TWI676702B - 混合氣體複數系統供給體系及利用該體系的基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種混合氣體複數系統供給體系，其具備：分流器，其係連接於共通之混合氣體供給路徑，能將混合氣體分岐成複數個供給系統，且能調整該複數個供給系統之流量比率；及噴射器，係在處理容器內之複數個區域各自具有氣體導入口與氣體吐出孔，可將該混合氣體供給至該複數個區域的每一者； 該分流器之該複數個供給系統之每一者，係以1對1之方式，連接於該處理容器內之該複數個區域之每一者之該氣體導入口。

Description

混合氣體複數系統供給體系及利用該體系的基板處理裝置
本發明係有關於混合氣體複數系統供給體系及利用該體系的基板處理裝置。
以往，已知有種氣相成長裝置，其具備：基座，以供載置被處理基板；氣體供給部，其係與該基座成為對向，用以將複數種材料氣體供給至被處理基板上；複數個混合配管，用以將該複數種材料氣體中既定之複數種材料氣體予以混合後分別導入至該氣體供給部；及複數個氣體分岐機構，係對該複數種材料氣體的每一者邊調整流量邊以分岐方式而各自傳送至該複數個混合配管的每一者；該氣體供給部，係將該複數個混合配管所各自混合後之複數個混合氣體，分別朝著該基座上之複數個區域進行噴灑；在該複數個混合氣體的每一者中，可調節該既定之複數種材料氣體各自之濃度及流量。
在該氣相成長裝置中，設有複數個混合配管，係藉氣體分岐機構將各氣體供給源分岐成供給管線，使分岐後之各氣體之供給管線連接至複數個混合配管的每一者以供給相同之混合氣體；並使其各與基座上之複數個區域相對應而進行噴灑。
[發明所欲解決的問題] 然而，在該構成中，供給相同之混合氣體之混合配管，必須對應於基座上之複數個區域之數目，與此相隨的，將使配管數增加且趨於複雜化，且有伴隨而來之裝置趨於大型化的問題。
特別是，在上述之構成中，隨著混合配管的增加，亦必須增加來自各氣體源之分岐管線的數目，因此，當基座上之擬供給區域數增加後，將造成在氣體源附近之配管數明顯增加的問題。
再者，近年來，用於基板處理之氣體的種類有增加的傾向，又，從提昇面內均勻性的觀點而言，在基座上之區域之數目亦有增加傾向，而造成配管數的增加與裝置趨於大型化的問題。
本發明之目的在於，提供混合氣體複數系統供給體系及利用該體系的基板處理裝置，在將混合氣體分岐成複數系統以供給至處理容器內之複數個區域時，可減少配管數而達成裝置之小型化。 [解決問題的手段]
本發明之一形態之混合氣體複數系統供給體系，係用以將混合氣體供給至處理容器內之複數個區域，其具備： 分流器，其係連接於共通之混合氣體供給路徑，能將混合氣體分岐成複數個供給系統，且能調整該複數個供給系統之流量比率；及 噴射器，係在處理容器內之複數個區域各自具有氣體導入口與氣體吐出孔，可將該混合氣體供給至該複數個區域的每一者； 該分流器之該複數個供給系統之每一者，係以1對1之方式，連接於該處理容器內之該複數個區域之每一者之該氣體導入口。
本發明之其他形態之基板處理裝置，具有： 該混合氣體複數系統供給體系； 該處理容器；及 用以在該處理容器內保持基板之基板保持手段。
以下，參照附圖以說明本發明之實施形態。在下述之詳細說明中，為了能充份理解本發明，而提供更多之具體詳細內容。然而，即使無該種詳細之說明，專精人士仍理所當然的能夠掌握本發明。在其他之例中，為了要避免難以理解各種實施形態，對於周知的方法、步驟、系統、或構成要素，並未詳細說明。 ［第1實施形態］
圖1係本發明之第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置之一例之圖。在圖1中，係示出混合氣體複數系統供給體系250及包含該體系之基板處理裝置300。
混合氣體複數系統供給體系250具有混合氣體產生部200、分流器210、分岐配管221～223、及噴射器131～133。又，基板處理裝置300更具有處理容器1、及旋轉台2。
混合氣體複數系統供給體系250係用以產生混合氣體，將產生之混合氣體分岐成複數系統，且使用噴射器131～133以供給至處理容器1內之複數個區域。
在圖1的構成中，混合氣體產生部200連接於分流器210，所產生之混合氣體係從分流器210經過分岐配管221～223而供給至噴射器131～133。
混合氣體產生部200係用以混合複數種類之處理氣體以產生混合氣體之手段。混合氣體產生部200具備：氣體供給源161～163、流量控制器171～173、個別配管181～183、及混合配管190。
氣體供給源161～163係用以供給構成混合氣體之各氣體之手段，例如，可由收置著氣體之槽體等而構成，亦可按照必要性，具有氣化器等之氣體之產生手段。氣體供給源161～163係以對應於構成混合氣體之複數種氣體之方式，而設有各自之氣體供給源161～163。
流量控制器171～173係用以調整氣體之流量之手段，例如，係由質流控制器等所構成。流量控制器171～173同樣是設置成，對應於構成混合氣體之複數種類之氣體。因之，係以與氣體供給源161～163成1對1對應之方式而設置。藉此，可正確的設定及調整各氣體之流量。再者，在圖1中，構成混合氣體之氣體有3種，氣體供給源161～163及流量控制器171～173，係各設有3個。
個別配管181～183係用以連接流量控制器171～173與混合配管190之配管，係設置成與構成混合氣體之複數種氣體成1對1之對應關係。因之，在圖1中，與流量控制器171～173相同的，個別配管181～183之示例亦設有3支。
混合配管190係用以混合從個別配管181～183供給而來之複數種氣體以產生混合氣體之配管。因此，混合配管190僅設有1支，從各自之個別配管181～183供給而來之各氣體，在混合配管190被混合。
分流器210係用以對於混合配管190所供給而來之混合氣體，予以分岐成複數個系統之分流手段。此時，分流器210可將混合氣體設定成既定之流量比。因之，分流器210可將混合氣體調整成既定之流量比然後供給至分岐配管221～223。
分岐配管221～223係用以將根據各個既定之流量比所供給而來之混合氣體，分別供給至噴射器131～133之手段。再者，分岐配管221～223係連接於各噴射器131～133之各氣體導入口141～143。
噴射器131～133係用以將混合氣體供給至處理容器1內之複數個區域之手段。噴射器131～133例如係形成為噴嘴形狀。噴嘴形狀可為圓筒形狀，亦可為四角柱等角柱形狀。因此，亦可將噴射器131～133，稱為氣體噴嘴131～133。
噴射器131～133之設置，係為了將混合氣體供給至處理容器1內之複數個區域，或是晶圓W上之複數個區域，因而在處理容器1內之複數個區域的每一者，各設有1個與其對應。因之，噴射器131～133整體係設置成複數個。複數個噴射器131～133，具有各1個之氣體導入口141～143，以及至少1個之氣體吐出孔151～153。通常，氣體吐出孔151～153係在各區域分別設有複數個。在圖1中之示例，係以示意方式將各噴射器131～133各設有3個。實際上，對每1個噴射器131～133設有數十個之情況並不在少數。藉由將氣體吐出孔151～153設成複數個，可將孔徑或位置等進行各種調整。又，亦可使各個噴射器131～133在供給混合氣體之複數個區域內能以均勻分散之方式來供給混合氣體。因此，各噴射器131～133，以具備複數個氣體吐出孔151～153為較佳。
複數個噴射器131～133，與藉由分流器210而分岐之複數系統之分岐配管221～223的每一者，係以1對1之對應關係而設置。如上述，分流器210可調整複數系統之流量比，因而可調整噴射器131～133之流量比。
在圖1之構成中，複數個噴射器131～133，彼此係各設置在處理容器1內之相異區域，而能將混合氣體供給至晶圓W上之相異區域。由於包含處理容器1等之基板處理裝置300之構造所致，會有在晶圓W之特定區域之基板處理發生不足或過多的情形。在該種情況時，係藉由適切的設定混合氣體之流量比之方式，以補償過與不足，而能在晶圓W的全面施以有更佳均勻性之基板處理。又，如上述，不僅只於流量比，藉由氣體吐出孔151～153之孔徑或配置的調整，同樣可供進行提高面內均勻性之基板處理。再者，在圖1之示例中，係使用箭頭以示意方式而示出供給流量之大小之差異，左側之噴射器131的流量為最小，右側之噴射器133的流量為最大，位於正中間之噴射器132的流量，則是位於其間。
如所示，對於設置於處理容器1之複數個區域之噴射器131～133，可適切的設定其流量比。
再者，在圖1的構成中，複數個噴射器131～133彼此並無重疊區域，而能將混合氣體供給至所有相異區域，然而，亦能以使得相鄰之區域彼此間有重疊之方式，而配置複數個噴射器131～133。
處理容器1係用以收納晶圓W以進行既定之基板處理之容器。又，旋轉台2係用以保持晶圓W之基板保持手段。在圖1中之示例，係示出將晶圓W載置於頂面而予以保持之旋轉台2，然而，只要能將晶圓W保持成可供進行處理，則能以各種方式而構成，不必然非旋轉不可，亦可為單純之載置台。
如圖1所示，第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系，係將3種之處理氣體予以混合後，將混合氣體分岐成3系統以進行供給之供給系統，然而，分岐成3支之配管，僅有個別配管181～183與分岐配管221～223。又，流量控制器171～173亦僅有3個。
若將同樣之供給系統以上述專利文獻1所載之構成方式來實現，由於最終之供給系統有3個，因此，設置在各個氣體供給源161～163之每一者的流量控制器171～173為3×3=9個，個別配管181～183亦需要有3×3=9支。再者，混合配管190需要有3支，所需之配管的數目趨多，裝置亦趨於大型化。
與此相較，第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系，可將氣體供給源161～163至分流器210為止之範圍內的構成要素，分別減為1╱3，而能大幅度的節省空間及降低成本。
如所示，依照本發明之第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置300，則能有效的活用分流器210，可達成氣體元件及裝置整體之大幅的精簡化。 ［第2實施形態］
圖2係本發明之第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。再者，在第2實施形態中，混合氣體產生部200之構成係與第1實施形態相同，故賦與同一參考符號而省略其說明。
第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系251及基板處理裝置301，噴射器130整體為1支，內部係以分隔壁121、122予以分隔，而分割成複數個腔室131a～133a，此點係與第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置300相異。
第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系251及基板處理裝置301，以實質之功能而言，與設有個別之噴射器131～133之第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置300並無大的相異處，然而，藉由將噴射器130構成為1支，則能減少部品數目，可進一步達成裝置的小型化。
至於其他的點，則與第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置300具有相同之功能及效果，因而省略其說明。 ［第3實施形態］
圖3係本發明之第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系252及基板處理裝置302之一例之圖。再者，在第3實施形態中，混合氣體產生部200之構成係與第1實施形態及第2實施形態相同，故賦與同一參考符號而省略其說明。
第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系252及基板處理裝置302，噴射器130a整體為1支，係將內部以分隔壁121a、122a予以分隔，藉此而分割成複數個腔室131a～133a，此點雖與第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系251及基板處理裝置301共通，然而，在分隔壁121a、122a設置限流孔111、112，此點則與第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系251及基板處理裝置301相異。
此處之限流孔111、112，其功能，係作為可連通噴射器130a之複數個腔室131a～133a彼此之連通口之開口。對於各腔室131a～133a係以相異之流量而供給混合氣體之情形時，壓力係與流量成比例而亦有不同。可利用該壓力差，以產生系統數以上之分流比率變化。亦即，分隔壁121a、122a並未將噴射器130a的內部予以完全分割，藉由在分隔壁121a、122a設置限流孔111、112，可從流量較多之腔室131a～133a，使混合氣體的一部分流入流量較少之腔室131a～133a（從壓力較高之腔室131a～133a，朝向壓力較低之腔室131a～133a）。由於各氣體吐出孔151～153之氣體吐出量與內部壓力成比例，因此，來自限流孔111、112附近之氣體吐出孔151～153之氣體吐出量，相較於遠離限流孔111、112之氣體吐出孔151～153，將受到較多來自於挾限流孔111、112於其中之鄰接之腔室131a～133a之壓力的影響，而能進行多於分流器之分流數而呈平滑狀之混合氣體之分流。
在圖3之例中，流量及壓力係依照腔室133a、腔室132a、腔室131a之順序由高而低，因此，腔室133a內之混合氣體，一部分將透過限流孔112而流入腔室132a，腔室132a內之混合氣體，一部分透過限流孔111而流入腔室131a。又，如圖3之箭頭之示意圖所示，分流成3個系統之流量，其分布係從右側往左側漸漸降低流量，而能吐出10階段之流量。
如所示，依照第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系252及基板處理裝置302，可實現裝置之小型化，且能以平滑之氣體分流而進行吐出之供給。
圖4係用以說明第2實施形態及第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系251、252及基板處理裝置301、302之吐出量之相異點之圖。
圖4（a）係表示第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系251及基板處理裝置301之噴射器130所吐出之混合氣體之吐出量。如圖4（a）所示，藉由分流器210之流量比設定而設定成，在腔室131a有100sccm的流量，腔室132a有200sccm的流量，腔室133a有300sccm的流量，而設定成1：2：3的流量比。在此情形之氣體吐出孔151～153所吐出的各吐出量，若是對於100sccm的供給有25sccm的輸出量，則來自腔室131a之氣體吐出孔151之吐出量為25sccm，來自腔室132a之氣體吐出孔152之吐出量為50sccm，來自腔室133a之氣體吐出孔153之吐出量為75sccm，仍然是1：2：3之階梯狀的輸出。
圖4（b）所示，係第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系252及基板處理裝置302之噴射器130a所吐出之混合氣體之吐出量。與圖4（a）相同的，係藉由分流器210之流量比設定，將腔室131a設定成100sccm的流量，將腔室132a設定成200sccm的流量，將腔室133a設定成300sccm的流量，而設定成1：2：3之流量比。又，仍然是與圖4（a）相同的，基本上，來自氣體吐出孔151～153之各吐出量，對於100sccm的供給，有25sccm的輸出量。
在此情形，腔室133a之混合氣體的一部分，透過限流孔112而流至相鄰之腔室132a，且透過限流孔111，使得腔室132a之混合氣體的一部分，流至相鄰之腔室131a。如此一來，從最遠離於右側之限流孔112之腔室133a之氣體吐出孔153，係吐出幾乎如計算值之75sccm，但越往左側，則受到限流孔112的影響，混合氣體之流動，將分散至氣體吐出孔153與限流孔112，造成吐出量呈降低之勢。
另一方面，在中央之腔室132a中，右側之氣體吐出孔152受到透過限流孔112而從腔室133a流入之混合氣體的影響，造成吐出量較50sccm為多。從右邊算來第2個之氣體吐出孔，幾乎如計算般為 50sccm，但越往左側則越是受到限流孔111的影響，造成吐出量漸漸低下。同樣的現象在左側之腔室131a亦有發生，與限流孔111距離最遠之左側之氣體吐出孔151，如計算般的具有25sccm之吐出量，然而，越往右側則越是受到透過限流孔111而從隔鄰之腔室132a所流入之混合氣體的影響，造成吐出量漸漸提高。
其結果，整體能在具有平滑之吐出量分布之情況下，使混合氣體從氣體吐出孔151～153吐出。
如所示，若將分隔壁121、122構成為完全之分隔板，則各腔室131a～133a之吐出量為一定，呈階梯狀之分布，然而，若是構成為具有限流孔111、112之分隔壁121a、122a，則能以平滑之分布而吐出混合氣體。利用該性質，即使並未個別的設置流量控制器，而是使用僅能設定流量比之分流器，亦能達成所要之氣體供給。 ［第4實施形態］
在以下之實施形態之說明示例，係將第1至第3實施形態所說明之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置300～302，運用在更為具體之基板處理裝置之例。第4實施形態之基板處理裝置303，係構成為ALD（Atomic Layer Deposition：原子層成膜方法）成膜裝置，係藉由ALD法以進行成膜之裝置。
圖5係本發明之第4實施形態之混合氣體複數系統供給體系250及基板處理裝置303之一例之圖。在圖5中，表示基板處理裝置303之處理容器1內之內部構造。再者，處理容器1及旋轉台2，與第1實施形態之基板處理裝置300～302之處理容器1及旋轉台為相同之形狀，因而使用同一參考符號。
在圖5中，係表示從處理容器1將天板取下時，構成處理容器1之側面及底面之容器本體12。在容器本體12內之底面的上方，設有圓盤狀之旋轉台2。
在旋轉台2的表面，如圖5所示，在沿著旋轉方向（周向）設有用以載置複數片（在圖示之例為5片）晶圓W之圓形狀的凹部24。再者，在圖5中為求方便，而僅在1個凹部24示出晶圓W。該凹部24，具有僅較晶圓W之直徑（例如300mm）稍大、例如大了4mm之內徑，以及與晶圓W之厚度大致相等之深度。因此，若將晶圓W載置於凹部24，則晶圓W的表面與旋轉台2的表面（未載置晶圓W的區域）成為同高。
在旋轉台2的上方，各配置有例如由石英所構成之噴射器131c～133c、反應氣體噴嘴32、及分離氣體噴嘴41、42。在圖示之例中，在處理容器1之周向以隔有間隔之方式，從搬送口15（後述）開始，朝順時針方向（旋轉台2之旋轉方向）依序配置有分離氣體噴嘴41、噴射器131c～133c、分離氣體噴嘴42、及反應氣體噴嘴32。噴射器131c～133c與第1實施形態所說明之獨立配置於複數個區域的每一者之噴射器131～133類似。在圖5中，於旋轉台2之半徑方向，在旋轉台2的中心側區域設有噴射器131c、在旋轉台2的外周側區域設有噴射器133c、在旋轉台2之半徑方向之正中間區域設有噴射器132c。藉由旋轉台2的旋轉，被載置於旋轉台2上之晶圓W係沿著旋轉方向而移動，從噴射器131c～133c之氣體吐出孔151～153吐出混合氣體，藉此，可依序對於複數片（在圖5中為5片）之晶圓W的表面供給混合氣體。因此，以3個噴射器131c～133c，可涵蓋晶圓W之直徑全體，藉此而能使晶圓W的全面有混合氣體的供給。噴射器131c～133c基本上係在旋轉台2之半徑方向涵蓋成不在外周側、中央區域、及中心側之相異區域重疊，然而，在相鄰的噴射器131c、132c彼此間、及噴射器132c、133c彼此間，於端部之區域有彼此重疊。由於設有該重疊之部分，在晶圓W不存在著並未被供給混合氣體之區域，而能將混合氣體供給至晶圓W之全面。
混合氣體對於各噴射器131c～133c的供給，係使得藉混合氣體產生部200所產生之混合氣體藉分流器210而分岐，透過分岐配管221～223而供給至各氣體導入口141～143以進行之。如圖1及圖3所示，分岐配管221～223從處理容器1的頂面被導入，進而將混合氣體導入於各噴射器131c～133c之各氣體導入口141～143。
再者，在旋轉台2之旋轉後，由於外周側較中心側有更大的移動距離，因此，外周側的移動速度較中心側為快。因之，在旋轉台2之外周側，會有混合氣體吸附在晶圓W的時間並不充份之情形，而有將外周側之流量設定的較內周側之流量為多之情形。本實施形態中的示例，亦是以噴射器133c、噴射器132c、噴射器131c的順序來設定流量大小，而提出與上述傾向一致之例。
噴射器131c～133c以外之其他噴嘴32、41及42，係以各將其基端部、即氣體導入埠32a、41a、42a固定於容器本體12的外周壁之方式，而從處理容器1之外周壁被導入處理容器1內，而被安裝成沿著容器本體12之半徑方向相對旋轉台2而平行伸展。
在其等之噴嘴32、41、42中，可連接至各氣體供給源，以及按照必要性而連接於流量控制器，而能對應於製程而供給各種氣體。
例如，在反應氣體噴嘴32中，為了要使矽系氣體氧化而產生SiO2 ，亦可透過開閉閥及流量調整器（均未圖示）連接至用以供給臭氧（O3 ）之供給源（未圖示）。
又，在分離氣體噴嘴41、42中，亦可透過開閉閥及流量調整器（均未圖示）而連接於Ar或He等稀有氣體或氮氣等非活性氣體之供給源。在圖5中的示例，係使用N2 氣體以作為非活性氣體。
圖6係從噴射器131c～133c至反應氣體噴嘴32為止之沿著旋轉台2之同心圓之處理容器1的截面圖。如圖6所示，在噴射器131c～133c中，係貫通處理容器1的天板11而連接於分岐配管221～223，而將混合氣體供給至氣體導入口141～143。在各噴射器131c～133c的下面，形成有氣體吐出孔151～153。
又，在反應氣體噴嘴32中，朝旋轉台2而在下方開口之複數個氣體吐出孔33，係沿著反應氣體噴嘴32之長邊方向而排列。在噴射器131c～133c之下方區域，係用以使矽系氣體等之混合氣體吸附於晶圓W之第1處理區域P1。在反應氣體噴嘴32之下方區域，係用以使在第1處理區域P1中被吸附至晶圓W之混合氣體發生氧化之第2處理區域P2。
參照圖5及圖6，在處理容器1內設有2個凸狀部4。凸狀部4呈現頂部被切斷成圓弧狀之大致扇形之平面形狀，在本實施形態中，內圓弧與突出部5（後述）連結，外圓弧係沿著處理容器1之容器本體12之內周面而配置。如圖示，凸狀部4被安裝在天板11的內面。因此，在處理容器1內，存在著位在凸狀部4之下面之呈現平坦的較低之天井面44（第1天井面），以及位在該天井面44之周向兩側之較天井面44為高的天井面45（第2天井面）。
又，如圖6所示，凸狀部4在周向中央形成溝部43，溝部43係沿著旋轉台2之半徑方向而延伸，溝部43中收置著分離氣體噴嘴42。在另一個凸狀部4亦同樣形成溝部43，在此收置著分離氣體噴嘴41。再者，分離氣體噴嘴42亦有形成氣體吐出孔42h。
在高的天井面45之下方空間，分別設有噴射器131c～133c及反應氣體噴嘴32。其等之噴射器131c～133c及反應氣體噴嘴31、32，係遠離於天井面45而設置在晶圓W的附近。
在低的天井面44，係相對旋轉台2而形成狹窄空間、即分離空間H。從分離氣體噴嘴42供給N2 氣體後，該N2 氣體係通過分離空間H而流向空間481及空間482。此時，分離空間H之容積，較空間481及482的容積為小，因此，藉由N2 氣體而使分離空間H之壓力較空間481及482的壓力為高。亦即，在空間481及482之間，分離空間H提供了壓力障壁。因此，來自第1區域P1之3DMAS等之混合氣體，與來自第2區域P2之O3 氣體，係藉由分離空間H而分離。因之，可抑制在處理容器1內使混合氣體與O3 氣體經混合而反應。
圖7係沿著圖5之I-I'線之截面圖，表示設有天井面45之區域之截面圖。
如圖7所示，基板處理裝置中具備有，大致呈圓形之平面形狀之扁平的處理容器1，及設置在該處理容器1內之以處理容器1之中心作為旋轉中心之旋轉台2。處理容器1具備有，有底部而呈現圓筒形狀之容器本體12，以及，透過例如O型環等密封構件13以氣密方式而拆卸自如的配置於容器本體12之頂面之天板11。
旋轉台2係將中心部固定於圓筒形狀之核心部21，該核心部21係固定於延伸於鉛直方向之旋轉軸22的上端。旋轉軸22係貫通處理容器1的底部14，其下端係被安裝於用以使旋轉軸22鉛直的繞著軸旋轉之驅動部23。旋轉軸22及驅動部23，係被收納在頂面呈開口之筒狀的殼體20內。該殼體20中之設置在其頂面之法蘭部分，係氣密的被安裝於處理容器1之底部14的下面，殼體20之內部氣體環境與外部氣體環境隔離。
在旋轉台2與容器本體之內周面之間，形成著連接於空間481之第1排氣口610，及連通於空間482之第2排氣口620。第1排氣口610及第2排氣口620，如圖7所示，係分別透過排氣管630而連接至真空排氣手段，例如真空泵640。再者，排氣管630中設有壓力調整器650。
在旋轉台2與處理容器1之底部14之間的空間，如圖7所示，設有作為加熱手段之加熱單元7，透過旋轉台2，使得旋轉台2上之晶圓W，被加熱至由製程配方所決定之溫度（例如450℃）。在旋轉台2之周緣附近之下方側，設有環狀之外罩構件71，以避免氣體侵入於旋轉台2之下方空間。
如圖7所示，較配置有加熱單元7之空間更為靠近旋轉中心之部位之底部14，係以接近於旋轉台2之下面之中心部附近之核心部21之方式，設有朝上方側突出之突出部12a。在該突出部12a與核心部21之間，係成為狹窄空間。又，貫通底部14之旋轉軸22之貫通孔之內周面與旋轉軸22之空隙變窄，其等狹窄空間係連接於殼體20。又，在殼體20中，設有潔淨氣體供給管72，用以將作為潔淨氣體之N2 氣體供給至狹窄空間內，以進行潔淨。再者，在處理容器1之底部14中，在加熱單元7之下方之周向係以既定之角度間隔，設有複數個潔淨氣體供給管73，用以將加熱單元7之配置空間予以潔淨化（在圖7中係設有2個潔淨氣體供給管73）。
又，在處理容器1之天板11之中心部，連接著分離氣體供給管51，其構成，可將作為分離氣體之N2 氣體，供給至天板11與核心部21之間的空間52。
再者，在處理容器1之側壁，如圖5所示，形成有搬送口15，用以在外部之搬送臂10與旋轉台2之間進行基板（亦即晶圓W）之傳遞。
又，本實施形態之基板裝置，如圖7所示，設有用來控制裝置整體之動作之由電腦所構成之控制部100，在該控制部100之記憶體內，儲存著在控制部100之控制下能由成膜裝置來實施成膜方法（如後述）之程式。該程式，可記憶於硬碟、光碟、光磁性碟、記憶卡、及軟碟等之媒體102，藉由既定之讀取裝置而讀入記憶部101，然後裝載至控制部100內。
如所示，可將混合氣體複數系統供給體系250良好的運用於用以進行成膜處理之基板處理裝置303，藉此，可正確的控制設有噴射器131c～133c之處理容器1內之各區域之混合氣體的流量，而能進行面內均勻性良好之成膜處理。 ［第5實施形態］
圖8係本發明之第5實施形態之混合氣體複數系統供給體系254及基板處理裝置304之一例之圖。在圖8中，連接至分流器210之噴射器130d為1支，噴射器130d具有3個區域、亦即3個腔室131d～133d。
圖9係本發明之第5實施形態之混合氣體複數系統供給體系254及基板處理裝置304之噴射器130d之一例之截面圖。第5實施形態之基板處理裝置，與圖5所示之第4實施形態之基板處理裝置303具有同樣的平面構成，然而，僅有噴射器130d的構造相異。
第5實施形態之基板處理裝置之噴射器130d，如圖9所示，係將完全呈板狀之分隔壁121b、122b設置於噴射器130d的內部，以完全分離之方式形成腔室131d～133d。此處，與第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系251及基板處理裝置301具有類似之構成。
如所示，亦可將完全呈板狀之分隔壁121b、122b設置於1支之噴射器130d的內部，而使各腔室131d～133d成為完全分離之構成。藉由相關構成，相較於設有3支個別獨立之噴射器131c～133c之方式，能以省空間及低成本方式而構成噴射器130d。
再者，有關於其他構成要素，由於與第2及第4實施形態之基板處理裝置302、303相同，因而省略其說明。 ［第6實施形態］
圖10係本發明之第6實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器130e之一例之圖。在圖10中，連接於分流器210之噴射器130e有1支，在噴射器130e的內部，係被分隔壁121c、122c所分割，而分割成為3個腔室131e、132e、133e。在分隔壁121c、122c中，形成有可成為通通口之限流孔111b、112b，使各腔室131e～133e以彼此間可以連通之方式而構成。亦即，此例係將第3實施形態之基板處理裝置302運用於具體之ALD成膜裝置之示例。如所示，依照第6實施形態之基板處理裝置，對於處理容器1內之各區域，能供給呈現平滑之流量分布之混合氣體，而能進行ALD成膜處理。
再者，至於其他的構成要素，係與第3至第5實施形態之混合氣體複數系統供給體系252、254及基板處理裝置302、304相同，因而省略其說明。 ［第7實施形態］
圖11係本發明之第7實施形態之混合氣體複數系統供給體系255及基板處理裝置305之一例之圖。在第7實施形態之混合氣體複數系統供給體系255及基板處理裝置305中，噴射器130f為1支，此點與第5及第6實施形態之基板處理裝置304共通，然而，氣體導入埠1130a僅有1支而設置於容器本體12之外周，此點與第5及第6實施形態之基板處理裝置304相異。
在此情形，混合氣體係從單一位置之氣體導入埠1130a而被供給，噴射器130f係從容器本體12之外周壁被導入處理容器1內，與旋轉台2平行的從外周側朝中心側呈水平延伸而構成。
圖12係噴射器130f之一例之截面構成圖。如圖12所示，噴射器130f之分隔壁121d、122d，除了有垂直存在於噴射器130f之長邊方向而沿著長邊方向將各腔室131f～133f予以分割之部分1210、1220，亦有延著長邊方向之具有三重管等同心管的構造，且沿著噴射器130f之徑向而將各腔室131f～133f予以分割之部分1211、1221。伴隨於此，各腔室131f～133f之氣體導入口141a～143a，在噴射器130f之長邊方向移動，而設置在長邊方向之相異位置。具體而言，最右側（前端側）之腔室133f之氣體導入口143a朝最右側移動，第2個腔室132f之氣體導入口142a位在正中央之稍偏於左側（入口側），入口側之腔室131f之氣體導入口141a與噴射器130f之整體之氣體導入口相同，位在最近於入口側位置。
如所示，亦可使用具有同心管狀之部分1211、1221之分隔壁121d、122d，將噴射器130f之內部構成為三重管。在此情形，與其他之噴嘴32、41、42相同的，可從容器本體12之外周壁將混合氣體導入。
至於其他的構成要素，因為與第4至第6實施形態之混合氣體複數系統供給體系253～255及基板處理裝置303～305相同，因而省略其說明。 ［第8實施形態］
圖13係第8實施形態之基板處理裝置之噴射器130g之一例之圖。第8實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置，與圖11之第7實施形態之混合氣體複數系統供給體系255及基板處理裝置305具有相同的平面構成，其中僅有噴射器130g的構造相異。
第8實施形態之基板處理裝置之噴射器130g，如圖13所示，係在分隔壁121e、122e形成限流孔111c、112c，且腔室131a～133a可以連通，此點與第7實施形態之基板處理裝置305之噴射器130f相異。
如所示，亦可在分隔壁121e、122e的一部分設置限流孔111c、112c，使各腔室131g～133g以可連通之方式而構成。藉由相關構成，相較於設置3支個別獨立之噴射器131c～133c，能在省空間及低成本的情況下構成噴射器130g，並且，亦能使得從氣體吐出孔151～153之氣體吐出量呈現平滑的分布，能進行更高精度之流量控制。再者，只要其構成可供連通各腔室131g～133g彼此，則可將限流孔111c、112c之位置或尺寸按照各種用途而進行各種調整。
再者，有關其他之構成要素，與第4至第7實施形態之基板處理裝置303～305相同，因而省略其說明。 ［第9實施形態］
圖14係本發明之第9實施形態之基板處理裝置之一例之圖。圖9之實施形態之混合氣體複數系統供給體系256及基板處理裝置306，係將混合氣體產生部200及分流器210運用於縱型熱處理裝置之示例。
圖14係本發明之第9實施形態之基板處理裝置306之一例之整體構成圖。如圖所示，基板處理裝置306具有可供收置複數片晶圓W之處理容器422。該處理容器422的構成中包含，具備天井而呈現圓筒體形狀之縱長之內管424，以及具備天井而呈現圓筒體形狀之縱長之外管426。外管426係被配置成，在內管424之外周與外管426之內周之間以隔有既定間隔之方式而圍繞著內管424。又，在內管424與外管426均由例如石英所構成。
在外管426的下端部中，透過0型環等密封構件430而氣密的連接於圓筒體形狀之集流腔428（例如為不鏽鋼製），藉由該集流腔428而使外管426的下端部受到支撐。集流腔428係由未圖示之基座所支撐。又，在集流腔428的內壁中，設有環形形狀之支持台432，藉由該支持台432而使內管424之下端部受到支撐。
在處理容器422之內管424內，收置著作為晶圓保持部用途之晶舟434。在晶舟434中，係以既定之間距而保持著複數個晶圓W。本實施形態中，係以大致相等之間距，藉由晶舟434以多段方式而保持著直徑為300mm之50～100片（例如）左右之晶圓W。晶舟434可供昇降，可通過集流腔428之下部開口，從處理容器422的下方被收置至內管424內，以及從內管424被取出。晶舟434例如由石英所製作。
又，當晶舟434被收置時，位在處理容器422之下端之集流腔428的下部開口，係由例如石英或不鏽鋼板所構成之蓋部436所密閉。在處理容器422的下端部與蓋部436之間，介有例如O型環等密封構件438，以供維持氣密性。晶舟434係透過石英製之保溫筒440而被載置於載台442上，該載台442，係被貫通蓋部436之旋轉軸444的上端部所支撐（蓋部436係用以開閉集流腔428之下端開口）。
旋轉軸444與蓋部436中由旋轉軸444所貫通的孔之間，設有例如磁性之流體密封構件446，藉此而能使旋轉軸444在受到氣密包封之情況下，以可旋轉之方式而被支撐，旋轉軸444係被安裝於由晶舟升降機之類的昇降機構448所支撐之臂部450的前端，而能將晶舟434及蓋部436等一體性的進行昇降。再者，亦可將載台442以固定於蓋部436側之方式而設置，在不使晶舟434旋轉之情況下，對於晶圓W進行成膜處理。
又，在處理容器422的側部，以圍繞著處理容器422之方式而設有例如由碳鋼線製之加熱器所構成之加熱部（未圖示），藉此，可對於位在其內側之處理容器422及其中之晶圓W進行加熱。
又，在基板處理裝置306中，設有：用來供給混合氣體之混合氣體產生部200、用來供給反應氣體之反應氣體供給源456、及用來供給非活性氣體以作為潔淨氣體用途之潔淨氣體供給源458。
混合氣體產生部200係連接至例如有3種類之相異的氣體供給源，透過設有流量控制器171～173及開閉閥191～193之個別配管181～183（參照圖1～圖3）及分岐配管221～223而連接於噴射器130d。噴射器130d係以氣密方式貫通集流腔428，而在處理容器422內彎曲成L字形狀而延伸於內管424內之高度方向之全域。在噴射器130d中，係以既定之間距而形成多數個氣體吐出孔151～153，而能從橫向將原料氣體供給至被晶舟434所支撐之晶圓W。噴射器130d例如可由石英來製作。
反應氣體供給源456係貯存著例如氨氣（NH3 ），透過設有流量控制器及開閉閥（未圖示）之配管，而連接至氣體噴嘴464。氣體噴嘴464係以氣密方式貫通集流腔428，在處理容器422內彎曲成L字形狀而延伸於內管424內之高度方向之全域。在氣體噴嘴464中，係以既定之間距而形成有多數個氣體噴射孔464A，而能從橫向將反應氣體供給至被晶舟434所支撐之晶圓W。氣體噴嘴464例如可由石英而製作。
潔淨氣體供給源458係貯存著潔淨用氣體，透過設有流量控制器及開閉閥（未圖示）之配管而連接至氣體噴嘴468。氣體噴嘴468係以氣密方式貫通集流腔428，在處理容器422內彎曲成L字形狀而延伸於內管424內之高度方向之全域。在氣體噴嘴468中，係以既定之間距而形成多數個氣體噴射孔468A，而能從橫向將潔淨氣體供給至被晶舟434所支撐之晶圓W。氣體噴嘴468例如可由石英所製作。又，可使用例如Ar、He等稀有氣體或氮氣等之非活性氣體，以作為潔淨氣體。
再者，噴射器130d及各氣體噴嘴464、468，係以集中於內管422內的一側之方式而設置（在圖示例之中，因空間的關係，係將氣體噴嘴468記載成位在其他之噴射器130d及氣體噴嘴464的反向側），在與該噴射器130d及各氣體噴嘴464、468成為對向之內管424的側壁，係沿著上下方向而形成複數個氣體流通孔472。因之，從噴射器130d、及氣體噴嘴464、468所供給之氣體，通過晶圓間而流通於水平方向，通過氣體流通孔472而被引導至內管424與外管426之間的間隙474。
又，在集流腔428之上部側，形成有連通至內管424與外管426之間之間隙474之排氣口476，在該排氣口476中，設有用以進行處理容器422之排氣之排氣系統478。
排氣系統478具有連接至排氣口476之配管480，在配管480的途中，依序設有壓力調整閥480B，其閥體之開度為可調整式且能藉由改變該閥體開度而調整處理容器422內之壓力，且設有真空泵484。藉此，可邊進行處理容器422內之氣體環境的壓力調整，邊排氣至既定之壓力為止。
圖15係構成為噴射器130h之一例之截面圖。如圖15所示，縱長之噴射器130h，內部係藉分隔壁121f、122f而被分割為3個腔室131h～133h。分隔壁121f、122f並未形成限流孔，各腔室131h～133h係完全的分離。分隔壁121f、122f的構成中包含，與噴射器130h之長邊方向成為垂直之部分1212、1222，以及與長邊方向平行的部分1213、1223；與長邊方向平行之部分1213、1223，係延伸於同心狀而整體構成為三重管。
各腔室131h～133h之氣體導入口141b～143b的位置，與圖12所示之噴射器130f相同，係從鉛直方向之低位置開始，依據氣體導入口141b、142b、143b的順序，沿著噴射器130h之長邊方向（鉛直方向）而配置。
氣體吐出孔151～153係沿著鉛直方向而排列，除了朝向於位於內側之晶圓W之外，其他各點則與至目前為止之構成相同。
如所示，在縱型之熱處理裝置中，同樣是使用本實施形態之混合氣體複數系統供給體系256，在高度方向將氣化原料之流量比以高精度進行調整，而能提高所積層之晶圓W之面內均勻性。 ［第10實施形態］
圖16係本發明之第10實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器130i之一例之圖。第10實施形態之基板處理裝置，與圖14所示之第9實施形態之混合氣體複數系統供給體系256及基板處理裝置306具有同樣之整體構成，然而，僅有噴射器130i的構造相異。
第10實施形態之基板處理裝置之噴射器130i，如圖16所示，係在分隔壁121g、122g的一部分形成限流孔111d、112d，且腔室131i～133i係以可連通之方式而構成，此點與第9實施形態之混合氣體複數系統供給體系256及基板處理裝置306之噴射器130h相異。再者，分隔壁121g、122g的構成中包含，與噴射器130i之長邊方向成為垂直的部分1212a、1222a，以及與長邊方向平行的部分1213a、1223a；與長邊方向平行之部分1213a、1223a，係延伸為同心狀而整體構成為三重管。又，在與噴射器130i之長邊方向成為垂直之部分1212a、1222a，形成限流孔111d、112d。
如所示，亦可在分隔壁121g、122g的一部分各自設置限流孔111d、112d，以可連通各腔室131i～133i之方式而構成。藉由相關構成，相較於設置3支個別獨立之噴射器131c～133c，能在省空間及低成本的情況下構成噴射器130i，並且，亦能使得從氣體吐出孔151～153之吐出量呈現平滑的分布，能進行更高精度之流量控制。再者，只要其構成可供連通各腔室131i～133i彼此，則可將限流孔111d、112d之位置或尺寸按照各種用途而進行各種調整。
再者，至於其他之構成要素，因為與第9實施形態之混合氣體複數系統供給體系256及基板處理裝置306相同，因而省略其說明。 ［第11實施形態］
圖17係本發明之第11實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器131j～133j之一例之圖。第11實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置，與圖14所示之第9實施形態之基板處理裝置306具有類似之整體構成，然而，如圖17所示，其與第9及第10實施形態之混合氣體複數系統供給體系256及基板處理裝置306之相異點在於，其係將用以供給氣化原料之噴射器131j～133j增加為複數支，且，設有氣體吐出孔151～153，以供各噴射器131j～133j在處理容器422之高度方向可將氣化原料供給至相異之區域。
從分流器210所分岐之分岐配管221～223，係以1對1之方式，連接至各噴射器131j～133j之氣體導入口141c～143c，各噴射器131j～133j，能以個別設定之流量將氣化原料供給至處理容器422內。第11實施形態之基板處理裝置，可謂為將第1實施形態之基板處理裝置300運用於縱型熱處理裝置者。
如所示，其構成方式，亦可使用完全獨立之複數個噴射器131j～133j，對處理容器422內之複數個區域以個別設定之流量而供給混合氣體。
如以上所述，本發明之實施形態之混合氣體複數系統供給體系，係使用可供給至處理容器內之複數區域之各種噴射器，藉此而可構成各種形態之基板處理裝置，即使是簡單之構成方式，亦可對於各個區域進行高精度之流量控制，而能進行高精度之基板處理。
再者，在第1至第11實施形態中，係以成膜處理作為說明例，然而，本發明之實施形態之基板處理裝置，只要是使用蝕刻氣體等氣化原料之基板處理裝置，則可運用於各種基板處理裝置。又，噴射器之構成亦不侷限於實施形態之例，可採用各種形態之噴射器。
根據本發明，可減少氣體供給用之配管數，可達成裝置之小型化。
以上，雖已詳述本發明之較佳實施形態，但本發明並不侷限於上述實施形態，在不脫離本發明範圍之情況下，可對於上述實施形態進行各種變形及增加置換。
1‧‧‧處理容器
2‧‧‧旋轉台
4‧‧‧凸狀部
5‧‧‧突出部
7‧‧‧加熱單元
10‧‧‧搬送臂
11‧‧‧天板
12‧‧‧容器本體
12a‧‧‧突出部
13‧‧‧密封構件
14‧‧‧處理容器的底部
15‧‧‧搬送口
20‧‧‧殼體
21‧‧‧核心部
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧驅動部
24‧‧‧凹部
32‧‧‧反應氣體噴嘴
32a、41a、42a‧‧‧氣體導入埠
33‧‧‧氣體吐出孔
41、42‧‧‧分離氣體噴嘴
42h‧‧‧氣體吐出孔
43‧‧‧溝部
44‧‧‧天井面（第1天井面）
45‧‧‧天井面（第2天井面）
51‧‧‧分離氣體供給管
52‧‧‧空間（天板與核心部之間）
71‧‧‧外罩構件
72‧‧‧潔淨氣體供給管
73‧‧‧潔淨氣體供給管
100‧‧‧控制部
101‧‧‧記憶部
111、111b、111c、111d、112、112b、112c、112d‧‧‧限流孔
121、121a、121b、121c、121d、121e、121f、121g、122、122a、122b、122c、122d、122e、122f、122g‧‧‧分隔壁
130、130d、130e、130f、130g、130h、130i、131～133、131c～133c、131j～133j‧‧‧噴射器
131a～133a、131d～133d、131e～133e、131f～133f、131h～133h‧‧‧腔室
141～143、141a～143a‧‧‧氣體導入口
151～153‧‧‧氣體吐出孔
161～163‧‧‧氣體供給源
171～173‧‧‧流量控制器
181～183‧‧‧個別配管
190‧‧‧混合配管
191～193‧‧‧開閉閥
200‧‧‧混合氣體產生部
210‧‧‧分流器
221～223‧‧‧分岐配管
250、250、251、252、254、255、256‧‧‧混合氣體複數系統供給體系
300、301、302、303、304、305、306‧‧‧基板處理裝置
422‧‧‧處理容器
424‧‧‧內管
426‧‧‧外管
428‧‧‧集流腔
430‧‧‧密封構件
432‧‧‧支持台
434‧‧‧晶舟
436‧‧‧蓋部
438‧‧‧密封構件
440‧‧‧保溫筒
442‧‧‧載台
444‧‧‧旋轉軸
446‧‧‧流體密封構件
448‧‧‧昇降機構
450‧‧‧臂部
456‧‧‧反應氣體供給源
458‧‧‧潔淨氣體供給源
464‧‧‧氣體噴嘴
464A‧‧‧氣體噴射孔
468‧‧‧氣體噴嘴
472‧‧‧氣體流通孔
474‧‧‧間隙（內管與外管之間）
476‧‧‧排氣口
478‧‧‧排氣系統
480‧‧‧配管
480B‧‧‧壓力調整閥
481、482‧‧‧空間（天井面之空間）
484‧‧‧真空泵
610‧‧‧第1排氣口
620‧‧‧第2排氣口
630‧‧‧排氣管
640‧‧‧真空泵
650‧‧‧壓力調整器
1130a‧‧‧氣體導入埠
1210、1220、1211、1221、1212、1222、1213、1223、1212a、1222a、1213a、1223a‧‧‧腔室分割部分
W‧‧‧晶圓
H‧‧‧分離空間
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
所附之圖面，係作為本說明書的一部分而用以說明本發明之實施形態，除了上述之一般說明，以及後述之實施形態之詳細內容，亦將說明本發明之概念。
圖1係本發明之第1實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。
圖2係本發明之第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。
圖3係本發明之第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。
圖4係用以說明第2實施形態及第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之吐出量分布之相異點。圖4（a）所示，係第2實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器所吐出之混合氣體的吐出量分布圖。圖4（b）所示，係第3實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器所吐出之混合氣體的吐出量分布圖。
圖5係本發明之第4實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。
圖6係本發明之第4實施形態中，從基板處理裝置之噴射器至反應氣體噴嘴為止之沿著旋轉台2之同心圓之處理容器的截面圖。
圖7係沿著圖5之I-I'線之截面圖，表示設有天井面之區域之截面圖。
圖8係本發明之第5實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。
圖9係本發明之第5實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器之一例之截面圖。
圖10係本發明之第6實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器之一例之圖。
圖11係本發明之第7實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之一例之圖。
圖12係本發明之第7實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器之一例之截面構成圖。
圖13係本發明之第8實施形態之基板處理裝置之噴射器之一例之圖。
圖14係本發明之第9實施形態之基板處理裝置之一例之圖。
圖15係本發明之第9實施形態之基板處理裝置之噴射器之一例之截面構成圖。
圖16係本發明之第10實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器之一例之圖。
圖17係本發明之第11實施形態之混合氣體複數系統供給體系及基板處理裝置之噴射器之一例之圖。

Claims (11)

  1. 一種混合氣體複數系統供給體系，其具備：分流器，其係連接於共通之混合氣體供給路徑，能將混合氣體分岐成複數個供給系統，且能調整該複數個供給系統之流量比率；及噴射器，係在處理容器內之複數個區域各自具有氣體導入口與氣體吐出孔，可將該混合氣體供給至該複數個區域的每一者；該分流器之該複數個供給系統之每一者，係以1對1之方式，連接於該處理容器內之該複數個區域的每一者之該氣體導入口；1支之該噴射器之內部，係由至少1個以上之分隔壁分隔成複數個腔室；在該分隔壁設有連通口，該複數個腔室彼此係以可互相連通。
  2. 如申請專利範圍第1項之混合氣體複數系統供給體系，其中，在該混合氣體供給路徑的上游側，以對於1種氣體各設置1個之方式，設有複數個供給路徑及流量控制器，用以將構成該混合氣體之複數種之氣體，以各自之既定流量供給至該混合氣體供給路徑。
  3. 如申請專利範圍第1項之混合氣體複數系統供給體系，其中，該氣體吐出孔，係在該複數個區域的每一者各設置有複數個。
  4. 如申請專利範圍第1項之混合氣體複數系統供給體系，其中，複數個該氣體吐出孔，係在該複數個區域的每一者能調整孔徑、數目、及位置中之至少一項。
  5. 如申請專利範圍第1項之混合氣體複數系統供給體系，其在，該複數個區域中，各自設有個別獨立之該噴射器。
  6. 如申請專利範圍第5項之混合氣體複數系統供給體系，其中，該噴射器彼此在該混合氣體之供給係互不重疊。
  7. 如申請專利範圍第5項之混合氣體複數系統供給體系，其中，鄰接之該噴射器彼此，包含一部分該混合氣體之供給呈現彼此重疊之區域。
  8. 如申請專利範圍第1項之混合氣體複數系統供給體系，其中，設有複數個該分隔壁及該連通口，在複數個該連通口之中，包含位置及尺寸中之至少一者與其他相異之該連通口。
  9. 一種基板處理裝置，其具備：如申請專利範圍第1項之混合氣體複數系統供給體系；該處理容器；及在該處理容器內用以保持基板之基板保持手段。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該處理容器，具有橫寬大於高度之圓筒形狀；該基板保持手段，係其頂面可供保持該基板之旋轉台；該噴射器，係在該旋轉台之上方沿半徑方向配置；在該旋轉台之周向，更具有離開該噴射器而設置之氣體噴嘴。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該處理容器呈現縱長之圓筒形狀；該基板保持手段係為晶舟，其可將複數個該基板以俯視時呈重疊、且在鉛直方向彼此分隔的多段方式載置；該噴射器係沿著該處理容器之內壁面延伸於鉛直方向而配置；其更具有加熱手段，以圍繞該處理容器之外周側面之方式配置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP6608332B2 (ja) * 2016-05-23 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6388695B1 (ja) * 2017-08-10 2018-09-12 オリジン電気株式会社 コイルばねを備えたスプリングクラッチの構造
CN109321898A (zh) * 2018-11-16 2019-02-12 上海华力微电子有限公司 一种提高成膜稳定性的系统
US20220235466A1 (en) * 2019-06-06 2022-07-28 Picosun Oy Porous inlet
JP7340170B2 (ja) * 2019-06-25 2023-09-07 東京エレクトロン株式会社 ガス導入構造、熱処理装置及びガス供給方法
JP7037526B2 (ja) * 2019-09-10 2022-03-16 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7486388B2 (ja) 2020-09-17 2024-05-17 東京エレクトロン株式会社 ガス導入構造及び処理装置
JP2023083853A (ja) * 2021-12-06 2023-06-16 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200737314A (en) * 2006-02-08 2007-10-01 Tokyo Electron Ltd Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001288225A1 (en) * 2000-07-24 2002-02-05 The University Of Maryland College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
JP5192214B2 (ja) * 2007-11-02 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法
JP2010153467A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5462885B2 (ja) * 2009-12-18 2014-04-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2013093514A (ja) 2011-10-27 2013-05-16 Sharp Corp 気相成長装置
KR102014877B1 (ko) * 2012-05-30 2019-08-27 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101541154B1 (ko) * 2012-12-13 2015-08-03 엘아이지인베니아 주식회사 원자층 증착장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200737314A (en) * 2006-02-08 2007-10-01 Tokyo Electron Ltd Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method

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