TWI673548B - 液晶配向處理劑及使用其之液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

一種含有下述(A)成份及(B)成份之液晶配向處理劑。
(A)成份：含有由具有具氮原子的結構之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物。
(B)成份：含有由具有脲結構或硫脲結構的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物。
但，(A)成份及(B)成份之聚合物之至少一者，為含有特定之側鏈結構。

Description

液晶配向處理劑及使用其之液晶顯示元件
本發明為有關，液晶顯示元件的製造中所使用的液晶配向處理劑、由此液晶配向處理劑所得之液晶配向膜及使用此液晶配向膜所得之液晶顯示元件。
液晶顯示元件，於被作為可實現薄型‧輕量之顯示裝置，而目前被廣泛地使用。通常，此液晶顯示元件中，多使用可決定液晶配向狀態之液晶配向膜。
液晶配向膜所尋求之特性之一為，對於基板面之液晶分子的配向傾斜角可保持於任意之值，即所謂對液晶的預傾角之控制。已知此預傾角之大小，可經由所選擇之構成液晶配向膜的聚醯亞胺之結構予以變更。於使用聚醯亞胺之結構控制預傾角的技術之中，又以使用具有側鏈之二胺作為聚醯亞胺原料中之一部份的方法，就可以此二胺的使用比例控制預傾角，而可更容易得到所需要之目的預傾角之觀點，而極適合作為擴大預傾角之手段(例如專利文獻1)。又，同時也有對於可增大液晶之預傾角的二胺成份，就改善預傾角之安定性或製程之依賴性等目的， 而對結構進行研究。而其中所使用之側鏈結構，即有提出使用含有苯基或環己基等環結構之提案(例如專利文獻2)。
又，伴隨液晶顯示元件之高精密化，就抑制液晶顯示元件對比之劣化或降低殘影現象等觀點，所使用之液晶配向膜中，就維持高電壓保持率，或於施加直流電壓之際如何降低蓄積電荷，或如何快速減緩經由直流電壓所蓄積之電荷等特性，將變得更為重要。
聚醯亞胺系之液晶配向膜中，可縮短因直流電壓所產生之殘影至消失為止的時間者，已知例如使用，除聚醯胺酸或含有醯亞胺基的聚醯胺酸以外，尚含有特定結構之三級胺的液晶配向處理劑者(例如專利文獻3)，或使用具有吡啶骨架等之特定二胺作為原料之含可溶性聚醯亞胺的液晶配向處理劑者(例如專利文獻4)等。又，具有高電壓保持率，且可縮短因直流電壓所產生之殘影至消失為止的時間者，已知例如，使用除聚醯胺酸或其醯亞胺化聚合物等以外，尚含有極少量的由分子內含有1個羧酸基的化合物、分子內含有1個羧酸酐基的化合物及分子內含有1個三級胺基的化合物所選出之化合物的液晶配向處理劑者(例如專利文獻5)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開平2-282726號公報
[專利文獻2]特開平9-278724號公報
[專利文獻3]特開平9-316200號公報
[專利文獻4]特開平10-104633號公報
[專利文獻5]特開平8-76128號公報
液晶配向膜，亦被使用於控制相對於基板之液晶的角度，即使用於對液晶之預傾角進行控制之際。特別是VA(Vertical Alignment)模式或PSA(Polymer Sustained Alignment)模式等，必須使液晶形成垂直配向時，於液晶配向膜中，則尋求可使液晶進行垂直配向之能力(亦稱為垂直配向性或高預傾角)。此外，液晶配向膜中，不僅僅高垂直配向性，對於其之安定性亦為極重要者。特別是，為得到高亮度之目的，而增大發熱量，使用光線照射量極多之背光源的液晶顯示元件，例如，汽車導航系統或大型電視中，多為長時間暴露於高溫及光線照射環境下使用，或放置之情形。於該嚴苛條件之中，若垂直配向性降低時，也會引起無法得到初期之顯示特性，或產生顯示斑紋等問題。
此外，有關液晶顯示元件之電氣特性之一的電壓保持率，亦尋求於上述嚴苛條件下之高度安定性。即，電壓保持率若受到背光源產生之光照射而降低時，將容易產生液晶顯示元件顯示不良的狀況之一的殘影缺陷 (亦稱為線性殘影)，而無法製得具有高信賴性的液晶顯示元件。因此，液晶配向膜，除尋求一種初期特性需為良好以外，例如，長時間暴露於光線照射之後，電壓保持率也不容易降低之特性。此外，對於另一個殘影缺陷之介面熔融現象，也需求一種即使受到背光源產生光照射，也可快速減緩因直流電壓而蓄積之殘留電荷的液晶配向膜。
因此，本發明為，以提供兼備上述特性的液晶配向處理劑為目的。即，本發明之目的為，提供一種即使暴露於長時間高溫及光照射之後，也具有安定的預傾角之液晶配向膜為目的。此外，並以提供一種即使長時間暴露於光線照射之後，也可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩直流電壓所蓄積之殘留電荷的液晶配向膜為目的。
此外，並提供一種可以提供具有上述液晶配向膜的液晶顯示元件、可提供上述液晶配向膜的液晶配向處理劑。
此外，本發明亦以提供對應於上述要求的具備液晶配向膜之液晶顯示元件為目的。
本發明者們，進行深入研究結果，發現具有具特定結構的2個聚合物之液晶配向處理劑，就達成上述目的之觀點極為有效，進而完成本發明。
即，本發明為具有以下主要特徵者。
(1)一種含有下述(A)成份及(B)成份之液晶配向處理 劑。
(A)成份：含有由具有含氮原子之結構的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物。
(B)成份：含有由具有下述式〔2〕所示之結構的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物。
又，(A)成份及(B)成份之聚合物中之至少任一者，為含有下述式〔3〕所示之結構。
(式〔2〕中，Y1及Y7各自獨立表示單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基，Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基，Y4表示氧原子或硫原子)。
(式〔3〕中，B1表示單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-，B2表示單鍵或-(CH2)b-(b為1~15之整數)，B3表示單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-，B4表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，或具有膽固醇骨架之碳數17~51的2價之有機基，前述環狀基上的任意之氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代，B5表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，該些環狀基上的任意之氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代，n表示0~4之整數，B6表示碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基)。
(2)如上述(1)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述(B)成份中之具有氮原子的結構，為由下述式〔1a〕~式〔1c〕所示之結構所選出之至少1種的結構。
(式〔1a〕中，X1表示苯環或含氮芳香族雜環，X2表示被氫原子或碳數1~12的脂肪族基所取代之二取代胺基，式〔1b〕中，X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子，且具有1~2個苯環之芳香族基，X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基，m表示0或1之整數，式〔1c〕中，X8及X10各自獨立表示由下述式〔1c-a〕及式〔1c-b〕所示之結構所選出之至少1種的結構，X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環)。
(3)如上述(1)或上述(2)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份之聚合物為，使用下述式〔1-1〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物。
(式〔1-1〕中，XA表示具有由前述式〔1a〕~式〔 1c〕所示之結構所選出之至少1種的結構之有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(4)如上述(3)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物，為使用下述式〔1a-1〕~式〔1c-1〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物。
(式〔1a-1〕中，X1表示苯環或含氮芳香族雜環，X2表示被氫原子或碳數1~12的脂肪族基所取代之二取代胺基，式〔1b-1〕中，X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子，且具有1~2個苯環之芳香族基，X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基，m表示0或1之整數，式〔1c-1〕中，X8及X10各自獨立表示由前述式〔1c-a〕及式〔1c-b〕所示之結構所選出之至少1種的結構，X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環，式〔1a-1〕~式〔1c-1〕中，A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(5)如上述(4)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為由下述式〔1-1a〕~式〔1-4a〕所示二胺化合物所選出之至少1種的二胺化合物。
(式〔1-3a〕中，R1表示氫原子或碳數1~5之烷基，式〔1-4a〕中，n表示1~10之整數，式〔1-1a〕~式〔1-4a〕中，A1~A8各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(6)如上述(1)~上述(5)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，前述(B)成份之聚合物為使用下述式〔2-1〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物。
(式〔2-1〕中，YA表示具有前述式〔2〕所示之結構的有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷 基)。
(7)如上述(6)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為使用下述式〔2a〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物。
(式〔2a〕中，Y1及Y7各自獨立表示單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基，Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基，Y4表示氧原子或硫原子，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(8)如上述(7)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為由下述式〔2-1a〕~式〔2-3a〕所示二胺化合物所選出之至少1種的二胺化合物。
(式〔2-1a〕~式〔2-3a〕中，A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
(9)如上述(1)~上述(8)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份及(B)成份中之至少任一者的聚合物，為使用下述式〔3a〕所示二胺化合物作為原料的一部份。
(式〔3a〕中，B表示前述式〔3〕，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，m表示1~4之整數)。
(10)如上述(1)~上述(9)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份之聚合物及(B)成份之 聚合物為，由使用下述式〔4〕所示四羧酸成份所得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物。
(式〔4〕中，Z表示由下述式〔4a〕~式〔4k〕所示之結構所選出之至少1種的結構)。
(式〔4a〕中，Z1~Z4表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環，其可分別為相同亦可、相異亦可，式〔4g〕中，Z5及Z6表示氫原子或甲基，其可分別為相同亦可、相異亦可)。
(11)如上述(10)所記載之液晶配向處理劑，其中，前述四羧酸成份為，前述式〔4〕中之Z為由前述式〔4a〕及式〔4e〕~式〔4g〕所示之結構所選出之至少1種的結構的四羧酸成份。
(12)如上述(4)~上述(11)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份之聚合物中，前述式〔1a-1〕~式〔1c-1〕所示二胺化合物，於全部的二胺成份100莫耳%中，為5莫耳%~95莫耳%。
(13)如上述(7)~上述(12)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，前述(B)成份之聚合物中，前述式〔2a〕所示二胺化合物，於全部的二胺成份100莫耳%中，為5莫耳%~95莫耳%。
(14)如上述(1)~上述(13)之任一者所記載的液晶配向處理劑前述(B)成份之聚合物，其中，相對於前述(A)成份之聚合物100質量份，為0.5質量份~950質量份。
(15)如上述(1)~上述(14)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，液晶配向處理劑的溶劑為，含有由N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮及γ-丁內酯所選出之至少1種的溶劑。
(16)如上述(1)~上述(15)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，液晶配向處理劑的溶劑為，含有由1-己醇、環己醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚及二丙二醇二甲醚所選出之至少1種 的溶劑。
(17)如上述(1)~上述(16)之任一者所記載的液晶配向處理劑，其中，液晶配向處理劑中，含有由具有環氧基、異氰酸酯基、環氧丙烷基或環碳酸酯基的交聯性化合物、具有由羥基、羥烷基或低級烷氧基烷基所成群所選出之至少1種的取代基的交聯性化合物，及由具有聚合性不飽和鍵結的交聯性化合物所選出之至少1種的交聯性化合物。
(18)一種液晶配向膜，其特徵為，由上述(1)~上述(17)之任一者所記載的液晶配向處理劑所製得。
(19)一種液晶配向膜，其特徵為，使用上述(1)~上述(17)之任一者所記載的液晶配向處理劑，經由噴墨法而製得。
(20)一種液晶顯示元件，其特徵為，具有上述(18)或上述(19)所記載之液晶配向膜。
(21)一種如上述(18)或上述(19)所記載之液晶配向膜，其為使用於液晶顯示元件，其特徵為，該液晶顯示元件為，於具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置含有經由活性能量線及熱中至少一者而聚合之聚合性化合物的液晶組成物，該液晶組成物係經由於前述電極間持續施加電壓，而使前述聚合性化合物聚合之步驟所製得者。
(22)一種液晶顯示元件，其特徵為，具有上述(21)之液晶配向膜者。
(23)如上述(18)或上述(19)之液晶配向膜，其係使用於液晶顯示元件，其特徵為，該液晶顯示元件為，於具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置有含有經由活性能量線及熱中至少一者而聚合的聚合性基之液晶配向膜，該液晶配向膜係經由於前述電極間持續施加電壓，而使前述聚合性基聚合之步驟所製得者。
(24)一種液晶顯示元件，其特徵為，具有上述(23)之液晶配向膜。
本發明之含有2種類的由具有特定結構之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物之液晶配向處理劑為，一種即使長時間暴露於高溫及光照射之後，也可得到具有安定的預傾角之液晶配向膜。此外，亦為一種即使長時間暴露於光線照射之後，可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷液晶配向膜。因此，具有由本發明之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜的液晶顯示元件，為具有優良信賴性者，極適合使用於大畫面且具有高精密度的液晶電視等。
[實施發明之形態]
以下，將對本發明作詳細之說明。
本發明為，一種含有下述(A)成份及(B)成份之 液晶配向處理劑、使用該該液晶配向處理劑所得之液晶配向膜，及，具有該液晶配向膜之液晶顯示元件。
一種含有下述(A)成份及(B)成份之液晶配向處理劑。
(A)成份：含有由具有含氮原子之結構的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物(亦稱為特定聚合物(A))。
(B)成份：含有由具有下述式〔2〕所示之結構(亦稱為特定結構(2))的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物(亦稱為特定聚合物(B))。
又，(A)成份及(B)成份之聚合物中之至少任一者，為含有下述式〔3〕所示之結構(亦稱為特定側鏈結構)。
(式〔2〕中，Y1及Y7各自獨立表示單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基，Y3及Y5各自獨 立表示氫原子或碳數1~10之烷基，Y4表示氧原子或硫原子)。
(式〔3〕中，B1表示單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-，B2表示單鍵或-(CH2)b-(b為1~15之整數)，B3表示單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-，B4表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，或具有膽固醇骨架之碳數17~51的2價之有機基，前述環狀基上的任意之氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代，B5表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，該些環狀基上的任意之氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代，n表示0~4之整數，B6表示碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基)。
本發明之液晶配向處理劑所製得液晶配向膜，其可解決本發明問題之理由，仍未完全明瞭，但應為 下述說明內容。
即，本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)中之至少任一者所含有的前述式〔3〕所示特定側鏈結構為，側鏈部位具有苯環、環己基環或雜環，或具有膽固醇骨架之碳數17~51的2價之有機基。該些環及有機基的側鏈結構，具有較作為液晶垂直配向之以往技術的長鏈烷基之側鏈結構為更剛直的結構。如此，由具有本發明之特定側鏈結構的液晶配向處理劑所製得液晶配向膜，與以往具有長鏈烷基的側鏈結構者相比較時，可得到更高且安定之液晶垂直配向性。
又，本發明之特定側鏈結構，與以往的長鏈烷基之側鏈結構相比較時，得知對紫外線等之光線具有安定性。因此，本發明之特定側鏈結構，即使長時間暴露於光照射下，也可以抑制電壓保持率之降低，且可抑制經直流電壓而蓄積殘留電荷的側鏈成份之分解物。
此外，藉由本發明之特定聚合物(A)中所含有的含氮原子之結構中之氮原子與特定聚合物(B)中的羧基(COOH基)相互作用，與特定聚合物(B)中之前述式〔2〕中之氮原子與特定聚合物(A)中之羧基的相互作用，推想可引起該些之間的電荷移動。伴隨此反應，所蓄積之殘留電荷，可有效率地在聚合物的分子內或分子間進行移動。即，推想可促進解除因直流電壓所產生的殘留電荷。
此外，本發明之特定聚合物(A)中之具有氮原子的結構，推測可捕集造成電壓保持率降低要因之離子性 雜質成份。即，液晶顯示元件，可捕集因長時間暴露於光線照射所發生的離子性雜質，因此同時也可以抑制電壓保持率之下降。
由以上各點得知，本發明之含有2種類的由具有特定結構之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物之液晶配向處理劑為，一種即使長時間暴露於高溫及光照射之後，也可得到具有安定的預傾角之液晶配向膜。此外，亦為一種即使長時間暴露於光線照射之後，可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷液晶配向膜。
<具有氮原子的結構>
本發明之特定聚合物(A)為，含有由具有含氮原子之結構的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物。
含氮原子的結構之具體性結構，可列舉如，下述式〔1a〕~式〔1c〕所示之結構等。
式〔1a〕中，X1表示苯環或含氮芳香族雜 環。
式〔1a〕中，X2表示被氫原子或碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基。
又，式〔1a〕中，X2為氫原子之情形，X1表示含氮芳香族雜環，X2為被碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基之情形，X1表示苯環。
式〔1b〕中，X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子，且具有1~2個苯環的芳香族基。
式〔1b〕中，X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
式〔1b〕中，X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基。
式〔1b〕中，m表示0或1之整數。
式〔1c〕中，X8及X10各自獨立表示由下述式〔1c-a〕及式〔1c-b〕所示之結構所選出之至少1種的結構。
式〔1c〕中，X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環。
<特定結構(2)>
本發明之特定聚合物(B)，為含有由下述式〔2〕所示具有特定結構之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物。
式〔2〕中，Y1及Y7各自獨立表示單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-S-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基。其中，又以單鍵、-O-、-S-、-OCO-或-COO-為佳。更佳者，就液晶配向性與液晶配向膜之膜硬度等觀點，可例如，單鍵、-O-或-S-。
式〔2〕中，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基。其中，又以碳數1~3之伸烷基為佳，其結構可為直鏈或支鏈之任一者皆可。具體而言，就液晶配向性與液晶配向膜之膜硬度等觀點，以具有自由迴轉部位，且立體障礙較小的結構之伸甲基(-CH2-)、伸乙基(-CH2CH2-)、伸丙基(-(CH2)3-)或異丙基(-C(CH2)2-)為佳。
式〔2〕中，Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基。其中，又以氫原子或碳數1~3之烷基為佳。特佳為氫原子。
式〔2〕中，Y4表示氧原子或硫原子。其中，就液晶配向膜之膜硬度之觀點，又以氧原子為佳。
<特定側鏈結構>
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)中之至少任一者所含有的前述式〔3〕所示特定側鏈結構，為下述式〔3〕所示之結構。
式〔3〕中，B1表示單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-。其中，就原料取得與合成之容易性等觀點，又以單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-或-COO-為佳。更佳者為單鍵、-(CH2)a-(a為1~10之整數)、-O-、-CH2O-或-COO-。
式〔3〕中，B2表示單鍵或-(CH2)b-(b為1~15之整數)。其中，又以單鍵或-(CH2)b-(b為1~10之整數)為佳。
式〔3〕中，B3表示單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-。其中，就合 成之容易性等觀點，又以單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-或-COO-為佳。更佳者為單鍵、-(CH2)c-(c為1~10之整數)、-O-、-CH2O-或-COO-。
式〔3〕中，B4表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，該些環狀基上的任意氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代亦可。此外，B4可為由具有膽固醇骨架之碳數17~51的有機基所選出的2價之有機基。其中，就合成之容易性等觀點，又以苯環、環己烷環或具有膽固醇骨架之碳數17~51的有機基為佳。
式〔3〕中，B5表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，該些環狀基上的任意氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代亦可。其中，又以苯環或環己烷環為佳。
式〔3〕中，n表示0~4之整數。其中，就原料取得與合成之容易性等觀點，又以0~3為佳。更佳者為0~2。
式〔3〕中，B6表示碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基。其中，又以碳數1~18之烷基、碳數1~10之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~10之含氟烷氧基為佳。更佳為，碳數1~12之烷基或碳數1~12之烷 氧基。特佳為，碳數1~9之烷基或碳數1~9之烷氧基。
式〔3〕中之B1~B6及n的較佳組合，可列舉如，國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之13頁~34頁的表6~表47所揭示之(2-1)~(2-629)為相同之組合等。又，國際公開公報的各表中，如本發明中之B1~B6為Y1~Y6之表示方式般，Y1~Y6為以B1~B6替代者。又，國際公開公報的各表所揭示之(2-605)~(2-629)中，本發明中之具有膽固醇骨架之碳數17~51的有機基，為以具有膽固醇骨架之碳數12~25的有機基方式表示，故具有膽固醇骨架之碳數12~25的有機基係以具有膽固醇骨架之碳數17~51的有機基予以替代者。
<特定聚合物(A)‧特定聚合物(B)>
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)，為由聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺(亦統稱為聚醯亞胺系聚合物)所選出之至少1種的聚合物。其中，本發明之聚醯亞胺系聚合物，又以由二胺成份與四羧酸成份反應所得之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺為佳。
聚醯亞胺前驅體為，如下述式〔A〕所示之結構。
(式〔A〕中，R1為4價之有機基，R2為2價之有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，A3及A4各自獨立表示氫原子、碳數1~5之烷基或乙醯基，n表示正整數)。
前述二胺成份，例如，分子內具有2個一級或二級之胺基的二胺化合物等。
又，前述四羧酸成份，可列舉如，四羧酸化合物、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物等。
欲製得式〔A〕中之A1及A2為氫原子之聚醯胺酸時，例如，可使前述分子內具有2個一級或二級之胺基的二胺化合物，與四羧酸化合物或四羧酸酐進行反應而可製得。
欲製得式〔A〕中之A1及A2為碳數1~5之烷基的聚醯胺酸烷酯之方法，例如，可使前述二胺化合物，與四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物進行反應而可製得。又，亦可於前述方法所製得之聚醯胺酸中，導入式〔A〕所示A1及A2之碳數1~5的烷基。
本發明之特定聚合物(A)，為具有含氮原子之 結構的聚合物。其中，又以前述式〔1a〕~式〔1c〕所示之結構為佳。
將含氮原子的結構導入特定聚合物(A)中之方法，並未有特別之限定，又以使用具有前述式〔1a〕~式〔1c〕所示之結構的二胺化合物作為原料的一部份使用者為佳。
具體而言，又以使用下述式〔1-1〕所示二胺化合物(亦稱為特定二胺化合物(1))為佳。
式〔1-1〕中，XA表示具有由前述式〔1a〕~式〔1c〕所示之結構所選出之至少1種的結構的碳數5~50的有機基。
式〔1-1〕中，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
更具體而言，以使用下述式〔1a-1〕~式〔1c-1〕所示二胺化合物為佳。
式〔1a-1〕中，X1表示苯環或含氮芳香族雜環。
式〔1a-1〕中，X2表示被氫原子或碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基。
又，式〔1a-1〕中，X2為氫原子之情形，X1表示含氮芳香族雜環，X2為被碳數1~12之脂肪族基所取代的二取代胺基之情形，X1表示苯環。
式〔1b-1〕中，X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子，且具有1~2個苯環的芳香族基。
式〔1b-1〕中，X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
式〔1b-1〕中，X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基。
式〔1b-1〕中，m表示0或1之整數。
式〔1c-1〕中，X8及X10各自獨立表示由下述式〔1c-a〕及式〔1c-b〕所示之結構所選出之至少1種的結構。
式〔1c-1〕中，X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環。
本發明之特定二胺化合物(1)之具體的二胺化合物，可列舉如，下述式〔1-1a〕~式〔1-4a〕所示二胺化合物等。
式〔1-3a〕中，R1表示氫原子或碳數1~5之烷基。
式〔1-4a〕中，n表示1~10之整數。
式〔1-1a〕~式〔1-4a〕中，A1~A8各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
其中，又以使用前述式〔1-3a〕或式〔1-4a〕所示二胺化合物為佳。
本發明之特定聚合物(A)中之特定二胺化合物(1)，相對於二胺成份100莫耳%中，以1莫耳%~95莫耳 %為佳。其中，又以5莫耳%~95莫耳%為佳。更佳者為20莫耳%~80莫耳%。
本發明之特定二胺化合物(1)，就本發明之特定聚合物(A)對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性之觀點，可將1種類或2種類以上混合使用。
本發明之特定聚合物(B)，為具有特定結構(2)之聚合物。
將本發明之特定結構(2)導入特定聚合物(B)中之方法，並未有特別之限定，又以使用具有特定結構(2)之二胺化合物為佳。特佳為使用具有前述式〔2〕所示之結構的二胺化合物。
具體而言，以使用下述式〔2-1〕所示二胺化合物(亦稱為特定二胺化合物(2))為佳。
式〔2-1〕中，YA表示具有前述式〔2〕所示之結構之有機基。
式〔2-1〕中，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
更具體而言，以使用下述式〔2a〕所示二胺 化合物為佳。
式〔2a〕中，Y1及Y7各自獨立表示單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-S-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基。其中，又以單鍵、-O-、-S-、-OCO-或-COO-為佳。更佳為，就液晶配向性與膜硬度等觀點，以使用盡可能柔軟，且具有更小立體障礙的結構之單鍵、-O-或-S-為佳。
式〔2a〕中，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基。其中，又以碳數1~3之伸烷基為佳，其結構可為直鏈或支鏈之任一者皆可。具體而言，就液晶配向性與液晶配向膜之膜硬度等觀點，以具有自由迴轉部位，且立體障礙較小的結構之伸甲基(-CH2-)、伸乙基(-CH2CH2-)、伸丙基(-(CH2)3-)或異丙基(-C(CH2)2-)為佳。
式〔2a〕中，Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基。其中，又以氫原子或碳數1~3之烷基為佳。特佳為氫原子。
式〔2a〕中，Y4表示氧原子或硫原子。其 中，就液晶配向膜之膜硬度之觀點，又以氧原子為佳。
式〔2a〕中Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6及Y7之較佳組合，例如，下述表1所示之內容。
其中，又以式〔2-1a〕、式〔2-2a〕、式[2-4a]、式〔2-5a〕、式[2-7a]及式〔2-8a〕所示組合為佳。
式〔2a〕中，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。
本發明之特定二胺化合物(2)之具體的二胺化合物，可列舉如，下述式〔2-1a〕~式〔2-3a〕所示二胺化合物。
(式〔2-1a〕~式〔2-3a〕中，A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
本發明之特定聚合物(B)中之特定二胺化合物(2)，相對於全部的二胺成份100莫耳%，以1莫耳%~95莫耳%為佳。其中，又以5莫耳%~95莫耳%為佳。更佳為20莫耳%~80莫耳%。
本發明之特定二胺化合物(2)，就本發明之特定聚合物(B)對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性之觀點，可將1種類或2種類以上混合使用。
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之至少任一者，為含有特定側鏈結構。
將本發明之特定側鏈結構導入特定聚合物(A)或特定聚合物(B)中之方法，並未有特別之限定，又以使用具有特定側鏈結構的二胺化合物作為二胺成份使用為佳。
具體而言，以使用下述式〔3a〕所示二胺化合物(亦稱為特定側鏈型二胺化合物)為佳。
式〔3a〕中，B表示前述式〔3〕。又，式〔3〕中之B1~B6及n之較佳組合，係如前述內容。
式〔3a〕中，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基。其中，又以氫原子或碳數1或2之烷基為佳。
式〔3a〕中，m表示1~4之整數。其中，又以1為佳。
本發明之特定側鏈型二胺化合物，具體而言，例如下述式〔3a-1〕~式〔3a-31〕所示二胺化合物，此外，又如該些胺基為二級胺基的二胺化合物等。
(式〔3a-1〕~式〔3a-3〕中，R1、R3及R5各自獨立表示-O-、-OCH2-、-CH2O-、-COOCH2-或-CH2OCO-，式〔3a-1〕~式〔3a-3〕中，R2、R4及R6各自獨立表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀烷基、碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀烷氧基、碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀含氟烷基或含氟烷氧基)。
(式〔3a-4〕~式〔3a-6〕中，R1、R3及R5各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-COOCH2-、-CH2OCO-、-CH2O-、-OCH2-或-CH2-，式〔3a-4〕~式〔3a-6〕中，R2、R4及R6各自獨立表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀烷基、碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀烷氧基、碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀含氟烷基或含氟烷氧基)。
(式〔3a-7〕及式〔3a-8〕中，R1及R3各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-COOCH2-、-CH2OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2-、-O-或-NH-，R2及R4各自獨立表示氟基、氰基、三氟甲烷基、硝基、偶氮基、甲醯基、乙醯基、乙醯氧基或羥基)。
(式〔3a-9〕及式〔3a-10〕中，R1及R2各自獨立表示碳數3~12之直鏈狀或支鏈狀烷基，有關1,4-伸環己基的順-反式異構性，其分別為反式異構物)。
(式〔3a-11〕及式〔3a-12〕中，R1及R2各自獨立表示碳數3~12之直鏈狀或支鏈狀烷基，有關1,4-伸環己基的順-反式異構性，其分別為反式異構物)。
(式〔1a-13〕中，A4為可被氟原子所取代之碳數3~20之直鏈狀或支鏈狀烷基，A3為1,4-環伸己基或1,4-伸苯基，A2為氧原子或-COO-＊(其中，附有「＊」之鍵結鍵為與A3鍵結)，A1為氧原子或-COO-＊(其中，附有「＊」之鍵結鍵為與(CH2)a2)鍵結)。又，a1為0或1之整數，a2為2~10之整數，a3為0或1之整數)。
上述式〔3a-1〕~〔3a-31〕中，具有特佳結構之二胺化合物，可列舉如，式〔3a-1〕~式〔3a-6〕、式〔3a-9〕~式〔3a-13〕或式〔3a-22〕~式〔3a-31〕。
本發明之特定側鏈型二胺化合物，可使用特定聚合物(A)及特定聚合物(B)中之至少任一種，或使用二者之特定聚合物亦可。其中，又以使用特定聚合物(A)者為佳。
本發明之特定聚合物(A)及/或特定聚合物(B)中之特定側鏈型二胺化合物，以佔二胺成份全體的10莫耳%以上、80莫耳%以下為佳。特佳為10莫耳%以上、70莫耳%以下。
本發明之特定側鏈型二胺化合物，就本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑之溶解性，或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶之配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性之觀點，而可使用1種類或將2種類以上混合使用。
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之二胺成份，於未損害本發明之效果的範圍內，可使用特定二胺化合物(1)、特定二胺化合物(2)及特定側鏈型二胺化合物以外的其他二胺化合物(亦稱為其他二胺化合物)。
具體而言，例如，2,4-二甲基-m-伸苯基二胺、2,6-二胺基甲苯、m-伸苯基二胺、p-伸苯基二胺、4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲氧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羥基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二羧基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二氟-4,4’-聯苯基、3,3’-三氟甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,4’-二胺基聯苯、3,3’-二胺基聯苯、2,2’-二胺基聯苯、2,3’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、2,2’-二胺基二苯基甲烷、2,3’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、3,3’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、2,2’-二胺基二苯醚、2,3’-二胺基二苯醚、4,4’-磺醯基二苯胺、3,3’-磺醯基二苯胺、雙(4-胺基苯基)矽烷、雙(3-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(4-胺基苯基)矽烷、二甲基-雙(3-胺基苯基)矽烷、4,4’-硫代二苯胺、3,3’-硫代二苯胺、4,4’-二胺基二苯基胺、3,3’-二胺基二苯基胺、3,4’-二胺基二苯基胺、2,2’-二胺基二苯基胺、2,3’-二胺基二苯基胺、N-甲基(4,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,3’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(3,4’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,2’-二胺基二苯基)胺、N-甲基(2,3’-二胺基二苯基)胺、4,4’-二胺基二苯甲酮、3,3’-二胺基二苯甲酮、3,4’-二胺基二苯 甲酮、1,4-二胺基萘、2,2’-二胺基二苯甲酮、2,3’-二胺基二苯甲酮、1,5-二胺基萘、1,6-二胺基萘、1,7-二胺基萘、1,8-二胺基萘、2,5-二胺基萘、2,6-二胺基萘、2,7-二胺基萘、2,8-二胺基萘、1,2-雙(4-胺基苯基)乙烷、1,2-雙(3-胺基苯基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯基)丁烷、雙(3,5-二乙基-4-胺基苯基)甲烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯基)苯、1,3-雙(4-胺基苯基)苯、1,4-雙(4-胺基苄基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4’-〔1,4-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、4,4’-〔1,3-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,4’-〔1,4-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,4’-〔1,3-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,3’-〔1,4-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、3,3’-〔1,3-伸苯基雙(伸甲基)〕二苯胺、1,4-伸苯基雙〔(4-胺基苯基)甲酮〕、1,4-伸苯基雙〔(3-胺基苯基)甲酮〕、1,3-伸苯基雙〔(4-胺基苯基)甲酮〕、1,3-伸苯基雙〔(3-胺基苯基)甲酮〕、1,4-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,4-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(4-胺基苯甲酸酯)、1,3-伸苯基雙(3-胺基苯甲酸酯)、雙(4-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)對苯二甲酸酯、雙(4-胺基苯基)間苯二甲酸酯、雙(3-胺基苯基)間苯二甲酸酯、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(4-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,4-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-(1,3-伸苯基)雙(3-胺基苯甲醯胺)、N,N’-雙(4-胺基苯基)對 酞醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)對酞醯胺、N,N’-雙(4-胺基苯基)間酞醯胺、N,N’-雙(3-胺基苯基)間酞醯胺、9,10-雙(4-胺基苯基)蒽、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)二苯基碸、2,2’-雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕丙烷、2,2’-雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)六氟丙烷、2,2’-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3-胺基-4-甲基苯基)丙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷、1,4-雙(3-胺基苯氧基)丁烷、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,5-雙(3-胺基苯氧基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、1,6-雙(3-胺基苯氧基)己烷、1,7-雙(4-胺基苯氧基)庚烷、1,7-(3-胺基苯氧基)庚烷、1,8-雙(4-胺基苯氧基)辛烷、1,8-雙(3-胺基苯氧基)辛烷、1,9-雙(4-胺基苯氧基)壬烷、1,9-雙(3-胺基苯氧基)壬烷、1,10-(4-胺基苯氧基)癸烷、1,10-(3-胺基苯氧基)癸烷、1,11-(4-胺基苯氧基)十一烷、1,11-(3-胺基苯氧基)十一烷、1,12-(4-胺基苯氧基)十二烷、1,12-(3-胺基苯氧基)十二烷、雙(4-胺基環己基)甲烷、雙(4-胺基-3-甲基環己基)甲烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷或1,12-二胺基十二烷，此外，又如該些之胺基為二級胺基的二胺化合物等。
此外，亦可使用二胺化合物中，具有羧基 (COOH基)或羥基(OH基)的二胺化合物。
具體而言，例如，2,4-二胺基酚、3,5-二胺基酚、3,5-二胺基苄醇、2,4-二胺基苄醇、4,6-二胺基間苯二酚、2,4-二胺基安息香酸、2,5-二胺基安息香酸或3,5-二胺基安息香酸等。其中，又以2,4-二胺基安息香酸、2,5-二胺基安息香酸或3,5-二胺基安息香酸為佳。又，亦可使用下述式〔3b-1〕~式〔3b-4〕所示二胺化合物及該些之胺基為二級胺基之二胺化合物。
(式〔3b-1〕中，A1表示單鍵、-CH2-、-C2H4-、-C(CH3)2-、-CF2-、-C(CF3)2-、-O-、-CO-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-CON(CH3)-或-N(CH3)CO-，m1及m2各自獨立表示0~4之整數，且m1+m2表示1~4之整數，式〔3b-2〕中，m3及m4各自獨立表示1~5之整數，式〔3b-3〕 中，A2表示碳數1~5之直鏈或支鏈狀烷基，m5表示1~5之整數，式〔3b-4〕中，A3及A4各自獨立表示單鍵、-CH2-、-C2H4-、-C(CH3)2-、-CF2-、-C(CF3)2-、-O-、-CO-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-CON(CH3)-或-N(CH3)CO-，m6表示1~4之整數)。
此外，二胺化合物中，亦可使用具有下述式〔3c〕所示含氮雜環之二胺化合物及該些之胺基為二級胺基之二胺化合物。
式〔3c〕中，D1表示-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-CH2O-、-OCO-、-CON(CH3)-或-N(CH3)CO-。其中，又以-O-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-CH2O-、-OCO-、-CON(CH3)-或-N(CH3)CO-，就容易合成二胺化合物等，而為較佳。更佳者為-O-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-CH2O-、-OCO-或-CON(CH3)-。特佳為-O-、-CONH-或-CH2O-。
式〔3c〕中，D2表示單鍵、碳數1~20之脂肪族烴基、非芳香族環式烴基或芳香族烴基。
碳數1~20之脂肪族烴基，可為直鏈狀亦 可、分支者亦可。又，亦可具有不飽和鍵結。其中，又以碳數1~10之伸烷基為佳。
非芳香族烴基之具體例，例如，環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十一烷環、環十二烷環、環十三烷環、環十四烷環、環十五烷環、環十六烷環、環十七烷環、環十八烷環、環十九烷環、環二十烷環、三環二十一烷環、三環二十二烷環、雙環庚烷環、十氫萘環、降莰烯環或金剛烷環等。其中，又以環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、降莰烯環或金剛烷環為佳。
芳香族烴基之具體例，例如，苯環、萘環、四氫萘環、薁環、茚環、茀環、蒽環、菲環或萉環等。其中，又以苯環、萘環、四氫萘環、茀環或蒽環為佳。
式〔3c〕中之較佳的D2，例如，單鍵、碳數1~10之伸烷基、環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、降莰烯環、金剛烷環、苯環、萘環、四氫萘環、茀環或蒽環。其中，又以單鍵、碳數1~5之伸烷基、環己烷環或苯環為佳。
式〔3c〕中，D3表示單鍵、-O-、-NH-、-N(CH3)-、-CONH-、-NHCO-、-COO-、-OCO-、-CON(CH3)-或-N(CH3)CO-、-O(CH2)m-(m為1~5之整數)。其中，又以單鍵、-O-、-COO-、-OCO-或-O(CH2)m-(m為1~5之整數)為佳。更佳者為單鍵、-O-、-OCO-或-O(CH2)m-(m為1~5之整數)。
式〔3c〕中，D4為含氮芳香族雜環，可列舉如，含有由下述式[a〕、式〔b〕及式〔c〕所選出之至少1個之結構的芳香族雜環。
(式〔c〕中，Z表示碳數1~5之烷基)。
更具體而言，例如，吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、嗒環、吡唑啉環、三環、吡唑啶環、三唑環、吡環、苯併咪唑(Benzimidazole)環、苯併咪唑(Benzoimidazole)環、硫代喹啉環、啡啉(phenanthroline)環、吲哚環、喹噁啉(quinoxaline)環、苯併噻唑環、啡噻(phenothiazine)環、噁二唑環或吖啶環等。其中，又以吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、嗒環、三環、三唑環、吡環、苯併咪唑(Benzimidazole)環或苯併咪唑(Benzoimidazole)環為佳。更佳者為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環或嘧啶環。
又，式〔3c〕中之D3，以與D4所含之式〔a〕、式〔b〕及式[c]不相鄰的取代基鍵結者為佳。
式〔3c〕中，n為1~4之整數，較佳就與四羧酸成份之反應性而言，為1或2。
式〔3c〕中特佳之D1~D4及n之組合為，D1表示-CONH-，D2表示碳數1~5之烷基，D3表示單鍵，D4表示咪唑環或吡啶環，n表示1的二胺化合物。
式〔3c〕中，二個胺基(-NH2)之鍵結位置並未有特別之限定。具體而言，例如，相對於側鏈之鍵結基(B1)而言，為苯環上之2,3的位置、2,4的位置、2,5的位置、2,6的位置、3,4的位置或3,5的位置等。其中，就合成聚醯胺酸之際的反應性之觀點，以2,4的位置、2,5的位置或3,5的位置為佳。若再考量合成二胺化合物之際的容易性時，又以2,4的位置或2,5的位置為更佳。
此外，其他二胺化合物，亦可使用下述式〔3d-1〕~式〔3d-13〕所示二胺化合物及該些之胺基為二級胺基之二胺化合物。
(式〔3d-1〕~式〔3d-4〕中，A1~A4各自獨立表示碳數1~22之烷基或含氟烷基)。
(式〔3d-5〕中，A1及A3各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CH2-、-O-、-CO-或-NH-，A2表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀之烷基或碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀的含氟烷基，式〔3d-6〕中，A4及A6各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CH2-、-O-、-CO-或-NH-，A5表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀之烷基或碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀的含氟烷基)。
(式〔3d-7〕中，A1及A3各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CH2-、-O-、-CO-或-NH-，A2表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀之烷基或碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀的含氟烷基，式〔3d-8〕中，A4及A6 各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CH2-、-O-、-CO-或-NH-，A5表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀之烷基或碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀的含氟烷基)。
(式〔3d-9〕中，A1及A3各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CH2-、-O-、-CO-或-NH-，A2表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀之烷基或碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀的含氟烷基，式〔3d-10〕中，A4及A6各自獨立表示-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CH2-、-O-、-CO-或-NH-，A5表示碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀之烷基或碳數1~22之直鏈狀或支鏈狀的含氟烷基)。
(式〔3d-11〕中，p表示1~10之整數)。
本發明之其他二胺化合物，就考量本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性之觀點，可將1種類或2種類以上混合使用。
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)，即，欲製作該些聚醯亞胺系聚合物時所使用的四羧酸成份者，以使用下述式〔4〕所示四羧酸二酐為佳。此時，不僅僅式〔4〕所示四羧酸二酐，亦可使用作為其四羧酸衍生物之四羧酸、四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物(式〔4〕所示四羧酸二酐及其衍生物亦統稱為特定四羧酸成份)。
(式〔4〕中，Z表示由下述式〔4a〕~式〔4k〕所示之結構所選出之至少1種的結構)。
式〔4a〕中，Z1~Z4表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環，其可分別為相同亦可、相異亦可。
式〔4g〕中，Z5及Z6表示氫原子或甲基，其可分別為相同亦可、相異亦可。
式〔4〕中之Z中，就合成之容易度或製造聚 合物時之聚合反應性之容易度的觀點，以式〔4a〕、式〔4c〕~式〔4g〕或式〔4k〕所示之結構之四羧酸二酐及其四羧酸衍生物為佳。更佳者為式〔4a〕或式〔4e〕~式〔4g〕所示之結構者。特佳為〔4a〕、式〔4e〕或式〔4f〕所示之結構之四羧酸二酐及其四羧酸衍生物。
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)中之特定四羧酸成份，於全部的四羧酸成份100莫耳%中，以1莫耳%~100莫耳%為佳。其中，又以5莫耳%~95莫耳%為佳。更佳者為20莫耳%~80莫耳%。
本發明之特定四羧酸成份，於考量本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑之溶解性，或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶之配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性之觀點，可使用1種類或將2種類以上混合使用。
本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)的聚醯亞胺系聚合物中，於未損害本發明之效果的範圍內，亦可使用特定四羧酸成份以外的其他四羧酸成份。
其他的四羧酸成份，可列舉如，以下所示之四羧酸化合物、四羧酸二酐、四羧酸二鹵化物化合物、四羧酸二烷酯化合物或四羧酸二烷酯二鹵化物化合物等。
即，其他之四羧酸成份，可列舉如，1,2,5,6-萘四羧酸、1,4,5,8-萘四羧酸、1,2,5,6-蒽四羧酸、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸、2,3,3’,4-聯苯基四羧酸、雙(3,4-二羧基苯基)醚、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸、雙(3,4-二羧 基苯基)碸、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷、2,3,4,5-吡啶四羧酸、2,6-雙(3,4-二羧基苯基)吡啶、3,3’,4,4’-二苯基碸四羧酸、3,4,9,10-苝四羧酸或1,3-二苯基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸等。
本發明之其他的四羧酸成份，於考量本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑之溶解性或液晶配向處理劑之塗佈性、作為液晶配向膜之情形中的液晶配向性、電壓保持率、蓄積電荷等特性之觀點，可將1種類或2種類以上混合使用。
<特定聚合物(A)‧特定聚合物(B)之製作方法>
本發明中，特定聚合物(A)及特定聚合物(B)，即，製作該些聚醯亞胺系聚合物所使用之方法並未有特別之限定。通常可由二胺成份與四羧酸成份反應而得。一般而言，為將由四羧酸二酐及其四羧酸之衍生物所成群中所選出之至少1種的四羧酸成份，與由1種或複數種的二胺化合物所成之二胺成份進行反應，而製得聚醯胺酸之方法等。具體而言，例如可使用使四羧酸二酐與一級或二級的二胺化合物進行聚縮合反應，而製得聚醯胺酸之方法、使四羧酸與一級或二級的二胺化合物進行脫水聚縮合反應而製得聚醯胺酸，或或使四羧酸二鹵化物與一級或二級的二胺化合物進行聚縮合反應，而製得聚醯胺酸之方法。
製得聚醯胺酸烷酯之方法中，例如可使用使羧酸基經二烷酯化而得之四羧酸與一級或二級的二胺化合物進行聚縮合之方法、使羧酸基經二烷酯化而得之四羧酸二鹵化物與一級或二級的二胺化合物進行聚縮合之方法或使聚醯胺酸的羧基變換為酯之方法。
製得聚醯亞胺之方法，例如可使用使前述聚醯胺酸或聚醯胺酸烷酯進行閉環反應以形成聚醯亞胺之方法。
二胺成份與四羧酸成份之反應，通常，為使二胺成份與四羧酸成份於溶劑中進行。此時所使用的溶劑，只要可使所生成的聚醯亞胺前驅體溶解之溶劑時，並未有特別之限定。下述內容中，將列舉反應所使用之溶劑的具體例，但並不僅限定於該些例示。
例如，N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸或1,3-二甲基-四氫咪唑酮等。又，聚醯亞胺前驅體的溶劑溶解性較高之情形，例如可使用甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮或下述式〔D-1〕~式〔D-3〕所示之溶劑。
(式〔D-1〕中，D1表示碳數1~3之烷基，式〔D-2〕中，D2表示碳數1~3之烷基，式〔D-3〕中，D3表示碳數1~4之烷基)。
該些溶劑可單獨使用亦可、混合使用亦可。此外，即使為不溶解聚醯亞胺前驅體之溶劑，只要不會析出生成之聚醯亞胺前驅體之範圍，亦可與前述溶劑混合使用。又，溶劑中之水分為會阻礙聚合反應，甚至會造成生成之聚醯亞胺前驅體水解之原因，故溶劑以使用脫水乾燥者為佳。
二胺成份與四羧酸成份於溶劑中進行反應之際，例如可使用，使二胺成份分散或溶解於溶劑的溶液於攪拌中，將四羧酸成份無處理下，或使其分散或溶解於溶劑下進行添加之方法，或相反地，於四羧酸成份分散於溶劑，或溶解所得之溶液中，添加二胺成份之方法、將二胺成份與四羧酸成份交互添加之方法等，上述任一種方法皆可使用。又，二胺成份或四羧酸成份分別使用複數種進行反應之情形，可以預先混合之狀態下進行反應亦可、各別依序進行反應亦可、將各別反應所得之低分子量體進行混合反應以製得之聚合物亦可。此時之聚合溫度可選擇於-20℃~150℃之任意溫度，較佳為-5℃~100℃之範圍。又，反應可於任意濃度下進行亦可，但濃度過低時將不易得到高分子量的聚合物，濃度過高時，因反應液的黏性過高而不易進行均勻的攪拌。因此，較佳為1~50質量%， 更佳為5~30質量%。也可以在反應初期以高濃度進行，其後再追加溶劑亦可。
聚醯亞胺前驅體的聚合反應中，二胺成份的合計莫耳數與四羧酸成份的合計莫耳數之比，以0.8~1.2為佳。其與通常之聚縮合反應相同般，該莫耳比越趨近1.0時，所生成之聚醯亞胺前驅體的分子量越大。
本發明之聚醯亞胺為使前述聚醯亞胺前驅體經閉環而得之聚醯亞胺，此聚醯亞胺中，醯胺酸基之閉環率(亦稱為醯亞胺化率)，並非必須為100%，而可配合用途或目的作任意的調整。
使聚醯亞胺前驅體醯亞胺化之方法，可列舉如，使聚醯亞胺前驅體的溶液於無處理下進行加熱使其熱醯亞胺化，或於聚醯亞胺前驅體的溶液中添加觸媒而進行觸媒醯亞胺化之方法等。
使聚醯亞胺前驅體於溶液中進行熱醯亞胺之情形的溫度為100℃~400℃，較佳為120℃~250℃，又以將醯亞胺化反應所生成的水排除於反應系外之方式進行為佳。
聚醯亞胺前驅體之觸媒醯亞胺化為，將鹼性觸媒與酸酐添加於聚醯亞胺前驅體之溶液中，於-20℃~250℃，較佳為於0℃~180℃中以攪拌方式進行。鹼性觸媒的量為醯胺酸基之0.5莫耳倍~30莫耳倍，較佳為2莫耳倍~20莫耳倍，酸酐的量為醯胺酸基之1莫耳倍~50莫耳倍，較佳為3莫耳倍~30莫耳倍。鹼性觸媒，可列 舉如，吡啶、三乙基胺、三甲基胺、三丁基胺或三辛基胺等，其中，又以吡啶於進行反應時可維持適當之鹼性而為較佳。酸酐，可列舉如，乙酸酐、偏苯三酸酐或苯均四酸二酐等，其中，又以使用乙酸酐時，於反應結束後容易進行精製而為較佳。觸媒醯亞胺化之醯亞胺化率，可以依調節觸媒量與反應溫度、反應時間等方式予以控制。
由聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺的反應溶液中，回收所生成之聚醯亞胺前驅體或聚醯亞胺之方式，只要將反應溶液投入溶劑中使其沈澱即可。沈澱所使用的溶劑，可列舉如，甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、己烷、丁基溶纖劑、庚烷、甲基乙基酮、甲基異丁酮、甲苯、苯、水等。將投入溶劑使其沈澱之聚合物經濾過回收後，可於常壓或減壓下，以常溫或加熱予以乾燥。又，重複2次~10次將沈澱回收之聚合物再溶解於溶劑、再沈澱回收之操作後，可降低聚合物中之雜質。此時之溶劑，例如，醇類、酮類或烴等，由該些之中選擇3種類以上的溶劑使用時，以其可進一步提高精製之效率而為較佳。
<液晶配向處理劑>
本發明之液晶配向處理劑為，形成液晶配向膜(亦稱為樹脂被膜)所使用的塗佈溶液，其為形成含有特定聚合物(A)、特定聚合物(B)及溶劑的液晶配向膜所使用之塗佈溶液。
本發明之特定聚合物(A)，可使用聚醯胺酸、 聚醯胺酸烷酯及聚醯亞胺中之任一種聚醯亞胺系聚合物皆可。其中，又以聚醯胺酸烷酯或聚醯亞胺為佳。更佳為聚醯亞胺。
本發明之特定聚合物(B)，可使用聚醯胺酸、聚醯胺酸烷酯及聚醯亞胺中之任一種聚醯亞胺系聚合物皆可。其中，又以聚醯胺酸或聚醯胺酸烷酯為佳。更佳為聚醯胺酸。
本發明之液晶配向處理劑中，特定聚合物(A)與特定聚合物(B)之比例為，相對於特定聚合物(A)100質量份，特定聚合物(B)以0.5質量份~950質量份為佳。其中，又以10質量份~900質量份為佳，更佳者為10質量份~400質量份。
本發明之液晶配向處理劑中，所有的聚合物成份，可全部為本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)亦可，或與該些以外的其他聚合物混合者亦可。該些以外的聚合物，可列舉如，不具有本發明之三級氮原子的結構之聚醯亞胺系聚合物及不具有特定結構(2)之聚醯亞胺系聚合物等。此外，又例如，纖維素系聚合物、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚苯乙烯、聚醯胺或聚矽氧烷等。此時，該些以外的其他聚合物之含量為，相對於本發明之特定聚合物(A)及特定聚合物(B)全部的特定聚合物100質量份，為0.5質量份~30質量份。其中，又以1質量份~20質量份為佳。
又，本發明之液晶配向處理劑中之溶劑之含 量，以70質量%~99.9質量%為佳。此含量可配合液晶配向處理劑的塗佈方法或作為目的之液晶配向膜的膜厚度，作適當之變更。
本發明之液晶配向處理劑所使用之溶劑，只要為可溶解特定聚合物(A)及特定聚合物(B)的溶劑(亦稱良溶劑)時，並未有特別之限定。以下將列舉良溶劑的具體例示，但並不僅限定於該些例示。
例如，N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、γ-丁內酯、1,3-二甲基-四氫咪唑酮、甲基乙基酮、環己酮、環戊酮或4-羥基-4-甲基-2-戊酮等。
其中，又以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯為佳。
此外，特定聚合物(A)及特定聚合物(B)對溶劑具有高度溶解性之情形，以使用前述式〔D-1〕~式〔D-3〕所示溶劑為佳。
本發明之液晶配向處理劑中之良溶劑，以佔液晶配向處理劑所含溶劑全體的20質量%~99質量%為佳。其中，又以20質量%~90質量%為佳。更佳者為30質量%~80質量%。
本發明之液晶配向處理劑，於無損本發明之效果之範圍，於塗佈液晶配向處理劑之際，可使用提升液晶配向膜的塗膜性或表面平滑性之溶劑(亦稱為貧溶劑)。以下將列舉貧溶劑之具體例示，但並不僅限定於該些例 示。
例如，乙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、tert-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、2-甲基-1-丁醇、異戊醇、tert-戊醇、3-甲基-2-丁醇、新戊醇、1-己醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-乙基-1-丁醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、環己醇、1-甲基環己醇、2-甲基環己醇、3-甲基環己醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,5-戊烷二醇、2-甲基-2,4-戊烷二醇、2-乙基-1,3-已二醇、二丙醚、二丁醚、二己醚、二噁烷、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、1,2-丁氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二丁醚、2-戊酮、3-戊酮、2-己酮、2-庚酮、4-庚酮、3-乙氧基丁基乙酸酯、1-甲基戊基乙酸酯、2-乙基丁基乙酸酯、2-乙基己基乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、丙烯碳酸酯、乙烯碳酸酯、2-(甲氧基甲氧基)乙醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單異戊醚、乙二醇單己醚、2-(己基氧基)乙醇、糠醇、二乙二醇、丙二醇、丙二醇單丁醚、1-(丁氧基乙氧基)丙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇二甲醚、三丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2- (2-乙氧基乙氧基)乙基乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、三乙二醇、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸n-丁酯、乙酸丙二醇單乙醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丙酯、乳酸n-丁酯、乳酸異戊酯或前述式〔D-1〕~式〔D-3〕所示溶劑等。
其中，又以使用1-己醇、環己醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚或二丙二醇二甲醚為佳。
該些貧溶劑，以佔液晶配向處理劑中所含溶劑全體的1質量%~80質量%為佳。其中，又以10質量%~80質量%為佳。更佳為20質量%~70質量%。
本發明之液晶配向處理劑中，以導入由具有環氧基、異氰酸酯基、環氧丙烷基或環碳酸酯基的交聯性化合物、羥基、羥烷基及低級烷氧基烷基所選出之至少1種的取代基的交聯性化合物，或導入具有聚合性不飽和鍵結的交聯性化合物者為佳。該些取代基或聚合性不飽和鍵結，於交聯性化合物中必須具有2個以上。
具有環氧基或異氰酸酯基之交聯性化合物，例如，雙酚丙酮縮水甘油醚、酚-酚醛清漆環氧樹脂、甲酚-酚醛清漆環氧樹脂、三縮水甘油異三聚氰酸酯、四縮水甘油胺基二亞苯、四縮水甘油-m-二甲苯二胺、四縮水 甘油-1,3-雙(胺基乙基)環己烷、四苯基縮水甘油醚乙烷、三苯基縮水甘油醚乙烷、雙酚六氟乙醯二縮水甘油醚、1,3-雙(1-(2,3-環氧丙氧基)-1-三氟甲基-2,2,2-三氟甲基)苯、4,4-雙(2,3-環氧丙氧基)九氟聯苯基、三縮水甘油-p-胺基酚、四縮水甘油甲基二甲苯二胺、2-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-2-(4-(1,1-雙(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)乙基)苯基)丙烷或1,3-雙(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-(4-(1-(4-(2,3-環氧丙氧基)苯基)-1-甲基乙基)苯基)乙基)苯氧基)-2-丙醇等。
具有環氧丙烷基之交聯性化合物，例如，至少具有2個下述式〔4A〕所示環氧丙烷基的交聯性化合物。
具體而言，例如，國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之58頁~59頁所揭示之式〔4a〕~式〔4k〕所示交聯性化合物等。
具有環碳酸酯基之交聯性化合物，例如，至少具有2個下述式〔5A〕所示環碳酸酯基之交聯性化合物。
具體而言，例如，國際公開公報WO2012/014898(2012.2.2公開)之76頁~82頁所揭示之式〔5-1〕~式〔5-42〕所示交聯性化合物。
具有由羥基及烷氧基所成群所選出之至少1種的取代基之交聯性化合物，例如，具有羥基或烷氧基的胺基樹脂，例如，三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、呱樹脂、乙炔脲-甲醛樹脂、琥珀醯基醯胺-甲醛樹脂或乙烯尿素-甲醛樹脂等。具體而言，可使用胺基的氫原子被羥甲基或烷氧基甲基或其二者所取代之三聚氰胺衍生物、苯併呱衍生物，或乙炔脲。該三聚氰胺衍生物或苯併呱衍生物，亦可以2聚物或3聚物方式存在。該些以每一個三環，平均具有3個以上，6個以下之羥甲基或烷氧基甲基者為佳。
該些三聚氰胺衍生物或苯併呱衍生物之例示，例如，市售品之每一個三環平均有3.7個取代之甲氧基甲基的MX-750、每一個三環平均有5.8個取代之甲氧基甲基的MW-30(以上，三和化學公司製)或CYMEL-300、301、303、350、370、771、325、327、703、712等之甲氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL-235、236、238、212、253、254等之甲氧基甲基化丁氧基甲基化三聚氰 胺、CYMEL-506、508等之丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL-1141等含羧基之甲氧基甲基化異丁氧基甲基化三聚氰胺、CYMEL-1123等甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯併呱、CYMEL-1123-10等甲氧基甲基化丁氧基甲基化苯併呱、CYMEL-1128等丁氧基甲基化苯併呱、CYMEL-1125-80等含羧基之甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯併呱(以上，三井氰酸公司製)等。又，乙炔脲之例如，CYMEL-1170等丁氧基甲基化乙炔脲、CYMEL-1172等羥甲基化乙炔脲等，POWER-LINK1174所示之甲氧基羥甲基化乙炔脲等。
具有羥基或烷氧基的苯或酚性化合物，例如，1,3,5-三(甲氧基甲基)苯、1,2,4-三(異丙氧基甲基)苯、1,4-雙(sec-丁氧基甲基)苯或2,6-二羥基甲基-p-tert-丁基酚等。
更具體而言，例如，國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之62頁~66頁所揭示之式〔6-1〕~式〔6-48〕所示交聯性化合物等。
具有聚合性不飽和鍵結的交聯性化合物，例如，分子內具有3個三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯醯氧基乙氧基三羥甲基丙烷或丙三醇聚縮水甘油醚聚(甲基)丙烯酸酯等之聚合性不飽和基的交聯性化合物，此外，又例如，乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、 聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、氧化乙烯雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯、氧化丙烯雙酚型二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二縮水甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、酞酸二縮水甘油酯二(甲基)丙烯酸酯或羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等之分子內具有2個聚合性不飽和基的交聯性化合物，此外，又如，2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丁基(甲基)丙烯酸酯、2-苯氧基-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基-2-羥基丙基酞酸酯、3-氯-2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯、丙三醇單(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基磷酸酯或N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺等之分子內具有1個聚合性不飽和基的交聯性化合物等。
此外，亦可使用下述式〔7A〕所示化合物。
(式〔7A〕中，E1表示由環己烷環、雙環己烷環、苯環、聯苯基環、聯三苯環、萘環、茀環、蒽環及菲環所選出之至少1種，E2表示由下述式〔7a〕或式〔7b〕所選出 之基，n表示1~4之整數)。
上述化合物為交聯性化合物之一例示，但並不僅限定於該些內容。又，本發明之液晶配向處理劑所使用之交聯性化合物，可為1種類亦可、2種類以上之組合亦可。
本發明之液晶配向處理劑中，交聯性化合物之含量，相對於全部聚合物成份100質量份，以0.1質量份~150質量份為佳。其中，又以進行交聯反應可達目的之效果等觀點，相對於全部聚合物成份100質量份，以0.1質量份~100質量份為佳。更佳者為1質量份~50質量份。
本發明之液晶配向處理劑，於無損本發明之效果之範圍，於塗佈液晶配向處理劑之際，可使用提高液晶配向膜的膜厚均勻性或表面平滑性等化合物。
提高液晶配向膜的膜厚均勻性或表面平滑性之化合物，例如，氟系界面活性劑、聚矽氧系界面活性劑、非離子系界面活性劑等。
更具體而言，例如，F-Top EF301、EF303、EF352(以上，道康寧化學製程公司製)、MEGAFACE F171、F173、R-30(以上，大日本塗料公司製)、FLUORAD FC430、FC431(以上，住友3M公司製)、AsahiGuard AG710、SurflonS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(以上，旭硝子公司製)等。
該些界面活性劑之使用比例，相對於液晶配向處理劑所含有的全部聚合物成份100質量份，較佳為0.01質量份~2質量份，更佳為0.01質量份~1質量份。
此外，本發明之液晶配向處理劑中，作為促進液晶配向膜中之電荷移動所使用的促進元件解除電荷之化合物，例如可添加國際公開公報WO2011/132751(2011.10.27公開)之69頁~73頁所揭示之、式〔M1〕~式〔M156〕所示含氮雜環之胺化合物。此胺化合物，可直接添加於液晶配向處理劑中亦可，其可使用適當之溶劑調整為濃度0.1質量%~10質量%，較佳為1質量%~7質量%之溶液方式添加為佳。此溶劑只要可溶解上述特定聚合物(A)及特定聚合物(B)之溶劑時，並未有特別之限定。
本發明之液晶配向處理劑中，除上述貧溶劑、交聯性化合物、提高樹脂被膜或液晶配向膜的膜厚均勻性或表面平滑性的化合物及促進解除電荷之化合物以外，只要為不損害本發明效果之範圍，可添加以改變液晶配向膜的介電係數或導電性等電氣特性為目的的介電體或導電物質。
<液晶配向膜‧液晶顯示元件>
本發明之液晶配向處理劑為，於塗佈、燒結於基板上之後，可經施以摩擦處理或光照射等配向處理，而作為液晶配向膜使用者。又，於垂直配向等用途之情形中，亦可不施以配向處理而作為液晶配向膜使用。此時所使用之基板，只要為具有高度透明性之基板時，並未有特別之限定，除玻璃基板以外，其他亦可使用丙烯酸基板或聚碳酸酯基板等塑膠基板等。就製程簡單化之觀點，就進行液晶驅動之觀點，以使用形成有ITO電極等之基板為佳。又，為反射型之液晶顯示元件中，若僅為單側之基板時，亦可使用矽晶圓等不透明之基板，該情形之電極，亦可使用鋁等反射光線之材料。
液晶配向處理劑之塗佈方法，並未有特別之限定，工業上，一般可使用網版印刷、平版印刷、凸版印刷或噴墨法等方式進行。其他之塗佈方法，例如，浸漬法、輥塗佈法、縫狀塗佈法、旋轉法或噴霧法等，其可配合目的而使用該些方法使用即可。
液晶配向處理劑塗佈於基板上之後，可使用加熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段，配合液晶配向處理劑所使用的溶劑，於30~300℃，較佳為30~250℃之溫度，使溶劑蒸發而形成液晶配向膜。燒結後的液晶配向膜之厚度，若過厚時就液晶顯示元件的消費電力之觀點而言為不利，過薄時將會造成液晶顯示元件 信賴性降低等情形，故較佳為5~300nm，更佳為10~100nm。欲使液晶成為水平配向或傾斜配向之情形，可對燒結後的液晶配向膜進行摩擦或照射偏光紫外線照射等方式進行處理。
本發明之液晶顯示元件，可依上述之手法，本發明之液晶配向處理劑製得附有液晶配向膜之基板之後，再依公知方法製作液晶晶胞而作為液晶顯示元件。
液晶晶胞之製作方法，可例如，準備形成有液晶配向膜的一對之基板，於一側的基板之液晶配向膜上散佈間隔器，使液晶配向膜面為內側之方式，將另一側的基板貼合，並減壓注液晶後予以密封之方法，或，將液晶滴入散佈有間隔器之液晶配向膜面之後，再貼合基板進行密封之方法等例示。
此外，本發明之液晶配向處理劑，亦適合使用於具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，該一對之基板間配置含有至少經由活性能量線及熱中至少一者而聚合之聚合性化合物的液晶組成物，而於電極間持續施以電壓，並經由照射活性能量線之照射及加熱中之至少一者使聚合性化合物聚合的步驟所製造之液晶顯示元件。其中，活性能量線又以使用紫外線為佳。紫外線之波長為300~400nm，較佳為310~360nm。經由加熱進行聚合之情形，其加熱溫度為40~120℃，較佳為60~80℃。又，可使紫外線與加熱同時進行亦可。
上述液晶顯示元件，為可使用PSA(Polymer Sustained Alignment)方式，以控制液晶分子的預傾角者。PSA方式為，於液晶材料中混入少量的光聚合性化合物，例如混入光聚合性單體，並於組合液晶晶胞之後，於對液晶層施加特定電壓之狀態下，使用紫外線等照射光聚合性化合物，以所生成之聚合物控制液晶分子的預傾角。聚合物生成時的液晶分子之配向狀態，於去除電壓之後仍被記憶，其可經由控制形成於液晶層的電場之方式，調整液晶分子的預傾角。又，PSA方式中，因不必須進行摩擦處理，故適合使用於極不易使用摩擦處理控制預傾角的垂直配向型之液晶層的形成方法。
即，本發明之液晶顯示元件為，於使用上述手法由本發明之液晶配向處理劑製得附有液晶配向膜之基板之後，製作液晶晶胞，並使用紫外線的照射及加熱中之至少一者使聚合性化合物聚合，而可以控制液晶分子之配向者。
以下舉一例說明使用PSA方式製作液晶晶胞之例，即，準備形成有液晶配向膜的一對之基板，於一側的基板之液晶配向膜上散佈間隔器，使液晶配向膜面為內側之方式，將另一側的基板貼合，並減壓注液晶後予以密封之方法，或，將液晶滴入散佈有間隔器之液晶配向膜面之後，再貼合基板進行密封之方法等等。
液晶中，混合有經由熱或紫外線照射而可聚合之聚合性化合物。聚合性化合物，例如，分子內具有1個以上的丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基等聚合性不飽和基 的化合物等。此時，聚合性化合物，相對於液晶成份100質量份，以0.01~10質量份為佳，更佳為0.1~5質量份。聚合性化合物未達0.01質量份時，聚合性化合物將無法聚合，而無法控制液晶之配向，超過10質量份時，因未反應的聚合性化合物過多，而會造成液晶顯示元件的殘影特性降低。
液晶晶胞製作之後，對液晶晶胞持續施加交流或直流電壓中，使用熱或照射紫外線使聚合性化合物聚合。如此，即可控制液晶分子之配向。
此外，本發明之液晶配向處理劑，為使用於具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置有含有經由活性能量線及熱中至少一者而聚合的聚合性基之液晶配向膜，並經由於電極間施加電壓等步驟所製得的液晶顯示元件，即，其又以使用於SC-PVA模式者為佳。其中，活性能量線以紫外線為適當者。紫外線之波長為300~400nm，較佳為310~360nm。為使用加熱進行聚合之情形，加熱溫度為40~120℃，較佳為60~80℃。又，也可以使用紫外線與加熱同時進行。
使用活性能量線及熱之至少一者予以聚合，而製得含有聚合性基的液晶配向膜之方法中，例如可使用將含有聚合性基的化合物添加於液晶配向處理劑中之方法，或使用含有聚合性基的聚合物成份之方法等。
舉例說明SC-PVA模式的液晶晶胞的製作例示，例如，準備本發明之形成有液晶配向膜的一對之基 板，於一側的基板之液晶配向膜上散佈間隔器，使液晶配向膜面為內側之方式，將另一側的基板貼合，並減壓注液晶後予以密封之方法，或，將液晶滴入散佈有間隔器之液晶配向膜面之後，再貼合基板進行密封之方法等。
製作液晶晶胞之後，於對液晶晶胞持續施加交流或直流電壓中，經照射熱或紫外線時，可控制液晶分子的配向。
如以上所述般，本發明之液晶配向處理劑為，一種即使長時間暴露於高溫及光照射之後，也可得到具有安定的預傾角之液晶配向膜。此外，亦為一種即使長時間暴露於光線照射之後，可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷液晶配向膜。因此，具有由本發明之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜的液晶顯示元件，為具有優良信賴性者，而適合被使用於大畫面且高精密的液晶電視，或中小型汽車導航系統或智慧型手機等。
[實施例]
以下將列舉實施例對本發明作更詳細之說明，但並不僅限定於該些內容。
「本發明之合成例、實施例及比較例所使用之簡稱」
合成例、實施例及比較例所使用之簡稱，係如以下所 示。
<製作本發明之聚醯亞胺系聚合物所使用的單體> (本發明之特定二胺化合物(1))
A1：下述式〔A1〕所示二胺化合物
A2：下述式〔A2〕所示二胺化合物
A3：下述式〔A3〕所示二胺化合物
(本發明之特定二胺化合物(2))
B1：下述式〔B1〕所示二胺化合物
(本發明之特定側鏈型二胺化合物)
C1：1,3-二胺基-4-〔4-(反-4-n-庚基環己基)苯氧基〕苯
C2：1,3-二胺基-4-〔4-(反-4-n-庚基環己基)苯氧基甲基〕苯
C3：1,3-二胺基-4-{4-〔反-4-(反-4-n-戊基環己基)環己基〕苯氧基}苯
C4：下述式〔C4〕所示二胺化合物
(其他二胺化合物)
D1：p-伸苯基二胺
D2：3,5-二胺基安息香酸
D3：1,3-二胺基-4-十八烷基氧苯
(本發明之特定四羧酸成份)
E1：1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐
E2：雙環〔3,3,0〕辛烷-2,4,6,8-四羧酸二酐
E3：下述式〔E3〕所示四羧酸二酐
E4：下述式〔E4〕所示四羧酸二酐
E5：下述式〔E5〕所示四羧酸二酐
「本發明所使用之交聯性化合物」
K1：下述式〔K1〕所示交聯性化合物
<本發明所使用之溶劑>
NMP：N-甲基-2-吡咯啶酮
NEP：N-乙基-2-吡咯啶酮
γ-BL：γ-丁內酯
BCS：乙二醇單丁醚
PB：丙二醇單丁醚
EC：二乙二醇單乙醚
DME：二丙二醇二甲醚
「本發明之聚醯亞胺系聚合物分子量之測定」
合成例中之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺之分子量，為使用常溫凝膠滲透色層分析儀(GPC)裝置(GPC-101)(昭和電工公司製)、管柱(KD-803，KD-805)(Shodex公司製)，依以下方式測定者。
管柱溫度：50℃
溶離液：N,N’-二甲基甲醯胺(添加劑為，溴化鋰-水和 物(LiBr‧H2O)為30mmol/L(公升)、磷酸‧無水結晶(o-磷酸)為30mmol/L、四氫呋喃(THF)為10ml/L)
流速：1.0ml/分
檢量線製作用之標準樣品：TSK標準聚氧乙烯(分子量；約900,000、150,000、100,000及30,000)(東曹公司製)及聚乙二醇(分子量；約12,000、4,000及1,000)(Polymer Laboratories公司製)。
「本發明之聚醯亞胺的醯亞胺化率之測定」
合成例中之聚醯亞胺的醯亞胺化率係依下式測定者。即，將聚醯亞胺粉末20mg置入NMR(核磁共振)採樣管(NMR標準採樣管， 5(草野科學公司製))，添加氘代二甲基亞碸(DMSO-d6，0.05質量%TMS(四甲基矽烷)混合品)(0.53ml)，施以超音波使其完全溶解。使用NMR測定機(JNW-ECA500)(日本電子DATUM公司製)測定此溶液的500MHz之質子NMR。醯亞胺化率為，以醯亞胺化前後未變化的結構所產生之質子作為基準質子予以決定，使用此質子的波峰積算值，與9.5ppm~10.0ppm附近出現的醯胺酸的NH基所產生的質子波峰積算值，並依下式求得者。
醯亞胺化率(%)=(1-α‧x/y)×100
上述式中，x為由醯胺酸的NH基產生的質子波峰積算值、y為基準質子的波峰積算值、α為聚醯胺酸(醯亞胺化率為0%)之情形中，相對於醯胺酸的1個NH基質子之基準質子的個數比例。
「本發明之聚醯亞胺系聚合物之合成」 <合成例1>
將E1(4.50g，23.0mmol)、A1(1.85g，9.30mmol)、C1(0.88g，2.32mmol)及D1(1.26g，11.6mmol)於NMP(25.5g)中混合，於40℃下反應8小時，得樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(1)。此聚醯胺酸的數平均分子量為24,200、重量平均分子量為86,500。
<合成例2>
將E1(4.10g，20.9mmol)、B1(3.16g，10.6mmol)、D1(0.46g，4.24mmol)及D2(0.97g，6.35mmol)於NMP(26.1g)中混合，於40℃下反應8小時，得樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(2)。此聚醯胺酸的數平均分子量為25,200、重量平均分子量為89,100。
<合成例3>
將E2(3.96g，15.8mmol)、A1(1.91g，9.61mmol)、C1(6.09g，16.0mmol)及D2(0.97g，6.41mmol)於NEP(32.1g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(3.10g，15.8mmol)與NEP(16.0g)，於40℃下反應6小時，得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(3)。此聚醯胺酸的數平均分子量為20,100、重量平均分子量為64,100。
<合成例4>
於合成例3之合成手法所得之聚醯胺酸溶液(3)(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.45g)及吡啶(2.50g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(4)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為55%，數平均分子量為18,500、重量平均分子量為49,300。
<合成例5>
將E2(4.47g，17.9mmol)、B1(3.24g，10.9mmol)、C1(2.75g，7.23mmol)及D2(2.75g，18.1mmol)於NEP(33.4g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(3.50g，17.9mmol)與NEP(16.7g)，於40℃下反應6小時，得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(5)。此聚醯胺酸的數平均分子量為22,100、重量平均分子量為68,500。
<合成例6>
於合成例5之合成手法所得之聚醯胺酸溶液(5)(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.40g)及吡啶(2.65g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而 製得聚醯亞胺粉末(6)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為58%，數平均分子量為19,800、重量平均分子量為52,900。
<合成例7>
將E2(1.37g，5.46mmol)、A2(1.18g，5.53mmol)、C2(2.91g，7.38mmol)、D1(0.20g，1.84mmol)及D2(0.56g，3.69mmol)於NMP(17.4g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(2.50g，12.8mmol)與NMP(8.72g)，於40℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NMP稀釋至6質量%之後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(4.45g)及吡啶(3.30g)，於80℃下反應3小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(7)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為80%，數平均分子量為17,100、重量平均分子量為47,800。
<合成例8>
將E2(1.37g，5.46mmol)、B1(1.38g，4.61mmol)、C2(1.09g，2.77mmol)及D2(1.68g，11.1mmol)於NMP(16.0g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(2.50g，12.8mmol)與NMP(8.02g)，於40℃下反應6小時，得樹脂 固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NMP稀釋至6質量%之後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(4.50g)及吡啶(3.35g)，於80℃下反應3.5小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(8)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為81%，數平均分子量為18,800、重量平均分子量為49,800。
<合成例9>
將E3(7.20g，32.1mmol)、A2(2.78g，13.0mmol)、C2(5.14g，13.0mmol)及D2(0.99g，6.51mmol)於NEP(48.3g)中混合，於40℃下反應8小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(9)。此聚醯胺酸的數平均分子量為21,200、重量平均分子量為65,400。
<合成例10>
於合成例9之合成手法所得之聚醯胺酸溶液(9)(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.40g)及吡啶(2.63g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(10)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為57%，數平均分子量為18,200、重量平均分子量為 48,300。
<合成例11>
將E3(3.85g，17.2mmol)、A3(0.53g，2.61mmol)、C4(2.14g，4.35mmol)及D2(1.59g，10.4mmol)於NMP(24.3g)中混合，於40℃下反應8小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中加入NMP，稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.90g)及吡啶(2.65g)，於60℃下反應3.5小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(11)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為68%，數平均分子量為17,500、重量平均分子量為47,900。
<合成例12>
將E4(1.64g，5.46mmol)、B1(1.65g，5.53mmol)、C1(1.40g，3.69mmol)、D1(0.20g，1.84mmol)及D2(1.12g，7.38mmol)於NMP(17.0g)中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E1(2.50g，12.8mmol)與NMP(8.52g)，於40℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NMP稀釋至6質量%之後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐 (4.15g)及吡啶(2.95g)，於70℃下反應3小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(12)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為64%，數平均分子量為18,100、重量平均分子量為49,600。
<合成例13>
將E4(2.87g，9.56mmol)、A3(0.98g，4.84mmol)、C3(2.44g，5.65mmol)、D1(0.26g，2.42mmol)及D2(0.49g，3.23mmol)於NEP(16.6g)中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E1(1.25g，6.37mmol)與NEP(8.30g)，於40℃下反應6小時，得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(4.55g)及吡啶(3.35g)，於80℃下反應3小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(13)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為81%，數平均分子量為16,300、重量平均分子量為45,100。
<合成例14>
將E4(3.57g，11.9mmol)、A1(1.37g，6.89mmol)、C4(1.70g，3.44mmol)及D2(1.05g，6.89mmol)於NMP(17.4g) 中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E1(1.00g，5.10mmol)與NMP(8.69g)，於40℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.75g)及吡啶(2.35g)，於80℃下反應3小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(14)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為53%，數平均分子量為17,800、重量平均分子量為48,900。
<合成例15>
將E2(1.73g，6.91mmol)、A1(0.70g，3.50mmol)、A2(0.75g，3.50mmol)、C2(2.76g，7.00mmol)及D2(0.53g，3.50mmol)於NMP(17.3g)中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E5(2.20g，10.4mmol)與NMP(8.67g)，於80℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(15)。此聚醯胺酸的數平均分子量為20,100、重量平均分子量為62,600。
<合成例16>
將E2(0.88g，3.54mmol)、B1(1.60g，5.37mmol)、C1(1.36g，3.58mmol)及D2(1.36g，8.95mmol)於NMP(16.4g)中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E5(3.00g， 14.1mmol)與NMP(8.21g)，於80℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(16)。此聚醯胺酸的數平均分子量為21,600、重量平均分子量為65,100。
<合成例17>
於依合成例16之合成手法所得之聚醯胺酸溶液(16)(30.0g)中，加入NMP稀釋至6質量%之後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(4.50g)及吡啶(3.30g)，於80℃下反應3小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(17)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為81%，數平均分子量為18,800、重量平均分子量為52,200。
<合成例18>
將E2(1.73g，6.91mmol)、A3(0.89g，4.38mmol)、C3(2.65g，6.13mmol)及D2(1.07g，7.00mmol)於NEP(17.1g)中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E5(2.20g，10.4mmol)與NEP(8.54g)，於80℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NMP稀釋至6質量%之後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(4.10g)及吡啶(3.05g)，於70℃下反應2.5小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以 甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(18)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為74%，數平均分子量為17,900、重量平均分子量為48,300。
<合成例19>
將E2(0.80g，3.18mmol)、A1(0.96g，4.83mmol)、C1(3.37g，8.86mmol)及D2(0.37g，2.42mmol)於NMP(16.4g)中混合，於80℃下反應6小時後，再加入E5(2.70g，12.7mmol)與NMP(8.20g)，於80℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NMP稀釋至6質量%之後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.75g)及吡啶(2.55g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(19)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為55%，數平均分子量為16,800、重量平均分子量為46,200。
<合成例20>
將E1(5.00g，25.5mmol)、C1(0.98g，2.58mmol)及D1(2.51g，23.2mmol)於NMP(25.5g)中混合，於40℃下反應8小時，製得樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(20)。此聚醯胺酸的數平均分子量為25,800、重量平均分子量為88,900。
<合成例21>
將E1(5.00g，25.5mmol)、D1(1.96g，18.1mmol)及D2(1.18g，7.75mmol)於NMP(24.4g)中混合，於40℃下反應8小時，製得樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(21)。此聚醯胺酸的數平均分子量為27,100、重量平均分子量為90,100。
<合成例22>
將E2(4.08g，16.3mmol)、C1(6.29g，16.5mmol)、D1(1.07g，9.92mmol)及D2(1.01g，6.61mmol)於NEP(31.3g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(3.20g，16.3mmol)與NEP(15.7g)，於40℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(22)。此聚醯胺酸的數平均分子量為22,500、重量平均分子量為66,900。
<合成例23>
於依合成例22之合成手法所得之聚醯胺酸溶液(22)(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.40g)及吡啶(2.50g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(23)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為55%，數平均分子量為19,200、重量平均分子量為 50,600。
<合成例24>
將E2(4.72g，18.9mmol)、C1(2.91g，7.64mmol)、D1(1.24g，11.5mmol)及D2(2.91g，19.1mmol)於NEP(31.0g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(3.70g，18.9mmol)與NEP(15.5g)，於40℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液(24)。此聚醯胺酸的數平均分子量為23,000、重量平均分子量為68,800。
<合成例25>
於依合成例24之合成手法所得之聚醯胺酸溶液(24)(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.40g)及吡啶(2.65g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(25)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為57%，數平均分子量為20,100、重量平均分子量為54,100。
<合成例26>
將E2(2.04g，8.16mmol)、A1(0.99g，4.96mmol)、D2(0.50g，3.31mmol)及D3(3.11g，8.26mmol)於NEP(16.5g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(1.60g， 8.16mmol)與NEP(8.25g)，於40℃下反應6小時，得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.45g)及吡啶(2.65g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(26)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為54%，數平均分子量為17,600、重量平均分子量為49,200。
<合成例27>
將E2(2.23g，8.92mmol)、B1(1.62g，5.42mmol)、D2(1.38g，9.04mmol)及D3(1.36g，3.62mmol)於NEP(16.7g)中混合，於80℃下反應5小時後，再加入E1(1.75g，8.92mmol)與NEP(8.34g)，於40℃下反應6小時，製得樹脂固形分濃度為25質量%的聚醯胺酸溶液。
於所得聚醯胺酸溶液(30.0g)中，加入NEP稀釋至6質量%後，加入作為醯亞胺化觸媒之乙酸酐(3.45g)及吡啶(2.65g)，再於60℃下反應2小時。將此反應溶液投入甲醇(460ml)中，濾出所得沈澱物。此沈澱物以甲醇洗淨，於100℃下減壓乾燥，而製得聚醯亞胺粉末(27)。此聚醯亞胺的醯亞胺化率為57%，數平均分子量為18,600、重量平均分子量為51,500。
本發明之聚醯亞胺系聚合物係如表2~表4所 示。
「本發明之液晶配向處理劑之製造」
下述實施例1~實施例19及比較例1~比較例8中，為記載液晶配向處理劑之製造例。又，該液晶配向處理劑，亦被使用於評估內容中。
本發明之液晶配向處理劑係如表5~表7所示。
使用本發明之實施例及比較例所得之液晶配向處理劑，進行「液晶配向處理劑的噴霧塗佈性之評估」、「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」、「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」及「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」。
「液晶配向處理劑的噴霧塗佈性之評估」
將本發明之實施例4所得之液晶配向處理劑(4)、實施例9所得之液晶配向處理劑(9)及實施例15所得之液晶配向處理劑(15)，使用細孔徑1μm的膜式過濾器進行加壓過濾，進行噴霧塗佈性之評估。噴霧塗佈機，為使用HIS-200(日立Plant Technologies公司製)者。塗佈為，於經純水及IPA洗淨之ITO(氧化銦錫)蒸鍍基板上，依噴嘴間距為0.423mm、掃瞄間距為0.5mm、塗佈速度為40mm/秒、由塗佈至預乾燥為止的時間為60秒、預乾燥於加熱板上為70℃、5分鐘之條件下進行。
確認所得附有液晶配向膜之基板的塗膜性。 具體而言，於鈉燈下以目視進行塗膜之觀察，確認有無沙孔。由其結果得知，無論任一實施例所得之液晶配向膜，於塗膜上皆未發線沙孔，而製得具有優良塗膜性之液晶配向膜。
「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」
將本發明之實施例及比較例所得之液晶配向處理劑，使用細孔徑1μm的膜式過濾器進行加壓過濾，進行液晶晶胞之製作(一般晶胞)。將此溶液旋轉塗佈於經純水及IPA洗淨之40×30mm的附有ITO電極之基板(縱40mm×橫30mm、厚度0.7mm)之ITO面上，於加熱板上以100℃、5分鐘、熱循環型無塵烘箱中以230℃、30分鐘進行加熱處理，製得膜厚為100nm的附有聚醯亞胺液晶配向膜之ITO基板。又，本發明之實施例4所得之液晶配向處理劑(4)、實施例9所得之液晶配向處理劑(9)及實施例15所得之液晶配向處理劑(15)，為依與上述「液晶配向處理劑的噴霧塗佈性之評估」為相同之條件下，製作附有液晶配向膜之基板，隨後，於熱循環型無塵烘箱中，以230℃、30分鐘進行加熱處理，製得膜厚為100nm的附有聚醯亞胺液晶配向膜之ITO基板。
將此ITO基板的塗膜面置於滾筒徑為120mm之摩擦裝置，使用人造絲布，以滾筒迴轉數為1000rpm、滾筒行進速度為50mm/sec、加壓量為0.1mm之條件下進行摩擦處理。
準備2片所得之附有液晶配向膜的ITO基板，以液晶配向膜面向內側之方式挾夾6μm之間隔器予以組合，使用密封劑接著周圍之方式製作空晶胞。將此空晶胞使用減壓注入法，注入向列液晶後，將注入口密封而製得液晶晶胞(一般晶胞)。
又，於使用實施例1所得之液晶配向處理劑(1)及比較例(1)所得之液晶配向處理劑(21)所製得的液晶晶胞中，液晶為使用MLC-2003(默克‧日本公司製)。又，該些以外的實施例及比較例所得之液晶配向處理劑所使用得晶胞中，其液晶為使用MLC-6608(默克‧日本公司製)。
其次，對該液晶晶胞(一般晶胞)之預傾角進行測定。預傾角，於進行液晶之等向性處理(95℃下施以5分鐘加熱處理)之後，測定將其進行加熱處理(120℃下施以5小時加熱處理)後的液晶晶胞。
此外，於對依上述相同條件下所製作之液晶晶胞進行等向性處理之後，亦對於以365nm換算為10J/cm2的紫外線照射後之液晶晶胞進行測定。又，預傾角為使用PAS-301(ELSICON製)，於室溫下進行測定。此外，紫外線之照射，為使用桌上型UV硬化裝置(HCT3B28HEX-1)(SEN LIGHT製)進行測定。
評估為，對於經液晶等向性處理後(亦稱為Iso處理後)之預傾角，以經加熱處理後(亦稱為高溫處理後)及經紫外線照射後(亦稱為紫外線照射後)之預傾角的變 化越小者，顯示為良好(表8~表10中，為標示經Iso處理後、高溫處理後及紫外線照射後的預傾角之值)。
表8~表10中，為標記實施例及比較例所得之結果。
「電壓保持率之評估(一般晶胞)」
使用依與上述「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」相同條件下所製作的液晶晶胞(一般晶胞)，進行電壓保持率之評估。具體而言，於依上述手法所得之液晶晶胞(一般晶胞)上，於80℃之溫度下，施加1V的電壓60μs後，測定50ms後的電壓，並計算電壓究竟可保持至何種程度之結果，作為電壓保持率(亦稱為VHR)。又，測定為使用電壓保持率測定裝置(VHR-1)(東陽科技公司製)，於Voltage：±1V、Pulse Width：60μs、Flame Period：50ms之設定下進行。
此外，對於測定上述液晶晶胞製作後之即時電壓保持率結束後的液晶晶胞，使用桌上型UV硬化裝置(HCT3B28HEX-1)(SEN LIGHT公司製)，照射365nm換算為50J/cm2的紫外線，並依與上述相同條件下進行電壓保持率之測定。
評估為，對液晶晶胞製作後即時的電壓保持率之值為越高，此外，對液晶晶胞製作後即時的電壓保持率之值而言，經紫外線照射後之值的降低越小者，則標記為良好(表11~表13中，為標記液晶晶胞製作後即時，及 紫外線照射後之VHR之值)。
表11~表13中，為標記實施例及比較例所得之結果。
「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」
使用依與上述「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」相同條件下所製作的液晶晶胞(一般晶胞)，進行減緩殘留電荷之評估。具體而言，為對液晶晶胞施加直流電壓10V、30分鐘，使其短路1秒鐘後，測定於1800秒間於液晶晶胞內所發生之電位。於其中，使用50秒後的殘留電荷之值，作為減緩殘留電荷之評估。又，測定為使用6254型液晶物性評估裝置(東陽科技公司製)。
此外，於測定上述液晶晶胞製作後即時的殘留電荷結束後的液晶晶胞，使用桌上型UV硬化裝置(HCT3B28HEX-1)(SEN LIGHT公司製)，照射365nm換算為30J/cm2的紫外線，並依上述相同之條件進行殘留電荷之測定。
評估為，液晶晶胞製作後即時，及紫外線照射後的殘留電荷之值越小時，表示為良好(表11~表13中，為標記液晶晶胞製作後即時，及紫外線照射後的殘留電荷之值)。
表11~表13中，為標記實施例及比較例所得之結果。
「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」
將實施例3所得之液晶配向處理劑(3)、實施例5所得之液晶配向處理劑(5)、實施例6所得之液晶配向處理劑(6)、實施例8所得之液晶配向處理劑(8)及實施例16所得之液晶配向處理劑(16)，使用細孔徑1μm的膜式過濾器進行加壓過濾，並進行液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)。將此溶液旋轉塗佈於經純水及IPA洗淨之中心具有間隔的20μm的10×10mm之圖型的附有ITO電極之基板(縱40mm×橫30mm、厚度0.7mm)，與中心具有附有10×40mm的ITO電極之基板(縱40mm×橫30mm、厚度0.7mm)之ITO面上，於加熱板上以100℃、5分鐘、熱循環型無塵烘箱中以230℃、30分鐘進行加熱處理，得膜厚為100nm之聚醯亞胺塗膜。
將此附有液晶配向膜之基板，以液晶配向膜面作為內側之方式，挾夾6μm的間隔器予以組合，並以密封劑接著周圍而製得空晶胞。此空晶胞使用減壓注入法，注入於向列型液晶(MLC-6608)(默克‧日本公司製)之下述式所示聚合性化合物(1)，混合相對於向列型液晶(MLC-6608)之100質量%為0.3質量%的聚合性化合物(1)所得之液晶後，密封注入口，製得液晶晶胞。
對所得之液晶晶胞，於持續施加交流5V之電壓中，使用照度60mW之金屬鹵化物燈，切斷350nm以下之波長，使用365nm換算為20J/cm2的紫外線進行照射，製得液晶配向方向受到控制的液晶晶胞(PSA晶胞)。使用紫外線照射液晶晶胞之際，其照射裝置內的溫度為50℃。
測定此液晶晶胞於紫外線照射前與紫外線照射後的液晶之應答速度。應答速度為，測定由透過率90%至透過率10%為止的T90→T10。
任一實施例所得之PSA晶胞，與紫外線照射前之液晶晶胞相比較時，得知紫外線照射後之液晶晶胞的應答速度更為快速，而確認液晶之配向方向受到控制。又，無論任一液晶晶胞，於使用偏光顯微鏡(ECLIPSE E600WPOL)(尼康公司製)觀察時，皆確認液晶為呈現均勻配向。
<實施例1>
於依合成例1之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(1)(5.00g)及合成例2之合成手法所 得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(2)(3.33g)中，加入NMP(18.2g)及BCS(8.16g)，於25℃下攪拌6小時，得液晶配向處理劑(1)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(1)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例2>
於依合成例3之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(3)(4.50g)及合成例5之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(5)(4.50g)中，加入NEP(14.4g)及PB(14.1g)，於25℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(2)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得之液晶配向處理劑(2)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例3>
於依合成例4之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(4)(1.15g)及合成例6之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(6) (1.15g)中，加入NEP(21.6g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(14.4g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(3)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得之液晶配向處理劑(3)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」、「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」及「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」。
<實施例4>
於依合成例4之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(4)(0.65g)及合成例6之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(6)(0.43g)中，加入NEP(14.9g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(5.97g)、PB(8.96g)及K1(0.032g)，於40℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(4)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(4)，進行「液晶配向處理劑的噴霧塗佈性之評估」、「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例5>
於依合成例7之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(7)(1.65g)及合成例8之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(8)(0.71g)中，加入NMP(20.3g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(12.9g)及DME(3.69g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(5)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(5)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」、「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」及「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」。
<實施例6>
於依合成例9之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(9)(3.50g)及合成例5之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(5)(5.25g)中，加入NEP(14.0g)、PB(10.3g)及EC(3.43g)，於25℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(6)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(6)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」、「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」及「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」。
<實施例7>
於依合成例10之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(10)(1.75g)中，加入NEP(15.0g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(11.0g)及DME(1.37g)，於40℃下攪拌4小時，製得溶液。
另一方面，於依合成例6之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(6)(0.44g)中，加入NEP(3.80g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(2.70g)及DME(0.34g)，於40℃下攪拌4小時，製得溶液。
將上述所得之2個溶液混合，再加入K1(0.153g)，於40℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(7)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(7)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例8>
於依合成例11之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(11)(0.75g)及合成例8之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(8)(1.39g)中，加入NMP(6.71g)及NEP(13.4g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(13.4g)及 K1(0.107g)，於40℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(8)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(8)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」、「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」及「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」。
<實施例9>
於依合成例11之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(11)(0.55g)及合成例8之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(8)(0.83g)中，加入NEP(15.2g)及γ-BL(3.79g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(15.2g)及DME(3.79g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(9)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(9)，進行「液晶配向處理劑的噴霧塗佈性之評估」、「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例10>
於依合成例4之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(4)(1.10g)中，加入NMP(1.73g)及NEP(6.90g)，於70℃下 攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(1.73g)及PB(6.90g)，於40℃下攪拌4小時，製得溶液。
另一方面，於依合成例12之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(12)(1.10g)中，加入NMP(1.73g)及NEP(6.90g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(1.73g)及PB(6.90g)，於40℃下攪拌4小時，製得溶液。
將上述所得之2個溶液混合，於25℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(10)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(10)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例11>
於依合成例13之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(13)(1.25g)及合成例8之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(8)(0.83g)中，加入NEP(13.1g)及γ-BL(3.26g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(13.1g)及EC(3.26g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(11)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(11)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例12>
於依合成例10之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(10)(0.65g)及合成例8之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(8)(1.52g)中，加入NMP(17.0g)及γ-BL(1.70g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(6.79g)及PB(8.49g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(12)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(12)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例13>
於依合成例15之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(15)(4.50g)及合成例16之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(16)(4.50g)中，加入NMP(14.4g)、BCS(3.53g)、PB(10.6g)及K1(0.225g)，於40℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑 (13)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(13)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例14>
於依合成例7之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(7)(0.90g)及合成例17之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(17)(1.35g)中，加入NEP(15.9g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(5.29g)及PB(14.1g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(14)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(14)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例15>
於依合成例7之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(7)(0.55g)及合成例17之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(17)(0.83g)中，加入NMP(3.79g)及NEP(15.2g)，於70℃下攪 拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(19.0g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(15)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(15)，進行「液晶配向處理劑的噴霧塗佈性之評估」、「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例16>
於依合成例18之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(18)(1.25g)中，加入NMP(8.82g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(2.94g)及PB(7.86g)，於40℃下攪拌4小時，製得溶液。
另一方面，於依合成例17之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(17)(0.83g)中，加入NMP(5.88g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(1.96g)及PB(5.24g)，於40℃下攪拌4小時，製得溶液。
將上述所得之2個溶液混合，於25℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(16)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(16)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」、「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」 及「液晶晶胞之製作及液晶配向性之評估(PSA晶胞)」。
<實施例17>
於依實施例16之製作方法所得之液晶配向處理劑(16)(20.0g)中，加入K1(0.06g)，於40℃下攪拌6小時，液晶配向處理劑(17)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(17)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例18>
於依合成例19之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(19)(0.45g)及合成例6之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(6)(1.80g)中，加入NEP(21.2g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(3.53g)及PB(10.6g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(18)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(18)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<實施例19>
於依合成例19之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(19)(1.63g)及合成例5之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(5)(6.50g)中，加入NEP(19.4g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入BCS(6.47g)及PB(6.47g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(19)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(19)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例1>
於依合成例20之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(20)(4.95g)及合成例21之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(21)(3.30g)中，加入NMP(18.0g)及BCS(8.08g)，於25℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(20)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(20)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之 評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例2>
於依合成例3之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(3)(4.50g)及合成例24之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(24)(4.50g)中，加入NEP(14.4g)及PB(14.1g)，於25℃下攪拌6小時，液晶配向處理劑(21)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(21)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例3>
於依合成例22之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(22)(4.50g)及合成例5之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(5)(4.50g)中，加入NEP(14.4g)及PB(14.1g)，於25℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(22)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(22)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之 評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例4>
於依合成例22之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(22)(4.50g)及合成例24之合成手法所得之樹脂固形分濃度25質量%的聚醯胺酸溶液(24)(4.50g)中，加入NEP(14.4g)及PB(14.1g)，於25℃下攪拌6小時，製得液晶配向處理劑(23)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(23)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例5>
於依合成例4之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(4)(1.10g)及合成例25之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(25)(1.10g)中，加入NEP(20.7g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(13.8g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(24)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(24)，進行「液晶晶 胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例6>
於依合成例23之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(23)(1.10g)及合成例6之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(6)(1.10g)中，加入NEP(20.7g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(13.8g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(25)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(25)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例7>
於依合成例23之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(23)(1.10g)及合成例25之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(25)(1.10g)中，加入NEP(20.7g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(13.8g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(26)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(26)，進行「液晶晶 胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
<比較例8>
於依合成例26之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(26)(1.10g)及合成例27之合成手法所得之聚醯亞胺粉末(27)(1.10g)中，加入NEP(20.7g)，於70℃下攪拌24小時，使其溶解。於此溶液中，加入PB(13.8g)，於40℃下攪拌4小時，製得液晶配向處理劑(27)。此液晶配向處理劑中，未發現混濁或析出等異常現象，而確認為均勻之溶液。
使用所得液晶配向處理劑(27)，進行「液晶晶胞之製作及預傾角之評估(一般晶胞)」、「電壓保持率之評估(一般晶胞)」及「減緩殘留電荷之評估(一般晶胞)」。
由上述之結果得知，本發明之實施例的液晶配向處理劑，與比較例的液晶配向處理劑比較結果得知， 液晶晶胞中，即使進行高溫處理及紫外線照射，亦顯示出安定的預傾角。此外，即使進行紫外線照射時，仍可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷的效果。即，本發明之液晶配向處理劑，可形成一種即使長時間暴露於高溫及光照射之後，仍可產生安定的預傾角之液晶配向膜，此外，亦為一種即使長時間暴露於光線照射之後，可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷液晶配向膜。
具體而言，使用本發明之特定聚合物(A)與特定聚合物(B)之液晶配向處理劑的實施例，與未使用其中任一者所得之液晶配向處理劑的實施例之比較，即，實施例2與比較例2或比較例3之比較，及實施例3與比較例5或比較例6之比較。與僅使用該些特定聚合物(A)的比較例或僅使用特定聚合物(B)的比較例，由其對應之實施例相比較時，得知對於紫外線照射而言，其電壓保持率大幅降低，且殘留電荷之數值亦為更大。
又，使用本發明之特定聚合物(A)與特定聚合物(B)之液晶配向處理劑的實施例，與不具有本發明之三級含氮原子的結構的聚合物與使用不具有特定結構(2)之聚合物的液晶配向處理劑之比較例，即，實施例1與比較例1之比較、實施例2與比較例4之比較，及實施例3與比較例7之比較。該些比較例與對應之實施例相比較時，得知對於紫外線照射，其電壓保持率大幅降低，此外，殘留電荷之數值亦為更大。
此外，使用本發明之特定聚合物(A)與特定聚合物(B)之液晶配向處理劑的實施例，與以往型之使用具有側鏈結構的聚合物的液晶配向處理劑之比較例的比較，即，實施例3與比較例8之比較。此比較例，與對應之實施例相比較時，得知於進行高溫處理及紫外線照射後的預傾角之變化幅度更大，且，對於紫外線照射而言，其電壓保持率大幅降低，此外，殘留電荷之數值亦為更大。其中，特別是電壓保持率之降低為更大。
[產業上之利用性]
本發明之液晶配向處理劑，可提供一種即使長時間暴露於高溫及光照射之後，也可產生安定的預傾角之液晶配向膜。此外，亦提供一種即使長時間暴露於光線照射之後，可抑制電壓保持率之降低，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷液晶配向膜。此外，也可提供一種具有上述液晶配向膜之液晶顯示元件、可提供上述液晶配向膜之液晶配向處理劑等。
因此，具有由本發明之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜的液晶顯示元件，為具有優良信賴性者，且極適合使用於大畫面且具有高精密度的液晶電視等，對於TN元件、STN元件、TFT液晶元件，特別是垂直配向型之液晶顯示元件為有用者。
此外，由本發明之液晶配向處理劑所得之液晶配向膜，於製作液晶顯示元件之際，對於必須照射紫外 線的液晶顯示元件而言，為有用者。即，其對於經於具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置含有至少經由活性能量線及熱中至少一者而聚合之聚合性化合物的液晶組成物，該液晶組成物係經由於前述電極間持續施加電壓，而使前述聚合性化合物聚合之步驟所製造的液晶顯示元件，與於具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置有經由活性能量線及熱之至少一者而可聚合之含有聚合性基的液晶配向膜，該液晶配向膜係經由於前述電極間持續施加電壓，而使前述聚合性基聚合之步驟所製得之液晶顯示元件亦為有用者。

Claims (24)

  1. 一種含有下述(A)成份及(B)成份之液晶配向處理劑，(A)成份：含有由具有選自下述式〔1a〕~式〔1c〕所示結構之至少1種結構之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物，(B)成份：含有由具有下述式〔2〕所示之結構的聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少任一種的聚合物，又，(A)成份及(B)成份之聚合物中之至少任一者，為含有下述式〔3〕所示之結構， (式〔1a〕中，X1表示苯環或含氮芳香族雜環，X2表示被氫原子或碳數1~12的脂肪族基所取代之二取代胺基，式〔1b〕中，X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子，且具有1~2個苯環之芳香族基，X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基，m表示0或1之整數，式〔1c〕中，X8及X10各自獨立表示由下述式〔1c-a〕及式〔1c-b〕所示之結構所選出之至少1種的結構，X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環) (式〔2〕中，Y1及Y7各自獨立表示由單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基，Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基，Y4表示氧原子或硫原子) (式〔3〕中，B1表示單鍵、-(CH2)a-(a為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-，B2表示單鍵或-(CH2)b-(b為1~15之整數)，B3表示單鍵、-(CH2)c-(c為1~15之整數)、-O-、-CH2O-、-COO-或-OCO-，B4表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，或具有膽固醇骨架之碳數17~51的2價之有機基，前述環狀基上的任意之氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之 烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代，B5表示由苯環、環己烷環或雜環所選出的2價之環狀基，該些環狀基上的任意之氫原子，可被碳數1~3之烷基、碳數1~3之烷氧基、碳數1~3之含氟烷基、碳數1~3之含氟烷氧基或氟原子所取代，n表示0~4之整數，B6表示碳數1~18之烷基、碳數1~18之含氟烷基、碳數1~18之烷氧基或碳數1~18之含氟烷氧基)。
  2. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份之聚合物為使用下述式〔1-1〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物， (式〔1-1〕中，XA表示具有由前述式〔1a〕~式〔1c〕所示之結構所選出之至少1種的結構之有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
  3. 如請求項2之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為使用下述式〔1a-1〕~式〔1c-1〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物， (式〔1a-1〕中，X1表示苯環或含氮芳香族雜環，X2表示被氫原子或碳數1~12的脂肪族基所取代之二取代胺基，式〔1b-1〕中，X3及X7各自獨立表示具有6~15個碳原子，且具有1~2個苯環之芳香族基，X4及X6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，X5表示碳數2~5之伸烷基或聯苯基，m表示0或1之整數，式〔1c-1〕中，X8及X10各自獨立表示由前述式〔1c-a〕及式〔1c-b〕所示之結構所選出之至少1種的結構，X9表示碳數1~5之伸烷基或苯環，式〔1a-1〕~式〔1c-1〕中，A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
  4. 如請求項3之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為由下述式〔1-1a〕~式〔1-4a〕所示二胺化合物所選出之至少1種的二胺化合物， (式〔1-3a〕中，R1表示氫原子或碳數1~5之烷基，式〔1-4a〕中，n表示1~10之整數，式〔1-1a〕~式〔1-4a〕中，A1~A8各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
  5. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，前述(B)成份之聚合物為使用下述式〔2-1〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物， (式〔2-1〕中，YA表示具有前述式〔2〕所示之結構的有機基，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
  6. 如請求項5之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為使用下述式〔2a〕所示二胺化合物作為原料的一部份而製得之聚合物， (式〔2a〕中，Y1及Y7各自獨立表示單鍵、碳數1~10之伸烷基、-O-、-N(R1)-(R1表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CON(R2)-(R2表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-N(R3)CO-(R3表示氫原子或碳數1~3之烷基)、-CH2O-、-COO-及-OCO-所選出之至少1種的有機基，Y2及Y6各自獨立表示碳數1~10之伸烷基，Y3及Y5各自獨立表示氫原子或碳數1~10之烷基，Y4表示氧原子或硫原子，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
  7. 如請求項6之液晶配向處理劑，其中，前述二胺化合物為由下述式〔2-1a〕~式〔2-3a〕所示二胺化合物所選出之至少1種的二胺化合物， (式〔2-1a〕~式〔2-3a〕中，A1~A6各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基)。
  8. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份及(B)成份中之至少任一者的聚合物為以下述式〔3a〕所示二胺化合物作為原料的一部份使用所得者， (式〔3a〕中，B表示前述式〔3〕，A1及A2各自獨立表示氫原子或碳數1~5之烷基，m表示1~4之整數)。
  9. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份之聚合物及(B)成份之聚合物為由使用下述式〔4〕所示 四羧酸成份所得之聚醯亞胺前驅體及聚醯亞胺所選出之至少1種的聚合物， (式〔4〕中，Z表示由下述式〔4a〕~式〔4k〕所示之結構所選出之至少1種的結構) (式〔4a〕中，Z1~Z4表示氫原子、甲基、乙基、丙基、氯原子或苯環，其可分別為相同亦可、相異亦可，式〔4g〕中，Z5及Z6表示氫原子或甲基，其可分別為相同亦可、相異亦可)。
  10. 如請求項9之液晶配向處理劑，其中，前述四羧酸成份為，前述式〔4〕中之Z為由前述式〔4a〕及式〔4e〕~式〔4g〕所示之結構所選出之至少1種的結構的四羧酸成份。
  11. 如請求項3之液晶配向處理劑，其中，前述(A)成份之聚合物中，前述式〔1a-1〕~式〔1c-1〕所示二胺化合物，於全部的二胺成份100莫耳%中，為5莫耳%~95莫耳%。
  12. 如請求項6之液晶配向處理劑，其中，前述(B)成份之聚合物中，前述式〔2a〕所示二胺化合物，於全部的二胺成份100莫耳%中，為5莫耳%~95莫耳%。
  13. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，前述(B)成份之聚合物，相對於前述(A)成份之聚合物100質量份，為0.5質量份~950質量份。
  14. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，液晶配向處理劑的溶劑為，含有由N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮及γ-丁內酯所選出之至少1種的溶劑。
  15. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，液晶配向處理劑的溶劑為，含有由1-己醇、環己醇、1,2-乙二醇、1,2-丙二醇、丙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚及二丙二醇二甲醚所選出之至少1種的溶劑。
  16. 如請求項1之液晶配向處理劑，其中，液晶配向處理劑中含有：由具有環氧基、異氰酸酯基、環氧丙烷基或環碳酸酯基的交聯性化合物，具有由羥基、羥烷基或低級烷氧基烷基所成群所選出之至少1種的取代基的交聯性化合物，及由具有聚合性不飽和鍵結的交聯性化合物所選出之至少1種的交聯性化合物。
  17. 一種液晶配向膜，其特徵為，由請求項1~請求 項16之任一項之液晶配向處理劑所製得。
  18. 一種液晶配向膜，其特徵為，使用請求項1~請求項16之任一項之液晶配向處理劑，經噴墨法所製得。
  19. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具有請求項17之液晶配向膜。
  20. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具有請求項18之液晶配向膜。
  21. 如請求項17之液晶配向膜，其係使用於一種具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置含有經由活性能量線及熱中至少一者而聚合之聚合性化合物的液晶組成物，該液晶組成物係經由於前述電極間持續施加電壓，而使前述聚合性化合物聚合之步驟所製得之液晶顯示元件。
  22. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具有請求項21之液晶配向膜。
  23. 如請求項17之液晶配向膜，其係使用於一種具備有電極之一對的基板之間具有液晶層，前述一對的基板之間，配置有含有經由活性能量線及熱中至少一者而聚合的聚合性基之液晶配向膜，該液晶配向膜係經由於前述電極間持續施加電壓，而使前述聚合性基聚合之步驟所製得之液晶顯示元件。
  24. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具有請求項23之液晶配向膜。
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