下傾斜面50B為周面50中較中心軸CT更下之部分。另,本發明之傾斜面相當於上傾斜面50A。
於腔室本體40,如圖2、圖3所示,設有連通於貯存部48之3個開口,即第1開口55A、第2開口55B及第3開口55C。如由後述之說明所了解,實施例1中,第1開口55A作為用以將處理液引入貯存部48之流入口發揮作用。第2開口55B作為用以排出貯存部48內之包含氣泡之處理液之排出口發揮作用。第3開口55C作為用以將貯存部48內之處理液送出至噴嘴2之流出口發揮作用。
於筒狀之周面50之下部(下傾斜面50B),設有第1開口55A及第3開口55C。第1開口55A及第3開口55C自隔膜43側觀察時,係位於較貯存部48之中心軸(中心部)CT(參照圖4A)更下方,隔著貯存部48之縱方向之中心線VL以左右對稱之位置關係形成。即,第1開口55A及第3開口55C係配置於貯存部48(腔室本體40內)之底部(大致最低位置)。又,於筒狀之周面50之上部(上傾斜面50A),設有第2開口55B。第2開口55B於自隔膜43側觀察時,位於較貯存部48之中心軸CT更上方,形成於貯存部48之垂直方向之中心線VL上之位置。即,第2開口55B配置於較第1開口55A及第3開口55C更高之位置。再者,第2開口55B配置於圓錐台狀之貯存部48(腔室本體40內)之最高位置(最高位置)TP。又,第2開口55B係以包含貯存部48之最高位置TP之方式配置。
本實施例中,第1開口55A及第3開口55C係使用於藉由與隔膜43之位移連動,藉由控制部21控制流體之流通,而經由第1開口55A將液體吸引至貯存部48內,經由第3開口55C送出貯存部48內之處理液。
貯存部48係以圓錐台狀形成。因此,腔室本體40以愈向貯存部48之最高位置TP升高,橫剖面積愈小之方式,於腔室本體40之上部(上側)之內壁具有上傾斜面50A。藉此,將氣泡引導至第2開口55B,不使氣泡積存於貯存部48。
又,如圖2所示,第1開口55A、第2開口55B及第3開口55C係以與周面50之面正交並延伸之方式,形成於腔室本體40。第2開口55B係於腔室33(腔室本體40)之壁自內側向外側朝斜上方延伸而構成。藉此,可使於第2開口55B之中途,即於腔室33之壁自內側至外側之間,不積存氣泡。又,藉由第2開口55B朝斜上方延伸構成,而易將配管自圖2之左側連接於第2開口55B。其結果,可將處理液供給裝置11小型地構成。另,第2開口55B只要不使腔室33之壁以水平方向或朝下延伸地構成即可。又,第2開口55B亦可朝正上方延伸而構成。
配管27B如圖1所示,連接於第1開口55A。排出配管29連接於第2開口55B。配管27C連接於第3開口55C。另,圖2中,由於為方便圖示,而使第3開口55C與第1開口55A重疊,故表示為「55A(55C)」。又,噴嘴2設置於與第3開口55C連接之配管(流路)27C、9B之末端。又,本實施例中,亦可為配管27B連接於第3開口55C,配管27C連接於第1開口55A。即,2個配管27B、27C亦可相反連接。
另,驅動機構57為了使貯存部48之容積變化,而使隔膜43位移。驅動機構57具備馬達M1、軸37、引導部39、引導銷41、引導孔45及凹部47。另,例如藉由使隔膜43(厚壁部43A)進入貯存部48,減少貯存部48之容積。藉由使隔膜43(厚壁部43A)後退至凹部47,利用凹部47之隔膜43與貯存部48間之空間,增加貯存部48之容積。又,驅動機構57相當於本發明之驅動部。
<基板處理裝置1之動作> 接著,針對基板處理裝置1之動作進行說明。圖1中,未圖示之基板搬送機構將基板W搬送至保持旋轉部3上。保持旋轉部3吸附並保持基板W之下表面。其後,未圖示之噴嘴移動機構使噴嘴2自基板W外之待機位置移動至基板W中心上方之特定位置。移動噴嘴2後,於使基板W旋轉或停止旋轉之狀態下,處理液供給裝置11將自處理液容器7輸送之處理液送至噴嘴2。藉此,自噴嘴2對基板W上噴出處理液。另,泵裝置P自處理液容器7對處理液供給裝置11通過配管9A輸送處理液。處理液之噴出時基板W之旋轉停止之情形下,使基板W旋轉,使處理液於基板W上擴展。
自噴嘴2噴出處理液,基板處理結束後,噴嘴移動機構使噴嘴2自基板W上方之特定位置返回至待機位置。接著,保持旋轉部3於基板W之旋轉停止之狀態下解除基板W之保持。基板搬送機構自保持旋轉部3搬送基板W。
<處理液供給裝置11之動作> 接著,針對處理液供給裝置11之動作進行說明。將來自處理液容器7之處理液藉由泵裝置P,通過配管9A、27A,送至過濾器23之入口23B。將送至過濾器23之入口23B之處理液以過濾器本體23E去除氣泡等雜質後,依序輸送至出口23C、配管27B。即,為將處理液送至開閉閥V1之狀態。
[步驟S01]吸引 處理液供給裝置11將處理液吸引至腔室本體40內,即貯存部48。控制部21於關閉開閉閥V2~V4,打開開閉閥V1之狀態下,驅動馬達M1,使軸37及引導銷41後退至馬達M1側(圖2之右方向)。藉此,成為隔膜43之厚壁部43A收納並退避至凹部47之狀態。藉由該動作,將處理液吸引至貯存部48。
[步驟S02]氣泡之排出(沖洗) 步驟S01之吸引處理液後,處理液供給裝置11自設置於腔室本體40之第2開口55B排出氣泡。控制部21於關閉開閉閥V1、V2、V4,打開開閉閥V3之狀態下,驅動馬達M1,使軸37及引導銷41稍微前進至腔室本體40側(圖2之左方向)。此時,以小於後述之步驟S03之噴出動作之引導銷41等之移動量的移動量,使引導銷41等前進。
此處,針對氣泡混入貯存部48之處理液之情形進行說明。若氣泡混入貯存部48之處理液,則氣泡因浮力而上昇。處理液中之氣泡沿上傾斜面50A被引導至第2開口55B。具體地說明。貯存部48構成為由沿著縱方向之第1圓形面49A、直徑小於第1圓形面49A且對於第1圓形面49A平行之第2圓形面49B、及連結第1圓形面49A之外緣與第2圓形面49B之外緣之筒狀之周面50(上傾斜面50A、下傾斜面50B)包圍。
即,如圖4A、圖4B所示,腔室本體40以愈向貯存部48之最高位置TP升高,貯存部48上部之橫剖面積愈變小之方式,於腔室本體40之上部內壁具有上傾斜面50A。例如,圖4A、圖4B中,橫剖面積SA1~SA3處於SA1<SA2<SA3之關係,愈向最高位置TP升高,橫剖面積愈小。另一方面,第2開口55B係以包含貯存部48之最高位置TP之方式配置。此處,於第2開口55B之外緣上配置最高位置TP之情形亦相當於「包含最高位置TP」。因此,混入於處理液之氣泡一面藉由上傾斜面50A被引導,一面藉由浮力或處理液之流動而上升。因此,易聚集於第2開口55B。
例如,於腔室本體40之上部內壁無傾斜面之情形時,如圖5A所示,氣泡B1可能積存於貯存部之角落,又,氣泡B2可能停留於水平之面FL(上部內壁)。又,如圖5B所示,即使存在傾斜面150A,只要第2開口155不包含貯存部之最高位置,即,只要存在水平之面FL,則氣泡B3可能積存於傾斜面150A與水平之面FL之邊界。因此,傾斜面150A之引導不充分,氣泡B4可能積存於水平之面FL。
[步驟S03]噴出(送出) 步驟S02之排出氣泡後,控制部21於關閉開閉閥V1、V3、V4,打開開閉閥V2之狀態下,驅動馬達M1,使軸37及引導銷41進而前進至腔室本體40側(圖2之左方向)。藉此,成為隔膜43之厚壁部43A前進至靠近第2圓形面49B之位置之狀態。藉由該動作,將貯存於貯存部48之處理液送出。接著,將自下游側泵裝置25送出之處理液依序送往配管27C、配管9B、噴嘴2。自噴嘴2噴出處理液。
另,此處,針對第1開口55A及第3開口55C之配置效果進行說明。如圖3、圖4A所示,第1開口55A及第3開口55C自隔膜43側觀察時,位於較貯存部48之中心軸CT更下方,係隔著貯存部48之縱方向之中心線VL以左右對稱之位置關係形成。即,第1開口55A及第3開口55C配置於貯存部48(腔室本體40內)之底部(大致最低位置)。
藉由第3開口55C之配置,可自第2開口55B大幅遠離。因此,可大幅獲得藉由浮力上升之氣泡不易靠近之效果。其結果,可進而減低自第3開口55C送出氣泡之可能性。又,藉由將第1開口55A及第3開口55C之任一者配置於底部(大致最低位置),而可抑制吸引至貯存部48之處理液積存於貯存部48之底部附近。
根據本實施例,於腔室33形成第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C。第2開口55B位於較第1開口55A及第3開口55C更高之位置,位於貯存部48之最高位置。氣泡易藉由浮力聚集於較第3開口55C更高之第2開口55B附近。又,腔室33以愈向貯存部48之最高位置TP升高,腔室33內之貯存部48內之上部的橫剖面積SA1~SA3(參照圖4A、圖4B)愈小之方式,於腔室33之上部內壁具有上傾斜面50A。上傾斜面50A不積存氣泡,而將氣泡沿上傾斜面50A引導至第2開口55B。因此,可防止將處理液中之氣泡自腔室33之第3開口55C送出,且易自腔室33內排出氣泡。
又,貯存部48(腔室本體40之內部)構成為以於縱方向擴展之第1圓形面49A、直徑小於第1圓形面49A且對於第1圓形面49A平行之第2圓形面49B、及連結第1圓形面49A之外緣與第2圓形面49B之外緣之筒狀之周面50(上傾斜面50A、下傾斜面50B)包圍。隔膜43以與第1圓形面49A相接之方式,隔著第1圓形面49A配置於第2圓形面49B之相反側。
藉此,可容易形成於自第1圓形面49A朝向第2圓形面49B之第1橫方向(參照圖4B之標註有符號SA1~符號SA3之一點鏈線),及正交於第1橫方向之第2橫方向(參照圖4A之標註有符號SA1~符號SA3之一點鏈線)之合計2個方向傾斜之上傾斜面50A。又,可容易形成引導至點狀之最高位置TP之上傾斜面50A。又,由於第2圓形面49B之面積小於配置隔膜43之第1圓形面49A,故可將腔室33小型地構成。又,由於第1開口55A及第3開口55C位於圓錐台狀之貯存部48之底部,故可對於第2開口55B大幅遠離。藉此,可進而大幅獲得藉由浮力上升之氣泡不靠近第1開口55A及第3開口55C之效果。因此,可大幅減低自第2開口55B以外之例如第3開口55C送出氣泡之可能性。
又,例如連結五角形之第1平面之外緣與五角形之第2平面形成筒狀之周面。該情形時,雖於周面出現5條折痕,但根據本實施例,可以於筒狀之周面50不出現折痕之方式形成平滑之周面50。又,較後述之圖8、圖10、圖11更容易加工。另,本實施例中,貯存部48係以圓錐台狀形成,但亦可為圓錐狀或角錐狀。
又,控制部21與下游側泵裝置25之隔膜43之位移連動,控制第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C之處理液之流通。藉由該控制,下游側泵裝置25經由第1開口55A吸引經過濾器23過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿上傾斜面50A引導之處理液中之氣泡經由第2開口55B排出。其後,藉由該控制,將貯存部48內剩餘之處理液經由第3開口55C送出。
藉此,於將處理液自第3開口55C送出至貯存部48外之前,可將處理液中之氣泡自第2開口55B排出。又,由於將處理液中之氣泡藉由上傾斜面50A引導至第2開口55B,故可抑制用以排出氣泡之隔膜43之位移量。因此,可增加自第3開口55C送出之處理液量。 [實施例2]
接著,參照圖式說明本發明之實施例2。另,省略與實施例1重複之說明。實施例1之處理液供給裝置11具備單一之下游側泵裝置25。就此點,實施例2之處理液供給裝置71除了下游側泵裝置25外,進而具備上游側泵裝置73。
圖6係實施例2之處理液供給裝置71之概略構成圖。處理液供給裝置71具備上游側泵裝置73、過濾器23及下游側泵裝置25。上游側泵裝置73設置於過濾器23之上游,下游側泵裝置25設置於過濾器23之下游。
下游側泵裝置25如實施例1及圖6所示,具備泵本體25A及開閉閥V13、V14、V16。泵本體25A具備腔室本體40、隔膜43、驅動機構57、第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C及壓力感測器53。腔室本體40之貯存部48將處理液收納於其內部空間。開閉閥V13設置於連接於第1開口55A之配管85C。開閉閥V14設置於連接於第2開口55B之配管86。開閉閥V16設置於連接於第3開口55C之配管85D。驅動機構57為了使貯存部48之容積變化,而使隔膜43位移。驅動機構57如圖2所示,具備馬達M1、軸37、引導部39、引導銷41、引導孔45及凹部47。下游側泵裝置25之細節如同實施例1。
上游側泵裝置73之構成與圖2所示之下游側泵裝置25基本相同。即,上游側泵裝置73如圖6所示,具備泵本體73A及開閉閥V11、V12、V14。泵本體73A具備電動馬達M2(以下稱為「馬達M2」)、腔室本體75、驅動機構76、壓力感測器77、第1開口78A、第2開口78B及第3開口78C。開閉閥V11設置於連接於第1開口78A之配管85A。開閉閥V12設置於連接於第2開口78B之配管85B。開閉閥V14設置於連接於第3開口78C之配管86。另,開閉閥V14兼用於上游側泵裝置73及下游側泵裝置25。腔室本體75之貯存部80將處理液收納於其內部空間。驅動機構76為了使貯存部80之容積變化,而使隔膜83位移。
驅動機構76如圖2、圖6所示,具備馬達M2、上游軸37、上游引導部39、引導銷81、上游引導孔45及上游凹部47。另,馬達M2、引導銷81及隔膜83以外,係以與下游側泵裝置25相同之符號表示。將引導銷81如箭頭AR1向左右方向引導。隔膜83具有厚壁部83A及薄壁部83B。位於隔膜83之中央之厚壁部83A連結於引導銷81。隔膜83之薄壁部83B之外緣安裝於上游引導部39或上游之腔室本體75之內壁或上游凹部47,隔膜83構成上游之腔室本體75之內壁之一部分。隔膜83將貯存部80與引導銷81側之空間SP2隔離。將馬達M2之旋轉藉由未圖示之轉子、上游軸37及上游引導孔45等轉換成直線移動。
如圖6所示,於上游之腔室本體75,設有第1開口78A、第2開口78B及第3開口78C。第3開口78C係使自下游側泵裝置25返回之處理液流入之開口。第1開口78A及第3開口78C配置於腔室本體75內,圓錐台狀之貯存部80之底部(大致最低位置)。第2開口78B與第2開口55B同樣地,配置於較第1開口78A及第3開口78C更高之位置,且配置於貯存部80之最高位置TP。又,第2開口78B係以包含最高位置TP之方式配置。
處理液供給裝置71中,處理液流動於配管85A~85D及配管86。配管85A將圖1所示之配管9A及上游側泵裝置73之第1開口78A連接。配管85B將上游側泵裝置73之第2開口78B及過濾器23之入口23B連接。配管85C將過濾器23之出口23C及下游側泵裝置25之第1開口55A連接。配管85D將下游側泵裝置25之第3開口55C及圖1所示之配管9B連接。噴嘴2設置於連接於下游側泵裝置25之第3開口55C之配管85D、9B之末端。回送配管86將下游側泵裝置25之第2開口55B及上游側泵裝置73之第3開口78C連接。
於配管85A設有開閉閥V11。於配管85B設有開閉閥V12。於配管85C設有開閉閥V13。於配管85D設有開閉閥V16。於排出配管30設有開閉閥V15。於配管86設有開閉閥V14。另,圖6為了容易理解,而以與圖2不同之形態表示第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C之位置。實際上,第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C之位置係如圖2、圖3等般構成。就此點,圖1、圖7亦相同。
<處理液供給裝置71之動作> 接著,針對處理液供給裝置71之動作進行說明。圖7A~圖7E係用以說明處理液供給裝置71之動作之圖。
[步驟T01]準備完成(就緒) 自圖7A所示之準備完成步驟進行說明。藉由吸引步驟、過濾步驟、沖洗步驟及噴出步驟等,如圖7A所示,控制部21設為將處理液吸引至上游側泵裝置73之腔室本體75及下游側泵裝置25之腔室本體40內之狀態。另,圖7A中,開閉閥V11~V16關閉。
[步驟T02]噴出 圖7B係顯示噴出步驟。控制部21於關閉開閉閥V11~V15且打開開閉閥V16之狀態下,使下游側泵裝置25之引導銷41向左方向前進。藉此,將吸引至下游側泵裝置25之腔室本體40之處理液送至噴嘴2,自噴嘴2噴出處理液。
[步驟T03]過濾 圖7C係顯示過濾步驟。圖7B中,將處理液吸引至上游側泵裝置73之腔室本體75內。使該處理液通過過濾器23吸引至下游側泵裝置25之腔室本體40。即,控制部21於關閉開閉閥V11、V14~V16,打開開閉閥V12、V13之狀態下,使上游側泵裝置73之引導銷81向左方向前進,且使下游側泵裝置25之引導銷41向右方向後退。藉此,將上游側泵裝置73之腔室本體75內之處理液以過濾器23去除氣泡等雜質,送至下游側泵裝置25之腔室本體40。
[步驟T04]沖洗 圖7D係顯示沖洗步驟。控制部21於打開開閉閥V12、V13、V15、V16,關閉開閉閥V11、V14之狀態下,使下游側泵裝置25之引導銷41稍向左方向前進。藉此,如實施例1,可將聚集於第2開口55B之氣泡與處理液一起通過回送配管86,回送至上游側泵裝置73之腔室本體75內。將回送至腔室本體75之氣泡係於下次之後的過濾步驟時,以過濾器23去除。
[步驟T05]吸引 圖7E係顯示吸引步驟。控制部21於關閉開閉閥V12~V16,打開開閉閥V11之狀態下,使上游側泵裝置73之引導銷81向右方向後退。藉此,將處理液吸引至上游側泵裝置73之腔室本體75內。又,以成為圖7A之準備完成步驟,而重複執行步驟T01~T05。
連續噴出之情形時,同時進行噴出步驟與吸引步驟。該情形時,例如依序重複噴出及吸引步驟(步驟T02+T05)、過濾步驟(步驟T03)、沖洗(步驟T04)。另,自過濾器23之排氣孔23D排出氣泡之情形時,控制部21於關閉開閉閥V11、V13、V14、V16,打開開閉閥V12、V15之狀態下,使上游側泵裝置73之引導銷81向左方向前進。藉此,可將通過過濾器本體23E之前之氣泡等雜質通過排出配管30而排出。
根據本實施例,處理液供給裝置71隔著過濾器23具備2個泵(上游側泵裝置73及下游側泵裝置25),可使處理液及氣泡通過回送配管86自下游側泵裝置25回送至上游側泵裝置73。如此之構成中,對於下游側泵裝置25,亦可獲得與實施例1相同之效果。
又,控制部21與上游側泵裝置73及下游側泵裝置25之隔膜43、83之位移連動,控制上游側泵裝置73及下游側泵裝置25之第1開口78A、55A、第2開口78B、55B、第3開口78C、55C之處理液之流通。藉由該控制,上游側泵裝置73經由第1開口78A吸引處理液,接著,將所吸引之處理液與沿上傾斜面50A引導之處理液中之氣泡一起經由第2開口78B向過濾器23送出。再者,下游側泵裝置25經由第1開口55A吸引經過濾器23過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿上傾斜面50A引導之處理液中之氣泡經由第2開口55B排出。其後,將貯存部48內剩餘之處理液經由第3開口55C送出。將自下游側泵裝置25之第2開口55B排出之包含氣泡之處理液經由上游側泵裝置73之第3開口78C回送至上游側泵裝置73。
藉此,下游側泵裝置25中,將處理液自第3開口55C送出至貯存部48外之前,可將處理液中之氣泡自第2開口55B排出。又,下游側泵裝置25中,由於將處理液中之氣泡藉由上傾斜面50A引導至第2開口55B,故可抑制用以排出氣泡之隔膜43之位移量。因此,可增加自第3開口55C送出之處理液量。又,上游側泵裝置73中,由於將處理液中之氣泡藉由上傾斜面50A(參照圖3、圖4A、圖4B)引導至第2開口78B,故可易自第2開口78B對去除氣泡之過濾器23輸送氣泡。
本發明不限於上述實施形態,可如下述般變化實施。
(1)上述實施例1中,如圖1所示,將氣泡自設置於腔室本體40之第2開口55B通過排出配管29與處理液一起排出。排出配管29亦可返回至過濾器23之上游。例如,亦可返回至設置於泵P與過濾器23間之未圖示之捕捉槽。該情形時,亦可將氣泡以捕捉槽或過濾器23去除,將與氣泡一起自第2開口55B排出之處理液再次送往下游側泵裝置25。
(2)上述各實施例及變化例(1)中,貯存部48、80(腔室本體40、75內)係以圓錐台狀形成。就此點,亦可以第2開口55B包含貯存部48、80之最高位置TP之方式,以角錐台狀形成貯存部48、80。圖8係顯示角錐台狀之貯存部90之一例。貯存部90(腔室本體40、75之內部)構成為以沿縱方向之第1五角形面(正五角形之面)91A、面積小於第1五角形面91A且對於第1五角形面91A平行之第2五角形面(正五角形之面)91B、及連結第1五角形面91A之外緣與第2五角形面91B之外緣之筒狀之周面92包圍。另,第1五角形面91A為開口部分。又,第1五角形面91A及第2五角形面91B亦可非正五角形。另,本發明之錐台係包含圓錐台與角錐台者。
(3)上述各實施例及各變化例中,如圖9之二點鏈線所示,連結第1圓形面49A之外緣與第2圓形面49B之外緣之筒狀之周面50之剖面為直線。就此點,如圖9之實線所示,周面50之剖面亦可以於自貯存部48、80向腔室本體40、75外之方向凹陷之方式,為弧狀之曲線。
(4)上述各實施例及各變化例中,例如圖2所示之貯存部48(80)中,壓力感測器53側之第2圓形面49B係以直徑小於第1圓形面49A之方式構成。就此點,如圖10所示,第2圓形面49B亦可以直徑大於第1圓形面49A之方式構成。
(5)上述各實施例及各變化例中,例如如圖2所示之貯存部48(80),以圓錐台形成。就此點,貯存部95亦可如圖11所示,隔著第1圓形面49A以2個圓錐台形成。即,貯存部95構成為以第1圓形面49A、第2圓形面49B、第3圓形面49C、連結第1圓形面49A之外緣、第2圓形面49B之外緣及第3圓形面49C之外緣之筒狀之周面94包圍。第3圓形面49C直徑小於第1圓形面49A,對於第1圓形面49A平行,且隔著第1圓形面49A配置於第2圓形面49B之相反側。且,第2開口55B係以包含貯存部48、80之最高位置之方式配置。另,第3圓形面49C為開口部分。具有如此之貯存部95之腔室本體40、75亦可以在箭頭AR2之位置分割之方式以2個構件構成。
(6)上述各實施例及各變化例中,例如如圖2所示之下游側泵裝置25(上游側泵裝置73),引導銷41(81)等向左右方向移動。就此點,如圖12A所示,引導銷41(81)等亦可向上下方向移動。該情形時,於設置於腔室本體96之上部之圓錐面狀或角錐面狀之傾斜面97之最高位置,即貯存部98之最高位置,配置第2開口55B。又,以包含該最高位置之方式配置第2開口55B。圖12B係顯示自圖12A所示之箭頭AR3觀察之配置於腔室本體96之底部之第1開口55A及第3開口55C。另,本發明之錐體面係包含圓錐面與角錐面者。
(7)上述各實施例及各變化例中,有如圖13A所示,貯存部101之最高位置TP為線狀之情形,或如圖13B所示,貯存部102之最高位置TP為面狀之情形。該情形時,第2開口55B亦可以包含該等線狀或面狀之最高位置TP之方式形成。即,第2開口55B亦可如圖13A、圖13B分別顯示之二點鏈線所示般,以縫隙狀之開口形成。
(8)上述各實施例及各變化例中,亦可為處理液供給裝置11、71不具備噴嘴2及配管9B,但處理液供給裝置11、71具備噴嘴2、配管9A、9B、泵裝置P及處理液容器7之至少任一者。
(9)上述各實施例及各變化例中,如圖2所示,隔膜43係使用滾動隔膜,但亦可為平板狀之平坦隔膜等其他隔膜。
(10)上述各實施例及各變化例中,保持基板W之保持旋轉部3使所保持之基板W旋轉。無需基板W之旋轉時,保持旋轉部3亦可不使基板W旋轉。另,保持旋轉部3相當於本發明之基板保持部。
(11)上述各實施例及各變化例中,下游側泵裝置25具備3個開口(第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C)。就此點,下游側泵裝置25亦可進而具備1個或2個以上開口。上游側泵裝置73亦相同。
(12)亦可取代上述各實施例及各變化例之腔室本體40、75與隔膜43、83之組合,而使用如圖14所示之具有彈性之管構件114。針對該變化例進行說明。泵裝置110具備泵本體110A及開閉閥V1~V3。泵本體110A具備腔室本體112、管構件114、驅動機構116、第1開口55A、第2開口55B、第3開口55C。另,開閉閥V1~V3、第1開口55A、第2開口55B、及第3開口55C係以與實施例1之下游側泵裝置25相同之符號表示。
管構件114係中心軸CT以垂直姿勢配置,以包圍貯存部118(腔室本體112內)之方式設置。又,管構件114係以接於貯存部118之方式設置。驅動機構116藉由管構件114之主體部位移而使貯存部118之容積變化。第1開口55A及第3開口55C形成於貯存部118之底部。第2開口55B形成於貯存部118之頂部,即最高位置。腔室(腔室本體112)具備圓錐狀或角錐狀之傾斜面120,其愈向貯存部118之最高位置升高,貯存部118之橫剖面積愈小。第2開口55B將沿傾斜面120引導之處理液中之氣泡排出。
根據如此之構成,防止將處理液中之氣泡自腔室33之第3開口55C送出,且於傾斜面120不積存氣泡,而將氣泡沿傾斜面120引導至第2開口55B。因此,可易自腔室33內排出氣泡。另,驅動機構116亦可為不以馬達M1等驅動,而利用水壓或空氣壓,使管構件114變形者。又,第2開口55B係以包含最高位置之方式形成。
(13)上述各實施例及各變化例中,如圖2所示,腔室33具備中心軸CT(參照圖4A)為水平姿勢之圓錐台狀之貯存部48、隔膜43及驅動機構57。亦可取代隔膜43及驅動機構57,具備圖14之管構件及驅動機構。該情形時,管構件兩端之開口中,第1端之開口係以連接於腔室本體40之第1圓形面49A之方式設置,且第2端之開口蓋住。且,驅動機構亦可藉由使其管構件之主體部位移,而使貯存部48之容積變化。 本發明在不脫離其思想或本質下,可以其他具體形式實施,因此,作為表示發明之範圍者,並非以上之說明,而應參照所附加之申請專利範圍。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧噴嘴
3‧‧‧保持旋轉部
4‧‧‧旋轉卡盤
5‧‧‧旋轉驅動部
7‧‧‧處理液容器
9A、9B‧‧‧配管
11‧‧‧處理液供給裝置
21‧‧‧控制部
22‧‧‧操作部
23‧‧‧過濾器
23A‧‧‧上表面
23B‧‧‧入口
23C‧‧‧出口
23D‧‧‧排氣部
23E‧‧‧過濾器本體
25‧‧‧下游側泵裝置
25A‧‧‧泵本體
27A~27C‧‧‧配管
29‧‧‧排出配管
30‧‧‧排出配管
33‧‧‧腔室
35‧‧‧定子
36‧‧‧轉子
37‧‧‧軸(螺旋軸)
39‧‧‧引導部
40‧‧‧腔室本體
41‧‧‧引導銷
43‧‧‧隔膜
43A‧‧‧厚壁部
43B‧‧‧薄壁部
45‧‧‧引導孔
47‧‧‧凹部
48‧‧‧貯存部
49A‧‧‧第1圓形面
49B‧‧‧第2圓形面
50‧‧‧周面
50A‧‧‧上傾斜面
50B‧‧‧下傾斜面
51‧‧‧檢查開口部
53‧‧‧壓力感測器
55A‧‧‧第1開口
55B‧‧‧第2開口
55C‧‧‧第3開口
57‧‧‧驅動機構
71‧‧‧處理液供給裝置
73‧‧‧上游側泵裝置
73A‧‧‧泵本體
75‧‧‧腔室本體
76‧‧‧驅動機構
78A‧‧‧第1開口
78B‧‧‧第2開口
78C‧‧‧第3開口
80‧‧‧貯存部
81‧‧‧引導銷
83‧‧‧隔膜
83A‧‧‧厚壁部
83B‧‧‧薄壁部
85A‧‧‧配管
85B‧‧‧配管
85C‧‧‧配管
85D‧‧‧配管
86‧‧‧配管
90‧‧‧貯存部
91A‧‧‧第1五角形面
91B‧‧‧第2五角形面
92‧‧‧周面
96‧‧‧腔室本體
97‧‧‧傾斜面
98‧‧‧貯存部
101‧‧‧貯存部
102‧‧‧貯存部
110‧‧‧泵裝置
110A‧‧‧泵本體
112‧‧‧腔室本體
114‧‧‧管構件
116‧‧‧驅動機構
118‧‧‧貯存部
120‧‧‧傾斜面
150A‧‧‧傾斜面
155‧‧‧第2開口
AR1~AR3‧‧‧箭頭
AX‧‧‧旋轉軸
B1~B4‧‧‧氣泡
CT‧‧‧中心軸
FL‧‧‧水平之面
M1‧‧‧電動馬達
M2‧‧‧電動馬達
P‧‧‧泵裝置
SA1~SA3‧‧‧橫剖面積
SP1、SP2‧‧‧空間
TP‧‧‧最高位置
V1~V4‧‧‧開閉閥
V11~V16‧‧‧開閉閥
VL‧‧‧中心線
W‧‧‧基板
雖然爲了說明發明而圖示有當前認為較佳之若干個形態,但應理解,發明並非限定於如圖示之構成及手段。
圖1係實施例1之基板處理裝置之概略構成圖。 圖2係泵本體之縱剖視圖。 圖3係顯示自隔膜側觀察之腔室本體之立體圖。 圖4A、圖4B係用以說明腔室本體之內部及第2開口之位置之圖。 圖5A、圖5B係用以說明本發明之效果之圖。 圖6係實施例2之處理液供給裝置之概略構成圖。 圖7A~圖7E係用以說明實施例2之處理液供給裝置之動作之圖。 圖8係顯示腔室本體之變化例之圖。 圖9係顯示腔室本體之變化例之圖。 圖10係顯示腔室本體之變化例之圖。 圖11係顯示腔室本體之變化例之圖。 圖12A係顯示泵之變化例之圖,圖12B係顯示自圖12A中之箭頭AR3觀察之第1開口及第3開口之配置之圖。 圖13A係用以說明包含線狀之最高位置之第2開口之圖,圖13B係用以說明包含面狀之最高位置之第2開口之圖。 圖14係顯示泵裝置之變化例之圖。
Claims (11)
- 一種輸送處理液之泵裝置,其包含以下構件:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出,上述腔室之上述貯存部係呈以於鉛直方向擴展之第1平面、面積小於上述第1平面且相對於上述第1平面平行之第2平面、及連結上述第1平面之外緣與上述第2平面之外緣之筒狀之周面包圍,且中心軸為水平姿勢之錐台狀,上述第1開口及上述第3開口位於上述錐台狀之貯存部之底部,上述第2開口位於上述錐台狀之貯存部之最高位置,上述傾斜面係由與上述筒狀之周面之上部碰觸之上述腔室之上部內壁形成。
- 如請求項1之泵裝置,其中上述可動構件為配置於上述第1平面上之隔膜。
- 如請求項1之泵裝置,其中上述腔室之上述貯存部係呈以於垂直方向擴展之第1圓形面、面積小於上述第1圓形面且對於上述第1圓形面平行之第2圓形面、及連結上述第1圓形面之外緣與上述第2圓形面之外緣之筒狀之周面包圍,且中心軸為水平姿勢之圓錐台狀。
- 如請求項1之泵裝置,其中上述第2開口構成為於上述腔室之壁自內側向外側朝斜上方延伸。
- 如請求項1之泵裝置,其中上述第1開口及上述第3開口係使用於藉由與上述可動構件之位移連動而控制流體之流通,而經由上述第1開口將處理液吸引至上述貯存部內,且經由上述第3開口送出上述貯存部內之處理液。
- 一種輸送處理液之泵裝置,其包含以下構件:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出,上述腔室之上述貯存部之上部呈中心軸為鉛直姿勢之錐體狀,上述第2開口位於上述錐體狀之貯存部之最高位置,上述傾斜面係由與上述錐體狀之貯存部之錐體面碰觸之上述腔室之上部內壁形成。
- 如請求項6之泵裝置,其中上述第1開口及上述第3開口位於上述貯存部之底部。
- 一種供給處理液之處理液供給裝置,其包含以下構件:過濾器,其過濾處理液;下游側泵裝置,其設置於上述過濾器之下游側,將經上述過濾器過濾之處理液引入並送出;及控制部,其進行上述下游側泵裝置之驅動控制及處理液之流通控制;上述下游側泵裝置具備:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口係將沿傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出者;上述腔室之上述貯存部係呈以於鉛直方向擴展之第1平面、面積小於上述第1平面且相對於上述第1平面平行之第2平面、及連結上述第1平面之外緣與上述第2平面之外緣之筒狀之周面包圍,且中心軸為水平姿勢之錐台狀,上述第1開口及上述第3開口位於上述錐台狀之貯存部之底部,上述第2開口位於上述錐台狀之貯存部之最高位置,上述傾斜面係由與上述筒狀之周面之上部碰觸之上述腔室之上部內壁形成,上述控制部藉由與上述下游側泵裝置之上述可動構件之位移連動,而控制上述第1開口、上述第2開口、上述第3開口之處理液之流通,藉此,上述下游側泵裝置經由上述第1開口吸引經上述過濾器過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡經由上述第2開口排出,其後,將上述貯存部內剩餘之處理液經由上述第3開口送出。
- 一種處理基板之基板處理裝置,其包含以下構件:如請求項8之處理液供給裝置;及噴嘴,其設置於連接於上述處理液供給裝置之上述第3開口之流路之末端。
- 一種供給處理液之處理液供給裝置,其包含以下構件:過濾器,其過濾處理液;上游側泵裝置,其設置於上述過濾器之上游側,向上述過濾器送入處理液;下游側泵裝置,其設置於上述過濾器之下游側,將經上述過濾器過濾之處理液引入並送出;及控制部,其進行上述上游側及下游側之泵裝置之驅動控制及處理液之流通控制,上述上游側泵裝置及上述下游側泵裝置各自具備:腔室,其具備收納處理液之內部空間即貯存部、及與上述貯存部相接之可動構件,且上述貯存部之容積因上述可動構件位移而變化;及驅動部,其使上述可動構件位移;上述腔室形成有連通於上述貯存部之至少3個開口,即第1開口、第2開口、第3開口,上述第2開口位於較上述第1開口及上述第3開口更高之位置,且為上述貯存部之最高位置,且,上述腔室係於上述腔室之上部內壁具備使得愈向上述貯存部之最高位置升高則上述貯存部之上部之橫剖面積愈小的傾斜面,上述第2開口係將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡排出者;上述腔室之上述貯存部係呈以於鉛直方向擴展之第1平面、面積小於上述第1平面且相對於上述第1平面平行之第2平面、及連結上述第1平面之外緣與上述第2平面之外緣之筒狀之周面包圍,且中心軸為水平姿勢之錐台狀,上述第1開口及上述第3開口位於上述錐台狀之貯存部之底部,上述第2開口位於上述錐台狀之貯存部之最高位置,上述傾斜面係由與上述筒狀之周面之上部碰觸之上述腔室之上部內壁形成,上述控制部與上述上游側泵裝置及上述下游側泵裝置之上述可動構件之位移連動,而控制上述上游側泵裝置及上述下游側泵裝置之上述第1開口、上述第2開口、上述第3開口之處理液之流通,藉此,上述上游側泵裝置經由上述第1開口吸引處理液,接著,將所吸引之處理液與沿上述傾斜面引導之上述處理液中之氣泡一起經由上述第2開口向過濾器送出,且上述下游側泵裝置經由上述第1開口吸引經上述過濾器過濾之處理液,接著,於送出所吸引之處理液之過程初期,將沿上述傾斜面被引導之上述處理液中之氣泡經由上述第2開口排出,其後,將上述貯存部內剩餘之處理液經由第3開口送出,將自上述下游側泵裝置之上述第2開口排出之包含氣泡之處理液經由上述上游側泵裝置之上述第3開口,回送至上述上游側泵裝置。
- 一種處理基板之基板處理裝置,其包含以下構件:如請求項10之處理液供給裝置;及噴嘴,其設置於連接於上述處理液供給裝置之上述下游側泵裝置之上述第3開口之流路之末端。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017165763A JP6966260B2 (ja) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | ポンプ装置、処理液供給装置および基板処理装置 |
JP2017-165763 | 2017-08-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201912940A TW201912940A (zh) | 2019-04-01 |
TWI676740B true TWI676740B (zh) | 2019-11-11 |
Family
ID=65436765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107126308A TWI676740B (zh) | 2017-08-30 | 2018-07-30 | 泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11000783B2 (zh) |
JP (1) | JP6966260B2 (zh) |
KR (1) | KR102250350B1 (zh) |
CN (1) | CN109424516A (zh) |
TW (1) | TWI676740B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102221258B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2021-03-02 | 세메스 주식회사 | 약액 토출 장치 |
CN114308563B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-08-22 | 南京爱沃客信息科技有限公司 | 一种创可贴吸水垫上药机 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745001B2 (ja) * | 1990-09-11 | 1995-05-17 | シーケーディ株式会社 | 液体供給装置及び脱泡方法 |
CN1691282A (zh) * | 2004-04-26 | 2005-11-02 | 株式会社小金井 | 弹性罐及使用该弹性罐的化学液体供应装置 |
KR100948629B1 (ko) * | 2009-08-04 | 2010-03-18 | 주식회사 나래나노텍 | 개선된 약액 펌핑 장치 및 이를 구비한 약액 공급 장치 |
JP2010067978A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Semes Co Ltd | フォトレジスト供給装置及び方法 |
JP2010096816A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Toray Ind Inc | インクジェットヘッドの塗布液供給装置及び塗布液供給方法並びにカラーフィルタの製造方法 |
JP2017144372A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2510492Y2 (ja) * | 1992-09-03 | 1996-09-11 | エスエムシー株式会社 | 小形単動プロセスポンプ |
JP3561438B2 (ja) * | 1998-06-15 | 2004-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給システム、これを用いた処理装置、および処理液供給方法 |
JP2002273113A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-24 | Koganei Corp | 濾過器および薬液供給装置並びに薬液供給方法 |
WO2005053772A1 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Gambro Lundia Ab | Degassing device and end-cap assembly for a filter including such a degassing device |
JP4725157B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP5055729B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2012-10-24 | 凸版印刷株式会社 | ダイヤフラムポンプ及びこれに用いたインキ吐出印刷装置。 |
US7878765B2 (en) | 2005-12-02 | 2011-02-01 | Entegris, Inc. | System and method for monitoring operation of a pump |
JP4869781B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-02-08 | 株式会社イワキ | チューブフラムポンプ |
US20080169230A1 (en) * | 2007-01-12 | 2008-07-17 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Pumping and Dispensing System for Coating Semiconductor Wafers |
JP2009049228A (ja) | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ポンプおよび基板処理装置 |
JP5446176B2 (ja) | 2008-09-02 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP5618052B2 (ja) | 2010-03-19 | 2014-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
CN103097730B (zh) * | 2011-04-27 | 2014-11-26 | Ckd株式会社 | 液体馈送泵及流量控制装置 |
CN202180644U (zh) | 2011-08-06 | 2012-04-04 | 传美讯电子科技(珠海)有限公司 | 一种喷墨墨水的除泡过滤装置 |
JP5910401B2 (ja) | 2012-08-03 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置の運転方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
JP5453561B1 (ja) | 2012-12-20 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体 |
JP6920133B2 (ja) | 2017-08-23 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置 |
-
2017
- 2017-08-30 JP JP2017165763A patent/JP6966260B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-26 KR KR1020180087116A patent/KR102250350B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-26 US US16/045,891 patent/US11000783B2/en active Active
- 2018-07-30 TW TW107126308A patent/TWI676740B/zh active
- 2018-07-31 CN CN201810857496.2A patent/CN109424516A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745001B2 (ja) * | 1990-09-11 | 1995-05-17 | シーケーディ株式会社 | 液体供給装置及び脱泡方法 |
CN1691282A (zh) * | 2004-04-26 | 2005-11-02 | 株式会社小金井 | 弹性罐及使用该弹性罐的化学液体供应装置 |
JP2010067978A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Semes Co Ltd | フォトレジスト供給装置及び方法 |
JP2010096816A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Toray Ind Inc | インクジェットヘッドの塗布液供給装置及び塗布液供給方法並びにカラーフィルタの製造方法 |
KR100948629B1 (ko) * | 2009-08-04 | 2010-03-18 | 주식회사 나래나노텍 | 개선된 약액 펌핑 장치 및 이를 구비한 약액 공급 장치 |
JP2017144372A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102250350B1 (ko) | 2021-05-10 |
JP6966260B2 (ja) | 2021-11-10 |
KR20190024669A (ko) | 2019-03-08 |
US20190060789A1 (en) | 2019-02-28 |
JP2019044619A (ja) | 2019-03-22 |
TW201912940A (zh) | 2019-04-01 |
US11000783B2 (en) | 2021-05-11 |
CN109424516A (zh) | 2019-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI377994B (en) | Coating apparatus, coating method and memory medium | |
JP5741549B2 (ja) | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 | |
KR100196047B1 (ko) | 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법 | |
TWI676740B (zh) | 泵裝置、處理液供給裝置及基板處理裝置 | |
US8469285B2 (en) | Chemical liquid supply nozzle and chemical liquid supply method | |
US9649577B2 (en) | Bubble removing method, bubble removing apparatus, degassing apparatus, and computer-readable recording medium | |
TW202131437A (zh) | 基板處理裝置 | |
JP5317505B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6685759B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TW201919769A (zh) | 泵裝置、處理液供給裝置、基板處理裝置、排液方法及液置換方法 | |
TWI738155B (zh) | 基板處理裝置及過濾器之氣泡除去方法 | |
JP7107362B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
TW520523B (en) | Fluid delivery module, fluid delivery ring and methods for making the same, and method for rinsing a semiconductor wafer in a module utilizing a fluid delivery ring | |
JP3113810B2 (ja) | レジスト処理装置およびレジスト処理方法 | |
TWI464821B (zh) | 自向下流過充氣部之流體移除氣泡 | |
CN218602388U (zh) | 基片处理装置 | |
JP3283251B2 (ja) | レジスト処理装置 | |
CN218602389U (zh) | 基片处理装置 | |
JP6803736B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005003433A (ja) | 液体分注装置のノズル洗浄装置およびノズル洗浄方法 | |
JP5991403B2 (ja) | フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体 | |
JP2024089246A (ja) | 洗浄方法 | |
TW202244994A (zh) | 基板處理裝置及供給閥 |