TWI676598B - 多反應器合成具有受控粒子尺寸之沸石晶體之方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於用於製備具有多峰粒子尺寸分佈且其尺寸在0.02 µm與20 µm之間的沸石晶體的方法，該方法包含向至少兩個反應器各自進料能夠形成沸石晶體之合成凝膠，在該至少兩個反應器中之每一者中並行地實施結晶反應，以及在開始該等結晶反應中之至少一者之後，混合該至少兩個反應器之反應介質。

Description

多反應器合成具有受控粒子尺寸之沸石晶體之方法

本發明係關於沸石領域，更精確地工業合成沸石晶體領域，且更特定言之，工業合成具有受控粒子尺寸之沸石晶體領域。

沸石晶體之合成(或在本文之其餘部分中更簡單地稱作「沸石合成」)通常在工業中在大型攪拌「分批」反應器中，一般在藉由注入氣流及/或藉由加熱套來加熱合成凝膠及/或反應介質下實施。合成凝膠之製備在於使鋁酸鈉溶液與矽酸鈉溶液混合，該混合有可能在結晶反應器上游之設備中或直接在結晶反應器中實施。 隨後，取決於所要沸石結構之類型，常常必需進行低溫成熟階段，通常在低於40℃之溫度下持續更長或更短時間，通常自幾十分鐘變化至幾十小時。此成熟階段使得有可能形成晶種，該等晶種在高溫下實施結晶階段之後藉由其生長將得到沸石晶體。 然而，將晶種添加到合成凝膠(種晶過程)使得有可能排除此低溫成熟階段。在此等條件之下，因此有可能藉由調節引入合成凝膠中之晶種量來控制晶體之平均尺寸並且由此形成能夠形成沸石晶體至反應介質。 因此可能的或至少在理論上可能的係，獲得具有不同粒子尺寸之沸石晶體，例如自幾十或甚至幾百奈米改變至幾十微米，應理解，在適合於此合成之操作條件下之合成反應引起形成相對良好受控的大體上為單峰粒子尺寸之沸石晶體，其特徵在於更廣或更窄的粒子尺寸分佈。 然而，當今沸石之使用領域不斷改變並且不斷需要精密的技術，從而使得常常必需具有可供使用之具有單峰、雙峰或甚至多峰受控粒子尺寸之沸石，其半高全寬(FWHM)可經調節且控制。 實際上，可必需的係目前能夠提供具有受控粒子尺寸且更特定言之具有調變粒子尺寸之沸石晶體，以便例如取決於目標應用而提高緊密型、密度等。另外在此等應用中，常常需要替換所使用之沸石，且因此必需能夠用具有相同粒子尺寸特徵之新沸石替換此等所使用之沸石。 因此，採用多功能合成方法使得有可能獲得具有雙峰或多峰粒子尺寸分佈之經良好控制且經以上調變(亦即可隨時間重複)之沸石。 產生具有相對較窄單峰粒子尺寸分佈之沸石晶體的合成方法為已知的。然而，除了通常難以非常精確地重複若干相同的連續合成以實現相同粒子尺寸特徵的事實之外，此等技術通常不可能獲得多峰粒子尺寸分佈。 為獲得具有不同及定義明確尺寸的沸石晶體，可設想產生具有極佳地定義明確的單峰分佈之沸石晶體之實體混合物。沸石晶體混合物，亦即乾粉實體混合物實際上相當不符合要求；實際上很難獲得粒子尺寸在幾十奈米與幾十微米之間的均質晶體混合物。 因此，仍需要用於製備具有受控粒子尺寸、具有可調節粒子尺寸、具有單峰或多峰粒子尺寸分佈、具有可調節FWHM及具有粒子尺寸在幾十奈米與幾十微米之間的沸石晶體之方法。

本申請人現已發現，上文所描述之目標可充分的或至少部分的借助於下文所描述之形成本發明之第一主題之方法來實現。其他優勢及其他主題將呈現在以下之本發明說明書中。 本申請人現已發現，沸石晶體之可重複及均勻的(在整個生產中為穩定的)多峰粒子尺寸分佈可容易藉由在結晶結束時或在結晶期間使來自若干合成反應器之反應介質混合(其產生不同的晶體尺寸)且藉由調節所引入之反應介質之比例來獲得。 為了確保良好管理沸石晶體之粒子尺寸分佈之多峰性，本發明之方法包含： -在至少兩個不同的合成反應器中並行地產生具有不同粒子尺寸分佈之沸石晶體，隨後 -在結晶反應開始之後，亦即在結晶反應期間或在結晶結束時，使至少兩不同反應器中之反應介質(由此產生之沸石晶體懸浮液)以產生所要多峰粒子尺寸分佈之比例混合。因此，本發明首先係關於用於製備具有多峰粒子尺寸分佈且其尺寸在0.02 µm與20 µm之間的沸石晶體的方法，該方法包含至少以下步驟： a)藉由混合至少一種二氧化矽源、至少一種氧化鋁源及視情況但較佳地至少一種鹼金屬或鹼土金屬氫氧化物水溶液來製備合成凝膠，b)向至少兩個反應器各自進料能夠形成沸石晶體之合成凝膠， c)在至少兩個反應器中之每一者中並行地實施結晶反應，d)混合至少兩個反應器之反應介質，及 e)過濾在步驟d)中獲得之反應介質混合物，以自母液分離所產生之晶體。

合成凝膠可為熟悉此項技術者熟知的視待製備之沸石類型而定的任何類型之組合物且典型地包含至少一種二氧化矽源及至少一種氧化鋁源，及/或任何其他可構成沸石框架之元素源，例如磷源、鈦源、鋯源等。亦可能或甚至較佳的係添加至少一種鹼或鹼土金屬氫氧化物水溶液，較佳地鹼金屬氫氧化物水溶液，典型地氫氧化鈉水溶液及/或有機結構導向劑或模板。 二氧化矽源應理解為意謂熟習此項技術者所熟知之任何來源且特定言之矽酸鹽(尤其鹼或鹼土金屬矽酸鹽)溶液(較佳地水溶液)，例如矽酸鈉水溶液或膠態二氧化矽水溶液。 氧化鋁源應理解為意謂熟習此項技術者所熟知之任何氧化鋁源，且特定言之鋁酸鹽(尤其鹼或鹼土金屬鋁酸鹽)溶液(較佳地水溶液)，例如鋁酸鈉水溶液。 各種二氧化矽及氧化鋁溶液之濃度係根據二氧化矽源、氧化鋁源之性質來調適，根據熟悉此項技術者之知識，以與氧化鋁源及二氧化矽源之各別比例添加鹼或鹼土金屬氫氧化物溶液及/或一或多種有機結構導向劑。特定言之，將發現關於有機結構導向劑之化學性質的信息視情況根據國際沸石協會網站(the website of the International Zeolite Association) (www.iza-online.org)上合成之沸石，及例如非限制性的四甲銨(TMA)、四正丙基銨(TPA)、甲基三乙銨(MTEA)而使用。 各種二氧化矽及氧化鋁溶液之各別比例及濃度為熟習此項技術者所熟知，或可容易地由熟習此項技術者根據期望製備之沸石性質，根據文獻中之資料來調適。 來自步驟a)之合成凝膠如上文所描述藉由在基礎介質中混合二氧化矽及氧化鋁源來製備。此混合適宜在轉子-定子剪切混合器(亦即包含以高速旋轉並且使混合物穿過幾何形狀可改變之定子的轉子的剪切混合器)中實施。 剪應程度由在s^{- 1} 中之剪切率γ定義，其等於轉子之尖端速度除以轉子與定子之間的間隙厚度。尖端速度V_p 係由旋轉速度V_r 及轉子直徑d根據等式:V_p = V_r π d_r (以m.s^{- 1} 為單位表示)來計算，其中V_r 係以rev.s^{- 1} 為單位表示之旋轉速度，d_r 係轉子之直徑(以m為單位表示)且γ等於V_p /e，其中e表示轉子與定子之間的間隙距離(以m為單位表示)。 所施加之剪切率通常在10 000 S^{- 1} 與200 000 S^{- 1} 之間，較佳地在 10 000 S^{- 1} 與100 000 S^{- 1} 之間。 至少兩個反應器在步驟b)中藉由任何適合於轉移流體之方式，例如藉由重力流動、藉由虹吸或藉由泵抽來各自進料沸石晶體之合成凝膠。可根據熟習此項技術者已知之任何方式且較佳地借助於泵，視情況與流動調節器組合來獲得對在至少兩個反應器中之每一者之入口處的合成凝膠之流動率及/或在至少兩個反應器中之每一者之出口處的晶體產生的監測。 至少兩個反應器各自進料沸石晶體之合成凝膠。合成凝膠可相同或不同，換言之，其可由以熟悉此項技術者已知或熟悉此項技術者可根據文獻中之資料，根據期望製備之沸石性質而容易調適之不同相應比例及濃度引入之各種二氧化矽及氧化鋁溶液來製備。 本發明之方法之一個較佳實施例包含將一或多種種晶劑引入至合成反應器中之至少一者上游或內部的一或多種合成凝膠中或至少兩個合成反應器中的一或多種合成凝膠中。種晶劑經理解為表示呈液體形式或呈凝膠形式之溶液或懸浮液，促進朝向所要沸石合成定向的固體或液體。此類促進朝向所要沸石合成定向之固體及液體已為熟習此項技術者所熟知，且例如選自成核凝膠、沸石晶體、具有任何性質之礦物質等，以及其混合物。 根據一較佳態樣，種晶劑為成核凝膠，且更佳地，該成核凝膠包含二氧化矽源(例如矽酸鈉)、氧化鋁源(例如三水合氧化鋁)、視情況但有利的強礦物鹼(例如將提及但主要的及最常使用的為氫氧化鈉、氫氧化鉀或氫氧化鈣)及水之均質混合物。亦可視情況將一或多種結構導向劑，典型地有機結構-導向劑引入至成核凝膠中。 根據熟習此項技術者熟知之任何技術且較佳地使用有益於促進該混合物之均勻化之靜態混合器，可將種晶劑與合成凝膠混合。 所使用之反應器可為熟習此項技術者熟知且適合於設想合成類型之任何類型，例如用於分批模式合成之攪拌反應器及用於連續模式合成之管狀反應器。在本發明之方法中，通常存在2個或更多個相同或不同類型之反應器，較佳地2個、3個、4個或5個相同或不同類型之反應器，更佳地2個或3個相同或不同類型之反應器，更佳地2個相同或不同類型之反應器，典型地兩個相同類型之反應器。 此外較佳的以連續方式實施方法係，且在此情況下，將較佳地使用2個、3個或4個管狀反應器，更佳地2個或3個管狀反應器，典型地2個管狀反應器。 「攪拌反應器」經理解為裝備有攪拌系統，典型地裝備有一或多個安裝在同一轉軸上或在不同轉軸上之攪拌器(例如且不限制地裝備有一或多個葉片攪拌器、摻合器、或其他阿基米德螺旋式混合器)且視情況裝備有一或多個擋板或偏轉器系統的反應器。 「管狀反應器」經理解為具有長度比直徑(或等效直徑)比率大於3，較佳地大於10且更佳地大於50，且限定至少部分地經受攪拌方式構件之結晶反應區的反應器或反應器系統，無論此等攪拌構件為攪拌軸，諸如擋板、限制件、環或偏轉器之被動系統，或振盪或脈動系統(使得能夠藉由例如活塞、膜片之構件產生反應介質之來回移動)等，以及合併此等技術中之兩者或更多者。 在本發明之一較佳實施例中，管狀反應器具備有限製件且裝備有能夠賦予在反應器中循環之流體脈衝的系統，例如描述於NiTech之申請案US 2009/0304890中。 實施結晶反應之步驟c)係根據熟習此項技術者已知之法，亦即藉由自合成凝膠開始的成熟/結晶，或藉由在接種各種類型之晶種之後直接結晶來實施成熟。接種過程係較佳的，此係因為其能夠更好的控制所產生之晶體尺寸。 結晶反應在各反應器中並行地進行，且可同步及/或依序地及/或連續地，較佳同步地進行。 結晶反應通常在高溫下進行，亦即在60℃與200℃之間，較佳地80℃與160℃之間的溫度下進行。合成凝膠之結晶通常自發地發生在反應器中，且藉由添加到該合成凝膠中之一或多種種晶劑來促進。結晶亦藉由施加至合成凝膠之溫度，以及藉由如上文所解釋之在反應器內攪拌合成凝膠之任何靜態或動態方式來促進。 術語「促進」經理解為結晶及/或更大結晶動力學之較好啟動。 結晶反應可在壓力下，例如在自生壓力下、在大氣壓下或更通常在典型地在大氣壓與1.5 MPa之間的任一壓力下進行。 隨後並行操作之至少兩個反應器之反應介質係在結晶反應在至少兩個反應器中之一者中，較佳地在至少兩個反應器中開始的任何時刻混合，此混合呈能夠獲得所要多峰分佈的比例。 一旦結晶度大於5%，較佳地大於10%，更佳地大於30%且極佳地大於50%，就認為結晶反應已在反應器中開始，該結晶度係藉由對自該反應器抽取，接著在80℃下乾燥4小時之樣本的x射線繞射(XRD)來分析。 對於反應器(其較佳為管狀反應器)中之每一者，當合成以連續模式實施時，合成凝膠較佳地使用以連續方式操作之剪切混合器來連續地製備。隨後可藉由上文所描述之任何合適之構件並且以連續方式將一或多種種晶劑引入至合成凝膠中以便接種且調節在結晶之後將獲得之晶體尺寸。 出於獲得本身具有不同結構之沸石晶體的目的，亦可在種晶劑及/或具有不同性質之合成凝膠下操作。本發明之方法可特定地實施以便合成具有不同結構之沸石晶體。 若干反應器(至少兩個)以合適之流動率並行地操作，以便調節沸石晶體之各種尺寸類別的比例。在此等反應器中連續產生且含有沸石晶體之反應介質在結晶反應在至少兩反應器中的之一者中，較佳地在至少兩個反應器中開始時就連續混合，此混合呈能夠獲得所要多峰分佈的比例。 根據一較佳實施例，本發明之方法以連續模式進行。不同於分批模式，連續模式藉由控制各管狀反應器之流動速率來提供有助於調節多峰分佈之優勢。 本發明之方法的特徵在於並行地實施沸石晶體之至少兩種合成的事實，其反應介質在結晶反應在至少兩個反應器中之一者，較佳地在至少兩個反應器中開始時合併，此合併呈能夠獲得所要多峰分佈的比例。 反應介質之混合可根據熟習此項技術者熟知之任何方法進行，尤其適用之方法為能夠使得固態粒子懸浮於其中之水性介質有效且均質混合的彼等方法。在可使用之方法中，可提及作為非限制實例的使用靜態混合器，或任何其他類型之葉片混合器、螺旋槳式混合器、多漿混合器或其他連接至單管道之簡單管道系統(例如在兩個反應器情況下之「Y」管道)的彼等。亦可合併一或多個混合技術。 混合含有呈液體懸浮液形式之沸石晶體的反應介質的事實，使得有可能在過濾/洗滌及乾燥之後獲得沸石晶體之混合物，其在粒子尺寸分佈方面為均質的。在混合具有不同粒子尺寸之乾燥沸石晶體時，此所得物不可輕易地得到，亦即經濟地及具有良好的可重複性。具體而言，在此情況下，常常觀測到具有不同尺寸(因此具有不同個別質量)之沸石晶體之乾式混合所固有之隔離現象。 產生自結晶步驟c)之反應介質為不同的，此係由於其含有就大小而言、或就性質而言或就性質及大小而言不同之沸石晶體。然而，較佳的係使用本發明之方法用於合成單結晶形式但具有不同粒子尺寸分佈之沸石，從而獲得具有雙峰或多峰粒子尺寸分佈之沸石晶體。 熟習此項技術者容易理解藉由本發明之方法賦予之極大可撓性，能夠致使具有受控及調變粒子尺寸分佈之沸石晶體群產生。 舉例而言，可調節反應介質中之每一者之對應流動速率及/或對應量，以便調節進入混合步驟d)之反應介質中之每一者之比例，且因此在本發明之方法結束時，容易地控制沸石晶體混合物之期望粒子尺寸分佈。 因此，本發明之方法使得有可能獲得可藉由混合若干反應介質而調節並且調變的晶體之多峰尺寸分佈，該等反應介質中之每一者來源於合成，其參數施加了經良好測定並且調變之粒子尺寸。 借助於本發明之方法，現今有可能藉由精細調節沸石晶體之數目大小分佈而在工業上適宜地以連續方式製備沸石晶體。因此，有可能獲得簡單有效及經濟的沸石晶體工業產物其具有可調節並且可調變之多峰粒子尺寸分佈，亦即可重複及隨時間推移穩定的。 在一個較佳實施例中，本發明之方法為用於連續合成具有雙峰粒子尺寸分佈之沸石晶體混合物之方法，該方法在不同合成條件下在並行操作之兩個管狀反應器中實施以產生具有不同粒子尺寸之晶體，該兩個反應器之出口借助於Y-形導管接合在一起。 根據本發明之一較佳態樣，用於合成沸石晶體之反應係在如上所定義之一或多種種晶劑存在下實施。 在混合步驟d)結束時，過濾該反應介質之混合物以便在一方面分離所產生之晶體，且在另一方面分離母液。此過濾可根據熟習此項技術者熟知之任何方法及例如藉由選自離心、壓濾機過濾、帶式過濾機過濾、旋轉過濾器過濾等之一或多個方法來實施。 在步驟e)結束時得到之晶體可視情況經受一或多個熟習此項技術者所熟知之習知處理，諸如洗滌、陽離子交換、乾燥、浸漬、活化等，此等處理有可能以分批模式或連續地，適宜連續地實施。舉例而言，所得到之晶體可經受用水之一或多次洗滌，以除去可仍然存在之殘餘母液。 所得到之晶體亦可根據用於乾燥沸石晶體之習知技術，例如在40℃與150℃之間的溫度下乾燥可在幾分鐘與幾個小時之間，典型地在幾分鐘與10小時之間變化的持續時間。在低於40℃之溫度下的乾燥操作可證實為更長時間且因此在經濟上不合算，而高於150℃之乾燥溫度可導致仍然潮濕之沸石晶體之更大或更小的劣變。 在乾燥之後，沸石晶體亦可按原樣使用，但其亦在此處適宜根據熟習此項技術者熟知之習知活化技術，例如在150℃與800℃之間的溫度下來活化自幾分鐘至幾個小時及典型地自幾分鐘至10小時變化之持續時間。 產生自過濾步驟e)之母液可有利地再循環。此再循環優勢中之一者為由此能夠藉由將該等母液直接引入至至少兩個反應器中之一者之反應介質中或引入至矽酸鹽溶液中或另外引入至鋁酸鹽溶液(典型地係對應本方法在步驟a)中之二氧化矽及氧化鋁之源)，或另外引入至合成凝膠中來降低氫氧化鈉之消耗，而且能夠實現能量消耗之顯著降低。在再循環之前，母液可視情況已經受選自超過濾、再濃縮、蒸餾等的一或多個處理。 本發明之方法極適宜連續地，較佳完全連續地實施，亦即無呈分批模式之步驟。 因此，根據本發明之方法之一個實施例，各反應器將由種晶劑之品質及量測定之給定及適宜較窄的粒子尺寸級分傳遞至合成凝膠中。添加至本發明之方法中之種晶劑總量相對於合成凝膠表示在0.005重量%與10重量%之間，相對於在開始時引入至各反應器中之合成凝膠較佳在0.01重量%與5重量%之間且更佳在0.01重量%與3重量%之間。隨後，混合不同反應介質以獲得多峰尺寸分佈，其為在合成反應器中之每一者中產生之不同單峰級分之總和。 因此，本發明之方法能夠適宜地連續合成具有多峰粒子尺寸分佈之沸石晶體，此分佈呈均勻的及可重複的並且隨時間推移穩定的方式。 粒子尺寸分佈之測定在此處對應於沸石晶體之直徑之粒子數目-尺寸分佈。此測定係對藉由在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀測得到之影像進行。對此，在至少3000放大率下獲取影像集。該等影像上存在之全部晶體使用專用軟體，例如由LoGraMi發佈之Smile View軟體來量測，以量測至少300個晶體，隨後以直方圖形式繪製數目分佈，其中類別經調整以適合於晶體之粒子尺寸，例如每0.2 µm類別用於計數微米晶體或例如每0.02 µm類別用於計數具有幾十奈米之晶體。 「多峰粒子尺寸分佈」理解為多峰尺寸之分佈，亦即具有至少兩個「分離」波峰，換言之至少兩個「經解析」峰。在峰頂部處之直徑值被稱作「眾數」或「顯性值」，且表示最常見峰值。當分佈具有兩個分離(或經解析)峰時，分佈稱為雙峰。 多峰性之概念使用「標準」R定義，該標準被稱為表徵峰之分離或非疊加的「解析度因數」。 與高斯(Gaussian)相比，不同峰之特徵在於其眾數d及其半高全寬δ，由其有可能推導出峰基寬度ω = 1.7 δ。 2個鄰接峰A及B之解析度因數R使用以下等式常規地定義(參見例如：「Notions fondamentales de chromatographie」 Marie-Paule Bassez之[Fundamental chromatography concepts]：http://chemphys.u-strasbg.fr/mpb/teach/chromato1/img0.html)： R = 2 (dB - dA) / (ωB + ωA)， 其中dA及dB分別為峰A及B之眾數(以µm為單位)，且ωA及ωB分別為峰A及B之基寬(以µm為單位)。 一般情況下，當R值大於1.5時，認為兩個峰經解析，或另外完全分離。在本發明之上下文中，當解析度因數R大於0.5時，粒子尺寸分佈在峰性上不同。在本說明書中，由於至少兩個峰經解析，所以認為粒子尺寸分佈為多峰的。當粒子尺寸分佈僅包含兩個經解析峰時，則參考雙峰粒子尺寸分佈。 因此，本發明之方法能夠產生沸石，其晶體具有受控或甚至調變、雙峰或甚至多峰的粒子尺寸分佈，此生產有可能極易在工業上實施，由此能夠致使產生大量此類具有受控或甚至調變粒子尺寸之沸石，且生產成本比例如在根據現今已知之習知方法生產下所觀測之彼等低得多。 可根據本發明之方法製備之沸石可具有任何類型及例如但非限制地任何MFI型沸石(且特定言之矽酸鹽類)，任何MOR型、OFF型、MAZ型、CHA型及HEU型沸石，任何FAU型沸石(且特定言之沸石Y、沸石X、沸石MSX、沸石LSX)，任何EMT型沸石或其他任何LTA型沸石(亦即沸石A)，以及其他類沸石(諸如鈦矽酸鹽類(titanosilicalites))。 術語「沸石MSX」(中等二氧化矽X)意謂具有Si/Al原子比在約1.05與約1.15之間(包括界限值)之FAU型沸石。術語「沸石LSX」(低級二氧化矽X)意謂具有Si/Al原子比等於約1之FAU型沸石。 本發明之方法尤其適用於製備選自以下之沸石：MFI型(且特定言之矽酸鹽類)、FAU型(且特定言之沸石Y、沸石X、沸石MSX、沸石LSX)及LTA型沸石(亦即沸石A)，以及CHA型沸石及HEU型沸石。 此外，本發明之方法尤其適用於製備任何FAU型沸石，且特定言之沸石X、沸石MSX、沸石LSX。MFI型沸石(且特定言之矽酸鹽類)亦可根據本發明之方法極有利地製備。 此外，本發明之連續製備方法不限於製備上文所描述之沸石，而且包括具有階層式孔隙之相應沸石。具有階層式孔隙之沸石為包含鍵聯至中孔網之微孔隙網的固體，且由此使得有可能調整自先前技術已知的中空隙沸石之活性位點之可行性屬性及「習知」沸石(無中孔)之最大結晶性及最大微孔度的可行性屬性。在此狀況下，將特定結構導向劑引入至步驟a)之反應介質中，例如描述於文獻FR 1 357 762中之有機矽烷型之結構導向劑。 從而，本發明之合成方法能夠容易且經濟的工業合成沸石晶體，至少其雙峰粒子尺寸分佈為均勻的、受控的或甚至調變的。此外，已觀測到本發明之方法在以連續模式實施時隨時間推移為穩定的。此等沸石晶體在許多應用領域中找到了非常令人感興趣的用途。 具體而言，因本發明方法之緣故，現有可能更容易以調變及均勻方式獲得具有多峰分佈的沸石晶體，不同於獲得具有不同粒子尺寸之晶體混合物。 借助於本發明之方法獲得之沸石晶體之多峰粒子尺寸分佈使得有可能獲得具有尤其較高，且特定言之與具有單峰粒子尺寸分佈之晶體相比較高的容積密度。具體而言，可認為小晶體佔據了大晶體之間的空間。 使用本發明之方法獲得之沸石晶體的此較高容積密度使得有可能獲得極顯著的吸收效能，尤其就吸收容量方面而言。 因此，使用本發明之方法獲得之沸石晶體在氣體及液體之吸收、分離及純化領域中找到了非常令人感興趣之應用。作為非限制實力，根據本發明之方法獲得之沸石晶體可在基於聚合物之複合材料中有利地用作吸附劑填充劑，用作用於吸收分離或純化過程(諸如變壓及/或變溫過程)中或另外用於層析型分離過程(固定床、移動床、模擬移動床)中、用於各種應用(工業氣體之純化、氮氣及氧氣之分離、天然氣或合成氣之純化，或其他不同石油化學餾份之純化、精煉中異構體之分離等)中之聚結沸石吸附劑的組分。 合成沸石之結晶度以及純度皆藉由x射線繞射分析(一種熟習此項技術者已知之技術，縮略詞XRD)來評估。此識別例如在Bruker XRD設備上進行。 此分析不僅有可能測定存在的結晶相量，而且可能識別且定量可能存在的不同沸石，該等沸石中之每一者具有由繞射峰之定位及其相對強度定義之獨特繞射圖。非結晶相並不能藉由x射線繞射分析來偵測。 此分析亦用於測定反應介質之結晶度以便評估結晶反應是否已開始。在此狀況下，抽取反應介質之樣本，在80℃下乾燥4小時，隨後藉由XRD分析。 研磨沸石晶體(或經乾燥樣本)，且接著藉由簡單的機械壓縮將其散佈並平鋪在樣本固持器上。在Bruker D5000機器上採集繞射圖的條件如下： · 在40 kV - 30 mA下使用Cu管； · 狹縫尺寸(發散、散射及分析狹縫) = 0.6 mm； · 過濾器：Ni； · 樣本裝置在15 rpm下旋轉； · 量測範圍：3° ＜ 2θ ＜ 50°； · 增量：0.02°； · 計數時間/增量：2秒。 在使用ICDD PDF-2版本2011資料庫識別沸石之情況下，用EVA軟體進行所獲得之繞射圖的解釋。 按重量計之結晶量藉由XRD分析測定；此方法亦用於量測非結晶相的量。此分析在Bruker機器上進行，且隨後使用來自公司Bruker之TOPAS軟體評估沸石晶體之按重量計的量。 結晶性（或結晶度）對應於存在之結晶相的重量分數總和相對於樣本之總重量的比率。 純度表示為相對於樣本總重量的所要結晶相之重量百分比。

Claims (12)

1. 一種用於製備具有多峰粒子尺寸分佈且其尺寸在0.02μm與20μm之間的沸石晶體的方法，該方法包含至少以下步驟：a)藉由混合至少一種二氧化矽源及至少一種氧化鋁源來製備合成凝膠，b)向至少兩個反應器各自進料能夠形成沸石晶體之合成凝膠，c)在該至少兩個反應器中之每一者中並行地實施結晶反應，d)混合該至少兩個反應器之反應介質，及e)過濾在步驟d)中獲得之反應介質混合物，以便自母液分離所產生之晶體。
2. 如請求項1之方法，其中該至少兩個反應器各自進料沸石晶體之合成凝膠，該等合成凝膠可能為相同的或不同的。
3. 如請求項1或2之方法，其中一或多種種晶劑經引入至該等合成反應器中之至少一者上游或內部的該等合成凝膠中或該至少兩個合成反應器中的該等合成凝膠中。
4. 如請求項3之方法，其中該種晶劑係選自成核凝膠、沸石晶體、具有任何性質之礦物質粒子等，以及其混合物。
5. 如請求項1或2之方法，其中所使用之反應器為以分批模式合成之攪拌反應器及以連續模式合成之管狀反應器。
6. 如請求項1或2之方法，其中存在具有相同或不同類型之2個或更多個反應器。
7. 如請求項1或2之方法，其在2個、3個或4個管狀反應器中連續實施。
8. 如請求項1或2之方法，其中該結晶反應係在60℃與200℃之間的溫度下實施。
9. 如請求項1或2之方法，其中該結晶反應係在大氣壓與1.5MPa之間的壓力下實施。
10. 如請求項1或2之方法，其中並行操作之該至少兩個反應器之該反應介質在該結晶反應在該至少兩個反應器中之一者中開始的任何時刻混合。
11. 如請求項1或2之方法，其中回收來自過濾步驟e)之母液。
12. 如請求項1或2之方法，其中該等沸石晶體為選自以下之沸石的晶體：MFI類型沸石、MOR類型沸石、OFF類型沸石、MAZ類型沸石、CHA類型沸石、HEU類型沸石、FAU類型沸石、EMT類型沸石、LTA類型沸石及其他沸石類型。